Электронно-адсорбционные свойства пленок щелочных элементов на поверхности монокристалла германия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Сухорский, Юрий Степанович

• Сухорский, Юрий Степанович
• 1984

Оглавление диссертации Сухорский, Юрий Степанович

ВВЕДЕНИЕ

1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ЩЕЛОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ И ПОЛУПРОВОДНИКОВ .Ю

1.1. Адсорбция на металлической поверхности.

1.1.1. Теоретические представления

1.1.2. Экспериментальные исследования

1.2. Адсорбция на поверхности полупроводников

1.2.1. Чистая поверхность полупроводников

1.2.2. Теоретические представления об адсорбции на поверхности полупроводников

1.2.3. Экспериментальные исследования адсорбции на поверхности полупроводников.

1.3. Выводы

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Особенности метода полевой эмиссии в применении к поверхности полупроводников

2.2. Получение атомарно-чистой поверхности германия

2.2.1. Методы получения атомарно-чистой поверхности полупроводников

2.2.2. Полевое испарение полупроводников

2.3. Определение концентрации адсорбата на поверхности.

2.4. Измерение работы выхода

2.5. Определение энергии связи

2.6. Устройство экспериментальных ламп

2.7. Источники адсорбатов

2.7.1. Источник калия

2.7.2. Источник натрия

2.7.3. Источник лития

2.8. Откачка экспериментальных ламп и оценка вакуумных условий

3. ПОЛЕВАЯ ЭМИССИЯ ИЗ НИЗКООМНЫХ ИГОЛЬЧАТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3.1. Экспериментальные результаты

3.2. Обсуждение результатов

4. СУБМОНОСЛОЙНЫЕ ПЛЕНКИ КАЛИЯ, НАТРИЯ И ЛИТИЯ, АДСОРБИРОВАННЫЕ НА ГРАНЯХ (100) И (III) КРИСТАЛЛА

ГЕРМАНИЯ

4.1. Адсорбция калия на гранях Ge(IOO) и Ge(III)

4,1.1. Работа выхода адсистем К~&е (100) и K~Ge (III) 4.1.2. Десорбция полем и энергия связи

4.2. Адсорбция натрия на гранях &6 (100) и

G-e (ш) . i

4.2.1. Работа выхода адсистем Na-Ge (100) и

Na-Ge (ш)

4.2.2. Десорбция полем и энергия связи

4.3. Адсорбция лития на гранях G6 (100) и

Ge(ni)

4.3.1. Работа выхода адсистем LL-Ge (100) и

LL-Ge (ш) . i

4.3.2. Десорбция полем и энергия связи

4.4. Обсуждение результатов

5. РАБОТА ВЫХОДА АДСОРБЦИОННОЙ СИСТЕМЫ: ПЛЕНКА ЩЕЛОЧНОГО МЕТАЛЛА - ПОВЕРХНОСТЬ МЕТАЛЛА ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКА

5.1. Адсорбция щелочных элементов на поверхности полупроводника в простейшем рассмотрении

5.2. Модель однородного распределения положительного заряда

5.3. Электронная плотность, электростатическая энергия и работа выхода

5.4. Правило сумм

5.5. Адсорбция на поверхности металла

5.6. Адсорбция на поверхности полупроводника.

5.7. Обсуждение результатов.

ЗАКЖЯЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронно-адсорбционные свойства пленок щелочных элементов на поверхности монокристалла германия»

Адсорбция чужеродных атомов на поверхности твердого тела сопровождается сложными электронными процессами в системе ад-сорбат - подложка, что приводит к глубоким изменениям эмиссион-но-адсорбционных свойств поверхности* Изучение явлений, происходящих при этом, представляет собой актуальную задачу, имеющую непосредственное отношение к практическим проблемам микроэлектроники и вакуумной технологии, эмиссионной электроники и катализа, космического аппаратостроения и технологии роста кристаллов.

Интересным частным случаем адсорбции на поверхности твердого тела является адсорбция щелочных элементов на поверхности полупроводника, Адсистемы такого типа на металлической подложке изучаются достаточно интенсивно, что связано с их широким применением в термоэмиссионных приборах и термоэлектронных преобразователях энергии.

Исследование аналогичных систем на полупроводниковой подложке, несмотря на актуальность такой темы в связи с проблемами быстро развивающейся области эффективных эмиттеров электронов на основе структур с отрицательным электронным сродством (ОЭС), проводятся в более скромных масштабах. Такие исследования наряду с их практическим значением для развития систем с ОЭС представляют также существенный научный интерес, так как электронная структура щелочного адсорбата относительно проста, что создает предпосылки для теоретического описания явления.

К моменту начала данного исследования основное внимание исследователей уделялось пленкам цезия на поверхности полупроводников, что объясняется в первую очередь практической необходимостью, так как цезированные поверхности в основном используются в качестве фотокатодов. Пленкам калия и натрия уделялось гораздо меньше внимания, а исследования адсорбции лития на поверхности полупроводников нам неизвестны.

В экспериментальных исследованиях основное внимание .уделялось измерениям работы выхода в процессе адсорбции, а вопросам энергии связи посвящены лишь отдельные работы.

Теория адсорбции электроположительных адсорбатов на поверхности полупроводника пока что не развита даже для обладающих наиболее простой структурой щелочных элементов. К моменту начала работы не была четко выявлена степень влияния особенностей атомного рельефа и электронной структура подложки на свойства ад-систем, образующихся на поверхности полупроводника. Не были прослежены закономерности, проявляющиеся при адсорбции различных щелочных адсорбатов на однотипных полупроводниковых подложках, не акцентировалось внимание на глубоком сходстве цроцессов, происходящих при адсорбции щелочных адсорбатов на подложках из металла и полупроводника. Этим вопросам в основном и посвящена настоящая работа.

Цель работы - получение информации, необходимой для выяснения закономерностей цроцессов, цроисходящих при адсорбции атомов щелочных металлов на поверхности полупроводника, микроскопическое описание электронного состояния щелочного адсорба-та на поверхности полупроводника и металла, а также обоснование на этой основе электронно-адсорбционных свойств пленок щелочных элементов на поверхности металлов и полупроводников. Для достижения этой цели были проведены экспериментальные исследования работы выхода и энергии связи пленок щелочных металлов на поверхности германия, цроведены расчеты распределения электронной плотности у поверхности полупроводника и металла, покрытой слоем щелочного адсорбата, а также рассчитаны соответствующие концентрационные зависимости работы выхода.

Научна^ новизна диссертационной работы заключается в следующем: впервые методаш полевой эмиссии и десорбции полем исследованы электронно-адсорбционные свойства пленок калия, натрия и лития на поверхности граней <100) и (III) кристалла германия.

Разработано оригинальное устройство для определения величины потока атомов адсорбата, с помощью которого получены зависимости работы выхода граней (100) и (III) кристалла германия от абсолютной концентрации адатомов калия, натрия и лития.

Метод десорбции полем впервые применен для получения энергетических характеристик адсистем на поверхности полупроводника. Получены концентрационные зависимости поля десорбции и определены значения энергии связи адатомов калия, натрия и лития с поверхностью граней (100) и (III) кристалла германия.

Цроведены модельные расчеты распределения электронной плотности у поверхности металла и полупроводника, покрытой слоем щелочного адсорбата и концентрационных зависимостей работы выхода.

Доказано и используется в расчетах точное соотношение (правило сумм), связывающее электростатический потенциал в ад-системе с обменно-корреляционной энергией металлической или полупроводниковой подложки.

Практическая ценность работы заключается в том, что концентрационные зависимости работы выхода пленок калия, натрия и лития на поверхности граней (100) и (III) кристалла германия, а также данные об энергии связи .указанных адсорбатов с поверхностью монокристалла германия могут быть использованы при создании пленочных эмиссионных систем на подложке из полупроводника. Расчеты распределения электронной плотности у поверхности полупроводника и металла» а также зависимостей работы выхода от концентрации щелочного адсорбата на поверхности могут быть использованы при прогнозировании электронно-адсорбционных свойств пленок щелочных элементов на поверхности металла и полупроводников.

Защищаемые положения.

1. Экспериментальное обоснование корректности методов полевой эмиссии и десорбции полем в применении к исследованиям адсорбции на поверхности низкоомных полупроводников.

2. Результаты исследований методами полевой эмиссии и десорбции полем электронно-адсорбционных свойств пленок кали#» натрия и лития на поверхности граней (100) и (III) монокристалла германия.

3. Наряду со значительным сходством электронно-адсорбционных свойств пленок щелочных элементов на поверхности металла и полупроводника наблюдаются различия» проявляющиеся в степени влияния атомного рельефа и электронных свойств металлической и полупроводниковой подложки на свойства адсистем.

4. Модельные расчеты электронно-адсорбционных характеристик пленок щелочных элементов на поверхности металла и полупроводника» выполненные с использованием доказанного точного соотношения (правила сумм)» связывающего электростатический потенциал в адсистеме с обменно-корреляционной энергией подложки.

5. Учет кулоновских электронных корреляций позволяет объяснить наблюдаемое на опыте сходство электронно-адсорбционных свойств пленок щелочных элементов на поверхности металлов и полупроводников и превалирующую роль адсорбата в формировании свойств адсистемы: щелочной металл - поверхность полупроводника.

Краткое содержание работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и библиографии. В первой главе, представляющей собой обзор литературы, изложены современные представления об адсорбции на поверхности металлов и полупроводников. Во второй главе рассмотрены методические особенности полевой эмиссии и десорбции полем, описаны условия и порядок проведения экспериментов. В третьей главе приведены результаты исследований полевой эмиссии из низкоомных игольчатых полупроводников. В четвертой главе изложены результаты исследований электронно-адсорбционных свойств субмонослойных пленок К , NcuLL на поверхности граней (100) и Ge (III). В пятой главе представлены модельные расчеты электронно-адсорбционных характеристик пленок щелочных элементов на поверхности металла и полупроводника.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Сухорский, Юрий Степанович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Цель настоящей работы - получение экспериментальных данных, необходимых для выяснения закономерностей процессов, происходящих на поверхности полупроводника при адсорбции щелочных металлов, микроскопическое описание электронного состояния щелочного адсорбата на поверхности и объяснение наблюдаемых на опыте явлений. Для достижения этой цели методами полевой эмиссии и десорбции полем исследовались электронно-адсорбционные свойства пленок калия, натрия, лития на гранях (100) и (III) монокристалла германия, а также проведены модельные расчеты поверхностных свойств пленок щелочных элементов на поверхности металла и полупроводника.

Список литературы диссертационного исследования Сухорский, Юрий Степанович, 1984 год

1. Kerker G.P., Но К.М,, Cohen M.L. Self-consistent electronic structure of transition-metal surface: The Mo(001) surface. Phys. Rev., 1978, В 18, N 10, p.573 55.

2. Postemau M., Krakauer H., Freeman D.O., Koelling D.D. Self consistent electronic structure of svirface; surface state and surface resonanses on WCOOl). Phys. Rev., 1980, В 21, Д 12, p. 5601 5612.

3. Kerker G.P., Yin M.T., Cohen М.Ь. Self-consistent electronic stinicture of a transition-metal surface with a substrate; H on Mo(OOI). Phys. Rev., 1979, В 20, N 12, p.4940 497. 4. bouie S.G. Hydrogen on Pd(III); Self-consistent electronic structure, chemical bonding and photoemission spectra. Phys. Rev. Lett., 1979, 42, N 7, p.476 479»

5. Evaporation of atoms, ions and electrons from cesium films on tungsten. Phys. Rev., 1955, 44, I 6, p. 425 458. T

6. Gurney R.W. Theory of electrical double layers in absorbed films. Phys. Rev., 1955, 47, N 6, p. 479 482.

7. Muscat I.P., Uewns D.M. Atomic theory of work function variation in alkali adsorption on transition metals. Sol. St. Comm., 1972, V.11, Ы 5, P» 757 742.

8. Muscat I.P., Newns D.M. The interpretation of work function variation in alkali chemisoiption from the atomic viewpoint.J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1974, 7, N 16, p. 2851 2848.

9. Gadzuk I.W. "Theory of Metallic Adsorption on Real Metal Surfaces": in The Structure and Chemistry of Solid Surfaces, ed. by G.A.Somordai /VVilley, New York 1969/ P* 45. lO.Langer I.S., Vosko S.H. The shielding of a fixed charge in a high density electron gas. J. Phys. Chem. Solids, I960, 12,

10. Lang N.D., Koha W. Theory of metal sxirfacesi induced surface charge and image potential. Phys. Rev., 1975» 157» N 9, p. 5541 5550. 15» Budd H.F., Vanimenus I. Staticelectronic perturbation of metalic surfaces. Phys. Rev., 1975» В 12, N 2, p. 509

11. Anderson P.W. Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 1961, 124, N 1, p. 41 5. 15» Newns D.M. Self consistent model of hydrogen chemisoxption Phys. Rev., 1969» 178, N 5, p. 1125 "3*

12. Grimley Ш.Б. Overlap effects in the theory of adsorption using Anderson"s hamiltanian. J. Phys. С 1970, 3f N 9» p. 1934 1942. 17« Xu H.L., liVhiting E.E. Bonding of nitrogen atoms on CuCOOl) surfaces: a cluster approach. Surf. Sci,, 1979» 82, N 2, p. 501 514.

13. Upton Т.Н., Grodward W.A. Chemisoxption of atomic hydrogen on Large nickel claster surfaces. Phys. Rev. Lett., 1979» 42, N 7» p. 472 476.

14. Hohenherg P., Kohn W. Ihhomogeneous electron gas. Phys. Rev. Ser. B. 1964, 156, N 5» p. 864 871.

15. Kohn W., Sham L.I. Self consistent equations including exchange and correlation effects. Phys. Rev. 1965» 140, N 4A, p. 1155 1140.

16. Lang N.D. Self consistent properties of the electron disSol. St. Phys.,

17. Lang N.D. Theory of work function changes induced Ъу alkali adsorption. Phys. Rev., 19711 B_4, N 12, p. 424 4245.

18. Smith I.R., Arlinghaus F.I. Self consistent structure calculation for nitrogen on copper (100). Sol. St. Comm. 1977, 24, I 4, p. 279 282. T

19. Weng S.L., Gustafsson Т., PlumEer E.W. H on Mo (100); Photo emission result and its significance to the correlation hetween the surface resonances and the surface re const rlict ion.Pbys. Rev. Lett. I9SO, 44, N 5i p. 344 348,

20. Lindgren S.A., Wallden.L. Structure and electronic proper ties of Cs adsorhed on Cu(III). Solid. St. Comm., 197S| 25, N 1, p. 13 15.

21. Andersson S., Jostell U. Electron structure of Na and К adsorbed on Ni(lOO). Surf. Sci., 1974, 46, N 2, p. 625-640.

22. Schroder W., Holrl J. Electronic structure of adsorbed so dium on Pt(III). Solid. St. Comm., 1977, 24, N 11, p.777780.

23. Клименко E.B., Наумовец Е.Г.Об электронном состоянии адсорбированных цезия,лития, бария на грани П О вольфрама. ФГТ, I97I, 13, I, с. 3 3 4 0 В

24. Клименко Е.В., Наумовец А.Г. Адсорбция стронция на грани П О вольфрама. ФТТ, 1973, 15, J П с. 3273 3279.

25. Большов Л.А., Напартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Субмонослойные пленки на поверхности металлов. УФН, 1977, 122, I, с. 125 158.

26. Медведев В.К., Якивчук А.И. Структура и электронно- адсорбционные свойства пленок щелочных элементов на грани I I I монокристалла вольфрама. Препринт И А УОСР,Киев,1975,35 с. Ф Н

27. Медведев В.К.,Смерека Т.П. Адсорбция лития на основных гранях монокристалла вольфрама.-4ТТ,1974,16,)е 6,0.1599-1605.

28. Медведев В.К.,Смерека Т.П. Адсорбция бария на грани /112/ вольфрама. ФТТ, 1973, 15, J 3, с.724 732. 33» Medvedev V.K., Naumovets A.G., Smereka Т.Р. Litium adsorption on the (112) face of tungsten. Surf. Sci., 1973, 34;, N 2, p 368 384.

29. Гупало M.G., Медведев В.К., Палкк Б.М., Смерека Т.П. Адсорбция лития на грани /112/ кристалла молибдена. ФТТ, 1979. 21, 4, с. 973 782. 37« Ведула Ю.С, Гончар В.В., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Влияние электронной структуры подложки на свойства металле пленочных систем. ФТТ, 1977, 19, Je 9, с. 1569 1576. 30. Hutchins В.А., Phodin a?.N., Demuth G.E. Surface crystallography of the с(2x2) sodium overlayer on Al(IOO).- Surface Sci., 1976, 34, N 2, p. 419 --433.

31. Williams I.P., Cersina F., Mc Govern I.T., Lapeyre C.I. Surface structure effects via photoexited core electron diffraction for Na on Ni. Solid.St.Comm. 1975i ЗД, N 1, p.13 -18.

32. Медведев В.К., Яковкин И.Н. Адсорбция стронция на грани /112/ кристалла молибдена.-Т, 1979,21, J 2, с,321-327.

33. Гаврилюк В.М., Медведев В.К. Исследование адсорбции лития на поверхности монокристалв вольфрама в автоэлектронном проекторе. ФТТ, 1966, _§, J 8, с. I8II I8I8. I

34. Шредник 8.И. Зависимость работы выхода пленочных катодов от степени покрытия.- РЭ, I960, 5, J 8, с. 1203 I2I0.

35. Медведев В.К., Яковкин И.Н. Адсорбция бария на гранях /112/ и Re/IOIO/.- ФТТ,1981, 23, JI 3 0.669

36. Дворянкин В.Ф., Митягин А.Ю. Дифракция медленных электро нов метод исследования атомной структуры поверхности. Кристаллография, 1967, 12, J§ б, с. III2 II34. 45« Нестеренко Б.А., Снитко О.В. Физические свойства атомарночистой поверхности полупроводников. -Киев, Наук.думка, 1983, 264 с. 4-

37. Наумовец А.Г. Исследование структуры поверхности методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы. УФЖ, 1978, 23, J 10, с. 1585 1607,

38. Harrison W.A. Surface reconstruction on semiconductors. Surface Sci., 1976, 55, N 1, p. 1 19.

39. Аристов В.Ю., Головко Н.И., Гражулис В.А, и др. Структура поверхности О е Ш полученной раскалыванием в сверхвысоком вакууме в области низких температур. В кн.: Материалы всесоюзной школы по физике,химии и механике поверхности. Нальчик, 22 30 окт. I98I, с. 3.

40. Lander I.I., Morrison J. Structures of clean surface of germanium and silicon. J.Appl.Phys.,1965, 34,N 5, p. 1403 1410.

41. Фяттл Jg, Uber eine mogliche Art der Electronenbindung an KristalloЪerflachen Sow.Phys., 1932» I» N 6, s. 753-74.

42. Jones R.O. Intrinsic surface states in semiconductors. Phys. Rev.Lett., 1968, 20, N 18, p. 992 994. .52. nonjBBHOfi A.C., Степанов B.E., Чалдышев В.А. асчет поверхностных состояний электронов в кристаллах по методу псевдопотенциала. ФГП, 1968, _2, В 2, с. 160 164.

43. Bartos I. On the theory of surface states of electrons in semiconductors. Surface Sci.,1969, 15, N 1,p. 94 100.

44. Alstrup J. On the calculation of surface states of silicon.Phys.status solidi. В., 1971» 45» N 1, p. 94 100. 55» Appelbaum I.E., Hamann D.R. Surface potential, charge density and ionization potential for Si(III) a self-consistent calculation. Phys.Rev.Lett., 1974, 32, N 2, p.225 228.

45. Froitzheim Н. Hochauflosende Electronenspectroskopie on Si-, Ge- und GaAs Oherflachen. Ber. Kernforschungsanlage, 1975, N 1179 795.

46. Buchel M., Luth H. Siiiace photovoltage spectroscopy of electronic surface states on cleaned geianium (III) surfaces. Surf. Sci., 1975, 50, N 2, p. 451 464.

47. Mukotani Т., i4ijiwaka K., Nishiaama M. Observation of surface states of silicon, germanium tungsten and molihdenum.Jap.J.Appl., Phys., 1974, Suppl.2, pt.2. p. 409 412.

48. Meyer F., de Eluizenaar Б.Е., Bootsma S.A. Elipsometry and the clean siirfaces of silicon and germanium. Surf .Sci.,

49. Волькенштейн Ф.Ф, Электронные уровни атомов,адсорбированных на поверхности кристалла.- ЖФХ, 1947,21,12 II,с. I3I7-I334. б5« Бонч-Бруевич 8.Л, Метод расчета электронных уровней атомов, адсорбированных на поверхности кристалла,-ЖФХ,1953,27, JS 5. 50. Grimley Т»В« Surface states associated with. aЪsorЪed atoms.J.Phys.Chem.Sol,, 1960, 14, N 1, p. 227 252. 67* Appelbaum I.A., Hamann D.R. Self-consistent quantum theory of chemisorption: H on Si(III). Phys.Rev.Lett., 1975, 24, N 5, p. 806 809. 51. Гадияк Г.В., Карпушин А.А., Коваленко И.В., Мароков Ю.Н., Тоыашек М. Рассмотрение хемосорбции водорода на идеальной и ступеньчатой поверхности кремния методом рекурсий. В кн.: Физика поверхности твердых тел. Тезисы докладов всесоюзного симпозиума, Киев, Наукова думка, 1983, 128 с.

52. Hagstreem H.D., Sakurai Т. Chemisorption of atomic hydrogen on the silicon (III) 7x7 surface. Phys.Rev., 1975, В 12, N 12, p. 5549 5554.

53. Appelhaum J.A., Baraff G.A., Hamann D.R. The Si(IOO) surface: a theoretical study of the unreconstructed surface. Phys.Rev. В., 1975, II, N 10, p. 5822, 5851.

54. Ihach H., Rowe I.E. Hydrogen adsorhtion and surface structure of silicon. Sxirf.Sci., 1974, 45, N 2, p.481-492.

55. Моррисон G. Химическая физика поверхности твердого тела. М., Мир, 1980, 488 с. 75« Золокитин А.И., Гадияк Г.В., Карпушин А,А. Исследование хемосорбции молекул кислорода на поверхностях /III/ и /100/ германия методом ППД11/2.- ФГП, 1976,10, iS 10, с.1866-1871.

56. Гадияк Г.В., Мороков Ю.Н., Репинский М; О характере адсорбционного состояния кислорода на поверхности германия,

57. Золокитин А.И., Пашицкий Э.А. Непрямое взаимодействие адсорбированных атомов на поверхности металла через электронный газ подложки. ФГТ, 1976, 18, J 2, с. 377 382. §

58. Волокитин А.И. Электронные перестройки в адсорбированном слое поверхности полупроводников.-ФГП,1981,15,Ж1,с.2136-21 7S» Белл Р.Л. Эмиттеры с отрицательным электронным средством. М., Энергия, 1978, 192 с, 79» Gregory Р.Е., Spicer W.E. Pliotoemission studies of the Ga As-Cs interface.- Phys.Rev. B. Solid State, 1975i 12, N 6, p.2370-81.

59. Allen F.G., Gobeli J.W. Energy structure in photoelectric emission from Cs-covered Silicon and Germanium. Pbys. Rev. 1966, m N 2, p. 558 7*

60. Riach G.E., Peria V/.T. Photoemission studies of the alkalicovered Ge(III) surface, Surf.Sci., 1975i 40, I 3i p.479 T 498.

61. Dernien J., Armand dSAvitaya F. LEED, AES and work function measurements on clean and cesium covered polar faces of Cap. Surf.Sci., 1975, 47, N 1, p. 162 166. 85. ШеЪег R.E., Peria W.O?. Work fxmction and struct\iral studies of alkaly-covered semiconductors. Surf.Sci.,1969, 14, N 1, p. 15 38. 84. полинг A., Полинг П. Химия. М., Мир, 1978, 683 с.

62. Surnev L., Tikhov М. Adsorption and electric meas;irements on germanium (III) suj?faces covered with potassium and cesium. Surf. Sci., 1979, 85, N 2, p» 413 451. ФТП, 1979, 13,

63. Howe J.E», Margaritondo G,, Christman S.B. Electron energyloss spectroscopy of the Si(III) simple metal interface,Phys,Rev.,B: Solid State, 1977» 15i i P- 2195 2201, 87.МИТЯГИН А.Ю. Электронная структура поверхности соединения А-В и процессы адсорбции атомов щелочных металлов. ФТТ, 1977, 22» 10» 2927 2931. 88» Митягин А.Ю., Орлов В.П., Пантелеев В.В*, Хронопуло К,А,, Чревацкий А.Я. Изучение адсорбции Cs на поверхности Н О 1 As ФГТ, 1972, Iff, 7, с, 1870 1874.

64. Страковская Е., Стангин С*,А., Кораблев В.В. Эллипсометрия адсорбции на эпитаксиальных слоях As/111/ Известия АН СССР, 1979, _43, Ш 9, с. 1869 1875. 90. Van Bommel A.J., Crombeen J.E. LEED, Auger electron spectroscopy /AES/ and photoemission studies of the adsorbtion of cesium on the epitaxially grovm. GaAs (110) surface. Surf. Sci., 1976, 57, I 1, p. 109 117. T

65. Derrien J., Armand d*Avitaya F. Kinetics of thermal desorbtion using auger electron spectroscopy. Application to cesium covered (110) gallium arsenide. Eev.Phys.Appl.,1976, III, N 5, p. 377 385.

66. Chen J.M. Leed, auger and work function studies of clean and Ua-covered surfaces of GaAs. Surf.Sci., 1971,_23, N2, p. 305 314. 93» Gerlach R.L.,fihodinT.N. Structure analysis of alkali natal adsorhtion on single crystal nickel surfaces. Surf. Sci., 1969, 17, N 1, p. 52 68.

67. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields. Proc.Roy.Soc, 1928, II, N A 7S1, p.173-181. 95» luller E.W. Work fimction of tungsten single crystal pla nes measured Ъу the field emission microscopie. J. Appl.

68. Schmidt L.D., Gomer R» Neutral and ionic desorbtion of cesium from timgsten» J, Chem.Phys», 1965i 43» N 3, p.20552065, 97» Мюллер Э.В. Автоионизация и автоионная микроскопия. УФН, 1962, 77, вып. 3, с, 481 552. 9S» Добрецов Л.Н. Автоэлектронная эмиссия металла, покрытого слоем адатомов ФТТ, 1965, _7, i II, с. 3100 3203. 99» Милешкина А.З., Сокольская И.Л. Энергетическое распределение электронов при автоэлектронной эмиссии со слоев германия на вольфраме. ФТТ, 1963, _5, J 9, с. 2501 2508. e

69. Todd C.J., Rhodin T.N. Adsorbtion of single alkaly atoms on timgsten using field emission and field desorbtion. Surf. Sci., 1974, 42, N 1, p. 109 438.

70. Sokolskaya I.L., Ivanov V.G., Fursey G.N. Study of barrium adsorbtion on germanium by field emission microscopy. Phys.Stat.Sol., 1967, 71, N 4, p.789 795*

71. Дьяконова А.И., Милешкина A.В. Влияние автоэмиссионных измерений на вид вольт-амперных характеристик монокристалла германия. ФТТ, 1979, 21, J 10, с. 3130 3132.

72. Дьяконова Н.И., Милешкина А.В. Исследование тонкопленочных покрытий золота на поверхности германия методом автоэлектронной эмиссии. ФТТ, 1977, 19, J 10, с. 2941 2947. e

73. Blaszczyszyn R., Blaszczszyn М., Meclewski R. Work function of the adsorbtion system of potassium on tungsten. Surf. Sci., 1975, 51, N 2, p. 596 408.

74. Allen F.G., Eisenger J., Hagstrum H.D., Low J.T. Cleaning of silicon surface by heating in high, vacuum. J.Appl. Phys., 1959, 30, N 10, p. 1563 1572.

75. Бурштейн P.X.,Ларин Л.А., Воронина Т.Ф. Влияние паров во76. Famsworth. H.E., Schliek R.E., George Т.Н., Burger R.M. Application of the ion bombardment cleaning method to titanium, germanium, silicon and nickel as determined Ъу low energy electron diffraction. J.Appl.Phys., 1958,_29, Ж 8, p. 1150 1161.

77. Бурштейн Р.Х.Филиппов С,Л., Мусатов А.Л.,Коротких В.Л. ,Турчинский В.М., Лебедев А.3,Исследование состава поверхности фосфида индия.очищенного мощными импульсами рубинового лазера,- Х У Ш Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисн докладов, М., "Наука", I98I, с, 301.

78. Катрич Т.А. Дослгдження ефекту поля на чистхй поверхн! германтю. УФЖ, 1965, 10, J 9, с.1038 I04I.

79. Мюллер Э.В,, Цонг Т.Т. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение. М.,"Наука", 1980, 360 с.

80. Медведев В.К. Исследование десорбции лития и вольфрама электрическим полем. Изв. АН СССР серия "Физика", 1969, 33, Й 3, с. 528 535. 115» Sendecka К., Meclewski Е. Field desorbtion of potassium from (001), (Oil) and (112) timgsten planes. Surf. Sci., 1978, 22* N 2, p. 255 264.

81. Gomer R., Swanson L.W. Theoi of field desorbtion. J. Chem.Phys., I965, 38, H 7, p.1613 1629.

82. Sakurai Т., Giilbertston R.I., Melmed A.I. Anomalious field evaporation of silicon. Surf.Sci., 1978» 1,p.L221L226.

83. Ohno Yonicki, Nakamura Shoga, Kuroda Tsukasa. Meclianism of field ionisation and field evaporation on semiconductor surfaces. Jap.J.Appl.Phys., 197S| 17, N 11, p. 2015 2022.

84. Thong T.T., Miaier E.W. Effects of Static-Field Penetra tion and Atomic Polarisation on the Capacity of a Capasitor, Field Evaporation and Field Ionisation Processes. Phys.Rev., 1969, 181, N 2, p. ЗЗО 534.

85. Cooper E.G., Muller E.W» Field desorbtion by alternating fields. An improved technique for field emission microscopy. Rev.Scient.Instrum., 1938, 23i 4, p. 309 312.

86. Allen F.G. Field Emission from Silicon and Germanium; Field desorbtion and surface migration. J. Phys.Chem.Solids, 1961, 19., N 1, p. 87 89.

87. Иванов В.Г. К вопросу об изготовлении германиевых эмиттеров и получении автоэлектронного изображения чистого германия.- Радиотехника и электроника,1965,10, J 3,0,576-578.

88. Melmed A.I., Stein R.I. Field-ion microscopy of silicon. Surf.Sci., 1975, 49_, N 2, p. 643 648. 122. liHarien I., Loosveldt I. Field Emission Studies on Clean Symmetrical Surface of Cadmium Sulfide. Phys.Stat.Sol. /a/, 1971, j8, N 1, p. 213 221.

89. Zuther G., Koster H., Becherer G. Untersuchungen zur Feldelectronenemission aus Germanium ein Kristallflachen. -Ann. der Phys., 1971, F.7, B.26, H.3, s.193 200. 124. McNeil W.D., Shepherd W.B. Technique for the preparation of Ge and Si Field-Emission Cathodes. Rev.Sci.Instr., 1972, 43, N 11, p. 1636 1639.

90. Бигун Г.И.,Охрименко Ю.А., Сухорский Ю.С. Исследование поверхности fa-S методом автоэлектронного проектора, В кн.

91. Набитович Й.Д., Сухорский Ю.С., Бигун Г.И., Бандривчак И.В. Автоэлектронная эмиссия сульфида висмута.- Физическая электроника, 1978, 16, с 82 84.

92. Набитович Й.Д., Сухорский Ю.С., Бигун Г.И. Игольчатые полупроводники в качестве автоэмиттеров. Материалы I I I В с е союзной конференции "Нитевидные кристаллы для новой техники", Воронеж, ВПИ, 1979, с.148 152.

93. Ernst L. иЪег die Oberflachereinisung von Germaniumspitzen durch. Felddesorbtion im Feldemissionmikroskop. Phys.Status Sol., 1964,_7, N 2, S.K 61-K 64.

94. Набитович Й.Д,, Сухорский Ю.С. Устройство для определения величины потока авомов адсорбата, Физ.электроника,I98I, вып.22, с 137 139.

95. Dibrov/ski А. Field-electron-microscopy studies of potas slum layers on rhenium: average work function change. Acta Phys.Polonica, 1977, A 32, p 35 39.

96. Jlax Х.Й., Стасюк 8.В. Электронно-адсорбционные свойства пленок калия на грани /IOIO/ Л 7 с 1989 1992.

97. Фоменко В;С., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. -Справочник. Атомиздат. М., 1974. 133» Медведев В.К., Смерека Т.П. Адсорбция натрия на грани/112/ вольфрама. ТТ,1973, 15, i 5 с 1641 1643,

98. Медведев В,К., Якивчук А.И. Адсорбция калия на грани 1 1 2 вольфрама. ФТТ, 1974, 6 i 4, с.981 988.

99. Клименко Е.В., Медведев В.К. Исследование адсорбции натрия рения. ФТТ, 1978,_20,

100. Шредник В.Н., Снежко Е.В. Поверхностная концентрация Л/ана \л/ и анизотропия работы выхода. ФТТ, 1964, _б, J 5, I50I I5I0. 137» Schmidt L.D., Gomer R. Adso2?ption of Potassium on Tungsten; Measurements on Single-Crystal Planes. J.Chem.Phys.,1966, 4, N 5i p. 1603 1623.

101. Шульман A,P. Испарение окиси бария с вольфрамовых и молибденовых подложек. Изв. АН СССР, сер. физ. 1964, _28, J 8, с. 1346 1349. 139» Тонтегоде А,Я. Хомин Н.А. Высокотемпературная адсорбция углерода и бензола на гранях /III/ и /100/ иридия Поверхность, 1983, I, с. 41 49.

102. Зандберг Э.Я., Ионов И.И. Поверхностная ионизация. М., "Наука", 1969, 432 с.

103. Бибик В.Ф., Дадыкин А.Л., Зыков Г.А. Особенности термоионной эмиссии кремния, связанные с условием поступления примесей щелочных элементов из объема, В кн.: Х У П Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике /тезисы докладов/, ЛИЯФ, Ленинград, 1978, с. 74 75,

104. Наумовец А,Г. Десорбция калия и вольфрама в электрическом поле. ФТТ, 1963, _5, i£ б, с. 2294 2302

105. Владимиров Г.Г., Кучкарев Х.О. Концентрационная зависимость десорбирующего поля для атомов /а с U О Н ФТТ, 1979, 21, J б, с. I8I3 I8I8. S

106. Marien G. Absolute Method for Work Function Determination of Field Emission. -Phys.St.Sol., 1976, 3S, N 1, p.339-34-7. 143, Sakurai (Г., Muller E.W. Field Calibration using the Energy Distribution on Field lonisation. Phys.Rev.Lett., 1973,

107. Hughes O.H., White P.M. The energy distribution of field emissed electrons from Gats. Phys.St.Sol., 1969, 55, Ы 1, p. 509 551.

108. Бундза Б.П., Стеценко Б.В. О соотношении между полем у вершины полупроводникового автоэмиттера и напряжением. ЖТФ, 1980, 50, е.10, 2136 2140.

109. Грин М. Поверхностные свойства твердых тел. М., "Мир", 1972, 432 с.

110. Engel Т., Gomer R. Adsorption of СО on a?ungsteni Field Emission from Single Planes. J.Chem.Phys.,1969, 50, N 6, p. 2428 2457.

111. Chernatony L., Jarwood J. Problems in the production and measurement of very high vacuum, especially in applications and nev/ approach to measurement based on the use of field emission. Vacuum, 1979» 29, N 5, p. 125 128.

112. Фурсей Г.Н. Львов О.И. Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников. Под ред. И.Л.Сокольской, М., В кн.: Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Наука, I97I, с. 137 212.

113. Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. М., "Наука", I97I, 216 с.

115. Стригущенко й.В. Автоэлектронная эмиссия нитевидных кристал116. Ненакаливаемые катоды. Под ред. И.И.Елинсона. М., "Сов, радио", 1974, 336 о. 159».Борзяк П.Г., Гиваргизов Е.И., Кулишова Г.Г., Лифшиц И.Е., Степанова А.Н., Яценко А.Ф. Эыиосионные свойства многоострийных автофотокатодов из J/ i-x изготовленных кристаллизацией из паровой фазы. Изв. А СССР, сер. физ., Н 1976, 40, 8, с. I57I 1574.

117. Фурсей Г.Н., Бахтизин Р.З. Нелинейные вольтамперные характеристики р типа S/ ФТТ, 1969, П Л I I с,36723676. 161. Бут З.П., Мирощенко И С Яценко А,Р. Об автоэлектронной эмиссии из низкоомных кремния и арсенида галлия. Изв. А СССР, сер. физ., 1976, 40, Л 8, с. I58I 1584. Н

118. Зубенко Ю.В,, Зубенко И.П. Автоэлектронная эмиссия антимонида индия. Ученые записки Ленинградского университета, Вопросы электроники твердого тела, 1974, вып. 18, 372, с. 124 126.

119. Гарифулин Н.М., Зубенко Ю.В., Ягодкин В.М. Определение работы выхода висмута и сульфида висмута автоэмиссионным методом.-Радиотехника и электроника,197б, II,с.438 440.

120. Ьигун Г.Й., Набитович И.Д., Сухорский Ю.С. Исследование адсорбции калия на грани/100/ монокристалла германия, В кн.: ХУН Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике /Ленинград, 1978 г тезисы докладов. Л., ЛИЯФ, 1978,

121. Сухорский Ю.С, Исследование энергии связи атомов щелочного металла с поверхностью полупроводника методом десорбции полем. В кн.: Автоматика, Радиотехника, Электрофизика, Сборник работ молодых ученых. Выпуск I Львев,политехи, ин-т М Н У а УССР. Львов, 1979, с.148 151. ИВВ

122. Бигун Г.И., Набитович И.Д., Сухорский Ю.С; Энергетические характеристики пленок щелочных металлов на поверхности германия и расчет их эмиссионных свойств. В кн.: I I I Все союзный симпозиум "Свойства малых частиц и островковых металлических пленок" /Львов, 1980 г Тезисы докладов., Киев, "Наукова думка", 1980, 42, с 36 37.

123. Бигун Г.И., Набитович И.Д., Сухорский Ю.С, Адсорбция калия и натрия на поверхности монокристалла германия, ФТТ, I98I, 23, 17, с 2128 2133.

124. Гупало М.С, Медведев В,К,, Палюх Б.М., Смерека Т.П, Пленки натрия на грани /112/ молибдена: структура, работа выхода и термическая устойчивость, ФТТ, 1 9 8 0 JI I I с.32013207,

125. Бигун Г*И., Набитович И.Д., Сухорский Ю.С. Адсорбция лития на поверхности монокристалла германия, В кн.: ХУШ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике /Москва, 1981г./,тезисы докладов. М.,"Наука", I98I, с 108 109,

126. Бигун Г.И,, Набитович И,Д., Сухорский Ю,С, Адсорбция лития на поверхности монокристалла германия, Изв, А СССР, сер, Н физ., 1982, 46, J5 7 с 1256 1259.

127. Бигун Г.И., Лопатинский И.Е., Сухорский Ю.С. Субмонослоиные пленки иттрия и лантана на поверхности монокристалла вольфрама. Вестник Львовского политехнического института, 136, доклады и сообщения, Л 1979, с 12 14.

128. Набитович И.Д.", Бигун Г.И., Сухорский Ю.С4, Лямперски Я., Спишкевич Г. Расчеты работы выхода адсистемн пленка щелоч ного металла-полупроводник. Физическая электроника, 1981 22; с. 30 33.

129. Бигун Г.Й., Набитович й.Л.1 Сухорский Ю.С, Электронная плотность у поверхности полупроводника, покрытого слоем щелочного адсорбата. В кн.: Х У Ш Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике /Москва,I98I г./. Тезисы докладов, М., Наука, I98I, с.133 134.

130. Бигун Г.И., Сухорский Ю.С. К статистической электронной теории поверхностных явлений в металлах. Физическая элек троника, 1977, 14, с. II 15. 175* Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М. Наука, 1971. 370с.

131. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970, 339 с. 177» Allen F.G., Gobelli G.W. Pliotoelectric properties and v/ork fxinction of cleaved germanium surfaces. Surface Sci., 1964, 2, p. 402 408. 17s. Inkson I.e., The electrostatic image potential in metal semiconductor junctions. J.Phys.197l,C 4,N 5,p.591-597.

132. Inkson I.e. Many-bod effects of metal semiconductor jimctions I surface plasmens and the electron-electron screened. interaction.- J.Phys. 1972, C_5.N 17, p. 2599 2610.

133. Inkson I.e. Screened exchange in semiconductors. J.Phys. 1975, S, N 9, p.L 181 L 185.

134. Габович A.M., Ильченко Л.Г., Пашицкий Э.А. Электростатический взаимодействия зарядов с поверхностью металлов и полупроводников. -ТТ, 1979, _21, II б, с.1673 1689. 182. GaЪovich A.M., Voitenko A.I. Influence of Semiconductor Di-

135. Пайнс П. Элементарные возбуждения Bi твердых телах. М.,"Мир" 1957, 425с. 184-. Schulze К.R.,linger К. The linear dielectric response of semiconductor: A new analytic form for the dielectric function. -Phys.Stat. sol. /B/, 197,66, N 2, p. 491 498.

136. Cymerlich F.,Mula Y. Exchange and correlation in semiconductors.-J.Phys.C.Sol.St.Phys.,1976,,N 17,521? 5220.

137. Бигун Г.И;,Высочанский B.G.Исследование электронного- газа в металлах./1/;Чиоловые расчеты.УФЖ. 1972,17, Е 4,с.571«-57б.

138. Тамм И.Е1 Основы теории электричества; М.,Наука; 1976.

139. Budd H.F., Vanimenus I. Surface Forces of the Gellium Mo del.- Phys.Rev.Lett., 1975, 19, P« 1218 1222.

140. Mahan G.D., Schaich W.L. Comment on the theory of work function.-Phys. Rev. ,B., 197, 10, N 6, 2647 2651.

141. Ландау Л.Ф., Лифшиц E.M. Статистическая физика,часть I.*М., Наука, 1976. 191 Wo jciechowski К. ,Kv/antowa teoria adsorpcii па metalach. Post.Fizyki, 1969, N 5, s. 579 6O5.

142. Бурмистрова О.П., Владимиров Г;Г. Адсорбция атомов щелочных и щелочноземельных металлов на U//OII/ К Т Ф 1980, 50, В Q, с. 1763 1770i

143. Сивере Л.д; Исследование адсорбции иттрия на отдельных гранях моноБсристалла вольфрама с помощью автоэлектронного проект ора. ФТТ, 19 69, т.II, с.1035. 19« Гупало М С Смерека Т.П., Бабкин Г.В., Палюх Б.М. Электрон но-адсорбционные свойства пленок лантана на вольфраме* Физическая электроника, 1977, ib 8, с.64 69.