Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Шевяков, Василий Иванович

• Шевяков, Василий Иванович
• доктор технических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор технических наук Шевяков, Василий Иванович

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ

1. АНАЛИЗ ПРОБЛЕМ ПРИ СОЗДАНИИ КОНТАКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВАХ С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ

1.1. Роль металлизации в развитии полупроводниковых приборов и ИС

1.2. Омические контакты к моно- и поликристаллическому кремнию

1.2.1. Требования к электрофизическим параметрам контактов. Сравнительный анализ конструктивных и технологических особенностей их создания

1.2.2. Силицидные контакты. Сравнительный анализ свойств силицидов

1.2.3. Особенности твердофазного силицидообразования в системе Ti-Si____33

1.2.4. Проблемы в технологии создания самосовмещенных малопроникаю-

щих контактов и полицидных затворов на основе Т1812 в МОП- ИС (8 АЫСГОЕ-технология)

1.2.5. Особенности процесса окисления силицидов тугоплавких металлов

1.2.6. Анализ проблем, возникающих при создании омических контактов

в системах металлизации с алюминиевыми межсоединениями

1.3. Контакты Шотки к кремнию

1.3.1. Области применения контактов Шотки

1.3.2.Требования к электрофизическим параметрам контактов. Анализ конструктивных и технологических особенностей создания планар-ных диодов Шотки

1.3.3. Методы управления высотой барьера контактов Шотки

1.3.4. Проблемы при создании контактов Шотки в системах металлизации

с алюминиевыми межсоединениями

1.4.

1.5.

Анализ физических моделей образования барьера в контактах металл - полупроводник

Выводы

.82

2. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПРОЦЕССОВ ТВЕРДОФАЗНОГО СИЛИЦИ-ДООБРАЗОВАНИЯ И ОКИСЛЕНИЯ СИЛИЦИДА ТИТАНА С УЧЕТОМ РОЛИ КИСЛОРОДА

2.1. Исследование способов осаждения пленок титана

2.2. Анализ факторов, влияющих на скорость твердофазного взаимодействия титана с кремнием

2.3. Исследование зависимости фазового состава слоя силицида титана от содержания кислорода в атмосфере отжига

2.4. Модель силицидообразования в системе титан-кремний с учетом механизма диффузии кремния

2.5. Исследование процесса выращивания пленки SÍO2 на поверхности силицида титана

2.6. Выводы

3. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МЕТОДОВ СОЗДАНИЯ МАЛОПРОНИКАЮЩИХ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К MOHO- И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМУ КРЕМНИЮ

3.1. Анализ методов определения параметров омических контактов

3.2. Особенности технологии алюминиевых омических контактов к поликристаллическому кремнию

3.3. Разработка самоостанавливающегося процесса формирования сили-цидных контактов на основе термообработки системы Т1-81 во влагосо-держащей среде

3.3.1 Формирование проводящей двуокиси титана

3.3.2. Механизм проводимости двуокиси титана

3.3.3. Исследование кинетики окисления титана во влагосодержащей среде

3.3.4. Расчет параметров кинетического уравнения самоостанавливающегося процесса

3.3.5. Исследование электрических параметров контактов Ti02.x-TiSi2/n+(p+) -Si

3.3.6. Исследование перераспределения примесей при твердофазном си-лицидообразовании в системе Ti-Si

3.4. Выводы

4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МЕТОДОВ УПРАВЛЕНИЯ ОСНОВНЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ КОНТАКТОВ ШОТКИ К КРЕМНИЮ

4.1. Методики исследования электрофизических параметров контактов

Шотки

4.1.1. Фотоэлектрический метод определения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии

4.1.2. Определение электрофизических параметров выпрямляющего контакта по его вольт-амперной характеристике

4.2. Исследование технологических особенностей подготовки поверхности кремния

4.3. Исследование зависимости высоты потенциального барьера контакта на основе силицида титана от технологических режимов процесса твердофазного силицидообразования

4.4. Исследование технологии создания контактов Шотки с регулируемым значением высоты барьера на основе метода Шенона

4.4.1. Физические особенности контактов Шотки к кремнию с мелкозале-гающим р-п-переходом

4.4.2. Развитие аналитической модели зависимости высоты от параметров промежуточного высоколегированного слоя

4.4.3. Исследование технологических особенностей формирования

мелких п+- и р+- слоев в кремнии методом атомов отдачи

4.4.4. Исследование электрофизических характеристик контактов Ti/p+-n-Si

и Ti/n+-p-Si

4.5. Разработка конструктивно- технологического метода улучшения обратных В АХ диодов Шотки с расширенной металлизацией

4.6. Выводы

5. РАЗРАБОТКА МЕТОДА ПОВЫШЕНИЯ ТЕПЛОВОЙ УСТОЙЧИВОСТИ КОНТАКТОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОВОДЯЩЕГО ОКИСЛА ТИТАНА В КАЧЕСТВЕ СЛОЯ ДИФФУЗИОННОГО БАРЬЕРА В СИСТЕМАХ МЕТАЛЛИЗАЦИИ С АЛЮМИНИЕВЫМИ МЕЖСОЕДИНЕНИЯМИ

5.1. Исследование термостабильности В АХ контактов Шотки Al-Ti/Si и

Al-ТЮ2.х-Ti/Si

5.2. Исследование электрических характеристик контактов А1/ТЮ2-Х

5.3. Результаты сравнительного анализа параметров различных контактных систем металлизации в составе ИС

5.4. Особенности технологии барьерного слоя ТЮ2.Х в МОП ИС с поликремниевыми затворами

5.4.1. Исследование латерального роста силицида титана

5.4.2. Разработка процесса локальной модификации проводимости слоев окисла титана

5.4.3. Технологические особенности модифицированной технологии

"SALICIDE! 5.5. Выводы

248

6. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ ОБРАЗОВАНИЯ БАРЬЕРА В РЕАЛЬНЫХ КОНТАКТАХ МЕТАЛЛ - КОВАЛЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК

6.1. Влияние физических и конструктивно -технологических факторов

на высоту барьера контактов металл - ковалентный полупроводник255

6.1.1. Влияние конструктивных параметров на высоту барьера контактов металл - высокоомный полупроводник

6.1.2. Влияние физических и конструктивных параметров на высоту барьера контактов металл - низкоомный полупроводник

6.2. Численное моделирование удельного переходного сопротивления омических контактов к кремнию

6.3. Выводы

7. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЙ ОРИГИНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС НА ОСНОВЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И ПРОВОДЯЩЕГО ОКИСЛА ТИТАНА. ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ

7.1. Разработка технологии биполярных транзисторов с металлическим коллектором на основе транзисторных структур со скрытым эмиттером

7.1.1. Методика исследования параметров многослойных структур на основе формирования косого среза полупроводниковой подложки химическим ее травлением

7.1.2. Разработка технологии транзисторных структур со скрытым эмиттером

7.1.3. Анализ электрофизических параметров транзисторных структур с металлическим коллектором

7.1.4. Многоярусные ЭСЛ - дешифраторы на основе транзисторов с металлическим коллектором

7.2. Оригинальные примеры применения диодов Шотки в элементах биполярных ИС

7.3. Разработка технологии проводящих кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов с использованием пленок тугоплавких соединений титана

7.3.1. Обоснование выбора материала проводящего покрытия кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов

7.3.2. Особенности технологии проводящих покрытий кантилеверов на основе тугоплавких соединений титана

7.4. Чувствительный элемент микромеханических болометров на основе проводящего окисла титана

7.5. Выводы

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ПРИЛОЖЕНИЕ

.324 .330

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений»

ВВЕДЕНИЕ

АКТУАЛЬНОСТЬ. Основные направления развития современной микроэлектроники - увеличение степени интеграции и повышение быстродействия. Эти фундаментальные параметры в существенной степени зависят от размеров элементов полупроводниковых приборов и ИС. Для решения указанных проблем используют ряд технических идей: масштабированное уменьшение размеров элементов с помощью методов литографии, применение сухих процессов травления, совершенных методов изоляции активных элементов полупроводниковых устройств и т.п.

Однако, несмотря на значительный прогресс в большинстве областей технологии микроэлектроники, технология металлизации, в частности технология контактной металлизации (омических и контактов Шотки) в значительной степени сдерживает эффективное развитие современных полупроводниковых приборов и ИС. Вызвано это тем, что система металлизации является едва ли не единственной консервативной (с точки зрения уменьшения размеров) составляющей в "системе жизнеобеспечения" полупроводниковых приборов и ИС. С повышением степени интеграции металлизация занимает все большую площадь и начинает вносить значительный вклад в основные параметры схем: площадь кристалла, быстродействие, показатель качества, помехоустойчивость, надежность и др. В частности, если с уменьшением размеров быстродействие логических элементов ИС возрастает, то быстродействие межсоединений системы металлизации снижается из-за уменьшения поперечного сечения проводников межсоединений и соответствующего увеличения погонного сопротивления. В результате, начиная с некоторого уровня интеграции, задержки в межсоединениях могут превышать задержки сигналов в самих логических элементах. С уменьшением поперечного сечения проводников межсоединений появляется ряд и других проблем. Появляется проблема электромиграционной стойкости проводников, существенно

усложняются технологические приемы травления при создании рисунка проводников с воспроизводимыми размерами и др.

Качественно новые проблемы возникают и при создании контактной системы металлизации. Так, с уменьшением размеров существенно повышается переходное сопротивление омических контактов. При формировании контактов с субмикронными размерами с применением традиционных технологий оно составляет величину ~ 10-1000 Ом. Т.е. падением напряжения в таких контактах уже нельзя пренебрегать в сравнении с общим падением напряжения в микроструктурах. Контакты начинают вносить значительный вклад в быстродействие полупроводниковых устройств. Актуальными являются задачи формирования малопроникающих омических контактов к диффузионным областям в кремнии малой глубины, обеспечения их дальнейшей тепловой устойчивости и др.

Таким образом, наличие множества специфических проблем в технологии создания эффективных контактных систем металлизации современных полупроводниковых приборов и ИС обусловило интенсивные исследования в последнее время в данном направлении как у нас в стране, так и за рубежом.

Важность данного направления работы для развития отечественной микроэлектроники подтверждена включением его в Государственную Научно- техническую программу "Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники".

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Основной целью работы было развитие физико- технологических основ создания в составе кремниевых полупроводниковых приборов и ИС с мелкозалегающими р-п- переходами омических контактов и контактов Шотки, характеризующихся повышенной тепловой устойчивостью, улучшенными основными электрофизическими параметрами и повышенной их воспроизводимостью.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи:

- развить физическое представление о барьерообразовании в реальных контактах металл - ковалентный полупроводник, позволяющее объяснить существующие экспериментальные сведения о зависимости высоты барьера контактов от конструктивно- технологических параметров;

- разработать приближенные аналитические модели омических и выпрямляющих контактов к кремнию, позволяющие удовлетворительно рассчитать основные параметры реальных контактов;

- исследовать закономерности влияния кислорода, содержащегося в среде отжига и в пленке металла на кинетику процесса твердофазного силици-дообразования в системе Ть81, и разработать способ силицидообразова-ния, отличающийся технологической простотой и характеризующийся повышенной воспроизводимостью толщины формируемого слоя дисилици-да титана (С54);

- исследовать эффект перераспределения примесей в кремнии в процессе силицидообразования и последующих термообработок и разработать технологическое решение, позволяющее минимизировать этот эффект;

- разработать технологический способ одновременного формирования самосовмещенных силицидных омических контактов и полицидных затворов МДП- транзисторных структур, позволяющий уменьшить латеральный рост силицида;

- провести комплексное исследование процесса выращивания пленок окисла кремния на поверхности силицида титана и установить закономерности влияния технологических факторов на электрическую прочность окисла;

- исследовать закономерности поведения электрофизических параметров (высота барьера, коэффициент неидеальности) от технологических условий формирования контактов Шотки к кремнию п- и р- типа на основе силицида титана;

-10- исследовать конструктивно - технологические особенности метода Ше-нона - как метода создания контактов Шотки с регулируемым в широких пределах значением высоты барьера на основе одного барьерообразующе-го металла;

- исследовать закономерности влияния зарядового состояния маскирующего окисла на параметры обратной ветви ВАХ планарных контактов Шотки с расширенной металлизацией и разработать конструкции и технологические приемы формирования контактов, отличающихся улучшенной обратной ветвью ВАХ;

- провести поиск материала слоя диффузионного барьера и разработать технологию формирования термостабильных силицидных контактов в системах металлизации с алюминиевой разводкой.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА работы заключается в следующих результатах:

1. Впервые установлено, что на высоту барьера в реальных локальных контактах металл - ковалентный полупроводник в значительной степени влияют механические напряжения, встроенные в приповерхностную область полупроводника, величина и характер распределения которых вдоль контакта зависят от конструктивного оформления контакта и технологических условий его формирования.

2. Предложена физическая модель барьерообразования в реальных контактах металл -высоколегированный ковалентный полупроводник, учитывающая влияние на высоту барьера эффекта модуляции ширины запрещенной зоны полупроводника от уровня его легирования и механических напряжений, встроенных в приповерхностную область полупроводника, связанных с конструктивным оформлением контакта и параметрами легирующей полупроводник примеси. Введено представление о физически однородных и физически неоднородных контактах, основанное на выявленных особенностях распределения значений высоты барьера в различных участках реальных контактов.

-113. Предложена качественная физическая модель процесса твердофазного си-лицидообразования в системе Т1 - 81, учитывающая особенности ваканси-онного механизма диффузии 81 в системе и влияние кислорода, содержащегося в атмосфере отжига и в пленке титана, на кинетику роста и фазовый состав силицида титана. Впервые установлено, что как термообработка в сверхвысоком вакууме, так и во влагосодержащей среде создают условия для максимальной скорости диффузии 81 в системе, обеспечивая образование дисилицида титана (С54) при пониженной температуре.

4. Установлены закономерности способа формирования малопроникающих силицидных контактов, основанного на самоостанавливающемся процессе образования двухслойной структуры: силицид титана - окисел титана при термообработке системы И - 81 во влагосодержащей среде.

5. Впервые показано, что при термообработке пленки И во влагосодержащей среде возможно формирование слоя окисла титана нестехиометриче-ского состава (ТЮ2-Х , где х < 0,5 ) с высокой проводимостью (ру -100 мкОм • см). Установлено, что окисел титана проявляет эффективные барьерные свойства для диффузии в нем алюминия.

6. Установлены закономерности поведения электрофизических параметров (высота барьера, коэффициент неидеальности) контакта Шотки И - 81 (пи р- типа) при его термообработке в диапазоне (400 - 700)°С. Выявлено, что контакты Шотки на основе силицида титана представляют собой модифицированные контакты Бардина, в которых наряду с влиянием на высоту барьера поверхностных состояний полупроводника проявляется зависимость высоты барьера от работы выхода из силицида различного фазового состава.

7. Впервые показано, что уменьшению обратного тока в контактах Шотки с расширенной металлизацией к 81 п- и р- типа способствует минимизация величины механических напряжений, встроенных в маскирующий диэлектрик. Минимизация положительного заряда в диэлектрике приводит к

существенному повышению пробивного напряжения и снижению величины обратного тока в контактах к п- 81.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ. Разработанные конструкции, технологические маршруты и отдельные операции формирования омических контактов и контактов Шотки позволяют организовать разработку и изготовление кремниевых полупроводниковых приборов, активных элементов ИС с мелкозалегающими р-п-переходами, а также активных элементов в составе 3-х мерных ИС на основе кремния на изоляторе, в которых контактная металлизация характеризуется улучшенными электрофизическими параметрами, повышенной их воспроизводимостью и термостабильностью, существенной простотой технологии формирования. Соответствующие результаты диссертационной работы внедрены или использованы в х/д НИР на ряде предприятий микроэлектроники: НИИМЭ, г.Москва ("Память-11", "Память-13", "Память-15"); НИИТТ, г.Москва ("Инверсия", "Инверсия-2", "Инверсия-3", " Интрада", "Энергия 88-2"); НИИМП, г.Москва ("Интонация", "Идея"); НИИФП г.Москва ("Инвазия"); ОКБ ПО "Гамма", г.Запорожье ("Память-20", "Ирбис", "Ирбис-2"); НИИИТ г.Москва; з-д "Протон" г.Москва; НПК " Технологический центр" МИЭТ, г.Москва.

Разработанная технология получения проводящих пленок окисла титана нестехиометрического состава явилась основой для создания эффективных чувствительных элементов микромеханических болометров; покрытий проводящих кремниевых кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ). Изготовленные по разработанной технологии проводящие кантилеве-ры СЗМ были реализованы в следующие исследовательские центры и фирмы в России и зарубежных странах:

- Казанский физико- технический институт КНЦ РАН. г. Казань;

- Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт- Петербург;

-13- Лаборатория им. Лоуренса Беркли Калифорнийского университета, г. Беркли, США;

- Федеральный институт исследования и тестирования материалов, г. Берлин, Германия;

- Лейвенский университет, г. Лейвен, Бельгия;

- Научный Вейцмановский институт, г.Реховот, Израиль;

- Фирма "Seiko", Япония.

Развитое представление о барьерообразовании в контактах металл -ковалентный полупроводник и полученные приближенные аналитические выражения для оценки высоты барьера контактов металл - высокоомный полупроводник и металл- низкоомный полупроводник позволяют оптимизировать конструкции и технологии изготовления контактов с точки зрения улучшения их основных электрофизических параметров, повышения их воспроизводимости, а также могут быть эффективно использованы при прибор-но- технологическом моделировании реальных полупроводниковых структур, содержащих контакты металл- полупроводник.

Результаты диссертационной работы использованы в НИР, проводимых в рамках научного направления вуза "Физические исследования, проектирование и технология полупроводниковых устройств" - "Индикатор", "Итог", "Измеритель", "№607-ГБ-Б", а также в НИР, проводимых в соответствии с конкурсами Грантов Министерства общего и профессионального образования по фундаментальным исследованиям в области электроники и радиоэлектроники в 1993-1996 г.- "№415-ГБ-Г", "№667-ГБ-Г ".

Результаты исследований использованы в учебном процессе при чтении автором в МИЭТе оригинального курса лекций "Контактные системы в технологии СБИС" и курсов "Технология СБИС'и "Основы технологии микроэлектроники", при написании 2 учебных пособий, при разработке и постановке ряда лабораторных работ по соответствующим курсам.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты работы докладывались и демонстрировались на следующих конференциях, семинарах и выставках: Всесоюзный семинар "Полупроводниковые приборы с барьером Шотки", Киев, 1980; Всесоюзная конференция "Физические проблемы МДП интегральной электроники", Севастополь, 1980; 1 Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких пленок, Ивано-Франковскк,1981; X Всесоюзная научная конференция по микроэлектронике, Таганрог, 1982; II научно- техническая конференция молодых ученых и специалистов МИЭТ, Москва, 1982; Всесоюзная школа - семинар "Физические основы и надежность приборов с барьером Шотки", Киев,1983; Y республиканская конференция молодых ученых и специалистов, Тбилиси, 1983; Всесоюзная конференция "Применение технологии и оборудования для ионной имплантации в промышленности", Таллинн, 1984; IY Координационное совещание по проблемам "Исследование, разработка и применение интегральных полупроводниковых схем памяти", Москва, 1984; Научно- технический семинар Северозападного региона "Физические и химические явления на поверхности полупроводников и границах раздела фаз, управляющие качеством слоистых систем в интегральной электронике", Ленинград, 1985; XII Всесоюзная научная конференция по микроэлектронике, Тбилиси, 1987; VII научно- техническая конференция молодых ученых и специалистов МИЭТ, Москва, 1987; VI Координационное совещание по проблеме "Память". Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств. Москва, 1988; III Всесоюзная конференция по физике и технологии тонких пленок. Ивано-Франковск. 1990; VII Координационное совещание по проблеме "Память". Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств. Москва, 1991; Всероссийская научно- техническая конференция. Датчик- 94. Гурзуф, 1994; Всероссийская конференция по микроэлектронике. Таганрог, 1994; Всероссийская конференция " Микроэлектроника - 94 ". Звенигород. 1994; 40 Международный научный коллоквиум.

Илменау. Германия. 1995; Всероссийская конференция "Активируемые процессы". Иваново. 1995; Межвузовская научно- техническая конференция студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика".Москва.1997; Всероссийская научно- техническая конференция "Электроника и информатика".Москва. 1997; 9-я Международная конференция (выставка) "Scanning-97". Монтерей. США. 1997; 9-я Международная конференция (выставка) по сканирующей туннельной микроскопии "STM-97". Гамбург. Германия. 1997; 44 - й Национальный симпозиум (выставка) по вакуумной технике. Сан- Хосе. Калифорния. США. 1997; Всероссийское совещание (выставка). Зондовая микроскопия- 98. Нижний Новгород. 1998; Всероссийская конференция " Датчик-98". Гурзуф. 1998.

ПУБЛИКАЦИИ. По теме диссертационной работы опубликованы 74 работы, в том числе 20 научно- технических отчетов по НИР ( руководитель, ответственный исполнитель или исполнитель), 2 учебных пособия и 8 авторских свидетельств на изобретение.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

- на высоту барьера в реальных локальных контактах металл - ковалентный полупроводник в значительной степени влияют механические напряжения, встроенные в приповерхностную область полупроводника, величина и характер распределения которых вдоль контакта зависят от конструктивного оформления контакта и технологических условий его формирования;

- при численном моделировании переходного сопротивления омических контактов к кремнию на основе модели одномерного квантово-механического туннелирования через барьер необходимо учитывать явление перераспределения примеси в полупроводнике при формировании контакта, влияние на высоту барьера встроенных в полупроводник механических напряжений и изменения ширины запрещенной зоны полупроводника от уровня его легирования;

-16- кинетика процесса твердофазного силицидообразования в системе 11-81 связана с особенностями вакансионного механизма диффузии 81 и зависит от концентрации кислорода в среде отжига и в пленке титана. Как термообработка в сверхвысоком вакууме, так и во влагосодержащей среде создают условия для максимальной скорости диффузии кремния в системе, обеспечивая образование дисилицида титана (С54) при пониженной температуре; . при термообработке пленки Т1 во влагосодержащей среде возможно формирование слоя окисла титана нестехиометрического состава с высокой проводимостью (ру -100 мкОм • см). Окисел проявляет эффективные барьерные свойства для диффузии в нем алюминия. . контакты Шотки к кремнию на основе силицида титана представляют собой модифицированные контакты Бардина, в которых наряду с влиянием на высоту барьера поверхностных состояний полупроводника проявляется зависимость высоты барьера от работы выхода из силицида различного фазового состава; - уменьшению обратного тока в контактах Шотки с расширенной металлизацией к кремнию п- и р- типа способствует минимизация величины механических напряжений, встроенных в маскирующий диэлектрик. Минимизация положительного заряда в диэлектрике приводит к существенному повышению пробивного напряжения и снижению величины обратного тока в контактах к кремнию п-типа. СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ. Диссертация состоит из введения, семи основных разделов с выводами, общих выводов, списка литературы из 283 наименований и приложения. Основное содержание работы изложено на 246 страницах и содержит 130 рисунков и 36 таблиц.

В первом разделе рассмотрена роль контактных систем металлизации в развитии полупроводниковых приборов и ИС, рассмотрены конструктивно-технологические особенности создания омических контактов к мелкозале-

гающим р-п- переходам в кремнии, а также особенности создания контактов Шотки. Проведен анализ основных существующих проблем и сформулированы основные решаемые в работе задачи.

Второй раздел посвящен исследованию особенностей твердофазного силицидообразования в системе Ть81, учитывающих влияние кислорода, содержащегося в пленке металла и в среде отжига, на кинетику и фазовый состав образующегося слоя силицида титана, а также исследованию процесса выращивания слоя окисла кремния на поверхности силицида титана.

В третьем разделе приведены результаты исследования разработанного способа формирования силицидных омических контактов к мелкозалегаю-щим р-п- переходам в кремнии на основе оригинального самоостанавливающегося процесса силицидообразования при термообработке системы Ть81 во влагосодержащей среде. Сформулированы основные достоинства способа.

Четвертый раздел посвящен особенностям технологии контактов Шотки на основе силицида титана, представлены результаты исследования способа создания контактов с регулируемым значением высоты барьера. Приведены данные исследования конструктивно- технологических методов улучшения параметров обратной ветви ВАХ диодов Шотки.

В пятом разделе изложены материалы о оригинальном методе повышения тепловой устойчивости силицидной контактной системы металлизации с алюминиевой разводкой за счет введения в систему металлизации окисла титана нестехиометрического состава в качестве эффективного слоя диффузионного барьера. Приведены данные сравнительного анализа предложенной системы контактной металлизации с известными системами металлизации. Продемонстрированы возможности применения разработанной технологии металлизации в МОП ИС с поликремниевыми затворами.

В шестом разделе приведены результаты исследования физических особенностей образования барьера в реальных контактах металл- ковалентный полупроводник.

-18В седьмом разделе представлены данные о оригинальных конструкциях и технологиях создания полупроводниковых устройств с контактами Шотки и микромеханических кремниевых устройств, в которых в качестве одного из основных элементов используется слой окисла титана нестехио-метрического состава.

В приложении приведены акты о внедрении и использовании результатов диссертационной работы.

-191. АНАЛИЗ ПРОБЛЕМ ПРИ СОЗДАНИИ КОНТАКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВАХ С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ.

1.1. Роль металлизации в развитии полупроводниковых приборов и ИС.

В последние годы основное внимание разработчиков интегральных микросхем концентрировалось на повышении степени интеграции запоминающих и логических устройств, развитии КМОП - технологии, смешанной биполярной КМОП- технологии (БиКМОП), совершенствовании и разработке новых видов микропроцессоров, интенсивном развитии ИС на арсениде галлия, разработке и освоении технологии многослойных трехмерных СБИС [1-3]. Разработки ИС сопровождаются непрерывным увеличением числа используемых слоев (до 15), числа шаблонов (до 20), уменьшением глубины залегания р-п-переходов (до 0,1 мкм), ширины линий (до 0,3 мкм) и толщины подзатворного диэлектрика (до 10 нм). Однако освоение промышленного выпуска СБИС с элементами субмикронных размеров помимо разработки новых методов экспонирования, проявления и травления микроструктур невозможно без кардинального решения проблемы металлизации в них. Дело в том, что с повышением степени интеграции резко возрастает роль металлизации на кристалле. Она занимает все большую площадь и начинает вносить значительный вклад в основные параметры схем: площадь кристалла, быстродействие, показатель качества, помехоустойчивость, надежность и др. Вызвано это тем, что система металлизации является едва ли не единственной консервативной (с точки зрения уменьшения размеров) составляющей в "системе жизнеобеспечения" ИС. Если с уменьшением размеров быстродействие логических элементов возрастает, то быстродействие межсоединений системы металлизации снижается из-за уменьшения поперечного сечения

проводников межсоединений и соответствующего увеличения погонного сопротивления. В результате, начиная с некоторого уровня интеграции, задержки в межсоединениях могут превышать задержки сигналов в самих логических элементах. С уменьшением поперечного сечения проводников межсоединений появляется ряд и других проблем. Появляется проблема электромиграционной стойкости проводников, существенно усложняются технологические приемы травления при создании рисунка проводников с воспроизводимыми размерами и др.

Существенное влияние на параметры полупроводниковых приборов с субмикронными размерами и ИС высокой степени интеграции оказывает контактная система металлизации (омические и контакты Шотки). Так, с уменьшением размеров существенно повышается переходное сопротивление омических контактов. Результаты анализа динамики развития полупроводниковых ИС (см. табл. 1.1)

Таблица 1.1

Проектная норма (минимальный размер элемента), мкм 1,25-1,50 1,0 0,75 0,50 0,25

Год выпуска 1984 1987 1990 1993 1996

Емкость ДЗУПВ 256К 1М 4М 16М 64М

Размер подложки, мм 100 125 150 200 200

Расстояние между линиями, мкм 2,5-3,0 2,0 1,5-2,0 1,0 0,5-0,7

Глуб. залег, р-п-перехода, мкм 0,3 0,25 0,20 0,15 0,07

со всей очевидностью показывают необходимость использования уже в самое ближайшее время приборов, минимальный размер элементов в которых составляет 0,25 мкм [4-8].

Уменьшение размеров приборов (масштабирование), как известно [9], производится в соответствии с определенными принципами. Основной задачей при этом является сохранение неизменными ряда параметров прибора (например, напряженности внутренних электрических полей). Некоторые коэффициенты масштабирования приведены в таблице 1.2.

Таблица 1.2

Коэффициенты масштабирования для размеров элементов контактных систем и параметров ИС

Наименование параметра Коэффициент масштабирования

*Размеры прибора 1:ох, Ь, X], <1 1/а

Концентрация примеси N а

Напряжение, V 1/а

Ток, I 1/а

Емкость, С—вш1/(1 1/а

Время задержки, УС/1 1/а

Рассеивание мощности, VI 1/а2

Линейное сопротивление, Я^рЬу/с! а

Линейная плотность тока, 1Лу1 а

Контактное сопротивление, Як а2

*1:ох - толщина подзатворного диэлектрика, - длина и ширина канала, х, -глубина залегания р-п- перехода, \у, с1 - ширина и толщина линий межсоединений

Как следует из расчетов [8], при уменьшении размеров прибора в а раз контактное сопротивление увеличивается пропорционально ос2. На рис. 1.1 приведена зависимость переходного сопротивления омических контактов к кремнию на основе различных контактных металлов от размеров контактов [10]. Как следует из представленных экспериментальных результатов, переходное сопротивление омических контактов субмикронных размеров составляет величину ~ 10-1000 Ом. Т.е. падением напряжения в таких контактах уже нельзя пренебречь в сравнении с общим напряжением на образцах. Такие контакты вносят существенный вклад в быстродействие приборов. Появились и принципиально новые проблемы при создании контактной системы металлизации в указанных полупроводниковых приборах и ИС. Так, в частности актуальными являются проблема создания малопроникающих омических контактов к диффузионным областям в кремнии столь малой глубины, а также задача обеспечения их дальнейшей тепловой устойчивости.

Таким образом, наличие множества специфических проблем в технологии создания эффективных контактных систем металлизации современных полупроводниковых приборов и ИС обусловило интенсивные исследования в данном направлении как у нас в стране, так и за рубежом.

1.2. Омические контакты к моно- и поликристаллическому кремнию. 1.2.1. Требования к электрофизическим параметрам контактов. Сравнительный анализ конструктивных и технологических особенностей их создания.

Омическим называют контакт металл-полупроводник, падение напряжения на котором пренебрежимо мало по сравнению с общим напряжением на образце, и который не должен приводить к существенному изменению характеристик прибора. По другому омическим считают контакт, оказывающий минимальное сопротивление пропусканию тока любой полярности. Как правило, это контакт с симметричной линейной ВАХ.

Зависимости переходного сопротивления омических контактов к п+- 81 (а) и р+-81 (б) от линейного размера контактов Рис. 1.1

А03

о 1,а г,о з.о

мим

5) Р Ом

Ю* \

1- А1/81;2- W-TiSi2/Si;3-W- WSi2/Si.

-24В основу создания эффективных омических контактов к ковалентным полупроводникам положено физическое явление квантово-механического туннелирования носителей заряда сквозь барьер, образующийся в контакте металл-полупроводник (термо-полевая и полевая эмиссия) [9]. При этом эффективность просачивания носителей заряда сквозь барьер прямо пропорционально связана с уровнем легирования полупроводника. Поэтому в подавляющем большинстве случаев для создания омических контактов к высо-коомным полупроводникам, в них создают локальные высоколегированные области.

Количественными характеристиками омических контактов (ОК) являются переходное сопротивление Як и удельное переходное сопротивление рк, определяемые в соответствии с формулами [9]:

рк = 11к в = ГШ ' [Ом -см2] (1.2),

£/=0

где I - ток, протекающий через контакт, 3 - плотность тока, протекающего через контакт, и - напряжение, приложенное к контакту, 8 - площадь контакта.

Для повышения быстродействия полупроводниковых устройств необходимо создавать контакты с минимально возможным переходным сопротивлением. Как следует из (1.2), этого можно достичь либо увеличением 8, либо снижением величины рк. Что касается 8, то тенденция ее уменьшения в современных полупроводниковых устройствах была отмечена в разделе 1.1. Таким образом, проблема создания эффективных омических контактов при использовании существующих технологий (т.е. при достигнутых уровнях значений рк ) усложняется. В табл. 1.3. приведены данные сравнительного анализа значений удельного переходного сопротивления контактов, сформированных на основе различных контактных материалов[11- 13].

Таблица 1.3

Данные сравнительного анализа значений удельного переходного сопротивления контактов на основе различных металлов

Контактный металл рк ОК к п- типа х10"6,Ом • см2 рк ОК к р- типа хЮ"6,Ом • см2

А1 0,5 0,8

Л 8 10

Мо 8 12

0,4 -

\VSi2 0,4 2

од 0,6

0,1 0,5

Из представленных данных следует, что развитые к настоящему времени принципы создания систем контактной металлизации не могут быть столь же эффективно использованы при формировании полупроводниковых устройств с контактами субмикронных размеров.

Теоретические оценки рк, проведенные в [9,14-15] показывают, что рк~ ЯФв/^М, где ц - заряд электрона, фв - высота потенциального барьера контакта, N - концентрация примеси в полупроводнике. Таким образом, для уменьшения переходного сопротивления омических контактов необходимо с одной стороны обеспечить высокий уровень легирования полупроводника, с другой - использовать материалы контактов, которые образуют с полупроводником минимально возможный барьер. Детальный анализ теоретических моделей зависимости удельного переходного сопротивления от конструктивно - технологических параметров омических контактов к ковалентным полупроводникам будет проведен в разделе 1.4.

Вместе с задачей обеспечения минимально возможного переходного сопротивления омических контактов в полупроводниковых устройствах в

большинстве случаев (особенно в ИС) стоит задача обеспечения высокой воспроизводимости полученных значений сопротивления, а также их стабильность во времени и при термополевых воздействиях.

Основными конструктивными вариантами омических контактов в кремниевых полупроводниковых устройствах являются контакты:

1) металл - монокристаллический кремний (контакты 1-го типа),

2) металл - поликристаллический кремний (контакты 2-го типа),

3) поликристаллический кремний - монокристаллический кремний (контакты 3-го типа).

Наиболее широко в полупроводниковых приборах и ИС используется 1-й тип контактов, представляющих собой металлические контакты к активным областям приборов, сформированных в кремниевых монокристаллических подложках. Поперечное сечение такого контакта приведено на рис. 1.2, где структура (а) представляет обычный контакт, структура (б) - контакт типа "полный эмиттер", который формируют в пределах той же области , в которой сформирован высоколегированный слой. Второй тип контактов используется в настоящее время в МДП ИС (в качестве металлических контактов к поликремниевым затворам МДП транзисторов и поликремниевым проводящим шинам) и в 3-х мерных ИС (в качестве металлических контактов к активным областям приборов, сформированных в слоях поликристаллического кремния). На рис. 1.3 приведено поперечное сечение структур контактов 2-го типа. Третий тип контактов наиболее эффективно используется в биполярных ИС (в качестве поликремниевых контактов к самосовмещенным активным областям приборов, сформированным в монокристаллических кремниевых подожках). Указанный тип контактов иллюстрируется примером, приведенным на рис. 1.4.

Анализ основных конструктивных вариантов омических контактов позволяет сформулировать следующие основные требования к электрофизическим и технологическим параметрам материалов контактов:

Конструктивные варианты омических контактов 1- го типа (металл - монокремний) Рис. 1.2

а - обычный контакт, б - контакт типа " полный эмиттер "

Конструктивные варианты омических контактов 2-го типа (металл - 81* ) в МДП- транзисторных структурах с поликремниевыми затворами (а) и в элементах 3-х мерных ИС (б). Рис. 1.3

Конструктивный вариант омических контактов 3-го типа (81*-81) Рис. 1.4

-29- высокая проводимость,

- высокая электромиграционная стойкость,

- одновременное обеспечение минимальных переходных сопротивлений контактов к кремнию п- и р- типа,

- однородность границы раздела металл - кремний,

- хорошая раскисляющая способность (эффективное растворение естественного окисла кремния),

- малое проникновение в объем кремния,

- согласование КТР материала с КТР кремния,

- хорошая адгезия к Si и SÍO2,

- химическая инертность по отношению к Si02 и другим диэлектрикам (ФСС, SÍ3N4 и пр.),

- возможность формирования самосовмещенного контакта,

- возможность селективного травления по отношению к кремнию и SÍO2,

- тепловая устойчивость контактов при высокотемпературных обработках,

- высокая коррозионная стойкость,

- технологичность, т.е. возможность формирования контактов доступными средствами.

Широко используемый до последнего времени в контактах 1-го типа в качестве контактного металла алюминий не может быть эффективно использован в приборах с мелкозалегающими р-п - переходами прежде всего из-за имеющего место эффекта взаимного сплавного проникновения в системе Al-Si [16]. Частично решить данную проблему удалось за счет введения в осаждаемый слой Al небольшого количества Si (~1%). Однако при этом возникли другие проблемы: появление в контактных окнах преципитатов p-Si, ухудшение омических свойств контакта к n-Si вследствие подлегирования Al поверхности кремния и др. [4,16-17]. Использование же нетермических способов обработки контактов Al-Si не привело к достижению приемлемых значений переходного сопротивления контактов. Алюминий, легированный крем-

нием в качестве контактного материала до последнего времени широко используется в контактах 2-го типа (металл-поликремний), имеющих место прежде всего в МДП ИС. При этом проблема сплавного проникновения в контактной системе частично устраняется тем, что контактное окно топологически выносится за пределы канальных областей транзисторов. А при формировании контактов используются технологические приемы, развитые для контактов к монокристаллическому кремнию. Те же приемы используются и при формировании алюминиевых контактов к поликремнию в 3-х мерных ИС [18].

1.2.2. Силицидные контакты. Сравнительный анализ свойств силицидов.

В последнее время для создания контактов к р-п-переходам в моно- и поликристаллическом кремнии широко используются силициды различных переходных, в первую очередь тугоплавких, металлов, которые в основном удовлетворяют перечисленным выше требованиям [4-8,19]. Введение слоя силицида позволяет получать однородный малопроникающий контакт к кремнию, характеризующийся высокой тепловой устойчивостью.

При сравнительном анализе свойств силицидов различных металлов, как правило, используют следующие критерии [7,17]:

- малое удельное сопротивление;

- низкая температура образования;

- малое количество кремния, поглощаемое при образовании

- единицы толщины слоя силицида;

- наличие травителя для металла, селективного по отношению к силициду, Si и Si02.

-31В таблице 1.4 приведены свойства некоторых силицидов, обычно используемых в производстве СБИС [17]. На основании представленных данных можно сделать вывод о том, что в качестве материала контакта к мелко-залегающим р-п-переходам предпочтительнее всего использовать силицид титана - 11812, который обладает минимальным среди прочих силицидов удельным сопротивлением, образуется при относительно низких температурах.

Таблица 1.4

Свойства силицидов переходных металлов

Си- Темпера- Селективный Удельное Толщина слоя

лицид тура об- травитель сопро- 81, расходуе-

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шевяков, Василий Иванович

Основные выводы по работе заключаются в следующем:

1. Проведен анализ физических представлений о контактных явлениях в ко-валентных полупроводниках и показано, что существующее представление о барьерообразовании в контактах металл- полупроводник не позволяет объяснить значительного ряда накопленных экспериментальных данных о зависимости высоты барьера контактов от конструктивно- технологических факторов и требует развития.

Л. А Л

2. Сформулированы требования к параметрам омических контактов и контактов Шотки в современных кремниевых полупроводниковых приборах и ИС, основными из которых являются: обеспечение минимально возможного сопротивления омических контактов, возможность эффективного регулирования значением высоты барьера в контактах Шотки, обеспечение повышенной воспроизводимости и термостабильности основных электрофизических параметров контактов в системах металлизации с алюминиевой разводкой.

3. Проведен анализ конструктивно - технологических проблем, возникающих при создании омических контактов к мелкозалегающим в кремнии р-п- переходам, и показано, что основными из них при формировании силицидных контактов являются: отсутствие производительного метода твердофазного формирования силицида титана, характеризующегося технологической простотой и повышенной воспроизводимостью конструктивных параметров слоя силицида, не решены задачи минимизации эффекта перераспределения примеси в кремнии при силицидообразовании и уменьшения латерального роста силицида, необходим поиск эффективного материала слоя диффузионного барьера для обеспечения повышенной тепловой устойчивости контактов в системах металлизации с алюминиевой разводкой.

4. Проведен анализ конструктивно - технологических проблем, возникающих при создании контактов Шотки, и показано, что основными из них являются: отсутствие развитой технологии контактов Шотки на основе силицида титана, отсутствие технологичного способа формирования контактов с регулируемым в широких пределах значением высоты барьера на основе одного барьерообразующего металла, требует решения задача улучшения параметров обратной ветви ВАХ контактов с расширенной металлизацией, необходим поиск эффективного материала слоя диффузионного барьера для обеспечения повышенной термостабильности контактов в системах металлизации с алюминиевой разводкой.

5. Па основании проведенных экспериментальных исследований и теоретических оценок установлено, что на высоту барьера в реальных локальных контактах металл - ковалентный полупроводник в значительной степени влияют механические напряжения, встроенные в приповерхностную область полупроводника, величина и характер распределения которых вдоль контакта зависят от конструктивного оформления контакта и технологических условий его формирования.

6. Показано, что изменение высоты барьера в реальных контактах металл -низкоомный полупроводник связано с эффектом модуляции ширины запрещенной зоны полупроводника от уровня легирования его примесью и с влиянием механических напряжений, обусловленных конструктивным оформлением контакта и параметрами легирующей полупроводник примеси.

-3267. Уточненное представление о природе барьерообразования в реальных контактах к кремнию позволяет оптимизировать конструкции и технологию изготовления контактов с целью повышения воспроизводимости значения высоты барьера и минимизации переходного сопротивления контактов.

8. Получены приближенные аналитические выражения для высоты барьера контактов металл- высокоомный кремний и металл- низкоомный кремний, учитывающие особенности барьерообразования в контактах металл- кова-лентный полупроводник, позволяющие с удовлетворительной точностью рассчитать удельное переходное сопротивление реальных омических контактов к кремнию.

9. В результате экспериментального исследования процесса твердофазного силицидообразования в системе ТП - 81 установлено, что кинетика процесса силицидообразования связана с особенностями вакансионного механизма диффузии в системе и зависит от концентрации кислорода в среде отжига и в пленке титана. Как термообработка в сверхвысоком вакууме, так и во влагосодержащей среде создают условия для максимальной скорости диффузии кремния в системе, обеспечивая образование дисилицида титана (С54) при пониженной температуре 600°С).

10. Установлено, что при термообработке системы Л-81 во влагосодержащей среде протекает самоостанавливающийся процесс твердофазного силицидообразования. Разработанный на основе данного метода способ формирования силицидных омических контактов, характеризуется простотой технологии и повышенной воспроизводимостью толщины слоя силицида. Способ позволяет минимизировать латеральный рост силицида, уменьшить эффект перераспределения примеси диффузионных слоев в процессе силицидообразования и последующих термообработок и обеспечить пониженное значение переходного сопротивления контактов.

-32711. Установлены закономерности поведения электрофизических параметров (высота барьера, коэффициент неидеальности) выпрямляющего контакта И -81 (п- и р- типа) при его термообработке в диапазоне (400 - 700)°С. Выявлено, что контакты Шотки на основе силицида титана представляют собой модифицированные контакты Бардина, в которых наряду с влиянием на высоту барьера поверхностных состояний полупроводника проявляется зависимость высоты барьера от работы выхода из силицида различного фазового состава. Высота барьера контактов на основе дисилилицида титана (С 5 4) к кремнию п- и р- типа составляет ~ 0,6 эВ и ~ 0,5 эВ соответственно, а коэффициент неидеальности В АХ контактов не превышает 1.1.

12. С целью воспроизводимого формирования выпрямляющих контактов типа М/р+-п-81 и М/п+-р-81 с регулируемым в широких пределах значением высоты барьера предложено использование метода атомов отдачи для создания мелкозалегающего в кремнии высоколегированного слоя примеси, позволяющего обеспечить повышенную воспроизводимость толщины слоя. Разработана методика оценки высоты барьера контактов, учитывающая реальное распределение примеси в мелкозалегающем слое. Показано, что в контактах Т1/р+-п-81 и Т1/п+-р-81 высота барьера меняется в зависимости от параметров промежуточного высоколегированного слоя в диапазонах (0,5-0,95) эВ и (0,60.95) эВ соответственно.

13. Установлено, что уменьшению обратного тока в контактах Шотки с расширенной металлизацией к 81 п- и р- типа способствует минимизация величины механических напряжений, встроенных в маскирующий диэлектрик. Минимизация положительного заряда в диэлектрике приводит к существенному повышению пробивного напряжения и снижению величины обратного тока в контактах к п- 81. На примере двухслойных систем БЮг- ТЮг и 8Ю2-Ре2Оз показана эффективность использования двухслойных маскирующих покрытий типа 8Ю2 - МхОу, где М- металл переходной группы, с целью улучшения параметров обратной ветви ВАХ контактов.

-32814. Показано, что при термообработке пленки Т1 во влагосодержащей среде в диапазоне (400 - 550)°С возможно формирование слоя окисла титана несте-хиометрического состава (ТЮ2-Х , где х < 0,5 ) с высокой проводимостью (ру ~ 100 мкОм • см). Разработан метод локальной модификации проводимости слоя ТЮг-х путем термообработки при наличии на его поверхности локальной маски - диффузионного барьера для кислорода.

15. Установлено, что тонкие пленки окисла титана проявляют эффективные барьерные свойства для диффузии алюминия. Показано, что введение тонкой пленки ТЮ2-х в структуру контакта А1-Т1812/81 позволяет повысить термостабильность контактов на (100-150)°С.

16. Разработан ряд оригинальных полупроводниковых приборов и активных элементов ИС с контактами Шотки. С использованием предложенных конструктивно- технологических методов формирования контактов разработана технология транзисторных структур с металлическим коллектором (ТМК) на основе обращенных структур. Разработаны технологические приемы, направленные на создание обращенных транзисторных структур с высоким коэффициентом усиления. Комплексное исследование электрических характеристик ТМК показало, что зависимости коэффициента усиления от тока и температуры аналогичны характерным для обычного транзистора, а время переключения ТМК из насыщенного режима в режим отсечки почти на порядок меньше, чем для обычного планарно- эпитаксиального транзистора со схожими геометрическими размерами.

17. Разработаны технологии ряда микромеханических кремниевых устройств, в которых использованы тонкие пленки тугоплавких соединений титана (окисла титана нестехиометрического состава или нитрида титана) Проводящие кремниевые кантилеверы сканирующих зондовых микроскопов с покрытием на основе сверхтонких (2-10 нм) пленок окисла титана или нитрида титана характеризуются хорошей проводимостью, отсутствием слоя диэлектрика на поверхности покрытия и на границе раздела его с кремнием, повышенной электромиграционной стойкостью, повышенной износостойкостью, высокой химической инертностью, что позволяет с успехом использовать их при совмещенных измерениях для определения 3-х мерного изображения исследуемой поверхности и распределения плотности тока на ней. Разработанные проводящие кантилеверы внедрены в производство и используются в различных исследовательских центрах России и за рубежом.

18. Оригинальные конструктивно - технологические решения защищены 8 авторскими свидетельствами на изобретение.

19. Отдельные разработанные технологические процессы внедрены или использованы при разработке и изготовлении на различных предприятиях полупроводниковых приборов и ИС, что позволило улучшить качество микроэлектронных изделий.

20. Разработанные методики исследования электрофизических параметров контактов и создания косого среза на полупроводниковых пластинах эффективно используется на ряде предприятий и в вузах России.

21. Результаты исследований использованы в учебном процессе при чтении курсов по специальным дисциплинам, при разработке ряда лабораторных работ по соответствующим курсам, написании учебных пособий.

В целом в результате выполнения диссертационной работы развиты физико - технологические основы создания омических контактов и контактов Шотки к кремнию с использованием титана и его соединений, позволивших разработать конструктивно- технологические решения по формированию высокоэффективных контактов, ряда оригинальных полупроводниковых приборов, элементов ИС, микромеханических кремниевых устройств, внедрение которых вносит значительный вклад в развитие микро- и наноэлек-троники.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Шевяков, Василий Иванович, 1998 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ источников.

1. Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. The Submicron MOSFET // Lattice Press. 1995, v.3, 308p.

2. Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Process Integration // Lattice Press. 1990, v.2, 255p.

3. Данилин B.C. Силициды и полициды в производстве СБИС // Итоги науки и техники. Электроника. 1989, т.25, с.37- 71.

4. Murarka S.P. Properties and applications of silicides // Microelectronic Materials and Processes Pt.7. Kluwer Academic Publishers. 1989, p.275-323.

5. Maex K. Material aspects and implementation of silicides for ULSI // Advances in rapid thermal and integrated processing. Ed. B.F. Rozeboom. NATO ASI Series E. Applied Sciences. Kluwer Academic Publishers. 1996, v.318, p.348-372.

6. Mann R.W.,.Clevenger L.A, Agnello P.D., White F.R. Silicides and local interconnections for high-performance VLSI applications // IBM J. Res. Develop. 1996, v.39. № 4, p.403-416.

7. Osburn C.M. Formation of Silicided shallow junctions using low-thermal budjet processing//J.Electron. Mater. 1990, v. 19, №.1, p.67-88.

8. Pauleau Y. Interconnect materials for VLSI circuits Part I Miniaturisation requirements and materials for gate electrodes // Solid State Technology. 1987, №2, p. 61-67.

9. Технология СБИС. Под. ред. С.Зи в 2 кн. // М.:Мир, 1986.

10.Yasui j. et al. Low Resistivity Tungsten / Titanium- Silicide / Silicon Contact for VLSI //19 Conference on Solid state Devices and Materials. Tokyo. 1987, p. 419-422.

1 l.Parekh N.S. et al. Characterization and Implementation of Self-Aligned TiSi2 in Submicrometer CMOS Technology // IEEE Trans, on Electr. Dev. 1991, v.38, №1, p. 87-94.

12.Mallardeou et al. Characterization of TiSi2 ohmic and Schottky contacts formed by rapid thermal annealing technology // J. Electrocem. Soc.1989, v.136, № 1, p.238-240.

13.Данилин Б.С. Нанесние тонких пленок в производстве интегральных микросхем (современное состояние и перспективы) // Итоги науки и техники. Сер. Электроника. 1984, т. 16, с. 145-179.

14.Yu A.Y.C. Electron tunneling and contact resistance of metal - silicon contact barriers // Sol. St. Electron. 1970, v. 13, p.239 - 247.

15.Chang C.Y. et al. Specific contact resistance of metal-semiconductor barriers // Sol. St. Electron. 1971, v. 14. p.541 - 550.

16.Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции // Пер. с англ. Под ред. В.Ф.Киселева, В.В.Поспелова. М.: Мир. 1983, 576 с.

17.Pauleau Y. Interconnect materials for VLSI circuits Part II Metal to Silicon contacts // Solid State Technology. 1987, N4, p.155-162.

18.Акасака И. Тенденции развития трехмерных интегральных схем // ТИИ-ЭР. Пер. с англ. 1986, т.74, №12, с. 120-132.

19.Mogami Т. et al. Low Resistance Self- Aligned Ti-Silicide Technology for Sub-Quarter Micron CMOS Devices // IEEE Trans. Electr. Dev. 1996, v.43, №6, p.932-938.

20.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС // М.: Мир. 1986, 176 с.

21.Taur J., Davari В., May D., Sun J.-Y.-C., Ting C.J. Study of contact and shallow junctions characteristics in submicron CMOS with self-aligned Ti-Silicide // IBM J.Res. Develop. 1987, v.31, №.6, p.627-633.

22.Koster H. Comparison of the preperties of TiSi2 films obtained by co-sputtering and by composite target sputtering // Thin Solid Films. 1989, v. 170, p.71-80.

23.Bernard C., Madar R., Pauleau J. Chemical Vapour Deposition of refractory metal silicides for VLSI metallization // Sol. St. Technol.1989, №2, p.79-83.

24.Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский А.А. Одностадийные низкотемпературные процессы формирования силицидных контактных и нитрид-ных барьерных слоев для высоконадежной металлизации УБИС // Тез. доклада Второй международной научно- технической конференции. Микроэлектроника и информатика. М.: Зеленоград. 1995, с.18.

25.Васильев А.Г., Михальчук П.В., Орликовский А.А., Сушин В.А., Захаров Д.Н., Родатис В.В. Фазовое расслоение пленок Ti-Co-Si-N при реактивном магнетронном распылении на нагретую подложку // Тез доклада Всероссийской научно- технической конференции. Электроника и информатика-97.М.: МИЭТ. 1997, с.90.

26.Маех К. Silidation and metallization using RTA processing // Advances in rapid thermal and integrated processing. Ed. B.F. Rozeboom. NATO ASI Series E. Applied Sciences. Kluwer Academic Publishers. 1996, v.318, p.333-347.

27.Ponpon J.P., Saulnier A. Comparison of the growth kinetics of Titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semicond. ScL Technol, 1989, v.4, p.526-528.

28.Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник // M.: Радио и связь. 1982, 208с.

29.Rubioff G et al. Material reaction and silicide formation at the refractory metal/Silicon interface // Appl. Phys. Lett. 1986, v.48, N23, p. 1600-1602.

30.Chu J.J., Wu I.C., Chen L.J. Transmission electron microscope study of the growth kinetics on TiSi2 // J.Appl. Phys. 1987, v.61, N2, p.549-551.

31.Bhansali A.S. et al. Phase reactions of semiconductor metallization interface // J. Electron. Mater. 1990, v. 19, N. 11, p. 1171-1177.

32.Boricki L. et al. A model for Ti-silicide growth//IEDM-88. 1988, p.348-351.

33.Pico C.A., Lagally M.G. Kinetics of Titanium silicide formation on single-crystal Si: Experiment and modelling // J.Appl.Phys. 1988, v.64, N 10, p. 49574967.

34.Liu J.Ch., Lin Ch .J., Maa J.-Sh. Backscattering analysis of the layer structure of Ti silicides // Jap. J. Appl. Phys. 1979, v. 18, N 5, p.991-992.

35.Wang M.H., Chen L.J. Identification of the first nucleation phase in the interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited Ti thin films on Si // Appl.Phys. Lett. 1993, v.58, N 5, p.463-465.

36.Bhandia A.S. Stoichiometric shifts in cosputtered refractory silicide films during subsequent heat treatment // J.Vac. Sci. Technol. 1984, v.B2, N 4, p.766-770.

37.Гершинский A.E., Ржанов A.B., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике // Микроэлектроника 1982, т.11, вып.2, с. 83-94.

38.0gawa Sh. HRTEM and nano-scale micro-analysis of the Ti/Si interfacial reaction correlated with electrical properties // Ext. Abstr. of the 22nd (1990Int) Conf. on Sol. St. Dev. and Mater. Sendai, 1990, p. 429-432.

39.Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники // М.: Металлургия. 1979, 498с.

40.Tauenblatt М.А., Helms C.R. Silicide and Shottky barrier formation in Ti-Si and Ti-SiOx-Si systems // J.Appl. Phys. 1982, N.9, p. 6308-6315.

41.Guldan A. et al. Formation and properties of TiSi2 Films // Thin Solid Films. 1983, v.100, p.1-7.

42.Pat. USA. № 4.545.116. Method of forming Titanium Disilicide.

43.Chen D.C. et al. TiSi2 thickness limitations for use with shallow junctions and SWAMI or LOCOS isolation // IEEE Transactions on Electron.Dev. 1986, v.ED-33,N 10, p.1463-1469.

44.Georgiou G.E. et al. Thermal stability limits of thin TiSi2// J. Electrochem. Soc. 1994, v.141, N. 5, p.1351-1356.

45.Cohen C. et al. Silicon loss during TiSi2 formation // J.Appl. Phys. 1987, v.62, N11, p.5187-5189.

46.Berti M.et al. Ti Silicide formation. Effect of Oxygen Distribution in the metal film // J.Appl.Phys. 1984, v.55, N. 10, p.3358-3365.

47.Heitze M. et al. Oxygen impurity effects on the formation of thin Titanium silicide films by RTA // J.Phys. D. Appl.Phys. 1990, v.23, p. 1076-1081.

48.Pramanik D. et al. Influence of the iterfacial Oxygen on Ti Silicide formation by rapid thermal annealing // J. Vac. Sci. Technol. 1984, v.B2, N 4, p. 775-780.

49.Hsu C.C. et al. Formation of silicides in the Ti, Ti(ox)/-Si(lll), and Ti/Si02/Si(l 11) systems // J.Vac. Sci. Technol. 1987, v.A5, N 4, p. 1402-1406.

50.Lee H.S, Wolga G.J. The effect of Oxygen in the Si Substrate on Mo, W,Ti and Co silicide by infrared laser heating // J. Electrochem. Soc. 1990, v.137,N 8, p.2618-2623.

51.Bomchil G, Goeltz G., Torres J. Influence of Oxygen on the formation of refractory metal silicides // Thin Solid Films. 1986, v.40, p.59-70.

52.Lin Ch. et al. Ti Silicide formation on thin-film Silicon on insulation // Appl. Phys. Lett. 1990, v. 56, N 20, p. 2004-2006.

53.Merchant R., Amaro J. Oxygen redistribution during sintering of Ti/Si structures //J. Vac. Sci. Technol. 1984, v. B2, N 4, p. 762-765.

54.Berger H. Contamination due to process gases // Microelectronic Engineering. 1991, v.l0,p 259-267.

55.Berger H. Gas purity requirements for Titanium silicide metallization // Semicond. Int. 1987, v.10, N 10, p. 137-142.

56.Narayan C. et al. Processing concerns for multi-level thin film metallization // Proc.Symp. Multilevel Metalliz., Interconnect., and Contact Technol., San Diego, Calif, Oct. 21-22, 1986-Pennington. (N.Y.) 1987, p.103-113.

57.Berger H. Economical preparation of TiSi2 films by reactive evaporation in N2 and Ar // Sol. St. Technol. 1991, N 5, p. 79-81.

58.Berger H, Adema G. Sheet resistance studies of reactively evaporated Ti in N and Ar for silicide formation // J. Electrochem. Soc. 1991, v.138, N 3, p. 853854.

59.Lin M.Z.,.Yu J.C.S, Wu Ch.-Yu. An environment-insensitive trilayer structure for Titanium Silicide Formation // J. Electrochemical Society. 1986, v. 133, N 11, p. 2386-2389.

60.Pat. USA № 4.920.073. Selective silicidation process using a TiN protective layer.

61.Chioi B.-Sh. et al. Characteristics of Titanium Silicide formed by Si/Mo/Ti trilayer metallization // Semicond. Sci. Technol. 1989, N.4, p.177-183.

62.bin M-Z., Wu Ch.-Yu. A new lateral growth free formation technique for Titanium Silicide using the Si/W/Ti Trilayer structure // J. Electrochem. Soc. 1988, v.135, N.9, p.2342-2347.

63.Kang S.W. et al. Dependence of Oxygen redistribution on Ti film thickness during TiSi2 formation by RTA // J. Vac. Sci. Technol. 1989, v.A7, N 6, p. 3246-3250.

64.Perera A.H., Krusius J.P. Shallow, small area TiSi2 comtacts to n+ and p+ Silicon // J.Electrom Mater. 1990, v. 19, N. 10, p. 1445-1449.

65.Заявка Японии № 63-133622. Manufacture of semiconductor device.

66.Pantel R. et al. Low resistivity thin film refractory silicides growth in ultrahigh vacuum at low temperature // J.Electrochem. Soc. 1984, v. 131, N.10, p.2426-2430.

67.Hamm P.M. Characterization and implementation of self-aligned TiSi2 in submicrometer CMOS Technology // IEEE Trans. Electron. Dev. 1991, v.38, N1, p.88-94.

68..Mann R.W, Clewenger l.A. The C49 to C54 Phase transformation in TiSi2 thin films//J. Electrochem. Soc. 1994, v. 141, N5, p. 1347-13 50.

69..Chow T.P, Katz W., Goehner R., Smith G. Titanium silicide formation on Boron-implanted Silicon // J.Electrochem. Soc. 1985, v.132, N8, p.1914-1918.

70.0stling M., Petersson C.S. Arsenic distribution in bilayer of TiSi2 on polycrystalline Silicon during heat treatment // Thin Solid Films. 1983, N.l 10, p.281-289.

71.Koeneke C.J, Lynch W.T. Lightly doped Schottky MOSFET // IEEE, 1982, p.466-469.

72.Patent USA N 4.485.550.1984..Koeneke C.J. et al. Fabrication of Schottky -barrier MOSFET.

73.Ku J.H,.Lee S.K, Kwong D.L.. The application of ion-beam mixing, doped silicide and rapid thermal processing to self-aligned silicide technology // J.Electrochem. Soc. 1990, v. 137, N2, p.728-740.

74.Kakumu, Hashimoto K, Nishi Y.. Enhanced Impurity redistribution for silicided source/drain // Proc. Conf. on Solid-Devices and Mater. Kobe. 1984, p.111-114.

75.Revesz P, Gyimesi J, Pogany L, Peto G. Lateral growth of Ti Silicide over a dioxide layer // J.Appl.Phys. 1983, v.54, N4, p.2114-2116.

76.Chin T.J. et al. A high speed super self- aligned bipolar-CMOS technology // IEDM. Wachington D.C. 1987, p.24-27.

77.Заявка Японки № 62-76560. МКИ H 01 L 29/78. Сима Сехей. Способ формирования полупроводникового прибора.

78.Pramanik D, Jain V. Barrier metals for VLSI: Processing and reliability // Sol. St. Technol. 1991, №5, p.97-102.

79.Murarka S.P. Refractory silicides for integrated circuits // J.Vac. Sci. Technol. 1980, v.17, N 4, p.775-792.

80.Strydom W.J, Lombaard J.C, Pretorius R. Thermal oxidation of the silicides CoSi2, CrSi2, NiSi2, PtSi, TiSi2 and ZrSi2 // Thin Solid Films. 1985, v.131, p.215-231.

81.Pretorius J.R. Studies of the growth and oxidation of metal silicides using radioactive 31 Si as tracer // J.Electrochem. Soc. 1981, v. 128, N 1, p. 107-112.

82.Chen J.R, Liu J.-Ch, Chu Sh.-D. Investigation on TiSi2 thin-film oxidation by radioactive tracer technique // Appl. Phys. Lett. 1982, v.40, N 3, p. 263-265.

83.Jiland H, Petersson C.SNicolet, M.-A.. Thermal oxidation of transition metal silicides // Thin Solid Films. 1986, v. 140, p. 115-129.

84.Baglin J.E., D'Heurle F.M., Petersson C.S. Interface effects on metal silicide layers over silicon oxide on metal silicide layers over silicon substrates // J. Appl. Phys. 1983, v.54, N 4, p. 1849-1854.

85.Bartur M., Nicolet M.-A. Properties of Si02 growth on Ti, Co, Ni, Pd and Pt Silicides // J. Electron. Mater. 1984, v. 13, N 1, p.81-94.

86.Hsieh N., Nesbit L.. Oxidation phenomena of polysilicon/tungsten silicide structures //J. Electrochem. Soc. 1984, v.131, N 1, p.201-205.

87.Ting C.Y., Wittmer M. The use of titanium - based contact barrier layers in silicon technology//Thin Solid Films. 1982, v.96, № 4, p.327-345.

88.Suni I. et al. Stable metallization systems for solar cells // Phys. Stat. Sol. 1982, № 2, v.72, p.763-769.

89.Баринов В.В., Мамедов Т.Я., Орликовский А.А., Подопригора Н. Биполярные ИС с диодам Шотки // Зарубежная электронная техника. 1976, вып.8, с.3-53.

90.Орликовский А.А. Перспективы быстродействующих биполярных интегральных схем. // Микроэлектроника. 1981, № 3, с. 195-205.

91.Kleefstra М. Schottky-diode ver sus p-n diode. // Ned. tijdschr. Naturk. 1980, v.46, № 1, p.9-12.

92.Федотов Я.П. Полупроводниковая электроника, год 2001-й. // М.: Сов. Радио. 1975, 104с.

93.Маллер Р., Кейминс Т.. Элементы интегральных схем // М.: Мир. 1989, 630с.

94.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Пер. с англ. под ред.Р.А.Суриса. // М.: Мир. 1984 , 912 с.

95.Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. // М.: Сов. Радио. 1981, 304 с.

96.Афонцев С.А., Петров Г.В. Полевые транзисторы с затвором Шотки - новые перспективные элементы СВЧ интегральных схем. // Микроэлектроника. 1975, т.4, вып.5, с.387-408.

97.Адамов Ю.Ф, Голубев А.П. Особенности изготовления совмещенной структуры с полевым транзистором, управляемым барьером Шотки // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Физические и технологические особенности полупроводниковых схем памяти. М.: МИ-ЭТ. 1977, вып..34, с.47-55.

98.Афонцев С.А. и др. Контакт металл-полупроводник и его использование в полупроводниковых приборах и устройствах на их основе // Ядерная электроника. Под ред. Т.М.Агаханяна. М.: Атомиздат. 1978, вып.8, с.20-53.

99.Арсенид галлия в микроэлектронике // Под ред. Н.Айнспрука, У. Уиссме-на.М.: Мир. 1988, 555с.

100. Гаспярян Ф.В, Адамян З.Н, Арутян В.М. Кремниевые фотоприемники // Ерев.: Изд-во Ереванского университета, 1989, 362с.

101. Гольдберг Ю.А.. Барьеры Шотки и их использование для исследования свойств полупроводников // Микроэлектроника. 1982, т.11, вып.1, с.3-19.

102. Frank W, Hewlett J. A Compact efficient Schottky Collector Transistor Switch // IEEE J. of Solid - State Circuits. 1979, № 5, v. 14, p. 801-806.

103. Frank W, Hewlett J. A Compact efficient Schottky Collector Transistor Switch // IEEE J. of Solid - State Circuits . 1979, №5, v, 14, p. 865-867.

104. Громов Д.В, Петров Г.В. Экспериментальное сравнение характеристик продольных транзисторов с коллекторными переходами типа Шотки и р-п типа // Ядерная электроника. Под ред. Т.М. Агфханяна. М.: Атомиздат. 1976, вып. 6, с. 18-21.

105. Адамов Ю.Ф, Мошкин В .И, Фетисова С.Н. Интегральные транзисторы с металлическим коллектором. // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Физические и технологические особенности полупроводниковых схем памяти. М.: МИЭТ.1977, вып.34, с 40-46.

106. Черняев В.Н, Курочкин В.А. , Корзо В.Ф. Некоторые вопросы технологии диодов Шотки. // Зарубежная электронная техника. 1976, вып. 11, с.3-44.

-339107. Валиев К.А., Орликовский А.А. Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. // М.: Сов. Радио. 1979, 296.С.

108. Croft D.C. The Construction and Reliability of Schottky Diodes // Microelectron.Reliab. 1977, v. 17, № 4, p.445-455.

109. Патент 4062033 США. МКИН01 L 29/48. 1978.

110. Стриха В.И., Бузанева E.B., Радзиевский И.Л. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. // М.: Сов. Радио. 1974, 248 с.

111. Перевощиков В.А., Возмилова Л.Н., Свердлин И.А. и др. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников // Под ред. Луфт Б.Д. М.: Радио и связь. 1982, 137 с.

112. Garrido J. et al. Argon-ion bomnardment effects on the electrical charactristics of platinum - silicon Schottky diodes // J.Electron. Lett. 1979, v. 15, № 25, p.815-816.

113. Madden П.Н. Ion bombardment-induced changes in the electronic structure of silicon surfaces // J. Vac. Sci. And Techn.1982, v.20, № 3, p.502-505.

114. Каскевич O.K., Маркова B.H. Исследование зависимости качества барьера Шотки от свойств применяемых материалов и условий их напыления // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1082, вып.2, с.22-21.

115. Arizumi Т. et al. Contact Properties of Metal-Silicon Schottky barriers // Jap. J. Appl. Phys. 1970, v.9, № 9, p.100-103.

116. Канчуковский О.П., Преснов В.A. , Щедролосьев E.H. Влияние термической обработки на электрические, характеристики и границу раздела диодов Шоттки: кремний-никель. // Электронная техника . Сер. 2. Материалы. 1981, вып. 10, с. 60.

117. Юдинцев В.А. Состояние и перспективы развития логических ИС в США. // Зарубежная электронная техника. 1983, вып.5, с.3-42.

-340118. Рождественский Г.Ф. Выпрямляющий контакт на основе Pt-Ni с регулируемой высотой потенциального барьера. //В сб. Тезисы докладов Всесоюзного семинара. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. Ки-ев.1980, с.10.

119. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник // Киев, Наукова думка. 1974, 264 с.

120. Стриха В.И, Бузанева Е.В, Ветров А.П. и др. Определение параметров р+ слоя в контакте А1-р+ - n-Si // Сборник научных трудов. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. Киев. Наукова думка. 1979, 236 с.

121. Бузанева Е.В, Вдовиченко А.Д, Еременко В.В. и др. Твердофазное взаимодействие на границе алюминий п- кремний в диодах с барьером Шотки // Эл. тех. Сер.З. Микроэлектроника. 1981, №6, с.3-11.

122. Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники // М.: Радио и связь. 1990,303с.

123. Wu C.Y. Barrier height reduction of the schottky barrier diode using a thin highly doped surface layer // J. Apple. Phys. 1980 , № 9, v. 51 , p. 4919-4922.

124. Shannon J. M. Ion Beam Modification of Materials // Nucl. Instrum. and Meth. 1981, p. 182-183.

125. Wu C.Y. Analytic model for barrier height enhancement of the Schottky barrier diode using low-energy ion implanted // J. Apple. Phys. 1983, v. 54, p. 971-976.

126. Li S. S, Kim J.S, Kreps S.A. An ion-implanted Ti. W Silicon Schottky barrier diode // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980, v. 27, № 11, p. 2200-2205.

127. Thornton R.l. Shcottky - barrier elevation by ion implantation and implant segregation // Electron . Lett. 1981, v. 7, № 14, p. 480-485.

128. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Физические основы надежности контактов металл- полупроводник в интегральной электронике // М.: Радио и связь, 1987, 256с.

-341129. Е.В.Бузанева, А.П.Ветров,Ю.Г.Мунтян и др. Твердофазная эпитаксия p-Si в контактах Al-n-Si со структурами Al- S102-n-Si по краям // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1986, вып.2, с.69-92.

130. Е.В.Бузанева, Т.П.Трайнис, В.А.Хрусталев и др. Влияние концентрации примесей в n-Si на высоту барьера и параметры ВАХ-контактов А1-р+-n-Si с барьером Шоки // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1986, вып.4, с. 14-22.

131. Gonzalez T.and Pardo D. Physical models of ohmic contact for monte carlo device simulation // Solid-State Electr. 1996, v.39, №4, p.555-562.

132. Sroeder D and Witkowski U. Simulation of Semiconductor Devices with Non- Ideal Metallic Contacts // IEEE Trans. El. Dev. 1997, v.44, №4, p.679-680.

133. Rommel S.L. et al. Low Resistance Ohmic Contacts to p-Gei_xCx on Si // IEEE Electr. Dev. Lett. 1997, v.18, №1, p.7-9.

134. Freeouf J.L. Silicide Schottki diodes: An Elemental Description // Sol. State. Comm. 1980, v.33, p.1059-1061.

135. Mator M. et al. W/Si Schottki diodes: effect of sputtering deposition condictions on the barrier height // Appl. Surf. Sci. 1995, v. 95, p. 342- 346.

136. Mallardeau C. et al. Characterization of TiSi2 ohmic and Schottky contacts formed by rapid thermal annealing technology // J. Electrocem. Soc. 1989, v. 136, № 1, p. 238-240.

137. Yu A.Y.C. Electron tunneling and contact resistance of metal - silicon contact barriers. // Sol. St. Electron. 1970, v. 13, p.239 - 247.

138. Chang C.Y. et al. Specific contact resistance of metal-semiconductor barriers. // Sol. St. Electron. 1971, v. 14, p.541 - 550.

139. Разработка новых конструктивно- технологических решений создания СБИС с уровнем интеграции 10 элементов на кристалле. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01870049863. Интрада. Научн. рук. Глазов В.М. 1988.

-342140. Анализ закономерностей образования и исследование электрофизических свойств тонкопленочной структуры окисел- силицид титана- кремний. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01930004255. Итог- ГБ. Научн. рук. Ше-вяков В.И. 1993.

141. Исследование закономерностей образования слоев силицида титана на монокристаллическом кремнии. Отчет по НИР. Гос. per. № 01950004112. 415-ГБ-Б. Научн. рук. Королев М.А. 1995.

142. Исследование закономерностей синтеза слоев силицида титана на moho- и поликремнии с учетом конструктивно- технологических параметров процесса. Отчет по НИР. Гос. per. № 01960004853. 667-ГБ-53-Г. Научн. рук. Шевяков В.И. 1997.

143. Райнова. М.Ю, Малышева JI.А, Шевяков В.И. Исследование технологических особенностей процесса окисления силицида титана // Тез. докл. конф. мол. учен, и спец. МИЭТД987, с.7.

144. Райнова. М.Ю, Малышева Л.А, Шевяков В.И, Окисление силицида титана для создания изолирующего диэлектрика в системе многослойной металлизации // Тез. докл. VII Научно- технической конференции молодых ученых и специалистов, г. Рига 1987, с. 169-171.

145. Королев М.А, Райнова. М.Ю, Шевяков В.И. Окисление силицидов тугоплавких металлов и их использованние в ИС // Обзоры по электронной технике. Сер.7.Технолоия, организация проиводства и оборудование. 1988, вып. 12, с. 1-22.

146. Королев М.А, Райнова. М.Ю, Шевяков В.И. Исследование влияния кислорода на кинетику процесса силицидообразования в системе титан-кремний // Всероссийская конференция. Микроэлектроника - 94. 1994, с. 217-218.

147. Королев М.А, Райнова. М.Ю, Шелегеда А.Г, Шевяков В.И. Исследование особенностей процесса формирования силицида титана на монокремнии // Микроэлектроника РАН, 1995, т.24, вып.2, с.125-129.

-343148. Raynova M., Korolev M., Shevyakov V. The Oxygen Influence on the Kinetics of Ti- silicide Formation // 40 Intern. Wissen. Kolloquim. Ilmenau. Germany. 1995, p.719-723.

149. Рыкалин H.H., Зуев И.В., Углов A.A. основы электронно-лучевой обработки материалов // М.: Машиностроение. 1978, 239 с.

150. Маннинг Дж. Кинетика и диффузия атомов в кристаллах // М.: Мир. 1971,280с.

151. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона // М.: Наука. 1979, 344с.

152. Исследование и разработка МОП-структур на основе пленки поликристаллического кремния для КМДП СБИС. Отчет по НИР. Гос. per. № 181074628. Инверсия. Научн. рук. Королев М.А. 1982.

153. Исследование и разработка конструктивно-технологических особенностей создания МОП- приборов в слое поликремния на диэлектрической подложке. Отчет по НИР. Гос. per. №. 0182008265. Инверсия-2. Научн. рук. Королев М.А. 1983.

154. Исследование и разработка конструктивно-технологических основ создания элементов МДП СБИС седьмой степени интеграции на основе поликремниевых активных компонентов. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01840033988. Инверсия-3. Научн. рук. Вернер В.Д. 1984.

155. Исследование эффектов короткого канала в КМОП транзисторах. Отчет по НИР. Гос. per. №.Ф36179. Идея. Научн. рук. Королев М.А. 1988.

156. Разработка многофункциональных интегральных датчиков на основе КНИ-структуры. Отчет по НИР. Гос. per. №.8Ф13224. Индикатор. Научн. рук. Королев М.А. 1991.

157. Исследование и разработка технологических процессов формирования силицидной контактной металлизации МДП СБИС на основе окисления титана. Отчет по НИР. Гос. per. №.8Ф11238. Инвазия. Научн. рук. Королев М.А. 1992.

-344158. Исследование и разработка методов формирования многофункциональных полупроводниковых балочных микродатчиков. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01930004257. 273-ГБ-Б. Научн. рук. Королев М.А. 1995.

159. Шевяков В.И. Технологические особенности формирования диодов Шотки в системе: титан- кремний // Тез. докл. II конф. мол. учен, и спец. МИЭТ, 1982, с. 17.

160. Райнова. М.Ю, Шевяков В.И. Проводящие пленки окислов металлов и их использование в металлизации // Тез докл. У1 Координ. совещания. Память. 1988, с.146.

161. Астахова H.A. Стрельцов М.В. Шевяков В.И. Свойства омического контакта: алюминий - поликремний, образованного радиационно- стимулированной диффузией // Сб. научн. труд. МИЭТ. 1990, с.70-74.

162. Королев М.А, Райнова М.Ю, Шевяков В.И. Перераспределение примеси в подложке при термообработке структуры.: силицид титана- кремний // Электрон, техн. сер.З. Микроэлектроника. 1990, вып.1, с,87-88.

163. Черемхин С.В, Шелегеда А.Н, Шевяков В.И. Особенности создания омических контактов к поликремнию // Тез. докл. III Всесоюзн. конф. по физике и технолог, тонких, пленок, Ивано-Франковск. 1990, с. 135.

164. Шевяков В.И. Современное состояние технологии ИС и эволюция системы металлизации // Сб.научн. труд. МИЭТ под ред. Б.М.Орлова. 1991, с. 1-24.

165. Райнова М.Ю, Шевяков В.И. Электрофизические свойства полупроводниковой двуокиси титана и их использование в ИС // Тез докл. УП Координ. совещания. Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств. МИЭТ. 1991, с.43.

166. Шелегеда А.Г, Шевяков В.И. Технологические особенности формирования непроникающих контактов к кремнию на основе молибдена // Тез. докл. УИ Координ. совещания. Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств. МИЭТ. 1991, с44.

-345167. Райнова М.Ю., Шелегеда А.Г., Шевяков В.И. Анализ закономерностей образования и исследование электрофизических свойств тонкопленочной структуры: окисел- силицид титана - кремний // Межвузовск. сб. научн. труд. М. МИЭМ. 1994, с.159-171.

168. Королев М.А., Шелегеда А.Г., Шевяков В.И. Особенности технологии алюминиевой металлизации КНИ-структур // Тез. докл. Всеросс. конф. по микроэлектронике. Таганрог, 1994, с.28.

169. Королев М.А., Райнова М.Ю., Шелегеда А.Г., Шевяков В.И. Особенности создания омических контактов к поликремнию на основе алюминия // Сб. научн. трудов МИЭТ. Активируемые процессы технологии микроэлектроники. 1994, с.46-51.

170. Королев М.А., Райнова М.Ю., Шевяков В.И. Особенности изготовления контактной металлизации ИС // Всероссийская научн. техн. конф. Электроника и информатика. МИЭТ. 1995, с.59.

171. Королев М.А. Шумский И.А. Глазов В.М. Трехмерные ИС ././ Электронная промышленность. 1995, № 4-5, с.76-79.

172. Yu A.Y.C., Мак L.K. et al. Specific contact resistance mesaurements on semiconductors // Phys. Sci. Instrum.1989, v.22, p.317-321.

173. Berber H.H. Models for contacts to planar devices // Sol.St.Electr. 1972, v.15, p.145-158.

174. Ting C.Y.,Crowder B.L. Electrical Properties of Al/Ti Contact Metallurgy for VLSI Application // J.Electrochem.Soc. 1982, p.2590-2594.

175. Proctor 1 et. al. Direct Mesaurements of Interfacial Contact Resistance, interfacial Contact Layer Uniformity // IEEE Trans, on Electr. Dev. 1983, v.30, № 11, p.1535-1542.

176. Loh W.M. et al. Modeling and Mesaurement of Contact Resistances // IEEE Trans, on Electr. Dev. 1987, v.34, №3, p.512-524

177. Loh W.M. et. al. An Accurate Method to Extract Specific Contact Resistivity Using Cross- Bridge Kelvin Resistors // IEEE Electr. Dev. Lett.

1985, v.6, №8, р.441-443.

178. Kwok K.G. A novel technique to Measure the Contact Resistance of a MOSFET // IEEE Trans. Electr.Dev.1987, v.34, №3, p.544-547.

179. Rüssel L. et al. The Effect of Lateral Carrent Spreading on the Spesific Contact Resistivity in D-Resistor Kelvin Devises // IEEE Trans.on El. Dev. 1987, v.34, №3, p.203-205.

180. Cohen S.S. Contact Resistance and method for its determination // Thin Sol. Film. 1983, v. 104, p.361-379.

181. Маковский Ф.А, Усачев Е.П. Выпрямители на основе полупроводниковой двуокиси титана // М.: Наука. 1966, 107с.

182. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов // М.: Мир. 1975, 397 с.

183. Третьяков Ю.Д. О нестехиометрии окислов при высоких температурах // Физическая химия окислов. Под ред. А.Н.Мень. М.: Наука. 1971, 190с.

184. Исследование схемотехнических и конструктивно-технологических принципов построения СБИС, совместимых с TTJI-схемами. Отчет по НИР. Гос.рег.№. 81008528. Память-20. Научн. рук. Орликовский A.A. 1982.

185. Исследование схемотехнических принципов и конструктивно-технологических методов создания быстродействующих СБИС памяти , совместимых с ТТЛ ИС. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01820063514. Ирбис. Научн. рук. Вернер В.Д. 1983.

186. Исследование элементной базы и разработка принципиальных электрических схем биполярных СБИС ОЗУ статического типа с байтовой организацией. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01830073674. Ирбис-2. Научн. рук. Вернер В.Д. 1984.

187. Татарченко A.B. Стицей Ю.В. Шевяков В.И. Исследование зависимости высоты потенциального барьера диодов Шотки от параметров

мелкого р-п - перехода в кремнии // Тез докл. II конф. мол. учен, и спец. МИЭТ, 1982, с. 15-16.

188. Шевяков В.И. Конструктивно-технологические особенности создания функциональных элементов, с барьером Шотки в кремниевых ИС // Тез. докл. У Респ. конф. молодых ученых и специалистов, г. Тбилиси. 1983, с.114-115.

189. Королев М.А., Стицей Ю.В., Татарченко A.B., Шевяков В.И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. №1130139, 1983.

190. Королев М. А. , Шевяков В.И. Влияние термообработки на высоту потенциального барьера Шотки системы титан-кремний // Электрон, техн. сер. 3. Микроэлек. 1984, вып. 1, с.110-112.

191. Шевяков В.И. Применение выпрямляющего контакта металл- полупроводник с использованием титана в технологии создания БИС // Тез докл. 1У Координац. совещание. Память, М.: МИЭТ. 1984, с.37-38.

192. Соколов Е.В., Стицей Ю.В., Татарченко A.B., Шевяков В.И. Исследование формирования сверхтонких высоколегированных структур методом атомов отдачи // Тез. докл. Всесоюзн. научн.техн. конф.Таллин. 1984, с.82.

193. Королев М. А., Шевяков В.И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. №1127473, 1984.

194. Королев М.А., Назаренко В.А., Райнова М. Ю., Шевяков В.И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. №1153766, 1984.

195. Шевяков В.И. Разработка конструктивно- технологических методов изготовления активных элементов с барьером Шотки на основе силицида титана // Рукоп. Кандидат диссертац. 1995, 235с.

196. Шевяков В.И. Автореферат кандидат, диссерт. 1995, 25с.

197. Зайцева М.Ю., Шевяков В.И. Влияние термообработки на электрические характеристики контакта титан- кремний // Межвуз. сб. науч. труд. Материалы электронной техн. М.: МИЭМ. 1986, с. 131-134.

-348198. Райнова М.Ю, Шевяков В.И. Повышение термостабильности электрофизических характеристик выпрямляющего контакта //Тез. докл. Конф. мол. учен, и спец. МИЭТ. 1987, с.7.

199. Королев М.А, Райнова М.Ю, Шевяков В.И. Способ изготовления диода Шотки. А.С. № 161428. 1988.

200. Голишников А.А, Путря М.Г, Рыбачек Е.Н, Шевяков В.И. Плазменная нейтрализация химически активных поверхностей // Тез. докл. Всероссийская конференция. Активируемые процессы. Иваново. 1995, с.70-71.

201. Мошкин В.И. Контроль электрофизических параметров полупроводниковых структур по спектральной зависимости сигнала отклика // Электронная промышленность. 1982 , № 9, с. 57-58.

202. Quillict A, Grosar P. L'effet photovoltaigue de surface dans le silicum et son Application a la mesure de la duree de reie portcure minorit aires // Le J. de Physigue et le Radiam.1960, v. 21, № 7 , p. 575-577.

203. Урывский Ю.И. Эллипсометрия в исследовании кинетики роста и травления диэлектрических пленок // Дис. канд. техн. наук. Воронеж.

1978, 199с.

204. Sharma B.L, Gupta S.C. Metal.semiconductor Schottky barrier Junctions. Part 1. Fabrication // Solid-State Techol. 1980, №5, v.23, p.97-101.

205. Самсонов Г.В, Дворина JI.A, Рудь Б.М. Силициды // М.: Металлургия.

1979, 272 с.

206. Mirarka S. Р, Fraser D. В. Sinha А.К. Perfactory silicides of titanium and tantalum for low- resistivity gates and interconnects // IEEE Trans. Electron . Dev. 1980, v. 27, № 8 , p. 1409-1417.

207. Murarka S. P, Fraser D.B. Thin film interaction between titanium and polycristalline Silicon // J. Appl. Phys. 1980 , v. 51, № 1 , p. 342-349.

208. Murarka S.P, Fraser D.B. Silicide - formation in thin cosputtered (titanium-silicon) films on polycristalline Silicon and Si02 // J. Appl. Phys. 1980, v.51, № 1, p. 350-356.

-349209. Miller N. E., Beinglass I. CVD tungsten interconnect and contact barrier technology for VISI // Solid State Technology. 1982 , v. 25, № 12 , p. 85-90.

210. Пат. ФРГ № 2056220. МКИ H 01 1 29/48.1979.

211. Каменецкас Ю. Исследование поверхности арсенида галлия, легированного атомами отдачи алюминия // Физика и техника полупроводников. 1983 ,т.17, вып.З, с. 385-389.

212. Grob A. et al. Recoil Implantation of antimony into silicon // Nuclear Instruments and Methods. 1981, p. 85-92.

213. Bruel M. Recoil implantation of antimony in silicon // Nuclear Instruments and Methods. 1981, p. 93-96.

214. Jain S.C., McGregor J.M., Roulston D.J. Band-gap narrowing in novel III-V semiconductors // J. Appl. Phys. 1990, v.68, №1, p.3747-3 749.

215. Jain S.C., Roulston D.J. A simple expression for band gap nerrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSil-x streined layers // Sol. State Electr. 1991,v.34, №5, p.453-465

216. Ангелова JI.А., Козлов А.Ю., Толстихин В.И. Фотоэлектрический метод измерения глубины залегания р-п переходов // Микроэлектроника. 1982, т. 11, вып.2, с. 138-145.

217. Глазов В.М. Исследование и разработка технологических методов управления зарядовым состоянием системы полупроводник-диэлектрик при изготовлении кремниевых интегральных схем // Дис. канд. техн. наук. М.: 1979, 199 с.

218. Савельев А.А. Разработка процессов плазмохимического осаждения слоев Si02 и BN // Дис. канд. техн. наук. М.: 1979, 220 с.

219. Венкстерн С.А., Козлов С.Н. О влиянии окисления в хлоросодержащей среде на подвижность электронов и дырок в инверсионных каналах на кремнии // Микроэлектроника. 1981, вып.Ю, № 3, с.263-265.

220. Пат США. № 3499213. МКИВ 01 J 17/00. 1970.

-350221. Исследование процессов косвенного лазерного нагрева кремниевых слоев и разработка приборов на их основе. Отчет по НИР. Гос. per. №. 01880058776. Энергия-88-2. Научн. рук. Королев М.А. 1989.

222. Исследование и разработка основных процессов формирования МДП ИМС с микронной длиной канала. Отчет по НИР. Гос. per. №.8Ф93178. Интонация. Научн. рук. Королев М.А. 1991.

223. Исследование и разработка конструктивно- технологических аспектов создания мощных "интеллектуальных" ИС на основе КНИ- структур для систем телекоммуникации и автоматики. Отчет по НИР. Гос. per. № 01960004862. 607-ГБ-53-Б. Научн. рук. Королев М.А. 1997.

224. Райнова М.Ю..Шевяков В.И. Повышение термостабильности электрофизических характеристик выпрямляющего контакта // Тез. докл. XII Все-союзн. научн. техн. конф.Тбилиси.1987, с.114-115.

225. Королев М.А, Абрамов И.А, Шелегеда А.Г, Шевяков В.И. Технологические особенности создания струнных микрорезонаторов на основе КНИ- структур // Тез. докл. Всеросс. научн. техн. конф. Датчик- 94, Гурзуф. 1994, с. 10.

226. Королев М.А, Шевяков В.И, Шумский И.А. Разработка БМК на основе пленок рекристализованного кремния на диэлектрике для «интеллектуальных мощных ИС // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Электроника и информатика-97. 1997, с.156-157.

227. Королев М.А, Шевяков В.И, Шумский И.А. Интеллектуальные сенсорные системы на основе структуры: кремний на изоляторе // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Датчик-98. Гурзуф. 1998.

228. Королев М.А, Шумский И.А, Хохлов М.Ю, Шевяков В.И. Интегральные микросистемы на основе технологии кремний на диэлектрике // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1998 (принята к печати).

229. Заглубоцкий Д.В, Шевяков В.И. Численное моделирование параметров омических контактов к кремнию // Тез докл. Межвузовск. научн. техн.

конф. студент, и аспир. Микроэлектроника и информатика-97. МИЭТ. 1997, с.25.

230. Шевяков В.И. Исследование природы образования барьера в контакте металл-ковалентный полупроводник // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Электроника и информатика-97. 1997, с.158-159.

231. Шевяков В.И. Особенности образования барьера в реальных контактах металл - ковалентный полупроводник // Известия вузов. Сер. Электрони-ка.1998, № l.c.49-55.

232. Freeouf J. L. Silicide Schottky barriers: an elemental description // Sol. State Commun. 1979, v. 33, p. 1059-1061.

233. Andrews J. M. , Philips J.C. Chemical Bonding and Structure of Metal-Semiconductor Interfaces // Phys. Rev. Lett. 1975 , №1 , v. 35 , p. 56-59.

234. d'Heurle F.M. Stresses in silicon device interconnections // Intern. Mater. Rev. 1989, v.34, № 2, p. 53 - 68.

234-a. Wang Z. et al. Piezoresistive effect in n-MOSFET devices .// Sensors and Actuators. A. 1992, v.34, p.56-65.

235. Retajczyk T.F., Sinha A.K. Elastic stiffness and thermal expansion co-effcients of various refractory silicides and silicicon nitride films // Thin Sol. Film. 1980, p.241-247.

236. Фастыковский П.П., Канчуковский О.П. Изменение высоты барьера контактов М - n Si в условиях деформации // Физика и техника полупроводников. 1990, т.24, вып.2., с.ЗЮ -313.

237. Горбацевич А.А., Парменов Ю.А., Чайка С.Н. Моделирование и расчет механических напряжений в структурах интегральных схем // Микроэлектроника. 198 9, т.18, вып.5, с.399 - 405.

238. Атомная диффузия в полупроводниках // Под ред. Д. Шоу. М.: Мир. 1975, 684с.

239. Исследование схемотехники и проектирование статических быстродействующих биполярных ИС оперативной памяти емкостью 4-16 Кбит с

временем выборки до 100 не. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 77038673. Память-11. Научн. рук. Орликовский A.A. 1978.

240. Исследование и разработка принципов построения сверхбыстродействующих ИС оперативной памяти. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 78021019. Па-мять-13. Научн. рук. Орликовский A.A. 1979.

241. Исследование и разработка схемотехники и топологии (фрагментов) БИС ОЗУ ЭСЛ-типа с термокомпенсированными логическимими уровнями с временем выборки 15-20 не. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 80021969. Память-15. Научн. рук. Орликовский A.A. 1981.

242. Исакина С.Г, Королев М.А, Шевяков В.И. ИСЭШ-структура с вертикальным р-п-р транзистором // Сб. научн. труд. МИЭТ. 1980, вып.40, с.97-102.

243. Королев М.А, Шевяков В.И. Особенности формирования высокоэффективного эмиттера обращенных транзисторных структур // Тез. докл. X Всесоюзн. конф. по микроэл. Таганрог. 1982, с.231-232.

244. Королев М.А, Шевяков В.И. Способ изготовления косого среза пластин. A.C. №950117, 1982.

245. Баринов В.В, Ковалдин Д.В, Королев М.А, Шевяков В.И. Элемент памяти. A.C. № 978328, 1982.

246. Королев М.А, Шевяков В.И. Исследование распределения плотности дефектов в кремнии со сложной диффузионной структурой // Электрон, техн. сер. 3. Микроэлектроника. 1983, с. 126-127.

247. Королев М.А, Шевяков В.И. Способ изготовления транзистора с металлическим коллектором. A.C. №1042522, 1983.

248. Орликовский, А. А, Королев М.А, Шевяков В.И. Транзистор с металлическим коллектором как функциональный быстродействующий элемент схем памяти // Тез. докл. 1У Координац. совещания. Память, М. МИЭТ. 1984, с.39-40.

-353249. Королев М.А., Райнова М.Ю., Шевяков В.И. МОП-транзистор. А.С. №1671085, 1989.

250. Лемешко С.В, Шевяков В.И. Разработка и исследование специализированных покрытий для сканирующих резистивных микроскопов // В сб материалов Всероссийского совещания по сканирующей микроскопии. Нижний Новгород. 1998, с.138-143.

251. Bykov V., Gologanov A., Shevyakov V. Test structure for the SPM tip shape deconvolution // Applied Physics. A. 1998, v.66, №1-4.

252. Bykov V., Gologanov A., Shevyakov V., Lemeshko S., Rochin V. Conductive SPM probe coatings based on Ti or W refractory compounds // Applied Physics Letters. 1998 (принята к печати).

253. Петров Г.В. Расчет времени рассасывания избыточных носителей заряда в транзисторах с коллектором Шотки // Ядерная электроника. Под ред. Т.М.Агаханяна. М.: Атомиздат. 1975, вып.4, с.86-89.

254. Коледов Л.А., Сергеев Л.Н. Метод измерения распределения примеси и дефектов в диффузионном слое // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Физические и технологические особенности полупроводниковых схем памяти. М: МИЭТ. 1977, вып.34, с 72-76.

255. Хацернов М.А. Приготовление косых срезов поверхностных слоев методом травления // Заводская лаборатория. 1972, т.38, № 7, с 823.

256. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия // Под. ред. Р. Бургера и Р. Донована. Пер. под ред. В.Н. Мордковича и Ф.П. Пресса. М.: Мир. 1969, 451 с.

257. Fair R. Optimum Low-Level Injection Efficiency of Silicon Transistors with Shallow Arsenic Emitters // IEEE Trans, on Electron. Dev. 1973, v. 20, № 7, p.642-647.

258. Лапшинов O.H., Луканов H.M. Мышьяковистый эмиттер // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. Полупроводниковые приборы и интегральные схемы. М: МИЭТ. 1976, вып.27, с.23-33.

-354259. Герасимов А.Д. и др. Об использовании постоянного электрического поля в эпитаксии кремния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1977, вып.4, с.48-55.

260. Антоненко К.И, Райнова Ю.П, Чистяков Ю.Д. Получение переходных эпитаксиальных слоев контролируемой толщины при автоэпитаксии кремния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1979, вып.1, с.71-76.

261. Гойденко П.П. и др. исследование распределения легирующих примесей в эпитаксиальных структурах со скрытыми слоями // Микроэлектроника. 1977, вып.1, с.76-86.

262. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных пленок полупроводников // В кн. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск. Наука. 1977, с.30-34.

263. Буйко Л.Д. Исследование переходных слоев тонких эпитаксиальных пленок кремния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1980, вып.З, с.70-73.

264. Александров Л.Н. Структура и свойства переходных слоев, образующихся в процессе эпитаксии полупроводников // Сборник научных трудов по микроэлектронике. Эпитаксия 11. М.: МИЭТ.1975, вып.20, с.14-42.

265. Чистяков Ю.Д. Снижение температуры основных физико-химических процессов технологии микроэлектроники как путь повышения надежности ИС // Микроэлектроника. 1980, т.9, вып.6, с.540-547.

266. Сушко C.B. и др. Эпитаксиальное осаждение кремния с применением дихлорсилана // Электроная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование. 1980, вып.6, с.26-29.

267. Патент Японии №5423792 МКИ H 01 L 21/205. 1979.

268. Lekholm A. Epitaxial growth of Silicon from dichlorsilane // J. Electrochem. Soc.1972, v.119, № 8, p.l 122-1123.

-355269. Дуткина Т.А. и др. Одновременное выращивание локально легированных областей электронной и дырочной проводимости при эпитаксиикрем-ния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1980, вып.2, с.24-28.

270. Абрамов В.К., Бухаров А.А., Герасимова О.В. Получение изолирующих р.-n переходов в эпитаксиальных слоях методом встречной диффузии со стороны подложки и поверхности эпитаксиального слоя // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1980, вып.4, с.59-60.

271. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. // М.: Сов. Радио. 1980, 424 с.

272. Герсбах Д. Биполярное запоминающее устройство емкостью 1 Кбит с произвольной выборкой и токовым управлением // Электроника. 1974, № 9, с.59-65.

273. Пат. США. № 3909807 МКИ G 11 С 11/40. 1975

274. Klein D. L. and McEuen P. L. Conducting atomic force microscopy of al-rane layers on graphite // Appl. Phys. Lett. 1995, v. 66, p.2478-2480.

275. House F et al. Imaging the local electrical propertties of metal surfaces by atomic force microscopy with conducting probes // Appl. Phys. Lett. 1996, v.69, p. 1975-1977.

276. J.Snauwaert J. et al. Minimizing the size of force- controlled contacts on silicon for carrier profiling // J. Vac. Sci. Technol. 1996, В 14, p.l513- 1517.

277. Gallo P. -J., Kulik A. J., Burnham N. A.. Electrical- conductivity SFM study of an ultrafiltration membrrane // Nanotechnology.1997, v.8, p. 10-13.

278. Бухараев А.А., Нургазизов Н.И. Сканирующая резистивная микроскопия субмикронных структур на кремнии // Тез. докл. X Всероссийского симпозиума. РЭМ-97. Черноголовка. 1997, с.45.

279. Голов Е. Ф., Михайлов Г. М, Редькин А. Н., Фиошко А. М. Зондовая нанолитография на пленках аморфного гидрогенезированного углерода //

Тез. докл. X Всероссийского симпозиума. РЭМ-97. Черноголовка. 1997, с.149.

280. Fujisava Н. and Shimizu М. Investigation of the carrent path of Pb(Zr,Ti)03 thin films an atomic force microscopy with simultaneous current measurement // Appl. Phys. Lett. 1997, v.71, p 416-418.

281. Т. Я. Косолапова. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений // М.: Металлургия. 1986, 928 с.

282. Anders S. et al. Plasma distribution of cathodic arc deposition systems // Appl. Phys. 1996, v.79, p.6785-6789.

283. Dobrzanski I. et al. Micromachined silicon bolometers as detectors of soft X-ray, ultraviolet, visible and infrared radiation // Sensors and Actuators. 1997, v. A60, p. 154-159.