Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, доктор химических наук Козюхин, Сергей Александрович

• Козюхин, Сергей Александрович
• доктор химических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор химических наук Козюхин, Сергей Александрович

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

глава 1. постановка основных задач и их обоснование. выбор объектов и методов исследования.

§1.1. Химическое модифицирование.

§ 1.2. Структурное модифицирование.

1.2.1. Влияние слабого магнитного поля на диамагнитные материалы.

глава 2. хсп как один из классов некристаллических твердых тел: современные представления о структуре и зонной структуре стеклообразных полупроводников.

§2.1. Структура халькогенидных стеклообразных полупроводников.

2.1.1. Структура элементарного Se и бинарных халькогенидов мышьяка As2X3 (X=S, Se).

2.1.2. Средний порядок.

§ 2.2. Структура электронного спектра и модели дефектов.

2.2.1 .Энергетические зоны в стеклообразных полупроводниках.

2.2.2. Точечные собственные дефекты.

2.2.3. Молекулярные дефекты в стеклах.

§ 2.3. Химическое модифицирование ХСП.

2.3.1. Влияние легких элементов.

2.3.2. Халькогенидные стекла системы Se-Te.

2.3.2.1. Термомеханические характеристики стекол Se-Te.

§ 2.4. Структурное модифицирование ХСП.

2.4.1. Влияние электрического поля на свойства ХСП.

2.4.2. Взаимодействие магнитных полей с ХСП.

глава 3. краткая характеристика экспериментальных методов. привлеченных для исследований.

§ 3.1. Синтез некристаллических халькогенидов.

3.1.1. Халькогенидные стекла.

3.1.2. Тонкие аморфные пленки халькогенидов мышьяка As2X3 (X=S,

3.1.3. Аморфные слои ХСП, полученные спиннингированием расплава.

§ 3.2. Спектральные методы анализа и идентификации стекол и аморфных пленок.

3.2.1. Метод относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии (ОИИ ПЭЛ).

3.2.1.1. Теоретические основы метода.

3.2.1.2. Экспериментальная установка.

3.2.2. Обратное резерфордовское рассеяние (ОРР).

§3.3. Методы изучения морфологии тонких пленок.

3.3.1. Растровая электронная микроскопия.

3.3.2. Атомная силовая микроскопия (АСМ).

§ 3.4. Методы исследования механических свойств ХСП.

3.4.1. Вязкое течение в интервале МСЖ.

3.4.1.1. Автоматическая установка для термомеханических иаэтедований.

3.4.1.2. Калибровка прибора и система термостабилизации.

3.4.1.3. Деформационные кривые стеклообразного селена.

3.4.2. Структурочувствительные механические методы.

3.4.2.1. Микротвердость.

3.4.2.2. Скорость распространения УЗ.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ МАЛЫХ ДОБАВОК НА СВОЙСТВА И СТРУКТУРУ МАССИВНЫХ

Ш1.151,

§ 4.1. Синтез стекол Se-Te в области малых добавок теллура.

4.1.1. Изучение фазового перехода «стекло-кристалл» и концентрационных зависимостей.

4.1.2. ОИИ ПЭЛ стекол Se-Te.

4.1.3. Термомеханические характеристики стекол в интервале

4.1.4. Механические свойства стекол Se-Te при комнатной температуре.

4.1.5. Обсуждение результатов: перколяционная модель и модель дефектов.

§ 4.2. Влияние малых добавок оксида мышьяка (III) на стеклообразные халькогениды мышьяка.

4.2.1. ОИИ ПЭЛ стекол As2S3 и AsSe, модифицированных оксидом мышьяка.

4.2.2. Обсуждение структурных изменений при модифицировании оксидом мышьяка.

ГЛАВА 5. МОДИФИЦИРОВАНИЕ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЫШЬЯКА AS,X? (X=S.Se) КОМПЛЕКСНЫМИ СОЕДИНЕНИЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ

ЭЛЕМЕНТОВ.

§ 5.1. Соединения РЗЭ, используемые для модифицирования ХСП.

§ 5.2. Критерии выбора комплексных соединений РЗЭ, их синтез и анализ.

5.2.1. Люминесцентные свойства (3-дикетонатов РЗЭ.

§ 5.3. Элементный и фазовый анализ аморфных модифицированных пленок ХСП.

5.3.1. Результаты анализа аморфных пленок по данным РФА и рентгенофлуресцентной спектроскопии.

5.3.2. Результаты анализа аморфных пленок по данным ядерного микроанализа и ИК - спектроскопии.

§ 5.4. Морфология аморфных пленок до и после модифицирования.

5.4.1 Морфология аморфных пленок As2Se3.

5.4.2. Морфология модифицированных аморфных пленок As2Se3.

5.4.3. Морфология модифицированных аморфных пленок.

5.4.4. Обсуждение результатов.

§ 5.5. Оптические и электрические свойства тонких пленок.

5.5.1. Спектры оптического поглощения аморфных пленок.

5.5.2. Электрические характеристики модифицированных пленок.

§. 5.6. Применение модели токов, ограниченных пространственным зарядом, в аморфных пленках.

5.6.1. Пленки As2Se3, модифицированные комплексными соединениями. 256

5.6.2. Пленки As2Se3, модифицированные кислородом.

§ 5.7. Фотолюминесценция в пленках, модифицированных КС РЗЭ.

5.7.1. Фотолюминесценция в ХСП, содержащих РЗЭ.

5.7.2. Фотолюминесценция аморфных пленок, модифицированных КС

ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ СЛАБОГО ВНЕШНЕГО МАГНИТНОГО И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

ПОЛЕЙ НА ПРОЦЕССЫ АТОМНОГО ТРАНСПОРТА.

§6.1. Вязкое течение селена в присутствии постоянного магнитного поля.

6.1.1. Влияние постоянного магнитного поля при нерегулируемых градиентах температуры.

6.1.2. Влияние постоянного магнитного поля при регулируемых градиентах температуры.

§ 6.2. Влияние переменного магнитного поля.

§ 6.3. Кристаллизация селена в постоянном магнитном поле.

§ 6.4. Влияние постоянного электрического поля на вязкое течение.

§ 6.5. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 7. ВЛИЯНИЕ СВЕТА. УЗ МАЛОЙ МОЩНОСТИ И СКОРОСТИ ОХЛАЖДЕНИЯ

НА СВОЙСТВА ХСП.

§ 7.1. Электропоглощение в стеклообразных полупроводниках.

7.1.1. Электропоглощение в стеклообразном GeS2.

7.1.2. Динамика структурной метастабильности.

§ 7.2. Квантово-химическое исследование трансформации сетки в GeS2.

§ 7.3. Анизотропия стеклообразного As2S3, индуцированная УЗ воздействием слабой мощности.

7.3.1. Оптическая анизотропия при УЗ воздействии.

7.3.2. Термические свойства после УЗ воздействия.

§ 7.4. Влияние скорости охлаждения на области стеклообразования.

7.4.1. Расширение области стеклообразования в системе As-Te.

7.4.2. Электрические свойства ХСП, полученных спиннингированием расплава.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников»

Стекло известно человечеству с древнейших времен, и сегодня его можно встретить повсюду: в обычных окнах и волоконной оптике, цветных витражах и огромных телескопах, ювелирных украшениях и DVD дисках. Поражает спектр применений этого материала, начиная с самого простого использования в быту и кончая сложными устройствами на основе современных нанотехнологий. Стекло всегда привлекало внимание и художника, и ремесленника, и ученого, поскольку, несмотря на свою тысячелетнюю историю, является наисовременнейшим как техническим материалом, так и вдохновляющим материалом для прикладного искусства.

Физико-химические исследования свойств различных стекол ведутся давно (подробнее см., например, [1]), однако систематическое изучение различных стеклообразных систем началось сравнительно недавно, примерно сто лет назад. К настоящему времени собрано огромное количество экспериментальных данных о свойствах стекол, на их основе выработаны новые концепции и идеи, позволяющие понять важные особенности поведения таких материалов. Тем не менее, физикохимия стекла находится на довольно раннем этапе своего развития, поскольку многие ее фундаментальные проблемы еще не решены. В качестве примера одной их таких проблем можно назвать само определение стекла. Обычное физико-химическое определение отождествляет стекло с веществом, которое образуется из жидкости вблизи температуры стеклования Тд при условии, что охлаждение происходит со скоростью не меньшей некоторой характерной для данного вещества величины. По своей сути это эмпирическое определение не описывает на сегодняшний день весь диапазон стекол, и существует множество технологий, позволяющих получить массивные стекла без плавления исходной шихты, например, широко распространенная золь-гель технология получения гибридных стеклообразных материалов.

Почему в физикохимии стеклообразного состояния в настоящее время существуют фундаментальные нерешенные проблемы? Во-первых, стёкла, как и другие аморфные вещества, представляют из себя термодинамически неравновесные системы, во-вторых, в пространственном расположении их атомов нет строгой периодичности, т.е. в структуре стекол отсутствует дальний порядок при наличии ближнего и среднего порядка; в-третьих, стекла - метастабильные структуры, при этом время, за которое стекло кристаллизуется, т.е. превращается в термодинамически равновесную упорядоченную систему, велико и в некоторых случаях может составлять тысячелетия. Именно сочетание таких свойств, как неравновесность, метастабильность и неупорядоченность структуры порождает основные трудности при решении фундаментальных проблем физикохимии стекол и стеклообразного состояния и является причиной отсутствия общей теории стеклообразования.

Неорганические стекла очень разнообразны по химическому составу и по характеру химических связей в них. Основные стеклообразующие элементы принадлежат к IV (Si, Ge, Sn, Pb), V (P, As, Sb) и VI (S, Se, Те) группам Периодической системы Менделеева. В настоящее время выделяют три основных класса неорганических стекол, различающихся по типу химических связей и коррелирующей с ним оптической щели Ед, т.е. провала в спектре поглощения света. К первому классу относятся диэлектрические стекла, главным образом оксидные, силикатные (например, обычное оконное стекло), для которых характерны сл. параметры: широкая оптическая щель (5-10 эВ) и значительная доля ионных связей. Второй класс представляют стеклообразные полупроводники с преимущественно ковалентными химическими связями, прежде всего халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) (Se, As2Se3, As2S3), которые имеют более узкие оптические щели (1-3 эВ), что определяет их прозрачность в определенной, как правило, ближней инфракрасной (ИК) части спектра. Наконец, третий класс - металлические стекла, в основном интерметаллические сплавы MxOix переходного металла М (Pd, Ni и др.) и неметалла О (в частности, Si, Ge) с преобладающей долей металла. В таких стеклах оптическая щель отсутствует, и они, соответственно, непрозрачны.

У разных классов стекол температуры стеклования Тд, являющиеся характеристическим параметром, и минимальные скорости охлаждения сильно отличаются друг от друга. Например, для оксидных стекол минимальная скорость охлаждения составляет величину порядка 10"1 град/сек., в то время как для металлических стекол эта величина находится на уровне 105 град/сек. Несомненно, такой разброс параметров (около 6 порядков) говорит о существенных различиях в механизмах стеклообразования и, соответственно, подавления кристаллизации. Таким образом, широкий спектр стеклообразных материалов с разнообразными свойствами и сложные фундаментальные первопричины, характерные для данного класса материалов, в значительной степени определяют те задачи и методы исследования, которые были использованы в данной работе.

Актуальность темы. Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП), интенсивное изучение которых началось в середине 50х годов 20 века после открытия Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой у них полупроводниковых свойств [1], выдвинули перед исследователями ряд фундаментальных вопросов, решение которых в той или иной степени за прошедшие 50 лет привело к практическому использованию ХСП в разнообразных приборах. Известно, что возможность легирования кристаллических полупроводников явилась одним из важнейших факторов, способствовавших развитию полупроводниковой электроники. Отсутствие же такого чувствительного способа управления свойствами аморфных полупроводников серьёзно сдерживало развитие в этой области. Практически начиная с первых экспериментальных исследований, было обнаружено, что ХСП не легируются в том смысле как это принято в кристаллических полупроводниках. Н.Ф.Мотт объяснил такую характерную нелегируемость ХСП способностью атомов насыщать свои ковалентные связи уже в расплаве, которая затем сохраняется и в твердом состоянии. В этом состоит принципиальное отличие данных материалов от кристаллов, в которых примесные атомы не могут удовлетворить свои валентные возможности, что приводит к примесной проводимости. Столь уникальные свойства ХСП стали объектом пристального внимания, существует большое количество результатов и моделей для объяснения этого явления. Однако данная проблема еще далека от своего окончательного решения, что открывает новые возможности для исследователей.

Экспериментально было показано, что некоторые примеси способны сильно изменять электрические свойства, и в большинстве случаев это трактуется как изменения состояний в щели подвижности, связанные с 3 дефектными состояниями, что позволяет сделать предположения о природе как примесных, так и собственных дефектов. Анализ литературных данных показывает, что существенные изменения происходят при введении примесей с определенным электронным строением, как правило, аналогов одного из компонентов стекла, например, при легировании ХСП кислородом, который является изоэлектронным с халькогенами элементом. Для бинарных соединений AVBVI это элементы V группы, например, сурьма и висмут, а также металлы основных и дополнительных групп - таллий, медь, серебро и др. Химическое модифицирование аморфных пленок ХСП как способ введения примесных элементов для изменения физико-химических свойств материала был предложен С.Овшинским [2]. В результате высокочастотного сораспыления основного вещества с примесями переходных металлов ему удалось резко изменить электропроводность пленок, чего не удавалось сделать при синтезе через расплав. Основное внимание при модифицировании уделяется исследованию электрических свойств ХСП, в тоже время недостаточно работ, посвященных изучению других, характеристических для стеклообразного состояния свойств, что сдерживает изучение фундаментальных основ данного явления. Остается актуальным для физико-химического анализа ХСП и установление корреляционных зависимостей «свойство - состав - структура» в области малых добавок одного из компонентов, что для ряда стеклообразующих систем имеет принципиальное значение.

Фоточувствительность таких материалов как Se была известна ещё до открытия ХСП, поэтому влияние внешних воздействий, в первую очередь света различного спектрального диапазона, является объектом пристального внимания специалистов. Этому способствовало и широкое применение ХСП, например, в качестве электрографических слоев в копировальной технике. Возможность влиять на данные материалы посредством внешних воздействий представляет интерес для практических целей, что в свою очередь привело к развитию метода структурного модифицирования свойствами ХСП как управления свойствами материала путем изменения его структуры при постоянном химическом составе. Однако, многие фундаментальные вопросы, возникающие при изучении влияния внешних воздействий, пока ещё далеки от окончательного решения. В качестве примера можно привести ситуацию с тонкими аморфными слоями Ge2Sb2Te5 (состав GST), которые используются в качестве запоминающей среды в перезаписываемых дисках формата DVD и в основе работы которых лежит эффект сверхбыстрого фазового перехода из аморфного состояния в кристаллическое. Несмотря на ряд дискуссионных моментов при рассмотрении фундаментальных основ самого явления, эти устройства получили широкое распространение, вытесняя многие другие носители информации.

Обширные физико-химические исследования свойств халькогенидных систем, выполненные в ИОНХ АН СССР под руководством С.А. Дембовского к моменту начала работы, привели к пониманию того, что концепции собственных дефектов с отрицательной корреляционной энергией (-(/ff) в ХСП могут быть применимы не только при изучении электрических свойств, но и при анализе других явлений в стеклах. Идея универсального микроскопического центра, влияя на который можно управлять свойствами ХСП, является перспективной, т.к. позволяет рассматривать многие аспекты явлений в стеклах (структурный, химический, кинетический) на основе единой концепции [3]. Таким образом, актуальность данного исследования определяется необходимостью разработки эффективных методов управления свойствами данных материалов в связи с практическим значением ХСП для различных устройств микроэлектроники.

Цель исследования заключалась в разработке физико-химических основ методов управления свойствами ХСП путем их модифицирования с помощью введения малых добавок электрически и оптически активных примесей (элементов и химических соединений), а также применяя различные неразрушающие внешние воздействия (магнитные и электрические поля, свет, ультразвук слабой мощности). Решение данной задачи потребовало комплексного подхода, включающего в себя как разработку новых методов синтеза и получения ХСП, так и создание оригинальных экспериментальных методик исследований стеклообразных материалов. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи:

• Исследование системы Se-Te в области малых добавок теллура и выяснение роли изоэлектронных элементов в процессах модифицирования. Проведение физико-химического анализа путем изучения концентрационных зависимостей структурочувствительных свойств, исследование процессов вязкого течения в интервале температур соответствующих метастабильной жидкости. Изучение оптических спектров и рентгеновских спектров в диапазоне энергий, соответствующем К - серии, установление корреляционных зависимостей «свойство - состав - структура».

• Исследование структурных изменений в системах As-Se и As-S при модифицировании кислородом путём изучения рентгеновских спектров и динамики изменения параметра относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии (ОИИ ПЭЛ) со временем. Изучение перехода «стекло-кристалл» при изотермической кристаллизации. Исследование в системе As-Se переходов, соответствующих изменению жесткости матрицы стекла, методом ОИИ ПЭЛ.

• Исследование тонкопленочных аморфных структур состава As2X3 (X=S, Se) при модифицировании редкоземельными элементами (РЗЭ), полученных в результате совместного осаждения в вакууме летучих комплексных соединений редкоземельных элементов (КС РЗЭ) и ХСП. Разработка экспериментальных условий для получения аморфных пленок, установление корреляций «свойство - состав», выяснение роли ионов-комплексообразователей и лигандов в процессах направленного изменения свойств.

• Исследование влияния внешнего постоянного магнитного поля (МП) на процессы атомного транспорта в стеклообразном Se: вязкое течение и кристаллизацию. Влияние внешнего переменного МП на вязкое течение селена. Влияние постоянного электрического поля на процесс вязкого течения селена.

• Изучение эффекта электропоглощения в ХСП состава GeS2 и его изменения при облучении внешним сильнопоглощаемым светом. Квантово-химические моделирование гипервалентных конфигураций в дисульфиде германия.

• Исследование влияния ультразвукового излучения слабой мощности на ХСП состава As2S3. Квантово-химические моделирование гипервалентных конфигураций в сульфиде мышьяка.

• Применение метода спиннингирования расплава для расширения областей стеклообразования систем As-Te и Sb-Bi-S и получение новых ХСП, перспективных для устройств записи информации. Изучение кристаллизационных и электрических характеристик некристаллических слоёв.

Научная новизна полученных результатов заключается в следующем.

С применением разработанного метода модифицирования тонких аморфных пленок проведено комплексное исследование тонких пленок состава As2Se3 и As2S3, модифицированных летучими комплексными соединениями редкоземельных элементов (КС РЗЭ) двух типов: диэтилдитиокарбамато РЗЭ Ln(ddtc)3 и дипивалоилметанато РЗЭ Ln(thd)3. Установлен фазовый и элементный состав аморфных пленок. По результатам исследования поверхности пленок установлено влияние РЗЭ на морфологию, связанную с изменениями на наномасштабе. По данным ИК-спектроскопии, фотолюминесценции, оптических и электрических измерений сделан вывод о ближайшем окружении иона РЗЭ в аморфной матрице и дефектных состояниях в запрещенной зоне. Показана принципиальная возможность создания люминесцирующих структур при оптическом возбуждении на основе пленок ХСП, модифицированных КС РЗЭ.

Проведены физико-химические исследования элементарных и бинарных ХСП (Se, As-Se и As-S), модифицированных элементами VI группы и их соединениями, что позволило установить диапазоны концентраций (1-2 ат.% примесей), характеризующиеся аномальным поведением свойств. В системе Se-Te при содержании теллура 1-2 ат.% на концентрационных кривых свойств появляются экстремальные точки, что является аномальным. Данные аномалии наблюдаются как в твердом стекле, так и в интервале метастабильной жидкости при изучении вязкого течения. Проведенный расчет позволил связать наблюдаемые аномалии с дефектами, имеющими повышенную координацию типа гипервалентных конфигураций (ГВК). Это коррелирует с данными рентгеновской спектроскопии и рассчитанными значениями относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии (ПЭЛ ОИИ). Данный неразрушающий метод впервые применен к ХСП для изучения структурных изменений на уровне ближнего порядка.

Выявлена кинетика структурных изменений в ХСП систем As-Se и AsS при их модифицировании кислородом, а также при фазовом переходе «стекло-кристалл» в результате изотермической кристаллизации. Установлены структурные изменения в ближнем порядке стеклообразных Se, As2Se3 и As2S3 при кристаллизации. Проведено изучение структурных изменений методом ОИИ ПЭЛ в системе As-Se и установлены корреляции с изменениями жесткости аморфной матрицы.

Установлен эффект влияния внешнего магнитного поля (МП) на вязкое течение Se, который представляют интерес как низкоэнергетический способ управления свойствами. Выявлены общие закономерности эффекта в зависимости от взаимного направления вектора индукции постоянного МП и вязкого течения, его напряженности и температуры. Показано, что при приложении переменного МП постоянной частоты /=50 Гц эффект имеет место только при определенной температуре, что принципиально отличает его от эффекта в постоянном МП. Описан характер изменения вязкости Se в переменном МП при варьировании частоты поля. Установлен эффект влияния постоянного МП на изотермическую и неизотермическую кристаллизацию селена, рассчитаны активационные параметры процесса.

На основании исследования эффекта электропоглощения в GeS2 показано, что как при интенсивной внешней засветке белым светом, так и после прекращения внешнего возбуждения, структура стекла становится метастабильной. Применение метода шумовой спектроскопии для анализа кинетики процесса позволило определить энергетическое положение, а также иерархию фотоиндуцированных дефектов, определяющих эффект.

Впервые для получения в некристаллическом состоянии составов систем As-Te и Sb-Bi-S применен метод спиннингирования расплава, что позволило получить новые стекла в виде некристаллических лент; на основании исследования кристаллизационных и электрических свойств сделан вывод об их перспективности для устройств фазовой памяти.

Практическая значимость работы состоит в развитии и разработке методов модифицирования ХСП, которые могут быть применены при разработке элементов памяти, переключателей и других электронных компонентов на основе халькогенидных некристаллических полупроводников. Эффект влияния слабого внешнего магнитного поля был использован в качестве нового способа управления параметрами пороговых переключателей на основе ХСП сложного состава. Новые некристаллические материалы, полученные совместным термическим осаждением в вакууме ХСП и комплексных соединений РЗЭ, а также при спиннингировании расплавов As-Te и Sb-Bi-S, являются перспективными средами для устройств оптоэлектроники ближнего и среднего ИК -диапазона и устройств, использующих эффект фазовой памяти.

Разработанная при выполнении работы конструкция установки для термомеханических исследований полимерных и стеклообразных материалов используется в практической деятельности ряда лабораторий, работающих с данными материалами.

Материалы диссертации, связанные с физико-химическим анализом стеклообразных систем, используются автором при чтении курса лекций «Физическая химия» для студентов Московского Государственного Университета Инженерной Экологии, а также в курсе лекций «Физика и технология некристаллических полупроводников» для студентов Московского Энергетического Института (ТУ) и при выполнении выпускных работ бакалавров и магистров по направлению «электроника» и инженеров по специальности «твердотельная электроника и микроэлектроника».

Основные положения, выносимые на защиту

1. Модифицирование аморфных пленок ХСП летучими комплексными соединениями редкоземельных элементов (Nd, Рг, Eu, Tb, Ег, Yb) посредством совместного термического осаждения в вакууме.

2. Нелинейное поведение свойств халькогенидных стекол в области малых добавок элементов VI группы (кислород и теллур).

3. Применение внешних воздействий: слабые магнитные и электрические поля, облучение светом, неразрушающее УЗ воздействие, в качестве низкоэнергетических способов управления свойствами ХСП.

4. Спиннингирование расплава ХСП как способ получения новых некристаллических материалов.

Личный вклад автора. В основу работы положены результаты исследований, выполненные при непосредственном участии автора в период с 1982 по 2006 годы. Соискателю принадлежит основная роль в выборе направлений исследований, постановке задачи, выполнении экспериментальных исследований и интерпретации результатов эксперимента.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Козюхин, Сергей Александрович

Общие выводы по работе могут быть сформулированы сл. образом.

1. На основе выполненных экспериментальных исследований, созданных модельных представлений и сопоставления полученных результатов с литературными данными решена актуальная научная задача по модифицированию халькогенидных стеклообразных полупроводников. Посредством комплексного и систематического исследования структурных, механических, электрических и оптических характеристик неорганических стекол и аморфных пленок выработаны общие методологические подходы к управлению свойствами ХСП. Выявленные закономерности и особенности зависимостей «свойство - состав - структура» при использованных способах модифицирования (введение примесных атомов и низкоэнергетические внешние воздействия) являются основой для получения материалов с заданными свойствами.

2. На основе проведенных исследований элементарных и бинарных ХСП, модифицированных элементами VI группы и их соединениями, установлено, что на концентрационных кривых свойств стеклообразного селена при содержании теллура 1-2 ат.% появляются экстремальные точки, и такое поведение является аномальным для системы Se-Te, поскольку селен и теллур образуют непрерывный ряд твердых растворов в соответствии с равновесной диаграммы состояния. Аномалии наблюдаются как в твердом стекле при температурах ниже температуры размягчения, так и в интервале метастабильной жидкости при изучении вязкого течения. Проведенный расчет активационных параметров вязкого течения и параметров в модели «кинетической хрупкости» позволил установить, что наблюдаемые аномалии могут быть связаны с молекулярными дефектами, имеющими повышенную координацию типа гипервалентных конфигураций (ГВК). Проведенные исследования стекол Se-Te методом рентгеновской спектроскопии показали, что на концентрационной зависимости рассчитанного параметра относительной интегральной интенсивности последней эмиссионной линии (ПЭЛ ОИИ) имеется минимум при 1-2 ат.% Те. Это свидетельствует об изменениях в ближнем порядке селена при химическом модифицировании. Показано, что модель перколяционного взаимодействия дефектов в области малых добавок одного из компонентов, разработанная для смешанных кристаллов, может быть применима и для некристаллических полупроводников.

3. Выполнено систематическое исследование структуры ближнего порядка методом рентгеновской спектроскопии в стеклах систем As-Se и As-S при химическом модифицировании оксидом мышьяка As203, а также самого соединения As203, используемого при модифицировании, и других соединений с кислородом: As205 и НзАзО^О.бНгО. Показано, что в структуре ближнего порядка стеклообразного сульфида мышьяка происходят изменения, связанные с изоморфным замещением структурных единиц; в стёклах AsSe изменения имею место только в окружении атомов селена. Временные зависимости параметра ОИИ ПЭЛ мышьяка в оксидах отражают сложный характер изменений в валентной зоне As, связанный с процессами гидролиза. Совокупность проведенных исследований позволяет сделать вывод, что чувствительность и точность неразрушающего метода ПЭЛ ОИИ при его применении к неупорядоченным полупроводникам и стеклам является достаточной как для аналитических исследований, так и для изучения структурных изменений на уровне ближнего порядка.

4. Установлено, что при изотермической кристаллизации ХСП составов As2S3, As2Se3, а также Se происходят изменения в ближнем окружении стёкол. Найдено, что интегральный параметр ОИИ ПЭЛ, описывающий ближний порядок в веществе, больше у стеклообразных материалов, чем у кристаллов соответствующих составов. Относительные изменения составляют 5-7% для Se и 11-13 % для бинарных соединений халькогенидов мышьяка. Эти результаты соответствуют литературным данным, полученным с помощью других структурных методов, в частности, дифракционных, а также модели гипервалентных конфигураций, характерных для стеклообразного состояния. В системе As-Se также изучены переходы соответствующие изменению жесткости аморфной матрицы в данной системе, и установлены корреляции между интегральным параметром ОИИ ПЭЛ мышьяка и т.н. «термическим окном необратимости» (thermally non-reversible window).

5. Разработан метод модифицирования аморфных тонких пленок ХСП As2X3 (X=S, Se) редкоземельными элементами (РЗЭ), основанный на совместном термическом осаждении в вакууме ХСП и летучих комплексных соединений (КС РЗЭ): диэтилдитиокарбаматы РЗЭ Ln(ddtc)3 и дипивалоилметанаты РЗЭ Ln(thd)3 (Ln=Pr, Sm, Eu, Tb, Er, Yb). В соединениях первого типа лиганды не содержат кислород а в соединениях второго типа хелатные лиганды имеют в своем составе два атома кислорода. Отработана методика получения данных пленок путём испарения в вакууме из двух независимых источников на разные типы подложек. Аморфные пленки As2Se3:Ln(thd)3 (Ln = Eu, Tb, Er, Yb) охарактеризованы методами спектрального анализа и ядерного микроанализа, что позволило установить их фазовый и элементный состав. Выявлен нелинейный характер зависимости концентрации ионов РЗЭ, кислорода и углерода в аморфную матрицу от массы исходной навески КС и показано, что в соответствии с данными обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) концентрация РЗЭ может достигать величины 2 ат.%. Анализ чистых пленок Ln(thd)3 показал, что в процессе испарения комплексного соединения происходит отрыв метильных групп СН3, а ближайшее окружение катиона РЗЭ сохраняется. Проведено исследование морфологии поверхности пленок методами сканирующей зондовой и электронной микроскопии и найдено, что характер поверхности полученных пленок селенида мышьяка зависит от катиона РЗЭ и его концентрации. Данные атомной силовой микроскопии позволили определить изменения на наномасштабе при химическом модифицировании плёнок, что выражается в увеличении размеров неровностей пленки в зависимости от модифицирующего соединения, а также в изменениях топологии поверхности на микромасштабе по данным растровой электронной микроскопии.

6. Проведено изучение оптических, электрических и люминесцирующих свойств тонких пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных КС. На основании результатов по оптическому пропусканию в области урбаховского края рассчитаны коэффициент поглощения пленок и установлено, что изменения оптической ширины запрещенной зоны в модифицированных пленках не превышают величины 0,15 эВ и зависят от иона РЗЭ. Данные по ИК - спектроскопии пленок и результаты по фотолюминесценции также свидетельствуют в пользу вывода о том, что ближайшее окружение иона РЗЭ при термическом испарении сохраняется. Измерение вольт - амперных характеристик при комнатной температуре позволило сделать заключение о механизме проводимости, в соответствии с которым в данных пленках возможно протекание токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ). Проведено моделирование состояний в запрещенной зоне ХСП в зависимости от иона РЗЭ и показана принципиальная возможность изменения положения уровня Ферми при данном методе химического модифицирования.

Результаты изучения ФЛ при комнатной температуре позволяют считать ХСП перспективными матрицами для создания излучающих структур при оптическом возбуждении.

7. Изучены электрические и оптические характеристики тонких пленок As2Se3, модифицированных кислородом. Найдено, что ВАХи имеют степенные зависимости тока от средней напряженности поля типа l~Un, где п=1-5, в зависимости от участка ВАХ. Такое поведение типично для токов ограниченных пространственным зарядом. Проведенный анализ характеристики позволил оценить плотность распределения ловушек вблизи уровня Ферми и выполнить оценочные расчеты по определению энергетической диаграммы структуры. Предложена модель, в которой роль кислорода при модификации пленки связана с пассивацией локальных дефектов в результате замены слабых химических связей на более сильные.

8. Впервые обнаружен и описан эффект влияния слабого внешнего магнитного поля (МП) на вязкое течение стеклообразного селена. Установлены основные закономерности поведения эффекта в зависимости от взаимного направления вектора индукции постоянного МП и направления вязкого течения, напряженности МП и температуры образца.

Показано, что при приложении переменного МП (синусоида с постоянной частоты /=50 Гц) эффект изменения вязкости имеет место только при определенной температуре, что принципиально отличает его от эффекта в постоянном МП. По абсолютной величине в точке максимума эффект составляет величину, соответствующую изменению коэффициента вязкого течения в 2-3 раза. Установлен анизотропный характер эффекта: в параллельном МП вязкость уменьшается; в перпендикулярном -увеличивается относительно значений вязкости в бесполевых условиях. Найдено, что при изменении частоты переменного внешнего поля в диапазоне 37-50 Гц с уменьшением частоты температура максимального эффекта также уменьшается. Предложенная теоретическая модель эффекта в переменном МП базируется на представлениях о метастабильных гипервалентных конфигурациях, обладающих магнитным моментом, и кинетике процессов их образования/разрушения, меняющейся при совпадении частоты поля с собственной частотой термически активированного процесса образования подобного рода дефектов.

В постоянном МП изменения вязкого течения Se наблюдаются при Н>250 Э, эффект составляет AlgfV") = 0,09 + 0,14. Эффект не зависит от температуры, но зависит от направления вектора индукции МП, т.е. является анизотропным. Предложена модель, основанная на спин -зависимой рекомбинации дефектов в ХСП, меняющейся при наложении внешнего МП.

9. Впервые установлен и описан эффект влияния постоянного МП на кристаллизацию селена по оптическому затемнению в диапазоне напряженностей МП Н-0-700 Э. Установлено, что при изотермической выдержке (Т=60°С) магнитное поле Н=700 Э замедляет процесс кристаллизации селена, и эффект составляет 70% при определении его по времени полузатемнения образца. Рассчитаны активационные параметры изотермической кристаллизации, что позволило связать наблюдаемый эффект со стадией образования кристаллических зародышей в стеклообразной матрице и с влиянием магнитного поля на этот процесс. Установлено, что в режиме неизотермической кристаллизации эффект носит более сложный характер, при этом имеет место закономерный сдвиг

ГЛАВА 8. ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ.

Халькогенидные стеклообразные полупроводники интересны прежде всего разнообразием физико-химических свойств и возможностью их применения в различных устройствах. Сформулированная в начале данного исследования общая цель работы как разработка способов управления свойствами ХСП и, соответственно, вытекающие из неё задачи определили основные подходы к их решению. При этом необходимо подчеркнуть, что теоретической основой для постановки работы послужили концепции дефектов с отрицательной корреляционной энергией (в первую очередь ТЦС и/или ГВК, а также дефекты типа D+-D"), встроенных в относительно жёсткую ковалентную сетку ХСП. Очевидно, что модели дефектов в стеклообразных полупроводниках останутся гипотезами до тех пор, пока их существование не будет доказано прямыми экспериментальными методами (с учетом специфики стеклообразного состояния). И хотя полученные в ходе выполнения работы результаты нельзя отнести к данным из «прямых» экспериментам, тем не менее, следует отметить, что «по совокупности» косвенных доказательств дефекты достаточно четко проявляются в свойствах ХСП, вплоть до возможности расчета конкретных энергетических величин различными способами, например, квантово-химические расчеты ГВК, положение фотоиндуцированных дефектов в запрещенной зоне и т.д.

Особое внимание при таком подходе приобретает постановка экспериментов эвристического характера, что и было продемонстрировано в данной работе, например, эксперименты по влиянию слабых электромагнитных полей и УЗ, прикладываемых к МСЖ, на свойства стекла; получение аморфных материалов с аномальными электрическими свойствами в результате сверхбыстрого охлаждения расплавов халькогенидов и т.д. Следует отметить, что эффективное управление свойствами ХСП - это слишком обширная и достаточно сложная область, чтобы её можно было «закрыть» одной диссертационной работой или одной концепцией. Поэтому предложенный подход модифицирования позволяет, не отвергая существующие модели и теории, наметить новые пути для реализации потенциала ХСП.

Некоторые эффекты, обнаруженные и изученные в ходе выполнения работы, нашли применение в практике других исследовательских Институтов, что подтверждается актами внедрения, которые приведены в Приложении.

Список литературы диссертационного исследования доктор химических наук Козюхин, Сергей Александрович, 2007 год

1. Шульц М.М. О природе стекла.// Природа. 1986. С.41-52.

2. Ovshinsky S.R. Chemical modification of amorphous chalcogenide.// In: Amorphous and Liquid Semiconductors. 1977. Edinburgh. P.517-523.

3. Химический энциклопедический словарь. M.: Советская энциклопедия, 1983. С.346.

4. Zachariasen W.H. The atomic arrangement in glass.// J. Am.Chem.Soc., 1932. V.54. P. 3841-3851.

5. Бартенев Г.М. Строение и механические свойства неорганических стекол. М.: Стройиздат, 1966. 216 с.

6. Spear W.E., Le Comber P.G. Doped amorphous semiconductors.// in "Amorphous and Liquid Semiconductors". 1977. Edinburgh. P.309-322.

7. Ле-Комбер П., Спир У. Легированные аморфные полупроводники.// в кн. «Аморфные полупроводники» под ред. М.Бродски. М.: Мир. 1982. С.311-354.

8. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.

9. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М.: Металлургия, 1984.176 с.

10. Татаринова Л.И. Структура твердых аморфных и жидких веществ. М.: Наука, 1983.149 с.

11. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971.304 с.

12. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев: Наукова Думка. 1976.280 с.

13. Tauc J. Physics of Structurally Disordered Solids, ed. J.Mitra., N.Y.: Plenum Press. 1974.

14. Роуссон Г. Неорганические стекпообразующие системы. M.: Мир. 1969.308 с.

15. Вайполин А.А., Порай-Кошиц Е.А. О структуре стеклообразных халькогенидов мышьяка.// ФТТ. 1963. Т.5. С.246-255.

16. Caprion D., Schober H.R. Computer simulation of liquid and amorphous selenium.//J. Non-Cryst. Solids. 2003. V.326&327. P.369-373.

17. Minaev V.S., Timoshenkov S.P., Kalugin V.V. Structural and phase transformations in condensed selenium.// J. Optoelectronics and Adv. Materials. 2005. V.7, No.4. P. 1717-1741.

18. Corb B.W., Wei W.D., Averbach B.L. Atomic models of amorphous selenium.//J. Non-Cryst. Solids. 1982. V.53 (1-2). P.29-42.

19. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Селен и селенвды. М.:Наука.1964.319 с.

20. Richter Н. Different forms of amorphous selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1972. V.8&10. P. 388-393.

21. Richter H., Breitling G. Verschiedene Formen von amorphen Selen.// Z. Naturforsh. 1971. 26A. S. 1699-1708.

22. Kaplow R., Rowe T.A., Averbach B.L. Atomic arrangement in vitreous selenium.//Phys. Rev. 1968. V.168, N3. P.1068-1079.

23. Andonow P. Studies of non-crystalline forms of selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1982. V.47, N3. P.297-339.

24. Misawa M., Suzuki К. Ring-chain transition in liquid selenium by a disordered chain model.// J. ofthe Phys. Soc. of Japan. 1977. V.44, No.5. P.1612-1618.

25. Бартенев Г.М., Зеленев Ю.В. Курс физики полимеров. Л.: Химия. 1976.287 с.

26. Krebs Н., Morsch W. Die Molekelgrosse des amorchen schwarzen Selen. //Z. for anorg. und allgem. Chem. 1950. V.263. S. 305-309.

27. Eisenberg A., Tobolsky A.V. Viscoelastic properties of amorphous selenium.// J. of Polim. Science. 1962. V.61. P. 483-495.

28. Eisenberg A., Tobolsky A.V. Equilibrium polymerization of selenium.// J. of Polim. Science, I960, V.56, P. 19-28.

29. Stephens R. Structural changes in amorphous selenium.// Phys. Rev. B: Cond. Mat. 1984. V.30, No. 9. P. 5195-5202.

30. Chaudhari P., Beardmore P., Bever M.B. On the thermodynamic properties of amorphous and hexagonal selenium.// Phys. and Chem. of glass. 1966. V.7, N5. P.157-158.

31. West E.D. The heat capacity of sulfur from 25 to 450°C, the heat and temperatures of transition and fusion.// J. of Amer. Ceramic Soc. 1959. V.81, No.1. P.29-37.

32. Selenium, ed. by R.A.Zhingaro and W.C.Cooper. 1974. New-York.

33. Richter H., Breitling G. Flachengitter in geschmolzenen Zinn und Silber sowie in amorchen festen Selen nach der Fourier-Analyse.// Z. for Naturforsch. 1966. 21A. S.1710-1718.

34. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. 2-е изд., перераб. и доп., (в 2х томах). М.: Мир. 1982.663 с.

35. Long М., Galison P., Alben R., Connel G.A.N. Model for the structure of amorphous selenium and tellurium.// Phys. Rev. B. 1976. V.15, No.4. P.1821-1829.

36. Briegleb G. Die dynamisch-allotropen Zustande des Selens (I, II).// Z. phys. Chem. 1929. V.A144. S.321-358.

37. Krebs H. Die Struktur des glasigen Selens und dessen katalytische Umwandlung in das hexagonalkristallisierte.// Z. fUr anorg. und allgem. Chem. 1951. V.265. S.156-168.

38. Lucovsky G. The amorphous and liquid states.// In: "The physics of Selenium and Tellurium" , ed. by E.Gerlach and P.Grosse. Springer Series in Solid State Science 13.1979. Springer-Verlag. 256 p.

39. Kolobov A.V., Oyanagi H., Tanaka K. et al. Structural study of amorphous selenium by in situ EXAFS: Observation of photoinduced bond alternation.// Phys. Rev.B: Cond. Matter. 1997. V.55, No.2. P.726-734.

40. Peled A., Baranauskas V., Rodrigues C. et al. Characterization of photodeposited selenium planar structures by scanning force microscope.// J. Appl. Phys. 1995. V.77. No. 12. P.6208-6213.

41. Полтавцев Ю.Г., Позднякова B.M., Рубцов В.П. Рентгенографическое исследование структуры стеклообразных As2Se3 и As2S3.// Укр. Физ. Журнал. 1973. Т.18, №6. С.915-917.

42. Petz J.I., Kruh R.F., Amstutz G.C. X-ray diffraction study of lead sulfide -arsenic sulfide glasses.// J. Chem Phys. 1961. V.34, No. 2. p.526-529.

43. Hopkins Т.Е., Pasternak R.A. et al. X-ray diffraction study of arsenic trisulfide iodine glasses.// J. Phys. Chem., 1962. V.66, No.3. P.733-736.

44. Georgiev D.G., Boolchand P., Jackson K.A. Intrinsic nanoscale phase separation of bulk As2S3 glass.// Phil. Mag. 2003. V.83. No.25. P.2941-2953.

45. Liang K.S. Local atomic arrangement and bonding studies in amorphous As2Se3-As4Se4.//J. Non-Cryst. Solids. 1975. V.18, No.2. P. 197-207.

46. Mytilineou E., Kolobov A. Short-, medium- and long-order structural transformations in amorphous semiconductors// in "Photo-induced metastability in amorphous semiconductors", A.Kolobov (Ed.), WILEY-VCH GmbH. 2003. P.4&57.

47. Popov A. Atomic structure and structural modification of glass, in: Semiconductors and Semimetals. V.78. Amsterdam. Ed. R.Fairman and B.Ushkov. 2004. p.51.

48. Baidakova M.V., Faleev N.N., Mazets T.F. et al. Nano-scale medium-range order in semiconducting glassy chalcogenides.// J. Non-Cryst. Solids. 1995. V.192-193. No.2. P. 149-152.

49. Elliot S.R. Medium-range order in amorphous materials: documented cases.//J. Non-Cryst. Solids. 1987. V.97&98. P. 159-162.

50. Порай-Кошиц E.A. О структуре однокомпонентных стекол.// ФХС, 1977. Т.З, №.4. с.292-305.

51. Leadbetter A.J., Apling A.J. Diffraction studies of glass structure: The structure of some arsenic chalcogenide glasses.//. J. Non-Cryst. Solids. 1974. Vol. 15. P. 260-268.

52. Busse L.E., Nagel S.R. Temperature dependence of the structure factor of As2Se3 glass up to the glass transition.// Phys. Rev. Lett. 1981. Vol.47. P. 1848-1851.

53. Busse L.E. Temperature dependence of the structures of As2Se3 and ASxS^x glasses near the glass transition.// Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. P. 3639-3651.

54. Neufville J.P., de Moss S.C, Ovshinsky S.R. Photostructural transformations in amorphous As2Se3 and As2S3 films.//. J. NorKtyst Solids. 1973. Vol. 13. P. 191-223.

55. Apling A.S., Leadbetter A.J., Wright A.C. A comparison of the structures of vapour deposited and bulk arsenic sulphide glasses.// J. Non-Cryst. Solids. 1977. V. 23. P. 369-384.

56. Rowlad S. C, Narasimhan S., Bienenstock A. Radial distribution studies of glassy Ge^x alloys.// J. Appl. Phys. 1972. V. 43. No.6. P. 2741-2745.

57. Lin C., Busse L.E., Nagel S.R., Faber J. Temperature dependence of the structure factor of GeS2 glass.// Phys. Rev. B. 1984. V. 29. P. 5060-5062.

58. Fuoss P.H., Eisenberger P., Warburton W.K., Bienenstock A. Application of differential anomalous X-ray scattering to structural studies of amorphous materials.// Phys. Rev. Lett. 1981 .V.46. P. 1537-1540.

59. Uemura O., Sagara Т., Satow T. The neutron diffraction study of amorphous GeSe2.// Phys. Status Solidi. (a). 1975. V. 32. P. K91-K94.

60. Tsutsu H., Tamura K., Eudo H. Photodarkening in glassy As2S3 under pressure ages.// Solid State Communications. 1984. V. 52. P. 877-879.

61. Tanaka Keiji. Pressure-structural and optical studies of glassy chalcogenides.//J. Non-Cryst. Solids. 1987. Vol. 90. P. 363-370.

62. Moss S.C., Price D.L. in Physics of Disordered Materials. Ed. by D. Adler, H. Fritsche, S.R.Ovshinsky. N.Y.: Plenum Press, 1985. P. 77.

63. Price D.L., Moss S.C., Reijers R., Saboungi M-L., Susman S. Intermediate-range order in glasses and liquids.//J. Phys.: Condens. Matter. 1989. Vol. I, P. 1005-1008.

64. Bridenbaugh P.M., Espinosa C.P., Griffiths J.E., Phillips J.C, Remeika J. R. Microscopic origin of the companion A* Raman line in glassy Ge(S,Se)2.// Phys.Rev. B. 1979. Vol. 20. P. 4140-4144.

65. Phillips J. С Topology of covalent non-crystalline solids II: Medium-range order in chalcogenide alloys and a-Si(Ge).// J. NorvCiyst Solids. 1981. Vol.43. P. 37-77.

66. Tanaka Keiji. Topological phase transitions in amorphous semiconductors.//J. Non-Cryst. Solids. 1987. Vol. 97-98. P. 391-398.

67. Galeener F.L., Wright A.C. The J.C.Phillips model for vitreous Si02: A critical appraisal.// Solid State Comm. 1986. V.57.N8. P.677-682.

68. Elliot S.R. Origin of the first diffraction peak in the structure factor of covalent glasses.// Phys.Rev.Lett. 1991. V.67. P.711-714.

69. Elliot S.R. The origin of the first diffraction peak in the structure factor of covalent glasses and liquids.// J. of Phys.: Condensed Matter. 1992. V.4. P.7661-7678.

70. Daniel M.F., Leadbetter A.J., Wright R.C. The structure of vapour-deposited arsenic sulphides. // J. Non-Cryst. Solids. 1979. V.32. P.271-293.

71. Dejns R.J., Susman S., Volin K.J., Price D.L. and Montague D.G. The structure of silver-germanium-selenium glass.//J. Non-Cryst. Solids. 1988. V.106. P.34-37.

72. Мазец Т.Ф., Сморгонская Э.А, Тихомиров В.К. и др. Суперструктура в оптической анизотропии стеклообразного As2S3 с примесью 1п.//ЖТФ. 1992. Т.18., вып.2. С.39-44.

73. Mazets T.F., Smorgonskaya Е.А., Tikhomirov V.K. Stable anisotropy in glassy As2S3:ln.// J. Non-Cryst. Solids. 1993. V.164-166, part 2. P.1215-1217.

74. Mooser E., Pearson W.B. The chemical bond in semiconductors. The group VB to VIIB elements and compounds formed between them.// Canad.J.Phys. 1956. V.34. No.12A. P.1369-1376.

75. Kastner M. Bonding bands, lone-pair bands, and impurity states in chalcogenide semiconductors.// Phys. Rev. Lett. 1972. V.28. No.6. P.355-357.

76. Drews R.E., Emerald R.L., Slade M.L., Zallen R. Interband spectra of As2S3 and As2Se3 crystals and glasses.// Solid State Comm. 1972. V.10, No.3. P.293-296.

77. Ovshinsky S.R., Adler D. Progress in the science and application of amorphous materials.// J. Non-Cryst. Solids. 1987. V.90. P.229-241.

78. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. М.; Л.: изд. АН СССР. 1966. 250 с.

79. Cohen М.Н., Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys.// Phys. Rev. Lett. 1969. V.22. P. 1065-1068.

80. Davis E.A., Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors.// Phil. Mag.V.22.1970. P.903-922.

81. Mott N.F. Evidence for a pseudogap in liquid mercury.// Phil.Mag. 1972. V.26, No.3. P.505-522.

82. Taylor C.P. The localization of electrons in amorphous semiconductors: a twenty first century perspective.// in Book of abstracts. ICANS21. 2005. Portugal, Lisbon. P.1.

83. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors.// Phys. Rev. Lett. 1975. V.34, No. 15. P.953-955.

84. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors.// Phys. Rev. Lett. 1975. Vol. 35. № 19. P. 1293-1296.

85. Mott N.F, Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors.// Phil. Mag. B. 1975, V.32, N5. P.961-996.

86. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors.// Phys. Rev. Lett., 1976. V. 37, №22. P. 1504-1507.

87. Kastner M., Hudgens S.J. Evidence for the neutrality of luminescencecentres in chalcogenide glasses.// Phil. Mag. B. 1978. V.37, №2. P. 199-215.

88. Kastner M. Defects in lone-pair semiconductors: the valence-alternation model and new directions.// J. of Non-Cryst. Solids. 1980. V. 35-36. P. 807-817.

89. Попов H.A. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.// Письма вЖЭТФ. 1980. Т.31, №8. С. 139-142.

90. Попов Н.А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.// ФТП. 1981. Т. 15, № 2. С.369-374.

91. Dembovsky S.A. The connection of quasi defects with glass forming in the substances with high lone-pair electron concentration.// Mat. Res. Bull. 1981, V.16. P.1331-1338.

92. Дембовский С А, Чечеткина E А Стеклообразование. M., Наука. 1990.277 с.

93. Дембовский С.А. Проблема халькогенидных стеклообразующих материалов в свете эмпирической попугаличественной теории стекпообразованияУ/ Известия АН СССР, серия «Неорганические материалы». 1978. Т.14, №5. С.803-813.

94. Dembovsky S.A., Chechetkina Е.А. Resonance phenomena and defects in amorphous selenium.// Phil. Mag. B. 1986. V.53. P.367-381.

95. Dembovsky S.A., Chechetkina E.A. Glassy state claries through chemical bonds and their defects. // J. Non-Cryst. Solids. 1986, V.85. P.346-357.

96. Дембовский C.A., Чечеткина E.A. Процессы в стеклах, связанные с дефектами.// Известия АН СССР, оерия «Физическая». 1986. Т.50, №3. С.516-521.

97. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А., Козюхин С.А. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники.// Письма вЖЭТФ, 1985. Т.41, №2. С. 74-76.

98. Геллер И.Х., Попов А.И., Коломиец Б.Т. Кристаллизация Se под воздействием электрического поля различной частоты.// Известия АН СССР, серия «Неорганические материалы». 1975. Т.9, №1. С.127-128.

99. Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В. Моделирование гипервалентных конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S и a-As2S3.// ФТП. 1998. Т.32, №8. С. 944-951.

100. Dembovsky S.A., Zyubin A.S., Grigor'ev F.V. Negative -U centers in glassy semiconductors: quantum-chemical modeling of amorphous sulfur.// J. Optoelectronics and Adv. Materials. 1999. V.1, N4. P.21.

101. Зюбин A.C., Дембовский C.A., Козюхин С.А. Квантово-химическое исследование трансформации непрерывной неупорядоченной сетки в стеклообразном GeS2.// Журнал неорганической химии. 1998. Т.43. №4. С.631-637.

102. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (под ред. Цэндина К.Д.). СПб.: Наука. 1996.486 с.

103. Lacourse W.C., Twanddell V.A., Mackenzie J.D. Effects of impurities on the electrical conductivity of glassy selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1970. V.3. N2. P.234-236.

104. Twanddell V.A., Lacourse W.C., Mackenzie J.D. Impurity effects on the structure and electrical properties of non-crystalline selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1972. V.8-10. P.831-835.

105. Попов А.И. Исследование механизма влияния изоэлекгронной примеси на электропроводность аморфного Se.// Неорганические материалы. 1978. Т.14, №2. С.236-238.

106. Liang K.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studies of glassy CuAsSe3 and Cu-As2Se3 alloys. // Phys. Rev. 1974. B10, P.1528-1538.

107. Oda О., Onozuka A., Tsuboya I. Effect of oxygen on electrophotografic properties of selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1986. V.83. P.49-62.

108. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors.// Advances in Physics, 1976. V.25. No.4. P.397-453.

109. Bishop S.G., Strom U., Friebele E.J., Taylor P.C. The effect of impurities upon photoluminescence and optically induced paramagnetic states in chalcogenide glasses.// J. Non-Cryst. Solids, 1979. V. 32. P.359-372.

110. Васильев BA Влияние примесей металлов (AuAg.Cu) на фотолюминесценцию стекал Ge^/Физика и химия стекла. 1983. Т.9, №5. С.584-588.

111. Seddon А.В., Furniss D., lovu M.S., Shutov S.D. et al. The effect of oxygen on optical absorption and emission of Pr: Ga-La-S glass.// J. Non-Cryst. Solids. 2003. V.326&327. P.278-282.

112. Чурбанов М.Ф., Ширяев B.C., Сметанин С.В., Пименов В.Г., Зайцева Е.А., Крюкова Е.Б., Плотниченко В.Г. Влияние примеси кислорода на оптическое пропускание стекла состава As2S е34.// Неорганические материалы. 2001. Т.37. №11. С. 1389-1396.

113. Layon H.P.D. Crystallization and viscosity of vitreous selenium, in The physics of Selenium and Tellurium. Ed. by W.C.Cooper. Oxford, Pergamon Press. 1969. P.205-211.

114. Хансен M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия. 1962.1487 с.

115. Ланге В.Н., Регель А.Р. Особенности электрических свойств непрерывных твердых растворов в системах Te-Se и Те- S. // ФТТ, 1959.Т.1. В.4. С. 562-564.

116. Ланге В.Н., Регель А.Р. Некоторые аномалии в зависимости плотности и микротвердости сплавов Te-Se и Te-S. //ФТТ, Т. 1, В.4. С. 559-561.

117. Kotkata M.F., El-Mously К.К. A survey of amorphoues Se-Te semiconductors and their characteristic aspects of crystallization.// Acta Phys. Hung., I983. V.54 (3-4). P.302-3I2.

118. Рогачева Е.И., Кривулькин И.М. Изотермы теплопроводности в твердых растворах РЬТе-МпТе//ФТТ. 2001. Т. 43, вып.6. С.1000-1003.

119. Рогачева Е.И., Таврина Т.В., Кривулькин И.М. Аномалия концентрационной зависимости микротвердости в полупроводниковых твердых растворах Pb^GexTе.// Неорганические материалы. 1999. Т. 35, №3. С.305-308.

120. Рогачева Е.И., Сологубенко А.С., Кривулькин И.М. Микротвердость полумагнитных твердых растворов РЬ^МПхТе.// Неорганические материалы. 1998. Т.34, №6. С.669-674.

121. Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. М.: Наука, 1984.174 с.

122. Kotkata M.F., Mahmoud Е.А., El-Mously К. К. An X-ray study of the Se-Te system.//Acta PhysAcad. Sc.Hung. 1982. V.52, No.2. P.175-178.

123. Абдинов Д.Ш., Намадов B.P., Алиев Г.М. Электропроводность и термо-Э.Д.С. системы Se -Те в жидком состоянии.// Неорганические материалы. 1974. Т. 10,11. С.1960-1963.

124. Kotkata M.F., Mahmoud Е.А., El-Mously К.К. Equilibrium diagram of selenium-tellurium system.//Acta Phys. Acad. Sc. Hung., 1981.V.50(1).P.61-66.

125. Kotkata M.F., Mahmoud E.A. Non-isothermal crystallization kinetic studies on amorphous chalcogenide semiconductors.// Mater. Sci. Eng. 1982. V.4, N2. P. 163-168.

126. Dembovsky S.A., llizarov L.M., Khar'kovsky A.Yu. Non-isothermal crystallisation of glass-forming melts of the Se-Te system.// Mat. Res. Bull. 1986. V.21. P.1277-1284.

127. Sarach D.J., De NeufvilleJ.P., Haworth W.L. Studies of amorphous Ge-Se-Te alloys (1).//J. Non-Cryst. Solids. 1976. V.22. P.245-267.

128. Игнатюк B.A., Ставнистый H.H., Гнитецкий В.И. О структуре стеклообразных сплавов селена с теллуром.// ФХС, 1980.Т.6. Вып.З. С.355-357.

129. Rialland J.F., Perron J.C. Viscosity and density of SexTe^x melts.// Труды VI Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам. Структура и свойства некристаллических полупроводников, под ред. Б.Т.Коломийца, Л., Наука, 1976. С.371.

130. Perron J.C., Rabit J., Rialland J.F. Impurity dependence of the viscosity of liquid selenium.// Phil. Mag. B. 1982. V.46, No. 4. P.321-330.

131. Cornet J., Schneider J. Viscosity, structural model and related properties for As-Se-Te glasses.// Proc. of the 4th Int. Conf. on the physics of non-cryst. solids. Clausthal. 1976. P.87-88.

132. Carini G., Cutroni M., Federico M., Galli G. Elastic constans of Se-Te solid amorphous alloys, the role of tellurium.//J. NorvCryst Solids, 1984. V.64. P. 317-324.

133. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: изд. ЛГУ, 1983. 344 с.

134. Das G.C., Bever М.В., Moss S.C. Relaxation phenomena in amorphous selenium-tellurium alloys.// J. Non-Cryst. Solids, 1972. V.7, N3. P. 251-270.

135. Kostial P., Malik L., Both L. New aspect of ultrasonic detection of some significant structural parameters of Se-Te alloys.// Phys. Stat. Solidi (A), 1983. V.80. KI67-KI70.

136. Carini G., Cutroni M., Federico M., Galli G. Evidence of low activation energies in Se-Te glasses from acoustic measurements.// J. Non-Cryst. Solids.1984. V.64,1&2. P.29-34.

137. Гаджиев М.Ф., Мехтиева С.И., Гаджиев Т.Г. Скорость ультразвуковых волн и сжимаемость в некристаллических образцах системы Se -Те.// Известия АН Азерб.ССР, сер. физико-технических и математических наук.1985. Т.4. С. 68-70.

138. Мазурин О.В. Стеклование. Л.: Наука, 1986.158 с.

139. Parthasaraty G., Rao K.J., Gopal E.S.R. High pressure studies of Se100-x Tex glasses.// Phil. Mag. B, 1984. V.50, No.3. P.335-346.

140. Петресис Бр., Ринкунас P. Зависимость процесса кристаллизации слоев аморфного селена от механических напряжений.//Лит. физ. журнал, 1980. Т.ХХ. N5. С.119-125.

141. Фрицше X. Некристаллические полупроводники.// 86 Физика за рубежом. М.: Мир, 1986. - 258 с.

142. Kolobov А.V., Fons P., Tominaga J., Uruga T. Why DVDs work the way they do: The nanometer-scale mechanism of phase change in Ge-Sb-Te.// J. Non-Cryst. Solids. 2006. V.352, Issues 9-20. P. 162-165.

143. Абдулаев Г.Б., Ланге B.H., Мамедов К.П., Нуриева З.Д., ОдобескуАИ. Влияние электростатического поля и предыстории на процесс кристаллизации селена.//Известия ВУЗов СССР, сер. Физика. 1970. Т. 10. С. 117-120.

144. Геллер И.Х., Попов А.И., Коломиец Б.Т. Кристаллизация Se под воздействием электрического поля различной частоты.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1975. Т.9. №1. С.127-128.

145. Геллер И.Х., Коломиец Б.Т., Попов А.И. Механизм влияния электрического поля на кристаллизацию Se.// Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1975. Т.11. N11. С. 1936-1939.

146. Геллер И.Х., Попов А.К. Об интерпретации результатов исследований влияния электростатического поля на кристаллизацию Se.// Физ. и хим. обработка материалов, 1976. №3. С. 157.

147. Popov A.I. Effect of some experimental factors on the physical properties and crystallization kinetics of selenium.// Phys. and Chem. of Glasses, 1978. V.19, No.3. P.43-47.

148. Смирнов В.Д., Школьников E.B. Влияние переменного электрического поля на кристаллизацию халькогенидных стекол.// Физика и химия стекла, 1979. Т.5, №2. С. 147-152.

149. Александров В.Д., Шкляр B.C. Кристаллизация аморфных пленок селена в электростатическом поле.// Неорганические материалы. 1980.Т.16, №3. С.402-406.

150. Блинов Л.Н., Юшка Г., Арлаускас К., Гутенев М.С. О влиянии магнитного поля на свойства жидкого и стеклообразного селена.// ФХС, 1983. Т.9. №6. С. 748-751.

151. Popov AI., Gefler I., Karalunets A The control of the properties of amorphous selenium by the change of the molecular structure. //Proc. of the 7th Int.Conf.on amorph. and liq.semicond. 1977. Edinburg, ed. by Spear W.E., P.29-33.

152. Andrade E.N., Dodd C. The effect of an electrical field on the viscosity of liquids.// Proc.Roy Soc. 1946. A8I7. P.296-337.

153. Ezernack D. McCaughlin E. Viscosity measurements in the presence of electrical fields.//J.of Physics E: Sc. Instr. 1981. V.14. P.812-815.

154. Photo-Induced Metastability in Amorphous Semiconductors / Ed. Kolobov A. GmbH: Wiley-VCH, 2003.

155. Колобов A.B., Коломиец Б.Т., Любин B.M., Себастиан Н., Тагирджанов М.А., Хайто Я. Фотостимулированные процессы в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия.//ФТТ. 1982. Т.24, вып.4. С.1062-1067.

156. Kolobov A.V., Adriaenssens G.J.// Phil.Mag. В. 1994. V.69. P.21.

157. Tanaka К. Mechanism of photodarkening in amorphous chalcogenides.// J. Non-Cryst. Solids. 1983. V.59&60. P.925-928.

158. Elliot S.R. An untied model for reversible photostructural effects in chalcogenide glasses.//J. of Non-Cryst. Solids. 1986. V.81. P.71-98.

159. Masets T.F., Mezdrogina M.M., Pavlov S.K., Smorgonskaya E.A., Shifrin E.I. The electro-optic effect: a comparative study of a-Si:H and chalcogenide glasses. //J. Non-Cryst. Solids. 1986. V.83. P.237-240.

160. Mitkova M., Iliev I., Boev V., Petkova T. Influence of electrical field on optical recording in chalco-halide glasses.// J. Non-Cryst. Solids. 1998. V.227&230. P.748-751.

161. Gotoh Т., Sugawara K., Tanaka Kentaro and Tanaka Keiji. Minimal Phase-Change Marks Produced in Amorphous Ge2Sb2Te5 Films.// Japanese Journal of Applied Physics. 2004. Vol. 43, No. 6B. P. L 818-L 821.

162. Kado H., Tohda T. Nanometer-scale erasable recording using atomic force microscope on phase change media.// Japanese Journal of Applied Physics. 1997. Vol. 36, No. 1B. P. 523-525.

163. Каширин Г.Ф. Диэлектрические свойства некоторых стеклообразных халькогенидных полупроводников в области низких частот.// Автореферат дисс. канд. наук, Воронеж, 1972.

164. Маника И.П., Тетерис Я А Фотоиндуцированные изменения микротвердосш тонких пленок халькогенидов мышьяка.//Тезисы докладов Всесоюзной Конференции «Стеклообразные полупроводники». J1., 1985. С.278-279.

165. Немилов С.В., Таганцев Д.К. Влияние света на вязкость трисульфида мышьяка.// Физика и химия стекла, 1981. Т.7, №2. С. 195-202.

166. Таганцев Д.К., Немилов С.В. Влияние света переменной интенсивности и разного спектрального состава на вязкость стеклообразного аурипигмента.//ФХС, 1985. Т.11, Вып.5. С.556-564.

167. Таганцев Д.К., Немилов С.В. Тепловой вклад в уменьшение вязкости при исследовании фотовязкостного эффекта в стеклах.// Физика и химия стекла, 1987. Т. 13. Вып.1. С. 132-135.

168. Гутцов И., Стрельцина М.В., Попов Е. Изв. на отд.за хим. науки. Бълг. АН, 1968.1.КН.2. С. 19.

169. Ходаковская Р.Я., Павлушкин Н.М. Эффект ориентации структуры при стекловании расплавов в слабых магнитных полях.// Стеклообразное состояние. Материалы 7 Всесоюзного Совещания по стеклу, Л., 1981. С. 70-75.

170. Тверьянович Ю.С., Тверьянович А.С., Борисова З.У. Об особенностях кристаллизации халькогенидных стекол, содержащих переходный металл// Физика и химия стекла. 1988. Т. 14. Вып. 2. С.289-290.

171. Блинов Л.Н., Бальмаков М.Д. О механизме влияния магнитного поля на формирование структуры халькогенидных стекол.// 8 Всесоюзное Совещание по стеклообразному состоянию, Л.: Наука, 1986. С.95-96.

172. Франкевич Е.Л. Влияют ли магнитные поля на химические реакции?// Химия и жизнь, 1980. №6. С.9-17.

173. Димаков С.А., Рашидханов К.Н., Страхов Л.Р. Магнитные свойства селена.// Неорганические материалы. 1981. Т. 17. №6. С.953-957.

174. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors. II Phys. Rev. B, 1977. V.15, No.4. P.2278-2294.

175. Koningsberger D.S., De Neef T. ESR investigations on liquid sulphur and selenium.// Chem.phys.Lett. 1971, V.8, No.1. P.145-147.

176. Koningsberger D.S., Van Wolput J.H.M.C., Rieter P.C.U. ESR measurements on the polymerisation of liquid selenium.// Chem.phys.Lett., 1970. V.4, No.10. P.615-618.

177. Mollot F., Cernogora J., Benoit a la Guillaume C. Excitation spectra of photo luminescence fatigue and creation of paramagnetic centers in amorphous GexSeUx.ll J. Non-Cryst. Solids, 1980. V.35&36. P.939-944.

178. Taylor P.C., Strom U., Bishop S.G. Temperature dependence of the density of optically-induced localized states in glassy As2Se3. II Phil. Mag. B, 1978. V.37, No.2. P.241-247.

179. Kastner M. Defect chemistry and states in the gap of lone-pair semiconductors.// J. of Non-Cryst. Solids. 1978. V.31. P.223-240.

180. Depinna S.P., Cavenett B.C. Exciton and Pair Recombination at Intimate Valence-Alternation Pairs in a-As2S3. II Phys. Rev. Lett. 1982. V.48, No.8. P.556-559.

181. Боровов Г.И., Воронков Э.Н. Оценка скорости включения халькогенидного стекла и величины переносимого заряда по форме канала, образованного в магнитном поле.// ФТП. 1976. Т.16. Вып.12. С.750-751.

182. Курохтин С.В., Воронков Э.Н. Токовая нестабильность в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, помещенных в магнитное поле.// Материаловедение. 1997. №6-7. С.39-41.

183. Дембовский С А, Вихров С.П., Ампилогов В.Н., Чечеткина Е.А. Влияние слабого магнитного поля на электрическое переключение в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.// Письма в ЖТФ. 1985. Т.11. Вып.20. С.1267-1271.

184. Скрипачев И.В., Девятых Г.Г., Чурбанов М.Ф., Багров A.M., Бойко В.А. Высокочистые халькогенидные стекла для волоконной оптики.// Высокочистые вещества. 1987. №1. С. 120-129.

185. Чурбанов М.Ф., Скрипачев И.В. Высокочистые халькогенидные стекла для волоконной оптики.// Высокочистые вещества. 1994. №4. С. 12-20.

186. Чурбанов М.Ф., Скрипачев И.В. Получение высокочистого селена.// Высокочистые вещества. 1988. №3. С.92-107.

187. Айо Л.Г., Кокорина В.Ф. Оптические стекла, прозрачные в инфракрасной области спектра А=11-15 мкм. I. Метод лабораторного получения сульфоселенитных стекол.// Оптико-механическая промышленность. 1961. №4. С.39-41.

188. Дембовский С.А. Исследование диаграмм состояния и свойств образующихся фаз систем Se-As и Se-Ge в области стеклообразования. Диссертация кандидата химических наук. М. ИОНХ АН СССР. 1964.

189. Hruby A. A study of glass-forming ability and phase diagram of the arsenic-sulfur system.// J. Non-Cryst. Solids. 1978. V.28. No.1. P.139-142.

190. Gutzow I., Avramov I. On the mechanism of formation of amorphous condensates from the vapour phase// J. Nor>OrysL Solids. 1974. V.16. No.1. P.128-142.

191. Shevchik N.J. Growth instabilities in the deposition of amorphous films.// J. Non-Cryst. Solids. 1973. V.12. P.141-149.

192. Chinnery D.N.W. Some aspects of simultaneous evaporation techniques // Optica Acta. 1985. V.32. № 5. P. 557-572.

193. Минаев B.C., Дарашкевич B.P., Глебов A.C. и др. Изучение процесса вакуумного термического испарения халькогенидного стекла .11 Физика полупроводников и микроэлектроника. Рязань. 1975. Вып.1. С. 216-221.

194. Алиханян А.С. Термодинамика неорганических соединений по данным высокотемпературной масс-спектрометрии. Автореферат докторской диссертации. М., 2005.

195. Новоселова А.В., Пашинкин А.С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М.: Наука. 1978.109 с.

196. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. М., Мир. 1966.456 с.

197. Алиханян А.С., Стеблевский А.В., Григораки В.И., Пашинкин А.С. Исследование процессов парообразования в системе As-Se.// Журнал неорганической химии. 1986. Т.31. №4. С.834-837.

198. Knox В.Е., Ban V.S. Mass spectrometry studies of laser-induced vaporization. III. The arsenic-selenium systemy/MatRes.Bull. 1968. V.3. P.885-894.

199. Стеблевский A.B., Алиханян A.C., Пашинкин A.C., Малюсов В.А. Исследование состава пара в системе мышьяк-сера.// Журн. неорганической химии. 1986. Т.31, №10. С.2451-2456.

200. Стеблевский А.В., Алиханян А.С., Пашинкин А.С., Горгораки В.И. Теплоты образования сульфидов мышьяка.// Журн. неорганической химии. 1986. Т.31, №7. С. 1650-1654.

201. Стеблевский А.В., Алиханян А.С., Горгораки В.И., Пашинкин А.С., Малюсов В.А. Термодинамика процессов парообразования халькогенидов мышьяка.// IV Всесоюзная конференция по масс-спектрометрии. Сумы. 1986. №7. С.46-47.

202. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Чижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975. С.146-149.

203. Klement W Jun., Willens R.H., Duwez P. Non-crystalline Structure in Solidified Gold-Silicon Alloys.// Nature. 1960. V.187. P.869-870.

204. Polk D.E., Giesen B.C. Overview of Principles and Applications// Metallic Glasses. Amer. Society for Metals. 1978. P. 1-35.

205. Металлические стекла.// Сборник статей под ред. Дж.Дж.Гилмана и Х.Дж.Лими. М.: Металлургия. 1984.262 С.

206. Металлические стекла. Под ред. Г.-Й.Гюнтеродта и Г.Бека. М.: Мир. 1983. 376 с.

207. Kavesh S., Proc. 1976 ASM Seminar on Metallic Glasses, Niagara Falls, N.Y., 1976; ASM, Metals Park, Ohio, 1977.

208. Pond R., Maddin R.ll in Trans. Met. Soc. AIME. V.245. 1969. P.2475.

209. Dembovsky S.A., Chechetkina E.A., llizarov L.M. Amorphous Semiconductors Prepared by Rapid Solidification II J. Non-Cryst. Solids. 1987. V.97&98. P.427-429.

210. Венгренович Р.Д., Лопатнюк И.А. Получение и кристаллизация аморфных сплавов Te-Ga // Металлофизика. 1988. Т. 10. №1. С.28-32.

211. Кочубей ДИ, Бабанов ЮА, Замараев К.И. и др. Ренттеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS спектроскопия. Новосибирск: Наука, Сиб отд. 1988. 306 с.

212. Mytilineou Е., Kolobov A. Short-, medium- and long-order structural transformations in amorphous semiconductors// in "Photo-induced metastability in amorphous semiconductors", A.Kolobov (Ed.), WILEY-VCH GmbH, 200. P.43-57.

213. Баринский Р.Л., Нефедов В.И. Рентгено-спектральное определение заряда атомов в молекулах. М.: Наука. 1966.247 с.

214. Майзель А., Леонхардт Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь (пер. с нем.). Киев: Наукова Думка. 1981.420 с.

215. Макаров Л.Л., Батраков Ю.Ф., Зайцев Ю.М., Гутенев М.С., Храмцов К.Г. Оценка степени химической упорядоченности в стеклах систем As-S и As-Se из рентгеноспектральных данных.//ДАН. 1983. Т.273. №3. С.656-659.

216. Нефедов В.И. Применение рентгеноэлектронной спектроскопии в химии. М.: Мир. 1973. 448 С.

217. Сумбаев О.И., Петрович Е.В., Смирнов Ю.П., Егоров А.И. и др. Химические сдвиги Ка1-линий и валентная структура переходных металлов пятого и шестого периодов.//ЖЭТФ. 1967. Т.53. №11. С.1545-1552.

218. Филиппов М.Н., Куприянова Т.А., Лямина О.И. Одновременное определение концентрации и формы нахождения элементов в твердом теле рентгенофлуоресцентным методом.// Журнал аналитической химии. 2001. Т.56. №8. С.817-824.

219. Куприянова Т.А., Филиппов М.Н., Лямина О.И. Исследование влияния химической связи на интегральную интенсивность линий эмиссионного рентгеновского спектра мышьяка.// Журнал структурной химии. 2003. Т.44. №3. С.460-471.

220. Овсянникова И.А., Куприянова Т.А., Гольденберг Г.И. Определение валентного состояния и координации атомов по последней эмиссионной линии ренттеновского спектра.// Заводская лаборатория. 1987.Т.53, № 6. С. 45-47.

221. Вайнштейн Э.Е. Ренттеновские спектры атомов в молекулах химических соединений и в сплавах. М.: Гос. Изд.техн-теор. литературы. 1950.518С.

222. Ковалев В.П. Ускорители в неразрушающем контроле. М.: Энергоатомиздат. 1983.100 с.

223. Шипатов Э.Т. Обратное рассеяние быстрых ионов: теория, эксперимент, практика. Изд. Ростовского Университета. 1988.153 с.

224. Fick J., Knystaustas E.J., Villeneuve A. et al. High photoluminescence in erbium-doped chalcogenide thin films.// J. NorvCtyst Solids. 2000. V.272. P200-208.

225. Wagner Т., Perina V., Mackova A. et al. The tailoring of the composition of Ag-As-S amorphous films using photo-induced solid state reaction between Ag and As3oS7o films.// Solid State Ionics. 2001. V.141-142. P.387-395.

226. Wagner Т., Kohoutek Т., Perina V. et al. Rutherford backscattering spectroscopy of amorphous films of Ag-As-S system prepared by spin-coating technique.// Nucl. Instr. And Methods in Phys. Research B. 2004. V.219-220. P.875-879.

227. De Sario M., Leggieri G., Luches A. et al. Pulsed laser deposition of praseodymium-doped chalcogenide thin films.// Applied Surface Science. 2002. V.186. P.216-220.

228. Mayer J.W., Rimini E. Ion beam handbook for material analysis, Academic Press, New York, 1977,488 p.

229. Gavribv G, Krivchitch A, Lebedev V. Application of nuclear reaction analysis for aging investigations of detectors.// Nucl. Instr. Meth. 2003. A515. P. 108-117.232. www.nt-mdt.com.

230. Тейтельбаум Б.Я. Термомеханический анализ полимеров. М.: Наука. 1979.232 с.

231. Булычев С.И., Алехин В.П. Испытание материалов непрерывным вдавливанием индентора. М.: Машиностроение. 1990. 224 с.

232. Федосов С.А., Пешек Л. Определение механических свойств материалов микроиндентированием (современные зарубежные методики): Обзор. М., МГУ. 2004. 98 с.

233. Клюев В.П., Тотеш А.С. Методы и аппаратура для контроля вязкости стекла (обзор). М.: изд-во ВНИИЭСМ. 1975. 58 с.

234. Славянский В.Т., Крестников Е.Н., Борейко В.М. Новый метод измерения вязкости стекол в интервале 105-1014 Пуаз.// Стекло и керамика. 1962. №11.С.18-22.

235. Немилов С.В., Петровский Г.Т. Новый метод измерения вязкости стекол.//ЖПХ. 1963. Т.36. №1. С.222-225.

236. Немилов С.В. Вязкость и упругие свойства расплавов и стекол системы As-S и их валентная структура.// ФХС. 1979. Т.5. №4. С.398-409.

237. Немилов С.В. Экспериментально-теоретическое исследование вязкости и структуры халькогенидных стекол на основе мышьяка, германия и селена.// Диссертация кандидата химических наук. Ленинград. 1964.

238. Романов Б.Е., Исаева Л.В., Кондрашев В.И., Сысоев И.Н., Салов А.Н. Автоматический вискозиметр для измерения вязкости в интервале 105,5-1013 Пз//Труды ГосНИИ стекла. Стекло. 1971. №1. С.28-33.

239. Дегтярев В.И. Прибор для автоматической записи диаграмм вдавливания инденторов.// Заводская лаборатория. 1983. №8. С. 96-98.

240. Рубштейн В.М., Шалыгин Г.Ф. Установка для термомеханичсеких испытаний полимерных материалов.// Заводская лаборатория. 1983. №8. С.86-88.

241. Седлович Л.С., Козюхин С.А., Дембовский С.А., Аксенов С.И. Автоматическое устройство для дилатометрических исследований // Авторское свидетельство СССР №1278695 от 22.08.1986.

242. Козюхин С.А., Седлович Л.С. Автоматическое устройство для термомеханических и термомеханических исследований.// Заводская лаборатория. 1987. Т.53. №7. С.37-40.

243. Берлин Г.С. Механотроны. М.: Радио. 1984. 245 с.

244. Мазурин О.В., Старцев Ю.К., Поцелуева Л.Н. Расчет времени достижения высоковязкой жидкостью состояния метастабильного равновесия.//ФХС. 1978. Т.4. №6. С.675-682.

245. Мазурин О.В. Стеклование. Ленинград: Наука. 1986.158 с.

246. Douglas R.W., Armstrong W.L., Edward J.P., Hall P. A penetration viscosimeter.// Glass Technology. 1965. V.6. N2. P.52-55.

247. Попов А.И. Влияние структурных преобразований на вязкость селена.//ФХС. 1980. Т.6. №3. С.307-311.

248. Cukierman М., Uhlman D.R. Viscous flow behavior of selenium.// J. Non-Cryst. Solids. 1973. V.12. P. 199-206.

249. Немилов С.В. Теоретическое и экспериментально и обоснование метода измерения вязкости стекол, основанного на вдавливании твердых инденторов в пластинку.//ФХС. 1977. Т.З. №2. С.148-157.

250. Линевег Ф. Измерение температуры в технике (справочник). М.: Металлургия. 1980. 542 с.

251. Тейлор Дж. Введение в теорию ошибок. М.: Мир. 1985.270 с.

252. Козюхин С.А. Деформация стеклообразного селена выше температуры размягчения.// Неорганические материалы. 2005. Т.41, №5. С.619-622.

253. Carini G., Cutroni М., Wanderlingh F. Holographic measurements of high viscosities.11 Optics and laser techn. 1978. V.10, №5. P. 241-242.

254. Taylor N.W., Dear P.S. Elastic and viscous properties of several soda-silica glasses in the annealing range of temperature// J. of Amer. Ceram. Soc. 1937, V.20. P.296-304.

255. Бартенев Г.М., Сандитов Д.С. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Новосибирск: Наука, 1986,235 с.

256. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М.-Л.: Наука, 1974.424 с.

257. Державин С.Н., Иванов А.В., Насымова С.С. и др. Микротвердость хрупких оптических материалов. Ташкент: изд. «ФАН». 1983.156 с.

258. Сандитов Д.С., Бартенев Г.М. Физические свойства неупорядоченных структур. Новосибирск: Наука. 1982.256 с.

259. Бражников Н.И. Ультразвуковые методы. М.-Л.: Энергия, 1965.248 с.

260. Moynicham С.Т., Macedo Р.В., Maklad M.G., Mohr R.K., Howard R.E. Intrinsic and impurity infrared absorption in As2Se3 glass.// J. Non-Cryst. Solids, 1975. V.12. P. 369-385.

261. Козюхин С.А., Куприянова Т.А., Лямина О.И., Дембовский С.А. Изменения в ближнем порядке халькогенидных стекол при их переходе в кристаллическое состояние.// Неорганические материалы. 2004. Т.40, №6. С.762-764.

262. Дембовский C.A., Лужная Н.П. Диаграмма состояния системы As-Se.// Журнал неорганической химии. 1964. Т.З. №9. С.660-664.

263. Bellisent R., Tourand G. Local order in amorphous arsenic // Труды VI Международной Конференции по аморфным и жидким полупроводникам. Ленинград: Наука. 1975. С. 160-163.

264. Филлипс Дж. Физика за рубежом (пер с анг.), М.: Мир, 1983. С.154-178.

265. Grigoriev F.V., Zybin A.S., Dembovsky S.A. Density of states in the gap, connected with dipole defects in the chalcogenide vitreous semiconductors// J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2001. V.3. No.1. P. 19-26.

266. Куприянова T.A., Козюхин C.A., Филиппов M.H. и др. Исследование структурных изменений в стеклах Se^Te* (0^x^0,2) по относительной интегральной интенсивности последней линии эмиссионного рентгеновского спектра.// Материаловедение. 2000, №10. С.29-33.

267. Козюхин С.А., Чечеткина Д.А., Дембовский С.А. Гетеродинамизм структуры стекол системы Se-Te по данным термомеханических измерений и скорости ультразвука.// Новые идеи в физике стекла. М.: Изд-во МХТИ им. Менделеева, 1987. Т.2. С. 107-114.

268. Немилов С.В., Канчиева О.Н, Комарова Н.В. Вязкость, упругие свойства и энергия когезии стекол системы Na20-Ge02-Ti02 и K20-Ge02-ТЮ2.//Физика и химия стекла, 1986. Т.12.№2. С. 172-179.

269. Глесстон С., Лейдер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей. М.: ИЛ, 1948. 673 с.

270. Немилов С.В. Валентно-конфигурационная теория вязкого течения переохлажденных стеклообразующих жидкостей и ее экспериментальное обоснование.// Физика и химия стекла, 1978. Т.4, №2. С. 129-148.

271. Немилов С.В. Соотношение между величинами конфигурационной энтропии и энтропии активации вязкого течения переохлажденных стеклообразующих жидкостей.//ФХС, 1976. Т.2. №3. С. 193-203.

272. Немилов С.В. Кинетика элементарных процессов в конденсированном состоянии. Энтропия активации корпускулярных процессов переноса.// Журнал физической химии, 1969. T.XVIII, № 6. С. 1433-1439.

273. Немилов С.В. К вопросу о термодинамическом смысле активационных параметров процессов переноса в стеклах и стеклообразующих расплавах.// Физика и химия стекла, 1984. Т.10.№1. С.124-125.

274. Angel С.А. Relaxation in liquids, polymers and plastic crystals -strong/fragile patterns and problems.// J. NorvCryst Solids. 1991. V.131 &133. Р.Ш1.

275. Bohmer R. Non-linearity and non-exponentiality of primary relaxations.// J. Non-Cryst. Solids. 1994. V.172&174. P.628-634.

276. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. 202 с.

277. Тарасов В.В. Проблемы физики стекла. М.: Стройиздат (2-е изд. под ред. Бартенева Г.М.), 1979.256 с.

278. Коттрелл Т. Прочность химических связей. М.: изд. ИЛ, 1956. 282 с.

279. Веденеев В.И., Гурвич Л.В., Кондратьев В.Н., Медведев ВА, Франкевич ЕЛ. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону (справочник). М.: изд. АН СССР, 1962.215 с.

280. Полинг Л. Общая химия. М.: Мир, 1974. 846 с.

281. Sanderson R.T. Bond energies.// J. Inorg. and Nucl. Chemistry. 1966. V.28, No.8. P. 1553-1565.

282. Черкинский Ю.С. Химия полимерных неорганических вяжущих веществ. Л., Химия, 1967.224 с.

283. Шаулов Ю.В. Мономерные полимеры. Структура и свойства.// Высокомолекулярные соединения. 2006. №11. С.786-805.

284. Stauffer D., Aharony A. Introduction to Percolation Theory. Taylor&Francis. London-Washington. 1982.181 p.

285. Rogacheva E.I. Critical phenomena in heavy-doped semiconducting compounds.// Jpn.J.Appl.Phys. 1993. V.32, suppl. 32-33. P.775-777.

286. Судзуки Т., Есинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность. М.: Мир. 1989. 294 с.

287. Катлер М. Жидкие полупроводники. М.: Мир. 1980. 254 с.

288. Cornet J., Rossier D. Properties and structure of As-Te glasses //p. 11 Local order parameters and structural model.// J. Non-Cryst Solids, 1973, V. 12. Р.85Я9.

289. Немилов С.В. Анализ энергетических параметров активации и природа вязкого течения неорганических стекол.// в кн. Успехи реологии полимеров. М.: Химия, 1970. С 241-252.

290. Воробьева З.А., Гуткина Н.Г., Ефимов A.M., Комаров Н.В., Немилов С.В., Шматок Л.К. Влияние фтора на физико-химические свойства, характер кристаллизации и структуру стекол системы Ge02-Ga203-La203 // Физика и химия стекла, 1975. Т.1. №1.С. 74-79.

291. Немилов С.В., Яхкинд А.К., Давыденко Л.С. Исследования вязкости стекол системы Te02-Na20.// Известия АН СССР, Неорганические материалы. 1966. Т.2, №4. С. 702-706.

292. Филипович В.Н, Калинина A.M. О природе и взаимосвязи изменений свойств стекол при стекловании.// Стеклообразное состояние. Труды III Всесоюзного Совещания. Л., 1971. С. 28-34.

293. Козюхин С.А., Дембовский С.А., Куприянова ТА, Лямина О.И. Влияние малых добавок оксида мышьяка на структуру ближнего порядка халькогенидных стекол.// Материаловедение. 2002, №7. С.30-34.

294. Дианов Е.М., Плотниченко В.М. Инфракрасные волоконные световоды. Серия «Новое в жизни, науке, технике». М.: изд. Знание. 1991.64 с.

295. Скрипачев И.В. Высокочистые стекла систем As-S, As-Se и Ge-As-Se для волоконной оптики. Автореферат диссертации доктора химических наук. ИХВВ РАН, Нижний Новгород. 1999.

296. Демокритова Н.В., Виноградова Г.З., Вельский Н.К, Лопатто Ю.С. Очистка селена от кислорода.// Неорганические материалы. 1984. Т.20, №3. С.511-514.

297. Дембовский С.А. Проблема взаимозаместимости атомов в халькогенидных стеклообразующих системах //Журнал неорганической химии. 1979. T.XXIV. Вып.8. С.2019-2027.

298. Нараи-Сабо И. Неорганическая кристаллохимия. 1969. Изд. АН Венгрии. 503 с.

299. Philips J.С. Topology of covalent non-crystalline solids. I: short-range order in chalcogenide alloys.// J. Non-Cryst. Solids. 1979. V.34. P. 153-181.

300. Молекулярные постоянные неорганических соединений. Справочник под ред. Краснова К.С. М. 1979.

301. Суглобов Д.Н., Сидоренко Г.В., Легин Е.К. Летучие органические и комплексные соединения f-элементов. М.: Энергоатомиздат, 1987,208 с.

302. Гаврищук Е.М., Дзюбенко Н.Г., Мартыненко Л.И., Гайвороновский П.Е. Исследование дипивалоилметанатов редкоземельных элементов и их аддуктов методом масс-спектрометрии.//ЖНХ. 1983. Т.28, вып.4. С.871-875.

303. Tiitta М., Niinisto L. Volatile Metal (B-Diketonates: ALE and CVD precursors for electroluminescent device thin films.// J. Chemical Vapor Deposition. 1997.V.3, issue 4. P.167-182.

304. Hubert-Pfalzgraf L.G. Metal alkoxides and (3-diketonates as precursors for oxide and non-oxide thin films.// Applied Organometallic Chemistry. 1992. V.6. Issue 8. P.627-643.

305. Миначева Л.Х., Рогачев А.Ю., Кузьмина Н.П., Сергиенко B.C. Кристаллическая структура разнолигандного комплекса трис(дипивалоилметаната) лантана с орто-фенантролином Ln(thd)3(Phen).// ЖНХ. 2003. Т. 48, №12. С. 1978-1985.

306. Дзюбенко Н.Г., Мартыненко Л.И., Аддуктообразование (3-дикетонатов редкоземельных элементов. // В сб.: Проблемы химии и применения (3-дикетонатов металлов. М. Наука. 1982. С.19-31.

307. Гайдук М.И., Золин В.Ф., Гайгерова Л.С. Спектры люминесценции европия. М.: Наука, 1974,195 с.

308. Andersen W.C., Noll B.C., Sellers S.L. et al. Characterization and structures of the 2,2,7-trimethyl-3,5-octanedionate chelates of cerium (IV) and terbium (III).// Inorganica Chimica Acta. 2002. V.336. P.105-110.

309. Полуэктов H.C., Кононенко Л.И., Ефрюшина Н.П., Бельтюкова С.В. Спектрофотометрические и люминесцентные методы определения лантаноидов. Киев: Наук.Думка, 1989, 256 с.

310. Ivanov R.A., Korsakov I.E., Kuzmina N.P., Kaul A.R. Mixed-ligand complexes of lanthanide dialkyldithiocarbamates with 1,10-phenantroline as precursors of lanthanide sulfides // Mendeleev Comm. 2000. № 6. P.99-100.

311. Кузьмина Н.П., Иванов P.A., Илюхин А.Б., Парамонов С.Е. Кристаллическая структура трис-(диэтилдитиокарбамато) иттербия с о-фенантролином // Координационная химия. 2000. Т. 25. № 8. С. 635-638.

312. Малкерова И.П., Алиханян А.С., Кузьмина Н.П. Масс-спектрометрическое исследование процесса испарения разнолигандного комплекса диэтилдитиокарбамата празеодима с о-фенантролином // Ж. неорган, химии, 2004. Т.49. С.678-684.

313. Горшков Н.И., Сидоренко Г.В., Суглобов Д.Н. Синтез и изучение сублимационного поведения новых дитиокарбаматных комплексов РЗЭ.// Радиохимия. 1994. Т.36.№2. С. 154-156.

314. Накамото К. Инфракрасные спектры и спектры КР неорганических и координационных соединений. М.: Мир, 1991, 256.

315. Наканиси К. Инфракрасные спектры и строение органических соединений. М.: Мир, 1965.267 с.

316. Moleski R., Stathatos E., Bekiari V., Lianos P. Preparation of thin Ureasil films with strong photoluminescence based on incorporated europium-thenoyltrifluoroacetone-bipyridine complexes.// Thin Solid Films. 2002. V.416. P.279-283.

317. Brito H.F., Malta O.L., Menezes J.F.S. Luminescent properties of diketonates of trivalent europium with dimethyl sulfoxide.// Journal of Alloys and Compounds. 2000. V.303-304. P.336-339.

318. Youxuan Zheng, Jun Lin, Yujun Liang, Qin Lin, Yingning Yu, Shubin Wang, Chuan Guo, Hongjie Zhang. Green electroluminescent device with a terbium |3-diketonate complex as emissive center.// Optical Materials. 2002. V20. P. 273-278.

319. Stathatos Elias, Lianos Panagiotis, Evgeniou Evgenios, Keramidas Anastasios D. Electroluminescence by a Sm3+-diketonate-phenanthroline complex.//Synthetic Metals. 2003. V.139. P. 433-437.

320. Bhaumik M.L., El-Sayedlb M. A. Studies on the Triplet -Triplet Energy Transfer to Rare Earth Chelates.// The Journal of Physical Chemistry. 1965. Vol. 69. No.1. P.275-280.

321. Yanagida Sh., Hasegawa Ya., Murokoshi Kei et al. Strategies for enhancing photoluminescence of Nd3+ in liquid media.// Coord. Chem. Rev. 1998. V.171. P.461-480.

322. Werts Martinus H.V., Hofstraat Johannes et al. Fluorescein and eosin as sensitizing chromophores in near-infrared luminescent ytterbium (III), neodymium (III) and erbium (III) chelates.// Chem. Phys. Lett., 1997. V.276. P.196-201.

323. Беллами Л. Инфракрасные спектры молекул. М.: изд. ИЛ. 1957.444 с.

324. Ristein J., Stief R.T., Ley L., Beyer W. A comparative analysis of a-C: H by infrared spectroscopy and mass selected thermal effusion.// J. of Applied Physics, 1998. V.84, No. 7. P.3836-3847.

325. Теруков Е.И., Коньков О.И., Гусев О.Б. и др. Люминесценция эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии, полученном методом тлеющего разряда.//ФТП. 1998. Т.32, вып.8. С.987-989.

326. Tanaka Keiji. Nanostructured chalcogenide glasses.// J. Non-Cryst. Solids. 2003. V.326&327. P.21-28.

327. Tanaka Keiji. Nanostructured chalcogenide glasses.// XIII Int. symposium on non-oxide glasses and new optical glasses, Sept.9-13.2002, Pardubice, Czech Republic, Ext. abstracts, V.1, p.65-71.

328. Тезисы докладов XXI Российской конференции по электронной микроскопии. 2006. Черноголовка.

329. Utsugi Yasushi. Nanometre-scale chemical modification using a scanning tunneling microscope.// Nature. 1990, V.347. P.747-749.

330. Козюхин C.A., Васильева Н.Д., Бабенко Е.А. Влияние комплексных соединений редкоземельных элементов Ln(thd)3 (Ln-Eu, Tb, Eu, Yb) на морфологию поверхности аморфных пленок триселенида мышьяка. // Вестник МЭИ. 2006. №3. С.93-98.

331. Кузьмина Н.П., Соболева И.Е., Мартыненко Л.И. Малкерова И.П, Алиханян А.С. Проявление эффекта синергизма при сублимации дипивалоилметанатов щелочноземельных элементов и магния.// ЖНХ. 1999. Т.44, №9. С. 1438-1443.

332. Свойства неорганических соединений. Справочник. Ефимов А.И. и др. Л.: Химия, 1983. 393 с.

333. Gameiro C.G., Alves Jr.S., da Silva Jr.E.F. et al. Atomic force microscopy a visual probe to characterize nanodosimetric devices.// Materials Characterization. 2003. V.50. P.109-116.

334. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. М.: Наука, 1981.384 с.

335. Frova A., Selloni A. The optical threshold of hydrogenated amorphous silicon// in «Tetrahedrally-bonded Amorphous Semiconductors», by ed. D.Adler and H.Fritzsche, N.Y., Plenum Press. 1985. P.271.

336. StUke J. Review of optical and electrical properties of amorphous semiconductors .//J. Non-Cryst. Solids. 1970, V.4. P. 1-26.

337. Thornburg D.D. Physical properties of the As2(Se,Te) glasses (Review Article).//J. of Electronic Materials. 1973. V.2, N4. P.495-532.

338. Клява Я.Г. Правило Урбаха и континуальная неупорядоченность в некристаллических твердых телах// Физика твердого тела. 1985. Т.27, №5. С. 1350-1353.

339. Shaw R.F., Liang W.Y., Yoffe A.D. Optical properties, photoconductivity, and energy levels in crystalline and amorphous arsenic triselenide.// J. Non-Cryst. Solids, 1970. V.4. P.29-42.

340. Wood D.L., Tauc J. Weak absorption tails in amorphous semiconductors.// Phys. Rev., 1972, Vol. B5. P.3144-3151.

341. Hori T. Gate dielectrics and MOS ULSI's principles, technologies and applications. Berlin: Springer-Verlag, 1997.

342. Frenkel J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semi-conductors // Phys. Rev. 1938. Vol. 54. P. 647-648.

343. Козюхин C.A., Файрушин A.P., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов.// Физика и техника полупроводников. 2005. Т.39, вып.8. С. 1011-1015.

344. Kozyukhin S.A., Fairushin A.R., Voronkov E.N. Amorphous arsenic chalcogenide films modified using rare-earth complexes.// J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. Vol.7. P.1457-1461.

345. Kozyukhin S.A., Voronkov E.N., Kuz'mina N.P. Amorphous arsenic chalcogenide films modified using rare-earth complexes.// J. Non-Cryst. Solids. 2006. V.352, Is. 9-20. P. 1547-1550.

346. Chen J., Reed M.A. Electronic transport of molecular systems.// Chemical Physics. 2002. V.281. P.127-145.

347. Di Ventraa M., Langb N.D., Pantelidesc S.T. Electronic transport in single molecules.// Chemical Physics. 2002. V.281. P. 189-198.

348. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. Orton J.W. On the analysis of space-charge-limited current-voltage characteristics and density of states in amorphous silicon. Phil. Mag., V. 49, №1, p. L1-L7,1997.

349. Воронков Э.Н., Козюхин C.A., Бабенко E.A. Выпрямление в тонкопленочных структурах на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников.// Сборник трудов V Межд. Конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб., 2006, с.283-285.

350. Lozac'h A.M., Barnier S., Guittard M. et al. Proprietes optiques des verres de chalcogenures de terres rares.// In: Infrarouge chim.solids. ed. J.P.Suchet. Paris. 1974. p.127-132.

351. Barnier S., Guittard M. Systeme Eu-S-Ga2S3. Compose EuGa2S4 et produits vitreux.// C.R. Acad.Sci. C.1976. V.282, N10. P.461-463.

352. Cervelle B.D., Jaulmes S., Laruelle P. et al. Variation avec la composition des indices de refraction des verres de sulfures de lanthane et de gallium et undices de quetques verres apparentes.// MatRes.Bull. 1980. V.15.N1. P.159-164.

353. Yarembash E.I. DTA and X-Ray analysis of "rare earth chalcogen" systems.//Thermal Analysis. 1969. V.2. P.761-777.

354. Zakery A., Elliott S.R. Optical properties and applications of chalcogenide glasses: a review//J. Non-Cryst. Solids. 2003. V.330. P. 1-12.

355. Borisov E.N., Smirnov V.B., Tverjanovich A. et al. Deposition of Er3* doped chalcogenide glass films by excimer laser ablation.// J. Non-Cryst. Solids. 2003. V.326&327. P.316-319.

356. De Sario M., Leggieri G., Luches A. et al. Pulsed laser deposition of praseodymium-doped chalcogenide thin films.// Applied Surface Science. 2002. V.186. P.216-220.

357. Воронков Э.Н., Козюхин С.А., Микерина Е.И. Электрические характеристики аморфных пленок As2Se3l содержащих кислород.// Сборник трудов V Межд. Конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб., 2006, с.152-153.

358. Bishop S.G., Turnbull D.A., Aitken B.G. Excitation of rare earth emission in chalcogenide glasses by broadband Urbach edge absorption.// J. Non-Cryst. Solids. 2000. V. 266&26Э. P.876-883.

359. Bishop S.G, Mitchell D.L. Photoluminescence Excitation Spectra in Chalcogenide Glasses.// Phys.Rev B. 1973. V.8, N12. P. 5696-5703.

360. Turnbull D.A., Bishop S.G. Effect of transition metal co-doping on broad band luminescence excitation mechanism in rare earth-doped chalcogenide glasses.// J. Non-Crys. Solids. 1997. V.213&214. P. 288-294.

361. Amorin H.T., de Araujo M.T., Gouveia E.A. et al. Infrared to visible up-conversion fluorescence spectroscopy in Er3+-doped chalcogenide glass.// J. Luminescence. 1998. V.78. P.271-277.

362. Lyubin V., Klebanov M., Sfez В., Ashkinadze. Photoluminescence and photodarkening effect in erbium-doped chalcogenide glassy films.// Materials Letters. 2004. V.58. P. 1706-1708.

363. Dantas N.O., Fanyao Qu., Arantes Jr. J.T. Experimental study of absorption and luminescence properties of Er in lead silicate glass.// J. Alloys and Compounds. 2002. V.344. P. 316-319.

364. Miyajima Y., Komukai Т., Sugawa Т., Yamamoto T. Rare Earth-Doped Fluoride Fiber Amplifiers and Fiber Lasers.// Optical Fiber Technology. 1994. V.1. P.35-47.

365. Куинн Т. Температура. M.: Мир, 1985.448 с.

366. Чечеткина E.A., Дембовский C.A., Козюхин C.A., Подкопаев В.Г., Сидоров В.А. Влияние слабых магнитных полей на структуру ХСП при температурах выше температуры стеклования.// Тр. Межд. конф. «Аморфныеполупроводники-84», Габрово, НРБ, 1984.Т.1.-С.88-90.

367. Чечеткина Е.А. К вопросу об одномерных и двумерных континиумах в стеклах.// Новые идеи в физике стекла. М: Изд-во МХТИ им.Менделеева, 1987. Т.2. С. 149-156.

368. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А., Козюхин С.А. Аномальное влияние слабых магнитных полей на диамагнитные стеклообразные полупроводники. //Письма в ЖЭТФ, 1985. Т.41.№2. С. 74-76.

369. Козюхин С.А., Илизаров Л.М., Подкопаев В.Г., Дембовский С.А. Влияние слабого магнитного поля на кристаллизацию стеклообразного селена.//Материаловедение. 1998. №12. С.18-20.

370. Ван де Хюлст Г. Рассеяние света малыми частицами. М.: изд. ИЛ. 1961.234 с.

371. Atmani Н. Determination of thermodynamic parameters of the amorphous selenium films crystallization.// Physica Status Solidi (a). 1985. V.88. P.113-120.

372. Рейнер M. Деформация и течение. Введение в реологию. М.: изд. нефт. и горно-топл. литературы, 1963. 381 с.

373. Goodier J.N. Slow viscous flow and elastic deformation.// Phil. Mag., 1936, V.22, No.6. P.678-680.

374. Безухов Н.И. Основы теории упругости, пластичности и ползучести. М.: Высшая школа, 1961. 536 с.

375. White R.M., Koehler R.F. Magnetic Susceptibility of Crystalline and Amorphous Selenium.// Phil.Mag. 1972. V.25, No.3. P.757-760.

376. Rist M., Yuan S. Susceptibilite magnetique du Se et du Те entre 80°K et 1300° К.// Helv. Phys.acta. 1960. V.33, No.9. P. 1002-1005.

377. Новоселов С.К., Страхов Л.П., Байдаков Л.А. Температурная зависимость магнитной восприимчивости As2Se3 при фазовых переходах кристалл-расплав, стекло-расплав.//ФТТ. 1969. Т.11, №6. С. 1564-1568.

378. Вонсовский С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1984. 207 с.

379. Жорин В. А., Махоткин В.Е., Фрадков В. А., Ениколопян Н.С. Магнетизм бикомпонентных смесей после пластического течения под высоким давлением.//ДАН, 1987, Т.297, №6. С.1404-1406.

380. Савранский С.Д. Влияние магнитных полей на стеклование халькогенидных расплавов.// Физика и химия стекла, 1986, Т.12, N94. С.483485.

381. Савранский С.Д. Зарядовая кинетика при стекловании.// Физика и химия стекла, 1987, Т. 13, №5. С.659-673.

382. Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник М.: Машиностроение, 1975.

383. Thermophysical properties of matter. The TPRC Data Series.V.1. Thermal conductivity metallic elements and alloys.// N.Y., W.: Ed. Touloukian Y.S., 1970.

384. Любин B.M., Тихомиров B.K. Оптическая бистабильность и критическое замедление в аморфном полупроводнике GeS2.// Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 55. Вып. 1.С. 25 28.

385. Dembovsky S.A., Koz'min Р.А. Gigantic Lattices and Gigantic Non-Crystalline Clusters in Glasses.// Solid State Commun. 1993. V.86. № 10. P.623-626.

386. Любин B.M., Тихомиров B.K. Фоторефракция и фотодвулучепреломление в пленках стеклообразных полупроводников.// Физика твердого тела. 1991. Т.ЗЗ, №7. С. 2063-2070.

387. Любин В.М., Тихомиров В.К. Фотоиндуцированный дихроизм в халькогенидном волокне As2S3.// Квантовая электроника. 1992. Т.19, №4. С.385-386.

388. Нарасимхамурти Т. Фотоупругие и электрооптические свойства кристаллов. М.: Мир. 1984.621 с.

389. Roberts G.G, Keating B.S., Shelley A.V. Electroabsorption in disordered solids: selenium.//J. Phys. C: Solid Stat.Phys., 1974, V.7. P.1595-1608.

390. Sussmann R.S., Austin I.G., Searle T.M. Electro-absorption studies of the urbach edge in chalcogenide glasses.// J. Phys. C: Solid State Phys. 1975. V.8. L182-L187.

391. Воронков Э.Н., Козюхин C.A., Хирин B.H. Исследование структурной метастабильности в стеклообразном GeS2 с помощью спектров электропоглощения.// Неорганические материалы. 1994. Т.ЗО, N23. С.411-413.

392. Voronkov E.N., Kozyukhin S.A., Hirin V.N. Registration of structure metastability of vitreous GeS2 by optical electroabsorption.//Solid State Communications. 1994. V.89, No.4. P.341-344.

393. Voronkov E., Jonath A., ArnoldussenA., Bube R. Extrinsic Electroabsorption of As2SeTe2// J.Nor>CrystSoBds. 1974.V. 15.№2.P.275-278.

394. Lucovsky G., de Neufville J.P., Galeener F. Study of the optic modes of Geo3So7 glass by infrared and Roman spectroscopy.// Phys. Rev. B. 1977. V.9. P.1591-1597.

395. Sussmann R.S., Austin L.G. Absorption and Electro-Absorption in Single-Crystal As2Se3 near the Fundamental Edge 111 Phys. C. 1975. V. 8. P. L01-L05.

396. Dembovsky S.A. Chiral and Dipolar Centers in Inorganic Glass // Solid State Commun. 1993. V. 83. № 10. P. 761 764.

397. Voronkov E.N., Kozyukhin S.A., Hirin V.N. Dynamics of photostimulated structure metastability formation in vitreous GeS2 2 by optical electroabsorption.// Solid State Communacations. 1994. V.90, No.12. P.807-808.

398. Воронков Э.Н., Козюхин C.A., Хирин B.H. Определение параметров фотоиндуцированных центров в стеклообразном GeS22 по шумовому спектру сигнала оптического электропоглощения.// Письма в ЖЭТФ. 1997. Т.65, вып.11. С.846-850.

399. Любин В.М., Тихомиров В.К., Земелько В.И. Естественная и фотоиндуцированная оптическая активность халькогенидных стекол.// ФХС. 1991. Т. 17, №6. С.914-920.

400. Любин В.М., Тихомиров В.К. Фотоиндуцированная гиротропия и фотоиндуцированное рассеяние света в халькогенидном стекле As2S3. // Письма в ЖЭТФ. 1990. Т.52, вып.2. С.722-725.

401. Lyubin V.M., Tikhomirov V.K. Novel photo-induced effects in chalcogenide glasses.//J. of Non-Cryst.Solids. 1991, V.135. P.37-48.

402. Hait6 J., Ewen P.J.S. Natural optical activity and related phenomena in As2S3 glass.// Phys.Stat.Sol.(a). 1979. V.54. P.385-390.

403. Hajt6 J., Zentai G. and K6sa Somogyi I. Light-induced transmittance oscillation in GeSe2 thin films.// Solid State Commun. 1977. V.23, No.6, P.401-403.

404. Тихомиров B.K. Релаксация фотоиндуцированной анизотропии в халькогенидных стеклах.//Письма в ЖЭТФ. 1993. Т.57, вып. 12. С.806-809.

405. Street R.A. Non radiative recombination in chalcogenide glasses.// Solid State Commun. 1977. V.24. P.363-365.

406. Klinger M.I. Soft atomic configuration and negative correlation energy.// Phys. Reports. 1988. V.165. No.5&6. P.275-346.

407. Tanaka Keiji. Stress-induced anisotropy in chalcognide glasses. I. Optical studies.//J. Non-Cryst. Solids. 1990. V.119. P.243-253.

408. Kosa Somogyi I, J£nossy I. On the kinetic of the reorientation of light-induced anisotropy in a-GeSe2 films.// J. Non-Cryst. Solids. 1991. V.137&139, part 2. P.981-984.

409. Zhdanov V.G., Kolomiets B.T., Lyubin V.M., Malinovskii V.K. Photoinduced optical anisotropy in chalcogenide vitreous semiconductors.// Phys. Stat. Sol. (a). 1979. V.52. P.621-629.

410. Hajto J., J£nossy I. Optical bistability observed in amorphous semiconductor films GeSe2.// Philos. Mag. B. 1983. V.47, No.4. P.347-366.

411. Lyubin V.M., Tikhomirov V.K. Intrinsic and photoinduced elliptical dichroism and birefringence in glassy semiconductors.// J. of Non-Cryst.Solids. 1991, V.137&138, part II. P.993-996.

412. Tanaka Keiji. Anisotropic amorphous semiconductors Uniaxial compression and squeezing.// J. Non-Cryst. Solids. 1989. V.114, part I. P.31-33.

413. Андриеш A.M., Иову M.C., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы (физические свойства и применение). 1981. Кишинев: изд. «Штиинца». 210 с.

414. Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В., Козюхин С.А. Моделирование гипервалентных конфигураций в g-As2S3.// В кн. «Решетка Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния». 1999. М.: изд.центр РХТУ. С.39-42.

415. Dembovsky S.A. Breaking of symmetry and the establishment of order at non-equilibrium phase transitions in glasses.// Phys. Letters A. 1994. V.189. P.233-236.

416. Козюхин С.А., Доброхотова Ж.В. Исследование методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК) стекол системы As-Te, полученных сверхбыстрым охлаждением расплава.// Неорганические материалы. 1994. Т.ЗО, №1. С. 119-122.

417. Kozyukhin S.A., Dembovsky S.A., Tzirlina Т.М. Non-metallic glasses prepared by melt-spinning method: glassformation, properties, anomalies.// XVI Int. Congres on Glass (Madrid, Spain). 1994. V.2. P.267-272.

418. Donald I.W., Davies H.A. Prediction of Glass-Forming Ability for Metalic Systems // J. Non-Cryst. Solids. 1978. V. 30. P. 77 85.

419. Малиновский B.K. Средний порядок в аморфных телах и стеклах.// Труды Межд. Конференции «Стекла и твёрдые электролиты». 1999, СПб, изд. СпбГУ. С.9.

420. Петренко А.Г. Исследование влияния магнитных полей на процесс стеклования и физические свойства силикатных стекол.// Труды Межд. Конференции «Стекла и твёрдые электролиты». 1999, СПб, изд. СпбГУ. С.48.

421. Van der Pauw L. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of disc of arbitrary shape.//J. Phil. Research Reports. 1958. V.13, No.1. P.1-9.

422. Мелех Б.Т. Стеклообразный сульфид сурьмы и некоторые его свойства.// Физика и химия стекла. 1976. Т.2, №2. С.189-190.

423. Vikhrov S.P., Ampilogov V.N. Electronic conductivity of (GeSe35)ioo-xBix and (GeS35)100.xBix in solid and liquid states.// J. Non-Cryst. Solids. 1987. V. 90, No.1-3, P. 441-444.

424. Avanesyan V.T., Bordovsky V.A., Castro R.A. Polarization properties of As2Se3 modified films.// Труды Межд. Конференции «Стекла и твёрдые электролиты». 1999, СПб, изд. СпбГУ. С.70.

425. Рыков В.В., Ефимов С.В. Исследование спин-зависимой рекомбинации в селениде мышьяка.// Труды Межд. Конференции «Стекла и твёрдые электролиты». 1999, СПб, изд. СпбГУ. С75.

426. Жмыхов Г.В., Борулько В.И., Ключник И.А., Пицюга В.Г. и др. Влияние термомагнитной обработки стекла на состояние парамагнитных центров в процессе стеклования.// Физика и химия стекла. 1989. Т.15, №1. С.52-56.

427. Ельяшевич М.А. Спектры редких земель. М.: Гостехтеоретиздагг, 1953.456 с.

428. Координационная химия редкоземельных элементов. Под ред. Спицына В.И., Мартыненко Л.И. М.: МГУ, 1979. 252 с.

429. Terukov E.I., Kon'kov O.I., Kudoyarova V.Kh., Gusev O.B. Luminescence of erbium in amorphous hydrogenated silicon obtained by glow-discharge method.//Semiconductors. 1998. V.32, No.8. P.884-885.

430. Васильев B.A. Фотолюминесценция халькогенидных стеклообразных полупроводников (препринт). Л., ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР. 1988.15 с.

431. Попов А.И. Структурные характеристики некристаллических полупроводников.// Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. Материалы докладов международного научно-технического семинара. 2003. Москва. С.171-178.

432. Франкевич Е.Л. Влияют ли магнитные поля на химические реакции?// Химия и жизнь, 1980. №6. С.9-17.

433. Бучаченко А.Л., Сагдеев Р.З., Салихов К.М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука, Сиб.отд., 1978.294 с.

434. Франкевич Е.Л., Кадыров Д.И., Соколик И.А., Кобрянский В.М. Влияние слабого магнитного поля на подвижность носителей тока в полиацетилене.//Журнал химической физики, 1983. Т.12. С. 1642-1651.

435. Овчинников А.А., Пронин К.А. Об эффекте влияния магнитного поля на электропроводность полиацетилена.//ДАН, 1984. Т.276. №3. С. 594-598.

436. Классен В.И. Омагничивание воды. М.: Химия, 1982.

437. Дорфман Я.Г. О специфике воздействия магнитных полей на диамагнитные макромолекулы в растворах.// Биофизика, 1962. Т.7, №6. С. 733-734.

438. Biological effects of magnetic fields, ed. by M.F.Barthothy, New-York, Plenum Press, 1964,1969,1&2.

439. Волькенштейн М.Б. 0 феномене псевдонауки.// Природа, 1983. №11. С. 96-101.

440. Viswat Е., Hermans L.J.F., Beenakker J.J.M. Experiments on the influence of magnetic fields on viscosity of water and a water-solidium chloride solution.// Phys. Fluids, 1982, V.10. P. 1794-1796.

441. Mazur E., Viswat E., Hermans L.J.F., Beenakker J.J.M. Experiments on the viscosity of some symmetric top molecules in the presence of magnetic and electrical fields.// Physica A, 1983. V.121. P.457-478.

442. Постников C.H., Краснов В.Г., Садов Ю.Д. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на вязкость нефти.// Электронная обработка материалов, 1986. №2. С.45-48.

443. Молчанов Ю.М., Кисис Э.Р., Родин Ю.П. Структурные изменения полимерных материалов в магнитном поле.// Механика полимеров, 1973. Т.4. С. 737-739.

444. Молчанов Ю.М., Родин Ю.П., Кисис Э.Р. Некоторые особенности структурных изменений эпоксидной смолы под воздействием магнитного поля.// Механика полимеров, 1978. Т.4. С.583-587.

445. Родин Ю.П., Молчанов Ю.М., Кисис Э.Р. Свойства полимерных композитных материалов, сформированных при воздействии неоднородного постоянного магнитного паля.// Механика композитных материалов, 1981. №5. С. 864-868.

446. Родин Ю.П., Молчанов Ю.М. Поведение молекул атактического полистирола в однородной постоянном магнитном поле.// Механика композитных материалов, 1982. №10. С.671-678.

447. Франкевич Е.Л. О возможности механизма влияния магнитного поля на свойства диамагнитных твердых тел, кристаллизующихся из расплава.// Теоретическая и экспериментальная химия, 1977. Т. 13. №5. С.690-693.

448. Евдокимов В. Б. О броуновском движении частиц в магнитном поле.// Ж. физ. химии, 1969. Т.43. №2. С.454-455.

449. Макаренко С.В., Дуцяк И.С., Козюхин С.А., Миколайчук А.Г., Стець И.Н. Влияние примесей редкоземельных элементов на фотоэлектрические свойства аморфных пленок теллурида германия.// Неорганические материалы. 1994. Т.ЗО, №7. С.894-897.