Процессы реконструкции и взаимодействия с кислородом чистой (100) поверхности соединений АIII BV тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Уустаре, Теэт Оттович

• Уустаре, Теэт Оттович
• кандидат физико-математических наук
• 1982

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Уустаре, Теэт Оттович

1. Введение

2. Структура чистых (100) поверхностей полупроводниковых соединений типа А В и их взаимодействие с кислородом ( обзор литературы )

2.1. Реконструкция чистой поверхности.

2.2. Механизмы реконструкции поверхности.

2.3. Общая характеристика процесса адсорбции на поверхности.

2.4. Адсорбция кислорода на (ПО) поверхности.

2.5. Адсорбция кислорода на (100) поверхности.

2.6. Влияние термической обработки на покрытую кислородом поверхность

3. Методика и аппаратура экспериментальных исследований

3.1. Методы получения чистой поверхности.

3.2. Дифракция электронов низкой энергии

3.3. Оже-электронная спектроскопия

3.4. Определение истинного вида Оже-линий.

3.5. Экспериментальная установка

3.6. Регистрация линий Оже-электронов двухсекторным анализатором тормозящего поля

3.7. Мягкая рентгеновская спектроскопия потенциалов возбуждения.

4. Структура чистой (100) поверхности соединений типа

4.1. Результаты исследования методом ДЭНЭ

4.2. Общие закономерности реконструкции чистой (100) поверхности

4.3. Модели структур поверхности

5. Исследование методами ДЭНЭ и ОЭС адсорбции кислорода на (100) поверхности полупроводниковых соединений типа А'"ВУ и влияния отжига на структуру адсорбционных слоев.

5.1. Результаты исследования методом ДЭНЭ .ПО

5.2. Результаты исследования методом ОЭС

5.3. Анализ результатов

5.4. Выводы

6. Выводы

7. Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы реконструкции и взаимодействия с кислородом чистой (100) поверхности соединений АIII BV»

Поверхность привлекает внимание исследователей с тех пор, когда стало ясно, что она является не только геометрической границей вещества, но и областью твердого тела, физические и химические свойства которой резко отличаются от объемных и через которую осуществляется взаимодействие твердого тела с окружающей средой. Однако, возможность получения достоверных данных о свойствах поверхности твердого тела возникла лишь в последние два десятилетия, благодаря развитию экспериментальной техники. И в то же время возможность определения и контроля поверхностных свойств приобрела огромную практическую ценность для решения конкретных технологических задач в различных отраслях промышленности. Интегральная и планарная полупроводниковые технологии, эмиссионная электроника, создание пленочных оптических покрытий и твердотельных электролюминесцентных индикаторов, повышение коро-зионостойкости материалов, катализ - это далеко не полный перечень областей, в которых результаты исследования поверхности уже внесли большой практический вклад и дальнейший прогресс которых немыслим без прогресса в исследовании поверхности. Решая одновременно фундаментальные и прикладные задачи, новая и актуальная область науки - физика поверхности находится сейчас на этапе интенсивного развития: собираются данные о свойствах поверхности и о их изменении в процессах, протенающих на поверхности при различных внешних взаимодействиях и в то же время принимаются первые попытки установления закономерностей в наблюдаемых явлениях, формулируются выводы и обобщения.

В науке от твердом теле наибольший удельный вес приобрели полупроводниковые материалы. В то время когда элементарные полупроводники кремний и германий детально исследованы и широко освоены промышленностью, перспективные полупроводниковые соединения типа A,HBV нуждаются в комплексном и подробном изучении свойств поверхности и процессов, протекающих на них при разнообразных внешних взаимодействиях.

Г-, A'ltnV

При этом следует подчеркнуть, что соединения типа А В занимают промежуточное положение между элементарными и более сложными полупроводниковыми материалами и поэтому особенности и закономерности, выявленные для этого класса соединений, могут быть приложены и к их более сложным электронным аналогам.

В кристаллохимическом рассмотрении, среди возможных ориентации поверхности A'"BV - соединений особое положение занимает плоскость (100). Наибольшая реакционная активность и возможность вариации в широких пределах структурой и стехиометрией упорядоченной приповерхностной области - все это обусловливает интерес к исследованию данного объекта и объясняет широкое применение поверхности такой ориентации в современной планарной технологии твердотельной электроники.

Для характеристики физико-химических свойств поверхности твердого тела необходим детальный анализ атомной структуры приповерхностной области. В настоящее время достоверно известно, что чистая поверхность испытывает реконструкцию, то-есть атомная структура приповерхностной области твердого тела отличается от объемной атомной структуры. К сожалению нет полной ясности в причинах тех процессов, которые протекают на поверхности и ответственны за ее реконструкцию. Для изучения причин и выявления механизмов реконструкции атомной поверхностной структуры, для обоснованного выдвижения моделей сверхструктур реконструированной поверхности необходимы комплексные и в то же время детальные, а главное, полученные в одинаковых экспериментальных условиях данные о перестроениях атомной поверхностной структуры ряда соединений с одинаковой объемной кристаллической структурой.

Очевидно, что поверхность полупроводника сохраняется чистой только в условиях сверхвысокого вакуума. В атмосферных условиях, в результате взаимодействия поверхности с атомами или молекулами окружающей среды, на поверхности образуются сложные по структуре слои, которые резко меняют физические и химические свойства приповерхностной области. Одной из наиболее распространенных и активных примесей является кислород, поэтому изучение взаимодействия кислорода с поверхностью полупроводников является первоочередной, насущной задачей. Актуальность таких исследований усиливается их практической значимостью для создания эффективных твердотельных структур типа металл-окисел-полупроводник, приборов с пассивирующими окисными покрытиями и эмиссионных окисных слоев.

Исследования атомной структуры поверхности полупроводников и начальных стадий формирования адсорбционных слоев на поверхности требуют использования экспериментальных методов, обладающих чувствительностью и разрешением на атомно-молеку-лярном уровне. К числу таких уникальных современных методов относятся : метод дифракции электронов низкой энергии, позволяющий регистрировать поверхностную атомную структуру и установить типы ее реконструкции; методы Оже-электронной спектроскопии и мягкой рентгеновской спектроскопии потенциалов возбуждения, дающие информацию о химическом составе, приповерхностной области и о характере химической связи адсорбированных атомов на поверхности. Отсюда видна необходимость использования комплекса перечисленных методов для получения кристаллофизической и кристаллохимической информации о состоянии поверхности полупроводников.

Такой подход комплексного изучения был реализован в настоящей работе, которая являлась составной частью исследований, проводимых в ИРЭ АН СССР по физике и химии поверхности твердого тела применительно к задачам субмикронной полупроводниковой технологии.

Суммируя материал диссертации с точки зрения научной новизны можно кратко сформулировать основные защищаемые положения.

1. Систематически и детально, в одинаковых экспериментальных условиях, исследованы процессы реконструкции чистой (100) поверхности GaP, 6аAs, GaSb, InP, InAs, InSb в зависимости от температуры отжига кристалла после очистки ионной бомбардировкой. Показано, что наиболее вероятным механизмом реконструкции поверхности является механизм асимметричной димеризации.

2. Предложен подход к синтезу моделей атомных поверхностных сверхструктур на основе кристаллоф:из;ического критерия (неметаллический характер поверхностной зонной структуры) и кристаллохимических критериев (минимальная площадь элементарной ячейки атомной поверхностной структуры и минимальное число изменений позиций атомов при переходе из одной сверхструктуры в другую). На основе этих представлений предлагаются модели атомных сверхструктур (100) A,HBV поверхности: (2x3), (2x4), с(2x6), с(2x8), (4x2), с(4х4), (4x6), с(8х2).

3. Экспериментально изучены начальные стадии электронно-стимулированной адсорбции кислорода на (100) поверхности GaP, GaAs,GaSb,InP,InAs,InSbB широком интервале экспозиции и термическая обработка адсорбционных слоев. Обнаружено, что при комнатной температуре кислород образует структурно-неупорядоченные слои на поверхности всех соединений. Установлено, что скорость адсорбции кислорода сильно зависит от элемента

Bv для соединений с одним и тем же элементом А1" , возрастая в ряду A,"Sb-*A",As-»A",P и слабо зависит от элемента А1" для соединений с одинаковым элементом Bv . Это позволяет сделать вывод о преимущественной роли атомов элемента В в адсорбционном,взаимодействии кислорода с (100) AH,BV поверхностью. Впервые установлено существование стабильных двумерных адсорбционных фаз (2x1) на (100) ГпР и (1x2) на (100) GaP в интервале температур (477-504) t 10 К и (582-616) t II К соответственно.

4. Впервые предложен, разработан и реализован с применением двухсекторного квазисферического анализатора тормозящего поля метод регистрации одновременно двух участков спектра вторичной электронной эмиссии, позволяющий увеличить до двух порядков величины отношение интенсивности исследуемого сигнала (линии Оже-электронов) к интенсивности фона.

5. Впервые экспериментально определены изменения состава (100) поверхности ГпР и GaP с адсорбированным слоем кислорода и количества заряда, локализованного на адсорбированных атомах кислорода, в процессе термической обработки. Обосновывается образование упорядоченных адсорбционных структур кислорода как следствие химической связи атомов кислорода в мостиковой конфигурации на слое атомов элемента А1" . Показано, что упорядоченные слои кислорода являются термодинамически стабильными и могут служить матрицами для создания поверхности раздела полупроводник-окисел с низкой плотностью ненасыщенных связей и локализованных на них электронных состояний.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Уустаре, Теэт Оттович

б. В ы В О д ы

I. Как свидетельствуют данные ДЭНЭ и ОЭС, бомбардировка ионами Аг+ (энергия ионов 400 эВ, плотность тока пучка 0,15 А/м^) с последующим отжигом позволяет получать атомарно чистую и упорядоченную (100) поверхность монокристаллов GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb. . 2. Методом ДЭНЭ проведено систематическое изучение структуры чистой (100) поверхности всех вышеперечисленных соединений типа А,ИВv в широком интервале температуры отжига после ионной бомбардировки. При этом размеры и симметрия элементарных ячеек наблюдаемых сверхструктур показывают, что все стабильные сверхструктуры чистой и упорядоченной (100) поверхности соответствуют механизму асимметричной ди-меризации, которую согласно теоретическим работам, рассмотренным в обзоре литературы, можно считать наиболее вероятным механизмом реконструкции (100) поверхности.

3. Предполагая асимметричную димеразацию как механизм образования упорядоченных сверхструктур на (100) поверхности полупроводниковых соединений типа An,Bv , предложены три критерия отбора для моделирования возможных сверхструктур: а). Зоны электронных состояний на поверхности со стабильными сверхструктурами должны быть заполненные (неметаллический характер поверхностной зонной структуры). Для (100) поверхности соединений типа А,ИВУ это означает наличие в элементарной ячейке реконструированной поверхности четного qV числа димеров элемента В б). Несмотря на изменения в широком интервале стехиометрии (100) поверхности при постепенном повышении температуры отжига кристалла, на ней реализуются сверхструктуры с относительно небольшими размерами элементарной ячейки и со степенями покрытия элементом Bv , представляющими простые дроби: 1/4, 1/3, 1/2, 2/3, 3/4. Все промежуточные степени покрытия элементом Bv реализуются посредством сосуществования на поверхности доменов с различными сверхструктурами. в). При переходах между разными сверхструктурами на поверхности реализуются сверхструктуры, которые получаются из предыдущих наименьшими "перестановками" димеров (преемственность структур).

Пользуясь тремя критериями отбора и учетом возможных вариантов ориентации соседних асимметричных димеров определены и представлены наиболее? вероятные модели атомных структур чистой (100) поверхности: (2x3), (2x4), с(2х6), с(2х8), (4x2), с(4x4), (4хб), с(8x2).

4. Методом ДЭНЭ изучены в одинаковых экспериментальных условиях структура и скорость роста адсорбционного слоя кислорода (со стимуляцией адсорбции электронным пучком) на чистой (100) поверхности монокристаллов GaP , GaAs , GaSb , InP , InAs и IhSb . Результаты показывают, что при комнатной температуре кислород образует неупорядоченные адсорбированные слои на всех соединениях. Скорость адсорбции зависит сильно от элемента Bv для соединений с одинаковым элементом А"' (возрастая в ряду АИ,$Ь-АЮА5-*А"'Р) и слабо от элемента Aw для соединений с одинаковым элементом Bv

Такая зависимость свидетельствует о предпочтительности адсорбции кислорода на атомах элемента ВУ . Влияние на скорость адсорбции способа восстановления исходной структуры чистой поверхности позволяет предполагать значительное влияние дефектов на процесс адсорбции кислорода.

5. Методом ДЭНЭ изучено изменение структуры адсорбционного слоя кислорода, осажденного при комнатной температуре, в результате термической обработки. Установлено существование в интервале температуры (477-504) ± 10 К адсорбционной структуры (2x1) на InP ив интервале температуры (582-616) t IIK адсорбционной структуры (1x2) на GaP . На InAs , InSb , GaAs и

GaSb постепенное увеличение температуры отжига приводит к последовательному восстановлению исходной сверхструктуры чистой поверхности при отсутствии каких-либо промежуточных сверхструктур. Отсутствие упорядоченных адсорбционных структур свидетельствуют о разрыве связей между атомами поверхности в процессе адсорбции кислорода на этих соединениях и образовании на поверхности взаимно неориентированных связей А'"-О-Bv.

6. Разработан и реализован с применением двухсекторного квазисферического анализатора тормозящего поля метод регистрации одновременно двух участков спектра вторичной электронной эмиссии, позволяющие увеличить до двух порядков величины отношение интенсивности исследуемого сигнала (в настоящей работе линий Оже-электронов) к интенсивности фона по сравнению с обычным способом регистации. Применение метода дало возможность прямо зарегистрировать распределение по энергии Оже-электронов, не пребегая для подавления фона в спектрах вторичной эмиссии к электронному дифференцированию и последующему численному интегрированию.

7. С использованием двухсекторного анализатора тормозящего поля методом ОЭС изучены изменения состава (100) поверхности InP и GaP с адсорбционным слоем кислорода и количества заряда, локализованного на адсорбированных атомах кислорода, в процессе термической обработки. Обеднение поверхности фосфором в результате десорбции кислородно-фосфорных комплексов допускает реконструкцию в олое атомов А'" , вследствие чего становится возможным переход атомов кислорода от связи с одним атомом Аш (или фосфора) на мостиковую связь

•л с двумя соседними атомами А на поверхности. Это подтверждается увеличением количества заряда, локализованного на адато-мах кислорода. Образование адсорбционных структур (с насыщающей степенью покрытия кислородом 0О = 0,5) является следствием упорядочения адсорбционного слоя кислорода на слое атомов А'" (замещение фосфора кислородом). Упорядоченные адсорбционные слои кислорода являются термодинамически стабильными и могут служить матрицами для создания поверхности раздела полупроводник-окисел с низкой плотностью ненасыщенных связей и локализованных на них электронных состояний.

В заключение выражаю искренную благодарность своим научным руководителям А.Ю.Митягину и К.С.Ребане за творческую помощь и внимательное руководство на всех этапах выполнения настоящей работы, а также сотрудникам ИРЭ АН СССР и ТГУ: А.Л.Александрову, В.Ф.Дворянкину, Н.С.Королькову, В.В.Пантелееву, А.А.Таммику, О.Теллеру, Н.Я.Черевацкому, за дружественную поддержку и бескорыстную помощь, ускорившую завершение данного исследования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Уустаре, Теэт Оттович, 1982 год

1. W.Ranke, K.Jacobi. Structure and reactivity of GaAs surfaces. Progr. Surf. Sci., 1980, JK), No 1, 1-52.

2. R.Ludeke. Electronic properties of (100) surfaces of GaSb and InAs and their alloys with GaAs. IBM J. Res. Dev., 1978, 22, No 3, 304-320.

3. A.J. van Bommel, J.E.Crombeen. The adsorption and de-sorption of Cs on GaP and GaSb (001), (110), (111),and (111) surfaces, studied by LEED, AES and photoemission. Surf. Sci., 1980, 93, Nos 2/3, 383-397.ill у

4. A.Yu.Mityagin. Investigation of surface states in А В semiconductors by low energy electron spectroscopy methods. Abstracts IV Czechoslovak conference on electronics and vacuum physics, Bratislava, 1976.

5. K.Oe, S.Ando, K.Sugiyama. RHEED study of InSb films grown by molecular beam epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys., 1980, 19, No 7, L417-L420.

6. A.J. van Bommel, J.E.Crombeen. Experimental determination of the correlation between the LEED pattern and the Ga As bond vectors in the surface of GaAs (001). Surf. Sci., 1976, 57, No 1, 437-440.

7. R.Drathen,W.Ranke, K.Jacobi. Composition and structure of differently prepared GaAs (100) surfaces, studied by LEED and AES. Surf. Sci., 1978, 77, No 1, L162-L166.

8. R.Z.Bachrach, R.S.Bauer, P.Chiaradia, G.V.Hansson. Reconstruction of GaAs and AlAs surfaces as a function of metal to As ratio. J. Vac. Sci. Technol., 1981, 19, No 3, 335-343.

9. A.J. van Bomrael, J.E.Crombeen, T.G.J, van Oirschot. LEED, AES and photоemission measurements of epitaxially grown GaAs (001), (111)A and (111)B surfaces and their behaviour upon Cs adsorption. Surf. Sci., 1978, 72, No 1, 95-108.

10. T.Murotani, T.Shimanoe, S.Mitsui. Growth temperature dependence in molecular beam epitasy of gallium arsenide. J. Cryst. Growth, 1978, 45, Ho 2, 302-308.

11. A.Y.Cho. Bonding direction and surface structure orientation on GaAs (001). J. Appl. Phys., 1976, £7, No 7, 2841-2843.

12. J.Massies, P.Etienne, F.Dezaly, N.T.Linh. Stoichiometry effects on surface properties of GaAs (100) grown in situ by MBE. Surf. Sci., 1980, 99, No 1, 121-131.

13. J.Massies, P.Devoldere, N.T.Linh. Silver contact on GaAs (001) and InP (001). J. Vac. Sci. Technol., 1978, .15, No 4, 1353-1357.

14. A.J. van Bommel, J.E.Crombeen. The GaP (001) surface and the adsorption of Gs. Surf. Sci., 1978, 76, No 2, 499-508.

15. C.R.Bayliss, D.L.Kirk. The compositional and structural changes that accompany the thermal annealing of (100-) surfaces of GaAs, InP,and GaP in vacuum. J. Phys. D, 1976, 9, No 2, 233-244.

16. А.Ю.Митягин, В.В.Пантелеев, Н.Я.Чер^евацкий. Влияние глубины"выхода электронов на количественный анализ методом Оже спектроскопии. Радиотехника и электроника, 1976, 21, » 3, 589-593.

17. S.Т.Pantelides, J.Pollmann. Critique of the empirical tight-binding method for semiconductor surfaces and interfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1979, 1j>, No 5, 1349-1358.

18. M.Schliiter. Pseudopotential surface and interface calculations. J. Vac. Sci. Technol., 1979, 1j>, No 5, 1331-1336.19* J.A.Appelbaum, D.R.Hamann. The electronic structure of solid surfaces. Rev. Mod. Phys., 1976, 48, No 3, 479-496.

19. W.A.Goddard III, J.J.Barton, A.Redondo, T.C.McGill. Theoretical studies of Si and GaAs surfaces and initial steps in the oxidation. J. Vac. Sci. Technol., 1978, 15, No 4, 1274-1285.

20. C.B.Duke. Atomic geometry of solid surfaces. CRC Crit. Rev. Solid State Sci., 1978, 8, No 1,69-91.

21. I.Ivanov, A.Mazur, J.Pollraann. The ideal (111), (110) and (100) surfaces of Si, Ge,and GaAs, a comparison of their electronic structure. Surf. Sci., 1980, £2, Nos 2/3, 365-384.

22. А.Ю.Митягин. Электронная структура поверхностей соединений АИ,ВУ и процессы адсорбции атомов щелочных металлов. ФТТ, 1977, 19, № 10 , 2927-2932.

23. J.A.Appelbaum, G.A.Baraff, D.R.Hamann. GaAs (100): Its spectrum,effective charge and reconstruction patterns. Phys. Rev. B, 1976, Г4, No 4, 1623-1632.

24. J.A.Appelbaum, G.A.Baraff, D.R.Hamann. Theoretical study of the GaAs (100) surface. J. Vac. Sci. Technol., 1976, ГЗ, No 4, 751-756.

25. J.A.Appelbaum, D.R.Hamann. Surface induced charge disturbances in filled bands. Phys. Rev. B, 1974, JO, No 12, 4973-4979.

26. R.E.Schlier, H.E.Farnsworth. Surface and adsorption characteristics of clean surfaces of germanium and silicon. J. Ghem. Phys., 1959, 30, No 4, 917-926.

27. J.D.Levine. Structural and electronic model of negative electron affinity: Si (100) Cs. Surf. Sci., 1973, 34, Wo 1, 90-107.

28. J.A.Appelbaum, G.A.Baraff, D.R.Hamann. Si (100) surface reconstruction: spectroscopic selection of a structural model. Phys. Rev. Lett., 1975, 35, No 11, 729-732.

29. J.A.Appelbaum, G.A.Baraff, D.R.Hamann. The Si (100) surface III: surface reconstruction. Phys. Rev. B, 1976, 14, No 2, 588-601.

30. J.A.Appelbaum, D.R.Hamann. Theory of reconstruction induced subsurface strain application to Si (100). Surf. Sci., 1978, 74, No 1, 21-33.

31. S.Y.Tong, A.L.Maldonaldo. The structure of Si (001) 2x1 surface studied by low energy electron diffraction. Surf. Sci., 1978, 78, No 2, 459-466.

32. D.J.Chadi. Atomic and electronic structures of reconstructed Si (100) surfaces. Phys. Rev. Lett., 1979, 43, No 1, 43-47.

33. P.J.Himpsel, D.Eastman. Photoemission studies of intrinsic surface states on Si (100). J. Vac. Sci. Technol., 1979, 16, No 5, 1297-1299.

34. W.Monch, P.Коке, S.Krueger. On the electronic structure of clean 2x1 reconstructed silicon (001) surfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1981, J9, No 3, 313-318.

35. P.K.Larsen, J.H.Neave, B.A.Joyce. Angle resolved photo-emission from As-stable GaAs (001) surfaces prepared by MBE. J. Phys. C, 1981, J4, No 2,167-192.

36. R.Seiwatz. Possible structures for clean, annealed surfaces of germanium and silicon. Surf. Sci., 1964, 2, 473-483.

37. P.Jona, H.D.Shih, A.Ignatiev, D.W.Jepsen, P.M.Marcus. Probable atomic structure of reconstructed Si (001) 2x1 surfaces determined by low energy electron diffraction.

38. J. Phys. C, 1977, JO, No 4, L67-L72.

39. V/.A.Harrison. Theory of polar semiconductor surfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1979, J6, No 5, 1308-131745. J.Massies, P.Devoldere, N.T.Linh. Work function measurements on MBE GaAs (001) layers. J. Vac. Sci. Technol., 1979,1.S, No 5, 1244-1247.

40. Ф.Ф.Фолькенштейн. Физико химия поверхности полупроводников. М., "Наука", 1973.

41. Ф.Ф.Фолькенштейн. О некоторых основных понятиях электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках.

42. В сб. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках. М., "Наука", 1969, 49-67.

43. О.Пешев. Различные формы хемосорбции на полупроводниках. В сб. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках. М., "Наука", 1969, 94-109. •

44. D.A.King. Kinetics of adsorption, desorption and migration of single crystal metal surfaces. CRC Crit. Rev. Solid State Sci., 1978, 7, No 3, 167-208.

45. С.В.Duke, R.J.Meyer, A.Paton, P.Mark, A.Kahn, E.So, J.L.Yeh. Structure determination for the (110) surface of zincblende compound semiconductors. J. Vac. Sci. Technol.,1979, 16, No 5, 1252-1257.

46. D.J.Miller, D.Haneman. Structure of III-V compound (110) surface regions from EPR data and elastic energy minimization calculations. Surf. Sci., 1979, 82, No 1, 102-108.

47. С.A.Swartz, V/.A.Goddard III, T.C.McGill. Theoretical studies of the reconstruction of the (110) surface of III-V and II-VI semiconductor compounds. J. Vac. Sci. Technol.,1980, J7, No 5, 982-986.

48. E.J.Mele, J.D.Joannopoulos. Site of oxygen chemisorp-tion on the GaAs (110) surface. Phys. Rev. Lett., 1978, 40, No 5, 341-344.

49. E.J.Mele, J.D.Joannopoulos. Theory of oxygen chemi-sorption on GaAs (110). Phys. Rev. B, 1978, J8, No 12, 6999-7010.

50. J.J.Barton, V/.A.Goddard III, Т.О. McGill. Reconstruction and oxidation of the GaAs (110) surface. J. Vac. Sci. Technol., 1979, .16, No 5, 1178-1185.

51. J.J.Barton, V/.A.Goddard III, C.A.Swartz, T.C.McGill. Chemisorption of oxygen and aluminium on the GaAs (110) surface from ab initio theory. J. Vac. Sci. Technol., 1980, Г7, No 1, 164-168.

52. G.Lucovsky, R.S.Bauer.л -bonding contributions in the chemisorption of oxygen onto nonpolar compound semiconductor surfaces. Solid State Commun., 1979,Ц, No 12, 931-936.

53. D.J.Miller, D.Haneman. Wave functions and (110) surface of III-V compounds. J. Vac. Sci. Technol., 1978, Ij»* No 4, 1267-1273.

54. C.Y.Su, I.Lindau, P.W.Chye, P.R.Skeath, W.E.Spicer. Photoemission studies of the interaction of oxygen v/ith GaAs (110). Phys. Rev. B, 1982, 25, No 6, 4045-4068.

55. O.R.Brundle, D.Seybold. Oxygen interaction with GaAs surfaces: An XPS/UPS study. J. Vac. Sci. Technol., 1979,1. No 5, 1186-1190.

56. W.Gudat, D.E.Eastman. Electronic surface properties of III-V semiconductors: Excitonic effects, band bending effects and interaction with Au and 0 adsorbate layers.

57. J. Vac. Sci. Technol., 1976, J3, No 4, 831-837.

58. P.Pianetta, I.Lindau, C.M.Garner, W.E.Spicer. Oxidation properties of GaAs (110) surfaces. Phys. Rev. Lett., 1976, 37, No 17, 1166-1169.

59. P.Pianetta, I.Lindau, C.M.Garner, W.E.Spicer. Chemo-sorption and oxidation studies of GaAs, GaSb and InP. Phys. Rev. B, 1978, J8, No 6, 2792-2806.

60. P.W.Chye, C.Y.Su, I.Lindau,P.R.Skeath, W.E.Spicer. Oxidation of ordered and disordered GaAs (110). J. Vac. Sci. Technol., 1979, 16, No 5, 1191-1194.

61. R.Ludeke. The oxidation of the GaAs (110) surface. Solid State Commun., 1977, 21, No 8, 815-818.

62. C.Y.Su, I.Lindau, P.R.Skeath, R.W.Chye, W.E.Spicer. Oxygen adsorption on the GaAs (110) surface. J. Vac. Sci. Technol., 1980, 17, No 5, 936-941.

63. P.W.Chye, C.Y.Su, I.bindau, C.M.Garner, P.Pianetta, W.E.Spicer. Photoemission studies of the initial stages of oxidation of GaSb and InP. Surf. Sci., 1979, 88, Nos 2/3, 4394-60.

64. W.E.Spicer, I.Lindau, P.Pianetta, P.W.Ohye, C.M.Garner. Fundamental studies of III-V surfaces and the (III-V)- oxide interface. Thin Solid Films, 1979, 56, Nos 1/2, 1-18.

65. A.U.MacRae, G.W.Gobeli. Low-energy-electron-diffraction study of the cleaved (110) surfaces of InSb, InAs, GaAs,and GaSb. J.Appl. Phys., 1964, 35, No 5, 1629-1638.

66. A.U.MacRae, G.W.Gobeli. Low energy electron diffraction studies. In book: Semiconductors and semimetals, Vol.2,

67. New York and London, 1966, 115-137.

68. А.Ю.Митягин, В.П.Орлов, К.А.Хронопуло. Изучение процессов адсорбции кислорода на GaAs методами низкоэнергетической электронной спектроскопии. Изв. АН СССР, 1974, 36,2, 278-282.

69. R.Ludeke, A.Koma. Electronic surface states on clean and oxygen exposed GaAs surfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1976, 12, No 1, 241-247.

70. W.Ranke, K.Jacobi. Adsorption states and Ga depletion during oxygen adsorption on clean polar GaAs surfaces. Surf. Sci., 1979, 81, No 2, 504-518.

71. C.D.Thurmond, G.P.Schwartz, G.W.Kammlott, B.Schwartz. GaAs oxidation and the Ga-As-0 equilibrium phase diagram.

72. J. Electrochem. Soc., 1980, 1J27, No 6, 1366-1371.

73. G.P.Sohwatrz, G.J.Gualtieri, J.E.Griffits, C.D.Thurmond, B.Schwartz. Oxide substrate and oxide - oxide chemical reactions in thermally annealed anodic films on GaSb, GaAsand GaP. J. Electrochem. Soc., 1980, .127, No 11, 2488-2499.

74. C.W.Wilmsen. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide / III-V compound semiconductor interfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1981, 19, No 3, 279-289.

75. K.M.Geib, C.W.Wilmsen. Anodic oxide / GaAs and InP interface formation. J. Vac. Sci. Technol., 1980, J7., No 5, 952-957.

76. C.Lucovsky, R.S.Bauer. Local atomic order in native III-V oxides. J. Vac. Sci. Technol., 1980, .17, No 5, 946-951.

77. K.Binder, D.P.Landau. Multicritical phenomena at surfaces. Surf. Sci., 1976, 61, No 2, 577-602.

78. M.G.Lagally, T.-M.Lu, D.G.Welkie. Surface defects and thermodynamics of chemisorbed layers. J. Vac. Sci. Technol.,1980, 17, No 1, 223-230.

79. H.H.Andersen. Sputtering of multicomponent metal and semiconductor targets. J. Vac. Sci. Technol., 1979, 16, No 2, 770-771.

80. R.Kelly. Collisional, thermal and electronic sputtering. Proc. 1st Gonf. Ion Beam Modification of Materials, Budapest, 1978, 1465-1488.

81. G.E.McGuire. Effects of ion sputtering on semiconductor surfaces. Surf. Sci., 1978, 76, No 1, 130-147.

82. P.K.Haff. A model for sputtered layer composition changes in sputtered alloys and compounds. Appl. Phys. Lett., 1977, Ц, No 4, 259-260.

83. R.Kelly. On the problem whether mass or chemical bonding is more important to bombardment induced changes in alloys and oxides. Surf. Sci., 1980, 100, No 1, 85-Ю7.

84. J.R.Arthur. Surface stoichiometry of GaAs. Surf. Sci., 1974, 43, No 2, 449-461.

85. C.T.Foxon, B.A.Joyce, R.F.C.Farrow, R.M.Griffits. The identification of species evolved in the evaporation of III-V compounds. J. Phys. D, 1974, 7, No 17, 2422-2435.

86. Handbook of Chemistry and Physics, Cleveland, 1978.

87. J.C.Tsang, A.Kahn, P.Mark. Comparison of LEED and

88. Auger data from cleaved and sputtered annealed InP (110) surfaces. Surf. Sci., 1980, 97, No 1, 119-127.

89. K.Jacobi, W.Ranke. Oxidation and annealing of GaP and GaAs (111) faces studied by AES and UPS. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1976, 8, No 3, 225-238.

90. L.L.Singer, J.S.Murday, N.H.Turner. Surface composition changes in GaAs due to low energy ion bombardment. Surf. Sci., 1981, 108, No 1, 7-24.

91. S.Anderson, G.K.Wehner. Temperature dependence of ejection patterns in Ge, Si, InSb and InAs sputtering. Surf. Sci., 1964, 2, 367-375.

92. G.S.Anderson. Low energy sputtering yields of Ge single crystal as a function of temperature. J. Appl. Phys., 1967, 38, No 4, 1607-1611.

93. B.Navinsek. Sputtering surface changes induced by ion bombardment. Progr. Surf. Sci., 1977, 7, No 2, 49-70.

94. R.G.Cunningham,,J.Ng-Yelim. Influence of faceting on ejection patterns obtained from ion bombarded face - centered cubic metals. J. Appl. Phys., 1969, 40, No 7, 2904-2908.

95. U.Littmark, W.O.Hofer. The influence of surface structures on sputtering: Angular distribution and yield from faceted surfaces. J. Mater. Sci., 1978, J3, No 2, 2577-2586.

96. G.A.Somorjai. Low energy electron diffraction and surface topography. Surface Sci. Lect. Int. Course Trieste 1974, Vienna, 1975, Vol.1, 173-217.

97. L.Fiermans,J.Vennik. Electron beams as analytical tools in surface research: LEED and AES. Adv. Electron, and Electron Phys., 1977, 43, 139-204.

98. ЮЗ. А.Ю.Митягин, В.П.Орлов, К.С.Погорельский, З.Г.Пинскер. Дифракция электронов низкой энергии от кристаллической поверхности с двумерными дефектами. Кристаллография, I971, 16, № I, 25-31.

99. M.Henzler. Electron diffraction and surface defect structures. In book: Electron Spectroscopy and Surface Analysis, Berlin, 1977, 117-149.

100. J.B.Pendry. Low Energy Electron Diffraction, London & New York, 1974.

101. G.Ertl, J.Kiippers. Low Energy Electrons and Surface Chemistry, Weinheim, 1974.

102. А.Ю.Митягин. Методы исследования поверхности материала, основанные на вторично электронной эмиссии. В книге: К.Г.Козлов. Современные проблемы электронной спектроскопии. М., "Атомиздат", 1978, 174-192.

103. C.J.Powell. Attenuation lengths of low energy-electrons in solids. Surf. Sci., 1974, 44, No 1, 29-46.

104. H.H.Madden. Chemical information from Auger electron spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol., 1981, 18, No 3, 677-689.

105. J.C.Fuggle, E.Umbach, K.Kakoschke, D.Menzel. High -resolution Auger spectra of adsorbates. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1982, 26, No 2, 111-132.

106. R.Weissmann. Intensity ratios of the KL,L4 , KL2ilL2(3 o^qygen Auger lines in different compounds. Solid State Commun., 1979, 31» No 5, 347-349.

107. N.J.Taylor. Resolution and sensivity considerations of an Auger electron spectrometer based on display LEED optics. Rev. Sci. Instr., 1969, 40, No 6, 792-804.

108. D.E.Ramaker, J.S.Murday, N.H.Turner. Extracting Auger lineshapes from experimental data. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1979, 17., No 1 , 45-65.

109. E.N.Sickafus. A secondary emission correction for quantitative Auger yield measurements. Surf. Sci., 1980, 100, No 3, 529-540.

110. J.T.Grant, T.W.Haas, J.E.Houston. Application of dynamic background subtraction to quantification of Auger electron and soft X-ray appearance potential spectroscopies. Japan. J. Appl. Phys., 1974, Suppl.2, Pt.2, 811-814.

111. E.N.Sickafus. A secondary emission analog for improved Auger spectroscopy with retarding potential analyser. Rev. Sci. Instr., 1971, 42, No 7, 933-941.

112. A.P.Carley, R.W.Joyner. The application of deconvolu-tion methods in electron spectroscopy a review. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1979, J.6, No 1, 1-23.

113. H.H.Madden, J.E.Houston. Correction of distortions in spectral line profiles: Application to electron spectroscopies. J. Appl. Phys., 1976, 41, No 7, 3071-3082.

114. A.F.Carley, R.V/.Joyner. Iterative deconvolution of X-ray photoelectron spectra generated by achromatic source.

115. J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom., 1978, ГЗ, No 6, 411-419.

116. А.Ю.Митягин, Н.Я.Черевацкий, А.Л.Александров, Г.Д.Баландин, Н.С.Корольков. Электронный Оже спектрометр, совмещенныйс системой дифракции электронов низкой энергии. ПТЭ, 1972, № I, 187-190.

117. А.М.Страшкевич. Электронная оптика электростатических полей не обладающих осевой симметрией. М., Физматгиз, 1959.

118. В.М.Кельман, С.Р.Явор. Электронная оптика. JI., "Наука", 1968.

119. А.Р.Шульман, С.А.Фридрихов. Вторично эмиссионные методы исследования поверхности твердого тела. М., "Наука", 1977.

120. R.L.Park. Recent developments in appearance potential spectroscopy. Surf. Sci., 1975, 48, No 1, 80-98.

121. А.Ю.Митягин, Т.О.Уустаре. Использование метода мягкой рентгеновской спектроскопии потенциалов возбуждения для анализа поверхности полупроводниковых соединений типа A"'BV .

122. Уч. записки Тартуского гос. университета, 1980, 509, 87-94.

123. А.Ю.Митягин, Т.О.Уустаре. Модели атомных сверхструктур на (100) поверхности A'"BV- соединений. Уч. записки Тартуского гос. университета, 1982, 632, 73-91.

124. W.A.Goddard III, T.C.McGill. Study of surfaces and interfaces using quantum chemistry techniques. J. Vac. Sci. Technol., 1979, 16, No 5, 1308-1317.

125. J.A. van Vechten. Effect of reconstruction during epitaxial growth. J. Vac. Sci. Technol., 1977, .14, No 4, 992-998.

126. А. Ю.Митягин, Т.О.Уустаре. Природа мест хемосорбции кислорода на (100) поверхности AniBv- соединений. Уч. записки Тартуского гос. университета, 1982, 632, 92-96.

127. В.Ф.Дворянкин, А.Ю.Митягин, Т-О.Уустаре. Механизмы взаимодействия и атомные структуры молекул СО и С02 на поверхностях соединений типа A"*BV . ФТТ, 1980, 22, № 6, I7I4-I7I8.

128. Ч.Коульсон. Валентность. М., "Мир", 1965.

129. А.Полинг, Л.Полинг. Химия. М., "Мир", 1978.133» J.C.Phillips. Bonds and Bands in Semiconductors.1. New' York & London, 1973.

130. R.W.G.Wyckoff. Crystal Structures, Vol. 2, New York, 1964.

131. А.В.Емельянов, Г.М.Кузьмичева, В.П.Лаврищев, В.Е.Уфимцев. Кристаллохимические аспекты формирования МДП структур на основе соединений A'"BV. Докл. АН СССР, 1980, 25ff., № 3, 636-640.

132. H.B.Gray. Chemical Bonds: An Introduction to Atomic and Molecular Structure. Menlo Park, 1973.инск1. YZ3 № <3-6'J>1. На №от1. СПРАВКА