Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Симакин, Сергей Борисович

• Симакин, Сергей Борисович
• доктор технических наук
• 2009

Оглавление диссертации доктор технических наук Симакин, Сергей Борисович

Условные обозначения и сокращения

Введение

1. Методы и способы контроля процессов ионно-плазменной обработки материалов электронной техники

1.1. Физические основы и характеристика методов ионно-плазменной обработки

1.2. Основные эффекты, сопровождающие ионно-плазменную обработку

1.3. Применение эффектов ионной бомбардировки для контроля технологических процессов ионно-плазменной обработки

1.4. Использование оптических эффектов для управления процессами ионно-плазменной обработки

1.5. Масс-спектрометрия ионно-плазменных процессов 5 О

1.6. Использование электрических сигналов для контроля процессов ионно-плазменной обработки 53 Заключение

2. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов (ИИТ) в многослойных пленочных гетероструктурах в процессах ионно-лучевого (ИЛТ) и реактивного (РИЛТ) травления и нанесения

2.1. Методика определения закономерностей изменения ИИТ в процессах ИЛТ и РИЛТ

2.2. Закономерности изменения ионно-индуцированного тока в процессах ИЛТ и РИЛТ пленочных структур диэлектрик - полупроводник и диэлектрик — металл

2.3. Особенности изменения ионно-индуцированного тока при ионной очистке поверхностей металлов и полупроводников

2.4. Закономерности изменения ионно-индуцированного тока при травлении гетероструктур

2.5. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ структур металл - металл, металл — полупроводник, металл — диэлектрик — металл

2.6. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ пленок углерода на металлах

2.7. Контроль ионно-индуцированных токов при нанесении ионно-лучевым распылением пленок диэлектриков на проводящие подложки

2.8. Измерение электрических потенциалов на поверхности структур при ионной бомбардировке 110 Заключение

3. Экспериментальное исследование явления вторичной ионно-электронной эмиссии при травлении многослойных пленочных гетероструктур металлов, полупроводников и диэлектриков

3.1. Экспериментальное оборудование и методика проведения измерения тока вторичных электронов

3.2. Параметры вторичной ионно-электронной эмиссии, используемые для диагностики состояния поверхности материалов в технологических процессах ИЛТ

3.3. Зависимость интенсивности ионно-электронной эмиссии с поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков от электропроводности обрабатываемых структур при ИЛТ

3.4. Зависимость интенсивности ионно-электронной эмиссии от технологических параметров процессов ИЛТ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники»

Бурное развитие микроэлектроники, а в последние годы и наноэлектроники, потребовало разработки новых технологических процессов. Микроминиатюризация, высокая степень интеграции, возрастание числа и уменьшение размеров отдельных элементов электронных устройств неизбежно приводит к совершенствованию тонкопленочной технологии.

Важнейшими операциями в технологии производства БИС и СБИС являются процессы формирования микро- и наноразмерных слоев и гетерокомпозиций, травление и создание топологического рисунка.

Широкое применение для создания тонкопленочных устройств находят ион-но-плазменные методы обработки, в том числе ионно-лучевое и реактивное ион-но-лучевое травление (ИЛТ и РИЛТ), а также нанесение пленок материалов ионно-лучевым и реактивным ионно-лучевым распылением (ИЛР и РИЛР).

Актуальной является проблема автоматизации ионно-плазменных процессов, которая не может быть решена без создания достаточно простых, точных и надежных методов контроля и управления. Проводимые в настоящее время исследования направлены на поиск и изучение физических явлений, на основе использования которых могут быть разработаны методики контроля состояния поверхности объектов обработки, устройства и оборудование для управления технологическими процессами формирования и травления тонких, сверхтонких и многослойных гете-роструктур.

В процессе ионно-плазменной обработки необходимо иметь информацию о начальных стадиях зарождения пленки, образовании сплошного слоя, о составе растущего слоя, а в случае травления — о переходе от одного слоя к другому и об окончании процесса.

Анализ физических явлений, возникающих в твердом теле при ионном и электронном воздействии на поверхность, позволяет заключить, что наиболее предпочтительным для отмеченных целей является использование эффектов, свойственных самим процессам. К числу таких эффектов относится ионно-электронная, электрон-электронная эмиссия и ионно-индуцированный ток, возникающий в пленочных структурах при воздействии на них низкоэнергетических заряженных частиц.

Методы контроля ионно-плазменных процессов, основанные на анализе ионно-индуцированных и эмиссионных токов в процессе обработки, представляют научный и практический интерес. Они наиболее адаптивны к изменяющимся условиям обработки и составу материалов структур.

Практическое применение этих методов представляется перспективным вследствие использования ионных и электронных пучков в качестве инструмента как для обработки поверхности, так и для контроля состояния поверхности в процессе обработки. Применение отмеченных эффектов дает возможность разработать оперативные (in situ) неразрушающие методы контроля. Кроме того, это позволит разработать адаптивно-управляемую технологию создания тонкопленочных электронных устройств.

В настоящее время отсутствует системный подход к изучению и использованию отмеченных эффектов ионного и электронного воздействия на поверхность обрабатываемого материала.

Цель работы состояла в исследовании и применении электрофизических эффектов низкоэнергетического воздействия ионов и электронов для эффективного управления процессами вакуумного ионно-плазменного травления и осаждения тонких пленок и гетероструктур на основе полупроводников, диэлектриков и металлов и разработке элементов технологического оборудования.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- обобщить и проанализировать электрофизические эффекты, сопровождающие электронную и ионную бомбардировку тонкопленочных структур на основе металлов, полупроводников и диэлектриков;

- создать экспериментальное оборудование и разработать методики измерения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессе эли-онной обработки тонкопленочных гетероструктур;

- исследовать закономерности изменения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессах ИЛТ и РИЛТ гетероструктур, ионной очистки поверхности подложек, формирования методами ИЛР и РИЛР тонкопленочных композиций и обработки структур электронной бомбардировкой;

- построить феноменологические модели возникновения и эволюции ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в процессе ионно-лучевой обработки гетероструктур;

- разработать концепцию построения алгоритмического обеспечения системы управления технологическим процессом на базе адаптивных математических моделей;

- разработать методики высокоточного определения момента окончания процессов ионно-плазменной обработки, исключающих негативное воздействие потоков ионов на подложку, в процессах ИЛТ и нанесения пленок заданной толщины в процессах ИЛР;

- создать и внедрить в серийное производство специальное вакуумное оборудование, оснащенное современными устройствами ионно-плазменной обработки и системами контроля технологических параметров, позволяющее реализовать адаптивно управляемые технологические процессы производства изделий электронной техники.

Методы исследования

Для решения поставленных задач использовались современные методы экспериментальных исследований, в том числе Оже-спектроскопии, ВИМС, рентгено-структурного анализа и сканирующей зондовой микроскопии. Использовались методы математического и физического моделирования, системного анализа и компьютерной обработки расчетных и экспериментальных зависимостей.

Научная новизна работы

Впервые установлены закономерности проявления электрофизических эффектов — возникновение ионно-индуцированных токов и электронной эмиссии при низкоэнергетическом (до 5 кэВ) воздействии ионов и электронов (до 0,9 кэВ) на поверхность обрабатываемых материалов: металлов, полупроводников, диэлектриков.

Впервые экспериментально показана возможность использования возникающих электрофизических эффектов для неразрушающего и оперативного (in situ) контроля состояния обрабатываемой ионами и электронами поверхности в процессе травления и осаждения микро- и наноразмерных пленок и гетероструктур на их основе.

Установлены закономерности немонотонного изменения ионно-индуцированного тока в приповерхностных слоях металлов, полупроводников и диэлектриков в пределах 100-300 нм при бомбардировке тонкопленочных материалов ионами с энергией до 5 кэВ, позволившие непрерывно контролировать процессы ионно-лучевого травления и осаждения. Показано, что закономерности изменения ионно-индуцированного тока связаны с природой материала пленок, их толщиной, видом бомбардирующих ионов, их энергией и плотностью тока.

Показано, что интегральный сигнал вторичных электронов при ионно-лучевом травлении тонкопленочных гетерокомпозиций позволяет фиксировать изменение состава и состояния поверхности непосредственно в процессе ионной обработки. Теоретические и экспериментальные результаты по кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлов и полупроводников удовлетворительно согласуются друг с другом.

Установлено, что при воздействии электронов низкой энергии (до 0,9 кэВ) на поверхность твердого тела с увеличением энергии интенсивность рассеяния электронов многокомпонентных мишеней носит ступенчатый характер, связанный с механизмом резонансной эмиссии.

Предложена феноменологическая модель возникновения и эволюции ионно-индуцированной проводимости и ионно-электронной эмиссии в процессе ионно-лучевого травления пленочных структур, учитывающая влияние сильных электрических полей и изменение коэффициента ионно-электронной эмиссии при переходе от одного слоя к другому.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Использование эффектов низкоэнергетического (до 5 кэВ) ионного воздействия на поверхность в процессе вакуумного ионно-плазменного формирования и травления тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков и гетерокомпозиций на их основе (индуцированные токи, эмиссия электронов, распыление и активирование гетерогенных реакций) позволяет с высокой эффективностью управлять их химическим и фазовым составами, атомной структурой и электрофизическими свойствами.

2. Регистрация ионно-индуцированного тока в тонкопленочных гетерокомпо-зициях в процессе их ионно-плазменной обработки обеспечивает возможность использования его в качестве информационного сигнала для эффективного управления процессами очистки поверхности, определения продолжительности и окончания травления и нанесения тонких пленок.

3. Вторичная электронная эмиссия в процессе ионно-лучевой обработки поверхности слоистых материалов позволяет не только фиксировать все стадии процесса: очистка, момент окончания травления, включая переход травления от одного слоя к другому, но и изменение химического состава приповерхностной области при практически любой толщине слоев, применяемых в микро- и наноэлектронике.

4. Применение адаптивно-управляемых процессов на основе интеллектуальных систем управления позволяет обеспечить одновременный контроль нескольких технологических параметров, повысить разрешающую способность методов контроля, производительность, точность, быстродействие вакуумного ионно-плазменного оборудования.

5. Разработанные методики регистрации ионно-индуцированного тока и электронной эмиссии позволяют с высокой точностью определять момент окончания процессов ионно-плазменной обработки тонкопленочных гетероком-позиций.

6. Разработанные элементы и устройства технологического вакуумного оборудования с непрерывным контролем состояния обрабатываемой поверхности позволяют реализовать адаптивно-управляемые ионно-плазменные процессы нанесения и травления микро- и наноразмерных гетерокомпозиций из металлов, полупроводников и диэлектриков с повышенной эффективностью.

Практическая значимость и реализация результатов работы

1. Разработаны методики измерения ионно-индуцированных токов и токов вторичных электронов в пленочных структурах в процессе обработки, позволяющие фиксировать момент окончания процессов ИЛТ гетероструктур диэлектрик - полупроводник (металл), диэлектрик - диэлектрик — полупроводник, металл — металл с относительной погрешностью ± 1—2 %.

2. Разработана новая методика определения толщины диэлектриков до 500 нм с точностью не хуже ± 5 нм по изменению ионно-индуцированного тока и тока вторичных электронов в процессе формирования пленок ионно-лучевым и реактивным ионно-лучевым распылением.

3. Созданы экспериментальные вакуумные многофункциональные установки с ионно-лучевым устройством и системой оперативного контроля для реализации управляемых процессов ИЛТ, РИЛТ и нанесения пленок материалов ИЛР, РИЛР с использованием в качестве информационного сигнала ионно-индуцированного тока и тока вторичных электронов.

4. Созданы устройства контроля и управления процессами ИЛТ и нанесения пленочных структур, позволяющие фиксировать момент окончания процесса обработки с относительной погрешностью не более ±3 %.

5. Разработана методика контроля состава поверхности пленочных гетерострук-тур путем регистрации интегрального сигнала электронной эмиссии при ион-но-лучевом травлении, позволяющая в едином технологическом процессе безынерционно определять все стадии процесса травления: очистка поверхности, травление, переход травления от одного слоя к другому, окончание процесса травления; а также устанавливать изменение концентрации примесей, например, в пределах 2-4 ат. % водорода в а -57: Я, 3-5 ат. %, мышьяка в ОаАБ.

6. Разработаны аппаратура и система регистрации сигнала вторичных электронов, обеспечивающие увеличение практически в 2 раза его интенсивность в процессе ионно-лучевого травления и формирования тонкопленочных гетеро-композиций.

7. Разработан способ контроля отклонения от заданного состава многокомпонентных пленок, содержащих кремний, основанный на анализе электрон-электронной эмиссии в процессе их формирования, позволяющий повысить воспроизводимость состава и свойств получаемых резистивных и диэлектрических пленок. Воспроизводимость состава резистивных пленок на основе сплава РС-3710 составила по содержанию 57 - 95 %, по содержанию Сг - 90 %, воспроизводимость свойств при этом находится в пределах Ар/р - 1-15 %, АЯ/Я- 0,5-1 %, Ае/ео - 1-1,5 %.

8. Разработан способ поддержания и управления давлением плазмообразующего газа в процессе ионно-лучевой обработки тонкопленочных гетерокомпозиций, обеспечивающий высокую (до 95 %) воспроизводимость измерений интетрального сигнала вторичной электронной эмиссии и ионно-индуцированного тока.

9. Разработан и создан ряд высокоэффективных распылительных устройств и многофункциональных вакуумных установок для ионного синтеза и обработки многокомпонентных пленок.

10. Полученные экспериментальные и теоретические результаты использованы в учебном процессе при чтении лекций и проведении лабораторных работ по направлению «Электроника и микроэлектроника» при подготовке магистров по профилю «Процессы микро- и нанотехнологии» и инженеров по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника» в Московском государственном институте стали и сплавов (технологическом университете).

Апробация работы

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: I Международной конференции «Интеллектуальные системы» (Махачкала, Россия, 1994), I и II Международном конгрессе «Новые высокие технологии для нефтегазовой промышленности и энергетики будущего» (Тюмень, Россия, 1996, 1997), Международном научно-техническом семинаре «Напылительная техника» (Москва, Россия, 2002), V Международной конференции «Электромеханика, электротехнологии и электроматериаловедение» (Алушта, Украина, 2003), III и IV Международной конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Москва, Россия, 2003, 2004), III Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, Россия, 2003), Международной конференция «Термоэлектрики» (Санкт-Петербург, Россия , 2004), 7 International Symposium «Nanostructures», (Прага, Чехия, 2005), IV Российско -японский семинар «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро- и наноэлекгроники» (Астрахань - АТУ, Россия, 2006), Международной конференции (Таганрог, Россия, 2003), II Международной конференции «Перспективные технологии производства радиоэлектронных блоков на печатных платах» (Москва, Россия, 2007), Международном семинаре «Вакуумная техника и технология» (Санкт-Петербург, Россия, 2007), 28-м заседании постоянно действующего научно-технического семинара: «Электровакуумная техника и технология», (Москва, Россия, 2007), IV Международной конференции «Микро- и наноэлектроника» (Звенигород, Россия, 2007), Международной конференции «Квантовая информатика» (Звенигород, Россия, 2007), XIV Международной конференции «Вакуумная наука и техника» (Сочи, Россия, 2007), III Международной научно-техническая конференции «Вакуумная техника, материалы и технология» (Москва, Россия, 2008), XVIII Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Неразрушающий контроль и техническая диагностика» (Нижний Новгород, Россия, 2008).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 52 работы в отечественной и зарубежной научной печати, в том числе 10 в изданиях, рекомендуемых ВАК для публикации основных результатов на соискание ученой степени доктора наук. Получено 7 авторских свидетельств.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, семи глав, выводов, списка литературы из 206 наименований и приложений. Общий объем работы составляет 375 страниц текста, включает 124 рисунка, 21 таблицу.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Симакин, Сергей Борисович

Основные результаты и выводы

1. Установлена и обоснована возможность использования электрофизических эффектов низкоэнергетического воздействия ионов (до 5 кэВ) и электронов (до 900 эВ) на поверхность обрабатываемых материалов (возникновение индуцированного тока в приповерхностном слое и эмиссии электронов из них) для прецизионного управления процессами ионно-плазменного травления и осаждения микро- и наноразмерных пленок и гетероструктур на основе полупроводников, диэлектриков и металлов.

2. Использование эффектов возникновения и изменения ионно-индуцированного тока и эмиссии электронов в процессе ионно-плазменного травления и осаждения тонкопленочных гетероструктур позволило разработать новые способы и приемы неразрушающего оперативного контроля изменения состояния обрабатываемой поверхности. Это обеспечило возможность регистрировать изменения химического состава поверхностного слоя в пределах 3—5 % ат. и переход в процессе формирования одного слоя к другому с минимальным разрешением по их толщине ±5 нм.

3. Теоретически и экспериментально с учетом зонной теории обрабатываемого материала, вероятности выхода электрона в вакуум, плотности потока ионов на поверхность установлены закономерности изменения тока вторичных электронов и коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии в зависимости от параметров материала и ионного воздействия. Получена возможность прогнозирование реального тока ионно-электронной эмиссии с погрешностью до 10 %.

4. Разработаны оригинальные методики и аппаратура для регистрации ион-но-индуцированного тока и эмиссионного электронного тока в реальных ионно-плазменных процессах травления и нанесения тонких пленок и гетероструктур, позволяющие на 15-20 % повысить точность фиксации момента окончания процесса по сравнению с контролем по времени.

5. Установлены экспериментальные закономерности изменения интегрального сигнала вторичных электронов при ионно-лучевом травлении многослойных тонкопленочных гетерокомпозиций, позволяющие фиксировать временной интервал ионной очистки, переход травления одного слоя к другому и момент окончания процесса с точностью ± 2 с.

6. Предложена феноменологическая модель возникновения и эволюции ионно-индуцированной проводимости в процессе ионно-лучевого травления пленочных структур, учитывающая изменение потенциала приповерхностного слоя, подвергаемого бомбардировке заряженными частицами. Установлено, что возрастание измеряемого тока на завершающей стадии травления пленок диэлектриков (БЮг, Л12Оз) связано с влиянием сильных электрических полей, а изменение тока на границе раздела металлов обусловлено изменением коэффициента ионно-электронной эмиссии при переходе от одного слоя металла к другому в процессе ионно-лучевого травления. Показано, что результатом влияния электрических полей высокой напряженности при ионной бомбардировке является возникновение ионно-индуцированного тока, значение которого на 1—2 порядка превышает расчетное для массивных диэлектриков при отсутствии ионной бомбардировки.

7. Экспериментально показано, что каждому сочетанию наноразмерных ге-тероструктур диэлектрик—полупроводник-металл соответствует определенная закономерность изменения ионно-индуцированного тока при ионно-лучевом травлении и нанесении пленок металлов и диэлектриков. Установлено, что для структур диэлектрик-полупроводник (металл) наиболее значительными параметрами являются: толщина пленки диэлектрика, энергия и плотность потока ионов, вид бомбардирующих ионов и плотность тока тепловых электронов, поступающих на поверхность обрабатываемой структуры. Показано, что на зависимостях изменения ионно-индуцированного тока в процессе травления и осаждения имеются воспроизводимо идентифицируемые значения, позволяющие фиксировать момент полного стравливания пленки с поверхности подложки с погрешностью не более 1-2 %.

8. Теоретически и экспериментально показано, что при воздействии электронов низкой энергии (до 900 эВ) на поверхность твердого тела в определенном энергетическом интервале, совпадающем с интервалами пороговых энергий упругих и неупругих потерь энергии, интенсивность рассеяния электронов поверхностью многокомпонентных мишеней носит ступенчатый характер. В диапазоне энергий электронов 600-900 эВ сечение рассеяния для указанных мишеней характеризуется увеличением интенсивности интегральной вторичной электронной эмиссии и сужением пиков энергетических спектров рассеяния для однокомпо-нентных мишеней. Эмпирически определенные размеры областей взаимодействия отличаются от расчетных значений для упругих и неупругих процессов рассеяния, что указывает на механизм рассеяния, сходный с механизмом резонансной эмиссии.

Показана возможность с высокой точностью определять средний атомный номер многокомпонентных мишеней, рассеивающих первичный поток низкоэнергетических электронов как в фокусированном, так и расфокусированном режиме облучения.

9. Экспериментально установлены зависимости изменения характеристик резистивных и диэлектрических пленок (ТКС, а, п, s, плотность пор, концентрация компонентов и примесей), получаемых ионно-плазменным осаждением, от энергии электронов, бомбардирующих поверхность подложки в процессе формирования пленки на подложке. Экспериментально показана возможность использования электрон-электронной эмиссии для контроля состава формирующейся пленки в процессе ионного распыления мишеней различного состава. Например, установлено, что величина интегрального сигнала вторичных электронов при формировании слоя на основе нитрида вольфрама на арсениде галлия и слоя (SiC)ix(AlN)x зависит от содержания азота или AIN соответственно.

10. Разработаны концепции автоматизации и алгоритмического обеспечения системы управления процессами ионно-плазменного осаждения и травления тонкопленочных гетерокомпозиций, заключающиеся в использовании имитационного моделирования и интегрированной системы, сочетающей процедуры оптимизации управления с применением адаптивной модели с процедурами идентификации параметров управляемого процесса. Предложена модель формирования пучка заряженных частиц ионного источника типа «Радикал», учитывающая немоноэнерге-тичность потока ионов, распределение плотности тока и объемного заряда. Концепция и модель позволяют определить условия оптимальности управления потоком заряженных частиц, используемых для реализации процессов осаждения и травления тонких пленок. Разработанная процедура на 20-30 % снижает концентрацию дефектов на поверхности подложки по сравнению с неуправляемым потоком ионов после стравливания нанесенного слоя. Разработаны алгоритмы и системы управления процессами нанесения пленок диэлектриков, металлов и ионного травления функциональных слоев СБИС с использованием ионно-индуцированных токов. Использование закономерности изменения ионно-индуцированного тока (/,,) от времени при ионно-лучевом травлении тонких пленок диэлектриков позволило путем обработки сигнала и нахождения характерных точек, соответствующих максимуму функции /„(О? с погрешностью не более ± 2 % определять время окончания травления слоя, корректировать и изменять параметры ионного источника в процессе травления.

11. Разработана автоматизированная система управления процессом создания многослойных структур диэлектрик — металл в едином вакуумном цикле, использующая непрерывный контроль толщины наносимых пленок путем регистрации изменения ионно-индуцированного тока и падения напряжения от толщины слоя. Алгоритм управления заключается в подаче сигнала о прекращении данного этапа или процесса в целом на исполнительные элементы автоматики при достижении измеряемыми параметрами (/„ или ли) некоторого порогового значения, соответствующего заданной толщине пленки.

12. Для обеспечения реализации адаптивно-управляемых процессов ионно-лучевого травления и осаждения пленок разработаны и созданы специализированные устройства и установки: многопучковая установка синтеза пленок сложного состава (УСиВаО) ионным распылением 4-х мишеней, позволяющая с помощью управления составом, интенсивностью и энергией потока ионов на поверхность мишеней и подложки поддерживать и регулировать как состояние, так и химический состав формируемых слоев; устройства для ионного травления пленочных гетероструктур с контролем процесса путем регистрации индуцированного тока в цепи подложкодержатель - пленка — датчик; устройства для контроля процессов ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления пленок металлов на металлах с использованием ионно-электронной эмиссии.

13. Разработаны устройства равномерного распределения потоков плазмо-образующего газа и системы управления напуском рабочего газа и стабилизации его давления в технологической камере в диапазоне давлений 5-10" —1Па в процессе ионно-лучевого осаждения и травления пленочных структур. Устройство распределения плазмообразующего газа позволяет увеличить до 95 % равномерность плотности тока ионных пучков, извлекаемых из устройства ионно-плазменной обработки, оперативно отслеживать изменение основных параметров ионно-плазменных устройств: давление плазмообразующего газа, напряжение и ток разряда, стабилизировать их на уровне, не превышающем ± 5 % от потенциального значения. Это позволяет управляемо контролировать скорость роста пленок и ее отклонение в пределах 0,1-0,2 нм/с от заданного значения.

14. Разработанные неразрушающие методы контроля ионно-плазменных процессов осаждения и травления тонкопленочных структур, основанные на регистрации ионно-индуцированных токов, ионно-электронной и электрон-электронной эмиссии, а также разработанные адаптивно-управляемые процессы, элементы и устройства для реализации процессов были использованы при разработке следующих экспериментальных и промышленных технологий:

- создания резистивных и диэлектрических многокомпонентных многослойных пленочных структур для устройств вторичных источников питания;

- создания функциональных устройств гибридных интегральных схем на металлической подложке путем получения изолирующего слоя на подложке, формирования пассивных и активных элементов ГИС;

- создания диодов Шоттки на арсениде галлия в едином технологическом процессе, включающем ионную очистку, реактивное ионно-лучевое травление поверхности подложки, нанесение ионным распылением одно- и двухслойных слоев металлизации из А1, 77 и ЖЫ;

- направленного нанотекстурирования ионными пучками поверхности углеродных эмиттеров, применяемых в электронных приборах специального назначения; формирования токоведущих элементов СБИС ЗУ ЦМД ПРИ реализации процессов травления многослойных структур Сг-Си-Сг, а также нанесения ИЛР структур 8Ю2—А1 - ЗЮг, ШЕе - Та; воспроизводимого прецизионного нанесения ИЛР и удаления ИЛТ пленок металлов (Аи, Р^ Ag) с поверхности пьезокварцевых кристаллов с целью оперативной настройки частоты кварцевых резонаторов;

- формирования ИЛР нанопленок ферромагнитных материалов (№, ШЕе, Со, Ре) с высокими значениями коэрцитивной силы для устройств магнитной памяти.

В результате выполненной работы решена важная народнохозяйственная проблема, связанная с созданием вакуум-плазменного оборудования с неразру-шающим контролем процессов формирования гетерокомпозиций на основе металлов, полупроводников и диэлектриков при использовании электрофизических эффектов от ионного и электронного воздействия.

Заключение

Рассчитана и разработана адаптивно управляемая система газонапуска в устройства ионно-лучевой обработки.

Созданы ионно-плазменные устройства для реализации воспроизводимых процессов ИЛР, РИЛР, ИЛТ и РИЛТ.

Спроектированы и созданы многофункциональные вакуумные установки и технологические модули, позволяющие решать широкий круг задач при создании изделий электронной техники.

Рассчитаны, спроектированы и созданы системы контроля ионно-плазменных процессов нанесения и травления пленочных структур, апробирование на опытных и серийно выпускаемых вакуумных технологических установках.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Симакин, Сергей Борисович, 2009 год

1. Нанотехнология в электронике. / Под ред. Ю.Чаплыгина. — М.: Техносфера, 2007.-263 с.

2. Гуртов В. Твердотельная электроника — М.: Техносфера, 2006. 358 с.

3. Киреев В. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы / В.Киреев, А.Столяров — М.: Техносфера, 2006. — 489 с.

4. Динамика радиоэлектроники / Под ред. Ю.И.Борисова. М.: Техносфера, 2006.-432 с.

5. Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ. М.Золотарева / Под ред. Н.Айнспука, Д.Брауна. — М.: Мир, 1987. 489 с.

6. Броудай Ч. Физические основы микротехнологии / Ч.Броудай, Дж.Мерей; -М.: Мир, 1985.-494 с.

7. Бередин A.C. Технология и конструирование интегральных микросхем / А.С.Бередин, О.Р.Мочалкина М.: Радио и связь, 1983. - 386 с.

8. Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е.Фортова. — М.: Мир, 2003.-482 с.

9. Мак-Даниель М. Процессы столкновений в ионизированных газах М.: Мир, 1967.-832 с.

10. Чен Ф. Введение в физику плазмы: пер.с англ. — М.: Мир, 1987. — 398 с.

11. Райзер Ю.П. Физика газового разряда М.: Наука, 1987. - 569 с.

12. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металлов: Пер. с англ. М.: Мир, 1967. - 427с.

13. Оцуки Е.Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 277 с. ил.

14. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р.Бериша. — М.: Мир, 1984. 328 с.

15. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С.Машковой. М.: Мир, 1989. - 349 с.

16. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Под ред. Д.Бриггса, М.Сиха. М.: Мир, 1987. - 598 с.

17. Ионная имплантация. / Под ред. Дж.К.Хирвонена. М.: Металлургия, 1985. -345 с.

18. Зенгул Э. Физика поверхности: Пер. с нем. М.: Мир, 1990. - 536 с.

19. Тонкие пленки. Взаимая диффузия и реакции / под ред. Дж.Поута, К.Ту, Дж.Мейера; пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 570 с.

20. Ивановский Г.Ф., Петров В.И.Ионно-плазменная обработка материалов. — М.: Радио и связь, 1977. 232 с.

21. Технология тонких пленок: Справочник / Под ред. Л.Майссел, Р.Глэнг. М.: Советское радио, 1977. - 1429 с.

22. Руденко К.В. Мониторинг плазмохимического травления структур poly -Si/Si02/Si: зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия / К.В.Руденко, A.B.Мяконьских, A.A. Орлековский //Микроэлектроника. — 2001.-Т.36, № 3. С. 206-221.

23. Орлековский A.A. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы / A.A.Орлековский, К.В.Руденко // Микроэлектроника. 2001. - Т.30, № 5. - С. 323-344.

24. Маишев Ю.П. Специфика диагностики параметров плазмы электрическими зондами в процессах ионно-лучевого и плазмохимического травления / Ю.П. Маишев, В.И.Фаренник, А.В.Шевченко, А.М.Будянский, С.В.Дудин, A.B. Зыков //Тр. ФТИАН. 1999. - Т.15. - С.86-116.

25. Chen F.F. «Langmuir probe analysis for high density plasmas» // Ed. By University of California, Los Angeles, 2000.

26. Руденко К.В. Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок / К.В.Руденко, А.В Мяконьских, А.А.Орлековский // Микроэлектроника. 2007. -Т.35, № l.-C. 123-134.

27. Каган Ю.М., Перель В.И. Зондовые методы исследования плазмы // Тр. УФН T.LXXXI. - Вып.З. - С. 409 - 452.

28. Козлов А.Н. Автоматизированный контроль технологических параметров вакуумного оборудования как обеспечение непрерывного контроля качества / А.Н.Козлов, Д.Э.Гринфельд, А.В.Щербаков, А.М.Филачев // Прикладная физика. 2006. - №3. - С.38-45.

29. Черепин В.Т., Васильев М.А. Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. — Киев: Наукова думка, 1975. 239 с.

30. Батавин, В.В.Оптические методы исследования и контроля в элктроднный технике / В.В. Батавин, Ю.А.Концевой //Электронная промышленность. — 1979. Вып. 1-2. С.63-66.

31. Глудкин О.П., Густов А.Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства ИС М.: Радио и связь, 1981. - 112 с.

32. Lim S.C. An Overview of Thickness Measurement Techniques for Metallic Thin Films / S.C. Lim, D.Ridley // Solid State Technol., 1983. V.26. - N2. - P.99-103.

33. Sternheim M. A Laser Interferometer System to Monitor Dry Etching of Patterned Silicon / M.Sternheim, W.Gelder, A.W.Hartman J.Electrochem. Soc., 1983. - V.130. -N3. - P.655-658.

34. Чен Ф. Основы физики плазмы / Пер. с англ. М.: Мир, 1990. - 364 с.

35. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. — М.: Радио и связь, 1983. 220 с.

36. Hosaka S. Monitoring secondary ions etching / S.Hosaka, N.Sakudo // Solid State Technol., 1979. V.22. -N 2. - P.123-128.

37. Busta H.H., Lajos R.E., Kirwit D.A. Plasma etch monitoring with laser interfer-ometry/ H.H.Busta, R.E.Lajos, D.A .Kirwit // Solid State Technol., 1979. V.22. -N2.- P.61-64.

38. Bondur J.A., Clark H.A. Plasma Etching for Si02 Profile Control. Solid State Technol., 1980.- V.23 -N4.- P.122-128.

39. Donelly V.M. Anisotropic etching of Si02 in low-frequency CF4/02 and NF3/Ar plasmas / V.M.Donelly, D.L.Flamm, W.C.Dautermont-Smith, D.J.Werder // J.Appl.Phys., 1984. V.55(l) —N1. - P.242-252.

40. Sterheim M., van Gelder W., Hartman A.W. A Laser interferometer system tomonitoring dry etching of pattered silicon. J. Electrochem. Soc., 1983, V.130 -N3 - P.655-658.

41. Lechaton J.S., Srinivasan G.R., Gaur S.P. Precision Reactive Sputter Etching and Its Applications. Jap.J.Appl.Phys., 1983. - V.22, supplement 22-1. - P.141-144.

42. Коронкевич В.П., Ханов B.A. Современные лазерные интерферометры. М.: Наука, 1985.- 180 с.

43. Curtis B.J. Optical end point detection for the plasma etching of aluminium. -Solid State Technol., 1980. V.23. - N4. - P.129-132.

44. Curtis B.J., Brunner H.R. An optical detector for monitoring plasma etching. -ISPC 4, 4th Int. Symp. Plasma Chem., Zurich, 1979, Conf. Proc. - V.l. - P. 139145.

45. Park K.O., Rock F.C. End Point Detection for Reactive Ion Etching of Aluminium. J. Electrochem. Soc., 1983. - V.l31. -Nl. - P. 214-215.

46. Oshima M. Optical Spectroscopy in Reactive Sputter Etching and Its Application to Process Control. Jap.J.Appl.Phys., 1981. - V.20. - N4. - P.683-690.

47. Marcoux P.J., Foo Pang Dow. Methods of end point detection for plasma etching. Solid State Technol., 1981. - V.24. - N4. - P. 115-122.

48. Босяков M.H., Лабуда A.A., Никифоренко H.H. Применение ИК спектроскопии в изучении плазмохимического процесса травления двуокиси кремния //Журнал прикладной спектроскопии. 1981. - Т.34. - Вып.4. - С.618-622.

49. Kadou Н., Takashi Т., End point detection in plasma etching by optical emission Spectroscopy. J. Electrochem. Soc., 1980. - V. 127. - N1. - P.234-235.

50. Долгополов В.М., Иванов В.И., Кротков В.А., Соловьев В.И. Разработка спектрального индикатора для контроля процесса плазмохимического удаления фоторезиста// Электронная техника.Сер.З. Микроэлектроника. -1980.- Вып.4. С.39—41.

51. Singleton M.J. End point Detection in plasma Photoresist Stripping: Some Practical Design Considerations. Solid State Technol., 1981. - V.24. -N4. - P.132-133.

52. Soller B.R., Shuman R.F., Ross R.R. Application of emission pectroscopy for profile control during oxigen RIE of thick photoresist. J.Electrochem.Soc., 1984. - V.131. -N6. -P.1353-1356.

53. Harshbarger W.R., Porter R.A. Optical Detector to Monitor Plasma Etching. -J.Electronic Mater, 1978. V.7. -N3. -P.429^140.

54. Деймтредер В. Лазерная спектроскопия / Пер. с нем. М.: Наука, 1985. -608 с.

55. Oshima М. Monitoring of Dry Etching Process of Si02 on Si by Using Mass Spectra. Jap.J.Appl.Phys., 1978. - V.17. - N3. - P.579-580.

56. Bunyard G.B., Raby B.A. Plasma Process Development and Monitoring Mass Spectrometry. Solid State Technol., 1977. - V.20. - P.53-56.

57. Raby B.A., Mass Spectrometric study of plasma etching. J.Vac.Sci. and Technol., 1978. - V.15. -N2. - P.205-290.

58. Dennison R.W. Mass Spectrometry Applied to a Reactive Ion Mill. — Solid State Technol., 1980. V.23. - N9. - P. 117-120.

59. Hosaka S., Sakudo N., Hashimoto S. Monitoring secondary ion during ion etching. J.Vac.Sci. and Technol., 1979. - V.16. -N3. -P.913-916.

60. Hofmann D., Wechsung R. Plasma Mass Spectrometry for thin film process control. 4th Int. Symp. on Plasma Chemistiy, Zurich, 1979. - V.2. - P.622-627.

61. Bolker B.F.T., Tisone T.C., Latos T.S. Control system dynamics using glow discharge mass spectroscopy for thin film sputtering. J.Vac.Sci. and Technol.,1981. V.18. -N2. -Р.328-334.

62. Lutz Н. Multisource deposition rate control using a mass Spectrometer as a sensing element. J.Vac.Sci. and Technol., 1978. - V.15. -N2. -P.309-312.

63. Чутко B.M. Контроль процессов ионного распыления методом кварцевого резонатора // ОМП. 1983. - №11. - С.41-45.

64. Generosi R., Miriametro A. Automatic temperature compensating apparatus for measurement of thin films during deposition. — Rev.Sci.Instrum., 1982. — V.53. — N9.-P. 1470-1471.

65. Mayer N.M. Resistance Measurements by Radio Telemetric System during Film Deposition by Sputtering. Siemens Forsch. u. Entwickl., 1982. - Bd 11.- N6. -P.322-326.

66. Комник Ю.Ф. Физика металлических пленок. М.: Атомиздат, 1998. - 263 с.

67. Лещенко И.Н., Сокол В.А., Чукаев С.В. Прибор для контроля параметров пленок при их напылении в вакууме. — ПТЖ. 1984. - С.243.

68. Ukai К., Hanazawa K.J. End point determination of aluminium reactive ion etching by discharge impedanse monitoring. J.Vac.Sci. and Technol., 1979. — V.16.- N2.-P.385.

69. Sakaki H., Sekiguchi Y., Yokoyama K. Ion-beam-induced-current (IBIC) monitoring of uniform and selective ion-etching processes in layered structures. -J.Vac.Sci. and Technol., 1981. V.19.-Nl.-P.23-25.

70. Технология СБИС /Под ред. С.Зи / Пер. с англ. В 2 т.Т. 1 - М.: Мир, 1986.- С.236-238.

71. Киреев В.Ю. Технология и оборудование производства интегральных микросхем. Состояние и основные тенденции развития // Электроника: Нау-ка.Технология. Бизнес. 2004. - №7. - С.22-32.

72. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.:Атомиздат,1963. — 343 с.

73. Устройство ионно-лучевого нанесения пленок / С.Б.Симакин, Г.Ф.Ивановский, В.И.Петров, С.В.Панин, В.И.Фролов // Электронная промышленность. 1990. - №4. - С.13-14.

74. Готт Ю.В. Взаимодействие частиц с веществом в плазменных исследованиях. М.:Атомиздат, 1989. - 498 с.

75. Симакин С.Б., Петров В.И., Ивановский Г.Ф. Исследование электропроводности диэлектриков при ионно-плазменной обработке. — М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. 1984. - Вып. 2 (201). - С.97.

76. Симакин С.Б., Петров В.И. Метод оперативного контроля процессов ионного травления и нанесения // Электронная техника. Сер. 7. 1984. - Вып. 4 (125). - С.78-80.

77. Weinberg Z.A., Matthies D.L., Jonson W.C., Lampert M.A. Measurement of the Steady-State Potential Difference across a Thin Insulating Film in a Corona Discharge. Rev.Sci.Instrum., 1975. - V.46. - N2. - P.201-203.

78. Симакин С.Б., Петров В.И., Перов H.C. Управление процессами ионно-лучевого травления пленок металлов. М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. -1987. - Вып. 5 (234) . - С.306.

79. Симакин С.Б., Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Повышение чувствительности метода контроля процессов ионного и ионно-химического травления // Сборник реф. НИОКР, обзоров и депонир. рукоп. Сер. ИМ. -1985. №24 (ч. 2). -С.2.

80. A.C. 125154 СССР МКИ Способ управления процессами ионного травления диэлектрических пленок / С.Б.Симакин, В.И.Петров, Г.Ф.Ивановский, В.А.Мурашко (СССР) / 125154 СССР заяв. 23.0.84, опубл в БИ. 1986. - № 30.

81. Симакин С.Б., Петров В.И., Ломакина О.Г., Пожидаев Е.Д. Контролируемое травление направленным потоком ионов пленок Та, Mo и С при формировании топологии ИС // Электронная техника. Сер. 7. 1986. - Вып. 3 (136). — С. 42-44.

82. Симакин С.Б., Петров В.И. Контроль процессов очистки поверхностей металлов и полупроводников // Электронная техника. Сер. 7. — 1986. Вып.З (136). -С. 52-55.

83. A.C. 1531764 СССР МКИ Способ управления процессом ионной очистки поверхностей полупроводников и металлов / С.Б.Симакин, В.А.Скворцов (СССР) / 1531764 СССР заяв. 09.03.88, опубл. в БИ. 1989. - №47.

84. Симакин С.Б., Петров В.И. Контроль чистоты поверхностей металлов и полупроводников при ионной обработке // на V отрасл. науч.- техн. конф. «Тонкие пленки в производстве ПП и ИС»: Тез. докл. Нальчик, 1983. - С. 179.

85. Симакин С.Б., Ивановский Г.Ф., Петров В.И., Перов Н.С. Исследование про-цессоа ионного травления двухслойных диэлектрических структур// Сборник реф. НИОКР, обзоров и депонир. рукоп. Сер. РТ. 1985. - №29 (ч.2). - С.4.

86. Киреев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 2983. - 345 с.

87. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. — М.: Энергоиздат, 1998. — 386 с.

88. Харис П. Углеродные, нанотрубки и родственные структуры. Новые материалы XXI век / Пер. с англ. М.:Техносфера, 2003 - 336 с.

89. Симакин С.Б., Петров В.И., Перов Н.С. Управление процессами ионно-лучевого травления пленок металлов. — М.: ЦНИИ «Электроника». Сер. 3. — 1987. Вып.5 (234) . - С.306.

90. A.C. 1364151 СССР МКИ Способ определения толщины пленки диэлектрика / С.Б.Симакин, Петров В.И., Ивановкский Г.Ф. (СССР) / 1364151 СССР заяв. 04.11.85, опубл. в БИ-1987.-№49.

91. Чопра K.JI. Электрические явления в тонких пленках / Пер. с англ. — М.: Мир, 1972.-435 с.

92. Аброян И.А., Дубро В.В., Ильин И.А. Изменение электропроводности при-верхностных слоев кремния при травлении ионами // Электронная техника. Сер. 2. 1981. - Вып. 4 (14). - С.36-40.

93. Ремизович B.C., Рязанов М.И., Тилиние И.С. Исследование поверхностных и объемных свойств твердых тел по взаимодействию частиц. — М.: Энерго-издат, 1981.-321 с.

94. Рязонов М.И.Дилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц. — М.: Энергоиздат, 1985. — 150 с.

95. Месси Г., Бархон Е.Э.Электронные и ионные столкновения / Пер. с англ. -М.: Иностранная литература, 1958. — 604с.

96. Мотт И., Месси Г. Теория атомных столкновений / Пер. с англ. М.: Мир, 1969.-754 с.

97. Энергии разрыва химических связей, потенциалы ионизации и сродство к электрону: Справочник / Под ред. Л.В.Гурвича М.: Наука, 1974. - 608 с.

98. Заидерна А. Методы анализа поверхности / Пер. с англ. М.: Мир, 1997. -582 с.

99. Петров H.H., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: ЛГУ, 1977. - 160 с.

100. Курнаев В.А., Машкова Е.С., Молчанов В.А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела. М.:Энергоиздат, 1985. - 192 с.

101. Черепин В.Т., Васильев М.А.Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов. Киев.:Наукова думка, 1975. - 239 с.

102. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.:Наука, 1977. - 551 с.

103. Posadowski W.M. Pulsed magnetron spuutering of reactive compounds. Thin Solid Films, 1999. - V.343-344. - P.85-89.

104. Паралис Э.С., Кишиневская JI.M. //Физика твердого тела. — 1961. — Т.З. — № 4.-С. 1219-1228.

105. Ковалев В.П. Вторичные электроны. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 453 с.

106. Электронная и ионная спектроскопия твердого тела / Под ред. Л.фирменса. -М.: МИР, 1981.-634 с.

107. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука,1966.-389 с.

108. Иванов А.И., Леонтьев A.B. //Поверхность. -2004.-№ 5. С.48-51.

109. Филимонов A.B., Королева Е.Ю. //Поверхность. 2004. - № 8. - С.32-36.

110. Симакин С.Б., Кислов Н.М., Кузнецов Г.Д, Сергиенко A.A. К модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников при ионной обработке поверхности // Материалы электронной техники. — 2004. № 4. - С.63-67.

111. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А., Одиноков Д.Д. и др.// Докл. АН СССР.1967. — Т. 177. №3. - С. 550-554.

112. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А.// XIII-ая Всесоюз. конф. по эмиссионнойэлектронике: Тез.докл. М.: Наука, 1968. - С.70.

113. Петров H.H., Дорожкин A.A. // ФТТ. 1961. - Т.З, №1. - С.53-60.

114. Петров H.H. // ФТТ. 1960. - Т.2. - №5. - С.1300-1306.

115. Петров H.H. // ФТТ. 1960. - Т.2. - №5. - С.940-948.

116. Макаров В.В., Петров H.H. //ФТТ. 1981. - Т.23. - №6. - С.1767-1774.

117. Аброян И.А., Лавров В.П. //Физическая электроника. 1967. - № 227. -С.93.

118. Батанов Г.М. // РиЭ. 1963. - №8 - С. 852.

119. Керков X., Петухов В.П., Романовский Е.А. и др. // Изв. АН.Сер. физическая. 2002. - Т.66. - №4. - С. 533-537.

120. Керков X., Петухов В.П., Романовский Е.А. и др. // Изв. АН.Сер. физическая. 2004. - Т. 68. - №3. - С.405-409.

121. Брусиловский Б.А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энерго-издат, 1990.-342 с.

122. Krebs К.Н./ Vacuum. 1983. - Vol.33. - №9. - P. 555-563.

123. Фирсов О.Б. // ЖЭТФ. 1959. - №36. - С. 151.

124. Эльтеков В.А. Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Компьютерное моделирование. — М.: Моск. Университет, 1993. 143 с.

125. Кишеневский Л.М., Парилис Э.С. // ЖТФ. 1982. - Т.52. - № 7. - С. 12901298.

126. Кишеневский Л.М., Парилис Э.С. // V-я Всесоюз. конф. ВАЧТ: Тез. докл., ч.1.-Минск: БГУ, 1987.-С. 21.

127. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. — М.: Наука, 1969.-451 с.

128. Мессии Г., Бархон Е. Электронные и ионные столкновения. — М.: Мир, 1968. 342 с.

129. Практическая растровая электронная микроскопия/ Под ред. Дж. Гоулд-стейна / Пер. с англ. М.: Мир, 1987. - 656 с.

130. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ/ Под ред. P.C. Комовой / Пер. с англ. Т.1. -М.: Мир, 1984. 303 с.

131. Растровая электронная микроскопия и ренгеновский микроанализ/ Под ред. P.C. Комовой / Пер. с англ. Т.2. М.: Мир, 1984. - 351 с.

132. Кощеев А.П., Мясников И.А. Роль энергии первичных электронов в возбуж-деннии экзоэмиссии реальной поверхности металла. М.: Мир, 1986. — 432 с.

133. Чапланов A.M., Шибко А.Н. Воздействие импульсного лазерного и электронного облучений на тонкие пленки алюминия // Поверхность. 1987. -№5. -С. 64-67.

134. Вятский И .Я., Лилянкевич А.Н. // Физика твердого тела. 1984. - Вып. 4. -С. 285.

135. Али-Заде И.И., Вакар О.М., Петрыкин Ю.В. Оценка предела обнаружения для метода мессбауэровской спектроскопии о регистрации электронного излучения //Физика. 1987. - №9. - С.20-23.

136. Sawyer G.R. J. mat.sci 13, 196. р.885

137. Дж.Хастед. Физика атомных столкновений. М.: Мир, 1965. - 465 с.

138. Лизунов Ю.Д., Рязанов А.И. Торможение быстрых заряженных частиц в поверхностных слоях многокомпонентных материалов и образование первичных радиоционных дефектов при ионном облучении // Поверхность. — 1987. №5. - С.121-131.

139. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.- 138 с.

140. Брондон Д., Каплан У. Микрострукута материалов. Методы исследования и контроля. -М. .-Техносфера, 2004. — 384 с.

141. Москалев А.А.,Цой B.C. Резонансная неупругая дифракция медленных электронов // Журнал теоретической и экспериментальной физики. — 1987. — №1. С.330-342.

142. Жвирблис П.С., Пашлемас Э.П. О стабильности вычисляемых сечений рассеяния электронов на атомных мишенях // Изв. ВУЗОВ. Сер. Физика. 1987.-№Ю.-С. 118-120.

143. Айнспрук Н., Уиссмен У. Арсенид галлия в микроэлектронике / Пер. с англ. -М.: Мир, 1988-554 с.

144. Иевлев В.М., Трусов Л.И. Структурные превращения в тонких пленках. -М.: Металлургия, 1988. 325 с.

145. Пранявичус Л., Дудоник Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками. — Вильнюс: Моклас, 1980. — 191 с.

146. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике — 2-е изд. М.: Техносфера. — 160 с.

147. Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Сушков В.П., Кушхов А.Р., Делян А.И. Состояние и проблемы ионно-плазменного травления нитридов элементов третьей группы // Изв. ВУЗов.Сер. Материалы электронной техники. —2003. № 4. — С.12

148. Хершман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. — 239 с.

149. Симакин С.Б., Сафаралиев Г.К., Кузнецов Г.Д., Билалов Б.А., Курбанов М.А. Получение пленок твердых растворов (SiC)ix (AIN) ixионным распылением // Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники. 2006. — № 1. — С.48-52.

150. Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б. Низкоэнергетическое ионное стимулирование процессов формирования тонкопленочных кремнийсодержащих материалов и многослойных структур на их основе // Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. — 2005. — № 4. — С. 22-31.

151. Симакин С.Б., Кузнецов Г.Д., Сергиенко A.A., Пилишкин В.Н. Адантивное управление технологическими процессами ионно-лучевого травления // П-й Междунар. симп. «Нанотехнология»: Тез. докл. Прага, 2005. - С. 135.

152. Максимей И.В.Имитационное моделировование на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1988.-232 с.

153. Шеннон Р. Имитационное моделирование систем наука и искусство. - М.: Мир, 1978.-418 с.

154. Попов Э.В. Экспертные системы. — М.: Наука, 1987. — 289 с.

155. Расстригин Л.А. Современные принципы управления сложными системами.- М.: Советское радио, 1980. 232 с.

156. Рошаль A.C. Моделирование заряженных пучков. — М.: Атомиздат, 1979. -304 с.

157. Афонцев С.А., Григорьев Н.И. Использование двухмерных численных моделей для анализа и моделирования полупроводниковых приборов // Зарубежная радиоэлектроника. 1975. — № 6. - С.157-166.167.

158. Александров В.М., Нестеров A.A. Динамическая коррекция движения пучка частиц в усторителях //Автометрия. — 1972. № 1. — С. 37-46.

159. Бублик Б.Н., Гаращенко Ф.Г. Структурно-параметрическая оптимизация и устойчивость динамики пучков. — Киев: Наукова думка, 1985. — 304 с.

160. Егоров Б.Н.Оптимимальное управление тепловыми и диффузионными процессами. М.: Наука, 1978. - 464 с.

161. Овсянников Д.А. Численный метод оптимизации параметров волноводного группирователя электронов // Журнал технической физики. 1972. — Т.42, № 4. - С. 705-707.

162. Гудков В.И., Овсянников A.B., Рябцов A.B. Численная оптимизация движения электронов в волноводном группирователе //Электрофизическая аппаратура. 1974.-Вып. 11.-С. 160-167.

163. Захаров A.B., Самарский A.A. Применение метода больших частиц к расчету движения пучка в электромагнитном поле с учетом пространственного зарада пучка //Вычислительные методы и программирование. — 1971. — Вып. 16. — С. 225-243.

164. Власов А.Г., Шапиро Ю.А. Методы расчета эмиссионных электронно-оптических систем. JLМашиностроение, 1974. - 288 с.

165. Самарский A.A. Николасаев Е.С. Методы решения сеточных уравнений. — М.: Наука, 1978.-592 с.

166. Болдасов B.C. Определение формы плазменного эмиттера методом установления // Вычислительные методы и программирование. 1982. — Вып. 36.1. С.206-213.

167. Мокин Ю.И. Алгоритм определния плотности тока эмиссии в задаче о фокусировке пучка // Журнал вычислительной математики и математической физики. 1980. - Т.20. - № 3. - С. 671-681.

168. Заде J1.A. Понятие лингвистической переменной и его применение к принятию приближенных решений. М.: Мир, 1976. —165 с.

169. Заде JI.A. Основы нового подхода к анализу сложных систем и процессов принятия решений. — М.: Знание, 1974. 236 с.

170. Уотерман Д. Руководство по экспертным системам. — М.: Мир, 1989. — 388 с.

171. Мелихов А.Н., Берштейн JI.C. Ситуационные советующие системы с нечеткой логикой. М.:Наука, 1990. - 272 с.

172. Нечеткие множества в моделях управления и искусственного интеллекта / Под ред. Д.А.Поспелова. М.:Наука, 1986. - 396 с.

173. Дюбуа Д., Прад А. Теория возможностей. Приложение к представлению знаний в информатике. — М.:Радио и связь, 1990. — 287 с.

174. Габович И.Д. Физика и техника плазменных источников ионов. — М.: Атом-издат, 1972.-304 с.

175. Попова Г.С., Урев М.В. Расчет магнитного поля по его значениям на оси симметрии // Численные методы решения задач электронной оптики. — Новосибирск: Изд-во ВЦ СО АН СССР, 1979. С.89-98.

176. Красовский A.A., Буков В.Н. Универсалные алгоритмы оптимального управления непрерывными процессами. — М.: Наука, 1977. — 217 с.

177. Симакин С.Б., Ивановский Г.Ф., Петров В.И., Казанский A.A., Перов Н.С. Автоматическая установка нанесения пленочных структур ионным распылением // Электронная промышленность. —1990. №4. - С.6-7.

178. Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Неволин В.К. Выбор оптимального давления рабочего газа и мижэлектродного расстояния в диодных системах ионногораспыления и травления // Электронная техника. Сер. 3. — 1967. — Вып.2. — С.3-42.

179. Симакин С.Б., Ивановский Г.Ф., Петров В.И., Панин C.B., Фролов В.И. Многопучковая установка синтеза пленок сложного состава ионным распылением // Электронная промышленность. — 1989. №11. — С.23-24.

180. Ивановский Г.Ф., Симакин С.Б., Петров В.И., Казанский A.A., Перов Н.С.

181. Установка нанесения пленочных структур ЦМД СБИС ионным распылением.- М.: ЦНИИ «Электроника». Сер/ 3. 1987. - Вып.4 (233). - С.79.

182. Симакин С.Б., Ивановский Г.Ф., Петров В.И., Казанский A.A., Перов Н.С. Автоматическая установка нанесения пленочных структур ионным распылением // Электронная промышленность. 1990. - №4. - С.6-7.

183. Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Филипов В.А., Сергиенко A.A. Закономерности изменения ионно-индуцированных токов в тонкопленочных гетерокомпози-циях при ионно-лучевом травлении // Вестник МЭИ. — 2006. №4. - С. 5055.

184. Симакин С.Б. и др. Блок выделения информативного сигнала / С.Б.Симакин,

185. B.А. Скворцов, В.И. Петров // В кн.: Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике. М: Физика, 1987.1. C.245-249.

186. Маишев Ю.П. Источники ионов с холодным катодом для ионно-лучевого травления и нанесения пленок // Электронная техника. Серия 7. 1984. -Вып.4 (125).-С.75-78.

187. Кузнецов Т.Д., Симакин С.Б., Митрофанов Е.А.Устройство для повышения точности регистрации момента окончания процесса ионного травления тонкопленочных гетерокомпозиций // Вакуумная техника и технология. — 2007.- Т. 17. — №3. С.219-224.

188. Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Демченкова Д.Н. Микро- и нанотехнология пленочных гетерокомпозиций. Курс лекций. №1370 М.: МИСиС Изд-во «Учеба», . - с.

189. Симакин С.Б., Виноградов М.К., Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Микропроцессорная система контроля ионного травления функциональных слоев СБИС // Электронная промышленность. 1989. - №11. — С.22-23.

190. Калабеков Б.А. Микропроцессоры и их применение в системах передачи и обработки сигналов. М.:Радио и связь, 1988. - 369 с.

191. Технология и оборудование для травления и напыления пленок ионным распылением в вакууме // Ш-я Междунар. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии»: Тез. докл. Кисловодск, 2003. -С.69.