Разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Нелина, Светлана Николаевна

• Нелина, Светлана Николаевна
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Нелина, Светлана Николаевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Монокристаллы сапфира.

1.1.1 Метод ГНК.

1.1.2. Дефекты структуры кристаллов и закономерности их образования.

1.1.3 Особенности выращивания кристаллов сапфира.

1.1.4 Особенности теоретического решения задач радиационно — кондуктивного теплообмена в процессе роста монокристаллов.

1.2 Изготовление подложек из сапфира.

1.2.1 Сапфир, как материал для подложек ИМС.

1.2.2 Требования к поверхности подложек.

1.2.3 Резка монокристаллов сапфира на пластины.

1.2.4 Шлифовка и полировка сапфировых пластин.

1.3 Использование сапфировых подложек в электронной технике.

1.3.1 Конструкционное применение сапфира в качестве «подложек» в изделиях электронной техники.

1.3.2 Сеноры давления на основе структуры «кремний.на сапфире».

1.4 Выводы по главе 1.!.

ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА.

2.1 Способы контроля.условий роста в методё ГНК.

2.2 Исследование блочного строения кристаллов сапфира.

2.3 Поляризационно - оптический способ измерения остаточных напряжений.

2.4 Методика изготовления сапфировых подложек.

2.5 Метод атомно-силовой микроскопии.

2.6 Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3 ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МАТЕРИАЛОВ НА ПРОЦЕСС КРИСТАЛЛИЗАЦИИ.

3.1 Моделирование процессов, влияющих на качество растущего кристалла сапфира методом гнк.

3.1.1 Теплофизические процессы, происходящие на начальной стадии роста.

3.1.2 Самосогласованый рост кристалла при больших начальных переохлаждениях.

3.1.3 Влияние градиента температуры в кристалле на положение и форму фронта кристаллизации.

3.1.3.1.Моделирование процессов теплообмена в системе кристалл-расплав.67 3.1.3.2 Расчет распределения-температуры в системе расплав — кристалл -шихта.

3.2 Влияние теплофизических процессов, происходящих при росте кристалла сапфира на наличие пузырей;в кристалле.

3.3 Влияние мощности нагревателя на качество кристаллов сапфира, полученных методом ГНК.

3.4 Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ В УСТАНОВКЕ ТИПА СЗВН И КРИСТАЛЛЕ САПФИРА НА РАЗЛИЧНЫХ ЭТАПАХ РОСТА.

4.1 Экспериментальное исследование распределения температур в установках ГНК типа СЗВН - 155.

4.2 Влияние теплового пространства печи для выращивания кристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации на условия теплообмена в процессе кристаллизации.

4.3 Исследование остаточных напряжений в кристаллах сапфира.

4.4 Выводы по главе 4.

ГЛАВА 5 ПРИМЕНЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА В ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКЕ.

5.1 Изготовление сапфировых элементов электронной техники.

5.1.1 Исследование механической обработки сапфировых элементов.

5.1.2 Исследование химико-механической полировки сапфира.

5.1.3 Маршрут изготовления подложек из сапфира.

5.2 Разработка конструкции датчика давления на основе структуры кремний-на-сапфире».

5.2.1 Конструкция датчика давления.

5.2.1 Моделирование упругого элемента датчика давления.

5.2.3 Расчет чувствительности датчика давления.'.

5.2.4 Методика проектирования упругого элемента датчика давления.

5.3 Выводы по главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники»

Актуальность диссертационной работы

Разработка технологии получения кристаллов сапфира и изделий из них во многом определяет успехи развития важнейших направлений квантовой электроники, микроэлектроники, атомной энергетики. Весьма широк диапазон потребительских свойств монокристаллического сапфира: от генерации, усиления и преобразования электромагнитных колебаний до использования в качестве конструкционного материала. Такое широкое применение кристаллов сапфира связано с тем, что они обладают набором уникальных качеств: высокая оптическая однородность и прозрачность в широком диапазоне длин волн, радиационная стойкость, хорошие механические, термические и диэлектрические свойства.

Однако производство и решение научно-технических задач, связанных с получением и обработкой крупногабаритных кристаллов сапфира, до сих пор остается серьезной проблемой. Это связанно с высокой плотностью дислокаций, пористостью и наличием значительных внутренних механических напряжений по всему объему кристалла, а также в высокой твердости материала и химической инертности.

В области исследования качества кристаллов сапфира и изделий из них недостаточно изученными остается ряд вопросов. Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с разработкой и исследованием технологии изготовления элементов электронной техники на основе монокристаллического сапфира, представляется современной и актуальной.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являются разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники. Для реализации поставленной цели решались следующие задачи диссертационной работы:

1. Проведение исследования свойств кристаллов сапфира и разработка режимов их выращивания, обеспечивающих получение материала с заданными структурными параметрами.

2. Разработка технологической схемы изготовления подложек, включающей выращивание кристалла сапфира, ориентированную резку монокристаллического блока на пластины в заданной кристаллографической плоскости, придание им необходимых геометрических размеров, механическую шлифовку и финишную химико-механическую полировку.

3. Разработка и исследование конструкции чувствительного элемента на основе структуры «кремний на сапфире» для сенсора давления.

Научная новизна работы:

1. Разработана модель роста сапфира, в которой форма кристалла задается углом разрастания и толщиной кристалла, позволяющая определить зависимость градиента температуры в кристалле от его геометрии, а также рассчитать режим ведения кристаллизации, обеспечивающий постоянство скорости роста кристалла; а, соответственно, и степень дефектности кристалла сапфира для элементов электронной техники.

2. Установлено, что самосогласованный рост кристалла при больших начальных переохлаждениях стабилизируется, когда количество тепла, отводимое через боковую поверхность и поверхности, ограничивающие кристалл сверху и снизу равны.

3. Разработана модель роста сапфира, в которой проводится двумерное моделирование, позволяющее отследить не только скорость перемещения, но и форму фронта кристаллизации, определяющую закономерность захват пузырей фронтом кристаллизации.

4. Установлено, что в условиях самосогласованного роста кристалла скорость кристаллизации равна скорости протягивания тигля. Такие условия выращивания кристаллов позволяют управлять дефектностью растущих кристаллов.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработана технологическая схема изготовления подложек из монокристаллического сапфира, на основании которой проведен анализ дефектности выращенных кристаллов, а также взаимодействия абразивного материала и обрабатываемой поверхности и его влияния на интенсивность снятия материала и на качество обрабатываемой поверхности.

2. Усовершенствована методика изготовления пластин-подложек AI2O3 для интегральных схем, позволяющая повысить производительность процесса изготовления на 15%, и получить поверхность с шероховатостью Rmax менее 3 нм.

3. Оптимизирована технологическая методика выращивания монокристаллов сапфира методом ГНК, позволяющая снизить содержание пор диаметром 10"4 - 10"3 см в кристалле на 10%.

4. Разработана методика изготовления датчика давления, на основе структуры «кремний - на - сапфире».

Используемые методики. • ■

Контроль условий роста в методе ГНК производился путем измерения параметров электропитания нагревателя кристаллизационной печи — напряжение, мощность. Одновременно осуществлялось визуальное наблюдение за нахождением фронта кристаллизации относительно нагревателя.

Температурные измерения производились с помощью вольфрам-рениевых термопар ВР5. Контроль качества получаемого монокристалла и определение его параметров осуществлялось поляризационно-оптическим методом с использованием полярископа типа ПКС — 250.

Контроль измерения углов разориентации блоков и определение направления оси поворота осуществлялся по методу обратной рентгеновской съемки в расходящемся пучке.

Качество поверхности подложек после алмазной и химико -механической полировки исследовалось методами профилографирования и атомно — силовой микроскопии.

Положения, выносимые на защиту;

1. Модель, на базе которой проведен анализ процесса получения кристаллов сапфира по методу ГНК в зоне разрастания кристалла.

2. Модель, на базе которой, проведен анализ распределения температуры в системе расплав - кристалл на различных этапах процесса получения кристаллов сапфира методом ГНК.

3. Оптимизированная технологическая методика ведения процесса кристаллизации, обеспечивающая рост бездефектных кристаллов.

4. Усовершенствованная методика изготовления пластин-подложек А12Оз для интегральных схем:

5. Конструкция датчика давления на основе структуры «кремний на сапфире».

Реализация результатов диссертационной работы.

Диссертационная' работа выполнялась на кафедре КЭС ТТИ ЮФУ и предприятии ООО «Завод Кристалл» г.Таганрог в рамках х/д работ 2006г.: «Исследование технологии получения монокристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации на установках типа СЗВН-15532, СЗВН 175» №13403, № ГР 01201051745., 2009 г.: «Разработка и исследование технологии получения монокристаллического кремния для электронной техники» №13409, № ГР 01201051746.

Результаты диссертационной работы внедрены на промышленном предприятии: ООО «Завод Кристалл» (Россия, г. Таганрог), на предприятии ООО «Кристаллограф» (Россия, г. Таганрог), на предприятии ООО «Кремний-Юг» а также, используются в учебном процессе на кафедрах КЭС ТТИ ЮФУ и ТМиНа ТТИ ЮФУ.

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности: на десятой международной научно-технической конференции и школы-семинара «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ'Об (Россия, Таганрог, ТРТУ, 2006); 14-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика -2007», МИЭТ (Россия, Москва, 2007 г.); XI научной молодёжной школе по твердотельной электронике "Нанотехнологии, наноматериалы, нанодиагностика" (Россия, Санкт - Петербург (ЛЭТИ) 24 - 25 мая 2008 г.); 16-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика — 2009», МИЭТ (Россия, Москва, 2009г.); 9-й международной научной конференции «Химия твердого тела: монокристаллы, наноматериалы, Нанотехнологии» (Россия, Кисловодск, 2009г.).

Публикации

По материалам диссертационной работы опубликовано 13 печатных работ, из них 8 статей и 5 работ в сборниках трудов конференций, в том числе 6 статей в журналах, входящих в перечень ВАК. Подана заявка на патент.

Материалы диссертации также использовали в отчете ООО «Завод Кристалл» г. Таганрог, Россия, по госконтракту «Развитие производства кристаллов диэлектриков и изделий из них» 2007г.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и 1 приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Нелина, Светлана Николаевна

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1.0дно из преимуществ метода горизонтально-направленной кристаллизации (ГНК) - благоприятные возможности контроля параметров кристаллизации. Именно поэтому, метод ГНК имеет высокую воспроизводимость условий роста - возможность выращивания одинаковых по качественным характеристикам кристаллов при проведении серийных кристаллизационных экспериментов.

2.На качество растущих кристаллов оказывают влияние температурные условия в ростовой установке, зависимость свойств материалов от температуры, наличие межфазной границы в слое и ее движение.

3.Для контроля основных параметров технологического процесса, влияющих на бездефектный рост крупногабаритных кристаллов сапфира

131 определены и отработаны следующие способы контроля: измерение параметров электропитания нагревателя кристаллизационной печи — напряжение, мощность; визуальное наблюдение фронта кристаллизации; измерение относительной температуры с помощью термопар; пирометрический контроль температуры.

4.С учетом нормального механизма роста, разработана модель, на базе которой проведен анализ процесса получения кристаллов сапфира по методу ГНК на этапе разрастания кристалла. Определена зависимость градиента температуры на начальной стадии роста от геометрии кристалла. Поток тепла в объеме кристалла разветвляется на осевой и радиальный потоки. Потоки разветвляются, когда количество тепла, отводимое через боковую поверхность ¿V и поверхности, ограничивающие кристалл сверху и снизу равны.

5.Степень начального переохлаждения определяет установившуюся скорость роста кристалла. На этапе установившейся скорости роста температура поверхности фазового превращения и, соответственно, степень переохлаждения становятся постоянными, причем, диссипация скрытой теплоты фазового превращения через объем растущего кристалла является главным, определяющим рост фактором.

6.Для исследования влияния. градиента температуры в кристалле на положение и форму фронта кристаллизации была разработана модель на базе которой изучено распределение температуры в системе расплав - кристалл на различных этапах выращивания сапфира методом ГНК, что позволило отследить скорость перемещения и форму фронта кристаллизации, определяющую закономерность захват пузырей фронтом кристаллизации. Установлено, что в условиях самосогласованного роста кристалла скорость кристаллизации равна скорости протягивания тигля (0,06 м от затравки). Такие условия выращивания кристаллов позволяют управлять дефектностью растущих кристаллов.

7.0ценка условий при которых будет происходить захват пузырьков фронтом кристаллизации в случае роста кристалла- при- больших начальных

132 переохлаждениях показала, что наиболее оптимальной является скорость роста при начальных переохлаждениях расплава (20 — 40)К. При этом обеспечивается скорость кристаллизации близкая к скорости протягивания тигля (1,67 - 3-10"6м/с) и эффективный коэффициент сегрегации, близкий к равновесному (Ко=0,3).

8.В работе показано, что скорость пузырей в расплаве перед фронтом кристаллизации вблизи тигля и на свободной поверхности различна и определяется размером пузырей и градиентом температуры в расплаве. Расчеты показали, что пузыри диаметром 10"6м всегда будут захватываться фронтом кристаллизации. Накопление и захват пузырей перед фронтом кристаллизации вблизи тигля происходит раньше чем на свободной поверхности в зависимости от размера пузырей.

9.Анализ изменения теплосодержания расплава в зависимости от мощности нагревателя показал, что изменение мощности, отводимой через кристалл в процессе роста составляет 2,4кВт и носит преобладающий характер влияния на теплосодержание расплава. Такое явление объясняется прозрачностью кристаллов сапфира для теплового излучения с поглощательной способностью а<0,3 — 0,5 см"1. Для поддержания теплового равновесия, которое определяет градиент на фронте и влияет на качество растущего кристалла, необходимо компенсировать изменение теплосодержания расплава. Согласно расчетам требуемое изменение мощности на нагревателе составляет 2,36 Вт.

10.Эксперименты, проведенные с целью изучения распределения температуры на поверхности кристалла сапфира в процессе его роста выявили удовлетворительное согласие с теоретическими расчетами по уровню температур, хотя и обнаружили заметную разницу в величине §гас!>Т на фронте кристаллизации (от 78 град/см до 10 град/см). Такой разброс величины §гас1 Т на фронте кристаллизации предъявляет жесткие требования к программе ведения температурного режима процесса.

11.Выявлено, что в конкретных условиях при длине кристалла 320мм носовая его часть выходит из патрубка на 50мм, что приводит к резкому снижению его температуры (до 1500°С) и вследствие высокой прозрачности сапфира, возрастает радиационный поток через кристалл, который влияет на положение фронта кристаллизации.

12.Выявлено, что большая часть кристалла (150 мм) в зоне отжига находится ниже зоны пластических деформаций, что приводит к возникновению значительных термоупругих напряжений и растрескиванию кристаллов.

13. Для сведения к минимуму термоупругих напряжений и к стабилизации положения фронта кристаллизации была разработана технологическая программа ведения кристаллизации. Кристаллы сапфира, полученные по предложенному технологическому процессу не содержат трещин и пузырей и является высокого оптического качества.

М.Выявлено, что на температуру нагревателя оказывает влияние целый ряд факторов, таких как положение тигля в тепловом узле относительно нагревателя, вид загрузки тигля и, как следствие, условия процесса ее проплавления и кристаллизации. Температурные измерения рабочих элементов кристаллизационной установки позволили оценить влияние положения тигля на температуру кристаллизаторов и дать оценку эффективности работы тепловых экранов.

15.Определено распределение остаточных напряжений в блочных и безблочных сапфировых кристаллах. Выявлено, что в блочных кристаллах на расстоянии 116мм от затравки скалывающие напряжения достигают 25МПа, что является критическим напряжением пластической деформации, так как в этом месте начинают образовываться блоки. Уровень напряжений в средней части безблочного кристалла не превышает 5 МПа на всей его длине.

16.На этапе механической обработки отработана технология двухсторонней шлифовки кругами, технология изготовления которых отработана ОАО «АОМЗ». В связке использовался абразив. АС 15 (100/80),

134

АС20 (80/63), скорость инструмента 0,5с"1, давление на зерно 200 кПа. Качество полученной поверхности - Яа=0,67мкм. Достоинства такого метода обработки: высокая производительность и высокая точность обрабатываемых поверхностей.

17.В работе было изучено влияние условий процесса химико-механической полировки и концентрации БЮг в полировочном композите на интенсивность снятия материала, и состояние поверхности сапфировой подложки. На основании полученных результатов были определены основные режимы химико-механической полировки: скорость вращения плана 60-^65 об/мин; скорость подачи травильного раствора в зависимости от диаметра плана-полировальника 15^30 капель/мин; величина дополнительной нагрузки на внутренний стакан притира 20 - 25кПа. Такая обработка позволяет получить поверхность с шероховатостью Ктах менее 2нм.

18.На основании проведенных исследований разработана оптимизированная технология изготовления пластин-подложек А12Оз.

19.В работе разработана конструкция тензорезистивного датчика давления на основе технологии «кремний на сапфире». Разработанный датчик давления позволяет работать с большим уровнем деформаций, чем в других интегральных полупроводниковых чувствительных элементах, а также обеспечивает работу в условиях высокой радиации.

20.В конструкции разработанного «планарного» чувствительного элемента преобразователя давления контактные площадки вынесены из зоны измерений, при этом токоразводка до контактных площадок осуществляется в виде длинных линий коммутации, изготавливаемых из того же материала, что и контактные площадки. Таким образом; ■ удаление зоны чувствительного элемента от узла сопряжения с корпусом позволяет осуществить термомеханическую развязку и защитить контакты от внешних воздействий.

21.Разработана методика проектирования упругого элемента датчика давления, которая позволяет рассчитать требуемые геометрические размеры упругого элемента в зависимости от предела измеряемых давлений: 1- 200кПа.

135

Методика приведена для конструкции, в которой в качестве сенсоров давления используются тензорезисторы, а упругий элемент имеет прямоугольную форму.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проделанной работы были исследованы теплофизические процессы, протекающие при получении кристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации, влияние теплофизических свойств материалов и внешних температурных условий на процесс кристаллизации. Кристаллы сапфира выращивались методом ГНК в вакуумной среде на установках СЭВН-155.320. Были проведены исследования дефектной структуры монокристаллов - блочность, наличие пузырей, измерены остаточные напряжения. Разработана математическая модель технологического процесса получения кристаллов сапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации. Были проведены исследования структуры поверхности подложек на различных этапах изготовления. Разработана технология изготовления подложек из кристаллов сапфира для электронной техники. Разработана конструкция датчика давления с полупроводниковым чувствительным элементом на основе структуры «кремний на сапфире».

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Нелина, Светлана Николаевна, 2010 год

1. Исследование технологии получения монокристаллов лейкосапфира методом ГЕК Текст.: отчет о НИР (заключительный): 13403/; рук. Малюков С .П.; исп. Чередниченко Д.И. [и др.] ТРТУ, 2005. - 86с. -Библиогр.: с. 84 - 86. - № ГР 01201051745.

2. Е.Р. Добровинская, В.В. Пищик. Связь структурного совершенства монокристаллов корунда с механизмом их формирования // Кристаллография, 1988. -Т.ЗЗ. -Вып.4. С. 1000-1005.

3. И.Ю. Вандакуров, Е.В. Галактионов, Е.В. Юферев, В.М. Крымов и Ч. Барта. Температурные поля и поля напряжений при выращивании оптически анизотропных кристаллов // Известия АН, Сер. Физ., 1994. -Т.52. -№10. -С.1879 1883.

4. Горяинов Л.А., Горячкин Н.Б. О расчете условно-фиксированных состояний системы при получении оптических монокристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации // Тепло- и массоперенос при росте кристаллов. М., 1985. С.21 - 22.

5. Рубин и сапфир. Сб. под ред. Кпассен Неклюдова М.В., Багдасарова Х.С. М., Наука, 1974.-236 с.

6. Е. Добровинская, Л. Литвинов, В.Пищик. Энциклопедия сапфира. — Харьков, НТК «Институт материалов», 2004. — 503с.

7. Добровинская O.P., Литвинов-Л.А, Пищик В.В. Монокристаллы корунда. — Киев «Наукова думка», 1994. — 256 с.

8. Багдасаров Х.С., Горяинов Л.А. Тепло- и массоперенос при выращивании монокристаллов направленной кристаллизацией. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2007. 224 с.

9. Чупрунов Е. и др. Кристаллография. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2000. - 496 с.

10. Я. Данько, Н.С. Сиделъникова, Г.Г. Адонкин, А. Т.Будников, C.B. Нижановский. Механизм образования центров рассеяния света в кристаллах сапфира, выращенных в газовых средах // Кристаллография, 2004. Т.49. - №2. - С.294 - 299.

11. Е. Dobrovinscaya, L. Lytvynov, V. Pishchik Sapphire and other corundum crystals. Folio Institute for Single Crystals Ukraine Kharkiv, 2002. - 349 c.

12. Бодячевский C.B., Лингарт Ю.К., Петров В.А. О температурных полях при выращивании лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Физика и химия обработки материалов. — 1984. — №1. — С.24-27.

13. Черник М.М., Добровинская Е.П. О наследовании дефектов структуры растущим кристаллом // Изв. АНСССР. Сер. физ. 1972. - №3. - С.570 -574.

14. Николенко М.В., Есъков Э.Д., Игнатов А.Ю., Гринько В. В. Влияние структурного совершенства затравочного материала на качество кристаллов сапфира, выращенного методом Киропулоса. АО ЗСК «Монокристалл», 355035 г. Ставрополь. — [e-mail].

15. Антонов П. И., Бахолдин Л.Л., и др. Явление скачков теплового поля при кристаллизации монокристаллических лент сапфира по способу Степанова и методом ГНК // Кристаллография 2004. Т.49. - №2. - С.300 - 309.

16. Инденбом B.JI., Освенскгш В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Рост кристаллов: Сб. науч. тр. М., 1980. Т. 13. - С. 240 - 260.

17. М.Е. Босин, И.Ф. Звягинцева, В.Н. Звягинцев, Ф.Ф. Лаврентьев, В.Н. Никифоренко. Стартовое напряжение для начала движения дислокаций в монокристаллах рубина // ФТТ, 2004. Т.46. - Вып.5. - С.834 - 836.

18. Инденбом В.Л. К теории образования напряжений и дислокаций при росте кристаллов // Кристаллография. 1964. Т.9. - Вып. 1. - С.74 - 83.

19. Белых ИГ. Исследование природы образования блоков мозаики и разработка практических мер, исключающих их образование Текст.: автореферат дис. кандидата техн. наук: 1985 / Белых Иван Григорьевич. — М., 1985. 13 с.

20. Х.С.Багдасаров, И.Г.Белых, :Е.А. Разориентация блоков в кристаллах лейкосапфира //Кристаллография, 1982. Т.27. - Вып. 1. - С.207 - 208.

21. Рядное С.Н. Влияние условий кристаллизации на содержание газообразующих примесей и характеристики парогазовых включений в кристаллах лейкосапфира Текст.: автореферат дис. кандидата техн. наук: 1987 / Рядное Сергей Николаевич — М., 1987. —20 с.

22. С.П. Малюков, В.А, Стефанович, Д.И. Чередниченко. Исследование моделисамосогласованного роста монокристаллов« методом' горизонтальной139направленной кристаллизации // Известия ВУЗов. Электроника, 2007. -№2. С. 3 — 9.

23. Карпухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. М. МИСИС. 1995. С. 267 - 343.

24. W. W. Mullins, R.F. Sekerka, Stability of Planar Interface During Solidification of a Dilute Binary Alloy // J. Appl. Phys., 1961. V.35. - №2. - P.444 - 451.

25. Г.А. Лебедев, С.П. Малюков, B.A. Стефанович, Д.И. Чередниченко. Теплофизические процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации // Кристаллография, 2008 Т.53. - №2. - С. 356 - 360.

26. Ван Цзи-Де. Прикладная теория упругости. Москва: Изд-во Физико-Математической литературы, 1959. 400 с.

27. Карслоу и Эгер, Теория теплопроводности твердых тел. Мир, Москва, 1970. -487 с.

28. B.JI. Инденбом, Напряжения и дислокации при росте кристаллов, Изв. АН СССР. Серия Физическая, 1973. Т. 37. - №11. - С.2258 - 2267.

29. Степанов C.B., Петров В.А., Битюков В.К. Радиационно-кондуктивный теплоперенос в плоском слое селективной рассеивающей среды с полупрозрачными границами // Теплофизика высоких температур. 1978. - Т. 16 -№6. - С.1277 - 1284.

30. Марченко Н.В., Венявкина Е.А. Нестационарный радиационно-кондуктивный теплоперенос в плоском слое селективной рассеивающей среды // Теплофизика высоких температур. -1980. Т.18. - №4. - С.781 -787.

31. Марченко Н.В., Аронов Б.И., Штипелъман Я.И. Расчет нестационарного радиационно-кондуктивного теплообмена в плоском слое селективной рассеивающей среды // Теплофизика высоких температур. -1980. Т.18. -№5. — С.1007 - 1017.

32. Рубцов H.A., Бурка А.Л., Степаненко П.И. Нестационарный ирадиационно-кондуктивный теплообмен в селективно-поглощающих слоях140газов II Изв. CO АН СССР 1977. - № 3. - Сер. Техн. Наук. - Вып. 1. - С. 29-34.

33. Рубцов Н.А. Теплообмен излучением в сплошных средах / Н.А. Рубцов; под ред. Кутателадзе С.С. Новосибирск: Наука, 1984. - 278 с.

34. Марченко Н.В., Аронов Б.И., Штипепъман Я.И. Задача Стефана при радиационно-кондуктивном теплопереносе в плоском слое селективной полупрозрачной среды // Теплофизика высоких температур. -1982. Т.20. - №5. - С.897 - 905.

35. Саможович Ю.А., Тимошполъский В.И., Турусова И.А. Анализ кристаллизации переохлажденного расплава методом интегрального баланса // Инженерно физический журнал. 2001. - Т.74, №1. - С.139 -144.

36. Багдасаров X. С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. 160с.

37. Горяинов Л.А., Иванов С.Г. О расчете радиационно-кондуктивного тепллобмена в двумерных областях // Радиационный теплообмен в технике и технологии. Каунас, 1987. - С.118 - 119.

38. Горяинов Л.А., Иванов С.Г. Радиационно-кондуктивный перенос теплоты в растущих кристаллах // Тепло и массоперенос при росте кристаллов. М., 1985. -С.10- 11.

39. Пантакар С. Численное решение задач теплопроводности и конвективного теплообмена при течении в каналах. М.: Изд. МЭИ, 2003. - 312с.

40. Lisienco V.G., Malikov G.K., Malicov Yu.K. Namerical heat transfer // Pt. B. Fundamentals, 1992. V.22. - P. 1 - 22.

41. Горяинов Л.А. О математическом моделировании процессов теплопереноса в технологических процессах // Тепломассообмен. ММФ. Минск. 1988. -С.83-85.

42. Антонов П. И., Бахолдин Л.Л., и др. Явление скачков теплового поля при кристаллизации монокристаллических лент сапфира по способу Степановаи методом ГНК // Кристаллография 2004. Т.49. - №2. - С.ЗОО - 309.141

43. Горяинов JI.A , Иванов С.Г. Решение одномерной задачи кристаллизации при наличии дополнительной стенки со стороны отвода тепла // Тр. МИИТ. М. 1971. - Вып.350. - С. 107 - 112.

44. Сергеев С.А., Спиридонов Ф.Ф. Влияние величины зоны прогрева на кристаллизацию расплава // Математическое моделирование. — 2003. -Т. 15. -№.7.-С.З — 10.

45. Будак Б.М, Соловьева E.H., Успенский А.Б, Разностный метод со сглаживанием коэффициентов для решения задачи Стефана // Ж. Вычислит. Математики и матем. Физики. 1965. - № 5. - С.828 - 834.

46. Абгарян A.A. Моделирование температурных и термоупругих полей в сапфире в трехмерных криволинейных координатах // Математическое моделирование. 2001. - Т.13. -№8. - С. 20 - 34.

47. Карташов Э.М. Аналитические методы решения краевых задач нестационарной теплопроводности в областях с движущимися границами // Инженерно-физический журнал. 2001. - Т.74, №2. - С. 171 - 195.

48. Малюков С.П., Нелина С.Н. Особенности теоретического решения задач радиационно — кондуктивного теплообмена в процессе роста монокристаллов // Известия ТТИ ЮФУ. Технические науки, 2010. №2. -С. 152.-158.53 http://www.elcp.ru/index.php

49. Дьяченко П.Е. Количественная оценка неровностей обрабатываемой поверхности. М., 1963. 140с.

50. Аникин A.B., Сагателян Г.Р., Хохлов А.И. Шлифование пластин сапфира диаметром 100 мм // ПЭМ-2()04: Труды девятой международной научно-технической конференции Дивноморское, 2004. — С. 93 — 96.

51. В.Б. Пономарев, А.Б. Лошкарев Оборудование заводов материалов электронной техники. Методические указания. Курс лекций. Учебное электронное текстовое издание Научный редактор: проф., канд. техн. наук В .Я. Дзюзер, ГОУ ВПО УГТУ-УПИ, 2008. 87с.

52. Справочник технолога-оптика Текст.: под редакцией М.А. Окатова. Политехника Санкт-Петербург, 2004. — 679 с.

53. Бритвин A.A. Моделирование процессов механической обработки пластин полупроводниковых и диэлектрических материалов свободным абразивом. Автореферат. Москва. МИЭТ, 2007. 28 с.

54. Hagan J. Т. Deformation and Eracking Modes Around Plastic Indentations in Glass//Verres et refract. — 1981.— Vol. 35, №2. —P. 306—314

55. Haranch T., Ishikawa H., Shinkai N., Mizuchashi M. Crack Evolution in Vickers Indentation for Soda-Lime-Silica Glass//J. Mater. Sei. — 1982. — Vol. 17, № 5.—P. 1493—1500:

56. Kirchner H. P., Ragosta J. A. Relation of Load to Radial Crack Lenqth for Spherical Indentations in Hot-Pressed ZnS//J. Amer. Ceram. Soc.— 1983.— Vol. 66, № 4. — P. 293—296.

57. Парфенов ОД. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высшая школа, 1986.-320 с.

58. Абразивная и алмазная обработка материалов. Справочник. Под ред. д-ра техн. наук проф. А.Н. Резникова. М., «Машиностроение», 1977. — 391с

59. Курносое А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. Пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые приборы». 3-у изд., перераб. и доп. - М.: Высш шк., 1986. - 368 с

60. В.М. Стучебников Структуры «кремний на сапфире» как материал длятензопреобразователей механических величин.// Радиотехника иэлектроника 2005. Т. 50. - №6 - С. 678 - 696.143

61. Стучебников В.М. Микроэлектронные датчики за рубежом // Приборы и системы управления, 1993.-№ 1. — С.18 — 21.

62. Лурье Г.И., Стучебников В.М. Измерение давления в криогенных средах // Измерения, контроль, автоматизация / Н.-т. сборник, 1989. № 2(70) - С. 18 -25.

63. Stuchebnikov V.M. SOS strain gauge sensors for force and pressure transducers. // Sensors & Actuators, 1991. V.28. № 3. P.207 213.

64. Стучебников В.М. Тензорезисторные преобразователи на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире». // Измерения, контроль, автоматизация / Н.-т. сборник; 1983. № 1(45). - С.ЗО - 42.

65. Евдокимов В.И., Суханов В.В. Первичные преобразователи давления высокотемпературных сред. // Измерения, контроль, автоматизация//Н.-т. сборник, 1989. № 2(70). - С.26 - 33.

66. Номенклатурный каталог изделий общепромышленного применения Текст. : материал фирмы (промкаталог) / "Манометр",закрытое АО ; ЗАО "Манометр", Моск. приборостроит. з-д . М. : [б. и.], 2004. - 168 с. : ил. -2000 экз. - Б. ц.

67. Датчики — преобразователи давления // Номенклатурный каталог концерна Метран. Челябинск, 1995.

68. High accuracy 4-20 mA sapphire sensor Text.: материал фирмы (промкаталог) / Bourns Pressure Transmitters, 1995. 12p.

69. Лурье Г.И., Мартыненко B.T. Новое поколение полупроводниковых датчиков теплоэнергетических параметров // Приборы и системы управления, 1996. № 4. - С. 26 - 28.

70. Богуш М.В., Шатуновский О.В., Левицкий Ю.Е. и др. Пьезорезистивные датчики давления и силы // Зарубежная радиоэлектроника, 1996. № 9. -С. 70-71.

71. Бушев В.В., Николайчук О.Л., Стучебников В.М. Серия микроэлектронных датчиков давления МИДА // Датчики и системы. 2000. № 1. - С. 21 - 27.

72. Ушаков Л.В., Юровский А.Я., Фетисов A.B. Опыт разработки и эксплуатации датчиков перепада давления «Метран-43Ф-ДД» на базе «сухих» измерительных узлов // Датчики и системы, 2000. № 11 - 12. — С. 18-20.

73. Белоглазое A.B., Евдокимов В.И., Стучебников В.М. и др. Полупроводниковые тензопреобразователи силы и давления на основе гетероэпитаксиальных структур «кремний на сапфире». // Приборы и системы управления, 1982. № 5. - С.21 - 27.

74. Пайка сапфировых мембран с высокопрочными сплавами титана / Никифорова 3. В., Румянцев С. Г., Киселевский С. Л. Евдокимов В. И. -Сварочное производство, 1974.М — №3. — С. 35.

75. Криворотое Н.П., Изаак Т.Н., Ромасъ Л.М., Свинолупов Ю.Г., Щеголь С. С. Микроэлектронные сенсоры давления // Вестник томского государственного университета. Серия «физика», 2005. № 285. - С. 139 — 148.

76. Осадчук В. С., Осадчук А. В., Кривошея А. А. Сенсоры давления на основе тензочувствительных полупроводниковых элементов // Радиоэлектроника и радиоэлектронное апаратостроение. — Науков1 пращ ВНТУ, 2008. — № 1. -С.1-6.

77. Стучебников В.М. Физико-технологические методы оптимизации метрологических характеристик полупроводниковых тензопреобразователей // Датчики систем измерения, контроля и управления / Межвуз. Сборник научных трудов. Вып. 5. Пенза: НИИ, 1985. -С.18-25.

78. Мартынов Д.Б., Стучебников В.М. Температурная коррекция тензопреобразователей давления на основе КНС // Датчики и Системы, 2002. -№ 10.-С.6-12.

79. Дегико В.И., Карвацкий А.Я., Лохманец Ю.В. Радиационный-конвективный теплообмен при росте полупрозрачных кристаллов из расплава // Мат. мод. - 2008. -№> 2 (19). С. 39 - 43.

80. Brandon S., Derby J.J. Internal radiative transport in the vertical Bridgman growth of semitransparent crystals //Journal of Crystal Growth. 1991. -Vol.110, N3.-Pp. 481 - 500.

81. Багдасаров X.C. Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов. 4.2. В кн.: 4 Всесоюз. совещ. по росту кристаллов. Выращивание кристаллов и их структура. Ереван, 1972. С.6 - 25.

82. Лубе З.Л. Современные методы контроля и управления процессами кристаллизации. // Рост кристаллов: Сб. науч. Тр. М., 1980. - №13. - с.304 -313.

83. Лингарт Ю.К., Петров В.А., Тихонова Н.А. Оптические свойства лейкосапфира при высоких температурах. 1. Область прозрачности. // ТВТ, 1982. Т.20. - №5. - С.872 - 879.

84. Антонов П.И., Крымов В.М., Носов Ю.Г., Шулъпина ИЛ. Выращивание базисноограненных ленточных кристаллов лейкосапфира и изучение их146 .идислокационной структуры. // Известия АН. Сер. Физ., 2004. Т.68. — №6. -С.777-783.

85. Kh.S. Bagdasarov, Е.А. Fedorov and I.G. Belykh. Ruby and Sapphire, New Delhi, 1980.-206 p.

86. Излучйтельные свойства твердых материалов. Справочник. Лошнев Л.Н., Петров В.А., Чеховской В.Я., Шестаков Е.П. М.: Энергия. 1984г. 509с.

87. Добровинская Е.Р., Куколь В.В., Пищик В.В., и др. Малодислокационные монокристаллы корунда. // Кристаллография, 1975. Т.20. - Вып.2. - С.399 -403.

88. Беннит Джин М., Маттсон Л. Шероховатость поверхности и рассеяние. / Пер. с англ. Н.В. Васильченко. 1993. 207с.