Самоорганизация многослойных металлургических структур для контактных систем суб-100 нм КМОП ИС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат физико-математических наук Хорин, Иван Анатольевич

• Хорин, Иван Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хорин, Иван Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПРОЦЕССЫ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ И БАРЬЕРНЫХ СЛОЕВ В СИСТЕМАХ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ УБИС.

1.1. Многоуровневые системы металлизации в технологии УБИС.

1.1.1. Системы многоуровневой металлизации на основе А1 и Си

1.1.2. Контактные и барьерные слои в многослойных системах металлизации.

1.2. Контактные слои для суб-200 нм технологии.

1.2.1. Самосовмещенный силицидный процесс формирования контактных слоев TiSi2 в системах многоуровневой металлизации УБИС.

1.2.2. "Салицидный" процесс формирования контактных слоев TiSi2 с предаморфизационной имплантацией.

1.2.3. Формирование TiSi2 в системе Ti-TM-Si, где ТМ-Та, Мо, 24 W, Nb.

1.2.4. Процесс формирования контактных слоев TiSi2 на основе поверхностно-диффузионных реакций взаимодействия сплава TiSix с Si подложкой.

1.2.5. CoSi2 в качестве материала контактных слоев в системах многоуровневой металлизации УБИС.

1.3. Контактные слои для суб-100 нм технологии на основе NiSi.

1.4. Барьерные слои для систем многоуровневой А1 металлизации.

1.4.1 Барьерные слои TiN.

1.4.2. Барьерные слои на основе тройных аморфных соединений

1.5. Барьерные слои для систем многоуровневой Си металлиза

1.5.1. Барьерные слои на основе Ti, W и Та.

1.5.2. Барьерные слои на основе аморфных соединений TiB2.

1.5.3. Тройные аморфные соединения для контактных систем медной металлизации.

1.6 Процессы фазового расслоения в открытых многокомпонентных системах.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Формирование многослойных металлических структур.

2.1.1. Структуры TiSi2/Si, CoSi2/Si, полученные методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме, для исследования особенностей формирования границ раздела силицид/кремний.

2.1.2. Формирование структур Co-N/Ti/Si методом реактивного магнетронного распыления для исследования процессов взаимодействия Со с Ti/Si.

2.1.3. Формирование структур Ti-Co/Si, Ti-Co-N/Si, Ti-Co-N-Si/Si для исследования объемных твердофазных и поверхностно-диффузионных реакций взаимодействия многокомпонентных металлических сплавов с Si подложкой.

2.1.4. Формирование структур Ti-Co-N/Ti/Si, Ti-Co-N/TiN/Si, Ti-Co-N/CoSi2/Si для исследования влияния различных промежуточных слоев на фазовое расслоение в системе Ti-Co-N/Si.

2.1.5. Формирование образцов при магнетронном распылении сплавов Ti-Co и Ti-Co-Si в атмосфере азота при температуре подложки -600-700 °С на структуру CoSix/Si(l 00).

2.1.6. Формирование структур Ti-Ni-N/Si, Ta-Ni-N/Si для исследования процессов фазового расслоения.

2.2. Методы исследования структур.

2.2.1. Вторичная ионная масс-спектрометрия.

2.2.2. Резерфордовское обратное рассеяние для исследования состава слоев многослойных структур.

2.2.3. Просвечивающая электронная микроскопия.

ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРНЫХ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА ДИСИЛИЦИДОВ ТИТАНА И КОБАЛЬТА НА Si(100) И Si(l 11).

3.1. Технология формирования планарных границ раздела TiSi2/Si.

3.2. Формирование границ раздела силицид полублагородного металла/Si.

3.3. Влияние примесей на границе раздела Co/Si на процессы си-лицидообразования.

3.4. Рост эпитаксиальных слоев CoSi2 в системах Со/тугоплавкий металл/SiC 100).

3.5. Модель фазообразования в системе Co/Ti/Si при объемных твердофазных и поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия Со с Ti/Si.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 4. ПРОЦЕССЫ ФОРМИРОВАНИЯ ДВУХСЛОЙНЫХ СТРУКТУР ПРИ ФАЗОВОМ РАССЛОЕНИИ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ.

4.1. Процессы фазообразования при взаимодействии биметаллических сплавов и двухслойных металлических структур с Si подлож кой.

4.2. Фазовое расслоение в системе Ti-Co-N/Si при объемных твердофазных реакциях взаимодействия металлов с кремнием.

4.3. Поверхностно-диффузионные реакции взаимодействия сплаbob Ti-Co, Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N с Si подложкой при реактивном маг-нетронном сораспылении.

4.4. Влияние азота на фазовое расслоение в системах Ti-Co-N/CoSix/Si(100) и Ti-Co-Si-N/CoSix/Si(100) при осаждении металлов на нагретые подложки.

4.5. Модель фазового расслоения при поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия Co-N с Ti/Si.

4.6. Поверхностно-диффузионные реакции взаимодействия сплавов Ti-Ni-N и Ta-Ni-N с Si подложкой при электронно-лучевом со-испарении металлов в атмосфере азота.

4.7. Электрофизические исследования образцов с фазовым расслоением.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 5. ПРОЦЕСС САМОСОВМЕЩЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТНОГО И БАРЬЕРНОГО СЛОЕВ В ЕДИНОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМ ЦИКЛЕ.

5.1. Фазообразование в системах Ti-Co-N/Si и Ti-Co-N/Si02 при быстрых термических отжигах.

5.2. Формирование пленок со структурным и фазовым контрастом на Si и Si02 при поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия сплава Ti-Co-Si-N с подложкой.

5.3. Плазмохимическое травление металлических слоев.

5.4. Разработка кластеросовместимого процесса формирования контактного CoSi2 и барьерного TiN слоев для систем многоуровневой металлизации УБИС.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Самоорганизация многослойных металлургических структур для контактных систем суб-100 нм КМОП ИС»

Системы многоуровневой металлизации УБИС представляют собой сложную структуру чередующихся планарных металлических и диэлектрических слоев. Обычно такая система включает в себя несколько функционально различных металлических слоев: контактный, барьерный, локальные межсоединения, вертикальные проводники, высокопроводящий слой. С усложнением технологии изготовления ИС, увеличивается число уровней металлизации, сегодня оно достигает 6-7, повышаются требования к чистоте и характеристикам используемых материалов и методам их формирования.

По мере уменьшения размеров элементов ИС задержки на межсоединениях, обычно определяемые как RC задержки, становятся наиболее важным фактором, определяющим характеристики ИС. Уменьшение RC задержек свя зано как с улучшением свойств используемых материалов и методов их формирования, так и с улучшением архитектуры межсоединений.

Обеспечить минимальные контактные сопротивления металла к n+-Si, р+-Si и поли-Si должны омические контакты. В современных ИС в качестве омических контактов обычно используются слои силицидов TiSi2 и CoSi2. Некоторые зарубежные фирмы анонсировали внедрение к 2005 году контактных слоев на основе NiSi.

Барьерные слои служат препятствием к межслойному взаимодействию и диффузии материала из верхних проводящих слоев в кремний. Обычно это сплавы тугоплавких металлов и их нитриды, Ti:W, TiN. Однако с внедрением в качестве материала проводящего слоя меди возникла необходимость в поиске новых материалов для барьерных слоев. Поэтому началось активное исследование нового класса материалов - тройных аморфных сплавов типа TM-Si-N, где ТМ - тугоплавкий металл.

Оценивая тенденции и перспективы развития микроэлектроники, можно с уверенностью предположить, что с переходом в глубокосубмикронную область размеров элементов, основными станут низкотемпературные методы формирования диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев в сверхчистых условиях, обеспечивающие минимальный уровень примесей и дефектности и совместимые с кластерными технологическими системами. В этой связи важными являются поиск и исследование методов синтеза тонких пленок и многослойных структур, на основе которых могут быть созданы низкотемпературные процессы формирования функционально различных проводящих слоев для технологии микроэлектроники.

В работе проведен систематический анализ технологических процессов и материалов, применяющихся для изготовления контактных и барьерных слоев в технологии многоуровневой металлизации УБИС. Обсуждаются возможности и перспективы применения технологических процессов, позволяющих снизить температуры формирования металлических слоев для систем многоуровневой металлизации УБИС. Предлагается метод формирования контактных систем, основанный на использовании процессов самоформирования силицидного контактного и нитридного барьерного слоев. При этом под термином "самоформирование" подразумевается самосовмещенное формирование полезной двухслойной структуры за счет пространственной самоорганизации компонентов, участвующих в реакции.

Целью настоящей работы является: исследование процессов фазообразования сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N при осаждении пленок на нагретые Si подложки методами электронно-лучевого соиспарения и реактивного магнетронного распыления; экспериментальное определение параметров процесса формирования двухслойных структур TiN/CoSi2/Si, сформированных в режиме фазового расслоения при реактивном магнетронном сораспылении Ti и Со в атмосфере азота на нагретые Si подложки; разработка самосовмещенного процесса одновременного формирования контактного и барьерного слоев для суб-100 нм КМОП ИС с использованием процесса самоформирования многокомпонентных сплавов на Si подложках; разработка кластеросовместимого процесса формирования контактного CoSi2 и барьерного TiN слоев для систем многоуровневой металлизации УБИС.

В соответствии с поставленной целью необходимо было решить следующие основные задачи:

1. Провести анализ используемых материалов и процессов формирования контактных и барьерных слоев для систем многоуровневой металлизации УБИС.

2. Исследовать особенности формирования планарных границ раздела TiSi2/Si и CoSi2/Si при электронно-лучевом и магнетронном осаждении металла и кремния на нагретые до температуры реакции Si подложки.

3. Исследовать процессы фазообразования в системе Co/Ti/Si при объемных твердофазных и поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия Со со структурой Ti/Si(100).

4. Исследовать кристаллизацию металлических слоев при фазовом расслоении сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N в процессах электронно-лучевого соиспарения и реактивного магнетронного сораспыления на нагретые до температуры реакции Si подложки.

5. Исследовать процессы фазообразования структурно- и фазовораз-личных пленок при осаждении сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N на нагретые Si и Si02/Si подложки.

6. Определить технологические параметры процесса формирования двухслойной контактной системы при осаждении сплавов Ti-Co-N на нагретые Si подложки.

7. Предложить кластеросовместимую технологию формирования системы контактный/барьерный слои для многоуровневой металлизации УБИС.

Научная новизна.

1. Впервые показано, что при поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N с нагретой Si подложкой происходит перераспределение компонентов, приводящее к образованию слоя силицида за счет диффузии полублагородных металлов (Со или Ni) в подложку и формированию устойчивых соединений - нитрида, интерметалли-да или, при высокой температуре, силицида тугоплавкого металла на поверхности структуры.

2. Предложена феноменологическая модель фазообразования в системе Co/Ti/Si при объемных твердофазных и поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия Со с Ti/Si, объясняющая влияние тонкого диффузионно-барьерного слоя, расположенного на границе раздела Co-Si, на характер диффузии атомов Со через этот слой в Si подложку, процесс зарождения и последовательность образования силицидных фаз.

3. Экспериментально определены условия формирования планарных границ раздела пленка/подложка для силицидов тугоплавких и полублагородных металлов при электронно-лучевом соиспарении металла и кремния в высоком вакууме на нагретые (Тп:=600-700оС) Si(100) подложки.

4. Впервые показана возможность самосовмещенного формирования контактного CoSi2 и барьерного TiN слоев для систем многоуровневой металлизации УБИС в едином технологическом цикле за счет процесса самоорганизации при осаждении многокомпонентного сплава Ti-Co-N на нагретую до температуры Тп~700 °С Si подложку и формирования структурно- и фазоворазличных пленок на Si и Si02.

5. Впервые предложен кластеросовместимый технологический процесс самосовмещенного формирования контактной структуры TiN/CoSi2/Si для систем многоуровневой металлизации КМОП УБИС, основанный на фазовом расслоении многокомпонентного сплава при его осаждении на нагретые Si подложки и селективном плазмохимическом травлении сплава на Si02 относительно двухслойной структуры TiN/CoSi2 на Si.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в установлении параметров самосовмещенного одновременного формирования контактного и барьерного слоев для суб-100 нм КМОП ИС. Продемонстрирована возможность управления свойствами формируемых структур при осаждении сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N методами электронно-лучевого соиспарения и реактивном магнетронного сораспыления на Si подложки в достаточно широком диапазоне технологических параметров. Показана возможность формирования эпитаксиальных слоев CoSi2 с планарными границами раздела на подложках Si(100) методом реактивного магнетронного распыления Со на структуру Ti/Si. Предложены способы решения задачи оптимизации процесса формирования контактной системы TiN/CoSi2/Si для установок кластерного типа.

Положения, выносимые на защиту:

1. Формирование границ раздела TiSi2/Si и CoSi2/Si при осаждении металла и кремния на нагретые Si подложки определяется ориентацией подложки, наличием остаточных примесей на поверхности кремния, способностью металла раскислять поверхность, температурой подложки и характером взаимной диффузии металла и кремния.

2. При магнетронном распылении Со в атмосфере азота на структуру Ti/Si(100), нагретую до температур Т~600-700°С, определяющее воздействие на характер диффузии Со в подложку, скорость зародышеобразование и последовательность роста силицидных фаз оказывает толщина слоя TiSix, образовавшегося за счет диффузии Si из подложки в пленку Ti.

3. Получение двухслойной структуры TiN/CoSi2/Si в результате объемных твердофазных реакциях взаимодействия сплава Ti-Co-N с Si подложкой происходит при температуре отжига не ниже Т~900°С. Самосовмещенное формирование системы барьерный/контактный слои в современных системах многоуровневой металлизации УБИС должно проходить при температурах не выше 700°С, т.к. активное взаимодействие сплава Ti-Co-N с Si02 при температурах более 700°С приводит к образованию трудноудалимых проводящих окислов.

4. Осаждение сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N на нагретую до температуры реакции Si подложку методами реактивного магнетронно-го сораспыления или электронно-лучевого соиспарения приводит к различному механизму диффузионного взаимодействия компонентов осаждаемых сплавов с подложкой. Полублагородный металл Со или Ni диффундирует в подложку с образованием силицида, а тугоплавкий металл Ti или Та остается на поверхности, где образует устойчивое соединение: нитрид, интерметаллид или, при высокой температуре, силицид.

5. При осаждении сплавов Ti-Co, Ti-Co-Si, Ti-Ni, Ta-Ni на нагретую Si подложку в атмосфере азота фазовое расслоение в системе не происходит при достижении минимального порогового значения концентрации азота в составе осаждаемого сплава. В этом случае образуется устойчивое при температурах 700-800°С интерметаллическое соединение, однородное по составу на всей толщине пленки.

6. Наличие на поверхности Si подложки тонкого слоя Ti, TiN или CoSi2, осажденного "in situ" перед распылением сплава Ti-Co-N, по-разному сказывается на процессе фазового расслоения в системе. Слой Ti и TiN толщиной 20 нм практически полностью блокирует диффузию Со из верхнего слоя в подложку. Слой CoSi2 толщиной 20 нм не препятствует диффузии Со из верхнего слоя в Si подложку. Однако при этом наблюдается глубокая диффузия Со, то есть не происходит формирования сплошного слоя CoSi2 на границе пленка/подложка.

7. Осаждение пленок Ti-Co-N на Si и Si02/Si подложки в диапазоне температур 600-700°С, при скоростях осаждения 0.1-0.15 нм/с, за счет самоорганизации многокомпонентного сплава на кремнии приводит к формированию фазово- и структурноразличных слоев на Si и Si02, что является определяющим для селективного травления сплава на Si02 относительно двухслойной структуры TiN/CoSi2 на Si.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 171 страницу машинописного текста, включая 35 рисунка, 7 таблиц и список литературы из 203 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Хорин, Иван Анатольевич

ВЫВОДЫ

1. Методы самоформирования многокомпонентных систем при поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия могут применяться для создания систем металлизации в глубокосубмикронном диапазоне размеров элементов ИС (<0.2 мкм).

2. Использование твердофазных реакций взаимодействия не позволяет применять фазовое расслоение в многокомпонентных системах для самосовмещенного формирования барьерного и контактного слоев на кремнии из-за слишком высокой температуры формирования двухслойной структуры, что приводит к взаимодействию сплава на Si02 и образованию трудно удалимых соединений.

3. При осаждении сплава Ti-Co-N на подложках Si и Si02 формируются структурно- и фазово-различные пленки, что является основополагающим фактором для самосовмещенной технологии формирования контактного CoSi2 и барьерного TiN слоев в системах многоуровневой металлизации УБИС.

В заключение диссертационной работы можно сделать следующие выводы:

1. Формирование планарных границ раздела TiSi2/Si и CoSi2/Si определяется ориентацией подложки, наличием окисного слоя на поверхности кремния, способностью металла раскислять поверхность и характером взаимной диффузии металла и кремния. Микровключения на границе раздела TiSi2/Si при одновременном осаждении Ti и Si на нагретые Si подложки, приводящие к формированию непланарных границ, образуются за счет диффузии атомов металла вглубь подложки по дефектам. При формировании дисилицида кобальта не происходит раскисления поверхности и вытеснения кислорода из растущей пленки на поверхность пленки. Поэтому для получения планарных границ раздела CoSi2/Si(100) необходимо полное удаление окисных пленок перед нанесением кобальта. Тонкие слои раскисляющих элементов на границе раздела CoSi2/Si (например, титана) также позволяют формировать планарные границы раздела. Рост линейных и пирамидальных включений фазы CoSi2 при осаждении Со на нагретую Si(100) подложку, проникающих в подложку на глубину до 100 нм вдоль направления <111>, связан с эволюцией ступенек и террас на поверхности Si во время отжига.

2. Предложена феноменологическая модель, объясняющая характер силицидообразования в системе Co/Ti/Si(l 00) при объемных твердофазных и поверхностно-диффузионных реакциях взаимодействия Со со структурой Ti/Si(100). При нагреве структуры Ti/Si до температуры -650700 °С происходит формирование на поверхности тонкого слоя TiSix, толщина которого оказывает определяющее воздействие на характер диффузии Со в подложку, скорость зародышеобразование и последовательность роста силицидных фаз.

3. Исследование объемных твердофазных реакций взаимодействия сплава Ti-Co-N с подложкой Si(100) и подложкой Si(100), покрытой тонким слоем Si02, показало, что формирование структуры TiN/CoSi2/Si происходит при температуре отжига ~900°С. При той же температуре отжига происходит взаимодействие сплава Ti-Co-N с Si02, что не позволяет использовать процесс на основе объемных твердофазных реакций взаимодействия для самосовмещенного формирования системы барьерный/контактный слои в современных системах многоуровневой металлизации У БИС.

4. Исследованы процессы фазообразования при осаждении сплавов Ti-Co-N, Ti-Co-Si-N, Ti-Ni-N, Ta-Ni-N на нагретые Si подложки методами электронно-лучевого соиспарения и реактивного магнетронного со-распыления. Показано, что в этих системах происходит перераспределение компонентов со следующими тенденциями. Полублагородный металл Со или Ni диффундирует в подложку с образованием силицида, тугоплавкий металл Ti или Та остается на поверхности, где образует устойчивое соединение: нитрид, интерметаллид или, при высокой температуре, силицид.

5. Существует минимальное пороговое значение концентрации азота при осаждении сплавов Ti-Co, Ti-Co-Si, Ti-Ni, Ta-Ni на нагретую Si подложку в атмосфере азота, при достижении которого фазовое расслоение в системе не происходит. В этом случае образуется устойчивое при температурах 700-800°С интерметаллическое соединение, однородное по составу на всей толщине пленки.

6. Наличие на поверхности Si подложки тонких слоев Ti, TiN или CoSi2, осажденного "in situ" перед распылением сплава Ti-Co-N, по-разному сказывается на процессе фазового расслоения в системе. Слой Ti и TiN толщиной 20 нм практически полностью блокирует диффузию Со из

149

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю д.ф-м.н., проф. Васильеву А.Г. за помощь и поддержку при выполнении работы, директору ФТИАН академику Валиеву К.А. и заместителю директора ФТИАН по научной работе, зав. лабораторией МССП Член-корр. РАН Орликовскому А.А. за постоянное внимание к работе. Автор выражает признательность всему коллективу лаборатории МССП за создание творческой деловой атмосферы в процессе выполнения работы, а также с.н.с. ИКАН к.ф.-м.н. Васильеву A.JI. за помощь в проведении электронно-микроскопических исследований и сотруднику НИИЯФ МГУ Захарову Р.А. за помощь в проведении исследований методом резерфордовского обратного рассеяния.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хорин, Иван Анатольевич, 2002 год

1. Т. Ohmi, Т. Saito, Т. Shibata. Room temperature cooper metallization for ultralarge-scale integrated circuits by a low kinetik-energy particle process// Appl. Phys. Lett. V.52 (1988) №26 P.2236-2238.

2. N. Urbansky, D. Burmeister, C. Wenzel, K. Melzer. Copper metallized test structure// Microelectron. Eng. V.33 (1997) P. 157-163.

3. H. Helneder, H. Korner, A. Mitchell, M. Schwerd , U. Seidel. Comparison of copper damascene and aluminum RIE metallization in BICMOS technology// Microelectron. Eng. V.55 (2001) P.257-268.

4. M.M. Moslehi, A. Paranjpe, L. Velo, T.M Omstead. Copper Metallization Technology for ULSI Chip Interconnects// Semicond. Fabtech. -9th Edition P.235-239.

5. S.P. Murarka. Advanced materials for future interconnections of the future need strategy//Microelectron. Eng. V.37/38 (1997) P.29-37.

6. R. Liu, C.-S. Pai, E. Martinez. Interconnect technology trend for microelectronics// Solid-State Electronics V.43 (1999) P. 1003-1009.

7. A. Sabbadini, F. Cazzaniga, T. Marangon. Influence of TiSi2 formation temperature on film thermal stability// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P. 159164.

8. R.J. Nemanich, H. Jeon, C.A. Sukow, J.W. Honeycutt, G.A. Rozgonyi. Nucleation and morphology of TiSi2 on Si// Mater. Res. Soc. Syrnp. Proc. V.260 (1992) P.195-206.

9. R.W. Mann, C.A. Racine, R.S. Bass. Nucleation, transformation and agglomeration of C54 phase titanium disilicide// Mater. Res. Soc. Syrup. Proc. V.224 (1991) P.l 15.

10. J.-Y. Huang, S.-T. Wu. Influence of interfacial oxide on self-alignment silicide process// Jpn. J. Appl. Phys. V.37 (1998) P.6085-6089.

11. J. Engqvist, U. Jansson, J. Lu, J.-O. Carlsson. C49/C54 phase transformation during chemical vapor deposition of TiSi2// J. Vac. Sci. Technol. A V.12 (1994) №1 P.161-168.

12. S.M. Lee, E.T. Ada, H. Lee, J. Kulik, J.W. Rabalais. Growth of Ti and TiSi2 films on Si(lll) by low energy Ti+ beam deposition/ Surface Science V.453 (2000) P. 159-170.

13. S.M. Lee, E.T. Ada, H. Lee, D. Marton, J.W. Rabalais. Kinetic energy dependence of TiSi2 film growth from low energy Ti+ ion beams// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В V.157 (1999) P.220-225.

14. D. Maury, P. Gayet, J.L. Regolini. Further study on selective TiSi2 deposition by CVD/ Microelectron. Eng. V.37/38 (1997) P.435-440.

15. R.P. Southwell, E.G. Seebauer. Kinetics of TiSi2 formation and Silicon Consumption during chemical vapor deposition// J. Electrochem. Soc. V.144 (1997) №6 P.2122-2137.

16. J.-S. Maa, B. Ulrich, S.T. Hsu, G. Stecker. Selective deposition of TiSi2 on ultra-thin silicon-on-insulator (SOI) wafers// Thin Solid Films V.332 (1998) P.412-417.

17. J.A. Kittl, Q.Z. Hong. Self-aligned Ti and Co silicides for high performance sub-0.18 mm CMOS technologies// Thin Solid Films V.320 (1998) P.l 10121.

18. M.E. Alperin, T.C. Hollaway, R.A. Haken, C.D. Gosmeyer, R.V. Karnaugh, W.D. Parmantie. Development of the self-aligned titanium silicide process for VLSI applications// IEEE Trans. Electron Devices ED-32 V.141 (1985).

19. R.W. Mann, L.A. Clevenger, P.D. Agnello, F.R. White. Silicides and local interconnections for high-performance VLSI applications// IBM J. Res. Dev. V.39 (1995) №4 P.403-417.

20. S.P. Murarka. Self-aligned silicides or metals for very large scale integrated circuit applications// J. Vac. Sci. Technol. В V.4 (1986) №6 P.1325-1331.

21. C. Jimenez, J. Perez-Rigueiro, L. Vazquez, M. Fernandez, R. Perez-Casero, J.M. Martinez-Duart. Influence of the initial nitrogen content in titanium films on the nitridation and silicidation processes// Thin Solid Films V.305 (1997) №1-2 P.185-190.

22. H.J.W. van Houtum, I.J.M.M. Raaijmakers, T.J. Menting. Influence of grain size on the transformation temperature of C49 TiSi2 to C54 TiSi2// J. Appl. Phys. V.61 (1987) P.3116—3118.

23. W.-K. Wan, S.-T. Wu. The formation of TiSi2 by RTA processing// Thin Solid Films V.298 (1997) №1-2 P.62-65.

24. Z. Ma, L.H. Allen, D.D.J. Allman. Microstructural aspects and mechanism of the C49-to-C54 polymorphic transformation in titanium silicide// J. Appl. Phys. V.77 (1995) P.4384-4388.

25. H. Tanaka, N. Hirashita, R. Sinclair. Kinetic Analysis of the C49-to-C54 phase transformation in TiSi2 thin films by in situ observation// Jpn. J. Appl. Phys. V.37 (1998) P.4284-4287.

26. G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, D.R. Bowler, R.E. Tanner, G.A.D. Briggs, R.S. Williams. Titanium disilicide nanostructures: two phases and their surfaces// Surface Science V.431 (1999) P. 116-127.

27. R. Beyers, R. Sinclair. Metastable phase formation in titanium silicon thin films// J. Appl. Phys. V.57 (1985) P.5240.

28. L.F. Mattheiss, J.C. Hensel. Electronic structure of TiSi2// Phys. Rev. В V.39 (1989) P.7754.

29. Y. Dao, A.M. Edwards, D.E. Sayers, R.J. Nemanich. Local structural studies of TiSi2 and ZrSi2 thin films on Si(lll) surfaces// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. V.320 (1994) P.367.

30. H. Jeon, C.A. Sukow, J.W. Honeycutt, G.A. Rozgonyi, R.J. Nemanich. Morphology and phase stability of TiSi2 on Si// J. Appl. Phys. V.71 (1992) P.4269.

31. B. Chenevier, O. Chaix-Pluchery, I. Matko, R. Madar, F. La Via. Structural investigations of the C49-C54 transformation in TiSi2// Microelectron. Eng. V.55 (2001) P.115-122.

32. Y.L. Corcoran, A.H. King, N. de Lanerolle, B. Kim. Grain boundary diffusion and growth of titanium silicide layers on silicon// J. Electr. Mater. V.19. (1990) № 11 P.l 177-1183.

33. J.A. Kittl, W.T. Shiau, Q.Z. Hong, D. Miles. Salicides: materials, scaling and manufacturability issues for future integrated circuits (invited)// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P.87-101.

34. S. Quilici, F. Meinardi, A. Sabbadini. Micro-Raman analysis of the effects of post-silicidation thermal treatments on C54 TiSi2 formation in confined areas// Solid State Communications V.109 (1999) P. 141-143.

35. E. Gerritsen, M.-T. Basso, B. Bay lac. Pre-alloying implants with indium as an enabling technology to extend titanium salicide towards 0.1-mm linewidths// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P.l 17-123.

36. К. Ikeda, Н. Tomita, S. Komiya, Т. Nakamura. C49-TiSi2 epitaxial orientation dependence of C49-to-C54 phase transformation rate// Thin Solid Films V.330 (1998) P.206-210.

37. K. Tai, M. Okihara, M. Kageyama, Y. Harada, H. Onoda. Effect of prea-morphization implantation on C54-TiSi2 formation in salicideed narrow lines// J. Appl. Phys. V.85 (1996) № 6 P.3132-3138.

38. S. Privitera, S. Quilici, F. La Via, C. Spinella, F. Meinardi, E. Rimini. Kinetics of the C49-C54 transformation by micro-Raman imaging// Microelectron. Eng. 55 (2001) 109-114.

39. J.-U. Bae, D.K. Sohn, J.-S. Park, B.H. Lee, C.H. Han, J.W. Park. Effect of Pre-amorphization on polycrystalline silicon on agglomeration of TiSi2 in sub-quarter micron Si lines/ J. Appl. Phys. V.86 (1999) №9 P.4943-4948.

40. J. A. Kittl, M. A. Gribelyuk, S.B.Samavedam. Mechanism of low temperature C54 TiSi2 formation bypassing C49 TiSi2: Effect of Si microstructure and Mo impurities on the Ti-Si reaction path// Appl. Phys. Lett. V.73 (1998) №7 P.900-902.

41. M.A. Gribelyuka, J. A. Kittl, S.B. Samavedam. Effect of Mo doping on accelerated growth of C-54 TiSi2: Evidence for template mechanism// J. Appl. Phys. V.86 (1999) №.5 P.2571-2575.

42. A. Mouroux, S.-L. Zhang, W. Kaplan, S. Nygren, M. Ostling, C. S. Peters-son. Enhanced formation of the C54 phase of TiSi2 by an interposed layer of molybdenum// Appl. Phys. Lett.V. 69 (1996) №7 P.975 977.

43. S. L. Cheng, H. Y. Huang, Y. C. Peng, L. J. Chen, B. Y. Tsui, C. J. Tsai, S. S. Guo, Y. R. Yang, J. T. Lin. Formation of TiSi2 thin films on stressed (001) Si substrates// Applied Surface Science V.142 (1999) P.295- 299.

44. A. Mouroux, W. Kaplan, S.-L. Zhang, S. Peterson. Advances in the formation of C54-TiSi2 with an interposed refractory metal layer: some properties// Microelectron. Eng. V.37/38 (1997) P.449-454.

45. A. Mouroux, S.-L. Zhang, C. S. Petersson. Enhancement of the formation of the C54 phase of TiSi2 through the introduction of an interposed layer of tantalum// Physical Review В 1997 V. 56, № 16 P. 10614-10620

46. S. Wei, M. Setton, J. Van der Spiegel, J. Santiago. The influence of an interposed titanium thin film on the formation of tungsten silicide// J. Appl. Phys. 61, 1987, N4, p. 1429-1434.

47. W. Kaplan, A. Mouroux, S.-L. Zhang, C.S. Peterson. A self-alined silicide technilogy with Mo/Ti bilayer system/ Microelectron. Eng. 37/38 (1997) P. 461466.

48. K.A. Валиев, А.Г. Васильев, A.JI. Васильев, А.А. Головин, P.M. Имамов, Н.А. Киселев, А.А. Орликовский, А.Э. Седельников. Структура и свойства пленок TiSi2 и границы раздела TiSi/Si2. Труды ФТИАН т.2, М. «Наука», 1991, с.22-38.

49. К.А. Валиев, А.Г. Васильев, А.Л. Васильев, Н.А. Киселев, О.И. Лебедев, А.А. Орликовский. Исследование структурно-различных пленок TiSix на Si и Si02, полученных в едином технологическом цикле// Труды ФТИАН, т.5, 1993, с.69-83.

50. А.Г. Васильев, A.JI. Васильев, Н.А. Киселев, О.И. Лебедев, А.А. Ор-ликовский. Электронная микроскопия высокого разрешения границ раздела силицидов титана на Si и Si02// Известия АН СССР, серия физическая. 1991, т.55, №8, с. 1483-1486.

51. К.А. Валиев, А.Г. Васильев, А.А. Орликовский, Силициды в технологии контактов и межсоединений УБИС. Труды ФТИАН, т. 10, 1996, с.3-40

52. К.А. Valiev, A.G. Vasiliev, A.L. Vasiliev, A.L. Golovin, R.M. Imamov, N.A. Kiselev, A.A. Orlikovsky. Structure and properties of TiSi2 films on Si obtained by Ti and Si coevaporation in high vacuum// Vacuum, 1991, vol.42, N 18, pp. 1191-1201.

53. L. Frey, I.V. Kasko, M.A. Kononov, O.I. Lebedev, H. Ryssel, A.G. Vasiliev, A.A. Orlikovsky. Self-aligned silicidation by magnetron co-sputtering of TiSix thin films// Materials for advanced metallization, MAM-95, Germany, 1995, p.31-32.

54. S.L. Antonov, A.E. Sedenikov, A.G. Vasiliev, A.A. Orlikovsky. Titanium disilicide films for metallization of VLSI circuit connections// Proc. Of the Inst. Of general Phys. Ac. Of Sciences of the USSR vol.8 -ed. By T.M.Makhviladze, 1989, p. 173-185.

55. K. Maex. CoSi2: an attractive alternative to TiSi2// Semicond. Int. 18 (1995)75-78.

56. J.F. Liu, J.Y. Feng, J. Zhu. Growth of epitaxial CoSi2 films on Si(100) substrates through direct solid phase reaction between crystalline Co films and Si substrates// Journal of Crystal Growth 218 (2000) 272-276.

57. J.F. Liu, J.Y. Feng, B. Li, J. Zhu. Study on the solid state reaction between crystalline Co film and Si(l 1 1) substrate// Journal of Crystal Growth 209 (2000) 795-800.

58. J. Shi, T. Irie, F. Takahashi, M. Hashimoto. Growth of CoSi2 films on Si (100) substrates by a two-step method// Thin Solid Films 375, 2000, p. 37-41.

59. H.S. Rhee, T.W. Jang, B.T. Ahn. Epitaxial growth of a (100) CoSi2 layer from carbonic cobalt films deposited on (100) Si substrate using an organometal-lic source// Appl. Phys. Lett. 74, 1999, №7 p. 1003-1005.

60. S. Teichert, M. Falke, H. Giesler, G. Beddies, H.-J. Hinneberg, G. Lippert, J. Griesche, H.J. Osten. Silicide reaction of Co with Si0.999C0.001// Solid-State Electronics 43 (1999) 1051-1054.

61. H.S. Rhee, B.T. Ahn, D.K. Sohn. Growth behavior and thermal stability of epitaxial CoSi2 layer from cobalt-carbon films on (100) Si substrate// J. Appl. Phys., Vol. 86, No. 6, 15 September 1999 P. 3452-3459.

62. Y. Hayashi, Y. Matsuoka, H. Ikeda, S. Zaima,Y. Yasuda. Effects of initial surface states on formation processes of epitaxial CoSi2 (100) on Si(100)/ Thin Solid Films 343-344 (1999) 562-566.

63. C.W.T. Bulle-Liewma, A.H. van Ommen, J. Hornstra, C.N.M. Aussems. Observation and analysis of epitaxial growth of CoSi2 on (100) Si// J. Appl. Phys. 71, 1992, N5, p. 2211-2223.

64. V. Buschmann, M. Rodewald, H. Fuess, G. Van Tendeloo, C. Schaffer. Hetero-epitaxial growth of CoSi2 thin films on Si(l 0 0): template effects and epitaxial orientations// Journal of Crystal Growth 191 (1998) 430-438.

65. Y. Hayashi, M. Yoshinaga, H. Ikeda, S. Zaima, Y. Yasuda. Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces// Surface Science 438 (1999) 116-122.

66. B. Meyer, U. Gottlieb, O. Laborde, H. Yang, J.C. Lasjaunias, A. Sulpice, R. Madar. Some electronic properties of single crystalline NiSi// Microelectron. Eng. 37/38 (1997) P. 523-527.

67. R. Т. Tung, A. F. J. Levi, J. M. Gibson. Epitaxial metal-semiconductor structures and their properties// J. Vac. Sci. Technol. В 4 (6), 1986, p. 14351443.

68. P.S. Lee, D. Mangelinck, K.L. Pey, J. Ding, J.Y. Dai, C.S. Ho, A. See. On the Ni-Si phase transformation with/ without native oxide// Microelectron. Eng. 51-52 (2000) P. 583-594.

69. K. Maex. Silicides for integrated circuits: TiSi2 and CoSi2// Mater. Sci. Eng.Rll, 1993, №. 2-3, p 53-151.

70. E.G. Colgan, J.P. Gambino, B. Cunningham. Nickel silicide thermal stability on polycrystalline and single crystalline silicon// Mater. Chem. Phys. 46, 1996, p. 209-214.

71. J.P. Gambino, E.G. Colgan. Silicides and ohmic contacts// Mater. Chem. Phys. 52, 1998, p. 99-146.

72. A. Nagashima, T. Kimura, A. Nishimura, J. Yoshino. Comparative studies on the surface structures of NiSi2 and epitaxially formed on Si(lll)// Surface Science 441 (1999) 158-166.

73. J.F. Liu, H.B. Chen, J.Y. Feng. Enhanced thermal stability of NiSi films on Si(l 1 1) substrates by a thin Pt interlayer// Journal of Crystal Growth 220 (2000) 488-493.

74. H. Iwai, T. Ohguro, S. Ohmi. NiSi salicide technology for scaled CMOS// Microelectron. Eng. 60 (2002) P. 157-169.

75. D.-J. Kim, Y.-B. Jung, M.-B. Lee, Y.-H. Lee, J.-H. Lee, J.-H. Lee. Applicability of ALE TiN films as Си/ Si diffusion barriers// Thin Solid Films V. 372. 2000. P. 276-283.

76. H.-J. Lee, R. Sinclair, P. Li, B. Roberts. A study of the failure mechanism of a titanium nitride diffusion barrier// J. Appl. Phys. V. 86. 1999. № 6. P. 30963103.

77. J.P. Lu, W.Y. Hsu, Q.Z. Hong, G.A. Dixit, J.D. Luttmer, Havemann, R.H. P J.Chen, H.L. Tsai, L.K. Magel. Thermal stability of Al/barrier/TiSix multilayer structures// Thin Solid Films V. 320. 1998. P. 20-25.

78. S. Sobue, T. Yamauchi, H. Suzuki, S. Mukainakano, О. Takenaka, T. Hat-tori. Dependence of diffusion barrier properties in microstructure of reactively sputtered TiN films in A1 alloy/TiN/Ti/Si system/ Applied Surface Science 117/118 1997 308-311.

79. A.A. Orlikovsky, K.A. Valiev, A.G. Vasiliev. Thin films of TiN for barrier layers and local interconnections in ULSI. International Workshop on Advanced Electronics Technology, Moscow, 1995, p. 113.

80. А.Г. Васильев, Д.Н. Захаров, О.И. Лебедев, П.В. Михальчук, А.А. Орликовкий. Формирование тонких пленок TiN методом реактивного маг-нетронного осаждения. «Микроэлектроника», т.25, №5, 1996, с.354-362.

81. O.I. Lebedev, P.V. Mikhalchuk, A.G. Vasiliev, D.N. Zakharov. Deposition of TiN thin films by low-power reactive magnetron sputtering. MAM-97, Villard de - bans, France, 1997, pp. 143-145.

82. J. S. Reid, E. Kolawa, С. M. Garland, M.-A. Nicolet, F. Cardone D. Gupta, R. P. Ruiz. Amorphous (Mo, Та, or W)-Si-N diffusion barriers for A1 metallizations// J. Appl. Phys. 79 (2), 1996 P. 1109-1115.

83. S.P. Murarka, R.J. Gutman, A.E. Kaloyeros, W.A. Lanford. Advanced multilayer metallization schemes with copper as interconnection metal// Thin Solid Films 236 (1993)257.

84. Y. Igarashi, T. Yamanobe, T. Ito. High-reliability copper interconnects through dry etching process// Jpn. J.Appl.Phys. 1995, Vol.34, Pt.l, No.2B, P. 1012-1015.

85. J. Li, J.W. Mayer, E.G. Colgan. Oxidation and protection in copper and copper alloy thin films// J.Appl.Phys. 1991, V.70, No 5, P. 2820-2827.

86. S. Hymes, S.P. Murarka, C. Chepard. Passivation of copper by silicide formation in dilute silane// J.Appl.Phys. 1992, V.71, No 9, P. 4623-4625.

87. S. Shingubara, Y. Nakasaki. Electromigration in a single crystalline sub-micron width aluminum interconnection// Appl. Phys. Lett. 1991, V.58, No 1, P. 42-44.

88. D. Save, F. Braud, J. Torres, F. Binder, C. Muller, J.O. Weidner, W. Hasse. Electromigration resistance of copper interconnects// Microelectron. Eng. 33 (1997) P. 75-84.

89. S. Riedel, S.E. Schulz, J. Baumann, M. Rennau, T. Gessner. Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion// Microelectron. Eng. 55 (2001) P. 213-218.

90. J.M. Lopez, FJ. Gordillo-Vazquez, O. Bohme, J.M. Albella. Low grain size TiN thin films obtained by low energy ion beam assisted deposition// Applied Surface Science 173 (2001) 290-295.

91. S. Riedel, S.E. Schulz, T. Gessner. Investigation of the plasma treatment in a multistep TiN MOCVD// Microelectron. Eng. 50 (2000) P. 533-540.

92. J. Baumann, h. Kaufmann, M. Rennau, Th. Werner, T, Gessner. Investigation of copper metallization induced failure of diode structures with and without a barrier layer// Microelectron. Eng. 33 (1997) P. 283-291.

93. J. Baumann, T. Werner, A. Ehrlich, M. Rennau, Ch. Kaufmann, T. Gessner. TiN diffusion barriers for copper metallization// Microelectron. Eng. 37/38 (1997) P. 221-228.

94. J. Geng, A. Schuler, P. Oelhafen, P. Gantenbein, M. Duggelin, D. Mathys, R. Guggenheim. Changing TiN film morphology by "plasma biasing"// J. Appl. Phys. 86, N6 (1999), p. 3460-3462.

95. S. Logothetidis, E.I. Meletis, G. Stergioudis, A.A. Adjaottor. Room temperature oxidation behavior of TiN thin films// Thin Solid Films 338 (1999) 304313.

96. P. Motte, M. Proust, J. Torres, Y. Gobil, Y. Morand, J. Palleau, R. Pantel, M. Juhel. TiN-CVD process optimization for integration with Cu-CVD// Micro-electron. Eng. 50 (2000) P. 369-374.

97. F. Braud, J. Torres, J. Palleau, J.L. Mermet, C. Marcadal, E. Richard. Ultra thin diffusion barriers for Cu interconnections at the gigabit generation and beyond// Microelectron. Eng. 33 (1997) P. 293-300.

98. J. Torres, J.L. Mermet, R. Madar, G. Crean, T. Gessner, A. Bertz, W. Hasse, M. Plotner, F. Binder, D. Save. Copper-based metallization for ULSI circuits// Microelectron. Eng. 34 (1996) P. 119-122

99. Y.T. Kim, C.-H. Jun, D.Y. Kim. Barrier properties of TiN/TiSi2 bilayers formed by two-step rapid thermal conversion process for Cu diffusion barrier// Thin Solid Films 347 (1999) 214-219.

100. C. Ahrens, G. Friese, R. Ferretti, B. Schwierzi, W. Hasse. Electrical characterization of TiN/TiSi2 and WN/TiSi2 Cu diffusion barriers using Schottky diodes/ Microelectron. Eng. 33 (1997) P. 301-307.

101. J. Baumann, M. Markert, T. Werner, A. Ehrlich, M. Rennau, Ch. Kauf-mann, T. Gessner. W/TiN double layers as barrier systems for use in Cu metallization// Microelectron. Eng. 37-38 (1997) P. 229-236.

102. B.-S. Suh, Y.-J. Lee, J.-S. Hwang, C.-O. Park. Properties of reactively sputtered WNX as Cu diffusion barrier// Thin Solid Films 348 (1999) 299-303.

103. T. Laurila, K. Zeng, J.K. Kivilahti, J. Molarius, I. Suni. Chemical stability of Та diffusion barrier between Cu and Si// Thin Solid Films 373 (2000) 64-67.

104. T. Laurila, K. Zeng, J.K. Kivilahti, J. Molarius, I. Suni. Failure mechanism of Та diffusion barrier between Cu and Si// Appl. Phys. V.88, No. 6 (2000) P. 3377-3384.

105. L. Chen, N. Magtoto, B. Ekstrom, J. Kelber. Effect of surface impurities on the Cu/Ta interface// Thin Solid Films V.376 (2000) P. 115-123.

106. K.-M. Yin, L. Chang, F.-R. Chen, J.-J. Kai, C.-C. Chiang, P. Ding, B. Chin, H. Zhang, F. Chen. The effect of oxygen in the annealing ambient on inter-facial reactions of Cu/Ta/Si multilayers// Thin Solid Films V.388 (2001) P. 1521.

107. M. Stavrev, D. Fischer, A. Preub, C. Wenzel, N. Matern. Study of nanocrystalline Ta(N,0) diffusion barriers for use in Cu metallization// Micro-electron. Eng. V.33 (1997) P.269-275.

108. M. Stavrev, D. Fischer, C. Wenzel, T. Heiser. Study of Ta(N,0) diffusion barrier stability: analytical and electrical characterization of low level Cu contamination in Si// Microelectron. Eng. V.37/38 (1997) P.245-251.

109. G.S. Chen, S.T. Chen, S.C. Huang, H.Y. Lee Growth mechanism of sputter deposited Та and Ta-N thin films induced by an underlying titanium layer and varying nitrogen flow rates// Applied Surface Science 169-170 (2001) 353-357.

110. G.S. Chen, P.Y. Lee, S.T. Chen. Phase formation behavior and diffusion barrier property of reactively sputtered tantalum-based thin films used in semiconductor metallization// Thin Solid Films V.353 (1999) P.264-273.

111. Y.-J. Lee, B.-S. Suh, C.-O. Park. Co-sputter deposited Ta-Si diffusion barrier between Si and Cu: the effects of Si content on the barrier property// Thin Solid Films V.357 (1999) P.237-241.

112. J. Imahori, T. Oku, M. Murakami. Diffusion barrier properties of TaC between Si and Си// Thin Solid Films V.301 (1997) №1-2 P.142-148.

113. H.-O. Blom, T. Larsson, S. Berg, M. Ostling, Reactively sputtered titanium boride// J. Vac. Sci. Technol. A V.7 (1989) №2 P. 162.

114. J.R. Shappirio, J.J. Finnegan, R.A. Lux. Diborid diffusion barriers in silicon and GaAs technology// J. Vac. Sci. Technol. В V.4 (1986) №6 P. 1409.

115. C.S. Choi, G.A. Ruggles, A.S. Shan, G.C. Xing, C.M. Osburn, J.D. Hunn. Stability of TiB2 as diffusion barrier on silicon// J. Electrochem. Soc. V.1381991) P.3062.

116. G. Sade, J. Pelleg. Co-sputtered TiB2 as diffusion barrier for advanced microelectronics with Cu metallization// Applied Surface Science V.91 (1995) P.263.

117. C.S. Choi, Q. Wang, C.M. Osburn, G.A. Ruggles, A.S. Shan. Electrical characteristics of TiB2 for ULSI applications// IEEE Trans. Electron. Dev. V.391992) P.2341.

118. P. Gas, V. Deline, F.M. d'Heurle, A. Michel, G. Scilla. Boron, phosphorus, and arsenic diffution in TiSi2// J. Appl. Phys.V.60 (1986) P. 1634.

119. M. Setton, J. Van der Spiegel. A review of some aspects of ternary metal-metal-Si and metal-B-Si systems// J. Appl. Phys.V.69 (1991) P.994.

120. M. Stavrev, D. Fischer, F. Praessler, C. Wenzel, K. Drescher. Behavior of thin Ta-based films in the Cu/ barrier/Si system// J. Vac. Sci. Technol. A V.17 (1999) №3 P.993-1001.

121. J. S. Reid, E. Kolawa, R. P. Ruiz, M.-A. Nicolet. Evaluation of amorphous (Mo, Та, W)-Si-N diffusion barriers for <Si>/Cu metallizations// Thin Solid Films V.236 (1993) P.319-324.

122. J. S. Reid, X. Sun, E. Kolawa, M.-A. Nicolet. Ti-Si-N diffusion barriers between silicon and copper// IEEE Electron Device Lett. V.15 (1994) №8, P.298-300.

123. X. Sun, J.S. Reid, E. Kolawa, M.-A. Nicolet, R.P. Ruiz. Reactively sputtered Ti-Si-N films. II. Diffusion barriers for A1 and Cu metallizations on Si// J. Appl. Phys. V.81 (1997) P.664-671.

124. Y.J. Lee, B.-S. Suh, M.S. Kwon, C.-O. Park. Barrier properties and failure mechanism of Ta-Si-N thin films for Cu interconnection// J. Appl. Phys. V.85 (1999) P. 1927-1934.

125. J. S. Reid, R. Y. Liu, P. M. Smith, R. P. Ruiz, M.-A. Nicolet. W-B-N diffusion barriers for Si/Cu metallizations // Thin Solid FilmsV.262 (1995) P.218.

126. T.P. Mollart, P.N. Gibson, M.A. Baker. An EXAFS and XRD study of the structure of nanocrystalline Ti В - N thin films// J. Phys. D: Appl. Phys. V.30 (1997) №13 P.1827-1832.

127. C.E. Ramberg, E. Blanquet, M. Pons, C. Bernard, R. Madar. Application of equilibrium thermodynamics to the development of diffusion barriers for copper metallization (invited)// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P.357-368.

128. M.-A. Nicolet, P.H. Giauque. Highly metastable amorphous or near-amorphous ternary films (mictamict alloys)// Microelectron. Eng. V.55 (2001) P.357-367.

129. T. Kacsich, M.-A. Nicolet. Moving species in Ti34Si23N43 oxidation// Thin Solid Films V.349 (1999) P.l-3.

130. J.-T. No, J.-H. О, C. Lee. Evaluation of Ti-Si-N as a diffusion barrier between copper and silicon// Materials Chemistry and Physics 63 (2000) 44-49.

131. L. Le Brizoual, S. Guilet, G. Lemperiere, A. Granier, N. Coulon, M. Lancin, G. Turban. Analysis of Ti-Si-N diffusion barrier films obtained by r.f. magnetron sputtering// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P.509-513.

132. S. Bystrova, J. Holleman, P.H. Woerlee. Growth and properties of LPCVD W-Si-N barrier layers// Microelectronic Engineering 55 (2001) 189-195.

133. O. Tadahiro, T. Kazuo. Advanced copper metallization technology for ULSI interconnects// Solid State Technol. V.35 (1992) №4 P.47-52.

134. C. Ryu, H. Lee, K.-W. Kwon, A.L.S. Loke, S.S. Wong. Barriers for copper interconnections// Solid State Technol. (1999) April P.53 56.

135. J.O. Olowolafe, I. Rau, K.M. Unruh, C.P. Swann, Z.S. Jawad, T. Alford. Effect of composition on thermal stability and electrical resistivity of Ta-Si-N films / Thin Solid Films V.365 (2000) P. 19-21.

136. E. Ivanov. Evaluation of tantalum silicide sputtering target materials for amorphous Ta-Si-N diffusion barrier for Cu metallization// Thin Solid Films V.332 (1998) P.325-328.

137. M. Oizumi, K. Aoki, S. Hashimoto, S. Nemoto, Y. Fukuda. Control of Crystalline Structure and Electrical Properties of TaSiN Thin Film Formed by Reactive RF-Sputtering// Jpn. J. Appl. Phys. V.39 (2000) P.1291-1294.

138. D.J. Kim, Y.T. Kim, J.-W. Park. Nanostructured Ta-Si-N diffusion barriers for Cu metallization// J. Appl. Phys. V.82 (1997) №10 P.4847-4851.

139. А.А. Айвазов, H.B. Бодягин, С.П. Вихров // Известия вузов. Электроника (1997) №1 С.39 -44.

140. И. Пригожин, И. Стенгерс. Время, хаос, квант// М.: Прогресс, 1994

141. И.К. Розгачева. Самоорганизующиеся системы во Вселенной// М.: Знание 1989.

142. Г. Хакен. Синергетика: Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах//М.: Мир 1985

143. Г. Хакен. Информация и самоорганизация. Макроскопический подход к сложным системам//М.: Мир 1991.

144. W.J. Freitas, J.W. Swart. The influence of impurities on cobalt silicide formation// J. Electrochem. Soc. V. 138 (1991) P.3067-3070.

145. G. Palasantzas, В. Ilge, J. de Nijs, L.J. Geerligs. Diffusion, nucleation and annealing of Co on the H-passivated Si(100) surface// Surface Science V.412/413 (1998) P.509-517.

146. J.F. Liu, J.Y. Feng, W.Z. Li. Effect of pre-Co-deposition C+ implantation on the stress level of CoSi2 films formed on Si(100) substrates// Semicond. Sci. Technol. V.16 (2001) №4 P.273-275

147. J.-S. Maa, S.T. Hsu, B. Ulrich, C.-H. Peng. Reaction of amorphous Si with cobalt silicide before disilicide formation for reducing Si consumption in SI-MOX// Thin Solid Films V.308-309 (1997) P.570-574.

148. S. L. Hsia, T. Y. Tan, P. Smith, G. E. McGuire. Formation of epitaxial CoSi2 films on (001) silicon using Ti-Co alloy and bimetal source materials// J. Appl. Phys. V.70 (1991) №12 P.7579 7587.

149. G.B. Kim, H.K. Baik, S.M. Lee. Control of Co flux through ternary compound for the formation of epitaxial CoSi2 using Co/Ti/Si system// Appl. Phys. Lett.V.69 (1996) №23 P.3498-3500.

150. Y. Kwon, C. Lee. Formation of epitaxial cobalt silicide flms on (1 0 0) Si using Co/Ti, Co/Nb, and Co/Hf bilayers// Materials Chemistry and Physics V.63 (2000) P.202-207.

151. B. Gebhardt, M. Falke, H. Giesler, S. Teichert, G. Beddies, H.-J. Hinne-berg. Epitaxial CoSi2 formation by Co/Hf bilayers on Si(100)// Microelectron. Eng. V.37/38 (1997) P.483-490.

152. M. Falke, B. Gebhardt, G. Beddies, S. Teichert, H.-J. Hinneberg. The growth of an intermediate CoSi phase during the formation of epitaxial CoSi2 by solid phase reaction// Thin Solid Films V.336 (1998) P.201-204.

153. E.-T. Kim, Y. Kwon, С. Lee. Annealing of the Co/Hf bilayer on single Si, polycrystalline Si and Si02// J. Neuroscience Methods V.100 (2000) P. 17-23.

154. G. B. Kim, J. S. Kwak, H. K. Baik, S. M. Lee. Interfacial reaction and formation mechanism of epitaxial CoSi2 by rapid thermal annealing in Co/Ti/Si(100) system// J. Appl. Phys. V.82 (1997) №5 P.2323 -2328.

155. M. Falke, B. Gebhardt, G. Beddies, S. Teichert, H.-J. Hinneberg. Epitaxial CoSi2 by solid phase reaction of Co/Ti and Co/Hf bilayers on Si(001)// Micro-electron. Eng. V.55 (2001) P.171-175.

156. F. Hong, G. A. Rozgonyi, В. K. Patnaik. Mechanisms of epitaxial CoSi2 formation in the multilayer Co/Ti-Si(100) system// Appl. Phys. Lett. V.64 (1994) №17P.2241 -2243.

157. J. A. Kittl, W.-T. Shiau, D. Miles, К. E. Violette, J. C. Hu, Q.-Z. Hong. Salicides and alternative technologies for future Ics: Part 111 Solid State Technology (1999) P.55-62.

158. J.P.W.B Duchateau, J.E.Crombeen, E.G.C. Lathouwers, A.H. Reader. CoSi2 formation on Si(100) using an amorphous Co-Ti alloy// Semicond. Sci. Technol. V.7 (1992) №11 P.1310-1315.

159. C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, F. Cardon, K. Maex. Influence of mixing entropy on the nucleation of CoSi2// Phys. Rev. В V.62 (2000) №18 P.12045-12051.

160. F.M.d'Heurle, C.S.Petersson. Formation of thin films of CoSi2: nucleation and diffusion mechanisms// Thin Solid Films V.128 (1985) P.283-297.

161. J. Y. Dai, Z. R. Guo, S. F. Tee, C. L. Tay, Eddie Er, S. Redkar. Formation of cobalt silicide spikes in 0.18 mm complementary metal oxide semiconductor process// Appl. Phys. Lett. V.78 (2001) №20 P.3091-3093.

162. A.H. Reader, J.P.W.B. Duchateau, J.E. Crombeen. Epitaxial CoSi2 formation on (001)Si by reactive deposition// Semicond. Sci. Technol. V.8 (1993) №7 P.1204-1207.

163. A. Appelbaum, М. Eizenberg. Summary abstract: Formation of silicides by the interaction of thin films of codeposited refractory metals with Si: Alloying V with Та versus alloying V with Ti // J. Vac. Sci. Technol. A2 (1984) №2 P.270-271.

164. A. Appelbaum, M Eizenberg. Silicides formation for refractory metal alloys (Ta-V and Ti-V) on Si// J. Appl. Phys. V.56 (1984) №8 3.2341-2345.

165. Cabral, Jr., L. A. Clevenger, J. M. E. Harper, F. M. d'Heurle, R. A. Roy, C. Lavoie, K. L. Saenger, G. L. Miles, R. W. Mann, J. S. Nakos. Low temperature formation of C54-TiSi2 using titanium alloys// Appl. Phys. Lett. V.71 (1997) №24 P.3531-3533.

166. R. D. Thompson, K. N. Tu, G. Ottaviani. Phase transformations of alloys on a reactive substrate: interaction of binary alloys of transition and rare-earth metals with silicon// J. Appl. Phys. V.58 (1985) №2 P.705-710.

167. G. Ottaviani, K. N. Tu, R. D. Thompson, J. W. Mayer, S. S. Lau. Interaction of Pd-Er Alloys with Silicon// J. Appl. Phys. V.54 (1983) №8 P.4614-4622.

168. J. W. Mayer, S. S. Lau, K. N. Tu. Silicide formation with Pd-V alloys and bilayers// J. Appl. Phys. V.50 (1979) №9 P.5855-5859.

169. G. Ottaviani, K. N. Tu, J. W. Mayer, B. Y. Tsaur. Phase Separation in Alloy-Si Interaction// Appl. Phys. Lett. V.36 (1980) P. 331.

170. K. N. Tu, W. N. Hammer, J. O. Olowolafe. Shallow Silicide Contact// J. Appl. Phys. V.51 (1980) P. 1663.

171. K. N. Tu, J. F. Ziegler, C. J. Kircher. Formation of Vanadium Silicides by the Interaction of V with Bare and Oxidized Si Wafers// Appl Phys. Lett.V.23 (1973) P.493.

172. J. O. Olowolafe, K. N. Tu, J. Angilello. Contact reaction between Si and Pd-W alloy films// J. Appl. Phys. V.50 (1979) №10 P.6316-6320.

173. M. Eizenberg, G. Ottaviani, К. N. Tu. Effect of substrate temperature on the formation of shallow silicide contacts on Si using Pd-W and Pt-W alloys// Appl. Phys. Lett. V.37 (1980) №1 P. 87-89.

174. A. Appelbaum, M. Eizenberg, R. Brener. Phase separation and layer sequence reversal during silicide formation with Ni-Cr alloys and Ni-Cr bilayers// J. Appl. Phys. V.55 (1984) №4 P.914-919.

175. F. M. d'Heurle. A note on solid-state reaction kinetics: The formation of silicides from thin films of metallic alloys// J. Appl. Phys. V.57 (1985) №6 P.2311-2313.

176. M. Levit, I. Grimberg, B.-Z. Weiss, M. Eizenberg. Interaction between Ni90Ti10 alloy thin film and Si single crystal// J. Appl. Phys. V.79 (1996) N.2 P.1179-1181.

177. J. Pelleg. Formation of Co and Та silicides on Si(lll) and Si(100) substrates from codeposited Co and Та thin films// Thin Solid Films Y.325 (1998) P. 60-71.

178. Д.Г. Громов. Физико-химические процессы формирования многослойной структуры при твердофазном взаимодействии тонких пленок сплавов переходных материалов с кремнием// Известия вузов. Электроника 1999 №1-2 С. 17-25.

179. D.G. Gromov, V.P. Mochalov, V.P. Pugachevich. CoSi2 formation in contact systems based on Ti-Co alloy with low cobalt content// Appl. Phys. A V.61 (1995) P.565-567.

180. D.G. Gromov, V.P. Mochalov, V.P. Pugachevich, E.P. Kirilenko, A.Y. Trifonov. Study of phase separation in Ti-Co-N thin films on silicon substrate// Appl. Phys. A V.64 (1997) P.517-521.

181. Д. Г. Громов, А.И. Мочалов, В.П. Пугачевич. Свойства контактной системы TiN/CoSi2, сформированной твердофазным синтезом из пленки сплава Ti-Co-N// Известия вузов. Электроника 1998 №1 С.24-30.

182. Д.Г. Громов, А.И. Мочалов, В.П. Пугачевич, А.Д. Сулимин, B.J1. Евдокимов, Ч.П. Волк, Т.П. Трайиис. Самосовмещенное формирование контактного слоя CoSi2 и диффузионно-барьерного слоя TiN// Известия вузов. Электроника 1999 № 3 С.20-25.

183. Д.Г. Громов, А.И. Мочалов, Т.В. Соломатина, B.J1. Евдокимов, А.Д. Сулимин, И.А. Вахин. Дисилицид кобальта в технологии КМОП УБИС субмикронного уровня: достоинства и проблемы формирования// Электронная промышленность 2000 №3 С.34 43.

184. А.Е. Долбак, Б.З. Олыпанецкий, С.А. Тийс, Р.А. Жакуч. Поверхностная диффузия Ni на Si(lll) при коадсорбции Со// ФТТ Т.41 (1999) В.8 С.1489-1494.

185. V. Teodorescu, L. Nistor, Н. Bender, A. Steegen, A. Lauwers, К. Маех, J. Van Landuyt. In situ transmission electron microscopy study of Ni silicide phases formed on (001) Si active lines// J. Appl. Phys. V.90 (2001) №1 P. 167174.

186. M.B. Гомоюнова, И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, H.C. Фараджев. Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на Si (100)// Физика твердого тела Т.44 (2002) В.6С.1126-1130.

187. M.R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, W. Storm, W. Vandervorst, K. Maex. Surface processes occurring on TiSi2 and CoSi2 in fluorine-based plasmas: afterglow of an NF3 plasma// J. Vac. Sci. Technol. В V.16 (1998) P.164-171.

188. M.R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, W. Storm, Y.-B. Kim, W. Vandervorst, K. Maex. Surface processes occurring on TiSi2 and CoSi2 in fluorine-based plasmas. Reactive ion etching in CF4/CHF3 plasmas// J. Vac. Sci. Technol. A V.15 (1997) P.3005-3014.171

189. S.W. Robey, M.A. Jaso, G.S. Oehrlein. A photoemission investigation of surface processes affecting the reactive ionetching of TiSi2 in CF4// J. Appl. Phys. V.65 (1989) P.2951-2956.

190. A. Lauwers, R.J. Schreutelkamp, B. Brijs, H. Bender, K. Maex. Technological aspects of epitaxial CoSi2 layers for CMOS// Appl. Surf. Sci. V.73 (1993) P. 19-24.

191. J. Cardenas, S.-L. Zhang, B.G. Svensson, C.S. Petersson. Formation of epitaxial CoSi2 layers grown from the interaction of Co/Ti bilayers with Si(100) substrates//Mater. Res. Soc. Symp. Proc. V.402 (1996) P.155-160.

192. G. Beddies, M. Falke, S. Teichert, B. Gebhardt, H.-J. Hinneberg. Reactive ion etching of CoSi2 in a CF^Ai plasma// Appl. Surf. Sci. V.138-139 (1999) P.370-375.

193. G. Beddies, H. Hortenbach, M. Falke, J. Brauer, D.K. Sarkar, S. Teichert, H.-J. Hinneberg. Plasma etching of ternary silicide top layers// Microelectron. Eng. V.50 (2000) P. 199-209.