Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Осипов, Павел Анатольевич

• Осипов, Павел Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Осипов, Павел Анатольевич

Введение.

Положения, выносимые на защиту.

Глава 1. Физико-химические свойства халькогенидов свинца и олова.

1.1. Кристаллическая структура и химическая связь.

1.2. Особенности фазовой диаграммы халькогенидов свинца и олова.

1.3. Зонная структура халькогенидов свинца и олова.

1.4. Механизмы рассеяния носителей тока.

1.5. Методы контроля концентрации собственных дефектов в халькогенидах свинца и олова.

1.6. Основы теории явления самокомпенсации.

1.6.1. Компенсация акцепторов одиночными вакансиями.

1.6.2. Компенсация комплексами примесь-вакансия.

1.6.3. Компенсация нейтральными комплексами.

1.7. Специфика поведения примесей-в^а^у^генидах свинца и олова.

1.7.1. Примесь Т1 в РЬ8е.

1.7.2. Примесь В1 в РЬБе и РЬТе.

1.7.3. Примесь 1п в БпТе и твердых растворах на его основе.

1.8. Выводы и постановка задачи.

Глава 2. Технология изготовления образцов.

2.1. Методика изготовления массивных образцов.

2.2. Модифицированный метод горячей стенки.

2.3. Метод лазерного напыления.

Глава 3. Методика эксперимента.

3.1. Выбор методов исследования.

3.2. Особенности измерения кинетических коэффициентов в термоэлектрических материалах.

3.3. Универсальная установка для измерения кинетических коэффициентов

3.4. Держатель массивных образцов (измерительная ячейка).

3.5. Держатель пленочных образцов.

-33.6. Рабочие формулы для вычисления кинетических коэффициентов.

Глава 4. Особенности дефектообразования в пленках PbSe:Tl.

4.1. Оценка возможности наблюдения эффекта самокомпенсации в пленках

PbSe:Tl.

4.2. Особенности самокомпенсации в пленках PbSe:Tl.

4.3. Выводы к главе 4.

Глава 5. Самокомпенсация в образцах PbSe с примесью Bi.

5.1. Введение.

5.2. Легирующее действие висмута в образцах стехиометрического состава

Pbi.xBixSe.

5.3. Легирующее действие висмута в PbSe в присутствии избытка селена.

5.4. Максимально компенсированные образцы.

5.5. Обсуждение экспериментальных результатов.

5.6. Выводы к главе 5.

Глава 6. Особенности электрофизических свойств и энергетического спектра твердых растворов (Sno,65Pbo,35)o,95Geo,o5Te:In.

6.1. Введение.

6.2. Удельное сопротивления и коэффициент термоэдс

Sno,65Pbo,35)o,95Geo,o5Te: In.

6.3. Особенности энергетического спектра дырок в четверных твердых растворах (Sno;65Pbo,35)Geo,o5Te.

6.4. Резонансные состояния примеси индия в (Sno,65Pbo,35)Geo,o5Te.Ill

6.5. Выводы к главе 6.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe»

Актуальность работы. Полупроводниковые свойства халькогенидов свинца и олова известны очень давно. В частности, в 1865 г. Стефаном в сульфиде свинца по данным термоэдс были обнаружены электронный и дырочный тип проводимости, а в 1874 г. Брауном открыто выпрямляющее действие контакта металл-РЬБ. Первоначально эти соединения использовались в ИК-технике в качестве фотосопротивлений. Исследования халькогенидов свинца, проведенные в конце 60-х и начале 70-х годов, а также усовершенствование технологии позволили значительно улучшить характеристики получаемых материалов и расширить их область применения. Например, на основе халькогенидов свинца стали изготавливаться фотодиоды и лазеры ИК- диапазона с перестраиваемой длиной волны. В дальнейшем проводились исследования свойств халькогенидов свинца и олова, легированных различными примесями, исследования особенностей зонной структуры и т.д. К настоящему времени эти материалы достаточно хорошо изучены, однако остается целый ряд принципиально важных вопросов, требующих детального изучения.

Для практического использования халькогенидов свинца и олова (да и любого полупроводника вообще) необходимо управлять концентрацией и типом носителей тока, для чего обычно используется легирование электроактивными примесями. При этом необходимо иметь информацию об особенностях поведения примесей, о строении энергетических зон легируемого соединения, об особенностях дефектообразования в нем.

Особенности поведения примеси таллия в массивных равновесных образцах селенида свинца достаточно подробно изучены и описаны в литературе. Установлено, что при легировании селенида свинца таллием проявляется эффект самокомпенсации примеси, причем особенности самокомпенсации описываются в рамках простейшей модели самокомпенсации примеси одиночными вакансиями. Однако, на практике, для изготовления фотоприемников используются не массивные образцы, а тонкие слои материала, которые изготавливаются в неравновесных условиях. Соответственно возникает задача, опираясь на данные, полученные для массивных образцов, исследовать, какие особенности в процессы дефектообразования вносят специфические условия изготовления пленочных образцов. Определить возможность осуществления эффекта самокомпенсации в пленках РЬ8е:Т1 и изготовления компенсированных высокоомных слоев.

Детального исследования поведения примеси висмута в селениде свинца, насколько нам известно, не проводилось. Однако вероятно, что примесь висмута в селениде свинца может проявлять амфотерные свойства, проявляя донорное или акцепторное действие, в зависимости от условий вхождения в кристаллическую решетку. Можно ожидать, что использование амфотерности примеси висмута позволит получать образцы селенида свинца, перспективные для изготовления приемников излучения. Как уже было сказано выше, основной формой для практического использования являются тонкие слои селенида свинца, однако для правильной интерпретации экспериментальных данных необходимо первоначально провести детальные исследования массивных, термодинамически равновесных образцов РЬ8е:В1 с тем, чтобы потом можно было использовать полученные результаты при исследовании пленок.

Твердый раствор (8по,б5РЬо,з5)о,950ео,о5Те:1п - перспективный материал для создания сверхпроводящих болометров, работающих в гелиевой области температур. При исследовании массивных образцов твердого раствора было установлено, что существенное влияние на явления переноса в этих материалах оказывает примесь индия. Кроме того, именно примесь индия ответственна за появление сверхпроводимости с достаточно высокой для полупроводников критической температурой Тс«4 К. Однако, следует отметить, что интерпретация получаемых экспериментальных данных и выделение вклада примеси индия в эффекты переноса затрудняется отсутствием информации об энергетическом спектре дырок твердого раствора. Кроме того, следует отметить, что в качестве чувствительных элементов в сверхпроводящих болометрах используются тонкие слои, электрофизические свойства которых ранее практически не изучались. В связи с этим возникает задача исследования электрофизических свойств и энергетического спектра четверного твердого раствора (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те с примесью индия.

Решение этих задач представляет значительный интерес для физики узкозонных полупроводников типа А4В6 и для практических приложений.

Целью представленного исследования является экспериментальное исследование особенностей легирующего действия примесей таллия и висмута в селениде свинца, а также электрофизических свойств и энергетического спектра твердого раствора (8по,б5РЬо,з5)о,950ео,о5Те.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи.

1. Получить зависимости концентрации носителей тока от содержания примеси и избытков компонентов соединения в РЬ8е:Т1 и РЬ8е:В1.

2. Исследовать температурные и концентрационные зависимости удельного сопротивления, коэффициентов Холла и Зеебека в образцах твердого раствора (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те.

3. Произвести расчеты в рамках теории самокомпенсации примеси одиночными вакансиями.

4. Сделать вывод о возможности осуществления эффекта самокомпенсации в РЬ8е:Т1 и РЬ8е:Вг и о возможности применения данных об энергетическом спектре 8пТе для анализа особенностей кинетических коэффициентов в (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые проведено детальное исследование особенностей дефектообразования в пленках селенида свинца, легированного примесью таллия и оценена возможность осуществления эффекта самокомпенсации.

2. Экспериментально доказано, что при вакуумном напылении тонких слоев РЬ8е:Т1 проявляется эффект самокомпенсации примеси собственными дефектами и показано, что особенности дефектообразования описываются в рамках модели самокомпенсации. Для численного согласования расчетов и экспериментальных данных необходимо учитывать неравновесные электрически активные дефекты, образование которых связано с процессами роста пленки.

3. Исследованы особенности легирующего действия примеси висмута в массивных образцах селенида свинца.

4. Показано, что при невысоких содержаниях висмута в РЬ8е происходит компенсация его электроактивного действия собственными дефектами. При больших содержаниях примеси В1 необходимо учитывать перераспределение примеси висмута между подрешетками свинца и селена и процессы комплексообразования с участием атомов висмута и собственных дефектов.

5. Проведено исследование электрофизических свойств тонких слоев твердого раствора (Бпо^РЬо,35)0,95Сео,о5Те:1п и проведен анализ энергетического спектра дырок.

6. Установлено, что аномалии на зависимостях удельного сопротивления и коэффициента термоэдс четверного твердого раствора (8по,б5РЬо,з5)о,95Сгео,о5Те от холловской концентрации дырок свидетельствуют о наличие в энергетическом спектре дырок твердого раствора ряда критических точек.

7. Проведена идентификация критических точек энергетического спектра дырок твердого раствора как Е- экстремума, седловой точки ЬЕ и А- экстремума валентной зоны.

8. Установлено также, что на фоне энергетического спектра дырок проявляется полоса примесных резонансных состояний индия. При частичном заполнении примесной полосы наблюдается объемная сверхпроводимость с высокими для полупроводников критическими температурами 7с ~ 4 К.

Результаты выполненных исследований способствуют развитию фундаментальных представлений об особенностях дефектообразование в пленках и объемных образцах селенида свинца с различной лигатурой и об энергетическом спектре четверных твердых растворов (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те. Эти результаты существенны для понимания процессов, происходящих при легировании полупроводников. Кроме того, выполненные диссертационные исследования направлены и на решение практически важных задач -разработку технологии изготовления фоточуствительных слоев РЬБе и оптимизации состава твердых растворов для изготовления сверхпроводящих болометрических приемников гелиевого диапазона.

Положения, выносимые на защиту

На защиту выносятся следующие положения:

1. Явление самокомпенсации в тонких слоях РЬ8е:Т1 имеет специфику, связанную с наличием неравновесных электрически активных дефектов, учет которых позволяет достичь хорошего согласия теории явления самокомпенсации с экспериментальными данными.

-92. В РЬ8еВ1, при относительно малых содержаниях примеси В1 (А/в,- < 0.3 ат.%) компенсация легирующего действия висмута осуществляется одиночными двукратно ионизованными вакансиями свинца. При больших содержаниях В1 необходимо дополнительно учитывать перераспределение атомов висмута между свинцовой и селеновой подрешетками РЬ8е и процесс комплексообразования с участием атомов В1 и собственных дефектов.

3. Наблюдаемые в четверных твердых растворах (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те:1п на концентрационных зависимостях скачки удельного сопротивления и минимумы коэффициента термоэдс свидетельствуют о наличии особенностей в рассеянии носителей тока, связанных с существованием критических точек в энергетическом спектре дырок. Эти критические точки идентифицированы как И - экстремум {р « 9*1019 см"3), седловая

20 3 точка ЬЕ (р* 3*10 см") и А - экстремум валентной зоны (р « 4,5*1020 см"3) соответственно.

4. Обнаруженные особенности на концентрационных зависимостях удельного сопротивления коэффициента термоэдс в области

21 3 концентраций дырок р>10 см" - рост удельного сопротивления и резкое снижение коэффициента термоэдс свидетельствуют о существовании резонансных состояний примеси индия на фоне разрешенного спектра валентной зоны твердого раствора

8по>65РЬо,з5)о,950ео,о5Те:1п.

5. В твердом растворе (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те:1п при частичном заполнении резонансных состояний индия электронами наблюдается сверхпроводящий переход с критической температурой, достигающей 4 К.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, шести глав, основных результатов и выводов, списка цитируемой литературы из 64 наименований и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Осипов, Павел Анатольевич

Основные результаты и выводы

В диссертационной работе выполнены исследования особенностей процессов дефектообразования в пленках PbSe:Tl и объемных образцах PbSe:Bi, а также исследован энергетический спектр дырок в твердом растворе (Sno,65Pbo,35)o,95Geo,o5Te:In. Основные полученные результаты можно сформулировать следующим образом.

1. Проведены физико-технологические исследования, включающие исследования электрических свойств пленок PbSe:(Tl,PbH36), изготовленных на ориентирующих подложках (111) BaF2 при различных температурах конденсации (250 - 350 °С), содержании таллия (0-1.8 ат.%) и температурах дополнительного источника свинца (0-750 °С).

1.1.Показано, что в эпитаксиальных пленках PbSe:(Tl,Pbm6), проявляется эффект самокомпенсации. 1.2.Определены концентрации электрически активных дефектов в тонких слоях (При содержании таллия в шихте Nn = 0,2 ат.%, [F5/+] = 0,67*1019 см"3 при 7)t = 350 °С, [VSe2+] = 2,25*1019 см'3 при Тк = 250 °С и [VSe2+]=lД5*1019 см"3 при Тк = 300 °С). При N„ = 0,4 at. % и Тк = 350 °С концентрация дефектов [VSe2+J = 1,3*1019 см"3).

1.3.Установлено, что компенсация акцепторного действия примеси таллия в исследованных тонких слоях хорошо описывается в рамках модели самокомпенсации примеси одиночными вакансиями с учетом неравновесных дефектов, образование которых связанно с процессами роста пленки. Близость энергий образования вакансий, определенных нами и в [53], и то, что и в тонких слоях вакансии оказываются двукратно ионизованными, свидетельствует о том, что компенсация в массивных равновесных образцах и в тонких слоях PbSe:Tl осуществляется одним и тем же типом дефектов.

1.4. Показано, что дефекты осуществляющие самокомпенсацию и неравновесные дефекты связанные с процессами роста - дефекты одного типа.

2. Проведено исследование особенностей легирования висмутом PbSe.

2.1.Установлено, что примесь висмута в селениде свинца является донором и дает один электрон на атом примеси. (При А^, < 0,3 ат.%)

2.2.Показано, что при относительно небольших концентрациях примеси висмута (до 0,3 ат.%) доминирующим механизмом компенсации является компенсации примеси одиночными двукратно ионизованными вакансиями свинца.

2.3.При концентрациях примеси > 0,5 ат необходимо дополнительно учитывать перераспределение атомов висмута между селеновой и свинцовой подрешетками соединения, а также процесс образования комплексов, включающих не только примесные атомы но и точечные дефекты.

3. Исследованы электрофизические свойства слоев четверного твердого раствора (8по,б5РЬо,з5)о,950ео,о5Те:1п.

3.1.На зависимостях удельного сопротивления и коэффициента термоэдс от холловской концентрации дырок (р) при близких значениях р обнаружены особенности - скачки удельного сопротивления и минимумы коэффициента термоэдс.

3.2.Показано, что такие особенности свидетельствуют о сложном строении валентной зоны твердого раствора и о пересечении уровнем Ферми критических точек энергетического спектра. Опираясь на данные о строении валентных зон 8пТе, критические точки

19 3 идентифицированы как Е- экстремум валентной зоны (р « 9*10 см" ),

20 3 седловая точка Ы (р «3*10 см") и Л- экстремум валентной зоны (р « 4,5*Ю20 см"3).

3.3.В области концентраций дырок р> 1,5*10 см" наблюдалось снижение коэффициента термоэдс, рост удельного сопротивление и появление сверхпроводящего перехода с критической температурой Тс« 3 - 4К. Указанные особенности связаны с вхождением уровня Ферми в полосу примесных резонансных состояний индия.

-117

Личный вклад автора

Исследованные образцы РЬ8е:Т1 были изготовлены автором, образцы РЬ8е:В1 - совместно с Г.А. Николаевой, а (8по,б5РЬо,з5)о,95Сео,о5Те - совместно с С.Ф. Мусихиным.

Измерение кинетических коэффициентов в пленках РЬ8е:Т1 и массивных образцах РЬ8е:В1 проведено лично автором, а в (8по,б5РЬо,з5)о,950ео,о5Те - совместно с В.И. Прошиным и Д.В. Шамшуром (ФТИ).

Исследование сверхпроводимости в тонких слоях твердого раствора (8по,65РЬо5з5)о,956^0,05Те было выполнено Д.В. Шамшуром в Физико-Техническом институте им. А.Ф.Иоффе.

Обсуждение полученных экспериментальных результатов проведено автором совместно с С.А. Немовым и В.А. Зыковым.

Вся обработка полученных экспериментальных данных, проведение теоретических расчетов выполнены автором.

Результаты исследований доложены на восьми конференциях, на научных семинарах кафедры и опубликованы в трех статьях.

Публикации по теме диссертационной работы

Статьи

1. С.А. Немов, Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, П.А. Осипов, В.И. Прошин "Особенности электрической компенсации примеси висмута в РЬБе", ФТП, 32, 7, стр. 775-777 (1998).

2. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов, П.А. Осипов "Явление самокомпенсации в тонких слоях РЪ$е:ТГ, ФТП, 33,1, стр. 27-30 (1999).

3. С.А. Немов, С.Ф. Мусихин, П.А. Осипов, В.И. Прошин "Энергетический спектр твердых растворов (8по,б5РЬо,з5)о,950ео,о5Те", ФТТ, 42, 4, с. 47-49 (2000).

Тезисы конференций

1. С.А. Немов, Ю.И. Равич, В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, В.И. Прошин, П.А. Осипов "Самокомпенсация в объемных и тонкопленочных образцах халькогенидов свинца с различной лигатурой", "Фундаментальные исследования в технических университетах» Материалы научно-технической конференции 16-17 июня 1997 г. страницы 239-240

2. П.А. Осипов, С.А. Немов "Явление самокомпенсации в РЬ8е:ВГ', тезисы докладов 1-ой городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, 28 ноября 1997 г. страницы 51-52

3. П.А. Осипов, В.А. Зыков "Амфотерное поведение примеси висмута в эпитаксиальных пленках халькогенидов свинца", тезисы докладов 1-ой городской студенческой научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой наноэлектронике, 28 ноября 1997 г. страницы 52-53.

4. П.А. Осипов, П.В. Савинцев, В.А. Зыков, С.А. Немов "Особенности дефектообразования в РЬ8е:Т1", тезисы докладов 2-ой городской научной конференции студентов и аспирантов по физике полупроводников и

-119полупроводниковой наноэлектронике, 10-11 декабря 1998 г. страницы 52-53.

5. П.А. Осипов, Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков, С.А. Немов "Дефектообразование в кристаллах и тонких слоях РЬБе с примесью висмута", тезисы докладов 6-го межгосударственного семинара "Термоэлектрики и их применение"(27 октября 1998 г.) стр.97-101, Санкт-Петербург, 1999.

6. П.А. Осипов "Влияние гетеровалентного легирования на дефектообразование в тонких слоях РЬ8е:Т1", тезисы докладов 2-ой научной молодежной школы "поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники" (2-4 ноября 1999 г.), стр. 39, Санкт-Петербург.

7. П.А Осипов, С.А. Немов, В.А. Зыков. "Энергетический спектр твердого раствора (РЬо,358110,65)0,95Сео,о5Те с примесью 1п", тезисы докладов всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектроники (30 ноября - 3 декабря 1999 г.), стр. 113, Санкт-Петербург.

8. И.О. Шевелева, П.А Осипов, С.А. Немов, Д.В. Шамшур. "Сверхпроводящие свойства твердого раствора (РЬо,з58по,б5)о,95Сео,о5Те:1п", тезисы докладов всероссийской молодежной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектроники (30 ноября - 3 декабря 1999 г.), стр. 114, Санкт-Петербург.

-120-Благодарности

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить свою глубокую благодарность и признательность Сергею Александровичу Немову и Валерию Андреевичу Зыкову за неоценимую помощь в обсуждении экспериментальных результатов, проведение экспериментов и написании диссертации.

Владимиру Ивановичу Ильину за предоставленную возможность обучаться в аспирантуре на кафедре физики полупроводников и наноэлектроники СПбГТУ.

Николаевой Галине Александровне за помощь в изготовлении образцов.

Сергею Федоровичу Мусихину за помощь в изготовлении образцов и обсуждении экспериментальных результатов.

Владимиру Ивановичу Прошину за участие в измерениях и обсуждении полученных результатов.

Татьяне Андреевне Гавриковой за помощь в обсуждении результатов.

Юрию Исаковичу Равичу за участие в обсуждениях результатов и ряда теоретических вопросов.

Дмитрию Владиленовичу Шамшуру за проведение низкотемпературных измерений в области гелиевых температур.

Всем сотрудникам кафедры Физики полупроводников и наноэлектроники, которые никогда не отказывали в помощи при решении возникающих проблем.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Осипов, Павел Анатольевич, 2000 год

1. Н.Х. Абрикосов, J1.E. Шелимова. "Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6", М., Наука, 1968, 384 с.

2. R.F. Brebrick. "Composition Stability Limits of Binary Semiconductor Compounds", J. Phys. Chem. Sol., 18,2/3, p. 116-128 (1961).

3. G.G. Libowitz, J.B. Lightstone. "Characterization of Point Defects in Nonstoichiometric Compounds from Thermodynamics Considerations", J. Phys. Chem. Sol., 28, 7, p. 1145-1154 (1967).

4. В.П. Зломанов, A.B. Новоселова. "Р-Т-х-диаграммы состояния систем металл-халькоген", М., Наука, 1987.

5. W.W. Scanlon. "Recent Advances in the Optical and Electronic Properties of PbS, PbSe, PbTe and their Alloys", J. Phys. Chem. Sol., 8, p. 423-428 (1959).

6. A.F. Gibson "The Absorbsion Spectra of Single Crystals of Lead Sulpfuride, Selenide and Telluride", Proc. Phys. Soc. (London), B65, part 5, p. 378-388 (1952).

7. Е.Д. Девяткова, В.А. Саакян "Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов PbTexSei.x", ФТТ, 10, 5, с. 1563-1565 (1968).

8. P.J. Lin, Z. Kleiman. "Energy Bands of PbTe, PbSe and PbS", Phys. Rev., 142, p. 478-489 (1966).

9. S. Rabii. "Investigation of Energy-Band Structures and Electronic Properties of PbS and PbSe", Phys. Rev., 167, 3, p. 801-808 (1968).

10. J.M. Tung, M.Z. Cohen. "Realistic Band Structure and Electronics Properties of SnTe, GeTe and PbTe", Phys. Rev., 180, 3, p. 823-826 (1969).

11. F. Herman, R.Z. Kortum, I.B. Ortenburger, J.P. Van Dyke. "Realistic Band Structure of GeTe, SnTe, PbTe, PbSe and PbS", J. De Physique, 29, 176, p. C4-62-77 (1969).

12. J.B. Conklin, E.L. Johnson, G.W. Pratt. "Energy Bands in PbTe", Phys. Rev., 137,4A, p. A 1282-1294 (1965).

13. L.G. Ferreira. "Déformation Potentials of Lead Telluride", Phys. Rev. 137, 4A, p. 1601-1609 (1965).

14. D.L. Mitchell, R.F. Wallis. "Theoretical Energy-Band Parameters of the Lead Salts", Phys. Rev., 151, 2, p. 581-595 (1966).

15. J.O. Dimmok, G.B. Wright. "Band Edge Structure of PbS, PbSe and PbTe", Phys. Rev., 135, ЗА, p. 821-830 (1964).

16. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. "Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS", M., Наука, 1968, 383 с.

17. Е. Квятковский. "Строение валентной зоны соединений AIVBVI", ФТТ, 32,10, с. 2862-2868 (1990).

18. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. "Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова", ФТТ, 32, 10, с. 2869-2880 (1990).

19. М.К. Житинская, В.И. Кайданов, И.А. Черник. "О непараболичности зоны проводимости теллурида свинца", ФТТ, 8, 1, с. 295-297 (1966).

20. И.А. Черник, В.И.Кайданов, М.Н. Виноградова, Н.В. Коломоец. "Исследование валентной зоны теллурида свинца с помощью явлений переноса", ФТП, 2, 6, с. 773-781 (1968).

21. И.А. Черник, М.Н. Виноградова, Н.В. Коломоец, Д.П. Семенцина. "К вопросу о зонной структуре селенистого свинца ", ФТП, 2, 8, с. 1173-1175 (1968).

22. И.А. Черник, В.И. Кайданов, Е.Д. Ненсберг, В.В. Поляков. "К вопросу о структуре зоны проводимости сернистого свинца", ФТП, 2, 1, с. 142-144 (1968).

23. Б.Я. Мойжес, Ю.И. Равич. "О механизмах рассеяния и роли межэлектронных столкновений в w-PbTe", ФТП, 1, 2, с. 188-195 (1967).

24. В.И. Тамарченко, Ю.И. Равич, Л.Я. Морговский, И.Н. Дубровская. "О числе Лоренца и других кинетических коэффициентах в вырожденных образцах PbTe, PbSe nPbS", ФТТ, И, 11, с. 3206-3213 (1969).

25. С. Грязнов, Ю.И. Равич. "Об анизотропии рассеяния носителей в РЬТе", ФТП, 3, 9, с. 1310-1315 (1969).

26. Ю.И. Равич, Л.Я. Морговский. "К теории рассеяния носителей на оптических и акустических фононах в полупроводниках типа РЬТе", ФТП, 3,10, с. 1528-1539 (1969).

27. В.И. Тамарческо, Ю.И. Равич. "Влияние столкновений между носителями на эффект Нернста и другие явления переноса в невырожденных полупроводниках", ФТП, 2,12, с. 1729-1737 (1968).

28. JU.I. Ravich, В.А. Efimiva, V.I. Tamarchenko. "Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenids. I. Theory", Phys. Stat. Sol.(b), 43,1, p. 11-33 (1971).

29. Ju.I. Ravich, B.A. Efimiva, V.I. Tamarchenko. "Scattering of Current Carriers and Transport Phenomena in Lead Chalcogenids. II. Experiment", Phys. Stat. Sol.(b), 43, 2, p. 453-469 (1971).

30. И.А. Черник, В.И. Кайданов. "О подвижности "легких" и "тяжелых" дырок и межзонном рассеянии в теллуриде свинца", Труды ЛПИ, 325, с. 43-55 (1971).

31. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич "Самокомпенсация электрически активных примесей собственными дефектами в полупроводниках типа А4В6", ФТП, 28, 3, с. 369-393 (1994).

32. Т.А. Гаврикова, В.А.Зыков, С.А. Немов "Особенности явления самокомпенсации в пленках PbSe<Tl,Pbex>", ФТП, 27, 2, с. 200-204 (1993).

33. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов, "Особенности самокомпенсации в пленках PbSe<Cl,Seex>", ФТП, 30,4, с. 386-388 (1996).

34. Ф. Крегер. "Химия несовершенных кристаллов", М., Мир, 1969.

35. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. "Самокомпенсация акцепторов вакасиями в сульфиде и селениде свинца, легированных таллием", ФТП, 14, 7, стр. 74-79 (1980).

36. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, В.П. Макеенко, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. "Самокомпенсация донорного действия висмута в теллуриде свинца", ФТП, 18, 3, с. 489-492 (1984).

37. Т.Л. Ковальчик, Ю.П. Маслаковец. "Влияние примесей на электрические свойства теллуристого свинца", ЖТФ, 26, 11, с. 2417 (1956).

38. Б.А. Ефимова, Г.Ф. Захарюгина, Л.В. Коломоец. Известия академии наук СССР Неорганические материалы, 4,1, с. 32 (1968).

39. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов. "Амфотерное поведение висмута в пленках селенида свинца", ФТП, 29, 2, с. 309-315 (1995).40."Физические величины", под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова, М., Энергоатомиздат 1991.

40. Л.Д. Дудкин, Н.А. Ерасова, В.И. Кайданов, Т.И. Калашникова, Э.Ф. Косолапова. "Влияние примеси индия на электрофизические свойства теллурида олова", ФТП, 6,11, с. 2294-2296 (1972).

41. Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. "Сверхпроводящий переход в SnTe, легированном индием", ФТТ, 28, 4, с. 1094-1099 (1986).

42. А.Е. Цуркан, О.Г. Максимова, В.И. Верлан. "Сложные полупроводники и их физические свойства", Кишинев, Штиница, 1971, с. 128-134.

43. Landolt-Bornstein. "Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology", Ed. O. Madelung, Berlin: Springer-Verlag, vol. 17, subvol f (1983).

44. В.И. Кайданов, И.С. Лискер. "К вопросу об определении гальвано и термомагнитных эффектов в полупроводниках", ИФЖ, 8, 5, (1965).

45. С. Л. Пышкин. "Лазерные методы получения полупроводниковых структур и их иследование", Кишинев, "Истина", 1988, 99с.

46. Ю.В. Афанасьев, О.Н. Крохнн. "Газодинамическая теория воздействия излучения лазера на конденсированные среды", труды ФИ АН СССР, 52, с. 118-170(1970).

47. С.В. Гапонов, H.H. Салащенко. Электронная промышленность, 1, с. 11-20 (1976).

48. ИВ. Немчинов. "", ПММ, 29, 1, с. 134-140 (1965).

49. А.Ф. Гончаренко, И.В. Немчинов, В.М. Хазинс. ПМТФ, 3, с. 13-18 (1976).

50. С.В. Гапонов, A.A. Гудков, Б.М. Лускин. ЖФТ, 51, с. 1000-1004 (1981).

51. Жерихин. "Лазерное напыление тонких пленок", Современные проблемы лазерной физики, Итоги науки и техники. 1, с. 197-221 (1990).

52. Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, В.И. Равич. "Самокомпенсация акцепторов вакасиями в сульфиде и селениде свинца, легированных таллием", ФТП, 14, 7, с. 74-79 (1980).

53. В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, С.А. Немов, П.А. Осипов. "Явление самокомпенсации в тонких слоях PbSe:Tl", ФТП, 33, 1, с. 27-30 (1999).

54. С.А. Немов, С.Ф. Мусихин, П.А. Осипов, В.И. Прошин. "Энергетический спектр твердых растворов (Sno>65Pbo;35)o,95Geo,o5Te" ФТТ, 42, 4, с. 47-49 (2000).

55. В.М. Грабов. "Явление переноса и межэкстремумное рассеяние носителей заряда в полуметаллах", "Физика твердого тела", материалы межвузовской научной конференции. Барнаул, БГПИ, АГУ, с. 31-34 (1982).

56. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. "Глубокие и резонансные в полупроводниках типа А^В^", УФН, 145, с. 51-86 (1985).58. "Физические величины", под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова, М., Энергоатомиздат, 1991.

57. В.М. Грабов. "Закономерности межэкстремумного рассеяния носителей заряда в полуметаллах", "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и-126полуметаллы", материалы VII всесоюзного симпозиума, Львов, 1986, часть 2, с. 194-196.

58. G.S. Bushmarina, I.A. Drabkin, D.V. Mashovets, R.V. Parfeniev, D.V. Shamshour, M.A. Shachov. PhysicaB, 169, c. 687 (1991).

59. С.А. Немов, С.Ф. Мусихин, Р.В. Парфеньев, В.Н. Светлов, Д.Н. Попов, В.И. Прошин, Д.В. Шамшур. "Влияние добавок Ge на распределение компонентов и сверх- проводящий переход в пленках SnizPbzTe:In", ФТТ, 37, 11, с. 3523-3525 (1995).

60. Н.В. Коломоец. "Влияние межзонных переходов на термоэлектрические свойства вещества", ФТТ, 8, 4, с. 997-1003, (1966).

61. С. Грязнов, Г.А. Иванов, Б.Я. Мойжес, В.Н. Наумов, В.А. Немчинский, В.Н. Редько. "Влияние межзонного механизма рассеяния на кинетические явления в p-BiixSbx", ФТТ, 24, 8, с. 2335-2343 (1982).