Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Абдуллаев Даниил Анатольевич

• Абдуллаев Даниил Анатольевич
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Абдуллаев Даниил Анатольевич

Введение

Глава I. Свойства, методы формирования и области применения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС

1.1. Сегнетоэлектрические материалы и их свойства

1.2. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС и структур на их основе

1.2.1. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС

1.2.2. Метод формирования структур на основе пленок ЦТС

1.3. Запоминающие устройства на основе тонких сегнетоэлектрических пленок

1.4. Выводы по главе I

Глава II. Растровая электронная и атомно-силовая микроскопия тонких пленок ЦТС

2.1. Растровая электронная микроскопия тонких пленок ЦТС

2.2. Атомно-силовая микроскопия тонких пленок ЦТС

2.3. Выводы по главе II

Глава III. Процессы вакуумно-плазменного травления тонких пленок ЦТС и их влияние на электрические свойства

3.1. Реактивно-ионное травление тонких пленок ЦТС

3.2. Ионно-лучевое травление тонких пленок ЦТС

3.3. Влияние процессов вакуумно-плазменного травления на электрические свойства тонких пленок ЦТС

3.4. Выводы по главе III

Глава IV. Исследование конструкторско-технологических особенностей СЗУ различных производителей и перспективы развития технологии СЗУ

4.1. СЗУ компании Texas Instruments

4.2. СЗУ компании Cypress Semiconductor / Ramtron International

4.3. СЗУ компании Fujitsu Limited

4.4. СЗУ компании Lapis Semiconductor

4.5. Послойное препарирование кристаллов СЗУ в рамках технологии анализа отказов ИС

4.6. Перспективы развития технологии СЗУ

4.7. Выводы по главе IV

Заключение

Список литературы

Введение

Диссертационная работа посвящена вакуумно-плазменному травлению (ВПТ) сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) в режимах реактивно-ионного (РИТ) и ионно-лучевого травления (ИЛТ) при различных параметрах процессов и реакционных смесях газов. Особое внимание уделено изучению влияния процессов ВПТ на морфологию поверхности и электрические свойства сегнетоэлектрических пленок. Разработана модифицированная методика послойного препарирования интегральных схем (ИС) с сегнетоэлектрическими гетероструктурами в рамках технологии анализа отказов. На основе проведенного исследования конструкторско-технологических особенностей (КТО) современных коммерчески доступных образцов сегнетоэлектрических запоминающих устройств (СЗУ) дан анализ текущего состояния и перспектив развития данной технологии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Вакуумно-плазменное травление тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца и структур на их основе»

Актуальность работы

Тонкопленочные сегнетоэлектрические гетероструктуры на основе цирконата-титаната свинца обладают высокими электрофизическими параметрами (остаточная поляризация, диэлектрическая проницаемость, пьезокоэффициент и пр.) и крайне востребованы в технологиях производства элементов энергонезависимой памяти, пьезоэлектрических

микроэлектромеханических систем (МЭМС), элементов

сверхвысокочастотной (СВЧ) электроники, элементов оптоэлектронных систем, датчиков и других типов интегрированных сегнетоэлектрических устройств [1].

Вакуумно-плазменное травление является важнейшим технологическим процессом при формировании сложных структур и функциональных элементов изделий микро- и наноэлектроники. Однако, описанные в литературе подходы по травлению пленок ЦТС, а также зависимости влияния различных режимов и параметров процессов ВПТ на скорость их травления носят фрагментарный характер, совокупности

которых недостаточно для разработки технологических процессов формирования функциональных сегнетоэлектрических гетероструктур на основе пленок ЦТС. В этой связи актуальной задачей является проведение исследований по влиянию различных параметров процесса (состава реакционной газовой смеси и её расхода, вкладываемой мощности высокочастотного (ВЧ) генератора, давления, температуры) на скорость травления пленок ЦТС.

Необходимо учитывать, что в процессах ВПТ происходит генерация химически активных частиц (ХАЧ) и/или ионов, излучение фотонов с различной длиной волны, взаимодействие которых с сегнетоэлектрической пленкой может приводить к деградации ее электрических свойств. Поэтому важнейшей задачей является исследование влияния данных процессов на электрические характеристики плёнок ЦТС и поиск способов регенерации образующихся дефектов.

Важнейшими областями применения пленок ЦТС являются энергонезависимые СЗУ и различные виды пьезоэлектрических МЭМС. В частности, рынок СЗУ в настоящее время составляет сотни миллионов долларов. При разработке и отработке технологических процессов производства интегрированных сегнетоэлектрических устройств необходимо проведение послойного препарирования в рамках технологии анализа отказов. Существующие стандартные методики препарирования ИС без существенной модификации не применимы для анализа СЗУ из-за использования нехарактерных для полупроводниковой промышленности материалов (сегнетоэлектрик, специфические электроды, барьерные и контактные слои). Разработка такой методики является актуальной задачей.

Таким образом, результаты диссертационной работы могут быть использованы при разработке, проектировании и производстве нового поколения устройств микро- и наноэлектроники на основе тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

Целью работы является установление зависимости скорости вакуумно-плазменного травления сегнетоэлектрических пленок ЦТС в режимах реактивно-ионного и ионно-лучевого травления от критических параметров процесса травления, исследование влияния процессов травления на деградацию электрических свойств пленок (диэлектрическая проницаемость, остаточная поляризация, коэрцитивное поле) и поиск способов восстановления исходных свойств. Проведение послойного препарирования ИС с сегнетоэлектрическими гетероструктурами в рамках технологии анализа отказов и исследование конструкторско-технологических особенностей элементов и устройств микро- и наноэлектроники на основе тонких пленок ЦТС.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие основные научно-технические задачи:

1. Изучить влияние различных параметров процесса РИТ (состав реакционной смеси газов, вкладываемая мощность ВЧ генератора, давление, температура) на скорость травления пленок ЦТС.

2. Определить влияние угла падения пучка ионов в процессе ИЛТ на скорость травления и морфологию поверхности пленок ЦТС с различной микроструктурой.

3. Исследовать влияние процессов ВПТ на электрические характеристики плёнок ЦТС и возможность регенерации свойств путём термического отжига. Выработать рекомендации по нивелированию негативного влияния процессов ВПТ при формировании структур на основе сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

4. В рамках технологии анализа отказов модифицировать методику послойного препарирования интегральных схем с сегнетоэлектрическими гетероструктурами и исследовать конструкторско-технологические особенности современных коммерчески доступных образцов СЗУ.

Личный вклад автора

Автору принадлежат основные идеи, положенные в основу работы. В диссертации использованы только те результаты, в получении и интерпретации которых автору принадлежит определяющая роль. Исследования микроструктуры образцов на растровом электронном и атомно-силовом микроскопах, вакуумно-плазменное травление (в разных режимах и при различных параметрах процесса), измерение основных электрических характеристик тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС и анализ полученных результатов проведены лично автором.

Поиск, отбор, послойное препарирование в рамках технологии анализа отказов и исследование конструкторско-технологических особенностей современных образцов интегральных схем с СЗУ различных производителей выполнены лично автором.

Серия тонкопленочных структур ЦТС изготовлена золь-гель методом на кремниевых пластинах в НОЦ «Технологический центр» РТУ МИРЭА.

Апробация работы

Результаты работы прошли апробацию на следующих международных и российских конференциях: Международная научно-практическая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC), 2013, 2014, 2015, 2016, 2017, Россия, Москва; 2-й Международный форум по электронно-лучевым технологиям для микроэлектроники - «Техноюнити - ЭЛТМ», 2017, Россия, Москва; Международной конференция «Микро- и наноэлектроника - 2018» (ICMNE-2018), включающая расширенную сессию «Квантовая информатика» 2018), 2018, , Россия, г. Звенигород; Научно-техническая конференция МИРЭА 2014, 2015, 2016, 2017, Россия, Москва; Российская научно-техническая конференция с международным участием «Информатика и технологии. Инновационные технологии в промышленности и информатике» (РНТК ФТИ - 2018, 2019), 2018, 2019 Россия, Москва.

Защищаемые положения

1. Совокупность полученных экспериментальных зависимостей процесса ВПТ при различных параметрах обеспечивает решение задач по формированию различных элементов и структур на основе пленок ЦТС в технологических процессах полупроводникового производства. При реактивно-ионном травлении пленок ЦТС наибольшая скорость травления

-5

достигнута в реакционной смеси газов SF6:Q2:Ar/5:25:10 ст. см/мин, увеличение давления в реакционной камере приводит к снижению скорости, а повышение прикладываемой мощности ВЧ генератора и температуры процесса увеличивают скорость травления.

2. Угол падения ионного пучка в процессе ИЛТ определяет скорость травления пленок ЦТС, а в случае травления пористых пленок -морфологию приповерхностного слоя и позволяет осуществлять планаризацию поверхности пористых пленок ЦТС.

3. Процессы ВПТ (РИТ и ИЛТ) сегнетоэлектрических пленок ЦТС приводят к образованию приповерхностного нарушенного слоя, что вызывает деградацию их электрических характеристик. Дополнительный термический отжиг при температурах первичной кристаллизации эффективен для восстановления электрических свойств после проведения процесса РИТ, однако не может быть использован после применения ИЛТ.

4. Использование РИТ до стадии финишной кристаллизации пленок ЦТС для формирования структур на их основе с последующей кристаллизацией позволяет исключить влияние процесса травления на электрические характеристики конечных сегнетоэлектрических структур.

5. Процесс ИЛТ позволяет последовательно и прецизионно удалять слои сегнетоэлектрических гетероструктур, что дает возможность модифицировать существующие методики послойного препарирования интегральных схем для анализа отказов устройств микроэлектроники с сегнетоэлектрическими элементами.

Научная новизна

1. Впервые получена совокупность экспериментальных данных по влиянию параметров процессов ВПТ в режимах РИТ и ИЛТ на скорость травления сегнетоэлектрических пленок ЦТС с различной микроструктурой.

2. Впервые методом ИЛТ реализован процесс планаризации поверхности пористых сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

3. Установлено, что процессы ВПТ приводят к деградации электрических характеристик сегнетоэлектрических пленок ЦТС, которые в случае применения режима РИТ могут быть восстановлены дополнительным термическим отжигов.

4. Впервые показано, что проведение процесса реактивно-ионного травления пленок ЦТС до стадии финишной кристаллизации позволяет избежать деградации их электрических свойств.

Практическая значимость защищаемых положений и других результатов работы:

1. Совокупность полученных экспериментальных зависимостей скорости травления тонких пленок ЦТС с различной микроструктурой от параметров процесса ВПТ, а также их влияние на электрические свойства сегнетоэлектрических пленок могут быть использованы при проектировании и разработке технологических операций формирования различных функциональных элементов и структур микро- и наноэлектроники на основе сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

2. Предложенный метод формирования сегнетоэлектрических структур путем проведения РИТ аморфных пленок ЦТС с последующей их кристаллизацией может быть использован в технологических процессах изготовления интегрированных сегнетоэлектрических устройств, в том числе с использованием процессов самосовмещения без применения дополнительных литографических операций (в данный момент разработка находится на этапе патентования).

3. Результаты анализа конструкторско-технологических особенностей современных коммерчески доступных ИС с сегнетоэлектрическими гетероструктурами могут быть использованы при разработке отечественных сегнетоэлектрических устройств памяти.

4. Модифицированная методика послойного препарирования кристаллов ИС с сегнетоэлектрическими гетероструктурами позволяет проводить анализ отказов, в том числе локализацию отказов различного типа, и, тем самым, увеличить процент выхода годной продукции.

Таким образом, результаты диссертационной работы могут быть использованы при проектировании различных устройств микро- и наноэлектроники, в том числе элементов СЗУ и МЭМС на основе тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС, разработке и отладке технологических процессов их производства, а также проведении анализа отказов конечных устройств.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 15 статьях в рецензируемых отечественных и международных научных журналах, из них 8 работ в журналах из списка, рекомендованного ВАК РФ и индексируемых зарубежных журналах. Список представлен в конце автореферата.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка использованных источников, включающего 188 наименований. Объем диссертации составляет 178 страниц текста, включая 80 иллюстрации и 10 таблиц.

Глава I. Свойства, методы формирования и области применения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС

1.1. Сегнетоэлектрические материалы и их свойства

Впервые сегнетоэлектрические свойства были обнаружены Валашеком в 1921 году у сегнетовой соли NaKC4H4O6•4H2O [1]. В ходе экспериментов были зарегистрированы и описаны петли диэлектрического гистерезиса, сегнетоэлектрические фазовые переходы и наличие электрического дипольного момента при отсутствии внешнего электрического поля. Однако наиболее важным в развитии сегнетоэлектричества стало открытие в 1940-ых годах сегнетоэлектрических свойств в керамических образцах титаната бария (BaTЮз), не имеющих водородных связей (рис. 1.1.1). Данное открытие показало наличие сегнетоэлектрических свойств в перовскитных оксидных веществах с общей формулой ABOз, что значительно продвинуло теорию сегнетоэлектричества и привело к бурным исследованиям практического применения подобных материалов.

Рисунок 1.1.1. Схематичное изображение кристаллической решетки перовскита (а) и петли диэлектрического гистерезиса (б) при приложении электрического поля [2].

В настоящее время известно более 700 соединений, в том числе твердых растворов на их основе, имеющих разнообразный химический состав и кристаллическое строение и обладающих сегнетоэлектрическими

свойствами. Данные материалы представляют большой интерес прикладногои технического характера благодаря своим высоким значениям диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации, пьезомодуля, они проявляют электрооптические и пироэлектрические эффекты. Характерные для объемных материалов сегнетоэлектрические свойства сохраняются и в тонких пленках аналогичного состава, что привело к их широкому применению во многих областях микро- и наноэлектроники: энергонезависимой памяти (сегнетоэлектрические запоминающие устройства - СЗУ), МЭМС (акселерометры, акустические датчики, микронасосы, шаговые двигатели), пиродатчиках, элементах СВЧ-электроники (фазовращателей, фильтров, фазированных антенных решетках), устройствах интегральной оптики [3,4] (рис. 1.1.2). Для создания компонентов функциональной СВЧ-электроники, в том числе элементов ФАР, фильтров и фазовращателей, наиболее удобной является планарная структура, при которой переключение поляризации в сегнетоэлектрической тонкой пленке происходит не как в большинстве устройств - перпендикулярно, а в плоскости пленки [3].

Широкий диапазон использования тонких сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе в электронике привел к активному исследованию особенностей проявления сегнетоэлектрических свойств в тонкопленочных структурах. Согласно результатам данных исследований свойства тонких пленок (толщиной менее 1 мкм) значительно отличаются от свойств объемных материалов, в том числе и толстых пленок (толщиной в десятки мкм и более). Так по сравнению с объемными материалами в сегнетоэлектрических тонких пленках происходит изменение фазовой диаграммы, приводящее к атипичным зависимостям электрофизических параметров (остаточной поляризации, диэлектрической проницаемости, коэрцитивного поля и т.д.) от толщины пленок [2,5-11]. Данные изменения в первую очередь связывают с наличием на границе раздела пленка/подложка механических напряжений из-за несоответствия параметров кристаллических

решеток, с образованием структурных дефектов (вакансии, дислокации), а также физическими явлениями на границе раздела пленка-электрод [12].

Рисунок 1.1.2. Основные области применения сегнетоэлектриков (ИК инфракрасный; ПАВ - поверхностные вкустические волны) [2-4,9,13,14].

Для применений в электронике наиболее перспективными среди сегнетоэлектрических материалов оказались тонкие пленки на основе титаната бария (BaTiO3), титаната бария-стронция (BaxSr1-xTiO3 - БСТ), цирконата-титаната свинца (Pb(ZrxTi1-x)O3 - ЦТС), сложные оксиды танталатов и ниобатов висмута-стронция (SrBi2Ta2O9 - ТВС, SrBi2Nb2O9 -НВС), а так же их твердых растворов (SrBi2(Ta2-xNbx)O9). Пленки ТВС и НВС относятся к слоистым перовскитам, у которых слои SrTa2O6 или SrNb2O6 разделены слоем Bi2O3. Подобная кристаллическая структура обеспечивает сегнетоэлектрические свойства (остаточная поляризация пленок лежит в

диапазоне 2-30 мкКл/см2) и отсутствие эффекта усталости при многократных переключениях пленок. Важным экологическим преимуществом является отсутствие в составе свинца, однако существенным ограничением является высокая температура кристаллизации слоистых перовскитов (около 850°С). Столь высокие температуры вызывают серьезные проблемы в процессе интеграции подобных материалов, связанные с взаимодиффузией элементов, механическими напряжениями, разгонкой ионно-имплантированных областей и пр.

Пленки ЦТС обладают более высокими значениями остаточной

л

поляризации (10-40 мкКл/см) и при этом существенно более низкой температурой кристаллизации перовскитной фазы (обычно 550- 650°С) [ ]. Из-за высокой летучести паров PbO в процессе синтеза используют добавление некоторого избыточного количества оксида свинца [15,16]. Благодаря высоким сегнетоэлектрическим, пьезоэлектрическим и пироэлектрическим свойствам пленки ЦТС получили широкое распространение при создании различных устройств.

1.2. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС и структур на их основе

1.2.1. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок

ЦТС

Одной из основных проблем интеграции сегнетоэлектрических материалов является формирование тонких пленок. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок можно разделить на два типа: химические и физические. К химическим относятся методы химического осаждения из растворов (CSD - Chemical Solution Deposition) или из газовой фазы (CVD - Chemical Vapor Deposition). Физические методы основаны на распылении мишени в вакууме (PVD - Physical Vapour Deposition) с последующим осаждением на подложку, представляющей собой стехиометрическую смесь оксидов или сложных оксидных соединений (см. напр. [17]). К физическим методам осаждения можно отнести магнетронное,

14

электронное, термическое и лазерное распыление. Каждая из представленных методик имеет свои преимущества и недостатки, однако каждая из них должна обеспечивать высокую степень контроля стехиометрического состава, однородности и повторяемости процесса формирования пленок. Остановимся подробнее на формировании пленок по технологии химического осаждения из растворов, т.к. она имеет непосредственное отношение к данной работе.

Технология химического осаждения из растворов предполагает формирование слоя из пленкообразующего раствора металлорганических соединений и включает целую группу методов: золь-гель метод, метод разложения металлорганических соединений, нанесение из суспензий и другие. Наибольшим потенциалом обладает золь-гель метод, использующий реакции поликонденсации алкоксидов металлов с образованием пространственного металл-кислородного каркаса [18]. Данный метод обеспечивает сохранение стехиометрического соотношения элементов и относительно низкотемпературный режим формирования оксидных фаз формируемых пленок (ЦТС и БСТ) [4,13]. Тонкие пленки данным методом могут быть нанесены путем центрифугирования раствора (spin-on) или методом вытягивания из раствора (рис. 1.2.1) [13].

а) б)

Рисунок 1.2.1. Процесс нанесения пленок золь-гель методом (а центрифугирование, б - вытягивание из раствора) [19].

Основные стадии формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС золь-гель методом показаны на рисунке 1.2.2.

Для производства и исследования тонких пленок ЦТС золь-гель методом наиболее широко используются прекурсоры на основе алкоголятов циркония, титана и ацетата свинца [3,4,13,18,20]. Существенным ограничением данного метода является невоспроизводимость свойств пленки при нарушении процесса синтеза и условий хранения прекурсоров, что обусловлено высокой склонностью компонентов раствора к гидролизу. Существует несколько подходов решения данной проблемы. Для предотвращения преждевременного гидролиза и конденсации чувствительных к влаге алкоголятов в процессе приготовления раствора проводится дегидратация тригидрата ацетата свинца [18,20,21]. Однако процессы дегидратации не позволяют полностью удалить воду, помимо этого они могут привести к частичному разложению ацетата свинца или замещению ацетатных групп на метилцеллозольватные, что значительно снижает способность дальнейшего комплесообразования с алкоголятами титана (Л) и циркония ^г) [18].

Другим возможным методом является использование вместо изопропилатов Л и 7г, метилцелозольватов данных соединений, полученных методом прямого анодного растворения металлов в метилцеллозольве [22]. Результатом данного процесса является формирование оксоалкоголятов, которые являются предшественниками оксидных фаз, что обеспечивает стабильность пленкообразующей системы и низкие температуры кристаллизации.

В качестве растворителя обычно используют метилцеллозольв, хорошо растворяющий продукты гидролиза, однако возможно использование его гомологов, напр. бутилцеллозольва, что не оказывает принципиального влияния на свойства пленок [3].

Рисунок 1.2.2. Основные этапы формирования пленок ЦТС по технологии химического осаждения из раствора золь-гель методом [3].

Одной из актуальных задач формирования пленок ЦТС для МЭМС устройств является модификация золь-гель метода для получения пленок толщиной 1-5 мкм [23-25]. Формирование пленок подобной толщины ограничено растрескиванием пленок вследствие возникающих механических напряжений. Наиболее эффективным способом увеличения толщины формируемой пленки является увеличение вязкости пленкообразующего раствора путем введения порогенов - органических полимеров, подвергающихся деструкции при отжиге и в результате образующих поры на которых происходит релаксация механических напряжений [23-30]. В качестве порогенов о используют диэтаноламин, поливиниловый спирт, полиэтиленгликоль, однако наибольшее распространение получил поливинилпирролидон (ПВП) [23-30]. В зависимости от молекулярной массы ПВП (25 000-1 500 000) возможно получение пор различного размера, формы [23-25].

Процесс формирования сегнетоэлектрических пленок помимо стадии нанесения жидкофазного прекурсора включает три стадии термической обработки - сушку, пиролиз и отжиг. Сушка проводится с целью удаления органического растворителя, и при использовании золь-гель метода для повышения однородности формируемых пленок проводить её желательно после нанесения каждого слоя. Зачастую для этого используются ИК-сушка, обеспечивающая равномерное удаление растворителя и продуктов реакций, или широко применяемая в полупроводниковой индустрии сушка на нагретой плитке (hot plate) с температурой процесса 150 -250°С. Последующая стадия отжига при 350 - 500°С предназначена для пиролиза остатков растворителя, конденсации и уплотнения структуры формируемой пленки. Данный этап формирования пленки имеет большое значение, поскольку он в значительной степени определяет структурное качество сегнетоэлектрической пленки. Температура прокаливания должна быть достаточно высокой, чтобы пиролизу подверглись все органические остатки (300-400°C), в противном случае остатки органических веществ могут привести к структурным дефектам. Однако при повышении температуры выше критического значения возможно формирование паразитной фазы, такой как пирохлор в случае ЦТС. Кроме того, температура при пиролизе может влиять и на дальнейшую кристаллографическую ориентацию пленок ЦТС [19]. Как правило пиролиз проводится после нанесения каждого слоя. Заключительной стадией является кристаллизация пленок при температуре 600-700 С. Эта операция проводится после каждого нанесения или после нанесения и сушки ряда слоев (обычно пяти). Оптимальной температурой отжига является обработка при температуре 600-650С [31-34]. Толщина одного слоя после завершения всех этапов обычно составляет около 50 нм и зависит от параметров пленкообразующего раствора (вязкость, скорость испарения) и скорости центрифугирования [19].

В процессе кристаллизации пленок ЦТС в зависимости от условий и изначального состава пленкообразующего раствора могут формироваться две

фазы с различным типом кристаллической решетки -несегнетоэлектрическая фаза пирохлора (Py) с кубической симметрией кристаллической решетки и сегнетоэлектрическая фаза перовскита (Pe) с тетрагональной симметрией кристаллической решетки. Наилучшие электрофизические свойства демонстрируют пленки ЦТС с выраженной преимущественной ориентацией (обычно {111} или {100}). На рисунке 1.2.3 представлены ПЭМ-изображения и схемы вертикальных сечений структуры ^C-Pt-TiO2-SiO2-Si при температурах кристаллизации 550, 600 и 900°С. На них видно, что при температуре 550°С происходит зарождение зерен перовскитной фазы, имеющих округлую форму и прорастающих от поверхности платины, наследуя ее ориентацию {111}, но лишь на половину толщины плёнки. Помимо этого в объеме пленки также происходит зарождение кристаллитов, но значительно меньшего размера (2-15 нм), при этом происходит формирование как перовскитной фазы, так и пирохлорной [34]. Данный результат подтверждается и электрофизическими измерениями сегнетоэлектрических петель гистерезиса и диэлектрической проницаемости, представленных в работе [31], из которых следует, что пленки ЦТС, кристаллизованные при 550°С, демонстрируют слабо выраженные петли диэлектрического гистерезиса.

Пленки ЦТС кристаллизованные в диапазоне 600-700°С обладают характерными для сегнетоэлектриков петлями гистерезиса и ВФХ. Однако с ростом температуры наблюдается уменьшение величины остаточной поляризации и прямоугольности петель гистерезиса, но для пленок с температурой кристаллизации 600°С токи утечки на порядок выше, что и приводит к выводу, что оптимальной является температура кристаллизации 650°С [31]. Данные выводы соответствуют микроскопическим исследования, из которых следует, что при температуре отжига 600°С зерна Pe фазы прорастают на всю толщину плёнки (рис. 1.2.3 в, г), при этом концентрация Py фазы существенно уменьшается и при T = 700°C практически исчезает. Однако в то же время наблюдается увеличение доли зёрен Pe фазы с

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Абдуллаев Даниил Анатольевич, 2019 год

Список литературы

1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. - М.: Мир. 1978. 789 c.

2. Nuraje N., Su K. Perovskite ferroelectric nanomaterials. // Nanoscale. 2013. v. 5. № 19. P. 8752-8780.

3. Воротилов, К. А., Мухортов, В. М., Сигов А.С. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Монография / под. ред.. чл.-корр. РАН Сигова А.С. - М.: Энергоатомиздат. 2011. 175 c.

4. Setter N., Damjanovic D., Eng L., Fox G., Gevorgian S., Hong S., Kingon A., Kohlstedt H., Park N.Y., Stephenson G.B., Stolitchnov I., Taganstev A.K., Taylor D. V., Yamada T., Streiffer S. Ferroelectric thin films: Review of materials, properties, and applications // J. Appl. Phys. 2006. v. 100. № 5.

5. Pertsev N.A., Zembilgotov A.G., Tagantsev A.K. Effect of Mechanical Boundary Conditions on Phase Diagrams of Epitaxial Ferroelectric Thin Films // Phys. Rev. Lett. 1998. v. 80. № 9. P. 1988-1991.

6. Ban Z.-G., Alpay S.P. Phase diagrams and dielectric response of epitaxial barium strontium titanate films: A theoretical analysis // J. Appl. Phys. 2002. v. 91. № 11. P. 9288-9296.

7. Давитадзе С.Т., Струков Б.А., Высоцкий Д.В., Леманов В.В., Шульман С.Г. Фазовый переход в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках по данным тепловых измерений// Физика твердого тела. 2008. т. 50. № 12. с. 2206-2209.

8. Подгорный Ю., Воротилов К., Серегин Д., Сигов А., Охапкин В. Влияние толщины сегнетоэлектрических пленок ЦТС на свойства петель диэлектрического гистерезиса// Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2011. т. 11. № 1. с. 59-62.

9. Scott J.F., Morrison F.D., Miyake M., Zubko P., Lou X., Kugler V.M., Rios S., Zhang M., Tatsuta T., Tsuji O., Leedham T.J. Recent materials characterizations of [2D] and [3D] thin film ferroelectric structures // J. Am. Ceram. Soc. 2005. v. 88. № 7. P. 1691-1701.

10. Сидоркин А.С., Солодуха А.М., Нестеренко Л.П., Рябцев С.В.,

Бочарова И.А., Смирнов Г.Л. Диэлектрические свойства тонких пленок PbTiO3 // Физика Твердого Тела. 2004. т. 46. № 10. с. 1841-1844.

11. Сидоркин А.С., Сигов А.С., Ховив А.М., Яценко С.О., Яценко О.Б. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца // Физика Твердого Тела. 2000. т. 42. № 4. с. 727-732.

12. Pronin I.P., Kaptelov E.Y., Senkevich S.V., Sergeeva O.N., Bogomolov A.A., Kholkin A.L. Electrical properties of heterophase PZT thin films with excess lead oxide // Integr. Ferroelectr. 2009. v. 16. № 1. P. 81-93.

13. Mishra A.K. Smart Ceramics: Preparation, Properties, and Applications. Pan Stanfo. 2018. 481 p.

14. Defay E. Ferroelectric Dielectrics Integrated on Silicon. - John Wiley & Sons. 2013. 457 p.

15. Osipov V. V., Kaptelov E.Y., Senkevich S. V., Kiselev D.A., Pronin I.P. The study of self-poled PZT thin films under variation of lead excess // Ferroelectrics. 2018. v. 525. № 1. P. 76-82.

16. Sigov A.S., Vorotilov K.A., Zhigalina O.M. Effect of lead content on microstructure of sol-gel PZT structures // Ferroelectrics. 2012. v. 433, № 1. P. 146-157.

17. Kamenshchikov M. V., Solnyshkin A. V., Bogomolov A.A., Pronin I.P. Electrical conduction mechanisms in PZT thin films deposited by RF magnetron sputtering method // Ferroelectrics. 2013. v. 442. № 1. p. 6.

18. Котова Н.М., Воротилов К.А., Серегин Д.С., Сигов А.С. Роль прекурсоров в процессе формирования тонких пленок цирконата-титаната свинца // Неорганические Материалы. 2014. т. 50. № 6. 6 с.

19. Defay E. Integration of Ferroelectric and Piezoelectric Thin Films: Concepts and Applications for Microsystems. - John Wiley & Sons. 2013.

20. Schneller T., Waser R. Chemical modifications of Pb(Zr0.3,Ti0.7)O3 precursor solutions and their influence on the morphological and electrical properties of the resulting thin films // J. Sol-Gel Sci. Technol. 2007. v. 42. № 3. P. 337352.

21. Yanovskaya M.I., Obvintseva I.E., Solovyova L.I., Kovsman E.P., Vorotilov K.A., Vasilyev V.A. Alkoxy-derived ferroelectric PZT films: The effect of lead acetate dehydration techniques and lead content in the electrochemically prepared solutions on the properties of the films // Integr. Ferroelectr. 1998. v. 19. № 1-4. P. 193-209.

22. Yanovskaya M.I., Solov'eva L.I., Kovsman E.P., Obvinzeva I.E., Vorotilov K.A., Turova N.Y. Anodic dissolution of metals in methoxyethanol - a way to new precursors for sol-gel technology // Integr. Ferroelectr. 1994. v. 4. P. 275-279.

23. Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Серегин Д.С., Котова Н.М., Воротилов К.А. Особенности микроструктуры пористых пленок ЦТС // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2013. т. 2. с. 82-86.

24. Серегин Д.С., Воротилов К.А., Сигов А.С., Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Котова Н.М., Вишневский А.С. Формирование и свойства пористых пленок цирконата-титаната свинца // Физика твердого тела. 2015. т. 57. № 3. с. 487-490.

25. Зубкова Е.Н., Абдуллаев Д.А., Серегин Д.С., Котова Н.М., Воротилов К.А. Пленки пористой сегнетоэлектрической керамики: формирование и свойства. // 63 Научно-техническая конференция МИРЭА. 2014. с. 96.

26. Yu S., Yao K., Shannigrahi S., Hock F.T.E. Effects of poly(ethylene glycol) additive molecular weight on the microstructure and properties of sol-gel-derived lead zirconate titanate thin films // J. Mater. Res. 2003. v. 18. № 03. P. 737-741.

27. Chang T.I., Wang S.C., Lin C.F., Huang J.L. Effects of Pva adding on the microstructure and composition of sol-gel derived PZT films // Integr. Ferroelectr. 2006. v. 85. № 1. P. 129-138.

28. Stancu V., Lisca M., Boerasu I., Pintilie L., Kosec M. Effects of porosity on ferroelectric properties of Pb(Zr0 2Ti0 8)O3 films // Thin Solid Films. 2007. v. 515. № 16. P. 6557-6561.

29. Oh S.-M., Kang M.-G., Do Y.-H., Kang C.-Y., Yoon S.-J., Nahm S. Fabrication of 1 ц Thickness Lead Zirconium Titanate Films Using Poly(N-vinylpyrrolidone) Added Sol-gel Method // Trans. Electr. Electron. Mater. 2011. v. 12. № 5. P. 222-225.

30. Yamano A., Takata K., Kozuka H. Ferroelectric domain structures of 0.4-цт-thick Pb(Zr,Ti)O3 films prepared by polyvinylpyrrolidone-assisted SolGel method // J. Appl. Phys. 2012. v. 111. № 5. P. 054109.

31. Серегин Д.С. Влияние температуры кристаллизации на электрофизические свойства пленок ЦТС // Нано- и микросистемная техника. 2010. № 7. c. 19-22.

32. Воротилов К.А., Сигов А.С. Влияние температуры отжига на структуру тонких пленок ЦТС // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2009. c. 7-11.

33. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Серегин Д.С. Наноструктурные особенности сегнетоэлектрических композиций, сформированных при различных температурах отжига слоя ЦТС // Наноматериалы и наноструктуры-XXI век. 2010. т. 1. № 2. с. 27-32.

34. Воротилов К.А., Жигалина О.М., Подгорный Ю.В., Серегин Д.С., Сигов А.С. Особенности процессов кристаллизации сегнетоэлектрика в многослойных наноразмерных гетероструктурах // Наноматериалы и наноструктуры-XXI век. 2012. т. 3. № 1. с. 3-14.

35. Елшин А.С., Фирсова Н.Ю., Мишина Е.Д., Абдуллаев Д.А., Киселев Д.А. Локальный отжмг сегнетоэлектрических тонких пленок фемтосекундным лазерным излучением // Российский технологический журнал. 2014. т. 3. № 4. с. 230-241.

36. Елшин А.С., Абдуллаев Д.А., Мишина Е.Д. Зависимость оптимальных параметров фемтосекундного лазерного отжига пленок цирконата-титанана свинца от их толщины. //Физика твердого тела. 2016. т. 58. № 6. с. 1118-1123.

37. Хмеленин Д.Н., Жигалина О.М., Воротилов К.А., Лебо И.Г., Шубникова

161

А.В. Кристаллизация пленок цирконата-титаната свинца с помощью лазерного отжига // Физика Твердого Тела. 2012. т. 54. № 5. с. 939-941.

38. Pan H.-C., Chou C.-C., Tsai H.-L. Low-temperature processing of sol-gel derived Lao.5Sr0.5MnO3 buffer electrode and PbZr0.52Ti048O3 films using CO2 laser annealing // Appl. Phys. Lett. 2003. v. 83. № 15. P. 3156-3158.

39. Абдуллаев Д.А., Зубкова Е.Н., Воротилов К.А. Реактивно-ионное травление пленок цирконата-титаната свинца (обзор) // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 1. c. 19-26.

40. Puliyalil H., Cvelbar U. Selective Plasma Etching of Polymeric Substrates for Advanced Applications // Nanomaterials. 2016. v. 6. № 6. P. 108.

41. Гальперин В.А., Данилкин Е.В., Молчанов А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2013. 283 p.

42. Lu J., Zhang Y., Ikehara T., Itoh T., Maeda R., Mihara T. Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching of Lead Zirconate Titanate Thin Films for MEMS Application // IEEJ Trans. Sensors Micromachines. 2009. v. 129. № 4. P. 105-109.

43. Yeh T.-H., Suresh M.B., Shen J.-N., Yu J.-C., Chou C.-C. Chemical Reactions During Wet-Etching Process of LSMO/PZT/LSMO-Structured Device Fabrication // Ferroelectrics. 2009. v. 380. № 1. P. 97-101.

44. Cai C., Huang J., Zhai Y., Ma W., Liu W. Patterning of PZT thin films // Chiese Opt. Lett. 2010. v. 8. № S1. P. 210-212.

45. Che L., Halvorsen E., Chen X. An optimized one-step wet etching process of Pb(Zr0.52Ti048)O3 thin films for microelectromechanical system applications// J. Micromechanics Microengineering. 2011. v. 21. № 10. P. 105008.

46. Sivapurapu A. Piezoelectrically-Transduced Silicon Micromechanical Resonators // dis. - Georg. Inst. Technol. 2005.

47. Park J.C., Hwang S., Kim J.-M., Kim J.K., Yun Y.-H., Shim K.B., Cho H. Comparison of chlorine- and fluorine-based inductively coupled plasmas for the dry etching of PZT films // J. Ceram. Process. Res. 2009. v. 10. № 5.

P. 700-704.

48. Lee J.K., Kim T.-Y., Chung I., Desu S.B. Characterization and elimination of dry etching damaged layer in Pt/Pb(Zr0.53Ti047)O3/Pt ferroelectric capacitor // Appl. Phys. Lett. 1999. v. 75. № 3. P. 334-336.

49. Chung C.W., Byun Y.H., Kim H.I. Inductively coupled plasma etching of a Pb(ZrxTi1-x)O3 thin film in a HBr/Ar plasma // Microelectron. Eng. 2002. v. 63. № 4. P. 353-361.

50. Kokaze Y., Kimura I., Jimbo T., Endo M., Ueda M., Suu K. Development of deposition and etching technologies for piezoelectric elements for ferroelectric MEMS // ULVAC Tech. J. 2007. № 66E. P. 13-20.

51. Dudde R., Kaden D., Quenzer H., Wagner B. Preparation of functional PZT Films on 6'' and 8'' Silicon Wafers by High Rate Sputtering // NSTI-Nanotech. 2010. v. 2. P. 348-351.

52. Kang M.-G., Kim K.-T., D.-P. K., Kim C.-I. Reduction of dry etching damage to PZT films etched with a Cl-based plasma and the recovery behavior // J. Korean Phys. Soc. 2002. v. 41. № 4. P. 445-450.

53. Subasinghe S.S., Goyal A., Tadigadapa S.A. High aspect ratio plasma etching of bulk lead zirconate titanate / ed. Maher M.-A., Stewart H.D., Chiao J.-C. 2006. P. 61090D.

54. Gosset N., Boufnichel M., Bahette E., Khalfaoui W., Ljazouli R., Grimal-Perrigouas V., Dussart R. Single and multilayered materials processing by argon ion beam etching: study of ion angle incidence and defect formation // J. Micromechanics Microengineering. 2015. v. 25. № 9. P. 095011.

55. Soyer C., Cattan E., Remiens D., Guilloux-Viry M. Ion beam etching of lead-zirconate-titanate thin films: Correlation between etching parameters and electrical properties evolution // J. Appl. Phys. 2002. v. 92. № 2. P. 1048-1055.

56. Seniutinas G., Balcytis A., Nishijima Y., Nadzeyka A., Bauerdick S., Juodkazis S. Ion beam lithography with gold and silicon ions // Appl. Phys. 2016. v. 122. № 4. P. 383.

57. Bassim N., Scott K., Giannuzzi L.A. Recent advances in focused ion beam technology and applications // MRS Bull. 2014. v. 39. № 04. P. 317-325.

58. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithography// J Nanotechnol. 2014. v. 2014. P. 1-26.

59. Shi X., Prewett P., Huq E., Bagnall D.M., Robinson A.P.G., Boden S.A. Helium ion beam lithography on fullerene molecular resists for sub-10nm patterning // Microelectron. Eng. 2016. v. 155. P. 74-78.

60. Hutsch J., Lilleodden E.T. The influence of focused-ion beam preparation technique on microcompression investigations: Lathe vs. annular milling // Scr. Mater. 2014. v. 77. P. 49-51.

61. Stanishevsky A. V. Focused ion beam nanofabrication technology // Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology. 2004. v. 3. № 483. P. 469-483.

62. Abdullaev D., Milovanov R., Zubov D. Resistless lithography - selective etching of silicon with gallium doping regions. 2016. v. 10224. P. 102241P.

63. Sigov A.S., Mishina E.D., Mukhortov V.M. Thin ferroelectric films: Preparation and prospects of integration // Phys. Solid State. 2010. v. 52. № 4. P. 762-770.

64. Remiens D., RuiHong L., Troadec D., Deresmes D., Soyer C., DaCosta A., Desfeux R. Piezoelectric response of PZT nanostructures obtained by focused ion beam // Integr. Ferroelectr. 2008. v. 100. № 1. P. 16-25.

65. Милованов Р.А., Ерофеева Е.В. Современные и перспективные ионные источники с фокусированным ионным пучком// Нано- и микросистемная техника. 2015. № 11. c. 20-39.

66. Bischoff L., Mazarov P., Bruchhaus L., Gierak J. Liquid metal alloy ion sources - An alternative for focussed ion beam technology // Appl. Phys. Rev. 2016. v. 3. № 2. P. 021101.

67. Henry M.D., Shearn M.J., Chhim B., Scherer A. Ga+ beam lithography for nanoscale silicon reactive ion etching// Nanotechnology. 2010. v. 21. № 24. P.245303.

68. Seniutinas G., Balcytis A., Nishijima Y., Nadzeyka A., Bauerdick S., Juodkazis S. Ion beam lithography with gold and silicon ions// Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. 2016. v. 122. № 4. P. 2-7.

69. Llobet J., Sansa M., Borrise X., Perez-Murano F., Gerboles M. Fabrication of functional electromechanical nanowire resonators by focused ion-beam (FIB) implantation // J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS. 2015. v. 14. № 3. P. 031207.

70. McKenzie W., Pethica J., Cross G. A direct-write, resistless hard mask for rapid nanoscale patterning of diamond // Diam. Relat. Mater. 2011. v. 20. № 5-6. P. 707-710.

71. Bobrinetskii I.I., Nevolin V.K., Tsarik K.A., Chudinov A.A. A Distribution of Ga+ Ions in a Silicon Substrate for Nano Dimensional Masking. 2014. v. 43. № 1. P. 23-28.

72. Kawasegi N., Morita N. Three-Dimensional Lithography Using Combination of Nanoscale Processing and Wet Chemical Etching// Updates in Advanced Lithography. 2013.

73. Schmidt B., Oswald S., Bischoff L. Etch Rate Retardation of Ga+-Ion Beam-Irradiated Silicon // J. Electrochem. Soc. 2005. v. 152. № 11. P. G875.

74. Liu Z., Iltanen K., Chekurov N., Grigoras K., Tittonen I. Aluminum oxide mask fabrication by focused ion beam implantation combined with wet etching // Nanotechnology. 2013. v. 24. № 17. P. 175304.

75. Fang H.C., Huang J.H., Chu W.H., Liu C.P. Ga+ focused-ion-beam implantation-induced masking for H2 etching of ZnO films // Nanotechnology. 2010. v. 21. № 50. P. 505703

76. Leonhardt A., Puydinger dos Santos M.V., Diniz J.A., Manera L.T., Lima L.P.B. Ga+ focused ion beam lithography as a viable alternative for multiple fin field effect transistor prototyping // J. Vac. Sci. Technol. B, Nanotechnol. Microelectron. Mater. Process. Meas. Phenom. 2016. v. 34. № 6. P. 06KA03.

77. Tripathi S.K., Scanlan D., O'Hara N., Nadzeyka A., Bauerdick S., Peto L., Cross G.L.W. Resolution, masking capability and throughput for direct-

write, ion implant mask patterning of diamond surfaces using ion beam lithography // J. Micromechanics Microengineering. 2012. v. 22. № 5. P. 055005.

78. Rumler M., Fader R., Haas A., Rommel M., Bauer A.J., Frey L. Evaluation of resistless Ga+ beam lithography for UV NIL stamp fabrication // Nanotechnology. 2013. v. 24. № 36. P. 365302.

79. Rommel M., Rumler M., Haas A., Bauer A.J., Frey L. Microelectronic Engineering Processing of silicon nanostructures by Ga+ resistless lithography and reactive ion etching // Microelectron. Eng. 2013. v. 110. P. 177-182.

80. Chekurov N. Fabrication process development for silicon micro and nanosystems. 2011. 46 p.

81. Sievila P., Chekurov N., Tittonen I. The fabrication of silicon nanostructures by focused-ion-beam implantation and TMAH wet etching// Nanotechnology. 2010. v. 21. № 14. P. 145301.

82. Воротилов К.А., Сигов А.С. Сегнетоэлектрические запоминающие устройства // Физика Твердого Тела. 2012. т. 54. № 5. с. 843-848.

83. Y. Arimoto. Current status of ferroelectric random access memory // Mater. Res. Bull. 2004. v. 29. № 11. P. 823.

84. Ishiwara H., Okuyama M., Arimoto Y. Ferroelectric random access memories : fundamentals and applications. - Springer Science & Business Media. 2004. 290 p.

85. McAdams H.P., Acklin R., Blake T., Du X.-H., Eliason J., Fong J., Kraus W.F., Liu D., Madan S., Moise T., Natarajan S., Qian N., Qiu Y., Remack K.A., Rodriguez J., Roscher J., Seshadri A., Summerfelt S.R. A 64Mb Embedded FRAM Utilizing a 130-nm 5LM Cu/FSG Logic Process// IEEE J. Solid-State Circuits. 2004. v. 39. № 4. P. 667-677.

86. Rodriguez J., Remack K., Gertas J., Wang L., Zhou C., Boku K., Rodriguez-Latorre J., Udayakumar K.R., Summerfelt S., Moise T., Kim D., Groat J., Eliason J., Depner M., Chu F. Reliability of Ferroelectric Random Access

memory embedded within 130nm CMOS // 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium. 2010. P. 750-758.

87. Moise T.S., Summerfelt S.R., McAdams H., Aggarwal S., Udayakumar K.R., Celii F.G., Martin J.S., Xing G., Hall L., Taylor K.J., Hurd T., Rodriguez J., Remack K., Khan M.D., Boku K., Stacey G., Yao M., Albrecht M.G., Zielinski E., Thakre M., et al. Demonstration of a 4 Mb, high density ferroelectric memory embedded within a 130 nm, 5 LM Cu/FSG logic process // Digest. International Electron Devices Meeting. 2002. P. 535-538.

88. Rodriguez J.A., Remack K., Boku K., Udayakumar K.R., Aggarwal S., Summerfelt S.R., Celii F.G., Martin S., Hall L., Taylor K., Moise T., McAdams H., McPherson J., Bailey R., Fox G., Depner M. Reliability Properties of Low-Voltage Ferroelectric Capacitors and Memory Arrays// IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 2004. v. 4. № 3. P. 436-449.

89. Fujitsu Semiconductor Limited. FRAM guide book // Fujitsu. 2005. 46 p.

90. Ho I.M.T., Wen C., Hsiao C., Tang W., De Araujo C.A.P., McMillan L.D. A 1.0 Mbit SBT ferroelectric memory with trinion cell architecture// 2005 NonVolatile Mem. Technol. Symp. NVMTS05. 2005. P. 41-42.

91. Kelsall R.W., Hamley I.W., Geoghegan M. Nanoscale Science and Technology // Nanoscale Science and Technology. 2005. 456 p.

92. Handbook of Microscopy for Nanotechnology// Materials Today. 2005. v. 8. № 8. 51 p.

93. Вознесенский Э.Ф., Шарифуллин Ф.С., Абдуллин И.Ш. Методы структурных исследований материалов. Методы микроскопии: учебное пособие. Казан. нац / под ред. Лыгина д-р геол.-минерал. наук Т.З., Желтухин В.С. д-р физ.-мат. наук. 2014. 184 с.

94. Harrison R.L. Introduction to Monte Carlo simulation // AIP Conference Proceedings. 2009. v. 1204. P. 17-21.

95. Demers H., Poirier-Demers N., Couture A.R., Joly D., Guilmain M., De Jonge N. Three-dimensional electron microscopy simulation with the CASINO Monte Carlo software// Scanning. 2011. v. 33. № 3. P. 135-146.

96. Ding Z.J., Li H.M. Application of Monte Carlo simulation to SEM image contrast of complex structures // Surface and Interface Analysis. 2005. v. 37. № 11. P. 912-918.

97. Vorotilov K., Sigov A., Seregin D., Podgorny Y., Zhigalina O., Khmelenin D. Crystallization behaviour of PZT in multilayer heterostructures // Phase Transitions. 2013. v. 86. № 11. P. 1152-1165.

98. Seregin D.S., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Zubkova E.N., Abdullaev D.A., Kotova N.M., Vishnevskiy A.S. Formation and properties of porous films of lead zirconate titanate // Phys. Solid State. 2015. v. 57. № 3. P. 499-502.

99. Pronin I.P., Kaptelov E.Y., Senkevich S. V., Klimov V.A., Zaitseva N. V., Shaplygina T.A., Pronin V.P., Kukushkin S.A. Crystallization of thin polycrystalline PZT films on Si/SiO2/Pt substrates // Phys. Solid State. 2010. v. 52. № 1. P. 132-136.

100. Vorotilov K.A., Zhigalina O.M., Vasil'ev V.A., Sigov A.S. Specific features of the formation of the crystal structure of lead zirconate titanate in the Si-SiO2-Ti(TiO2)-Pt-Pb(ZrxTi1 - x)O3 systems // Phys. Solid State. 2009. v. 51. № 7. P. 1337-1340.

101. Newnham R.E., Skinner D.P., Cross L.E. Connectivity and piezoelectric-pyroelectric composites // Mater. Res. Bull. 1978. v. 13. № 5. P. 525-536.

102. Zhigalina O.M., Khmelenin D.N., Valieva Y.A., Kolosov V.Y., Bokuniaeva A.O., Kuznetsov G.B., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Structural Features of PLZT Films // Crystallogr. Reports. 2018. v. 63. № 4. P. 646-655.

103. Kukushkin S.A., Tentilova I.Y., Pronin I.P. Mechanism of the Phase Transformation of the Pyrochlore Phase into the Perovskite Phase in Lead Zirconate Titanate Films on Silicon Substrates // Phys. Solide State. 2012. v. 54. № 3. P. 611-616.

104. Hong K., Yu Y.S., Lee S.K. Effect of Bottom Electrode System on Ferroelectric Properties of Sputter Deposited PZT Capacitors// MRS Proc. 1998. v. 541. P. 107.

105. Alexe M., Gruverman A. Nanoscale Characterisation of Ferroelectric

Materials Scanning Probe Microscopy Approach. - Springer Science & Business Media. 2004.

106. Kiselev D.A., Zhukov R.N., Bykov A.S., Malinkovich M.D., Parkhomenko Y.N. Initiation of Polarized State in Lithium Niobate Thin Films Synthesized on Isolated Silicon Substrates // Izv. Vyss. Uchebnykh Zaved. Mater. Elektron. Tekhniki . Mater. Electron. Eng. 2015. № 2. P. 25.

107. Kalinin S., Gruverman A. Scanning probe microscopy // Scanning Probe Microscopy / ed. Kalinin S., Gruverman A. 2007. v. 2. № 4. 980 p.

108. Gruverman A., Rodriguez B.J., Dehoff C., Waldrep J.D., Kingon A.I., Nemanich R.J., Cross J.S. Direct studies of domain switching dynamics in thin film ferroelectric capacitors// Appl. Phys. Lett. 2005. v. 87. № 8. P. 082902.

109. Kalinin S. V, Morozovska A.N., Chen L.Q., Rodriguez B.J. Local polarization dynamics in ferroelectric materials // Reports Prog. Phys. 2010. v. 73. № 5. P. 056502.

110. Girard P. Electrostatic force microscopy: principles and some applications to semiconductors // Nanotechnology. 2001. v. 12. P. 485-490.

111. Атомно-силовая микроскопия [Electronic resource]. 2018. URL: https://www.ntmdt-si.ru/resources/spm-principles/atomic-force-microscopy.

112. Necas D., Klapetek P. Gwyddion: an open-source software for SPM data analysis // Open Phys. 2011. v. 10. № 1. P. 181-188.

113. Yadhuraj S.R., Uttara K. Measurement of thickness and roughness using gwyddion // Adv. Comput. Adv. Comput. Commun. Syst. (ICACCS) - 2016 3rd Int. Conf. 2016. v. 1. P. 1-5.

114. Ho G.K., Abdolvand R., Sivapurapu A., Humad S., Ayazi F. Piezoelectric-on-silicon lateral bulk acoustic wave micromechanical resonators// J. Microelectromechanical Syst. 2008. v. 17. № 2. P. 512-520.

115. Lu J., Ikehara T., Zhang Y., Mihara T., Itoh T., Maeda R. High quality factor silicon cantilever driven by piezoelectric thin film actuator for resonant based mass detection // Microsystem Technologies. 2009. v. 15. № 8. P. 1163.

116. Park J.C., Jeong O.G., Kim J.K., Yun Y.H., Pearton S.J., Cho H. Comparison of chlorine- and fluorine-based inductively coupled plasmas for dry etching of InGaZnO4 films // Thin Solid Films. 2013. v. 546. P. 136-140.

117. Kim C.-I., Kim N.-H., Chang E.-G., Kwon K.-H., Yeom G.-Y., Seo Y.-J. Etching of platinum thin films by high density Ar/Cl2/HBr plasma// Mater. Res. Soc. Symp. - Proc. 1998. v. 514. P. 357.

118. Kokaze Y., Kimura I., Endo M., Ueda M., Kikuchi S., Nishioka Y., Suu K. Dry etching process for Pb(Zr,Ti)O3 thin-film actuators // Japanese J. Appl. Physics, Part 1 Regul. Pap. Short Notes Rev. Pap. 2007. v. 46. № 1. P. 280.

119. Ivan I.A., Agnus J., Lambert P. PMN-PT (lead magnesium niobate-lead titanate) piezoelectric material micromachining by excimer laser ablation and dry etching (DRIE) // Sensors Actuators A: Phys. 2012. v. 177. P. 37-47.

120. Shen Z., Shih W.Y., Shih W.-H. Self-exciting, self-sensing PbZr0 53Ti047O3/SiO2 piezoelectric microcantilevers with femtogram/Hertz sensitivity // Appl. Phys. Lett. 2006. v. 89. № 2. P. 023506.

121. Nojiri K. Dry etching technology for semiconductors // Dry Etching Technology for Semiconductors. - Springer International Publishing. 2015.

122. McCaffrey J.P., Phaneuf M.W., Madsen L.D. Surface damage formation during ion-beam thinning of samples for transmission electron microscopy // Ultramicroscopy. 2001. v. 87. № 3. P. 97-104.

123. Podgorny Y. V, Lavrov P.P., Vorotilov K.A., Sigov A.S. Effect of Spontaneous Polarization Change on Current - Voltage Characteristics of Thin Ferroelectric Films // Phys. Solid State. 2015. v. 57. № 3. P. 476-479.

124. Han M.G., Marshall M.S.J., Wu L., Schofield M.A., Aoki T., Twesten R., Hoffman J., Walker F.J., Ahn C.H., Zhu Y. Interface-induced nonswitchable domains in ferroelectric thin films // Nat. Commun. 2014. v. 5. P. 4693.

125. Lichtensteiger C., Fernandez-Pena S., Weymann C., Zubko P., Triscone J.M. Tuning of the depolarization field and nanodomain structure in ferroelectric thin films // Nano Lett. 2014. v. 14. № 8. P. 4205-4211.

126. Jooyoung K., Jaemoon P., Kuangwoo N., Gwangseo P. Ferroelectric

(Ba,Sr)TiO3 Thin Films on Pt/Ti/SiO2/Si Substrates by the Sol-Gel Process and Evaluation of the Intrinsic Dead Layers// J. Korean Phys. Soc. 2005. v 47. № 9. P. 349.

127. Cain M.G. Characterisation of Ferroelectric Bulk Materials and Thin Films. -Springer. 2014.

128. Soyer C., Cattan E., Rmiens D. Electrical damage induced by reactive ion-beam etching of lead-zirconate-titanate thin films // J. Appl. Phys. 2005. v. 92. № 2. P. 1048-1055.

129. Podgorny Y. V., Seregin D.S., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Effect of sol-gel PZT film thickness on the hysteresis properties // Ferroelectrics. 2012. v. 439. № 1. P. 74-79.

130. ITRS_International Technology Roadmap for semiconductors [Electronic resource]. 2007. URL: http://www.itrs2.net/itrs-reports.html.

131. Yeh C.P., Lisker M., Kalkofen B., Burte E.P. Fabrication and investigation of three-dimensional ferroelectric capacitors for the application of FeRAM // AIP Adv. 2016. v. 6. № 3. P. 035128.

132. Mishina E.D., Muhortov V.M., Sigov A.S. Ferroelectrics in Planar Geometry: Fabrication and Perspectives for Integration // Integr. Ferroelectr. 2009. v. 106. № 1. P. 1-10.

133. Muller J., Polakowski P., Mueller S., Mikolajick T. Ferroelectric Hafnium Oxide Based Materials and Devices: Assessment of Current Status and Future Prospects // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2015. v. 4. № 5. P. N30.

134. Polakowski P., Riedel S., Weinreich W., Rudolf M., Sundqvist J., Seidel K., Muller J. Ferroelectric deep trench capacitors based on Al:HfO2 for 3D nonvolatile memory applications // 2014 IEEE 6th International Memory Workshop, IMW 2014. 2014. P. 1-4.

135. Muller J., Polakowski P., Muller S., Mikolajick T. (Invited) Ferroelectric Hafnium Oxide Based Materials and Devices: Assessment of Current Status and Future Prospects // ECS Trans. 2014. v. 64. № 8. P. 159-168.

136. Fan Z., Chen J., Wang J. Ferroelectric HfO2 -based materials for next-

generation ferroelectric memories // J. Adv. Dielectr. 2016. v. 06. № 02. P. 1630003.

137. Meena J.S., Sze S.M., Chand U., Tseng T.Y. Overview of emerging nonvolatile memory technologies // Nanoscale Res. Lett. 2014. v. 9. № 1. P. 1-33.

138. Emerging Memory Technology / Products Roadmap Emerging Memory Mass-Products : Major Players. - TechInsight. 2017. № 5.

139. Yoo H. J., Kim D. Embedded memory architecture for low-power application processor// Embedded Memories for Nano-Scale VLSIs. 2009. P. 7-38.

140. Chen A. A review of emerging non-volatile memory (NVM) technologies and applications // Solid. State. Electron. 2016. v. 125. P. 25-38.

141. Koo J.M., Seo B.S., Kim S., Shin S., Lee J.H., Baik H., Yoo D.C. Fabrication of 3D trench PZT capacitors for 256Mbit FRAM device application // IEEE InternationalElectron Devices Meeting. IEDM Technical Digest. 2005. P. 6.

142. Park Y., Lee J.H., Koo J.M., Kim S.P., Shin S., Cho C.R., Lee J.K. Preparation of Pb(ZrxTi1-x)O3films on trench structure for high-density ferroelectric random access memory // Integr. Ferroelectr. 2004. v. 66. № 1. P. 85-95.

143. Shin S., Han H., Park Y.J., Choi J.Y., Park Y., Baik S. Characterization of 3D trench PZT capacitors for high density FRAM devices by synchrotron X-ray micro-diffraction// AIP Conference Proceedings. 2007. v. 879. P. 15541556.

144. Kim K., Lee S. Integration of lead zirconium titanate thin films for high density ferroelectric random access memory // J. Appl. Phys. 2006. v. 100. № 5. P. 051604.

145. Zhou Z., Bowland C.C., Patterson B.A., Malakooti M.H., Sodano H.A. Conformal BaTiO3 Films with High Piezoelectric Coupling through an Optimized Hydrothermal Synthesis // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. v. 8. № 33. P. 21446-21453.

146. Abdullaev D.A. Change set of applied materials at reduction topological

norms production of integrated microcircuits. // Nano- Microsystems Technol. 2013. № 5. P. 32-38.

147. Böescke T.S., Müller J., Bräuhaus D., Schröder U., Böttger U. Ferroelectricity in hafnium oxide: CMOS compatible ferroelectric field effect transistors // Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2011. P. 24-5.

148. Oh S., Kim T., Kwak M., Song J., Woo J., Jeon S., Yoo I.K., Hwang H. HfZrOx-based ferroelectric synapse device with 32 levels of conductance states for neuromorphic applications // IEEE Electron Device Lett. 2017. v. 38. № 6. P. 732-735.

149. Mueller S., Mueller J., Singh A., Riedel S., Sundqvist J., Schroeder U., Mikolajick T. Incipient ferroelectricity in Al-doped HfO2 thin films// Adv. Funct. Mater. 2012. v. 22. № 11. P. 2412-2417.

150. Müller J., Böscke T.S., Bräuhaus D., Schröder U., Böttger U., Sundqvist J., Kcher P., Mikolajick T., Frey L. Ferroelectric Zr0.5Hfo.5O2 thin films for nonvolatile memory applications // Appl. Phys. Lett. 2011. v. 99. № 11. P. 112901.

151. Muller J., Boscke T.S., Muller S., Yurchuk E., Polakowski P., Paul J., Martin D., Schenk T., Khullar K., Kersch A., Weinreich W., Riedel S., Seidel K., Kumar A., Arruda T.M., Kalinin S. V., Schlosser T., Boschke R., Van Bentum R., Schroder U., et al. Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories // Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2013.

152. Müller J., Polakowski P., Paul J., Riedel S., Hoffmann R., Drescher M., Slesazeck S., Müller S., Mulaosmanovic H., Schröder U. (Invited) Integration Challenges of Ferroelectric Hafnium Oxide Based Embedded Memory // ECS Trans. 2015. v. 69. № 3. P. 85-95.

153. Zhou D., Guan Y., Vopson M.M., Xu J., Liang H., Cao F., Dong X., Mueller J., Schenk T., Schroeder U. Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films//

Acta Mater. 2015. v. 99. P. 240-246.

154. Guan Y., Zhou D., Xu J., Liu X., Cao F., Dong X., Müller J., Schenk T., Schroeder U. The Rayleigh law in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films// Phys. Status Solidi - Rapid Res. Lett. 2015. v. 9. № 10. P. 589593.

155. Yurchuk E., Müller J., Knebel S., Sundqvist J., Graham A.P., Melde T., Schröder U., Mikolajick T. Impact of layer thickness on the ferroelectric behaviour of silicon doped hafnium oxide thin films // Thin Solid Films. 2013. v. 533. P. 88-92.

156. Chernikova A., Kozodaev M., Markeev A., Negrov D., Spiridonov M., Zarubin S., Bak O., Buragohain P., Lu H., Suvorova E., Gruverman A., Zenkevich A. Ultrathin HfD.5Zr0.5O2Ferroelectric Films on Si// ACS Appl. Mater. Interfaces. 2016. v. 8. № 11. P. 7232-7237.

157. Wei A., Chen C., Tang L., Zhou K., Zhang D. Chemical solution deposition of ferroelectric Sr:HfO2 film from inorganic salt precursors// J. Alloys Compd. 2018. v. 731. P. 546-553.

158. Schroeder U., Richter C., Park M.H., Schenk T., Pesic M., Hoffmann M., Fengler F.P.G., Pohl D., Rellinghaus B., Zhou C., Chung C.C., Jones J.L., Mikolajick T. Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: A Robust Ferroelectric Material// Inorg. Chem. 2018. v. 57. № 5. P. 2752-2765.

159. Hoffmann M., Schroeder U., Schenk T., Shimizu T., Funakubo H., Sakata O., Pohl D., Drescher M., Adelmann C., Materlik R., Kersch A., Mikolajick T. Stabilizing the ferroelectric phase in doped hafnium oxide // J. Appl. Phys. 2015. v. 118. № 7. P. 072006.

160. Böscke T.S., Müller J., Bräuhaus D., Schröder U., Böttger U. Ferroelectricity in hafnium oxide thin films// Appl. Phys. Lett. 2011. v. 99. № 10. P. 102903.

161. Polakowski P., Müller J. Ferroelectricity in undoped hafnium oxide // Appl. Phys. Lett. 2015. v. 106. № 23. P. 232905.

162. Müller J., Schröder U., Böscke T.S., Müller I., Böttger U., Wilde L., Sundqvist J., Lemberger M., Kücher P., Mikolajick T., Frey L.

Ferroelectricity in yttrium-doped hafnium oxide // J. Appl. Phys. 2011. v 110. № 11. P. 114113.

163. Mueller S., Adelmann C., Singh A., Van Elshocht S., Schroeder U., Mikolajick T. Ferroelectricity in Gd-Doped HfO2 Thin Films// ECS J. Solid State Sci. Technol. 2012. v. 1. № 6. P. N123-N126.

164. Imec demonstrates breakthrough in CMOS-compatible Ferroelectric Memory. [Electronic resource]. URL: https://www.imec-int.com/en/articles/imec-demonstrates-breakthrough-in-cmos-compatible-ferroelectric-memory.

165. Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T. Embedding hafnium oxide based FeFETs in the memory landscape // ICICDT 2018 - International Conference on IC Design and Technology, Proceedings. 2018. P. 121-124.

166. Müller J., Yurchuk E., Schlösser T., Paul J., Hoffmann R., Müller S., Martin D., Slesazeck S., Polakowski P., Sundqvist J., Czernohorsky M., Seidel K., Kücher P., Boschke R., Trentzsch M., Gebauer K., Schröder U., Mikolajick T. Ferroelectricity in HfO2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG// Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology. 2012. P. 25-26.

167. Schroeder U., Yurchuk E., Müller J., Martin D., Schenk T., Polakowski P., Adelmann C., Popovici M.I., Kalinin S. V., Mikolajick T. Impact of different dopants on the switching properties of ferroelectric hafniumoxide// Japanese Journal of Applied Physics. 2014. v. 53. № 8S1. P. 08LE02.

168. Müller J., Böscke T.S., Schröder U., Mueller S., Bräuhaus D., Böttger U., Frey L., Mikolajick T. Ferroelectricity in simple binary ZrO2 and HfO2// Nano Lett. 2012. v. 12. № 8. P. 4318-4323.

169. Zarubin S., Suvorova E., Spiridonov M., Negrov D., Chernikova A., Markeev A., Zenkevich A. Fully ALD-grown TiN/H^Z^^/TiN stacks: Ferroelectric and structural properties// Appl. Phys. Lett. 2016. v. 109. № 19. P. 192903.

170. Lapedus M. A New Memory Contender? [Electronic resource]. 2018. URL:

https://semiengineering.com/a-new-memory-contender.

171. Yurchuk E., Muller J., Muller S., Paul J., Pesic M., Van Bentum R., Schroeder U., Mikolajick T. Charge-Trapping Phenomena in HfO2-Based FeFET-Type Nonvolatile Memories // IEEE Trans. Electron Devices. 2016. v. 63. № 9. P. 3501-3507.

172. Yurchuk E., Mueller S., Martin D., Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T., Muller J., Paul J., Hoffmann R., Sundqvist J., Schlosser T., Boschke R., Van Bentum R., Trentzsch M. Origin of the endurance degradation in the novel HfO2-based 1T ferroelectric non-volatile memories // IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 2014. P. 2E-5.

173. Yurchuk E., Muller J., Paul J., Schlosser T., Martin D., Hoffmann R., Mueller S., Slesazeck S., Schroeder U., Boschke R., Van Bentum R., Mikolajick T. Impact of scaling on the performance of HfO2-based ferroelectric field effect transistors // IEEE Trans. Electron Devices. 2014. v. 61. № 11. P. 3699-3706.

174. Pesic M., Künneth C., Hoffmann M., Mulaosmanovic H., Müller S., Breyer E.T., Schroeder U., Kersch A., Mikolajick T., Slesazeck S. A computational study of hafnia-based ferroelectric memories: from ab initio via physical modeling to circuit models of ferroelectric device // J. Comput. Electron. 2017. v. 16. № 4. P. 1236-1256.

175. Park J.H., Kim H.Y., Seok K.H., Kiaee Z., Lee S.K., Joo S.K. Multibit ferroelectric field-effect transistor with epitaxial-like Pb(Zr,Ti)O3// J. Appl. Phys. 2016. v. 119. № 12. P. 124108.

176. Magdäu I.-B., Liu X.-H., Kuroda M. a., Shaw T.M., Crain J., Solomon P.M., Newns D.M., Martyna G.J. The piezoelectronic stress transduction switch for very large-scale integration, low voltage sensor computation, and radio frequency applications // Appl. Phys. Lett. 2015. v. 107. № 7. P. 073505.

177. Hu J.M., Chen L.Q., Nan C.W. Multiferroic Heterostructures Integrating Ferroelectric and Magnetic Materials // Advanced Materials. 2016. v. 28. № 1. P. 15-39.

178. Newns D., Elmegreen B., Hu Liu X., Martyna G. A low-voltage high-speed electronic switch based on piezoelectric transduction // J. Appl. Phys. 2012. v. 111. № 8. P. 084509.

179. Newns D.M., Elmegreen B.G., Liu X.H., Martyna G.J. High response piezoelectric and piezoresistive materials for fast, low voltage switching: Simulation and theory of transduction physics at the nanometer-scale// Adv. Mater. 2012. v. 24. № 27. P. 3672-3677.

180. Newns D.M., Elmegreen B.G., Liu X.H., Martyna G.J. The piezoelectronic transistor: A nanoactuator-based post-CMOS digital switch with high speed and low power// MRS Bull. 2012. v. 37. № 11. P. 1071-1076.

181. Sousanis A., Smet P.F., Poelman D. Samarium monosulfide (SmS): Reviewing properties and applications// Materials. 2017. v. 10. № 8. P. 953.

182. Beleanu A., Kiss J., Kreiner G., Köhler C., Müchler L., Schnelle W., Burkhardt U., Chadov S., Medvediev S., Ebke D., Felser C., Cordier G., Albert B., Hoser A., Bernardi F., Larkin T.I., Pröpper D., Boris A. V., Keimer B. Large resistivity change and phase transition in the antiferromagnetic semiconductors LiMnAs and LaOMnAs // Phys. Rev. B -Condens. Matter Mater. Phys. 2013. v. 88. № 18. P. 184429.

183. Solomon P.M., Bryce B., Keech R., Shaw T.M., Copel M., Hung L.W., Schrott A., Theis T.N., Haensch W., Rossangel S.M., Shetty S., Miyazoe H., Elmegreen B.G., Kuroda M.A., Liu X.H., McKinstry S.T., Martyna G.J., Newns D.M. The PiezoElectronic switch: A path to low energy electronics // 2013 3rd Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2013 - Proceedings. 2013.

184. Chang J.B., Miyazoe H., Copel M., Solomon P.M., Liu X.H., Shaw T.M., Schrott A.G., Gignac L.M., Martyna G.J., Newns D.M. First realization of the piezoelectronic stress-based transduction device// Nanotechnology. 2015. v. 26. № 37. P. 375201.

185. Demonstrating a new low-voltage memory element. [Electronic resource]. URL: https: //www.petmem.eu/the-technology.

186. Zhao Q., Wang H., Ni Z., Liu J., Zhen Y., Zhang X., Jiang L., Li R., Dong H., Hu W. Organic Ferroelectric-Based 1T1T Random Access Memory Cell Employing a Common Dielectric Layer Overcoming the Half-Selection Problem // Adv. Mater. 2017. v. 29. № 34. P. 1701907.

187. Boni A.G., Chirila C., Pasuk I., Negrea R., Pintilie I., Pintilie L. Steplike Switching in Symmetric PbZr0.2Ti0.8O3/CoFeO4/PbZr0.2Ti0.8O3 Heterostructures for Multistate Ferroelectric Memory // Phys. Rev. Appl. 2017. v. 8. № 3. P. 1-11.

188. Liu Z.Q., Liu J.H., Biegalski M.D., Hu J.M., Shang S.L., Ji Y., Wang J.M., Hsu S.L., Wong A.T., Cordill M.J., Gludovatz B., Marker C., Yan H., Feng Z.X., You L., Lin M.W., Ward T.Z., Liu Z.K., Jiang C.B., Chen L.Q. Electrically reversible cracks in an intermetallic film controlled by an electric field // Nat. Commun. 2018. v. 9. № 1. P. 41.