Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Терещенко, Олег Евгеньевич

• Терещенко, Олег Евгеньевич
• доктор физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Терещенко, Олег Евгеньевич

Содержание

Введение

Глава 1. Приготовление реконструированных поверхностей соединений А3В5: пассивация поверхности, реконструкции и электронные свойства

1.1 Химические способы получения атомарно-чистых поверхностей А3В5

1.2 Методика эксперимента

1.2.1 Образцы и методы исследования

Л <

1.2.2 Методика приготовления поверхностей соединений А В химической обработкой в растворе HCl в изопропиловом спирте

О с

1.2.3 Морфология поверхностей соединений А В после химической обработки в растворе НС1-ИПС

1.2.4 Высоковакуумные исследовательские установки

1.3 Удаление собственных оксидов с поверхностей соединений А3В5 химической обработкой в растворе HCl в изопропиловом спирте

1.3.1 Формирование пассивирующего слоя мышьяка на поверхностях соединений III-As: GaAs:(001), (111)А,В, (110); InAs(OOl), InAs(l 11)A,B; InGaAs(lOO)

1.3.2 Состав поверхности соединений III-P после обработки

в растворе НС1-ИПС

1.3.3 Состав и остаточные загрязнения на поверхности соединений III-Sb после обработки в растворе НС1-ИПС

1.3.4 Низкотемпературная методика очистки поверхностей III-N(OOOl)

1.4 Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей

AJBJ

1.4.1 Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей III-As

1.4.2 Стехиометрия, структура и оптические свойства поверхностей III-P

1.4.3 Структура поверхностей III-Sb

1.4.4 Структура поверхности GaN(OOOl)

1.4.5 Активирование поверхности GaN(OOOl) цезием и кислородом

1.5 Основные результаты и выводы к главе 1

Глава 2. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью GaAs(OOl)

2.1 Взаимодействие AB с поверхностью GaAs(OOl)

2.2 Методика эксперимента

2.3 Низкотемпературный метод приготовления атомарно чистой поверхности GaAs(OOl) в атомарном водороде

2.3.1 Состав и стехиометрия поверхности GaAs(OOl)

2.3.2 Реконструкции "вспять": низкотемпературный метод приготовления Ga-стабилизированных поверхностей GaAs(OOl)

обработкой в атомарном водороде

2.3.3 Изменение работы выхода

2.3.4 Обсуждение результатов: стехиометрия и реконструкции

на поверхности GaAs(OOl)

2.3.5 Новые Ga-стабилизированные реконструкции (4x4) и (2х4)/с(2х8) на поверхности GaAs(OOl)

2.4 Водород-индуцированный низкотемпературный переход от As- (2х4)/с(2х8) к Ga-стабилизированной (2х4)/с(2х8) поверхности

2.5 Пассивация поверхностных состояний атомарным водородом

на поверхности GaAs(OOl)

2.6 Обратимые изменения уровня Ферми и фотоэдс на поверхности GaAs(OOl)

2.7 Основные результаты и выводы к главе 2

Глава 3. Структурные и электронные свойства поверхности GaAs(OOl) с

адсорбированными атомами щелочных металлов

3.1 Адсорбция цезия на реконструированные поверхности

GaAs(OOl)- (2х4)/с(2х8) и (4х2)/с(8х2)

3.1.1 Методика эксперимента

3.1.2 Кинетика адсорбции Cs на поверхности GaAs(OOl)

3.1.3 Изменение структуры поверхности GaAs(OOl) при адсорбции цезия

3.1.4 Снижение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(OOl)-(2х4)/с(2х8) под влиянием адсорбированного цезия

3.2 Сурфактантные свойства цезия на поверхности GaAs(OOl)

3.2.1 Методика эксперимента

3.2.2 Изучение роста GaAs(OOl) методом МЛЭ в присутствии Cs

3.3 Коллективные возбуждения электронной подсистемы в слое цезия на поверхности арсенида галлия

3.3.1 Методика эксперимента

3.3.2 Возбуждение плазменных колебаний в 2D цезиевых кластерах на поверхностях GaAs различной ориентации

3.4 Переход диэлектрик-металл в системе

щелочной металл-поверхность GaAs(OOl)

3.4.1 Методика эксперимента

3.4.2 Изучение адсорбции Cs при низкой температуре на поверхность GaAs(OOl) методом фотоэмиссии

3.4.3 Кинетика адсорбции калия и натрия на поверхности GaAs(OOl)

3.4.4 Формирование металлической фазы К и Na при низкой температуре

3.4.5 Переход металл-изолятор в системе щелочной металл/СаАз(001), индуцированный прогревами до комнатной температуры

3.4.6 Фазовые диаграммы в системах К и Na на поверхности GaAs(OOl)

3.4.7 Переход изолятор-металл в перколяционных системах

3.4.8 Переход беспорядок-порядок в системах К и Na на поверхности GaAs(OOl) при прогревах до комнатной температуры

3.5 Основные результаты и выводы к главе 3

Глава 4. Адсорбат-индуцированное атомно-слоевое травление

поверхности GaAs(OOl)

4.1 Взаимодействие йода с поверхностью полупроводников

4.2 Адсорбция йода на поверхности GaAs(OOl): кинетика адсорбции и изменение работы выхода

4.3 Структура поверхности GaAs(OOl) при адсорбции и десорбции йода

4.4 Химические связи йода на поверхности GaAs(OOl): фотоэмиссионные измерения и анализ линии 14d

4.5 Химические связи Ga и As на поверхности GaAs (001): фотоэмиссионные измерения и анализ линий As 3d и Ga 3d

4.6 Адсорбат-индуцированное управление стехиометрией и атомно-слоевое травление поверхности GaAs(OOl)

4.7 Основные результаты и выводы к главе 4

Глава 5. Электрическая и оптическая регистрация спина электрона в спин-фильтрах на основе структур ферромагнетик/полупроводник

5.1 Методы регистрации спина электронов

5.2 Изготовление и характеризация гетероструктур Pd/Fe/oxide/GaAs(001) и Pd/Fe/GaAs(001)

5.2.1 Формирование границы раздела Fe/oKCHfl/GaAs(001)

5.2.2 Формирование границы раздела Fe/GaAs(001)

5.2.3 Электрофизические свойства барьеров Шоттки

5.2.4 Магнитные свойства структур Pd/Fe/oKCHfl/GaAs и Pd/Fe/GaAs

5.2.5 Электрические и магнитные свойства пассивированной азотом

границы раздела Pd/Fe/N/GaAs(001)

5.3 Инжекция спин-поляризованных электронов в структуры Pd/Fe/GaAs(001)

5.3.1 Спин-зависимый транспорт в структурах Pd/Fe/GaAs

5.3.2 Оптическая регистрация спина электронов в

структурах Pd/Fe/GaAs/InGaAs

5.4 Основные результаты и выводы к главе 5

Заключение

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами»

Введение

Развитие методов управления составом и атомной структурой поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 с адсорбатами в условиях сверхвысокого вакуума представляет как научный, так и практический интерес. Научный интерес состоит в углублении понимания процессов формирования границ раздела на атомном уровне и изучении связи атомной структуры и электронных свойств поверхности. Практическая значимость связана с необходимостью совершенствования методов приготовления атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 и поверхностей с адсорбатами с заданным составом, атомной структурой и электронными свойствами для создания приборов полупроводниковой оптоэлектроники. К моменту начала данной работы достаточно

7 е

хорошо были изучены структурные и электронные свойства поверхностей А В с ориентацией (110), получаемых сколом в сверхвысоком вакууме, и поверхностей других ориентаций, приготовляемых с использованием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В исследовательских сверхвысоковакуумных (СВВ) установках без молекулярных источников, возможности получения различных реконструкций поверхностей А3В5 более ограничены. Для практически важных поверхностей с ориентацией (001), единственным способом приготовления поверхности с различными реконструкциями долгое время оставался метод десорбции защитного слоя элемента V группы. Возможность получения структурно-упорядоченных поверхностей А3В5 с помощью химической обработки ex situ и прогрева в вакууме в отсутствие потоков элемента пятой группы изучена существенно слабее. В частности, на таких поверхностях не удавалось наблюдать сверхструктурные перестройки, ранее обнаруженные на поверхностях А3В5, приготавливаемых с использованием МЛЭ. Реконструированные поверхности InAs(lll)A и GaAs(OOl) после химического удаления оксидов и прогрева в вакууме впервые были получены в Институте физики полупроводников СО РАН [1,2]. После химической обработки арсенида галлия в безводном растворе хлористоводородной кислоты в изопропиловом спирте (НС1-ИПС) в инертной атмосфере азота и прогрева в СВВ был получен весь ряд реконструкций на поверхности GaAs(OOl) [2]. Тем не менее, вопросы о механизме формирования

пассивирующего слоя мышьяка при химической обработке в НС1-ИПС, о влиянии этой обработки на морфологию поверхности GaAs(OOl), а также о возможности приготовления реконструированных поверхностей GaAs других кристаллографических ориентаций оставались невыясненными. Для других полупроводниковых соединений А3В5 возможность приготовления структурно-упорядоченных поверхностей без использования техники МЛЭ не изучались.

Альтернативным методом приготовления атомарно-чистых поверхностей А3В5 является обработка поверхности полупроводника in situ в атомарном водороде (АВ). Большинство работ по изучению взаимодействия АВ с поверхностью GaAs(OOl) посвящено изучению состава поверхности [3]. Структура поверхности GaAs(OOl) при обработке в АВ изучена в меньшей степени, а имеющиеся результаты не дают полного представления о взаимосвязи между условиями обработки, составом поверхности и её структурой.

Сложность в изучении адсорбции на полярных гранях полупроводников А3В5 связана с тем, что в зависимости от соотношения элементов III и V групп в приповерхностном слое наблюдается большое число реконструкций [2,4]. В зависимости от ориентации и стехиометрии поверхности, при взаимодействии с щелочными металлами и молекулярными галогенами наблюдается формирование упорядоченных структур на одних поверхностях, тогда как другие поверхности разупорядочиваются [5,6]. В связи с этим, остаются актуальными вопросы о влиянии стехиометрии и атомной реконструкции исходной поверхности GaAs(OOl) на эволюцию структурных и электронных свойств поверхности при адсорбции электроположительных (цезия) и электроотрицательных (йода) адсорбатов, о влиянии адсорбат-индуцированной передачи заряда на ослабление связей поверхностных атомов, а также о природе перехода изолятор-металл в системе щелочной металл-поверхность полупроводника.

При создании гетероструктур для научных исследований и приборов наноэлектроники необходимо развивать не только методы атомно-слоевого выращивания, но и атомно-слоевого травления полупроводников. Известные методы травления предельно-тонких слоев полупроводников основаны на их контролируемом окислении и последующем растворении слоя оксида, толщина которого определяется режимом окисления. Предельное разрешение этих методов по

толщине не превышает 2-3 МЬ. Методы сухого (газофазного) травления, такие как реактивное ионное и ионно-пучковое травление, широко используемые в технологии изготовления полупроводниковых структур, не позволяют контролировать травление на атомном уровне. Атомно-слоевое («цифровое») травление может быть реализовано на полярных гранях бинарных полупроводниковых соединений А3В5 путём использования адсорбатов, селективно реагирующих с поверхностными атомами разных столбцов таблицы Менделеева и уменьшающих энергию связи определенных поверхностных атомов подложки. С другой стороны, уменьшение энергии связи поверхностных атомов должно приводить к увеличению коэффициента поверхностной диффузии. Известно, что увеличения коэффициента поверхностной диффузии можно достичь с помощью сурфактантов - поверхностно-активных веществ, которые изменяют условия роста, но сами не встраиваются в растущий кристалл, сегрегируя на поверхность. Примером эффективного сурфактанта служит атомарный водород, позволяющий значительно снизить температуру роста ОаАэ без потери структурного качества растущей пленки [7]. Еще более выраженные сурфактантные свойства можно ожидать у цезия: имея один валентный электрон и большой ковалентный радиус, Сз не может встроиться в решетку, а высокий коэффициент диффузии и эффект СБ-индуцированного перераспределения заряда должен приводить к уменьшению энергии связи поверхностных атомов подложки и, следовательно, к увеличению их коэффициента диффузии. Идея, лежащая в основе использования сурфактантов, может быть применена как для низкотемпературного роста полупроводников, так и низкотемпературного приготовления структурно-упорядоченных поверхностей.

3 5

Возможность управления составом и структурой поверхностей А В используется для оптимизации границы раздела (Сэ-0)/А3В5 [8]. Интерес к изучению границ раздела (Сз-0)/А3В5 обусловлен возможностью достижения эффективного отрицательного электронного сродства и создания сверхчувствительных, малошумящих, быстродействующих фотоприемников, а также источников ультрахолодных и спин-поляризованных электронов [9]. Помимо источников спин-поляризованных электронов, востребованными являются детекторы спин-поляризованных электронов [10]. Недостатком известного детектора Мотта является громоздкость и необходимость использования высоких напряжений (до ~ 100 кэВ).

Компактной альтернативой детектору Мотта может стать магнитный барьер Шотгки на основе структуры Fe/GaAs [11].

Таким образом, развитие методов контролируемого изменения физико-химических свойств поверхностей полупроводников А3В5, заключающихся в управлении составом и структурой поверхности, как с помощью «ех situ» методов модификации поверхности («жидкой химии»), так и «in situ» (адсорбат-индуцированного изменения поверхностных реконструкций в вакууме), актуально для решения научных задач в области физики поверхности и создания ряда полупроводниковых приборов.

Цель данной работы заключалась в изучении физико-химических процессов, лежащих в основе приготовления атомарно-чистых, структурно-упорядоченных (реконструированных) поверхностей А3В5 без использования молекулярных пучков и в исследовании атомной структуры и электронных свойств поверхности GaAs(OOl) с различными адсорбатами. В качестве адсорбатов использовались цезий, калий, натрий, атомарный водород, йод, кислород и железо.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

• исследовать возможность приготовления реконструированных поверхностей

о С

полупроводников А В путём химической обработки ex situ и последующего прогрева в вакууме без использования молекулярных пучков;

• изучить возможность in situ получения реконструированных поверхностей GaAs(OOl) низкотемпературной обработкой в атомарном водороде;

• изучить взаимодействие цезия с As- и Ga- стабилизированными поверхностями GaAs(OOl), переход изолятор-металл в системе щелочной металл-СаАз(001), а также исследовать возможность использования цезия в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия;

• изучить взаимодействие йода с поверхностью GaAs(OOl) и осуществить прецизионное («цифровое») травление поверхности GaAs(OOl) с точностью до 1 монослоя, используя селективность взаимодействия Cs и I с поверхностными атомами мышьяка и галлия;

• изготовить магнитный барьер Шоттки на основе гетероструктуры Pd/Fe/GaAs(001)

и изучить спин-зависимый транспорт электронов в такой структуре с возможностью электрической и оптической регистрации спина электронов.

Объекты и методы решения. В качестве объектов исследования использовались объёмные монокристаллы и эпитаксиальные структуры на основе полупроводниковых соединений А В . Структуры были выращены в Институте физики полупроводников СО РАН методами жидкофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав и стехиометрия поверхности полупроводников изучались методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронов высокого разрешения (СХПЭЭВР), фотоэмиссии с использованием синхротронного излучения. Структура поверхности изучалась методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ), дифракции медленных (ДМЭ) и быстрых

Л f

электронов (ДБЭ). Электронные свойства поверхностей А В с адсорбатами изучались методами спектроскопии фотоотражения, СХПЭЭВР, фототока, фотолюминесценции, спектроскопии анизотропного отражения, квантового выхода фотоэмиссии. Встроенные электрические поля определялись методами фото- и электроотражения.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложен и реализован метод создания реконструированных поверхностей

полупроводниковых соединений А3В5, альтернативный методу молекулярно

лучевой эпитаксии. Обнаружены и исследованы сверхструктурные перестройки,

соответствующие анионным и катионным фазам на поверхностях

полупроводниковых соединений А3В5, приготовленных путём химического

удаления оксидов в безводном растворе хлористоводородной кислоты в

изопропиловом спирте и прогрева вакууме в отсутствие потоков элементов V

^ в

группы. Эта методика является универсальной для полупроводников А В и позволяет получать поверхности, не уступающие по качеству поверхностям, выращиваемым методом МЛЭ.

2. Обнаружены и исследованы новые Ga-стабилизированные реконструкции (4x4) и (2х4)/с(2х8), полученные путём низкотемпературной обработки в атомарном

водороде поверхности ОаАз(001), покрытой оксидами.

3. Обнаружен и объяснен эффект Сэ-индуцированного уменьшения температуры перехода от АБ-стабилизированной ОаАз(001)-(2х4)/с(2х8) к ва-стабилизированной поверхности (4х2)/с(8х2). На основе селективного взаимодействия электроположительных атомов цезия и электроотрицательных атомов йода с анион- и катион-стабилизированными поверхностями ОаАз(001) реализовано атомно-слоевое травление поверхности (001) арсенида галлия.

4. Обнаружено, что при адсорбции щелочных металлов (К, Иа) на поверхность СаАз(001) при температуре ниже 200 К и 0а1к~О.5 МЬ происходит динамический фазовый переход диэлектрик-металл первого рода. Показано, что спектры потерь энергии электронов в системе Сэ/ваАз не зависят от ориентации и структуры поверхности и связаны с конденсацией адатомов цезия в плотноупакованные двумерные островки с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Обнаружены и исследованы сурфактантные свойства цезия. Предложено использовать Се в качестве сурфактанта для низкотемпературного роста арсенида галлия.

6. Предложен и реализован новый тип спин-детектора на основе гетероструктуры Рё/Ре/СаАБЛпСаАз с квантовыми ямами, позволяющий измерять поляризацию свободных электронов методом катодолюминесценции. С использованием

3 5

развитой методики приготовления структурно-совершенных поверхностей А В , изготовлен магнитный барьер Шотгки для детектирования спина свободных электронов.

Практическая значимость работы.

<5 С

• Метод получения поверхностей А В с заданной стехиометрией, атомной структурой и контролируемыми электронными свойствами с помощью химической обработки в безводном растворе НС1-ИПС и последующего прогрева в вакууме в отсутствие потоков элементов V группы может быть использован для приготовления поверхностей с заданной стехиометрией и реконструкцией для научных исследований, а также для подложек перед эпитаксиальным ростом, изготовления полупроводниковых приборов.

• Развитый метод приготовления совершенных поверхностей ваАБ позволил

создать магнитные барьеры Шотгки Fe/GaAs для детектирования спиновой поляризации электронов.

• Низкотемпературный метод приготовления Ga- стабилизированной поверхности GaAs(OOl) в атомарном водороде позволяет минимизировать концентрацию термических дефектов.

• Показано, что цезий может быть использован в качестве сурфактанта для низкотемпературного роста GaAs и других соединений А3В5.

• Селективное взаимодействие щелочных металлов и галогенов с анион- и катион-стабилизированными поверхностями полупроводниковых соединений А3В5 может быть использовано для атомно-слоевого травления полярных поверхностей.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Развитый в работе ex situ метод химической обработки в безводном растворе HCl в изопропиловом спирте и последующего прогрева в вакууме поверхностей полупроводниковых соединений А3В5 позволяет получать атомарно-чистые, структурно-упорядоченные поверхности с различными реконструкциями без использования молекулярных пучков V группы. Общим свойством для всех изученных соединений А3В5 является удаление собственных оксидов и образование на поверхности пассивирующего слоя. Состав пассивирующего слоя зависит от химического соединения А3В5. Для соединений III-As (GaAs(OOl), (111)А,В, (110); InAs(OOl), (111)А; InGaAs(OOl)) обработка в НС1-ИПС приводит к образованию пассивирующего слоя элементного мышьяка толщиной 1-3 ML. Для соединений III-P (InP(OOl) GaP(llO)) и III-Sb (InSb(OOl), GaSb(OOl)) происходит пассивация поверхностей этих полупроводников хлоридными соединениями элементов третьей группы. Для всех соединений А3В5 атомарно-чистая поверхность получается прогревом в вакууме в среднем на 200° ниже температуры, необходимой для десорбции собственных оксидов. Прогрев в вакууме соединений А3В5 приводит к последовательности анион- и катион-стабилизированных реконструкций, характерных для этих соединений.

2. Низкотемпературная обработка поверхности GaAs(OOl), покрытой собственными оксидами, в атомарном водороде и последующий прогрев в вакууме позволяют получить новые Ga-стабилизированные реконструкции (4x4) и (2х4)/с(2х8). Структура Ga-(2x4) объяснена расчетами из первых принципов в рамках модели элементарной ячейки (2x4) «Ga- смешанный димер». В температурном интервале

280-420°С получен ряд реконструкций от ва- до Аэ- стабилизированной поверхности ОаАз(001). Обработка в АВ приводит к пассивации собственных электронных состояний и откреплению уровня Ферми на поверхности р-ОаАз(001).

3. Эффект снижения на ~100°С температуры сверхструктурного перехода от Аэ- к ва-стабилизированной поверхности СаАз(001 )-(4х2)/с(8х2) под влиянием адсорбированного цезия обусловлен уменьшением энергии связи атомов мышьяка на Аэ-стабилизированной поверхности ОаАз(001) вследствие перераспределения электронной плотности между поверхностными атомами Аэ и нижележащими атомами ва. Св-индуцированное уменьшение энергии связи поверхностных атомов позволяет использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия.

4. Адсорбция щелочных металлов (К, Ыа) на поверхности СаАз(001) при температуре ниже 200 К и 9а1к~0.5 МЬ приводит к динамическому фазовому переходу диэлектрик-металл первого рода. При увеличении концентрации атомов цезия на поверхностях ваАв при покрытиях 9>0.5 монослоя и температуре 300 К происходит переход к конденсированной двумерной металлической фазе, который сопровождается возникновением дублета узких пиков потерь энергии электронов, обусловленных возбуждением плазмонов в адсорбционном слое. Появление бездисперсионных плазменных потерь связано с динамическим фазовым переходом от газовой фазы атомов цезия к плотноупакованным двумерным островкам с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Селективное взаимодействие электроположительных и электроотрицательных атомов с катион- и анион-стабилизированными поверхностями СаАБ(001) приводит к атомно-слоевому (цифровому) травлению поверхности СаАз(001), контролируемому реконструкционными переходами.

6. Барьеры Шоттки на основе РеЛЗаАз(001) позволяют достигать эффективности в детектировании спина электронов Р~2-10"5, сравнимой с эффективностью детекторов Мотта. Гетероструктуры Рё/Те/ОаАзЛпОаАз с квантовыми ямами могут быть использованы для измерения спиновой поляризации свободных электронов методом катодолюминесценции.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 2-ой Международной конференции по физике низкоразмерных структур (PLDS-2, Дубна, 1995), на 2-ой, 6-ой, 7-ой, 8-ой и 9-ой Российских конференциях по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996, Санкт-Петербург 2003, Звенигород 2005, Екатеринбург 2007, Новосибирск 2009), на 9-ой, 10-ой Международной конференции по поляризованным мишеням и поляризованным пучкам (Urbana, IL, 1997, Новосибирск 2003), на Международной конференции по поляризованным электронам низкой энергии (Санкт-Петербург, 1998), на 9-ой Международной конференции по физике поверхности и тонких плёнок (ICSFS-9, Copenhagen, 1998), 20-ой и 23-ей европейской конференции по физике поверхности (ECOSS) (Краков 2001 г., Берлин 2005), на 7-ой и 9-ой конференциях по арсениду галлия и полупроводниковым соединениям группы III-V (Томск 2002, 2006), на 12-ом, 15-ом, 17-ом Международном симпозиуме «Nanostructures: physics and technology» (Санкт-Петербург 2004, Новосибирск 2007, Минск 2009), на совещании по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск 2003), на 7-м российско-японском семинаре по физике поверхности полупроводников (Владивосток 2006 г.), на Международной конференции по ультрафиолетовому излучению и взаимодействию излучения с конденсированным веществом (Иркутск 2005), на 12-ой и 13-ой Международной конференции по формированию границ раздела полупроводников (Ваймар 2009, Прага 2011), на 14-ом Европейском семинаре по молекулярно лучевой эпитаксии (Гранада 2007), на 2-ом, 3-ем, 4-ом, 5-ом, 6-ом и 7-ом Международных семинарах по пассивации поверхности полупроводников (Устрон 2001, 2003, 2005, Закопане 2007, 2009, Краков 2011), на 1-ой Всероссийской конференции по методам исследования состава и структуры функциональных материалов (Новосибирск 2009), на Международном семинаре по наномеханике и наноинженерии (Красноярск 2009). Результаты работы докладывались на семинарах в Институте физики полупроводников СО РАН (Новосибирск), Институте физики им. Керенского СО РАН (Красноярск), Эколь Политекник (Палезо, Франция), Орсе (Франция), Триест (Италия), Университетах Тор Вергата (Рим, Италия), Фермон-Клерон (Франция), Хайдельберга (Германия), Хиросимы (Япония).

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Терещенко, Олег Евгеньевич

Основные результаты и выводы диссертации состоят в следующем: 1. Развит метод контролируемого изменения физико-химических свойств поверхностей, заключающийся в управлении составом и сверхструктурными переходами на поверхностях полупроводников А3В5 путём химического удаления оксидов и последующего прогрева вакууме в отсутствие потоков элементов V группы. Исследованы сверхструктурные переходы, соответствующие анионным и катионным фазам на поверхностях полупроводниковых соединений А3В5:

• ОаАз (111)В: (1x1) 350°с > (2x2) 400°с > (1x1) 480°с > (3 x3 ) 530°с > л/19хл/19); ОаАз(111)А: (1x1) 300°с > (2x2); ОаАз(001): (1x1) 400°с >

2х4)/с(2х8) 480°с > (2х6)/(3х6) 530°с > (4x1) 580°с > (4х2)/с(8х2); СаЛз(ПО): (1x1).

• 1пАб(001): (1x1) 23°ос > (2х4)/с(2х8) 280°с > (2х4)/(4х2) 300°с > (4х2)/с(8х2); (111)А: (1x1) 300°с > (2x2).

• 1пР(001): (1x1) 230°с > (2x1) 280°с > (2х4)/с(2х8) 450°с > (4x4).

• ОаР(110): (1x1).

• 1п8Ь(001)-(1х1) 400°с >(1x3) 480°с ) (4x3 ) 530°с > (4х2)/с(8х2).

• ва8Ь(001) -(1x1) 400°с >(1хЗ)/(ЗхЗ) 450°с > (2x3).

• Са1Ч(0001) - (1x1).

Установлено, что методика приготовления поверхности в безводном растворе хлороводорода в изопропиловом спирте является универсальной для полупроводников А3В5 и позволяет получать поверхности, не уступающие по качеству поверхностям, выращиваемым методом МЛЭ.

2. Экспериментально открыты и изучены новые Оа-стабилизированные сверхструктуры (4x4) и (2х4)/с(2х8) на поверхности ОаАз(001), приготовленные обработкой в атомарном водороде. Получен весь ряд реконструкций, характерных для поверхности ОаАз(001), в диапазоне температур 280-420°С. Низкотемпературное структурное упорядочение поверхности СаАз(001) связано с сурфактантными свойствами атомарного водорода на поверхности полупроводника. Экспозиция поверхности СаАз(001) р-типа в атомарном водороде приводит к пассивации поверхностных состояний и откреплению уровня Ферми на поверхности.

3. Экспериментально обнаружено уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности ОаАз(001), проявляющееся в разупорядочении Дестабилизированной поверхности и в снижении на ~100°С температуры перехода к Са-стабилизированной поверхности СаАз(001)-(4х2)/с(8х2) под влиянием адсорбированного цезия. Расчетами из первых принципов доказано, что эффект обусловлен уменьшением энергии связи атомов мышьяка вследствие перераспределения электронной плотности между поверхностными атомами Лэ и нижележащими ва атомами из-за передачи заряда от Се в полупроводник. Сэ-индуцированное уменьшение энергии связи поверхностных атомов мышьяка приводит к следующим практическим результатам:

• обнаружен эффект Сэ-индуцированной десорбции элементного мышьяка с поверхности СаАз(001), что может быть использовано для низкотемпературной очистки поверхности полупроводника и приготовления низкотемпературной ва-стабилизированной поверхности ОаАэ с улучшенными электронными свойствами (низкая плотность поверхностных состояний, малое значение изгиба зон, отсутствие закрепления уровня Ферми);

• установлено, что Се может использоваться в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте арсенида галлия.

4. Установлено, что адсорбция щелочных металлов на поверхность СаАз(001) при температуре ниже 200 К приводит к фазовому переходу диэлектрик-металл первого рода при ва1к~0.5 МС, при этом металлическая фаза является неупорядоченной и метастабильной. Прогрев поверхности приводит к разрушению металлической фазы и переходу металл-диэлектрик при температуре, когда становится возможным поверхностная диффузия адатомов и возникает переход беспорядок-порядок. Таким образом, наличие металлической фазы на поверхности СаАз(001) напрямую связано с разупорядочением в слое адсорбата. Спектры потерь энергии электронов в системе Сз/ваАз соответствуют возбуждению плазмонов, локализованных в двумерных островках цезия, и не зависят от ориентации и структуры поверхности. Появление интенсивных пиков потерь при покрытии поверхности цезием свыше 0.5 МС связано с динамическим фазовым переходом от двумерного газа атомов цезия к плотноупакованным двумерным островкам с металлическим спектром электронных возбуждений.

5. Обоснован и реализован эффект селективного воздействия электроотрицательных (йод) и электроположительных (цезий) адсорбатов на поверхность СаАз(001), который приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов III и V групп и, тем самым, позволяет реализовать обратимые низкотемпературные сверхструктурные переходы между катион- и анион-стабилизированными поверхностями. Эффект селективного уменьшения энергий связи объяснён адсорбат-индуцированным перераспределением электронной плотности в приповерхностной области. Обнаруженный эффект открывает возможность реализации низкотемпературного (Т<450°С) атомно-слоевого ("цифрового") травления полярных граней соединений А3В5. 6. Предложен и реализован метод измерения спина электронов по регистрации интенсивности катодолюминесценции от поглощенных спин-поляризованных электронов в структуре Pd/Fe/GaAs(001) с квантовыми ямами InGaAs вблизи гетерограницы. С использованием технологии приготовления структурно

Л С упорядоченных поверхностей А В , изготовлены и изучены магнитные барьеры Шоттки на основе границы раздела Pd/Fe/GaAs(001) для детектирования среднего спина в пучке свободных электронов с эффективностью, сравнимой с детекторами Мотта.

Совокупность полученных результатов и разработанных положений можно характеризовать как новое существенное достижение в развитии важного направления физики и технологии поверхности полупроводников - формировании границ раздела на атомном уровне и изучении связей атомной структуры и

•> е электронных свойств поверхностей полупроводников А В для создания приборов полупроводниковой оптоэлектроники и спинтроники.

Личный вклад автора в выполненную работу

Результаты, представленные в диссертации, были получены примерно за 15 лет, с 1994 г. по 2009 г. в лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках и в лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5 Института физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН. Личный вклад автора заключается в выборе направления исследований, постановке задач и проведении экспериментов, анализе и интерпретации полученных данных, построении физической картины исследуемых явлений, а также в подготовке публикаций и докладов на конференциях. Автор принимал непосредственное участие в создании экспериментального оборудования. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения и выводы. Исследования реконструированных поверхностей А3В5 были начаты с нуля, поскольку до моего прихода в лабораторию неравновесных процессов в полупроводниках студентом данные исследования не проводились. Автор впервые получил реконструированные поверхности GaAs после химической обработки в растворе НС1-ИПС и последующего прогрева в вакууме, а также показал универсальность данной методики применительно к другим полупроводниковым

5 С соединениям А В ; обнаружил и изучил новые Ga-стабилизированные сверхструктуры (4x4) и (2х4)/с(2х8) на поверхности GaAs(OOl), приготовленные обработкой в атомарном водороде; предложил и реализовал метод слоевого (цифрового) травления поверхности GaAs(OOl); использовал цезий в качестве сурфактанта для никотемпературного роста арсенида галлия; предложил и реализовал метод измерения спина электронов по регистрации интенсивности катодолюминесценции от поглощенных спин-поляризованных электронов в структуре Pd/Fe/GaAs(001) с квантовыми ямами InGaAs вблизи гетерограницы.

Большая часть результатов, изложенных в диссертации, получена совместно с авторами опубликованных работ, в том числе с д.ф.-м.н. A.C. Тереховым, д.ф.-м.н. B.JI. Альперовичем, д.ф.-м.н. С.Е. Кульковой, д.ф.-м.н. C.B. Еремеевым, к.ф.-м.н. A.C. Ярошевичем, к.ф.-м.н. Г.Э. Шайблером, к.ф.-м.н. А.Г. Паулишем. Эпитаксиальные структуры, исследованные в данной работе, выращивались в Институте физики полупроводников д.ф.-м.н. Ю.Б. Болховитяновым и Н.С. Рудой (методом жидкофазной эпитаксии), Д.В. Дмитриевым, к.ф.-м.н. А.И. Тороповым, к.ф.-м.н. В.В.Преображенским, к.ф.-м.н. Б.Р.Семягиным, к.ф.-м.н. М.А. Путято (методом молекулярно-лучевой эпитаксии). Работа по созданию сверхвысоковакуумной камеры, в которой проводилась экспозиция поверхности GaAs в атомарном водороде, выполнена совместно с А.П. Кравченко. Источник атомарного водорода был разработан д.ф.-м.н. A.C. Тереховым. Источник молекулярного йода был разработан и изготовлен автором. Часть работы по автоматизации эксперимента выполнена Д.А. Петуховым и К.В. Торопецким. Измерения спектров электролюминесценции и фотолюминесценции GaAs/InGaAs структур (п.5.3.2) была выполнена совместно с к.ф.-м.н. Т.С. Шамирзаевым и к.ф.-м.н. A.C. Ярошевичем.

Благодарности

Я благодарен заведующему лабораторией неравновесных явлений в полупроводниках ИФП СО РАН, профессору, д.ф.-м.н. Александру Сергеевичу Терехову, под руководством которого я поставил первые эксперименты по физике поверхности полупроводников, а также сотрудникам лаборатории за повседневную поддержку и помощь в работе. Хочется особо поблагодарить за интересное и плодотворное сотрудничество Виталия Львовича Альперовича, Александра Сергеевича Ярошевича, Андрея Георгиевича Паулиша, Генриха Эрнстовича Шайблера, Наталью Аркадиевну Якушеву, Сергея Владленовича Шевелева, Татьяну Петровну Кириенко, Нину Сергеевну Рудую, Николая Васильевича Кислых, совместно с которыми были получены основные результаты. Я благодарен сотрудникам Института, предоставившим для исследований выращенные ими эпитаксиальные структуры.

Я благодарен ¡Сергею Ильичу Чикичеву|, блестящему педагогу и учителю

Благодарю Александра Ивановича Торопова, под началом которого я работаю с 2007 г. в лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5, за помощь как в организационных делах, так и по вопросам роста МЛЭ структур, а также сотрудников лаборатории за повседневную поддержку и помощь в работе.

Отдельное спасибо Александру Сергеевичу Ярошевичу, взявшему на себя труд прочтения всей диссертации и сделавшему много ценных замечаний.

Особое спасибо я должен сказать моей семье, которая дружно поддерживала меня на протяжении всего времени написания диссертации.

Работа была выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты 01-02-17694, 03-02-06094-мас, 05-02-17265, 06-02-16093, 09-0201045, 10-02-91067-НЦНИ, 12-02-00226), Государственной программы "Поверхностные атомные структуры", Российской Академии наук (программа "Спиновые явления в твердотельных наноструктурах и спинтроника") и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. Эксперименты, результаты которых изложены в п.1.3, 1.4, 3.4.4 и 5.3, выполнялись при поддержке Министерства науки и образования Франции; автор выражает благодарность Даниэлю Паже и Жаку Перетти (Политехническая школа, Палезо) за предоставленные возможности проведения этих экспериментов и плодотворное сотрудничество.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Терещенко, Олег Евгеньевич, 2013 год

Литература

1. Галицын Ю.Г. Сверхструктурные перестройки на гранях (111)А и (001) InAs/

Ю.Г. Галицын, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев // Поверхность - 1992. - № 7. - С. 59-67.

2. Tereshchenko О.Е. Atomic structure and electronic properties of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(lOO) surface / O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. - 1999. - Vol. 142. - P. 75-80.

3. Nannarone S. Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces / S. Nannarone,

M. Pedio // Surface Science Reports - 2003. - Vol. 51. P. 1-149.

4. Ohtake A. Surface reconstructions on GaAs(OOl) / A. Ohtake // Surface Science Reports

- 2008. - Vol. 63. - P. 295-327.

5. Wang W.K. Passivation versus etching: Adsorption of I2 on InAs(OOl) / W.K. Wang,

W.C. Simpson, J.A. Yarmoff// Phys. Rev. Lett. - 1998. - Vol. 81. - P. 1465-1468.

6. Веденеев А.А. Атомная структура поверхности GaAs(001)-c(8x2) и места

адсорбции атомов йода при малой степени покрытия / А. А. Веденеев, К. Н. Ельцов // Письма в ЖЭТФ - 2005. - том 82. - С. 46-51.

7. Arthur J. R. Molecular beam epitaxy / J. R. Arthur // Surface Science - 2002. - Vol. 500.

-P. 189-217.

8. Bakin V.V. Semiconductor surfaces with negative electron affinity / V.V. Bakin, A.A.

Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov.//. e-J. Surf. Sci. Nanotech. -2007.-Vol. 5.-P. 80-88.

9. Omori T. Large enhancement of polarization observed by extracted electrons from the

AlGaAs-GaAs superlattice / T. Omori, Y. Kurihara, T. Nakanishi, H. Aoyagi, T. Baba, T. Furuya, K. Itoga, M. Mizuta, S. Nakamura, Y. Takeuchi, M. Tsubata, and M. Yoshioka // Phys. Rev. Lett. - 1991. - Vol. 67. - P.3294-3297.

10. Miyamoto K. Topological Surface States with Persistent High Spin Polarization across

the Dirac Point in Bi2Te2Se and Bi2Se2Te / K. Miyamoto, A. Kimura, T. Okuda, H. Miyahara, K. Kuroda, H. Namatame, M. Taniguchi, S.V. Eremeev, T.V. Menshchikova, E.V. Chulkov, K.A. Kokh, and O.E. Tereshchenko // Phys. Rev. Lett. -2012.-Vol. 109. -P.166802-166802-5.

11. Filipe A. Spin-Dependent Transmission of Electrons through the Ferromagnetic Metal

Base of a Hot-Electron Transistorlike System / A. Filipe, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Nagle, J. Peretti, V. I. Safarov, and A. Schuhl // Phys. Rev. Lett. - 1998. -Vol. 80. - P.2425-2428.

12. Massies J. Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs(OOl) surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H20 solution / J. Massies, J.P. Contour // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 58. - P. 806-810.

13. MendezM.A. Characterisation of GaAs(lOO) surfaces by AES and LEED / M.A. Mendez, F.J. Palomares, M.T. Cuberes, M.L. Gonzalez, F Soria. // Surf. Sei. - 1991. -Vol. 251/252.-P. 145-149.

14. Pashley M.D. Scanning tunneling microscopy studies of the GaAs(OOl) surfaces and the nucleation of ZnSe on GaAs(OOl) / M.D. Pashley, D. Li // Material Sei. Engin. -1995. -Vol. B 30. - P.73-80.

15. van Bommel A.J. LEED, AES and photoemission measurements of epitaxially grown GaAs(OOl), (lll)A and (111)B surfaces and their behavior upon Cs adsorption / A.J. van Bommel, J.E. Crombeen, T.G.J. vanOirschot // Surf. Sei. - 1978. - Vol. 72. - P. 95-108.

16. Bolkhovityanov Yu.B. Liquid phase epitaxial growth of elastically strained layers for spin-polarized electron sources / Yu.B. Bolkhovityanov, V.L. Alperovich, A.S. Jaroshevich, N.V. Nomerotsky, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, E.M. Trukhanov // J. Crystal Growth - 1995.-Vol. 146. -P.310-313.

17. Alperovich V.L. Evolution of surface electronic properties of GaAs photocathodes during degradation / V.L. Alperovich, M.A. Kirillov, D.A. Orlov, A.G. Paulish, I.V. Savchenko, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov // Proc. 12th Intern. Symp. on High-Energy Spin Physics (SPIN96), Amsterdam, 1996. - September 10-14. - P.750-752.

18. SpindtC.J. Electronic structure and Schottky-barrier formation on GaAs(100) surfaces prepared by thermal desorption of protective arsenic coating / C.J. Spindt, M. Yamada, P.L. Meissner, K.E. Miyano, T. Kendelewicz, A. Herra-Gomes, W.E. Spicer, A.J. Arko // Phys. Rev. B - 1992. - Vol. 45. - P. 11108-11119.

19. ReschU. Thermal desorption of amorphous caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch, S.M. Scholz, U. Rossow, A.B. Müller, W. Richter, A. Förster // Appl. Surf. Sei. - 1993. - Vol. 63. - P. 106-110.

20. Chen W. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs(100) surfaces / W. Chen, M. Dumas, D. Mao, A. Kahn // J. Vac. Sei. Technol. B - 1992. -Vol. 10.-P. 1886-1890.

21. Vitomirov I.M. Geometric ordering, surface chemistry, band bending, and work function at decapped GaAs(100) surfaces / I.M. Vitomirov, A. Raisanen, A.C. Finnefrock, R.E. Viturro, L.J. Brillson, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall // Phys. Rev. B - 1992. - Vol. 46. - P. 13293-13299.

22. Chang C.C. Chemical preparation of GaAs surfaces and their characterization by Auger electron and x-ray photoemissiion spectroscopies / C.C. Chang, P.H. Citrin, B. Schwartz // J. Vac. Sei. Technol. - 1977. - Vol. 14. -P.943-952.

23. Vasquez R.P. Cleaning chemistry of GaAs(lOO) and InSb(lOO) substrates for molecular beam epitaxy / R.P. Vasquez, B.F. Lewis, F.J. Grunthaner // J. Vac. Sei. Technol. В -1983.-Vol. 1.-P.791-794.

24. Woodal J.M. Photoelectrochemical passivation of GaAs surfaces / J.M. Woodal., Freeouf J.L., Pettit G.D. // J. Vac. Sei. Technol. В - 1983. - Vol. I. - P.795-798.

25,Ohno M. Effect of photoirradiation of GaAs surface during HF treatment / M. Ohno, Y. Ishii, S. Miyazava // J. Electrochem. Soc. - 1984. - Vol. 131. - P.2441-2443.

26. Matsushita K. Hydrofluoric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement and Auger electron Spectroscopy / K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama, Y. Kumagai // Jpn. J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 35. - P.5293-5296.

27. Галицын Ю.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах HCl / Ю.Г. Галицын, В.И. Пошевнев, В.Г. Мансуров, A.C. Терехов, Л.Г. Окорокова // Поверхность - 1989. - № 4. - С.147-150.

28. Галицин Ю.Г. Пассивация поверхности GaAs в спиртовых растворах HCl / Ю.Г. Галицин, В.Г. Мансуров, В.И. Пошевнев, A.C. Терехов // Поверхность -1989. -№ 10. - С.140-142.

29. Matsumoto S. New surface passivation method for GaAs and its effect on the initial growth stage of a heteroepitaxial ZnSe layer / S. Matsumoto, S. Yamaga, A. Yoshikawa // Appl. Surf. Sei. - 1992. - Vol. 60/61. - P.274-280.

30. Saletes A. Residual carbon and oxygen surface contamination of chemically etched GaAs(100) substrates / A. Saletes, J. Massies, J.P. Contour // Jap. J. Appl. Phys. - 1986. -Vol. 25. -P.L48-L51.

31. Lu Z.H. A surface analitical study of GaAs(100) cleaning procedures / Z.H. Lu, C. Lagarde, E. Sacher, J.F. Currie, A. Yelon // J. Vac. Sei. Technol. A - 1989. - Vol. 7. -P.646-650.

32. Ritchie S. Semiconductor substrate cleaning and surface morphology on molecular beam epitaxy / S. Ritchie, S.R. Johnson, C. Lavoie, J.A. Mackenzie, T. Tiedje, R. Streater // Surf. Sei. - 1997. - Vol. 374. - P.418-426.

33. Bertrand P.A. XPS study of chemically etched GaAs and InP / P.A. Bertrand // J. Vac. Sei. Technol. - 1989. - Vol. 18. - P.28-33.

34. Matsushita K. Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surface analyzed by contact angle measurement / K. Matsushita, N. Suzuki, S. Okuyama, K. Okuyama // J.Electrochem. Soc. - 1988. - Vol. 145. - P.1381-1385.

35. Frese K.W. Passivation and interface state studies on n-GaAs / K.W. Frese, S.R. Morrison // Surf. Sei. - 1981. - Vol. 8. - P.266-277.

36. Song Z. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs(100) cleaning procedures / Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki, I. Suemune // J. Vac. Sei. Technol. В - 1995. - Vol. 13. - P.77-82.

37. Song Z. X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy surface study of GaAs etching with a HC1 solution / Z. Song, S. Shogen, M. Kawasaki, I. Suemune // Appl. Surf. Sci. - 1994. - Vol. 82/83. - P.250-256.

38. Koinuma M. In situ observations of atomic resolution image and anodic dissulution process of p-GaAs in HC1 solution by electrocemical atomic force microscope / Koinuma M., Uosaki K. // Surf. Sci. - 1994. - Vol. 311.- P.L737-L742.

39. Yao H. In situ scanning tunneling microscopy of GaAs(lOO), (111)A, (111 )B surfaces in sulfuric acid solution / H. Yao, S.L. Yau // J. Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68. -P.1473-1475.

40. Osakabe S. Study of GaAs(OOl) surfaces treated in aqueous HC1 solutions / S Osakabe., S. Adachi // Jpn. Appl. Phys. - 1997. - Vol. 36. - P.7119-7125.

41. Kang M.G. The characterization of etched GaAs surface with HC1 or H3PO4 solutions / M.G. Kang, S.H. Sa, H.H. Park, K.S. Suh, K.H. Oh // Thin Solid Films - 1997. - Vol. 308-309.-P.634-642.

42. IshikawaY. Macroscopic electronic behavior and atomic arrangements of GaAs surfaces immersed in HC1 solution / Y. Ishikawa, H. Ishii, H. Hasegawa, T. Fukui // J. Vac. Sci. Technol. В - 1994. - Vol. 12. - P.2713-2719.43. Uosaki K. In situ observation of anodic dissolution process of p-GaAs(OOl) in HC1 solution by surface X-ray diffraction / K. Uosaki, M. Koinuma, T. Kondo, S. Ye, I. Yagi, H. Noguchi, K. Tamura, K. Takeshita, T. Matsushita // J. Electroanalitical Chemistry - 1997. - Vol. 429. - P.13-17.

44. Koinuma M. Atomic structure of bare p-GaAs(OOl) and electrodeposited Cu on p-GaAs(lOO) surfaces in H2S04 solutions: an AFM study / M. Koinuma, K. Uosaki // J. Electroanalitical Chemistry - 1996. - Vol. 409. - P.45-50.

45. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. Бриггса Д., Сиха М.П. - М.: Мир. - 1987. - С.600.

46. Stocker H.J. Surface chemical reactions on In0.53Ga0.47As / H.J. Stacker, D.E. Aspnes //Appl. Phys. Lett. - 1983. - Vol. 42. -P.85-87.

47. Yablonovich E. Band-bending, Fermi-level pinning, and surface fixed charge on chemically prepared GaAs surfaces / E. Yablonovich, B.J.S. Skromme, R. Bhat, J.P. Harbison, T.J. Gmitter // Appl. Surf. Sci. - 1989. - Vol. 54. - P.555-557.

48. Berkovitz V.L. Optical spectroscopy of ordered GaAs(OOl) surfaces obtained by sulfide passivation / V.L. Berkovitz, D. Paget // Appl. Surf. Sci. - 1993. - Vol. - 65/66. -P.607-611.

49. Ke Y. Structural studies of sulfur-passivated GaAs(100) surfaces with LEED and AFM / Y. Ke, S. Milano, X.W. Wang, N. Tao, Y. Darici // Surf. Sci. - 1998. - Vol. 415. -P.29-36.

50. Chao Y. Photoemission spectroscopy of the evolution of In-terminated Surface- and InP(100)-(2x4) as a function of temperature: cluster-related In 4d lines / Y. Chao, K.

Svenson, D. Radosavkic, V.R. Dhanak, M.R.C. Hunt, L. Siller // Phys. Rev. B - 2002. -Vol. 66. -P.075323-6.

51. Vogt P. Surface structure of ordered InGaP(OOl): The (2x4) reconstruction / P. Vogt, K. Ludge, M. Zorn, M. Prisotvsek, W. Braun, W. Richter, N. Esser // Phys. Rev. B - 2000. -Vol. 62.-P. 12601-12604.

52. Hafez M.A. Atomic hydrogen cleaning of InP(100): Electron yield and surface morphology of negative electron affinity activated surfaces / M.A. Hafez M.A. Hafez, H.E. Elsayed-Ali // J. Appl. Phys. - 2002. - Vol. 91. - P.1256-1265.

53. Li C.H. Arsenic adsorption and exchange with phosphorus on indium phosphide (001) / C.H. Li L. Li, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks // Phys. Rev. B - 2002. - Vol. 65. -P.205322-7.

54. Visbeck S. Temperature dependence and origin of InP(100) reflectance anisotropy down to 20 K / S. Visbeck T. Hannappel, M. Zorn, J.-T. Zettler, F. Willig // Phys. Rev. B -2001.-Vol. 63. -P.245303-6.

55. Sun Y. Preparation of clean InP(100) surfaces studied by synchrotron radiation photoemission / Y. Sun Z. Lu, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer // J. Vac. Sci. Technol. A - 2003. - Vol. 21. - P.219-7.

56. Adamiec M. Investigation of surface cleaning procedure of InP:S (100) substrates by high resolution XPS / M. Adamiec E. Talik, A. Gladki // Appl. Surf. Sci. - 2006. - Vol. 252. -P.3481-3487.

57. Kolodziej J.J. Atomic Structure of InSb(OOl) and GaAs(OOl) Surfaces Imaged with Noncontact Atomic Force Microscopy / J.J. Kolodziej B. Such, M. Szymonski // Phys. Rev. Lett. - 2003. - Vol. 90. - P.226101-4.

58. Jones N. An X-ray diffraction study of oxide removal from InSb(OOl) substrates / N. Jones, C. Norris, C.L. Nicklin, P. Steadman, J.S.G. Taylor, C.F.McConville, A.D. Johnson //Appl. Surf. Sci. - 1998. - Vol. - 123/124. - P.141-145.

59. Clark S.A. Antimony capping and decapping of InAlSb(lOO) / S.A. Clark, J.W. Cairns, S.P. Wilks, R.H. Williams, A.D. Johnson, C.R. Whitehouse, Surf. Sci. - 1995. - Vol. 336. -P.193-198.

60. McConville C.F. Surface reconstructions of InSb(100) observed by scanning tunneling microscopy / C.F. McConville, T.S. Jones, F.M. Leibsle, S.M. Driver, T.C.Q. Noakes, M.O. Schweitzer, N.V. Richardson // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. - P. 14965-14976.

61. Hunt R.W. Electronic structure, surface composition and long-range order in GaN / R.W. Hunt L.Vanzetti, T. Castro, K.M. Chen, L. Sobra, P.I.. Cohen, W. Gladfelter, J.M. von Hove, J.N. Kuznia, M.A. Khan, and A. Franciosi // Physica B - 1993. - Vol. 185. -P.415-421.

62. Ma J. Photoemission spectroscopy studies of the surface of GaN films grown by vapor phase epitaxy / J. Ma, B. Garni, N. Perkins, W.L. O'Brien, T.F. Kuech, and M.G. Lagally // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 69. - P.3351-3354.

63. Khan M.A. Deposition and surface characterization of high quality single crystal GaN layers / M.A. Khan, J.N. Kuznia, D.T. Olson, and R. Kaplan // Appl. Phys. - 1993. - Vol. 73. -P.3108-3111.

64. Bermudes V.M. Growth of thin Ni films on GaN(0001)-(lxl) / V.M. Bermudes, M.A. Khan, R. Kaplan, and J.N. Kuznia // Phys. Rev. B - 1993. - Vol. 48. - P.2436-2444.

65. Bermudes V.M. The growth and properties of A1 and A1N films on GaN(0001)-(lxl) / V.M. Bermudes, T.M. Jung, K. Doverspike, and A.E. Wickenden // J. Appl. Phys. -1996.-Vol. 79.-P.l 10-120.

66. Nakamura S. Characteristics of InGaN multiDquantum□ well□ structure laser diodes / S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68. - P.3269-3272.

67. Machuca F. Prospect for high brightness Ill-nitride electron emitter / F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, and R.F.W. Pease // J. Vac. Sci. Technol. B -2000. - Vol. 18. - P.3042-3047.

68. Machuca F. Simple method for cleaning gallium nitride (0001) / F. Machuca, Z. Liu, Y. Sun, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease // J.Vac.Sci.Technol. A - 2002. - Vol. 20. -P.1784-1787.

69. Pastuszka S. 'Stable to unstable' transition in the (Cs, O) activation layer on GaAs (100) surfaces with negative electron affinity in extremely high vacuum / S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf// Appl. Surf. Sci. 1996. Vol. 99. p.361-365.

70. Holton R. The adsorption of Cs on the Si( 100)2x1 surface / R. Holton, and P.M. Gundry // Surf. Sci. - 1997. - Vol. 63. - P.263-273.

71. Weishart H. Monomolecular steps of ultra-low density on (100) growth faces of liquid phase epitaxial GaAs / H. Weishart, E. Bauser, M. Konuma, H.-J. Queisser // J. Cryst. Growth - 1994. - Vol. 137. - P.335-346.

72. WangZ. Real-time, noninvasive temperature control of wafer processing based on diffusive reflectance spectroscopy / Z. Wang, S.L. Kwan, T.P. Pearsall, J.L. Booth, B.T. Beard, S.R. Johnson //J. Vac. Sci. Technol. B - 1997. - Vol. 15. - P.l 16-121.

73. Nooney M. Reaction of HC1 with the GaAs(100) surface / M. Nooney, V. Liberman, M. Xu, A. Ludviksson, and R. M. Martin // Surf. Sci. - 1994. - Vol. 302. - P. 192-204.

74. Senga T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, and M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. B - 1996. - Vol. 14. - P.3230-3242.

75. Woodall J.M. Photoelectrochemical passivation of GaAs surfaces / J.M. Woodall, P. Oelhafen, T.N. Jackson, J.L. Freeouf, G.D. Pettit // J. Vac. Sci. Technol. B - 1989 - Vol. 1. -P.795-799.

76. Pluchery O. Wet chemical cleaning of InP surfaces investigated by in situ and ex situ infrared spectroscopy / O. Pluchery, Y.J. Chabal, R.L. OpilaJI J. Appl. Phys. - 2003. -Vol. 94. -P.2707-2716.

77. Mönch W. Semiconductor Surfaces and Interfaces / W. Mönch // Springer-Verlag, Berlin-1993.-P. 1-366.

78. Haworth L. Formation of an Sb-N compound during nitridation of InSb (001) substrates using atomic nitrogen / L. Haworth, J. Lu, P. Hill, D.I. Westwood, J.E. Macdonald, N. Hartmann, A. Schneider, D.R.T. Zahn // J. Vac. Sei. Technol. В - 1998. - Vol. 16. -P.2254-2261.

79. Wang W.K. Reactions of I2 and Cl2 with In- and As-terminated InAs(OOl) / W.K. Wang, W.C. Simpson, J.A. Yarmoff// Phys. Rev. В - 2000. - Vol. 61. - P.2164-2172.

80. Aquino A.A. A comparative study of the adsorption and thermal decomposition of triethylgallium and trimethylgallium at GaAs(100) surfaces studied by electron energy loss spectroscopy / A.A. Aquino, T.S. Jones // Appl. Surf. Sei. - 1996. - Vol. 104/105. -P.304-311.

81. King S.W. Cleaning of A1N and GaN surfaces / S.W. King, J.P. Barnak, M.D. Bremser, K.M. Tracy, C. Ronning, R.F. Davis, and R.J. Nemanich // J. Appl. Phys. - 1998. - Vol. 84. - P.5248-5261.

82. Waki I. The Effect of Surface Cleaning by Wet Treatments and Ultra High Vacuum Annealing for Ohmic Contact Formation of P-Type GaN / I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizava // Jpn. J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 39. - p.4451-4455.

83 Tripathy S. Electronic and vibronic properties of n-type GaN: the influence of etching and annealing / S. Tripathy, S.J. Chua, and A. Ramam // J. Phys.:Condens. Matter -

2002.-Vol. 14.-P.4461-4466.

84 Бенеманская Г.В. Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры / Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский, Н.М, Шмидт // ФТТ -

2003. - Vol. 45. - Р.980-983.

85. Zhao Z.M. Effects of contact barriers on Si-substrated GaN photodetectors / Z.M. Zhao, R.L. Jiang, P Chen, D.J. Xi, B. Shen, R. Zhang, and Y.D. Zheng // J.Vac.Sci.Technol. В -2001.-Vol. 19. -P.286-290.

86. Lee J-L. Ohmic contact formation mechanism of nonalloyed Pd contacts to p-type GaN observed by positron annihilation spectroscopy / J-L. Lee, M. Weber, J.K. Kim, J.W.Lee, Y.J.Park, T.Kim, and K.Lynn // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 74. -P.2289-2292.

87. Belitto V.J. HREELS of H/GaN(0001): evidence for Ga termination / V.J. Belitto, B.D. Thorns, D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, Surf. Sei. - 1999. - Vol. 430. -P.80-88.

88. Ishikawa H. Effects of surface treatments and metal work functions on electrical properties at p-GaN/metal interfaces / H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide,

S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami // J. Appl. Phys. -1997.-Vol. 81. - P.1315-1323.

89. Tsuruoka T. Combined HREELS/LEED study on the oxidation of GaN surfaces / T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, Y. Shintani, Surf. Sci. - 1998. - Vol. 427-428. - P.257-261.

90. Degiovanni A. High resolution electron energy loss spectroscopy of GaAs and AlAs grown by molecular beam epitaxy / A. Degiovanni, J.L. Guyaux, P.A. Thiry, R. Caudano // Surf. Sci. - 1991. - Vol. 251/252. - P.238-242.

91. Larive M. Photoelectron spectroscopy study of Ga 3d and As 3d core levels on MBE-grown GaAs surfaces / M. Larive, G. Jezequel, J.P. Landesman, F. Solal, J. Nagle, B. Lepine, A. Taleb-Ibrahimi, G. Indlekofer, X. Marcadet // Surf. Sci. - 1994. - Vol. 304. -P.298-308.

92. Snyder C.W. Surface transitions on annealed GaAs(lOO) / C.W. Snyder, J. Sudijono,

C.H. Lam, M.D. Johnson, B.G. Orr // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. - P. 18194-18199.

93. Kamiya I. Reflectance-difference spectroscopy of (001) GaAs surfaces in ultrahigh vacuum /1. Kamiya, D.E. Aspnes, H. Tanaka, L.T. Florez, J.P.Harbison // Phys. Rev. B - 1992. - Vol. 46. - P. 15894-15904.

94. Kamiya I. Surface science at atmospheric pressure: Reconstructions on (001) GaAs in organometallic chemical vapor deposition / I. Kamiya, D.E. Aspnes, H. Tanaka, L.T. Florez, J.P. Harbison, R. Bhat // Phys. Rev. Lett. - 1992. - Vol. 68. - P.627-630.

95. Berkovits V.L. Origin of the optical anisotropy of GaAs (001) / V.L. Berkovits, P. Chiaradia, D. Paget, A.B. Gordeeva, C.Goletti // Surf. Sci. - 1999. - Vol. 441. - P.26-32.

96. Kumpf C. Structure of metal-rich (001) surfaces of III-V compound semiconductors / C. Kumpf, D. Smilgies, E. Landemark, M. Nielsen, and R. Feidenhans'l, O. Bunk, J. H. Zeysing, Y. Su, and R. L. Johnson, L. Cao and J. Zegenhagen, B. O. Fimland, L. D. Marks, D. Ellis // Phys. Rev. B - 2000. - Vol. 64. - P.075307-10.

97. Feldwinn D.L. Anomalous hybridization in the In-rich InAs(0 0 1) reconstruction / D.L. Feldwinn, J.B. Clemens, J. Shen, S.R. Bishop, T.J. Grassman, A.C. Kummel, R. Droopad, M. Passlack // Surf. Sci. - 2009. - Vol. 603. - P.3321-3328.

98. John P. InSb(100) reconstructions probed with core-level photoemission / P. John, T. Miller, T.-C. Chiang // Phys. Rev. B - 1989. - Vol. 39. - P. 1730-1737.

99. McConville C.F. / C.F. McConville, T.S. Jones, F.M. Leibsle, S.M. Driver, T.C.Q. Noakes, M.O. Schweitzer, N.V. Richardson // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. -P.14965-14971.

100. Kumpf C. Subsurface Dimerization in III-V Semiconductor (001) Surfaces / C. Kumpf,

D. Smilgies, E. Landemark, M. Nielsen, and R. Feidenhans'l, O. Bunk, J. H. Zeysing, Y. Su, and R. L. Johnson, L. Cao and J. Zegenhagen, B. O. Fimland, L. D. Marks, D. Ellis //Phys. Rev. Lett. -2001. - Vol. 86. -P.3586-3589.

101. J J. Kolodziej Atomic Structure of InSb(OOl) and GaAs(OOl) Surfaces Imaged with Noncontact Atomic Force Microscopy / J.J. Kolodziej, B. Such, M. Szymonski // Phys. Rev. Lett. - 2003. - Vol. 90. - P.226101-226105.

102. Chiu T.H. Reflection high-energy electron diffraction studies on the molecular-beam-epitaxial growth of AlSb; GaSb, InAs, InAsSb, and GalnAsSb on GaSb / T.H. Chiu, W.T. Tsang // J. Appl. Phys. - 1985. - Vol. 57. - P.4572-4578.

103. Sieger M.T. Reflection high-energy electron diffraction and photoemission study of GaSb(100) reconstructions / M.T. Sieger, T. Miller, T.-C. Chiang // Phys. Rev. B - 1995. -Vol. 52. - P.8256-8265.

104. Maeda F. Photoelectron spectroscopy on reconstructed GaSb(OOl) / F. Maeda, Y. Watanabe, M. Oshima // J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom. - 1996. - Vol. 80. -P.225-228.

105. Bell G.R. Atomic hydrogen cleaning of GaSb(OOl) surfaces / G.R. Bell, C.F. McConville // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 69. - P.2695-2698.

106. Veal T.D. HREELS and photoemission study of GaSb(100)-(lx3) surfaces prepared by optimal atomic hydrogen cleaning / T.D. Veal, M.J. Lowe, C.F. McConville // Surface Science - 2002. - Vol. 499. - P.251-260.

107. Lin C.L. Variety transformation of compound at GaSb surface under sulfur passivation / C.L. Lin, Y.K. Su, T.S. Se, W.L. Li // Jpn. J. Appl. Phys. - 1998. - Vol. 37. - LI 543-L1545.

108. Pastuszka S. 'Stable to unstable' transition in the (Cs, O) activation layer on GaAs (100) surfaces with negative electron affinity in extremely high vacuum / S. Pastuszka, A.S. Terekhov, A. Wolf. // Appl. Surf. Sei. - 1996. - Vol. 99. - P.361-365.

109. Wu C.I. Negative electron affinity and electron emission at cesiated GaN and A1N surfaces / C.I. Wu, A. Kahn // Appl. Surf. Sei. - 2000. - Vol. 162/163. - P.250-255.

110. Kampen T.U. Electronic properties of cesium-covered GaN(0001) surfaces / T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Mönch. Appl. Surf. Sei. - 1998. - Vol. 123/124. - P.28-32.

111. Tereshchenko O.E. GaN-(Cs,0) Photocathode For Polarized Electron Source / O.E. Tereshchenko, A.A. Pakhnevich, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.V. Shevelev, A.S. Terekhov // Book of abstracts of the workshop «Polarized Sources and Target» PST 2003. Novosibirsk, 22-26 September - 2003. - P. 26-27.

112. Schmidt W.G. Surface phase diagram of (2x4) and (4x2) reconstructions of GaAs(OOl) / W.G. Schmidt, S. Mirbt, F. Bechstedt // Phys. Rev. B - 2000. - Vol. 62. - P.8087-8091.

113. Petit E.J. Optimal surface cleaning of GaAs (001) with atomic hydrogen / E.J. Petit, F. Houzay. // J. Vac. Sei. Technol. B - 1994. - Vol. 12. - P.547-551.

114. Yamada M. Direct Observation of Species Liberated from GaAs Native Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada, Y. Ide // Jap. J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 33. -P.L671-L674.

115. Tomkiewicz P. Comparative study of the GaAs(lOO) surface cleaned by atomic hydrogen / P. Tomkiewicz , A. Winkler, J. Szuber // Appl. Surf. Sci. - 2006. - Vol. 252. -P.7647-7658.

116. Petravic M. High-resolution photoemission study of hydrogen interaction with polar and nonpolar GaAs surfaces / M. Petravic, P. N. K. Deenapanray, B. F. Usher, K.-J. Kim, and B. Kim // Phys. Rev. В - 2003. - Vol. 67. - P. 195325-195333.

117. Khatiri A. Atomic hydrogen cleaning of low-index GaAs surfaces / A. Khatiri, T.J. Krzyzewski, C.F. McConville, T.S. Jones // Journal of Crystal Growth - 2005. - Vol. 282.-P.1-6.

118. Ide Y. Role of Ga20 in the removal of GaAs surface oxides induced by atomic hydrogen/Y. Ide, M. Yamada//J. Vac. Sci. Technol. A 1994. Vol. 12. p.1858-1864.

119. Nannarone S. / S. Nannarone, M. Pedio // Surface Science Reports - 2003. - Vol. 51. -P.l-149.

120. Eibl C. Quantitative characterization of a highly effective atomic hydrogen doser / C. Eibl, G. Lackner, A. Winkler // J. Vac. Sci. Technol. A - 1998. - Vol. 16. - P.2979-2990.

121. Bischler U. Simple source of atomic hydrogen for ultrahigh vacuum applications / U. Bischler E. Bertel // J. Vac. Sci. Technol. - 1993. - Vol. 11.- P.458-465.

122. Drathen P. Composition and structure of different prepared GaAs(100) surfaces studed by LEED and AES / P. Drathen, W. Ranke, K. Jacobi // Surf. Sci. - 1978. - Vol. 77. -P.L162-L166.

123. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников / А.И. Ансельм // М.: Наука. -1978.-С.616.

124. Pollak F.H. Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation / F.H. Pollak and H. Shen // Phys. Rev. - 1990. - Vol. 42. - P.7097-7002.

125. Kanata T. Photoreflectance characterization of surface Fermi level in as-grown GaAs(100) / T. Kanata M. Matsunaga, H. Takakura, Y. Hamakawa // J. Appl. Phys. -1998. - Vol. 68. - P.5309-5313.

126. E.O. Kane Theory of photoelectric emission from semiconductors / E.O. Kane // Phys. Rev.-1962.-Vol. 127. -P.131-141.

127. OM'Hamedi Effects of atomic hydrogen on the surface properties of cleaved GaAs(llO) / OM'Hamedi, F. Proix, C. Sebenne // Semicond. Sci. Technol. - 1987. -Vol. 2. -P.418-427.

128. Graf D. Reaction of hydrofluoric acid and water with the GaAs(100) surface / D. Graf, M. Grunder, D. Ludecke, R. Schulz // J. Vac. Sci. Technol. A - 1990. - Vol. 8. -P.l 955-1961.

129. Chen Y. Weak adsorption of ethylene on GaAs(100) / Y. Chen, J. Schmidt, L. Siller, J.C. Barnard, R.E. Palmer, Phys. Rev. В - 1998. - Vol. 58. - P.l 177-1180.

130. Briggs D. Practical Surface Analysis by Auger and X-Ray Photoelectron Spectroscopy / D. Briggs and M.P. Seah, Eds. // Wiley, New York, - 1983.

131. Yamaguchi H. Surface structure transitions on InAs and GaAs (001) surfaces / H. Yamaguchi, Y. Horikoshi // Phys. Rev. B - 1995. - Vol. 51.- P.9836-9854.

132. Yamada M. GaOH: Unstable Species Liberated from GaAs Surface Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada // Jpn. J. Appl. Phys. - 1996. - Vol. 35. -P.L651-L653.

133. Yamada M. Direct Observation of Species Liberated from GaAs Native Oxides during Atomic Hydrogen Cleaning / M. Yamada, Y. Ide. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 33. - P.L671-L674.

134. Allwood D.A. Monitoring Epiready Semiconductor Wafers / D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker // Thin Solid Films - 2003. - Vol. 412. -P.76-81.

135. Chiu T. H. Step-Promoted Surface Reconstruction on Ga-Deposited (100) GaAs During Molecular Beam Epitaxy with Alternating Supply of Ga and As / T. H. Chiu // Jap. J. of Appl. Phys. - 1991. - Vol. 30. - P.3491-3495.

136. Xue Q. Structures of the Ga-Rich 4x2 and 4x6 Reconstructions of the GaAs(OOl) Surface / Q. Xue, T. Hashizume, J.M. Zhou, T. Sakata, T. Ohno, T. Sakurai // Phys. Rev. Lett. - 1995. - Vol. 74. -P.3177-3180.

137. Wallart X. A combined RHEED and photoemission comparison of the GaP and InP(0 0 1) (2x4) surface reconstructions /X. Wallart I I Surf. Sci. - 2002. - Vol. 506. -P.203-212.

138. Sanada N.N. The (2x4) and (2x1) structures of the clean GaP(OOl) surface / N.N. Sanada, S. Mochizuki, S. Ichikawa, N. Utsumi, M. Shimomura, G. Kaneda, A. Takeuchi, Y. Suzuki, Y. Fukuda, S. Tanaka, M. Kamata // Surf. Sci. - 1999. - Vol. 419. -P.120-127.

139. Schmidt W. G. Atomic structure of InP(001)-(2x4): A dimer reconstruction / W. G. Schmidt, F. Bechstedt, N. Esser, M. Pristovsek, Ch. Schultz, and W. Richter // Phys. Rev. B - 1998. - Vol. 57. - P. 14596-14599.

140. Schmidt W.G. III-V compound semiconductor (001) surfaces / W.G. Schmidt // Appl. Phys. A - 2002. - Vol. 75. - P.89-99.

141. Kuball M. Hydrogen adsorption on the GaAs(001)-(2x4) surface: A scanning-tunneling-microscopy study / M. Kuball, D.T.Wang, N. Esser,M. Cardona, J. Zegenhagen, B.O. Fimland // Phys. Rev. B - 1995. - Vol. 52. - P.16337-16340.

142. Pahlke D. Hydrogen induced structure changes of GaAs(100) c(4 x 4), (2 x 4) and (4 x 2) surfaces / D. Pahlke, M. Arens, N. Esser, D.T.Wang,W. Richter // Surf. Sci. -1996. - Vol. 352-354. - P.66-70.

143. Schailey R. A cluster approach to hydrogen chemisorption on the GaAs(l 0 0) surface / R. Schailey, A.K. Ray // Comput. Mater. Sci. - 2001. - Vol. 22. - P. 169-179.

144. Bringans R.D. Hydrogen chemisorption on the polar surfaces of GaAs / R.D. Bringans, R.Z. Bachrach // J. Vac. Sci. Technol. A - 1983. - Vol. 1. - P.676-679.

145. Petravic M. High-resolution photoemission study of hydrogen interaction with polar and nonpolar GaAs surfaces / M. Petravic, P.N.K. Deenapanray, B.F. Usher, K.-J. Kim, B. Kim // Phys. Rev. В - 2003. - Vol. 67. - P. 195325-195333.

146. Nannarone S. / S. Nannarone, M. Pedioc // Hydrogen chemisorption on III-V semiconductor surfaces Surface Science Reports - 2003. - Vol. 51. - P. 1-149.

147. Kane E.O. Theory of photoelectric emission from semiconductors / E.O. Kane // Phys. Rev.-1962.-Vol. 127.-P.131-141.

148. Kampen T.U. Hydrogen-induced variations of the ionization energy on GaAs(llO) surfaces / T.U. Kampen, W. Monch // Phys.Rev. В - 1992. - Vol. 46. - P. 13309-7.

149. Alperovich V.L. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance / V.L. Alperovich, A.S.Jaroshevich, H.E.Scheibler, A.S.Terekhov // Solid-State Electron. - 1994. - Vol. 37. - P.657-660.

150. Scheibler H.E. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreflectance spectra of multilayered structures / H.E. Scheibler, V.L.Alperovich, A.S.Jaroshevich, A.S.Terekhov //Physica Status Solidi (a) - 1995. - Vol. 152. -P.113-122.

151. Паулиш А.Г. Исследование электронных свойств поверхности эпитаксиального арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода / А.Г. Паулиш // Диссертация на соискание к.ф.-м.н., Новосибирск - 1994.

152. BechstedtF. Alkali adsorption on GaAs(llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles / F. Bechstedt, M. Scheffler // Surf. Sci. Rep. - 1993. - Vol. 18. -P.145-198.

153. First P.N Structure of Cs on GaAs(llO) as determined by scanning tunneling microscopy / P.N. First, R.A. Dragoset, J.A. Stroscio, R.J Celotta., R.M. Feenstra // J. Vac. Sci. Technol. A - 1989. - Vol. 7. - P.2868-2872.

154. Whitman L.J. Geometric and electronic properties of Cs structures on III-V (110) surfaces: from ID and 2D insulators to 3D metal / L.J. Whitman, J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, R.J. Celotta//Phys. Rev. Lett. - 1991. - Vol. 66. - P.l338-1341.

155. Alperovich V.L. Evidence of Mott-Hubbard and bipolaronic behavior in photoemission spectra of alkali metal/GaAs(l 10) interfaces / V.L. Alperovich, S.A. Ding, S.R. Barman, G. Neuhold, Th. Chasse, K. Horn // Proc. 23rd Intern. Conf. on Physics of Semiconductors (ICPS-23), Berlin, Germany, 21-26 July 1996. - P.923-926.

156. van Bommel A.J. LEED, AES and photoemission measurements of epitaxially grown GaAs(OOl), (111)A and (111 )B surfaces and their behavior upon Cs adsorption / A.J. van Bommel, J.E. Crombeen, T.G.J. vanOirschot // Surf. Sci. - 1978. - Vol. 72. -P.95-108.

157. GodsteinB. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and О / B. Godstein // Surf. Sci. - 1975. -Vol. 47. - P.143-161.

158. Митягин Ф.Ю. Исследование чистой и покрытой цезием (100) поверхности GaAs методом дифракции медленных электронов / Ф.Ю. Митягин, В.П. Орлов // ЖТФ - 1973. - Том 18. - С.876-878.

159. KimJ. Cs adsorption on n- and p-type GaAs(001)(2x4) surfaces / J. Kim, M.C. Gallagher, R.F. Willis // Appl. Surf. Sci. - 1993. - Vol. 67. - P.286-291.

160. Benemanskaya G.V. Changes in electronic and adsorption properties under Cs adsorption on GaAs(lOO) in the transition from As-rich to Ga-rich surface / G.V. Benemanskaya, D.V. Daineka, G.E. Frank-Kamenetskaya // Surf. Sci. - 2003. -Vol. 523.-P.211-217.

161. Smith D.L. Adsorption Kinetics of Cs on GaAs / D.L. Smith and D.A. Huchital / J. Appl. Phys. - 1972. - Vol. 43. - P.2624-2629.

162. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111)B GaAs epitaxial layers / D. Rodway // Surf. Sci. - 1984. - Vol. 147. -P.103-114.

163. Vergara G. Adsorption kinetics of cesium and oxygen on GaAs(100): A model for the activation layer of GaAs photocathodes / G. Vergara, L.J. Gomes, J. Capmany, M.T. Montojio // Surf. Sci. - 1992. - Vol. 278. - P.131-145.

164. Kamaratos M. Interaction of Cs with the GaAs(100) surface / M. Kamaratos, E. Bauer //J. Appl. Phys. - 1991. - Vol. 70. -P.7564-7573.

165. Jacobi K. Structure and Surface Core-Level Shifts of GaAs Surfaces Prepared by Molecular-Beam Epitaxy / K. Jacobi, J. Platen, and C. Setzer / Phys. Status Solidi В -2000. - Vol. 218. - P.329-364.

166. Laukkanen P. Electronic and structural properties of GaAs(100)(2x4) and InAs(100)(2><4) surfaces studied by core-level photoemission and scanning tunneling microscopy / P. Laukkanen, M. Kuzmin, R. E. Perala, M. Ahola, S. Mattila, I.J. Vayrynen, J. Sadowski, J. Konttinen, T. Jouhti, C. S. Peng, M. Saarinen, and M. Pessa //Phys. Rev. В - 2005. - Vol. 72. - P.045321-045330.

167. Moriarty P. Photoelectron core-level spectroscopy and scanning-tunneling-microscopy study of the sulfur-treated GaAs(100) surface / P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A. A. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, and P. Bailey // Phys. Rev. В - 1994. - Vol. 50. -P.14237-142145.

168. Paget D. Sulfide-passivated GaAs(OOl). I. Chemistry analysis by photoemission and reflectance anisotropy spectroscopies / D. Paget, J. E. Bonnet, V. L. Berkovits, P. Chiaradia, and J.Avila // Phys. Rev. В - 1996. - Vol. 53. - P.4604-4614.

169. Vasev A.V. Реконструкции поверхности GaAs(OOl) и их влияние на морфологию слоев при млэ и вакуумном отжиге / А. V. Vasev and S. I. Chikichev, Proceedings of Fifth International Conference Single Crystal Growth and Heat & Mass Transfer (ICSC-03), 22-26 September - 2003. - Obninsk, Russia, P.285-287.

170. Hogan С. Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2*8) reconstruction of GaAs(OOl): Adsorption sites and Cs-induced chemical bonds / C. Hogan, D. Paget, Y. Garreau, M. Sauvage, G. Onida, L. Reining, P. Chiaradia, and V. Corradini, Phys. Rev. В - 2003. - Vol. 68. - P.205313-205324.

171. Kulkova S.E. Cesium Adsorption on the P2-GaAs(001) Surface / S. E. Kulkova, S. V. Eremeev, A. V. Postnikov, and I. R. Shein // J. Exp. Theor. Phys. - 2007. - Vol. 104. -P.590-596.

172. Kierren B. Formation of the Cs/GaAs(001) interface: Work function, cesium sticking coefficient, and surface optical anisotropy / B. Kierren and D. Paget // J. Vac. Sci. Technol. A - 1997. - Vol. 15. - P.2074-2081.

173. Nishigaki S. Development of alkali-induced electronic states at GaAs(0 0 1) surfaces and their electron-transfer interaction with helium metastable atoms / S. Nishigaki, K. Yamada, J. Asanari, and M. Naitoh // Ultramicroscopy - 1998. - Vol. 73. - P.223-228.

174. Kandel D. The Surfactant Effect in Semiconductor Thin-Film Growth / D. Kandel and E. Kaxiras, Solid State Physics - 2000. - Vol. 54. - P.219-262.

175. Arthur J.R. Molecular beam epitaxy / J.R. Arthur // Surf. Sci. - 2002. - Vol. 500. -P. 189-217.

176. Fong C.Y. Surfactant-mediated growth of semiconductor materials / C.Y. Fong, M.D. Watson, L.H. Yang and S. Ciraci, Modelling Simul. Mater. Sci. Eng. - 2002. - Vol. 10. -P.R61-R77.

177. Bauer E. Phaenomenologische Theorie der Kristallabscheidung an Oberflaechen.I. / E. Bauer // Z.Kristallogr. - 1958. - Vol. 110. - P.372-394.

178. Ченг JI. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Л. Ченг, К. Плог // М.: Мир - 1989. - С.65-92.

179. Copel М. Surfactants in epitaxial growth / M. Copel, M.C. Reuter, E. Kaxiras and R.M. Tromp // Phys.Rev.Lett. - 1989. - Vol. 63. - P.632-635.

180. Massies J. Surfactant effect on the surface diffusion length in epitaxial growth / J. Massies and N. Grandjean // Phys.Rev. В - 1993. - Vol. 48. - P.8502-8505.

181. Okada Y. Basic analysis of atomic-scale growth mechanisms for molecular beam epitaxy of GaAs using atomic hydrogen as a surfactant / Y. Okada and J. S. Harris // J. Vac. Sci. Technol. В - 1996. - Vol. 14. -P.l725-7.

182. Blochl P.E. Projector augmented-wave method / P.E. Blochl // Phys. Rev. В 1994. Vol. 50. p. 17953-17979.

183. Kresse G. Ab initio molecular dynamics for liquid metals / G. Kresse and J. Hafner // Phys. Rev. В 1993. Vol. 47. p.558-561.

184. Perdew J.P. Generalized Gradient Approximation Made Simple / J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof // Phys. Rev. Lett. - 1996. - Vol. 77. - P.3865-3868.

185. Кулькова С.Е. Атомная и электронная структура поверхности GaAs(OOl) / С.Е. Кулькова, С.В.Еремеев, А.В. Постников, А.В., Бажанов Д.И., Потапкин Б.В. // ФТП - 2007. - Vol. 41. - Р.832-841.

186. Pillai M.R. Growth of InxGai_xAs/GaAs heterostructures using Bi as a surfactant / M.R. Pillai, S.-S. Kim, S.T. Ho, S.A. Barnett // J. Vac. Sci. Technol. В - 2000. - Vol. 18. -P.1232-1237.

187. Tournie E. Surfactant-mediated molecular beam epitaxy of strained layer semiconductor heterostructures / E. Tournie and K.H. Ploog // Thin Solid Films -1993. -Vol.231. -P.43-60.

188. Neugebauer J. Adatom Kinetics On and Below the Surface: The Existence of a New Diffusion Channel / J. Neugebauer, Т.К. Zywietz, M. Scheffler, J.E. Northrup, H. Chen and R.M. Feenstra // Phys. Rev. Lett. - 2003. - Vol. 90. - P.056101-056105.

189. Галицин Ю.Г. Критические явления в реконструкционном переходе Ь(2х4) в а(2х4) на поверхности (001) GaAs / Ю.Г. Галицин, Д.В. Дмитриев, В.Г. Мансуров, С.П. Мощенко, А.И. Торопов, Письма ЖЭТФ - 2005. - Том. 81. -С.766-770.

190. Alperovich V.L. Unpinned behavior of the Fermi level and photovoltage on p-(100) GaAs surface facilitated by deposition of cesium / V.L. Alperovich, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, V.L Tynnyi, and A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. - 1996. - Vol. 104/105. -P.228-233.

191. Aruga T. Alkali-metal adsorption on metals / T. Aruga, Y. Murata // Prog. Surf. Sci. -1989.- Vol. 31.-P.61-130.

192. Watson G.M. Observation of a discontinous nonmetal-to-metal disorder-to-order transition in an alkali overlayer / G.M. Watson, P.A. Bruhwiler, H.J. Sagner, K.H. Frank, and E.W. Plummer // Phys. Rev. В - 1994. Vol. 50. P. 17678-17681.

193. DiNardo N.J. Semiconductor-to-metal transition in an ultrathin interface: Cs/GaAs(l 10) / N.J. DiNardo, T.M. Wong, E.W. Plummer // Phys. Rev. Lett. - 1990. -Vol. 65. -P.2177-2180.

194. Ventrice C.A. K/GaAs(l 10) interface: Initial stages of growth and the semiconductor-to-metal transition / C.A. Ventrice, N.J. Di Nardo // Phys. Rev. В - 1993. - Vol. 47. -P.6470-6479.

195. Ventrice C. A. Potassium induced unrelaxation of the GaAs(llO) surface / C. A. Ventrice Jr, andN. J. DiNardo //Phys. Rev. В - 1991. - Vol. 43. - P. 14313-14316.

196. Ventrice C. A. K-GaAs(l 10) interface: Initial stages of growth and the semiconductor-to-metal transition / C. A. Ventrice Jr, and N. J. DiNardo // Phys. Rev. В - 1993. -Vol. 47.-P.6470-6479.

197. Hebenstreit J. Atomic and electronic structures of GaAs(llO) and their alkali-adsorption-induced changes / J. Hebenstreit, M. Heinemann, M. Scheffler // Phys. Rev. Lett. - 1991. - Vol. 67. - P. 1031-1034.

198. Hebenstreit J. Self-consistent pseudopotential calculations for sodium adsorption on GaAs(l 10) / J. Hebenstreit, M. Scheffler // Phys. Rev. B - 1992. - Vol. 46. - P. 1013410145.

199. Gedik Z. Absence of metallicity in Cs-GaAs(l 10): A Hubbard-model study / Z. Gedik, S. Ciraci, I.P. Batra // Phys. Rev. B - 1993. - Vol. 47. -P.16391-16394.

200. Pankratov O. Hubbard correlations and charge transfer at the GaAs(l 10) surface with alkali adsorbates / O. Pankratov, M. ScheDer // Phys. Rev. Lett. - 1993. - Vol. 70. -P.351-354.

201. Pankratov O. Bound bipolaron at the surface: The negative-i7 behavior of GaAs(l 10) with adsorbed alkali metals / O. Pankratov, M. Scheffer // Phys. Rev. Lett. - 1993. -Vol. 71. - P.2797-2800.

202. Allan G. Negative-£7 character of the adsorption on semiconductor surfaces: Application to metals on GaAs(l 10) / G. Allan, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. - 1991. -Vol. 66. -P.1209-1211.

203. Pennino U. Alkali metal/GaAs(l 10) interfaces: correlation effects and sub-gap electron energy loss spectra / U. del Pennino, R. Compano, B. Salvarini, C. Mariani // Surface Science - 1998. - Vol. 409. - P.258-264.

204. Muller K. Physics and Chemistry of Alkali Metal Adsorption / K. Muller, G. Besold, and K. Heinz // edited by H.P. Bonzel, A.M. Bradshaw, and G. Ertl. Elsevier, New York-1989.-P.65-90.

205. Structure and stability of metastable transition metal clusters on W(011) / A. Fedorus and E. Bauer // Surf. Sci. - 1998. - Vol. 418. - P.420-431.

206. Hashizume T. FI-STM study of alkali metal adsorption on Si surfaces / T. Hashizume, Y. Hasegawa, I. Sumita, and T. Sakurai // Surf. Sci. - 1991. - Vol. 246. - P. 189-194.

207. Soukiassian P. Atomic structure, adsorbate ordering, and mode of growth of the K/Si( 100)2x1 surface / P. Soukiassian, J.A. Kubby, P. Mangat, Z. Hurych, and K.M. Schirm // Phys. Rev. B - 1992. - Vol. 46. - P.13471-13479.

208. Chao Y.-C. Adsorption of K on Si(100)2xl at room temperature studied with photoelectron spectroscopy / Y.-C. Chao, L.S.O. Johansson, C.J. Karlsson, E. Landemark, and R.I.G. Uhrberg // Phys. Rev. B - 1995. - Vol. 52. - P.2579-2586.

209. Lee K.-D. Electrical phase transitions on the alkali-metal-adsorbed Si(001) surfaces / K.-D. Lee and J. Chung // Phys. Rev. B - 1997. - Vol. 55. - P.12906-12909.

210. Meyerheim H.L. Surface x-ray diffraction on K/Si(001)(2xl) and Cs/Si(001)(2xl) / H.L. Meyerheim, N. Jedrecy, M. Sauvage-Simkin, and R. Pinchaux // Phys. Rev. B -1998. - Vol. 58. - P.2118-2125.

211. Prietsch M. Spectroscopic studies of metal/semiconductor interfaces / M. Prietsch // Advances in Solid State Physics - 1991. - Vol. 31. - P. 153-164.

212. Hamawi A. Metallization, surface photovoltage, and quantum-well-type resonance for K-covered Si(100) observed via valence-band photoemission / A. Hamawi // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. -P.10910-10914.

213. Alperovich V.L. Diffusion and ordering of Cs adatoms on GaAs(OOl) studied by reflectance anisotropy spectroscopy / V.L. Alperovich and D. Paget, Phys. Rev. B -1997. - Vol. 56. - P.R15565-R15568.

214. Milne R.H. Surface diffusion of Cs on Si(100)-2 x 1 / R.H. Milne, M. Azim, R. Persaud, and J.A. Venables // Surf. Sci. - 1995. - Vol. 336. - P.63-75.

215. Paget D. Photoreflectance spectroscopy investigation of two-dimensional cesium metallic clusters on GaAs(lOO) / D. Paget, B. Kierren, and R. Houdre // J. Vac. Sci. Technol. A - 1998. - Vol. 16. - P.2350-2360.

216 Hecht M.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission studies of Schottky-barrier formation / M.H. Hecht // Phys. Rev. B - 1990. - Vol. 41. - P.7918-7921.

217. Domke M. Layer resolved photoemission study of the Cs/Si(l 11)2x1 interface / M. Domke, T. Mandel, C. Laubschat, M. Prietsch, G. Kaindl // Surf.Sci. - 1987. - Vol. 189/190. -P.268-275.

218. Lin D.-S. Bonding of Cs on Si and Ge surfaces studied by core-level spectroscopy / D.S. Lin, T. Miller, T.-C. Chiang //Phys. Rev. B - 1991. - Vol. 44. - P. 10719-10723.

219. Qiu S.L. Photoemission studies of the metal-nonmetal transition of sodium on solid ammonia / S.L. Qiu, C.L. Lin, L.Q. Jiang, M. Strongin // Phys. Rev. B - 1989. - Vol. 39. -P.1958-1961.

220. Citrin P.H. High-Resolution X-Ray Photoemission from Sodium Metal and Its Hydroxide / P.H. Citrin // Phys. Rev. B - 1973. - Vol. 8. - P.5545-5556.

221. Citrin P.H. Observation of new surface states on Cu(110) with the use of angle-resolved photoelectron spectroscopy / P.H. Citrin // Phys. Rev. Lett. - 1973. - Vol. 31. -P.l 164-1167.

222. Ertl G. Low Energy Electrons and Surface Chemistry / G. Ertl, J. Ku // VCH Publishers, Weinheim- 1985. - P. 72.

223. Kammerer R. Surface-binding-energy shifts for sodium, magnesium, and aluminum metals / R. Kammerer, J. Barth, F. Gerken, and C. Kunz, S. A. Flodstrom and L. I. Johansson // Phys. Rev. B - 1982. - Vol. 26. - P.3491-3494.

224. Friedman R.M. Chemical Effects on Line widths Observed in Photoelectron Spectroscopy / R.M. Friedman, J. Hudis, M.L. Perlman // Phys. Rev. Lett. - 1972. -Vol. 29. -P.692-695.

225. Valeri S. AES and EELS study of alkali-metal adsorption kinetics on either cleaved or sputtered GaAs and InP (110) surfaces / S. Valeri, M. Loli, and P. Sbervegleri // Surf. Sci. - 1986. - Vol. 238. - P.63-74.

226. Evans D.A. The interaction of platinum with GaP(llO): band bending and surface photovoltage effects / D.A. Evans, T.P. Chen, Th. Chasse, and K. Horn // Appl. Surf. Sci. - 1992. - Vol. 56-58. - P.233-241.

227. Fouquet P. Observation of Metallization Transition of 2D Alkali Metal Films / P. Fouquet and G. Witte // Phys. Rev. Lett. - 1999. - Vol. 83. - P.360-363.

228. Alperovich V.L. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,0) at room temperature / V.L. Alperovich, A.G. Paulish, and A.S. Terekhov // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. - P.5480-5483.

229. Yin X. Photoreflectance study of the surface Fermi level at (001) n- and p-type GaAs surfaces / X. Yin, H.-M. Chen, F.H. Pollak, Y. Chan, P.A. Montano, P.D. Kirchner, G.D. Petit, and J.M. Woodall // J. Vac. Sci. Technol. A - 1992. - Vol. 10. - P. 131-137.

230. Westre E.D. Surface diffusion of potassium on Ru(001) / E.D. Westre, D.E. Brown, J. Kutzner, and S.M. George // Surf. Sci. - 1993. - Vol. 294. - P.185-196.

231. Stauffer D. Introduction to Percolation Theory / D. Stauffer and A. Aharony // Taylor & Francis, London - 1992.

232. Pashley M.D. Different Fermi-level pinning behavior on n- and p-type GaAs(OOl) / M.D. Pashley, K.W. Haberern, R.M. Feenstra, and P.D. Kirchner // Phys. Rev. B -1993. - Vol. 48. - P.4612-4615.

233. Derrien J. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110) / J. Derrien and A. D'Avitaya // Surf. Sci. - 1977. - Vol. 65. - P.668-686.

234. Jacobi K. Iodine etching of the GaAs(III)As surface studied by LEED, AES, and Moss Spectroscopy / K. Jacobi, G. Steinert, W. Ranke // Surface Science - 1976. - Vol. 57. -P. 571-579

235. Jones R.G. The c(4 x 4) clean surface reconstruction of InSb(OOl) formed by UHV chemical etching using iodine and chlorine / R.G. Jones, N.K. Singh, C.F. McConville // Surf. Sci. - 1989. - Vol. 208. - P.L34-L41.

236. Varekamp P. R. Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. I. Chemical interaction with the substrate / P. R. Varekamp, M. C. Hakansson, J. Kanski, D. K. Shuh // Phys. Rev. B - 1996. - Vol. 54. - P.2101 -2111.

237. Varekamp P. R. Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. II. Ordering of the iodine overlayer / P. R. Varekamp, M. C. Hakansson, J. Kanski, D. K. Shuh // Phys. Rev. B - 1996. - Vol. 54. - P.2114-2121.

238. Wang W.K. Chemisorption of iodine on In- and Sb-terminated InSb(OOl) / W.K. Wang, S.R. Qiu, B. Corbitt, S.T. Riggs, J.A. Yarmoff// Surface Science - 2000. - Vol. 462.-P.211-221.

239. Mowbray A.P. Iodine adsorption on InSb(OOl) at room temperature and low temperature: surface reaction / A.P. Mowbray, R.G. Jones, C.F. McConville // J.Chem.Soc.Faraday Trans. - 1991. - Vol. 87. - P.3259-3265.

240. Troost D. Halogen-induced surface states acceptors on GaAs(l 10) surfaces / D. Troost, L. Koenders, W. Monch // Appl. Surf. Sci. - 1993. - Vol. 66. - P.619-624.

241. Freedman A. Halogenation of CaAs (100 ) and (111) Surfaces Using Atomic Beams / A. Freedman, C.D. Stinespring // J. Phys. Chem. - 1992. - Vol. 96. - P.2253-2258.

242. McLeen A.B. Core-level photoemission investigation of atomic-fluorine adsorption on GaAs(llO) / A.B. McLeen, L. J. Teminello, F.R. Mcfeely / Phys. Rev. В - 1989. -Vol. 40. -P.l 1778-11785.

243. Liu Y. Site-Selective Reaction of Br2 with Second Layer Ga Atoms on the As-rich GaAs(001)-2x4 Surface / Y. Liu, A.J. Komrowski, A.C. Kummel / Phys. Rev. Lett. -1998.-Vol. 81. — P.413-416.

244. Liu Y. Reaction dynamics of the As-rich GaAs(001)-2><4 surface with monoenergetic Br2 molecules: A scanning tunneling microscopy study / Y. Liu, A.J. Komrowski, and A.C. Kummel // J. Chem. Phys. - 1999. - Vol. 110. - P.4608-4616.

245. Partin J.C. Br2 and Cl2 adsorption and etching of GaAs(l 10) studied by use of scanning tunneling microscopy / J.C. Partin, J.H. Weaver // Phys. Rev. В - 1993. - Vol. 48. -P.l 7913-17921.

246. Gu C. Br2 adsorption on GaAs(l 10) and surface etching at low temperature / C. Gu, Y. Chen, T.R. Ohno, J.H. Weaver // Phys. Rev. В - 1992. - Vol. 46. - P.l0197-10200.

247. Cha C.J. Surface morphologies associated with thermal desorption: Scanning tunneling microscopy studies of Br-GaAs(llO) / C.J. Cha, Brake J., Hau B.Y., Owens D.W., Weaver J.N. // J. Vac. Sci. Technol. В - 1997. - Vol. 15. - P.605-610.

248. Wang W. K. Reactions of 12 and C12 whith In- and As- terminated InAs(OOl) / W. K. Wang, W. C. Simpson, J. A. Yarmoff// Phys. Rev. В - 2001. - Vol. 61. - P.2164-2171.

249. Scott A. Solid-state ambient-temperature ultrahigh vacuum iodine source / A. Scott, Furman, David A. Harrington // J. Vac. Sci. Technol. A - 1996. - Vol. 14. - P.256-259.

250. Веденеев A. JI. - Атомная структура поверхности GaAs(001)-(4x2) при малой степени покрытия йодом. Диссертация канд. физ.-мат. наук, ИОФ им. А. М. Прохорова РАН, Москва - 2007 г.

251.Ельцов К.Н. Поверхность твердого тела при воздействии молекулярных галогенов / Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук // Москва - 2008.

252. Eltsov K.N. / K.N. Eltsov, V.M. Shevlyuga, and A.A. Vedeneev // in Proceedings of SPM - 2002 (Nizhny Novgorod, 2002) - P.99.

253. Галицын Ю. Г. Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-(3(2х4) / Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов // Письма в ЖЭТФ - 2005. - том. 86. - С.553-557.

254. Davisson C.J. A Test for Polarization of Electron Waves by Reflection / C.J. Davisson and L.H. Germer // Phys. Rev. - 1929. - Vol. 33. - P.760-772.

255. Mott N. F. The Scattering of Fast Electrons by Atomic Nuclei / N. F. Mott // Proc. R. Soc. Lond. A. - 1929. - Vol. 124. - P.425-442.

256. Kessler J. Polarized Electrons / J. Kessler // New York: Springer - 1985. Кесслер И. Поляризованные электроны: Пер. с англ. - М.: Мир - 1988.

257. Зырянов Г.К. Эмиссия поляризованных электронов / Г.К. Зырянов // Д.: Изд-во ЛГУ-1991.

258. Князев С.Л. Спиновая поляризация низкоэнергетических электронов при их взаимодействии с поверхностью твердых тел / С.Л. Князев, Т.К. Зырянов, И.А. Пчелкин // Успехи физических наук - 1985. - т. 146. - Р.73-104.

259. Rougemaille N. New standard for spin detection / N. Rougemaille // Proc. SPIE -2003.-Vol. 499. - P.38.A.

260. Oberli D. Total Scattering Cross Section and Spin Motion of Low Energy Electrons Passing through a Ferromagnet / D. Oberli, R. Burgermeister, S. Riesen, W. Weber, and H.C. Siegmann // Phys. Rev. Lett - 1998. - Vol. 81. - P.4228-4231.

261. Filipe A. Spin-Dependent Transmission of Electrons through the Ferromagnetic Metal Base of a Hot-Electron Transistorlike System / A. Filipe, H. J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Nagle, J. Peretti, V. I. Safarov, and A. Schuhl // Phys. Rev. Lett. - 1998. -Vol.80. - P.2425-2428.

262. Siegmann H.C. Spin-Dependent Absorption of Electrons in a Ferromagnetic Metal / H.C. Siegmann, D.T. Pierce, and R.J. Celotta // Phys. Rev. Lett. - 1981. - Vol. 46. -P.452-455.

263. Pierce D.T. Spin-dependent elastic scattering of electrons from a ferromagnetic glass, Ni4oFe4oB2o. / D.T. Pierce, R.J. Celotta, and J. Unguris // Phys. Rev. В - 1982. - Vol. 26. -P.2566-2574.

264. Okuda T. A new spin-polarized photoemission spectrometer with very high efficiency and energy resolution / T. Okuda, Y. Takeichi, Y. Maeda, A. Harasawa, I. Matsuda, T. Kinoshita, and A. Kakizaki // REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS - 2008. -Vol. 79.-P.123117-123123.

265. Winkelmann A. High efficiency electron spin polarization analyzer based on exchange scattering at Fe/W(001) / A. Winkelmann, D. Härtung, H. Engelhard, C.-T. Chiang, and J. Kirschner // REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS - 2008. - Vol. 79. -P.083303- 083309.

266. Nishide A. Spin-polarized surface bands of a three-dimensional topological insulator studied by high-resolution spin- and angle-resolved photoemission spectroscopy / A. Nishide, Y. Takeichi, T. Okuda, A.A. Taskin, T. Hirahara, K. Nakatsuji, F.Komori, A.Kakizaki, Y.Ando and I. Matsuda // New Journal of Physics - 2010. - Vol. 12. -P.065011-14.

267. Lassailly Y. Spin-dependent transmission of low-energy electrons through ultrathin magnetic layers / Y. Lassailly, H.-J. Drouhin, A. van der Sluijs, G. Lampel, and C. Marliere // Phys. Rev. B - 1994. - Vol. 50. - P. 13054-13057.

268. Iori K. The self-calibration of a retarding-type Mott spin Polarimeter with a large collection angle / K. Iori, K. Miyamoto, H. Narita, K. Sakamoto, A. Kimura, S. Qiao, K. Shimada, H. Na-matame, and M. Taniguchi, Rev. Sei. Instrum. - 2006. - Vol. 77. -P.013101-013106.

269. Filipe A. Spin Filtering of Free Electrons by Magnetic Multilayers: Towards an Efficient Self-Calibrated Spin Polarimeter / A. Filipe, H.-J. Drouhin, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Nagle, J. Peretti, V. I. Safarov, and A. Schuhl // Phys. Rev. Lett. - 2002. -Vol. 88. - P.066601-066605.

270. Rougemaille N. Injection energy dependence of spin-polarized hot-electron transport through a ferromagnetic metal / oxide / semiconductor junction / N. Rougemaille, D. Lamine, G. Lampel, Y. Lassailly, and J. Peretti // Phys. Rev. B - 2008. - Vol. 77. -P.094409-094415.

271. Tereshchenko O.E. Magnetic and transport properties of Fe/GaAs Schottky junctions for spin polarimetry applications // O.E. Tereshchenko, D. Lamine, G. Lampel, Y. Lassailly, X. Li, D. Paget, J. Peretti // J. of Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109. - p. 113708 - 113708-7.

272. Kisker E. Electron spectrometer for spin-polarized angle- and energy-resolved photoemission from ferromagnets / E. Kisker, Clauberg R and Gudat W. // Rev. Sei. Instrum. - 1982.-Vol. 53.-P.l 137-1145.

273. Qiao S. A new compact electron spin Polarimeter with a high efficiency. / S. Qiao, Kimura A, Harasawa A, Sawada M, Chung J-G and Kakizaki A. // Rev. Sei. Instrum. -1997. - Vol. 68. - P.4390 -4396.

274. Petrov V.N. New compact classical 40 kV Mott Polarimeter / V.N. Petrov, V.V. Grebenshikov, B.D. Grachev and A.S. Kamochkin // Rev. Sei. Instrum. - 2003. - Vol. 74. -P.1278-1282.

275. Petrov V.N. Ultrafast compact classical Mott Polarimeter / V.N. Petrov, V.V. Grebenshikov, A.N. Andronov, P.G. Gabdullin and A.V. Maslevtcov // Rev. Sei. Instrum. - 2007. - Vol. - P.78 025102 - 4.

276. Dil H. Spin and angle resolved photoemission on non-magnetic low-dimensional systems / H. Dil // J. Phys. Condens. Matter - 2009. - Vol. 21. - P.403001-12.

277. Wang G.C. Polarized low-energy-electron diffraction from W(100) / G.C.Wang, R.J. Celotta, and D.T. Pierce // Phys. Rev. B - 1981. - Vol. 23. - P. 1761-1770.

278. Unguris J. Low-energy diffuse scattering electron-spin polarization analyzer / J. Unguris, D.T. Pierce and R.J. Celotta // Rev. Sei. Instrum. - 1986. - Vol. 57. - P. 13146.

279. Jungblut R. Spin-polarized electron spectroscopy as a combined chemical and magnetic probe / R. Jungblut, Ch. Roth, F.U. Hillebrecht and E. Kisker // Surf. Sci. -1992. - Vol. 269/270 - P.615-621.

280. Терещенко O.E. Оптическая регистрация спина электрона в структурах Pd/Fe/GaAs/InGaAs / O.E. Терещенко, А.Г. Паулиш, Т.С. Шамирзаев, М.Н. Неклюдова, A.M. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, X. Li, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti // Труды XV международного симпозиума HAHO ФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 14-18 марта 2011 г., Нижний Новгород -С.363-364.

281. Терещенко O.E. Spin filter effect of Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures: towards an optical measurement of free electron spin / О. E. Tereshchenko, A.G. Paulish, V. A. Golyashov, X. Li, G. Lampe, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti // Abstract of 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-13). July, 3-8, 2011. Prague, Check Republic - P. 17566

282. Tereshchenko O.E. Optical measurement of free electron spin in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure / Tereshchenko O.E., Paulish A.G., X. Li, Lampel G., Lassailly Y., Paget D., Peretti J. // 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia.

283. Терещенко O.E. Оптический детектор спина электрона на основе структур Pd/Fe/GaAs/InGaAs / O.E. Терещенко, А.Г. Паулиш, Т.С. Шамирзаев, М.Н. Неклюдова, А.К. Гутаковский, A.M. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, X. Li, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti // «Фотоника-2011» август , Новосибирск. - С. 120.

284. Filipe A. Magnetism of Fe thin layers on GaAs (001) / A. Filipe and A. Schuhl // J. Appl. Phys.- 1997.-Vol. 81. - P.4359-4364.

285. Tsuruoka T. Combined HREELS/LEED study on the oxidation of GaN surfaces / T. Tsuruoka, M. Kawasaki, S. Ushida, R. Franchy, Y. Naoi, T. Sugahara, S. Sakai, and Y. Shintani // Surf. Sci. - 1998. - Vol. 427-428. - P.257261.

286. Waldrop J.R. Interface chemistry of metal-GaAs Schottky-barrier contacts / J.R. Waldrop and R.W. Grant // Appl. Phys. Lett. - 1979. - Vol. 34. - P.630-633.

287. Brun M. XPS, AES and Auger parameter of Pd and PdO / M. Brun, A. Berthet, J.C. Bertolini // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. - 1999. - Vol. 104. -P.55-62.

288. Moulder J.F. / J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben // in: Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy Edited by J.Chastain, Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division - 1992.

289. Felicissimo M.P. Characterization of a Pd-Fe bimetallic model catalyst / M.P. Felicissimo, O.N. Martyanov, T. Risse, H.-J. Freund // Surface Science - 2007. - Vol. 601. -P.2105-2111.

290. Beutier G. Characterization of FePd bilayers and trilayers using soft x-ray resonant magnetic scattering and micromagnetic modeling / G. Beutier, G. van der Laan, K. Chesnel, A. Marty, M. Belakhovsky, S.P. Collins, E. Dudzik, J.-C. Toussaint, and B. Gilles // Phys. Rev. В - 2005. - Vol. 71. - P. 184436-4.

291. Rhoderick E.H / E.H Rhoderick, Williams R.H. // Metal-semiconductor contacts, Oxford : Clarendon Press Oxford (1978).

292. Claydon J. S. Direct Observation of a Bulklike Spin Moment at the Fe/GaAs(100)-4x6 Interface / J. S. Claydon, Y. B. Xu, M. Tselepi, J. A. C. Bland, and G. van der Laan // Phys. Rev. Lett. - 2004. - Vol. 93. - P.037206-3.

293. Белл P.JI. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством / Р.Л. Белл // М.: "Энергия", - 1978. - С. 192.

294. Pakhnevich A.A. Quality characterization of NEA-photocathode for PES by means of photoemission from defect states / A.A. Pakhnevich, A.V. Yazkov, V.V. Bakin, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler , A.S. Jaroshevich, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov. // Proceedings of the Polarized Sources and Target Workshop, PST2004, , Germany, Sep 29-Oct 2.-P. 104.

295. Motsnyi V.F. Optical investigation of electrical spin injection into semiconductors / V.F. Motsnyi, P. Van Dorpe, W. Van Roy, E. Goovaerts, V. I. Safarov, G. Borghs and J. De Boeck // Phys. Rev. В - 2003. - Vol. 68. - P.245319-7.

296. Tereshchenko O.E. Pd/Fe/GaAs/TnGaAs quantum structure for electron spin detection / O.E. Tereshchenko, T.S. Shamirzaev, A. M. Gilinsky, A.I. Toropov, D.V. Dmitriev, D. Lamine, D. Paget, Y. Lassailly, J. Peretti // Proceedings of the 17 Int. Symp. "Nanostructures: Physics and technology" Minsk, Belarus, June 22-26, - 2009. -P. 332.

297. Soulen R. J. Measuring the Spin Polarization of a Metal with a Superconducting Point Contact / R. J. Soulen, J. M. Byers, M. S. Osofsky, B. Nadgorny, T. Ambrose, S.-F. Cheng, P. R. Broussard, С. T. Tanaka, J. Nowak, J. S. Moodera, A. Barry, and J. M. D. Coey // Science - 1998. - Vol. 282. - P.85-88.

298. Li C.H. Electrical spin injection into the InAs/GaAs wetting layer / С. H. Li, G. Kioseoglou, A. T. Hanbicki, R. Goswami, C. S. Hellberg, and В. T. Jonker, M. Yasar and A. Petrou // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 91. - P.262504-3.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

[Al] Tereshchenko O.E. Composition and structure of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(100) surface / O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. // J. Vac. Sci. Technol. A - 1999. - Vol. 17. - p. 2655-2662.

[A2] Tereshchenko O.E. Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs(lOO) surface/ O.E. Tereshchenko A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi // Surf. Sei. - 2002. - Vol. 507-510. - p. 411-416.

[A3] Paget D. Origin of the broadening of surface optical transitions of As-rich and Ga-rich GaAs(OOl) / D. Paget, O.E. Tereshchenko, A.B. Gordeeva, V.L. Berkovits, G. Onida. // Surf. Sei. - 2003. - Vol. 529. - p. 204-214.

[A4] Tereshchenko O.E. Preparation of clean reconstructed InAs(100) surfaces using HCl/isopropanol wet treatments / O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, F. Wiame, and A. Taleb-Ibrahimi // Appl. Phys. Lett. - 2003. - Vol. 82. -p. 4280-4283.

[A5] Paget D. Surface versus bulk origin of the optical anisotropy of As-rich (001 )GaAs and (001)Gai.xInxAs / D. Paget, C. Hogan, V.L. Berkovits, and O.E. Tereshchenko // Phys. Rev. B - 2003. - Vol. 67. - p. 245313-245317.

[A6] Tereshchenko O.E. Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments / O.E. Tereshchenko, E. Placidi, D. Paget, P. Chiaradia, and A. Balzarotti // Surf. Sei. -2004. - Vol. 570. - p. 237-244.

[A7] Hogan C. Optical anisotropy induced by cesium adsorption on the As-rich c(2><8) reconstruction of GaAs(OOl) / C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida // Phys. Rev. B - 2004. - Vol. 69. - p. 125332-125339.

[A8] Tereshchenko O.E. Composition and structure of chemically prepared GaAs(lll)A and (lll)B surfaces / O.E. Tereshchenko, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov Tereshchenko O.E. // Surf. Sei. - 2006. - Vol. 600. - p. 577-582.

[A9] Berkovits V.L. Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga!_xInxAs alloys / V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko // Phys. Rev. B - 2004. - Vol. 69. - p. 033305 - 033305-4.

[A10] Tereshchenko O.E. Clean reconstructed InAs(lll)A and B surfaces using chemical treatments and annealing / O. E. Tereshchenko, D. Paget, A. C. H. Rowe, V. L. Berkovits, P. Chiaradia, B. P. Doyle, S. Nannarone // Surface Science - 2009. - Vol. 603.-p. 518-522.

[All] Alperovich V.L. Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HC1-isopropyl alcohol solution / V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sei. - 2004. - Vol. 235. -p. 249-259.

[A 12] Tereshchenko O.E. Preparation of As-rich (2x4) - III-As (001) surfaces by wet chemical treatment and vacuum annealing / O.E. Tereshchenko // Phys. Stat. Sol. C -2010.-Vol. 1-4.-p. 264-267.

[A13] Tereshchenko O.E. Preparation of clean reconstructed InP(OOl) using HCl/isopropanol wet treatments / O.E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia,

279

J.E. Bonnet, F. Wiame, A. Taleb-Ibrahimi // Surf. Sci. - 2006. - Vol. 600. - p. 31603166.

[A 14] Tereshchenko O.E. Structure and composition of chemically prepared and vacuum annealed InSb(OOl) surfaces / O.E. Tereshchenko // Appl. Surf. Sci. - 2006. - Vol. 252. -p. 7684-7690.

[A 15] Терещенко O.E. Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством / О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин // ФТТ -2004. - т. 46. - с. 1881-1885. [А16] TerekhovA.S. Variations of the Fermi level, Photovoltage, and Photoemission Threshold on GaAs(100) Surface under Annealing in Hydrogen / A.S. Terekhov, O.E. Tereshchenko, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich 11 Phys. Low-Dim. Struct. - 1995. - Vol. 12. - p. 33-42. [A 17] Toropetsky K.V. New reconstruction-stoichiometry correlation for GaAs(OOl) surface treated by atomic hydrogen / K.V. Toropetsky, O.E. Tereshchenko, D.A. Petukhov, A.S. Terekhov // Appl. Surf. Sci. - 2008. - Vol. 254. - p. 8041-8045. [A 18] Терещенко O.E. Новые Оа-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(OOl) / О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова // Письма в ЖЭТФ - 2009. - т. 89 - с. 209-214. [А19] Tereshchenko О.Е. Backward reconstructions on GaAs(OOl) surfaces induced by atomic hydrogen reactions: surfactant assisted low-temperature surface ordering / O.E. Tereshchenko, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova S.V. Eremeev // The Journal of Physical Chemistry C. - 2013. - Vol. 117. - p. 9723-9733. [A19] Терещенко O.E. Поверхность Cs/GaAs(100): двумерный металл или хаббардовский диэлектрик? / О.Е. Терещенко, А.Н. Литвинов, В.Л. Альперович, А.С. Терехов // Письма в ЖЭТФ - 1999. - т.70. - с.537-542. [А20] Alperovich V.L. Evolution of interface excitations under phase transition in two-dimensional layer of Cs on GaAs(100) and (111) / V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, A.N. Litvinov, and A.S. Terekhov // Appl, Surf. Sci. - 2001. - Vol. 175-176.-p. 175-180.

[A21] Tereshchenko O.E. Metallicity and disorder at the alkali-metaI/GaAs(001) interface / O.E. Tereshchenko, D.V. Daineka, D.Paget. // Phys. Rev. B. - 2001. - Vol. 64. - p. 085310- 085310-11.

[A22] Daineka D.V. Modulated photovoltage changes at the nonmetal-metal transition of the Na/GaAs(001) and K/GaAs(001) interfaces / D.V. Daineka, O.E. Tereshchenko, D. Paget,. Surf. Sci. - 2001. -Vol. 488. - p. 193-206. [A23] Tereshchenko O.E. Structural and electronic transformation at Cs/GaAs(100) interface / O.E. Tereshchenko, V.S. Voronin, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, and A.S. Terekhov // Surf. Sci. -2002. - Vol. 507-510. - p. 51-56.

[А24] Hogan С. A RAS study of the adsorption of electronegative and electropositive elements on GaAs(OOl) / C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, and R. Del Sole // Phys. Stat. Sol. C. -2003. - p. 1-6.

[A25] Chiaradia P. Insulator - metal phase transitions of alkali atoms on GaAs (001) / P. Chiaradia, D. Paget, O.E. Tereshchenko, J.E. Bonnet, A. Taleb-Ibrahimi, R. Belkhou, F.Wiame // Surf. Sci. - 2006. - Vol. 600. - p. 287-297.

[A26] Tereshchenko O.E. Cs-induced charge transfer on (2x4)-GaAs(001) studied by photoemission / О. E. Tereshchenko, D. Paget, P. Chiaradia, F. Wiame, R. Belkhou, and A. Taleb-Ibrahimi // Phys. Rev. B. - 2010. - Vol. 81. - p. 035304-035304-5.

[A27] Tereshchenko O.E. Снижение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2x4)/c(2x8) под влиянием адсорбированного цезия / О.Е. Терещенко, B.JL Альперович, А.С. Терехов // Письма в ЖЭТФ - 2004. - т.79. - с. 163-167.

[А28] Tereshchenko O.E. Cesium-induced surface conversion: from As-rich to Ga-rich GaAs(OOl) at reduced temperatures / O.E. Tereshchenko, D. Paget, V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A.S. Terekhov // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 71. - p. 155315155315-7.

[A29] Терещенко O.E. Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(OOl) / О.Е. Терещенко, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова // Письма в ЖЭТФ - 2011. - т. 93. - р. 647-652.

[А30] Терещенко О.Е. Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(OOl) при селективном воздействии йода и цезия / О.Е.Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович // Письма в ЖЭТФ - 2008. - т.87. - р. 41-44.

[А31] Терещенко О.Е. Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(OOl) / О.Е. Терещенко, С.В. Еремеев, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова // Письма в ЖЭТФ - 2010. - т.91. - с. 383-388.

[А32] Бакулин А.В. Адсорбция хлора на поверхности С,- InAs(001)-(4><2) / А.В. Бакулин, О.Е. Терещенко, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова // ФТП - 2011. - т. 45. - с. 23-31.

[АЗЗ] Tereshchenko О.Е. Etching or stabilization of GaAs(OOl) under alkali and halogen adsorption / O.E. Tereshchenko, D. Paget, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, S.V. Eremeev, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, B.P. Doyle, and S. Nannarone // The Journal of Physical Chemistry C. - 2012. - Vol. 116. - p. 8535-8540.

[A34] Tereshchenko O.E. Magnetic and transport properties of Fe/GaAs Schottky junctions for spin polarimetry applications // O.E. Tereshchenko, D. Lamine, G. Lampel, Y. Lassailly, X. Li, D. Paget, J. Peretti // J. of Appl. Phys. - 2011. - Vol. 109. - p. 113708 - 113708-7.

[A35] Berkovits V.L. GaAs(lll)A and В in hydrazine sulfide solutions: extreme polarity dependence of surface adsorption processes / V.L. Berkovits, V.P. Ulin, O.E.

Tereshchenko, D. Paget, A.C. H. Rowe, P. Chiaradia, B.P. Doyle and S. Nannarone // Phys. Rev. В. - 2009. - Vol. 80. - p. 233303 - 233303-4. [A36] Терещенко O.E. Оптическая регистрация спина электрона в структурах Pd/Fe/GaAs/InGaAs / O.E. Терещенко, А.Г. Паулиш, Т.С. Шамирзаев, М.Н. Неклюдова, A.M. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, X. Li, G. Lampel, Y. Lassailly, D. Paget, J. Peretti // Труды XV международного симпозиума "Нано физика и наноэлектроника" - 2011. 14 - 18 марта. Нижний Новгород. - с.363-364. [A37] Терещенко O.E. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов / O.E. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, A.C. Ярошевич, И.П. Просвирин, Н.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, A.B. Латышев // Письма в ЖТФ - 2012. - т. 38. -с. 27-36.