Эллипсометрия поверхностных слоев элементов оптоэлектроники, модифицированных ионными и электронными пучками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.07, кандидат технических наук Новиков, Александр Александрович

• Новиков, Александр Александрович
• кандидат технических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат технических наук Новиков, Александр Александрович

ВВЕДЕНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

ГЛАВА I. АППАРАТУРА И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОСНОВНЫХ ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ В

ЭЛЛИПСОМЕТРИИ ОТРАЖАЮЩИХ СИСТЕМ

1.1. Методы компенсационной (нулевой) эллипсометрии

1.2. Методы переключения состояния поляризации светового пучка

1.3. Методы азимутальной и фазовой модуляции поляризованного светового пучка

1.4. Методы многоугловой и иммерсионной эллипсометрии . 47 Выводы

ГЛАВА II. ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НЕОДНОРОДНЫХ АНИЗОТРОПНЫХ СЛОЕВ И ШЕРОХОВАТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

2.1 Определение оптических характеристик неоднородных и анизотропных отражающих систем

2.1.1 Показатель преломления неоднородного поверхностного

2.1.2 Эффективная диэлектрическая проницаемость и толщина поверхностного слоя

2.2 Поляризационно-оптические свойства неоднородных и анизотропных поверхностных слоев

2.2.1 Обобщенное уравнение эллипсометрии в приближении теории Друде-Борна для неоднородных анизотропных слоев

2.2.2 Анализ области применимости точных и приближенных теорий отражения поляризованного света от неоднородных слоев

2.2.3 Основные закономерности изменения состояния поляризации светового пучка отраженного от неоднородного слоя . .92 2.3 Поляризационно-оптические свойства шероховатой поверхности диэлектриков и полупроводников

Выводы

ГЛАВА III. МЕТОДЫ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРНОЙ ТЕХНИКИ

3.1 Влияние неоднородности физико-химической структуры кварцевого стекла на потери излучения в УФ области спектра

3.2 Методы эллипсометрического анализа неоднородных поверхностных слоев элементов лазерной техники

3.3 Определение потерь излучения в оптических элементах методами эллипсометрии и спектрофотометрии

Выводы

ГЛАВА IV. ПОЛЯРИЗАЦИОННО-ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ СИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ И КРИСТАЛЛОВ ПРИ ИОННОЙ И ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ

ОБРАБОТКЕ

4.1 Поляризационно-оптические свойства поверхностного слоя при ионно-плазменной и ионно-химической модификации структуры кристаллического и плавленого кварца

4.2 Поляризационно-оптические свойства поверхностного слоя при модификации структуры многокомпонентных силикатных стекол ионными и электронными пучками

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эллипсометрия поверхностных слоев элементов оптоэлектроники, модифицированных ионными и электронными пучками»

В настоящее время для создания новых прогрессивных технологий изготовления элементов лазерной техники и оптоэлектроники необходимо не только детальное изучение физико-химических процессов, приводящих при различных внешних воздействиях (механических, химических, тепловых, радиационных и т.п.) к образованию модифицированной структуры поверхностного слоя (ПС) детали, выполненной из силикатного стекла и кристалла, но также требуется разработка прецизионных методов контроля оптических характеристик элементов оптоэлектроники на всех этапах технологического цикла изготовления оптико-электронных узлов из этих элементов.

Несмотря на то, что распыление материалов с использованием низкотемпературной газоразрядной плазмы инертных и химически активных газов применяется в производстве элементов оптоэлектроники не один десяток лет, до сих пор еще в недостаточной мере изучены физико-химические механизмы, лежащие в основе формирования модифицированной структуры ПС оптических элементов. Это связано в первую очередь с тем, что при экспериментально-теоретических исследованиях кинетики физико-химических процессов, протекающих при ионно-плазменной, ионно-химической и электронно-лучевой обработки поверхности стекол и кристаллов, как правило, используют такие понятия как "сколы" или "разломы" материалов. В то же время, при механической обработке оптических деталей на поверхности уже образуются неоднородные слои, а сама поверхность не является геометрически плоской границей раздела сред. Применение упрощенных моделей для описания физико-химических свойств поверхности элементов оптоэлектроники со структурой ПС модифицированной пучками ионов и электронов в значительной степени препятствует объективной оценке качества изготовления этих элементов.

Для формирования научных представлений о природе и физико-химических механизмах, приводящих к образованию на оптических элементах неоднородных и анизотропных ПС с измененной структурой и микрогеометрией поверхности детали при облучении ионными или электронными пучками, необходимо не только выяснить основные закономерности изменения состава, структуры и оптических свойств ПС на различных этапах получения элементов оптоэлектроники с заданными физико-техническими характеристиками, но также установить истинные корреляционные связи между оптическими свойствами ПС и технологическими параметрами процесса изготовления детали.

Для достаточно обоснованного прогноза в изменении оптических свойств поверхности детали при различных внешних воздействиях необходимо знать оптический профиль слоя - его вид и градиентные характеристики, а также определять геометрические параметры шероховатой поверхности и микроскопические характеристики энергетического микрорельефа поверхности.

Поэтому первоочередной задачей оптимизации технологических режимов ионно-плазменной, ионно-химической и электронно-лучевой обработки оптических деталей является разработка поляризационно-оптических и спектроскопических методов технологического контроля физико-химического состояния поверхности детали, учитывающих неоднородное строение ПС и изменение микрорельефа поверхности оптического элемента.

Цель настоящей работы состояла в усовершенствовании известных и разработке новых поляризационно-оптических методов контроля физико-химических свойств поверхностных слоев элементов оптоэлектроники в процессе модификации структуры силикатных стекол и кристаллов ионными и электронными пучками.

Для достижения указанной цели в работе решались следующие основные задачи:

- разработка методов физико-математического моделирования структуры неоднородных поверхностных слоев в рамках феноменологического подхода к описанию их макро- и микроскопических характеристик;

- разработка методик эллипсометрического и спектроскопического анализа поляризационно-оптических свойств неоднородных и анизотропных поверхностных слоев и шероховатой поверхности неоднородной подложки;

- изучение основных закономерностей изменения поляризационно-оптических свойств и физико-химических механизмов формирования неоднородной структуры поверхностного слоя при ионной, ионно-химической и электронно-лучевой обработке силикатных стекол и кристаллов;

- разработка, на основе полученных экспериментальных данных, оптимальных технологических режимов ионного и электронно-лучевого облучения поверхности оптических элементов для лазерной техники с минимальными потерями излучения в УФ области спектра.

Научная новизна работы состоит в том, что

- обобщены теоретические рассмотрения задачи отражения поляризованного света от неоднородных отражающих систем при макро- и микроскопическом описании их поляризационно-оптических свойств в приближении теорий отражения поляризованного света Друде-Борна и Сивухина-Пикуса;

- получены уравнения эллипсометрии для осесимметричных неоднородных анизотропных отражающих систем и шероховатой поверхности неоднородной подложки в приближении теорий отражения поляризованного света Рэлея-Райса и Друде-Борна;

- изучены основные закономерности изменения состояния поляризации отраженного светового пучка от неоднородных слоев и шероховатых поверхностей диэлектриков и полупроводников, на основе которых развиты методы физико-математического моделирования неоднородных отражающих систем;

- в рамках макро- и микроскопических параметров поверхностных слоев изучены поляризационно-оптические свойства и физико-химические механизмы формирования дискретной и континуальной неоднородности структуры ПС элементов оптоэлектроники в процессе различных внешних воздействий на поверхность детали ионными и электронными пучками излучения;

- методами эллипсометрии, ВУФ и ИК спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной и Ожс-спектрометрии проведено исследование корреляционных связей между оптическими и физико-химическими характеристиками неоднородных поверхностных слоев силикатных стекол, образующихся при механической, ионной и электронно-лучевой обработке элементов оптоэлектроники и лазерной техники;

- изучены физико-химические механизмы и кинетика формирования выщелоченного слоя и сегрегации щелочных компонентов в глубине поверхностного слоя неоднородной структуры поверхностного слоя при ионной, ионно-химической и электронно-лучевой обработки поверхности элементов оптоэлектроники, выполненных из натриевосиликатного стекла.

Научные положения и результаты, выносимые на защиту:

1. Метод решения задачи отражения поляризованного света от анизотропных осесимметричных многослойных оптических систем, основанный на применении теории возмущений к рекуррентным соотношениям Абеле, позволяет получить аналитическое уравнение эллипсометрии для определения оптических характеристик неоднородных анизотропных поверхностных слоев элементов оптоэлектроники, выполненных из силикатных стекол и кристаллов.

2. Метод эллипсометрического анализа поляризационно-оптических характеристик отражающих систем, основанный на физико-математическом моделировании неоднородной структуры поверхностного слоя, позволяет определять оптимальные условия эксперимента, при которых можно сравнивать различные по своему физическому содержанию математические модели структуры поверхностного слоя неоднородного слоя при наименьшей вероятности ошибки в оценки их адекватности объекту исследования.

3. Метод эллипсометрических измерений оптических характеристик элементов оптоэлектроники, основанный на физико-математическом моделировании неоднородной структуры исследуемой отражающей системы с учетом пороговой чувствительности прибора, позволяет проводить высокоточные измерения параметров оптических систем при экспериментальных условиях, когда наилучшим образом обеспечиваются метрологические возможности используемой спектроэллипсометрической аппаратуры.

4. Метод аттестации потерь оптического излучения в элементах лазерной техники, при совместном использовании эллипсометрической и спектрометрической аппаратуры, позволяет по поляризационно-оптическим параметрам шероховатой поверхности неоднородной подложки, различать потери оптического излучения в поверхностном слое внутрирезонаторных элементов ионных лазеров и определить коэффициент ослабления излучения в материале оптической детали с погрешностью 8ц<0,02%.

5. При ионно-плазменной, ионно-химической и электронно-лучевой обработке поверхности натриевосиликатных стекол установлена общая закономерность изменения оптических свойств по глубине поверхностного слоя, заключающаяся в образовании в приповерхностной области выщелаченного слоя с показателем преломления меньше объемного значения и формировании в глубине поверхностного слоя области с показателем преломления больше объемного значения.

6. Двухстадийное ионно-плазменное распыление поверхностного слоя полированного кварцевого стекла низкоэнергетическими пучками ионов Аг+ с последующем низкотемпературной обработке, позволяет уменьшить потери оптического излучения в ВУФ области спектра на внутрирезонаторных элементах ионных лазеров до 10—20%. в области спектра излучения ^-145-163 нм.

Практическая значимость работы состоит в том, что

- разработанные методы эллипсометрического контроля оптических характеристик неоднородных отражающих систем и шероховатых слоев являются достаточно универсальными и были использованы при решении широкого круга научных и технологических задач на ряде производств элементов лазерной техники и оптоэлектроники;

- установленные корреляционные связи между оптическими параметрами поверхностного слоя и технологическими режимами ионно-плазменной и иои-нохимической обработкой элементов лазерной техники, выполненных из кристаллического и плавленого кварца, позволили разработать критерии качества внутрирезонаторных элементов для ионных и эксимерных лазеров с минимальными потерями излучения в ВУФ и УФ области спектра;

Полученные результаты научно-исследовательской работы были использованы для технологического контроля кинетики физико-химических процессов формирования неоднородных структур поверхностных слоев элементов оптоэлектроники на предприятиях ООО «Кварцевое стекло», ФГУП НИТИОМ ВИД ГОИ им. С.И.Вавилова. Технические акты внедрения результатов научно-технических достижений настоящей работы представлены в приложении.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на VI Международной конференции "Прикладная оптика" (г. Санкт-Петербург, 2004 г.), на VII Международной конференции "Прикладная оптика", проводимой в рамках Международного конгресса "ОПТИКА XXI век" (г. Санкт-Петербург, 2006 г.), на III Межвузовской конференции молодых ученых (г. Санкт-Петербург, 2005 г.), на XXXII, XXXIII и XXXIV научно-технических конференциях ППС СПбГУИТМО (г. Санкт-Петербург, 2003, 2004, 2006 г.).

Публикации. Материалы диссертационной работы опубликованы в 13 научных трудах, в том числе 2 научных статьях в научно-техническом вестнике СПб ГУ ИТМО, входившего в перечень 2001-2005 г.г. ВАК для ведущих рецензируемых научных изданий для докторских диссертаций, а также 3 научных статьях в рецензируемых журналах, рекомендованных ВАК для докторских диссертаций (перечень от 01.01.2007 г.).

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения, списка литературы, включающего 242 наименования, содержит 182 страницы основного текста, включая 56 рисунков и 13 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы», Новиков, Александр Александрович

Выводы

Проведенные эллипсометричеекие и спектрометрические исследования физико-химической структуры поверхностных слоев многокомпонентного натриевосиликатного стекла, кристаллического и плавленого кварца, модифицированных ионными и электронными пучками различной энергии позволяют сделать следующие выводы.

1. Установлено, что при ионно-плазменном распылении пучком ионов Аг+ кристаллического кварца образуется неоднородный анизотропный поверхностный слой с физико-химическими свойствами характерной для двухслойной структуры кремнекислородных соединений. В приповерхностной области ПС толщиной до 10-15 нм образуется аморфизированный слой по своим оптическим свойствам близким к структуре стеклообразного диоксида кремния, что приводит к напряженно-деформированому состоянию кристаллической решетки кварца и увеличению анизотропии в поверхностном слое на глубине до 0,05-0,1 мкм.

2. Показано, что при ионно-плазменном распылении кварцевого стекла происходит образование дискретной и континуальной неоднородности в модифицированой ионами Аг+ структуре поверхностного слоя, описание оптических свойств которых должно проводится в рамках макро- и микроскопического подходов к анализу физико-химического состояния поверхности элементов оптоэлектроники. Предварительное ионно-плазменное распыление нарушенного слоя полированного кварцевого стекла ионами Аг+ позволяет при последующей ионной и термической обработки уменьшить дефектность кремнекислородной структуры ПС кварцевого стекла и, тем самым, уменьшить потери оптического излучения в ВУФ области спектра на внутрирезонаторных элементов ионных лазеров.

3. На основе разработанной методики эллипсометрического контроля параметров шероховатой поверхности неоднородной подложки показано, что в процессе ионно-химического распыления поверхностного слоя кварцевого стекла в плазме четырехфтористого углерода имеется принципиальная возможность получения элементов лазерной техники с малой среднеквадратической высотой микрорельефа поверхности и оптическими свойствами поверхностного слоя близкими к свойствам материала однородной подложки, минуя стадию предварительного ионно-плазменного распыления нарушенного слоя полированой детали.

4. Методами эллипсометрии, рентгеновской фотоэлектронной и оптической ИК спектроскопии показано, что выщелачивание поверхностного слоя при ионно-плазменной и электронно-лучевой обработке натриевосиликатного сте-кла сопровождается сегрегацией высокопрел омляющих компонентов в глубине поверхностного слоя. При этом образуется двухслойная структура поверхностного слоя: в приповерхностной области образуются структура близкая к структуре кремпекислородного каркаса стекла, в глубине ПС модификаторы стекла могут образовывать структуры близкие к мета- или ортосиликатов щелочных металлов. Приповерхностная область слоя имеет показатель преломления меньше показателя преломления стекла пс<п0, в глубине поверхностного слоя показатель преломления больше показателя преломления объемного значения пс>п0.

5. Показано, что эффективные значения параметров оптического соединения элементов оптоэлектроники - показателя преломления п*0к и толщина &*ок - дают информацию не только о зоне оптического контакта, о толщиной с15ОЛ~30-60 А и показателем преломления пок ~ 1,40-1,43, но и характеризуют оптические свойства сильно градиентной области поверхностных слоев ПС элементов, прилегающей к области непосредственного оптического контакта деталей. Эти характеристики можно использовать в качестве количественной оценки "обобщенного критерия качества" оптических соединений элементов оптоэлектроники, поскольку их значения определяют характеристики оптического соединения в целом, т.е. с учетом физико-химических и оптических свойств ПС элементов, находящихся в оптическом контакте. Для получения в приповерхностной области элементов оптоэлсктроники ультра микропористой структуру кремнезема силикатного стекла целесообразно использовать ионпо-химическое травление элементов в плазме хладоиа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных в диссертационной работе исследований можно сделать следующие выводы:

1. Разработан метод решения задачи отражения поляризованного света от неоднородных анизотропных слоев, основанный на применении теории метода возмущений к соотношениям Абеле для многослойной осесимметричной анизотропной оптической системы. Метод позволил с одной стороны получить в аналитическом виде уравнение эллипсометрии для неоднородных и анизотропных поверхностных слоев в приближении Друде-Борна и Сивухина-Пикуса, с другой определить границы применимости макро- и микроскопических подходов к анализу поляризационно-оптических свойств неоднородных поверхностных слоев элементов оптоэлектроники.

2. Получено уравнение эллипсометрии для шероховатой поверхности неоднородной подложки, на основании которого разработан метод определения параметров шероховатости при наличии на поверхности оптических элементов неоднородного поверхностного слоя. Сопоставление результатов измерения параметров шероховатой поверхности оптических элементов методом эллипсометрии с данными полученными методами профилометрии и спекл-интерферометрии показало, что метод эллипсометрии позволяет определять среднеквадратическую высоту микрорельефа а=5-И20А с погрешностью 8СТ<2-^5А при значениях среднеквадратического шага микрорельефа 8У=0,02-^-2 мкм.

3. В рамках широкого круга моделей отражающих систем установлено, что тип поляризации отраженного светового пучка и величина отклонения угла поляризации относительно угла Брюстера определяется структурой неоднородной отражающей системы. Это позволяет в рамках метода эллипсометрии различать эффекты в изменении состояния поляризации отраженного светового пучка вызванные наличием на поверхности оптических элементов шероховатых, поглощающих и неоднородных слоев с различным видом оптического профиля.

4. Разработан метод определения потерь излучения в поверхностном слое оптических элементов и показателя ослабления излучения в стеклах, основанный на сопоставительном анализе экспериментальных данных полученных методами спектрофотометрии и эллипсометрии. Показано, что предварительное ионно-плазмеппое распыление нарушенного слоя полированного кварцевого стекла ионами Аг+ позволяет при последующей ионной и термической обработки уменьшить дефектность кремнекислородной структуры ПС кварцевого стек-ла и, тем самым, уменьшить потери оптического излучения в ВУФ области спектра на внутрирезонаторных элементов ионных лазеров.

5. Показано, что при ионно-плазменном распылении кварцевого стекла происходит образование дискретной и континуальной неоднородности в модифицированой ионами Аг+ структуре поверхностного слоя, описание оптических свойств которых должно проводится в рамках макро- и микроскопического подходов к анализу физико-химического состояния поверхности элементов оп-тоэлектроники.

6. В результате распыления пучком ионов Аг+ поверхностного слоя кристаллического кварца в приповерхностной области толщиной до 10-15 нм образуется аморфизированный слой по своим оптическим свойствам близким к структуре стеклообразного диоксида кремния, что приводит к напряженно-деформированому состоянию кристаллической решетки кварца и увеличению анизотропии в поверхностном слое на глубине до 0,05-0,1 мкм.

7. Методами эллипсометрии, рентгеновской фотоэлектронной и оптической ИК спектроскопии показано, что выщелачивание поверхностного слоя при ионно-плазменной и электронно-лучевой обработке натриевосиликатного сте-кла сопровождается сегрегацией высокопреломляющих компонентов в глубине поверхностного слоя. При этом образуется двухслойная структура поверхностного слоя: в приповерхностной области образуется структура близкая к структуре кремнекислородного каркаса стекла с показателем преломления меньше показателя преломления стекла пс<п0„ в глубине ПС модификаторы стекла могут образовывать структуры с показателем преломления пс>п0.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Новиков, Александр Александрович, 2008 год

1. Бори M.,Вольф Э. Основы оптики, М., "Наука". 1970 . 650 с.

2. Azzam R.M.A. A perspective on ellipsometry // Surface Sei., 1976. v.56, p.6

3. Современные проблемы эллипсометрии // Под ред. А.В.Ржаиова, Новосибирск,"Наука". 1980 г., 192 с.

4. Эллипсометрия метод исследования поверхности //Под ред. A.B. Ржанова, Новосибирск, "Наука", 1983 . 180 с.

5. Эллипсометрия: теория, методы, приложение//Под ред. А.В.Ржанова и Л.А.Ильина, Новосибирск, "Наука", 1987 ., 192 с.

6. Эллипсометрия в науке и технике // Под ред. К.К.Свиташева и А.С.Мардежева, Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1987 . 205 с.

7. Эллипсометрия в науке и технике // Под ред. К.К.Свиташева и А.С.Мардежева, вып.2, Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1990г.,190 с.

8. Эллипсометрия: теория, методы, приложение// Под ред. К.К.Свиташева, Новосибирск, "Наука", 1991г., 200 с.

9. Пшеницын В.И., Абаев М.И., Лызлов Н.Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях, Л., 1986 г., 152 с.

10. Аззам Р.,БашараН. Эллипсометрия и поляризованный свет: Пер. с анг. // Под ред. А.В.Ржанова, М., "Мир", 1981 г., 583 с.

11. Основы эллипсометрии // Под ред.А.В.Ржанова, Новосибирск, "Наука", 1979 г., 424 с.

12. Горшков М.М. Эллипсометрия, М., "Сов.радио", 1974г., 200с.

13. Кизель В.А. Отражение света, М., "Наука", 1973 г., 351 с.

14. Лейкин М.В., Молочников Б.И., Морозов В.Н., Шакарян Э.С.Оража-тельная рефрактометрия,Л.,"Машиностроение", 1983 г.,223 с.

15. Федоров Ф.И., Филиппов В.В. Отражение и преломление света прозрачными кристаллами, Минск,"Наука и техника ",1976 г,224 с

16. Azzam R.M.A. Two detector ellipsometer // Rev.Sci.Instrum., 1985 -vol.56, №°9.-p.l746-1748

17. Azzam R.M.A. Binary polarization modulator // Optics Letters, 1988.- vol. 3, №9 p.701-703

18. Федоров Ф.И.Оптика анизотропных сред . Минск, Изд-во АН БССР,1958

19. Филиппов В.В.,Тронин А.Ю.,Константинов А.Ф. Эллипсометрия анизотропных сред // Физическая кристаллография, М.,1992, С.254-289

20. Holmes D. A., Feucht D. L. Formulas for using plates in ellipsometry // Opt. Soc. Amer., 1967,v.57. p.466^168.

21. Рыхлитский C.B., Свиташев K.K., Соколов B.K. , Хасанов T.X. О влиянии многократного отражения на работу фазовой пластинки// Опт. и спектр. , 1987. Т.63., вып.5, С. 1092-1094

22. Семененко А.И. К теории метода эллипсометрии // Опт. и спектр. ,1975. Т.39 С.587-592

23. Кизель В.А., Красилов Ю.И., Щамраев В.Ы. Ахроматическое приспособление «четверть волны»// Опт. и спектр. ,1964. №3 С.461-^163

24. King R.J., Downs M.J. Ellipsometry applied to films on dielectric subsrates // Surf.Sci.,1969,v.l6,p.288-302

25. Федорипип B.H. Исследование и разработка спектральных эллипсометров // Авт. реф. канд. дисс. Новосибирск: ИИГА и К, 1992. 23 с.

26. Шерклиф У. Поляризованный свет.М.: Мир, 1965. 264 с.

27. Алгазии Ю.Б. , Иощенко H.H. , Леоненко А.Ф. , Панькин В.Г. , Рыхлитский C.B. , Свиташев К.К. Лазерный фотоэлектрический эллипсометр ЛЭФ-ЗМ-1 // Приборы и техника эксперимента. 1987. №6 С.204

28. Пшеницып В.И., Храмцовский И.А. Новый подход к эллипсометрии реальной поверхности оптических материалов // В сб. «Эллипсометрия: теория, методы, приложение» / Под ред. А.В.Ржанова и Л.А. Ильина Новосибирск: «Наука», 1987. С.8-14

29. Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Методы эллипсометрического анализа неоднородных поверхностных слоев и шероховатых поверхностей // В сб. «Эллипсометрия: теория, методы, приложение» / Под ред. К.К.Свиташева -Новосибирск: «Наука», 1991, - С.20-33

30. Алексеев С.А., Колосов A.M., Пшеницын В.И., Храмцовский И.А. Определение глубины трещиноватого слоя полированной поверхности кварцевого стекла методом ИЕС-эллипсометрии // Стекло и керамика 1992,- №8. С.6-8

31. Аммас М.М.,Лисицын Ю.В.,ПодсекаевА.В.,ТуркбоевА., Храмцовский И.А Исследование поверхностных слоев фторсодержащих материалов// Вопросы материаловедения, 2000., №1 (21), с.58-63

32. Алексеев С.А.,Крылова H.A.,Миронов А.О.,Туркбоев А.,Храмцовский И.А Применение метода секционирования при контроле окисных покрытий на ферритах// Вопросы материаловедения, 2000., №1(21), с.63-65

33. Акользин П.Г, Колосов С.В, Голоднов Д.В., Туркбоев А., Храмцовский И.А Особенности измерения параметров шероховатой поверхности диэлектриков и полупроводниковых материалов // Вопросы материаловедения , -2000, №1(21),с.66-69

34. Дронь О.С. Развитие эллипсометрии// Научное приборостроение, 2002, т. 12, №4, С.57-62

35. Дмитриев А.Л. Эллипсометр с мгновенной визуализацией проекционной картины на экране ЭЛТ// Опт. и спектр., 1972 г., т.32, с.191-194

36. Hazerbroek H.F., Holscher A.A. Interferomelric ellipsometer // J.Phys.E., 1973,v.6, p.822-826

37. Прокопенко B.T., Трофимов В.А. Анализ поляризации излучения ОКГ методом интерфсрометрической эллипсомегрии // Труды ЛИТМО, 1975, с. 23-25

38. Витвииин Е.А., Иванпикова Г.Е., Игошип Ф.Ф. Интерферометр Майкельсона дальнего инфракрасного диапазона с шаговым приводом, работающий в режиме «на линии» с вычислительной машиной// Приборы и техника эксперимента, 1981, №3, С.186-188

39. Hart М. X-ray polarization phenomena // Philosophical magazine.B., 1978, 38,№1, Part 2,p.41-56

40. Конев В.А., Кулещов E.M., Пунько H.H. Радиоволновая эллипсометрия / Под ред. И.С.Ковалева.- М.: Наука и техника , 1985 С.104-107

41. Jasperson S.N., Schnafterly S.E. An improved method for high reflectivity ellepsometry// Rev.Sci.Instr., 1969,v.40,№6, p.761

42. Федоринин В.И., Соколов B.K. Критерий качества эллипсометрических схем // Опт. и спектр., 1991. т.70, вып 5. С.1169

43. Федоринин В.Н. Исследование и разработка спектральных эллипсометров // Авт. реф. канд. дисс. Новосибирск: ИИГА и К, 1992. 23 с.

44. A.c. 684409 (СССР). Способ определения критического угла полного внутреннего отражения света; Авт. изобрет. Пеньковский А. И., Исхаков Б. О., Жданов В. Н. Опубл. в Б. И., 1979, №33

45. Пеньковский А.И. Способ измерения показателей преломления поглощающих сред// ОМП 1982. №8 С.38^1

46. Маслов В. П.,Мельник Т. С. Вопросы исследования метода эллипсометрии для контроля качества оптических деталей // Обзор №4687, ЦНИИИ и ТЭИ . 1988.67 с.

47. Маслов В. П.,Одарич В. А. Эллипсометрические исследования механически полированных образцов некоторых оптических стекол //ОМП. 1983. №3. 1983. С.60-61

48. Маслов В. П., Мельник Т. С., Одарич В. А. Эллипсометрические исследо- вания поверхности поверхности кристаллического кварца после механической обработки // ОМП. 1985. №8. С.1-2

49. Владимирова Т. В., Горьбань Н. Я., Маслов В. П., Мельник Т. С., Одарич В.А. Исследование оптических свойств и строения поверхностного слоя ситалла //ОМП. 1979. №9.С.9-14.

50. Свиташева С.Н.,Свиташев К.К.,Семенов Е.Е.,Васильев А.Г. Изменение эллипсометрических параметров в зависимости от механической обработки поверхности //Поверхность.Физика,химия,механика. 1983.№12. С.64-71

51. Neuman К. Ellipsometrische Bestimmung von Oberflachenschichten auf polierten optischen Glasern // Opt.Acta. 1983 v.30, №7. S.967-980

52. Мансуров Г.М., Мамедов P.K., Сударушкин A.C., Сидорин В.К.,Сидорин K.K, Пшеницын В.И.,Золотарев В.М. Исследование природы полированной поверхности кварцевого стекла методами эллипсомет-рии и спектроскопии // Опт.и спектр. 1982/т.52, вып.5. С.852-857

53. Нечаева Н.А.,Журавлев Г.И.Лисицын Ю.В. Применение метода эллипсометрии для оптимизации процесса глубокого полирования стекол К108 и Ф101 // ОМП.1984.№9. С.61-62

54. Yokota Н., Sakata Н., Nishibori М., Kinosita К., Ellipsometrie study of polished glass surfaces // Surf.Scciens. 1969 .v. 16. P.265-267

55. Wright C.R.,Kao K.C. Spetrophotometrie studies of ultra low loss optikal glasses ,111. Ellipsometrie determination of Surface reflecta ces // J. of Physics. 1969 . s.2, v.2.P.579-583

56. Дагман Э.Е.,Семененко А.Л. Исследование неоднородных отражающих систем методом эллипсометрии.1 Апроксимация однородными слоями // Укр.физ.журнал. 1981. т.26. №5. С.820-826

57. Дагмаи Э.Е.,Семененко А.Л. Исследование неоднородных отражающих систем методом эллипсометрии. II Апроксимация линейными слоями // У кр.физ.журнал. 1981. т.26. №6. С.820-826

58. Scandonne F., Ballerini L. Theorie de la transmission et de la reflexion dans les systems de conches minces multiples //Nuovo Gemento. 1946. v.3.P.81-91

59. Abeles F. Recherches sur la propagation des ondes electromagnetignes sinuso-edales dans les milienx stratifies // Ann.Phys. 1950. v.5. P.596, 706

60. Розенберг Г.В.,Оптика тонкослойных покрытий, М.,Физматгиз,1958.

61. Минков И.М. Прохождение и отражение света плоскопараллельными анизотропными слоями //Опт. и спектр. 1974. т.37,вып.2. С.309-316

62. Веремей В.В.,Горбунова Т.А.,Минков И.М. Явное выражение для 4x4 матрицы интерференции кристаллического слоя // Опт.и спектр. 1975. т.38. С.390-391

63. Хэнерт М.,Раушенбах Б. Исследование поверхностных слоев силикатных стекол // Физика и химия стекла.-1988г.-т.9ДЧ6.-с.696-703

64. Веденский В.Д.,Коновалова О.П., Шаганов И.И. Оптическая неоднородность тонких диэлектрических слоев,получаемых методом вакуумного термического испарения // ОМП- 1987г.- N2.- с.55-59

65. Fukyo Н., Oura N., Kitajiama N., Kono H. The refrakctive index distribution normal to the polished surface of fused quartz measured by ellipsometry //J.Appl.Phys.-1979.- v.50,N5.-p.3653-3657

66. Azzam R.M.A. Direcf relation between Fresnels intface reflection ceefficients for the paralled and perpendicular polarizations // J.Opt.Soc.Am. 1979. v.69, №7. P.438^45

67. Azzam R.M.A. Mapping of Fresnels interfase reflectction coefficients between normal and oblique incidence: results for the paralled and perpendicular polarization at several angles of incidence // Appl.0pt.l980.v.l9, №19. P.3361-3369

68. Швец В. А. О возможности определения комплексных коэффициентов отражения методом эллипсометрии //Опт.и спектр. 1983. т.55, вып.З. С.558-561.

69. Мардежев А. С., Швец В. А. Определение параметров однослойной системы из иммерсионных эллипсометрических измерений // Поверхность. Физика, химия, механика1985. №7. С.56-61

70. Дагман Э. Е., Папысин В. Г., Свиташев К. К., Семеиенко А. И., Семенен-ко А. В., Шварц I-I.JT. Определение параметров поглощающих пленок с помощью метода эллппсометрии // Опт. и спектр. 1979.Т.46, вып.З. С.559-565

71. Holmes D.A. On the calculation thhin film refraktive index and thickness by ellipsometry//Appl.Optics. 1967. v.6, №1. P.168-170

72. Павлов П. В.,Хохлов А. Ф.Дурильчик Е. В.Доброхотов Э. В.,Попов Ю. С. Изменение свойств кремния и кварца при ионно-плазменпой обработке // Активируемые процессы технологии микроэлектроники, Таганрог, 1979. т. 15. С.57-71

73. Беграмбеков Л.Б. Взаимодействие ионов с оптическими материалами //В сб. "Ионизирующие излучения и лазерные материалы". М.: Энергоиздат. 1982.-С.91-100

74. Кирееев В.Ю.,Данилин Б.С.,Кузнецов В.И.,Плазмохимическое травление микроструктур, М.:,Радио и связь.1983.128с.

75. Первеев А.Ф.,Михайлов А.В.,Муранов Г.А.,Ильин В.В. Оптические свойства пленок ТЮ2, полученных высокочастотным реактивным распылением с напряжением смещения //ОМП. 1975. №3. С.43-45

76. Steinike Н., Muller B.,Richter-Mendan J.,Hennig Н.-р. Evidence of an Amorhous Layer on Mechanicall Treated Singll Grystall of Quartz // Kristall und Technik. 1979. v. 14, №7. p.37-38

77. Нечаева H.A., Журавлев Г.И., Лисицын Ю.В. Применение метода эллип-сометрии для оптимизации процесса глубокого полирования стекол К108 и Ф101 // ОМП.1984.№9.С.61-62

78. Yokota Н., Sakata Н., Nishibori М., Kinosita К., Ellipsometrie study of polished glass surfaces // Surf.Scci-ens. 1969v.l6.- p.265-267

79. Wright C.R., Kao K.C. Spetrophotometrie studies of ultra low loss optikal glasses ,111. Ellipsometrie determination of Surface reflecta ces // J. of Physics. 1969 s.2, v.2 .p.579-583.

80. Храмцовский И.А., Вощенко Т.К., Черезова Л.А., Пшеницын В.И., Апнов А.А. Изменение оптических свойств поверхностного слоя при ионно-плазменном распылении кварцевого стекла // Опт. и спектр. 1988. т.65, вып.1.С.141-145

81. Chiang K.S./Consfnection of refractive-indcx profiles of planar dialectrie waveguides from the distribution of effective index /J. of Lichtwave Technology. 1985. v.LT-3. №2.P.385-391

82. Парье О., Сычугов B.A., Тищенко А.В. О восстановлении профиля показателя преломления в диффузионных волповодах//Квантовая электропика. 1980. т.7, №9. С.2028-2031

83. Войтенков А.И.,Могилевич В.,Н. Об определении профиля показателя преломления маломодовых планарных волноводов //Квантовая электроника. 1983. т. 10. №10. С.2128-2130.

84. Войтенков А.И.,Редько В.П. Определение параметров одномодовых диффузионных волноводов//Квантовая электроника. 1983. т.7.№9. С.2001-2003.

85. Храмцовский И.А., Мишин А.В., Пшеницын В.И. Использование методов эллипсометрии и ВКБ для определения оптического профиля волноводных слоев//Письма в ЖТФ. 1987. вып. 13. С. 1230-1235.

86. Закис Ю. Р., Тале И. А. Основы метода кинетических частиц в описании процессов переноса в стеклах// Физика и химия стекла, 1982. т.8. №1. С. 3-10

87. Закис Ю.Р. Дефекты в стеклообразном состоянии вещества. Рига. 1984. 202 с.

88. Стеклообразное состояние, Труды VIII Всесоюзного совещания // Под ред. Е.А. Порай-Кошица, Л.:"Наука", 1988 г., 170 с.

89. Шутилов В.А., Абезгауз B.C. Структурные особенности и модели строения кварцевого стекла // Физика и химия стекла, 1985, т. 11, N 3, с.257-271

90. Elliot S.R. Non-diffraction structural probes // J.Non-Cryst.Slids, 1985, vol 76, № 1-3, P.86-128.

91. Калинин Ю.Е. Модельные представления структуры металлических стекол // Физика и химия стекла, 1983, т.9, № 2, с. 1292, с. 129-137

92. Храмцовский И.А., Пшеницын В.И. Влияние полирующего абразива на оптические характеристики поверхностного слоя // ОМП. 1987 ,№7. С 29-31

93. Пшеницын В.И., Холдаров Н.Х., Храмцовский И.А., Калинина М.А., Тихомирова Н.И. Изменение оптических характеристик поверхностного слоя стекла при полировании // ОМП 1987,№ °8 С.28-31

94. Мазурин О.В., Порай-Кошиц Е.А. О принципах разработки общей теории стеклообразного состояния // Физика и химия стекла, 1977, т.З, № 4, с1977, т.З, С.408-412.

95. Бальмаков М.Д. Квантовомеханическое обоснование применения метода оптимальных полиномов для расчета свойств стекол // Физика и химия стекла, 1981, т.7, № 5, С.535-543.

96. Бальмаков М.Д., Борисова З.У. Метод описания соотношения структуры и свойств неупорядоченных систем //Физика и химия стекла, 1976. т.2. № 3. С.234-238.

97. Бальмаков М.Д. Метод оптимальных полиномов для расчета свойств сложных стекол // Физика и химия стекла, 1977, т.З, N 3, с.255-261.

98. Бальмаков М.Д. Структурные единицы Мюллера в методах расчета свойств стекол по составу // Физика и химия стекла, 1980. т.6. №2 с. 136-142.

99. Якхинд А.К. Расчет оптических постоянных с взаимным замещением компонентов // Физика и химия стекла,1987, т.13,№ 6, с.886- 893.

100. Якхинд А.К. Расчет оптических постоянных тройных и многокомпонентных стекол по данным для стекол бинарных и псевдобинарных систем // Физика и химия стекла, 1988, т. 14, № 5, с.723- 728.

101. Сторижко В.Е. Ядерный микроанализ // Вопросы атомной науки и техники, сер. Общая и ядерная физика. 1987. вып.1 (37). с.3-11. .

102. Петровский Г.Т., Тер-Нерсесянц В.Е. Ядерно-физические методы анализа приповерхностных слоев стекла // Физика и химия стекла. 1988 . т. 14, №5. с.641-664.

103. Черепин В.Т., Васильев М.А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов, Киев, 1982, 400 с.

104. Ю.Чернов И.П. Методы ядерного анализа поверхности твердого тела. В кн.: Прикладная ядерная спектроскопия, вып. 10,JL, 1981, с.111-129

105. Милованов А.П., Моисеев В.В., Портягин В.И. Современнве методы анализа поверхности при изучении стекла // Физика и химия стекла, 1985, т.11, N 1, С.3-23.

106. Böttcher c.J.F. Theory of electric polarization. Amsterdam:Elsevier Co., 1952,312 p.

107. Кузьмин B.JI. Об оптических явлениях в анизотропных средах // Опт. и спектр., 1976, т.41, сС.850-854.

108. Кузьмин В.Л., Михайлов A.B. Молекулярная теория отражения света и границы применимости макроскопического подхода //Опт. и спектр., 1981, т.51, С.691-695.

109. Кузьмин В.Л. Многократное рассеяние в задаче распростронения света в среде // Опт. и спектр., 1976, т.40, С.552-557

110. Антонов В.А., Пшеницын В.И. Эффективная диэлектрическая проницаемость гетерогенной системы // Опт. и спектр., 1981,т.50,вып.2, с.362-370.

111. Доценко A.B., Ефремов A.M., Кучинский С.А. Оценка предельных значений коэффициента отражения и оптической плотности металлодиэлектрических поглощающих слоев // ОМП, 1988, №2, с. 16-19

112. Федорова Л.В.,Молчанов B.C.,Макарова Т.М.,Тихонова З.И.,Немилов C.B. Кинетика начальных стадий выщелачивания свинцовосиликатных стекол кислыми растворами // Физика и химия стекла, 1983, т.9, №6, С.725-729.

113. Бесцветное оптическое стекло СССР, каталог /Под ред.чл.-корр. Г.Т. Петровского, М., 1990 г.,130 с.

114. Антонов В.А.,Пшепицын В.И.,Храмцовский И.А. Уравнение эллип-еометрии для неоднородных и анизотропных поверхностных слоев в приближении Друде-Борпа // Опт. и спектр 1987.Т.62, вып.4. С.828-831

115. Храмцовский И.А.,Пшеницын В.И.Каданер Г.И.,Кислов A.B. Учет оптических характеристик поверхностного слоя при определении коэффициентов отражения и пропускания прозрачных диэлектриков// ЖПС. 1987. т.46, №2. С.272-279.

116. Пшепицын В.И.,Храмцовский И.А. Новый подход к эллипсометрии реальной поверхности оптических материалов // В сб. " Эллипсометрия: теория, методы, приложение" / Под ред.А.В.Ржанова и Л.А.Ильина. Новосибирск: "Наука". 1987. С.8-14.

117. Сивухин Д.В. Феноменологическая теория переходного слоя // ЖЭТФ 1943. Т.13. С.361-370

118. Сивухин Д.В. Молекулярная теория отражения и преломления света // ЖЭТФ. 1948. Т.18. С.754-750

119. Пикус Г.Е. О влиянии поверхностных состояний электронов на оптические свойства полупроводника и диэлектрика // ЖЭТФ. 1952. Т.22, вып.З, С.331- 338

120. Пшеницын В.И., Антонов В.А., Зорин З.М. К теории отражения света от тонкого проводящего слоя // Опт. и спектр. 1979 т.46., вып.2. С.310-316

121. Щуп Т.,Решение инженерных задач на ЭВМ, М.:Мир .1982,

122. Бронштейн И.Н., Семендяев К.А. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов М.: "Наука" 1986. 544 с.

123. Леонова Т.В. Исследование эллипсометрическим методом оптических характеристик поверхностей стекол после механической и химической обработки //Авт. ферат канд. диссерт., ГОИ,Л.,1990.

124. Минков И.М., Веремей В.В., Горбунова Т.А., Наклонное падение света на слой с экспоненциально изменяющимся показателем преломления // Опт. и спектр. 1977. т.43, вып.1, С.136-145.

125. Пшеницын В.И., Антонов В.А., Абаев М.И. Применение точных и приближенных решений уравнений Максвелла в эллипсометрии неоднородных слоев //Опт. и спектр.-1988г.-т.65,вып.З.- с.621-627

126. Бреховских Л. М., Волны в слоистых средах, М.:изд. АН СССР. 1957502с.

127. ДрудеП., Оптика, ОНТИ, 1935.

128. Тимофеева Н.Ф. Исследование оптических поверхностных слоев стекла //ЖЭТФ. 1936. т.6,№1. С.71-92

129. Мансуров Г.М.,Розанов H.H.,Золотарев В.М.,Сутовский С.М. Определение оптических характеристик материалов в объеме и поверхностном слое по спектрам внутреннего отражения // Опт.и спектр. 1982. т.53, вып.2. С.301-306.

130. Channet J.С., de Gennes P.G. Ellipsometrie formulas for an inhomogeneons lager with arbirary refractive-index profile // J.Opt.Amer. v.73, №12. p. 1777-1784.

131. Channet J.C.,de Gennes P.G., Ellipsometrie formulas for an index profile of small ampllitude but arbitry shpe.//J.Phys.Collay. 1983. CIO.- p.27-30.

132. Kaiser J.H. Regularization in ellipsometry., Nearsurface depth profiles of the refractive-index // Appl.Phys.B.1988. V.B45, №1. p. 1-5

133. Новиков А.А. Анализ точных и приближенных методов решения обратной задачи эллипсометрии для неоднородного поверхностного слоя // Труды III межвузовской конференции молодых ученых. СПб ГУ ИТОМ, 2006 (в печати)

134. Strachan С. The reflectien of light at a surface со vered by a mono-molecular film//Proc.Cambridge Phil.Soc. 1933. v.29. p.l 16-130

135. Алексеев С. Е.,Прокопенко В. Т.,Яськов А. Д., Экспериментальная оптика полупроводников, С.-Пб: "Политехника", 1994,248с.

136. Храмцовский И. А., Вощенко Т. К., Черезова Л. А., Пшеницын В. И., Апинов А. А. Изменение оптических свойств поверхностного слоя при ионно-плазмениом распылении кварцевого стекла // Опт. и спектр. 1988. т.65, вып.1. С.141-145.

137. Антонов В.А., Пшеницын В.И. Отражение поляризованного света шероховатой поверхностью // Опт. и спектр. 1984. Т.56. вып.1. С. 146-154

138. Ohlidal I., Lukes F. Ellipsometrie parameters of sistems with rough Sonuda ries // Optika Acta.l972.v.l9, №10. p.817

139. Ohlidal I., Lukes F., Navratil K. The problem of surface roughness in ellipsometry and reflectromerty // J.Phys.(Franc.). 1977-V.38 №11. p.77-87

140. Vorburger T.V., Ludemz K.C. Ellipsometry of rough surfaces // Appl.Opt. 1980. v.19 . №4. p.591-593.

141. Новиков A.A., Прокопенко В.Т., Храмцовскнй H.A. Оптические свойства шероховатой поверхности элементов оптоэлектропики // Теория и практика современных технологий / Гл. ред. В.Н.Васильев, СПб:СПб ГУ ИТМО , 2004 г., вып.15, С. 73-80.

142. Новиков A.A., Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А «Определение потерь излучения па оптических элементах методами эллипсометрии и спектрофотометрии //Приборостроепие.Изв.ВУЗОВ, 2007. Т50 . №3. С. 62-68

143. Акользин П.Г, Колосов С.В, Голоднов Д.В., Туркбоев А., Храмцовский И.А Особенности измерения параметров шероховатой поверхности диэлектриков и полупроводниковых материалов // Вопросы материаловедения, 2000. №1(21), С.66-69.

144. Храмцовский И.А., Пасяда A.B.Отражение поляризованного света от неоднородного анизотропного поверхностного слоя// Приборостроение. Изв. ВУЗОВ, 2007 , №12, С.40^16

145. Розенберг Г.В.,Оптика тонкослойных покрытий, М.,Физматгиз,1958.

146. Топорец A.C.,Оптика шероховатой поверхности, JI: Машиностроение, 1988.191 с.

147. Храмцовский И.А., Разумная M.J1. Применение трехзеркального резонатора в установке для измерения оптических потерь // ОМП. 1983. №5. С.38—41

148. Троицкий Ю.В. Одночастотная генерация в газовых лазерах, Новосибирск: "Наука", 1975, с.23

149. Хирд Т. Измерение лазерных параметров: Пер. с англ.// Под ред. Ф.С. Хайзулова, М.: "Мир", 1970.

150. Тейлор Б., Паркер В., Ландерберг Д. Фундаментальные константы и квантовая электродинамика-М.: Энергоиздат, 1972

151. Аникеев В.Г., Каменев П.В., Манько В.И., Рыхлитский С.Б., Сидорова Л.С.// Эллипсометры. Методика поверки. МИ 1811-87, Новосибирск: СНИ-ИМ, 1987.

152. Шестаков И.П., Шешуков А.П., Фроленко В.А., Гон B.C. Интерференционный профилограф // Препринт № 367Ф, ИФ СО АН СССР, Красноярск, 1986.

153. Шестаков И.П.,Шешуков А.П., Исследование точности измерения интерференционного профилографа // Труды VI Всесоюзной конференции "Фотометрия и ее метрологическое обеспечение". М. 1986. С.252.

154. Лызлов Н.Ю., Пшеницын В.И. Электрохимический эталон для эллипсометрии // Электрохимия- 1984. т.20, №8. С. 1139-1140.

155. Candela G.A, Chandler-Horowitz D.,Novotny D.B.,Vorburger T.V. Film thickness and refractive index Standart Reference Material calibrated by ellipsometry and profilometry // Proc.SPIE. Int. Soc. Opt. Eng,- 1986. v.661. p.402-407

156. A.И.Потапова, СПб: СЗТУ. 2007 , вып.14. с.184-193.

157. Горляк А.Н.,Новиков А.А.,И.А.Храмцовский Диагностика состояния поверхности оптоэлсктропики модифицированных ионными и электронными пучками// Труды VII Международной конференции «Прикладная оптика -2006», том 2/ Оптические материалы и технологии. С. 56

158. JIeico Е.К. Вязкость кварцевых стекол // Физика и химия стекла, 1979, т.5, № 3, С.258-278

159. Амосов А.В., Малышкип С.Ф. Роль дефектов типа «кислородная вакансия» в образовании радиационных центров окраски в кварцевых стеклах // Физика и химия стекла, 1984, т. 10, № 3, С.305-310

160. Амосов А.В. Новая концепция механизма образования радиационных парамагнитных центров окраски в кварцевых стеклах // Физика и химия стекла, 1983, т.9. № 5, С.569-583

161. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М., 1971, 400 с.

162. Vukcevich M.R. A new interpretation of the anomalous properties of vitreous silica// J. Non-Crystalline Solids, 1972, v.l 1, № 1, p.25-63.

163. Халилов B.X. Дефекты типа «обрыва связи» в кварцевом стекле // Физика и химия стекла, 1983, т.9, №2, С. 195-206

164. Бреховских С.М. Атомарно-ионная структура стекла // Стекло и керамика, 1964, т.21, №11, С. 1-6.

165. Айлер Р., Химия кремнезема. М., 1982, ч.2, 712 с.

166. Поль Р. В. Оптика и атомная физика. М.,1966. 552 с.

167. Елисеева И. И., Юзбашев М .М. Общая теория статистики, М:"Финансы и статистика". 2004. 655 с.

168. Мансуров Г.М., Мамедов Р.К., Сударушкин А.С., Сидорин

169. B.К.,Сидорин К.К, Пшеницын В.И.,Золотарев В.М. Исследование природы полированной поверхности кварцевого стекла методами эллипсометрии и спектроскопии // Опт. и спектр.1982.т.52, вып.5. С.852-857

170. Демидов И.В., Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А., Фан Ли Шуан ,

171. Применение эллипсометрии в контроле оптических характеристикнеоднородных поверхностных слоев // Неразрушающий контроль и диагностика окружающей среды, материалов и промышленных изделий: Межвузов. Сб., вып.1 СПб : СЗГТУ, 2001г., С.3-10.

172. Новиков А.А., Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А Оптические свойства поверхностных слоев силикатных стекол при ионной и электроннолучевой обработки // Приборостроение. Изв. ВУЗОВ, 2007, №8, т.50. С.54-60

173. Новиков А.А., Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А Определение потерь излучения на оптических элементах методами эллипсометрии и спектрофотометрии // Приборостроение. Изв. ВУЗОВ, 2007 г, Т50 , №3., с. 62-68

174. Дагман Э.Е.,Панькин В.Г.,Свиташев К.К.,Семененко А.И.,Семененко А.В.,Шварц Н.Л. Определение параметров поглощающих пленок с помощью метода эллипсометрии // Опт. и спектр. 1979. т.46, вып.З. С.559-565

175. Павлов П.В., Хохлов А.Ф., Курильчик Е.В., Доброхотов Э.В., Попов Ю.С. Изменение свойств кремния и кварца при ионно-плазменной обработке //

176. Активируемые процессы технологии микроэлектроники, Таганрог, 1979. т. 15.-С.57-71.

177. Беграмбеков Л.Б. Взаимодействие ионов с оптическими материалами //В сб. "Ионизирующие излучения и лазерные материалы". М.: Эиергоиздат. 1982. С.91-100

178. Кирееев В.Ю., Данилин Б.С., Кузнецов В.И., Плазмохимическое травление микроструктур, М., Радио и связь, 1983.128 с.

179. Первеев А.Ф., Михайлов A.B., Муранов Г.А., Ильин В.В. Оптические свойства пленок ТЮ2, полученных высокочастотным реактивным распылением с напряжением смещения/ЮМП. 1975.№3 С.43—45

180. Смагин А.Г., Ярославский М.И. Пьезоэлектричество кварца и кварцевые резонаторы. М.,"Энергия",1970. 488 с.

181. Глюкман Л.И. Пьезоэлектрические кварцевые резонаторы. М.,"Радио и связь", 1981. 232 с.

182. Постановление МЭК-758-1 (протокол №1)

183. ОСТ 41-07-274-87 (ок. 57 2631), Кварц искусственный пьезоэлектрический (технические условия, введен 01.01.1988)

184. Новиков A.A. Исследование состояния поверхности элементов оптоэлектроники при ионно-плазменной и ионно-химической обработке /Сборник трудов VI Международной конференции «Прикладная оптика»: «Оптические материалы и технологии», СПб, 2004, т.2, С. 183

185. Куксенко С.Н., Новак Н.И., Пух В.П. Влияние нагрузки на спектры отражения кварцевого стекла //ЖПС. 1975. т.22,№6.С.1048-1051

186. Гарин П.Л., Новиков А.А, Прокопенко В.Т., Храмцовский И.А Исследование оптических свойств поверхностных слоев в процессе стационарного и нестационарного выщелачивания силикатных стекол // Приборостроение. Изв. ВУЗОВ, 2007 , №7, с.23-30

187. Zachariasen W.H. The atomic in glass // J.Amer.Chem.,1932, v.54,N°10, p.3841-3851

188. Лысенков A.A. Исследование распределения катионов кальция и магния между силикатными и алюмосиликатными анионами//Физика и химия стекла, 1981, т.7, № 5, С.584-594.

189. Сиренек В.А., Комаров Е.В., Иоффе И.В. К теории выщелачивания стекла // Физика и химия стекла, 1984, т.10, №1, С.106-109

190. Авдеев С.П. Разработка электронно-лучевой технологии изготовления малошумящих микроканальных пластин // Авт.канд. дис., ТГРУ, г.Таганрог, 1997, 22 с.

191. Филипович В.Н. Теория электропроводности двущелочных силикатных стекол и полищелочной эффект// Физика и химия стекла, 1980, т.6, № 4, С.369-382

192. П.1 Оптические парамеры поляризующих элементов эллипсометра