Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Палажченко, Вероника Ивановна

• Палажченко, Вероника Ивановна
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Палажченко, Вероника Ивановна

СОДЕРЖАНИЕ

Ведение

i, Висмут и его сплавы

1.1. Кристаллическая структура висмута

1.2. Зонная структура висмута и сплава висмут-сурьма

1.3. Влияние легирующей примеси на свойства висмута при образовании твердых растворов с элементами VI и VI

таблицы Д.И. Менделеева

1.4. Особенности распределения легирующей примеси при кристаллизации твердых растворов

II. Методика исследований

2.1. Выращивание монокристаллов висмута и его твердых растворов с элементами IV и VI групп периодической таблиц

2.2. Спектральный анализ монокристаллов

2.3. Возможные комплексы и соединения, составляющие микровключения в твердых растворах висмута с 5п, РЬ, Те,

8е

2.4. Методы обработки поверхности

2.4.1. Химическое травление

2.4.2. Ионная бомбардировка поверхности

2.4.3. Механическая полировка поверхности

2.4.4. Проводящие покрытия

2.5. Методы наблюдения и исследования поверхности

2.5.1. Взаимодействие между электронным пучком и образцом

2.5.2. Контраст за счет геометрической конфигурации образца

2.5.3. Контраст за счет среднего атомного номера

2.5.4. Методы обработки сигнала

2.5.5. Качественные определения элементов фаз

2.5.6. Количественный рентгеноспекгральный микроанализ и методика 2АР-поправок

2.5.7. Площадные и линейные распределения элементов в рентгеновских лучах

III. Результаты изучения включений второй фазы в твердых

РАСТВОРАХ ВИСМУТА 3.1, Исследование поведения примесей в легированных

монокристаллах висмута.

3.2. Комплексообразование в легированном висмуте.

3.3. Включения второй фазы.

102 107

3.3.1. Выявление политропии примеси в монокристаллах твердых растворов висмута и висмут-сурьма с элементами

IV группы

3.3.2. Выявление политропии примеси в монокристаллах твердых растворов висмута и висмут-сурьма с элементами

VI группы

3.3.3. Выявление политропии примеси в монокристаллах

твердых растворов висмута с элементами IV и VI группы

3.4. Оценка количества примеси, не проявляющей донорные свойства

3.5. Исследования электрической активности включений. 146 IV. Система «монокристалл-микровключение»

4.1. Структура, свойства и тип химических связей компонентов микровключений

4.2. Механизмы образования микровключений в монокристаллах висмута, легированного элементами IV и VI группы

4.2.1. Механизмы образования микровключений в монокристаллах висмута, легированного элементами IV

группы

4.2.2. Механизмы образования микровключений в монокристаллах висмута, легированного элементами VI

группы

4.2.3. Механизмы образования микровключ ©НИИ в монокристаллах висмута, легированного элементами IV и VI группы

4.3. Явление политропии и коэффициенты отдачи примеси. 168 Основные результаты и выводы

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI групп таблицы Д. И. Менделеева»

ВВЕДЕНИЕ

Современное развитие науки и техники постоянно предъявляет все более высокие требования к полупроводниковым материалам. Это относится как к свойствам, так и к структуре веществ, прочно вошедших в научный и технический потенциал, а также новых, пока еще только исследуемых полупроводников. В связи с этим в последние годы особо актуальным становится интерес к полупроводникам с узкой запрещенной зоной (узкозонным полупроводникам), а также к полуметаллам.

Висмут, в котором удалось наблюдать целый ряд любопытных эффектов, является типичным представителем полуметаллов. Твердые растворы на основе висмута и сурьмы входят в число узкозонных полупроводников, а сплавы В\ - Зп, Ей - РЬ, ЁН - Те и В\ -8е обладают полуметаллическими свойствами. Это материалы, используемые в основном для создания анизотропных датчиков различного назначения (усилителей звука, болометров, тензометров, термоэлементов и других сенсоров, работающих за счет анизотропии физических свойств). Кроме того, твердые растворы на основе висмута, занимающие промежуточное положение между металлами и полупроводниками, являются перспективными для решения многих вопросов современной физики полупроводников и их технического применения.

Обзор литературы показывает, что основное внимание исследователей сосредоточено на изучении электрических, гальваномагнитных и других физических свойств ЁН и его твердых растворов с 8Ь, Зп, РЬ, Те, и 8е, при этом мало внимания уделено качеству образцов. Это является причиной несогласованности данных разных авторов, встречаемые в литературе. С этой точки зрения изучены лишь сплавы Вн-ЗЬ, в которых обнаружен дендритный рост

кристаллов, Что же касается других твердых растворов, то в них исследовалось в основном лишь двойникование.

Создание и совершенствование приборов на основе висмута и его сплавов требует разработки методов получения сравнительно крупных бездефектных монокристаллов В! легированного примесями IV и VI групп периодической системы Д. И. Менделеева. Хотя многие исследователи сплавов висмута отмечают возможность появления вызванных неравномерным распределением легирующей примеси неоднородностей (включения второй фазы, примесные субструктуры и слоистое распределение примесей), возникающих в процессе кристаллизации и в результате фазовых превращений при охлаждении твердых растворов, этим вопросам до сих пор должного внимания не уделялось. В связи с этим исследование особенностей внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов на основе висмута является актуальным и представляет существенный интерес для выяснения фундаментальных вопросов физики полупроводников и полуметаллов и их практических применений.

Цель и задачи исследования.

Цель исследования - экспериментальное изучение общей физической п р и род ы об разования включений второй фазы при сегрегации примесей в монокристаллах висмута, легированных элементами IV и VI групп таблицы Д.И. Менделеева.

В связи с поставленной целью, на основе физических представлений о природе кристаллизации, современных моделей структурообразования в твердых растворах полупроводников и полуметаллов и возможностью использования экспериментальных методов изучения структуры монокристаллов: спектроскопии, химического и ионного травления, растровой электронной

микроскопии и рентгеноспектрального электронно-зондового

микроанализа решались следующие задачи:

1. Исследование монокристаллов твердых растворов висмута с элементами IV и VI группы таблицы Д.И. Менделеева с целью выявления их внутренней структуры;

2. Выявление форм нахождения (политропии) примесей элементов IV и VI групп в твердых растворах висмута, с содержанием примеси ниже предела растворимости;

3. Исследование форм, размеров, микроструктуры и состава микровключений второй фазы;

4. Проведение анализа возможных механизмов образования микровключений;

5« На основе количественных определений не участвующей в явлениях электропереноса примеси выяснить возможность объяснения физического смысла коэффициентов отдачи (электрической эффективности) примесей; 6. Выяснение причин изменения электрофизических свойств висмута при одновременном легировании элементами IV и VI групп периодической таблицы.

Изучались монокристаллические образцы твердых растворов висмута ЕИ-Зп, В1-РЬ, В1-Те, ВьЗе, ВнЭЬ-Те, ЁИ-Зп-Те, выращенные методом зонной перекристаллизации из двух партий: первая партия из коллекции ЛГПИ им. Герцена г. Санкт-Петербург возрастом около 20 лет и вторая новые образцы любезно предоставленные Родионовым Н.А. Государственный педагогический университет г. Благовещенск. На всех образцах ранее проводились различные электрофизические исследования.

Научная новизна и значимость работы определяется тем, что

в результате детального изучения дефектности структуры получены новые сведения об образовании и структуре включений второй фазы в легированном висмуте с концентрациями легирующей примеси ниже предела растворимости. Анализ полученных в ходе работы данных позволил установить склонность легированного висмута к дефектообразованию в виде включений второй фазы.

В ходе исследования монокристаллов твердых растворов висмута с оловом и свинцом впервые удалось наблюдать включения фазы эвтектического типа, проанализировать форму этих включений и колебания их состава. Установлено, что скорости выращивания монокристаллов сплавов В ¡-Те не влияет на объемную долю микровключений, образованных в процессе роста, а изменяют лишь картину их распределения в объеме кристалла. В тройных сплавах В\-Зп-Те впервые удалось наблюдать микровключения сплава соединения ЗпТе с В\, синтез которого проходит при более высоких температурах, чем используемые при выращивании исследуемых образцов.

Практическая значимость результатов работы состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о внутренней структуре монокристаллов висмута, легированного элементами, растворимыми в нем в твердом состоянии. Выбранные в процессе исследований методологические подходы наблюдения и изучения включений второй фазы могут быть рекомендованы для использования в исследовании других материалов. Данные могут быть использованы при разработке новых методов управления свойствами висмута путем программируемого введения примесей, а также создания новых гетерогенных систем.

Положения, выносимые на защиту:

1. Исследование монокристаллов висмута и сплавов ВьЗЬ, легированных Зп, РЬ, Зе, Те выявило, что они склонны к дефектообразованию в виде включений второй фазы. Скорости поста кристаллов в системе ВнТе не влияют на объемную долю микровключений, образованных на этапе роста, а влияют только на картину их распределения в объеме монокристалла.

2. Обнаружение включений второй фазы в твердых растворах ВьЗп, ВьРЬ, ВнТе, Вь-Зе, а также В!=ЗЬ-Те и В\- Эп-Те позволило подтвердить политропию примеси (примесь в твердом растворе, в виде включений, возможное образование кластерных комплексов) в висмуте и сплавах ВьЗЬ, легированных элементами IV и VI групп таблицы Д.И. Менделеева

3. Возможное объяснение физического смысла коэффициентов отдачи (электронной эффективности) примесей, основанное на количественном определении не участвующей в явлениях переноса заряда примеси.

4. Объяснение электрофизических свойств тройных сплавов висмута с позиции образования соединений между элементами примесей.

Достоверность результатов и обоснованность выводов диссертации определяется логической взаимосвязью всех этапов исследования: вначале всесторонне исследованы закономерности процессов образования включений второй фазы в монокристаллах твердых растворов висмута, затем проведены экспериментальные наблюдения на монокристаллах, легированных Зп, РЬ, Те, Зе. О физической достоверности всех полученных результатов и эффективности методологических подходов свидетельствует непротиворечивость интерпретации этих результатов на основе известных и разработанных в процессе исследования модельных представлений. Использование современных методов исследования

структуры кристаллов и строгий метрологический контроль также подтверждает достоверность результатов.

Апробация работы:

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

V Научно-технической конференции по проблемам текстильной

промышленности, механики, строительства и энергетики. (Благовещенск, 1993) ^ Российской межвузовской конференции "Физика твердого тела" (Барнаул, 1994)

V IV Международном симпозиуме "Физика и химия твердого тела" (Благовещенск, 1994)

^ Международном симпозиуме "Принципы и процессы создания неорганических материалов", Первые Самсоновские чтения. (Хабаровск, 1998)

V Научно-практической конференции преподавателей и аспирантов Благовещенского Государственного педагогического университета (Благовещенск, 1998)

По результатам работы в соавторстве опубликовано 8 работ. Автор принимал участие в выборе и определении методик исследования, постановке и проведении эксперимента, обработке и обсуждение результатов. Большая часть экспериментов проведена автором самостоятельно.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Палажченко, Вероника Ивановна

Основные результаты и выводы проведенной работы сводятся к следующему:

1. При исследовании монокристаллов висмута, легированного элементами IV и VI периодической таблицы Д.И. Менделеева, выявлена склонность висмута к дефектообразованию в виде микровключений второй фазы. Предел растворимости этих элементов в висмуте ниже значений, предложенных в литературе, либо они вообще в нем не растворяются, а выпадают в монокристаллической матрице в виде микровключений и кластерных комплексов. По результатам количественного электронно-зондового микроанализа растворимость олова в висмуте не превышает 0,17 ат %, а для свинца 0,03 ат %.

2. Основываясь на полученных результатах: формах нахождения, микроструктуры включений и границах индивидов с обеих сторон, можно сделать вывод, что процесс накопления примеси в микрообластях может происходить на двух этапах: во-первых, на этапе подготовки расплава, как следствие сепарации фракций, во-вторых на этапе выращивания монокристалла, как следствие оттеснения примеси движущимся фронтом кристаллизации.

3. Микровключения наблюдаются как в монокристаллах I партии (стареющие), так и II партии (новые), во всех исследованных монокристаллах, независимо от процентного содержания легирующей примеси и скорости роста. С понижением уровня легирования уменьшаются количества и площади включений, выходящих на секущую плоскость. Скорость роста влияет только на расположение включений в ооъеме кристалла, но не влияет на объемную долю микровключений в монокристалле.

4. В монокристаллах висмута, легированного элементами IV группы периодической таблицы, микровключения по последовательности кристаллизации относятся к сингенетическим, т.е. возникшим и росшим одновременно с монокристаллом; структура микровключений представляет собой эвтектику пластинчатого типа. Анализ включений в сплавах Ён-Зн показал, что они многофазны и содержат, кроме фаз чистого олова и висмута соединения, которые возможно представляют собой Зп-юВ^з, Зп3В|, ЗпВ|, ЗпВ!б. В системе В\-РЬ включения представляют собой сплав висмута со свинцом с содержанием элементов близких к эвтектическим.

5. В монокристаллах висмута, легированного элементами VI группы периодической таблицы, имеются два вида микровключений. По последовательности кристаллизации первые можно отнести к протогенетическим, т.е. возникшим до монокристалла и захваченным им при росте, а вторые к сингенетическим, т.е. возникшим и росшим одновременно с монокристаллом. Микровключения первого типа имеют кристаллографическую огранку, а второго близки по структуре к монокристаллу, но не совпадают с ним по ориентации кристаллографических плоскостей.

6. Микровключения в тройных изоэлектронных сплавах ВьЗп-Те, представляют собой сплав соединения БпТе с висмутом и избытком одного из элементов примеси. В зависимости от взаимного соотношения элементов примеси состав микровключений меняется. Одновременно могут присутствовать микровключения названного выше состава и соединения висмута и теллура со следами олова. Микровключений эвтектического типа на исследованных образцах не наблюдалось. Матрица монокристалла обеднена примесью, содержание висмута более 99.9999%. Изменение электрических свойств и «возвращение» свойств тройных сплавов к свойствам висмута характеризуется не взаимодействием между атомами висмута и чужеродными атомами примесей Те и Эп, а образованием между атомами примеси соединений, в состав которых в виде твердого раствора входит висмут. Температура образования соединений А^В" в результате особенностей жидкого висмута снижается, что, возможно, позволит создавать новые гетерогенные системы.

7, Исследования микровключений в режиме наведенного тока указывают на их электрическую активность, в виде запирающего эффекта. Эффект наиболее выражен на протяженных включениях, длинная сторона которых перпендикулярна направлению тока.

8. Количественные определения состава включений и их объемной доли в монокристалле не дают достаточного основания для объяснения физического смысла коэффициентов отдачи примеси с позиции политропии примеси, хотя данные, полученные нами, сопоставимы с их значениями. Основываясь на том, что микровключения и особенно кластерные комплексы, состоящие из элементов примеси и их соединений с висмутом, проявляют электрическую активность и соответственно вносят вклад в явления электропереноса, можно предположить, что физический смысл коэффициентов отдачи объясняется этим явлением.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Палажченко, Вероника Ивановна, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Ормонт Б. Структура неорганических веществ. М.-Л.: Гостехтеориздат. 1950. 958 с.

2. Джонс Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М.: Мир. 1968. 264 с.

3. Wilson А.Н. The theory of Metals. Cambridge. 1954.

4. Пирсон У. Кристалохимия и физика металлов и сплавов М.: Мир 1997. ч. 1.419 е., 4.2. 472 с.

5. Кребс Г. Полупроводниковые вещества. М.: Иностранная литература. 1960. 324 с.

6. Абрикосов A.A., Фальковский Л .А. Теория электронного энергетического спектра с решеткой типа висмута.//ЖЭТФ. 1962. Т.43, в.3(9). С. 1089-1101.

7. Иванов Г.И., Левицкий Ю.Т. Электрические свойства висмута при температурах от 300 до 540 К.//ФММ, 1967. Т. 24, вып.2 С. 253-259

8. Слэтер Д. Электронная структура молекул. М.: Мир. 1965. 351 с.

9. Коулсон Ч. Валентность. М.: Мир. 1965.

Ю.Современная квантовая химия. М.: Мир. 1968. т.2.

11.Левицкий Ю.Т., Левицкая Н.В. Явление переноса в двойникованных полуметаллах. Владивосток-Благовещенск: Дальнаука. 1997. 224 с.

12.Abeles В., Meiboom S. Galvanomagnetic effects in bismuth. //Phys.Rev. 1956. Vol.101. №2. P.544-550.

13.Шуй P.Т. Полупроводниковые рудные минералы. Ленинград: Недра. 1979. 287 с.

14.Гицу Д.В., Голбан И.М., Канцер В.Г., Мунтяну Ф.М. Явления переноса в висмуте и его сплавов. Кишинев: Штиинца. 1983. 266 с.

15.Фальковский Л.А. Физические свойства висмута. //Усп.физ.наук. 1968. Т.94, в.1. С.3-41.

16.Электроны проводимости. //Под ред. М.И. Kara нова и B.C.

Эдельмага. М.: Наука. 1985. 416 с.

17. Левицкий Ю.Т. Макроскопические дефекты кристаллической структуры и их влияние на явления переноса носителей заряда в полуметаллах. Диссерт... докт.физ.-мат. наук. Кишенев: 1990. 340 с.

1 S.Jones Н. Applications of the Bloch theory to the study of alloys of the properties of bismuth. //Proc.Roy.Soc. 1934. Vol .A. 147. № 86. P. 396417.

19. Абрикосов А. А., Фальковский Л.А. Теория электронного энергетического спектра с решеткой типа висмута.//ЖЭТФ. 1962. Т.43. С. 1080.

20.Томпсон Дж.Т. Висмут. М.: Цветметиздат. 1932. 92 с.

21.Мокиевский Л.И., Иванов Г.А. Электрические свойства сплавов висмута. //ЖТФ. 1957. Т.27, в.8. С. 1695-1706.

22.Иванов ГА, Регель А.Р. Электрические свойства сплавов висмута. 1. Растворимость примесей и характер их воздействия на электрические свойства висмута. //ЖТФ. 1955. Т.25, в.1. С. 39-48.

23.Shoenberg D. //Phil.Trans.Roy.Sol. 1953. Vol.A 245. P. 2378.

24.Брандт Н.Б., Мюллер Р., Пономарев Я.Г. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа. //ЖЭТФ. 1976. Т.71, в.6. С.2268-2277.

25.Эдельман B.C. Свойства электронов в висмуте. //Успехи физ.наук. 1977. Т. 123, №2. С. 257-287.

26.Cohen M.N. Energy bands in the bismuth structure. //Phys.Rev. 1961.Vol. 121, №2. P. .387-395.

27.Me Clure J. W., Choi K.H. Energy band model and properties of electrons in bismuth. //Solid State Comm/ 1977. Vol. 21. №11. P.1015-1018.

28.Попов A.M. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов с сурьмой в интервале температур 77-300 К: Диссерт... канд.физ.-мат. Наук. 1964. 167 с.

29.Брандт Н.Б., Любутина П.! . Исследование эффекта де Гааза-Ван Альфена у сплавов висмута с селеном, теллуром и цинком. //ЖЭТФ. 1967. Т. 52, в. 3. С.686-698.

30. Дорофеев Е.А., Фальковский Л .А. Электронная структура висмута. Теория и эксперимент. //ЖЭТФ. 1984. Т.87, в.6. С. 2202-2213.

31-Костов И. Кристаллография. М.: Мир. 1965. 405 с.

32. Enders P. Structure and bounding in cubic IV-VI crystals. //Phys.Stat.Sol.B. 1983. Vol.120. P.39-46.

33.Jain, A.L. Temperature dependence of the electrical properties of bismuth-antimony alloys. //Phys. Rev. 1959. Vol. 114. P. 1518-1528.

34.Брандт Н.Б., Свистова E.A., Семенов M.B. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма с высокой концентрацией сурьмы в сильных магнитных полях. //ЖЭТФ. 1970. Т.59, в.2. С.434-444.

35.Левицкий Ю.Т., Иванов Г.А. Высокотемпературные исследования электрических и гальваномагнитных свойств висмута, сурьмы и сплавов Bi-Sb. //ФММ. 1969. Т.28, в.5. С. 804-812.

36.Иванов Г.А, Колпачников Г.Н., Худякова И.И,. Яковлева I.A. О зонной структуре сплава Bi88Sbi2 на основании анализа анизотропии кинетических коэффициентов. //Физика твердого тела. Барнаул: 1984. С. 53-55.

37.Иванов Г.А, Колпачников Г.Н., Налетов В.Л., Яковлева Т.А. Электрические и гальваномагнитные свойства сплавов Bi - Sb в интервале температур 77 - 293°К. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Полуметаллы. Л.: 1968. Т.384, в.4. С.39-47.

38.Иванов ГА, Налетов В.Л., Грабов В.М., Яковлева ТА, Куликов В.А., Архипов А.Н., Суровцев А.Н. О движении экстремумов зон в сплавах висмут-сурьма. //Тезисы докладов III симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны. Львов: 1972. С. 52-53.

39. Иванов ГА, Коришев В.И., Суровцев А.Н., Глухова Т.И.,

Колпачников Г.Н. О дополнительном экстремуме электронов в зоне проводимости висмута и сплавов висмут - сурьма. //Тезисы докладов III симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны. Львов: 1972. С. 53.

40.Панарин А.Ф., Сараев Ю.Н., Худякова И.И. О структуре валентной зоны сплавов EH - Sb. //Тезисы докладов III симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны. Львов: 1972. С. 54.

41.Иванов ГА, Коришев В.И.; Яковлева ТА. О законе дисперсии в зонах висмута и сплавов Bi - Sb. //Тезисы докладов III симпозиума по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны. Львов: 1972. С. 54-55.

42. Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. 1979.

43. Хансен М., Адерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат. 1962. Т.1. 608 е.; Т.З. 877 с.

44.Иванов ГА, Чистяков Б.И. Электрические свойства двойных сплавов висмута с теллуром и оловом в широком температурном интервале. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Л.: 1965. С.214-223.

45.Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. 1967. 416 с.

46.Брандт Н.Б., Ястребова В. А., Пономарев Я.Г. Электронные

фазовые переходы ИМ. Лифшица у виомута//ФТТ, 1974. Т. 16. вып. 1. С.102-109

47.Фальковский Л А. Электронная структура висмута. //ЖЭТФ. 1975.

Т.68. С. 1529

48.Глухова Т.И., Иванов Г.А. Электрические и гальваномагнитные свойства сплава висмута с элементами VI группы (твердые растворы) и отдача валентных электронов атомами этих элементов

в зоны висмута. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Полуметаллы. Л.: 1968. Т.384, в.4. С.30-38.

49.Грабов В.М., Иванов Г.А. Исследование термоэдс в сплавах висмут - теллур. //XXI Герценовские чтения. Общая и теоретическая физика. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1968. С. 22-24.

бО.Веракса В.И., Глухова Т.И. Об анизотропии электрических и гальваномагнитных свойствах в сплавах висмут-селен. //Труды научного объединения преподавателей физико-математического факультетов педагогических институтов Дальнего Востока. Хабаровк: 1970. Т.8. С.3-10.

51.Иванов Г.А. Электрические свойства сплавов висмута. //ФТТ. 1959. Т.1, в.10. С.1601-1608.

52.Иванов Г.А., Чистяков Б.И. Электрические свойства двойных сплавов висмута с теллуром и оловом в широком температурном интервале. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Л.: 1965. С.214-223.

53.Гицу Д.В., Иванов ГА О плотности электронных состояний в зоне проводимости висмута. //ФТТ. 1963. Т.5, в.5. С. 1406-1410.

54.Грабов В.М., Иванов К.Г., Родионов НА. Коэффициенты отдачи Sn, Pb, Те и Se в висмуте. //Полуметаллы и полупроводники. Л.: ЛГПИ имАИ. Герцена. 1975. С. 69-73.

55.Польшин В.И. Коэффициенты отдачи Те в сплавах BissSb^ при гелиевых температурах. //Полуметаллы и сегнетоэлектрики. Л.: ЛГПИ им.А.И. Герцена. 1977. С. 113-115.

56.Бодюл П.П. Анизотропия явлений переноса в сплавах висмута с акцепторными примесями и ее взаимосвязь со структурой зон вблизи уровня Ферми. Автореф.дисс.. .канд.физ.-мат. наук. Новосибирск: 1970. 13 с.

57. И ванов ГА., Колосов Г.Д. Электрические свойства чистого висмута и его сплавов с ловом в широком температурном интервале. //Учен.

зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Вопросы кристаллизации и физики твердого тела. Л.: 1965. С.205-213.

58.Бондаренко М.Г., Грабов В.М, Иванов Г.А. Эффективность примеси олова в висмуте. //Физика твердого тела. Барнаул: 1984. С. 43-45.

59.Колосов Г.Д. О примесном рассеивании в сплавах висмут-олово. //XXIV Герценовские чтения. Общая и экспериментальная физика. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. 1971.С. 24=26.

60.Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В А Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. Киев: Наук.думка. 1984. 288 с.

61.Иванов К.Г. Использование анизотропии магнитной восприимчивости для анализа зонной структуры сплавов висмут -сурьма. Авто реф. дис... канд. физ.-мат.наук. Л: 1975. 21 с.

62.Мальцев A.C., Грабов В.М. Исследование зонной структуры висмута методом анизотропии плазменного отражения. //Физика твердого тела. Барнаул: 1984. С. 37-39.

63.Иванов ГА. Электрические свойства изозлектронных сплавов висмута. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л.: 1961. С.31-44.

64.Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир. 1974. 542 с.

65 Атомное строение металлов и сплавов. //Физическое металловедение. Под ред. Р.Кана. М.: Мир. 1967. в. 1. С. 114-213.

66. Медведев CA. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1970. 503 с.

67.Вайнгард У. Введение в физику кристаллизации металлов. М.: Мир. 1967. 159 с.

68.Келли А., Гробе Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.:

Мир. 1974. 496 с.

69.Козлова О.Г. Рост и морфология кристалла. М.: Изд. Моск. Университета 1980. 368 с.

70.Гегузин Я.Е., Дзюба A.C. Кононенко Н.В. Концентрационное

уплотнение примеси на границе движущегося фронта кристаллизации расплава. //Кристаллография. 1981. Т.26, в.З. С. 571-576.

71,Гинье А. Неоднородные металлические твердые растворы. М.:

Издательство иностранной литературы. 1962. 158 с.

72.Смородина Т.Д., Шефталь Н.Н, Цурано А.П. Вхождение примесных центров в кристаллический слой полупроводника. П.: Наука. 1986. 174 с.

/З.Комаров Г.В., Регель А.Р. О колебании фронта кристаллизации висмута. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Вопросы кристаллизации и физики твердого тела.. Л: 1965. Т.265. С. 163-171.

74.Крылов А.С Программирование распределения примесей при диффузионном механизме роста. //Физика твердо го тела, ьарнаул: 1984. С. 7-8.

75.Колпачников Г.Н., Налетов В.Л. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации. //Учен. зап. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Полуметаллы. Л.: 1968. Т.384, в.4. С.3-6.

76,Овсянов В.М., Налетов В.И. Вероятность блочной структуры монокристаллов висмута, выращенных от различно ориентированных затравок. //Физика твердого тела. Барнаул: 1984. С. 4-6.

77.Левицкая Н.В., Левицкий Ю.Т., Палажченко В.И. Наблюдения микронеоднородностей в монокристаллах висмута и его сплавов. // Вестник АмурНЦ Физика, химия, материаловедение. Благовещенск: 1997. Серия 2, вып.1. С.27-32.

78. Палажченко В.И., Левицкий Ю.Т. Особенности внутрикристаллического строения монокристаллов твердых растворов висмута. /У Сб.науч.трудов Междунар.симпозиума Принципы и процессы создания неорганических материалов. Хабаровск: Дальнаука. 1998. с.105

79.Палажченко В.И., Левицкий Ю. I. Структурные особенности монокристаллов сплавов висмута, Благовещенск: Изд. АмурКНИИ. 1998. 115 с.

80.Левицкий ЮТ. Высокотемпературные исследования электрических и гальваномагнитных свойств висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма: Диссерт... канд. Физ.-мат. Наук. Ленинград. 1969. 152 с.

81.Крылов A.C. Влияние электрического и магнитного полей на процессы роста легированных монокристаллов висмута и висмут-сурьма. Автореферат диссерт... канд. физ.-мат. наук. Ленинград 1975. С.

82.Мандельштам С. Введение в спектральный анализ. М. Гостехиздат. 1946. 260 о.

83.Таблицы спектральных линий. НАМ. Зайдель, В.Н. Прокофьев, С.М. Райский и др. М.: Наука. 1969. 782 с.

84.Тарасов Н.И. Спектральные приборы. Л.: Машиностроение. 1977. 367 с.

85.Хохлов В.В. Многоэлементный спектральный анализ в геологии. Л.: Недра. 1986. 456 с.

86.Вол А.Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Физматгиз. т.2. 1962. 982 с.

87.Эллиот Р.П. Структура двойных сплавов. Справочник. Перев. с англ. М.: Металлургия. 1970. 456 с.

88. Родионов H.A., Левицкий Ю.Т., Пономарев Г.Н. Технология выращивания сильнолегированных монокристаллов висмут-теллур и пределы растворимости теллура. //Экспериментальные методы в физике структурно-неоднородных сред. Труды Всерос.научно-техн.конф. Барнаул: Изд-во Апт. ун-та, 1997. С. 121-122.

89.Травление полупроводников. Перев. с англ. С.Н. Горина. М.: Мир. 1965.382 с.

ЭО.Шанк Ф. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия. 4.2. 1973.

760 с.

91.Иванов Г.А., Регель А.Р. Электрические свойства сплавов висмута. П. Зависимость электрических свойств сплавов висмута от концентраций примесей. //ЖТФ. 1955. Т.25, в.1. С. 49-65.

92.Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение: Пер. с англ. - М.: Мир, 1990. - 492 с.

ЭЗ.Ченобай В.И., Багдуев Г.Б., Иванов Г.А., Чернобай Т.Б. Методика выявления и структура дислокаций выходящих но плоскость кристаллов висмута. //Полуметаллы и сегнетоэлектрики. Сб.науч.трудов. ЛГПИ им. А.И. Герцена. Л.: 1977. С. 33-42.

94.Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ. Под ред. Р. Бериша. М.: Мир. 1984. 336 с.

95. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. II. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности. Пер. с англ. Под ред. Р. Бериша. М.: Мир. 1986. 488 с.

96.Практическая растровая электронная микроскопия. Под ред. Дж. Гоул детей на и X. Яковица. М.: Мир. 1978. 656 с.

97.0сновы аналитической электронной микроскопии. //Под ред. Грена Дж. Дж., Гольдштейна Дж. И., Джоя Д.К., Ромига А.Д. Пер.с англ. под ред. Усикова М.П. М.: Металлурния, 1990. 584 с.

98.Гаранин В.К., Кудрявцева Г.П. Применение электронно-зондовых приборов для изучения минерального вещества. М.: Недра. 1983. 216 с.

99. Растровый электронный микроскоп иЭМ-35С. Пер. с англ. Инструкция. М.: 1981, 389 с.

10О.Электронно-зондовый микроанализ. Перевод под ред. И.Б.

Боровского. М.: Мир. 1974. 352 с. 101.Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. Пер.с англ. М.:

Мир.1979. 423 с.

102.Физические основы рентгекоспектрального локального анализа. М.: Наука. 1973. 244 с.

103.Количественный электронно-зондовый микроанализ; Пер.с англ./Под ред. В. Скотта, Г. Лава. М.: Мир. 1986. 352 с.

104.0рмонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа. 1968. с. 487.

105.Иванов ГА, Скрипин Д.А. Особенности поведения примесей олова, теллура и сурьмы в сплавах с висмутом. //Физика твердого тела. Барнаул: 1984. С. 6-7.

Юб.Земсков И.С., Белая А.Д., Кожемякин Г.Н. Исследование твердых растворов висмут-сурьма-теллур. //В кн.: Легирование полупроводников. М.: Наука. 1982. С. 56-59.

107.Налетов В.Л. О дендритной ликвации монокристаллов сплавов. //Полуметаллы. Уч.зап. ЛГПИ им. АИ. Герцена. Л.: 1968. Т. 384, вып. 4. С. 7-11.

Ю8.Гольцев В.П., Дедегкаев Т.Т., Дергай A.M., Рыбников А.И., Рытвинский А. И. Рентгеноспектральный и электронно-микроскопический методы исследования структуры и свойств материалов. Минск: Наука и техника. 1980. 192 с.

109.Мильвидекий М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия. 1984. 256 с.

HO.Pauling L. The Nature of Chemical Bond. 3rd ed. Cornell University Press. Ithaca. 1960. 511 p.

111 .Франк-Каменецкий В. А. Природа структурных примесей и включений в минералах. Л.: Изд-во Ленинградского университета. 1964. 239 с.

112. Гайдукова B.C. Электронная микроскопия для решения практических геолого-минералогических задач. М.: Недра. 1983. 224

с.

113.Иванов ГА Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в широком температурном интервале. Диссерт... докт. физ.-мат. наук. Ленинград: 1964. 258 с.

114.Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках - подход к формированию свойств материалов. //ФТТ. 1998. Т. 32, №5. С. 513-522.

115Андрухова О.В., Козлов Э.В., Дмитриев C.B., Старостенко M .Д. О возможных механизмах атомного разупорядочения в бинарных сплавах. //ФТТ. 1997. т. 39. №8. с. 1456-1460.

Иб.Берзин A.A. , Морозов А.И., Сигов A.C. Метостабильные состояния и физические характеристики подсистемы примесей внедрения. //ФТТ 1998. т. 40, №3 с. 475-480.