Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Фролов, Андрей Михайлович

• Фролов, Андрей Михайлович
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Фролов, Андрей Михайлович

СВОЙСТВА, ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ

В12Те3х8ех и В12х8ЬхТе3.

1.1. Структура и физико-химические свойства В12Те3, В128е3, 8Ь2Те3 и твердых растворов на их основе.

1.2. Диаграммы состояния В1-Те, В^Те3 - В128е и Вь"1Ъ - 8ЫЪ.

1.3. Влияние отжига на свойства сплавов

В12Те3 - В128е3 и В12Те3 - 8Ь2Те3.

1.4. Методы получения поликристаллических материалов на основе тройных твердых растворов систем В12Те3х8ех и 8Ь2.Х В1хТе3.

1.5. Проблемы коммутации на границе твердых растворов полупроводников и контактных материалов.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Объекты исследования.

2.2. Подготовка поверхности исследуемых образцов.

2.3. Рентгендифракционный анализ структуры, фазового состава, параметра кристаллической решетки и текстуры крупнозернистых текстурованных объектов.

2.4. Методика выявления формы фронта кристаллизации в слитках термоэлектрических материалов п-типа проводимости.

2.5. "Прицельная" дифрактометрия для оценки неоднородности состава твердого раствора по изменению параметра кристаллической решетки вдоль фронта кристаллизации.

2.6. Методика изучения преимущественных ориентировок в слитках р- и п-типов проводимости.

2.6.1. Построение стандартных стереографических проекций для гексагональной кристаллической решетки.

2.6.2. Построение обратных полюсных фигур.

2.6.3. Построение "диаграмм анизотропии" (эллипсоидов вращения) для оценки анизотропии электрических параметров.

2.7. Оценка структурной и химической неоднородности в слитках р-типа проводимости.

2.7.1. Подготовка поверхности шлифов для исследования.

2.7.2. Измерение коэффициента отражения Я.

2.7.3. Измерение микротвердости Нту.

2.7.4. Элементный анализ.

2.8. Изучение трещинообразования методами изменения "горячей" и "холодной" микротвердости.

2.9. Методика оценки термических напряжений на границе зерен.

Выявление влияния технологических параметров на структуру поликристаллических слитков термоэлектрических материалов большого диаметра73 3.1. Влияние технологических условий роста слитков ТЭМ большого диаметра на их структуру и уровень термоэлектрических свойств.

3.2. Влияние параметров синтеза на фазовый состав лигатуры ВьБе-СЛ.

3.3. Анализ анизотропии свойств твердого раствора В12Те 2.7$еогз.Ю

3.4. Влияние гомогенизирующего отжига на характеристики структурных составляющих крупнозернистых слитков на примере р-типа проводимости.

3.5. Исследование однородности слитков.

3.6. Зависимость разрушения (растрескивания) от характера структуры поликристаллических слитков

ТЭМ n-типа (на основе твердых растворов Bi2Te3

Bi2Se3 ).П

3.7 Выводы к главе III.

ГЛАВА IV Влияние способа обработки поверхности на фазовый состав и структуру поверхностных слоев ТЭМ на основе тройных твердых растворов Bi2Te3.xSe х и Sb2-xBixTe3.

Выводы к главе IV.

ГЛАВА V. Использование акустической микроскопии для анализа текстуры крупнокристаллических слитков ТЭМ.

5.1. Методика ультразвуковой микроскопии.

5.2. Построение указательных поверхностей акустических параметров кристаллов.

5.3. Возможности использования ультразвуковой микроскопии для анализа текстуры.

5.4. Выводы к главе V.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Материаловедческие основы технологии получения термоэлектрических модулей из слитков твердых растворов Bi2 Te3-Bi2 Se3 и Bi2 Te3-Sb2 Te3 большого диаметра»

Среди различных методов преобразования энергии важное значение имеет метод прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. В интервале температур 200 - 600 К в термоэлектрических преобразователях энергии широко используются материалы на основе тройных твердых растворов В12Тез - В128ез и БЬгТез-^Тез, имеющие высокую термоэлектрическую эффективность [1-3].

К этим материалам предъявляются определенные требования с точки зрения структуры, фазового состава, однородности, механической прочности, поэтому представляют интерес исследования как кристаллической структуры, так и механических свойств этих материалов. Выяснение этих характеристик необходимо для обоснованного конструирования термоэлектрических приборов, повышения надежности их работы и увеличения срока службы. В последние годы требования к полупроводниковым материалам значительно повысились, и для их удовлетворения стало необходимо существенно улучшить параметры применяемых в настоящее время полупроводников, а для решения ряда задач предложить новые, более перспективные и экономически эффективные методы получения и обработки этих материалов, соответствующих все возрастающим требованиям научно-технического прогресса.

Структура и свойства материалов в значительной степени определяются технологией их получения. В последние годы, наряду с оптимизацией состава сплавов и легирования, изыскиваются новые технологические способы производства полуэлементов повышенной эффективности (зонное выравнивание, экструзия, зонная плавка с использованием различного типа нагревателей и пр.).

Несмотря на то, что в последние годы исследуется много новых материалов и сплавов, использующихся в качестве термоэлектриков, В12Те3 и твердые растворы на его основе все также остаются одними из основных объектов исследования и применяются в качестве базового материаладля

Необходимо инструментально контролировать все стадии изготовления материала. Сейчас большое внимание уделяется совершенству структуры поликристаллического термоэлектрика, а именно: текстуре, микро- и макронеоднородности, механической прочности, размеру зерен и их взаимной ориентировке, а также особое внимание 6 уделяется состоянию поверхностей, на которые в приборной структуре будет наноситься контактный слой.

Актуальность настоящей работы проявляется в создании физико-химических основ формирования структуры материала в процессе его роста и постростовой обработки в целях разработки серийноспсобной технологии получения материалов для термоэлементов микроустройств и бытовой техники.

Для разработки эффективных материалов для полуэлементов на основе тройных твердых растворов соединений А2УВ3У1 и технологических способов их получения с воспроизводимыми свойствами необходимы исследования в области формирования слитков заданного состава, текстуры, ориентировок, однородности, механической прочности. Целями настоящей работы явились:

-выявление влияния структуры, однородности и механических свойств поликристаллических слитков большого диаметра (до 25 мм) ТЭМ на основе тройных твердых растворов Вг^Те^^е^ и В12^8ЬуТез, полученных методом вертикальной зонной плавки при различных режимах выращивания (осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации, максимальной температуре, скорости роста, числе проходов расплавленной зоны) на термоэлектрическую эффективность поликристаллических слитков ТЭМ;

-подбор состава лигатуры для улучшения воспроизводимости легирования материала;

-выявление факторов, влияющих на адгезию антидиффузионных покрытий к материалу термоэлектрика.

Для достижения указанных целей необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Выявит условия формирования текстуры в поликристаллических слитках большого диаметра.

2. Установить связь условий кристаллизации с однородностью состава твердого раствора по сечению слитка.

3. Установить влияние условий роста слитков на прочностные характеристики материалов.

4. Оценить влияние механических способов обработки поверхности образцов на формирование электрических и адгезионных свойств переходных слоев: термоэлектрик - антидиффузионный слой.

5. Оценить применимость акустической микроскопии как метода изучения структуры поверхности и объема пластин.

Работа состоит из введения, пяти глав и заключения.

Первая глава диссертации посвящена обзору литературных данных. Описаны физико-химические и кристаллографические свойства соединений В12Тез, В128ез и 8Ь2Тез и твердых растворов на их основе. 7

Проведен обзор методов получения поликристаллов на их основе. Особое внимание уделено механическим свойствам твердых растворов. Кроме того, были рассмотрены проблемы коммутации поликристалла-терсиоэлектрика на основе ЕН2Тез и контактных материалов.

Во второй главе дано описание всех применявшихся в работе методик: рентгеновской дифрактометрии, металлографии, топографии по Шульцу, холодной и горячей микротвердости, элементного анализа, а также приведено описание способов обработки полученных экспериментальных данных: определение текстуры поликристаллических образцов, параметра а кристаллической решетки твердого раствора и его состава, методика построения стандартных стереографических проекций для гексагональной кристаллической решетки и обратных полюсных фигур, методика оценки термических напряжений, образующихся на границе двух разориентированных кристаллов.

В этой же главе дано описание материалов исследования и способов подготовки их к эксперименту.

В третьей главе излагаются результаты исследования влияния технологических параметров на структуру и механические свойства поликристаллических слитков малого (8 мм) и большого (до 25 мм) диаметра термоэлектрических материалов методами рентгеновской дифрактометрии, металлографии, микротвердости,

В четвертой главе показано, что структура и свойства материалов зависят от технологии их изготовления и способа постростовой обработки. Выбраны наиболее оптимальные технологические режимы выращивания поликристаллических слитков большого диаметра с точки зрения добротности и механической прочности. Подобраны оптимальные режимы обработки поверхности образцов, использующихся в термоэлектрических преобразователях.

Пятая глава посвящена изучению структуры поликристалла новым перспективным методом - акустической микроскопии.

Осуществлен расчет и построение указательных поверхностей акустических параметров кристаллов в плоскости (1010) и Представлены иллюстрации поверхности и объема образцов и проведено сопоставление результатов акустической микроскопии с данными, полученными другими методами. Разработаны принципы применения акустического микроскопа в области исследования структуры поликристаллов.

В заключении диссертации приведены наиболее важные результаты и выводы. Работа проводилась совместно с предприятием «Гиредмет». 8

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Фролов, Андрей Михайлович

Основные результаты исследования термоэлектрических материалов на основе тройных твердых растворов В12Тезх8ех и 8Ь2хВ1хТез сводятся к следующему:

1. В результате теоретических и экспериментальных исследований были подобраны режимы выращивания поликристаллических слитков большого диаметра на основе тройных твердых растворов В12Тезх8ех (п-тип) и В12х8ЬхТез (р-тип), позволившие подавить дендритный рост: а) скорость роста: V = 0,1 мм/мин (для п-типа); V = 0,25 мм/мин (для р-типа), температурный градиент на границе фронта кристаллизации АТ/Ах = 80 4- 120 К/см в случае применения индукционного нагрева; б) скорость роста: V = 0,1 мм/мин (для п-типа), V = 0,25 мм/мин (для р-типа), температурный градиент на границе фронта кристаллизации 120 4200 К/см в случае применения резистивного нагрева.

Кроме того, подобранные режимы выращивания обеспечили плоский фронт кристаллизации, что привело к равномерному распределению примеси в поперечном сечении слитка.

2. Установлено, что длительный гомогенизирующий отжиг не приводит к достижению химической однородности твердого раствора, а влияет лишь на формирование крупнозернистой микроструктуры слитка и на изменение ориентации зерен посредством рекристаллизации и соответствующим увеличением доли зерен, у которых плоскости спайности параллельны оси роста слитка.

3. Показано, что с целью достижения воспроизводимо высокого уровня термоэлектрической эффективности Ъ и увеличения выхода годного ТЭМ на основе тройных твердых растворов п-типа В12Тезх8ех с высоким значением добротности (Ъ > 3,0 * 10 К ) выгоднее всего использовать в качестве лигатуры хлорсодержащее соединение В^Бе^С^.

4. Проведена классификация образующихся в поликристаллах ТЭМ трещин: а) интеркристаллитные (по границам зерен); б) транскристаллитные, проходящие через внутренние объемы зерен по плоскостям спайности; в) трещины в области химической неоднородности.

5. Обнаружено, что разрушение кристалла в области температур до 500 °С происходит в основном по плоскостям спайности (0001).

6. Выяснено, что причиной разрушения слитков поликристаллических материалов по основе тройных твердых растворов В12Те3х8ех и В12-х8ЬхТез являются остаточные термические напряжения и химическая неоднородность слитка.

165

7. Выяснено, что наиболее оптимальным, с точки зрения качества поверхности и толщины нарушенного слоя, является электроэрозионный способ разрезания слитка на пластины - термоэлектрические модули, однако, экономически эффективным является способ резки слитка алмазным диском с последующей механической и химической обработкой за счет снижения затрат на электроэнергию и оборудование.

8. Обнаружено, что за счет исключительно высокой диффузионной и реакционной способности химически осажденный N1 в твердой фазе способен образовывать соединения с материалами термоэлектрика даже при низких (-90 °С) температурах. Обнаружена большая глубина проникновения № в матрицу (твердый раствор), а избыточного Те (Бе) и В1 в антидиффузионный слой №Р.

9. Разработан метод акустической микроскопии для диагностики структуры (текстуры, пор, трещин) поверхности и объема поликристаллических пластин, основанный на регистрации скоростей звука, отраженного от различных кристаллографических плоскостей анизотропного материала.

10. Установлено, что структура поверхностных слоев ТЭМ определяет качество адгезии при изготовлении термобатарей. Основной причиной низкой адгезии антидиффузионного слоя к термоэлектрику является нарушение фазового состава в приграничном слое термоэлектрика и нарушение ростовой текстуры в нарушенном слое, что приводит к пластической деформации приповерхностного слоя и отслоению.

166

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Фролов, Андрей Михайлович, 2002 год

1. Семенюк В. А., Иванова Л. Д., Свечникова Т. Е., Неорган, материалы, т.28, с.1855, 1992.

2. Mzerd A., Tcheliebou F., Sackda A., Boyer A., Sensors and Actuators A, v.46-47, p. 387, 1995.

3. Гольцман Б. M., Смирнов И. А., в сб. "Материалы, использующиеся в полупроводниковых приборах", "Мир", М., 1968.

4. Jang K.-W., Lee D.-H., Proc. of the XII International Conference on Thermoelectrics, p. 115, 1993.

5. Jeon H., Ha H., Hyun D.and Shim J., J. Phys. Chem. Sol., p. 579, 1991.

6. Miller G. R., Che-Yu-Li, Spencer C. W., J. Appl. Phys, v.34, p. 1398, 1963.

7. Wood C., Rep. Prog. Phys., v.51, p.459, 1988.

8. Stordeur H., Phys. Stat. Solidi, B, v. 104, № 2, 1981.

9. HanemanD., Phys. Rev., v. 119, p.567, 1960.

10. Austin J. G., Sheard A. J., Electron Control, v.3, p.236, 1957.

11. Nakajima S., J. Phys. Chem. Sol., v.24, p.479, 1962.

12. Айрапетянц С. В., Ефимова Б. А., ЖТФ, т.28, с.1768, 1958.

13. Suchet J. P., J. Phys. Chem. Sol., v.12, p. 174, 1959.

14. Suchet J. P., J. Phys. Chem. Sol., v. 16, p.265, 1960

15. Бокий Г. Б., "Кристаллохимия", изд-во МГУ, М., 1960.

16. Israelachvili Jacob N., Contemp. Phys, v. 15, p. 159, 1974.

17. Horak J., Stary M., Lostak P., Pancir P., J.Phys. Chem. Sol., v.49, p. 191, 1988.

18. КоноровП. П., ЖТФ, т.26, с. 1394, 1956.

19. Stordeur М., Phys. Stat. Sol., В, v.161, p.831, 1990.

20. Гольцман Б. M., Кудинов В. А., Смирнов И. А., "Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Tes", "Наука", М., 1972.

21. Fleural J. P., Gaillard L. С., J. Phys. Chem. Sol., v.49, p. 1237, 1988.

22. Чижевская С. H., Шелимова Л. Е., Земсков В. С., Косяков В. И., Малахов Д. В., Неорган, материалы, т.ЗО, с.З, 1994.

23. Ivanova L. D., Granatkina Y. V.,Y. A.Sidorov.,"XVI International Conference on Thermoelectries. Proceedings" ICT, Dresden, Germany, p. 163, 1997.16724. "Физико-химические свойства полупроводниковых веществ", справочник, "Наука", М., 1979.

24. Чижевская С. Н., Шелимова JI Е., Зайцева И. А., Неорган, материалы, т.ЗО, с. 1379, 1994.

25. Абрикосов Н. X., Стасова М. М., Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, т.21, с.2011, 1985.

26. Барчий И. Е., Лазарев В. Б., Переш Е. Ю., Ворошилов Ю. В., Ткаченко В. И., Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, т.24, с.1791, 1988.

27. Бигвава А. В., Коробов, Кунчулория А. А., Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, т.24, с.727, 1988.

28. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Изв. АН СССР, Неорганические материалы, т.2, с.П, 1966.

29. Jehle Н., Yous S. М, Bade М. L., Phys. Rev, v. 110, р.793, 1958.

30. Yos J. M., Phys. Rev., v.l 10, p.800, 1958.

31. Wiese J. R., Muldavert L., J. Phys. Chem. Sol., v. 15, p.13, 1960.

32. Kaibe H. Т., Sakata M. and Nishida I. A., Proc. of the XII International Conference on Thermoelectrics, Yokohama, p.212, 1993.

33. Sußmann H., Muller E., Proc. of the XIV International Conference on Thermoelectrics, St.-Petersburg, p.l, 1995.

34. Глазов В. M., Поярков К. Б., V Международная конференция "Термодинамика и материаловедение полупроводников", тез. докл., М., с.37, 1997.

35. Абрикосов Н. X., Порецкая Л. В., Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, т.1, с. 503, 1965.37. "Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе", под ред. Абрикосова Н. X., М., "Наука", 1974.

36. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Коломоец JI. А., Джалиашвили Н. В., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т. 13, с. 827, 1977.

37. Бойков Ю. А., Дерягина И. М., Кутасов В. А., ФТТ, т.ЗО с.3413, 1988.

38. Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Коломоец J1. А., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т. 17, с.428, 1981.

39. Ерофеев Р. С., Щербина Э. И., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т. 18, с. 1802, 1982.168

40. Глазов В. М., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.20, с. 1238, 1984.

41. Старк Н. К., Чижевская С. Н., Свечникова Т. Е., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т. 18, с. 1824, 1982.

42. Aivazov А. А., Anukhin A. I., Proc. of the XII International Conference on Thermoelectrics, Yokohama, p.9, 1993.

43. Сабо E. П., Швангирадзе P. P., Неорган, материалы, т.ЗЗ, c.415, 1997.

44. Абрикосов H. X., Иванова JI. Д., Мезина А.И., Изв. АН СССР, Неорган.материалы, т.23, с.2098, 1987.

45. Champness С., Chiang P., Canad. J. Phys., v. 43, p.653, 1965.

46. Liebe L., Ann. Phys., v. 15, p. 179, 1965.

47. Parrott J., Penn A., Sol. St. Phys. Eiectronics Telecomm., v.2, p.836, 1960.

48. Скубенко А. Ф., Укр. физ. журн., т.5, С. 779, 1960.

49. Salzer О., Nieke Н, Ann. Phys., v. 15, p.192, 1965.

50. Tamura H., Jap. J. Appl. Phys., v.5, p.593, 1966

51. Пфанн Г., Зонная плавка, М.: Металлургиздат, 1960.

52. Wilcox W. R., Friedenberg R., Back N., Chem. Rev, v.64,p,187, 1964

53. Abe Т., J. Japan Inst. Metals, v.21, p.611, 1957.

54. Pfann W.G., Dorsi D., Rev. Sei. Instr., v.28, p.720, 1957.

55. Wendler F., Schreiner H., Z. Metallkunde, v.52, p.224, 1961.

56. Fukuda K., et. al., International Conference on Thermoelectrics, St.Petersburg, Russia, p.135, 1989.

57. Семизоров А. Ф., Журнал по термоэлектричеству, № 1, с.90, 1994

58. Семизоров А. Ф., Неорган, материалы, т.31, с.675, 1995.

59. Семизоров А. Ф., Неорган, материалы, т.30, с.706, 1994.

60. Sidorenko N. A., Proc. of the XIII International Conference on Thermoelectrics, Kansas City, p.260, 1994.

61. Fleurial J.-P., Proc. of the XII International Conference on Thermoelectrics, Yokohama, p.l, 1993.

62. Bublik V.T. et. al., Proc. of the XIV International Conference on Thermoelectrics, St.Petersburg, p.33, 1995.

63. Бублик В.Т. и др., в сб. "Теромэлектрики и их применение", Спб, ФТИ, 1997, с. 26.169

64. Amikhin A. I., Skipidarov S. Y., Sokolov О. В., Proceedings of the XIV International Conference on Thermoelectrics, St.Petersburg, p.65, 1995.

65. Чалмерс Б., Теория затвердевания, М.: Металлургия, 1968.

66. Ufimtsev V. В., et. al., Advanced Performance Materials, v.4., p. 189, 1997.

67. Muller A., Wilhelm M., Z. Naturforsch., v. 19a, p.254, 1964.

68. Tim W., Trans. Met. Soc. AIME, v.236, p.474, 1966.

69. Комаров Т. В., Регель А. Р., ФТТ, v.5, р.773, 1963.

70. Coies G., Metallurgia, р.213, 1964.

71. Koster G. F., Sol. St. Phys., v.5, p.174, 1957.

72. McHugh J. P., Cosgrove G. J., Tiller W. A., J. Appl. Phys., v.32, p. 621, 1961.

73. Абрикосов H. X., Иванова Л. Д., Мазина А. И., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.23, с.2097, 1987.

74. Goldsmid Н. J., Situmorang М., Proc. of the VIII International Conference on Thermoelectrics, Nancy, p.l, 1989.

75. Oshugi I. J., Kojima Т., Nishida I., J. Appl. Phys., v.68, p.5692, 1990.

76. Griot R., В run G., Tedenac J. C., Proc. of the VIII International Conference on Thermoelectrics, Nancy, p.27, 1989.

77. Алексеева Г. Т., Константинов П. П., Кутасов В. А., Лукьянова Л. Н., в сб. "Термоэлектрики и их применения", с.22, Санкт-Петербург, 1997 .

78. Imaizumi Н., et. al., Proc. of the VII International Conference on Thermoelectrics, Arlington, p. 141, 1988.

79. Алиева Т. Д., Абдинов Д. Ш., Неорг.материалы, т.ЗЗ, с. 27, 1997.

80. Алиева Т. Д., Абдинов Д. III., Салаев Э. Ю., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т. 17, с. 1773, 1981.

81. Стильбанс Л. С.,ЖТФ,т.27, с.212, 1957.

82. Найдич Ю. В. "Контактные явления в расплавах", Киев, Наукова Думка, 1972.

83. Губачева Л. А., Кожемякин Г. Н., Иванова Л. И., Свечникова Т. Е., Физика и химия обработки материалов, № 5, с.88, 1997.

84. Воропаева Л. Г., Меньшикова О. Д., Фирсанова Л. А., Электронная техника, сер.6, Материалы, вып. 3, с.46, 1980.

85. Горелик С. С., Воропаева Л. Г., Меньшикова О. Д., Поверхностные явления в полупроводниках, М.: Металлургия, 1976.170

86. Бархалов Б. III , Алиева Т. Д., Ахундова H. М., Абдинов Д. Ш, Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.27, с.865, 1991.

87. Miller G. R., Che-Yu Li, J. Phys. Chem. Solids, v.26, p. 173, 1965.

88. Анатычук Jl. И., Термоэлементы и термоэлектрические устройства, справочник, Киев: Наукова Думка, 1979.

89. Джамалов Н. А., Бархалов Б. Ш., Салаев Э. Ю., Абдинов Д. III., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.29, с.593, 1983.

90. Дик Н. Г., Абдинов Д. Ш., Изв. АН СССР, Неорган, матералы, т.24, с.1558, 1988.

91. Болтакс Б. И., Диффузия в полупроводниках, М.: Гос. изд-во физ,-мат. литературы, 1961.

92. Абрикосов H. X., Банкина В. Ф., Порецкая В. В., Полупроводниковые соединения, их получение и свойства, М.: Наука, 1967.

93. Алиева Т. Д., Фейзиев Я. С., Абдинов Д. Ш., Неорган, материалы, т.29, с.580, 1993.

94. Алиева Т. Д., Фейзиев Я. С., Мусаев Ф. Г., Алиев Г. М., Абдинов Д. III., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.26, с.716, 1990.

95. Углов А. А., Анищенко Л. М., Кузнецов С. Е., Адгезионная способность пленок, М., Радио и связь, 1984.

96. Джамалов Н. А., Бархалов Б. Ш., Фейзиев Я. С., Абдинов Д. Ш., Изв. АН СССР, Неорган, материалы, т.22, с. 1812, 1986.

97. Киреев В. А., Краткий курс физической химии, М.: Химия, 1969.

98. Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов, М., Металлургия, 1974.

99. ASTM Diffraction Data Fill Inorganic Index to the Powder Diffraction Standart/ Philadelphia, 1982.

100. Гольцман Б. M., Прохоров С. Д., ФТТ, т.7, с. 1265, 1965.

101. Аппарат рентгеновский ДРОН-2,0. Техническое описание и инструкция по эксплуатации, 1962.

102. Гониометр ГУР-5. Техническое описание и инструкция по эксплуатации, JL: Типография JIOMO, 1976.

103. Гиллер Я. JI., Таблицы межплоскостных расстояний, т.1, М.: Недра, 1966.

104. Горелик С. С., Расторгуев JI. Н., Скоков Ю. А., Рентгенографический и электроннооптический анализ, М.: МИСиС, 1994.171

105. Бублик В. Т., Дубровина А. Н., Методы исследования структуры полупроводников и металлов, М.: Металлургия, 1978.

106. Бонд В. JI. Технология кристаллов, М.: Недра, 1962.

107. Шаскольская М. П., Кристаллография, М.: Высшая школа, 1962.

108. Григорович В. К., Твердость и микротвердость металлов, М.: Наука, 1976.

109. Die microhorte. Ilire Theorie und Ihre Praxis mit dem Reichert -Microharteprufer, Wien, 48, 1956.

110. Инденбом В. Jl., Освенский В. Б., Рост кристаллов, М.: Наука, т. 13, с.240, 1980.

111. Воронкова Е. М., Оптические материалы для электронной техники, М.: Наука, 1965.

112. Чвилева Т. Н., Бессмертная М. С., Спиридонова Э. М., Справочник-определитель рудных металлов в отраженном свете, М.: Недра, 1988.

113. Трифонов В. А., Шевельков А. В., Дикарев Е. В., Поповкин Б. А., ЖНХ, т.42, с.1237, 1997.

114. Dönges Е., Z. f. anorg. al lg. Chemie, В, v.263, p.280, 1950.

115. Cerbelle В., Levy С., Sur les propriétés optiques du tellure dans le spectre, Bull. Soc. Fr. Minerai. Cristallogr., №.99, p.220, 1976.

116. Медведев С. A., Введение в технологию полупроводниковых материалов, М.: Высшая школа, 1970.

117. Миркин JI. И., Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов, М.: Гос. изд-во физ.-мат. литературы, 1961.

118. Бейлин А. К)., Мазур В. А., Шапиро Э. X., Ханин М. А., В сб. "Низкотемпературные термоэлектрические материалы", Кишинев, 1970.

119. Барабаш В. А., Коломоец Н. В., Мазур В. А., Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, т. 10, с. 427, 1974.

120. Лямов В. Е. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристаллах, М.: изд-во МГУ, 1983.

121. Насыров А. Н., Ким В. С., Методическая разработка "Построение указательных поверхностей акустических волн в кристаллах", Самарканд, изд-во СамГУ, 1983.

122. Федоров Ф. И., Теория упругих волн в кристаллах, М.: Наука, 1965.

123. Хаткевич А. Г., Кристаллография, т.7, с.742, 1962.