Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ромашин, Сергей Николаевич

• Ромашин, Сергей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ромашин, Сергей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ЯВЛЕНИЯ И ПРОЦЕССЫ НА ГРАНИЦЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ И АКТИВНЫХ ГАЗОВ.

1.1 Структура поверхности полупроводников.

1.2 Поверхностные электронные состояния.

1.3 Адсорбция и десорбция газа на полупроводниках.

1.4 Гетерогенная рекомбинация атомов.

1.5 Методы получения тонких полупроводниковых пленок.

1.6 Методы исследования процессов на границе твердых тел и активных газов.

1.7 Хемоэмиссия электронов с поверхности твердых тел в газовую среду. 38 1.811еравновесная хемопроводимость полупроводников.

1.9 Проводимость в неупорядоченных системах.

1.10 Горячие электроны в металлах и полупроводниках.

1.11 Постановка задачи.

ГЛАВА 2 МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Получение структур металл-полупроводник-металл.

2.3 Получение тонких пленок.

2.4 Методика эксперимента.

ГЛАВА 3 ЯВЛЕНИЕ ХЕМОЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ

МЕТАЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИК.

3.1 Эффект влияния электронного возбуждения металлической пленки в ходе гетерогенной химической реакции на сопротивление структуры металл-полупроводник-металл.

3.1.1 Экспериментальные результаты.

3.1.2 Обсуждение результатов.

3.2 Эффект преобразования энергии, выделяющейся на поверхности структуры металл-полупроводник-металл при протекании гетерогенной реакции, в энергию электрического тока.

3.3 Влияние окисной пленки на поверхности полупроводника на эмиссию электронов из металла в полупроводник.

3.4 Получение тонких пленок германия и их структура.

3.5 Неравновесная хемопроводимость тонких пленок германия.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл»

Актуальность проблемы. Последние достижения современной микроэлектроники основываются на результатах исследований физики твердого тела. Разнообразные процессы, протекающие на поверхности твердых тел, находятся в сфере внимания таких областей науки, как физика полупроводников, физика плазмы, оптика, физическая электроника, космические исследования, химия твердого тела, гетерогенный катализ. Эти процессы служат основой многих высокотехнологичных производств. Развитие современной микроэлектроники с ее стремлением к микроминиатюризации привело к такому положению вещей, когда информация о процессах, происходящих на границе полупроводника и газовой смеси, может иметь прямое отношение к физическим явлениям, лежащим в основе работы прибора. В связи с чем многие проблемы, имеющие отношение к системе газ - твердое тело, обусловлены также нуждами полупроводникового приборостроения и микроэлектронной промышленности.

Явления, возникающие на границе твердого тела и атомно-молекулярной газовой смеси, сложны и многообразны. Взаимодействие атомов и молекул с твердыми телами сопровождается перераспределением поверхностных химических связей, изменением спектра поверхностных электронных состояний, структурными перестройками. Возникающие при протекании гетерогенных реакций люминесценция, распыление поверхности, эмиссия электронов несут информацию о химическом составе, структуре и электронном спектре поверхности, о кинетике и механизме химических превращений и об активной газовой атмосфере. Регистрация эффектов, сопровождающих поверхностные реакции, дает чувствительный инструмент для изучения процессов на границе газа с твердым телом, для решения научных и технологических задач катализа, плаз-мохимии, микроэлектроники, выращивания тонких пленок, космического материаловедения.

При протекании гетерогенных химических реакций на границе твердых тел и газов стабилизация молекул промежуточных веществ и продукта обусловлена энергообменом между реагирующими частицами и поверхностью. В нем участвуют кристаллическая решетка (фононы), электроны твердого тела и хемосорбированные молекулы реагирующих веществ. Высокая каталитическая активность металлов по сравнению с неметаллами по отношению к большинству химических реакций, возможно, обусловлена тем, что аккомодация энергии электронами проводимости - это наиболее эффективный способ отвода энергии, выделяющейся в актах химических превращений на поверхности твердых тел (любая гетерогенная химическая реакция содержит хотя бы одну экзотермическую стадию - адсорбцию). Известно, что на поверхности металлов колебательная релаксация химических связей адсорбированных молекул происходит преимущественно посредством генерации электронно-дырочных пар, а не фононов. О возникновении возбужденных электронов с энергией Е > А + F, где А — работа выхода поверхности, F — энергия Ферми, свидетельствует эмиссия электронов при протекании гетерогенных химических реакций на поверхности некоторых металлов (с малой работой выхода).

Малоизучены аккомодация энергии электронами проводимости при столкновении атомных частиц с поверхностью твердых тел и ее роль в каталитическом ускорении гетерогенных химических превращений на границе твердых тел и газов. Соответствующие методы исследований вследствие технических сложностей (доля возбужденных электронов от общего числа электронов проводимости ничтожно мала) недостаточно развиты.

Цель работа - разработка метода изучения электронной аккомодации с участием электронов проводимости при протекании гетерогенных химических реакций; обнаружение эффекта эмиссии возбужденных в ходе гетерогенной химической реакции электронов из металла в полупроводник; экспериментальное изучение неравновесной хемопроводимости тонких пленок полупроводников, полученных осаждением в среде атомарного водорода.

Для достижения поставленной цели выбраны следующие направления исследований: изучение эффекта возникновения разности потенциалов (хемо-ЭДС) между металлом и полупроводником, при протекании экзотермической реакции

Н + Н —» Н2 на поверхности металлической пленки, нанесенной на полупроводник; обнаружение и изучение эффекта хемоэмиссии электронов из металла в полупроводник; выяснение влияния окисной пленки на поверхности полупроводника на процесс прохождения возбужденных электронов через границу между металлом и полупроводником; изучение влияния температуры на процесс проникновения горячих электронов, возникших в ходе реакции, из металла в полупроводник; установление влияния типа проводимости полупроводника, на который нанесена тонкая металлическая пленка, на хемоэмиссию электронов из металла в полупроводник; получение тонких пленок германия посредством осаждения атомов германия в среде атомарного водорода, изучение структуры пленок и их неравновесной хемопроводности.

Научная новизна. Разработан метод изучения процессов энергообмена между реагирующими на поверхности молекулами газа и электронами проводимости металла или вырожденного полупроводника. Он предназначен для изучения механизмов стабилизации молекул, образующихся в ходе реакции, и заключается в регистрации тока возбужденных электронов, проникающих из катализатора в полупроводник через межфазную границу.

Обнаружено явление эмиссии электронов из металла в полупроводник. На примере химической реакции Н + Н —► П2 обнаружен эффект преобразования энергии, выделяющейся в ходе гетерогенной реакции на поверхности тонкой пленки металлического катализатора, нанесенного на полупроводник, в энергию электрического тока. Обнаружено возникновение разности потенциалов (хемо-ЭДС) между металлом и полупроводником при протекании гетерогенной реакции на поверхности тонкой металлической пленки, нанесенной на поверхность полупроводника. Установлено, что окисная пленка на поверхности полупроводника препятствует прохождению возбужденных электронов через границу между металлом и полупроводником, не влияя при этом существенным образом на сопротивление контакта полупроводника с металлической пленкой. Установлено, что при протекании реакции гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности золота или никеля в актах химических превращений с вероятностью 10"2 < r|g < 1 в металле возникают электронно-возбужденные состояния.

Установлено, что при осаждении на подложки в среде атомарного водорода пленок германия, благодаря процессам самоорганизации образуются наноструктуры с характерным размером 30-40 нм.

Получены данные по фотопроводимости и неравновесной хемопроводи-мости тонких пленок германия и кремния, осажденных на подложки в среде атомарного водорода.

Достоверность полученных результатов. В опытах использовался водород чистотой 99,995%. Особое внимание было уделено защите используемых приборов (средств измерения) электрическими экранами от воздействия электромагнитных полей. Проводились "холостые" опыты, для этого в реактор помещали точечный полупроводниковый диод. При этом в измерениях тока уровень электромагнитной помехи (наводки) высокочастотного разряда составлял не

11 -у более 10 А, а при измерении хемо-ЭДС — 10 В. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых экспериментальных кривых. С целью проверки воспроизводимости экспериментальных данных неоднократно производилась повторная замена образцов в различной последовательности. Были получены идентичные результаты для одних и тех же образцов. Полученные экспериментальные результаты допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Практическая значимость. Предложен метод создания потока горячих электронов в металле для изучения эмиссии горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник. На основе полученных данных могут быть разработаны датчики контроля за изменением скорости гетерогенных химических реакций. Структуры металл-полупроводник-металл могут быть применены для изучения механизмов неупругих столкновений атомных частиц тепловых энергий с поверхностью металлов. Применение метода контроля за образованием возбужденных электронов в актах химических превращений на поверхности металлов позволило получить новую информацию о механизмах электронных процессов, протекающих на межфазных границах между металлом и активным газом и между металлом и полупроводником.

Защищаемые положения.

1. При протекании экзотермической химической реакции Н + Н —* Нг на у поверхности тонкой металлической пленки золота толщиной d ~ 10" , нанесенной на кристалл кремния n-типа, возникает разность потенциалов (хемо-ЭДС) между металлом и полупроводником, обусловленная проникновением возбужденных электронов, возникших в ходе реакции, из металла в полупроводник (пленка приобретает положительный заряд, а кремний заряжается отрицательно).

2. Взаимодействие атомарного водорода с тонкой пленкой золота или никеля, нанесенной на кристалл полупроводника (кремния, германия) или плоский р-n переход на основе кремния сопровождается изменением сопротивления полупроводника или р-п-перехода вследствие проникновения возбужденных электронов, возникших в ходе реакции, из металла в полупроводник.

3. Окисная пленка на поверхности кремния или германия препятствует проникновению возбужденных электронов через межфазную границу из металла в полупроводник.

4. Осажденные в среде атомарного водорода на подложки тонкие пленки германия содержат наноструктуры с характерным размером 30-40 нм, возникшие благодаря процессам самоорганизации на поверхности. Под действием атомарного водорода возникает неравновесная электропроводность этих пленок.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 113 страницах, иллюстрируется 34 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 94 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ромашин, Сергей Николаевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Предложен метод создания потока горячих электронов в металле для изучения эмиссии горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник.

2. Разработан метод изучения процессов энергообмена между реагирующими на поверхности молекулами газа и электронами проводимости металла, заключающийся в регистрации тока возбужденных электронов, проникающих из металла — катализатора реакции в полупроводник через потенциальный барьер на межфазной границе.

3. При протекании реакции Н + Н —> Н2 на поверхности тонкой пленки золота, нанесенной на поверхность кремния n-типа, между металлом и полупроводником возникает разность потенциалов (хемо-ЭДС). При этом пленка приобретает положительный заряд, а кремний заряжается отрицательно. Эффект обусловлен проникновением горячих электронов, возникших в ходе реакции, из металла в полупроводник.

4. После включения и выключения источника атомов водорода наблюдается изменение сопротивления помещенных в среду водорода структур МПМ, изготовленных на основе кремния n-типа или кремниевого р-п-перехода, если пленка металла, нанесенная на полупроводник, присоединена к минусу источника тока, а полупроводник присоединен к его плюсу. Эффект обусловлен проникновением горячих электронов, возникших в ходе экзотермической реакции Н + Н —> Н2, из металла в полупроводник, поскольку он исчезает при изменении полярности приложенного напряжения.

5. При протекании реакции гетерогенной рекомбинации атомов водорода Н+Н—»Н2 на поверхности золота или никеля в актах химических превращений с вероятностью 10 < rjg < 1 в металле возникают электронно-возбужденные состояния.

6. Окисная пленка на поверхности кремния или германия препятствует проникновению возбужденных электронов через межфазную границу из металла в полупроводник.

7. Осаждение германиевых пленок на медные подложки в среде атомарного водорода приводит к появлению наноструктур с характерным размером 30-40 нм, возникших благодаря процессам самоорганизации на поверхности подложки, находящейся в активной газовой среде.

8. Наблюдалась неравновесная хемопроводность германиевых пленок, обусловленная возникновением электронно-дырочных пар на поверхности при протекании экзотермической гетерогенной реакции Н + Н —»• Н2.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ромашин, Сергей Николаевич, 2005 год

1. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. -М.: Советское радио, 1967. -452 с.

2. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников. М.: МИФИ, 2002. - 378 с.

3. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. — М.: Мир, 1974. -464 с.

4. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.-475 с.

5. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. — М.: Наука, 1978. -616 с.

6. Нестеренко Б.А. Снитко О.В. Физические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводников, Киев: Наукова Думка, 1983.

7. Бедный Б.И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников // Соросовский образовательный журнал. 1998. №7. С. 114-121.

8. Зеегер К. Физика полупроводников. — М.: Мир, 1977. — 615 с.

9. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1989. - 440 с.

10. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд-во Московского университета. Физический факультет МГУ, 1999.-284 с.

11. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников — К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984. 214 с.

12. Харламов В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1994. - 207 с.

13. Волькенштейн Ф. Ф. Физика-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973. 399 с.

14. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела: Пер. с англ. А. Я. Шульмана под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1980. - 488 с.

15. Теория хемосорбции. Под редакцией Дж. Смита. М.: Мир, 1983. —333 с.

16. Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов // Поверхность. 1992. № 9. С. 5-26.

17. Яблонский Г. С., Быков В. И., Елохин В. И. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа. Новосибирск: Наука. 1984.

18. Жданов В.П. Скорость химической реакции. — М.: Наука, 1986.

19. Гранкин В. П. // Ж. прикл. спектроскопии. 1996. Т. 63. № 3. С. 444-451.

20. Гранкин В. П., Тюрин Ю. И. // Кинетика и катализ. 1996. Т. 37. № 4. С. 608-612.

21. Гранкин В. П., Гранкина Н. Д., Климов Ю. В., Тюрин Ю. И. // Журн. физ. химии. 1996. Т. 70. №. 10. С. 1863 1868.

22. Kharlamov V. F. // React. Kinet. Catal. Lett. 1987/ № 33. P. 43.

23. Харламов В. Ф. // Хим. физика. 1991. Т. 10. №8. С. 1084.

24. Харламов В. Ф. //Журн. физ. химии. 1997. Т. 71. N 4. С. 678.

25. Харламов В. Ф., Лисецкий В. Н., Иващук О. А. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. N2. С. 298.

26. Харламов В. Ф., Крутовский Е. П., Мосин Ю. В. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. N 3. С. 54-59.

27. Kharlamov V. F., Izmailov Sh. L., Vasilyev N. Ph. // React.Kinet. Catal.1.tt. 1997. V. 60.N l.P. 107

28. Харламов В.Ф., Ануфриев K.M. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. 1999, Т. 25, № 15, С. 27-32.

29. Мосин Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Курск., 1998. - 97 с.

30. Иващук О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Курск., 1998.-139 с.

31. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989.-240 с.

32. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофаз-ной эпитаксии.-М.: Металлургия, 1983.-436с.

33. Фельдман J1., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. — М: Мир, 1989.-344 с.

34. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

35. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. — М.: Мир, 1980.-490 с.

36. Нефедов В.И., Черепин В.Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. М.: Наука, 1983. - 296 с.

37. Методы анализа поверхности. Ред. А.Зандерна. — М., Мир. 1979.

38. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Ред. Т.Джайядевайя, Р.Ванселов. М., Мир, 1977, т.1., вып.1, С.211-234.

39. Р.Хофман. Строение твердых тел и поверхностей. М., Мир 1990.216 с.

40. Самсонов Т. П., Пантелеев В. Н., Поляков Д. Ю. // Физика и техника полупроводников. 2001 . Т. 35. Вып. 4. С. 482-488.

41. Штейегарт А.П. // Вестник НовГУ. Сер.: Техн. науки. 2004. № 26. С. 173-174.

42. Горшкова М.М. Эллипсометрия М.: Мир, 1974. 388 с.

43. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979.-426 с.

44. Азаам Р., Башира Н. Эллипсометрия и поляризованный свет: Пер. с англ. М.: Мир, 1981.-342 с.

45. Резвый P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1983.-294 с.

46. Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок: Учеб. пособие. М.: Изд-во МГУ, 1992. - 94 с.

47. Боровский И.Б. Физические основы рентгеноспектральных исследований. М.: Изд-во МГУ, 1956. 482 с.

48. Суворов A.JI. Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах. М.: Энергоиздат, 1982. — 161 с.

49. Миллер М., Смит Г. Зондовый анализ в автоионной микроскопии: Пер. с англ. М.: Мир, 1999. - 301 с.

50. Крылов О. В., Киселев В. Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах. — М.: Химия, 1981. 288 с.

51. Кораблев В.В. Электронная оже-спектроскопия. Изд-во ЛПИ, 1973.

52. Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю.А., Фридрихов С.А. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. — М: Наука, 1985.-290 с.

53. Андронов А.Н., Пронина Н.А. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ): Учеб. пособие. — СПб.: Изд-во СПбГТУ, 1997.-45 с.

54. Кухаренко Ю.А., Фридрихов С.А. Резонансное упругое рассеяние медленных электронов в твердых телах вблизи порогов неупругих каналов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. №1. С. 43-57.

55. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. — 600 с.

56. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. 552 с.

57. Бажанова Н.П., Кораблев В.В., Кудинов Ю.А. Актуальные вопросы вторично-эмиссионной спектроскопии. — JL: ЛПИ, 1985. 88 с.

58. А. Модинос Авто-, термо- и вторично-эмиссионная спектроскопия. М.: Наука, 1990.

59. Фурсей Г.Н. Автоэлектронная эмиссия // Соросовский образовательный журнал. 2000. Т. 6. №11. С. 96-103.

60. Тюрин Ю.И. Возбуждение поверхности твердого тела атомами тепловых энергий // Поверхность. 1986. № 9. С. 115-125.

61. Стыров В.В., Харламов В.Ф., .Ягнова Л.И. // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. М.: Наука, 1972. С. 72 -73.

62. Харламов В.Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.

63. Бонч Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1990.-686 с.

64. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Клайпер Р. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. - 384 с.

65. Физическая энциклопедия. Гл. ред. Прохоров A.M., М.: Большая Российская энциклопедия. Т. 1. 1992. - 704 с.

66. Физическая энциклопедия. Гл. ред. Прохоров A.M., М.: Большая Российская энциклопедия. Т. 3. 1992. — 672 с.

67. Brenig W. // Z. Phis. V. В23. №3. P. 361-367.

68. Кожушнер М.А., Кустарев В.Г., Шуб Б.Р. // ДАН СССР. 1977. Т. 237. №7. С.871-876.

69. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика. — М.: Наука, 1979. С. 413.

70. Borrel P. Molecular Relaxation Processes. London: The Chemical Society, 1966. P. 263.

71. Баловнев Ю. А., Рогинский С.З., Третьяков И.И.// ДАН СССР. 1964. Т.158. №5. С. 929-934; 1965. Т.163. №1. С.394-399.

72. Волькенштейн Ф. Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикалорекомби-национная люминесценция полупроводников. М.: Наука, 1973. — 399 с.

73. Харламов В. Ф. Автореф. дне. докт. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1990.-31 с.

74. Харламов В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами: Дис. канд. физ.-мат. наук. — Томск., 1976. 177 с.

75. Харламов В. Ф. // Кинетика и катализ. 1979. Т. 20. № 4. С. 946 950.

76. Новицкий П. В., Кноринг В. Г., Гутников В. С. Цифровые приборы с частотными датчиками. — JL: Энергия, 1970.

77. Плотников Г.С., Зайцев В.Б. Физические основы молекулярной электроники М.: Физические факультет МГУ, 2000. - 164 с.

78. Ромашин С.Н., Седов А.В., Касаткин Э.В., Харламов В.Ф. Самоорганизация при осаждении пленок полупроводников в среде атомарного водорода. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 8. С. 133 135.

79. S.N. Romashin. A.V. Sedov, E.V. Kasatkin, V.F. Kharlamov. Self-Organization during Deposition of Semiconductor Films in the Atmosphere of Atomic Hydrogen. //Technical Physics. V. 49. № 8. 2004. pp. 1089-1092.

80. Ромашин C.H., Седов А.В., Ануфриев K.M., Харламов В.Ф. Эмиссия электронов из металлов в полупроводник, стимулированная химической реакцией. // Материалы XXII Всероссийский симпозиум молодых ученых по химической кинетике, Москва, 2004 г. С. 43.

81. Харламов В.Ф., Ромашин С.II., Седов А.В. Хемоэмиссия электронов из металла в полупроводник. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 17. С. 48 54.

82. V.F. Kharlamov, S.N. Romashin, A.V. Sedov. Electron Chemoemission from Metal to Semiconductor. // Technical Physics Letters. V.30. N 9.2004. pp.732-734.

83. Лавренко В.А. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел. Киев: Наукова думка, 1973. 204 с.

84. Кислюк М.У.//Химич. физика. 1989. Т.8. №1. С.59-72.

85. Шалимова К.В. Физика полупроводников. — М.: Энергоатомиздат, 1985.392 с.

86. Харламов В.Ф., Седов А.В., Ромашин С.II. Эмиссия электронов с поверхности твердых, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып. 18. С. 1 8.

87. V.F. Kharlamov, A.V. Sedov, S.N. Romashin. Electron Emission from Solid Surfaces Stimulated by Electric Field and Heterogeneous Chemical Reaction. // Technical Physics Letters. Vol.30. N 9.2004. pp.753-755.

88. Ромашин C.H., Седов А.В., Кубышкина M.B., Ануфриев К.М., Харламов В.Ф. Электронное возбуждение металлов активным газом и сопутствующие эффекты. // Доклады XVI Всероссийского симпозиума "Современная химическая физика",-Туапсе, 2004 г. С. 158-159.

89. Харламов В.Ф., Макушев И.А., Бармин А.В., Рогожина Т.С., Ануфриев К.М., Быковский М.И. Элементарные процессы при взаимодействии «пакета» активных частиц газа с твердым телом. // Письма в журнал технической физики. 2003, Т. 29, Вып. 7, с. 87-95.

90. Савченко Н.М., Горбань А.Н., Савченко Н.В., Манько В.К. Образование электронно-дырочных возбуждений в германии под действием атомов водорода. // Укр. физ. журн. 1979. Т. 24. № 7. С. 996-999; № 8. С. 1184-1187.

91. Стыров В.В., Кабанский А.Е. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомарного водорода с монокристаллом германия. // ЖЭТФ. 1979. Т. 76. Вып. 5. С. 54-59.