Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Лапин, Владимир Григорьевич

• Лапин, Владимир Григорьевич
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Лапин, Владимир Григорьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Глубокие энергетические уровни в полевых транзисторах

1.1. Экспериментальные характеристики полевых транзисторов ФГУП НПП "Исток" с глубокими уровнями

1.2. Эффекты сильного поля и дрейф параметров полевых транзисторов из n-GaAs с барьером Шотки

1.3. Фоточувствительность арсенидгаллиевых полевых транзисторов в сильных электрических полях

1.4. Увеличение потенциального барьера на границе активный -буферный слой с использованием дельта легирования

ГЛАВА 2. Улучшение качества контактов и уменьшение чувствительности транзисторных структур к концентрации дефектов

2.1. Влияние химических обработок на характеристики барьеров

Шотки в полевых транзисторах

2.2. Использование диффузионного барьера при формировании омических контактов полевых транзисторов на арсениде галлия

2.3. Исследование полевых транзисторов на фосфиде индия

ГЛАВА 3. Полевые транзисторы со смещенным затвором.

3.1. Зависимость параметров мощного транзистора от величины смещения затвора к истоку

3.2. Зависимость параметров мощного транзистора с затвором, смещенным к истоку, от угла напыления затвора

3.3. Мощный полевой транзистор со смещенным к истоку Г-образным затвором

3.4.Определение надежности разработанных полевых транзисторов

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов»

Актуальность темы. Одной из основных задач современной электроники является улучшение характеристик полупроводниковых приборов, повышение их быстродействия, рабочих частот и увеличение выходной мощности, а также уменьшение размеров и создание монолитных интегральных схем (МИС). Несмотря на огромный прогресс в развитии элементной базы за последние годы, основными активными элементами в диапазоне частот от единиц до сотен ГГц остаются полевые транзисторы с барьером Шотки (ПТШ) на арсениде галлия, других соединениях АзВ5, и различных гетероструктурах на их основе. Полевые транзисторы термостабильны, а также имеют высокие характеристики в СВЧ диапазоне и более универсальны в части их применения по сравнению с гетеробиполярными транзисторами или различными типами диодов в ряде частотных диапазонов. Кроме того, технология ПТ позволяет формировать их одновременно с другими элементами в едином цикле изготовления МИС СВЧ.

Несмотря на огромное количество разработок в этой области и сообщений о рекордных результатах, наметился колоссальный разрыв между лабораторными исследованиями, проводимыми на уникальном, дорогостоящем и малопроизводительном оборудовании, и промышленным производством, в котором на первое место выходят не единичные уникальные результаты, а возможность массового производства, стабильность параметров, низкая стоимость, возможность изготовления на достаточно простом и дешевом оборудовании и т.д.

Именно по этим причинам на мировом рынке в основном задействована небольшая группа компаний производящих мощные полевые транзисторы и монолитные интегральные схемы на их основе.

Требования экономической независимости и национальной безопасности приводят к необходимости иметь отечественную элементную базу, параметры которой были бы сравнимы с серийными мировыми аналогами с учетом особенностей и возможностей имеющегося оборудования. Исходя из этого, специфика представленной работы заключается именно в том, что практически все разработки полевых транзисторов производились с учётом этих требований.

Вопросы расчёта, проектирования и изготовления ПТ отражены во множестве статей и научных работ, однако, ряд вопросов по стабилизации и улучшению параметров приборов при массовом производстве на серийном оборудовании до сих пор остается открытым. Влияние глубоких энергетических уровней и поверхностных состояний, проблемы формирования омических контактов, обработка поверхности и проблемы формирования барьерных контактов, а также достижение минимальной длины затвора при минимальном сопротивлении и точное его позиционирование в канале - вот неполный перечень проблем, которые необходимо решать при разработке и серийном выпуске полевых транзисторов.

Это приводит, в ряде случаев, к необходимости создания дополнительных методик, дополняющих общепринятые методы изготовления полевых транзисторов.

Цель работы - разработка способов изготовления и технологических процессов, позволяющих существенно улучшить и стабилизировать выходные параметры транзисторов.

Постановка задачи - для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- исследовалось влияние глубоких уровней на характеристики серийных полевых транзисторов;

- разрабатывался способ легирования, позволяющий минимизировать как утечки по буферному слою, так и влияние глубоких уровней на параметры транзистора;

- разрабатывался способ вжигания омических контактов, позволяющий существенно уменьшить паразитные сопротивления истока и стока транзистора и улучшить их повторяемость. Г

- исследовались процессы травления и разрабатывался метод очистки поверхности перед нанесением барьерного электрода. разрабатывался метод наклонного напыления самосовмещенных затворных электродов, позволяющий существенно стабилизировать процесс смещения затвора к истоку транзистора;

- разрабатывался метод наклонного напыления затворных электродов, позволяющий существенно уменьшить длину затвора транзистора без использования электронной литографии с соответствующим разрешением и без увеличения сопротивления металлизации затвора;

Объектом исследования служат - мощные полевые СВЧ транзисторы с большой шириной затвора.

Предметом исследования служат - структуры полевых транзисторов, методики изготовления омических и барьерных контактов.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следующие результаты:

1. Предложен способ дельта легирования буферного слоя транзистора примесью р- типа, позволяющий минимизировать как утечки по буферному слою, так и влияние глубоких уровней на параметры транзистора.

2. Разработаны методики обработки поверхности и вжигания электродов, позволяющие существенно улучшить характеристики омических и барьерных контактов.

3. Предложен и разработан метод наклонного напыления самосовмещенных затворных электродов, позволяющий существенно стабилизировать процесс смещения затвора к истоку транзистора.

4. Предложен и разработан способ наклонного напыления затворных электродов, позволяющий существенно уменьшить длину затвора транзистора без использования электронной литографии с соответствующим разрешением и без увеличения сопротивления металлизации затвора.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Дельта легирование буферного слоя полупроводниковых структур примесью р- типа позволяет на несколько порядков снизить токи утечки и уменьшить влияние глубоких уровней в буферном слое на характеристики полупроводниковых приборов.

2. Загрязнение поверхности GaAs углеродом за счет разрушения фоторезиста при проведении химических обработок перед осаждением барьера Шоттки устраняется плазмохимической очисткой в сочетании с удалением окислов в растворе соляной кислоты и аммиака.

3. Напыление диффузионного барьера LaB6 при формировании омических контактов блокирует миграцию Ga, и обратную миграцию Аи, что позволяет уменьшить переходное сопротивление в несколько раз.

4. Наклонное напыление затворных электродов, позволяет стабилизировать процесс смещения затвора к истоку транзистора и уменьшить длину затвора транзистора до размеров менее 0.15 мкм без использования литографии с соответствующим разрешением и без увеличения сопротивления металлизации затвора.

Практическая ценность работы.

Предложен способ дельта легирования буферного слоя транзистора примесью р — типа позволяющий минимизировать как утечки по буферному слою, так и влияние глубоких уровней на параметры полевых транзисторов. Разработаны методики обработки поверхности и вжигания электродов, позволяющие существенно улучшить характеристики омических и барьерных контактов (использованы при производстве серийных транзисторов). Разработаны методы наклонного напыления затворных электродов, позволяющие стабилизировать процесс смещения затвора к истоку транзистора и уменьшить длину затвора транзистора до размеров менее 0.15 мкм без использования электронной литографии с соответствующим разрешением и без увеличения сопротивления затвора.

Разработанные методы использованы при разработке параметрического ряда транзисторов (ЗП612 А,Б,В ЗП976 А,Б,В,Г,Д, «Плафон»), выпускаемых серийно. Применение этих методов позволило:

- продвинуться в диапазон 12. 18 ГГц при выходной мощности 850.700 мВт/мм при коэффициенте усиления не менее 8 дБ.

- в условиях серийного производства повысить выход годных транзисторов с 5-40% до 20-40% .

Апробация результатов работы.

Результаты работы опубликованы в материалах международных и конференций

GaAs 2000" Conference proceedings, 2nd-3rd October 2000, Paris

СВЧ- техника и телекоммуникационные технологии", «КрыМикО» 11-15 сентября 2000г., 10-14 сентября 2001г., 14-18 сентября 2009г., Севастополь,

Освоено серийное производство полевых транзисторов (ЗП612 А,Б,В ЗП976 А,Б,В,Г,Д, «Плафон»).

Публикации. По материалам работы автором опубликовано 16 печатных работ, получено 3 патента РФ.

Объём работы. Диссертация состоит из введения, трёх глав, заключения, списка литературы. Работа выполнена на 129 страницах текста, содержит 43 рисунка, 13 таблиц и список литературы из 104 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Лапин, Владимир Григорьевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Экспериментально изучены процессы захвата, возникающие в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с барьером Шотки. Показано, что в сильных электрических полях, при которых под затвором формируется статический домен вследствие проникновения электронов в область со свободными центрами захвата (буферный слой либо подложку), происходит локальная модуляция толщины канала транзистора. Этот эффект приводит к появлению зависимости крутизны и тока насыщения вольт-амперных характеристик от частоты и длительности переменного сигнала, что является причиной временного дрейфа параметров приборов.

2. Экспериментально изучены процессы захвата, возникающие в, арсенидгаллиевых полевых транзисторах с барьером Шотки. Показано, что в сильных электрических полях, при которых под затвором формируется статический домен вследствие проникновения электронов в область со свободными центрами захвата (буферный слой либо подложку), происходит локальная модуляция толщины канала транзистора. Этот эффект приводит к появлению зависимости крутизны и тока насыщения вольт-амперных характеристик от частоты и длительности переменного сигнала, что является причиной временного дрейфа параметров приборов.

3. Экспериментально исследована фоточувствительность арсенидгаллиевых полевых транзисторов в сильных электрических полях. Установлено наличие трех областей на ВАХ с разным знаком фотопроводимости. Показано, что характер фотоотклика приборов определяется не столько природой глубоких центров вблизи «-/-перехода, возбуждаемых данной подсветкой, сколько процессами формирования области сильного поля и перераспределения напряжения между ней и остальной частью прибора.

4. Для предотвращения попадания горячих электронов из канала в буферный слой и дефектов из области буферного в активный слой предложено на границе между активным и буферным слоем создать дополнительный резкий потенциальный барьер на основе специально подобранного ф — слоя. Представлены результаты демонстрирующие, что введение подобного слоя может на несколько порядков уменьшать токи утечки полупроводниковых структур.

5. Продемонстрировано, что при наличии большого количества углерода на границе раздела металл-полупроводник в ПТШ могут наблюдаться как временные неустойчивости ВАХ, так и утечки в низкотоковой области ВАХ барьеров. Показано, что при проведении химических обработок перед осаждением барьера наблюдается загрязнение поверхности GaAs углеродом в основном за счет разрушения фоторезиста, после чего ряд дополнительных операций по очистке поверхности был включен в технологические маршруты изготовления транзисторов и различных монолитных интегральных схем.,,

6. Рассмотрены свойства системы металлизации омических контактов истоков и стоков арсенидгаллиевых транзисторов с диффузионным барьером на основе гексаборида лантана ЬаВб, а также технология формирования таких контактов. Показано, что система металлизации Ni/AuGe/LaB6/Au обладает

7 О низким сопротивлением (удельное сопротивление 1 • 10" Ом • см) и стабильностью при высоких температурах (300° С). Таким образом, разработан технологический процесс формирования омических контактов ПТШ е диффузионным барьером на основе гексаборида лантана Ni/AuGe/LaB6/Au, обеспечивающий низкое контактное сопротивление и высокую термостабильность.

7. Разработана технология изготовления и созданы InP ПТ с длиной затвора 1 и 0,5 мкм, обладающие крутизной 140.150 мСм/мм и 180.190 мСм/мм соответственно. Продемонстрировано высокое качество эпитаксиальных структур на основе InP и высокое качество разработанной технологии изготовления транзистора (по сути дела продемонстрирована низкая чувствительность таких структур к наличию дефектов). Показано, что большой интерес представляет исследование материалов и гетероструктур, в которых, несмотря на не слишком высокую подвижность электронов из-за большого энергетического зазора между Г- и L-долинами и высоких пороговых полей, достигаются высокие скорости насыщения электронов.

8. Разработана оригинальная конструкция мощного полевого транзистора, позволяющая использовать наклонное напыление металлов для сдвига самосовмещенных затворов в канале к истоку транзистора.

9. Разработана оригинальная методика формирования мощного полевого транзистора, которая позволяет не только использовать угловое (наклонное) напыление металлов для сдвига самосовмещенных затворов в канале к истоку, но и существенно уменьшить длину затвора транзистора (менее 0,15 мкм при характерном разрешении аппаратуры 0,3 мкм) без увеличения его омического сопротивления, создавать так называемый Г — образный затвор.

Представленные разработки использовались как для создания ряда . серийных транзисторов (ЗП612 А,Б,В ЗП976 А,Б,В,Г,Д) на базе которых был создан ряд, гибридных и монолитных схем с параметрами сравнимыми с мировым уровнем [112-117], так и перспективных научных исследований [118119].

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Лапин, Владимир Григорьевич, 2009 год

1. А. Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.Мир. 1977.

2. М.Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.Мир. 1991

3. Vinsent G., Chantre A., Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junction// J.Appl.Phys. 1979. V.50. № 8.P. 5484-5487.

4. А.А.Кальфа, А.Б.Пашковский, А.С.Тагер Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием // Физика и техника полупроводников, 1992, Т.26, В.9, С.1574-1579.

5. H.Kasano Role of diffused Ga vacansy in the degradation of vapor-ground GaAs // J.Appl.Phys. 1978, V.49. № 9. P. 4746-4749.

6. А.Б.Пашковский, А.С.Тагер, Ю.Ю.Федоров Влияние глубоких уровней и профиля подвижности электронов на диффузионный шум в полевых транзисторах//Микроэлектроника, 1990, Т. 19, В.5. С.486-492.

7. В. van Rees, В. Leles, B.Hewitt, W.Schaff The effect of the deep levels on the large-signal performance on GaAs FET's // Inst. Phys. Conf. Ser. 1982, № 65. P. 355-358.

8. R.Wroblewski, G.Salmer, Y.Crosnier Theoretical Analysis of the DC Avalanhe Breakdown in GaAs MESFET's // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983, V.30. № 2. P. 154-159.

9. Я.Б.Мартынов, А.С.Тагер Особенности лавинного пробоя планарного полевого транзистора с затвором Шотки // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.7(411). С. 14-20.

10. W.E.Spicer, I.Lindan, P.Skeath, C.Y.Su Unified defect model and beyond // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V.17. № 5. P. 1019-1022.

11. F.Heliodore, M.Lefebvre, G.Salmer, O.L.El-Sayd Two-Dimen-sional Simulation of Submicrometer GaAs MESFET's Surface Effects and Optimization of Recesses Gate Structure // IEEE Trans. Electron. Dev. 1988. V.35. № 7. P. 824-830.

12. В.И.Босый, А.Г.Максименко, В.А.Москалюк, В.И.Тимофеев Моделирование влияния глубоких центров на шумы полевых транзисторов // Тез. докл. V Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах". Паланга. 1988. С. 54-55.

13. Механизм отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия: Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы / А. М. Нечаев, В. Ф. Синкевич, Е. И. Соколова, Н. В. Степанова. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1981. — Вып. 2(778). — С. 42.

14. Современный уровень и перспективы развития разработок полевых транзисторов на арсениде галлия. Ч. 2: Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы / В. Н. Данилин. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1979. — Вып. 8. — С. 37.

15. Егудин А. Б., Чкалова О. В., Еленский В. Г. Малошумящие СВЧ полевые транзисторы с барьером Шотки //Зарубежная радиоэлектроника. — 1980.№ ю. —С. 28—48.

16. Das М. В., Chosk Р. К. Low frequency emissions from deep levels in GaAs MESFET's // Electron left. — 1982. — Vol. 18, No 5. — P. 207—208.

17. Любченко В. E., Сонин В. С. Вольт-амперные характеристики субмикронных эпитаксиальных пленок арсенида галлия в сильных СВЧполях //Электронная техника. Сер. I, Электроника СВЧ. — 1983. — Вып. 4(352). —С. 24—25.

18. Arnold D., Fisher R., Klem J., Ponse F., Morkot H. Redaction of backgating in GaAs /AlGaAs MESFET's by optimisation of active-layer /buffer layer interface //Electron Lett. — 1984.— Vol. 20, No 9. — P. 376—377.

19. Anderson M. G. Electrical traps in GaAs microwaves FET's//Electron Lett. — 1976. — Vol. 12, No 12. — P. 297—298.

20. Kocot K., Stolte C. A. Backgating in GaAs MESFET's//IEEE Trans. Electron.

21. Dev. 1982. — Vol. ED-29, No 7. — P. 1059—1064.

22. Кальфа А. А. Аналитическая теория статического домена у затвора полевого транзистора //ЖТФ. — 1983. — Т. 53. — № 3. — С. 592—594.

23. Воробьев Ю. В., Костылев С. А., Макарова Т. В., Прохоров Е. Ф: Захват горячих электронов в структурах эпитаксиальная пленка n-GaAs — полуизолирующая подложка //ФТП. — 1984. — Т. 18. — № 10. — С., 1784—1787.

24. De Salles A. A. Optical control of GaAs MESFET's // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. — 1983. — Vol. 31, No 10. — P. 812—820.

25. Umeda Т., Cho J. Effect of incident light illumination shape on responsivity of GaAs MESFET photodetector // Jap. J. Appl. Phys. — 1985. — Vol. 24, No 5.1. P.L367—L369.

26. Vaterkonski L., Pernisek M., Berdai M. Numerical and experimental study of surface effects on GaAs planar photoconductors // Solid St. Electron. — 1984.

27. Vol. 27, No 2. — P. 207-209.

28. Photovoltaic effect of GaAs MESFET layers / G. L. Papaioannou, J. A. Kaliakatsos, P. C. Euthymiou a. o. //IEEE Proc.— 1985. — Vol. 132, No 3. — P. 167—169.

29. Тегуде Ф. И., Хейме К. Изучение глубоких уровней в слоях на подложках из полуизолирующего арсенида галлия методом полевого транзистора // Полуизолирующие соединения АЗВ5. — М.: Металлургия, 1984. — С. 210—215.

30. Shur M. S. Analytical model of GaAs MESFET's // IEEE Trans. Electron. Dev. — 1978. — Vol. 25, No 6. — P. 612—618.

31. В. Г. Лапин, Т. В. Макарова, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов Эффекты сильного поля и дрейф параметров полевых транзисторов из n-GaAs с барьером шотки Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1986, В.4(388). С. 24-27.

32. Н. Б. Горев, В. Г. Лапин, Т. В. Макарова, Е. Ф. Прохоров,А. Т. Уколов Фоточувствительность арсенидгаллиевых полевых транзисторов в сильных электрических полях Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1987, В.8(402). С. 24-27.

33. Патент РФ на полезную модель №8069 по заявке № 2008133793. Приоритет от 19.08.2008. Гетероэпитаксиальная структура для полевых транзисторов// Е.И.Голант, К.С.Журавлев, В.Г.Лапин, В.М.Лукашин, А.Б.Пашковский, Ю.Н.Свешников.

34. Денисов А.А., Доржин Г.С., Лактюшин В.Н., Садофьев Ю.Г.//Обзоры по электронной технике, Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. 1986. М. ЦНИИ "Электроника", С. 56.

35. Theis T.N., Mooney P.M., Wright S.L. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. № 4. P. 361 -364.

36. П.С.Белоусов, А.А.Кальфа, А.Р.Крюков, С.В.Матыцин, В.А.Михайлов, Пашковский А.Б. Исследование экспериментальных образцов полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием // Электрон, техн., Сер.1 Электроника СВЧ, 1990.

37. В.С.Ершов,З.А.Зайцевская, А.А.Кальфа, А.Р.Крюков, С.В.Матыцын, А.Б.Пашковский, Ю.Ю.Федоров Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием // ФТП, 1991, Т.25, В.5, С.776-782.

38. Dhar S., Hong W.-P., Bhattaharya P.K., Nashimoto Y., Juang F.-Y. A Detailed Investigation of the D-X Center and Other Trap Levels in GaAs-AlX Gal-XAs

39. Modulation-Doped Hetero-structures Grown by Molecular-Beam Epitaxy// IEEE Trans. Electron Dev. 1986. V. 33. № 5. P. 698-706.

40. Prinz V., Rechkunov S. N. Influence of a strong electrical field on carrier capture by nonradiative deep—level centres in GaAs//Phys. Stat. Sol. (b). — 1983. —Vol. 118, No 1. —P. 159—166.

41. Current limitation induced by infrared light in n-type GaAs thin layers on semi-insulating Cr-doped GaAs / K. Kitachara, K. Nakai, A. Shibatoni, S. Ohkawa // Jap. J. Appl. Phys. — 1982. — Vol. 21, No 3. — P. 513—516.

42. Influence of buffer thickness on the performance of GaAs field effect transistors prepared by molecular beam epitaxy / S. L. Su, R. E. Thorne, R. Fischer a. o. //J. Vac. Sci. and Technol. — 1982. — Vol. 21, No 4. — P. 961—964.

43. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука и У. Уиссмена. — М.: Мир, 1988.

44. Miers Т. Н. Schottky contact fabrication for GaAs MESFET's // J. Electrochem. . Soc. —1982. —Vol. 129, No 8. —P. 1795—1799.

45. Стриха В. И. Теоретические основы работы контакта металл— полупроводник. — Киев: Наук, думка, 1974.

46. Б. В. Маркин, О. С. Трифонова, В. В. Чикун, В. Г. Лапин, М. Г. Пономарева, Влияние химических обработок на характеристики барьеров Шотки в полевых транзисторах, Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1990, В. 10(434). С. 42-44.

47. Shappirio J. Diffusion barriers in advanced semiconductor device technology // Solid State Technology.— 1985. —Vol. 28,No 10. —P. 161.

48. Ogava M. Alloying behavion of Ni/AuGe films on GaAs // J. Appl. Phys. — 1980.—Vol. 51. —P. 406.

49. Remba R. D. et al. Use of a TiN barrier to improve GaAs FET ohmic contact reliability // IEEE Elect. Dev. Lett. — 1985. — Vol. EDL-68. — P. 437—438.

50. Wolters R. and Nellisen A. Properties of reactive sputtered TiW // Solid State Technol. — 1986. —Vol. 29, No 2. —P. 131 — 136.

51. Shappirio J. R., Finnegan J. J., Lux R. A. Diboride diffusion barriers, in silicon and GaAs technology // J. Vacuum Sci. Technol. В., Second Series. — 1986. — Vol. 4, No 6. —P. 1409—1415.

52. Thompson J. A., Remba R. D. Use of diffusion barriers for improved reliability GaAs FET's // J. of the Electrochemical Society. — 1987. — Vol. 134, No 12. — P. 3205—3206.

53. Crescenzi E. J., Thompson J. A. et al. Operating characteristics of 2—8 KHz GaAs MESFET amlifiers at elevated case temperatures to 200 degrees centigrade/ЛЕЕЕ MTT-s Digest. — 1987.—Vol. 2, June 9—10.—P. 837—840.

54. К. Г. Ноздрина, К. В. Дудинов, В. F. Лапин, А. В. Галанихин К. П. Петров Использование диффузионного барьера при формирований омических контактов полевых транзисторов на арсениде галлия. Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1991, В. 2(436). С. 45-47.

55. P.M.Smith, P.C.Chao, K.H.V.Duh 94 GHz transistor amplification msing an, . HEMT // Electron. Lett. 1986. V.22. № 22. P. 760-761.

56. E.A.Sovero, A.Gupta, J.A.Higgins Noise figure charecteristics of 1/2 fim gate . . - < single-heterojunction high-mobility FET's at 35 GHz // IEEE Electron. Dev.1.tt. 1986. V.7. № 3. P. 179-181.

57. U.K.Misra et. al. Microwave Performance of AlInAs GalnAs HEMT's with 0,2- and 0,1- цт Gate Length // IEEE Electron. Dev. Lett. 1988, V.9. № 12. P. 647-649.

58. P.C.Chao et. al. 94 GHz Low-Noise HEMT // Electronics Lett. 1989. V.25. № 8. P. 504-505.

59. S. С Wang, J. S. Liu, К. С Hwang, W. Kong, D. W. Tu, P. Ho, L. Mohnkern, K. Nichols, and P. С Chao, High Performance Fully Selective Double Recess

60. AlAs/InGaAs/InP HEMT's // IEEE Electron Dev. Lett. 2000, V. 21, N. 7, P. 335-337.

61. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2007. № 12. p. 2719-2725.

62. A.Cappy, B.Carnez, R.Fauquemberques, G.Salmer, E.Constant Comperative Potential Perfomance of Si, GaAs, InP, InGaAs Submicromter Gate FET's // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980.V.27. № 11. P. 2158-2160.

63. Тагер А. С. Перспективы применения фосфида индия в электронике СВЧ // Фосфид индия в полупроводниковой электронике: Тез. докл. Всесоюзн. совещания. Кишинев, 1985. - С. 5-7.

64. Кальфа А. А, Пашковский А. Б., Тагер А. С. Характеристики фосфидиндиевого полевого СВЧ-транзистора с субмикронным затвором // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ. 1986. - Вып. 3(387). -С. 42-43.

65. High speed-operation of InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors growth by cloride vapor phase epitaxy / A. Antreasyan, P. A. Garbinski, V. D. Mattera et al. // Appl. Phys. Lett. — 1987. Vol. 51, No 11-P. 1037-1039.

66. А.А.Кальфа, В.Н.Кобзаренко, М.Б.Коханюк, В.Г.Лапин, М.В.Павловский, А.Б.Пашковский, К.Г.Ноздрина, Е.В.Руссу, Исследование полевых транзисторов на фосфиде индия , Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1989, В.9(423). С. 21-24.

67. Ymai Y., Ohwada К Application of reactive-ion-beam etching to recessed-gate GaAs metall-semiconductor field-effect transistors // J. Vac. Sci. Technol. — 1987. — Vol. 5, No 4. — P. 889—893.

68. Максимова H. К., Романова И. Д., Филонов Н. Г. Особенности электрических и теплоэлектрических явлений в структурах с барьером Шотки на GaAs, имплантированном ионами кислорода // ФТП. — 1985. — Т. 19, № 1. — С. 92—95.

69. Braslau N. Alloyed ohmic contacts to GaAs // J. Vac. Sci. Technol. — 1981. — Vol. 19, No 3. — P. 803.

70. Chang С. C. et al. Transmission electron microscopy of Au-based ohmic contacts // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol. 50, No 2, Pt. 1. — P. 7030.

71. Jih-Cheng Shin et al. Summary abstract: Transmission electron microscopy studies of microstructure of AuNiGe ohmic contact to n-type GaAs // J. Vac. Sci. Technol. A. Second Series.— 1987.—Vol. 5, No 4, Pt. 11. —P. 1485— 1486.

72. Структура, топология и свойства пленочных резисторов / JI. И. Гурский, В. А. Зеленин, A. JI. Жебвин, Г. JI. Вахрин. — Минск: Наука и техника, 1987.

73. С. В. Кармазин, В. Г. Лапин Физическая модель определения сопротивлений истока и стока в полевых транзисторах с затвором Шоттки, Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.8(412). С. 24-27.

74. Davis L. Е. et al. Handbook of auger electron spectroscopy, 2nd ed // Phys. Electr. Dev., Perkin-Elmer Corp. — Minnesota, 1976.

75. Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия / С.И. Радауцан, Е. В. Руссу, Г. С. Коротченков и др. // Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. -Кишинев, Штиинца, 1982. С. 75-85.

76. Гарматин А. В. Программа моделирования методом Монте-Карло нестационарных процессов разогрева электронов электрическим полем в полупроводниках // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ. — 1985. Вып. 3(377).- С. 66-68.

77. G. С. Taylor, Yun Yong-Hoon et al. GaAs Power Field-Effect Transistors for Ku-Band Operation "RCA Review", 1981, v. 42, № 4, pp. 508-521.

78. K. Alavi et al. A very high performance, high yield, and high throughput millimeter wave power PHEMT process technology. "GaAs MANTECH, Inc.,2001.

79. Jong-Won Lim, Ho-Kyun Ahn et al. Fabrication and Characteristics of 0,12 цш Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT's Using a SiNx Pre-Passivation Layer "Sournal of the Korean Physical Society", 2006, vol. 49, Dec., pp. S774-S779.

80. X.Cao et al. Mm-wave performance of 50nm T-gate AlGaAs/InGaAs PHEMTs with fT of 200 GHz. "11-th GaAs Symposium. Munich", 2003, p. 13-15.

81. B. Hadad, I. Toledo, J. Kaplun et al. Cost Effective T-Gate Process for PHEMT-based MMIC with Large Gate Periphery. IEEE Electron Devices Lett., vol. 20, pp. 551-553, 1999.

82. T. Suemutsu, T. Ishii, H.Yokoyama et al., 30-nm gate InP-based lattice-matched high electron mobility transistors with 350 GHz cutoff frequency. "Jpn. J. Appl. Phys.", 1999, part 2, vol 38, pp. 154-156.

83. J. Udomoto et al. An 11 W Ku-band Heterostructure FET with WSi/Au T-shaped Gate "IEEE MTT-S 1995 Intern. Microwave Symposium", pp. 339-342.-,

84. Y. Hirachi and S. Kuroda Status of millimeter-wave MMIC's and their application in Japan. "GaAs 2000 Symposium. Paris", 2000, pp. 369-372.

85. L. D. Nguyen, L. E. Larson and U.K. Mishra "Ultra-high-speed modulation doped field effect transistors", Proc. IEEE, vol. 60, pp. 494-518, April 1992.

86. A. Endoh, Y.Yamashita, M. Higashiwaki, K.Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui, "High fT 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMT's",Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, p. 87-90,Williamsburg (Virginia), 2000.

87. S. Fujimoto et al. "Ku-band ultra Low Noise MMIC Amplifier Using Pseudomorphic HEMTs" Digest of Technical Paper, 1997 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, pp. 169-172.

88. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола, Перевод с английского под ред. Г.В. Петрова, М., «Радио и связь», 1988 г., стр. 118

89. Jong-Lam Lee, Jae Kyoong Mun and Haecheon Kim A new self-aligned and T-shaped gate technology for GaAs power MESFETs "Solid-State Electronics", 1998, Vol. 42, №11, pp. 2063-2068.

90. C. Huang, A. Herbig, R. Anderson Sub-Half-micron GaAs FET's for Applications Though K-Band. "IEEE 1981 Microwave Symp. Digest", pp. 2527.

91. L. D. Nguyen, A.S. Brown, M.A. Thompson and L. M. Jelloian, "50-nm self-aligned-gate pheudomorphic AlInAs/GalnAs electron mobility transistors", IEEE Trans. Electron Devices, vol. 39, pp. 2007-2014, 1992.

92. V.G. Lapin, A.M. Temnov, K.I. Petrov, V.A. Krasnik GaAs Microwave Offset Gate Self-Aligned MESFET's and their applications. "GaAs 2000 Conference proceedings, 2nd-3rd October 2000" p.314-317.

93. Патент РФ №2307424 по заявке № 2005137680/28. Приоритет от 02.12.2005. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки// В.Г.Лапин, К.И.Петров, А.М.Темнов.

94. Заявка № 2008100928. Приоритет от 09.01.2008. Положительное решение от 20.01.2009. Способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки// В.Г.Лапин, К.И.Петров, А.М.Темнов.

95. A.S. Wakita, C.-Y. Su, Н. Rohdin, H.-Y. Liu, A. Lee, J. Seeger and V. M. Robbins, "Novel high-yield trilayer resist process for 0,1 |дт T-gate fabrication", J.Vac, Sci. Technol.,B 13(6), pp. 2725-2728, 1995.

96. K.Shinohara, Y. Yamashita, K. Hikosaka et al. Ultra-short T-shaped gate fabrication technique for InP based HEMTs with high fT (>300 GHz) and their MMIC applications. "GaAs 2000 Symposium. Paris", 2000, pp. 252-255.

97. Стандарт предприятия СМП TC0.04.01СК-2009

98. ГОСТ 27.410 Надежность в технике. Методы контроля показателей надежности и планы контрольных испытаний на надежность.

99. РД 50-690-89 Методические указания. Надежность в технике. Методы оценки показателей надежности по экспериментальным данным.

100. РД 11.0929-94 Метод контроля температуры структуры изделий по собственному тепловому излучению с помощью микропирометров (ст.77).

101. Д.1.7 РД 11 336.938-83 Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.

102. Д.1.8 Методика ЭТ-361 оценки соответствия ИЭТ СВЧ требованиям ; ТЗ по минимальной наработке на этапе ОКР (ред.П, 1988г).

103. ОСТ 11 0944-96 Методы измерения теплового сопротивления транзисторов, основанные на косвенных способах измерения температуры, (раздел 5, методы 4,5,6).

104. H.F.Cooke, "Precise technique finds FET thermal resistance," Microwave & RF, pp. 85-87, Aug. 1986.

105. H. Fukui, "Thermal Resistance of GaAs Field-Effect Transistors," Intern. Electron Devices Meeting Tech. Dig., 1980, p.p. 118-121.

106. SteadyState Junction Temperatures of Semicondactor Chips. R.D. LINSTED, RJ.SURTY. IEEE Trans, on electron devices, vol.ED-19, №1, January 1972, p.p. 41-44.

107. OCT 11 0944-96. ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.

108. К.В.Дудинов, В.М.Ипполитов, А.Б.Пашковский. Оценка размеров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах с субмикронным затвором. Электронная техника.Серия 1, 2006г., стр.5-7.

109. К.В.Дудинов, В.М.Ипполитов, А.В.Климова, А.Б.Пашковский, И.В.Самсонова. Особенности тепловыделения в мощных полевых транзисторах. "Радиотехника", 2007, №3, стр.61-62.

110. ПО.П.В.Бережнова, А.Б.Пашковский, А.К.Ратникова, В.М.Лукашин. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах. Электронная техника.Серия!, СВЧ-техника, выпуск 4, 2007г., стр.21-24.

111. A.Sarua, а.о. Combined Infrared and Rsman Temperature Measurements of Device Structures. CS Mantech Conference, April 24-27, 2006. Vancouver, British Calambia, Canada, p.p 179-182.

112. Н.В.Абакумова, Ф.Е.Щербаков, О.С.Зуева, Ю.М.Богданов, В.Г.Лапин,

113. A.М.Темнов Двухканальный переключатель на ПТШ Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ Техника, 2006, В. 1(487). С. 31-36.

114. ПЗ.Бабинцев Д.В.,Королев А. Н., Климова А. В., Красник В.А., Лапин В.Г., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Язан В.Ю. Мощный твердотельный импульсный усилитель двухсантиметрового диапазона. Радиотехника №3, 2007г. Стр41-42

115. Д. В. Бабинцев, А. Н. Королёв, В. А. Красник, А. В. Климова, В. Г. Лапин,

116. B. М. Малыщик, Л. В. Манченко, В. А. Пчелин, В. Б. Трегубое, В. Ю. Язан Транзисторный импульсный усилитель с выходной мощностью 9. 11 Вт в диапазоне частот 15,9. 16,4 ГГЦ. Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ -Техника, 2007, В. 1(489). С. 25-32.

117. Ю. М. Богданов, В. Г. Лапин, А. М. Темнов, Ф. Е. Щербаков Монолитный двух-позиционный переключатель для диапазона частот 0,5.18ГГц, согласованный по всем каналам Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ -Техника, 2007, В.1(489). С. 33-37.