Фононные спектры и электронные явления в упорядоченных и неупорядоченных халькогенидах германия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Блецкан, Дмитрий Иванович
Блецкан, Дмитрий Иванович
1984
- Специальность ВАК РФ00.00.00
- Количество страниц 448
Оглавление диссертации Блецкан, Дмитрий Иванович
ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.
ГЛАВА I. ПОЛУЧЕНИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А^В71.
1.1.Фазовые равновесия в системах А^-В^.
1.2.Структурный полиморфизм дихалькогенидов германия.
1.3.Кристаллическая структура и химическая связь в моно -халькогенидах германия
1.4.Образование твердых растворов на основе слоистых соединений А^^-В и А1У-В2У1. ту ут
1.5.Синтез веществ и получение монокристаллов А -В и А1У-В2У ту ут
1.6.Механизмы роста пластинчатых кристаллов А -В и ту ут
А -В2 из газовой фазы.
1.7.Рост нитевидных кристаллов моносульфида германия.
1.8.Стеклообразование в системе ^е-Б-Бе и физико-хи -мические свойства германатных стекол.
ГЛАВА П. ОСОБЕННОСТИ ФОНОННЫХ СПЕКТРОВ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И
СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ
2.1.Изучение переходов порядок-беспорядок в монохалькоге-нидах германия методами колебательной спектроскопии.
2.2.Длинноволновые оптические фононы смешанных кристаллов на основе монохалькогенйдов германия и олова.
2.3.Особенности формщювания колебательных спектров кри сталлических дихалькогенидов германия.
2.4.Изучение структуры стекол &еху^х(у=з,8е ) методами колебательной спектроскопии.
2.5.Низкочастотное комбинационное рассеяние света в стеклообразных сульфидах германия.
2.6.ИК- и КР-спектры кристаллических и стеклообразных твердых растворов йе32х8е2(1-х)
- 3 - стр.
ГЛАВА Ш. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ.
3.1.Спектры отражения и электроотражения монохалькогенидов германия.
3.2.Край собственного поглощения кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия.
ГЛАВА 1У. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ФОТОПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛИ
ЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ.
4Л.Электропроводность кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия.
4.2.Фотоэлектрические свойства низкоомных кристаллов
GeS^e1-x
4.3.Интерференционные осцилляции фототока в слоистых кри -сталлах GeSxSeix
4.4.Процессы прилипания и рекомбинации в высокоомных фото -чувствительных кристаллах GeS
4.5.Электрические и фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов GeS:In
4.6.Фотопроводимость аморфного GeS
4.7.Влияние перехода кристалл-стекло на фотоэлектрические свойства GeSe2 и PbgeS^
ГЛАВА'У. ФОТОЛКМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ
ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ.
5 Л.Низкотемпературная фотолюминесценция кристаллических монохалькогенидов германия и твердых растворов на их основе.
5.2.Фотолюминесценция кристаллических и стеклообразных ди-халькогенидов германия.
5.3.Особенности фотолюминесценции стеклообразных халькогенидов германия переменного состава.
5.4.Фотолюминесценция кристаллических и стеклообразных твердых растворов халькогенидов германия.
4 стр# 5.5.ЭПР в стеклообразных халькогенидах германия.
5.6.Модели плотности состояний и природа дефектов в стеклообразных полупроводниках.
ГЛАВА У1. ВЛИЯНИЕ ПШМЕСЕЙ НА СТРУКТУРУ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ. б Л.Колебательные спектры легированных стеклообразных халькогенидов германия.
6.2.Влияние примесей на электропроводность стеклообраз -ных- халькогенидов германия.
6.3.Край собственного поглощения легированных стеклообразных халькогенидов германия.
6.4.Влияние примесей на фотолюминесценцию и ЭПР стеклообразных халькогенидов германия.
ГЛАВА УЛ. ПРИМЕНЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ И СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ГЕРМАНИЯ.
7Л.Высокоразрешающие фоторезисты на основе стеклообраз ных халькогенидов германия.^
7.2.Запись стационарных голографических решеток на полупроводниковых соединениях типа А^-В *.
7.3.Фотоэлектрические анализаторы линейно-поляризованного излучения.
7.4.Эффект переключения в кристаллических и стеклообраз ных халькогенидах германия.^
ВЫВОДЫ
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК
Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений1984 год, кандидат физико-математических наук Кенгерлинский, Лятиф Юлдуз оглы
Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках2013 год, кандидат физико-математических наук Кожокарь, Михаил Юрьевич
Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках2006 год, доктор физико-математических наук Кастро Арата Рене Алехандро
Динамика решетки полупроводниковых структур при проявлении эффектов упорядочения и размерного квантования во взаимосвязи с их оптическими свойствами2001 год, доктор физико-математических наук Белогорохов, Александр Иванович
Модифицирование халькогенидных стеклообразных полупроводников2007 год, доктор химических наук Козюхин, Сергей Александрович
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фононные спектры и электронные явления в упорядоченных и неупорядоченных халькогенидах германия»
I, Актуальность и состояние изученности проблемы
В настоящее время исследования фононных и электронных процессов в неупорядоченных структурах вылились в самостоятельный и быстро развивающийся раздел физики твердого тела. В этом направлении накоплен большой объем новой информации, позволяющий успешно развивать или конкретизировать те фундаментальные проблемы физики неупорядоченных систем, которые были сформулированы А.Ф.Иоффе еще в сороковых годах [1]. В частности, им была высказана идея об определяющей роли ближнего структурного порядка в электрических свойствах вещества. Так как в то время не существовало веществ, которые, будучи полупроводниками в твердом состоянии при комнатной температуре, не имели бы дальнего порядка, то первоначально для проверки этой идеи анализировались явления, наблюдающиеся при фазовых переходах кристалл-расплав (т.е. исследовались жидкие полупроводники).
Интерес к таким исследованиям первоначально был вызван стремлением понять пределы применимости зонной теории твердого тела,в частности, в том случае, когда идеальный структурный порядок кристалла разрушается. Плавление полупроводников, по замыслу А.Ф.Иоффе, должно было моделировать эту ситуацию. Работы А.Р.Регеля [2,3], посвященные исследованию электропроводности, плотности и вязкости широкого класса полупроводников в жидком состоянии, явились подтверждением фундаментальных идей А.Ф.Иоффе и привели к первой классификации типов расплавов по их электрическим свойствам.
Однако,даже простые расплавы являются сложными системами со структурной точки зрения, так как расположение их атомов может и в действительности изменяется с повышением температуры. Поэтому
- 6 - . • более полное изучение роли ближнего и дальнего структурного порядка в формировании физических свойств твердых полупроводников стало возможным лишь после открытия в 1955 г. Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горю-новой[4,5] халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП).
Имеется обширный круг халькогенидных стеклообразных полупроводников - от моноатомных (типа 8е ) до двойных, тройных и много -компонентных. Тем не менее,число стехиометрических химических соединений, способных существовать как в стеклообразном, так и в кристаллическом состояниях,ограничено, К ним относятся халькогениды мышьяка ( Аб^ , АБ28е5 и Аз^е^ ) и германия ( 0ев2 и веВе2 ), а также некоторые тройные соединения ( РЬвеВ^ , АвЗ;г, НАзВ2 и др.). Халькогениды мышьяка интенсивно изучаются с момента открытия ХСП, т.е. с 1955 г; соответствующие исследования привели к формированию основных физических представлений о меха -низме перехода кристалл-стекло, выяснению изменений в характере фононных спектров и электронных явлений [4-15]. В то же время халькогениды ве к началу проведения настоящей работы (1973 г.) были слабо изучены. Существенно, что основными структурными элементами халькогенидов Аг являются тригональные пирамиды [АвХ^*] , тогда как структура халькогенидов ве формируется тетраэдрами ( У«8,8е ). В связи с этим оставался открытым принципиальный вопрос: какие из установленных для халькогенидов мышьяка закономер -ностей изменения физических свойств при переходе кристалл-стекло являются общими и для других веществ, а а какие связаны только лишь со спецификой их структуры. Имелись все основания полагать, что для решения этого вопроса изучение халькогенидов германия даст новую важную информацию, тем более, что в отличие от халькогенидов мышьяка эти материалы в кристаллическом состоянии существуют в различных полиморфных модификациях. Немаловажную роль играло то обстоятельство, что в случае халькогенидов мышьяка, характеризующихся высокой стеклообразующей способностью, кристаллическая фаза исследовалась преимущественно на природных минералах, содержащих, как цравило, высокую концентрацию примесей (состав и концентрация которых зависят от месторождения). В отличие от них халь-когениды германия легко получаются в лабораторных условиях как в стеклообразном, так и в кристаллическом состояниях.
Укажем еще, что кристаллические халькогениды германия обладают слоистой структурой. Возможности, которые отбывают слоистые кристаллы для изучения ряда новых явлений в физике твердого тела, далеко еще не исчерпаны, и интерес к слоистым соедине -ниям постоянно возрастает. Слоистые полупроводники по своему кристаллическому строению являются промежуточными между ионными и молекулярными кристаллами, благодаря специфике химических связей. В слоистых кристаллах взаимодействие между атомами, входящими в слоевой пакет, является довольно сильным и носит ионный или ко-валентный характер, тогда как взаимодействие между пакетами относится к типу ван-дер-ваальсовых. Слоевой пакет сам по себе характеризуется наличием структуры и в большинстве случаев пред -ставляет сэндвич, состоящий из двух слоев атомов халькогенов X (либо галоидов Г) со слоем атомов металла М, заключенным между ними. Слабое взаимодействие слоев допускает различные варианты упаковки сэндвичей Х-М-Х вдоль С-оси, перпендикулярной слоям. Поэтому многие слоистые соединения, в том числе и А^В^, существуют в нескольких полиморфных модификациях.
Среди слоистых халькогенидов наиболее изученными являются полупроводниковые соединения Что же касается слоистых кристаллических халькогенидов германия и олова, то к началу настоящей работы (1973 г.) в литературе имелись ограниченные, а зачастую противоречивые данные об их основных параметрах и характеристиках. Эти данные суммированы в монографии [16], переиздан -ной в 1975 году [17]. Вопросы, связанные с политипизмом, полиморфизмом, анизотропией фотоэлектрических, оптических и колебательных спектров, локальными центрами в кристаллических халькогени -дах германия и олова оставались совершенно незатронутыми.По этой причине понятно отсутствие к тому времени каких-либо сведений и о возможностях их практического использования.
При анализе свойств материала в зависимости от его состояния в первую очередь возникает вопрос о связи их ближнего порядка с изменениями электронной и дефектной структуры. Аналогично кристаллам, при анализе строения стеклообразных полупроводников в последнее время доминирует идея о возможности выделения в них идеальной структуры ("идеального" стекла) и различных локализованных дефектов, существующих как бы на ее фоне и обуславливащих электрон -ные явления. Эта проблема изучалась и продолжает изучаться преимущественно на примере стеклообразных халькогенидов мышьяка[8-13]. Она привела к рождению различных моделей плотности состояний в энергетической щели, успешно объясняющих многие экспериментальные результаты. Весьма важной при изучении проблемы дефектов в ХСП является проверка этих моделей и анализ возможности их распространения на другие стеклообразные полупроводники. В этом плане стеклообразные халькогениды германия являются весьма подходящими объектами.
Для выявления дефектов в аморфных полупроводниках и установления их природы используются методы, нашедшие широкое распространение при исследовании кристаллических полупроводников. К ним прежде всего относятся оптические, электрические, фотоэлектри -ческие и фотолюминесцентные. Весьма полезным при изучении дефектов является параллельное исследование одних и тех же характери -стик кристаллической и стеклообразной фаз вещества одного и того же химического состава.
Существование стеклообразугацих соединений веВ2 и веВе2 способствует наличию широких областей стеклообразования в бинар -ных системах ве-В и ве-8е соответственно. Вопросы о границах областей стеклообразования в этих системах, структуре и физичес -ких свойствах стекол переменного состава бв^Ёц и б©^©^* к началу настоящего исследования также не были решены. Имеющиеся к тому времени данные о структуре и свойствах стеклообразных халь-когёнидов мышьяка переменного состава ( Ав^ , Ав^в^ )[б,7] указывали на существенное изменение этих характеристик в зависи -мости от соотношения компонент стекла, что предопределяло выбор конкретного состава для тех или иных практических нужд.
В этой связи особый интерес приобретали, во-первых, исследования структуры различных ХСП (в том числе германатных ) всевоз -можными методами, а во-вторых, изыскания возможностей уцравления атомной структурой системы при ее неизменном химическом составе, наконец, в-третьих, приобретало существенное значение изучение структурно-чувствительных свойств такого рода систем. К началу наших исследований небольшая часть информации об атомной структуре стеклообразных халькогенидов германия была получена с помощью прямых методов - рентгеновского дифракционного и электро^нографичес-кого.Однако,интерпретация экспериментальных кривых радиального распределения атомов (КРРА) или электронной плотности, установленных этими методами, сталкивается с трудностями неоднозначной их интерпретации. Поэтому весьма полезным представлялось привлечение косвенных методов исследования структуры ближнего порядка, к числу которых прежде всего относятся спектроскопические методы: комбинационное рассеяние света (KPG), длинноволновая ИК-спектроскопил, ЭПР, эффект Мёссбауэра. .
Наконец, нельзя не отметить и тот факт, что к началу настоящей работы в литературе практически отсутствовали данные об образовании твердых растворов между бинарными моно- и дихалькогенида-ми германия и олова, хотя иэоструктурность и близость цараметров их кристаллических решеток указывали на возможность существования непрерывных рядов твердых растворов как с катионным, так и с анионным замещением. С общетеоретических позиций кристаллические твердые растворы замещения также являются разупорядоченными структурами, занимающими промежуточное положение между идеальными монокристаллами и стеклами как предельно разупорядоченными системами. Целесообразность исследования проблемы порядок-беспорядок в твердом теле в ряду монокристалл-твердый раствор-стекло неоднократно подчеркивалась в литературе [9,15].
Интересным представлялось также изучение воцроса о возможностях практического использования кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия, в частности, применения их для создания разного рода фотоприемников, электрических ключей в качестве сред для записи голограмм и т.д. Этот вопрос до начала данной работы также практически не рассматривался.
I. Цель работы
Основная цель настоящей работы состояла в разработке методов получения кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия, а также твердых растворов на их основе, изучении их фонон-ных спектров и в установлении общих закономерностей и специфики протекания в них электронных процессов. На основании комплекса структурных, оптических, электрических, фотоэлектрических и фотолюминесцентных исследований этих материалов предполагалось выяснить на одном и том же классе веществ особенности изменения физических свойств при переходе из упорядоченного в неупорядоченное состояние, а также выявить перспективы практического использования указанных материалов в устройствах современной опто- и микроэлектроники.
Решение поставленных задач потребовало:
1. Разработки методов синтеза, выращивания высококачественных монокристаллов и получения стекол на основе халькогенидов германия, олова и свинца, а также методов их легирования.
2. Изучения механизма роста и явлений полиморфизма слоистых кристаллов моно- и дихалькогенидов германия.
3. Исследования колебательных спектров рассматриваемых материалов в кристаллическом, стеклообразном и аморфном состояниях.
4. Изучения структуры ближнего порядка в стеклообразных бинарных системах Ge-S и Ge-Se > установления связи ее с составом, физико-химическими и оптическими свойствами.
5. Комплексного изучения оптических, электрических, фотоэлектрических и фотолюминесцентных характеристик кристаллических, стеклообразных и аморфных материалов.
6. Исследования физико-химической прщюды и свойств локальных центров рассматриваемых материалов в кристаллическом, стеклообразном и аморфном состояниях.
7. Исследования возможности образования твердых растворов в системах халькогенидов германия и олова и изучения их структуры и свойств.
8. Изучения влияния примесей на структуру и электронные явления в стеклообразных халькогенидах германия.
Научная новизна. В результате проведенного комплексного исследования выявлены основные закономерности структурообразования, формирования колебательных спектров и специфики электронных процессов в кристаллических, стеклообразных и аморфных халькогенидах германия, а также установлены изменения физических свойств этих материалов при переходе из упорядоченного в разупорядоченное со -стояния. Наиболее важными новыми научными результатами, определяющими основное содержание работы, являются следующие:
1. Разработана технология получения достаточно совершенных (относительно больших размеров: длина 60-70 мм и диаметр 1517 мм, различного габитуса, оптически и электрически однородных) слоистых монокристаллов различных полиморфных модификаций и политипов халькогенидов германия и олова, а также установлены оптимальные условия синтеза специально не легированных и легированных бинарных стекол ®взсЭ1-.х (0.12^x^0.44) и ®вх®в1-эС (0^x40.44). Показано,что в квазибинарных системах веВ-&еВе, веВ-ВпВ , веВе-ВпВе , веВ2-веВе2 существуют непрерывные ряды кристаллических твердых растворов, а в последнем случае ; -и стеклообразных твердых раствораов. Построены диаграммы состояния, позволяющие выбирать оптимальные условия выращивания кристаллов твердых растворов.
2. Изучена и на основе рентгеноструктурных данных впервые правильно построена кристаллическая структура низкотемпературной (ОС- ) и высокотемпературной (В* ) модификаций Бев2# Показано, что основным структурным мотивом ос - и В-веВ2 являются цепочки из тетраэдров [реВ^] , увязанных вершинами, к которым примыкают также вершинами мостиковые тетраэдры. Различие в формировании структур двух модификаций заключается в характере увязки этих цепочек.
3. Изучены фононные спектры кристаллических (различных полиморфных форм) и стеклообразных дихалькогенидов германия.
Предложен подход к динамике решетки сложных по структуре цепочечных и слоистых кристаллов, основным структурным элементом кото -рых является тетраэдр [беВ^] , упрощающий анализ их колебательных спектров и позволивший сделать заключение о характере ближнего и среднего порядка в стеклообразных дихалькогенидах германия.
4. На примере кристаллических твердых растворов экспериментально продемонстрировано предельно сильное уширение всех линий в спектрах КРС и ИК-спектрах, вызванное наличием флуктуационного разупорядочения атомов замещения в соответствующей подрешетке.
5. Методами колебательной спектроскопии и дифракции электронов установлено изменение атомной структуры монохалькогенидов германия при переходе из кристаллического в аморфное состояние, приводящее к кардинальным изменениям спектра локализованных • состояний в щели и определяемых ими электронных свойств.
6. Установлена существенная роль экситонных возбуящений в формировании оптических спектров вблизи края фундаментального поглощения кристаллических халькогенидов германия.
7. Показано, что в спектрах электроотражения слоистых кристаллов бев, ве Ве , ВпВ и БпВе не проявляются особенности, обусловленные межслоевым взаимодействием.
8. На основе комплексных исследований поляризационных,, ин-тенсивностных и температурных зависимостей краевой люминесценции слоистых кристаллов выяснена природа линейчатого спектра фотолюминесценции (ФЛ), обусловленного бесфононным излучением донорно-акцепторных пар и фононными повторениями. Изучено влияние различных химических и деструктурных обработок поверх -ностей. кристаллов - на спектры краевой ФЛ.
9. С помощью параллельных исследований одних и тех же характеристик кристаллической и стеклообразной фаз дихалькогенидов германия и тиогерманата свинца показано, что,если при переходе кристалл-стекло ближний порядок сохраняется, а нарушается только дальний, то электронные свойства изменяются слабо и определяются глубокими уровнями в запрещенной зоне, большинство из которых образовано собственными дефектами структуры типа оборванных связей, а также недо- и перекоординированных атомов, В этом случае стеклование вещества приводит к размытию краев зон, и,как следствие этого -к уменьшению оптической щели и исчезновению тонких деталей в спектрах краевого поглощения, фотопроводимости и спектров возбуждения фотолюминесценции.
10. Экспериментально установлено существенное влияние добавок примесей Си , Ав » В1 и Те на электрические, оптические и фотолюминесцентные свойства стеклообразных халькогенидов германия. Впервые показано, что качественные и количественные характеристики влияния примесей существенно зависят от химического состава стекла. Например, примесь меди,слабо изменяя квантовый выход и спек -тральное положение полосы ФЛ Ь^т80С =1.09 эВ, вплоть до концентрации Си 2 ат,% в стекле Ов^ » практически полностью гасит аналогичную полосу в стеклообразном ОеВ^ уже при концентрации Си 0.01 атХ
Практическая ценность результатов работы
I. Разработаны высокоэффективные позитивные и негативные фото- и электронорезисты на основе тонких слоев стеклообразных халькогенидов германия, характеризующиеся по сравнению с известными фоторезистами на основе ХСП повышенной чувствительностью, лучшей крутизной края и качеством изображения, а также меньшей токсич -ностью. На резистах отработаны процессы как жидкостного, так и сухого (плазменного) травления.
- 15
2. Обнаруженная сильная анизотропия фотопроводимости в слое открывает возможность использования пластинчатых и нитевидных кристаллов GeS , GeS:In и GeS^S®-^ для создания нового, типа фотоприемников - фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения (ЛПИ). По сравнению с другими фотоанализаторами они характеризуются более высокой фоточувствительностью и простотой изготовления. Фотоанализаторы ЛПИ могут быть использованы в качестве датчиков угловой скорости.,
3. На основе слоистых кристаллов халькогенидов Ge и Sn показана возможность создания электрических ключей с s -образной вольт-амперной характеристикой.
4. Показана возможность использования слоистых кристаллов,стету ут кол и аморфных слоев А В в качестве бессеребряных сред для записи стационарных рельефных фазовых голограмм. Ряд перечисленных предложений защищены авторскими свидетельствами.
Основные положения, выносимые на защиту
1. Определены оптимальные условия выращивания слоистых кристаллов моно- и дихалькогенидов германия различных полиморфных форм из газовой фазы и расплава, а также условия синтеза и получения оптически однородных специально не легированных и легированных стекол Gex?1-x и Gex?e1-x • Установлено существование непрерывных рядов твердых растворов на основе моно- и дихалькогенидов Ge и sn с катионным и анионным замещением в кристаллическом и стеклообразном состояниях.
2. Колебательные спектры кристаллических и стеклообразных дихалькогенидов могут быть интерпретированы в рамках модели, исходящей из трансформации форм нормальных внутримолекулярных колебаний тетраэдров [Ge(S,Se , при их последовательном искажении в ряду: идеальные тетраэдры - искаженные, но неувязанные тетраэдры на примере ионно-ковалентных кристаллов РЪ^еВ^. ) - увязанные в цепочку тетраэдры ( на примере цепочечных соединений рЪйеВ^ и ВпееВ, ) - увязанные в слои цепочки тетраэдров (на примере ос
Оу
И в-ве82) .
3. Для дихалькогенидов германия переход кристалл-стекло происходит без нарушения химического порядка. При этом ближний поря -док в стеклообразных 0еВ2 и веВе2 сохраняется таким же,как в кристаллических высокотемпературных слоистых В-модификациях, а средний порядок этих же стекол определяется цепочками тетраэдров с общей вершиной и примыкающими к ним мостиковыми тетраэдрами.
4. Подобие люкс-амперных, люкс-яркостных характеристик, температурных зависимостей фотопроводимости и спектров фотолюминесценции в кристаллических и стеклообразных дихалькогенидах германия обусловлено сохранением ближнего порядка при переходе кристалл-стекло и однотипностью актуальных в этих явлениях собственных дефектов структуры кристалла и стекла, а существенные различия спектральных характеристик фотопроводимости, форм края собственного поглощения и спектров возбуждения фотолюминесценции, как и незначительное изменение электропроводности, являются проявлением исчезновения дальнего порядка при стекловании.
В отличие от этого, сильные различия в значениях электропроводности, в спектрах отражения и фотолюминесценции, а также в стационарных характеристиках фотопроводимости кристаллических и аморфных монохалькогенидов германия связаны с перестройкой локальной атомной структуры, определяющей ближний порядок и отражающейся непосредственно в колебательных спектрах.
5. Введение в стеклообразные халькогениды германия атомов меди, серебра, висмута и теллура в процессе синтеза из расплава позволяет управлять их электропроводностью, шириной энергетической
- 17 псевдощели и спектрами фотолюминесценции.
6. Стеклообразные халькогениды германия могут быть успешно использованы в качестве высокоразрешающих фото- и электронорезистов. Оптимальными материалами для этого являются стекла GeSe2 , GeSe^ и твердые растворы GeS2x?e2(1-x) 00 СТ0Р0НЫ диселенида германия.
Апробация работы и публикации. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Ш Республиканском семинаре по квантовой электронике (Харьков,1973)Межобластной конференции молодых ученых по проблеме физики твердого тела (Львов,1975), П Республиканском коллоквиуме "Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков" (Сухуми,1975), П Всесоюзной конференции по голографии (Киев,1975), 1,П и Ш-ей Всесоюзных конференциях по спектроскопии комбинационного рассеяния света (Киев,1975, Москва,1979, Шушенское,1983), Республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок"
Ужгород,1977), Первой Всесоюзной научно-технической конференции
П УТ
Получение и свойства полупроводниковых соединений типа А В и
ТУ УТ
А В и твердых растворов на их основе" (Москва,1977), У Всесоюзной конференции по химии,физике и техническому применению халькогенидов (Баку,1979), I и П-ой Республиканских конференциях "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ужгород,1979, Одесса,1982), 1У и У1-ой Международных конференциях социалистических стран "Аморфные полупроводники-78,-82" (Пардубице,ЧССР,1978, Бухарест,PCP,1982),1У Республиканской конференции "Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников" (Ужгород,1981),1У Всесоюзном симпозиуме по фотоэлектронной и электронной эмиссии (Ленинград,1981), I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, 1981), П Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков,1982), 1У Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (Кишинев,1983).
Похожие диссертационные работы по специальности «Другие cпециальности», 00.00.00 шифр ВАК
Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия1984 год, кандидат физико-математических наук Ляхович, Анатолий Николаевич
Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках1984 год, кандидат физико-математических наук Нистирюк, Павел Викторович
Валентные состояния олова и физико-химические свойства оловосодержащих халькогенидных стекол на основе селенида мышьяка2012 год, кандидат физико-математических наук Дземидко, Игорь Альфредович
Оптические и люминесцентные свойства оксидных стекол и кристаллов с различным типом атомного разупорядочения2008 год, доктор физико-математических наук Вайнштейн, Илья Александрович
Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках1983 год, кандидат физико-математических наук Чернышев, Андрей Викторович
Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Блецкан, Дмитрий Иванович
ВЫВОДЫ
В работе проведены разносторонние комплексные исследования слоистых полупроводников GeS , GeSe , GeSe2 , GeS2 » находящихся в кристаллическом, стеклообразном и аморфном состояниях. Впервые получены фундаментальные характеристики и параметры этого класса веществ и прослежено их изменение при переходе из упорядоченного в неупорядоченное состояние. На основе полученного экспериментального материала можно сделать следующие обобщения и выводы:
1. Разработаны оптимальные условия синтеза и выращивания слоистых кристаллов моно- и дихалькогенидов германия и олова различных политипов и полиморфных форм из газовой фазы и расплава.
Установлены механизмы их роста: при низких пересыщениях рост слоту ут истых кристаллов А В осуществляется путем образования винтовых дислокаций, концентрация которых изменяется от одной-двух
3 2 до 10 см . , при высоких пересыщениях имеет место послойный рост кристаллов за счет образования двумерных зародышей. Методами дифференциально-термического анализа, рентгеноструктурного анализа и колебательной спектроскопии доказано существование непрерывных рядов твердых растворов на основе моно- и дихалькогенидов Ge и как с катионным, так и с анионным замещением. Уточнены области стеклообразования в бинарных системах Ge-S и Ge-Se , разработаны условия синтеза и получения оптически однородных специально не легированных и легированных ( Cu , Ag , Bi , (De Pb , Sn ) стеклообразных халькогенидов германия.
2. Наличие особых точек на зависимостях "состав-стекло" в бинарных стеклообразных системах Ge-S и Ge-Se обусловлено относительным упорядочением их структуры, вызванным известными в этих системах стехиометрическими химическими соединениями
GeS2 и GeSe2 •
3. Методами колебательной спектроскопии, дифракции электронов и рентгеновских лучей изучена структура кристаллических, стеклообразных и аморфных моно- и дихалькогенидов германия, а также стекол переменного состава и Gex®e1-x Показано, что переход кристалл-аморфное состояние в монохалько-генидах германия сопровождается исчезновением дальнего и изменением ближнего структурного порядка, а в стеклообразных дихалько-генидах G© ближний порядок такой же как в высокотемпературных кристаллических -модификациях. Основными структурными единицами стекол Gex(S,Se)1>-x являются тетраэдры [Ge(S,Se)^"] , которые дополняются включениями областей элементарного халько-гена или октаэдрически координированного германия при приближении к границам областей стеклообразования.
4. В результате комплексного исследования электропроводности, фотопроводимости, фотолюминесценции и края собственного поглощения кристаллических и некристаллических фаз моно- и дихалькогенидов германия показано, что: а) исчезновение дальнего порядка при переходах "кристалл-стекло" и "кристалл-аморфная фаза" проявляется в уменьшении ширины запрещенной зоны и исчезновении эффектов анизотропии и размытии экситонной структуры, что обусловлено размытием краев зон
• f И и и появлением хвостовых локализованных состоянии вследствие амор-физации или стеклования; б) трансформация ближнего порядка при переходе кристалл-аморфная фаза в монохалькогенидах Ge проявляется в резком • уменьшении электропроводности, изменении характера температурных зависимостей фотопроводимости, исчезновении фотолюминесценции; в) подобие температурных зависимостей фотопроводимости, спектров фотолюминесценции, люкс-амперных и люкс-яркостных характеристик, контролируемых глубокими уровнями в запрещенной зоне кристаллических и стеклообразных дихалькогенидов германия, обусловлено сохранением ближнего порядка при.переходе кристалл-стекло и однотипностью собственных дефектов структуры кристалла и стекла, создающих эти уровни.
5. Для систем твердых растворов на основе слоистых кристаллов халькогенидов германия наблюдаются различные зависимости фо-нонных частот этих колебаний от состава: в системах и ) реализуется смешанное одно- и двухмодовое поведение фононных мод, а в твердых растворах 6ех?п1-х ^ и ~ одномодовое.
На примере кристаллических твердых растворов ^еБ2х?е2(1-х) впервые продемонстрировано предельно сильное уширение всех линий в спектрах КРС и ИК спектрах, вызванное наличием как флуктуацион-ного разупорядочения атомов замещения по узлам соответствующей подрешетки, так и флуктуациями длин и углов связей в структурных тетраэдрах 6еТ^ ( Т»,8,Бе), приближающими их к колебательным спектрам стеклообразных фаз такого же состава.
6. Для кристаллических монохалькогенидов бе экспериментально установлена сильная анизотропия всех физических свойств не только для направлений вдоль и поперек слоев, но и в самом слое, т.е. вдоль кристаллографических осей а и Ъ , что открывает новые возможности для их практического использования, например, создания фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения. Анизотропия электропроводности вдоль и поперек слоев Криту ут сталлов А В главным образом обусловлена дефектами упаковки, лежащими в базисной плоскости кристалла.
7. Обнаружена и объяснена роль примеси индия в формировании нитевидных кристаллов 6еб:1п и в управлении их электронными свойствами. Установлено, что индий принимает участие в создании глубоких т.н. "очувствляющих" уровней типа к -центров в сое
П УТ динениях А В .
8. Показано, что легирование изоэлектронными примесями и ®п в процессе выращивания кристаллов моносульфида германия из газовой фазы, приводит к созданию в их запрещенной зоне мелких о л уровней. Такие кристаллы являются низкоомными (=10 * 10 Ом.см и у них наблюдается остаточная проводимость, связанная с центрами прилипания.
9. Установлено, что при введении в стеклообразный аеБе2 изоэлектронной примеси теллура, происходит замещение атомов 8е на атомы Те в структурных тетраэдрических единицах веБе^ , приводящее к образованию областей свободного 8е • Этот процесс сопровождается появлением новой полосы излучения, смещением максимума основной полосы ФЛ и края собственного поглощения в область меньших энергий, уменьшением квантового выхода и появлением усталости люминесценции.
10. Показано, что характер воздействия легирующих примесей металла I группы на физические свойства стеклообразных халькоге-нидов германия переменного состава, существенно зависит от структуры ближнего порядка исходных стекол. Так, для стекол, обогащенных германием ( Ъе^з ) » легирование медью и серебром, приводит к увеличению электропроводности, уменьшению энергии ее активации и ширины оптической щели, но слабо влияет на фотолюминесценцию. Введение такого же количества Си и Ае в стекла, обогащенные халькогеном (например, веВ^ ) слабо влияет на электропроводность, но сильно смещает край собственного поглощения в длинноволновую область спектра и приводит к полному гашению фотолюминесценции.
11. Введение Bi в стеклообразный йеВ^ приводит к немонотонному, сильному уменьшению оптической щели, резкому изменению электропроводности и энергии ее активации, сопровождающемуся инверсией типа проводимости, возникновению новой полосы излучения и уменьшению квантового выхода ФЛ. Все эти изменения обусловлены образованием стеклообразных твердых растворов
С &е82 » что следует из анализа трансформации колебательных спектров.
12. На основе стеклообразных халькогенидов германия разработаны неорганические фото- и электронорезисты, преимуществами которых в сравнении с органическими являются; высокая разрешающая способность ( < I мкм ), хорошие защитные свойства, термостойкость образования маски, отсутствие набухания резиста.
В своей совокупности полученные результаты являются обоснованием и развитием нового перспективного научного направления в физике полупроводников: "фононные спектры, структура энергетических зон и электронные явления в широкозонных полупроводниковых материалах (типа халькогенидов германия ) в зависимости от степени структурной упорядоченности и химического состава
Список литературы диссертационного исследования Блецкан, Дмитрий Иванович, 1984 год
1. Регель A.P., Глазов B.M. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980, 296 с.
2. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Свойства и структура тройных полупроводниковых систем.П. Электрические свойства и структура материалов в системах из селенидов таллия, сурьмы и мышьяка. 1ТФ, 1955, т.25, с.2069-2078.
3. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупроводники.-Изв.АН CGCP, сер.физ., 1956, т.20, № 12,
4. Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. Л.: ЛДНТП,1963.
5. Kolomiets В.Т.Vitreous semiconductors. Phys.Stat.Sol., 1964, v.7, N 2, p.359-372.
6. Андриеш A.M., Иову M.C., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы. Кишинев: Штиница, 1981, 212 с.
7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М,; М1ф, 1982, 663с.
8. Mott N.P., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors.- Phil.Mag., 1975, v.32,1. N 5, p.961-996.
9. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors.« Phys.Rev.Lett., 1975, v.35, N 19, p.1293-1296.
10. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation mode 1 for localized gap states in lone pair semiconductors.- Phys.
11. Rev.Lett., 1976, v.37, N 21, p.1504-1507.
12. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., М1фонов А.Г., Эндер-лайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.:Наука, 1981, 383с.
13. Абрикосов Н.Х., Банкин В.Б., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Ше-лимова Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Халькогениды элементов 2,4 и 5 групп периодической системы. М.: Наука, 1967, 240с.
14. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений М.: Наука, 1975, 195с.
15. Лю Цгонь-Хуа, Пашинкин А.С., Новоселова А.В. Исследование системы германий-сера. ДАН CCGP, 1963, т.151, №6, с.1335-1338. Ross L., Во ur go ri M. Thermal analysis of germanium (и) sulfide.- Canad.J.Chem., 1968, v.46, N 14-, p.2464-24-68.
16. Vienne W., Moh H. ÎDhe condensed germanium -sulfur system.-Neues Jahrbuch fur Mineralogie, 1970, Bd.6, S.283-285.
17. Пашинкин A.С., Григорович C.M., Стрижков Б.В. О диаграмме плавкости системы Ge-S • Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1971, т.7, № 8, с.1441-1443.
18. Иванченко В.А., Пчеляков О.П., Стенин С.И. Исследование системы Ge-GeS с помощью термографиметрии и электронной микроскопии. Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1976, т.12, № I,с.12-15.
19. Карбанов С.Г., Карханова М.И., Пашинкин А.С., Зломов В.П.,Новоселова А.В. Давление пара GeS2 и GeS©2 • Изв.АН СССР.
20. Неорган.материалы, 1971, т.7, № II, с.1914-19
21. Novoselova A.V., Zlömanov V.P., Karbanov S.G., Matveyev O.V., Gaskov A.M. Physico-chemical study of the germanium, tin, lead chalcogenides*- Progress in Solid State Chem., v.6-7, Ed.H.Reiss,J.O.McCaldin Pergamon Press»Oxford,1972,p.85-115.
22. Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-Х-фазовые диаграммы систем Ge-S , Ge-Se и Ge-Te . Вестник МГУ. Сер.2, Химия, 1970, т.II, № I, с.51-56.
23. Саркисов 3.G., Лидин P.A., Дробот Д.В. Исследование системы Ges2 In^ - GeS . - Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1971, т.7, № I, с.34-37.
24. Один И.Н., Господинов Г.Г., Новоселова A.B. Исследование взаимодействия моносульфида германия с сульфидом висмута. Вестник МГУ. Сер.2, 1974, т.15, № 4, с.490-492.
25. Саркисов Э.С., Лидин P.A., Венилевская Н.С. Исследование системы In^-GeS . Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1970,т.6, № I, с.184
26. Карбанов G.r., Зломанов В.П., Украинский Ю.М. О высокотемпературных модификациях моносульфида и моноселенида германия. Изв. АН СССР. Неорган.материалы, 1970, т.6, № I, с.125-126.
27. Новожилов А.Ф., Зломанов В.П. Определение теплот фазовых переходов в GeSe , GeSe2 , GeS, GeS2 термографическим мето -дом. Изв.АН СССР. Неорган.материалы,1976, т.12, № I,с.19-23.
28. Сидоров И.А., Магунов Р.Л., Заколодяжная О.В., Белюга Ю.В. Система GeS-GeSe . ЖНХ,1976, т.21, №3, с.856-858.
29. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Химинец В.В. Образование твердых растворов в системах GeS-SnS и GeSe-SnSe и исследование их колебательных спектров. 1НХ, 1980, т.26, № 3, с.762-764.
30. Spandau H., Klanberg Р. Über das thermische Verhalten der Sulfide des Germanium.-Z.Anorg.und Allgem.Chem.,1958,Bd.295, N 5-6, S.291-296.
31. Peltz А. о соединениях, известных до сих пор только в непериодических решетках и нескольких производных от них стеклооб -разных систем. В кн.:Аморфные полупроводники-74. Reinhardsbrunn: Acad.Wissenschaft.DDR, 1974-, v.1, с.113-122.
32. Лю Цюнь-Хуа, Пашинкин С.А., Новоселова A.B. Исследование системы германий-селен. ДАН СССР, 1962, т.146, № 5, с.1092-1093.
33. Карбанов С.Г., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Исследование системы германий-селен. Вестник МГУ.Сер.2, Химия, 1968, т.9,3, с.96-98.
34. Зломанов В.П., Новожилов А.Ф. Изучение Р-Т-Х диаграммы системы Ge-Se . Изв.АН СССР, Неорган.материалы,1979, т.15, № 10, с.1752-1756.
35. Карбанов С.Г., Статнова Е.А., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Изучение системы германий-селен вблизи моноселенида германия и выращивание его монокристаллов. Вестник МГУ.Сер.2, Химйя, 1972, т.13, № 5, с.531-534.
36. Виноградова Г.З., Дембовский С.Л., Сивнева Н.Б. Уточнение диаграммы состояния системы Se-Ge в области GeSe-GeSe2 .МНХ, 1968, т.13, № 7, с.2029.
37. Ross L., Bourgon M. Germanium-selenium phase diagram.- Canad.J. Chenu, 1969, v.4-7, N 14, p.2555-2558.
38. Ipsen H., Gambino M., Schuster W. The Germanium-Selenium phase Diagram.-Monatshefter für Chemie, 1982, v.113, N 4-,p.389-398.
39. Albers W., Haas С., Vink H.J., Wassher J.D. Investigation on SnS.- J.Appl.Physics, 1961, v.32, N 10, p.2220-2225.
40. Albers W., Schol К. The P-T-Xphase diagram of the system Sn-S.-Philips Res. Repts. ,1961, v.16, N 4-, p.329-34-2.
41. Караханова М.И., Пашинкин A.C., Новоселова A.B. О диаграмме плавкости олова-серы. Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1966, т.2, № 6, с.991-996.
42. Бартенев Г.М., Гаганов А.Д., Дембовский С.А., Михайлов В.И. Изучение систем Sn-s и Sn-Se с помощью эффекта Мессбауэ-ра. Изв.АН СССР. Неорган.материалы,1971, т.7, № 8, с.1442-1445.
43. Караханова М.И., Пашинкин A.C., Новоселова A.B. О диаграмме плавкости системы олова-селен. Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1966, т.2, № 7, с.1186-1189.
44. Кулюхина Е.А., Зломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-Х проекция диаграммы состояния системы Sn-Se . Изв.АН СССР, Неорган, материалы, 1977, т.13, № I, с.237-240.
45. Панова В.В. Фазовый переход второго рода в SnSe . ФТТ,1961, т.З, № 5, с.1619-1622.
46. Дембовский С.А., Егоров Б.Н., Пашинкин A.C., Поляков Ю.А. К вопросу о фазовом переходе второго рода у SnSe . ЯНХ, 1963, т.8, № 4j с.1025-1026.
47. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М.Ю. Три полиморфных формы GeSe2 . Кристаллография, 1979, т.24, №1, с.83-89.
48. Prewitt С.Т., Young H.G. Germanium and silicen disulfides: structure and synthesis.- Science, 1965, v.149, N 3683, р.535-53'
49. Zachariasen W.H. The crystal structure of germanium disulphide.-J.Chem.Phys., 1936, v.4, p.618-619.
50. Dittmar G., Shäfer H. Die Kristallstrukture von L.T.-GeS2.-Acta Cryst.B, 1976, v.32, N 4, p.1188-1192.
51. Dittmar G., Shäfer H. Die Kristallstrukture von H.T.- GeS2 .Acta Cryst.B, 1975, v.31, N 7, p.2060-2064.
52. Караханова М.И., Соколова JI.П., Новоселова A.B., Пашинкин A.C. Изучение системы Ge-S-Se по разрезу GeS2-GeSe2 . Изв.
53. АН СССР. Неорган.материалы, 1976, т.12, № 8, с.1484-1485.
54. Rubenstein M., Roland G. A monoclinic modification of germanium disulfide, GeS2»- Acta Cryst., 1971, v.B 27, p.505-506.
55. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев: Наукова думка, 1976, 280с.
56. Блецкан Д.И. Получение, оптические и фотоэлектрические свойства 2Н и 4Н политипов Sns2 . Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1984, т.20, № 9, с.154-1458.
57. Иванов-Эмин Б.Н. Селениды германия. Ж.общей химии, 1940, т.10, № 21, с.1813-1818.60.'Лю Цюнь-Хуа, Пашинкин А.С., Новоселова А.В. О селениде германия. ЖНХ, 1962 ;, т.7, №9, с.2159-2161.
58. Burgeat J., Roux G., Brenac A. Sur une nouvelle forme cristalline de GeSe2.- J.Appl.Cryst., 1975, v8, N 2, p.325-327.
59. Dittmar G., Schafer H. Die Kristailstruktur von Germanium-diselenid.- Acta Cryst., 1976 , v.B 32, N 9, p.2726-2728.
60. Godlewsky E., La Ruelle P. Relabions Structurales entre GeSe2 et GeS2 H.T.- J.Appl. Cryst., 1977, v.10, p.202-203.
61. Блецкан Д.И., Копинец И.Ф., Погорецкий П.П., Салькова Е.Н., Че-пур Д.В. Получение монокристаллов GeS , исследование их морфологии и ее влияние на запись голографических решеток. КриVсталлография,. 1975, т.20, № 5, с.1008-1012.
62. Zachariasen W.H. The crystal lattice of Germano Sulphide, GeS.-Phys.Rev., 1932, v.40, p.917-922.
63. Okazaki A. Ihe crystal structure of germanium selenide, GeSe.-J.Phys.Soc. Japan, 1958, v.13, N 10, p.1151-1155.
64. Kennerwurf C.R. , Kelly A., Cashman R.Y. Comparison of three structure determinations for germanium selenide, GeSe.- Acta crystallogr., 1960, v.13, N 5, p.449-500.
65. Okazaki A., Ueda J. The crystal structure of SnSe.- J.Phys. Soc. Jap., 1956, v.11, N 3, p.470-472.
66. Гашимзаде Ф.М., Харциев B.E. Энергетическая структура сложных полупроводников. Спектр валентной зоны анизотропных соединений типа SnS . ФТТ, 1962, т.4, № I, с.437-443.
67. Wiedemeier Н., Siemers P.A. The thermal expansion and high temperature transformation of GeSe. Z.anorgan. and allgem. Chem. B, 1975, v.411, p.90-96.
68. Von Schnering H.G., Wiedemeier H. The high temperature structure of B-SnS and B-SnSe and the В 16-to-B33 type Л -transition pa£h.- Z. Kristallogr., 1981, v.156, N 1-2, p.14-3-150.
69. Водопьянов JI.K., Голубев Л.В., Конгерлинский Л.Ю., Елецкан Д.И. Фазовый переход в GeS . ФТТ,1982, т.24, № 5, с.1562-1563.
70. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1970, 503 с.
71. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Миголинец И.М., Сичка М.Ю., Шкоба Т.И. Образование твердых растворов в системе GeS-GeSeи их физические свойства. УФЖ, 1976, т.21, № 10, с.1585-1590.
72. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Миголинец И.М., Шкоба Т.И., Сичка М.Ю. К вопросу о образовании непрерывного ряда твердых растворов GeS-GeSe . УФЖ, 1978, т.23, № 3, с.511-513.
73. Корень Н.Н., Краснова В.В. Система GeS GeSe. - В кн.: Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Минск: Наука и техника, 1976, т.1, с.202-205.
74. Сидоров И.А., Магунов Р.Л., Заколодяжная О.В., Белюга Ю.В., Система GeS GeSe. - ЖНХ, 1976, т.21, № 3, с.856-858.
75. Albers W., Haas С., АЪег Н., Schodder G.E., Wasscher Z.D. Preparations and properties of mixed crystals SnS^e^^ • J.Phys. Chem. Solids, 1962, v.23, N 2, p.215-220.-
76. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Химинец В.В. ИК спектры твердых растворов (GeSg)х(GeSeg)^в кристаллическом и стеклообразном состояниях. ЖНХ, 1981, т.26, № I, с.35-40.
77. Elli M., Mugnoli A. Sui solfоgermanati di piombo: systema PbS-6eS2*- Atti Accademia Nazionale dei Lincei, Rendiconti Classe di Scienze fisiche, matematiche e naturali, 1962, v.33, p.316-319«
78. Блецкан Д.И., Переш Е.Ю., Редько В.А. Фотоэлектрические свойства слоистых кристаллов PbGeSj . УФЖ, 1983, т.28, № 12,с.1865-1868.
79. Fenner J., Mootz D. Uber Sulfide der vierten Hauptgruppe vom1. TT ту
80. Шур ABSj und die Kristallstruktur des SnGeS^.- Z.anorg. allg. Ohem., 1976, b.427, h.2, s.123-130.
81. QQmAlpen U.V., Fermer J., Gmelin E. Semiconductors of the type Me^V^Sj.- Mat.Res.Bull., 1975, v.10, N 1,p.175-180.89eNeyrand M., Ribes M., Philippot E., Maurin M. Spectres devibration et analyse en coordonnées normales des orthothioanions4—4— 4—
82. SiS^ , Ge^ et SnS^ dans l'etat solide.- Revue de Chimieminerale, 1975» t. 12, N 5, p.406-418.
83. Блецкан Д.И., Копинец И.Ф., Миголинец И.М., Микуланинец C.B., Получение монокристаллов SnS2 » исследование их морфологии и фотоэлектрических свойств. Изв.АН СССР, Неорг.материалы,1976, т.12, № 12, с.2138-2141.
84. Блецкан Д.И., Боднар Ф.В., Поторий М.В., Чепур Д.В. Получение монокристаллов дихалькогенидов германия и олова и исследование их свойств. В кн.: Тезисы докладов П Всесоюзной конференциипо росту кристаллов. Харьков, 1982, с.25.
85. Блецкан Д.И., Будянский В.И., Копинец И.Ф., Микуланинец C.B., Фотоэлектрические свойства монокристаллов сульфида германия, полученных из газовой фазы. Изв.АН СССР, Неорган.материалы, 1976, т.12, № 2, с.202-205.
86. Блецкан Д.И., Таран В.И., Сичка М.Ю. Эффект переключения в слоистых кристаллах А1^1. УФЖ, 1976, т.21, № 9, с.1436-1441.ту ут
87. Блецкан Д.И. Механизм роста слоистых монокристаллов AB и
88. А1УВ2У1 из газовой фазы. УФЖ, 1979, т.24, № 9, с.1321-1325.
89. Варма А. Рост кристаллов и дислокация. М.: ИЛ, 1958, 392с.
90. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей. В кн.:Электронные процессы роста кристаллов. -М.: ИЛ, 1959, с.11-109.
91. Чернов A.A. Слоисто-спиральный рост кристаллов. УФН,1961, т.73, № 2, с.227-331.
92. Петров Т.Г., Трейвус Е.Б., Касаткин А.П. Выращивание кристаллов из растворов. Л.: Наука, 1967, 175 с.
93. Новиков И.И. Дефекты кристаллической решетки металлов. М.: Металлургия, 1968, 188с.
94. ЮЗ. Franc P.C. The influence of dislocations on crystal growth.-Disc.Faraday Soc., 1949, v.5, p.48-54.
95. Ю4.Лемлейн Г.Г., Дукова Е.Д. Образование винтовых дислокаций впроцессе роста кристалла. Кристаллография,1956,т.1,№3,с.352-355.
96. Блецкан Д.И., Индус Е.Ю., Получение, электрические и фотоэлектрические свойства нитевидных кристаллов GeSïIn . Изв. АН СССР, Неорган.материалы,1982, т.18, № 4, с.544-548.
97. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных кристаллов и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука,1977.
98. Вагнер Р. Рост кристаллов по механизму ПЖК. В кн.: Монокристальные волокна и формированные ими материалы.-М.: Мир, 1973, с.42-114.
99. Тропин Ю.Д. Исследование поверхностей структуры нитевидныхкристаллов железа. Кристаллография,1963, т.8, № 3, С.427-43С
100. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Стеклообразные полупроводники. К вопросу о закономерностях стеклообразования. ЖТФ, 1958,т.28, № 9, с.1922-1932.
101. Винтер-Клайн А. Структура и физические свойства стекла.
102. В кн.:Стеклообразное состояние.Тр.1У Всесоюзн.совещ. М.-Л., 1965, с.45-48.
103. Дембовский С.А. Некоторые аспекты стеклообразования в халько-генидных системах.! ФХС, 1978, т.4, № 5, с.522-528.
104. Phillips J.С. Structural Principles of amorphous and Glassy Semiconductors.- J.Non-Cryst.Solids, 1980, v.35-36, N 2, p.1157-1167.
105. ИЗ. Мюллер P.П., Орлова Г.M., Тимофеева В.H., Тернов Г.И. Граница стеклообразования у системы мышьяк-сера-германий. Вестник ЛГУ, серия физика и химия,1962, т.22, с.146-150.
106. Imaoka M. Chalcogenide glasses of germanium disulfide system.
107. Asahi Garasu Kogyo Gyutsu Shoreikai Kenkyn Hokoku. 1967, v.13, p.421-432.
108. Kawamoto J., Isuchihashi S. Glass-forming regions and the structure of glasses in system Ge-S.- J.AmerCeram.Soc., 1969, v. 52, N 11, p.626-627.
109. Kawamoto J., Isuchihashi S. Properties and structure of glasses in the system Ge-S.- J.Amer.Ceram.Soc., 1971, v. 54, N 3, p.131-135«
110. Айо JI.Г., Кокорина В.Ф. Оптические стекла, прозрачные в ИК-области спектра до Л- =11*15 мкм. Часть 2. Принципы стекло-образования и некоторые свойства сульфоселенидных стекол простых составов. Оптико-мех.пром., 1961, if« 6, с.48-53.
111. Дембовский С.А. Сопоставление физико-химических свойств халь-когенов и основных халькогенидных соединений (стеклообразо-вателей). Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1969,т.5, № 3,с.463-471.
112. Полтавцев Ю.Г., Позднякова В.М. Структура стеклообразных GeSe2 и GeSJ2* ~ Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1973, т.9, № 5,с.853-857.
113. Аветикян Г.В., Байдаков Л.А., Страхов Л.П. Исследование магнитной восприимчивости стекол системы Ge-Se . Изв. АН СССР. Неорган.материалы,1969, т.5, № 10, с.1667-1669.
114. Peltz A., Lippman P.J. Zur Glasbildung in system GermaniumSelen.- Z.anorg.allg.Chem., 1973, Bd398, N 2, s.157-164.
115. Azoulay R., Tribierge H., Brenac A. Devitrificstion characteristics of GexSe1-x glasses.- J.Non-Crystal.Solids, 1975, v.18, p.33-53.
116. Блецкан Д.И., Герасименко B.C. Влияние изменения локального окружения в стеклах GeSex на их оптические свойства. УФЖ, 1978, т.23, № 7, с.1106-1112.
117. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях. УФН, 1976, т.120, № 4, с.581-612.
118. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М.Ю. Оптические свойства стекол разреза GegS^ Ge2Se^ - УФЖ,1977, т.22, № 12, с.1954-1958.
119. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М.Ю. ИК-спектры пропускания и структура стекол GeSe . УФЖ, 1976, т.21, № 9,с.1480-1484.
120. Дембовский С.А., Лужная Н.П., Виноградова Г.З. Физико-химический анализ халькогенидных стеклообразных систем. ЖНХ,1980, т.25, № I, с.291-299.
121. Водопьянов Л.К., Голубев Л.В., Блецкан Д.И. Длинноволновые оптические фононы в системе твердых растворов GeSe^jS,^. -ФТТ, 1979, т.21, № б, с.1837-1839.
122. Gregora I., Steeter W. Eamen spectra of Crystalline GeS.-Phys.Stat. Solidi (A), 1975» v.71, N 2, p.KI87-KI89.
123. Chandrasekhar H.R., Hymphreys E.G., Cardona M. Pressure dependence of the Raman spectra of the IY-YI layer compounds GeS and GeSe.- Phys.Rev.(B), 1977$ v.16, N 6, p.2981-2983.
124. Wood E. The 80 dipertiodic groups in three dimensions.- Bell System Теchn.Journal, 1964, v.33, p.541-559.
125. Берча Д.М., Ворошилов Ю.В., Сливка В.Ю., Туряница И.Д. Сложные халькогениды и халькогалогениды (получение и свойства). Львов: Вшца школа, 1983, 181 с.
126. Беленький Г.Л., Стопачинский В.Б. Электронные и колебательныеспектры слоистых полупроводников группы -УФН, 1983, т .140,2, с.233-270.
127. Блецкан Д.И., Иваницкий В.П., Лукша О.В., Мтровций И.М., Фир-цак Ю.Ю., Чепур Д.В. Фотоэлектрические свойства и структурные
128. J превращения в аморфных пленках (e^s . В кн.: Тезисы докладов I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок, Ивано-Франковск, 1981, с.106.
129. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М.: Высшая школа, 1980, 328с.
130. Стецив Я.И. Новый метод определения нормирующего множителя при электронографических исследованиях структуры аморфных веществ.-Кристаллография, 1973, т.18, № 2, с.257-262.
131. Феннич П.А., Фирцак Ю.Ю,, Лукша О.В., Эрдевди Н.М., Иваниц -кий В.П. Структурно-закаленные аморфные пленки халькогенидов, полученные методом импульсного лазерного напыления. УФЖ, 1983, т.28, № 8, с.1266-1268.
132. Новоселова А.В., Пашинкин А.С. Давление пара летучих халькогенидов металлов. М,: Наука, 1978, 110с.
133. Martin Т.Е. Arsenic sulfide clusters.- Solid State Commun., 1983, v. 47, N 2, p.111-114.
134. Маттис Б. Рост и структура аморфных и поликристаллических тонких пленок. В кн.: Тонкие поликристаллические и аморфные пленки, физика и применения. М.: Мир, 1983, с.9-23.
135. Bienenstock A. Threefold coordinated model structure of amorphous GeS, GeSe and GeTe.- J.Non-Cryst.Solids, 1973, v.11,p.447-458.
136. Mae(ia Н,, Terauchi Н., Tanabe К., Kamijo N., Hida M., Kawa-mura H. Develcßient of a laboratory EXAFS facility and its application to amorphous GeSe semiconductors.- Jap.J.Appl. Phys., 1982, v.21, N 9, p. 1342-134-6.
137. Ипато#И.П., Субашиев A.B. Оптические свойства смешанных кристаллов. В кн.: Материалы седьмой зимней школы по физике полупроводников. Л,: ЛИЯФ, 1975, с.53-76.
138. Валах М.Я. Резонансы колебательных возбуждений в полупроводниковых кристаллах. Докторская диссертация, Киев, 1983.
139. Chang I.E., Mitra S.S. Long wavelength optical phonons in mixed crystals.- Adv.Phys., 1971, v.20, p.359-404.
140. Артамонов B.B., Бережинский Л.И., Блецкан Д.И., Валах М.Я., Лисица М.П., Сидоренко В.И. Спектры комбинационного рассеяния кристаллов GeS2 , GeSe2 и Sns2 . В сб. ¡Спонтанное комбинационное рассеяние света. Киев: "Знание", 1975, с.97-98.
141. Лисица М.П., Артамонов В.В., Бережинский Л.И., Блецкан Д.И., Валах М.Я. Спектры комбинационного рассеяния халькогенидов -германия и олова. УФЖ, 1976, т.21, № 2, с.218-220.
142. Артамонов В.В., Бережинский Л.И., Блецкан Д.И., Валах М.Я., Сидеренко В.И. Колебательные спектры кристаллических и стеклообразных халькогенидов германия. УФЖ, 1979, т.24, № 3, с.334-339.
143. Блецкан Д.И., Чепур Д.В. Изучение фазовых переходов у дихаль-когенидов германия с помощью KP спектроскопии. В кн.: Спектроскопия комбинационного рассеяния света. Материалы П Всесоюзной конференции. М., 1978, с.49-507.
144. Arai К,, Koshizuka N., Nateikawa H. Kaman studies on glassy structure in Ge-S and Ge-S-As glasses.- In.:"Struct, and Excit. Amorph. Solids. Int.Conf. Wiliamsburg,1976", New York, 1976, p.217-221.
145. Bridenbaugh P.M., Espinosa G.P., Griffiths Y.E., Phillips J.C. Remeika J.P. Microscopic Origin of the companion A^ Raman line in glassy Ge(S,Se)2»- Phys.Rev.B, 1979, v.20, N 10,p.4140-4144.
146. Popovic Z.V., Stolz H.J. Infrared and Raman spectra of germanium dichalcogenides. I.GeSg. Phys.Stat.Sol.(b), 1981,v.106, p.337-348.
147. Popovic Z.V., Stolz H.J. Infrared and Raman Spectra of germanium dichalcogenides. II. GeSe2*- Phys.Stat.Sol.(b), 1981,v.108, N 1, p.153-163.
148. Лисица М.П. Колебательные ("инфракрасные") экситоны. ШС, 1977, т.27, № 4, с.589-598.
149. Paterley W.B., McDevit N.T., Beutley P. Infrared and Raman selection rules for lattice vibrations the correlation method.-Appl.Spectrosc., 1972, v.25, p.155-173.
150. Razetti C., Lotticy P.P. Polarization analis is of Raman spectrum of As^j crystals.- Sol.State Commun., 1979, v.29, N 4, p.561-364.
151. Стойбер P., Морзе G. Определение кристаллов под микроскопом.1. М.: Мир, 1974, 2807с.
152. Popovic Z.V. Consideration of the vibrational properties of germanium dichalcogenides on base of vibrational properties of GeX^(X»S,Se) tetraedra.- Pozoka, 1983, v.15(1), N 11, p.11-27.
153. Вустер У. Применение тензоров и теории групп для описания физических свойств кристаллов. М.:Мир, 1977, 383 с.
154. Бобырь A.B., Горбань И.С., Губанов В.А., Саливон Г .И., Сушке-вич Т.Н., Фризель В.В. Комбинационное рассеяние света и симметрия колебательных мод в кристаллах Snj^ . УФЖ, 1983, т.28, № 9, с.1327-1334.
155. Pohl S., Schiwy W., Weinstock N., Krebs В. Darstellung, Schwingungsspektren und Normalkoordinaten-analyse der Ionen GesJ" und SnS^~. Zeitschrift für Naturforschung, 1973, v.28B, N 3, p.565-569.
156. Стефанович В.А., Герасименко B.C., Ворошилов Ю.В., Захарова O.B Сливка В.Ю. Оптические фононы в кристаллах Tl^AsS^ . ФТТ,1979, т.21, № 3, с.843-846.
157. Uemura 0., Sagara X., Satow T. The Neutron diffration study of amorphous GeSe2. Phys.Stat.Sol.(a), 1975$ v.32, N 2, p.K91-K94.
158. Malaurent J.C., Dixmier J. X-ray diffraction and local order modelling of Ge^e^x amorphous alloys. J.Non-Cryst.Solids,1980, v.35-36, p.1227-1232.
159. Connell G.A., Lucovsky G. Structural models for amorphous semiconductors and insulators.- J.Non-Cryst.Solids, 1978, v.31, N 1,2, p.123-155.
160. Бродский M.X. Комбинационное рассеяние света в аморфных полупроводниках. В кн.: Рассеяние света в твердых телах. Под ред. М.Кардоны.М.: Мир, 1979, с.239-289.
161. Phillips J.C. Topology of covalent non-crystalline Solids II:medium-range order in chalcogenide alloys and a-Si(Ge ) .-J,Non-Crystal.Solids., 1981, v.43, N 1, p.37-77.1.covsky G., Gal %ner P.L., Keezer R.C., Geils E.H., Six H.A.175.
162. Structural interpretation of the infrared and Raman spectra of glasses in the alloy system Ge<1-xSx • Phys.Rev.B., 1974, v.10, N 12, p.5134-5146.
163. Coroll P.J., Lannin J.S. Vibrational properties of crystalline group TI Solids : (Ее, Se, S.- Phys.Rev.B., 1975» v.27, N 2,p.1028-1035.
164. Hattori K., Kawamura H. Raman study of liquid sulfur.- J. Non-Crystal.Solids, 1983, v.59-60, p.1063-1066.
165. Lannin J.S., Carrol J. Second-order Raman scattering in non-crystalline materials: amorphous Se. Philosophical Magazine B, 1982, v.45, N 2, p.155-165.
166. Бергман Л. Ультразвук. M.: ИЛ, 1985.
167. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978, 792 с.
168. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Чепур Д.В. Структура и электронные явления в кристаллических и стеклообразных твердыхрастворах GeS2xSe2(l-x) • ~ ® кн*: АМ0РФше полупровод-ники-82", "Р", Румыния, Бухарест, 1982, с.68-70.
169. Тауц Я. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1967, 74 с.
170. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977, 366 с.
171. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наукаi 1972, 584 с.
172. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений группы А1УВУ1. Кишинев: Штиница, 1981, 284 с.
173. Grandke F., Lay L. Angulaiv-resolved uv photoemission and the Band Structure of GeS. Phys.Rev.В., 1977, v.16, N 2 ,p.832-842 .
174. Giucci G., Guarnieri A. Atomic pseudopotential for orthorom-bic IY-YI compounds.- Sol.State Commun., 1979, v.29 , N 2p.75-80. .
175. Abbati I., Braicovich L., Giucci G., Car R., Quartapelle L. On the Electron States of SnSe. Novo Cimento, 1977, v.39 В, N 2, p.727-733•
176. Тягай B.A., Снитко O.B. Электроотражение света в полуцровод-никах. Киев: Наукова думка, 1980, 302 с.
177. Блецкан Д.И., Евстигнеев A.M., Копинец И.Ф., Миголинец И.М., Тягай В.А. Электроотражение монокристаллов Sns . Изв. АН СССР. Неорган.материалы,1974, т.10, № 4, с.735-736.
178. Блецкан Д.И., Бондаренко В.Н., Копинец И.Ф., Сичка М.Ю. Электроотражение слоистых кристаллов GeS . ФТП, 1975, т.9,6, с.1149-1152.
179. Тягай В.А., Бондаренко В.Н., Красико А.Н., Блецкан Д.И. Спектры электроотражения монохалькогенидов германия и олова.
180. В кн.: Модуляционная спектроскопия полупроводников и диэлектриков. Тбилиси: Ин-т кибернетики АН ГССР,1975, с.190-195.
181. Тягай В.А., Бодаренко В.Н., Красико А.Н., Блецкан Д.И., Ше-ка В.И. Спектры электроотражения монохалькогенидов германия и олова. ФТТ, 1976, т.18, № 5, с.1433-1436.
182. Aspnes D.E. Third-derivative modulation spectroscopy with low field electroreflectance. Surface Sci., 1973» v.37» N 2, p.418-442.
183. Aspnes D.E., Handler P., Blossey D.P. Interband dielectrical properties of solids in an electric field. Phys.Rev., В., 1968, v.166, N 3, p.921-934.
184. Sasaki Y., Hamaguchi G., Moritani A., Nakai J. Electric fieldteffect on the imaginary part of the dielectric function in highly anisotropic crystals . J.Phys. So с .Japan, 1974-, v.36, N 1, p.179-186.
185. Рашба Э.И. Симметрия энергетических зон в 1фисталлах типа вюрцита. ФТТ, 1959, т.1, № 3, с.407-421.
186. Шека В.И. Симметрия энергетических зон электрона со спином. -ФТТ, I960, т.2, № 6, с.1211-1219.
187. Ковалев О.В. Неприводимые представления пространственных групп. Киев: АН yGGP, 1961, 153 с.203. bukes P., Schmidt Е., Lacina A. Thermoreflectance of GeS. -Solid State Commun., 1981, v.39, N 8, p.921-923.
188. Urbach P. The long-wavelength edge of photographic sensitivity andc of the electronic absorption of solids.- Phys.Rev., 1953, v.92, N 5, p*1324-1331»
189. Dunn D. Urbach*s rule in an electron-phonon model.- Phys.Rev., 1968, v.174, N 3, p.855-858.
190. Toyozawa Y. The Urbach rule and the exciton-lattice interac-tion.-Tech.Rep. ISSP.Ser.A., 1964, N 1, 119 p. (preprint ) .
191. Redfield D. Electric fields of defects in solids.- Phys.Rev., 1963, v.130, p.914-916«
192. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: The excitonic absorption edge.- Phys.Rev. В., 1970, v.1, N 8, p*3358-3364.
193. Dow J.D., Redfield D. Toward a unified theory of Urbach»s rule and exponential absorption edges.- Phys.Rev., В., v.5, N 2, p.549-610.
194. Синявский Э.П. Поглощение света в собственных полупроводниках с учетом многих фононов. ФТТ, 1971, т.13, № 7,с.2089-2095.
195. Давыдов А.С., Лубченко А.Ф. Правило Урбаха для локализованных возбуждений в кристаллах. ДАН СССР,1968, т.179, № 6, с.1301-1303.
196. Каган В.Д. Теория длинноволнового края поглощения света в полупроводниках и диэлектриках. Правило Урбаха. ФТТ, 1975,т.17, № 9, с.2578-2584.
197. Kurik M.V. Urbach*s rule.- Phys.Stat.Solidi (a), 1971, v.8, N 9, p.9-45.
198. Бонч-Бруевич В.Л. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников. УФН, 1983, т.140, № 4, с.583-637.
199. Kolobov А.V., Konstantinov O.V. The Urbach rule in the con-t figuration-coordinate model of amorphous semiconductors.
200. Phil.Mag.B., 1979, v.40, N 6, p.475-481.
201. Иоселевич А.С. Хвост оптического поглощения в полярных кристаллах и правило Урбаха. ЖЭТФ, 1981, т.81, № 4(10), с.1508-1527.
202. Гельмонт Б.Л., Перель В.И., Яссиевич И.Н. О правиле Урбаха. -ФТТ, 1983, т.25, № 3, с.727-733.
203. Esser В. On the theory of electroabsorption in disordered semiconductors. Phys.Stat.Solid (b), 1972, v.51, N 2 ,p*735-750.
204. Блецкан Д.И., Будянский В.И., Копинец И.ф., Сичка М.Ю. Исследование внутренних электрических микрополей в GeS методом спонтанного электропоглощения. УФЖ, 1975, т.20, № 10, с.1648-1650.
205. Меркулов И.А., Перель В.П. Электропоглощение в полупроводниках с крупномасштабными флуктуациями концентрации примесей. ФТП, 1973, т.7, № 6, с.I197-1202.
206. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. ЖЭТФ, 1970,, т.59, № 10,с.1343-1352.
207. Березашвили Ю.Н., Дунда А.В., Лордкипанидзе Д.Щ. Спонтанный Франк-Келдыш эффект в CdTe . Письма в ЖЭТФ, 1972, т.15, № 2, с.95-98.
208. Ьапоо М., Bensoussan М. Bonds and Band Structure in Ge^e^ Compounds.- Phys.Rev.B., 1977» v.16, N 8, p*3546-3555.
209. Блажкив B.C., Курик M.B., Жмурко И.С. Электронное взаимодействие в GeSe2 . Опт. и спектр., 1970, т.29, № 3,с.554-556.
210. Tronc P., Bensoussan М., Brenac A., Sebennc С. Optical-absorption edge and Raman scattering in Ge^Se^ ■ glasses. -Phys.Rev. В., 1973, v.8, N 12, p.5947-5956.
211. Бойко С.А., Блецкан Д.И., Терехова С.Ф. Экситонное поглощение в диселениде германия. Phys.Stat.Solidi (b), 1978, v.9,1. N 1, p.K49-K52.
212. Лисица М.П., Бойко С.А., Блецкан Д.И., Терехова С.Ф. Край поглощения аморфного, стеклообразного и монокристаллического . GeSe2 . В кн.: Amorphous Semiconductor*s-78. Pardubice, 1978, с.456-459.
213. Бойко С.А., Блецкан Д.И., Терехова С.Ф. Оптические постоянные дйселенида германия в области края собственного поглощения.-УФЖ, 1980, т.25, № 10, с.1740-1742.
214. Mooser Е., Schlueter М. The band-gap excitons in gallium selenide.- Novo Cimento, 1973, v.18B, N 1, p.164-207.
215. Кеннелл Дж. Оптические свойства аморфных полупроводников. Вкн.: Аморфные полупроводники под ред. М.Бродски. М.: Мир, 1982, с.96-145.
216. Искра В.Д. Междузонное оптическое поглощение в неупорядоченных полупроводниках п с учетом многофононных эффектов.П. Изв. вузов.сер. "Физика", 1980, т.23, № 3, с.39-45.
217. Iskra V.D. Phonon-assisted interband optical absorption in disorder semiconductors, Phys.Stat.Sol,(b), 1979, v.96,1. N 2, p.843-856.
218. Iskra V.D. Phonon assisted interband optical transitions in semiconductors sustaining a coulomb iandom field. Phys. Stat.Sol.(b), 1981, v.106, N 2, p.627-635.
219. Hugnes O.H., Doran C.J. Evidence for the Existence of Exci-tonic Behaviour in Amorphous GeSe. Phys.Semicond.Poc. 13th Int.Conf., Rome, 1976, p.533-536.
220. Wood D.L., Tauc J. Weak absorption tails in amorphous semiconductors.- Phys.Rev.B., 1972, v.5, N 8, p.3144-3151.
221. Whitte R.M. Application of the racLoja network model to germa-nium-chalcogenide alloys.- Proc.5-th Int.Conf.on Amorphous and Liquid Semiconductors, ed. J.Stuke and W.Brenig (Taylor and Francis, London, 1974 ), p.1081-1086.
222. Shimizu Т., Negishi R., Ishii N. Chemical bond approach to the electronic structure of amorphous semiconductors. -J.Non-Crystalline Solids, 1979, v.31, Hi , p.287-296.
223. Weaire D., Thorpe M.F. Electronic properties of an amorphous solid I. A simple tight-binding theory. Phys.Rev.B., 1971, v.4, N 8, p.2508-2520.
224. Блецкан Д.И., Полажинец H.B., Чепур Д.В. Фотоэлектрические свойства кристаллического и стеклообразного 6eSe2 * ЗШ1, 1984, т.18, № 2, с.223-228.
225. Блецкан Д.И., Митровций И.М., Полажинец Н.В., Поторий М.В., Чепур Д.В. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых кристаллов GeSe2 , полученных различными методами. Изв. АН СССР. Неорган.материалы,1985, т.21, № 2, с.214-220.
226. Evans B.L., Young P.A. Delocalized exitins in thin anisotropic crystals. Phys.Stat.Solidi, 1968, v.25, N 1, p.417-425.
227. Maschke K., Overhof H. Influence of stacking disorder on the dc conductivity of layered semiconductors. Phys.Rev.B., 1977, v.25, N 4, p.2058-2061.
228. Maschke K. Influence of stacking disorder on the electronic properties of layered semiconductors. Crystal research and technology, 1981, v.16, N 2, p.265-269.
229. Pivaz R.C., Schmid Ph.E. Transport properties of layered semiconductors. In:Physics and chemistry of materials with layered structures, by D.Reidel Publishing Company, Dordrech-Holland. 1976, p.34-3-384.
230. Trigunayat G.C., Verma A.R. Polytypism and stacking faults in crystals with layer structure. In: Crystallography and crystal chemistry of materials with layered structures, by Reidel Publishing Company, Dordrecht-Holland. 1976, p.269-340.
231. Широкозонные слоистые кристаллы и их физические свойства. Под ред.А.Б.Лысковича. Львов: Вища школа. Изд-во при Львовском госуниверситете, 1982, 148 с.
232. Jain R.K., Œrigunayat G.С. X-ray diffraction study of one-dimensional disorder in cadmium iodide crystals. Acta Crystallogr. 1970, v.A25, N 5, p.463-470.
233. Prased R., Srivastava O.N, The Streaking of X-ray diffraction sports in plateleg shaped polytypic crystals. Acta Crystallogr., 1971, v.A26, N 6, p,559-567.
234. Берча Д.М., Маслюк В.Г., Заячковский M.П., Энергетический спектр и электрические свойства сильноанизотропных кристаллов с "ковалентными мостиками". УФЖ, 1975, т.20, № 9,с.1417-1421.
235. Берча Д.М., Заячковский М.П., Заячковская Н.Ф. Изучение внедрения примесей по анизотропии физических свойств легированных кристаллов BiSeJ . Изв.АН СССР Неорган.материалы, 1974, т.10, № 3, с.557-558.
236. Заячковский М.П., Заячковская Н.Ф. Особенности внедрения примесей в цепочечные и слоистые кристаллы типа
237. В сб.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, Сиб.отд., 1981, с.182-185.
238. Моцный Ф.В., Ищенко С.С., Окулов С.М., Блецкан Д.И. О природе инфракрасной фотолюминесценции и характере легирования слоистых монокристаллов иодистого висмута. ФТП, 1974, т.II, * № 6, с.1043-1048.
239. Блецкан Д.И. Фотоэлевтрические свойства кристаллического и аморфного GeS . УФЖ, 1984, т.29, № 3, с.564-567.
240. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л., Изд-во АН СССР, 1963, 250 с.257. loth L. Electron and hole drift mobilities in GeSe2 glass.
241. Phys.Status Solidi(a), 1979, v.54, N , p.K159-161 .
242. Kim G., Shirafuji J. lime of light measurement of carrier mobility in Ge^e/j.x glasses. Japan J.Appl.Phys., 1978, v.17, N 10, p.1789-1794.
243. Fischer F.D., Marshal J.M., Owen А.Б. Transport properties and electronic structure of glasses in the arsenic-selenium system. Phil.Mag., 1976, v.33, N 2 , p.261-275.
244. NanS T.T., Okuda M., Matsushita Т., Yokota S., Suzuki A. Electrical and optical properties of Ge^Se^^ amorphous thin films. Japan. J.Appl.Phys., 1976, v.15, N 5, p.849-853.
245. Блецкан Д.И. Спектры фотопроводимости монокристаллов GeS . -ЗИН, 1980, т.14, № 6, с.I222-1224.
246. Блецкан Д.И., Полажинец Н.В., Чепур Д.В. Поляризационные исследования фотопроводимости слоистых кристаллов GeSxSei.x* ~ Ш, 1983, т.17, № 7, с.1270-1274.
247. Блецкан Д.И., Полажинец Н.В. Поляризационные исследования фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe . УФЖ, 1982,т.27, № 4, с.564-567.
248. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976, 431 с.
249. Wiley J.D., Pennington S., Schonherr E. Anisotropy of the intrinsic photoconductivity of GeS. Phys.Stat.Sol(b) , 1979, v.96, N 1, p.K43-K46.
250. Шейнкман M.K., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т.10, № 2, с.209-233.
251. Блецкан Д.И., Полажинец Н.В. Интерференционные осцилляции фототока в слоистых кристаллах GeS • УФЖ,1983, т.28, № 8, с.I233-1235.
252. Shan E.W. Intrinsic oscillatory photoconductivity and the
253. Band structure of GaAs. Phys.Rev.B., 1971» v.3, N 10,p.3283 -3287.
254. Zallen R., Blossey D.F. The optical properties, electronic structure, and photoconductivity of arsenic chalcogenide layer crystals, Opt.and Elect.Properties. Dordrecht-Boston, 1976, p*231-272.
255. Блецкан Д.И., Будянский В.И., Городецкий И.Я., Федоров А.И., Шейнкман М.К. Исследование локальных центров в слоистом соединении GeS . Ф1П, 1975, т.9, № 8, с.1512-1516.
256. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Miqp, 1966,
257. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова думка,1981, 264 с.
258. Бьгоб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Мщ>, 1962, 558 с.
259. Сальков Е.А., Шейнкман М.К. Методы определения параметров ре-комбинационных уровней в монополярных фотопроводниках. ФТТ, 1963, т.5, № 2, с.397-404.
260. Bube R. Photoconductivity in amorphous semiconductors. RCA Review, 1975, v.36, N 3, p.467-434.
261. Блецкан Д«и*» кРолевеЧ н*м»» Сичка М*Ю* Излучательная рекомбинация стекол GeSex . ФТП, 1976, т.10, № I0,c.I8I7-I820.
262. Kim G.I., Shirafuji J., Inuishi Y. Photoconductivity and recombination processes in Ge^e^^ glasses. J.Phys.C.:Solid State Phys., 1982, v.15, N 15, p.34-31-3440 .
263. Kolomiets B.T., Lyubin V.M. Photoelectric phenomena in amorphous chalcogenide semiconductors, Phys.Stat.Sol.(a), 1973,v. 17, N 1, p.11-46 .
264. Любин B.M. Фотоэлектрические явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Автореферат на соискание уч.степени доктора физ.-мат.наук. Л., 1975, 38 с.
265. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. М.-Л., 1957, 492 с.
266. Зуев "В.А., Литовченко В.Г., Дражан А.В., Корбутяк Д.В., Блецкан Д.И. Спектры низкотемпературной фотолюминесценции монохаль-когенидов германия. ФТП, 1977, т.II, № 2, с.397-401.
267. Блецкан Д.И. Фотопроводимость и фотолюминесценция слоистых кристаллов GeS. g кн.:Тезисы докладов I Республиканской конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Киев, Наукова думка, 1979, с.51.
268. Wiley J.D., Thomas D. The Absorption Edges of GeS and Urbach's Rule . J.Phys•Chem.Solids, 1980, v.41, N 7, p. 801-808.
269. Thomas D.G., Gershenzon., Rtumbore P.A. Pair spectra and "edge" in gallium phosphide. Phys.Rev.A, 1964, v.133, N 1,1. P.A269-A279.
270. Halperin A., Zacks E. Temperature dependence of the 2,2 eV pair recombination band in GaP(S,C) crystals . Phys.Rev.B., 1975, v.11, N 6, p.2237-2242.
271. Алферов Ж.И., Портной Е.Л., Рогачев А.А. О ширине края поглощения полупроводниковых твердых растворов.- ФТП, 1968, т.2,8, с.1194-1197.
272. Барановский С.Д., Эфрос А.Л. Размытие краев зон в твердых растворах. ФШ, 1978, т. 12, № II, с.2233-2237.
273. Гельмонт Б.Л., Гаджиев А.Р., Шкловский Б.И., Шлимак И.С., Эфрос АД. Прыжковая проводимость твердых растворов германия скремнием. ФИТ, 1974, т.8, № 12, с.2377-2384.
274. Зуев В.А., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г., Дражан А.В. Спектры фотолюминесценции поверхности эпитаксиальных пле-ное GaAs , подвергнутых ионной бомбардировке. ФТТ, 1975, т.17, № II, с.3300-3305.
275. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Сичка М.Ю. Оптические свойства стекол GeSx . ФТТ, 1976, т.18, № 10, с.3160-3162.
276. Cemogora J., Mollot F., Benoit a la Guillaume C. Phys. Stat.Solidi(a), 1973, v.15, N 2, p.401-407.
277. Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В. "Усталость" фотолюминесценции и неупорядоченность структуры AsgSe^ . ФТП, 1984, т.18, № 3, с.536-538.
278. Vassilyev V.A., Koos M., Kosa SomogyiJ. Eadiative localized centres in Ge-Se glasses observed by PL.-Philosophical Magazine В., 1979, v.39, N 4, p.333-348.
279. Koos M., Vassilyev V.A., Kosa Somogyi J. Photoluminescence in polled and bulk glassy GeSeg • Philosophical Magazine В., 19£o, v.41, p.383-391.
280. Koos M., Kosa Somogyi J., Vassilyev V.A. Photoluminescence in doped and annealed GeSe2 glasses.- J.Non-Cryst. Solids, 1981, v.43, N 2, p.245-253 .
281. Street E.A., Biegelsen D.K. Defect states in Ge chalcoge-nides observed by photoluminescence and ESR.- J.Non-Cryst Solids, 1979, v.32, N 2, p.339-358.
282. Ball G.J., Chamberlain J.M., Instone I. Low temperature photoluminescence and fatigue effects in Se-Ge glasses.-Solid State Comm., 1978, v.27, N 2, p.71-74.
283. Cemogora J., Mollot F., Benoit C., Ben Soussan M. Opti -cally induced states in GexSe/|>x amorphous compounds. -Amorphous and Liguid Semiconductors Proc. 7-th Int.Conf. Edin&urg, 1977, p.617-621.
284. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors. -Advances in Physics, 1976, v.25, N 4, p.397-4-54.
285. Kolomiets B.T., Mamontova T.N., Babaev A.A. Radiative recombination in vitreous and single crystal кв^^ and AsgSe^.- J.Non-Crystallain Solids,1970,v.4, p.289-294.
286. Street R.A., Searle T.M., Austin I.G. ®he photoluminescence properties of glasses in the As-Se system.- Phil.Mag., 1974-, v.30, ?Л5, p.1181-1186.
287. Street R.A., Searle T.M., Austin I.G. Photoluminescence in amorphous AsgSj • J.Phys.C.:Solid.State Phys., 1973, v.6, N 10, p.1830-1840.
288. Gee C.M., Kastner M. Photoluminescence from a band centers in amorphous and crystalline SiOg . J.Non-Cryst.
289. Solids, 1980, v. 40, N 3, 577-586.319»Adler D. Electronic structure of amorphous semiconductors.-J.Non-Cryst.Solids., 1980, v.42, N 1-3, p.315-334.
290. Keil Т.Н. Shapes of impurity absorption bands in solids.-Phys.Rev.A, 1965, v?40, N 2A, p.A601-A617.
291. Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В., Яковлев Д.Р. О структуре спектров фотолюминесценции халькогенидных стеклообразных полупроводников системы ^.^х • т.26, № 4, с.1217-1219.
292. Васильев В.А., Мамонтова Т.Н. Фотолюминесценция полупроводниковых стекол системы As-Se-Te и As-Se-Sb . Физика и химия стекла, 1984, т.10, $ 5, с.606-609.
293. Mott N.F. States in the gap in non-crystalline semiconductors.« J.Phys.C.: Solid State Phys., 1980. v.13, N 30,p.5433-5471•
294. Соломон И. Спиновые эффекты в аморфных полупроводниках. -В кн.: "Аморфные полупроводники", под редакцией Бродски М., М.: Мир, 1982, с.238-267.
295. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced metas-table paramagnetic gtates in amorphous semiconductors.-Phys.Reviev В., 1977, v.15, N 4, p.2278-2293.
296. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced localized paramagnetic states in chalcogenide glasses.- Phys. Rev.Lett., 1975, v.34, N 21, p.1346-1350.
297. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically indiced localized paramagnetic states in amorphous As.- Solid State Comm., 1976, v.18, N 5, p.573-576.
298. Gaczi P.J., Pritzsche H. Identification of photoinduced paramagnetic centres in As^S^ glass by electron spin resonance.-Solid State Comm., 1981, v.38, N 1, p.23-26.
299. Mott N.F. Elitrons in disordered structures.- Advances Phys., 1967, v.16, N 61, p.49-144.
300. Agarwal S.C. Nature of localized states in amorphous semiconductors a study by electron spin resonance. - Phys.Rev.B., 1973, v.7, N 2, p.685-691*
301. Mott N.P. States in the gap in non-crystalline semiconduc -tors . J.Phys.C.: Solid State Phys., 1980, v.13, N 30,p.5433-5471.
302. Davis E.A., Mott N.E. Conduction in non-crystalline systems, v.conductivity, optical absorption and photoconductivity in amorphous semiconductors. Phil.Mag., 1970, v.22, N 179» p.903-922.
303. Mott N.P. Evidence for a pseudor in liquid Mercury.- Phil. Mag., 1972, v.26, N 3, p.505-522.
304. Marshall J., Owen A.E. Drift mobility studies in vitreous arsenic triselenide.- Phil.Mag., 1971, v.24, N 192, p.1281-1305.
305. Owen A.E., Spear W.E. Electronic properties and localized states in amorphous semiconductors. Phys.ChemGlasses, 1976, v.17, N 5» p.174-192.
306. Street R.A. Recombination in amorphous semiconductors. Phys. Rev.8., 1978, v.17, N 10, p.3984-3995.
307. Kastner M., Adler D., Pritsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors.- Phys. Rev.Lett., 1976, v.37, N 22, p.1504-1507.
308. Kastner M. Defect Chemistry and states in the gap of lone-pair semiconductors.- J.Non-CrystTSolids, 1978, v.31, N i ,p.223-240.
309. Попов H.A. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Письма ЖЭТФ, 1980,т.31,№8 ,с.437-440.
310. Попов H.A. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТП, 1981, т. 15, № 2, с. 369374.
311. Lucovsky G. Intimate valence alternation pairs in amorp-v hous Si02. J.Non-Cryst.Solids, 1980, v.35-36, N1 ,p.825-830.
312. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски, М.: Мир, 1982, с.55-95.
313. Коломиец В.Т., Назарова Т.Ф. О роли примеси в проводимости стеклообразного As2SeTe2 . фТТ, I960, т.2, № I,с.174-176.
314. Коломиец В.Т., Назарова Т.Ф. Стеклообразные полупроводники. К вопросу о роли примеси в проводимости стеклообразных полупроводников. В кн.: Физика твердого тела, М.-Л., 1959,т.2, с.21-25.
315. Коломиец Б.Т. Примеси и свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников. В кн.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках. Труды У1 Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, 18-24 ноября 1975, Л.: Наука, 1976, с.23-24.
316. Рыкова Т.С., Борисова З.У. Электропроводность стекол системы Ag-As-Se в области малого содержания серебра. Физикаи химия стекла, 1979, т.5, № 5, с.563-566.
317. Ванинов В.Л., Новоселов С.К. Механизм проводимости в стеклах
318. AsTeCi^ . Физика и химия стекла, 1976, т.2, № 6, с.546-551.
319. Ishikawa Т., Kitao M., Акао Н., Yamada S. Electrical and optical properties of the amorphous As2Se^Agx . Phys.Stat. Sol,(a), 1980, v. 57, N 1, p.373-379.
320. Shimakawa K., Nitta S., Mori M. Influence of silver additive on electronic and ionic natures in amorphous ASgSe^ Phys. Rev.B., 1978, v.18, N 8, p.4348-4354.
321. Watanabe J., Inagaki J., Shimizu T. Influence of various doponts on electrical and optical properties of amorphous Ge0.42S0.58 * ~ J.Pbys.Soc.Japan, 1976, v.41, N 6, p.2030-2036,
322. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов А.И. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе BigTe^ . М.: Наука, 1972, 320 с.
323. Григас И.П., Карпус А.С. Диэлектрические свойства кристаллов
324. SbgSj . фТТ, 1967, т.9, № 10, с.2882-2886.
325. Мелех Б.Т., Маслова З.В., Аблова М.С., Жукова Т.Б., Андреев A.j Стеклообразный сульфид сурьмы и некоторые его свойства. -Физика и химия стекла, 1976, т.2, № 2, с.189-190.
326. Герцберг Г. Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул. М.: ИЛ, 1949, 647 с.
327. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Митровций И.М., Полажинец Н.В. Химинец В.В. Влияние примесей Си и Ag на электрическиеи оптические свойства стекол GegSj . УФЖ, 1984, т.28, № 7, с.1074-1081.
328. Tohge N., Minami Т., Yamamoto Y., Tanaka M. Electrical and optical properties of n-type semiconducting chalcogenide glasses in the system Ge-Bi-Se.- J.Appl.Phys.,1980, v.51, N 2, p.1048-1053 .
329. Tohge N., Minami Т., Tanaka M. Preparation and conduction mechanism of n-type semiconducting chalcogenide glasses chemically modified by bismuth. J.Non-Cryst.Solids, 1980, v.38-39, N 1, p.283-288.
330. Вихров С.П., Ампилогов В.Н. Исследование условий инверсии типа проводимости в ХСП. Изв.АН СССР. Неорган.материалы, 1983, т.19, № II, сЛ827-1831.
331. Bhatia K.L. Structural changes induced by Bi doping inn-type amorphous (GeSe3.5)^oO-x Bix * " J-Non-Cryst.Solids, 1983, v.54, N 1, p.173-177.
332. Mott N.P., Street R.A. States in the gap in chalcogenide glasses.- Phil.Mag., 1977, v.36, N 1, p.33-52.
333. Pritzsche H. Localized states and doping in amorphous semiconductors. IniAmorphous and Liguid Semicond.Proceed.7th Int.Conference. Edinburg, 1977, p.3-15.
334. Васильев В.А. Влияние примесей металлов ( Au , Ag , Си )на фотолюминесценцию стекол GegS^ • ~ Физика и химия стекла, 1983, т.9, № 5, с.584-585.
335. Мамонтова Т.Н., Муканов Х.К., Васильев В.А. Влияние примесей на фотолюминесценцию стекла GegSj . В кн.: Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Кишинев: Штиница, 1980, с.183-186.
336. Durny R. EPR study of impurities in Ge-S glasses.- Czech. J.Phys., 1980, v. В 30, N 5, p.573-585.
337. Регель A.P., Насрединов Ф.С., Сергин П.П. Мёссбауэровское исследование локальной структуры стеклообразных полупроводников и состояния примесных атомов в них. В кн.: Физика сложных полупроводниковых материалов. Л., 1979, с.194-234.
338. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковыетермоэлектрические материалы на основе Bi2Te^ . М.: Наука, 1972, 320 с.
339. Блецкан Д.И., Герасименко B.C., Гранкин И.М., Коломейко А.В., Погребняк В.П. Технология неорганической фотолитографии на основе системы металл-полупроводник. УФЖ, 1981, т.26, № I, с.14-18.
340. Hill В,Н, Effect of kilovolt electrons on the etch rate of AlgO^ and Ша20^.- J.Electrochem.Soc., 1969, v.116,p.668-672,
341. Sinclair W.R., Roussean D.L., Stancavich J.J, Iron oxidean inorganic photoresist and mask material, J.Electrochem.Soc,, 1974-, v.121, p.925-950.
342. Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. Фотостимулированные изменения в растворимости ХСП. Физ. и хим.стекла, 1978, т.4, № 3, с.351-357.
343. Nagai Н., Yoshicawa A. New application of Se-Ge glasses to silicon microfabrication technology.- Appl.Phys. .Letters, 1976, v.28, N 5, p.14-5-14-7.
344. Yoshicawa A., Hirote S,, Oshi 0, Angstroms resolution in the Se-Ge inorganic photoresists,- Jap.Appl,Phys., 1981, v.20,1. N 2, p.181-183.
345. Костышин M.T., Михайловская E.B., Романенко П.Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых -слоев, находящихся на металлических подложках. ФТТ, 1966, т.8, № 2, с.571-573.
346. Костышин М.Т., Романенко П.Ф. О влиянии тепловой обработкии старения на температурную зависимость скорости фотохимических превращений в системе ASgS^ Ag . УФЖ, 1972, т. 17, № 2, с.229-232.
347. Кит М.П., КостышинМ.Т., Мустафин К.С. и др. Регистрация голограмм на светочувствительных системах AsgS^ Ag. -Квантовая электроника, 1977, т.4, № 4, с.862-865.
348. Болтакс Б.И., Джафаров Т.С., Кудоурова В.Х. и др. Исследование диффузии и зарядового состояния примесей I и УП групп в стеклообразном сульфиде и селениде мышьяка. В кн.: Amorphous semiconductor s'78. Pardubice, 1978, с.166-169.
349. Костышин М.Т., Завада В.П., Коломейко А.В. Особенности образования светочувствительных систем полупроводник-металл.-УФЖ, 1977, т.22, № 8, с.1380-1382.
350. Yoshikawa A., Ochi О., Nagai Н., Mizushima Y. A novel inorganic utilizing Ag photodoping in Se-Ge glass films.- Appl. Phys.Letters, 1976, v.29, N 10, p.677-679.
351. Блецкан Д.И., Копинец И.Ф., Погорецкий П.П., Салькова Е.Н., Соскин М.С. Запись голограмм на полупроводниковых кристаллах излучением рубинового лазера. В кн.:Тезисы докладов
352. Ш Республиканского семинара по квантовой электронике. Харьков, 1973, с.94-96.
353. Погорецкий П.П.Салькова Е.Н., Соскин M.G., Блецкан Д.И., Копинец И.Ф. Полупроводниковый материал для записи голограмм.-Авт. с в. СССР № 453976,. Опубл. в Б.И., 1974, № 46.
354. Блецкан Д.И., Копинец И.Ф., Погорецкий П.П., Салькова Е.Н. Стационарные голографические решетки на полупроводниковых соединениях. В кн.-.Тезисы докладов П Всесоюзной конференции по голографии. Киев, 1975, т.2, с.101-102.
355. Борщевский A.G., Лебедев A.A., Мальцева И.А., Овезов К., Рудь Ю.В., Ундалов Ю.К. Фотоприемник . Авт.св.СССР,5I632I, Опубл. в Б.И., 1977, № 43.
356. Махтиев Н.М., Рудь Б.В., Салаев Э.Ю. Фотоэлектрические анализаторы поляризованного излучения на слоистых полупроводниках. ФТП, 1978, т.12, № 8, с.1566-1570.
357. КопинецИ.Ф., Блецкан Д.И., Миголинец И.М., РубишИ.Д., Сичка М.Ю., Шкоба Т.И. Получение, исследование физических свойту утств материалов типа AB и возможность их применения в микроэлектронике. ПТМ, 1977, № 25, с.3-17.
358. Агафонников В.Ф., Гаман В.И., Глущук С.Ф., Терехина Л.И. Эффект переключения и механизм токопереноса в тонких пленках дисульфида германия. Деп.ВИНИТИ, № 4535-81. Томск, 1981,13с.
359. Агафонников В.Ф.,Гаман В.И., Глущук С.Ф., Терехина Л.И. Генерационные свойства структур металл- QeS2 ~ п-6е • " Деп* ВИНИТИ, № 4536-81.Томск,1981, Юс.
360. Ахундов Г.А., Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Кязым-Заде А.Г.
361. Об эффекте переключения в р- GeSe . ФТП, 1973, т.7, № 9, с.1830-1833.
362. Школьников Е.В., Кашкаров В.П. Переключение в толстопленочных структурах на основе стеклообразного и кристаллического
363. As2 Se5. .- ФТП, 1974, т.8, № 5, с.966-968.
364. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Ш, 1969, т.З, № 5, с.731-735.
365. Яременко Н.Г., Потапов В.Т., Ивлева В.Л. Электропроводность и эффект Холла в сильно компенсированном п-ЬавЬ при низких температурах. ФТП, 1972, т.6, № 7, с.1238-1247.
366. Волков А.Р., Коган Ш.М. О возникновении неоднородного распределения тока в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью ЮТФ, 1967, т.5 , № б, с.1647-1656.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.