Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Гусейханов, Магомедбаг Кагирович

• Гусейханов, Магомедбаг Кагирович
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Гусейханов, Магомедбаг Кагирович

Введение.

I. Электрофизические свойства контактов металл-арсенид галлия.

1.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-арсенид галлия.

1.2. Явления переноса на контакте металл-арсенид галлия.

1.3. Электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия.

1.3.1. Требования к омическим контактам и контактным материалам

1.3.2. Методика исследования удельных переходных сопротивлений омических контактов.

1.3.3. Технология получения и электрофизические свойства омических контактов к арсениду галлия.

Выводы.

II. Электрофизические и отражающие свойства контактов металл-фосфид галлия.

2.1. Энергетическая диаграмма и явления переноса на контакте металл-фосфид галлия.

2.2. Расчет удельных переходных сопротивлений контактов металл-фосфид галлия.

2.3. Электрофизические свойства омических контактов к фосфиду галлия.

2.3.1. Технология нанесения контактов и выбор контактных материалов

2.3.2. Омические контакты к фосфиду галлия электронного типа проводимости.

- однослойные контакты.

- многослойные контакты.

2.3.3. Омические контакты к фосфиду галлия дырочного типа проводимости.

2.3.4. Обсуждение результатов исследований.

2.3.5. Исследование омических контактов на светодиодах.

2.3.6. Электрические свойства омических контактов.

2.3.7. Стабильность свойств контактов к фосфиду галлия.

2.3.8. Влияние радиации на сопротивления омических контактов.

2.4. Отражающие свойства омических контактов к фосфиду галлия.

2.4.1. Методика исследования отражающей способности контактов

2.4.2. Отражающая способность систем:.

1) Омические контакты.

2) Металлические покрытия.

3) Система Me - Si02 - GaP.

2.4.3. Конструкции светодиодов с отражающими покрытиями.

2.4.4. Стабильность отражающей способности контактов.

Выводы.

III. Электрофизические свойства металлических контактов к карбиду кремния и твердым растворам на его основе.

3.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-карбид кремния.

3.2. Омические контакты к карбиду кремния.

1) однокомпонентные контакты.

2) многокомпонентные контакты.

3.3. Омические контакты к твердым растворам (SiC)¡x {лт)х.

3.4. Стабильность свойств омических контактов.

3.5. Отражающая способность металлических контактов к карбиду кремния.

3.6. Общие закономерности формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам.

Выводы.

IV. Механизм формирования контактов металл-оксид цинка и их электрофизические свойства.

4.1. Формирование выпрямляющих контактов металл-оксид цинка.

4.2. Пробой поверхностно-барьерных структур.

4.3. Влияние влажности окружающей среды на свойстве выпрямляющего контакта.

4.4. Механизм образования омического контакта и его свойства.

Выводы.

V. Закономерности образования и физические свойства гете-роструктур на основе широкозонных полупроводников.

5.1. Получение и свойства гетероструктуры nGaP - ZnO.

5.2. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры nGe-ZnO.

5.3. Свойства гетероструктур на основе кремния и оксида цинка.

5.4. Некоторые свойства структуры GdS - ZnO.

5.5. Энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры

SiC - (SiC)}x (AIN)x.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников»

Актуальность темы. Научно-технический прогресс в полупроводниковой электронике и технике, долгое время определявшийся результатами всесторонних исследований элементарных полупроводников - германия и кремния, приборов на их основе, а также успешным решением большого круга функциональных и технологических задач, в свою очередь, послужил мощным толчком к поиску новых перспективных материалов и структур с новыми свойствами и возможностями применения их в микроэлектронике. Получение этих материалов и структур на их базе основывается на детальном исследовании и интерпретации их свойств. Особый интерес в этом отношении представляют широкозонные полупроводники на основе соединений АтВу, А11 ВУ1 и другие. Большие значения ширины запрещенной зоны, высокие подвижности носителей заряда, возможности получения материалов с хорошими изолирующими свойствами, благоприятные особенности зонной структуры, способность работать при высокой температуре и их большая радиационная устойчивость делают широкозонные полупроводники универсальными материалами, пригодными для применения в различных областях полупроводниковой электроники. Особенно большой интерес широкозонные полупроводники представляют в оптоэлектронике, так как они позволяют получать рекомбинационное излучение в видимой области спектра с приемлемой для практических целей эффективностью и изменять спектр излучения от инфракрасного до фиолетового света.

Изучение закономерностей формирования, физических свойств структур металл-полупроводник и гетеропереходов на основе широкозонных полупроводников представляет как практический интерес для применения их в микроэлектронике и оптоэлектронике, так и научную ценность, поскольку они способствуют разработке вопросов о природе и механизме формирования омических и барьерных контактов на широкозонных полупроводниках, о характере процессов, протекающих в гетероструктурах.

Металлические контакты, являясь важными элементами структуры микроэлектронных и оптоэлектронных приборов, работающих на сравнительно больших уровнях мощности, определяют параметры, эффективность и надежность приборов, поэтому вопросы создания низкоомных, стабильных по характеристикам омических контактов имеют не меньшее значение при конструировании приборов, чем вопросы создания р-п переходов. Данных о систематических исследованиях омических контактов к широкозонным полупроводникам в зарубежной и отечественной литературе на сегодняшний день мало, хотя в связи с бурным развитием работ в области полупроводниковой техники, электронная промышленность предъявляет растущие требования к техническим параметрам металлических контактов и вследствие,этого такие исследования являются весьма актуальными. Увеличение степени интеграции, повышение мощности, расширение частотного диапазона полупроводниковых устройств, использование новых полупроводниковых материалов и активных слоев полупроводников субмикронных размеров, а также тенденция к отказу от применения благородных и дорогостоящих материалов предъявляют более высокие требования к технологии изготовления омических контактов.

В отличие от электронно-дырочных переходов, для которых к настоящему времени достаточно строго и полно разработана теория явлений, определяющих их свойства и электрофизические характеристики, теоретические представления о механизме прохождения тока через невыпрямляющий контакт в большинстве случаев недостаточно полны и не позволяют заранее рассчитывать характеристики контактов. Имеющиеся в литературе работы по омическим контактам к широкозонным полупроводникам носят чисто прикладной характер. Причиной такого положения, тем более странного, что не-выпрямляющие контакты к полупроводникам широко использовались еще за несколько десятилетний до открытия и изготовления электронно-дырочного перехода, является многообразие явлений и факторов, определяющих свойства контактов, а также большие различия в способах их изготовления.

Наряду с общими требованиями к омическим контактам к конкретным приборам на основе широкозонных полупроводников предъявляются ряд специфических требований, связанных с особенностями работы прибора и его конструкцией. Это, например, для светодиодов - высокая отражающая способность тылового металлического контакта и малая его площадь на поверхности кристалла, с которой осуществляется вывод излучения. Приборы на основе широкозонных полупроводников работают при высоких температурах и больших плотностях тока, поэтому омические контакты к ним должны обладать стабильностью при высоких температурах.

К моменту постановки данной работы имеющиеся в литературе сведения о результатах исследования электрофизических свойств и установлению общих закономерностей процессов, происходящих на контакте металлов с широкозонными полупроводниками, такими как носили чисто прикладной характер и давали информацию лишь о величине контактного сопротивления некоторых металлических контактов, изготовленных в определенных условиях.

Недостаточность систематических исследований электрофизических свойств контактов металлов с широкозонными полупроводниками, отсутствие данных по отражающим свойствам этих контактов и изменениям, происходящим на границе металл-широкозонный полупроводник в процессе формирования контакта, а также отсутствие теоретических расчетов основных характеристик контактов, затрудняли выяснение процессов формирования омических контактов, механизмов прохождения тока через них и не позволяли целеустремленно подходить к выбору контактных материалов с заданными свойствами и их конструкции.

Большой теоретический и практический интерес представляют также исследования гетероструктур на основе широкозонных полупроводников ОаА8,ОаР^пО,8Ю с целью оценки возможностей их применения в функциональной электронике, оптоэлектронике, микроэлектронике. Такие исследования до настоящего времени не проводились, хотя значение их для выяснения механизма формирования омических контактов, создания "прозрачных" для оптического излучения невыпрямляющих металлических покрытий к полупроводникам очень велико. Особый интерес в последнее время во всем мире вызывают исследования высокотемпературных, радиационноустойчи-вых материалов, таких как карбид кремния и твердые растворы на его основе.

Таким образом, вопросы комплексного исследования влияния технологических процессов формирования на электрофизические, оптические и другие свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников представляются весьма актуальными и перспективными в электронной технике.

Диссертационная работа посвящена проблеме создания омических контактов к широкозонным полупроводникам - арсениду и фосфиду галлия, оксиду цинка, карбиду кремния и твердым растворам на его основе, изучению связи электрофизических, структурных свойств этих контактов, связанных с особенностями технологии их изготовления, исследованиям механизмов формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам. Помимо практического интереса, решение этих проблем может служить развитию теоретических представлений о закономерностях формирования структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников.

В работе реализованы различные традиционные технологические режимы нанесения металлических контактов к широкозонным полупроводникам: вакуумное напыление, электролитическое и химическое осаждение, вплавле-ние. Изучена зависимость электрофизических, структурных свойств большого количества металлов и их сплавов от технологических режимов создания контакта металл-полупроводник.

На основе исследований электрофизических свойств контактов выяснен механизм формирования поверхностно-барьерных структур на контактах металлов с арсенидом галлия, фосфидом галлия, карбидом кремния, оксидом цинка, установлены закономерности, наблюдаемые при этих процессах.

Полученные омические контакты испытаны на светодиодах. С целью увеличения внешнего квантового выхода светодиодов, проведены исследования отражающих свойств металлических покрытий и омических контактов к фосфиду галлия и карбиду кремния.

Проведены исследования по отработке технологии получения и изучению свойств гетероструктур на основе широкозонных полупроводниковых соединений СаР,2пО,8гС,СаА^у, изучены процессы, происходящие на контакте гетероструктур, оценены возможности создания широкозонного "окна" и прозрачного омического контакта на базе оксида цинка к Се, СаАБ, СаР.

Цель и задачи работы. Целью работы является разработка оптимальных технологических режимов создания низкоомных омических контактов к арсениду и фосфиду галиия, карбиду кремния, оксиду цинка и изучение закономерностей формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам. Для достижения этой цели необходимо было решение следующих задач:

1. Установление механизма формирования поверхностно-барьерных структур на арсениде галия, фосфиде галлия, карбиде кремния, оксиде цинка. Расчет высоты энергетического барьера контактов металлов с указанными полупроводниками, их контактных сопротивлений в зависимости от изменения параметров металла и полупроводника.

2. Отработка оптимальных технологических режимов получения омических контактов из различных металлов к СаАБ^аР^Ю^пО и выбор наиболее оптимальных контактных систем для создания омических контактов к этим полупроводникам.

3. Исследование электрофизических, структурных, металлографических свойств омических контактов к СаАз^аР^^^пО с целью выяснения природы омических контактов к широкозонным полупроводникам, механизма прохождения тока через них.

4. Изучение зависимости свойств омических контактов от параметров металла и полупроводника, изменения контактных характеристик в зависимости от режимов термообработки, температуры окружающей среды и условий работы прибора.

5. Испытание омических контактов к широкозонным полупроводникам на светодиодах, исследование стабильности их характеристик при работе в различных условиях.

6. Исследование отражающих свойств металлических покрытий и омических контактов к широкозонным полупроводникам и изучение влияния их на внешний квантовый выход светодиодов.

7. Получение гетероструктур на основе широкозонных полупроводников ОаР,ХпО, исследования их электрических, фотоэлектрических и люминесцентных свойств, оценка возможностей их применения в оптоэлектронике и электронной технике.

8. На основе комплексных исследований зависимости электрофизических, структурных, оптических свойств контактных структур от технологических процессов и условий работы в различных режимах выяснение механизма формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам, характера и энергетической диаграммы гетероструктур на основе ваР,2пО,$1С.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

-проведены комплексные технологические, электрофизические, структурные исследования однослойных и многослойных металлических контактных систем на основе различных металлов к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC, ZnO, (,SiC),x (AIN)X.

-установлено, что зависимость удельного переходного контактного сопротивления от температуры термообработки имеет явно выраженные минимумы для большинства контактных систем.

- определены оптимальные режимы формирования омических контактов к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC, ZnO, изготовленных методами вплавления, вакуумного напыления, электролитического и химического осаждения для различных контактных материалов.

- установлен механизм формирования выпрямляющих и омических контактов к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC, ZnO, и показан характер прохождения тока через данные контактные системы.

- проведены измерения отражающей способности металлических пленок и омических контактов к фосфиду галлия и карбиду кремния, изучено влияние отражающей способности контактов на квантовую эффективность свето-диодов. Предложены комбинированные контакты с улучшенной отражающей способностью к светодиодам из фосфида галлия и карбида кремния.

- исследована стабильность работы омических контактов при различных рабочих режимах тока, при высоких температурах, а также их радиационная устойчивость.

- проведены систематические исследования гетероструктур nGe - ZnO,nSi - ZnO,nGaP - ZnO, CdS - ZnO, SiC - (SiC)jx(AIN)x. Установлено, что структуры с элементарными полупроводниками обнаруживают фотовольтаические свойства, гетероструктуры CdS - ZnO их не обнаруживают несмотря на значительную фоточувствительность, а система СаР -ZnO наряду с фоточувствительностью обладает и электролюминесценцией;

-установлена внутренняя структура системы СаР -ZnO, определяющая ее свойства. Анализирован механизм переноса тока через гетероструктуру (SiC) - (SiC)jx (AIN)X. На основе проведенных исследований, используя параметры полупроводников, построены зонные энергетические диаграммы соответствующих гетеропереходов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Механизм формирования поверхностно-барьерных структур на широкозонных полупроводниках СаР и , основанный на определяющей роли влияния поверхностных состояний полупроводников.

2. Механизм формирования поверхностно-барьерных структур на оксиде цинка, основанный на определяющей роли адсорбции кислорода на поверхности 2п0. Способы создания выпрямляющих контактов Ме - 2пО и датчиков влажности на их основе.

3. Зависимость удельных переходных сопротивлений омических контактов от температуры последующей термообработки контактной системы. Физическое обоснование механизма этого явления.

4. Технологические режимы изготовления, механизм образования, структура омических контактов к широкозонным полупроводникам СаАя, ОаР, 57С, 2пО и характер прохождения тока через них.

5. Отражающие свойства металлических пленок и омических контактов к фосфиду галлия и карбиду кремния. Светодиод с отражающими контактами.

6. Вопросы деградации и стабильности омических контактов в различных режимах и условиях работы.

7. Результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур п0аР-2п0 и СЖ - 1пО. Физическое обоснование свойств этих гетероструктур на основе формирования в процессе осаждения О р - п перехода в ОаР и компенсированного слоя в Сс18.

8. Зависимость свойств гетероструктур - ZnO,Si - 2пО от типов и параметров подложек и технологии их создания. Установление физической природы гетероструктур и оценка перспектив их использования в оптоэлек-тронике.

9. Инжекционный механизм электролюминесценции варизонных гетеро-структур п их характеристики и энергетическая зонная диаграмма гетероструктуры.

Практическая ценность полученных результатов определяется следующим:

-Выработаны рекомендации по выбору оптимальных технологических режимов создания однослойных, многослойных, низкотемпературных и высокотемпературных омических контактов на основе различных металлов к широкозонным полупроводникам ОаА8,СаР,81С,1пО,{81С)1х{АШ)х с различной концентрацией носителей зарядов.

- Созданы выпрямляющие контакты типа барьеров Шоттки с параметром (3, близкому к идеальному к широкозонным полупроводниковым соединениям бчхР и

-Результаты исследований отражающих свойств металлических покрытий и омических контактов к СаР и £гС показали, что при надлежащем выборе контактных материалов и их конструкции вывод излучения из кристалла может быть увеличен в 1,4-1,8 раза. Разработанные контактные системы с высокой отражающей способностью к светодиодам из фосфида галлия прошли успешные промышленные испытания.

- Технология изготовления контактов с барьером Шоттки внедрена в производство, а метод измерения отражающей способности контактов металл-полупроводник передан в производство для использования при измерении коэффициентов отражения контактов.

- На основе результатов исследований свойств контактов Ме -2п0 предложен способ создания датчика влажности (АС №3456506 "Датчик влажности").

- Предложены и изготовлены фотодиоды и светодиоды на основе гетеро-структур из широкозонных полупроводниковых соединений.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на III Всесоюзном совещании по электрическим и оптическим свойствам широкозонных полупроводников (Киев, V, 1975 г.), на Всесоюзных конференциях "Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки" (Киев, 1975 г., 1980 г.), на XXVIII и XXXIX научных конференциях молодых ученых и специалистов Московского института стали и сплавов "Проблема качества металлов и сплавов" (Москва, 1974, 1975), на VIII Внутривузовской научно-технической конференции по проблемам микроэлектроники Московского института электронной техники, (Москва, I, 1976 г.), на Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку, 1978 г.) , на Всесоюзной школе-семинаре по физике поверхности полупроводников (Ленинград, Петродворец, 11-20 сентября 1979 г.), на научно-практических конференциях молодых ученых Дагестана, "Молодежь и общественный прогресс" (Махачкала, 1979 и 1981 гг.), на Всесоюзных совещаниях по терморегулирующим покрытиям (Махачкала, 1979, 1981 ), на II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982), на V Всесоюзном совещании "Физика и техническое применение полупроводников

А11 Ву (Вильнюс, XII, 1983), на XII научно-технической конференции, посвященной вопросам качества (Нальчик, 1980), научной сессии Дагестанского филиала АН СССР (Махачкала, 1985), III Всесоюзном совещании "Физика и технология широкозонных полупроводников (Махачкала, 1986), 4 Всероссийском совещании "Физика и технология широкозонных полупроводников" (Махачкала, 1993), 23-ем международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям (Санкт-Петербург, XI, 1996).

Они докладывались также на специализированных семинарах кафедры полупроводниковой электроники Московского института стали и сплавов, НИИ "Пульсар" (г. Москва), кафедры экспериментальной теоретической физики ДГУ (Махачкала), Московского института электронной техники (МИЭТ, Зеленоград), конференциях молодых ученых Дагестанского филиала АН

15

СССР (Махачкала, 1980, 1984 гг.), итоговых научных конференциях ДГУ (Махачкала, 1976-1998 гг.).

Публикации. Материалы по диссертационной работе автором опубликованы в 54 работах в центральной и республиканской печати, 21 тезисах докладов и выступлений на научных конференциях и семинарах. Приоритет разработок подтвержден авторским свидетельством.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов, списка литературы из 265 названий, включая работы автора. Объем диссертации составляет 285 страниц, включая 134 рисунков и 23 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гусейханов, Магомедбаг Кагирович

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

Обсуждение результатов исследований и выводы к ним приведены в конце соответствующих глав. Учитывая это, сформулируем наиболее общие и принципиальные положения, вытекающие из проведенных в диссертации научных исследований:

1. Показано, что к широкозонным полупроводникам ОаАБ, ОаР, 57С, 1пО с концентрацией носителей заряда более 5-1019 см"3 омический контакт можно создать, используя любой металл, независимо от высоты образующегося при этом на контакте барьера. При более низких концентрациях носителей заряда необходимо использовать металлы, образующие малые высоты барьеров с полупроводником, или провести дополнительное подлегирование прикон

1Я 1 тактной области до концентраций заряда более 5-10 см" , либо диффузией примеси, либо вводя в материалы контакта легирующие полупроводник примеси. Для создания контактов с низкими переходными сопротивлениями к широкозонным полупроводникам {СаАз, ОаР, 57С и др.) п- и р-типов проводимости необходимо провести после нанесения металла последующую термообработку контактной системы в инертной среде в оптимальном режиме.

2. Подтверждено, что на контакте металлов с широкозонными полупроводниками образуется энергетический барьер для носителей тока, высота которого в основном определяется энергетическим расположением и природой поверхностных состояний полупроводника. Сравнены теоретические выражения и экспериментальные зависимости высоты барьера систем Ме-ОаАя, Ме-ОаР, Ме-Б1С от работы выхода электрона из металла, и ширины запрещенной зоны полупроводника.

3. Созданы и исследованы выпрямляющие контакты без промежуточных диэлектрических слоев на фосфиде галлия при электролитическом и вакуумном методах нанесения никеля и алюминия. Показано, что при напылении металла в вакууме на предварительно отожженные при 300°С, нагретые в процессе напыления до 200°С пластины фосфида галлия и последующего вжигания контактов при температуре 250°С получаются выпрямляющие контакты, близкие по характеристикам к идеальным. Эта методика создания контактов использована на заводе для измерения распределения концентрации носителей заряда по площади и толщине эпитаксиальных структур с р-п пре-ходом из СаР по пробивным напряжениям и вольт-фарадным характеристикам контактов. Созданы и исследованы поверхностно-барьерные структуры типа Ш-БЮ, Сг-БгС, Мо-БЮ.

4. Показано, что при измерениях удельных переходных сопротивлений контактов необходимо учитывать влияние сопротивления растекания и особенности измерения контактного сопротивления к тонким полупроводниковым слоям. Предложен метод измерения удельного переходного сопротивления омических контактов к тонким полупроводниковым слоям с экспериментальным учетом сопротивления растекания. Данный метод позволяет учесть неоднородное распределение концентрации носителей заряда по площади полупроводниковых пластин и измерить среднее по пластине удельное переходное сопротивление омического контакта.

5. Проведены исследования электрофизических, металлографических и структурных свойств однослойных и многослойных, низкотемпературных и высокотемпературных контактных систем на основе различных металлов к арсениду галлия, фосфиду галлия, карбиду кремния и его твердым растворам электронного и дырочного типа проводимости при различных технологиях и режимах создания контактов. Определены оптимальные условия формирования омических контактов к ОаАБ, СаР, ,57С п- и р-типов проводимости, изготовленных методами вплавления, вакуумного напыления и электрохимического осаждения различных контактных материалов.

6. Показано, что для всех исследованных контактов зависимость удельного переходного сопротивления омических контактов от температуры последующей термообработки имеет явно выраженный минимум, характерный для данной контактной системы и определяемый свойствами полупроводника. Установлено, что уменьшение контактного сопротивления с увеличением температуры термообработки объясняется взаимодействием металла с полупроводником и образованием переходного слоя, а повышение рс при дальнейшем росте температуры термообработки обусловлено диссоциацией полупроводникового соединения и обратной диффузией примеси из него.

7. Показано, что перенос тока в исследованных контактах определяется в основном туннелированием носителей заряда сквозь потенциальный барьер на контакте. Формирование омического контакта к широкозонным полупроводникам ОаАБ, ваР, БЮ в большинстве случаев объясняется образованием под контактами структуры типа Ме-п+-п (Ме-р+-р) с наличием в некоторых случаях варизонной области, в которой ширина запрещенной зоны убывает к металлу.

8. Показано, что отражающая способность контактов к оптоэлектронным приборам влияет на их квантовую эффективность. Предложена методика и собрана установка для исследования отражающей способности контактов к полупроводникам, которая внедрена в производство на заводе. Исследованы отражающие способности различных металлических пленок и омических контактов к фосфиду галлия, карбиду кремния и их изменения с термообработкой контактов. Установлено, что омические контакты являются поглощающими излучение, либо слабо отражающими. Показано, что хорошей отражающей способностью обладают в красной области спектра металлические покрытия из Аи, АСи, А1, в зеленой - из Аи, Ag, 1п, а в желтой - из Аи, Ag, А1. Термообработка при 200-300°С увеличивает отражающую способность большинства металлических систем, а дальнейший рост температуры термообработки приводит к уменьшению ее. Рекомендован комбинированный контакт к светодиодам, состоящий из низкоомной омической части малой площади и металлического покрытия с высокой отражающей способностью. Они опробованы в ОКБ завода, и на экспериментальных партиях, позволили повысить внешний квантовый выход и яркость светодиодов до 1,8 раза в красной области спектра и в 1,4 раза -в зеленой.

9. Выявлены закономерности, проявляющиеся на контакте металлов с оксидными полупроводниками, на примере оксида цинка. Установлено, что формирование энергетического барьера на контакте Ме^пО определяется энергетическим расположением и плотностью поверхностных состояний, образованных адсорбированным кислородом на оксиде цинка. Показано, что для создания выпрямляющих контактов Ме-2п0 необходимо провести предварительный отжиг пленок оксида цинка на воздухе в оптимальном режиме, а для получения омических контактов необходимо предварительным отжигом в вакууме создать на поверхности оксидного полупроводника обогащенный слой. Установлено, что оптимальными режимами термообработок для контактов к оксиду цинка является выдержка при температуре 600°С в течении 20 минут.

Обнаружено, что высота барьера и дифференциальное сопротивление выпрямляющих контактов Ме-2п0 малой площади (8<10~8 м2) уменьшаются с увеличением влажности окружающей среды, а напряжение пробоя увеличивается. Это объясняется влиянием электрического поля, создаваемого полярными радикалами ОН-, на контактное поле. По результатам исследований предложен датчик влажности.

10. Изготовлены и проведены систематические исследования физических свойств гетероструктур широкозонных полупроводников СаР-1пО, СаАя-2п0, Се-2пО, Сс1$-2пО, БгС-^С)¡.Х(АШ)Х при различных внешних воздействиях и режимах работы. Установлено, что гетерострктуры, полученные осаждением слоев 2п0 на Се, СаАя и СаР р-типа проводимости обладают линейными ВАХ и могут служить как прозрачные омические контакты к ним. Объясняется это легированием их в процессе нанесения цинком и наличием граничных состояний. Изотипные гетероструктуры пСе-2пО, пЫ-ХпО, пСаР-ХпО и пС(1$-2пО обнаруживают выпрямляющие свойства, фоточувствительность, а некоторые имеют электролюминесценцию. Установлено, что большинство гетероструктур являются резкими, что позволило построить их зонные диаграммы, используя модель Андерсона.

11. Гетероструктура пСаР-2пО кроме фоточувствительности в спектральной области (0,38-0,55)мкм обладает электролюминесценцией с эффективностью (2-5)% в области ДХ=(0,62-0,75)мкм (А,тах=0,67 мкм). В спектре электролюминесценции структуры СаР-2пО при 77 К (АХ=0,55-0,72 мкм) обнаружены максимумы Хтах=0,563; 0,611; 0,645 мкм. Проведена идентификация данных полос излучения. Показано, что рекомбинационное излучение возникает на р-п переходе в СаР, образующемся в процессе нанесения пленки 2п0. Данная технология изготовления светодиодов является более простой и дешевой и представляет значительный интерес для оптоэлектроники.

Построена энергетическая зонная диаграмма варизонных гетероструктур 81С-(8Ю) 1Х(АШ)Х. Обнаружена в них эффективная инжекционная электролюминесценция.

12. Показано, что гетероструктура 81-2пО на основе высокоомного кремния характеризуется наличием поверхностных состояний и глубоких примесных уровней в его базовой области. Такая структура при прямом смещении до 12-15 В обладает свойством обратного переключения из высокоомного состояния (4 кОм) в низкоомное (500 Ом).

На границе раздела структуры Сё8-2пО формируется компенсированный кислородом высокоомный фоточувствительный слой толщиной 12-15 мкм, в

9л ^ котором концентрация ловушек N^=5-10 м" , а энергия их активации Е1=0,62 эВ.

Изготовлены фотоэлементы на основе гетероструктур пОе-2пО и п8ь 2п0 с оптическим окном из 2пО, эффективностью преобразования 1-6 %, токовой фоточувствительностью 0,2 А/Вт, вольтовой чувствительностью 10 В/Вт, спектральная область чувствительности гетероструктур Ое-2пО А^=(0,5-2,0)мкм с максимумом при Хт=1,4 мкм, для 8ь2пО Д1=(0,37-1,2)мкм и А,т=0,8 мкм. Значения коэффициента заполнения нагрузочных характеристик (а=0,3-0,4) указывают, что полученные значения КПД не предел для данных фотоэлементов.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Гусейханов, Магомедбаг Кагирович, 1999 год

1. Schottky W. //Natarwiss, 1938, - v.26, - p.843; Z. Phys., - 1939, - v.113, -p.367; Z. Phys., - 1942, - v. 118B, - p.539.

2. Bardeen J., Surface states and rectification at metal semiconductor contact. //Phys. Rev., 1947, - 71, - p.717.

3. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973. -С.300-305.

4. Henish А. К. Rectifying semicoductor contacts. Claredon Press, Oxford, 1957.- 163 p.

5. Родерик Э. X. Контакты металл-полупроводник. M.: Радио и связь, 1982.- 264 с.

6. Стриха В. И. Теоретические основы контакта металл-полупроводник. -Киев: Наукова думка, 1974. С.9-49.

7. Стриха В.И., Бузанова Е.В., Радзиевский А.И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Советское радио, 1974. - С.9-47.

8. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир, 1975. С.435.

9. Cowley A. and Sze S.M. Surface states and barrier height of metal-semiconductor systems. //J. Appl. Phys. 1965, - v. 36, - № 10. - p.3212-3220.

10. Mead C.A. //Metall-semiconductor surface barriers. //Sol. St. Electron. 1966, -№9. -p.1023.1 l.Spicer W. E., Lindau I, Skeath P, Su C.Y. //J. Vac. Sci. Techn. 1980, - v. 17. -p.1019.

11. Spicer W. E., Lindau I.,Gregory P. E., Garner С. M. Pianetta P., Chye P.V. //J. Vac. Sci. Tech. 1976, - v. 13. - p. 780.

12. Гольдберг Ю.А. Омический контакт металл-полупроводник А1ПВУ: методы создания свойства. //ФТП. 1994, Т.28, вып. 10. - С. 1681-1698.

13. Freeouf J. L., Woodall J. М. //Appl. Phys. Lett. 1982. - v.21. - p.727.

14. Woodall J. M., Freeouf J. L. //J. Vac. Sci. Techn. 1982. - v. 21. - p. 574.

15. Chang C. Y., Sze S. M. Carrier transport across metal-semiconductor barriers. //Solid state Electronics. 1970. - v. 13, № 6. - p.724-740.

16. Chang C.Y., Eang Y.K., Sze S.M. Specific contacts resistance of metal-semiconductor barriers. //Solid state Electronics. 1971. - v. 14, № 7. - p.41-550.

17. Bethe H. A. //Rep. 43/12, Massachusets Inst, of Techn., Rad. Lab. 1942. -p.47.

18. Пикус.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. M.: Наука, 1965. - 280 с.

19. Crowell C.R., Sze S.M. Electron transport in semiconductor-metal-semiconductor structures. //J. Appl. Phys. 1966. - v. 37, № 7. - p. 2683-2690.

20. Гольдберг Ю.А., Поссе E.A., Царенков Б.В. Электрические свойства поверхностно-барьерных структур Sn-nGaAs. //ФТП. 1971. - Т.5, в.37, №7. - р.468-476.

21. Padovani F. A. Solid state Electronics. 1969. - v. 12, № 4. - p.135.

22. Crowell C.R. A numerical analisys of the schottky barrier. //Solid state electronics. 1970. - v. 13, № 8. - p. 55.

23. Phoderick E.H. The physics of Schottky barriers. //J. Phys. Opt. Appl. Phys. -1970. v.3. - p.l 153-1167.

24. Гольдберг Ю.А., Наследов Д.Н., Царенков Б.В. Методика изготовления поверхностно-барьерных структур химическим осаждением металлов на поверхность полупроводника. //ПТЭ. 1971. - № 3. - С.207-209.

25. Padovani F.A. and Stratton R. Field and thermoionic-field emission in Schottky barriers. //Solid state electronics. 1966. - v.9. - p. 695-707.

26. Frank H. Ohmice kontakty na GaAs a GaP. //Electrotechnicky asp pis. 1974. -XXV. - islo 4-6.

27. Rudeout V.L. A rewiew of the theory and technology for ohmic contacts to group III-IV compund semiconductor. //Solid state electronics. 1975. - v. 18. -p.541-550.

28. Pellegrini B. A Detailed analisys of the metal-semiconductor contact. //Solid state electronics. 1974. - v. 17, № 3. - p.217-237.

29. Stratton R. Tunneling phenomena in solids. Plenum. Press. New-York. 1969. -p.123-124.

30. Yu A.Y. Electron tunneling and contacts resistance. //Solid state electronics. -1970. v. 13, № 2. - p.239-247.

31. Федотов А. Я. Основы полупроводниковых приборов. M.: 1970. - 123 с.

32. Rose Н. //Phys. Rev. 1965. - № 6. - р.1538.

33. Смит Р. Полупроводники. М.: Изд-во ИЛ. 1962. - 279 с.

34. Производство полупроводниковых приборов. /Пер. с англ. под редакцией Глебова. Д. М.: 1962. - С.56-78.

35. Куликова Е.В., Рыжиков И.В. //Электронная техника. Сер.2, "Полупроводниковые приборы". 1971. - Вып. 3(60). - С.З.37.3аддэ В.В., Зайцева А.К. Измерение переходного сопротивления контакта металл-полупроводник. //ПТЭ. 1969. - № 4. - С. 191.

36. Nougier J.P., Polland М. Metal-semiconductor contact resistivity and noise. //Solid state electronics. 1973. - v. 16. - p.l.

37. Fremeny J. Kortan J., Janouskova O. Prispevek k priprave ohmickych kontaktu na GaP typu n //Elektrotechnichy casopis. 1973. - XXXIV. - cislo 3. - c. 184187.

38. Чистяков Ю.Д., Баранов B.B., Достанко А.П. Анализ методов определения величин переходного сопротивления невыпрямляющих контактов. М.: Электроника. //Обзор по электронной техники. - 1973. - Вып. 7(173).

39. Berger Н.Н. Contacts resistance and contacts resistivity. //J. Electrochem. Soc. - 1972.-v. 119, №4.-p. 507-514.

40. Cox R.H., Strack Н. Ohmic contacts for GaAs divies. //Solid state electronics. -1967. v. 10. -p.1213-1218.

41. Нисков В.Я. Разработка методик исследования и исследование омических контактов металл-полупроводник. Дис. кандидата технич. наук. М.: МИСиС, 1970.-214 с.

42. Taylor Т.С. Used contacts to SiC. //Proceeding of the conf. on SiC. Boston, april 2-3, 1959, Perg. Press. - 1960. - № 4. - p.431.

43. Соколов Ю. В., Эленкриг Б. С. О переходных сопротивлениях невыпрямляющих контактов к полупроводниковым приборам. //ФТП. -1973.-Т. 7, вып. 3.-С.2118.

44. Каличук В.В., Кубецкий. А. и др. Метод определения металлического контакта к тонкому сильнолегированному слою полупроводника. //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. Вып.1. - С.44-50.

45. Нисков В .Я., Кубецкий. А.Г. Сопротивление омических контактов к тонким слоям полуроводников. //ФТП. 1970. - Т.4, вып.9. - С. 1806-1808.

46. Концевой А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.: Энергия. - 1973. - С.59-68.

47. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников. //Изв. ВУЗов, "Физика". 1976,. - № 6. - С.80-83.

48. Васильев И.Г., Боева Г.Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC. //Обзор по электронной технике. М.: Электроника, сер. "Полупроводниковые приборы". - 1970, вып. 19(212). -С.10.

49. Shin К.К., Blum J.M. Contact resistances of Au-Ge-Ni, Au-Ni and Al to III-V compounds. //Solid state electronics. 1972. - v. 15. - p. 1177-1180.

50. Чистяков Ю.Д., Николаев И.В., Кузнецов В.П. и др. Невыпрямляющие контакты и физико-химические процессы их формирования. М.: МИЭТ. - 1989.-С.15.

51. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия. - 1979. - 408 с.

52. Достанко А.П., Чистяков Ю.Д., Баранов В.В. Переходный слой невыпрямляющих контактов. //Обзоры по электронной технике, сер. Материалы. 1976. - Вып 14(438). - 74 с.

53. Физико-химические методы обработки поверхностей полупроводников. /Под ред. Б.Д.Луфт. М.: Радио и связь. 1982. - 136 с.

54. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. Пер. с англ. М.: Мир, 1986. - 194 с.

55. Валиев И.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981. - 304 с.

56. Тонкие пленки, взаимная диффузия и реакции. /Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Майера. Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 518 с.

57. Точицкий Э. И. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. -Минск: Наука и техника, 1976. 376 с.

58. Palmstrom С. J. Morgan D. V., Metallization for GaAs devices and circuits. //Gallium arsenide, ed. by M. J. Howes, D. V. Morgan. 1985. - p. 195-223; 253-261.

59. Robinson G. V. Shottky diodes and ohmic contacts for the III-V semiconductor. //Phys. and chem. III-V compound semiconductor interfaces. New York: Plenum Press. 1985. - p. 73-163.

60. Rideout V.L. A review of theory and technology for ohmic contacts to GaAs. //Solid state electronics. 1975. - v. 18, № 6. - p.541-550.

61. Heiblum M., Nathan M.I., Chang C.A. Characteristics of Au-Ge-Ni ohmic contacts to GaAs. //Solid state electronics. 1982. - v. 25, № 33. - p.185-195.

62. Voshll Т., Bauer C.L., Milnes A.G. Intefacial reactions between gold thin films and substrates. //Thin solid films. 1984. - v. Ill, № 2. - p. 149-166.

63. Rai A.K., Bhattacharya R.S. Aloying behavior of gold, AuGe and Au-Ge-Ni on GaAs. //Thin solid films. 1984. - v. 144, № 3. p.379-398.

64. Zeng X.F., Chung D.D. In situ X-ray diffraction study of the effects of Germainium and Nickel concentration on melting in gold-basen contacts to GaAs. //Thin solid films. 1987. - v. 147, № 2. - p. 177-192.

65. Cowley A. and Sze S. M. Surface states and barrier height of metall-semiconductor systems. //J. Appl. Phys. 1965. - v.36, № 10. - p. 3212-3220.

66. Cowley A.M., Heffner H. Gallium phosphide-gold surface barriers. //J. Appl. Phys. 1984. - № 13. -p.255-256.

67. Nannichi Y., and Person G. L. Propeties of GaP Shottky barrier diodes at elevated temperatures. //Solid state electronics. 1969. - v. 12, № 5. - p.341-348.

68. Goldberg Yu. A., Rosse E.A. Tsarenkov B.V. Ideal GaP surface-barrier diodes. //Electronic Letters. 1971. - v. 7, № 7. - p.601-602.

69. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Изергин А.П. и др. Свойства поверхностно-барьерных структур металл-GaP. //ФТП. 1972. Т.6, № 4. -С.710-714.

70. Wronski C.R. Effects of deep centers of n-type SaP Shottky barriers. //J. Appl. Phys. 1976 - v. 41, № 9. p.3805-3812.

71. Мадоян С., Гусейханов M. К., Болтовский В. В. Исследование свойств барьеров Шоттки в системе никель-фосфид галлия n-типа. //Электронная техника, сер. 2, "Полупроводниковые приборы". 1975. - Вып.9(101). -С.57-63.

72. Smith B.L. Near ideal Au-GaAp Shottky diodes. //J. Appl. Phys. 1969. - v. 40, № 11. - p.4675-4676.

73. Fastman D.E. and Freeout J.L. Relation of Shottky barriers to empty surface states on III-V semiconductors. // J. Appl. Phys. 1975. - v.34, № 26. - p. 16241627.

74. Канчуковский О.П. Влияние отжига в вакууме на структуру выпрямляющего контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. -Киев: Знание. 1975. - С.17-18.

75. Мороз А.В., Садова Н.Н., Шенкевич А.Н. Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. Киев: Знание, 1975. - С.26-27.

76. Spitzer S., Schwartz В., Kunn W. Electrical propeties of a native oxide of GaP. // J. Electrochem. Soc. 1973. - v. 120, № 5. - p. 669-672.

77. Sze S. M. and Gibbons G. Avalanche breakdown voltage of abrupt and linearly graded p-n junctions in Ge, Si, GaAs and GaP. //Appl. Phys. Letters. 1966. -v. 8, № 5. - p.111-113.

78. Cowley A.M. Depletion capasitance and diffusion potencial of GaP Shottky barrier diodes. //J. Appl. Phys. 1966. - v. 37, № 8. p.3024.

79. Crowel C.R. Metal-semiconductor surface barrier. //Solid state electronics. -1969. v. 12. - p. 55.

80. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов AInBv. -М.: Мир, 1967.-477 с.

81. Цидильковский У.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640 с.

82. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К., Болтовский В.В. Металлический контакты к фосфиду галлия. //Обзоры по электронной технике, сер. 2, "Полупроводниковые приборы". 1975. - Вып 10(328). - С.3-64.

83. Игнаткина Р.С., Мескин С.С. и др. Омические контакты фосфид галлия-металл. //ПТЭ. 1968. - № 5. - С.215-218.

84. Розов В.В., Соболев В.М. Сплавы для полупроводниковых приборов. М.: Металлургия, 1969. - 326 с.

85. Радауцан С.И., Максимов Ю.И. и др. Фосфид галлия. Кишинев: изд-во Молдов. ССР, 1969. - 280 с.

86. Formenko M.S. Handbook of thermdonic propeties. New Yourk: V., Plenum Press, Hate Division. - 1966. - p. 264.

87. Nakatsuka H., Domenico A.J., Pearson G.L. Improved ohmic contacts to n-type GaP devices. //Solid state electronics. 1971. - v. 14, № 9 - p.849-853.

88. Sulway D.V., Kyaw H., Thornton P.R. Some factors affecting the of GaP crystal lamps. //Solid state electronics. 1967. - v. 10, № 6. - p.545-553.

89. Zeidenbergs G., Anderson R. L. Si-GaP heterojunction. //Solid state electronics. 1967.-v. 10, № 2. - p.l 13-123.

90. Ильин Ю.Л., Пихтин A.H., Сорокин B.C. и др. Электрические свойства монокристаллов фосфида галлия и р-n переходы на его основе. //Изв. Ленинградского электротехнического института. 1966. - Вып.57, ч. 1. -С.138-147.

91. Гриценко А.Ф., Кулешов В.П. Термические напряжения в системе полупроводниковая пластина-металлический контакт. Электронная техника, сер. 2., "Полупроводниковые приборы". 1972. - Вып. 1. - С.27.

92. Боян С., Уэйнер Дж. Теория температурных напряжений. /Пер. с англ. -М.: Мир, 1946. р. 190.

93. Pultorak J. Kontakty eutektyczue zloto-german. //Archiwum elektrotechniki. -1960. v. 9, № 2. - p.281-303.

94. Мадоян С.Г., Гусейханов M.K., Болтовский B.B. Свойства контактов олово-фосфид галлия. //Электронная техника, сер. 2, "Полупроводниковые приборы". 1975. - Вып. 2. - С. 102-104.th

95. Chata К. К., Ogama М. Degradation of Au-Ge ohmic cintact to nGaAs. //12 Ann. Pros. Reliability Phys. 1974. - p. 278-283.

96. Brantley W.A., et. al. Gallium migration through contact metallization on GaP. //J. Electrochem. Soc. 1975. - v. 122, № 3. - p. 434-435.

97. Robinson G.Y. Metallurgical and electrical properties of alloyed Ni/Au-Ge films on n-type GaAs. //Solid state electronics. 1975. - v.18, №4 . - p. 331342.

98. Mead С.A. Ohmic contacts to semiconductors. New York: The Electrochemical Society. - 1969. - v. 116. - p. 3.

99. Cox R.H. and Hasty Т.Е. Ohmic contacts to semiconductor. New York: The Electrochemical Society. - 1969. - p. 88-101.

100. Гевондян А.Г. Исследование контактных систем на основе ванадия и алюминия для кремниевых интегральных схем: Автореферат диссертации кандидата технических наук. М.: МИСиС, 1974. - 23 с.

101. Браиловский Е.Ю., Козенко И.Д., Тартагин В.П. Дефекты в GaP, облученном электронами. //ФТП. 1975. - Т. 9. - Вып. 4 - С.769.

102. Соколов A.B. Оптические свойства металлов. М.: 1961. - 360 с.

103. Калитеевский Н.И. Волновая оптика. М.: 1971. - 86 с.

104. Головин В.А., Ульянова Э.Х. Свойства благородных металлов и сплавов. М.: Металлургия, 1964. - 184 с.

105. Ямамото, Каватура. Напыление SiO на электролюминесцентный диод из GaAs. //ТИИЭР. 1966. - Т.54, № 12. - С.381-382.

106. Патракова А.Я. Инфракрасные излучатели из GaAs. //Обзор по электронной технике. 1973. - Вып. 12(155). - 28 с.

107. Курносов А.И. Конструкция и технология изготовления полупроводниковых источников света. //Обзор по электронной технике. -1970. М. вып. 22(217). - 26 с.

108. Патракова А.Я. Твердотельные устройства для отображения информации на светодиодных матрицах. //Обзор по электронной технике. 1973. - Вып. 3(106).- 30 с.

109. Пат. Японии, № 30715/73. Кл. 99(5):4, 14.9.64; № 17864, кл. 99(5).

110. Пат. США., № 3270235. Кл. 313-1086, 21.12.61.

111. Bergh A. A., Dean P. J. Light-omitting diodes. New York: Clarendon Press. Oxford. - 1972.-p.686.

112. Hyece, Крессел, Ладанн. Перспективы светоизлучающих диодов. //Зарубежная радиоэлектроника. 1973. - № 2. - С.81-100.

113. Lidgard С., Nicklin R. and Hort P.B. Ligth-brightness yellow-light-omitting GaP diodes. //J. Appl. Phys. 1973. - v. 6. - L75-79.

114. Schumaker N. E. et. al. GaP beam lead electroluminescent diodes. //J.E.E.E, Trans, on Electr. Dev. -1971. v. ED-18, № 9. - p. 627-633.

115. Nelson D.F. and Turner E.H. Electro-optic and piezo-electric coefficients and refractive index of GaP. //J. Appl. Phys. 1968. - v.39. - p.3337.

116. Казанкин O.H. Прикладная электролюминесценция. M.: Сов. радио, 1974. 4Ю с.

117. Berg A.A., Strain R.J. A contacts for gallium phosphide electroluminescent diodes. //Ohmic contacts to semiconductor. New York: J. Electrochemical Society, 1969. -v.l 16. -p.l 15-129.

118. Bachrach B.Z., Dixon D.W. and Lorimor O.G. Hemisperical GaP: N green electroluminescent diodes. //Solid state electronics. 1973. - v. 16. - p. 10371042.

119. Permunt R., Misek J. and Kratena L. Some optical propeties of Au-Ni contacts on n-type GaP. //Phys. state sol. 1973. - v. 20. - K41-43.

120. Strain R.J., Bergh A.A., Jayson J.S. Electroluminescent diodes design. //J.E.E.E., INT., Eectron. Rev. Meeting. Washington, oct., 1968.

121. Гусейханов M.K., Мадоян С.Г., Рабаданов P.А., Алиев И.Ш. Структура омических контактов к фосфиду и арсениду галлия. //Электронная техника, сер. "Материалы". 1980. - Вып. 8. - С.115-118.

122. Гусейханов М.К. Удельное контактное сопротивление барьеров Ме-GaP. //ФТП. 1976. - Т. 10, вып. 1. - С.201.

123. Мадоян С.Г., Гусейханов М. К. Омические контакты к фосфиду галлия электронного типа проводимости. //Электронная техника, сер. "Материалы". 1976. - Вып. 5. - С. 101-104.

124. Гусейханов М.К., Мадоян С.Г., Рабаданов Р.А., Алиев И.Ш. Свойства контактов Au-Ge-Ni к фосфиду галлия. //Электронная техника, сер. 2, "Полупроводниковые приборы". 1979. - Вып. 4(130). - С.3-8.

125. Мадоян С.Г., Коган Л.М., Гусейханов М.К. Гофштейн-Гардт и др. Исследование отражающей способности металлических контактов к фосфиду галлия. //Электронная техника, сер. 2, "Полупроводниковые приборы". 1976. - Вып. 6(108). - С.83-88.

126. Waldrop J.R., Grant R.W, Wang Y.C, Davis R.F. //J. Appl. Phys. 1992. -v. 72. - p. 4757.

127. Porter L.M., Davis R.F. Bow J.S., Kim M.J. and Carpenter R.W. Characterization of contacts to n- and p-type alpha 6H-SiC(0001). //Second Inter. Confer, on high temperat. electron. Charlotte, North Caroline, J. 5-10, 1994.-v. 1. - XIII-3.

128. Glass R. C., Pallmour J. W., Davie R. F. and Porter L. M. Platimun cohmic ocntacts to Silicon Carbide, U. S. Panetnt, № 07/943,043.

129. Papanicolaou N. A., Christou A. A. and Gipe M. L. Pt and PtSix Schottky contacts to P-Sic. //J. Appl. Phys. 1989. - v. 65(9). - p.2526-3530.

130. Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J. and Carpenter R. W. Chemical and electrical mechnisms in titanium, platinum and hafnium contacts to a(6H)-SiC. //Mat. Res. Soc. Proc. 1993. - v. 282. - p. 471-477.

131. Porter L. M., Glass R. C., Davis R. F., Bow J. S., Kim M. J. and Carpenter R. W. Chemistry, microstructure and electrical propeties of interfaces between thin films titanium and ct(6H)-SiC(0001). //J. Mat. Res., 1994.

132. Tung R.T. Electron transport at metal-semiconductor interfaces: general theory. //Phys. Rev. 1981. - B45(23); p.13509-13523.

133. Saxena V., Steckl A. K., Vichare M. et. al. Temperature effects in the operation of high voltage Ni/6H-SiC Schottky rectifiers. //Second International Conf. on high temperature electronic. Charlotte, North Caroline, J. 5-10, 1996. -v.l. - VII-15.

134. Lundberg N., Tagtstrom P., Jansson U. CVD-based tungsten Carbide Schottky contacts to 6HSiC for very high temperature operation. //First European conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6-9, 1996. - p. 54.

135. Constantinidis G., Tsadaraki K., Androulidaki M. Shottky barrier contacts on reactive ion etched 6H-SiC. //First European Conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6-9, 1996. - p. 67.

136. Anghel L., Ouisse Т., Billon T. Low frequency noise in Silicon Carbide Schottky diodes. //First European Conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6-9, 1996. p. 72.

137. Ballandovich V. V., Bogachev S. V., Ilin V. A. et al. Silicon Carbide temperatire sensors. //Trans, of the Third International Tempearture Conference. USA, 1996. - p. 201.

138. Иванов П.А., Челноков B.E. Полупроводниковый карбид кремния. -технология и приборы. //ФТП. 1995. - Т.29, вып. 11.- С.1921-1940.

139. Андреев А.Н., Лебедев A.A., Растегаева М.Г. и др. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированых на основе nSiC-6H. //ФТП. 1995. - Т.29, вып. 10.-С. 1833-1843.

140. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И. Исследование контактов металл-SiC. //Письма в ЖТФ. 1988. - Т. 14. - 1742 с.

141. Санкин В.И., Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А. и др. Свойства выпрямляющих контактов на 6H-SiC. //ФТП. 1982. - Т. 16. - 1325 с.

142. Waldrop J.R. Barrier height of contact metal-silicon carbamide. //J. Appl. Phys. 1994.-v. 75.-p.4548.

143. Аникин M.M., Андреев A.A., Лебедев A.A. и др. Высота барьера систем металл-SiC. //ФТП. 1991. - Т.25. - 328 с.

144. Porter L.M., Davis R.F., Bow J.S. et. al. Characterization of contacts to 6H-SiC. //Transactions of second international high tempearture electronics conference. Charlotte, North Caroline, 1994. - v. 1. - XIII3-8.

145. Porter L.M., Davis R.F., Bow J.S. et. al. Silicon carbide and related materials. //Proceedings of Fifth Conference on silicon sarbide and related materials. USA: Institute of physics publishing, Bristol and Philadelphia, 1993. -p. 581.

146. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И., Радованова Е.И. Барьеры Шоттки на карбиде кремния. //ФТП. 1983. - Т. 17. - 1757 с.

147. Hagen S. Н., Surface barriers of contact metal-silicon carbide //J. Appl. Phys. 1968.-v. 39.-p. 1458.

148. Yoshida S.K., Sasaki E., Sakum S., Misawa and Gonda S. Schottky barrier diodes on 3C-SiC. // J. Appl. Phys. Lett. 1985. - v. 46. - p.766-788.

149. Glasov P.A. In: Springer proceeding in physics. //Sprinder Verlag, Berlin, 1989.-v. 43.-p. 16.

150. Агеева E.B. и др. Исследование поверхностных свойств карбида кремния. //Известия ЛЭТИ. 1984, вып. 338. - 26 с.

151. Шарма П.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио. - 1978. - 340 с.

152. Philipp H.R., Taft Е.А. Proc. conf. on Silicon Carbide. Boston, Pergamon Press, 1986. - № 4. - p.34.

153. Сафаралиев. Г.К., Гусейханов M. К., Исмаилова Н. П. и др. Механизм формирования поверхностно-барьерных структур металл-nSiC. //Вестник ДГУ, Естественные науки, 1997. вып.1. - стр. 9-13.

154. Enwaraye A., Smith S.R., Skowronski М. and Mitchel W.C. Observation of suraface defects in 6H-SiC wafer. //J. Appl. Phys. 1993. - v. 74. - p.5269-5271.

155. Freeont I.L., Woodall I.M. Propeties of Silicon Carbode. //J. Appl. Phys. Lett. 1981.-v. 39.-p. 727.

156. Свойства элементов: Физические свойства. //Справочник. М.: Металлургия, 1976. - 4.1. - 560 с.

157. Spices W.E., Linday I., Skeath P., Su C.Y. //J. Vac. Sci. Techn. 1980. -v.17. - p. 1019.

158. Гольдберг Ю.А., Ильина М.И., Поссе E.A., Царенков Б.В. Переход контакта полупроводник-жидкий металл от вентильного к омическому. //ФТП. 1988. - Т.22, вып. 3. - 555 с.

159. Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А., Царенков Б.В. Переход контакта полупроводник-жидкий металл от вентильного к выпрямляющему. //ФТП.- 1986.-Т.20., вып. 8.- 1510 с.

160. Adams A., Severt С., Leonard J., Liu S., Smith S. R. Ohmic contacts to 6H-SiC semiconductors. //Second international conference on high temperature electronics. Charlotte, North Caroline, J.5-10, 1994. - v. 1. - XIII-9.

161. Crofton J., McMullin P. J., Williams J. R., Bozack M. J. A high temperature ohmic contacts to n-type 6H-SiC using Ni. //Second international confer, on high temperature electronics. Charlotte, North California, J.5-10, 1994. - v. 1.- XIII-15.

162. Porter L.M., Davis R. Issues and status of ohmic contacts for p-type silicon carbide. //Second international confer, on high temperature electronics. -Charlotte, North California, J.5-10, 1994. v. 1. - XIII-3.

163. Liu S., Reinhardt K., Severt C. et. al. Long-thermal stability of Ni/C2/W ohmic contacts on n-type SiC. //Second international confer, on high temperature electronics. Charlotte, North California, J.5-10, 1994. - v. 1. -XIII-9.

164. Crofton J. et. al. Metallization studies on epitaxial 6H-SiC. //Springer Proc. in Phys. 1992. - v. 71. - p.176-182.

165. Alok D.B., Baliga B.J., McLarty P.K. Low contact resistivity ohmic contacts to 6H-silicon carbide. //IEDM Technical Digest, IEDM. 1993. - p. 691-694.

166. Anikin M. M., Rastegaeva M. G., Surkin A. L. and Chuiko. Ohmic contacts to silicon carbide devices, in G. 1. Harries. //Ill, Springer Proceedings in Physics, Berlin: Springer, 1992. v. 56. - p. 183-189.

167. Cho N.J., Hwang C.S., Bang W. and Kim H. J. Effect of reaction products in monocrystalline (3-SiC/metal contact on contact resistivity. //Silicon carbide and related materials. Washington. - 1996. - p. 376.

168. Crofton J.P., Barness J.R., Williams J.R. Contacts resistance measurement on p-type 6H-SiC. //J. Appl. Phys. Lett. 1993. - v. 62(4). - p. 384-386.

169. Dmitriev V.A., Irvin K., Spenser M. Low resistivity («10"5Q cm2) ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated usig cubic silicon carbide contact layr. //J. Appl. Phys. Lett. 1994. - v. 64(3). - p. 318.

170. Edmond J. A., Ryu J., Glass J. T. and Davis R.F., Electrical contacts to beta silicon carbide thin films. //J. Electrochem. Soc. 1988. - v. 135. - p. 359-362.

171. Glass R.C., Palmour J.W., Davis R.F. and Poster L. M. Method of forming ohmic contacts to p-type wide bandgap semiconductor and resulting ohmic contact sturcture. //U.S. Patent № 5.323.022.

172. Glass R.C., Spellman L.M. and Davis R.F. Low energy Ion-assisted deposition of titanium nitride ohmic contacts on alpha (6H)-silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1991. - v. 59. - p.2868-2870.

173. Glass R.C., Spellman L.M., Tanaka S. and Davis R.F. Chemical and structural analyses of the titanium nitride/alpha (6H)-silicon carbide interface. //J. Vac. Sci. Techn. 1992. - v.10. - p.1625-1630.

174. Terry L.E. and Wilson R.W. Metallization systems for silicon integrated circuits. //Proc. of IEEE. 1969. - v. 5(9). - p.1580-1586.

175. Petit J.B., Neudeck P.G., Salupo C.S., Larkin D.J. and Powell J.A. Metal conatcts to n- and p-type 6H-SiC: electrical characteristics and high temperature stability in silicon carbide and related materials. Washington. -1996.-p. 376.

176. Porter L.M. and Davis R.F. A critical review of ohmic and rectifying contacts for silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1970. - v.41(2). - p.83-105.

177. Shier J.S. Ohmic contacts to silicon carbide. //J. Appl. Phys. Lett. 1970. -v.41(2). - p.771-773.

178. Spieb L., Nennewitz O., Wershart H. et. al. Aluminium implantation of p-SiC for ohmic contacts, First European conference on SiC and related materials. Greece, oct. 6-9, 1996. - p. 55.

179. Pecz В., Radnoczi G., Vinoze G. Tem study of Ni and Ni2Si ohmic contacts to SiC. //First European conference on SiC and related materials. Greece, oct.6-9, 1996. - p. 58.

180. Rastegaev V.D., Reshanov S., Andreev A.N., Rastegaeva M. Models for high temperature SiC-metal contacts resistance investigation. //Trans, of the third international high temperature conference. USA, 1996. - p. 149.

181. Andreev A.N., Rastegaeva M.G., Mokhov E.N., Sankin V.I. Influence of n-6H-SiC doping level on specific assistance on Ni-based ohmic contacts. //Тезисы докладов международного семинара. Новгород, 1997. - 33 с.

182. Andreev A.N., Rastegaeva M.G., Babanin A.I., Savkina N.S. The fabrication and investigation of silicon-contaning ohmic contacts to p-6H-SiC. //Тезисы докладов международного семинара. Новгород, 1997. - 36 с.

183. Andreev A.N., Rastegaeva M.G. Electricial characteristics of Al-Ti ohmic contacts to p-6H-SiC. //Тезисы докладов международного семинара, Новгород. 1997. - 37 с.

184. Растегаева М.Г., Андреев А.Н., Бабанин А.И. Факторы ответственные за образование омических контактов на основе никеля к 6H-S1C. Тезисы докладов международного семинара. Новгород. - 1997. - 38 с.

185. Barens P.A. Contacts to compound semiconductor at elevated temperatures. //Second international conference on high temperature electronics. Charlotte, North Carolina, J.5-10, 1996. - v. 1. - p.47.

186. Phoderick E.H., Williams R.H. Metal-semiconductor contacts. //Second edition, Clarendon Press, 1987. p. 170.

187. Crofton J., Barnes P. A. A comparison of one two and three band calculation of contact resistance for GaAs cintact usin the WKB approximation and numerical solution of the Schrodinger Equation. //J. Appl. Phys. Lett. 1991. -v.69. - p.7660-7764.

188. Liu S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J. Persented at workshop on high temperature. //Power electrinocs for vehicles. Fort Monmounth, MJ, USA, apr. 26-27, 1995

189. Liu S., Reinhardt K., Severt C. and Scofield J. Long term termal stability of Ni/Cr/W ohmic contacts to nSiC. //6th Intl. Conf. on SiC and related Materials. -Kyoto, Japan, sept. 18-21, 1995.

190. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин A.H., Разбегаева и др. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов. //Письма в ЖТФ. 1986. - Т. 12, № 7. - С. 1043-1045.

191. Берг А.А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1979. - 550 с.

192. Гусейханов М.К., Сафаралиев Г.К., Исабекова И.Т., Исмаилова Н.П. Свойства контактов на основе никеля к карбиду кремния. //Известия ВУЗов (Северокавказский регион), сер. Естественные науки, 1997., № 4, стр. 41-44.

193. Гольдберг Ю.А., Львова Т.В., Хашева Р.В., Царенков Б.В. Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник-металл от ширины запрещенной зоны полупроводника. //ФТП. - 1988. - Т.22, вып. 9. -С.1712-1713.

194. Гусейханов М.К., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Магомедов А.Г. Омические контакты к (SiC)ix(AlN)x. //Письма в ЖТФ. 1996. - Вып. 12. -С.75-78.

195. Pugh J.H., Williams R.S. Entropy-driven loss of gas phase group V species. //J. Mater. Res. 1986. - v.l. - p.343-351.

196. Комашко В.А., Масловский Ф.Н., Туз В.Ф. Невыпрямляющие контакты к арсениду галлия. //Электронная техника. 1972, № 1. - 61 с.

197. Peter A., Barnes I. Contacts to compaund semiconductor at elevated temperature. //Second International conference on high temperature electronics.- Charlotte, North Carolina, J.5-10, 1994. v. 2. - p.86.

198. Рабаданов P.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка. /Диссертация доктора физ.-мат. наук. Махачкала, 1997. - 363 с.

199. Морисон С.Г. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Энергия. - 1980. - 488 с.

200. Eisele К., Schulz М. Metal-semiconductor junctions related to deposition of thin films. //J. Vacuum. 1977. - v. 27, № 3. - p. 118-188.

201. Mead C.A. Surface barriers ZnSe and ZnO. //J. Appl. Phys. Lett. 1965. -v.18, № 3. - p.218.

202. Nevill R.C., Mead C.A. Surface barriers on zinc oxide. //J. Appl. Phys. -1970. v. 41, № 9. - p.3795-3800.

203. Robert K., Swank. Surface propeties of II-VII compaund. //Phys. Rev.1967. v. 153, № 3. - p.884-849.

204. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. M.: Наука, 1974.- 280 с.

205. Gopel W., Brillson L.J., Brucker C.F. Surface point defects and Shottky barriers formation on ZnO(lOlO). //J. Vac. Sci. and Techn. 1980. - v.17, № 5.- p.894-898.

206. Кирьяшкина З.И., Свердлова A.M., Прохожева M.B. Исследование ВАХ пленочных структур Me-ZnO-Me. //Сборник "Физика полупроводников и полупроводниковая электроника". Изд-во Саратовского университета.1968.-Вып. 2.-С. 57-61.

207. Меапаге К., Meshard A.G. Surface barrier on zinc oxide. //Physics state solid.- 1969.-v. 32. p.159-162.

208. Рабаданов P.A., Семилетов С.А., Шаихов Д.А. Анализ условий осаждения ориентированных пленок окиси цинка из газовой фазы. //Сборник "Прикладная физики твердого тела". Махачкала. - 1972. -С.82-87.

209. Болтакс В.И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-418 с.

210. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.-406 с.

211. Poll J.L. Physics of semiconductors. New-York: McGrow-Hill Book, 1964. - p.270.

212. Рабаданов P.A., Гусейханов M.K., Алиев И.Ш., Семилетов С.А. Свойства контактов металл-окись цинка. //Изв. ВУЗов, сер. Физика. -1981. Т.6. - С.72-75.

213. Эфендиев А.З., Рабаданов P.A., Гусейханов М.К., Алиев И.Ш. Исследование пробоя поверхностно-барьерных структур на окиси цинка. //Сборник "Пробой диэлектриков и полупроводников". Махачкала: Изд-во Дагестанского госуд. университета, 1980. - С.85-92.

214. Лешенко В.И., Степко И.И. Влияние адсорбции на поверхностные заряды и проводимость полупроводников. //Изв. АН СССР, сер. физич. -1952.-Т.21,№ 2.-С.211-217.

215. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. - 400 стр.

216. Авторское свидетельство. Датчик влажности. Рабаданов P.A., Гусейханов М.К., Алиев И.Ш., Эфендиев А.З. С. № 071100, заявл. 23.06.82., не подлежит опубликованию в открытой печати.

217. Рабаданов P.A., Семилетов С.А., Магомедов З.А. Структура и и свойства монокристаллических слоев ZnO. //ФТТ. 1970, № 12. - 1431 с.

218. Семилетов С.А., Рабаданов P.A. Эпитаксиальные слои ZnO на Ge и GaAs. //Кристаллография. 1972. - Т. 18, №2. - С.434-435.

219. Рабаданов P.A., Семилетов С.А., Гусейханов М.К., Алиев И.Ш., Абдусаламов Г.А. Эпитаксиальные пленки ZnO на GaP и некоторые свойства структур на их основе. //Кристаллография. 1981. - Т.26. - вып.З. - С.645-646.

220. Белоглазов A.B., Биндеман Р., Грачев В.М. и др. О структуре спектров излучения в GaP, связанной с примесными комплексами Zn-O и Cd-O. //ФТП. 1969. Т.З, №11. - С.1608-1611.

221. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир, 1973. - С.35.

222. Коган М.П., Ландсман Я.И., Чернов Я.И. Фотоэлектрические свойства р-n переходов на основе диффузионных монокристаллических слоев GaP. //ФТП. 1967. Т.1, №9. - С.1335-1441.

223. Рабаданов P.A., Гусейханов М.К., Алиев И.Ш. Электрические и оптические свойства систем ZnO-GaAs, ZnO-GaP. //Тезисы докл. респуб. симп. по физич. свойствам полупроводников. Баку: 30-31 октября. 1978. -50 с.

224. Рабаданов P.A., Гусейханов М.К., Алиев И.Ш. Получение и свойства гетероструктур nZnO-nGaP. //Изв. СКНЦ ВШ, сер: естественные науки. -1980. №4. - С.47-50.

225. Рабаданов P.A., Семилетов С.А., Багомадова A.M. Свойства монокристаллических слоев ZnO. //Кристаллография. 1974. Т. 19, №4. -С.850-853.

226. Рабаданов P.A., Семилетов С.А., Багомадова A.M. Электрические свойства монокристаллических слоев окиси цинка. //Микроэлектроника. -1974. Т.З. Вып.2. С.171-175.

227. Riben A.R., Feucht D.L., Electronical transport in nGe-pGaAs heterojunctions //Internot. J.Electron. 1966. - v.20, №6. - p.583-599.

228. Muller R.S., Zulleeg R., Vapour-deposited thin-film heterojunction diodes //J. Appl. Phes. 1964. v.35, №5. - p. 1550-1556.

229. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. - 104 с.

230. Баранский П.И., Клочков В.П. Полупроводниковая электроника. Киев: Наука думка, 1975. - 704 с.

231. Алиев И.Ш., Рабаданов Р.А., Гусейханов М.К. Электрические и фотовольтаические свойства гетероструктуы Ge-nZnO. ФТП. - 1985. -Т. 19. - вып.З. - 561 с.

232. Noyar P.S., Gatalano A., Zinc phosphide Zinc gxide heterojunctions solar cells //J. Appl. Phys. Lett. - 1981. - v.39, №1. - p. 105-107.

233. Mandel G., Morechead F.F., Wagner P.R., Selfkompensation limited conductivity in binary semicon-ductors //Phys. Rev., A. - 1964. - v. 136, №3. -p.826-832.

234. Pauwels H.Y., Analysis and evaluation of isotupe heterojunction solar cells //Solid state Electron. 1979. - v.22, №11.- p.988-990.

235. Ребров С.А. Физические процессы в резких гетеропереходах ZnTe-InP /Сб. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев.: Штинца, 1980.-С.44-53.

236. Физика поверхности полупроводников. //Сборник статей. Пер. под. ред. Г.Е.Пикуса. М.: ИЛ, 1950. 424 с.

237. Anderson R.L. Experiments on the heterojunctions Ge-GaAs //Solid state electron. 1962. - v.5. - p.341-346.

238. Laar Y.Van, Scheer Y.Y. Inflience of band bending on photoelectric emision from silicon single crystals //Philips Res. Reports. 1962. - v.7, №2. - p. 101104.

239. Swank R.K. Surface properties of compounds A2B6 //Phys. Rev. 1967. -v.153. - p.844-849.

240. Федотов Я.А. и др. Электрические свойства гетеропереходов на основе полупроводников А3В5; А2В6 и Si-Si02. //Обзор на интерн, конф. физич. хим. полупроводников. Budarst: Hung. Acad Sciences., 1979. - p.8.

241. Anderson R.L. Germanium-gallium arsenide heterojunctions. //IBM J. Res. Develop. 1960. - №4. - p.283-287.

242. Сандаевский В.П., Стафеев В.И. Инжекция в полупроводники с глуюикими уровнями примесей //ФТТб 1964. Т.6, №1. С.80-91.

243. Lou L/F/ Current-voltage characteristics of Zn0-Bi203 heterojunction //J Appl. Phys. 1979. - v.50, №2. - p.555-558.

244. Федотов Я.А., Сукалов B.A., Мануйлова Г.П. и др. Отрицательное сопротивление гетеропереходов pZnTe-nCdSe, pZnTe-nCdS, pZnTe-nCdSxSei-x. //ФТП. 1971. - T.5, №9. - C.1784-1789.

245. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1978. - 672 с.

246. Генцов И., Герман К. Фотоэлектрические явления М: Мир, 1980.208 с.

247. Рабаданов Р.А., Алиев И.Ш., Гусейханов М.К. Получение и свойства гетероструктуры nSi-nZnO. //ФТП, 1982. Т. 16, вып.11. С.2065-2068.

248. Рабаданов Р.А., Алиев И.Ш., Гусейханов М.К. Фотоэлектрические свойства гетероспереходов Si-n+ZnO. //Тезисы докл. на II республ. конф. фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 7-9 сентября. 1982. Киев: Наука думка, 1982. С.198.

249. Рабаданов Р.А., Алиев И.Ш., Гусейханов М.К. Свойства гетероструктуры на основе высоомного кремния и окиси цинка //Изв. СКНЦ ВШ сер: естественные науки. 1983. - №3. - С.63-64.

250. Сенокосов Э.А., Усатый А.Н. Монокристаллические пленочные гетеропереходы ZnTe-CdTe. //ФТП. 1978. - Т.12, №5. - С.973-977.

251. Полупроводники. Под. ред. Н.Б.Хеннея М.: ИЛ, 1962. - С.269-279.

252. Алиев И.Ш., Гусейханов М.К., Абдусаламов Г.А. Свойства гетеропереходов CdS-ZnO. //Тезисы докл. на II республиканской конфер. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 7-9 сентября. 1982. Киев: Наука думка. С. 15-16.

253. Сафаралиев Г.К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния. Диссертация доктора физ.-мат. наук. Баку, 1988. - 332 с.

254. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М: Советское радио, 1976. - 102 с.

255. Офицерова Н.В., Курбанов М.К. и др. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SiC)jx(AlN)x //Изв. РАН. Неорганические материалы. 1992. - Т.28, №9. -С.2011.

256. Аникин М.М., Лебедев A.A., Попов И.В. и др. Электрические свойства 6H-SÍC структур с резким р-n переходом. //ФТП. 1987. Т.22, вып.1. -С.133-136.

257. Веренчиков Р.Г., Водаков Ю.А., Лейвин Д.П. и др. Электрофизические характеристики бН-SiC р-n переходов с эпитаксиальным р+(А1)-слоев //ФТП. 1982. - Т. 16, вып. 11. - С.2029-2032.

258. Константинов А.О., Литвин Д.П., Санкин В.И. Резкие структурно-совершенные карбид-кремниевые р-n переходы //Письма в ЖТФ. 1981. -Т.7, вып.21. - С.1335-1337.

259. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений: Справочник /под ред. Т.Я.Косолаповой. М: Металлургия, 1986. - 928 с.

260. Справочник по электротехническим материалам. /Под ред. Ю.В.Корицкого. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - Т.З. - 728 с.

261. Андреева Т.В., Горячев Ю.М. //Порошковая металлургия. 1981, №3. -73 с.

262. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

263. ВАХ вольт - амперная характеристика ;

264. ВФХ вольт - фарадная характеристика ;р-п переход электронно-дырочный переход;

265. КТР (а) коэффициент термического расширения, град.

266. АЕё, Е^ ширина запрещённой зоны полупроводника (эВ); фе - высота потенциального барьера на контакте металл-полупроводник, (эВ);ф т работа выхода электрона из металла (эВ);фв0 высота потенциального барьера без учета сил зеркального изображения (эВ);

267. Ет максимальная напряженность электрического поля (В/см);1. ширина области пространственного заряда (мкм);

268. Лвнеш " внешний квантовый выход светодиода;

269. Л внут " внутренний квантовый выход светодиода;т). коэффициент инъекции;1. Л,