Воздействие ультразвукового поля и пониженной силы тяжести на электрофизические свойства и структуру монокристаллического арсенида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат технических наук Фицуков, Михаил Михайлович

• Фицуков, Михаил Михайлович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Фицуков, Михаил Михайлович

ВВЕДЕНИЕ

1. СВОЙСТВА ПОЛУ ИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ ЕГО МОНОКРИСТАЛЛОВ

1.1. Факторы, влияющие на свойства арсенида галлия. Виды неоднород-ностей монокристаллов

1.2. Анализ возможностей выращивания однородных монокристаллов в условиях пониженной силы тяжести и воздействия ультразвукового поля

2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

2.1. Моделирование пониженной силы тяжести в экспериментальных устройствах при росте монокристаллов арсенида галлия

2.2. Изучение влияния ультразвукового поля на процесс выращивания монокристаллического арсенида галлия

2.3. Определение основных параметров и режимов ультразвукового воздействия на расплав растущего монокристалла

3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ВЫРАЩЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

3.1. Метод и ческие особенности измерений свойств монокристаллов и образцов на их основе

3.2. Изучение структуры экспериментальных и опытных монокристаллических образцов

3.3. Исследование однородности свойств пластин из выращенных монокристаллов арсенида галлия

3.4. Применение полученных монокристаллических материалов в технологиях изготовления современных приборов

4. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, БАЗИРУЮЩИЕСЯ НА РЕЗУЛЬТАТАХ ВЫПОЛНЕННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

ВЫВОДЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Воздействие ультразвукового поля и пониженной силы тяжести на электрофизические свойства и структуру монокристаллического арсенида галлия»

Основное производство полупроводниковых приборов базируется в настоящее время на монокристаллическом кремнии [1,2]. Мировое производство последнего превышает 4 ООО т/год. Рынок пластин кремния оценивается в 2,5 млрд. долларов. В то же время наращиваются объемы производства приборов на основе новых перспективных материалов (арсенида галлия, теллурида кадмия и др.), хотя средняя цена интегральных схем на кремнии составляет 1,28 - 1,40 долларов за штуку, что в десятки раз ниже стоимости приборов на основе последних. С применением этих материалов разрабатываются ССИС, лазеры, фотоприемники, приборы сверхвысокочастотной (СВЧ) техники с высокими физическими и эксплуатационными характеристиками [3].

Уникальным сочетанием свойств обладает арсенид галлия, позволяющий создавать быстродействующие,радиационностойкие приборы, способные работать в широком диапазоне температур. Более высокая, чем при использовании кремниевых элементов, рабочая температура арсенидгаллиевых солнечных батарей позволяет применять их как концентраторы солнечной энергии. Только то, что использование арсенида галлия для создания ССИС открывает перспективу на порядок увеличить быстродействие электронно-вычислительных машин (ЭВМ), оправдывает затраты на исследования и разработку новых технологий его получения [4].

Полуизолирующие монокристаллы арсенида галлия с приемлемыми параметрами для ССИС и СВЧ приборов были получены в середине 80-х годов и с тех пор в разработку интегральных схем включается все большее количество зарубежных фирм. По оценкам компании 1СЕ, мировой рынок ИС на арсениде галлия в 90-е годы составит 1,2 млрд. долларов, половина из которых будет приходиться на долю цифровых ИС [5].

В настоящее время все усилия ученых и специалистов направлены на создание технологий получения монокристаллов арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций (менее Ю-" см'^) и однородными электрическими свойствами как по длине и диаметру, так и от кристалла к кристаллу.

Основные надежды на достижение высокой однородности при получении монокристаллов разработчики связывают с использованием магнитного поля, микрогравитации и ультразвука [6,7].

Целью работы является анализ физичесикх процессов, происходящих при воздействии внешних полей на растущий монокристалл арсенида галлия, получение на основе этих воздействий монокристаллических материалов с улучшенными электрофизическими характеристиками, развитие методов исследования кинетики роста кристаллов и контроля основных параметров полупроводников.

Для достижения поставленной в работе цели было необходимо:

- проанализировать имеющиеся теоретические и экспериментальные данные о воздействии внешних полей на параметры получаемых монокристаллов и пластин;

- сформулировать требования к технологическому оборудованию и конструктивному его осуществлению с использованием в техпроцессе роста монокристаллов внешних полей;

- разработать конструкции ростовых технологических комплексов;

- выполнить необходимые расчеты и изготовить экспериментальные устройства для реализации исследований влияния невесомости и ультразвукового поля на промышленном оборудовании;

- получить образцы монокристаллов арсенида галия и обследовать их основные параметры с применением самых современных методик исследований, используемых в методах физики твердого тела.

Актуальность Решение проблемы повышения однородности и структурного совершенства монокристаллов арсенида галлия откроет широкие возможности его промышленного использования. Основными областями применения арсенидгаллиевых приборов, в т.ч. малошумящих полевых транзисторов с барьером Шоттки, станут оборонные системы, высокопроизводительные ЭВМ, приемники спутниковой и волоконно-оптической связи. Мировой рынок электронных приборов на основе арсенида галлия оценивается в 3,5 млрд. долларов. Промышленное освоение интегральных схем с применением нового арсенидгаллиевого материала не встретит особых осложнений, поскольку оно будет осуществляться на технологической базе (и оборудовании) для производства кремниевых ИС, включающей ионную имплантацию, сухие методы формирования рисунка, импульсный термический отжиг. Такие тенденции развития кремниевой технологии, как переход к меньшим топологическим нормам, снижение температуры обработки и повышение требований к чистоте производственных помещений и рабочих сред в равной степени характерны и при изготовлении арсенидгаллиевых схем.

Низкое структурное совершенство существующих в настоящее время монокристаллов арсенида галлия, неоднородность их электрофизических параметров препятствуют повышению степени интеграции и выхода годных приборов.

Поэтому для электронной техники проблема реализации таких требований как разброс удельного сопротивления в пределах 20%, и величины плотности дислокаций 5 х 103 см "2 на 30 - 40% площади поверхности пластин ОаАБ представляет собой актуальную научную и практическую задачу. Решение этой задачи и связывается в данной работе с применением воздействия внешних полей на процесс роста монокристаллов арсенида галлия с целью достижения вышеуказанных параметров.

Научная новизна работы заключалась в комплексном аналитическом исследовании факторов, влияющих на однородность свойств монокристаллов арсенида галлия в процессе их выращивания, термообработки и технологии получения готовых изделий.

В работе впервые:

1. Проанализирована специфика получения монокристаллического арсенида галлия для целей электронного приборостроения и показано, что одним из важнейших параметров монокристалла является однородность их свойств, определяющая рост степени интеграции и улучшение свойств полупроводниковых приборов и микросхем. Предложена классификация видов неоднородности монокристаллов и методов их контроля и показано, что оценка неоднородности твердого тела должна включать комплексное исследование структурных и электрофизических параметров материала. Удобными и информативными для этих целей являются оптические методы контроля.

2. Проведены теоретические исследования по изучению влияния ультразвукового поля на элементарные процессы роста арсенида галлия из расплава. Получено выражение, из которого следует, что скоростью зародышеобразования можно управлять путем выбора амплитуды и частоты акустических колебаний. Определено, что для арсенида галлия энергию акустической волны необходимо подбирать таким образом, чтобы при ее введении в расплав избежать деформации его кристаллической решетки в сил}' высокой термопластичности арсенида галлия.

3. Разработана модель воздействия ультразвукового поля на процесс роста монокристалла, связывающая его однородность с частотой и амплитудой колебаний, вводимых в расплав. Выявлено, что неоднородность распределения мышьяка практически полностью устраняется ультразвуковыми колебаниями при росте монокристалла арс-енида галлия постоянного диаметра. Механизм этого явления связан с возникновением пакета стоячих волн между торцом волновода, вводящего колебания в расплав и плоской частью фронта кристаллизации, поскольку при отсутствии такого пакета температура расплава повышалась, активизировались конвективные потоки, наблюдалась периодическая неоднородность в распределении мышьяка.

4. Выполнены исследования по росту монокристаллов арсенида галлия при наложении ультразвуковых колебаний и в условиях, моделирующих пониженную силу тяжести. Определены лимитирующие стадии процесссов и оптимальные режимы роста монокристаллов при наложении ультразвуковых колебаний: скорость вытягивания кристаллов 6. 10 мм/мин, частота вращения кристалла 4.5 об/мин, частота вращения тигля 16. 18 об/мин, частота ультразвуковых колебаний 150. 180 КГц, амплитуда колебаний ОД.0,3 мкм. В условиях, моделирующих невесомость: скорость вращения кристалла 6.8 об/мин, скорость вращения тигля 16 об/мин, градиент температуры осевой 12. 15 град/см, радиальный 2.4 град/см, градиент расплава 10. 12 град/см, частота колебаний штока 0,1.0,001 Гц.

5. Предложен метод моделирования невесомости при выращивании монокристаллов арсенида галлия в земных условиях, основанных на обеспечении выполнения критерия Рэлея (Ra): Ra<2 10б.

6. Показана эффективность применения для определения однородности электрофизических свойств монокристаллических образцов арсенида галлия бесконтактной СВЧ-фото п ро в од и мост и, конденсаторной фото э.д.с., низкотемпературной фотолюминесценции и метода PIXE (аналитического метода, использующего флюоресцентное излучение). Установлено, что при использовании оптичесих методов исследования процесса выращивания монокристаллов, наблюдается зависимость оптической однородности образцов от амплитуды и частоты вибрационных воздействий, которая носит заметный экстремальный характер, что дает основание для использования их в оптимизации режимов при внедрении технологии роста кристаллов высокой однородности.

7. Установлено, что реализация обоих исследованных методов выращивания монокристаллов арсенида галлия на модернизированной установке типа "Астра" позволяет получить образцы монокристаллов с однородностью удельного сопротивления по сечению 20% и плотностью дислокаций на 30 - 40% площади поверхности монокристалла 5103 см"2.

Практическая значимость работы. Разработан эффективный метод и установка для серийного изготовления монокристаллов арсенида галлия при наложении на расплав ультразвуковых колебаний, внедренный на промышленном предприятии и обеспечивающий производство монокристаллов ОаАу высокого совершенства.

На основе результатов моделирования процесса роста монокристаллов в невесомости разработана конструкторско-технологическая схема комплекса для выращивания монокристаллов арсенида галлия в космосе, являющаяся основой для поэтапной реализации ее в практике.

Данные и свойствах и параметрах получения монокристаллов арсенида галлия в условиях воздействия ультразвуковых колебаний и пониженной силы тяжести могут быть использованы при исследованиях, разработках и оптимизациях процессов получения по-лупровдниковых соединений А3В\ А2Вб и др. с высоким структурным совершенством. Техпроцесс выращивания монокристаллов арсенида галлия с наложением ультразвукового поля внедрен в серийное производство в Центре электронного материаловедения ОАО "Аметист".

Основные научные результаты, выносимые на защиту:

1. Модель роста монокристаллов в невесомости, реализуемая в лабораторных земных условиях на установке типа "Астра".

2. Результаты исследования влияния ультразвукового поля на элементарные процессы роста монокристаллов арсенида галлия;

3. Результаты исследований зависимости однородности свойств монокристаллов арсенида галлия от различных факторов: чистоты исходных и контейнерных материалов, параметров ультразвукового поля, материалов волновода.

4. Результаты экспериментов по получению монокристаллов арсенида галлия в смоделированных условиях невесомости и с ультразвуковым воздействием на расплав, обеспечившие выращивание монокристаллов с однородностью удельного сопротивления по сечению слитков 20% и плотностью дислокаций на 30-40% площади поверхности 5x10'' см"2.

5. Методы выращивания однородных монокристаллов арсенида галлия в ультразвуковом поле и в условиях невесомости.

6. Результаты исследований свойств монокристаллов арсенида галлия, полученных в невесомости и в ультразвуковом поле с помощью оптических и других современных методов, в т.ч. и при реализации материалов в приборные технологии.

Апробация работы. Основные результаты работы доложены на:

1. Всероссийской научно-технической конференции "Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем и технологических процессов " ( Калуга, 1994 ).

2. Пятом, седьмо и восьмом Межнациональных совещаниях "Радиационная физика твердого тела " ( Севастополь, 1995, 1997, 1998 ).

3. Третьем Российско-китайском симпозиуме "Актуальные проблемы современного материаловедения " (Москва-Калуга, 1995 ).

4. Второй Международной конференции МРБЬ 96 ( Сумы, 1996 ).

5. Научно-методическом совещании ГК РФ по высшему образованию "Проблемы высшего образования в области радиационного материаловедения на пороге третьего тысячелетия " ( Москва, 1996 ).

6. Симпозиуме "Термоэлектронная, вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия и спектроскопия поверхности твердого тела" (Рязань, 1996 ).

Публикации. Основное содержание диссертации опубликовано в 11 печатных работах и 3 научно-технических отчетах. Q

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Фицуков, Михаил Михайлович

выводы

1. Выполнены теоретические исследования физических процессов, происходящих при росте кристаллов в условиях воздействия ультразвукового поля и пониженной силы тяжести. Получено выражение, из которого следует, что скоростью зародышеобразования можно управлять выбором амплитуды и частоты акустических колебаний. Установлено, что для арсенида галлия энергию акустической волны необходимо подбирать таким образом. чтобы при ее введении в расплав избежать деформации его кристаллической решетки в силу высокой термопластичности арсенида галлия.

2. Выполнены экспериметальные исследования по росту монокристаллов арсенида галлия при наложении ультразвуковых колебаний и в условиях, моделирующих пониженную силу тяжести. Определены лимитирующие стадии процессов и оптимальные режимы роста монокристаллов арсенида галлия в специальных устройствах, вмонтированных в ростовую установку типа "Астра".

3. Разработана модель воздействия ультразвукового поля на процесс роста монокристаллов арсенида галлия, в которой однородность монокристаллов связывается с частотой и амплитудой колебаний, вводимых в расплав. Выявлено, что неоЗнородность распределения мышьяка практически полностью устраняется ультразвуковыми колебаниями при росте монокристаллов арсенида Галлия постоянного диаметра. Механизм этого явления связан с возникновением пакета стоячих волн межд^орцом волновода, вводящего колебания в расплав, и плоской частью фронта кристаллизации.

4. Предложен метод моделирования невесомости при выращивании монокристаллов арсенида галлия в земных условиях, основанных на обеспечении выполнения критерия Рэлея (Яа): Иа<2 10б.

5. Изучены особенности влияния параметров ростовой установки на температурные поля расплава. Обнаружено возникновение в расплаве низкочастотных (0,0015-0,08 Гц) нестабильностей в интервале определенных соотношений скоростей вращения кристалла и тигля с расплавом при моделировании пониженной силы тяжести, чего не наблюдалось при ультразвуковых воздействиях на расплав, предложены конструктивные решения технологического оборудования на борту автоматического космического аппарата и технологическая схема производства приборов на базе монокристаллов, выращиваемых в условиях космического полета.

6. Показано, что оба исследованных метода роста монокристаллов обеспечивают получение однородных по свойствам монокристаллов арсенида галлия с удельным сопро7 тивлением 340 Ом см с разбросом по сечению не более 20 % и плотностью дислокаций у з -г них не более 5-10 см , что является лучшим результатом по сравнению с известными к настоящему времени. Материалы опробованы в самых прецизионных приборах электронной техники: малошумящих полевых транзисторах для систем связи и в полевых транзисторах с барьером Шоттки, где полностью соответствовали предъявляемым к ним требованиям. Технологический процесс выращивания монокристаллов арсенида галлия с наложением ультразвукового поля внедрен в серийное производство в Центре электронного материаловедения ОАО "Аметист".

7. Показана эффективность применения оптических методов для определения однородности и примесного состава монокристаллов арсенида галлия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Фицуков, Михаил Михайлович, 1998 год

1. С. Убер. Новые направления развития технологии ИС на международной конференции по электронным приборам // Электроника,- 1992.-N 3-4.-С. 112-113.

2. Д. Бохум. Новый рекорд быстродействия для кремниевых ИС // Электроника.-1992.-N 11-12.-С.З-5.

3. Д.Маклауд, Ж.Демьян. Прогноз развития мирового рынка средств электроники в 1992 г.// Электроника,-1992.-N9-10.-C.115-117.

4. Technologietrends bei der Chipherstellung // Electron. Rept.- 1992.-N1.-P.68-70

5. Electronic Desighn.-1988.-N23.-P.83-90

6. B.C. Земсков. M.P. Раухман. Влияние невесомости и магнитного поля на кваци-онные процессы в кристаллах антимонида индия// Физика и химия обработки материа-лов.-1987.-N4.-С.63-67

7. Б. А. Агранат.А.И. Хавский, Н.И. Дубровин. Воздействие мощного ультразвука на процессы синтеза и выращивания кристаллов AnBIV /У Аккустический журнал.-1976.-Т.22,-Вып. 1 .-С.141-142

8. В.Ф. Афанасович, О.Д. Писайкина. Арсенид галлия. Последние достижения в технологии получения // Обзор зарубежных публикаций за 1988-1989 г.-М.-1990.-63с.

9. Д.Е. Holmes, Н. Kuwamoto, S.J. Sandberg. Dislocation reduction in large-diameter GaAs growth //Journ.of Crist.Growth.- 1988.-Vol.91.-N4.-P.55.

10. Патент EHBN 0172621, СЗОВ 15/14, опубл. 26.02.1986 г.

11. И. Заявка Японии N 62-51237 МКИ СЗОВ 27/02, 15/10, HOIS 21/02, 21/208, опубл. 29.10.1987 г.

12. Заявка Японии N 60-18637 МКИ СЗОВ 27/02, 29/40, HOIS 21/02, опубл. 11.05.1985 г.

13. Заявка Японии N 62-51238 МКИ СЗОВ 27/02, 15/10, HOIS 21/02, 21/208, опубл. 29.10.1987 г.

14. Заявка ЕГО N0177132 МКИ СЗОВ 15/14, опубл. 9.04.1986 г.

15. Заявка ЕПВ N0219966 МКИ СЗОВ 15/24, 15/14, 15/30, опубл. 29.04.1987 г.

16. Заявка Японии N 62-34717 МКИ СЗОВ 15/14/1:105B 3/00, опубл. 28.07.1987г.

17. Патент США N 4 483 735 МКИ СЗОВ 27/02, HO-IS 21/18, опубл. 20.11.1984 г.

18. Заявка Японии N 1-164790 МКИ СЗОВ 15/00,опубл.28.06.1989 г.

19. О.Д. Писайкина, В.В. Макаров. Арсенид галлия. Последние достижения в технологии получения // Обзор зарубежных публикаций за 1985-1988 г.-М.-1989.-90 с.

20. А.К. Бузыкин, Е.А. Королева. Последние достижения в области получения монокристаллов кремния // Зарубежная электронная техника.-!985.-N2.-С.68-94.

21. Т. Fujii, М.Е. Guchi, Т. Inada, Т. Fukuda. Effects of Crucible material on undoped LEC GaAs Crystals // Journ. of Costal Growth.-1987.-Vol.84.-N2.-P.237-240.

22. Заявка Франции N 2549500 МКИ СЗОВ 15/02, 29/42, опубл. 25.01. 1985г.

23. D.E. Holmes, R.T. Chen, K.R. Elliott, C.G. Kirkpatrik. Stiochiometry controled compensation in liquid encapsulated czochralski GaAs // Appl.Phvs. Lett.-1982.-V.40.-N42.-P.5771.

24. W.E. Langlois. Computer simulation of Chochralski melt convection in a magnetic field//Journ. of Crystal Growth.- 1984.-Vol.70.-P.73-77.

25. H. Mirata, K.Hochikawa, N.Inoue. Improvement of thermal simmetry in Cr silicon melts by the application of a vertical magnetic field // Journ. of Crystal Growth,- 1984.-Vol. 70,- P.330-334.

26. M. Miheleic, K. Wingerath. Numerical simultation of the Czochralski bulk flow and temperature oscillation in the melt//Journ. of Crystal Growth.-1985.-Vol.7l.-P. 163-168.

27. J. A. Kafalas, A.N. Bellows. A comparative study of the infuence of buoyacy driven fluid flow on GaAs crystal growth. VI Eur. Symp. Mater. Sci. Mycrogr. Cond. Proc. Int. Symp. 2- 5 Dec. 1986.-Paris.-1987.-P.525-527.

28. K.Hoshi, N.Isawa, T.Suzuki. Growth of silicon monocrystals in a magnetic field /7 Jap.Journ. Appl. Phys.-1984.-Vol.53,- N1.-P.38-41.

29. K.Terashima, T.Kastumata, F.Orito. Electrical resistivity of undoped GaAs single crystals growth by magnetic field applied LEC technique // Jap. Journ. Appl. Phys.- 1983.-Vol.22.- N6.-P.325-327.

30. I.Osaka, H.Konda,T.Kabayashi, K.Hoshikawa. Homogenty of vertical magnetic field applied LEC GaAs Crystal Growth // Jap. Journ. Appl. Phys.-1984.-Vol 23.-N4.-P. 195-197.

31. В.С.Земсков, М.Р.Раухман, Д.П. Мгалоблишвили. Влияние магнитного поля на примесные неоднородности в монокристаллах антимонида индия /7 Физика и химия обработки материалов,- 1985.-N5.-С.50-56.f35—

32. В.С.Земсков, М.Р.Раухман, Д.П. Мгалоблишвили. Коэффициенты распределение примесей при выращивании монокристаллов антимонида индия в условиях воздействия на расплав магнитного поля // Физика и химия обработки материалов.-1986.-N2.-С.64- 67.

33. В.С.Земсков, М.Р.Раухман, Ю.М.Гельфгат. Влияние магнитного поля на температурные флуктуации в расплаве и слоистую неоднородность в монокристаллах антимонида индия // Физика и химия обработки материалов.-1987.-Ы4.-С.63-67.

34. S.Ozawa, T.Kimura, I.Kobayashi, T.Fukuda. Programmed magnetic field applied liquid encapculated Czochralski crystal growth /'/' Appl. Phys. Lett.-1987.-Vol.50.-N6.-P.329-331.

35. В.С.Земсков, M.P.Раухман. Влияние невесомости и магнитного поля на ликва-ционные процессы в кристаллах антимонида индия // Физика и химия обработки материа-лов.-1987.-К4,- С.63- 67.

36. A.F. Witt. Electronic materials processing and the microgravity environment // Commer. Opportunities Space; Techn. Symp., Toupei, Apr. 19-24, 1987, Washington.-1988,-P.201-211.

37. Е.А.Бармин, Ю.М.Гельфгат, А.С.Сенченков. Влияние магнитного поля на кристаллизацию полупроводниковых материалов методом бестигильной зонной плавки в условиях невесомости // Магнитная гидродинамика,-1988.-N4.-С. 110-114.

38. Hayakawa, J.Sone, K.Tatumi, M.Kumagawa. Effect of ultrasonic vibration on InSb pulled crystals//Journ. Appl. Phys.- 1982.-Vol.21.-N9.-P. 1273-1277.

39. Г.А.Кардатов, А.В.Солосин, С.Р.Макукян. Рост кристаллов при акустическом воздействии // Московский ин-т хим.маш,- М.:1988. Деп. в ВИНИТИ 4.11.1988,-N7923-1288.

40. T.Tsuruta, I.Hayakawa, M.Kumagawa. Effect of utrasonic vibration on the groth of In Ga Sb mixed crystals // Jap. Journ. Appl. Phys.-1988.-Vol.27 Suppl.-N27-l.-P.47-49.

41. Н.Г.Кожемякин, Л.Г.Ковшова. Влияние ультразвука на условия роста на распределение сурьмы в монокристаллах висмут-сурьма // Электронная техника. Сер. 6. Мате-риалы.-1987.-С.40-42.

42. С.С.Шифрин, А.В.Говорков, А.С.Брук. Взаимодейстие дислокаций с точечными дефектами в кристаллах легированного GaAs /' IV Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. Тез.докл. Москва,-1979,-С. 166

43. Взаимодействие дислокаций с точечными дефектами в кристллах легированного GaAs / Шифрин С.С., Говорков A.B., Брук A.C., Марков A.B., Освенский В.Б., Холодный Л.П.// Легирование полупроводников.-М.: Наука.-1982.-С.209-213.

44. Влияние термообработки на взаимодействие дислокаций с точечными дефектами в кристаллах GaAs / Брук A.C., Говорков A.B., Марков A.B., Шифрин С.С. // Поверхность. Физика, химия, механика.-! 982.-Т. 1.-N14.-С. 107-11 НО

45. В.С.Чудаков, Б.Н.Гречишников. Метод наблюдения оптических неоднородно-стей с помощью спектрального модулятора /'/'Оптико-механическая промышленность.-1977.-N7.-C.9-51.

46. В.С.Чудаков, Б.Н.Гречишников. Визуализация малоконтрастных дефектов по их поляризующей способности /'/' Приборы и техника эксперимента.-1975.-N5.-С. 195-197.

47. B.C. Чудаков, Б.Н. Гречишников, Г.Г. Араве. Модуляционный метод наблюдения двупреломления // Кристаллография,- 1971.- Вып.5.-С.939-943.

48. П.Л. Крупкин, И.А. Фролов. Скопление примесей в полупроводниковых материалах//Высокочистые вещества.-1989.^5.-С.5 14.

49. Исследование неоднородности монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия, легированного хромом / Юрова Е.С., Юрьева И.М., Рытова Н.С.Освенский

50. B.Б.,Гришина С.П.,Биберин В.И.// Электронная техника. Сер. Материалы,-1985.-Вып.4,1. C.34-38.

51. Р.И. Глоргодова, Л.И. Колесник, Э.М. Омельяновский. Влияние процесса захвата на поведение фотоемкости в кристаллах GaAs <Сг> // Физика и техника полупроводни-KOB.-1977.-Bbin.ll.-Nl.- С,124.

52. G.Nagel, М.Baumgarther.Recent improvements in GaAs substrate material for IC's applications // Esprit.-1988.-P.03-313.

53. Особенности слоистого распределения примеси в бездислокационных монокристаллах кремния / Гарны к B.C., Горин С.Н., Калгожная С.И., Тимошина Н.В. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1988.-Т.24.-Ш.-С.1731-1732.

54. Л.С.Милевский, А.М.Эйдензон, В.С.Горнык. Влияние условий выращивания на слоистое распределение примесей в бездислокационных монокристаллах кремния /'/Легированные полупроводники М.: Наука.-1982.-С. 140-148.

55. К.Моризейн, А.Витт, Л.Гейтос. Слоистое распределение примесей в кристаллах InSb, выращенных без вращения /'/' Проблема роста кристаллов. Сб. научн. работ. -М.: Мир.-1968.- Вып.41,- С.252-261

56. А.Витт, Х.Гейтос. Изучение слоистого распределения примесей в кристаллах InSb с помощью интерференционно-контрастной микроскопии // Проблемы роста кристаллов. Сб. научн. работ.- М.: Мир.-1968.-С.262-267.

57. Д.Берски. Совершенствование технологических процессов мощная движущая сила развития техники и технологиии ИС // Эле ктроника.-1992.-N9-10.-С. 19-29.

58. И.И. Ижнин, Ю.Н. Гаврилюк. Эпитаксиальные методы выращивания арсенида галлия и его твердых растворов с арсенидом алюминия // Зарубежная электронная техни-Ka.-1991.-N10-ll.-C.3-93.

59. П.Н.Петров, Б.Л.Друзь, Н.А.Калашникова. Влияние дефектов обработки пластин арсенида галлия на дефектообразование в эпитаксиальных пленках /7 Электронная техника. Сер. Материалы,- 1991.-N4.-C.61-65./зд—

60. В.В.Ломовой, В.В.Никулин, М.М.Лукашик. Модернизация и применение установки МЛЗ "Катунь" для получения многослойных структур сложного состава // Электронная техника. Сер. Материалы,-1991 .-N4.-С.61 -65.

61. В.Г.Любивый, В.В.Артамонов, А.И.Соловьев. Измерение параметров подложек и структур GaAs на СВЧ в технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС // Электронная техника. Сер. Материалы,-1991 .-N2.-С.27-32.

62. Д.Берски, Ф.Гудинаф, М.Ленард. Последние достижения в области полупроводниковой технологии, представленные на МКЭП// Электроника,-1992.-N7-8.-С.3-6,

63. Ф.Гудинаф. Новые технологические процессы прочная основа для создания следующего поколения аналоговых, смешанных и мощных ИС // Электроника,-1992.-N9-10.-С.25-26.

64. Д.Берски. Снижение стоимости и повышение быстродействия ЦПС способствует широкому внедрению этих приборов // Электроника. -1992. -N3 -4. -С. 19-3 3.

65. С.Убер. Новые направления развития технологии ИС на международной конференции по электронным приборам // Электроника,- 1992.-N3-4.-C, 112-113.

66. М.Ю.Матисов, А.Е.Романов. Эффективность аннигиляции дислокаций в напряженных сверхрешетках // Электронная техника. Сер. Материалы.-1991.-Вып,3.-С.73-75.

67. Эксперименты по зонной кристаллизации антимонида индия / Земсков B.C., Бармин Н.В., Раухман М.Р. и др. // Гидродинамика и теплообмен в невесомости. Новоси-бирск.-1988.-С.142- 152.

68. Z.Bojon, Z.Xingru, C.Funiau, L.Langing. GaAs single crystal growth from melt in space//Chin. Journ. Semicond.-1988.- Vol.9.-N5.-P.548-552.

69. Эксперименты по зонной кристаллизации антимонида индия в условиях невесомости / Земсков B.C., Бармин Н.В., Раухман М.Р. и др. // Гидродинамика и теплообмен в невесомости. Новосибирск,-1988.-С. 142-152.

70. Y.C.Lu, J.J.Shian, R.S.Feigelson and R.K.Route // Journ. of Crystal Growth.-1990.-Vol.102.-N4.-P. 807-813.

71. J.Hayakawa, M.Kumagawa. Changes of the growth morphology in InSb crystals pulled under the presence of ultrasonic vibration // Cryst. Res. and Techn.-1985.-Vol.20.-Nl.-P.3-10.

72. М.Г.Мильвидская, В.Б.Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия.-1984.-256 с.

73. Е.Б.Жариков, Л.В.Приходько, Н.Р.Сторожев. Явление образования потоков жидкости при возбуждении вибраций растущего кристалла // Тезисы докладов 7-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов. M.-1988.-Том 3.-С.10-11Ю.

74. Г.Миллер. Выращивание кристаллов из расплава.Конвекция и неоднородности: Пер. с англ. М.: Мир,-1991.-143с,, шт

75. Космическое материаловедение. Введение в научные основы космической технологии: Пер. с англ./ Под ред. Б.Фойербахера, Г.Хамахера, Р.Наумана.-М.: Мир, 1989,-178с.,ил.

76. Л.И.Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник,-К: Наукова думка,-1979.-С.736-751.

77. О.С.Гурвич. Высокотемпературные электропечи с графитовыми элементами. М.: Энергия.-1974.-С.5.1. Ш—

78. K.Katamura, S.Vimura, M.Hignehi, T.Oshikiri, H.Komatsu. Differences between {110} and {211} fauts of rare-eath growth a from the melt.// J. of Crystal Growth.-1984.-Vol.69.- P.537- 544.

79. Н.Г.Кожемякин, Т.В.Беляева. Оценка мощности, подводимой ультразвуком в расплав, при выращивании монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма // Электронная техника,-1988.-N1.-С.77-79.

80. А.Милне. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир.-1977,562 с.

81. Reed S.J.B. Electron microprobe Analysis// Cambridge Universiti Press.L, N.J., 1975,1. P.423.

82. Михеев H.H., Захаров Б.Г. Количественный рентгеновский микроанализ на электронном микроскопе с автоэмиссионным катодом// Электронная техника. Сер. Материалы, 1975. Вып.2 -С. 119-124.

83. Palmbery P.W. Hadbook of Electron Spectroscopy Physical Electronics Industries. Edina, 1972.

84. Травление полупроводников/ Перевод с английского С.Н.Горина. М.:"Мир", 1965. -384с.

85. Шульпина И.Л. Методы рентгеновской дифракционной топографии для исследования монокристаллов. В сб.:Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Л.:" Машиностроение ", 1977. Вып. 18. - С. 92 - 101.

86. Бондаренко Г.Г., Фицуков М. М., Косушкин В.Г., Влияние низкочастотных вибраций на слоистую однородность монокристаллов арсенида галлия // Физика и химия обработки материалов, 1998,№2, с.90-92.

87. Фицуков М.М., Косушкин В.Г. О влиянии ультразвука, вводимого в расплав на неоднородность свойств монокристаллов i i Физика и химия обработки материалов, 1996, №4, с. 122-128.

88. Fitzukov MM., Korzhavyi A. P., Effective systems for ion purification using sigle crystal growth equipment //Book of Abstract second International conference MPSL96. Sumy-1996-Publ:Sumy stste University, 1996, p.96.

89. Фицуков M.M., Косушкин В.Г. Повышение однородности монокристаллов нелегированного полуизолирующего арсенида галлия для интегральных схем /7 Перспективные материалы, 1996, №1, с.50-54.

90. Автором лично проведено обобщение теоретических, экспериментальных исследований и методов получения монокристаллов с высоким структурным совершенством, которые используются в производстве ОАО "Аметист".

91. Суммарный годовой экономический эффект от использования результатов диссертационной работы Фицукова М.М. составил 133 млн. 318 тыс. руб.

92. Председатель комиссии Члены комиссии:

93. А. П. К о ржа вы й А.Б .Лыков т А.Обуховаь

94. Автор научно обосновал и экспериментально показал эффективность использования внешних воздействий (ультразвукового поля и пониженной силы тяжести) в процессе роста монокристаллического арсенида галлия.

95. ОКБ НПО им. С.А.Лавочкина использовало основные положения диссертации в разработках при реализации ряда Проектов.1. УД

96. Председатель комиссии В.И.Михальский1. Члены комиссии:1. В. С- Орешников