Кинетика и механизмы плазмохимического травления танталата лития тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Коняев Иван Васильевич

• Коняев Иван Васильевич
• кандидат наук
• 2020

Оглавление диссертации кандидат наук Коняев Иван Васильевич

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 4 ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ

ПО ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКЕ ПТаОз

1.1. Обзор основных свойств танталата лития

1.2. Методы анализа монокристаллического танталата лития

1.2.1. Рентгеноструктурный и рентгенофазовый анализ

1.2.2. Спектроскопия резерфордовского обратного 17 рассеяния (РОР)

1.2.3. Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

1.2.4. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)

1.3. Приборы и устройства на основе ЫТа03

1.3.1. Пироэлектрические ИК-детекторы

1.3.2. Приборы на поверхностных акустических волнах

1.3.3. Электрооптические модуляторы

1.3.4. Оптический параметрический генератор

1.3.5. Элементы памяти

1.4. Плазмохимическое травление (ПХТ)

1.5. Современное состояние исследований травления

танталата лития

Цель и задачи

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И ОБОРУДОВАНИЕ

2.1. Подготовка образцов

2.2. Описание оборудования

2.3. Описание средств измерения 49 Выводы к главе

ГЛАВА 3. КИНЕТИКА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ВО ФТОРСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛАЗМЕ

3.1. Временная зависимость кинетики травления LiTaO3

3.2. Влияние подводимой мощности на скорость

травления LiTaO3 в плазме SF6

3.3. Влияние геометрии разрядного пространства и

частоты электромагнитного поля

3.4. Влияние давления на характер кинетических кривых

скорости травления танталата лития

3.5. Температурная стимуляция процесса травления LiTaO3

3.6. Активационные процессы и влияние газовых

добавок Ar, N и N2O

Выводы к главе 3 73 ГЛАВА 4. АНАЛИЗ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ, ЭЛЕМЕНТНОГО И ФАЗОВОГО СОСТАВОВ ОБРАЗЦОВ

ЫТаОз ПОСЛЕ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

4.1. Механизм образования фторида лития

4.2. Анализ морфология поверхности образцов LiTaO3

до и после травления

4.3. Элементный анализ образцов по глубине травления 87 Выводы к главе

ГЛАВА 5. РАЗМЕРНОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПТаОз

5.1. Технология формирования маски

5.2. Особенности формирования структур на поверхности

LiTaO3 при плазмохимическом травлении

5.3. Радиационные дефекты поверхности и примесные

загрязнения при плазменной обработке

5.3.1. Радиационные повреждения

5.3.2. Примесные загрязнения 99 Выводы к главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика и механизмы плазмохимического травления танталата лития»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы диссертации. Уникальный набор свойств танталата лития определил широкие возможности его применения при производстве пироэлектрических детекторов, электрооптических модуляторов, пьезоэлектрических преобразователей и ряда других приборов в различных областях.

Технологии плазменной обработки являются неотъемлемой частью производственного цикла современных приборов твердотельной электроники. Основными направлениями их использования являются: очистка поверхности от загрязнений, травление нарушенных механической обработкой слоев, а также формирование рельефа на поверхности пластин.

В современных условиях производства приборов микроэлектроники перед рядом технологических операций с целью поддержания высокой степени чистоты поверхности проводят предварительное освежение пластин методом плазмохимического травления. При этом ключевыми параметрами являются не только высокая степень очистки, но также воспроизводимость равномерности по всей площади пластины, характеризующаяся отсутствием затравов отдельных областей. Помимо этого важным параметром является качество морфологии поверхности, определяемое степенью радиационных повреждений и примесных дефектов, вносимых плазменной обработкой. Из всего вышесказанного можно сделать вывод о важности исследования и отработки технологических режимов с целью достижения необходимого качества поверхности пластин.

Исследование механизмов и кинетики плазмохимического травления танталата лития является актуальной задачей при изготовлении современных устройств функциональной электроники и микросистемной техники. Именно понимание физико-химических закономерностей и механизмов каждого технологического процесса является основной задачей на этапе подготовки к производству конкретных приборов.

Цель и задачи работы. Целью данной работы является разработка физико-химических основ и оптимизация процесса плазмохимического травления танталата лития во фторсодержащей плазме на основе газа SF6. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Комплексное исследование особенностей процесса взаимодействия LiTaO3 с фторсодержащими химически активными частицами (ХАЧ) плазмы (временная зависимость, наличие и продолжительность индукционного периода, пороговая температура процесса (ТШр)).

2. Определение влияние физических и химических факторов на кинетику плазмохимического травления LiTaO3.

3. Изучение морфологии, элементного и фазового состава поверхности LiTaOз после травления.

4. Разработка физических и химических принципов повышения эффективности процесса плазмохимического травления за счет увеличения скорости химической реакции с помощью температурной стимуляции, контролируемых газовых добавок, с учетом минимизации негативных эффектов плазменной обработки поверхности.

5. Получение практических результатов по формированию заданной топологии на поверхности LiTaO3.

Научная новизна работы. В ходе работы проведен ряд научных экспериментов и получены следующие оригинальные результаты:

1. Установлено, что плазмохимическое травление (ПХТ) LiTaO3 в низкотемпературной газоразрядной плазме на основе газа SF6 является топохимической реакцией, проходящей с образованием нанопористого LiF. Экспериментально определена пороговая температура (Тпор) активации процесса травления и рассчитана эффективная энергия активации.

2. Впервые проведено комплексное исследование кинетических зависимостей ПХТ LiTaO3 во фторсодержащей плазме и установлено влияние на этот процесс ряда физико-химических факторов.

3. Методом атомно-силовой микроскопии проведена оценка шероховатости полированной и шлифованной поверхности танталата лития после плазмохимического травления.

4. Количественно оценено влияние газовых добавок Аг, N2 и N20 на кинетику травления ЫТа03.

Практическая значимость работы. Систематизация экспериментальных данных по кинетике плазмохимического травления ЫТа03, а также рентгеноструктурные исследования и анализ морфологии поверхности позволили выявить закономерности данного процесса и сформировать его обобщенную физико-химическую модель. Полученные в работе результаты могут найти применение при разработке технологии производства устройств на основе танталата лития.

Достоверность результатов основывается на получении экспериментальных данных с применением современного надежного и аттестованного оборудования при исследовании большого количества экспериментальных образцов монокристаллического танталата лития, что в свою очередь подтверждается воспроизводимостью результатов, а также их непротиворечивостью известным физическо-химическим закономерностям.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. ПХТ ЫТа03 в низкотемпературной газоразрядной плазме на основе газа 8Б6 является топохимическим процессом и проходит с образованием твердого нанопористого продукта реакции - фторида лития (ЫБ).

2. На основании систематических исследований установлено, что увеличение подводимой мощности от 100 до 250 Вт и температуры от 500 до 570 К приводит к нелинейному росту скорости ПХТ танталата лития, а повышение рабочего давления в диапазоне от 170 Па до 290 Па снижает скорость процесса травления.

3. Методом атомно-силовой микроскопии определены средние значения шероховатости поверхности танталата лития после ПХТ и установлено, что травление не вызывает существенного ухудшения качества поверхности. При

глубине травления 2 мкм среднее арифметическое отклонение профиля поверхности для полированных образцов Яа=20,9 нм.

4. Контролируемое введение газовых добавок Аг, N приводит к увеличению скорости травления в плазме на основе SF6, в то время как N20 снижает скорость травления танталата лития.

5. Реализован процесс формирования отверстий с исходным диаметром 5 и 9 мкм и полос размером 3*55 мкм на поверхности LiTaO3 при плазмохимическом травлении во фторсодержащей плазме.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных и российских конференциях, в том числе: XXII Международной научно-технической конференции "Радиолокация, навигация, связь" (Воронеж, 2016); XIV и XV Российских ежегодных конференциях научных сотрудников и аспирантов «Физико-химия и технология неорганических материалов» (Москва, 2017 и 2018);

Личный вклад автора. Результаты, изложенные в диссертации, получены лично автором. Некоторые исследования проводились в сотрудничестве с коллегами. Личный вклад автора включает формулировку цели и задач исследования, выбор путей их решения, выбор методик исследования. Основная часть материалов статей написана лично автором.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 научных работ, в том числе 4 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 89 наименований. Материал изложен на 112 страницах, содержит 42 рисунков и 5 таблиц.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКЕ ЫТаОз

1.1.Обзор основных свойств танталата лития

Танталат лития одно из наиболее востребованных соединений в ряде танталатов щелочных и щелочноземельных металлов. Знание основных характеристик является неотъемлемой частью для его полноценного использования в современных приборах функциональной электроники.

Танталат лития образует бесцветные кристаллы тригональной сингонии, не растворим в воде; характеризуется свойствами, промежуточными между свойствами ниобата лития и кварца: пьезоэлектрическая связь здесь сильнее, чем у кварца, а температурная стабильность выше, чем у ниобата лития. Танталат лития оптически одноосный положительный кристалл (показатель преломления необыкновенного луча больше, чем обыкновенного). Он имеет единственный структурный фазовый переход второго рода из сегнетоэлектрической фазы в высокотемпературную параэлектрическую. Довольно высокая температура фазового перехода (ТК~930 К) приводит к сложностям изучения структурных изменений. Важным упрощением, которое делает ЫТа03 привлекательным объектом для анализа, является то, что сегнетоэлектрическая мягкая мода не вырождена ни выше, ни ниже ТК; поэтому для описания основных особенностей сегнетоэлектрического перехода и оценки природы локальной потенциальной функции можно использовать гамильтониан с простой скалярной переменной.

Хотя танталат лития не обладает перовскитной структурой, он имеет решетку АВО3 с кислородными октаэдрами. На рис. 1 .1 дана структура при комнатной температуре, состоящая из последовательности искаженных октаэдров, соединенных своими гранями вдоль полярной оси с 3-го порядка [1]. Если двигаться вдоль полярной оси, то можно увидеть, что катионы распределены в октаэдрах в последовательности: Та, вакансия, Ы, Та, вакансия, Ы, ..., причем при комнатной температуре положение катионов внутри кислородных октаэдров

точно известны из рентгено- и нейтронографического исследований структуры [2, 3]. В отличие от перовскитных сегнетоэлектриков относительный сдвиг катионов от возможных неполярных положений очень велик. Это указывает на большую спонтанную поляризацию при комнатной температуре ~50 мкКл/см2. Однако особенности высокотемпературной параэлектрической фазы неясны непосредственно из исследований при комнатной температуре.

Рис. 1.1. Структура ЫТаО3 при комнатной температуре. Малые заштрихованные кружки изображают ионы Ы, заштрихованные кружки большого размера - ионы Та, а большие светлые кружки - ионы О. Полярной осью является ось с

О нейтронографическом исследовании структурных изменений при переходе второго рода (выше и ниже ТК) в монокристалле ЫТаО3 было сообщено в [1]. Их результаты вызвали удивление, так как оказалось, что, хотя ион Та сдвигается к центру кислородного октаэдра при приближении к точке Кюри, ион Ы не входит в свою центросимметричную кислородную плоскость, а с равной вероятностью занимает положение на расстоянии ±0.037 нм по обе стороны от этой плоскости.

Ч

Данные диэлектрических, тепловых и пироэлектрических исследований для ЫТа03 показали, что фазовый переход относится ко второму роду [4]. В области точки Кюри наблюдалась близкая к классической (характерной для перехода второго рода) зависимость спонтанной поляризации от температуры Р ~ (ТК -Т)1/2, удельной теплоемкости и диэлектрической проницаемости е ~ |Т - ТК|-1. Все диэлектрические и тепловые свойства вблизи ТК удовлетворительно объясняются простой термодинамической теорией со свободной энергией Гиббса, разложенной в степенной ряд по поляризации до членов шестого порядка.

Прямые измерения частот длинноволновых мод решетки с помощью инфракрасного отражения и комбинационного рассеяния [5-7] показали, что из многих наблюдаемых оптических мод, только одна мода А1 в каждой системе сильно зависит от температуры и конденсируется при достижении точки Кюри. Эта мода А1 описывает движение ионов вдоль полярной оси (хотя индивидуальные ионы кислорода могут обладать поперечным движением, которое в среднем по элементарной ячейке равно нулю), и ее частота, по-видимому, изменяется с температурой согласно классической формуле ю2~ТК-Т в широком интервале температур при подходе к сегнетоэлектрическому переходу снизу.

Вопрос о низкотемпературной поляризации прояснился благодаря исследованиям Гласса и Лайнса [8], которые были проведены в диапазоне от 5 К до 350 К с помощью динамического метода Чайновиса (записывался ток, возникающий при поглощении кристаллом инфракрасного излучения [9]). Этот метод позволяет измерять отношение пироэлектрического коэффициента ёР8/ёТ к теплоемкости С и оказывается гораздо более точным при измерении низкотемпературных изменений спонтанной поляризации, чем обычные статические методы. Результаты для ЫТа03 показаны на рисунке 1.2. Они были получены как при частотах ниже чистоты основного резонанса кристалла (свободный кристалл), так и выше ее (зажатый кристалл).

т, к

Рис. 1.2. Зависимость относительной величины пироэлектрического сигнала от температуры для зажатого (крестики) и свободного (кружки) кристалла ЫТаОз

Особо стоит отметить влияние стехиометрического состава монокристалла на его свойства. Первые исследования оптических и диэлектрических свойств ЫТаОз [10] показали, что эти свойства так же как температура Кюри и двойное лучепреломление зависят от состава расплава, из которого выращивались кристаллы.

Полная фазовая диаграмма Ы2О-Та2О5 еще не изучена из-за высокой температуры плавления и значительных потерь Ы2О из ЫТаОз выше 1200°С. Однако установлено, что конгруэнтно плавящийся состав содержит приблизительно 49 мол.% Ы2О, а интервал твердых растворов при 1200°С простирается от ~ 46 до 50,4% Ы2О [11]. С качественной стороны способность структуры ЫТаОз допускать достаточно большой избыток ионов Та, и лишь малый избыток ионов Ы является результатом более сильной связи Та-О по сравнению с Ы-О.

Дефектная структура решетки ЫТа03, возникающая из-за недостатка Ы20, остается неизученной. Прозрачные кристаллы высокого оптического качества можно вырастить из конгруэнтного расплава, но при этом 2% ячеек не имеют ионов Ы. Анализ спектров оптического поглощения не показал каких-либо отклонений, связанных с дефектами структуры. Это свидетельствует о том, что не происходит компенсации лития за счет свободных носителей или центров захвата электронов. В то же время, увеличение и плотности, и объема элементарной ячейки в области недостатка Ы20 наводит на мысль о том, что по меньшей мере часть избыточных ионов Та располагается в дополнительных положениях элементарной ячейки.

Увеличение температуры ТК у ЫТа03 с увеличением содержания Ы20 согласуется с простыми аргументами, согласно которым главные вклады в сегнетоэлектрическое поведение вносят ионы Ы и Та [12].

Исследования доменной структуры в образцах монокристаллического танталата лития проводились при травлении с использованием кипящего раствора, состоящего из двух частей НЫ03 и одной части НБ. Эксперименты показали наличие антипараллельных полярных доменов. Максимальный диаметр доменов в кристаллах танталата лития составил 5 мкм [13].

Ранее сообщалось, что конгруэнтные кристаллы танталата лития, легированные Бе, могут быть использованы для изготовления устройств голографической памяти, в которых в ходе фотоиндуцированного переноса происходит перераспределение электронов с образованием пространственной области заряда. Причиной тому являются ионы Бе2+ и Бе3+, выступающие в качестве доноров и ловушек, соответственно. Увеличенная область пространственного заряда изменяет показатель преломления, открывая многообещающие возможности применения. Однако имелось два существенных недостатка: быстрая деградация подобных структур и большое время отклика, которые существенно ограничивали применение подобных структур в голографических устройствах памяти [14].

Fang S. и др. обнаружили [15, 16], что легирование Mg и Zn повышает сопротивление деградационным процессам под воздействием излучения и уменьшают время отклика. Однако помимо примесей важным фактором, оказывающим влияние на оптические свойства, является соотношение Li/Ta [17, 18].

В работах [19, 20] исследовалось влияние легирующих добавок Mg и Fe на оптические и голографические свойства близких к стехиометрическому составу монокристаллов LiTaO3. Было установлено, что соотношения Li/Ta, оказывает влияние на край полосы поглощения и ширину запрещенной зоны кристаллов. Экспериментальные результаты показывают, что полоса поглощения 425 нм наблюдалась только при определенном количестве ионов Fe2+. Наличие ионов железа в кристаллической решетке стехиометрического LiTaO 3 приводило к уменьшению ширины запрещенной зоны. Методы рентгеноструктурного анализа не выявили изменений структуры кристаллической решетки после легирования, но при этом наблюдалось уменьшение параметров решетки при легировании железом. Голографические свойства после легирования продемонстрировали значительное улучшение, по сравнению с ранее сообщенными данными для кристаллов конгруэнтного состава [21].

Танталат лития обладает уникальными электрооптическими, пиро- и пьезоэлектрическими свойствами в сочетании с хорошей механической и химической стабильностью, широким спектром оптической прозрачности и высоким порогом оптической прочности. Все это делает LiTaO3 пригодным для широкой области применения, включая электрооптические модуляторы, пироэлектрические детекторы, оптические волноводы и фильтры на поверхностных акустических волнах (SAW devices), пьезоэлектрические преобразователи и др.

В заключение этого раздела приведена обобщенная таблица 1.1 параметров, определяющих физико-химические свойства монокристаллического танталата лития:

Таблица 1.1. Основные характеристики монокристаллического ЫТаО3

Химическая формула ЫТаОз

Структура кристалла Тригональная

Пространственная группа Я3с

Точечная группа 3т

Растворимость не растворим в воде

Параметры ячейки, А а = 5.154 с = 13.781

Плотность, кг/м3 7454

Температурный коэффициент линейного расширения, 10"6/К-1 аа = 16 ас = 4.0

Диапазон прозрачности, нм 400 - 4500

Электрооптические коэффициенты, пм/В (постоянное напряжение) гзз = 30.4 Г31 = 9.6 Г22 = 6.8 Г51 = 32.6

Температура плавления, К 1923

Температура Кюри, К 933±10

Твердость по шкале Мосса 5.5

Цвет бесцветный или светло желтый

Удельная теплоемкость (при 300 К), Дж/моль-К 100.4

Теплопроводность, Вт/м-К 4.2

Диэлектрические постоянные при 100 кГц 8а = 54 8с = 43

Показатель преломления при 633 нм По = 2.175 Пе = 2.18

Оптическая однородность ~10-5

1.2. Методы анализа монокристаллического танталата лития

1.2.1. Рентгеноструктурный и рентгенофазовый анализ

Для изучения структуры и состава кристаллических материалов часто применяют рентгеновские методы анализа. Такая распространённость обусловлена хорошо отработанной методикой и возможностью достоверной интерпретации экспериментальных результатов. Это обусловлено тем, что кристаллы обладают периодичностью строения и представляют собой дифракционную решетку для рентгеновского излучения.

Анализируемый образец располагают на пути первичного излучения, идущего от рентгеновской трубки. С помощью детектора происходит регистрация интенсивности вторичных (рассеянных образцом) лучей. Конструктивные особенности измерительного оборудования позволяют вращать образец и детектор относительно направления первичного луча. В наиболее часто применяемой методике «0-20» угол поворота детектора в два раза превосходит угол поворота образца. На пути излучения устанавливают монохроматоры или фильтры, позволяющие осуществлять рентгеноструктурные исследования на одной длине волны, связанной с материалом анода.

В методике регистрации излучения по точкам учитывается число квантов, рассеянных образцом и попавших на детектор. При этом осуществляется вращение образца и детектора маленькими шагами, измеряемыми в долях градуса. Возникновение шумовых эффектов, связанных с неравномерным испусканием излучения рентгеновской трубкой, могут быть устранены путем увеличения времени экспозиции в каждой точке измерения.

Результаты рентгеноструктурного анализа конкретного кристаллического образца представляет собой набор дифракционных пиков, имеющих свое особое угловое положение, относительную интенсивность и ширину.

Анализируя расположение пиков, можно получить совокупность межплоскостных расстояний d, характеризующих исследуемый кристаллический объект. Набор межплоскостных расстояний и интенсивностей позволяет произвести качественную идентификацию кристаллических фаз, присутствующих

в образце. Анализ процентного содержания дает возможность количественной оценки фазового состава. Для определения положения и вида ионов в элементарной ячейке кристаллического образца необходимо провести анализ интенсивностей пиков [22, 23].

Фазовый рентгеноструктурный анализ применяется при изучении структурных изменений кристаллической решетки. В результате превращений кристаллическая фаза меняет свою решетку, характеризующуюся определенным набором параметров, что в свою очередь имеет отражение в системе линий на дифрактограмме. При исследовании вещества, состоящего из нескольких фаз, в результатах рентгеноструктурных экспериментов будут отражены линии всех фаз, входящих в состав образца. Применяя специальные методики фазового анализа, возможно определение не только качественного, но и количественного фазового состава [24].

На основе тщательного разбора атомной структуры сегнетоэлектриков, полученной в основном рентгеновским методом, в [25] сообщается, что в соответствии с преобладающей природой атомных смещений, необходимых для реориентации поляризации, сегнетоэлектрические материалы удобно разбить на три класса. «Одномерный класс», являющийся простейшим, включает в себя материалы, в которых все атомы смещены параллельно полярной оси. В «двумерном классе» реориентация поляризации происходит за счет атомных смещений в плоскости, содержащей полярную ось. И, наконец, в «трехмерном классе» реориентация имеет место во всех трех направлениях. Известным представителем «первого класса» является ЫТаОз, в котором ось 3-го порядка всех кислородных октаэдров параллельна полярной оси.

Рентгеноструктурный анализ, будучи физическим методом исследования, обладает ограничениями по точности и чувствительности. На точность результатов прежде всего оказывают влияние условия эксперимента. Она может быть увеличена за счет длительности проведения исследования и усложнения экспериментальной методики. Основным фактором, влияющим на чувствительность метода, является тип исследуемого объекта. Предельная

чувствительность рентгеноспектрального анализа зависит от атомного номера определяемого элемента и среднего атомного номера элемента в исследуемом образце [26, 27].

1.2.2. Спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния (РОР)

Одним из методов высокоточного анализа элементного состава кристаллических материалов выступает резерфордовское обратное рассеяние. РОР является одним из вариантов спектроскопии ионного рассеяния и основан на анализе энергетических спектров рассеянных в обратном направлении ионов He+ или H+ с энергией ~1-3 МэВ.

Исследование аморфных материалов характеризуется изотропностью свойств, в то время как для кристаллических веществ наблюдается эффект каналирования. Данный эффект связан с движением пучка ионов по основным направлениям симметрии, определяемым структурой кристаллической решетки. Ионы, которые не испытали прямого столкновения с атомами кристаллической решетки, проникают в глубь кристалла на расстояние до сотен нм. Анализируя полученные энергетические спектры при вращении исследуемого образца, можно выделить направления каналирования и направления отличные от них. Такая методика позволяет оценить кристаллическое совершенство исследуемого образца. Значение величины поверхностного энергетического пика, формирующегося за счет прямого столкновения ионов с атомами поверхности, дает возможность получить информацию о структурных дефектах поверхности, таких как реконструкции, релаксации, а также наличии адсорбатов [28].

1.2.3. Растровая электронная микроскопия (РЭМ)

Первые идеи построения электронного микроскопа были сформулированы в 1935 году, но из-за технических ограничений широкое распространение в науке они получили лишь в 70-е. Растровый электронный микроскоп расширяет

возможности при исследовании поверхности материалов как кристаллического, так и аморфного строения. Данная технология позволяет получить разрешение на уровне 5 нм при глубине резкости 0,6-0,8 мм. Особенностью работы РЭМ является наличие вакуумной камеры в которой располагают образец. Данная техническая деталь конструкции необходима для того, чтобы избежать нежелательных эффектов, связанных с рассеянием и поглощением электронного пучка. Диаметр определяет область сканирования и составляет порядка 10 мкм. Наиболее распространённый диапазон энергий электронов при исследовании 10-30 кэВ, но в некоторых случаях предпочтительны энергии в несколько сотен электрон-вольт.

Зачастую данная технология позволяет проводить исследования объектов без специальной предварительной подготовки. Размеры образца могут составлять несколько сантиметров, и ограничены лишь конструктивными особенностями микроскопа. РЭМ находит широкое применение в ряде научных областей, среди которых исследование топологических особенностей поверхности, анализ приповерхностных структурных дефектов, электрических и магнитных доменов. Использование специального энергодисперсионного спектрометра позволяет производить определение атомного состава вещества [29 ].

1.2.4. Атомно-силовая микроскопия (АСМ)

Для получения изображения поверхности в атомно-силовой микроскопии анализируется сила взаимодействии зонда (кантилевера) с поверхностью исследуемого материала. Зонд, используемый для регистрации отклонений, представляет собой основание с иглой на конце. Радиус острия кантилеверов высокой точности составляет порядка 1 нм. Под воздействием электромагнитных сил, возникающих между зондом и поверхностью, происходит изгиб консоли. Анализ величины данного изгиба позволяет оценить силу этого взаимодействия.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Коняев Иван Васильевич, 2020 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Abrahams, S. C. Ferroelectric lithium tantalite - 1. Single crystal X-ray diffraction study at 24 °C / S. C. Abrahams, J. L. Bernstein // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1967. - Vol. 28. - № 9. - P. 1685-1692. DOI: 10.1016/0022-3694(67)90142-4.

2. Abrahams, S. C. Ferroelectric lithium tantalite - 2. Single crystal neutron diffraction study at 24 °C / S. C. Abrahams, W.C. Hamilton, A. Sequeira // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1967. - Vol. 28. - № 9. - P. 1693-1698. DOI: 10.1016/0022-3697(66)90072-2.

3. Ferroelectric lithium tantalite - III. Temperature dependence of the structure in the ferroelectric phase and the paraelectric structure at 940 °K / S. C. Abrahams, E. Buehler, W.C. Hamilton, S. J. Laplaca // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1973. - Vol. 34. - № 3. - P. 521-532. DOI: 10.1016/0022-3697(73)90047-4.

4. Glass, A. M. Dielectric, thermal and pyroelectric properties of ferroelectric LiTaO3 / A. M. Glass // Physical Review. - 1968. - Vol. 172. - № 2. - P. 564-571. DOI: 10.1103/Phys.Rev. 172.564.

5. Barker, A.S. Dielectric properties and optical phonons in LiNbO3 / A. S. Barker, R. Loudon // Physical Review. - 1967. - Vol. 158. - № 2. - P. 433-445. DOI: 10.1103/Phys.Rev.158.433.

6. Johnston, W.D. Temperature dependence of Raman and Rayleigh scattering in LiNbO3 and LiTaO3 / W. D. Johnston, I. P. Kaminow // Physical Review. - 1968. - Vol. 168. - № 3. - P. 1045- 1054. DOI: 10.1103/Phys.Rev.168.1045.

7. Barker, A.S. Infrared study of the lattice vibrations in LiTaO3 / A. S. Barker, A. A. Ballman, J. A. Ditzenberger // Physical Review B. - 1970. - Vol. 2. - № 10. - P. 4233-4239. DOI: 10.1103/Phys.RevB.2.4233.

8. Glass, A. M. Low-temperature behavior of spontaneous polarization in LiNbO3 and LiTaO3 / A. M. Glass, M. E. Lines // Physical Review B. - 1976. - Vol. 13. - № 1. - P. 180-191. DOI: 10.1103/Phys.RevB.13.180.

9. Chynoweth, A. G. Dynamic method for measuring the pyroelectric effect with special reference to barium tantalite / A. G. Chynoweth // Journal of Applied Physics. -1956. - Vol. 27. - № 1. - P. 78-84. DOI: 10.1063/1.1722201.

10. Curie temperature and birefringence variation in ferroelectric lithium metatantalate as a function of melt stoichiometry / A.A. Ballman, H.J. Levinstein, C. D. Capio, H. Brown // Journal of the American Ceramic Society. - 1967. - Vol. 50. - № 12. - P. 657-659. DOI: 10.1111/j.1151-2916.1967.tb15022.x.

11. Barns, R. L. Lithium tantalite single crystal stoichiometry / R. L. Barns, J. R. Carruthers // Journal of Applied Crystallography. - 1970. - Vol. 3. - № 5. - P. 395399. DOI: 10.1107/S0021889870006490.

12. Nassau, K. Stacking-fault model for stoichiometry deviations in LiNbO3 and LiTaO3 and the effect on the Curie temperature / K. Nassau, M. E. Lines // Journal of Applied Physics. - 1970. - Vol. 41. - № 2. - P. 533-537. DOI: 10.1063/1.1658708.

13. Кузьминов, Ю. С. Ниобат и танталат лития - материалы для нелинейной оптики / Ю. С. Кузьминов. - М.: Наука,1975. - 224 с.

14. Kukhtarev, N.V. Holographic storage in electrooptic crystals. i. steady state / N.V. Kukhtarev, V.B. Markov, S. G. Odulov [et. al.] // Ferroelectrics. - 1978. -Vol. 22. - № 1. - P. 949-960. DOI: 10.1080/00150197908239450.

15. Fang, S. Growth and optical properties of Mg, Fe Co-doped LiTaO3 crystal / S. Fang, D. Ma, T. Zhang [et. al.] // Optik. - 2006. - Vol. 117. - № 2. - P. 72-76. DOI: 10.1016/j.ijleo.2005.06.002.

16. Fang, S. Growth and photorefractive properties of Zn, Fe double-doped LiTaO3 crystal / S. Fang, B. Wang, T. Zhang [et. al.] // Optical Materials. - 2006. - Vol. 28. - № 3. - P. 207-211. DOI: 10.1016/j.optmat.2004.12.011.

17. Miyazawa, S. Congruent melting composition of lithium metatantalate / S. Miyazawa, H. Iwasaki // Journal of Crystal Growth. - 1971. - Vol. 10. - № 3. - P. 276278. DOI: 10.1016/0022-0248(71)90195-3.

18. Furukawa, Y. Stoichiometric LiTaO3 for dynamic holography in Near UV wavelength range / Y. Furukawa, K. Kitamura, K. Niwa // Japanese Journal of Applied Physics. - 1999. - Vol. 38. - № 3. - P. 1816-1819. DOI: 10.1143/JJAP.38.1816.

19. Hsu, W.T. Growth and photorefractive properties of Mg, Fe co-doped near-stoichiometric lithium tantalate single crystals / W. T. Hsu, Z. B. Chen, C. A. You // Optical Materials. - 2010. - Vol. 32. - № 9. - P. 1071-1076. DOI: 10.1016/j.optmat.2010.02.033.

20. Hsu, W.T. Optical properties of Mg, Fe Co-doped near-stoichiometric LiTaOs single crystals / W.T. Hsu, Z.B. Chen, C.C. Wu [et. al.] // Materials. - 2012. -Vol. 5. - № 2. - P. 227-238. DOI: 10.3390/ma5020227.

21. Baumer, C. Composition dependence of the OH-stretch-mode spectrum in lithium tantalite / C. Baumer, C. David, K. Betzler [et. al.] // Physica Status Solidi (A) Applied Research. - 2004. - 201. - № 4. - P. 13-16. DOI: 10.1002/pssa.200409028.

22. Шехтман, В.Ш. Введение в рентгеновскую кристаллографию / В.Ш. Шехтман, Р.А. Диланян. - ИФТТ РАН, Черноголовка - Ред.изд. Отдел ИПХВ РАН, 2002. - 144 с.

23. Бокий, Г.Б. Рентгеноструктурный анализ / Г.Б. Бокий, М. А. Порай-Кошиц. - М. Изд-во МГУ, 1964. - Т. 1. - 492 с.

24. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. - М.: Металлургия, 1982. - 632 с.

25. Abrahams, S. C. Structural basis of ferroelectricity and ferroelastcity / S. C. Abrahams, E. T. Keve // Ferroelectrics. - 1971. - Vol. 2. - № 1. - P. 129-154. DOI: 10.1080/00150197108241502.

26. Галимов, Э.Р. Рентгеноструктурный анализ поликристаллов: учебное пособие / Э. Р. Галимов, К. В. Кормушин, З.Я. Халитов. - Казань: Казанский государственный технический университет, 2006. - 86 с.

27. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Лайнс, М., Гласс А.; пер. с англ. под ред. В.В. Леманова и Г.А. Смоленского. - М.: Мир,

1981. - 736 с.

28. Feldman, L. C. Materials analysis by ion channeling: Submicron crystallography / L. C. Feldman, J.W. Mayer, S. T. Picraux. - N.Y.: Academic Press,

1982. - 300 p.

29. Вознесенский, Э.Ф. Методы структурных исследований материалов. Методы микроскопии: учебное пособие / Ф.С. Шарифуллин, И.Ш. Абдуллин, Э.Ф. Вознесенский. - Казань: Казанский национальный исследовательский технологический университет, 2014. - 184 с.

30. Van der Waals and capacitive forces in atomic force microscopies / M. Saint Jean, S. Hudlet, C. Guthmann, J. Berger // Journal of Applied Physics. - 1999. -Vol. 86. - № 9. - P. 5245 - 5248. DOI: 10.1063/1.371506.

31. Миронов, В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений / В.Л. Миронов. - Москва: Техносфера, 2005. - 144 с.

32. Ebermann, M. Widely tunable Fabry-Perot filter based on MWIR and LWIR microspectrometers / M. Ebermann, N. Neumann, K. Hiller [et. al.] // The International Society for Optical Engineering. - 2012. - Vol. 8374. - P. 83740X(1-9). DOI: 10.1117/12.919169.

33. Мэтьюз, Г. Фильтры на поверхностных акустических волнах / Г. Мэтьюз; пер. с англ. Г.Б. Звороно по ред. В.Б. Акпамбетова. - М.: Радио и связь, 1981. - 472 с.

34. Cowperthwaite, J. Optimal orientation function for SAW devices / J. Cowperthwaite, M. Pereira da Cunha // IEEE 2003 frequency control symposium proceedings. - 2003. - P. 881-887.

35. Двоешерстов, М.Ю. Параметры поверхностных акустических волн в пьезокристаллах при высоких значениях температуры / М.Ю. Двоешерстов, В.И. Чередник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 4. - С. 23-25.

36. Пат. 8729780B2 США. Piezoelectric vibrating pieces and corresponding devices exhibiting reduces vibration leakage / H. Iwai. Опубл. 31.03.2010.

37. Investigation of surface acoustic waves on LiNbO3, quartz and LiTaO3 by laser probing / A. Holm, Q. Sturzer, Y. Xu, R. Weigel // Microelectronic Engineering. -1996. -Vol. 31. - P. 123-127. DOI: 10.1016/0167-9317(95)00334-7.

38. Acoustic loss mechanisms in leaky saw resonators on lithium tantalite / J. Koskela, J. Knuuttila, T. Makkonen [et. al.] // IEEE Transactions on ultrasonic, ferroelectrics and frequency control. - 2001. - Vol. 48. - № 6. - P. 1517-1526. DOI: 10.1109/58.971702.

39. Auston, D. H. Optical generation of intense picosecond electrical pulses / D. H. Auston, A. M. Glass // Applied Physics. Letters. - 1972. -Vol. 20. - P. 398-399. DOI: 10.1063/1.1653991.

40. Jean, B. Mid-IR laser applications in medicine / B. Jean, T. Bende // Topics in applied physics. - 2003. - Vol. 89. - P. 511-546.

41. Ultraviolet generation by first-order frequency doubling in periodically poled KTiOPO4 / S. Wang, V. Pasiskevicius, F. Laurell, H. Karlsson // Optics Letters. -1998. - Vol. 23. - № 24. - P. 1883-1885. DOI: 10.1364/OL23.001883.

42. Zhu, S. N. Quasi-phase-matched third harmonic generation in quasi-periodic optical superlattice / S.N. Zhu, Y.Y. Zhu, N.B. Ming // Science. -1997. - Vol. 278. - № 5339. - P. 843-846. DOI: 10.1126/science.278.5339.843.

43. Myers, L. E. Periodically poled lithium niobate and quasi-phase-matched optical parametric oscillators / L.E. Myers, W. R. Rosenberg // IEEE Journal of Quantum Electronics. - 1997. - Vol.33. - № 10. - P. 1663-1672. DOI: 10.1109/3.631262.

44. Experimental realization on second harmonic generation in a Fibonacci optical superlattice of LiTaO3 / Zhu S. N., Zhu Y. Y., Qin Y. Q. [et. al.] // Physical Review Letters. - 1997. - Vol.78. - P. 2752-2755. DOI: 10.1103/ PhysRevLett.78.2752.

45. Ishizuki, H. High energy quasi-phase matched optical parametric oscilation using Mg-doped congruent LiTaO3 crystal / H. Ishizuki, T. Taira // Optic Express. -2010. -Vol. 18. - № 1. - P. 253-258. DOI: 10.1364/OE.18.000253.

46. Мощный килогерцовый перестраиваемый ПГС среднего ИК диапазона на периодически поляризованном стехиометрическом танталате лития с накачкой на длине волны 1064 нм. / А. Гайджарджиев, Д. Чучумишев, Д. Драганов, И. Бучваров // Квантовая электроника. - 2012. - Т. 42. -№ 6. - С. 535538.

47. Айрапетян, В.С. Экспресс анализ крови методом ИК-спектроскопии / В.С. Айрапетян, О.В. Мухаметова // Вестник СГУГИТ. - 2012. -Т.20. - №4. - С. 115-119.

48. Айрапетян, В.С. Внерезонаторная параметрическая генерация с плавной и (или) дискретной перестройкой частоты излучения / В.С. Айрфпетян // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2009. -Т.4. - № 3. - С. 20-24.

49. IR lidar based on OPO / V.S. Ayrapetian, A.V. Hakobyan, G.M. Apresyan [et. al.] // Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. - 2006. - Vol. 6160. - P. 708-713. DOI: 10.1117/12.675897.

50. Infrared holographic recording in lithium tantalite crystals by means of the pyroelectric effect / H.A. Eggert, J. Imbrock, C. Braumer [et. al.] // Optical Letters. -2003. - Vol. 28. - № 20. - P. 1975-1977.

51. Смирнов, A.M. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек / A.M. Смирнов, В.М. Паршин, М.В. Шмаков // Технологии в электронной промышленности. - 2008. -Т.26. - № 6. - С. 72-75.

52. Ефремов, А.М. Вакуумно-плазменные процессы и технологии: учебное пособие / А.М. Ефремов, В.И. Светцов, В.В. Рыбкин. - ГОУВПО Иван. гос. хим.-технол. ун-т. Иваново, 2006 . - 260 с.

53. Лукина, И.Н. Физико-химические основы процессов травления монокристаллических танталата и тетрабората лития: автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.27.06 / Лукина Ирина Николаевна. - М., 1996. - 25 с.

54. Ren, Z. Fabrication of waveguides by inductively coupled plasma etching on LiNbO3/LiTaO3 single crystal film by liquid phase epitaxy growth / Z. Ren, S. Yu, J. M. Marshall // The International Society for Optical Engineering. - 2007. - Vol. 6782. - P. 67812H(1-8). DOI: 10.1117/12.742842.

55. Бернар-Мулен, Э. Глубокое травление твердых материалов / Э. Бернар-Мулен, А. Уваров, Э. Дезре // Нанотехнологии. Электроника. - 2016. -Т.68. № 6. - С. 22-27.

56. Leech, P.W. Effect of MeV O2+ implantation on the reactive ion each rate of LiTaO3 / P.W. Leech, M.C. Ridgway // Nuclear instruments and methods in physics research section B: beam interactions with materials and atoms. -1999. -Vol.159. - P. 187-190. DOI: 10.1016/S0168-583X(99)00578-9.

57. Leech, P.W. Enhancement of the etch rate of LiNbO3 by prior bombardment with MeV O2+ ions / P.W. Leech, M.C. Ridgway // Journal of Vacuum Science and Technology. - 1999. -Vol. 17. - P. 3358-3361. DOI: 10.1116/1.582066.

58. Sokoll, T. Ion beam etching of lithium tantalite and its application for pyroelectric linear arrays / T. Sokoll, V. Norkus, G. Gerlach // Surface and Coatings Technology. - 1997. - Vol. 97. - P. 469-474. DOI: 10.1016/S0257-8972(97)00212-0.

59. Reactive ion beam etching of lithium tantalite and its application for pyroelectric infrared detectors / C. Plehnert, V. Norkus, S. Mohling [et. al.] // Surface and Coating Technology. - 1995. - Vol. 74-75. - P. 932-936. DOI: 10.1016/0257-8972(94)08207-3.

60. Fujii, T. Surface evaluation of LiNbO3, LiTaO3 crystals etched using fluorine system gas plasma RIE / T. Fujii, S. Yoshikado // IEEJ Transactions on fundamentals and materials. - 2003. - Vol. 128. - № 8. - P. 731-737. DOI: 101541/ieeitms.123.731.

61. Leech, P.W. Reactive ion beam of piezoelectric in CF4/CHF3 plasmas / Patrick W. Leech // Journal of vacuum science and technology a vacuum surface and films. - 1998. - Vol. 16. - № 4. - P.2037-2042. DOI: 10.1116/1.581307.

62. Kamimura, R. Dry etching technologies of optical device and III-V compound semiconductors / R. Kamimura, K. Furuta // IEICE transactions on electronics. - 2017. - Vol. E100-C. - № 2 - P. 150-155. DOI: 10.1587/transele.E100.C.150.

63. Особенности кинетики травления ниобата и танталата лития во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2017. - Т. 13. - №3.- С. 123-127.

64. Битюцкая, Л.А. Лабораторная работа по нанотехнологии: специальный практикум / Л.А. Битюцкая, М.В. Гречкина, Е.Н. Бормонтов. -Воронеж: Воронежский государственный университет, 2007. - 32 с.

65. Гудилин, Д. Электронная микроскопия в научных исследованиях и образовании / Д. Гудилин // Наноиндустрия. - 2014. - Т. 50. - № 4. - С. 28-33.

66. Кузовников, А.А. О влиянии собственных стационарных электрических полей на свойства высокочастотного разряда / А.А. Кузовников,

В.П. Савинов // Радиотехника и электроника. -1973. - Т. 43. - №4. - С. 816-822.

67. Годяк, В.А. О вентильных свойствах ВЧ-разрядов. / В.А. Годяк, А.А. Кузовников // Физика плазмы. -1975. -Т.1. - № 3. - С. 496-503.

68. Орлов, К. Е. Диагностика низкотемпературной плазмы / К. Е. Орлов. -Санкт-Петербург: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 2005. - 110 с.

69. Розовский, А.Я. Кинетика топохимических реакций / А.Я. Розовский. - М.: Химия, 1974. - 224 с.

70. Коняев, И.В. Плазменные технологии в микроэлектронике: учебно-методическое пособие для вузов: ч. 4. Определение энергии активации плазмохимического травления / И.В. Коняев, Ю.И. Дикарев, Л.Н. Владимирова. -ФГБОУ ВО Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж, 2014. -19 с.

71. Архаров, В.И. Об уточнении понятия «энергия активации» и «элементарный акт» для твердого состояния вещества // Журнал технической физики. -1954. -Т. 24. -№3. - С. 375-387.

72. Андреев, Г.Г. Курс лекций по химической гетерогенной кинетике: учебное пособие / Г.Г. Андреев, А.Н. Дьяченко, О.Е. Пермяков. - Томск: томский политехнический университет, 2008. - 120 с.

73. Миттова, И.Я. Кинетика гетерогенных реакций: учебное пособие / И.Я. Миттова, С.С. Лаврушина, В.Ф. Кострюков. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2005. - 39 с.

74. Коняев, И. В. Влияние давления и температуры на кинетику травления LiTaO3 во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов // Вестник ВГТУ. - 2018. - Т. 14 - № 5. - С. 160-164.

75. Григорьев, Ф.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление в технологии микроэлектроники: учебное пособие / Ф. И. Григорьев. - Москва: Московский государственный институт электроники и математики, 2003. - 48 с.

76. Сейдман, Л.А. Формирование трехмерных структур в подложках карбида кремния плазмохимическим травлением / Л.А. Сейдман // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. - 2015. - Т. 18, №3. - С. 157-171.

77. Влияние газовых добавок Ar, N2 и N2O на кинетику травления танталата лития во фторсодержащей плазме / И.В. Коняев, Л.Н. Владимирова, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2018. - Т. 14- № 3. - С. 150-155.

78. Ефремов, А. М. Неравновесная плазма хлора: свойства и применение / А.М. Ефремов, В.И. Светцов. - М.: Физматлит, 2012. - 216 с.

79. Кинетика процессов реактивного ионно-плазменного травления полупроводников в галогенсодержащей плазме: учебно-методическое пособие для вузов / Л.Н. Владимирова, Ю.И. Дикарев, В.М. Рубенштейн и др. - Воронеж: Воронежский государственный университет, 2014. - 20 с.

80. Raju, G.G. Gaseous Electronics: Tables, Atoms, and Molecules. - CRC Press, Taylor & Francis Group, Boca Raton, FL, 2012. - 790 p.

81. Изменение морфологии, элементного и фазового состава поверхности ниобата лития после плазмохимического и радикального травления / В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, Е.Н. Бормонтов и др. // Вестник ВГТУ. - 2010. - Т. 6 - № 9. - С. 145-150.

82. Особенности кинетики травления ниобата лития и пьезокварца фторсодержащими радикалами / И. В. Коняев, Л. Н. Владимирова, Ю. И. Дикарев и др. // Радиолокация, навигация, связь: материалы XXII международной научно-технической конференции - Воронеж, 2016. - Т. 1. - С. 458-466.

83. Анализ морфологии фторида лития в процессе плазмохимического травления LiTaO3 / И. В. Коняев, И.И. Бородкин, Е. А. Сизаск и др. // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. - Воронеж: ВГТУ. - 2018. - №17. - С.110-115.

84. Киперман, С.Л. Основы химической кинетики в гетерогенном катализе / С.Л. Киперман. - М.: Химия, 1979. - 349 с.

85. Изменение морфологии поверхности ниобата лития после радикального травления / К.О. Некрасов, В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, Е.Н. Бормонтов // Радиолокация, навигация, связь: материалы XVI Междунар. Науч. -тех. конф. - Воронеж, 2010. - Т.1. - С. 633-639.

86. Изменение морфологии поверхности ниобата лития после плазмохимического и радикального травления / В.В. Гуляев, Е.Н. Бормонтов, Л.Н.

Владимирова и др. // Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах: материалы V Всерос. конф. - Воронеж, 2010. - Т.1. - С. 312-315.

87. Коняев, И. В. Влияние плазменной обработки танталата лития на морфологию поверхности / И.В. Коняев, Е.А. Сизаск // Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника: межвуз. сб. науч. тр. -Воронеж: ВГТУ. - 2017. - № 16. - С. 56-60.

88. Highly selective electroplated nickel mask for lithium niobate dry etching / S. Benchabane, L. Robert, JY. Rauch [et. al.] // Journal of Applied Physics. - 2009. -Vol. 105. - P. 094109(1-6). DOI:10.1063/1.3125315.

89. Технологические особенности формирования рельефа на пластинах монокристаллического LiTaO3 в плазме на основе SF6 / И. В. Коняев, Л. Н. Владимирова, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Электроника и электрооборудование транспорта. - 2019. - № 3. - С. 40-43.