Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Табачкова, Наталия Юрьевна

• Табачкова, Наталия Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Табачкова, Наталия Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Аналитический обзор литературы.

1.1. Структура и физико - химические свойства BiiTes, Bi2Ses и БЬгТез и твердых растворов на их основе.

1.2. Диаграммы состояния.

1.2.1. Диаграмма состояния системы Bi - Те.

1.2.2. Диаграмма состояния системы В1гТез - Bi2Se3.

1.2.3. Диаграмма состояния системы Sb - Те.

1.2.4. Диаграмма состояния В1гТез - ЭЬгТез.

1.2.5. Диаграмма состояния Bi - Sb - Те.

1.3. Анизотропия роста твердых растворов В1гТез - Bi2Se3 и В1гТез - БЬ^Тез.

1.4. Методы получения термоэлектрических материалов на основе тройных твердых растворов BiiTes-xSe* и Bix Sb2-xTe3.

1.4.1. Получение поликристаллических материалов ТЭМ методами кристаллизации из расплава. 1.4.2. Получение термоэлектрического материала методом прессования порошка.

1.4.3. Метод экструзии.

1.5. Механохимия.

1.6. Легирование.

1.6.1. Изовалентное замещение.

1.6.2. Гетеровалентное замещение.

1.6.3. Эффективные электроактивные примеси, используемые для создания оптимальной концентрации носителй заряда.

1.7. Способы нанесения металлических покрытий.

1.7.1. Свойства покрытий Ni, полученных методом химического осаждения.

1.7.2. Особенности процесса химического никелирования.

1.7.3. Электролитический метод нанесения покрытий.

1.7.4. Электролиты никелирования.

1.8. Проблемы коммутации на границе твердых растворов полупроводников и контактных материалов.

ГЛАВА II. Методика эксперимента.

2.1. Объекты исследования.

2.2. Подготовка поверхности исследуемых образцов.

2.3. Рентгенодифракционный анализ структуры, фазового состава, параметра и тестуры крупнозернистых текстурованных объектов.

2.4. "Прицельная" дифрактометрия для оценки неоднородности состава твердого раствора по изменению параметра кристаллической решетки вдоль фронта кристаллизации.

2.5. Метод построения прямых полюсных фигур (ППФ).

2.6. Метод построения обратных полюсных фигур (ОПФ).

2.7. Построение стандартных стереографических проекций для гексагональной кристаллической решетки.

2.8. Методика определения уширения дифракционных максимумов.

2.9. Построение "диаграмм анизотропии" (элипсоидов вращения) для оценки анизотропии электрофизических параметров.

2.10. Зондовый метод определения элементного состава.

2.11. Химическое осаждение никеля.

2.12. Определение толщины никель - фосфорного покрытия.

2.13. Подготовка поверхности полупроводника перед электролизом.

2.14. Электролитическое осаждение никеля.

2.15. Определение адгезии.

ГЛАВА III. Выявление влияния технологических параметров на структуру поликристаллических слитков ТЭМ большого диаметра.

3.1. Влияние технологических условий роста слитков ТЭМ диаметром 30 мм на их структуру и уровень термоэлектрических свойств.

3.2. Исследование однородности слитков.

3.3. Анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi2Te2,7Seo,3.

3.4. Выводы к главе III.

ГЛАВА IV. Физико-химические явления на границе раздела кристаллов твердых растворов Bi2Te3-xSex и BixSb2-xTe3 с контактным материалом.

4.1. Нарушенный слой на поверхности ветвей термоэлементов.

4.2. Создание антидиффузионного барьера методом химического никелирования. ^

4.3. Метод электролитического никелирования.

4.4. Выводы к главе IV.^

ГЛАВА V. Влияние размеров частиц исходного порошка и режимов отжига на термоэлектрические свойства экструдированных образцов твердого раствора

Bi2Te2,7Se0)3.

5.1. Влияние частиц исходного порошка на текстуру, донорный эффект и термоэлектрические свойства экструдированных образцов.

5.2. Физическая модель, объясняющая донорный эффект при экструзии ТЭМ.

5.3. Отжиг экструдированного материала.

5.4. Выводы к главе V.

ГЛАВА VI. Исследование возможности получения аморфного, сильнолегированного ТЭМ методом механохимии на основе твердого раствора Bio.sSbi^Tea.

6.1. Влияние легирования Zn на изменение фазового состава и степень деформации твердого раствора Bio,sSbi^Tes.

6.2. Влияние легирования In на изменение фазового состава и степень деформации твердого раствора Bio,вБЬ^Теэ.

6.3. Влияние легирования Ge на изменение параметров кристаллической решетки и степень деформации твердого раствора Bio,sSbi,5Te3.

6.4. Влияние легирования Cd на изменение фазового состава и степень деформации твердого раствора Bio,sSb^Tes.

6.5. Выводы к главе VI.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки»

Полупроводниковые твердые растворы систем Bi2Te3 - Bi2Se3 и Sb2Te3 - Bi2Te3 широко используются при создании термоэлектрических охлаждающих устройств (эффект Пельтье), работающих в области температур 150-350 К. В последние годы требования к термоэлектрическим материалам (ТЭМ) значительно повысились. Необходимо не только увеличение термоэлектрической эффективности, но и получение механически прочных материалов с использованием экономически доступной технологии.

Целенаправленное изменение свойств материалов на основе твердых растворов Bi2Te3 - Bi2Se3 и Sb2Te3 - Bi2Te3 невозможно без исследования их физико-химических свойств, определения действия легирующих примесей, изучения структурных дефектов, а также влияния технологических условий на структуру и свойства.

Для того, чтобы достичь уровня термоэлектрической эффективности, характерного для монокристаллов, на более дешевых поликристаллических образцах, необходимо создать такие технологические условия их получения, при которых плоскости спайности выращенного слитка располагались бы параллельно оси роста слитка, так как в этом случае благоприятно реализуется анизотропия электрофизических свойств, характерная для ромбоэдрической кристаллической решетки твердых растворов Bi2Te3 - Bi2Se3 и Sb2Te3 - Bi2Te3. Для повышения экономической эффективности ТЭМ необходимо получение слитков большого диаметра, что требует специальных мер по обеспечению однородности термоэлектрических параметров как по длине, так и поперечному сечению слитка.

Получение при кристаллизации из расплава слитков ТЭМ с благоприятной аксиальной текстурой, как правило, приводит к повышению термоэлектрической эффективности материала, однако это ухудшает их механические свойства, облегчая возникновение трещин по плоскостям спайности в процессе резки слитков на пластины.

Материалы, механически более прочные, но уступающие литым кристаллам по уровню термоэлектрической эффективности, получают методами экструзии и прессования порошка. Достоинствами этих методов являются высокая производительность технологии и возможность использования более дешевых материалов за счет снижения в допустимых пределах требований к их чистоте. Экструдированные материалы на основе твердых растворов Bi2Tes - Bi2Ses и Sb2Te3

ЕНгТез лишь незначительно уступают в термоэлектрической добротности материалам, полученным методами кристаллизации из расплава, в то время как термоэлектрическая эффективность прессованных образцов ниже приблизительно на 20%.

Для повышения уровня термоэлектрической эффективности экструдированных образцов необходимо проведение исследования текстуры и степени нарушенное™ структуры для использования анизотропии свойств ТЭМ и донорного эффекта, возникающего в процессе экструзии и термообработки, природа и причины возникновения которого еще не достаточно изучены. Изучение донорного эффекта необходимо для его практического использования с целью управления свойствами материалов.

Однако существенно повысить термоэлектрическую эффективность материалов на основе халькогенидов Bi и Sb (минимум в 2 раза), используя обычные методы, применяемые в настоящее время не удается. Это вызвало необходимость параллельного поиска метода для получения совершенно новых по структуре ТЭМ, которые позволили бы значительно расширить область применения термоэлектричества. Анализ многолетних поисков эффективных термоэлектрических материалов позволяет сделать вывод о том, что среди существующих в природе равновесных фаз вероятность найти ТЭМ с заметно лучшими свойствами крайне мала. Более перспективным представляется создание термодинамически неравновесных материалов, не существующих в природе. Такие материалы могут иметь совершенно необычные электрические и тепловые свойства. К числу методов, позволяющих получать подобные материалы относится метод механохимического синтеза. Он дает возможность получать неравновесные соединения, которые не могут быть получены методом прямого синтеза. Это достигается за счет введения примесей, которые при обычных условиях синтеза не встраиваются в кристаллическую решетку в достаточно больших количествах. Введение такого рода примесей, можно ожидать, будет оказывать сильное влияние на теплопроводность исходных соединений.

Параметры реальных термоэлементов зависят не только от эффективности используемых материалов, но и во многом от контактного сопротивления на границе раздела ТЭМ - металлический слой. Нанесение контактного слоя на поверхность пластин ТЭМ сопровождается рядом физико-химических явлений (диффузией компонентов сплава в приконтактную область кристалла, химическим взаимодействием компонентов сплава и полупроводника с образованием промежуточных фаз и т.д.) на границе раздела ТЭМ с контактными сплавами. Кроме этого, электрические свойства переходного контакта также определяются как предварительной обработкой поверхности пластин ТЭМ, так и адгезионными свойствами материала. Поэтому для выявления и устранения причин нарушения адгезии и увеличения контактного сопротивления необходимо исследование физико-химических явлений, происходящих на границе раздела ТЭМ - металлический слой.

Цель настоящей работы состояла в том, чтобы на основе изучения закономерностей формирования структуры и механизмов влияния структуры ТЭМ на свойства дать рекомендации по корректировке технологических условий получения материала с высокой термоэлектрической эффективностью и устранению причин нарушения адгезии и увеличения электрического сопротивления, возникающих при нанесении контактных слоев на поверхность пластин ТЭМ, а также выяснить перспективность получения ТЭМ методом механохимического синтеза.

Объектами исследования служили пластины и порошки ТЭМ, изготовленные в ФГУП Тиредмет".

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Выявить влияние структуры, текстуры и однородности на термоэлектрическую эффективность поликристаллических слитков ТЭМ.

2. Выявить факторы, влияющие на увеличение контактного сопротивления и нарушение адгезии на границе раздела ТЭМ - контактный слой.

3. Определить влияние размеров частиц исходного порошка и режимов термообработки на формирование текстуры и величину донорного эффекта экструдированного материала.

4. Определить возможность растворения легирующей примеси в твердом растворе Bio.sSbi.sTes методом механохимического синтеза и оценить влияние примеси на степень дефектности твердого раствора ТЭМ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Табачкова, Наталия Юрьевна

Основные результаты исследования структурных изменений в термоэлектрических материалах на основе халькогенидов Bi и Sb сводятся к следующему:

1. В работе показано, что использование данных рентгеноструктурного анализа является эффективным способом выявления закономерностей формирования структуры в твердых растворах халькогенидов Bi и Sb, обеспечивающие оптимальные термоэлектрические свойства материалов и удовлетворительные параметры контактных слоев.

2. На основе рентгеноструктурной диагностики состава, текстуры и однородности по длине и сечению слитков подобраны оптимальные режимы выращивания ТЭМ вертикальным методом Бриджмена: градиент температуры и скорость роста, обеспечивающие плоский фронт кристаллизации и отсутствие дендритного роста в поликристаллических слитках тройных твердых растворов Bi2Te2,7Seo,3 (n-тип) и Bio.sSbi^Tej (р-тип) диаметром 30 мм.

3. Установлен механизм нарушения адгезии антидиффузионных слоев никеля с ТЭМ. Неудовлетворительные адгезионные свойства возникают, если за счет пластической деформации поверхностных слоев появляются объемы, в которых плоскости (001) параллельны поверхности.

Основным фактором, влияющим на адгезию, является толщина нарушенного механической обработкой слоя, достаточная для развития трещин. Выяснены глубины нарушенных слоев после различных видов резки (электроэрозионной, проволокой со свободным абразивом и алмазным диском) на материале п и р-типа.

4. Анализ фазового состава антидиффузионных слоев показал, что увеличение контактного сопротивления, при создании антидиффузионного барьера методом химического никелирования может происходить из-за реакций фазообразования на границе раздела, в результате которого приповерхностные слои обедняются теллуром и происходит уменьшение концентрации носителей заряда.

При электролитическом нанесении никеля образования соединений элементов матрицы с никелем не происходит и не нарушается состав матрицы.

5. Исследование экструдированного материала с разным размером частиц исходного порошка 50 мкм, 150-200 мкм и 200-400 мкм показало, что оптимальными являются размеры частиц 150-200 мкм. В этом случае максимально реализуется анизотропия электрофизических параметров и влияние донорного эффекта на термоэлектрические свойства было оптимальным.

6. Установлено, что отжиг экструдированных образцов по-разному влияет на свойства материала с разным размером частиц исходного порошка. Собирательная полигонизации положительно сказывается на свойствах термоэлектрических материалов, т.к. она приводит к увеличению доли зерен с благоприятной аксиальной текстурой и уменьшению концентрации точечных дефектов. Отжиг, сопровождающийся первичной рекристаллизацией, приводит к нежелательным изменениям текстуры. Предполагается, что при этом происходит генерация точечных дефектов вакансионного типа.

7. Предложена физическая модель, объясняющая механизм возникновения донорного эффекта в процессе экструзии.

8. Установлено, что методом механохимического синтеза можно получать неравновесные твердые растворы примесей Zn, In, Ge и Cd на основе ТЭМ Bio,sSbi,sTe3. Показано, что растворение Cd наиболее эффективно способствует накоплению деформационной энергии в твердом растворе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Табачкова, Наталия Юрьевна, 2004 год

1. Francombe М.Н. // Brit. J, Appl. Phys.-l958.-V. 9.-P. 415.

2. Бондарь H.M. // Изв. АН СССР. Неорг.материалы.-1966.- Т. 2.- С. 37.

3. Кузнецов В.Г. Химическая связь в полупроводниках и твердых телах. Минск: Наука и техника, 1965.

4. Drabble J.R., Goodman C.H.L. // J.Phys. Chem. Sol.-V. 5.-P. 142.

5. Банкина В.Ф., Абрикосов // H.X., ЖНХ.-1964.- Т. 9.-C. 931.

6. Гордякова Г.Н., Кокош Г.В., Синани С.С. // ЖТФ.-1958.-Т. 28ю-С. 3.

7. McHugh J.P., Tiller W.A. // Trans.Met.Soc. AIM.-1959.-P. 215.

8. Ullner Н.А. // Ann. Physik.-1968.- V. 21.- P. 44.

9. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы,-1966.-Т. 2.- С. 11.

10. Miller G.R., Che-Yu-Li, Spencer C.W. // J.Appl. Phys.-l963.-V. 34.P. 1968.

11. Yos J.M. // Phys. Rev.-1958.- V. 110.- P. 800.

12. Бойкий Г.Б., Кристаллохимия, из-во МГУ, М.,1960.

13. Fleurial J.P., Gaillard L.C, Triboulet R., et al // J. Phus. Chem. Solids.-1988.-V. 49.-№10.-P.1237- 1247.

14. Liebe L. //Ann. Phys.-1965.- V. 15.- P. 179.

15. Laudise R.A., Sunder W.A., Barns R.L., et al // J.Cryst. Growth.-1989.-V.94.-№ l.-P. 5316. Крестовников A.H., Романцева Л.А., Куликова Г.А. и др. // Термоэлектрическиематериалы: Сб. науч. тр.-М., 1971.-С. 3-14.

16. Чижевская С.Н., Шелимова Л.Е., Земсков B.C. и др. // Неорганические материалы.-1994.-№ 1.-С. 3-11.

17. Барчий И.Е., Лазарев В.Б., Переш Е.Ю.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1988, Т.24, с. 1791-1988.

18. Бигвава А.В., Коробов, Кунчулория А.А.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1988, Т.24, с. 11-19.

19. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф. В.Ф.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1966, Т.2, с.1791-1988.

20. Глазов В.М., Пояркова К.Б., V Международная конференция "Термодинамика и материаловедение полупроводников",тез. Докл., М., 1997, с.37.

21. Абрикосов Н.Х., Порецкая Л.В. .// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1965, Т.1, с.503-507.23. "Полопроводниковые халькогениды и сплавы на их основе", под ред. Абрикосова Н.Х., М., "Наука",1974.

22. Бойков Ю.А., Деряпина И.М., Кутасов В.А., ФТТ, 1988, т.ЗО, с.827-830.

23. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Коломоец JI.A., .// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1981, Т. 17, с.428-430.

24. Ерофеев Р.С., Щербина Э.И.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1982, Т. 18, с. 1802-1805.

25. Глазов В.М.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1984, Т.20, с. 12381300.

26. Абрикосов Н.Х., Порецкая Л.В., Иванова И.П. // ЖНХ.-1959.-№ ц,—С. 2525-2530.

27. Абрикосов Н.Х., Порецкая JI.B. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1965.-№ 4.-С. 503-508.

28. Скубенко А.Ф., Укр.физ.журн., 1960, Т.5, с.779-780.

29. Абрикосов Н.Х., Порецкая JI.B. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1983, Т.19, с.388-393.

30. Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В1гТез. М.: Наука, 1972.

31. Семизоров А.Ф. // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1995, Т.31, с.706-710.

32. Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Мазина А.И.// Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1987, Т.23, с.2097-2099.

33. Комаров Т.В., Регель А.Р., ФТТ, 1963, Т.5, с.773-779.

34. Bublik V.T., Osvenskii V.B., Karataev V.V. et.al. // Crystallography.-1998.-V. 43.-P. 505-510.

35. Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В., Зуссман Г. // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1993.-Т.29.-№8.-С. 1097.

36. Parrott J., Penn А. // Sol. St. Phys.-1960.- V. 2.- P. 836.

37. Скубенко А.Ф. // Укр. физ. журн.-1960.-Т. 5.- С. 779.

38. Salzer о., Nieke Н. // Ann. Phys.- 1965.-V. 15.- P. 192.

39. Scholder R., Heckel H. //Z. anorg. und allgem. Chem.-1931.-B.198.-S. 329.

40. Gutzeit G., Mann E. // Corrosion Technology.-1956.-V.3.-№ 10.-P. 331.

41. Gutzeit G. // Metal Progr.-1954.-V.66.-№ l.-P. 113.

42. Brenner A. // Metal Finish.-1954.-V.52.-№ ll.-P. 68.

43. Goldenstein A., Rostoker W., Schossberger F. // J. Electrochem. Soc.-1957.-V.104.-№ 2. -P. 104.

44. Wagner V., Dolling G., Powell B. und Landwehr G. // Phys. Status Solidi B. 1978. 85. S.311-322.

45. H.Jeon, H. Ha, D. Hyun and J. Shim // J. Phys. Chem. Solids.-1991. -P. 579-585.

46. Най Д. Физические свойства кристаллов. Мир. 1967.

47. Воронин А.Н., Гринберг Р.З. // Труды Второй Международной конференции по порошковой металлургии.-1966.-Т. 4.-С. 110-115.

48. Коржуев М.А., Чижевская С.Н., Свечникова Т.Е. и др. // Неорганические материалы.-1992.-№ 7.-С. 1383-1388.

49. Шер А.А., Один И.Н., Новоселова А.В. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1984.-№ 8.-С. 1327-1330.

50. Сендова Н.А., Рустамов П.Г., Алиджанов М.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы -1968.-№ 12.-С. 2195-2199.

51. Абрикосов Н.Х., Данилова-Добрякова Г.Т. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1972.-№ 7.-С. 1221-1223.

52. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения. Ред. ПХарбике. М., 1989,342 с.

53. Grovenor С. // J. Sol.St. Phys., 1985, V.-18, p. 4079.

54. Дубровина А.Н., Увимцева Э.В.// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26. №4. С. 728-730.

55. Горелик С.С., Дубровина А.Н., Лексина Р.Х., Дроздова Г.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. №11. С. 1991-1996.

56. Лидоренко Н.С., Соколов О.Б., Каган А.С., Ромбе И.М., Вагин А.А. Докл. АН СССР, 1971, 196,4, 823.

57. Горелик С.С., Абламский В.Л. В сб. "Структура и свойства термоэлектрических материалов". М., изд. МИСиС, 1974, с.95-99.

58. Ertl М.Е., Pfister G.R., Goldsmid H.J.//J/Appl. Phys., 1963, V. 14, № 1, P-161-163.

59. Джафаров Э.Г., Алиева Т.Д.// Изв. АН Азербайджана, сер. физ-техн. и мат. наук, 1999,19,6,69.

60. Дубровина А.Н., Теут А.О. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26. №6. С. 1199-1202.

61. Болдырев В.В. Экспериментальные методы в механохимии твердых неорганических веществ. Новосибирск: Наука, Сиб. отд., 1983.

62. Хайнике Г. Трибохимия. М.: Мир, 1987.

63. Чижевская С.Н., Шелимова JI.E. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1995. Т. 31. №9. С. 1184-1197.

64. Свечникова Т.Е., Чижевская С.Н. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16. №2. С. 360-361.

65. Абрикосов Н.Х., Данилова Добрякова Г.Т. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1972. Т. 8. №7. С. 1222-1223.

66. BergmannG. //Z. Naturforschung. 1963. 18а. S. 1169-1174.

67. Drabble J., und Goodman С.// Phys. Status Solidi 1958. 5. S. 142-149.

68. Stordeur N. und Heiliger W. // Phys. Status Solidi B. 1976. 78. S. 103-110.

69. Свечникова Т.Е., Чижевская C.H., Максимова H.M. и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1994. Т.ЗО. №2. С. 168-171.

70. Stecker. К., Sussmann Н., Eichler W., Heiliger W. und Stordeur M. // Wiss. Z. Univ. Halle XXVII78. H.5. S. 5-43.

71. Kohler S. und Freudenberg A. // Phys. Status Solidi B. 1975. 84. S. 195-204.

72. Sussmann H., Prohl U. // Wissenschaftliche Zeitschrift Martin-Luther Universitat Halle-Wittenberg. 1979. B.28. 3. S.113-116.

73. Свечникова Т.Е., Чижевская C.H., Константинов П.П. // Тез. Докл. Всесоюз. Совещ. Ашхабад: Ымым, 1986. С.32.

74. Свечникова Т.Е., Чижевская С.Н., Константинов П.П. //Тез. Докл. II Всесоюз. семинара. JL: ФТИ им Иоффе, 1987. С.62.

75. Шер А.А., Один И.Н., Новоселова А.В. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1984. Т.20. №8. С. 1327-1330.

76. Sussman Н., Heiliger W. // Phys. Status Solidi A. 1979. 51. S.201-213.

77. Brebrick R. // Z. Metallkunde. 1969. B. 60. 6. S. 319-323.

78. Абрикосов H.X., Свечникова Т.Е., Чижевская С.Н., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. №1. С. 43-45.

79. Гордякова Г.Н., Кокош Г.В., Синани С.С. // ЖТФ. 1958. Т.28. №.1. С.3-17.

80. Швангирадзе P.P., Бигвава А.Д., Коробов В.К. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т.26. №4. С. 725-727.

81. Стильбанс JI.C. О коммутации полупроводниковых термоэлементов. // ЖТФ.-1957.-Т.27.-№ 1.-С. 212-213.

82. Горбунова К.М., Никифорова А.А. //ЖФХ.-1954.-Т.28.-№ 5.-С.883.

83. Scholder R, Haken Н. // Вег.-1913.-Р. 2870.

84. Gutzeit G. // Trans. Inst. Metal Finish.-1956.-V.33.-P. 383.

85. Борисов B.C., Вишенков С.А. Химическое никелирование. -М.: Московский дом научно-технической пропаганды им. Дзержинского, сб. 3, 1958.

86. Липин А.И., Вишенков С.А., Лившиц М.М. Химическое никелирование. -М.: Московский дом научно-технической пропаганды им. Дзержинского, сб. 2,1958.

87. Горбунова К.М., Никифорова А.А. //ЖФХ.-1954.-Т.28.-№ 5.-С. 883.

88. Горбунова К.М., Никифорова А.А. //ЖФХ.-1957.-Т.31.-№ 8.-С. 1687.

89. Горбунова К.М., Никифорова А. А. Физико-химические основы процесса химического никелирования. -М.: Издательство Академии наук СССР, 1960.

90. Dickinson Т. // Sheet Metal Inds.-1956.-V.33.-№ 321.-P. 439.

91. Бродский А.И., Стражеско Д.Н., Червяцова Л.Л.// ДАН СССР.-1950.-Т.75.-С. 463.

92. Gutzeit G., Mann Е. // Corrosion Technology.-1956.-V.3.-№ 10.-P. 331.

93. Горбунова K.M., Жукова А.И. // ЖФХ. 1968.-t.22.-1097.

94. Горбунова К.М., Ивановская Т.В.// ЖФХ 1968.-Т.22.-1039.

95. Ямпольский А.М. Меднение и никелирование. Л.: Машиностроение, 1977,112 с.

96. Бархалов Б.Ш., Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. // Неорганические материалы.-1991.-Т.27.-С. 865-866.

97. Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. Физико-химические и электрические явления на границе раздела кристаллов твердых растворов систем Bi2Te3-Sb2Te3 и Bi2Te3-Bi2Se3 с контактным материалом. // Неорганические материалы.-1997.-Т.ЗЗ.-№ 1.-С.27-38.

98. Александрова Е.А., Барабаш В.А., Круглое В.И. и др. // Труды ВНИИЭКИпродмаш.-1980.-№54.- С. 105-107.

99. Песков В.А., Прошин Н.Н., Вайнер А.Л. // Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОВР.-1988.-Вып.З.-С. 55-60.

100. Алиева Т.Д., Фейзиев Я.С., Мусаев Ф.Г и др. // Изв. АН СССР, Неорг.материалы.-1990.- т.26.- с.716.

101. Джамалов Н. А., Бархалов Б.Ш., Салаев Э.Ю. и др. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы.-1983.-Т. 19.-С.593.104. 3. К. Uemura, I. Nishida // Thermoelectric Semiconductors and Their application. -1988.-P.173.

102. Джамалов H.A., Бархалов Б.Ш., Фейзиев Я.С. и др. // Неорг. материалы.-1986.-Т. 22.- С. 1812.

103. Гониометр ГУР-5. Техническое описание и инструкция по эксплуатациию-Л.: Типография ЛОМО. 1976.

104. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электроннооптический анализ.-М.: МИСиС, 1994.

105. Сутягина А.А. и др. //ДАН СССР.-1962.-Т.147.-С. 1133.

106. Shultz // Phys. Status Solidi 1958. 5. S. 142-149.

107. M.Yasukawa, N.Murayama // J. Of materials science.-2000.-V.35.-P. 3409-3413.

108. Горелик C.C. Рекристаллизация металлов и сплавов. М., Изд. Металлургия, 1967, 403 с.

109. J.Seo, C.Lee, К. Park // J. Of materials science.-2000.-V.35.-P. 1549-1554.

110. United States Patent: 5,726,381.

111. Иоффе А.Ф., Айрапетянц C.B., Иоффе A.B. и др. // ДАН СССР. 1956. Т. 106 №6. С. 981.

112. Pancir J., Horak J., Stary Z. // Phys. Status Sokidi A. 1987. V. 103. №2. P.517-526.