Эллипсометрические и спектрофотометрические методы исследования и контроля оптических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.07, кандидат технических наук Данилова, Татьяна Михайловна

• Данилова, Татьяна Михайловна
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Данилова, Татьяна Михайловна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ТЕХНИКА И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОСНОВНЫХ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ В ЭЛЛИПСОМЕТРИИ ОТРАЖАЮЩИХ СИСТЕМ.

1.1 Методы компенсационной (нулевой) эллипсометрии.

1.2 Методы переключения состояния поляризации светового пучка.

1.3 Методы азимутальной и фазовой модуляции поляризованного светового пучка.

1.4 Методы многоугловой и иммерсионной эллипсометрии.

Выводы.

ГЛАВА И. ТЕОРИЯ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ НЕОДНОРОДНЫХ.

СЛОЕВ И ШЕРОХОВАТОЙ ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ОПТОТЕХНИКИ.

2.1 Основные закономерности изменения поляризационно- оптических свойств неоднородных поверхностных слоев элементов оптотехники.

2.2 Основные закономерности изменения поляризационно-оптических свойств шероховатой поверхности.

2.3 Метрологическое обеспечение эллипсометрического метода.

2.4 Границы применимости точных и приближенных методов решения задачи отражения поляризованного света.

Выводы.

ГЛАВА III. МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРНОЙ ТЕХНИКИ

3.1 Влияние неоднородности физико-химической структуры плавленого и кристаллического кварца на потери излучения в оптических элементах лазерной техники.

3.2 Определение оптических характеристик элементов лазерной техники методом внутрирезонаторных потерь излучения.

3.3 Метрологическое обеспечение спектрофотометрического метода.

3.4 Методы эллипсометрического анализа неоднородных поверхностных слоев элементов лазерной техники.

Выводы.

ГЛАВА IV. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И КОНТРОЛЯ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТОВ ОПТОТЕХНИКИ.

4.1 . Определение потерь излучения в оптических элементах методами эллипсометрии и спектрофотометрии.

4.2 Изменение оптических параметров поверхностного слоя элементов при ионно-плазменной и ионно-химической обработки плавленого и кристаллического кварца.

4.3 Спектрофотометрические и эллипсометрические параметры структуры поверхностных слоев монокристаллов фторидов щелочноземельных металлов и фторсодержащих стекол.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эллипсометрические и спектрофотометрические методы исследования и контроля оптических характеристик поверхностных слоев элементов оптотехники»

Критерием качества оптических элементов для ВУФ, УФ, видимой и ИК области спектра электромагнитного излучения, выполненных из плавленого и кристаллического кварца (8Ю2) и монокристаллов фторидов щелочноземельных металлов (ЩЗМ): М£Б2, СаБ2, ВаБ2, 8гБ2, является величина потерь излучения на этих элементах. Состояние поверхности оптических элементов, ее структура и состав, определяют многие функциональные возможности оптических узлов оптико-электронных приборов и лазерной техники. Говоря о поверхности твердого тела, обычно имеют в виду приповерхностную зону конечной толщины. Поэтому во всех случаях изучения состояния поверхности элемента целесообразнее использовать термин "поверхностный слой" (ПС).

Для объективной оценки качества этих элементов необходимо различать потери оптического излучения, вызванные образованием в процессе технологической обработки модифицированного поверхностного слоя (ПС), от потерь излучения связанных с ослаблением излучения в объеме материала, из которого выполнена деталь.

Выяснение общих закономерностей изменения спектрофотометрических и поляризационно-оптических характеристик модифицированной структуры поверхностного слоя, образующегося при различных технологических способах изготовления элементов, позволит установить истинные корреляционные связи между физико-химическими свойствами ПС и технологическими параметрами процесса изготовления деталей, что в дальнейшем может способствовать решению широкого круга научных и технических задач оптотехники.

Для формирования научных представлений о природе и кинетике физико-химических механизмах, приводящих к образованию на оптических элементах неоднородных и шероховатых ПС при механической, химической, тепловой, ионной, ионно-химической и электронно-лучевой обработке, необходимо не только выяснить основные закономерности изменения состава, структуры и оптических свойств ПС на различных этапах получения элементов оптотехники, но также установить истинные корреляционные связи между оптическими свойствами ПС и технологическими параметрами процесса изготовления детали.

Потребности практики в технической реализации принципиально новых технологий изготовления оптических элементов из плавленого и кристаллического кварца и монокристаллов фторидов щелочноземельных металлов (ЩЗМ): М§Р2, Са¥2, Ва¥2, 8гР2, заставляют при эллипсометрических и спектрофотометрических исследованиях физико-химических процессов формирования модифицированной структуры ПС применять широкий класс ранее не используемых физико-математических моделей отражающих систем и ужесточать требования к принимаемым решениям о соответствии той или иной модели ПС объекту исследования.

Для достаточно обоснованного прогноза в изменении оптических свойств поверхности детали при различных внешних воздействиях необходимо знать оптический профиль слоя - его вид и градиентные характеристики, а также определять геометрические параметры шероховатой поверхности и микроскопические характеристики энергетического микрорельефа поверхности элемента оптотехники.

Разработка новых методик эллипсометрического и спектро-фотометрического анализа неоднородных ПС и шероховатых поверхностей, допускающих возможность сопоставления различных по своему физическому содержанию моделей отражающей системы и позволяющих давать оценку доверительной вероятности их использования при определении физико-технических параметров элементов оптотехники, является одной из первоочередных задач в диагностики состояния поверхности оптических элементов методом эллипсометрии и спектрофотометрии.

В этом случае анализ и синтез эллипсометрических и спектрофотометрических оптико-электронных систем технологического контроля ПС элементов оптотехники должен проводится в единой совокупности «объект-прибор-методика», где "объект контроля" рассматривается как структурный элемент самого прибора, поскольку его наличие в измерительной системе поляризационного и спектрофотометрического прибора может принципиально изменить функциональные возможности используемой аппаратуры спаянные (например, не учет при оптических измерениях деполяризованной составляющей, вызванной рассеянием излучения или неоднородностью оптической поляризации по сечению светового пучка).

Основной целью данной работы является разработка новых и усовершенствование известных спектрофотометрических и эллипсометрических методов исследования и технологического контроля оптических параметров поверхностных слоев элементов оптотехники с минимальными потерями излучения для ВУФ, УФ и ИК области спектра и высокой физико-химической устойчивостью оптических свойств поверхностных слоев элементов оптотехники при различных внешних воздействиях (механических, термических, химических, радиационных).

Для достижения указанной цели в диссертации решались следующие основные задачи:

- разработка методов физико-математического моделирования структуры неоднородных поверхностных слоев элементов оптотехники изготовленных из плавленого и кристаллического кварца, а также монокристаллов щелочноземельных металлов ЩЗМ

- разработка методов решения прямой и обратной задачи эллипсометрии для неоднородных анизотропных оптических систем и шероховатой поверхности неоднородной подложки элементов оптотехники;

- изучение основных закономерностей изменения состояния поляризации отраженного светового пучка от неоднородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей элементов оптотехники в эллипсометрическом и спектрофотометрическом эксперименте;

- разработка методов метрологической аттестации образцовых средств измерения поляризационно-оптических и спектрофотомерических характеристик неоднородных отражающих систем «неоднородный слой неоднородная подложка» и «шероховатая поверхность - неоднородная подложка» и расчета их поляризационно-оптических характеристик;

- изучение кинетики и физико-химических механизмов формирования неоднородной структуры и состава поверхностных слоев элементов оптотех-ники при различных внешних воздействиях окружающей среды и технологической обработке поверхности детали.

Методы и объекты исследования В работе использованы преимущественно разработанные поляризационно-оптические и спектрофотометрические методы исследования и контроля физико-технических характеристик элементов оптотехники и параметров шероховатой поверхности неоднородной подложки.

Достоверность результатов исследования и контроля параметров шероховатой поверхности оптических деталей подтверждалась данными полученными методами спекл-интерферометрии, профилометрии и результатами спектрофотометрических измерений диффузной составляющей рассеянного света.

Анализ потерь излучения в оптических материалах и поверхностном слое (ПС) элементов лазерной и оптотехники проводился по экспериментальным данным полученных методом внутрирезонаторных потерь излучения в трех зеркальном оптическом резонаторе лазера, методами эллипсометрии, оптической спектрофотометрии в ВУФ, УФ и ИК областях спектра излучения и импульсной фотометрии.

В работе рассматриваются методы измерения основных эллипсомет-рических параметров - азимут линейной восстановленной поляризации ¥ и разность фазового сдвига А между взаимно ортогональными компонентами отраженного поляризованного излучения - в эллипсометрах компенсационного типа (метод "нуль - эллипсометри"). Изложены методы измерения элементов нормированной матрицы отражения в одноканальных эллипсометрических приборах. Представлены схемы двух канальных эллипсометрических приборов.

Описаны методы и средства метрологической аттестации эллипсо-метрической и спектрофотометрической аппаратуры и измерений поляри-зационно-оптических и физико-технических параметров элементов оптотехники .

Поляризационные методы исследования физико-технических характеристик элементов оптотехники дополнялись данными численного эксперимента, проводимого по разработанным методикам и программам, а также экспериментальными результатами полученных методами волноводной спектроскопии, рефрактометрии, рефлексометрии и другими методами технологического контроля оптических изделий лазерной и оптотехники.

В качестве объектов исследования использовались элементы лазерной и оптотехники, выполненные из кристаллического и плавленого кварца, полученного различными технологическими способами; монокристаллов фторидов щелочноземельных металлов, многокомпонентных силикатных материалов с различной структурой и химическим составом.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые разработаны теоретические и методические основы поляризационно-оптических и спектрофотометрических методов анализа и контроля оптических характеристик неоднородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей элементов оптотехники.

В ходе работы впервые получены следующие результаты.

1. Обобщены теоретические рассмотрения задачи отражения поляризованного света от неоднородного анизотропного слоя при произвольном законе изменения главных значений тензора диэлектрической проницаемости є(х, у, г) по его глубине в приближении теорий Друде-Борна и осесимметричных анизотропных отражающих систем в приближении теорий Сивухина - Пикуса .

2. Обобщены теоретические рассмотрения задачи отражения поляризованного света от шероховатой поверхности неоднородной подложки в приближении теорий Друде-Борна и Релея-Райса. Определены границы применимости этих теорий в методе эллипсометрии.

3. Изучены основные закономерности изменения поляризационных параметров отраженного светового пучка от неоднородного поверхностного слоя диэлектриков, полупроводников с различным распределением диэлектрической проницаемости по глубине слоя е(г) и шероховатой поверхности неоднородной подложки с различным видом корреляционной функции 11ш(х,у,а,у) микрорельефа поверхности, а также отражающей системы «шероховатая поверхность - неоднородная подложка»

4. Изучены методические основы определения потерь излучения на внутрирезонаторных элементах ионных и эксимерных лазеров по двум различным методам: методу с регулируемой зеркальной отражательной способностью и методу калиброванных потерь излучения, в лазерной установке с трех зеркальной схемой оптического резонатора.

5. Исследовано и дано научное обоснование влияния неоднородности структуры кремнекислородной сетки кварцевого стекла, кристаллического кварца, монокристаллов фторидов щелочноземельных металлов на потери излучения в ВУФ, УФ, видимой и ИК областях спектра оптического излучения для элементов лазерной и оптотехники.

6. Методом импульсной фотометрии и эллипсометрии дано научное обоснование влияния окружающей среды на изменение потерь излучения в образцовых средствах измерений, предназначенных для метрологической аттестации оптических характеристик лазерного излучения в УФ, видимой и ИК областях спектра.

7. Исследована кинетика и физико-химические механизмы формирования неоднородной структуры поверхностных слоев на элементах оптотехники при различных внешних воздействиях (механических, химических, тепловых, обработке поверхности детали ионными и электронными пучками)

Практическая значимость работы состоит в том, что:

- разработанные методы эллипсометрического и спектрофотометри-ческого контроля оптических характеристик неоднородных отражающих систем и шероховатых слоев являются достаточно универсальными и были использованы при решении широкого круга научных и технологических задач на ряде оптических производств внутрирезонаторных элементов лазерной и оптотехники;

- установленные корреляционные связи между оптическими параметрами поверхностного слоя и технологическими режимами механической, химической, ионно-плазменной, ионно-химической и тепловой обработкой элементов оптотехники позволили разработать критерии качества внутрирезонаторных элементов для ионных и эксимерных лазеров и определить оптимальные технологические способы изготовления элементов с минимальными потерями излучения в ВУФ, УФ и видимой области спектра;

Полученные результаты научно-исследовательской работы были использованы для технологического контроля кинетики физико-химических про-цессов формирования неоднородных структур поверхностных слоев оптических элементов на ряде предприятий оптического производства.

Результаты работы, затрагивающие теоретические и методические основы методов элллипсометриии и спектрофотометрии неоднородных анизотропных оптических систем и шероховатых поверхностей, использованы также в учебном процессе в СПб ГУ ИТМО. Технические акты внедрения результатов научно-технических достижений настоящей работы представлены в приложении.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту состоят в следующем:

1 .Физико-математическое моделирование многослойной неоднородной системы по методу «эффективного слоя» и «эффективной подложки», основанное на применении теорий возмущений к рекуррентным соотношениям Абеле, позволяет в аналитическом виде получить уравнение эллипсометрии для отражающей системы «неоднородный слой - шероховатая поверхность -неоднородная подложка».

2. Исследованы основные закономерности изменения состояния поляризации отраженного светового пучка от неоднородных поверхностных слоев с различным видом оптического профиля £(2) и шероховатой поверхности с различным видом корреляонной функции Кш(х,у) микрорельефа. Показано, что поляризация отраженного светового ручка, величина отклонения угла поляризации фп от угла Брюстера фвр и зависимости основнцх эллипсомет-рических параметров - азимута линейной восстановленной поляризации ¥(ф) и разность фаз Д(ф) между ортогональными компонентами поляризованного отраженного света от угла падения светового пучка ф - определяется структурой отражающей системы.

3.Метод последовательного эллипсометрического анализа поляри-зационно-оптических свойств неоднородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей, основанный на физико-математическом моделировании структуры отражающей системы, позволяет по измеренным значениям поляризационных параметров отраженного светового пучка в произвольно выбранной измерительной ситуации определять оптимальные условия эксперимента, при которых можно сравнивать различные по своему физическому содержанию модели поверхностного слоя при наименьшей вероятности ошибки в оценки их адекватности объекту исследования.

4.Метро логическая аттестация потерь оптического излучения в элементах оптотехники, основанная на совместном использовании методов эллипсо-метрии, импульсной фотометрии и спектрофотометрии, позволяет различать потери излучения вызванные образованием поверхностного слоя от потерь излучения связанные с его ослаблением в объеме материала из которого изготовлена оптическая деталь.

5. Метод измерения внутрирезонаторных потерь оптического излучения в оптических элементах лазерной техники, основанный на сопоставлении потерь излучения на образцовых плоскопараллельных пластинках, предварительно аттестованных методами импульсной фотометрии и эллипсометрии, в установке с трехзеркальным оптическим резонатором лазера, позволяет определить по методу калиброванных потерь в широкой области измеряемых значений с погрешностью 8^<0,02.

Личный вклад автора. Все результаты, представленные в диссертации, получены лично автором, либо по его инициативе и при его непосредственном участии. Соавторство относится к проведению части расчетов, совместному проведению ряда экспериментов, обсуждению результатов исследований.

Апробация результатов работы и публикации. Основные результаты диссертационной работы докладывались, обсуждались и были изложены в научных трудах следующих конференций: XXXVIII научной и учебно-методической конференции СПб ГУ ИТМО, посвященной 100-летию со дня рождения М.М. Русинова. «Информационно-измерительные приборы и системы в оптическом приборостроении» (СПб, 2009). VI Всероссийской межвузовской конференции молодых ученых. «Сессии научных школ» (СПб, 2009). XXX международной конференции Санкт-Петербургского отделения национального комитета по истории и философии науки и техники РАН (СПб, 2009.). XXXIX научной и учебно-методической конференции СПб ГУ ИТМО, посвященной 110-й годовщине со дня основания Санкт-Петербургского государственного университета информационных технологий, механики и оптики. «Информационно-измерительные приборы и системы в оптическом приборостроении» (СПб, 2010). VII Всероссийская межвузовская конференция молодых ученых. «Оптотехника и оптические материалы» (СПб, 2010). Международной конференции «Прикладная оптика - 2010» (СПб, 2010).

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 6 научных трудах, в том числе 2 научных статьях опубликованных в изданиях, рекомендованных ВАК для докторских и кандидатских диссертаций (перечень ВАК от 01.01.2007).

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, списка литературы включающего 125 наименований, содержит 147 страниц машинописного текста, 42 рисунки 17 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», Данилова, Татьяна Михайловна

Выводы

1. Показано, что одновременное применение метода эллипсометрии и спектрофотометрии позволяет определить показатель ослабления излучения в материале, из которого выполнена деталь и потери излучения связанные с наличием поверхностного слоя. Такой способ определения оптических потерь в элементах лазерной техники позволяет объективно судить о качестве используемого материала используемого для изготовления оптических деталей и целесообразности применяемой технологической обработки поверхности элемента.

2. Получено уравнение эллипсометрии для оптической системы «неоднородный слой - неоднородная подложка», на основе которого разработан эллипсометрический метод оптимизации технологической обработки оптических элементов ионных лазеров, выполненных из кварцевого стекла, с минимальными потерями излучения в ВУФ области спектра. При ионно-плазменной обработке кристаллического кварца на поверхности элемента образуется аморфизированый неоднородный слой со структурой близкой к структуре стеклообразного кремнезема.

3. Методами эллипсометрии и ВУФ спектроскопии определены оптимальные условия технологической обработки оптических элементов, выполненных из монокристаллов фторидов MgF2, с минимальными потерями излучения в ВУФ области спектра.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Из совокупности результатов проведенных эллипсометрических и спектрофотометрических исследований физико-технических характеристик элементов лазерной и оптотехники можно сделать следующее заключение.

1. На основании физико-математического анализа основных закономерностей изменения состояния поляризации отраженного светового пучка показано, что по изменению основных эллипсометрических параметров можно различать физико-химические структуры поверхностных слоев. Определены границы применимости метода эллипсометрии для тонких (толщиной <1«А,) и протяженных (толщиной ё»Х) поверхностных слоев Показано, что для определения градиентных характеристик тонких слоев (с!«Х) эллипсометрические измерения необходимо проводить в коротковолновой области спектра, а для протяженных ПС (с!>А,) - в длинноволновой области спектра.

2. Разработан метод эллипсометрического анализа шероховатой поверхности неоднородной подложки. Показано, что определяемые методом эллипсометрии параметры шероховатой поверхности совпадают с данными полученными другими физическими методами.

3. Разработана методика определения потерь излучения на поверхности оптического элемента и показателя ослабления излучения в материале оптической детали, основанная на результатах эллипсометрических и спектофотометрических измерений. Показано, что среднеквадратическая высота шероховатой поверхности определяемый на неоднородной подложке по эллипсометрическим параметрам совпадает с данными полученными из результатов измерений методом фотометрии интенсивности диффузной составляющей рассеянного света.

4. Результаты эллипсометрических и спектрофотометрических исследований поляризационно-оптических характеристик элементов оптотехники, обработанных различными полировальными порошками при различных нагрузках на полировальник, позволили определить оптимальные режимы обработки кварцевого стекла, при которых потери оптического излучения в УФ области спектра минимальны.

5. Разработана лазерная установка с трехзеркальным резонатором, на которой можно проводить измерения оптических потерь на внутрирезонаторных элементах с малой погрешностью в широкой области измеряемых значений и методы метрологической аттестации образцовых средств для эллипсометрической и спектрофотометрической аппаратуры и определение оптических характеристик неоднородных поверхностных слоев для элементов лазерной техники с минимальной погрешностью измерений.

6. Получено уравнение эллипсометрии для оптической системы «неоднородный слой - неоднородная подложка», на основе которого разработан эллипсометрический метод оптимизации технологической обработки оптических элементов ионных лазеров, выполненных из кварцевого стекла, с минимальными потерями излучения в ВУФ области спектра. При ионно-плазменной обработке кристаллического кварца на поверхности элемента образуется аморфизированый неоднородный слой со структурой близкой к структуре стеклообразного кремнезема.

7. Наличие кислородосодержащих примесей в решетках фторидов ЩЗМ наиболее сильно проявляется в области длин волн близких к коротковолновой границе пропускания кристаллов. За появление избирательных полос поглощений в ВУФ области спектра ответственны примеси О и ОН" ионов в решетках монокристаллов фторидов М^Р2. Для объективной оценки оптического качества самого монокристалла и качества обработки поверхности детали необходимо наряду с методом ВУФ спектрометрии использовать метод эллипсометрии, который позволяет по измеренным поляризационно-оптическим характеристикам ПС судить не только о глубине структурных нарушений, но и давать оценку физико-химического состояния поверхности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Данилова, Татьяна Михайловна, 2011 год

1.Борн М,Вольф Э. Основы оптики, М., "Наука". 1970. 650 с.

2. Azzam R.M.A. A perspective on ellipsometry // Surface Sei., 1976. v.56, p.6-17

3. Современные проблемы эллипсометрии // Под ред. А.В.Ржанова, Новосибирск :"Наука". 1980 . 192 с.

4. Эллипсометрия метод исследования поверхности // Под ред. A.B. Ржа-нова , Новосибирск, "Наука", 1983 . 180 с.

5. Эллипсометрия: теория, методы, приложение // Под ред. А.В.Ржанова и Л.А.Ильина, Новосибирск, "Наука", 1987 . 192 с.

6. Эллипсометрия в науке и технике // Под ред. К.К.Свиташева и A.C. Мардежева , Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1987 . 205 с.

7. Эллипсометрия в науке и технике // Под ред. К.К.Свиташева и A.C. Мардежева, вып.2, Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1990. 190 с.

8. Эллипсометрия: теория, методы, приложение // Под ред. К.К.Свиташева, Новосибирск: "Наука", 1991., 200 с.

9. Пшеницын В.И., Абаев М.И., Лызлов Н.Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях, Л.: «Химия». 1986 . 152 с.

10. Аззам Р.,Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет: Пер. с анг.

11. Под ред. А.В.Ржанова, М.:"Мир", 1981 . 583 с.

12. Основы эллипсометрии // Под ред.А.В.Ржанова, Новосибирск: "Наука", 1979 . 424 с.

13. Горшков М.М. Эллипсометрия, М.: "Сов.радио", 1974. 200 с.

14. Кизель В.А. Отражение света, М.:"Наука", 1973. 351 с.14. .Лейкин М.В., Молочников Б.И., Морозов В.Н., Шакарян Э.С.Оражатель-ная рефрактометрия,Л.:"Машиностроение", 1983 . 223 с.

15. Федоров Ф.И., Филиппов В.В. Отражение и преломление света прозра-чными кристаллами, Минск::"Наука и техника ".1976 .224 с.

16. Azzam R.M.A. Two detector ellipsometer//Rev.Sci.Instrum., 1985. vol.569 p. 1746-1748.

17. Azzam R.M.A. Binary polarization modulator // Optics Letters, 1988. vol.3 №9 p.701-703

18. Федоров Ф.И.Оптика анизотропных сред . Минск: Изд-во АН БССР, 1958.

19. Филиппов В.В., Тронин А.Ю., Константинов А.Ф. Эллипсометрия анизотропных сред // Физическая кристаллография, М. 1992. С.254-289.

20. Holmes D. A., Feucht D. L. Formulas for using plates in ellipsometry // Opt. Soc. Amer., 1967. v.57. p.466^68.

21. Рыхлитский C.B., Свиташев K.K., Соколов B.K. , Хасанов Т.Х. О влиянии многократного отражения на работу фазовой пластинки// Опт. и спектр. 1987. Т.63. вып.5. С. 1092-1094

22. Семененко А.И. К теории метода эллипсометрии // Опт. и спектр. 1975. Т.39 .С.587-592

23. Кизель В.А., Красилов Ю.И., Щамраев В.Н. Ахроматическое приспособление «четверть волны» // Опт. и спектр. ,1964. №3 С.461-463

24. King R.J., Downs M.J. Ellipsometry applied to films on dielectric subsrates // Surf .Sci., 1969. v .16. p.288-302

25. Федоринин В.Н. Исследование и разработка спектральных эллипсометров // Авт. реф. канд. дисс. Новосибирск: ИИГА и К, 1992. 23 с.

26. Шерклиф У. Поляризованный свет.М.: Мир, 1965. 264 с.

27. Алгазин Ю.Б. , Иощенко Н.Н. , Леоненко А.Ф. , Панькин В.Г. , Рыхлитский С.В. , Свиташев К.К. Лазерный фотоэлектрический эллипсометр ЛЭФ-ЗМ-1 // Приборы и техника эксперимента. 1987. №6 С.204

28. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Новый подход к эллипсометрии реальной поверхности оптических материалов // В сб. «Эллипсометрия: теория, методы, приложение» / Под ред. А.В.Ржанова и Л.А. Ильина. Новосибирск: «Наука». 1987. С.8-14.

29. Черезова Л.А., Вощенко Т.К., Храмцовский И.А., Пшеницын В.И.

30. Изменение оптических и спектральных свойств стекол при ионной иионно-химической обработке // Труды VII Всесоюзного симпозиума «Оптические и спектральные свойства стекол». Д.: ИХС ЛО АН СССР. 1989, С.197.

31. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Методы эллипсометрического анализанеоднородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей // В сб. «Эллипсометрия: теория, методы, приложение» / Под ред. К.К.Свиташе-ва. Новосибирск: «Наука», 1991. С.20-33.

32. Алексеев С.А., Колосов A.M., Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Определение глубины трещиноватого слоя полированной поверхности кварцевого стекла методом ИК-эллипсометрии // Стекло и керамика .1992. №8. С.6-8.

33. Аммас М.М.,Лисицын Ю.В.,ПодсекаевА.В.,ТуркбоевА.,Храмцовский И.А

34. Исследование поверхностных слоев фторсодержащих материалов// Вопро-сы материаловедения, 2000. №1 (21), С.58-63.

35. Алексеев С.А.,Крылова Н.А.,Миронов А.О.,Туркбоев А.,Храмцовский И.А

36. Применение метода секционирования при контроле окисных покрытий на ферритах // Вопросы материаловедения, 2000. №1 (21) , С.63-65

37. Акользин П.Г,Колосов С.В,Голодное Д.В.,Туркбоев А.,Храмцовский И.А

38. Особенности измерения параметров шероховатой поверхности диэлектриков и полупроводниковых материалов // Вопросы материаловедения .2000. №1 (21). С.66-69

39. Дронь О.С. Развитие эллипсометрии // Научное приборостроение. 2002.1. Т. 12. №4. С.57-62.

40. Дмитриев А.Л. Эллипсометр с мгновенной визуализацией проекционнойкартины на экране ЭЛТ// Опт. и спектр., 1972 . Т.32. С.191-194.

41. Hazerbroek H.F., Holscher A.A. Interferometric ellipsometer // J.Phys. E.,1973. v.6, p.822-826.

42. Прокопенко В.Т., Трофимов В.А. Анализ поляризации излучения ОКГ методом интерферометрической эллипсометрии // Труды ЛИТМО. 1975. С. 23-25.

43. Витвинин Е.А., Иванникова Г.Е., Игошин Ф.Ф. Интерферометр Майкельсона дальнего инфракрасного диапазона с шаговым приводом, работающий в режиме «на линии» с вычислительной машиной // Приборы и техника эксперимента. 1981. №3. С.186-188.

44. Hart М. X-ray polarization phenomena // Philosophical magazine.B. 1978. 38. №1. Part 2. p.41-56.

45. Конев B.A., Кулещов E.M., Пунько H.H. Радиоволновая эллипсометрия //

46. Под ред. И.С.Ковалева. М.: Наука и техника , 1985. С. 104-107.

47. Jasperson S.N., Schnafterly S.E. An improved method for high reflectivityellepsometry// Rev.Sci.Instr., 1969. v.40. №6. p.761

48. Федоринин B.H., Соколов B.K. Критерий качества эллипсометрическихсхем // Опт. и спектр., 1991. Т.70. вып 5. С.1169

49. Федоринин В.Н. Исследование и разработка спектральных эллипсометров

50. Авт. реф. канд. дисс. Новосибирск: ИИГА и К, 1992. 23 с.

51. A.c. 684409 (СССР). Способ определения критического угла полного внутреннего отражения света; Авт. изобрет. Пеньковский А. И., Исхаков Б. О., Жданов В. Н. Опубл. в Б. И., 1979 .№33

52. Пеньковский А.И. Способ измерения показателей преломления поглощающих сред // ОМП 1982. №8. С.38-41

53. Маслов В. П.,Мельник Т. С. Вопросы исследования метода эллипсометриидля контроля качества оптических деталей // Обзор №4687, ЦНИИИ и ТЭИ. 1988.67 с.

54. Маслов В. П.,Одарич В. А. Эллипсометрические исследования механическиполированных образцов некоторых оптических стекол //ОМП. 1983. №3. 1983. С.60-61

55. Маслов В. П., Мельник Т. С., Одарич В. А. Эллипсометрические исследования поверхности поверхности кристаллического кварца после механической обработки // ОМП. 1985. №8. С. 1-2

56. Владимирова Т. В., Горбань Н. Я., Маслов В. П., Мельник Т. С., Одарич

57. B.А. Исследование оптических свойств и строения поверхностного слоя ситалла // ОМП. 1979. №9. С.9-14.

58. Свиташева С.Н.,Свиташев К.К.,Семенов Е.Е.,Васильев А.Г. Изменение эллипсометрических параметров в зависимости от механической обработки поверхности // Поверхность.Физика, химия, механика. 1983. №12. С.64-71.

59. Neuman К. Ellipsometrische Bestimmung von Oberflachenschichten auf polierten optischen Glasern // Opt.Acta. 1983 v.30, №7. S.967-980

60. Мансуров Г.М., Мамедов P.K., Сударушкин A.C., Сидорин В.К.,Сидорин

61. К.К, Пшеницын В.И.,Золотарев В.М. Исследование природы полирован-ной поверхности кварцевого стекла методами эллипсометрии и спектро-скопии // Опт.и спектр. 1982. Т.52, вып.5.1. C.852-857

62. Нечаева Н.А., Журавлев Г.И. Лисицын Ю.В. Применение метода эллипсометрии для оптимизации процесса глубокого полирования стекол К108 и Ф101 // ОМП.1984.№9. С.61-62

63. Yokota H.,Sakata H.,Nishibori M.,Kinosita К., Ellipsometrie study of polishedglass surfaces // Surf.Scciens. 1969 .v. 16. P.265-267

64. Wright C.R.,Kao K.C. Spetrophotometrie studies of ultra low loss optikalglasses ,111. Ellipsometrie determination of Surface reflecta es // J. of Physics. 1969 . s.2, V.2.P.579-583

65. Дагман Э.Е.,Семененко А.Л. Исследование неоднородных отражающихсистем методом эллипсометрии.1 Апроксимация однородными слоями // Укр.физ.журнал. 1981. Т.26. №5. С.820-826

66. Дагман Э.Е.,Семененко A.JI. Исследование неоднородных отражающихсистем методом эллипсометрии. II Апроксимация линейными слоями // Укр.физ.журнал. 1981. Т.26. №6. С.820-826

67. Scandonne F.,Ballerini L. Theorie de la transmission et de la reflexion dans les systems de conches minces multiples //Nuovo Gemento. 1946. V.3.P.81-91

68. Abeles F. Recherches sur la propagation des ondes electromagnetignes sinusoedales dans les milienx stratifies // Ann.Phys. 1950. v.5. P.596, 706

69. Розенберг Г.В.,Оптика тонкослойных покрытий,М.,Физматгиз, 1958.

70. Минков И.М. Прохождение и отражение света плоскопараллельнымианизотропными слоями //Опт.и спектр. 1974. Т.37,вып.2. С.309-316

71. Веремей В.В.,Горбунова Т.А.,Минков И.М. Явное выражение для 4x4матрицы интерференции кристаллического слоя // Опт.и спектр. 1975. Т.38. С.390-391

72. Хэнерт М.,Раушенбах Б. Исследование поверхностных слоев силикатныхстекол // Физика и химия стекла.1988. Т.9. №6. С.696-703

73. Веденский В.Д.,Коновалова О.П.,Шаганов И.И. Оптическая неоднородность тонких диэлектрических слоев,получаемых методом вакуумного термического испарения // ОМП.-1987. №2. С.55-59

74. Fukyo H.,Oura N.,Kitajiama N.,Kono H. The refrakctive index distributionnormal to the polished surface of fused quartz measured by ellipsometry // J.Appl. Phys. 1979. v.50,№5.p.3653-3657

75. Azzam R.M.A. Direcf relation between Fresnels intface reflection ceefficientsfor the paralled and perpendicular polarizations // J.Opt.Soc.Am. 1979. v.69, №7. P.438^145

76. Azzam R.M.A. Mapping of Fresnels interfase reflectction coefficients betweennormal and oblique incidence: results for the paralled and perpendicular polarization at several angles of incidence // Appl.0pt.l980.v.l9, №19. P.3361-3369.

77. Швец В. А. О возможности определения комплексных коэффициентов отражения методом эллипсометрии // Опт.и спектр. 1983. Т.55, вып.З.1. С.558-561

78. Мардежев А. С.,Швец В. А. Определение параметров однослойной системы из иммерсионных эллипсометрических измерений // Поверхность. Физи-ка, химия, механика1985. №7. С.56-61.

79. Дагман Э. Е., Панькин В. Г., Свиташев К. К., Семененко А. И., Семененко

80. А. В., Шварц Н .JI. Определение параметров поглощающих пленок с помо-щью метода эллипсометрии // Опт. и спектр. 1979.Т.46, вып.З. С.559-565.

81. Holmes D.A. On the calculation thhin film refraktive index and thickness byellipsometry//Appl.Optics.1967. v.6, №1. P.168-170

82. Павлов П. В.,Хохлов А. Ф.,Курильчик Е. В.Доброхотов Э. В. Попов Ю.С.

83. Изменение свойств кремния и кварца при ионно-плазменной обработке // Активируемые процессы технологии микроэлектроники, Таганрог, 1979. Т. 15. С.57-71.

84. Беграмбеков Л.Б. Взаимодействие ионов с оптическими материалами // Всб. "Ионизирующие излучения и лазерные материалы".М.: Энергоиздат 1982. С.91-100

85. Кирееев В.Ю.,Данилин Б.С.,Кузнецов В.И.,Плазмохимическое травлениемикроструктур,М.:,Радио и связь. 1983.128с.

86. Первеев А.Ф.,Михайлов А.В.,Муранов Г.А., Ильин В.В. Оптические свойства пленок ТЮ2, полученных высокочастотным реактивным распылением с напряжением смещения // ОМП. 1975. №3. С.43^15.

87. Пшеницын В.И., Антонов В.А., Абаев М.И. Применение точных и приближенных решений уравнений Максвелла в эллипсометрии неоднородных слоев // Опт. и спектр. 1988.Т.65. вып.З. С.621-627.

88. Пшеницын В.И.Драмцовский И.А. Новый подход к эллипсометрииреальной поверхности оптических материалов //В сб. " Эллипсометрия: теория, методы, приложение" / Под ред.А.В. Ржанова и Л.А.Ильина. Новосибирск: "Наука". 1987. С.8-14.

89. Иванов В.Ю., Данилова Т.М, Храмцовский И.А К дискуссии о критериикачества внутрирезонаторных элементов ионных и эксимерных лазеров // Сборник: Наука и техника: Вопросы истории и теории. Выпуск XXV. СПб: СПб ИИЕТ РАН, 2009, С.315.

90. Качалов С. Н.,Мохно К. В.,Пшеницын В. И.,Храмцовский И. А., Туркбоев

91. А. Уравнение эллипсометрии для шероховатой поверхности неоднородной подложки // Методы прикладной математики в транспортных системах / Под ред. Кулибанова Ю.М. СПГУКВ. 2000.вып.3. С.86-90.

92. Топорец А.С.,Оптика шероховатой поверхности, JI: Машиностроение.1988. 191 с.

93. Плотников В.В., Прокопенко В.Т., Тимошенко A.M., Храмцовский И.А.

94. Диагностика шероховатой поверхности элементов оптоэлектроники методом эллипсометрии // Труды V Международной конференции «Прикладная оптика 2002»: Оптическое приборостроение, С-Пб., 2002, Т.1,С.136

95. Новиков А.А., Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А. Оптические свойствашероховатой поверхности элементов оптоэлектроники // Научно-техничес-кий вестник СП ГУ ИТМО: Теория и практика современных технологий / Гл. ред. В.Н.Васильев, 2004. вып. 15, С. 73-80.

96. Лызлов Н.Ю., Пшеницын В.И. Электрохимический эталон для эллипсометрии // Электрохимия- 1984. т.20, №8. С. 1139-1140.

97. Candela G.A, Chandler-Horowitz D., Novotny D.B., Vorburger T.V. Filmthickness and refractive index Standart Reference Material calibrated by ellipsometry and profilometry // Proc.SPIE. Int. Soc.Opt. Eng, 1986.V.661 P.402^07.

98. Архангельский T.B., Данилова T.M., Иванов В.Ю., Храмцовский И.А.

99. Метрологическое обеспечение метода элллипсометрии. //Меж. вуз. сб. "Неразрушающий контроль и диагностика окружающей среды, материалов и промышленных изделий" / Под ред. А.И.Потапова, СПб:СЗТУ. 2010. вып. 5. С. 51-53.

100. Храмцовский И.А., Разумная M.JI. Применение трехзеркального резонатора в установке для измерения оптических потерь // ОМП. 1983. №5. С.38-41.

101. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Исследование потерь излучения наоптических элементах в зависимости от физических параметров поверхностного слоя // ОМП. 1983. №12. С.5-7.

102. Троицкий Ю.В. Одночастотная генерация в газовых лазерах, Новосибирск:1. Наука", 1975, с.23

103. Хирд Т. Измерение лазерных параметров: Пер.с англ.// Под ред. Ф.С. Хайзулова, М.: "Мир", 1970.

104. Иванов В.Ю., Данилова Т.М., Храмцовский И.А. Определение оптическиххарактеристик элементов лазерной техники методом внутрирезонаторных потерь излучения // Прибостроение. Изв. ВУЗОВ. 2011. Т. № 7.С.

105. Стеклообразное состояние, Труды VIII Всесоюзного совещания // Подред. Е.А. Порай-Кошица, JL:"Наука". 1988. 170 с

106. Постановление МЭК-758-1 (протокол № 1)

107. ОСТ 41-07-274-87 (ок. 57 2631), Кварц искусственный пьезоэлектрический (технические условия, введен 01.01.1988)

108. Смагин А.Г.,Ярославский М.И. Пьезоэлектричество кварца и кварцевыерезонаторы. М.,"Энергия",1970. 488 с.

109. Глюкман Л.И. Пьезоэлектрические кварцевые резонаторы. М.: Радио исвязь", 1981.232 с.

110. Каданер Г.И., Кислов A.B., Кувалдин Э.В. Импульсная фотометрическаяустановка для измерения коэффициентов пропускания материалов // В кн. Импульсная фотометрия. Л. 1981. вып.7. С. 1048 1051.

111. Храмцовский И. А., Пшеницын В. И., Каданер Г.И., Кислов A.B. Учетоптических характеристик поверхностного слоя при определении коэффициентов отражения и пропускания прозрачных диэлектриков // ЖПС. 1987. Т.46, №2. С.272-279.

112. Антонов В.А., Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Уравнение эллипсометрии для неоднородных и анизотропных поверхностных слоев в приближении Друде-Борна // Опт. и спектр. 1987.Т.62. вып.4. С.104-111.

113. Храмцовский И.А., Вощенко Т.К., Черезова JI.A., Пшеницын В.И., Апинов

114. A.A. Изменение оптических свойств поверхностного слоя при ионно-плаз-менном распылении кварцевого стекла // Опт. и спектр. 1988. Т.65. вып.1. С.141-145.

115. Герасимова Н.Г. Спектральное приборостроение для вакуумной ультрафиолетовой области спектра.// В сб.: Физика вакуумноультрафиолетового излучения, Киев: "Наукова думка". 1974. С.28-29.

116. Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М.: "Наука". 1979. 478 с.

117. Шишацкая Л.П. Разработка и исследование спектрофотометрических лампна основе разряда в водороде: Автореф. Дис. канд. технич. наук. Москва, 1981.18 с.

118. Шишацкая Л.П., Цирюльник П.А., Рейтеров В.М., Сафонова Л.Н. Влияние ВУФ излучения на пропускание кристаллов фтористого лития и фтористого магния // ОМП. 1972. №10. С.69-70.

119. Зайдель А.Н., Шрейдер Е.Д. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.:"Наука". 1980. 431 с.

120. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: "Наука". 1971.400 с.111 .Duncanson A., Stevenson R.W.H. Some propetis of MgF2, cristallusied from the melt.// Proc.Phys.Soc., 1958. v.72. P.1001.

121. Cristal Structures. Ses Ed. 1963. v.l. P.239-252113 .Воронкова E. M., Гречушников Б.А., Дистлер Г.И., Петров И.A. Оптические материалы для инфракрасной техники. М: Наука, 1965.

122. Степанов И.В., Феофилов П.П. Искусственный флюорит. В сб.: Рост кристаллов. АН СССР. 1957. т.26. С.229-241.

123. Cubb Т.A.,Transmission of barium fluoride crystal in the ultraviolet. // JOSA. -1956 .v.46. №5. P.362-363.

124. Апинов А., Тесленко В.В., Икрами Д.Д., Раков Э.Г., Рейтеров В.М. Кинетика пирогидроролиза монокристаллического MgF2 // ЖНХ. 1982. т.27. №6. С.1363-1365.

125. Лугинина А.А., Апинов А., Ольховая Л.А., Рейтеров В.М., Икрами Д.Д., Синтез фторидов ЩЗМ для выращивания оптических монокристаллов // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1983. т.4. №9. С. 15801581.

126. Иванов Б.Г., Рейтеров В.М., Туркбоев А., Оптимизация температурных полей при выращивании кристаллов методом Бриджмена Стокбагера // Оптический журнал. 1999. №12. С.352-356.

127. Tomiki I.,Miyata Т., Optical studies of alkali fluorides and earth fluorides in

128. VUV rerjon // Journ.Phus.Soc.Jap. 1969. v.27. P.656.

129. Туркбоев А. Икрами Д.Д. Монокристаллы фторида бария. ЖНХ. 1987. Т.28. №10. С.2775-2779.

130. Туркбоев А. Икрами Д.Д. Гидрофториды щелочноземельных металлов, Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1984. т.36. №4. С. 189-191.

131. Scott D.W. Purification, grouth of single crystals and selected properties of MgF2// Journ.A.Ceram.Soc. 1962. v.45. №12. P. 586-587.

132. Verrall R.E., Senior W.A. Vacuum-ultraviolet study of licuid H20 and D20 // Journ.Chem.Phys.1969. v.50. № 6. P.2746.

133. Painter R.L.,Birkhoff R.D.,Arakawa E.T. Optical measurements of liquid wather in the vacuum ultraviolet // J.Chem. Phys.1969. v.51. №1. P.243.