Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Сергиенко, Андрей Алексеевич

• Сергиенко, Андрей Алексеевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Сергиенко, Андрей Алексеевич

ВВЕДЕНИЕ

1. ВОЗМОЖНОСТЬ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ПРИ ЕГО РАСПЫЛЕНИИ

1.1. Ионно-электронная эмиссия

1.2. Методы регистрации сигнала ионно-электронной эмиссии

1.2.1. Метод наведенного тока

1.2.2. Метод объемного коллектора

1.3. Составляющие сигнала вторичной ионной эмиссии

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления»

Развитие микроэлектроники, а в последние годы и наноэлек-троники привело к необходимости использования ускоренных ионных потоков для обработки поверхности (очистки, травления, нанесения слоев) при создании элементов интегральных схем. При воздействии ускоренных частиц на поверхность твердого тела возникает множество эффектов [1, 2]. Одним из таких эффектов является вторичная электронная эмиссия [3].

Технология ионно-лучевого травления, инициирующего выход вторичных электронов при ионной бомбардировке поверхности, нашла широкое применение в микро- и наноэлектронике в связи с необходимостью реализации высоких потенциальных возможностей, заложенных в ионной и электронной литографии, с возрастанием требований по степени интеграции и точности исполнения топологического рисунка микросхем [4-7]. Традиционные методы химического жидкостного травления вытесняются ионно-лучевыми методами травления и очистки поверхности материалов в технологии производства интегральных схем [8-12], основой которых являются многоуровневые тонкопленочные коммутации и гетерокомпозиции, выполненные с применением новых материалов подложек и пленок. Относительно низкая воспроизводимость параметров изделий, характерная для серийного производства связана с недостаточной точностью формирования топологии элементов микросхем, обусловленной колебаниями параметров режима обработки, отсутствием непрерывного контроля всех стадий процесса травления (очистка поверхности, травление, переход травления от одного слоя к другому, окончание процесса травления). Такая ситуация наблюдается во многих отраслях электроники, например, таких как оптоэлектроника, акустоэлектроника, СВЧ-техника и других [13-18].

Решение отмеченных проблем связано с разработкой и освоением адаптивных технологических процессов травления пленочных покрытий для формирования топологии схем, либо очистки поверхности [19-20].

Актуальной является разработка безинерционного метода контроля параметров процесса и состояния обрабатываемой поверхности, несущего прямую информацию и позволяющего:

1. Осуществлять контроль процесса травления любых материалов и многослойных гетероструктур непосредственно в процессе ионно-лучевой обработки.

2. Контролировать все стадии процесса ионно-лучевого травления [21-23].

Для целей контроля вакуумных технологических процессов возможно использование интегрального сигнала вторичной электронной эмиссии, отличающегося простотой регистрации и высокой чувствительностью к составу обрабатываемой поверхности [24-27].

В работах предыдущих лет [28, 29] была показана принципиальная возможность использования сигнала вторичной электронной эмиссии для контроля стадий ионно-индуцированного распыления, но при этом не рассматривалась физика выхода вторичных электронов из материалов, исследовались фактически только металлы, а расчеты процесса можно считать лишь оценочными.

Цель настоящей работы заключалась в расширении возможности использования вторичной электронной эмиссии для контроля процесса ионно-лучевого травления тонкопленочных материалов электронной техники на основе уточнения физико-технологических особенностей механизма ионно-электронной эмиссии; разработке простого и надежного метода определения состояния поверхности металлических и полупроводниковых слоев при ионно-лучевом травлении, основанного на использовании интегрального сигнала вторичных электронов; выявлении основных закономерностей выхода вторичных электронов от условий проведения процесса травления.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- определение принципов построения и разработка элементов оборудования для регистрации ионно-электронной эмиссии (ИЭЭ) на базе существующего промышленного технологического оборудования;

- установление закономерностей выхода вторичных электронов в вакуум в зависимости от материала мишени (Си, Al, V, Та, Ni, Mo, Ti, Аи, Si, Ge, GaAs, a-Si:(N,H), a-Si:H, полиимид, ситалл), сорта и энергии бомбардирующих ионов (Аг+, Не+), их энергии, температуры мишени и плотности ионного потока;

- разработка уточненной математической модели выхода вторичных электронов при низкоэнергетической бомбардировке обрабатываемой поверхности, согласующейся с экспериментальными результатами, и проведение расчета коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии;

- установление практической возможности использования вторичной электронной эмиссии для контроля процесса ионно-лучевого травления тонкопленочных материалов электронной техники и гете-рокомпозиций на их основе.

Научная новизна работы:

1. Установлены закономерности изменения интегрального сигнала вторичных электронов при ионно-лучевом травлении материалов (Си, Al, V, Та, Ni, Mo, Ti, Аи, Si, Ge, GaAs, a-Si:(N,H), a-Si:H, полиимид, ситалл) в зависимости от их исходного состояния, температуры поверхности мишени, электропроводимости, ширины запрещепной зоны полупроводников, энергии ионов и плотности ионного потока на мишень.

2. Разработана уточненная модель выхода вторичных электронов при низкоэнергетическом (до 10 кэВ) ионном воздействии на поверхность мишени, учитывающая возникновение ионно-индуцированного тока в приповерхностной области полупроводника и плотность потока первичных ионов (до 3 мА/см2), позволяющая объяснить экспериментальные результаты.

3. Разработана методика расчета коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии с учетом функции распределения электронов в твердом теле по энергии в возбужденном состоянии при облучении ионами, позволяющая оценивать и предсказывать величину тока вторичных электронов в процессе ионно-лучевого травления металлов и полупроводников. Модель базируется на определенном участии всех электронов твердого тела в процессе ионно-электронной эмиссии и независимости коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии от плотности потока ионов на мишень.

4. Выявлены закономерности изменения тока вторичных электронов при послойном травлении многослойных структур. Дано объяснение сложному ходу этой зависимости в рамках теоретических соображений, представленных в работе.

Практическая значимость работы:

1. Разработан метод контроля состава поверхности пленочных гетероструктур путем регистрации интегрального сигнала вторичных электронов в процессе их ионно-лучевого травления, позволяющий в едином технологическом процессе безинерционно определять все стадии процесса травления: очистка поверхности, травление, переход травления от одного слоя к другому, окончание процесса травления (свидетельство о регистрации НОУ-ХАУ в Депозитарии МИ

СиС № 7-219-2002 ОИС от 29.11.02 [30, 31]).

2. Разработан узел и система регистрации сигнала вторичных электронов, обеспечивающие увеличение его интенсивности в процессе ионно-лучевого травления тонкопленочных гетерокомпозиций.

3. Показана практическая возможность технологического контроля всех стадий процесса ионно-лучевого травления металлов, полупроводников, диэлектриков и тонкопленочных гетерокомпозиций на их основе на примере создания элементов на поверхностно-акустических волнах и полевых транзисторов. Экспериментально установлено, что вторичный ток электронов при ионно-электронной эмиссии является током, определяющим свойства стравливаемой пленочной структуры, являясь безинерционным носителем информации о состоянии поверхности. Показано, что определенное значение тока вторичных электронов от конкретного материала слоя определяет возможность идентификации этого материала в процессе ионно-лучевого травления.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Регистрация интегрального сигнала эмиссии вторичных электронов, позволяющая разработать метод, устройство и методику контроля состояния поверхности и всех стадий процесса ионно-лучевого травления металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленочных гетерокомпозиций.

2. Уточненная математическая модель эмиссии вторичных электронов при низкоэнергетической (до 10 кэВ) ионной бомбардировке поверхности подложки с учетом ее электронных характеристик и параметров ионного воздействия и методика расчета коэффициента ионно-электронной эмиссии металлов и полупроводников, позволяющие предсказать реальный ток эмиссии в зависимости от материала поверхности мишени, сорта бомбардирующей частицы и энергии налетающего иона.

3. Установленные закономерности изменения интегрального сигнала вторичной ионно-электронной эмиссии в зависимости от параметров низкоэнергетического (до 10 кэВ) ионного воздействия и материала обрабатываемой поверхности, позволяющие обеспечить неразрушающий контроль всех стадий процесса ионно-лучевого травления тонкопленочных слоистых гетерокомпозиций и создать основу для разработки адаптивно-управляемой технологии на базе интеллектуальных схем.

Апробация работы

Основные результаты диссертации отражены в 8 публикациях и докладывались на 4-ой международной конференции "Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии" (Кисловодск, 2004г.), IX Межгосударственном семинаре "Термоэлектрики и их применение" (Санкт-Петербург, 2004г.), на 3-ей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний-2003, Москва, 2003г.), Российско-Японском семинаре "Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлектроники" (Астрахань, 2006г.). Имеются 2 свидетельства о регистрации НОУ-ХАУ в Депозитарии МИСиС: №7-219-2002 ОИС от 29.11.2002г. и № 204-219-2006 ОИС от 17.01.2006г.

Результаты работы были опробованы с положительным эффектом при разработке технологии изготовления СВЧ полевых транзисторов на GaAs, а также при разработке тонкопленочных (100. 150 нм) диодных структур на основе твердых растворов карбида кремния.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 5 глав, общего заключения и выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 144 страницы машинописного текста, включая 54 рисунка и 2 таблицы. Список цитируемой литературы состоит из 82 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Сергиенко, Андрей Алексеевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработан метод контроля процесса ионно-лучевого травления пленочных гетероструктур на основе металлов (Си, Al, V, Та, Ni, Mo, Ti, Аи) и полупроводников (Si, Ge, GaAs, a-Si:(N, H), a-Si:H) путем регистрации интегрального сигнала вторичных электронов на уровне от единиц до десятков микроампер, позволяющий в едином технологическом цикле безинерционно определять все стадии процесса травления (очистка поверхности, травление естественного оксидного слоя, травление нанесенной пленки, переход от травления нанесенного слоя к травлению подложки).

2. Разработана конструкция коллектора для захвата эмитированных вторичных электронов, система регистрации интегрального сигнала и узел размещения в подколпачном устройстве стандартного вакуумного технологического оборудования. Разработанное оборудование позволяет избавиться от паразитной составляющей тока вторичных заряженных частиц и обеспечивает увеличение интенсивности сигнала.

3. Установлены основные закономерности изменения интегрального сигнала вторичных электронов при ионно-лучевом травлении тонкопленочных материалов в зависимости от их исходного состояния, состава, температуры, электропроводимости, ширины запрещенной зоны полупроводников, энергии и плотности ионного потока. Показано, что величина сигнала может изменяться более, чем в 3 раза (от 6 мкА до 20 мкА) при увеличении, например, энергии ионов в 2 раза (от 1 кэВ до 2 кэВ).

4. Экспериментально показано, что с помощью регистрации интегрального сигнала вторичных электронов при ионно-лучевом травлении можно контролировать химический состав приповерхностного слоя. Так, изменение концентрации фосфора в монокристаллическом кремнии с МО16 см'3 до 3-1017 см"3 приводит к возрастанию тока эмиссии электронов до 10 %, а изменение содержания азота в слое аморфного гидрогенизированного кремния на уровне 6 % (ат) - до 30 %.

Аналогичные результаты получены и при ионно-лучевом травлении многослойных структур на основе твердых растворов PbSnTe.

5. Разработана уточненная статистическая модель выхода вторичных электронов из твердого тела при низкоэнергетической (до 10 кэВ) ионной бомбардировке, учитывающая зонную теорию обрабатываемого материала, характеристики вероятности выхода свободного электрона в вакуум, плотность потока ионов на поверхность. В рамках разработанной модели становится возможным проводить расчеты параметров вторичной электронной эмиссии с поверхности металлов и полупроводников и прогнозировать с погрешностью до 10 % реальный ток эмиссии.

6. Теоретически рассчитаны и экспериментально определены коэффициенты кинетической ионно-электронной эмиссии при ионном облучении металлов и полупроводников, удовлетворительно согласующиеся друг с другом. Показано, что существует прямо пропорциональная зависимость увеличения тока эмиссии при возрастании плотности потока ионов на поверхность. Установлено, что при обработке полупроводников вторичная ионно-электронная эмиссия зависит как от тока вторичных электронов, так и тока электронов проводимости в поверхностном слое твердого тела.

7. Установлено, что ионно-лучевое травление с эмиссионным контролем одно-, двух- и трехслойных гетерокомпозиций из металлов (Си, Al, V, Та, Ni, Mo, Ti, Аи), полупроводников (Si, Ge, GaAs, a-Si:(N, H), a-Si:H) на диэлектрической подложке с толщиной слоев от 100 нм до 600 нм позволяет по скачку интегрального сигнала эмиссии электронов достаточно точно фиксировать переход окончания травления одного слоя и переход к травлению другого. Время перехода для различных слоистых гетерокомпозиций составляет 2. 10 мин при толщине удаляемого слоя 20.300 нм и зависит от различной скорости травления материалов и локальной неоднородности химического состава по поверхности. Показано, что начальный период ионно-лучевого травления в течение 0,5.2,0 мин или толщине удаляемого слоя 5. 10 нм наблюдается повышенный сигнал эмитированных электронов, что связано с удалением как адсорбционного слоя примесей, так и оксидной пленки на исходной поверхности обрабатываемой подложки.

8. Результаты исследований были положительно опробованы при создании топологии ПАВ-элементов на основе LiNbC>3 с размерами 10.20 мкм с общей площадью «окон» и полос в фоторези-стивной маске на уровне 50 % при обшей вскрываемой площади 50.60 %. Показана возможность регистрации момента окончания ионного травления как каждого слоя, так и всей тонкопленочной структуры.

9. Результаты исследований были положительно опробованы при создании контактов СВЧ полевого транзистора на основе GaAs. Вскрываемая площадь составляла 33 % от общей площади травления. Показана возможность регистрации момента окончания травления слоя золота и полного его удаления, полученного термическим испарением. Применение этого метода контроля ИЛТ в технологии производства СВЧ полевых транзисторов на основе GaAs позволит исключить операцию жидкостного травления остатков золота и, таким образом, подтравливание гальванически выращенных золотых контактов, что повысит надежность и улучшит характеристики СВЧ полевых транзисторов.

10. При разработке технологии создания тонкопленочных диодных структур на основе твердых растворов карбида кремния была опробована возможность контроля процесса размерного ионно-лучевого травления наноразмерных слоев (100. 150 нм) с одновременной регистрацией интегрального сигнала электронной эмиссии. Регистрация сигнала электронной эмиссии позволяет:

- строго фиксировать момент окончания травления наноразмерных слоев и переход к травлению подложки по изменению величины сигнала на 30.40 %;

- определять изменение состава пленок в пределах (SiC)0.6-o.8(A1N)o,4-o.2 в процессе их ионно-лучевого травления.

ОБЩЕЕ ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Разработан метод контроля состояния поверхности при ИЛТ металлов, диэлектриков и полупроводников, используя ток вторичных электронов ионно-электронной эмиссии. В рамках этого метода разработано экспериментальное оборудование - конструкция объемного коллектора для захвата эмитированных вторичных электронов, позволяющее проводить эксперименты по регистрации тока вторичной ионно-электронной эмиссии. Регистрационный узел объемного коллектора включает в себя приемник электронов. Прикладывая положительный потенциал к выполненному в виде отдельного элемента конструкции приемнику вторичных электронов и располагая его за исследуемым образцом, становится возможным собирать вторичные электроны нужных энергий электрическим полем, избавляясь тем самым от паразитной составляющей тока вторичных частиц (третичные электроны, вторичные ионы). Для проведения экспериментов разработана методика определения оптимальной величины положительного потенциала, подаваемого на приемник, для всех исследуемых материалов.

Таким образом, разработанное технологическое оборудование позволяет регистрировать во времени сигнал тока вторичных электронов с поверхности твердого тела, интенсивность которого позволяет фиксировать его для разных материалов (металл, диэлектрик, полупроводник) при использовании стандартного технологического оборудования.

Расширены теоретические представления о взаимодействии низкоэнергетического ионного пучка с поверхностью подложки в реальных технологических и экспериментальных условиях, позволяющие объяснить природу и взаимодействие индуцированных токов, возникающих при этом. В соответствии с этой теорией основными факторами, определяющими электрическое состояние поверхности, являются:

- заземление подложки, влияющее на характер прохождения ионно-индуцированного тока;

- плотность потока первичных ионов (ток ионов на поверхность);

- компенсация положительного заряда на поверхности обрабатываемой структуры (ток электронов вторичной плазмы);

- ток вторичных электронов от обрабатываемой поверхности.

В соответствии с этим дано объяснение возникновению и эволюции тока вторичных электронов от многослойной (металл-полупроводник-диэлектрик) структуры, регистрируемого приемником электронов. В работе получено экспериментальное подтверждение данной теории.

Объяснен механизм изменения ионно-индуцированного тока полупроводников, в соответствии с которым изменяется ток вторичных электронов в твердом теле, что сказывается на кинетическом коэффициенте ионно-электронной эмиссии. В соответствии с этим, определяющим параметром на величину выхода вторичных электронов от полупроводников, в отличие от металлов, будет являться Электропроводимость обрабатываемой ионами поверхности. Исследование на полупроводниках позволило определить, что вторичная ионно-электронная эмиссия зависит в равной степени от индуцированного ионами тока электронов, направленного к поверхности, и тока электронов проводимости в поверхностном слое твердого тела. Для металлов эти токи равны. Нарушение баланса этих токов в полупроводниках, обусловленное меньшей электропроводимостью, приводит к изменению конечного выхода вторичных электронов при кинетической ионно-электронной эмиссии.

Разработана модель выхода вторичных электронов из твердого тела, адекватно отражающая расчеты КИЭЭ для металлов и полупроводников. В основу модели положен рассматриваемый принцип постоянства (независимости) КИЭЭ материала от плотности падающего потока ионов. Это обстоятельство позволяет утверждать, что существует прямо пропорциональная зависимость увеличения тока эмиссии при увеличении потока ионов на поверхность. В основу теории был положен модифицированный потенциал Фирсова, характеризующий переданную энергию связанным электронам среды при энергии налетающих частиц до 10 кэВ. Модель включает в себя статистический подход к решению задачи. При расчете основных характеристик ИЭЭ сделаны следующие предположения: количество свободных электронов, появляющихся в результате оже-процесса в зоне проводимости, зависит от изменения уровня Ферми, который, в свою очередь, меняется в результате выделения дополнительной энергии ионами при неупругом столкновении с твердым телом.

В рамках данной модели становится возможным оценить не только коэффициент кинетической ионно-электронной эмиссии разных металлов и полупроводников в зависимости от энергии налетающего иона, но и рассчитать ожидаемый ток вторичных электронов с заданной площади поверхности.

Некоторые различия рассчитываемых параметров и экспериментальных данных объясняется тем, что на практике применяется немоноэнергетический пучок ионов, и расчеты ведутся для определенной плотности потока ионов, которая меняется от эксперимента к эксперименту до 10 %.

Проведены эксперименты по выявлению зависимости тока вторичных электронов от ширины запрещенной зоны полупроводников

GaP, GaAs, Si, Ge, InSb). В соответствии с полученными данными, можно утверждать, что монотонной зависимости не существует. Это объясняется нарушением баланса токов в приповерхностной области, который в случае полупроводников оказывает существенно большее влияние на выход вторичных электронов, чем изменение потенциального барьера на десятые доли электрон-вольта.

В работе проведены эксперименты по ионному травлению гете-роструктур на основе металлических пленок. Тот факт, что ионно-электронная эмиссия очень чувствительна к состоянию поверхности, и то, что различные материалы обладают свойственными только им коэффициентами ионно-электронной эмиссии, позволили установить возможность использования сигнала ионно-электронной эмиссии в качестве контролирующего сигнала для определения момента окончания травления каждого слоя структуры.

Приведенные временные зависимости тока вторичных электронов позволяют однозначно утверждать о возможности применения разработанной методики определения «послойных моментов окончания травления» при ионно-лучевой обработке пленочных покрытий. Основной проблемой при этом остается высокая чувствительность метода к поверхностным загрязнениям слоев и электрическим напряжениям на границах гетероструктуры, а так же расходимость ионного пучка в пространстве. Уменьшая влияние состояния поверхности и расходимости пучка, можно добиться пригодных результатов для осуществления соответствующего контроля. Представленные результаты наглядно демонстрируют возможности разработанного метода применительно к технологическим процессам полупроводникового производства. Так при условии экранировании плазмы ионного источника, возможно в едином технологическом процессе ионной обработки металлов, полупроводников и даже диэлектриков, а также пленочных структур на их основе, исследовать и контролировать поверхность твердых тел и фиксировать характерные точки стравливаемых структур с точностью определения по толщине не хуже 4.5 %.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Сергиенко, Андрей Алексеевич, 2006 год

1. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. // Технология материалов электронной техники. М.: МИСиС. 1995.

2. Кузнецов Г.Д. // Элионная технология в микроэлектронике. Курс лекций. М.: МИСиС. 1991.

3. Добрецов JI.H., Гомоюнова М.В. // Эмиссионная электроника. М.: Наука. 1966.

4. Кузнецов Г.Д., Сушков В.П., Кушхов А.Р. и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2003. № 4. с. 4-15.

5. Поляков А.Я., Смирнов Н.Б., Говорков А.В. и др. // Свето-диоды и лазеры. 2002. № 1-2. с. 93-94.

6. Лучинин В.В., Лютецкая И.Г., Сазанов А.П. // Изв. вузов. Электроника. 1999. № 3. с. 3-13.

7. Kuznetsov G., Deilan V. // Surface and coating technol. 1992. № 54/55. p. 96-101.

8. Аброян И.А., Андронов A.H., Титов А.И. // Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа. 1984.

9. Аброян И.А., Гордиенко Е.В., Крысов, Г.А. и др. // Электронная промышленность. 1981. № 7-8. с. 51-55.

10. Wolf E.D., Adesida I., Chin J.D. // J. Vac. Sci. and Technol. 1984. V.A2. N 2. Pt. I. p. 464-469.1 1. Revell P.J., Goidspink G.F. // Vacuum. 1984. V.34. N 3-4. p. 455-462.

11. Horiike Y. // Japan Annual Reviews in Electronics. Computer and Telecommunications Semiconductor Technologies. 1983. V.8. p. 55-72.

12. Bunshah R.F. // Noyes publication. Park Ridge. New-Jersy. U.S.A. p. 1-186.

13. Kane S.M., Ahn K.Y. // J. Vac. Sci. And Technol. 1979. V. 16. N 2. p. 171-174.

14. Sites J.R., Gilstrap P., Rujkorakarw R. / Opt. Eng. 1983. V.22. N 4. 447-449.

15. Ивановский Г.Ф. // Электронная промышленность. 1980. № 3. с. 26.

16. Лабунов В.А., Рейсе Г. // Зарубежная электронная техника. 1982. № I.e. 3-42.

17. Maddox R.L. // Microelectron. J. 1980. V. 11. N 1. p. 418.

18. Симакин С.Б. // Вакуумная техника и технология. 1992. Т. II. № 4. с. 89-90.

19. Matthes A., Schmidl F., Barholz K-U. and other // Supercond. Sci. Technol. 1995. № 8. p. 676-679.

20. Симакин С.Б. // Исследование ионно-индуцированных токов в пленочных структурах с целью управления процессами ионно-плазменной обработки. Дис. канд. наук М.: Институт вакуумной техники. 1986. с. 190.

21. Сергиенко А.А., Симакин С.Б., Кузнецов Г.Д. и др. // Материалы российско-японского семинара «Перспективные технологии для материаловедения, микро- и наноэлектроники». Астрахань. 2006. с. 285-290.

22. Симакин С.Б., Кузнецов Г.Д., Сергиенко А.А. и др. // Материалы российско-японского семинара «Перспективные технологии для материаловедения, микро- и наноэлектроники». Астрахань. 2006. с. 291-296.

23. Тешев Р.Ш., Кузнецов Г.Д. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2002. № 2. с. 3-13.

24. Кузнецов Г.Д., Журавлев А.В., Паршин А.В. // Труды 2 Международной конференции «Физико-технические проблемы электротехнических материалов» Клязьма. 1999. с. 112-113.

25. Кислов Н.М., Кузнецов Г.Д., Сергиенко А.А. и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2004. № 4. с. 63-67.

26. Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Сергиенко А.А. и др. // Мате-ралы IX Межгосударственного семинара «Термоэлектрики и их применение». Санкт-Петербург. 2004.

27. Дорожкин А.А., Петров Н.Н. // Сб. "Применение методов электронной и ионной обработки в промышленности". JL: Дом НТП. 1985. с. 42-45.

28. Журавлев В. А. // Использование ионно-электронной эмиссии для контроля процессов ионно-лучевого травления пленочных структур. Дис. канд. наук-М.: МИСиС. 1993. с. 219.

29. Ковельский Г.А. // Эмиссионные явления при взаимодействии ионов и атомов с поверхностью твердого тела. М. 2002.

30. Дорожкин А.А., Ершов С.Г., Филимонов А.В. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. №12. с.132-136.

31. Ковалев В.П. // Вторичные электроны. М.: Энергоатомиз-дат. 1987.

32. Брусиловекий Б.А. // Кинетическая ионно-электронная эмиссия М.: Энергоиздат. 1990.

33. Аброян И.А., Еремеев М.А., Петров Н.Н. // Успехи физических наук. 1967. Т. 92. № 1, с. 105-157.

34. Krebs К. Н. // Vacuum. 1983. V. 33. N. 9. р. 555-563.

35. Борисов A.M., Куликаускас B.C., Машкова Е.С. // Поверхность. 2001. № 8. с. 59-63.

36. Дорожкин А.А., Петров Н.Н. // ФТТ. 1974. № 3. с. 800-803.

37. Борисов A.M., Машкова Е.С., Немов А.С. и др. // Поверхность. № 3. 2005. с. 70-76.

38. Брусиловский Б.А. // Поверхность. 1993. № 12. с. 5-8.

39. Брусиловский Б.А. // Поверхность. 1987. № 3. с. 78-88.

40. Баклицкий Б.Е., Парилис Э.С. // Журн. техн. физ. 1986. Т. 56. № 1. с. 27-35.

41. Парилис Э.С., Кишиневский JI. М. // Физика твердого тела. 1961. Т. 3. № 4. с. 1219-1228.

42. Винокуров Я.А., Кишеневский П.М., Парилис Э.С. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1976. Т. 40. № 8. е. 1745-1748.

43. Баклицкий Б.А., Парилис Э.С. // Поверхность. 1982. № 8. с. 92-100.

44. Кишеневский JI.M., Парилис Э.С. // Журн. техн. физ. 1982. Т.52. № 7. с. 1290-1298.

45. Кишиневский J1.M., Парилис Э.С. // Труды 5 Всес. конф, ВАЧТ. ч. 1. Минск: БГУ. 1978. с. 217.

46. Фогель Я.М., Слабоспицкий Р.П., Растрепин А.В. // Журн. техн. физ. 1960. Т.30. № 1. с. 63-73.

47. Evdokimov I.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A. and other // Phys. state sol. 1967. Vol. 19. N 1. p. 407-415.

48. Дорожкин A.A. // Ионно-электронная эмиссия и автоионизационные явления. Дис. д-ра физ-мат. Наук. J1. 1985.

49. Андерсен X., Бай X. // Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. Распыление одноэлементных твердых тел. / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир. 1984. с. 194.

50. Готт Ю.В. // Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях. М.: Атомиздат. 1978.

51. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А. // Известия АН СССР. Сер. физ. 1969. Т. 33. № 5. с. 762-764.

52. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А. // Доклады 14 Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. Ташкент: ФАН. 1970. с. 23.

53. Евдокимов И.Н. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М.: ОНТИ ИАЭ. 1972. с.24-27.

54. Евдокимов И.Н. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Часть 2. Киев: Наукова Думка. 1974. с. 42-45.

55. Дорожкин А.А., Петров А.А., Петров Н.Н. // Труды ЛПИ им. М.И. Калинина. 1977. № 356 ("Физическая электроника"). с. 79-82.

56. Дорожкин А.А., Петров А.А., Петров Н.Н. // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1976. Т.40. № 12. с. 2566-2570.

57. Дорожкин А.А., Мишин А.Н., Петров Н.Н. // Труды ЛПИ им. М.И. Калинина. 1975. № 345 ("Физическая электроника"), с. 13-16.

58. Мишин А.Н., Петров Н.Н. // Труды ЛПИ им. М.И. Калинина. 1975. № 345 ("Физическая электроника"), с. 3-12.

59. Evdokimov I.N., Molchanov V.A. // Physics Letters. 1968. V.26A. N 12. p. 636-637.

60. Кузнецов Г.Д., Кислов Н.М., Сергиенко А.А. // Труды 3-ей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (кремний 2003г.). Москва. 2003г.

61. Кислов Н.М., Кузнецов Г.Д., Сергиенко А.А. // Труды IV международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск. 2004г.

62. Еремеев М.А., Петров Н.Н. // Проблемы современной физики. 1956. № 9. с. 133-168.

63. Эльтеков В.А. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование. М.: Моск. Ун-та. 1993.

64. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А., Одинцов Д.Д. и др. // Физика твердого тела. 1966. Т.8. № 10. с. 2939-2944.

65. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А., Одинцов Д.Д. и др. // Доклады АН СССР. 1967. Т.177. № 3. с. 550-554.

66. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А. // Тезисы докладов 13 Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. М.: Наука. 1968. с. 70.

67. Петров Н.Н., Дорожкин А.А. // ФТТ. 1961. Т.З. № 1. с. 53-60.

68. Петров Н.Н. // ФТТ. 1960. Т.2. №5. с.1300-1307.

69. Петров Н.Н. // ФТТ. 1960. Т.2. №5. с.940-948.

70. Макаров В.В., Петров Н.Н. // ФТТ. 1981. Т.23. № 6. с. 17671774.

71. Аброян И. А., Лавров В. П. // Физическая электроника. 1967. № 227. с. 93.

72. Батанов Г. М. // РиЭ. 1963. № 8. с. 852.

73. Керков X., Петухов В.П., Романовский Е.А. и др. // Известия АН. Серия физическая. 2004. Т. 68. № 3. с. 405-407.

74. Керков X., Петухов В.П., Романовский Е.А. и др. // Известия АН. Серия физическая. 2002. Т. 66. № 4. с. 533-537.

75. Фирсов О.Б. // ЖЭТФ. 1959. № 36. с. 1517.

76. Дорожкин А.А., Петров Н.Н. // ФТТ. 1974. № 3. с. 947-949.

77. Дорожкин А.А., Мишин А.Н., Петров Н.Н. // Известия АН СССР. 1974. № 38. с. 249.

78. Плазменная технология в производстве СБИС / ред. Айнс-прук Н., Браун Д. М.: Мир. 1987.

79. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / ред. Бе-риша Р. М.: Мир. 1984.