Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Стефанович, Владимир Алексеевич

• Стефанович, Владимир Алексеевич
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Стефанович, Владимир Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1 СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛЕЙКОСАПФИРА.

1.1 Дефекты, образующиеся в монокристаллах лейкосапфира в процессе их выращивания.

1.1.1 Точечные дефекты.

1.1.2 Дислокации.

1.1.3 Блочность кристаллов.

1.1.4 Пористость и второфазные включения сапфира.

1.2 Получение кристаллов лейкосапфира методом ГНК.

1.3 Проблемные факторы технологических процессов, определяющие качество монокристаллов лейкосапфира.

1.3.1 Способы затравления и теплообмена, кристалл-затравка на начальной стадии роста.

1.3.2 Внутренние напряжения в блочном кристалле лейкосапфира.

1.3.3 Флуктуации температуры (явления скачков) при кристаллизации монокристаллического лейкосапфира.

1.4 Зависимость скорости движения границы раздела фаз от размерного фактора на всех этапах роста.

1.5 Современное состояние проблемы программного управления ростом объемного лейкосапфира в вакуумных печах.

1.6 Выводы по главе.

Глава 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛЕЙКОСАПФИРА.

2.1 Способы контроля условий роста в методе ГНК.

2.2 Исследование блочного строения кристаллов лейкосапфира.

2.3 Поляризационно - оптический способ измерения остаточных напряжений.

2.4 Выводы по главе.

Глава 3 ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ПОЛУЧЕНИИ ЛЕЙКОСАПФИРА МЕТОДОМ ГНК.

3.1 Формулировка расчетной модели процесса.

3.2 Расчет динамики проплавления шихты.

3.3 Исследование процесса кристаллизации. Расчет скорости движения границы

раздела жидкой и твердой фаз.

3.3.1 Начальная стадия кристаллизации.

3.3.2 Исследование поздних стадий кристаллизации.

3.4 Выводы по главе 3.

Глава 4 ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ЛЕЙКОСАПФИРА.

4.1 Влияние технологических факторов на механизм образования пор.

4.1.1 Расчет исходной пористости шихты.

4.1.2 Давление, действующее на поверхность поры.

4.2 Динамика релаксации пузырей.

4.3 Остаточная пузырчатость расплава.

4.4 Механизм массопереноса в расплаве.

4.5 Стимулированное движение пор в расплаве.

4.6 Захват пор фронтом кристаллизации.

4.6.1 Влияние примеси на захват пузырей в растущем кристалле.

4.6.2 Зависимость захвата пузырей от скорости перемещения фронта кристаллизации.

4.7 Формирование дислокационных структур в растущем кристалле.

4.8 Выводы по главе 4.

Глава 5 РАЗРАБОТКА АППАРАТНО - ПРОГРАММНОГО КОМПЛЕКСА УПРАВЛЕНИЯ УСТАНОВКОЙ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛЕЙКОСАПФИРА.

5.1 Разработка модели влияния параметров технологического процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира на качество кристалла.

5.2 Выбор метода оптимизации управления технологическим процессом выращивания кристаллов лейкосапфира.

5.3 Разработка аппаратно - программного комплекса управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

5.3.1 Методика прецизионного измерения эффективного напряжения на нагревателе печи.

5.3.2 Методика обеспечения помехоустойчивости датчиков печей для выращивания объемного лейкосапфира.

5.3.3 Схемное решение стабилизации скорости двигателя электропривода лодочки.

5.3.4 Методика измерения положения лодочки в камере вакуумной печи.

5.4 Микропроцессорный блок управления технологическим процессом выращивания объемного лейкосапфира.

5.4.1 Микропроцессорный блок управления.

5.4.2 Конструктивные особенности микропроцессорного блока управления.

5.5 Организация локальной сети для печей выращивания объемного лейкосапфира.

5.6 Выводы по главе 5.

Глава 6. ПРИМЕНЕНИЕ ЛЕЙКОСАПФИРОВ В ИЗДЕЛИЯХ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.

6.1 Конструкционное применение лейкосапфира в качестве «подложек» в изделиях электронной техники.

6.2 Изготовление датчика давления на основе структуры «кремний на сапфире»

6.3 Применение изделий из лейкосапфира в изделиях, выполняющих защитные функции в технике.

6.4 Выводы по главе 6.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование технологии получения лейкосапфира для электронной техники»

Актуальность диссертационной работы

Разработка технологии получения монокристаллов лейкосапфира и изделий из них во многом определяет успехи развития важнейших направлений квантовой электроники, микроэлектроники, атомной энергетики. Весьма широк диапазон потребительских свойств монокристаллического лейкосапфира: от генерации, усиления и преобразования электромагнитных колебаний до использования в качестве конструкционного материала. Такое широкое применение монокристаллов лейкосапфира связано с тем, что они обладают набором уникальных качеств: высокая оптическая однородность и прозрачность в широком диапазоне длин волн, радиационная стойкость, хорошие механические, термические и диэлектрические свойства.

Разработка технологии получения монокристаллов лейкосапфира и изделий из них является актуальной задачей для микроэлектроники. Однако производство и решение научно - технических задач, связанных с получением и обработкой крупногабаритных кристаллов лейкосапфира, до сих пор остается серьезной проблемой. Это связанно с высокой плотностью дислокаций, пористостью и наличием значительных внутренних механических напряжений по всему объему кристалла.

В области исследования качества монокристаллов лейкосапфира недостаточно изученными остается ряд вопросов. Не до конца изучены теплофизические процессы при получении лейкосапфира, влияние технологических факторов на механизм образования пор в монокристаллах.

Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с разработкой и исследованием технологии получения монокристаллов лейкосапфира для электронной техники, представляется современной и актуальной.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы являются разработка и исследование технологии получения изделий лейкосапфира для электронной техники. Для достижения реализации поставленной цели решались следующие задачи диссертационной работы:

1. Исследование теплофизических процессов, протекающих при получении монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации и процессов массопереноса/

2. Изучение процессов

-1 релаксации пузырей в расплаве;

- размещения пор в кристалле лейкосапфира;

- влияние примесей исходного материала на процессы роста и качество монокристалла.

3. Создание математической модели технологического процесса получения монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК).

4. Расчет параметров технологического процесса и определение факторов, обуславливающих итоговое качество монокристаллов лейкосапфира.

5. Разработка аппаратно-программного • комплекса управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

6. Разработка и исследование конструкции датчика давления с полупроводниковым чувствительным элементом на основе структуры «кремний на сапфире».

7. Исследование возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Научная новизна работы:

1. Разработана модель процесса получения монокристалоов лейкосапфира по методу горизонтальной направленной кристалиизации.

2. Установлено, что диссипация скрытой теплоты фазового превращения через объем растущего монокристалла является главным, определяющим рост фактором.

3. Разработана методика расчета протяженности области расплава, образующегося между фронтом кристаллизации и нагревателем, при постоянной скорости протягивания контейнера. Наличие зазора существенно влияет на механизм массопереноса в жидкой фазе.

4. Сформирована модель, на базе которой показано, что микропузырь в расплаве исходного радиуса г0 является существенно неустойчивым и под действием капиллярного давления быстро релаксирует к своему равновесному размеру. Определена скорость и время релаксации пузыря, а также время выхода (всплытия) пузырей во время релаксации на поверхность расплава под действием гидростатического давления.

5. Установлено, что высокая стабильность закристаллизованных пор (г<10"6м) при отжиге монокристаллов лейкосапфира объясняется изначальным термодинамическим равновесием внутренней поверхности поры с собственной парогазовой смесью.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Установлены факторы, влияющие на бездефектность крупногабаритных монокристаллов лейкосапфира, получаемых методом ГНК.

2. Разработаны оптимальные технологические методики, обеспечивающие рост бездефектных крупногабаритных монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

3. Разработан аппаратно-программный комплекс управления установкой (термической печью типа СЗВН) позволяющий с требуемой точностью задавать параметры роста кристалла и оперативно влиять на теплофизические процессы в момент роста монокристалла лейкосапфира.

4. Разработан и исследован датчик давления, включающий полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, который может быть применен для измерения абсолютного, избыточного и разности давлений.

5. Проведено исследование возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Используемые методики. Контроль условий роста в методе ГНК производилась путем измерения параметров электропитания нагревателя кристаллизационной печи - напряжение, мощность.

Одновременно осуществлялось визуальное наблюдение за нахождением фронта кристаллизации относительно нагревателя.

Температурные измерения производились с помощью вольфрам-рениевых термопар ВР5. Контроль качества получаемого монокристалла и определение его параметров осуществлялось с использованием поляризационно-оптического метода наблюдения с использованием полярископа типа ПКС — 250.

Контроль измерения углов разориентации блоков и определение направления оси поворота осуществлялся по методу обратной рентгеновской съемки в расходящемся пучке.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследования влияния теплофизических процессов при получении лейкосапфиров методом ГНК.

2. Результаты исследования влияния технологических факторов на механизм образования «пор» в монокристалле лейкосапфира.

3. Механизм релаксации пузырей в монокристаллах лейкосапфира.

4. Математическая модель теплофизических процессов, позволяющая определить факторы влияния на механизм роста бездефектного монокристалла лейкосапфира.

5. Аппаратно - программный комплекс управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

6. Конструкция датчика давления на основе структуры «кремний на сапфире» и результаты исследования возможности применения монокристаллов лейкосапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации в качестве защитных экранов, способных противостоять ударной волне с высокой кинетической энергией.

Реализация результатов диссертационной работы.

Диссертационная работа выполнялась на кафедре КЭС ТТИ ЮФУ и предприятии ООО «Завод Кристалл» г.Таганрог в рамках х/д работ 2004г.: «Исследование технологического процесса нанесения защитного покрытия методом активированного диффузионного насыщения в вакууме», 2005 - 2007 гг.: «Исследование технологии получения кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации на установках типа СЗВН - 155.320, СЗВН- 175».

Результаты диссертационной работы внедрены на промышленном предприятии: ООО «Завод Кристалл» (Россия, г. Таганрог), на предприятии ООО «Кристаллограф» (Россия, г. Таганрог), а также, в Институте Монокристаллов Национальной Академии Наук Украины (Украина, г. Харьков) и на кафедрах КЭС ТТИ ЮФУ и ТМИНа ТТИ ЮФУ.

Апробация работы

Основные научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на различных международных и всероссийских научных конференциях и семинарах, в частности: на 5-й Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии»

Россия, Кисловодск 2005 г.); 10-й международной научной конференции и молодежной школе — семинаре «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Россия, Краснодарский край, п. Дивноморское, сентябрь 2006 г.); на 15 международной конференции в институте Кристаллографии РАН им. Шубникова (Россия, Москва, ноябрь 2006 г.); на 5 международной конференции в институте монокристаллов в Украине, (Украина, г. Харьков, сентябрь 2007 г.)

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликовано 11 печатных работ, из них 8 статей и 4 работы в сборниках трудов конференций, в том числе 4 статьи в центральных технических журналах, входящих в перечень ВАК.

Материалы диссертации также использовали в отчете ООО «Завод Кристалл» г. Таганрог, Россия, по госконтракту «Развитие производства кристаллов диэлектриков и изделий из них» 2007г.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы и 2 приложений.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Стефанович, Владимир Алексеевич

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Разработана модель, позволяющая описывать получение монокристаллов лейкосапфира А120з, методом ГНК на всех этапах роста.

2. Установлено, что на начальной стадии рост монокристалла лейкосапфира идет при переменной степени переохлаждения фронта кристаллизации, причем главным влияющим фактором на рост монокристалла является диссипация скрытой теплоты фазового превращения через объем растущего монокристалла лейкосапфира.

3. Показано, что при постоянной скорости сканирования нагревателя, скорость фронта кристаллизации, быстро убывая начале процесса, стабилизируется на этапе, когда осевой размер кристалла становится равным его толщине.

4. На этапе установившейся скорости роста температура поверхности фазового превращения и, соответственно, степень переохлаждения становятся постоянными. Однако стационарная скорость, величина температуры поверхности раздела фаз и величина установившейся степени переохлаждения зависят от поперечной толщины кристалла.

5. При постоянной скорости протягивания между фронтом кристаллизации и нагревателем образуется свободная область расплава «зазор», наличие которого существенно влияет на распределение температуры и механизм массопереноса в жидкой фазе. Разработана методика расчета протяженности жидкого зазора.

6. Конвективное движение в жидкой фазе развивается к моменту времени, когда осевой размер кристалла становится близким к своей толщине при росте «толстых» кристаллов с!>0.05м. При с!«0.05м конвекция возникает на более поздних стадиях роста (при <1~0.025м, 8к~0.15м, где 8К - длина кристалла в момент начала конвекции в расплаве).

7. При отсутствии искусственных центров образования новой фазы механизм объемной кристаллизации маловероятен, рост монокристаллов лейкосапфира идет от подложки по механизму нормального роста даже при наличии большого жидкого зазора между кристаллом и нагревателем.

8. Предложена методика расчета эффективной плотности шихты и методом непосредственного взвешивания определена реальная плотность раздробленного материала в контейнере, которая дает удовлетворительное согласие с численными оценками. Определен начальный радиус г0 микропор в зависимости от реальной фрактальности раздробленного материала шихты.

9. Сформирована модель, на базе которой показано, что микропузырь в расплаве исходного радиуса го является существенно неустойчивым и под действием капиллярного давления быстро релаксирует к своему равновесному размеру. Определена скорость и время релаксации пузыря.

10. Минимальный, равновесный радиус пузыря устанавливается, когда капиллярное давление (давление Лапласа) компенсируется противодействием давления сжатой парогазовой смеси, капсулированной внутри релаксирующего пузыря.

11. Определена скорость выхода (всплытия) пузырей во время релаксации на поверхность расплава под действием гидростатического давления. Показано, что между давлением защитного газа РАМ и временем выхода пузыря на поверхность расплава существует зависимость, в соответствии с которой пузырь заданного

139 начального радиуса го, начиная движение со дна контейнера, успевает выйти на поверхность расплава. Если давление защитного газа меньше критического РА< РАМ пузыри радиуса г0 всплывать не успевают, создавая остаточную пузырчатость расплава.

12. Массоперенос, определяющий форму закристаллизованной поры при* высокой температуре и последующем отжиге, осуществляется главным образом, за счет диффузии вдоль поверхности поры и через ее объем при диссоциативном испарении вещества в пору.

13. Высокая стабильность сферических пор малых размеров г<10"бм в кристаллах лейкосапфира объясняется тем, что внутренняя поверхность поры изначально находится в термодинамическом равновесии с собственной парогазовой смесью, сжатой при релаксации до капиллярного давления и имеющей состав, характерный для температуры, близкой к точке плавления

А1203.

14. Для определения оптимальных значений параметров технологического процесса для получения показателей качества кристалла используется уравнение регрессии.

15. Разработан аппаратно - программный комплекс управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК в автоматическом режиме, допуская оперативное вмешательство- технолога техпроцесса или оператора печи.

16. Для повышения кристаллографического совершенства структур «кремний на сапфире» выращивание целесообразнее проводить методом молекулярно - лучевой эпитаксии (МЛЭ). Метод сублимационной МЛЭ позволяет выращивать структурно совершенные тонкие (0,5 мкм) слои кремния на сапфире. При низких температурах роста пленок 81 сводится к минимуму влияние разницы коэффициентов термического расширения этих материалов и уменьшается плотность дефектов в эпитаксиальных слоях.

17. Разработанный датчик давления позволяет работать с большим уровнем деформаций, чем в других интегральных полупроводниковых

140 чувствительных элементах, а также обеспечивает работу в условиях высокой радиации.

18. Отработана технология получения монокристаллов лейкосапфира с содержанием пор 104 см'3 диаметром 10"4 - 10"3см. для этого применялась шихта с содержанием примесей 0,0001%.

19. Исследования, проведенные в ОАО «Кираса» г. Пермь показали, что лейкосапфир (плоскость роста 1102), выращенный методом ГНК обладает высокой прочностью и может применяться в различных областях, связанных с оптическим наблюдением в условиях воздействия направленных ударных волн со скоростями до 830,0 м/с.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проделанной работы были исследованы теплофизические процессы при получении монокристаллов лейкосапфира, влияние технологических факторов на механизм образования пор, остаточная пузырчатость расплава. Монокристаллы лейкосапфира выращивались методом ГНК в вакуумной среде на установках СЗВН-155.320 были проведены исследования дефектной структуры монокристаллов - блочность, наличие пузырей, измерены остаточные напряжения. Разработана модель влияния параметров технологического процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира на качество кристаллов и аппаратно-программный комплекс управления установкой для выращивания монокристаллов лейкосапфира методом ГНК.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Стефанович, Владимир Алексеевич, 2008 год

1. Вильке К.Т. Методы выращивания кристаллов. Ленинград. Недра. 1968.

2. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974.

3. Бакли Г. Рост кристаллов. — М.: Изд. иностр. лит., 1954.

4. Кузнецов В.Д. Кристаллы и кристаллизация. М.: Госгеолиздат, 1954.

5. Добровинская, Л.А. Литвинов, В.В. Пищик. Монокристаллы корунда. Киев: Наукова Думка, 1994.

6. Е. Добровинская, Л. Литвинов, В.Пищик. Энциклопедия сапфира. Харьков, НТК «Институт материалов», 2004. - С. 503.

7. В.В. Пищик, Добровинская Е.П., Бирман Б.И. и др. О механизме возникновения пор в монокристаллах корунда. // Монокристаллы и техника: Сб. науч. тр. -1971. -Вып.5. -С.26 35.

8. Александров В.И., Осико В.В., Татаринцев В.В. Плавление тугоплавких диэлектрических материалов высокочастотным нагревом. // Приборы и техника эксперимента. 1970. - Т.5. - С.222 - 225.

9. Багдасаров Х.С. Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов. 4.2. В кн.: 4 Всесоюз. совещ. по росту кристаллов. Выращивание кристаллов и их структура. Ереван, 1972. С.6 - 25.

10. Гузик С., Облаковский Я. Искусственные монокристаллы. М.: Металлургия, 1975.

11. Рубин и сапфир. Сб. под ред. Классен Неклюдова М.В., Багдасарова Х.С. М., Наука, 1974.

12. Е.Р. Добровинская, В.В. Пищик. Связь структурного совершенства монокристаллов корунда с механизмом их формирования. // Кристаллография, 1988. Т.ЗЗ. - Вып.4. - С. 1000 - 1005.

13. A.C. Дзюба, Ю. Ионг Зу. Взаимодействие газовых пузырьков с фронтом кристаллизации расплава. // Кристаллография, 1985. — Т.ЗО. Вып.6. — С.1177-1180

14. Khattak С.Р., Guggenheim P.J., Schmid F. Proc. SPIE, vol.5078. Window and Dome Technologies and Materials VI 11. 2003. - P.47.142

15. Черник М.М., Добровинская Е.П. О наследовании дефектов структуры растущим кристаллом. // Изв. АНСССР. Сер. физ. 1972. - №3. - С.570 - 574

16. Инденбом В.Л. Теория роста кристаллов и реальное кристаллообразование. // Рост кристаллов:. Сб. науч. тр., Ереван, 1977. Т. 12. - С.257

17. Classen Neklyudova M.V., Govorkov V.G., Urusovskaya A.A. Plastic deformation of corundum. // Single Crystals. 1970. - №39. - №2. - P.679 - 688

18. Е.П. Добровинская, B.B. Куколь, B.B. Пищик, и др. Малодислокационные монокристаллы корунда. // Кристаллография. 1975. 20. - Вып. 2. - С.399 - 403

19. Инденбом В.Л., Томилевский Г.Н. Измерение внутренних напряжений в кристаллах синтетического корунда. // Кристаллография. 1957. Т.1. - С 593 -599

20. Инденбом В.Л.К теории образования напряжений и дислокаций при росте кристаллов. // Кристаллография. 1964. Т.9. - Вып.1. - С.74 - 83

21. Инденбом В.Л., Освенский В.Б. Теоретические и экспериментальные исследования возникновения напряжений и дислокаций при росте кристаллов. //Рост кристаллов: Сб. науч. тр. М., 1980. Т. 13. - С. 240-260.

22. Инденбом В.Л., Житомирский И.С., Чебанова Т.С. Внутренние напряжения, возникающие при выращивании кристаллов в стационарном режиме. // Кристаллография. 1973. Т. 18. - Вып.1. - С.39 - 58.

23. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972.

24. Х.С.Багдасаров, И.Г.Белых, Е.А. Разориентация блоков в кристаллах лейкосапфира. //Кристаллография, 1982. Т.27. - Вып.1. - С.207 - 208.143

25. В.П. Мацокин, В.Г. Назаренко Особенности эволюции дислокационной структуры при отжиге деформированных монокристаллов. // Известия АН, Сер. Физ., 1995. — Т.59. -№10. С.55 - 59.

26. С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов, В.Д. Слободинский. Расчет касательных напряжений в системах скольжения для кристаллов сапфира в зависимости от ориентации направления выращивания. // Известия АН, Сер. Физ., 1994. Т.58. - №9. - С.32 -41.

27. И.Ю. Вандакуров, Е.В. Галактионов, Е.В. Юферев, В.М. Крымов и Ч. Барта. Температурные поля и поля напряжений при выращивании оптически анизотропных кристаллов. // Известия АН, Сер. Физ., 1994. Т.52. - №10. -С.1879 -1883.

28. М.Е. Босин, И.Ф. Звягинцева, В.Н. Звягинцев, Ф.Ф. Лаврентьев, В.Н. Никифоренко. Стартовое напряжение для начала движения дислокаций в монокристаллах рубина. // ФТТ, 2004. Т.46. - Вып.5. - С.834 - 836.

29. Мусатов М.И. Книга лекций Первой международной школы по технологии роста кристаллов. Швейцария, 1998. - С.624.

30. Добровинская Е.Р., Пищик В.В. Связь структурного совершенства монокристаллов корунда с механизмом их формирования. // Кристаллография, 1988. Т.ЗЗ. - Вып.4. - С.1000 - 1005.

31. Белых И.Г. Исследование природы образования блоков мозаики и разработка практических мер, исключающих их образование.// Диссертация. Институт Кристаллографии им. A.B. Шубникова. Москва, 1976.

32. Кралина A.A., Пузанова Л.В., Жолтикова Т.В. В кн.: Рост и дефекты металлических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1972. - С.289.

33. С.П. Малюков, Д.И.Чередниченко, Е.Т. Замков, С.Н. Нелина, О.М. Нутович. Исследование технологии получения монокристаллов лейкосапфира методом ГНК. // Отчет о НИР. ТРТУ, 2005.

34. С.Н. Ряднов. Влияние условий кристаллизации на содержание газообразующих примесей и характеристики парогазовых включений в кристаллахлейкосапфира. // Автореферат кандидатской диссертации, Институт Кристаллографии им. A.B. Шубникова. Москва, 1987.

35. Белая А.И. Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А.,Пищик В.В. О возможности управления примесной неоднородностью в монокристаллах корунда. // Кристаллография, 1981. -Т.26. С.164.

36. Ландау А.И.Влияние диффузии примесей в расплаве на их распределение в кристалле при направленной кристаллизации. // Рост кристаллов: Сб. науч. тр. -М.,1957. -Т.1.-С.74 84.

37. П.И.Антонов, С.И.Бахолдин, Л.Л.Куандыков, Ю.К.Лингарт. Явление скачков теплового поля при кристаллизации монокристаллических лент сапфира по способу Степанова и методом ГНК. // Кристаллография, 2004. Т.49. - №2. -С.300-309.

38. Я.Данько, Н.С.Сидельникова, Г.Г.Адонкин, А.Т.Будников,С.В. Нижановский. Механизм образования центров рассеяния света в кристаллах сапфира, выращенных в газовых средах. // Кристаллография, 2004. — Т.49. — №2. С.294-299.

39. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975. 256 с.

40. Ван Цзи-Де. Прикладная теория упругости. Москва: Изд-во Физико-Математической литературы, 1959. — С.400.

41. Бахолдин С.И., Куандыков Л.И., Антонов П.И. // Тез. X Нац. конф. по росту кристаллов. Москва, 24-29 ноября 2002. — С. 254.

42. Лингарт Ю.К., Петров В.А. Измерение температуры поверхности некоторых полупрозрачных материалов. // Теплофизика высоких температур, 1980. Т. 18. - С.174.

43. Карпухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. М. МИСИС, 1995. С.267-343.

44. Litvinov L.A. Book of lectures notes. Second Int. School on Crystal Growth Technology, Japan, 2000. P.666.

45. Танеев И.Г., Казуров Б.К., Караульник Э.Н. Механизмы и кинетика кристаллизации. Минск, 1969. С.399 - 407.

46. Carslaw H.S., Jaeger J.E. Conduction of Heat in Solids. Oxford: Clarendon Press, 1967.-P. 570.

47. Таблицы физических величин. Справочник. М.: Атомиздат, 1976. С.755 - 757.

48. Лингарт Ю.К. Многоэлементный градиентный датчик, а.с.№ 1333013 от 22 апреля 1987г. Кл. G01J5/50.

49. Маурах М.А., Митин B.C. Жидкие тугоплавкие окислы. М.: Металлургия, 1978.-С.256.

50. Багдасаров Ч.С., Добровинская Е.Р., Пищик В.В. и др. Малодислокационные монокристаллы корунда. // Кристаллография, 1973. Т.18. - Вып.2. - С.390 - 395.

51. Шатилов О.Б., Чуканов С.А. Автоматизированная система контроля и регулирования вращающихся печей. // Современные технологии автоматизации, 2002. №3. — С.20 - 27.

52. Яковлев В.А. Структура измерительной системы на базе пассивных датчиков. // Современные технологии автоматизации, 2000. №1. - С. 76-84.

53. Зеленин С.А. Управление процессом варки стекла. Современные технологии автоматизации, 2003. №2. - С. 20-25.

54. ООО «Завод КРИСТАЛЛ». Микропроцессорный блок управления технологическим процессом выращивания объемного лейкосапфира. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Таганрог, 2004.

55. Лингарт Ю.К., Петров В.А., Тихонова Н.А. Оптические свойства лейкосапфира при высоких температурах. 1. Область прозрачности. // ТВТ, 1982. Т.20. -№5. — С.872 — 879.

56. Kh.S. Bagdasarov, Е.А. Fedorov and I.G. Belykh. Ruby and Sapphire, New Delhi, 1980.-P. 206.

57. Лубе Э.Л. Современные методы контроля h управления процессами кристаллизации. // Рост кристаллов: Сб. науч. Тр. М., 1980. - №13. - с.304-33-313.

58. Антонов П.И., Крымов В.М., Носов Ю.Г., Шульпина И.Л. Выращивание базисноограненных ленточных кристаллов лейкосапфира и изучение их дислокационной структуры. // Известия АН. Сер. Физ., 2004. Т.68. - №6. -С.777 - 783.

59. Багдасаров Х.С., Приходько Л.А., Федоров Е.А., Кисельков М.Н. Авторское свидетельство № 702580.

60. Бодячевский C.B., Лингарт Ю.К., Хазанов Э.Е. Электротехническая промышленность (электротермия). №6. (214) М., 1980.

61. Костюкова Б.Н., Лютцау В.Г., Фишман Ю.М. Тезисы Докладов на 4 Всес. Совещ. по росту кристаллов, изд во АН Арм.сср, Ереван 1972. - Ч. 2. - С. 150.

62. Добровинская Е.Р., Куколь В.В., Пищик В.В., и др. Малодислокационные монокристаллы корунда. // Кристаллография, 1975. Т.20. - Вып.2. - С.399 -403.

63. Кралина A.A., Пузанова Л.Б., Жолтикова Т.В. в сб. Рост и дефекты металлических кристаллов. Киев, «Наукова Думка», 1972.

64. D.I. Cherednichenko, R.V. Drachev, T.S. Sudarshan, Self Congruent process of SiC growth by Physical Vapor Transport, Journal of Crystal Growth, 362(2004) 175181.

65. С.П. Малюков, B.A, Стефанович, Д.И. Чередниченко. Исследование модели самосогласованного роста монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации. // Известия ВУЗов. Электроника, 2007. №2. -С.3-9.

66. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» ПЭМ'06. Часть 1. Дивноморское, 2006. - С. 33-34.

67. Y.I. Khlebnikov, R.V. Drachev, D.I. Cherednichenko, et al. Point and planar defects formation in SiC during PVT growth/// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1999. Vol. 640 H5.1.1 -H5.1.6.

68. Гегузин Я.Е., Дзюба A.C., Кононенко H.B. Роль открытых включений переохлажденного расплава в формировании газовых пузырей в тылу фронта кристаллизации. // Кристаллография. 1981. Т. 26. - С. 571.

69. Г.А.Лебедев, С.П. Малюков, В.А. Стефанович, Д.И. Чередниченко Теплофизические процессы при получении кристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации. //Кристаллография 2008. Т. 53. №2 - С.356 -360.

70. S.P. Malyukov, В.А. Stefanovich, and D.I. Cherednichenko. Study of Model of Self-Coordinated Growth of Single Cristals of Sapphire by Horizontal Directed Crystallization. // Semiconductors. 2008 - Vol. 42. No. 13. - P.1508-1511. ISSN 1063-7826.

71. B.M. Кузнецов, Б.А. Луговцов, Е.И. Шер. О движении газовых пузырьков в жидкости под действием градиента температуры. ПМТФ, 1966. — №1. — С. 124 -126.

72. Klotze I.A. and Kuhlmann-Wilsdorf D. A theory of interfacial Energy between a crystal and the melt. // J. Appl. Phys. Lett., 1966. V9. - № 2. - P. 96.

73. Cherednichenko D.I., Khlebnikov Y.I., Khlebnikov I.I., et al. Dislocations as a sorce of micropipe development in the growth of silicon carbide.// J. Appl. Phys. V.8a. -№7. 2001.-P. 4139-4141.

74. Щетинин A.A., Козенков О.Д., Небольсин В.А. Модель питания нитевидного кристалла из газовой фазы. // Труды конференции «Моделирование роста кристаллов»: Рига, 1987. С. 17-21.

75. С.П. Малюков, В.А, Стефанович, Д.И. Чередниченко. Релаксация пузырей в расплаве лейкосапфира при получении кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации. // Кристаллография. 2007. Т.52. - №6. -С.1137 -1140.

76. Х.С. Багдасаров. Рост кристаллов. 12. Изд во Ереван. Гос. Ун - та. Ереван, 1976.

77. Д.Е. Темкин, A.A. Чернов, A.M. Мельникова. О влиянии теплопроводности макрочастицы на ее захват кристаллом, растущим из расплава. // Кристаллография. 1977. Т. 22. - С. 27.

78. Чернов A.A., Темкин Д.Е., Мельникова A.M. Захат инородных частиц кристаллом, растущим из расплава с примесями.// Кристаллография, 1976. Т. 21.-С. 652.

79. Малюков С.П., Стефанович В.А. Организация локальной сети для печей выращивания монокристаллов лейкосапфира. // Известия ТРТУ. №3. 2005. С.80 -81.

80. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Моделирование процесса выращивания монокристаллов лейкосапфира методом горизонтальной направленной кристаллизации. Деп. в ВИНИТИ №>2-В2007. 2007г. - 13с.

81. Малюков С.П., Стефанович В.А., Лебедев Г.А. Метод оптимизации управления технологическим процессом выращивания кристаллов лейкосапфира. // Известия ТРТУ. 2006. №5. С. 210-214.

82. Малюков С.П., Стефанович В.А. Лебедев Г.А. Структура системы для статистического контроля многопараметрического технологического процесса. // Труды международной научно-технической конференции. AIS'06 CAD-2006.149- Москва. С. 423-424.

83. Горшков Б.И. Элементы радиоэлектронных устройств. Справочник. М.Б., Радио и связь, 1988. С.256.

84. Мячев А.А. Интерфейсы средств вычислительной техники. Энциклопедический справочник. М.: Радио и связь, 1993. С. 300.

85. Пей А. н. Сопряжение ПК с внешними устройствами. М.: ДМК Пресс, 2001. С. 270.

86. Шатилов О.Б., Чуканов С.А. Автоматизированная система контроля и регулирования вращающихся печей. // Современные технологии автоматизации, 2002.-№3.-С. 20-27.

87. В.М. Стучебников Структуры «кремний на сапфире» как материал для тензопреобразователей механических величин.// Радиотехника и электроника 2005. Т. 50. - №6 - С. 678 - 696.

88. Патент ФРГ № 3436440, кл.в 01 Ь 9/06, 1986.

89. Патент ГДР №225501, кл. в 01 Ь 9/06, 1985.

90. Патент РФ №2082127, кл. в 01 Ь 9/04, 1997.