Плазмохимическое травление танталата лития для формирования элементов топологии и микросборки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Коняев Иван Васильевич

• Коняев Иван Васильевич
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Коняев Иван Васильевич

СОДЕРЖАНИЕ

4

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ

ПО ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКЕ И ПРИБОРАМ НА ОСНОВЕ

LiTaOз

1.1. Обзор основных свойств танталата лития

1.2. Методы анализа монокристаллического танталата лития

1.3.Приборы и устройства на основе LiTaO3

1.4.Плазмохимическое травление (ПХТ)

1.5. Современное состояние исследований травления LiTaO3 26 Цель и задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБОРУДОВАНИЕ

2.1. Описание оборудования

2.2. Описание средств измерения 43 Выводы к главе

ГЛАВА 3. КИНЕТИКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ВО ФТОРСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛАЗМЕ

3.1. Зависимость скорости травления танталата лития от времени протекания процесса LiTaOз

3.2. Влияние подводимой мощности на скорость

травления LiTaO3 в плазме SF6

3.3. Влияние давления на характер кинетических кривых

травления танталата лития

3.4. Температурная стимуляция процесса травления LiTaO3

3.5. Активационные процессы и влияние газовых

добавок Ar, N и N2O

Выводы к главе

ГЛАВА 4. АНАЛИЗ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ,

ЭЛЕМЕНТНОГО И ФАЗОВОГО СОСТАВОВ ОБРАЗЦОВ

ЫТаОз ПОСЛЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

4.1. Механизм образования фторида лития

4.2. Анализ морфология поверхности образцов ЫТаО3

до и после травления

Выводы к главе

ГЛАВА 5. РАЗМЕРНОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПТаОз И ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ СБОРОЧНОГО ПРОЦЕССА

5.1. Технология формирования маски

5.2. Особенности формирования структур на поверхности

ЫТаО3 при плазмохимическом травлении

5.3. Элементы технологии сборочного процесса

5.4. Примесные загрязнения и радиационные дефекты поверхности

и при плазменной обработке

Выводы к главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

99

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Плазмохимическое травление танталата лития для формирования элементов топологии и микросборки»

Актуальность темы

При разработке планарной технологии производства первыми были освоены методы жидкостного травления для формирования элементов полупроводниковых приборов. С развитием технологии были разработаны методы плазменной обработки. Долгое время доминировала технология ионно-плазменного травления, использующая физическое распыление твердых тел ионами инертных газов. Плазмохимическое травление основано на химическом взаимодействии частиц плазмы, а ионная составляющая выполняет вспомогательную функцию активации протекания химических процессов. Сравнение литературных данных по кинетике ионно-плазменного травления с экспериментальными данными плазмохимического травления показывает повышение эффективности применения процесса ПХТ, приводящего к росту скорости травления более чем в 2 раза. Производительность процесса играет важную роль при массовом изготовлении современных устройств функциональной электроники и микросистемной техники. В данном контексте исследование механизмов влияния технологических параметров на кинетику плазмохимического травления (ПХТ) является актуальной задачей для разработки оптимального режима формирования микроструктур на поверхности танталата лития (LiTаO3). Понимание физико-химических закономерностей и механизмов технологического процесса является основной задачей на этапе подготовки к сборочному процессу конкретных приборов.

Выбор танталата лития в качестве объекта исследования обусловлен широкими возможностями его применения при производстве ряда приборов в различных областях твердотельной электроники, микросистемной техники, оптоэлектроники, таких как пироэлектрические детекторы, электрооптические модуляторы, пьезоэлектрические преобразователи, оптические канальные волноводы, фильтры на поверхностных акустических волнах (ПАВ).

Для промышленного применения важно всесторонне исследовать закономерности и особенности применения плазмохимического травления для

формирования элементов топологии на подложках танталата лития. Во-первых, необходимо иметь детальное представление о скорости плазмохимического травления, получаемое на основании данных о влиянии технологических параметров обработки (подводимая мощность, давление, газовые добавки, температура в реакционно-разрядной камере). Во-вторых, важными характеристиками являются шероховатость получаемой поверхности, наличие загрязнений и степень радиационных повреждений и примесных дефектов, вносимых плазменной обработкой. Качество поверхности, получаемой после травления, влияет на равномерность нанесения металлических и диэлектрических покрытий, адгезионные свойства контактирующих материалов и качество проводимых сборочных операций. Выявление закономерностей определяет актуальность проведения комплексных исследований кинетики плазмохимического травления подложек танталата лития, создания элементов топологии, напыления металлических слоев и микросборки для достижения необходимого качества технологических операций.

Целью работы является установление закономерностей влияния температуры, мощности, давления и газовых добавок на скорость плазмохимического травления LiTaO3 в плазме SF6 и отработка режимов сборочного производства на подложках танталата лития с вытравленной топологией микроструктур. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование особенностей процесса взаимодействия LiTaO 3 с фторсодержащими химически активными частицами (ХАЧ) плазмы.

2. Определение влияния физических и химических факторов на скорость плазмохимического травления LiTaO3.

3. Анализ морфологии, элементного и фазового состава поверхности LiTaO 3 после травления.

4. Разработка технологических подходов повышения эффективности процесса плазмохимического травления.

5. Отработка режимов микросборки на поверхности LiTaO3.

Научная новизна работы

1. На основании комплексного исследования процесса плазмохимического травления поверхности подложек LiTaO3 установлены закономерности влияния мощности ВЧ-разряда, давления SF6 и температуры на скорость травления. Установлено влияние типа и концентрации газовых примесей Лт, N и N2O, вводимых в SF6, на скорость плазмохимического травления LiTaO3. Показано, что зависимости скорости травления танталата лития от исследуемых параметров имеют нелинейный характер, что обусловлено многостадийностью процесса.

2. Показано, что травление LiTaO3 в низкотемпературной газоразрядной плазме на основе газа SF6 является топохимической реакцией, проходящей с образованием пористого LiF.

3. Установлено, что процесс плазмохимического травления танталата лития в плазме SF6 протекает с индукционным периодом (~500 с) и при температуре подложки более 450 К.

4. Методом АСМ установлено, что увеличение скорости плазмохимического травления при возрастании подводимой мощности не ухудшает шероховатость поверхности вследствие диффузионного ограничения скорости травления LiTaO3 через образующийся пористый слой LiF.

Практическая значимость работы

1. Определён оптимальный режим плазмохимического травления танталата лития при подводимой мощности 250 Вт, давлении SF6 в реакционной камере 170 Па и температуре подложки 560 К, позволяющий использовать данный процесс для средне- и широкомасштабного производства приборов на подложках из LiTaOз.

2. Получены прототипы различных микроструктур и канальных титановых волноводов с применением методов фотолитографии и плазмохимического травления LiTaO3.

3. Экспериментально разработан способ ультразвуковой микросварки Л1 контактных площадок диаметром 50 мкм с применением процесса плазмохимического травления поверхности LiTaO3 в SF6, позволяющий

обеспечить прочность сварного соединения 23-25 гс с перспективой использования в серийном производстве приборов на подложках из LiTaO3.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту

1. Установлено, что зависимости скорости плазмохимического травления поверхности LiTaO3 от технологических параметров (подводимая к ВЧ-разряду мощность, температура подложки, парциальное давление SF6) имеют нелинейный вид. В интервале мощности от 100 до 250 Вт и температуры от 500 до 560 К наблюдается рост скорости ПХТ танталата лития; повышение рабочего давления в диапазоне от 170 Па до 290 Па снижает скорость процесса травления.

2. ПХТ LiTaO3 в низкотемпературной газоразрядной плазме на основе газа SF6 является топохимическим процессом, протекающим с индукционным периодом. В результате химических реакции в процессе травления образуется пористый твердый слой фторида лития, ограничивающий суммарную скорость процесса травления диффузионным торможением.

3. Показано, что плазмохимическое травление в атмосфере SF6 обеспечивает шероховатость поверхности подложек из LiTaO3 не более 50 нм при глубине травления 5 мкм, что позволяет использовать данный процесс для производства приборов микросистемной техники и функциональной электроники.

4. Определен оптимальный режим плазмохимического травления во фторсодержащей плазме поверхности подложек из LiTaO3 (подводимая мощность 250 Вт, давление SF6 170 Па и температура подложки 560 К), позволяющий получать микроструктуры, канальные титановые волноводы и алюминиевые контактные площадки для ультразвуковой микросварки с прочностью сварного соединения 23-25 гс.

Степень достоверности и апробация результатов

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением современного производственного и аттестованного измерительного оборудования, воспроизводимостью результатов и непротиворечивостью известным физическо-химическим закономерностям.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международных и российских конференциях, в том числе: XIV, XV и XVII Российских ежегодных конференциях научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» (Москва, 2017, 2018 и

2020); Международной конференции «ФизикА.СПб/2021» (Санкт-Петербург,

2021).

Личный вклад автора состоит в постановке и организации экспериментов, обработке и анализе полученных результатов. Постановка цели и задач, согласование и корректировка исследований, составление выводов выполнялись автором совместно с научным руководителем. Основные результаты исследований получены автором лично, либо при его непосредственном участии. Обсуждение полученных результатов и подготовка публикаций проводилась совместно с научным руководителем.

Публикации по теме диссертации

По теме диссертации опубликовано 12 научных работ, включая 1 статью в журнале, индексируемом реферативной базой данных Scopus, 4 статьи в журналах, рекомендованных ВАК Минобрнауки РФ, 7 работ в прочих журналах и сборниках трудов конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 111 страниц, включая 41 рисунок, 5 таблиц и список литературы, который содержит 117 наименований.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКЕ И ПРИБОРАМ НА ОСНОВЕ ЫТаОэ

1.1.Обзор основных свойств танталата лития

Танталат лития одно из наиболее востребованных соединений в ряде танталатов щелочных и щелочноземельных металлов. Знание основных характеристик является неотъемлемой частью для его полноценного использования в современных приборах функциональной электроники.

Танталат лития образует бесцветные кристаллы тригональной сингонии, не растворим в воде; характеризуется свойствами, промежуточными между свойствами ниобата лития и кварца: пьезоэлектрическая связь здесь сильнее, чем у кварца, а температурная стабильность выше, чем у ниобата лития. Танталат лития оптически одноосный положительный кристалл (показатель преломления необыкновенного луча больше, чем обыкновенного). Он имеет единственный структурный фазовый переход второго рода из сегнетоэлектрической фазы в высокотемпературную параэлектрическую. Довольно высокая температура фазового перехода (ТК~930 К) приводит к сложностям изучения структурных изменений. Важным упрощением, которое делает LiTaO3 привлекательным объектом для анализа, является то, что сегнетоэлектрическая мягкая мода не вырождена ни выше, ни ниже ТК; поэтому для описания основных особенностей сегнетоэлектрического перехода и оценки природы локальной потенциальной функции можно использовать гамильтониан с простой скалярной переменной.

Хотя танталат лития не обладает перовскитной структурой, он имеет решетку АВО3 с кислородными октаэдрами. На рис. 1 .1 дана структура при комнатной температуре, состоящая из последовательности искаженных октаэдров, соединенных своими гранями вдоль полярной оси с 3-го порядка [1]. Если двигаться вдоль полярной оси, то можно увидеть, что катионы распределены в октаэдрах в последовательности: Та, вакансия, Li, Та, вакансия, Li, ..., причем при комнатной температуре положение катионов внутри кислородных октаэдров

точно известны из рентгено- и нейтронографического исследований структуры [2, 3]. В отличие от перовскитных сегнетоэлектриков относительный сдвиг катионов от возможных неполярных положений очень велик. Это указывает на большую спонтанную поляризацию при комнатной температуре ~50 мкКл/см2. Однако особенности высокотемпературной параэлектрической фазы неясны непосредственно из исследований при комнатной температуре.

Рис. 1.1. Структура ЫТа03 при комнатной температуре. Малые заштрихованные кружки изображают ионы Ы, заштрихованные кружки большого размера - ионы Та, а большие светлые кружки - ионы О. Полярной осью является ось с

О нейтронографическом исследовании структурных изменений при переходе второго рода (выше и ниже ТК) в монокристалле ЫТа03 было сообщено в [1]. Их результаты вызвали удивление, так как оказалось, что, хотя ион Та сдвигается к центру кислородного октаэдра при приближении к точке Кюри, ион Ы не входит в свою центросимметричную кислородную плоскость, а с равной вероятностью занимает положение на расстоянии ±0.037 нм по обе стороны от этой плоскости.

Ч

Данные диэлектрических, тепловых и пироэлектрических исследований для LiTaOз показали, что фазовый переход относится ко второму роду [4]. В области точки Кюри наблюдалась близкая к классической (характерной для перехода второго рода) зависимость спонтанной поляризации от температуры P ~ (ТК -Т)1/2, удельной теплоемкости и диэлектрической проницаемости е ~ ^ - TК|-1. Все диэлектрические и тепловые свойства вблизи ^ удовлетворительно объясняются простой термодинамической теорией со свободной энергией Гиббса, разложенной в степенной ряд по поляризации до членов шестого порядка.

Прямые измерения частот длинноволновых мод решетки с помощью инфракрасного отражения и комбинационного рассеяния [5-7] показали, что из многих наблюдаемых оптических мод, только одна мода А1 в каждой системе сильно зависит от температуры и конденсируется при достижении точки Кюри. Эта мода А1 описывает движение ионов вдоль полярной оси (хотя индивидуальные ионы кислорода могут обладать поперечным движением, которое в среднем по элементарной ячейке равно нулю), и ее частота, по -видимому, изменяется с температурой согласно классической формуле ю^^^ в широком интервале температур при подходе к сегнетоэлектрическому переходу снизу.

Вопрос о низкотемпературной поляризации прояснился благодаря исследованиям Гласса и Лайнса [8], которые были проведены в диапазоне от 5 К до 350 К с помощью динамического метода Чайновиса (записывался ток, возникающий при поглощении кристаллом инфракрасного излучения [9]). Этот метод позволяет измерять отношение пироэлектрического коэффициента dPs/dT к теплоемкости С и оказывается гораздо более точным при измерении низкотемпературных изменений спонтанной поляризации, чем обычные статические методы.

Особо стоит отметить влияние стехиометрического состава монокристалла на его свойства. Первые исследования оптических и диэлектрических свойств LiTaO3 [10] показали, что эти свойства так же как температура Кюри и двойное

лучепреломление зависят от состава расплава, из которого выращивались кристаллы.

Полная фазовая диаграмма Ы20-Та205 еще не изучена из-за высокой температуры плавления и значительных потерь Ы20 из ЫТа03 выше 1200°С. Однако установлено, что конгруэнтно плавящийся состав содержит приблизительно 49 мол. % Ы20, а интервал твердых растворов при 1200°С простирается от ~ 46 до 50,4% Ы20 [11]. С качественной стороны способность структуры ЫТа03 допускать достаточно большой избыток ионов Та, и лишь малый избыток ионов Ы является результатом более сильной связи Та-0 по сравнению с Ы-0. Увеличение температуры ТК у ЫТа03 с увеличением содержания Ы20 согласуется с простыми аргументами, согласно которым главные вклады в сегнетоэлектрическое поведение вносят ионы Ы и Та [12].

Исследования доменной структуры в образцах монокристаллического танталата лития проводились при травлении с использованием кипящего раствора, состоящего из двух частей ИЫ03 и одной части ИБ. Эксперименты показали наличие антипараллельных полярных доменов. Максимальный диаметр доменов в кристаллах танталата лития составил 5 мкм [13].

Ранее сообщалось, что конгруэнтные кристаллы танталата лития, легированные Бе, могут быть использованы для изготовления устройств голографической памяти, в которых в ходе фотоиндуцированного переноса происходит перераспределение электронов с образованием пространственной области заряда. Причиной тому являются ионы Бе2+ и Бе3+, выступающие в качестве доноров и ловушек, соответственно. Увеличенная область пространственного заряда изменяет показатель преломления, открывая многообещающие возможности применения. Однако имелось два существенных недостатка: быстрая деградация подобных структур и большое время отклика, которые существенно ограничивали применение подобных структур в голографических устройствах памяти [14].

Ба^ Б. и др. обнаружили [15, 16], что легирование М^ и повышает сопротивление деградационным процессам под воздействием излучения и

уменьшают время отклика. Однако помимо примесей важным фактором, оказывающим влияние на оптические свойства, является соотношение Li/Ta [17, 18].

В работах [19, 20] исследовалось влияние легирующих добавок Mg и Fe на оптические и голографические свойства близких к стехиометрическому составу монокристаллов LiTaO3. Было установлено, что соотношения Li/Ta, оказывает влияние на край полосы поглощения и ширину запрещенной зоны кристаллов. Экспериментальные результаты показывают, что полоса поглощения 425 нм наблюдалась только при определенном количестве ионов Fe2+. Наличие ионов железа в кристаллической решетке стехиометрического LiTaO3 приводило к уменьшению ширины запрещенной зоны. Методы рентгеноструктурного анализа не выявили изменений структуры кристаллической решетки после легирования, но при этом наблюдалось уменьшение параметров решетки при легировании железом. Голографические свойства после легирования продемонстрировали значительное улучшение, по сравнению с ранее сообщенными данными для кристаллов конгруэнтного состава [21].

Танталат лития обладает уникальными электрооптическими, пиро- и пьезоэлектрическими свойствами в сочетании с хорошей механической и химической стабильностью, широким спектром оптической прозрачности и высоким порогом оптической прочности. Все это делает LiTaO3 пригодным для широкой области применения, включая электрооптические модуляторы, пироэлектрические детекторы, оптические волноводы и фильтры на поверхностных акустических волнах (SAW devices), пьезоэлектрические преобразователи и др.

В заключение этого раздела приведена обобщенная таблица 1.1 параметров, определяющих физико-химические свойства монокристаллического танталата лития:

Таблица 1.1. Основные характеристики монокристаллического ЫТаО3

Химическая формула ЫТаОз

Структура кристалла Тригональная

Пространственная группа Я3с

Точечная группа 3т

Растворимость не растворим в воде

Параметры ячейки, А а = 5.154 с = 13.781

Плотность, кг/м3 7454

Температурный коэффициент линейного расширения, 10"6/К-1 аа = 16 ас = 4.0

Диапазон прозрачности, нм 400 - 4500

Электрооптические коэффициенты, пм/В (постоянное напряжение) гзз = 30.4 Г31 = 9.6 Г22 = 6.8 Г51 = 32.6

Температура плавления, К 1923

Температура Кюри, К 933±10

Твердость по шкале Мосса 5.5

Цвет бесцветный или светло желтый

Удельная теплоемкость (при 300 К), Дж/моль-К 100.4

Теплопроводность, Вт/м-К 4.2

Диэлектрические постоянные при 100 кГц 8а = 54 8с = 43

Показатель преломления при 633 нм По = 2.175 Пе = 2.18

Оптическая однородность ~10-5

1.2. Методы анализа монокристаллического танталата лития

Для изучения структуры и состава кристаллических материалов часто применяют рентгеновские методы анализа. Такая распространённость обусловлена хорошо отработанной методикой и возможностью достоверной интерпретации экспериментальных результатов. Это обусловлено тем, что кристаллы обладают периодичностью строения и представляют собой дифракционную решетку для рентгеновского излучения.

В методике регистрации излучения по точкам учитывается число квантов, рассеянных образцом и попавших на детектор. При этом осуществляется вращение образца и детектора маленькими шагами, измеряемыми в долях градуса. Возникновение шумовых эффектов, связанных с неравномерным испусканием излучения рентгеновской трубкой, могут быть устранены путем увеличения времени экспозиции в каждой точке измерения.

Результаты рентгеноструктурного анализа конкретного кристаллического образца представляет собой набор дифракционных пиков, имеющих свое особое угловое положение, относительную интенсивность и ширину.

Анализируя расположение пиков, можно получить совокупность межплоскостных расстояний d, характеризующих исследуемый кристаллический объект. Набор межплоскостных расстояний и интенсивностей позволяет произвести качественную идентификацию кристаллических фаз, присутствующих в образце. Анализ процентного содержания дает возможность количественной оценки фазового состава. Для определения положения и вида ионов в элементарной ячейке кристаллического образца необходимо провести анализ интенсивностей пиков [22, 23].

Фазовый рентгеноструктурный анализ применяется при изучении структурных изменений кристаллической решетки. В результате превращений кристаллическая фаза меняет свою решетку, характеризующуюся определенным набором параметров, что в свою очередь имеет отражение в системе линий на дифрактограмме. При исследовании вещества, состоящего из нескольких фаз, в результатах рентгеноструктурных экспериментов будут отражены линии всех фаз,

входящих в состав образца. Применяя специальные методики фазового анализа, возможно определение не только качественного, но и количественного фазового состава [24].

На основе тщательного разбора атомной структуры сегнетоэлектриков, полученной в основном рентгеновским методом, в [25] сообщается, что в соответствии с преобладающей природой атомных смещений, необходимых для реориентации поляризации, сегнетоэлектрические материалы удобно разбить на три класса. «Одномерный класс», являющийся простейшим, включает в себя материалы, в которых все атомы смещены параллельно полярной оси. В «двумерном классе» реориентация поляризации происходит за счет атомных смещений в плоскости, содержащей полярную ось. И, наконец, в «трехмерном классе» реориентация имеет место во всех трех направлениях. Известным представителем «первого класса» является ЫТаО3, в котором ось 3-го порядка всех кислородных октаэдров параллельна полярной оси.

Рентгеноструктурный анализ, будучи физическим методом исследования, обладает ограничениями по точности и чувствительности. Предельная чувствительность анализа зависит от атомного номера определяемого элемента и среднего атомного номера элемента в исследуемом образце [26, 27].

В 70-е годы прошлого века широкое распространение получила электронная микроскопия [28]. Растровый электронный микроскоп расширяет возможности при исследовании поверхности материалов как кристаллического, так и аморфного строения. Данная технология позволяет получить разрешение на уровне 5 нм при глубине резкости 0,6-0,8 мм. Особенностью работы РЭМ является наличие вакуумной камеры в которой располагают образец. Данная техническая деталь конструкции необходима для того, чтобы избежать нежелательных эффектов, связанных с рассеянием и поглощением электронного пучка. Диаметр определяет область сканирования и составляет порядка 10 мкм. Наиболее распространённый диапазон энергий электронов при исследовании10 -30 кэВ, но в некоторых случаях предпочтительны энергии в несколько сотен электрон-вольт [29, 30].

РЭМ находит широкое применение в ряде научных областей, среди которых исследование топологических особенностей поверхности, анализ приповерхностных структурных дефектов, электрических и магнитных доменов. Использование специального энергодисперсионного спектрометра позволяет производить определение атомного состава вещества [31].

Для получения изображения поверхности применяется метод атомно-силовой микроскопии при котором анализируется сила взаимодействии зонда (кантилевера) с поверхностью исследуемого материала. Зонд, используемый для регистрации отклонений, представляет собой основание с иглой на конце. Радиус острия кантилеверов высокой точности составляет порядка 1 нм. Под воздействием электромагнитных сил, возникающих между зондом и поверхностью, происходит изгиб консоли. Анализ величины данного изгиба позволяет оценить силу этого взаимодействия.

В математической модели при расчете применяется потенциал Леннарда -Джонса, позволяющий оценить силу взаимодействия [32]. Суммарную энергию системы можно представить, как суперпозицию энергий элементарных взаимодействий для каждого атома зонда и образца.

Формирование АСМ изображений топологии поверхности происходит в результате регистрации малых изгибов упругой консоли зондового датчика и их обработки. Для подобных целей широкое применение нашли оптические методы.

Недостатком АСМ является медленная скорость прохода кантилевера, что, в свою очередь, сказывается на небольшом размере поля сканирования. Еще одна проблема связана с артефактами формируемого изображения, связанными с неправильным подбором зонда при сканировании в высоком разрешении [33].

1.3. Приборы и устройства на основе ЫТаОз

В настоящее время, при бурном развитии технологии LiTaO3 имеет широкий спектр применения. Он обладает свойствами, которые делают его полезным при использовании в производстве SAW-устройств. Возможность

формирования различных срезов открывает широкий спектр его использования при создании приборов микроволновой фотоники, опто- и акустоэлектроники.

Пироэлектрический детектор представляет собой чувствительный к ИК-излучению электрооптический компонент, используемый для обнаружения электромагнитного излучения. Основополагающим принципом работы приборов данного класса является высокое отношение сигнал/шум. Для выполнения этого условия и реализации селективного поглощения на определенной длине волны или диапазоне длин волн используют специальные пленочные структуры и метаматериалы, позволяющие повысить коэффициент поглощения в необходимой области спектра [34, 35].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Коняев Иван Васильевич, 2023 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Abrahams, S. C. Ferroelectric lithium tantalite - 1. Single crystal X-ray diffraction study at 24 °C / S. C. Abrahams, J. L. Bernstein // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1967. - Vol. 28. - № 9. - P. 1685-1692. DOI: 10.1016/0022-3694(67)90142-4.

2. Abrahams, S. C. Ferroelectric lithium tantalite - 2. Single crystal neutron diffraction study at 24 °C / S. C. Abrahams, W.C. Hamilton, A. Sequeira // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1967. - Vol. 28. - № 9. - P. 1693-1698. DOI: 10.1016/0022-3697(66)90072-2.

3. Ferroelectric lithium tantalite - III. Temperature dependence of the structure in the ferroelectric phase and the paraelectric structure at 940 °K / S. C. Abrahams, E. Buehler, W.C. Hamilton, S. J. Laplaca // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1973. - Vol. 34. - № 3. - P. 521-532. DOI: 10.1016/0022-3697(73)90047-4.

4. Glass, A. M. Dielectric, thermal and pyroelectric properties of ferroelectric LiTaO3 / A. M. Glass // Physical Review. - 1968. - Vol. 172. - № 2. - P. 564-571. DOI: 10.1103/Phys.Rev. 172.564.

5. Barker, A.S. Dielectric properties and optical phonons in LiNbO3 / A. S. Barker, R. Loudon // Physical Review. - 1967. - Vol. 158. - № 2. - P. 433-445. DOI: 10.1103/Phys.Rev.158.433.

6. Johnston, W.D. Temperature dependence of Raman and Rayleigh scattering in LiNbO3 and LiTaO3 / W. D. Johnston, I. P. Kaminow // Physical Review. - 1968. - Vol. 168. - № 3. - P. 1045- 1054. DOI: 10.1103/Phys.Rev.168.1045.

7. Barker, A.S. Infrared study of the lattice vibrations in LiTaO3 / A. S. Barker, A. A. Ballman, J. A. Ditzenberger // Physical Review B. - 1970. - Vol. 2. - № 10. - P. 4233-4239. DOI: 10.1103/Phys.RevB.2.4233.

8. Glass, A. M. Low-temperature behavior of spontaneous polarization in LiNbO3 and LiTaO3 / A. M. Glass, M. E. Lines // Physical Review B. - 1976. - Vol. 13. - № 1. - P. 180-191. DOI: 10.1103/Phys.RevB.13.180.

9. Chynoweth, A. G. Dynamic method for measuring the pyroelectric effect with special reference to barium tantalite / A. G. Chynoweth // Journal of Applied Physics. -1956. - Vol. 27. - № 1. - P. 78-84. DOI: 10.1063/1.1722201.

10. Curie temperature and birefringence variation in ferroelectric lithium metatantalate as a function of melt stoichiometry / A.A. Ballman, H.J. Levinstein, C. D. Capio, H. Brown // Journal of the American Ceramic Society. - 1967. - Vol. 50. - № 12. - P. 657-659. DOI: 10.1111/j.1151-2916.1967.tb15022.x.

11. Barns, R. L. Lithium tantalite single crystal stoichiometry / R. L. Barns, J. R. Carruthers // Journal of Applied Crystallography. - 1970. - Vol. 3. - № 5. - P. 395399. DOI: 10.1107/S0021889870006490.

12. Nassau, K. Stacking-fault model for stoichiometry deviations in LiNbO3 and LiTaO3 and the effect on the Curie temperature / K. Nassau, M. E. Lines // Journal of Applied Physics. - 1970. - Vol. 41. - № 2. - P. 533-537. DOI: 10.1063/1.1658708.

13. Кузьминов, Ю. С. Ниобат и танталат лития - материалы для нелинейной оптики / Ю. С. Кузьминов. - М.: Наука,1975. - 224 с.

14. Kukhtarev, N.V. Holographic storage in electrooptic crystals. i. steady state / N.V. Kukhtarev, V.B. Markov, S. G. Odulov [et. al.] // Ferroelectrics. - 1978. -Vol. 22. - № 1. - P. 949-960. DOI: 10.1080/00150197908239450.

15. Fang, S. Growth and optical properties of Mg, Fe Co-doped LiTaO3 crystal / S. Fang, D. Ma, T. Zhang [et. al.] // Optik. - 2006. - Vol. 117. - № 2. - P. 72-76. DOI: 10.1016/j.ijleo.2005.06.002.

16. Fang, S. Growth and photorefractive properties of Zn, Fe double-doped LiTaO3 crystal / S. Fang, B. Wang, T. Zhang [et. al.] // Optical Materials. - 2006. - Vol. 28. - № 3. - P. 207-211. DOI: 10.1016/j.optmat.2004.12.011.

17. Miyazawa, S. Congruent melting composition of lithium metatantalate / S. Miyazawa, H. Iwasaki // Journal of Crystal Growth. - 1971. - Vol. 10. - № 3. - P. 276278. DOI: 10.1016/0022-0248(71)90195-3.

18. Furukawa, Y. Stoichiometric LiTaO3 for dynamic holography in Near UV wavelength range / Y. Furukawa, K. Kitamura, K. Niwa // Japanese Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 38. - № 3. - P. 1816-1819. DOI: 10.1143/JJAP.38.1816.

19. Hsu, W.T. Growth and photorefractive properties of Mg, Fe co-doped near-stoichiometric lithium tantalate single crystals / W. T. Hsu, Z. B. Chen, C. A. You // Optical Materials. - 2010. - Vol. 32. - № 9. - P. 1071-1076. DOI: 10.1016/j.optmat.2010.02.033.

20. Hsu, W.T. Optical properties of Mg, Fe Co-doped near-stoichiometric LiTaO3 single crystals / W.T. Hsu, Z.B. Chen, C.C. Wu [et. al.] // Materials. - 2012. -Vol. 5. - № 2. - P. 227-238. DOI: 10.3390/ma5020227.

21. Baumer, C. Composition dependence of the OH-stretch-mode spectrum in lithium tantalite / C. Baumer, C. David, K. Betzler [et. al.] // Physica Status Solidi (A) Applied Research. - 2004. - 201. - № 4. - P. 13-16. DOI: 10.1002/pssa.200409028.

22. Шехтман, В.Ш. Введение в рентгеновскую кристаллографию / В.Ш. Шехтман, Р.А. Диланян. - ИФТТ РАН, Черноголовка - Ред.изд. Отдел ИПХВ РАН, 2002. - 144 с.

23. Бокий, Г.Б. Рентгеноструктурный анализ / Г.Б. Бокий, М. А. Порай-Кошиц. - М. Изд-во МГУ, 1964. - Т. 1. - 492 с.

24. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. - М.: Металлургия, 1982. - 632 с.

25. Abrahams, S. C. Structural basis of ferroelectricity and ferroelastcity / S. C. Abrahams, E. T. Keve // Ferroelectrics. - 1971. - Vol. 2. - № 1. - P. 129-154. DOI: 10.1080/00150197108241502.

26. Галимов, Э.Р. Рентгеноструктурный анализ поликристаллов: учебное пособие / Э. Р. Галимов, К. В. Кормушин, З.Я. Халитов. - Казань: Казанский государственный технический университет, 2006. - 86 с.

27. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Лайнс, М., Гласс А.; пер. с англ. под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского. - М.: Мир, 1981. - 736 с.

28. Knoll, M. Static potential and secondary emission of bodies under electron irradiation / M. Knoll // Z. Tech. Phys. - 1935. - Vol. 11. - P. 467-475.

29. Oatley, C. W. The history of scanning electron microscope / C. W. Oatley // Journal of applied physics. - 1982. - Vol. 53. - № 2. - R1-R13. DOI: 10.1063/1.331666.

30. Stewart, A. D. G. The origins and development of scanning electron microscopy / A. D. G. Stewart // Journal of Microscopy. - 1985. - Vol. 139. - № 2. - P. 121-127. DOI: 11.1111/j.1365-2818.1985.tb02629x.

31. Вознесенский, Э.Ф. Методы структурных исследований материалов. Методы микроскопии: учебное пособие / Ф.С. Шарифуллин, И.Ш. Абдуллин, Э.Ф. Вознесенский. - Казань: Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2014. - 184 с.

32. Van der Waals and capacitive forces in atomic force microscopies / M. Saint Jean, S. Hudlet, C. Guthmann, J. Berger // Journal of Applied Physics. - 1999. -Vol. 86. - № 9. - P. 5245 - 5248. DOI: 10.1063/1.371506.

33. Миронов, В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений / В.Л. Миронов. - Москва: Техносфера, 2005. - 144 с.

34. Norkus, V. Process technologies for high-resolution infrared detectors based on LiTaO3 / V. Norkus, G. Gerlach, G. Hofmann // Device and Process Technologies for MEMS and Microelectronics. - 1999. - Vol. 3892. - P. 1 - 8. DOI: 10.1117/12.364489.

35. Norkus, V. Hot filament infrared radiators and pyroelectric single-element detectors for analytical application / V. Norkus, T. Sokoll, G. Gerlach [et. al.] // Infrared Technology and Applications XXVI. - 2000. - Vol. 4130. - P. 808 - 815. DOI: 10.1117/12.409834.

36. Ebermann, M. Widely tunable Fabry-Perot filter based on MWIR and LWIR microspectrometers / M. Ebermann, N. Neumann, K. Hiller [et. al.] // The International Society for Optical Engineering. - 2012. - Vol. 8374. - P. 83740X(1-9). DOI: 10.1117/12.919169.

37. Zhang, K. Wavelength-selective infrared detector fabricated by integrating LiTaO3 with a metamaterial perfect absorber / K. Zhang, W. Luo, S. Huang [et. al.] //

Sensors and Actuators A: Physical . - 2020. - Vol. 313. - P. 112186-112188. DOI: 10.1016/j.sna.2020.112186.

38. X. Hu. High performance pyroelectric infrared detectors / X. Hu, H. Luo, Y. Ji, and C. Yang // Optical and Optoelectronic Sensing and Imaging Technology. -2015. - Vol. 9674. - P. 96740T. DOI: 10.1117/12.2197810.

39. P. Drogmoeller. Infrared line cameras based on linear arrays for industrial temperature measurement / P. Drogmoeller, G. Hofmann, H. Budzier [et. al.] // Thermosense XXIV. - 2002. - Vol. 4710. DOI: 10.1117/12.459557.

40. Norkus, V. Infrared linear arrays with 256 pixels based on lithium tantalite // V. Norkus, T. Sokoll, G. Gerlach // tm - Technisches messen. - 1999. - Vol. 66. - №

3. - P. 97-103.

41. Мэтьюз, Г. Фильтры на поверхностных акустических волнах / Г. Мэтьюз; пер. с англ. Г.Б. Звороно по ред. В.Б. Акпамбетова. - М.: Радио и связь, 1981. - 472 с.

42. Cowperthwaite, J. Optimal orientation function for SAW devices / J. Cowperthwaite, M. Pereira da Cunha // IEEE 2003 frequency control symposium proceedings. - 2003. - P. 881-887.

43. Двоешерстов, М.Ю. Параметры поверхностных акустических волн в пьезокристаллах при высоких значениях температуры / М.Ю. Двоешерстов, В.И. Чередник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - №

4. - С. 23-25.

44. Пат. 8729780B2 США. Piezoelectric vibrating pieces and corresponding devices exhibiting reduces vibration leakage / H. Iwai. Опубл. 31.03.2010.

45. Investigation of surface acoustic waves on LiNbO3, quartz and LiTaO3 by laser probing / A. Holm, Q. Sturzer, Y. Xu, R. Weigel // Microelectronic Engineering. -1996. -Vol. 31. - P. 123-127. DOI: 10.1016/0167-9317(95)00334-7.

46. Acoustic loss mechanisms in leaky saw resonators on lithium tantalite / J. Koskela, J. Knuuttila, T. Makkonen [et. al.] // IEEE Transactions on ultrasonic, ferroelectrics and frequency control. - 2001. - Vol. 48. - № 6. - P. 1517-1526. DOI: 10.1109/58.971702.

47. Oulton, R. F. A hybrid plasmonic waveguide for subwavelength confinement and long-range propagation / R. F. Oulton, V. J. Sorger, D. A. Genov [et. al.] // Nature Photonics. - 2008. - Vol. 2. - № 8. - P. 496-500. DOI: 10.1038/nphoton.2008.131.

48. Tao, Y. Integrated Electro-Optics Modulator / Y. Tao // Modulation in Electronics and Telecommunications. - 2019. DOI: 10.5772/intechopen.88078

49. Auston, D. H. Optical generation of intense picosecond electrical pulses / D. H. Auston, A. M. Glass // Applied Physics. Letters. - 1972. -Vol. 20. - P. 398-399. DOI: 10.1063/1.1653991.

50. Jean, B. Mid-IR laser applications in medicine / B. Jean, T. Bende // Topics in applied physics. - 2003. - Vol. 89. - P. 511-546.

51. Ultraviolet generation by first-order frequency doubling in periodically poled KTiOPO4 / S. Wang, V. Pasiskevicius, F. Laurell, H. Karlsson // Optics Letters. -1998. - Vol. 23. - № 24. - P. 1883-1885. DOI: 10.1364/OL23.001883.

52. Zhu, S. N. Quasi-phase-matched third harmonic generation in quasi-periodic optical superlattice / S.N. Zhu, Y.Y. Zhu, N.B. Ming // Science. -1997. - Vol. 278. - № 5339. - P. 843-846. DOI: 10.1126/science.278.5339.843.

53. Myers, L. E. Periodically poled lithium niobate and quasi-phase-matched optical parametric oscillators / L.E. Myers, W. R. Rosenberg // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1997. - Vol.33. - № 10. - P. 1663-1672. DOI: 10.1109/3.631262.

54. Experimental realization on second harmonic generation in a Fibonacci optical superlattice of LiTaO3 / Zhu S. N., Zhu Y. Y., Qin Y. Q. [et. al.] // Physical Review Letters. - 1997. - Vol.78. - P. 2752-2755. DOI: 10.1103/ PhysRevLett.78.2752.

55. Ishizuki, H. High energy quasi-phase matched optical parametric oscilation using Mg-doped congruent LiTaO3 crystal / H. Ishizuki, T. Taira // Optic Express. -2010. -Vol. 18. - № 1. - P. 253-258. DOI: 10.1364/OE.18.000253.

56. Мощный килогерцовый перестраиваемый ПГС среднего ИК диапазона на периодически поляризованном стехиометрическом танталате лития

с накачкой на длине волны 1064 нм. / А. Гайджарджиев, Д. Чучумишев, Д. Драганов, И. Бучваров // Квантовая электроника. - 2012. - Т. 42. -№ 6. - С. 535— 538.

57. Айрапетян, В.С. Экспресс анализ крови методом ИК-спектроскопии / В.С. Айрапетян, О.В. Мухаметова // Вестник СГУГИТ. - 2012. -Т.20. - №4. - С. 115-119.

58. Айрапетян, В.С. Внерезонаторная параметрическая генерация с плавной и (или) дискретной перестройкой частоты излучения / В.С. Айрфпетян // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2009. -Т.4. - № 3. - С. 20-24.

59. IR lidar based on OPO / V.S. Ayrapetian, A.V. Hakobyan, G.M. Apresyan [et. al.] // Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. - 2006. - Vol. 6160. - P. 708-713. DOI: 10.1117/12.675897.

60. Infrared holographic recording in lithium tantalite crystals by means of the pyroelectric effect / H.A. Eggert, J. Imbrock, C. Braumer [et. al.] // Optical Letters. -2003. - Vol. 28. - № 20. - P. 1975-1977.

61. Imbrock, J. Nonvolatile holographic storage in photorefractive lithium tantalate crystals with laser pulses / J. Imbrock, S. Wevering, K. Buse, and E. Krätzig // Journal of the Optical Society of America B. - 16. - № 9. - P. 1392-1397. DOI: 10.1364/JOSAB.16.001392.

62. Смирнов, A.M. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек / A.M. Смирнов, В.М. Паршин, М.В. Шмаков // Технологии в электронной промышленности. - 2008. -Т.26. - № 6. - С. 72-75.

63. Ефремов, А.М. Вакуумно-плазменные процессы и технологии: учебное пособие / А.М. Ефремов, В.И. Светцов, В.В. Рыбкин. - ГОУВПО Ивановский государственный химико-технологический университет. Иваново, 2006. - 260 с.

64. Лукина, И.Н. Физико-химические основы процессов травления монокристаллических танталата и тетрабората лития: автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / Лукина Ирина Николаевна. - М., 1996. - 25 с.

65. Ren, Z. Fabrication of waveguides by inductively coupled plasma etching on LiNbO3/LiTaO3 single crystal film by liquid phase epitaxial growth / Z. Ren, S. Yu, J. M. Marshall // The International Society for Optical Engineering. - 2007. - Vol. 6782. - P. 67812H(1-8). DOI: 10.1117/12.742842.

66. Бернар-Мулен, Э. Глубокое травление твердых материалов / Э. Бернар-Мулен, А. Уваров, Э. Дезре // Нанотехнологии. Электроника. - 2016. -Т.68. № 6. - С. 22-27.

67. Leech, P.W. Effect of MeV O2+ implantation on the reactive ion each rate of LiTaO3 / P.W. Leech, M.C. Ridgway // Nuclear instruments and methods in physics research section B: beam interactions with materials and atoms. -1999. -Vol.159. - P. 187-190. DOI: 10.1016/S0168-583X(99)00578-9.

68. Leech, P.W. Enhancement of the etch rate of LiNbO3 by prior bombardment with MeV O2+ ions / P.W. Leech, M.C. Ridgway // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1999. -Vol. 17. - P. 3358-3361. DOI: 10.1116/1.582066.

69. Sokoll, T. Ion beam etching of lithium tantalite and its application for pyroelectric linear arrays / T. Sokoll, V. Norkus, G. Gerlach // Surface and Coatings Technology. - 1997. - Vol. 97. - P. 469-474. DOI: 10.1016/S0257-8972(97)00212-0.

70. Reactive ion beam etching of lithium tantalite and its application for pyroelectric infrared detectors / C. Plehnert, V. Norkus, S. Mohling [et. al.] // Surface and Coating Technology. - 1995. - Vol. 74-75. - P. 932-936. DOI: 10.1016/0257-8972(94)08207-3.

71. Fujii, T. Surface evaluation of LiNbO3, LiTaO3 crystals etched using fluorine system gas plasma RIE / T. Fujii, S. Yoshikado // IEEJ Transactions on fundamentals and materials. - 2003. - Vol. 128. - № 8. - P. 731-737. DOI: 101541/ieeitms.123.731.

72. Leech, P.W. Reactive ion beam of piezoelectric in CF4/CHF3 plasmas / Patrick W. Leech // Journal of vacuum science and technology a vacuum surface and films. - 1998. - Vol. 16. - № 4. - P.2037-2042. DOI: 10.1116/1.581307.

73. Kamimura, R. Dry etching technologies of optical device and III-V compound semiconductors / R. Kamimura, K. Furuta // IEICE transactions on

electronics. - 2017. - Vol. E100-C. - № 2 - P. 150-155. DOI: 10.1587/transele.E100.C.150.

74. Особенности кинетики травления ниобата и танталата лития во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2017. - Т. 13. - №3.- С. 123-127.

75. Кузовников, А.А. О влиянии собственных стационарных электрических полей на свойства высокочастотного разряда / А.А. Кузовников, В.П. Савинов // Радиотехника и электроника. -1973. - Т. 43. - №4. - С. 816-822.

76. Годяк, В.А. О вентильных свойствах ВЧ-разрядов. / В.А. Годяк, А.А. Кузовников // Физика плазмы. -1975. -Т.1. - № 3. - С. 496-503.

77. Орлов, К. Е. Диагностика низкотемпературной плазмы / К. Е. Орлов. -Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 2005. - 110 с.

78. Битюцкая, Л.А. Лабораторная работа по нанотехнологии: специальный практикум / Л.А. Битюцкая, М.В. Гречкина, Е.Н. Бормонтов. -Воронеж: Воронежский государственный университет, 2007. - 32 с.

79. Гудилин, Д. Электронная микроскопия в научных исследованиях и образовании / Д. Гудилин // Наноиндустрия. - 2014. - Т. 50. - № 4. - С. 28-33.

80. Плазмохимическое травление InP/InGaAs гетероструктуры в индуктивно связанной плазме Cb/Ar/N для формирования оптических волноводных структур / С.В. Ишуткин, В.С. Арыков, Ю.С. Жидик, П.Е. Троян // Доклады ТУСУР. - 2018. -Т. 21. -№ 4. - С. 28-32.

81. Галперин, В.А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учебное пособие / В.А. Галперин, Е.В. Данилкин, О.Е., А.И. Мочалов; под ред. С.П. Тимошенкова. - 3-е изд. (эл.). - M.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. - 283 с.

82. Руденко, К.В. Диагностика плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники: автореф. дис. ... д-р. ф. - м. н.: 05.27.01 / Руденко Константин Васильевич. - М., 2007. - 46 с.

83. Крайнова, К.Ю. Технология изготовления полупроводникового

чувствительного элемента датчика давления на основе поликристаллического алмаза / К.Ю. Крайнова // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. -2017. -Т. 21. -№ 3. - С. 90-96.

84. Осипов, А.А. Оптимизация технологических параметров процесса плазмохимического травления монокристаллов кварца / А.А. Осипов, С.Е. Александров, А.А. Осипов // Журнал прикладной химии. - 2016. -Т. 89. -№ 6. -С.704-709.

85. Влияние температуры на скорость травления и качество поверхности GaAs при обработке в плазме HCl-Ar, HCI-CI2, HCI-H2 / А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, С.П. Капинос, Д.Б. Мурин // Химия и химическая технология. -2014. -Т. 57. -№ 7. - С. 50-55.

86. Розовский, А.Я. Кинетика топохимических реакций / А.Я. Розовский. - М.: Химия, 1974. - 224 с.

87. Коняев, И.В. Плазменные технологии в микроэлектронике: учебно -методическое пособие для вузов: ч. 4. Определение энергии активации плазмохимического травления / И.В. Коняев, Ю.И. Дикарев, Л.Н. Владимирова. -ФГБОУ ВО Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2014. -19 с.

88. Архаров, В.И. Об уточнении понятия «энергия активации» и «элементарный акт» для твердого состояния вещества // Журнал технической физики. - 1954. -Т. 24. -№ 3. - С. 375-387.

89. Андреев, Г.Г. Курс лекций по химической гетерогенной кинетике: учебное пособие / Г.Г. Андреев, А.Н. Дьяченко, О.Е. Пермяков. - Томск: томский политехнический университет, 2008. - 120 с.

90. Миттова, И.Я. Кинетика гетерогенных реакций: учебное пособие / И.Я. Миттова, С.С. Лаврушина, В.Ф. Кострюков. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005. - 39 с.

91. Коняев, И. В. Влияние давления и температуры на кинетику травления LiTaO3 во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов // Вестник ВГТУ. - 2018. - Т. 14 - № 5. - С. 160-164.

92. Григорьев, Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в

технологии микроэлектроники: учебное пособие / Ф. И. Григорьев. - Москва: Московский государственный институт электроники и математики, 2003. - 48 с.

93. Сейдман, Л.А. Формирование трехмерных структур в подложках карбида кремния плазмохимическим травлением / Л.А. Сейдман // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, №3. - С. 157-171.

94. Влияние газовых добавок Ar, N2 и N2O на кинетику травления танталата лития во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2018. - Т. 14- № 3. - С. 150-155.

95. Ефремов, А. М. Неравновесная плазма хлора: свойства и применение / А.М. Ефремов, В.И. Светцов. - М.: Физматлит, 2012. - 216 с.

96. Кинетика процессов реактивного ионно-плазменного травления полупроводников в галогенсодержащей плазме: учебно-методическое пособие для вузов / Л.Н. Владимирова, Ю.И. Дикарев, В.М. Рубенштейн и др. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2014. - 20 с.

97. Raju, G.G. Gaseous Electronics: Tables, Atoms, and Molecules. - CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton, FL, 2012. - 790 p.

98. Изменение морфологии, элементного и фазового состава поверхности ниобата лития после плазмохимического и радикального травления / В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2010. - Т. 6 - № 9. - С. 145-150.

99. Особенности кинетики травления ниобата лития и пьезокварца фторсодержащими радикалами / И. В. Коняев, Л. Н. Владимирова, Ю. И. Дикарев и др. // Радиолокация, навигация, связь: материалы XXII международной научно-технической конференции - Воронеж, 2016. - Т. 1. - С. 458-466.

100. Анализ морфологии фторида лития в процессе плазмохимического травления LiTaO3 / И. В. Коняев, И.И. Бородкин, Е. А. Сизаск и др. // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ. - 2018. - №17. - С.110-115.

101. Киперман, С.Л. Основы химической кинетики в гетерогенном

катализе / С.Л. Киперман. - М.: Химия, 1979. - 349 с.

102. Коняев, И.В. Структура и механизм образования пленки LiF при плазмохимическом травлении LiTaO3 / И.В. Коняев, В.А. Буслов, И.И. Бородкин, Л.Н. Владимирова, О.Г. Викин // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ. - 2020. - № 19. - С. 1822.

103. Изменение морфологии поверхности ниобата лития после радикального травления / К.О. Некрасов, В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, Е.Н. Бормонтов // Радиолокация, навигация, связь: материалы XVI Междунар. Науч. -тех. конф. - Воронеж, 2010. - Т.1. - С. 633-639.

104. Изменение морфологии поверхности ниобата лития после плазмохимического и радикального травления / В.В. Гуляев, Е.Н. Бормонтов, Л.Н. Владимирова и др. // Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах: материалы V Всерос. конф. - Воронеж, 2010. - Т.1. - С. 312-315.

105. Коняев, И. В. Влияние плазменной обработки танталата лития на морфологию поверхности / И.В. Коняев, Е.А. Сизаск // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. -Воронеж: ВГТУ. - 2017. - № 16. - С. 56-60.

106. Highly selective electroplated nickel mask for lithium niobate dry etching / S. Benchabane, L. Robert, JY. Rauch [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2009. -Vol. 105. - P. 094109(1-6). DOI:10.1063/1.3125315.

107. Hashimoto, K. Optimum Leaky-SAW Cut of LiTaO3 for Minimized Insertion Loss Devices / K. Hashimoto, M. Yamaguchi, S. Mineyoshi, O. Kawachi, M. Ueda and G. Endoh // IEEE Ultrasonics Symposium Proceedings. - 1997. - P. 245-254.

108. Щирица, Н. ПАВ - маленькие фильтры большого спектра / Н. Щирица // Компоненты и технологии. - 2014. - № 2. - С.12-13.

109. Атучин, В.В. Исследование оптических волноводов, полученных диффузией титана в LiTAO3 / В.В. Атучин, К.К. Зилинг, Д.П. Шипилова // Квантовая электроника. - 1984. - Т. 11. - № 5. - С. 994-998.

110. Kadota, M. SiO2 /grooved Al-electrodes/LiTaO3 structures having large reflection coefficient, large coupling factor, and excellent temperature characteristics even with thick Al electrode / M. Kadota, T. Kimura // Japanese Journal of Applied Physics. - 2006. - Vol. 45. - № 5S. - P. 4647-4650.

111. Kimura, T. High Q SAW resonator using upper-electrodes on grooved-electrodes in LiTaO3 / T. Kimura, M. Kadota, Y. Ida // Proceedings of international microwave symposium. - 2010. - P. 1740-1743.

112. Kadota, M. Sensitivity of SAW Magnetic Sensors composed of various Ni Electrode Structures / M. Kadota and S. Ito // Proceedings of symposium on ultrasonic electronics. - 2011. - Vol. 32. - P. 7-8.

113. Konyaev I. V. Specific features of the formation of optical waveguides, contact pads and electrical interconnections on lithium tantalate substrates / I.V. Konyaev, I.I. Borodkin, E.N Bormontov // Journal of Physics: Conference Series. -2021. - Vol 2103. - 012185. Doi:10.1088/1742-6596/2103/1/012185.

114. Зенин, В.В. Монтаж кристаллов и внутренних выводов в производстве полупроводниковых изделий / В.В. Зенин, В.А. Емельянов, В.Л. Ланин. - Минск: Интегралполиграф, 2015. - 380 с.

115. Мухина, Е. Технология COB (Chip-on-Board) основные процессы и оборудование / Е. Мухина, П. Башта // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. -2008. - Т. 3. - С. 54-58.

116. Коняев, И.В. Сложности размерной обработки танталата лития при травлении в плазме на основе SF6 / И.В. Коняев // Сборник трудов XVII Российской ежегодной конференции молодых научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов». - 2020. - C. 203-205.

117. Технологические особенности формирования рельефа на пластинах монокристаллического LiTaO3 в плазме на основе SF6 / И. В. Коняев, Л. Н. Владимирова, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Электроника и электрооборудование транспорта. - 2019. - № 3. - С. 40-43.