Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Гуляев, Вячеслав Валентинович

• Гуляев, Вячеслав Валентинович
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Гуляев, Вячеслав Валентинович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ПО ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДАМ ОБРАБОТКИ 1ЛМ>03.

1.1 Физико-химические свойства ниобата лития.

1.2 Применение ниобата лития.

1.3 Методы исследования свойств ниобата лития.

1.4 Методы обработки ниобата лития.

1.4.1 Технология механического и жидкостного травления.

1.4.2 Использование плазмы для обработки ниобата лития.

Цель и задачи.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Описание установок плазмохимического и радикального травления.

2.2 Описание средств измерения.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3 ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ И МЕХАНИЗМА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ФТОРСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ 1лМЮ3 ПРИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОМ

ТРАВЛЕНИИ.

3.1 Влияние внешних параметров газоразрядной плазмы на кинетику травления ниобата лития.

3.1.1 Изучение механизма образования твердого продукта реакции на поверхности 1л1ЧЬОз.

3:1.2 Определение влияния внешних параметров на интенсивность процесса плазмохимического травления

3.1.3 Исследование эффекта загрузки при плазмохимическом травлении.

3.2 Влияние контролируемых газовых добавок к SF6 и CF4 на скорость травления LiNb(>3.—

3.3 Изучение структуры, элементного и фазового состава твердых продуктов реакции на поверхности ГЛЫЮз, стенках реактора и внутрикамерной оснастки.

3.4 Изучение морфологии и шероховатости поверхности ниобата лития после плазмохимического травления.

3.5 Физико-химическая модель взаимодействия фторсодержащей газоразрядной плазмы с поверхностью LiNb03.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4 ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ТРАВЛЕНИЯ НИОБАТА ЛИТИЯ ФТОРСОДЕРЖАЩИМИ РАДИКАЛАМИ.

4.1 Исследование поверхности ниобата лития после радикального травления.

4.2 Кинетика радикального травления ниобата лития.

4.3 Сравнительная характеристика радикального травления LiNbOa в плазмах CF4, SF6 и смеси газов на их основе.

4.4 Особенности травления 1Л1ЧЬОз фторсодержащими радикалами в РРК вертикального типа с индукционным возбуждением разряда.

Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5 ИЗУЧЕНИЕ НЕГАТИВНЫХ ЭФФЕКТОВ

ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ.

5.1 Полимеризация пленок на обрабатываемых поверхностях при плазмохимическом травлении.

5.2 Возникновение радиационных повреждений в процессах пдазмохимического травления,«.

5.3 Примесные загрязнения в процессах плазмохимического травления 118 Выводы к главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3»

Актуальность темы

Кристаллы ниобата лития являются основой для создания приборов оптической промышленности. В последние годы на этих кристаллах реализован целый класс функциональных и цифровых интегрально-оптических схем (ИОС), таких как переключающие матрицы, анализаторы спектра, СВЧ фазовые и амплитудные модуляторы, а также датчики физических величин. Применение ниобата лития в качестве основного материала современной нелинейной оптики, электрооптики, голографии и акустоэлектроники обусловлено, прежде всего, высокими значениями электро-, акусто- и нелинейно-оптических коэффициентов, а также отлаженностью технологий промышленного роста и производства пластин 1Л№)Оз большого диаметра (до 100 мм) [1]. Впервые в нашей стране его синтезировал в 1965 году С.А. Федулов, а в США - А. Балман [2]. Необходимость производства этого кристалла возрастает с каждым годом. Однако чувствительность ниобата лития к лазерному излучению, а также оптические неоднородности, связанные как с собственными, так и с примесными дефектами [3], ограничивают возможности его применения в оптических устройствах.

В этой связи важным является знание оптических и электрических свойств ниобата лития, возможности их модификации, а также влияния различных методов размерной обработки на основные параметры этого материала. Для изготовления изделий, использующих 1Л№>Оз, применяются современные технологические методы полупроводникового производства. Например, для получения рельефных структур на поверхности ниобата лития достаточно широко используются способы плазменного травления. Причем, долгое время доминировала технология ионно-плазменного травления, использующая физическое распыление твердых тел ионами инертных газов. Считалось, что появившаяся в кремниевом производстве в 80-х годах 5 прошлого столетия плазмохимическая технология не применима для ниобата лития. И лишь позже появились сообщения о возможности ПХТ ЫМЮз во фторсодержащей газоразрядной плазме.

В настоящее время значительно возрос поток информации, касающейся тех или иных проблем травления ниобата лития во фторсодержащей плазме. В литературе сообщалось о его травлении в разрядах СБ4 [4], СНР3 [5], ЭР6 [6], а также смесях этих газов с Не, Ые, Ог и Аг. Однако скорости обработки, малы и не всегда устраивают разработчиков промышленных технологий. Кроме того, экспериментальные данные, полученные в разных средах и на разных установках, часто получаются неодинаковыми, а порой и противоречивыми.

Наиболее перспективной на данный момент является обработка поверхности ЫМзОз методом плазмохимического травления (ПХТ). Не менее перспективным видом обработки может оказаться метод радикального травления (РТ), несмотря на то, что литературных данных об использовании этого метода в ниобат-литиевой технологии нам обнаружить не удалось. Причиной этому служит исключение электронной и ионной составляющих из процесса травления материала, которые могут приводить к нарушению стехиометрии и морфологии обрабатываемой поверхности. Для промышленного применения важно всесторонне исследовать закономерности и особенности этих видов обработки.

Во-первых, необходимо иметь детальное представление о кинетике радикального и плазмохимического травления, которое складывается из данных о влиянии всех технологических параметров обработки (подводимая мощность, давление, время обработки, температура в реакционно-разрядной камере). Во-вторых, требуется получить данные о влиянии этих видов обработки на структуру, морфологию и фазовый состав поверхности. Подытожив полученные данные необходимо разработать физико-химическую модель травления ниобата лития во фторсодержащей плазме. В-третьих, необходимо изучить возможность увеличения скоростей травления ниобата лития с помощью стандартных приемов микроэлектронной технологии.

Указанные выше задачи и проблемы определяют актуальность всестороннего исследования и оптимизации новых технологических процессов плазмохимического травления ниобата лития, необходимых для эффективного применения этого материала в твердотельной электронике и микросистемной технике.

Работа выполнена в рамках аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (№г.р. 01200956623)

Цель и задачи работы. Целью данной работы является разработка физико-химических основ и оптимизация процессов плазмохимического и радикального травления ниобата лития.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

1. Определить особенности начальной фазы взаимодействия 1ЛМЮз с фторсодержащими химически активными частицами (ХАЧ) плазмы (наличие и продолжительность индукционного периода, пороговую температуру (Тпор), кинетику образования пор в твердом продукте и т.п.).

2. Установить влияние физических, химических и технологических факторов на кинетику ПХТ и РТ 1лМЮз, а также изучить структуру, элементный и фазовый состав поверхности ЫИЬОз после этих обработок.

3. Разработать физические и химические принципы повышения эффективности плазмохимических процессов травления за счет увеличения скорости химической реакции с помощью автокатализа, температурной стимуляции, контролируемых газовых добавок, а также за счет минимизации негативных эффектов плазменной обработки поверхности.

4. Разработать физико-химическую модель ПХТ и РТ ниобата лития с учетом каталитической и температурной стимуляции.

Научная новизна работы. В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Установлено, что ПХТ и РТ 1лМЮ3 в газоразрядной плазме фторсодержащих газов являются типичными топохимическими процессами. Экспериментально определены пороговая температура (Тпор), ниже которой процесс травления не наблюдается, и температура насыщения (Тнас), при превышении которой заметного увеличения скорости реакции не происходит.

2. Установлены лимитирующие стадии процесса взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью 1л№Ю3. При низких температурах (Т<Тпор) лимитирующей стадией является десорбция летучих продуктов и образование нанопористого слоя для температур (Т,10р<Т<Тнас) -диффузия частиц в слое твердого продукта и скорость образования ХАЧ на внутренних поверхностях пор, при высоких температурах (Т>Тнас) скорость взаимодействия лимитируется химической реакцией. Вычислены эффективные энергии активации рассмотренных стадий.

3. Разработаны физико-химические модели ПХТ и РТ ЫМЮз, учитывающие каталитическую диссоциативную хемосорбцию химически активных частиц плазмы на стенках пор в твердом продукте реакции.

4. Научно обосновано и практически реализовано травление ниобата лития фторсодержащими радикалами.

5. Научно обоснована и экспериментально подтверждена возможность увеличения скорости травления ГдМЮз при разбавлении рабочего газа примесями 02, N2, Аг или воздуха.

Научная и практическая ценность работы

1. Сведения о механизмах и кинетических закономерностях взаимодействия фторсодержащей плазмы, о роли добавки в нее инертных и молекулярных газов могут быть использованы при разработке, автоматизации и оптимизации процессов плазмохимического травления 1л№Юз и других диэлектриков.

2. Применение разработанных газовых смесей 8Р6 и СБ4 с О2, Аг, N2 и воздухом значительно увеличило скорости ПХТ и РТ ГлМэОз.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. ПХТ и РТ ЬйЯЪОз в газоразрядной плазме фторсодержащих газов являются типичными топохимическими процессами.

2. Результаты систематического исследования взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью 1лМЮз. При низких температурах (Т<Тпор) лимитирующей стадией процесса является десорбция летучих продуктов и образование нанопористого слоя ГлБ. При Т1Юр<Т<Тнас процесс травления лимитируется диффузией частиц в слое твердого продукта и скоростью хемосорбции ХАЧ на внутренних поверхностях пор. При более высоких температурах скорость взаимодействия лимитируется скоростью химической реакции.

3. Физико-химические модели ПХТ и РТ 1ЛМЮз, учитывающие каталитическую диссоциативную хемосорбцию на стенках пор в твердом продукте реакции.

4. Реализация процесса травления 1ДМЮз фторсодержащими радикалами.

5. При разбавлении рабочего газа примесями 02, N2, Аг или воздуха происходит увеличение скорости травления ниобата лития.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на следующих конференциях: X международной научно-технической конференции «Кибернетика и высокие технологии XXI века» (Воронеж, 2009); VII всероссийской конференции-школе «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)» (Воронеж, 2009); VI международной научной конференции «Физика плазмы и плазменные технологии» (Минск, 2009); XI, XV и XVI международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2005, 2009 и 2010); V всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированных средах и на межфазных границах» (Воронеж, 2010).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 научных работ, в том числе 3 — в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, получен патент на полезную модель. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1-4, 7, 10-14, 16] — экспериментальная часть; [1,3, 11, 13] — разработка модели ПХТ и РТ ниобата лития; [7, 10, 12, 14] — разработка способов повышения эффективности ПХТ и РТ ниобата лития за счет температурной стимуляции и различных газовых добавок; [5, 8, 9, 15] — расчеты и обсуждение результатов.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 136 страниц текста, включая 7 таблиц, 61 рисунок и 89 библиографических источников.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Гуляев, Вячеслав Валентинович

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Впервые установлена возможность травления ниобата лития фторсодержащими радикалами.

2. Установлено, что ПХТ и РТ ЫМэОз в газоразрядной плазме фторсодержащих газов являются типичными топохимическими процессами.

3. С помощью методов рентгеновской дифракции и резерфордовского обратного рассеяния определено, что твердый продукт реакции, образованный на поверхности ниобата лития в процессе плазменной обработки является поликристаллическим нанопористым 1ЛР, обогащенным кислородом и ниобием.

4. Методами атомно-силовой микроскопии установлено, что ПХТ шлифованной поверхности ниобата лития снижает параметры шероховатости исходного образца.

5. Установлено, что травление в газоразрядной плазме БРб происходит интенсивнее, чем в газоразрядной плазме СР4 при сходных условиях.

6. Определено, что процесс взаимодействия фторсодержащих радикалов с поверхностью ниобата лития является пороговым, для него существует пороговая температура, зависящая от режимов обработки, причем ее значение для РТ выше, чем для ПХТ.

7. Подтверждена и дополнена физико-химическая модель ПХТ и РТ 1ЛМЪОз, учитывающая каталитическую активацию процессов диссоциации фторсодержащих частиц на поверхности пор в 1ЛР.

8. Доказана возможность увеличения скорости травления 1л№>03 при разбавлении рабочего газа примесями 02, N2, Аг или воздуха.

9. Установлены зависимости скорости ПХТ и РТ ниобата лития от физических, химических и технологических факторов в плазмах 8Бб и СР4.

Ю.Проведен сравнительный анализ влияния материала реакционной камеры и диска-отсечки в реакторе вертикального типа с индукционным возбуждением разряда на кинетику травления различных материалов. Установлено, что применение алюминия позволяет достигать более высокие скорости травления 1лМ>03, 81, Ое и некоторых металлов (V, Тл, W, Мо) и меньшую их зависимость от расстояния до диска-отсечки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Гуляев, Вячеслав Валентинович, 2011 год

1. Фролова М.В. Формирование и исследование интегральных световодных структур в кристаллах стехиометрического ниобата лития / М.В. Фролова, И.Г. Евдокимов, Н.С. Корепанов // Индустрия наносистем и материалы. 2005. - С. 218-220.

2. Кузьминов Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития / Ю.С. Кузьминов. — М.: Наука, 1987. — 264 с.

3. Bunton P. Laser ablation from Lithium niobate / P. Bunton, M. Binkley, G. Asbury // Appl. Phys. 1997. - V. 65. -P. 411-417.

4. Nagata H. Growth of crystalline LiF on CF4 plasma etched LiNb03 substrates / H. Nagata, N. Mitsugi, K. Shima, M. Tamai, E.M. Haga // Journal of crystal growth. 1998. - V. 187. - P. 573-576.

5. Shima K. Surface precipitations on single crystal LiNb03 after dry-etching by CHF3 plasma / K. Shima, N. Mitsugi, H. Nagata // Material Research Sosiety. -2007. V. 49, N 8. - P. 257-259.

6. Chung P.S. Dry etching characteristics of LiNb03 / P.S. Chung, C.M. Horwitz, W.L. Guo // Electron Lett 1986. - V. 22, N 9. - P. 484-485.

7. Smyth D.M. Defects and transports in LiNb03 / D.M. Smyth // Ferroelectrics. 1983. - V. 50. - P. 93-102.

8. Smyth D.M. Defect chemistry of LiNb03 / D.M. Smyth // Int. Symp. Appl. Ferroelec. Bethlem, PA. - 1986. - P. 115-117.

9. Ю.Сольский И.М. Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров / И.М. Сольский, Д.Ю. Сугак, В.М. Габа // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С.55-61.

10. П.Сидоров Н.В. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны / Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Н. Маврин. — М.: Наука, 2003.-255 с.

11. Химическая энциклопедия / под ред. И.Л.Кнунянц. — М.: Советская энциклопедия, 1990. 673 с.

12. Ландсберг Г.С. Оптика / Г.С. Ландсберг. — М.: Наука, 1976. — 848 с.

13. Севостьянов О.Г. Фоторефрактивный эффект в нестехиометричных кристаллах ниобата лития и оптических волноводах на их основе: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук: защищена 12.02. 2006: утв. 24.06. 2006 / О.Г. Севостьянов. Кемерово, 2006. - 23 с.

14. Volk Т. Relation of the photorefraction and optical-damage resistance to the intrinsic defect structure in LiNb03 crystals / T. Volk , B. Maximov, T. Chernaya et al. // Appl. Phys. 2001. - V. В 72. - P. 647—652.

15. Korkishko Yu.N. Ion Exchange in Single Crystals for Integrated Optics and Optoelectronics / Yu.N. Korkishko, V.A. Fedorov // Cambridge International Sci. Publ. 1999. - P. 97 - 269.

16. Rowell J.M. Photonic materials / J.M. Rowell // Scientific american. — 1986. V. 255, № 4. - P. 147-157.

17. Жирар А. Руководство по технологии и тестированию систем WDM / А. Жирар. — М.: EXFO, 2001. 264 с.

18. Dogheche Е. Growth process and surface acoustic wave characteristics of LiNbOs/diamond/silicon multilayered structures / E. Dogheche, X. Lansiaux, D. Remiens, V. Sadaune, S. Chauvin, T. Gryba // Jap. J. Appl. Phys. 2003. - V. 42. -P. 572-574.

19. Reindl L.M. Wireless Passive SAW Identification Marks and Sensors / L.M. Reindl // 2nd Int. Symp. Acoustic Wave Devices for Future Mobile Communication Systems, Chiba Univ 3rd-5th march 2004. Freiburg, Germany, 2004.-P. 22-37.

20. Елисеев Н Перспективные ПАВ-датчики TRANSENSE/HONEYWELL / Н. Елисеев // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2008. - Ч. 1. -С. 40-45.

21. Мэттыоз Г. Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение) / Г. Мэттьюз — Москва: Радио и связь, 1981. — 472 с.

22. Shinichiro S. Second harmonic generation in electric poled X-cut MgO-doped LiNb03 waveguides / S. Shinichiro and others. // Appl. Phys. Lett. 1997. - T. 70, № 23. - P. 3075-3080.

23. Блохин M.A. Методы рентгеноспектральных исследований / M.A Блохин. -M.: ГИФМЛ, 1959. 518 с.

24. Уманский Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, Л.Н. Расторгуев. -М.: Металлургия, 1982. 632 с.

25. Chu W.K. Backscaterring Spectroscopy / W.K. Chu, J.W. Mayer, M.A. Nicolet. — N.Y.: Academic Press, 1978. 384 p.

26. Никулова Г.А. Анализ состояния поверхности ниобата лития после механической, ионной и термической обработок / Г.А. Никулова, А.А. Блистанов, В.В. Воронов. М.: Деп. В ЦНИИ «Электроника», 1987. — 20 с.

27. Conference on Integrated Optics (ЕСКУ08). Eindhoven, Netherlands, 2008. - P. 75-78.

28. Данилин B.C. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б.С. Данилин, В.Ю. Киреев. — М.: Энергоатомиздат, 1987. 264 с.

29. Данилин Б. С. Реактивное ионное травление / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев, Д. А. Назаров // Обзоры по электронной технике. Сер. 3. Микроэлектроника. 1984. - Вып. 1 (1010). - 71 с.

30. Chapman R.E. Argon and reactive ion beam etching for SAW devices. / R.E. Chapman // VACUUM. 1984. - V. 34, № 3-4. - P. 417-424.

31. Venables V.A. Polishing of lihtium niobate by ion-beam ethcting. / V.A. Venables, S.S. Makh//J. Mater. Sci. Lett. 1987. - V. 6,№ 11.- P. 1254-1256.

32. Queste S. Deep reactive ion etching of quartz, lithium niobate and lead titanate / S. Queste, E. Courjon, G. Ulliac // FEMTO-ST.- 2007. V.l. - P. 43-44.

33. Tamura M. Etching characteristics of LiNb03 crystal by fluorine gas plasma reactive ion etching / M. Tamura, S. Yoshikado // Department of Electronics, Doshisha University. — 2001. V. 2, № 3. - P. 55-67.

34. Leech P.W. Enhancement of the etch rate of LiNbOs by prior bombardment with MeV 02+ ions / P.W. Leech, M.C. Ridgway // J. Vac. Sci. and Technol. 1999. -V. 17. - P. 3358-3361.

35. Lee C.L. CF4 plasma etching on LiNb03 / C.L. Lee, C.L. Lu. // Appl, Phys, Lett. 1979. -V. 35, № 10. - P. 756-758.

36. Nagata H. Growth of crystalline LiF on CF4 plasma etched LiNb03 substrates / H. Nagata, N. Mitsugi, K. Shima, M. Tamai, E.M. Haga // J. Cryst. Growth. 1998. - V. 187. - P. 573-576.

37. Hu H. Plasma etching of proton-exchanged lithium niobate / H. Hu, A. P. Milenin, R. b. Wehrspohn, H. Hermann, W. Sohler // J. Vac. Sci. and Technol. -2006.-V. 24.-P. 1012-1015.

38. Turcicova H. Plasma processing of LiNb03 in a hydrogen/oxygen radio-frequency discharge / H Turcicova et al II J. Phys. D: Appl. Phys. — 1998. — V. 31, №9.-P. 43-45.

39. Райзер Ю.П. Высокочастотный емкостной разряд: Физика. Техника эксперимента / Ю.П. Райзер. М.: Наука, 1995. - 320 с.

40. Ионно-плазменные и ионно-лучевые устройства технологического назначения / С.В. Донбновецкий и др.. В Зх частях. Ч.З. — Киев, 1992. — 224 с.

41. Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ. / Под. ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987. — 471 с.

42. Koenig H.R. Application of RF discharges to sputtering / H.R. Koenig, I J. Maissel. JBM J. Res. Development. - 1970. - V. 14. - P. 168-171

43. Гомжин И.В. Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС: дис. канд. техн. наук / И.В. Гомжин. Воронеж: ВГТУ, 2003. - 208 с.

44. Битюцкая JI.A. Специальный практикум / JI.A. Битюцкая, М.В. Гречкина, Е.Н. Бормонтов Воронеж: Воронежский государственный университет, 2007. - 32 с.

45. Гуляев В.В. Формирование гетероструктур "нанопористый LiF-LiNb03" / В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, Е.Н. Бормонтов // Материалы VII

46. Всероссийской конференции-школы «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)». Воронеж, 2009. - С. 106-109.

47. Гуляев В.В. Высокоскоростное плазмохимическое травление ниобата лития / Гуляев В.В., Дикарев Ю. И., Рубинштейн В. М., Цветков С. М., Бормонтов E.H. // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2010. — Т. 12, №4.-С. 360-368.

48. Розовский А .Я. Гетерогенные химические реакции (кинетика и макрокинетика) / А.Я. Розовский. М.: Наука, 1980. — 324 с.

49. Рябов С.Н. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления / С.Н. Рябов, С.А. Кутолин, Н.И. Бойкин М.: ЦНИИ "Электроника", 1981. - 75 с.

50. Дикарев Ю.И. Плазмохимическое травление в технологии ИС / Ю.И. Дикарев, В.Ф. Сыноров, Б.Л. Толстых // Зарубежная электронная техника. — 1978.-№3.-С. 22-27.

51. Bondur I.A. Dry process technology reactive ion etching / I.A. Bondur // J. Vac. Sei. Techonology. 1976. -V. 13, № 5. - P. 1023-1029.

52. Ивановский Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов / Г.Ф. Ивановский, В.И. Петров. — М.: Радио и связь, 1986. — 232 с.

53. Багрий И.П. Моделирование процессов плазмохимического травления в технологии производства ИС / И.П. Багрий, Г.А. Чечко // АН УССР. Ин-т кибернетики им. М.М. Глушкова Киев, 1989. — 21 с.

54. Технология СБИС: в 2-х кн. Кн. 2 / Под ред. С. Зи М.: Мир, 1986. -404 с.

55. Дикарев Ю.И. Влияние технологических загрязнений поверхностей Si и Si02 на скорость плазмохимического травления / Ю.И. Дикарев, С.М. Цветков, И.С. Суровцев // Известия вузов. Электроника. 1999. - № 3. - С. 26-30.

56. Mogab C.J. The loading effect in plasma etching / C.J. Mogab // J. Electrochem.Soc. 1977. -V. 124, № 18. - P. 1262-1268.

57. Enomoto T. Loading effect and temperature dependence of etch rate in CF4 plasma / T. Enomoto, D. Masahiko, J. Ahiko, N. Hidefume // Jap. J. Appl. Phys. — 1979, V. 18, № l.-P. 155-163.

58. Karttunen J. Loading effects in deep silicon etching / J. Karttunen, J. Kiihamaki, S. Franssila // Proceedings of SPIE. 2000. - V. 4174. - P. 90-97.

59. Oehrlein G. S. Selective Dry Etching of Germanium with Respect to Silicon and Vice Versa / G. S. Oehrlein, T. D. Bestwick, P. L. Jones, M. A. Jaso, and J. L. Lindstrom // J. Electrochem. Soc. 1991. - V.138, Issue 5. - P.1443-1455.

60. Venkatasubramanian R. Selective plasma etching of Ge substrates for thin freestanding GaAs-AlGaAs heterostructures / R. Venkatasubramanian, M.L. Timmons, T.S. Colpitis // Applied Physics Letters. 1991. - V.59, Issue 17. -P.2153-2155.

61. Ефремов A.M. Вакуумно-плазменные процессы и технологии / A.M. Ефремов, В.И. Светцов, В.В. Рыбкин. Иваново, 2006. - 260 с.

62. Словецкий Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д.И. Словецкий. М.: Наука. - 1980. - 310 с.

63. Райзер Ю.П. Физика газового разряда / Ю.П. Райзер. — М.: Наука, 1987.-592 с.

64. Shima К. Surface prencipitations of single crystal LiNbCb after etching by CHF3 plasma / K.Shima, N. Mitsugi, H. Nagata // Material Research Society. -2007. V. 49, № 8. - P. 257-259.

65. Гуляев, В.В. Особенности травления ниобата лития фторсодержащими радикалами / В.В. Гуляев, Ю.И. Дикарев, С.М. Цветков, E.H. Бормонтов // Вестник ВГТУ. 2009. - Т. 5, № 7. - С. 143-147.

66. Некрасов Б.Н. Курс общей химии / Б.Н.Некрасов. — М.: Госхимиздат, 1953.-971с.

67. Дикарев Ю.И. Влияние параметров процесса на скорости плазмохимического травления кремния / Ю. И. Дикарев, В.И. Светцов // Электронная техника. Сер. 6, Материалы. — 1986. — Вып.5 (216). — С. 34-37.

68. Дикарев Ю.И. Травление германия фторсодержащими радикалами из газоразрядной плазмы / Ю. И. Дикарев, И. С. Суровцев, С.М. Цветков, В.М. Рубинштейн // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2005. — Т.7, № 3. — С. 308-312.

69. Арутюнов B.C. Гибель атомов фтора на поверхностях различных материалов / B.C. Арутюнов, A.M. Чайкин // Кинетика и катализ. 1977. -Т. 18, № 2.-С.316-320.

70. Арутюнов B.C. Гибель атомов фтора на поверхностях различных материалов, часть II. Медь, нержавеющая сталь, никель, алюминиевый сплав, золото / B.C. Арутюнов, A.M. Чайкин // Кинетика и катализ. — 1977. — Т.18, №2.-С. 321-325.

71. Иванов Ю.А. Механизмы плазмохимической полимеризации углеводородов / Ю.А. Иванов // Энциклопедия низкотемпературной плазмы. М.: Наука, 2000. - Вводный том 3. - С. 330-345.

72. Cobum J.W. lon-surface interaction in plasma etching / J.W. Cobum, H.F. Winters, IJ. Chuang // J. Appl. Phys. 1977. - V. 48, N 8. - P. 3532-3540.