Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Файрушин, Альберт Рафикович

• Файрушин, Альберт Рафикович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Файрушин, Альберт Рафикович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

1.1. Электронная структура халькогенидных стеклообразных полупроводников.

1.2. Особенности электронного спектра дефектов с отрицательной корреляционной энергией.

1.3. Идентификация собственных дефектов в ХСП.

1.4. Влияние электрического поля на.подвижность носителей заряда и ударную ионизацию.

1.5. Электрический пробой халькогенидных стеклообразных полупроводников.:.

1.5.1. Пробой коротких разрядных промежутков.

1.5.2. Пробой длинных разрядных промежутков.

1.6. Постановка и обоснование задач исследования.

2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ И СРЕДСТВ ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Методика исследования.

2.2. Экспериментальные образцы.

2.2.1. Типы экспериментальных образцов.

2.2.2. Стеклообразные полупроводники.

2.2.3. Нанесение пленок ХСП.

2.2.4. Модификаторы.

2.3. Аппаратное обеспечение эксперимента.

2.3.1. Требования к измерительным устройствам.

2.3.2. Экспериментальный стенд для измерения динамических характеристик пробоя

2.3.3. Стенд для измерения электропроводности пленок ХСП.

2.3.4. Измерение временных рядов тока.

2.4. Выводы.

3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В

ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

3.1. Исследования исходных образцов.

3.1.1. Методы исследования исходных образцов.

3.1.2. Определение состава и структуры пленок селенида и сульфида мышьяка.

3.1.3. Определение состава и структуры пленок селенида и сульфида мышьяка, модифицированных комплексами РЗЭ.

3.1.4. Измерение оптического поглощения исследуемых пленок.

3.1.5. Измерение вольтамперных характеристик.64

3.1.6. Измерение температурной зависимости электропроводности.

3.2. Измерение параметров электрического пробоя коротких разрядных промежутков.

3.2.1. Измерение времени задержки и порогового напряжения при импульсном пробое.

3.2.2. Время-зависимый пробой.

3.2.3. Измерение многократного пробоя.

3.2.4. Анализ влияния комплексов РЗЭ на параметры пробоя.

3.2.5. Измерение характера шумов при различных электрических полях.

3.3. Измерение параметров электрического пробоя длинных разрядных промежутков.

3.4. Выводы.

4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОБОЯ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

4.1. Механизм перколяционного пробоя ХСП.

4.2. Моделирование перколяционного пробоя.

4.2.1. Влияние электрического поля на генерацию свободного заряда.

4.2.2. Моделирование перколяционного канала в электрическом поле.

4.3. Заключительный этап перколяционного пробоя.

4.4. Оценка возможного применения рассмотренной модели к другим аморфным материалам, а так же элементам энергонезависимой памяти на основе ХСП.

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках»

Актуальность темы. Хапькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) были открыты в середине 50-х годов Н.А. Горюновой и Б.Т. Коло-мийцем /1/. Выполненные в физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН, а также в ведущих исследовательских центрах мира, исследования свойств этих материалов стимулировали интерес к аморфным материалам и их применению. Совместными усилиями теоретиков и экспериментаторов были разработаны основы физики полупроводниковых материалов с неупорядоченной структурой /2-4/, что позволило понять особенности электронных процессов в них и приступить к созданию принципиально новых материалов с аморфной или близкой к ним структурой. В качестве успешных примеров практической реализации этого направления можно привести широкое применение аморфных полупроводников в солнечных панелях, устройствах отображения информации, а также в качестве оптических запоминающих сред.

Вместе с тем, следует отметить, что, несмотря на весьма впечатляющие достижения, в направлении понимания свойств и применения некристаллических материалов сделан лишь первый шаг.

Одна из принципиальных особенностей некристаллических полупроводников заключается в том, что в них возможна генерация метастабильных дефектов с большими временами релаксации, взаимодействие которых может приводить к изменениям структуры за пределами ближнего порядка. То есть, материалы этого типа можно отнести к средам с памятью. Изучение электронных механизмов, приводящих к возникновению долговременной памяти, представляет принципиальный интерес, как с теоретической, так и прикладной точек зрения. К наиболее перспективным материалам для проведения экспериментов в этом направлении следует отнести халькогенидные стеклообразные полупроводники. Объясняется это тем, что в них имеются, активно влияющие на локальную структуру, пары переменной валентности. Концентрация последних и их взаимодействие с ближайшим окружением зависят не только от состава материала и локальной температуры, но и от величины инжектированного в материал свободного заряда и локальной напряженности электрического поля, т.е. именно эти материалы позволяют эффективно исследовать взаимодействие между возбужденной электронной подсистемой и атомной матрицей.

Повышение степени интеграции современных полупроводниковых схем привело к тому, что разработчики вновь обратили внимание на функциональные двухэлектродные элементы памяти /5/, и в ряде ведущих фирм начались разработки микросхем памяти на основе ХСП. Проектировщиков привлекает, прежде всего, возможность разработки на их основе элементов энергонезависимой памяти, высокая радиационная стойкость которой открывает перспективу применения этих материалов в схемах специального назначения. Таким образом, исследование неравновесных электронных процессов в ХСП имеет не только научное, но и прикладное значение.

В связи с этим, основная цель работы заключается в исследовании влияния электрических полей на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках, в частности, выяснении механизма электрического пробоя этих материалов и определении роли дефектов при его возникновении. Для достижения поставленной цели предполагалось решить следующие задачи:

1. экспериментально исследовать нелинейные эффекты, возникающие в ХСП в сильных электрических полях;

2. экспериментально изучить динамику развития электрического пробоя в ХСП;

3. экспериментально и теоретически изучить основные возможные механизмы пробоя ХСП;

4. создать модель пробоя ХСП, численно промоделировать отдельные стадии пробоя;

5. провести анализ полученных результатов и оценить возможности их обобщения на другие материалы с аморфной структурой;

Объекты и методы исследований. Основными объектами исследований являются тонкие пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников, сульфида и селенида мышьяка, а также пленки этих соединений с модифицирующими их состав добавками. На стадии исследования исходных образцов были использованы физико-химические, оптические и электрические методы анализа. Исследования нелинейных процессов в ХСП и динамики электрического пробоя проводились с помощью высоковольтной импульсной техники и компьютеризированного измерительного стенда, разработанных для проведения данных экспериментов.

Научная новизна:

1. Выполнено комплексное исследование влияния сильных электрических полей на электрические свойства пленок селенида и сульфида мышьяка.

2. Выполнено исследование электрических и оптических свойств пленок селенида и сульфида мышьяка, модифицированных дипивалоилметана-том европия, диэтилдитиокарбаматами европия, лантана, самария и пра зеодима.

3. Показано, что модификация пленок ХСП комплексами редкоземельных элементов в зависимости от состава ХСП может приводить как к повышению, так и понижению порогового пробивного поля. При этом если структурная модификация сопровождается ростом коэффициента оптического поглощения, то пороговое поле снижается, если структурная модификация приводит к снижению коэффициента оптического поглощения в длинноволновой области, то пороговое поле пробоя повышается.

4. На основании экспериментальных результатов предложена модель перко-ляционного электрического пробоя в стеклообразных полупроводниках.

5. Проведено моделирование основных стадий предложенной модели пробоя

Практическая ценность. Полученные результаты позволяют правильно интерпретировать эксперименты по исследованию электрических . свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников и их аналогов в высоких электрических полях, что способствует повышению надежности приборов, использующих тонкие пленки аморфных полупроводников и диэлектриков. •

Результаты исследований могут быть использованы предприятиями, ведущими в настоящее время разработки микросхем энергонезависимой памяти, основанных на фазовых переходах и электромиграции примесей.

Результаты работы могут быть обобщены на другие многокомпонентные полупроводники и диэлектрики со структурой, близкой к аморфной.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты комплексного исследования электрических свойств тонких пленок селенида и сульфида мышьяка в высоких электрических полях.

2. Экспериментальные результаты исследования электрических и оптических характеристик тонких пленок селенида и сульфида мышьяка, модифицированных органическими комплексами редкоземельных элементов.

3. Перколяционная модель пробоя и выполненные на ее основе численные расчеты.

4. Обобщение результатов работы на другие материалы с неупорядоченной структурой.

Реализация результатов. Основные результаты исследования вошли составной частью в работу, выполненную совместно МЭИ (ТУ) и НПО Всероссийский электротехнический институт по федеральной целевой программе "Интеграция" (per № 753) в 1995 - 1999 гг. Разработанная А.Р. Файруши-ным в процессе выполнения работы микроконтроллерная плата управления экспериментом была им использована при создании одной из работ учебного практикума по курсу "Электроника и микроэлектроника". В 2002 г. на конкурсе работ МЭИ "Новые информационные технологии в области обучения" эта разработка была отмечена дипломом третьей степени. После апробации и дальнейшего усовершенствования аналогичная инструментальная плата была использована в лабораторном практикуме дистанционного обучения, различные варианты которого демонстрировались на выставках "Современная образовательная среда" (ВВЦ, 6-9 ноября 2002 г., 29 октября - I ноября 2003' года).

Апробация работы. Материалы диссертации изложены в 10 публикациях, которые приведены в списке опубликованных работ, а также докладывались на следующих конференциях и семинарах:

1. I International Workshop "Amorphous and Nanostructured Chalcogenides (Fundamentals and Applications)", Бухарест, Румыния, 25-28 июня 2001 г.

2. XIII International Symposium on Non-Oxide Glasses and New Optical Glasses, Чехия, Пардубице, 9-13 сентября 2002 г.

3. Ill Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 2-4 июля 2002 г. 4. Международный научно-технический семинар "Шумовые и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах", Москва, МЭИ. 5. Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика", Москва, МЭИ. Личный вклад автора. Автору принадлежат идеи постановки основных экспериментов, их реализация, включающая создание измерительных установок, получение и подготовку образцов к измерениям, сами измерения. Автору также принадлежат основные идеи, положенные в основу перколяци-онной модели пробоя, при этом им выполнены все эксперименты по ее доказательству. Им непосредственно составлены программы и выполнены численные расчеты по моделированию влияния электрического поля на преобразование дефектов ХСП, а также по моделированию динамики генерационно-рекомбинационных процессов при высоком уровне возбуждения в канале пробоя.

I. ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Файрушин, Альберт Рафикович

4.5. Выводы

1. Численный расчет показал, что предложенная модель перколяционного пробоя позволяет объяснить основные, наблюдаемые в эксперименте, зависимости: дисперсию параметров пробоя, зависимость времени задержки от величины приложенного напряжения, зависимость времени задержки и напряжения пробоя от температуры. Количественное соответствие между результатами расчета и эксперимента может быть получено при выборе соответствующих параметров модели. Полученные результаты подтверждают применимость перколяционной модели для описания импульсного пробоя ХСП.

В приближении модели D°, D+, D" центров выполнены численные оценки влияния электрического поля на преобразование дефектов и генерацию свободного заряда. Показано, что электрическое поле стимулирует процессы, ведущие к росту концентрации свободных носителей заряда. В рамках принятых допущений для свободных носителей заряда в высоких полях получены концентрации электронов порядка 10|7см'3. Полученный результат подтверждает возможность формирования перколяционного канала и роста концентрации электронов в нем за счет полевой генерации дефектов.

Выполненный численный анализ движения домена высокого поля в длинном разрядном промежутке показал, что нелинейная концентрационная зависимость рекомбинации от электрического поля должна приводить к периодическим колебаниям температуры домена. Полученный результат позволяет объяснить колебания температуры "горячего пятна", наблюдаемые в эксперименте.

На основе анализа литературы показано, что предложенная в данной работе модель перколяционного пробоя пленок последние годы начала использоваться для объяснения пробоя в сверх тонких подзатворных диэлектриков МОП транзисторов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании выполненной экспериментальной работы, предложенных для объяснения экспериментальных результатов моделей и численных расчетов можно сделать следующие выводы.

1. Выполненные исследования статических и динамических характеристик образцов ХСП показали, что возникающие при высоких электрических полях нелинейные процессы не могут быть объяснены в рамках модели лавинного умножения.

2. Показано, что модификация пленок ХСП комплексами редкоземельных элементов в зависимости от состава ХСП может приводить как к повышению, так и понижению порогового пробивного поля. При этом если структурная модификация сопровождается ростом коэффициента оптического поглощения, то пороговое поле снижается, если структурная модификация приводит к снижению коэффициента оптического поглощения в длинноволновой области, то пороговое поле пробоя повышается.

3. Исследования зависимости параметров пробоя от расстояния между электродами показали, что для образцов с разрядным промежутком, не превышающим нескольких микрометров, пороговое электрическое поле пробоя возрастало при увеличении межэлектродного расстояния. При расстоянии между электродами больше 100 мкм при увеличении межэлектродного промежутка пороговое поле уменьшалось.

4. Для объяснения экспериментальных результатов предложена модель перколяционного пробоя, в рамках которой возникновение электрического пробоя происходит в результате смыкания локальных проводящих областей, возникающих в сильных электрических полях при ионизации дефектов материала.

Численным моделированием перколяционного пробоя рассчитаны такие характеристики как флуктуации тока при напряжении, близком к пороговому; разброс значений времени задержки при фиксированном пробивном напряжении; зависимости времени задержки от пробивного напряжения; температурные зависимости времени задержки и порогового напряжения; зависимости порогового электрического поля от расстояния между электродами. Результаты расчета согласуются с экспериментально полученными зависимостями.

Показано, что перколяционная модель может быть применена к другим материалам с аморфной структурой.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

Файрушин А.Р., Савинов И.С. Влияние полевой ионизации атомов диэлектрика на ток утечки в МОП структуре// Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 10 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. 2-3 марта 2004 г. - М., 2004. - С.246. Савинов И.С., Файрушин А.Р. Моделирование динамики пробоя с использованием стохастических закономерностей// Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 10 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. 2-3 марта 2004 г. - М., 2004. -С.242.

Файрушин А.Р., Савинов И.С. Формирование стримерного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников // Шумовые и дегра-дационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. научн. техн. семинара. 3-6 декабря 2002 г. - М., 2003. - С.224-228.

Любимцев А.С., Сотенко А.С., Файрушин А.Р. Расчет напряженности электрического поля и исследование явлений пробоя в планарных структурах с применением ЭВМ // Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 9 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. 4-5 марта 2003 г. - М., 2003. - С.216-217. Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Моделирование стримерного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: Сборник трудов III Международной конференции. 2-4 июля 2002 г. - Санкт-Петербург, 2002. -С.181.

Файрушин А.Р. Исследование микроплазменного пробоя в тонких пленках стеклообразных полупроводников // Журнал оптоэлектроники и передовых материалов. 2001. - Т.З, №2. - С. 499-502. (на англ. языке)

Электрофизические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов / С.А. Козюхин, Н.П. Кузьмина, А.Р. Файрушин // Неоксидные и новые оптические стекла: Материалы XIII Международного симпозиума. 9-13 сентября 2002 г. - Чехия, Пардубице, 2002. - Т.2. - С. 600-602. (на англ. языке) Дудников А.С., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Экспериментальное исследование деградации пленок аморфных полупроводников и диэлектриков в высоких электрических полях // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология): Материалы докл. научн. техн. семинара. 29 ноября - 3 декабря 1999 г. - М., 2000. - С. 166-169.

Файрушин А.Р. Исследование предпробойных состояний в пленках АЬОз // Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 6 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. 1-2 марта 2000 г. - М., 2000. - С. 196-197.

Файрушин А.Р. Пробой в аморфных материалах // Радиоэлектроника, электротехника и энергетика: Тез. докл. 7 Международной научн.-техн. конф. аспирантов и студентов. 27-28 февраля 2001 г. - М., 2001. -С.204-205.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Файрушин, Альберт Рафикович, 2004 год

1. Горюнова Н.А., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. Т.20, №12. - С. 1496-1501.

2. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974.

3. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1963.

4. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под. ред. К.Д. Цэндина, СПб.: Наука, 1996.

5. Kastner M. Bonding bands, lone-pair bands, and impurity states in chalco-genide semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1972. - Vol. 28, № 6. - P. 355357.

6. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - Vol. 34, № 15. - P. 953-955.

7. Adler D., Yoffa E.J. Electronic structure of Amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. - Vol. 36, №20. - P. 1197-1200.

8. Habbard J. Electron correlation in narrow energy bands // Proc. Roy. Soc. A -1963.- Vol. 276.- P.238 .

9. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - Vol. 35, № 19. - P. 1293-1296.

10. Kastner M., Adler DM Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. - Vol. 37, №22.-P. 1504-1507.

11. Неупорядоченные полупроводники / Под. ред. Айвазова А.А. М.: Высшая. школа, 1995.

12. Kastner М., Hudgens S.J. Evidence for the neutrality of luminescence centres in chalcogenide glasses// Phil. Mag. B. 1978. - Vol.37, №2.- P. 199-215.

13. Kastner M. Defects in lone-pair semiconductors: the valence-alternation model and new directions // Journ. of Non-Cryst. Solids/ 1980. Vol. 35-36. -P. 807-817.

14. Попов H.A. Новая модель в халькогенидных стеклообразных полупроводниках// Письма в ЖЭТФ. 1980. - Т.31, № 8. - С. 139-142.

15. Попов Н.А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках// ФТП. 1981. - Т. 15, № 2. - С.369-374.

16. Фельц. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986.

17. Дембовский С.А., Зюбин А.С., Григорьев Ф.В. Моделирование гипервалентных конфигураций, пар с переменной валентностью, деформированной структуры и свойств a-S и #-As2S3 // ФТП. 1998. - Т.32, №8. С. 944-951.

18. Monch W. On the physics of avalanche breakdown in semiconductors // Phy. stat. sol. 1969. - Vol. 36, № 9. - P. 9 - 48.

19. Аладинский В.К. Теоретическое и экспериментальное исследование электронных процессов при пробое р-п переходов и некоторые аспекты их практического применения: Диссертация докт. физ.-мат. наук. ФИАН СССР им. П.Н. Лебедева. М., 1974. '

20. Шелл Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М.:Мир, 1991.

21. Hole drift mobility in цс-Si-H / G. Juska, M. Viliunas, K. Arlauskas et. al. // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89, № 9. - P. 4971 -4974.

22. Kastner M.A. The peculiar motion of electrons in amorphous semiconductors //Properties of amorphous materials. 1985. - №4. - C. 381-396.

23. Brown F.C. Temperature Dependence of Electron Mobility in AgCl // Phys. Rev. 1955. - Vol. 97, № 2. - P. 355-362.

24. Scher H., Montroll E.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids // Phys. Rev. B. 1975. - Vol. 12, №6. - P. 2455-2477.

25. Hartke J.L. Drift Mobilities of Electrons and Holes and Space-Charge-Limited Currents in Amorphous Selenium Films // Phys. Rev. 1962. - Vol. 125, №4.-P. 1177-1192.

26. Rudenko A.I., Arkhipov V.I. Drift and diffusion in materials with traps. I. Quasi-equilibrium transport regime // Phil. Mag. B. 1982. - Vol. 45, №2. -P. 177- 187.

27. Rudenko A.I., Arkhipov V.I. Drift and diffusion in materials with traps. III. Analysis of transient current and transit time characteristics // Phil. Mag. B. -1982. Vol. 45, №2. - P. 209 - 226.

28. Juska G., Arlauskas K., Viliunas M. Extraction Current Transients: New Method of Study of Charge Transport in Microcrystalline Silicon // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol. 84, № 21. - P. 4946-4949.

29. Juska G., Arlauskas K., Montrimas E. // Features of carriers at very high electric fields in a-Se and a-Si:H // J. Non-Cryst. Solids. 1987. - Vol. 97,98. -P. 559-562.

30. Hot electrons in amorphous silicon / G. Juska, K.Arlauskas, К. Kocka et al.// Phys. Rev. Lett. 1995. - Vol. 75, № 16. - P. 2984-2987.

31. Колобаев В.В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах // ФТП. 1999. -т.ЗЗ, Вып.4. - с.423-424.

32. Arkhipov V.I., Kasap S.O. Is there avalanche multiplication in amorphous semiconductors? // J. of Non-Cryst. Solids. 2000. - Vol. 266-269. - P. 959963.

33. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А. Вольт-амперная характеристика точечного контакта со стеклообразным полупроводником // Радиотехника и электроника. 1963. - Т. 8, Вып. 12. - С. 2097-2098.

34. Ovshinsky S.R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures // Phys. Rev. Lett. 1968. - Vol. 21, № 20. - P. 1450-1453.

35. Ovshinsky S.R., Fritzsche H. Amorphous semiconductors for switching, memory and imaging applications // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. -Vol. ED-20, №2. - P. 91-105.

36. Adler D., Henisch H.K., Mott N. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys // Reviews of modern physics. 1978. - Vol. 50, № 2. - P. 209-221.

37. Petersen E.A., Adler D. On state of amorphous threshold switches // J. Appl. Phys. 1976. - Vol. 47, № 1. - P. 256-263.

38. Petersen E.A., Adler D. Electronic nature of amorphous threshold switching // Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 27, № 11. - P. 625-627.

39. Adler D. Switching phenomena in thin films // J. Vac. Sci. Technol. 1973. -Vol. 10, №5.-P. 728-738.

40. Adler D., Moss S.C. Amorphous memories and bistable switches // J. Vac. Sci. Technol. 1972. - Vol. 9, № 4. - P. 1182-1190.

41. Walsh P.J., Vogel R., Evans E. Conduction and electrical switching in amorphous chalcogenide semiconductor films // Phys. Rev. 1969. - Vol. 178, № 3.-P. 1274-1279.

42. Vezzolli G.C., Walsh P.J., Doremus L.W. Threshold switching and the on-state in non-crystalline semiconductors. An interpretation of threshold switching research//J. Non-Cryst. Solids. 1975.-Vol. 18, № 3. - P. 333-373.

43. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Цэндин К.Д. Электронно-тепловая природа низкоомного состояния, возникающего при переключении ХСП // ФТП.- 1981.-Т. 15,№2.-С. 304-310.

44. Henisch Н.К., Pryor R.W., Ventura G.J. Characteristics and mechanism of threshold switching // J. Non-Cryst. Solids. 1972. - Vol. 8-10. - P. 415-421.

45. Бонч-Бруевич B.JI., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.:Наука, 1972.

46. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. К.: Наукова думка, 1978.

47. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.

48. Глебов А.С., Петров И.М. Физика и применение токовой неустойчивости в стеклообразных полупроводниках. Рязань: Узорочье, 2000.

49. Gill М., Lowrey Т., Park J. Ovonic Unified Memory A High-performance Nonvolatile Memory Technology for Stand Alone Memory and Embedded Applications // Proceedings of 2002 IEEE International Solid State Circuits Conference, 2002.

50. Lai S. "OUM A 180 nm Non-Volatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications" // Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2001.

51. Ovshinsky S.R. Amorphous materials the key to new devices // IEEE Proc. of CAS.- 1998.- Vol. 1.-P.33.

52. Chalcogenide-based non-volatile memory technology / J. Maimon, E. Spall, R. Quinn, S. Schnurr// IEEE Aerospace. 2001.

53. Total dose radiation response and high temperature imprint characteristics of chalcogenide based RAM resistor elements / S.Bernacki, K. Hunt, S. Tyson et al. // IEEE Trans. Nuc. Sci. 2000. - Vol. 47, № 6. - P. 2528-2533.

54. Neale R. Amorphous nonvolatile memory: the past and the future // Electronic Engineering. 2001. - P. 67-78.

55. Full integration and reliability evaluation of phase-change RAM based on O.24um-CMOS technologies / Y.N. Hwang, S.H. Lee, S.Y. Lee et al. // Proceedings of VLSI technology. 2003.

56. Gopalan C., Balakrishnan M., Kozicki M.N. Programmable Metallization Cell memory// Observed laboratory results, Arizona State University, 2003.

57. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачев H.A. Шпунт B.X. Световое излучение при переключении в халькогенидных стеклах // ФТП. 1972. - Т. 6, Вып 1. - С. 197-199.

58. Walsh P.J., Sachio I., Adler D. Electroluminescence from the on state of a thin-film chalcogenide glass // Appl. Phys. Lett. 1978. - Vol. 37, № 7. - P. 593-595.

59. Vezzolli G.C. Radative emission during the threshold on-state of a chalcogenide amorphous semiconductor // J. Appl. Phys. 1978. - Vol. 49, № 6. -P. 3614-3615.

60. Thompson M.J., Pooladej D., Walsh P.J. Norrow band infrared emission studies from chalcogenide threshold switches // J. Non. Cryst. Solids. 1980. -Vol. 35&36.-P. 1111-1116.

61. Van Roosbroeck W. Electronic basis of switching in amorphous semiconductor alloys//Phys. Rev. Lett. 1972.-Vol. 28, № 17.-P. 1120-1126.

62. Исследование процессов восстановления и природа низкоомного состояния, возникающего при переключении в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Таксами И.А., Цэндин К.Д.//ФТП.- 1983.-Т. 17, № 1.-С. 119-124.

63. Chen H.S., Wang Т.Т. On the theory of switching phenomena in semiconducting glasses // Phys. Status. Solidi. 1970. - Vol.2, № 1. - P. 79-84.

64. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. VII. Nonohmic behaviour and switching // Phil. Mag. 1971. - Vol. 24, № 190. - P. 911 -934.

65. Mott N.F. Conduction in non-crystalline systems. II. The on-state of the threshold switches // Phil. Mag. 1975. - Vol. 32, № 11. - P. 159-171.

66. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.• 72. Shaw М.Р., Holmberg D.H., Kostylev S.A. Reversible switching in thin amorphous chalcogenide films-electronic effects // Phys. Rev. Lett. 1973. -Vol. 31, №8.-P. 542-545.

67. Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Electronic conduction in amorphous semiconductors and the physics of the switching phenomena // J. Non-Cryst. Solids. -1970.-Vol. 2.-P. 393-405.

68. Lee S.H. The on-state in chalcogenide threshold switches// Phys. Rev. Lett. -1972. Vol. 21, № 11. - P. 544-546. ■

69. Цэндин К.Д. Качественная микроскопическая электроннотепловая модель эффекта переключения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Стеклообразные полупроводники: Тез. докл. всес. совещания, Ленинград, 2-4 октября, 1985. Л.: 1985.

70. Electrical nature of the lock-on filament in amorphous semiconductors/ Ta-naka K., Lizima S., Suji M., Kikuchi M. // Sol. St. Commun. 1970. - Vol. 8, № I. - P. 75-78.

71. Барышев В.Г., Верейкин Е.В., Орешкин П.Т. Явления переключения на поверхности стеклообразного CdGeAs2 // ФТП. 1971. - Т. 5, № 1. - С. 77-80.

72. Исследование распределения температуры в элементах памяти в процессе формирования шнуров / Вихров С.П., Глебов А.С., Денисов A.JL, Ам-пилогов В.Н. // Физика полупроводников и микроэлектроника. Рязань. -1977.-Вып. 4.-С. 20-23.

73. Воронков Э.Н. Импульсный пробой пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников в присутствии магнитного поля // ФТП. 1999. -Т.ЗЗ, Вып.8.-С.996-1000.

74. Voronkov E.N. Pulsed breakdown of chalcogenide glassy semiconductor films // J. of Optoelectronics and Adv. Materials. 2002. - Vol.4, № 3. - P. 793-798.

75. Боровов Г.И., Воронков Э.Н. Оценка скорости включения халькогенид-ного стекла и величины переносимого заряда по форме канала, образованного в магнитном поле // ФТП. 1986. - Т. 16. Вып. 12. - С. 750-751.

76. Курохтин С.В., Воронков Э.Н. Токовая нестабильность в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, помещенных в магнитное поле // Материаловедение, 1997.-№6-7. - С.39-41.

77. Григорьев Ф.В. Квантово-химическое исследование строения стабильных структурных дефектов в ХСП и моделирование связанных с ними свойств. Диссертация кандидата химических наук. ИОНХ им. Курнако-ва.-М., 2001.

78. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. JI: Издательство Ленинградского университета, 1983.

79. Chinnery D.N.W. Some aspects of simultaneous evaporation techniques // Optica Acta. 1985. - Vol.32, № 5. - P. 557-572.

80. Изучение процесса вакуумного термического испарения халькогенидно-го стекла / B.C. Минаев, В.Р. Дарашкевич, А.С. Глебов и др. // Физика полупроводников и микроэлектроника. Рязань. 1975. - Вып.1. - С. 216221.

81. Попов А.И. Управление свойствами халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) и их конденсатов путем структурной модификации материала // Аморфные полупроводники-84: Сб. докл.конф., Габ-рово, 17-22 сентября 1984. 1984.-Т. 1. - С. 151-154.

82. Volatile lanthanide diethyldithiocarbamates as precursors for lanthanide sulfide film deposition / N.P. Kuzmina, R.A. Ivanov, S.E. Paramonov, L.I. Mar-tynenko // Electrochemical Society Proceedings. 2002. - Vol. 97, № 25. -C.880-885.

83. Синтез и кристаллическая структура разнолигандного комплекса дипи-валоилметаната лантана с орто-фенантролином / Л.Х. Миначева, А.Ю. Рогачев, Н.П. Кузьмина, B.C. Сергиенко // ЖНХ. 2003. - Том 48, №12. -С. 1822-1829.

84. Кристаллическая структура комплекса трис(диэтилдитиокарбамато) иттербия с о-фенантролином. / Н.П. Кузьмина, Р.А. Иванов, А.Б. Илюхин, С.Е. Парамонов // Координационная химия. 2002. - Том 28, №9.-С. 713-715.

85. Полуэктов Н.С., Кононенко Л.И., Ефрюшина Н.П., Бельтюкова С.В. Спектрофотометрические и люминесцентные методы определения лантаноидов. Киев: Наук. Думка, 1989.

86. Гайдук М.И., Золин В.Ф., Гайгерова Л.С. Спектры люминесценции европия. М.: Наука, 1974.

87. Ельяшевич М.А. Спектры редких земель. М.: Гостехтеоретиздат, 1953.

88. Я.Г.Клява. Правило Урбаха и континуальная неупорядоченность в некристаллических твердых телах// Физика твердого тела. 1985. - Т.27, №5. - С. 1350-1353.

89. Hori Т. Gate dielectrics and MOS ULSI's principles, technologies and applications. Berlin: Springer-Verlag, 1997.

90. Frenkel J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors // Phys. Rev. 1938. - Vol. 54. - P. 647-648.1. W'

91. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

92. Suehle J.S. Ultrathin Gate Oxide Reliability: Physical Models, Statistics, and Characterization // IEEE Transactions on electron devices. 2002. - Vol. 49, №6. -P. 958-971.

93. Quasi-breakdown of ultrathin gate oxide under high field stress / S.H. Lee et al. // IEDM Tech. Dig. 1994. - P. 605-608.

94. Explanation of soft and hard breakdown and its consequences for area scaling

95. M.A. Alam et al. // IEDM Tech. Dig. 1997. - P.449-452.

96. Sune J., Miranda E. Post soft breakdown conduction in Si02 Gate Oxides // IEDM Tech. Dig. 2000. - P. 533-536.

97. Шустер Г.Г. Детерминированный хаос. M.: Мир, 1988.

98. Percolation path and dielectric-breakdown-induced-epitaxy evolution during ultrathin gate dielectric breakdown transient process / Chih Hang Tung et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. - Vol. 83, № 11. - P.224-227.

99. New insights in the relation between electron trap generation and the statistical properties of oxide breakdown / R. Degraeve et al. // IEEE Trans, on EI.

100. Dev. 1998. - Vol.45, № 4. - P. 904-911.

101. Model for the current-voltage characteristics of ultrathin gate oxides after soft breakdown / M. Houssa, T. Nigam, P. W. Mertens, M. M. Heyns // J. of Appl. Phys. 1998. - Vol. 84, № 15. - C.4351 - 4355.