Электронные свойства ультратонких границ раздела металл-металл и металл-полупроводник тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Бенеманская, Галина Вадимовна

• Бенеманская, Галина Вадимовна
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бенеманская, Галина Вадимовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ГРАНИЦ РАЗДЕЛА (обзор литературы)

1.1. Поверхность металлов.

1.2. Теоретические и экспериментальные исследования электронных свойств граней (100), (110), (111)

1.3. Границы раздела щелочной металл/и щелочноземельный металл / поверхность

1.4. Реконструированные поверхности 81(100)2x1 и 81(111)7x7.

1.5. Границы раздела щелочной металл/81(100)2x1 и / 81(111)7x7.

1.6. Атомная и электронная структура поверхности ОаА$( 100) и границы раздела СвАЗаАзООО).

1.7. Фотоэлектронная эмиссия как метод исследования поверхности твердого тела и границ раздела.

1.8. Выводы и постановка задачи.

ГЛАВА II. ПОРОГОВАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Пороговая фотоэмиссия.

2.2. Теоретические основы пороговой фотоэмиссионной спектроскопии.

2.3. Применение пороговой фотоэмиссионной спектроскопии для исследования границ раздела металл-металл и металл-полупроводник.

2.4. Экспериментальная установка и методика ПФС.

2.5. Методика определения концентрации адсорбированных атомов и экспресс-анализ на наличие поверхностных зон вблизи уровня Ферми.

2.6. Получение чистых граней XV, реконструированных поверхностей 81(111)7x7 и 81(100)2x1 и поверхности ОаАз( 100), обогащенной йа.

ГЛАВА III. ПОРОГОВАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГРАНИЦ РАЗДЕЛА CsAV, Ba/W

3.1. Концентрационные зависимости фотоэмисии при возбуждении s- и рполяризованным светом.

3.2. Спектры поверхностной фотоэмиссии при адсорбции Cs на гранях (100), (110) и (111)W.

3.3. Электронная структура границы раздела Ba/W(l 10).

3.4. Модификация спектра поверхностных состояний при адсорбции Cs и Ва на гранях W.

3.5. Аномалии векторного фотоэффекта для поверхности металла с субмонослойными покрытиями.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронные свойства ультратонких границ раздела металл-металл и металл-полупроводник»

В современной физике поверхности твердого тела одним из важнейших и активно развивающихся направлений является исследование на атомном уровне процессов формирования границ раздела на поверхности металлов и полупроводников при взаимодействии с адсорбированными атомами [1-15]. Между электронными свойствами поверхности и ее химическим строением существует фундаментальная связь, исследование которой является одной из важнейших задач физики поверхности. Очевидно, что эта связь сохраняется и может быть выявлена более отчетливо, когда на поверхность адсорбируются чужеродные атомы, приводящие к формированию новых химических связей и модификации всей гаммы электронных свойств поверхности. Исследования таких процессов формирования границ раздела при взаимодействии с адсорбированными атомами проводятся по двум направлениям. Первое направление - изучение поверхности металлов и влияния адсорбции - является классическим и развивается уже более полувека. Второе, относительно молодое направление, испытывает в настоящее время стремительное развитие и является актуальным в связи с созданием новых мощных методов выращивания полупроводниковых монокристаллов, эпитаксиальных слоев и наноструктур, лежащих в основе микро и наноэлектроники.

В работе использовались оба эти направления, причем адсорбция щелочных металлов (ЩМ) К, Сз и щелочно-земельного металла (ЩЗМ) Ва в субмонослойном режиме являлась своего рода атомарным зондом для исследования процессов взаимодействия при формировании границ раздела металл-металл и металл-полупроводник. Основным подходом в работе являлось изучение закономерностей и выявление механизмов локальных взаимодействий на ряде поверхностей металлов и полупроводников с использованием ряда оригинальных экспериментальных методов.

Фундаментальные проблемы физики интерфейсных явлений непосредственно связаны с исследованиями электронных свойств, в частности электронных спектров, и их модификации в условиях формирования границ раздела, установлением взаимосвязи электронных и атомных свойств систем на основе монокристаллических граней полупроводников и субмонослойных металлических покрытий, нахождением поверхностных фазовых переходов, а также определением условий и механизмов поверхностной металлизации. Особое внимание уделяется исследованиям указанных процессов на различных реконструированных поверхностях 81, что обусловлено исключительной ролью и современными задачами кремниевых микро- и нанотехнологий.

Интенсивно развиваются также исследования актуальной поверхности (100)ОаАз. С точки зрения прикладных задач, моделирование и создание границ раздела металл/СаАз, является крайне важной проблемой в технологии устройств с отрицательным электронным сродством, барьеров Шоттки, фотоэмиттеров с высоким квантовым выходом, в получении спин-поляризованных пучков электронов. Кроме того, необходимо отметить актуальные направления, которые связаны с изучением интердиффузии и химических реакций между адсорбированными атомами металла и поверхностью полупроводника и специфической ролью металлов, особенно щелочных металлов, в ускорении реакций окисления и в усилении каталитических процессов.

Накопленный экспериментальный и теоретический материал свидетельствует о том, что наиболее сильные изменения свойств поверхности металлов и полупроводников происходят в начальной стадии формирования границы раздела, то есть в субмонослойном режиме адсорбции. При адсорбции металлов происходят локальные взаимодействия атомов с различными типами активных оборванных связей поверхности, то есть с собственными поверхностными состояниями, что сопровождается перераспределением электронной плотности и модификацией электронной структуры поверхности. Данные взаимодействия существенно отличаются от взаимодействий в объеме и могут, например, изменять характер адсорбционной связи от ионного до ковалентного на одной и той же поверхности. С развитием методов тонких структурных исследований было обнаружено, что адсорбированные атомы занимают на поверхности строго определенные позиции -адсорбционные места, могут образовывать цепочки или иные низкоразмерные структуры, инициировать реконструкцию поверхности и фазовые переходы.

При формировании интерфейсов наблюдаются разнообразные процессы, такие как понижение работы выхода и ионизационного потенциала, сдвиг и закрепление уровня Ферми, перестройка 21) электронного спектра, поверхностные переходы типа металл-изолятор и металлизация либо адслоя либо интерфейсного, более глубокого слоя. Характер адсорбционной связи, а также электронные свойства ненасыщенных связей поверхности полупроводников определяют электронную структуру границы раздела, поверхностные транспортные свойства, барьер Шоттки, преимущественные адсорбционные места, формирование двумерных структур.

Несмотря на то, что исследованию адсорбции атомов ЩМ и ЩЗМ на поверхности металлов, поверхностях кремния и арсенида галлия посвящено множество экспериментальных и теоретических работ, многие перечисленные выше вопросы до настоящего времени не решены. Следует отметить также, что изучение электронных свойств границ раздела заметно отстает от изучения их структурных свойств. Одна из причин заключается в том, что наиболее распространенный экспериментальный метод, позволяющий получить непосредственную информацию об электронной структуре -ультрафиолетовая фотоэмиссионная спектроскопия (УФЭС) - обладает ограниченными возможностями, а именно, недостаточным разрешением и крайне слабой интенсивностью по сравнению с фоном, для детального изучения электронной структуры границ раздела в наиболее актуальной энергетической области валентных состояний вблизи уровня Ферми и вершины валентной зоны.

Целью работы является создание нового фотоэмиссионного метода исследования электронных свойств и электронного спектра поверхностей, границ раздела металл-металл и металл-полупроводник; проведение с помощью нового метода исследований электронных свойств и их модификации в процессе формирования границ раздела в диапазоне субмонослойных покрытий; установление закономерностей и корреляций со структурными характеристиками подложки, идентификация границ раздела, установление типа электронной поверхностной структуры в зависимости от поверхностной концентрации адсорбированных атомов, поиск поверхностных переходов типа металл-изолятор и изучение их механизмов, определение природы поверхностной металлизации и характера адсорбционной связи, выявление роли подложки и адсорбата.

В связи с этим ставились следующие конкретные задачи:

• разработать новый фотоэмиссионный метод исследования электронной структуры поверхности и границ раздела, обладающий повышенной поверхностной чувствительностью и высоким оптическим разрешением (-0.01 эВ) в актуальной энергетической области валентных состояний вблизи уровня Ферми за счет снижения энергии возбуждения в пороговую область и использования поляризованного возбуждения - пороговую фотоэмиссионную спектроскопию,

• провести экспериментальное и теоретическое обоснование метода, установить механизмы взаимодействия б- и р-поляризованного света с объемом и поверхностью твердого тела,

• исследовать и определить природу векторного фотоэффекта для металлов с адсорбированными покрытиями,

• провести комплексные исследования закономерностей формирования границ раздела на актуальных поверхностях металлов и полупроводников Cs/ и Ва/ W(100); Cs/ и Ba/W(l 10), CsAV(lll), Cs/ и Ba/Si( 100)2x1; Cs/ , К/ и Ba/Si(l 11)7x7; Cs/GaAs(100)-Ga-rich в режиме субмонослойных покрытий.

Для каждой границы раздела предполагалось:

• получение электронного спектра поверхности как функции субмонослойного покрытия;

• определение работы выхода фи ионизационной энергии ф при различных покрытиях;

• для границ раздела металл-полупроводник определение покрытия Qmim соответствующего минимальной работе выхода фтт, и определение насыщающего покрытия 0sat,;

• детальный анализ модификации спектров поверхностной фотоэмиссии при нанесении субмонослойных покрытий с малым шагом по покрытию; ~

• поиск поверхностных зон, индуцированных адсорбцией;

• определение характера адсорбционной связи;

• поиск и исследование поверхностных переходов типа металл-изолятор и определение условий и природы поверхностной металлизации.

Научная новизна.

1. Метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии разработан, экспериментально и теоретически обоснован, и впервые применен для исследования электронных свойств широкого класса границ раздела как на основе металлических, так и полупроводниковых подложек в сверхвысоком вакууме in situ.

2. Обнаружено различие механизмов возбуждения объемной и поверхностной фотоэмиссии s- и р-поляризованным светом.

3. Впервые обнаружены поверхностные состояния, индуцированные адсорбцией Cs и Ва на гранях (100), (110), (111) W. В широком диапазоне покрытий изучена трансформация спектра поверхностных состояний, включая собственные и индуцированные. На всех гранях W обнаружено образование одной индуцированной зоны в случае адсорбции Cs и двух зон в случае адсорбции Ва.

4. Впервые исследован векторный фотоэффект (ВФЭ) для металлов с адсорбированными покрытиями, обнаружено новое явление аномального ВФЭ и установлена его природа.

5. Впервые обнаружено различие фотоэмиссионных порогов при возбуждении е- и р-поляризованным светом границ раздела К/Б1( 111)7x7, 08/81(111)7x7, Ва/81(111)7x7, Св/Б^ 100)2x1, Ва/81(100)2х1, Сэ/ОаАзООО) , получены спектры поверхностной и объемной фотоэмиссии, определена ионизационная энергия как функция субмонослойного покрытия.

6. Впервые наблюдался пиннинг уровня Ферми при адсорбции К и Се на поверхности 81(111)7x7.

7. Впервые обнаружено существование индуцированных адсорбцией поверхностных переходов металл-изолятор для границ раздела К/ Се/ и Ва/81(111)7x7 и изолятор-металл для границ раздела К/ и Сз/81(111)7x7.

8. Впервые установлено существование поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией, для границ раздела Сэ/^ЮО), Св/ЩНО), СэЛУОП), ВаЛУ(110); К/ 81(111)7x7, Се/ 81(111)7x7 и Ва/81(111)7x7; Сз/81(100)2х1 , Ва/81(100)2х1 и С8/ОаА8(100).

9. Впервые обнаружены фотоэмиссионные пики плазменных возбуждений при адсорбции Сэ в диапазоне покрытий, больших чем 0.8монослоя, на поверхности ОаАх(ЮО), обогащенной ва.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Метод исследования электронных свойств поверхности и границ раздела металл-металл и металл-полупроводник с применением 8- и р-поляризованного порогового возбуждения - метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии.

2. Механизмы возбуждения объемной фотоэмиссии и фотоэмиссии с поверхностных состояний: возбуждение Б-поляризованным светом и тангенциальной компонентой электрического вектора р- поляризованного света вызывает фотоэмиссию из объема; возбуждение нормальной компонентой электрического вектора р- света вызывает фотоэмиссию с поверхностных состояниий. Модели фотоэмиссионных процессов и расчеты фундаментальных параметров поверхностных состояний.

3. Обнаружение аномального векторного фотоэффекта для поверхности металла с субмонослойными покрытиями, природа которого обусловлена возбуждением поверхностных состояний р-поляризованным светом.

4. Обнаружение поверностных состояний, индуцированных адсорбцией Сх и Ва на реконструированных поверхностях 81(111)7x7, 81(100)2x1, на гранях адсорбцией К на 81(111)7x7, а также адсорбцией Сз на поверхности С}аЛз(100), обогащенной Оа.

5. Установление зависимости спектра поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией Сз или Ва на гранях \У, от электронной конфигурации адсорбата и зависимости энергетического положения собственных поверхностных состояний граней ЭД' от поверхностной концентрации адсорбата.

6. Обнаружение эффекта различия величин фотоэмиссионных порогов Ьув («поляризованное возбуждение) и Иур (р- поляризованное возбуждение), возникновение которого обусловлено присутствием заполненных поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводника.

7. Принципиальное различие процессов формирования границ раздела на поверхностях 81(100)2x1 и 81(111)7x7 при адсорбции К, Сэ и Ва. Электронные свойства границ раздела Сз/81( 100)2x1 и Ва/81( 100)2x1 определяются в основном димерной реконструкцией подложки, а электронные свойства границ раздела К781(111)7x7, Сз/81(111)7x7 и Ва/81(111)7x7 зависят преимущественно от электронной структуры адсорбата.

8. Механизм формирования границ раздела Сз/81(100)2x1 и Ва/81(100)2x1, состоящий в последовательной адсорбции Се и Ва на две неэквивалентные позиции в элементарной ячейке 2x1, что приводит к появлению двух индуцированных поверхностных зон и образованию при монослойном покрытии границ раздела полупроводникового характера.

9. Эффект разрушения поверхностной металлизации атомарно-чистой поверхности 81(111 )7х7 на начальных стадиях адсорбции К, Сэ и Ва, природа которого обусловлена локализацией заряда за счет заполнения оборванных связей "адатомов 81".

10. Процесс адсорбции Сз на атомарно-чистой поверхности ОаАзООО), обогащенной ва, включает:

• первую фазу адсорбции с сильной Сэ-Оа связью, обусловленную локальным взаимодействием С 8- атомов с оборванными связями ва,

• переход к следующей фазе, осуществляемый при покрытии, достаточном для насыщения всех оборванных связей ва на поверхности,

• вторую фазу адсорбции со слабой Сэ-Св связью, которая характеризуется появлением квази-2В и/или квази ЗБ Се кластеров и СБ-поверхностного плазмона.

Установлено, что на любой фазе адсорбции граница раздела Сз/ОаА8(100) имеет полупроводниковый характер вплоть до монослойного покрытия цезия.

12

Работа выполнена в лаборатории Оптики Поверхности отдела Оптики Твердого Тела ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН. Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю признательность член-корреспонденту РАН A.A. Каплянскому и профессору А.Н. Титкову за многолетнюю поддержку. Автор благодарит профессора М.И.Урбаха, профессора О.П.Бурмистрову, профессора B.C. Вихнина, доцента Г.Э. Франк-Каменецкую, профессора А. Либша, научного сотрудника Д.В. Дайнека, за плодотворное сотрудничество, а также коллектив лаборатории Оптики Поверхности ФТИ им. А.Ф. Иоффе за помощь и поддержку, которая способствовала выполнению данной работы.

Посвящается моим родителям В.Г. Бенеманскому и Е.П. Бенеманской, без помощи и любви которых данная работы была бы невозможна.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Бенеманская, Галина Вадимовна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Метод пороговой фотоэмиссионной спектроскопии разработан и впервые применен для исследования электронных свойств широкого класса границ раздела как на основе металлических, так и полупроводниковых подложек в сверхвысоком вакууме in situ.

2. Обнаружен эффект качественного различия фотоэмиссии при возбуждении s- и р-поляризованным светом и эффект различия фотоэмиссионных порогов hvs и hvp для границ раздела Cs/ и Ba/Si( 100)2x1; К /, Cs / и Ва /Si(l 11)7x7; Cs/GaAs( 100), обогащенная Ga.

3. Установлен механизм возбуждения поверхностной фотоэмиссии р-поляризованным светом при наличии локальной поверхностной зоны, предложена модель и проведены расчеты фотоэмиссионных процессов и фундаментальных параметров поверхностных состояний.

4. Впервые обнаружены поверхностные состояния, индуцированные адсорбцией Cs и Ва на W. В широком диапазоне покрытий изучена трансформация спектра поверхностных состояний, включая собственные и индуцированные. На всех гранях W обнаружено образование одной индуцированной зоны в случае адсорбции Cs и двух зон в случае адсорбции Ва на W(110).

5. Впервые для поверхности металла при контролируемом спектре поверхностных состоянии (для системы Cs/W(110)) исследован ВФЭ. Установлена природа аномального ВФЭ, определяемая в пороговой области р-поляризованным возбуждением поверхностных состояний.

6. Впервые для границ раздела K/Si(l 11)7x7, Cs/Si(l 11)7x7, Ba/Si(l 11)7x7, Cs/Si( 100)2x1, Ba/Si( 100)2x1, Cs/GaAs(100) получены спектры поверхностной и объемной фотоэмиссии, определена ионизационная энергия как функция субмонослойного покрытия.

7. Впервые наблюдался пиннинг уровня Ферми при адсорбции К и Cs на поверхности Si(l 11)7x7.

8. Впервые обнаружено существование поверхностных переходов металл-изолятор для границ раздела К/ Cs/ и Ba/Si(l 11)7x7 и изолятор-металл для границы раздела К/ и Cs/Si(l 11)7x7 при субмонослойных покрытиях.

9. Впервые установлено существование поверхностных состояний, индуцированных адсорбцией, для границ раздела К/ 81(111)7x7, Се/ 81(111)7x7 и Ва'БЦ 111 )7х7, Св/Б^ 100)2x1, Ва/81( 100)2x1 и Сз/ОаА8( 100).

10. Установлено, что спектр индуцированных поверхностных состояний для границ раздела СвЛУ и ВаЛУ преимущественно зависит от электронной конфигурации адсорбата, и спектр собственных поверхностных состояний преимущественно зависит от поверхностной концентрацией адатомов.

11. Впервые установлено качественное различие механизмов формирования границ раздела на поверхностях 81(100)2x1 и 81(111)7x7 при адсорбции К, Сэ и Ва. При этом электронные свойства границ раздела Сэ/81(100)2x1 и Ва/81(100)2х1 определяются в основном свойствами подложки, а раздела К/81( 111)7x7, Сз/81(111)7x7 и Ва/81(111)7x7 зависят преимущественно от электронной структуры адсорбата.

12. Определены механизмы формирования границ раздела Сб/81( 100)2x1 и Ва/81(100)2х1 и установлена последовательная адсорбция атомов на неэквивалентные позиции, что приводит к появлению двух индуцированных поверхностных зон и к полупроводниковому характеру интерфейса.

13. Обнаружен эффект разрушения поверхностной металлизации на начальных стадиях формирования границ раздела К/, Ва/ и Сз/81(Ш)7х7. Исследование эффекта показало, что переход металл-изолятор происходит за счет локализации заряда и заполнения оборванных связях " адатомов 81" при адсорбции 6 адатомов. Последующие стадии формирования границ раздела приводят к металлизации в адсорбированном слое К и Сэ за счет перехода Мотта .

14. Процесс адсорбции Сэ на атомарно-чистой поверхности СаА$(100), обогащенной ва, включает:

• первую фазу адсорбции с сильной Сэ-ва связью, обусловленную локальным взаимодействием Сэ- атомов с оборванными связями ва,

• переход к следующей фазе, осуществляемый при покрытии, достаточном для насыщения всех оборванных связей ва на поверхности,

• вторую фазу адсорбции со слабой Сз-Сз связью, которая характеризуется появлением квази-2Б и/или квази ЗВ Сз кластеров и Св-поверхностного плазмона.

256

16. Установлено, что на первой фазе адсорбция Се приводит к существенному уменьшению плотности поверхностных состояний в запрещенной зоне, а на второй фазе адсорбция Се приводит к увеличению плотности состояний в запрещенной зоне. На любой фазе адсорбции граница раздела Св/СаАз^ОО) имеет полупроводниковый характер вплоть до монослойного покрытия цезия.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

СТАТЬИ

AI. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Поляризационная зависимость фотоэмиссии электронов системы W(110)- Ва при субмонослойных покрытиях // Письма ЖЭТФ, 1985, V41,N 10, рр432-434.

А2. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. "Поверхностные электронные состояний субмонослойных пленок Cs На гранях (110) и (100) W" Письма ЖЭТФ, 1987, V 45, N9, рр423- 425.

A3 Бенеманская Г.В., Бурмистрова О.П., Лапушкин М.Н. Формирование двумерных электронных зон в системе W(110) - Ва при субмонослойных покрытиях // ФТТ, 1987,V 29, N6, рр1646- 1651.

A4. Benemanskaya G.V., Burmistrova О.Р., Lapushkin M.N. Electronic surface states of submonolayer Cs and Ba films on (100), (110), (lll)W // Phys.Lett А 1989, V 137, ppl39-143.

A5. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Аномалии векторного фотоэффекта системы W(110)-Cs присубмонослойных покрытиях // Письма ЖЭТФ 1989, т. 49, N 9, рр515-517.

А6. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Способ определения энергии двумерных электронных зон поверхности металла // Авторское свидетельство N 1556463 с приоритетом 03.10.88г.

А7. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Способ определения энергии двумерных электронных зон субмонослойной пленки щелочного или щелочно-земельного металла на металлической подложке // Авторское свидетельство N 1575845 с приоритетом 03.10.88г.

А8. Бенеманская Г.В.,.Бурмистрова О.П, Лапушкин М.Н. Электронные состояния на поверхности металлов с субмонослойными покрытиями. // Сб Основные результаты научной деятельности 1989/90 ФТИ АН СССР, г. Ленинград 1991, рр126-128.

А9. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н., М.И.Урбах Возможности пороговой фотоэмиссии для изучения поверхностных состояний субмонослойных металлических пленок // ЖЭТФ 1992, т. 102, N5, рр 1664-1673.

А10. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Спектры поверхностной фотоэмиссии системы W(110) - Ва // Письма ЖЭТФ 1993, т. 58, N9, рр730-733.

All. Liebch A., Benemanskaya G.V., Lapushkin M.N. Near-threshold enhancement in photoemission from alkali-metal overlayers // Surf. Sci. 1994, V 302, pp303-308.

A12. Benemanskaya G.V., Vikhnin V.S., Lapushkin M.N. Photoemission threshold of Bi2Sr2CaCu208 crystal coated with К and Cs submonolayers // Supercond. Sci. Technol. 1994, V 7, pp 486-490.

A13. Benemanskaya G.V., Vikhnin V.S., Lapushkin M.N. Anomalous photoemission thresholdin higt-Tc oxide superconductor with Cs and К submonolayers // J. Supercond. 1994, V 7, pp489-491.

A14. Benemanskaya G.V., Lapushkin M.N., Urbakh M.I. Surface states of submonolayer metal films studied by polarized light photoyield spectroscopy // Phys. Low-Dim. Struct. 1994, V 4/5, ppl3-18.

A15. Benemanskaya G.V., Lapushkin M.N., Gnedin Yu.N., Fraser G.W. The nature of the vectorial photoelectric effect in the threshold energy region // II Nuovo Cimento 1994, V 16, N6, 599-609.

A16. Benemanskaya G.V., Frank-Kamenetskaya G.E., Lapushkin M.N.,1' Near-Fermi level surface states induced by Cs adsorption on the Si(l 11)7x7 surface" Surf. Sci. 1995, V 331333, pp552-556.

A17. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Electronic structure of Ba and Cs overlayers on the Si(l 11)7x7 surface // Phys. Low. -Dim. Struct. 1995, V10/11, pp233-240.

A18. Андронов A.H., Дайнека Д.В.,.Бенеманская Г.В, Франк-Каменецкая Г.Е. Электронная структура и адсорбционные свойства системы Cs/0/W(l 10) // ФТТ 1997, т.39, N9, 1683-1686.

А19. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Effect of Cs Adsorption on the W(110) Surface with a Small Amount of Oxygen // Proc. 4th Nordic Conference on Surface Science, Alesund, Norway, 1997, pp. 150-151.

A20. Vikhnin V.S., Benemanskaya G.V A model of vibronic interaction in quasi-2D system: cooperative pseudo-Jahn-Teller effect on a silicon surface with Ba submonolayers // Z. Phys. Chem. 1997 , V 201, ppl75-180.

А21. Vikhnin V.S., Benemanskaya G.V Rule of vibronic interactions in quasi-2D system: pseudo-Jahn-Teller effect on surface and on interface // Phys. Low-Dim. Struct. 1997, V 5/6, pp 23-30.

A22. Бенеманская Г.В, Дайнека Д.В., Франк-Каменецкая Г.Е. Электронная структура ультратонких Cs покрытий на поверхности Si(100)2xl // Письма в ЖЭТФ 1997, т.65, N 9, рр 699-702.

А23. Бенеманская Г.В, Дайнека Д.В., Франк-Каменецкая Г.Е. Эффект разрушения и возникновения поверхностной металлизации в системе K/Si(l 11)7x7 // Письма в ЖЭТФ 1997, т. 66 , N 1, рр 27-30.

А24. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Electronic Structure of the Ultrathin Cs/Si( 100)2x1 and Cs/Si(ll 1)7x7 Interfaces in the Threshold Energy Region // Surf. Rev. Lett. 1998, V 5, N 1, pp 91-95.

A25. Бенеманская Г.В, Дайнека Д.В., Франк-Каменецкая Г.Е. Электронная структура и локальные взаимодействия на поверхности Si( 100)2x1 с субмонослойными пленками Ва//ЖЭТФ 1998, т. 114, N 12, рр 2145-2152.

А26. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Non-metallic behaviour of the ultrathin Cs/GaAs(001) - Ga-rich interface // Proc. Low Energy Polarized Electron Workshop, St.Petersburg 1998, pp 51-54.

A27. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Electronic Properties of Metal-Covered Silicon Surfaces :Cs and Ba Overlayers on the Si( 100)2x1 and Si(l 11)7x7 Surfaces" Phys. Low.-Dim. Struct. 1999, N1/2, pp97-112.

A28. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E Development of electronic band structure of the K-adsorbed Si(l 11)7x7 surface. // J. Phys.: Cond. Matter. 1999, V 11, pp 6679-6684.

A29. Бенеманская Г.В, Евтихиев В.П., Франк-Каменецкая Г.Е. Электронные свойства ультратонких Cs-покрытий на поверхности GaAs(100), обогащенной Ga. // ФТТ 2000, т. 42, N2, рр 175-179.

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

А30. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Поверхностныеэлектронные состояния $Ва$ и Cs на грани W(110). //Всесоюзная школа по физике поверхности. Тезисы докладов, Черноголовка, 1986, С. 57 А31. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Влияние поляризациифотовозбуждения на эмиссию электронов с грани W(110) присубмонослойных пленках Ва и Cs // VI Всесоюз. симпозиум повторично-электронной, фотоэлектронной эмисии и спектроскопии твердого тела. Тез. докл. Рязань, 1986, С. 74-75 А32. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Проявлениеповерхностных состояний системы W(110)-Ba в фотоэмиссии прполяризованном возбуждении.//Всесоюзная конф. По диагностики поверхности. Тезисы докл. Каунас, 1986, С. 33 АЗЗ. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. лектронныеповерхностные состояния, индуцированные адсорбцией Cs на W(100)h (110). // XX Всесоюз. конф. по физической электронике. Тезисы докладов Киев, 1987, Т. 1, С. 80 А34. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Роль поляризации и длины волны света в возбуждении поверхностных электронных состояний, индуцированных адсорбцией Cs на гранях вольфрама (111), (110) и (100). // VII Всесоюз. конф. повзаимодействию оптического излучения с веществом. Тезисы докладов Ленинград, 1988, С. 317 А35. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Модификация спектра поверхностных состояний монокристалллических граней (100), (110)и (111) вольфрама при субмонослойных покрытиях. // XX Всесоюз.съезд по спектроскопии. Тезисы докладов Киев, 1988, 4.2, С.203

А36. Benemanskaya G.V., Burmistrowa О.Р., Lapushkin M.N. Surface electronic states of submonolayer Cs and Ba films on W(100), (110) and (111) faces. //1 Oth European Conf. Surface Science. Italy, 1888 , Abstracts, P. 100 A37. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Модификацияэлектронных состояний поверхности при субмонослойных покрытияхВа или Cs. // Всесоюзная конференция "Поверхность-89". Тезисы докладов Черноголовка, 1989, С. 88 А38. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н. Аномалии векторного фотоэффекта при наличии двумерных поверхностных состояний. // Всесоюзная конференция "Поверхность-89". Тезисы докл.Черноголовка, 1989, С. 183

А39. Бенеманская Г.В., Бурмистрова О.П., Лапушкин М.Н. Электронные состояния на поверхности металлов с субмонослойнымипокрытиями. // VII Всесоюный. симпозиум по вторично-электронной, фотоэлектронной эмисии и спектроскопии твердого тела. Тезисы докладов, Ташкент, 1990, С. 83-84 А40. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н., Урбах М.И. Пороговая фотоэмиссия при наличии двумерных электронных состояний. // XXI Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тезисы докладов, Ленинград, 1991, Т. 2, С. 24 А41. Benemanskaya G.V., Lapushkin M.N., Urbakh M.I. Surface states of submonolayer metal films studied by polarized lightphotoyield spectroscopy. // 1st Int. Conf." Physics, of Low-Dimensional Structures". Abstrats. Russia, Chernogolovka, 1993, P.93 A42. Benemanskaya G.V., Frank-Kamenetskaya G.E., Lapushkin M.N., Near-Fermi level surface states induced by Cs adsorption on the Si(l 11)7x7surface, Proc. ECOSS-14, Leipzig, Germany, 1994, Abstracts, p. 176. A43. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Near-Fermi level surface structure of the Ba/Si(l 11)7x7 interface at submonolayer coverages // Proc. 13-th Intern. Vacuum Congress., Yokohama, Japan, 1995, Abstract, p430. A44. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Fraser G.W. Lapuchkin M.N. The nature of surface photoemission and vectorial photoelectric effect for the K/Si(l 11)7x7 system // Proc. 13-th Intern. Vacuum Congress., Yokohama, Japan, 1995, Abstract, p 431. A45. Benemanskaya G.V., Daineka D.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Electronic structure of Ba and Cs overlayers on the Si(l 11)7x7 surface // Proc. 2nd InternationalConference "Physics of Low -Dimentional Structures", (PLDS-2) Dubna, Russia, 1995, A45. A46 Benemanskaya G.V., Frank-Kamenetskaya G.E. Near-Fermi level surface structure of the Ba/Si(l 11)7x7 interface at submonolayer coverages // Proc. 23rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, La Jolla, California, 1996 A47. G.V.Benemanskaya, D.V.Daineka, G.E.Frank-Kamenetskaya. Electronic Structure of the Ultrathin Cs/Si( 100)2x1 and Cs/Si(l 11)7x7 Interfaces in the Threshold Energy Region. // 5th Intern. Conf. on Structure of Surfaces, France, 1996, Abstract Th.069.P6. A48. G.V.Benemanskaya, D.V.Daineka, G.E.Frank-Kamenetskaya. Adsorption of Ba on the Si(l 11)7x7 and Si( 100)2x1 Surfaces. // 16th European Conf. on Surface Science, Genova, Italy, 1996, Abstract TuA15.45.

262

A49. V.S.Vikhnin, G.V.Benemanskaya A model of vibronic interaction in quasi-2D system: cooperative pseudo-Jahn-Teller effect on a silicon surface with Ba submonolayers. // XIII Intern. Symposium on Electrons and Vibrations in Solids and Finite Systems, Berlin , Abstracts PI. 13, 1996.

A50. G.V.Benemanskaya, D.V.Daineka, G.E.Frank-Kamenetskaya. Effect of Cs Adsorption on the W(110) Surface with a Small Amount of Oxygen, 4th Nordic Conf. on Surface Science, Alesund, Norway, May , 1997.

A51. G.V.Benemanskaya, D.V.Daineka, G.E.Frank-Kamenetskaya. Non-metallic behaviour of the ultrathin Cs/GaAs(001) - Ga-rich interface. // Low Energy Polarized Electron Workshop, St.Petersburg, 1998, Book of Abstract, p22.

A52. Vikhnin V.S., Benemanskaya G.V. A model of surface cluster behaviour : photoemission from the Cs-covered GaAs(lOO) Ga-rich surface. // 18th European Conf. on Surface Science (ECOSS-18), Vienna, Austria, 1999, Abstract Tu-P-171.

A53. Frank-Kamenetskaya G.E, Benemanskaya G.V. Cs adsorption on the GaAs (100) Ga-rich surface. // 18th European Conf. on Surface Science ( ECOSS-18) , Vienna, Austria, 1999, Abstract We-116

A54. Benemanskaya G.V. Electronic properties of metal-covered silicon surface : Cs and Ba overlayers on the Si(100) 2x1 and Si(l 11)7x7 surfaces. // Proc. XIV Inter. Conf. "Spectroscopy of molecules and crystals" Odessa, Ukraine 1999, p 31.

6.3. Заключение

1. Метод ПФС применен для изучения электронной структуры границы раздела Сз/ОаАйО 00), обогащенной Оа, что позволило впервые обнаружить фотоэмиссию с поверхностных состояний и детально исследовать модификацию спектра поверхностной фотоэмиссии .

2. Перестройка спектра позволяет определить две фазы адсорбции с сильной Сз-Са и слабой Сб-Сб связью. Определено, что Се покрытие, соответствующее минимуму ионизационной энергии составляет ~ 0.7МЬ, что является покрытием, при котором насыщаются все оборванные связи Оа на димерно-реконструированной поверхности Сэ/СаАзООО), обогащенной Оа. Минимум ионизационной энергии определен как 1.45 эВ.

3. В первой фазе адсорбции обнаружены две индуцированные Сб-зоны. Наличие двух зон показывает, что адсорбция осуществляется на две неэквивалентные позиции на димерах ва.

4. Первая фаза завершается при достижении покрытия ~ 0.7МЬ, и соответствует насыщению всех оборванных связей Оа на поверхности ОаАэЦОО), обогащенной Са.

5. Во второй метастабильной фазе обнаружено резкое возрастание плотности поверхностных состояний в запрещенной зоне и обнаружено формирование нескольких 1.9 эВ, 2.05эВ, 2.17эВ, 2.4 эВ, 2.78 эВ широких фотоэмиссионных пиков. Природа пиков Р1 (2.4 эВ) и Р 2 (2.78 эВ) связана с возбуждением поверхностного и объемного Сэ плазмонов, соответственно. Низкоэнергетические пики возможно связаны с образованием квази Ю и/или квази 31) метастабильных Сэ кластеров.

6. Установлено, что на любой фазе адсорбции граница раздела Сз/СаА8( 100) Са-псЬ имеет полупроводниковый характер.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бенеманская, Галина Вадимовна, 2000 год

1. Зенгуил Э. Физика поверхности. // Москва, Мир 1990, 536 с.

2. Бехштедт Ф., Эндерлайн Р. Поверхности и границы раздела полупроводников. // Москва, Мир 1990, 488с.

3. Munch W. Semiconductor surfaces and interfaces. Eds.: Ertl G., Gomer R., Mills D.L. // Springer Verlag, Berlin, Heidelberg 1993, 366p.

4. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. // М., Мир 1989, 564 с.

5. Physics and chemistry of alkali metal adsorption. Editors Bonzel H.P., Bradshaw A.M., Ertl G.// Elsevier, Amsterdam-Oxford-New York-Tokyo 1989, 486p.

6. Теория хемосорбции. Ред. Смит Дж. // Москва, Мир 1983, 336с.

7. Либш А. Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением.В кн. Электронная и ионная спектроскопия тведых тел. Ред. Фирмане Л., Венник Дж., Декейсер В. // Москва, Мир 1981, с 98-151.

8. Теория неоднородного электронного газа. Ред. Лундквист С., Марч Н. // Москва, Мир 1987,400с.

9. Маан Дж. Теория фотоэмиссии. //В кн. Электронная и ионная спектроскопия тведых тел. Ред. Фирмане Л., Венник Дж., Декейсер В. //Москва, Мир 1981, с. 9-60

10. Спайсер В. Применение синхротронного излучения в УФЭС. // В кн. Электронная и ионная спектроскопия тведых тел. Ред. Фирмане Л., Венник Дж., Декейсер В. // Москва, Мир 1981, с. 61-97

11. Бродский A.M., Гуревич Ю.А. Теория электронной эмиссии из металлов. // Москва, Наука 1973, 256 с.

12. Бродский A.M., Урбах М.И. Электродинамика границы метал -электролит. // Москва, Наука 1989,296 с.

13. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. // Москва, Наука 1966, 564 с.

14. Немошкаленко В.В., Антонов В.Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела: Зонная теория металлов. // Киев, Наукова Думка 1985, 407с.

15. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. // Киев, Наукова Думка 1981, 339с.

16. Hoenberg A., Kohn W. Inhomogeneous gas. // Phys. Rev. В 1964, v. 136, N 3, рр.864-871.

17. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equation including exchange and correlation effect. //Phys. Rev. A 1965, v. 140, N 4, pp.1133-1138.

18. Cerrina F., Anderson J.R., Lapeyere G.L, Bisi O., Calandra C. W (111): Angle-resolved photoemission from the clean and H2 covered surface. // Phys. Rev. B 1982, v. 25, N 8, P. 4949-4961.

19. Lang N.D. Self-consistent properties of the electron distribution at a metal surface. // Sol. St. Comm. 1969, v. 7, N 15, pp. 1047-1059.

20. Wimmer E., Freeman A.J., Hiskes I.R., Karo A.M. All-electron local-density-functional theory of alcali-metal bonding on transition-metal surfaces: Cs on W (001). // Phys. Rev. B 1983, v. 28, N 6, pp. 3074-3091.

21. Onishi S., Freeman A.J., Wimmer E. Bonding of surface states on W (001): All-electron local-density functional study. // Phys. Rev. B 1984, v.29, N 10, pp.5267-5278.

22. Jepsen O., Jones R.O. Surface barrier in W (110). I Self -consistent film calculation. // Phys. Rev. B 1986, v. 34, N 10, pp. 6695-6698.

23. Posternak M., Krakauer H., Freeman A.J., Koelling D.D. Self- consistent electronic stucture of surfaces: Surface states and surface resonances on W (001). // Phys. Rev. B 1980, v. 21, N 12, pp. 5601-5612.

24. Posternak M., Krakauer H., Freeman A.J. Self-consistent electronic stucture of the contracted tungsten (001) faces. Phys. Rev. B 1982, v. 25, N 2, pp. 755-761.

25. Mattheis L.E., Hamman D.R. Bulk and surface electronic structure of hexagonal WC. // Phys. Rev. B 1984, v. 30, N 3, pp. 1731-1738.

26. Holmes M.I., King D.A., Inglesfield J.E. Charakterization and transferbility of surface states. //Phys. Rev. Lett. 1979, v. 42, N 6, pp. 394-397.

27. Waclawski B.J., Plummer E.W. Photoemission obserwation surface states of tungsten. / /Phys. Rev. Lett. 1972, v. 29, N 12, pp. 783-786A.

28. Feuerbacher B., Fitton B. Photoemission from surface states on tungsten. // Phys. Rev. Lett. 1972, v. 29, N 12, pp. 786-789.

29. Feuerbacher B., Fitton B. Directional photoemission from three tungsten single-crystal faces. // Phys. Rev. Lett. 1973, v. 30, N19, pp 923-926.

30. Feuerbacher B., Fitton B. Some polarization effects in photoemission from cubic cristals. // Sol. St. Comm. 1974, v. 15, N 2, pp. 295-299.

31. Feuerbacher B., Christensen N.E. Volume and surface photoemission from tungsten II. Experiment. // Phys. Rev. B 1974, v. 10, N 6, pp. 2373-2390.

32. Feuerbacher B., Willis R.F. Photoemission line shape of the surface states on W (100). // Phys. Rev. Lett. 1976, v. 37, N 7, pp. 446-449.

33. Lapaere G.L., Smith R.J., Anderson J. Angle-resolved synchrotron photoemsission of clean and chemosorbed surface. // J. Vac. Sci. Technol. 1977, v. 14, N 1, pp. 384-390.

34. Weng S.-L., Plummer E.W. Experimental and theoritical study of surface resonances on the ( 100) faces of W and Mo. // Phys. Rev. B 1978, v. 18, N 4, pp. 1718-1740.

35. Holmes M.I., Gustafsson T. Dispersion of surface states on W (100) and surface reconstruction. // Phys. Rev. Lett. 1981, v. 47, N 6, pp.443-446.

36. Avci R., Lapayere G.J. Observation of surface photoeffect for an adsórbate: oxygen on W(100) and W(110). // Sol. St. Comm. 1985, v.53, N 10, pp.897-900.

37. Soukiassian P., Riwan R., Lecante J., Wimmer E., Chubb S.R., Freeman A.J. Adsorbate-induced shifts of electronic surface states: Cs on the (100) faces of tungsten, molibdenium and tantalum. // Phys. Rev. B 1985,v. 31, N 8, pp 4911-4923.

38. Kiejna A., Wojciecowski K.F. Work function of metals: relation between theory and expreiment. //Prog. Surf. Sci. 1981, v. 11, N 4, pp 293-347.

39. Aruga T., Murata Y. Alcali-metal adsorption on metals. // Progr. Surf. Sci. 1989, v. 31, N 1/2, pp 61-130.

40. Gurney R.W. Theory of electrical double layers in adsorbed films. // Phys. Rev. 1935, v.47, N 6, pp. 479-482 .

41. Serena P.A., Solver J.M., Garcia N., Batra I.P. Work-function of metals upon alcali-metal adsorption: overlayer relaxation. //Phys. Rev. B 1987, v. 36, N 6, pp. 3452-3454.

42. Wojciechowski K.F. Electron properties of alcali submonolayers on a metal substrate. // Surf. Sci. 1976, v. 55, N 1, pp. 246-258.

43. Bullet D.W. Surface electron structure of the Cu (111)/ Na adsorption system. // Sol. St. Commun. 1981, v. 38, N 4, pp. 291-295.

44. Benesh G.A, Krakauer H., Ellis D.E., Posternak M. Na chemosorption on the Al (001) surface. // Surf. Sci. 1981, v. 104, N 2/3, pp.599-608.

45. Chubb S.R, Wimmer E., Freeman A.J., Hiskes I.R., Karo A.M. All-electron local-density-functional theory of alcali-metal adsorption on transition surfaces: Cs on Mo (001). // Phys. Rev. B 1987, v. 36, N 8, pp. 4112-4122.

46. Plummer E.W., Young K.D. Field emission studies of electronic energy levels of adsorbed atoms. // Phys. Rev. В 1970, v. 1, N 5, pp. 2088-2109

47. Иванов B.A., Кирсанова T.A., Тумарева T.A. Автоэмиссионная спектроскопия вольфрама, покрытого слоями бария и окиси бария. // ФТТ 1981, v. 23, N 3, с. 664-668.

48. Woratschek В., Sesselman W., Kuppers J., Ertl G., Haberland К., 4s valence level of adsorbed К atom probed by metastable He deexcitation spectroscopy. // Phys. Rev. Lett. 1985, v. 55, N 11, pp. 1231-1234.

49. Lindgren S.A., Wallden L. Cu surface states and Cs valence electrons in photoelectron spectra from the Cu (111)/ Cs adsorption system. // Sol. Stat. Comm. 1978, v. 28, N 3, pp. 283-286.

50. Lindgren S.A., Wallden L. Photoemission of electrons at the Cu(lll)/Na interface. //Sol. Stat Comm. 1980, v. 34, N 8, P. 671-673.

51. Cousty J., Riwan R., Soukiassian P., Mila F. Sodium-induced modifications in the electronic structure of the W(100) surface. //J. Phys. С 1986, v. 19, N 16, pp. 2883-2391.

52. Медведев В.К., Якивчук А.И. Структура и электронно адсорбционные свойства пленок цезия на грани (111) монокристалла W. // ФТТ 1975, v. 17, N 1, сс. 14-22.

53. Fedorus A.G., Naumovets A.G. Cesium on tungtsen (011) face: structure and work function. // Surface Sci. 1970, v. 21, N 2, pp. 426-439.

54. Fedorus A.G., Naumovets A.G., Vedula Yu.S. Adsorbed barium films on tungsten an molibdenium (001) face. // Phys. Stat. Sol. (a) 1972, v. 13, N 2, pp. 445-456.

55. Hemstreet L.A., Chubb S.R. Electronic structure of c(2x2) Ba adsorbed on W (001). // Phys. Rev. В 1993, v. 47, N 12, pp. 10748-10753.

56. Ishida H, Terakura K. Coverage dependence of the work function and charge transfer on the alkali-metal-jellium surface. // Phys. Rev. В 1987, v. 36, N 8, pp. 4510-4513.

57. Ishida H. Theory of the alcali-metal chemosorption on metal surface. // Phys. Rev. В 1988, v. 38, N 12, pp. 8006-8021.

58. Ishida H. Electronic sructure of alkali-metal overlayers on the semi-infinite jellium surface. // Phys. Rev. В 1989, v. 39, N 8, pp. 5492-5495.

59. Lamouri A., Muller W., Kranski I.L. Geometry and occupied electron states of Ba and BaO on W (100). // Phys. Rev. В 1994, v.50, N 7, pp.4764-4770.

60. Wimmer E. All-electron local density functional study of metallic monolayers: I. alkali metals. //J. Phys. F 1983, v. 13, N 11, pp. 2313-2321.

61. Wimmer E. All-electron local density functional study of metallic monolayers: II. Alkalineearth metals. // J. Phys. F 1984, v. 14, N 3, pp. 681-690.

62. Wimmer E. Freeman A.J., Weinert M., Krakauer H., Hiskes J.R. Karo A.M. Cesiation of W(001) : Work function lowering by multiple dipole formation // Phys. Rev. Lett. 1982, v.48. N 16,pp 1128-1131.

63. Diehl R.D., McGrath R. Structural studies of alkali-metal adsorption and coadsorption on metal surfaces.// Surf. Sci. Rep. 1996, v. 23, N2-5, pp 44-171.

64. Wu R., Chen K., Wang D., Wang N. Interaction, electron transfer, and work function of a chemosorbed alkali-metal submonolayer on a W (001) surface. //Phys. Rev. В 1988, v. 38, N 5, pp. 3180-3188.

65. Pi T.W., Hong L.H., Wu R.T., Cheng C. Valence-band photoemission study of Ba, Cs on W(110). // Surf. Rev. and Lett. 1997, v. 4 , N 6, ppl 197-1201.

66. Катрич Г. А., Моисеев Д. П. Влияние температуры и адсорбции на поверхностную проводимость // ФТТ 1985 v. 27, N 9, pp 2588-2592.

67. Carlsson A., Claesson D., Katrich G., Lindgren S.-A. Observation of structure changes for Li/Cu(l 11) by Phys. Rev. В 1998, май

68. Бурмистрова О.П., Владимиров Г.Г., Дунаевский С.М. Формализм функционала плотности в теории адсорбции. // ФТТ 1980, т. 22, N 3, сс. 836-840.

69. Бурмистрова О.П., Владимиров Г.Г. О концентрационных зависимостях работы выхода и энергии десорбции // Поверхность и межфазовые границы. В Вопросы электроники твердого тела, Ученые записки Ленгосуниверситета 1982, N 408, вып. 8, сс 34-61

70. Большов J1.A., Напартович А.П., Наумовец А.Г., Федорус А.Г. Субмонослойные пленки на поверхности металлов. // УФН 1977, т. 122, N 1, сс 125-158.

71. Shin K.S., Kim C.Y., Chung J.W., Hong S.C., Lee S.K., Park C. Y. Photoemission study of the surface band structure of the reconstructed Mo(100) surface. // Phys. Rev. В 1993, v. 47, N 20, pp.13594-13598.

72. Benesh G.A, Hester J.R. Na interaction on A1 (001). // Surface Sci. 1988, v. 194, N 3, pp. 567-578.

73. Feuerbacher В., Willis R.F. Photoemission and electron states at clean surface. //J. Phys. С 1976, v. 9, N2, pp. 169 216.

74. Frank K.-H., Sagner H.-J., Heskett D. Coverage-dependent shifts of s and p resonances of alkali metals chemosorbed on A1 (111). // Phys. Rev. В 1989, v. 40, N 5, pp.2767-2771.

75. Muskat J.P, Newns D.M. Chemisorption on metals. // Prog Surface Sci. 1978, v. 9, N 1, pp. 1-92.

76. Watson G.M., Bruhuler P.D., Plummer E.W., Sagner H.J., Frank K.H. Two-dimensional structure of Li layers: Li/Be (0001) //Phys. Rev. Lett. 1990, v. 65, N 4, pp. 468-471.

77. Ishizaka A., Shiraki Y., Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electochem. Soc.: Electrochem. Sci. Technol., 1986, v.133, pp.666-671.

78. Binning G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E. 7x7 reconstruction on Si(l 11) resolved in real space.// Phys. Rev. Lett. 1983, v.50, pp. 120-123.

79. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Surface electronic structure of Si(l 1 l)-(7x7) resolved in real space // Phys. Rev. Lett., 1986, v.56, N 18, p. 1972-1975.

80. Robinson I.K., Waskiewich W.K , Fuoss P.H., Stark J.B. X-ray diffraction evidence of adatoms in the Si(l 11)7x7 reconstructed surface. // Phys. Rev. B 1986, v.33, pp.7013-7016.

81. Harrison W.A. Surface reconstruction on semiconductors. // Surf. Sci. 1976, v.55, pp. 1-19.

82. Avouris Ph., Atom-resolved surface chemistry using the scanning tunneling microscope // J. Phys. Chem., 1990, v.94, N 6, pp.2246-2256.

83. Brommer K. D., Galvan M., Dal Pino A. Jr., Joannopoulos J. D., Theory of adsorption of atoms and molecules on Si(l 11)7x7. // Surf. Sci. 1994, v.370, pp.57-70.

84. Takayanagi K., Tanishiro Y., Takahashi M., Takahashi S., Structure analysis of Si(lll)-7x7 reconstructed surface by transmission electron diffraction // Surface Sci., 1985, v.164, pp.367392.

85. Qian G.-X., Chadi D.J. Si(l 11)7x7 surface: Energy-minimization calculation for the dimer-adatom-staulking fault model. // Phys. Rev. B 1987, v.35, pp. 1288-1293.

86. Nicholls J.M., Reihl B. Adatom electronic structure of the Si(l 11)7x7 surface. // Phys. Rev. B 1987, v.36, pp.8071-8074.

87. Weber R.E, Peria W.T. Work function and structural studies of alkali-covered semiconductors. // Surf. Sci. 1969, v.14, pp. 13-38.

88. Nishigaki S., Oishi N., Matsuda S., Kawanisi N., Sasaki T. Direct evidence of the occupied valence states for adsorbed Cs atoms on the Si(lll) surface. // Phys. Rev. B 1989, v.39, pp.8048-8050.

89. Magnusson K.O., Reihl B. Development of the surface electronic structure of K and Cs overlayers on Si(l 11)7x7. // Phys. Rev. B 1990, v.41, pp.12071-12075.

90. Magnusson K.O., Wiklund S., Dudde D., Reihl B. Adsorption of Cs on Si(l 11)7x7: Studies of photoemission from surface states and core levels. // Phys. Rev. B 1991, v.44, 5657-5663.

91. Weitering H.H., Chen J., DiNardo N.J., Plummer E.W., Electron correlation, metallization and Fermi-level pinning at ultrathin K/Si(l 11)7x7 interfaces. // Phys. Rev. B 1993, v.48, 81198135.

92. Boishin G., Tikhov M., Kiskinova M., Surnev L. Interaction of oxygen with a Cs-covered Si(l 11)7x7 surface. // Surf. Sci. 1992, v.261, pp. 224-232.

93. Paggel J.J., Neuhold G., Haak H., Horn K. Growth morphology electronic structure of Na films on Si(l 11)7x7 and Si(l 11) Na(3xl) // Surf.Sci. 1998, v. 414, pp 221-235.

94. Tezuka Y., Daimon H., Ino S. Change of surface electronic states induced by Li and К adsorption on the Si(l 11)7x7 structure. // Japanese Journal of Appl. Phys. 1990, v. 29, N 9, pp 1173-1777.

95. Sakamoto K., Okuda Т., Nishimoto H., Daimon H., Suga S. Photoemission study of the Si(l 11)3x1 К surface//Phys. Rev. В 1994, v. 50, N3, 1725-1731.

96. Reihl В., Dudde R., Johansson L.S.O., Magnusson K.O. The electronic structure of alkali-metal layers on semiconductor surfaces. // Appl. Phys. 1992, v. A55, N9, pp449-460.

97. Reihl В., Dudde R., Johansson L.S.O., Magnusson K.O., Sorensen S.L., Wiklund S. The Bonding of alkali metals to semiconductor surfaces : a direct and inverse photoemission study. //Appl. Surf. Sci. 1992, v. 56-58,pp. 123-136.

98. Aviouris P., Atom-resolved surface chemistry using scanning tunneling microscope. // J. Phys. Chem. 1990, v. 94. N.10, pp. 2246-2256.

99. Etelaniemi V., Michel E.G., Materlik G. X-ray standing-wave study of Cs/Si(l 11) 7x7. // Phys. Rev. В 1991, v. 44, N 8, pp. 4036-4039.

100. Clotet A., Ricart J.M., Rubio J., Illas F. Nature of bonding of alkali metals to Si(l 11). // Phys. Rev. В 1995, v. 51, N 3, pp 1581-1592.

101. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. // Москва, Наука, 1979.

102. Кособукии В.А. Коллективные эффекты в усилении внешнего электрического поля на поверхности. // Известия АН СССР, серия физ., 1985, т. 49, N 6, pp 1111-1120.

103. Soukiassian P. Alkali metal on semiconductor surfaces: electronic, structural and catalytic properties // in Physics and chemistry of alkali metal adsorption, Eds. Bonzel H.P., Bradshaw A.M., Ertl G. (Elsevier, Amsterdam, 1989), p.449.

104. Chadi D.J. Atomic and electronic structure of reconstructed Si(100) surfaces. // Phys. Rev. Lett. 1979, v.43, pp.43-47.

105. Verwoerd W.S. Cluster calculations of the surface dimer structure on Si(100) surface // Surf. Sci. 1980, v.99, pp.581-597.

106. Batra LP. Atomic structure of Si(001)2xl surface // Phys. Rev. B 1990, v.41, pp.50485054.

107. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Scanning tunneling microscopy of Si(001) // Phys. Rev. B 1986, v.34, pp.5343-5357.

108. Alerhand O.L., Vanderbilt D., Meade R., Joannopoulos J.D. Spontaneous formation of stress domains on crystal surfaces. // Phys. Rev. Lett. 1988, v.61, pp. 1973-1976.

109. Kaplan R. LEED study of the stepped surface of vicinal Si(100). // Surf. Sci. 1980, v.93, pp.145-158.

110. Yang W.S., Jona F., Marcus P.M. Atomic structure of Si(001)2xl // Phys. Rev. B 1983, v.28, pp.2049-2.059.

111. Holland B.W. The atomic geometry of Si(100)-(2xl) revisited. // Surf. Sci. 1984, v.140, pp.L269-L278.

112. Lambert W.R., Trevor P.L., Cardillo M.J., Sakai A., Hamann D.R. Surface structure of Ge(100) studied by He diffraction. // Phys. Rev. B 1987, v.35, pp.8055-8064.

113. Aono M., Hou Y., Oshima C., Ishizawa Y. Low-Energy Ion Scattering from the Si(001) surface // Phys. Rev. Lett. 1982, v.49, pp.567-580.

114. Landemark E., Karlsson C.J., Chao Y.-C., Uhrberg R.I.J. Core-level spectroscopy of the clean Si(001) surface: charge transfer within asymmetric dimers of the 2x1 and c(4x2) reconstruction. // Phys. Rev. Lett. 1992, v.69, pp. 1588-1591.

115. Martensson P., Cricenti., Hansson G.V. Photoemission study of the surface states that pin the Fermi level at Si(100)2xl surfaces // Phys. Rev. B 1986, v.33, pp.8855-8858.

116. Koke P., Goldmann A., Monch W., Wolfgarten, Pollmann J. Angle-resolved photoemission from Si(100): Identification of bulk band transititions. // Surf. Sci. 1985, v.152/153, pp.1001-1006.

117. Pollmann J., Kruger P., Mazur A. Self-consistent electronic structure of semi-infinite Si(001)-(2xl) and Ge(001)-(2xl) with model calculations of scanning tunneling microscopy. // J. Vac. Sci. Technol. B 1987, v.5, pp.945-952.,

118. Monch W., Koke P., Kruger S. On the electronic structure of clean, 2x1 reconstructed silicon (001) surface. //J. Vac. Sci. Technol. 1981, v.19, pp. 313-318.

119. Нестеренко Б.А., Снитко О.В., Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова Думка, 1983, 385 с.

120. Levine J.D., Structural and electronic model of NEA on the Si/Cs/O surface. // Surf. Sci. 1973, v.34, pp.90-107.

121. Tochihara H. Electronic exitations in К monolayer adsorbed on Si( 100)2x1. // Surf. Sci. 1983, v.126, pp.523-528.

122. Glander G.S., Webb M.B. Na adsorption on Si(100): Dosing results. // Surf. Sci. 1990, v.222, pp.64-83.

123. Chao Y.-C. , Johansson L. S. O., Karlsson C.J., Landemark E., Uhrberg R. I. G., Adsorption of К on Si( 100)2x1 at room temperature studied with photoelectron spectroscopy. // Phys. Rev. В 1995, v.52, N 4, pp.2579-2586.

124. Chao Y.-C., Johansson L.S.O., Uhrberg R.I.G., Coverage-dependent study of the Cs/Si( 100)2x1 surface using photoelectron spectroscopy. // Phys. Rev. В 1996, v.54, N 8, pp.5901-5907.

125. Grekh T.M., Johansson L.S.O., Gray S.M., Johansson M., Flodstrom A.S., Adsorption of Li on the Si( 100)2x1 surface studied with high-resolution core-level spectroscopy. // Phys. Rev. В 1995, v.52, pp. 16593-16601.

126. J. Smith, W. R. Graham, and E. W. Plummer, Coverage measurements of the Si( 100)2x1: Cs and Si(100)2xl: К surfaces: resolution of structural models. // Surf. Sci. Lett. 1991, v.243, L37-40.

127. Y. Enta, T. Kinoshita, S. Suzuki, and S. Kono, Electronic structure of the single-domain Si(001)2xl-K surface. // Phys. Rev. В1989, v.39, 5524-5526.

128. Michel E.G., Pervan P., Castro G.R., Miranda R., Wandelt K., Structural and electronic properties of K/Si( 100)2x1. // Phys. Rev. В 1992, v.45, pp.11811-11822.

129. Martin-Gago J.A., Asenio M.C., Soria F., Aebi P., Fasel R., Naumovic D., Osterwalder J., Direct evidence of occupied states near the Fermi level on the Si(l 00)2x1-K interface. // Surf. Sci. 1994, v.307-309, pp.995-1000.

130. Lee K.-D., Chung J., Electrical phase transititions on the alkali-metal-adsorbed Si(001) surfaces. // Phys. Rev. В 1997, v.55, pp. 12906-12909.

131. Kim S.T., Soukiassian P., Barbier L., Kapoor S., Hurych Z., Structure of the Na/Si( 100)2x1 and Cs/Si( 100)2x1 interfaces investigated by photoemission surface extended X-ray adsoprtion fine structure. // Phys. Rev. В 1991, v.44, pp.5622-5628.

132. Johansson L.S.O., Reihl B., Electronic structure of the Na-adsorbed Si(100)2xl surface studied by inverse and direct angle-resolved photoemission. // Phys. Rev. B 1993, v.47, pp. 1401-1406.

133. Holtom R., Gundry PP.M., The adsorption of Cs on the Si( 100)2x1 surface. // Surf. Sci. 1977, v.63, pp.263-273.

134. Papageorgopoulos C.A., Kamaratos M., Adsorption of Cs and its effects on the oxidation of the Ar+ sputtered Si( 100)2x1 substrate. // Surf. Sci. 1989, v.221, pp.263-276.

135. R.W.J.Hollering, D.Dijkkamp, H.W.L.Lindelaut, R.A.M. van der Heid, Optical second-harmonic generation study of barium deposition on Si(001). // J. Vac. Sci. Technol A 1990, v.8, pp.3997-4000.

136. Vlachos D., Papageorgopoulos C.A., Kamaratos M., Ba deposition on Si(100)2xl. Sol. St. Comm. 1994, v.90, N3, pp. 175-181.

137. Abukawa T., Kono S. Photoelectron diffraction study of Si(001)2xl-K surface: Existence of a potassium double layer. Chemisorption bonding, site preference and chain formation at the K/Si(001)2xl interface. // Phys. Rev. B 1988, v.37, pp.9097-9099.

138. Abukawa T., Kono S. Photoelectron diffraction and low energy electron diffraction studies of Cs, K/Si(001) surface. // Surf. Sci. 1989, v.214, pp.141-148.

139. Abukawa T., Okane T., Kono S., Low energy electron diffraction and X-ray photoelectron diffraction study of the Cs/Si(001) surface: dependence on Cs coverage. // Surf. Sci. 1991, v.256, pp.370-378.

140. Wei C.M., Huang H., Tong S.Y., Glander G.S., Webb M.B. Atomic geometry of (2x1) Na on Si(001). // Phys. Rev. B 1990, v.42, pp.11284-11287.

141. Ling Ye., Freeman A.J., Delley B. Chemisorption bonding, site preference, and chain formation at the K/Si(00102x1 interface. // Phys. Rev. B 1989, v.39, p. 10144

142. Ramirez R. Stucture of the K/Si(l 00)2x1 surface: Semiempirical self-consistent-field crystal orbital analisis. // Phys. Rev. B 1989, v.40, pp.3962-3969.

143. Kobayashi K., Morikawa Y., Terakura K., Blugel S., Optimized structure and electronic properties of alkali-metal (Na, K)-adsorbed Si(001) surfaces. // Phys. Rev. B 1992, v.45, pp.3969-3984.

144. Ishida H., Shima N., Tsukada M. Theory of the overlayer plasmon on the Si(001)2xl-K surface. // Phys. Rev. B 1985, v.32, pp.6246-6254.

145. Ciraci S., Batra I.P. Surface metallization of silicon by potassium adsorption on Si(001)-(2x1). // Phys. Rev. B 1988, v.37, pp.2955-2967

146. Batra I.P., Interaction of alkali metals with Si(l00)2x1. // Phys. Rev. B 1991, v.43, pp.12322-12334.

147. Kendelewicz T., Soukiassian P., List R.S., Woicik J.C., Pianetta P., Lindau I., Spicer W.E., Bonding at K/Si( 100)2x1 interface: A surface extended X-ray adsoprtion fine structure study. // Phys. Rev. B 1988, v.37, pp.7115.

148. Tanaka S. Takagi N., Minami N., Nishijima M. Existence of two adsorbed states for K on the Si( 100)2x1 surface: a thermal desorption study. // Phys. Rev. B 1990, v.42, N 3, pp. 18681871.

149. Milne R.H., Azim M., Persaud R., Venables J.A., Surface diffusion of Cs on Si(100)-2xl. // Surf. Sci. 1995, v.336, pp.63-75.

150. Vac. Sci. Technol A 1988, v.6, pp.600-606.

151. Kasowski R.W., Tsai M.H. Comment on "Novel electronic properties of a potassium overlayer on Si(001)-(2xl). // Phys. Rev. Lett. 1988, v.60, p.546.

152. Souda R., Hayami W., Aizawa T., Ishizawa Y., Alkali-metal adsorption on the Si(100)surface studied by low-energy D+ scattering. // Phys. Rev. B 1993, v.47, pp.9917-9920.

153. Fun W.C., Ignatiev A., Identification of ordered atomic structures of Ba on Si( 100) surface. // Surf. Sci. 1991, v.253, pp.297-302.

154. Chao Y.-C., Johansson L.S.O., Uhrberg R.I.G. Layer growth of Cs on Si(l 1 l)c(4x2) studied with photoelectron spectroscopy. // Phys. Rev. B 1997, v. 56, N 23, pp 15446-15451.

155. Chao Y.-C., Johansson L.S.O., Uhrberg R.I.G. Adsorption of Na on Si(100)2xl at room temperature studied with photoelectron spectroscopy. // Phys. Rev. B 1997, v. 55, N 11, pp-7198-7205.

156. Lopez Sancho J.M., Refolio M.C., Lopez Sancho M.P., Rubio J. Extended Hubbard model analysis of semiconductor-alkali interfaces : implication for the metallization problem. // Surf. Sci. Lett. 1993, v. 285, L 491- L497.

157. Refolio M.C., Lopez Sancho J.M., Lopez Sancho M. P., Rubio J. Local alkali-metal-promoted oxidation of Si(100) 2x1 surfaces : A generalized-Hubbard-model calculation. // Phys.Rev. B 1994, v. 49, N 4, pp 2629-2636.

158. Refolio M.C., Rubio J., Lopez Sancho M. P., Lopez Sancho J.M. Spin correlations in semiconductor dangling bonds : implications for the alkali-metal-covered surfaces. // Phys Rev. B 1994, v. 49, N 7, pp 4623-4634.

159. Gravila P., Meier P.F. Theoretical determination of the adsorption geometry of Na on the Si(100) surface. // Phys. Rev. B. 1999, v. 59, N 3, pp. 2449-2453.

160. Castellani C., Castro C. Di., Lee P.A. Metallic phase and metal-insulator transition in two-dimensional electronic systems. // Phys. Rev. B 1998, v. 57, N 16, R9381-R9384.

161. Bakhtizin R.Z., Kishimoto J., Hashizume T., Sakurai T. Scanning tunneling microscopy of Sr adsorption on the Si(100)-2xl surface. // Appl. Surf. Sci. 1996, v.94/95, pp.478-484.

162. Lindsay R., Durr H., Wincott P.L., Colera I., Cowie B.C., Thornton G. Dangling-bond adsorption site for potassium on Si(100)-(2xl) // Phys. Rev. B 1995, v.51, pp.11140-11143.

163. Bechsted F., Scheffler M. Alkali adsorption on GaAs(llO) : atomic structure, electronic states and surface dipoles. // Surface Science Reports 1993, v. 18, N 5/6, pp. 148-198.

164. Song K.M., Ray A.K. Ab initio study of cesium chemosorption on the GaAs(l 10) surface // Phys. Rev B 1994, v. 50, N 19, pp 14255-14266.

165. Evans D. A., Lapeyre G.J., Horn K. Overlayer-induced valence states and evidence for charge transfer in Na/GaP(110) and Na/GaAs(110) : a comparative photoemission study. // J. Vac.Sci. Technol. B 1993, v. ll,N4,pp 1492-1496.

166. Sci. Technol. A. 1987, v. 5, N 4 , pp. 834-837.

167. Vitomirov J. M., Raisanen A.D., Finnefrock A.C. Temperature -dependent chemical and electronuc structure of reconstructed GaAs(lOO) surfaces. // Vac. Sci. Technol. В 1992, v. 10, N4, 1898-1903.

168. Le Lay G., Mao D., Kahn A., Hwu Y., Margaritondo G. High-resolution synchrotronradiation core-level spectroscopy of decapped GaAs(lOO) surfaces. // Phys. Rev. В 1991, v. 43, N 17, pp.14301-14304.

169. Chen W., Dumas M., Mao D., Kahn A. Work function, electron affinity and band bending at decapped GaAs(100)surface // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992, v. 10, N 4 , pp. 1886-1890.

170. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., Swartz L.-E. Surface reconstructions of GaAs(100) observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. В 1990, v. 41, N 9, pp. 5701-5706.

171. Moriarty P., Murphy В., Roberts L., Caffolla A.A. Photoelectron core-level spectroscopy and scanning tunneling microscopy study of the sulfar-treated GaAs(100) surface. // Phys.Rev.B 1994, v. 50, N 19, pp. 14237-14245.

172. Chizhov I., Lee G., Willis R. F., Lubyshev D., Miller D.L. Evolution of the GaAs(100) surface structure during the transition from the As-rich (2x4) to the Ga-rich (4x2) reconstruction. // Surf. Sci. 1998, v. 419, pp.1-11.

173. Бахтизин P. 3., Сакурай Т., Хашицуме Т., Шуе К.-К. Атомные структуры на поверхности GaAs(100), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии // УФН 1997, v. 167, N 11, pp. 1227-1241.

174. Qian G.-X., Martin R. M., Chadi D.J. Stoichiometry and surface reconstruction : An ab initio study of GaAs(100) surface // Phys.Rev. Lett. 1988 , v. 60, N. 19, 1962- 1965.

175. Ren S.-F., Chang Y.-C. Electronic and optical properties of GaAs(OOl) 2x4 and (4x2) surfaces. // Phys.Rev.B 1991, v. 44, N 24, pp. 13573-13581.

176. Chiang T.-C., Ludeke R., Aono M., Landgren G. Angle-resolved photoemission studies of GaAs(100) surfaces grown by molecular-beam epitaxy // Phys.Rev.B 1983, v. 27, N 8, pp. 4770-4778.

177. Pashley M.D., Haberern K. W., Feenstra R.M., Kirchner D.P. Different Fermi-level pinning behavior on n- and p- type GaAs(OOl). // Phys.Rev.B 1993, v. 48, N 7, pp. 4612-4615.

178. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (111)B GaAs epitaxial layers. // Surf. Sci. 1984, v. 147, 103-114.

179. Gao H. Investigation of the mechanism of the activation of GaAs negative electron affinity photocathodes. // J. Vac. Sci. Technol. A 1987, v.5, N4, 1295-1298

180. Kamaratos M., Bauer E. Investigation of Cs with the GaAs(lOO) surface. // J.Appl.Phys. 1991 v. 70, N 12, 7564-7572.

181. Balasubramanian T., Cao J., Gao Y. X-ray photoemission spectroscopy studies of cesium and oxygen. // J. Vac. Sci. Technol. A 1997, v. 15, N 5, 3158-3165

182. Kim J. Callaghder M.C., Willis R.F. Cs adsorption on n- and p-type GaAs (001) (2x4) surfaces // Appl. Surf. Sci. 1993, v. 67 , 286-291

183. Musatov A.L., Smirnov S. Yu. Surface photovoltage spectra and surface ststes on GaAs(lOO) with submonoatomic cesium layers. // Phys. Sol. Stat. 1994, v. 36, N1, pp. 4-9.

184. Alperovich V. L., Paulish A. G., Terekhov A.S. Domination of adatom-induced iver defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,0) at room temperature. // Phys. Rev. B 1994, v. 50, N 8, 5480-5483.

185. Alperovich V. L., Paulish A. G., Terekhov A.S. Unpinned behavior of the electronic properties of a p-GaAs (Cs,0) surface at room temperature. // Surf. Sci. 1995, v. 331-333, 1250-1255.

186. Goldstein B., Szostak D. Different bonding states of Cs and O on highly photoemissive GaAs by flash-desorption experiments. // Appl. Phys. Lett. 1975, v. 26, N 3, 111-113.

187. Vergara G., Gomaz L.J., Capmany J., Montojo M.T. Adsorption kinetics of cesium and oxygen on GaAs(100). // Surf. Sci. 1992, v. 278, pp 131-145.

188. Sakai J., Mizutani G., Ushioda S. Termal desorption spectra of Cs and Sa species from Cs and O / n-GaAs(100) coadsorbed surfaces. // Appl.Surf. Sci. 1993, v. 64, pp. 275-281.

189. Sakai J., Mizutani G., Ushioda S. Bonding of 02 and CO on a Cs/p-GaAs(l 00) surface and its relation to negative electron affinity. // Surf. Sci. 1993, v. 283, pp 217-220.

190. Massies J., Etienne P., Dezaly F., Linh N.T. Stoichiometry effects on surface properties of GaAs(100). // Surf. Sci. 1980, v. 99, pp 121-131.

191. Goldstein B.Leed-Auger characterization of GaAs during activation to NEA by the adsorption of Cs and O. //Surf. Sci. 1975, v. 47, pp 143-14.

192. Duszak R., Palmstrom C.J., Florez L.T., Yang Y.-N., Weaver J.H. Drastic work function variation of molecular-beam epitaxialy grown GaAs(100) surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. B 1992, v. 10, N4, 1891-1897.

193. Tsuda H., Mizutaki T. Photoionization energy variation among three types of As-stabilized GaAs(OOl) 2x4 surfaces. //Appl. Phys. Lett. 1993, v.60, ppl570-1572

194. U.del Pennino, R. Compano, B. Salvarani, C.Mariani, Alkali metal/GaAs(l 10) interfaces: correlation effects and sub-gap electron energy loss spectra.// Sur. sci. 409 (1998) 258-264

195. Gomoyunova M.V., Gorgeev Yu.S., Mikoushkin V.M., Pronin 1.1., Sysoev S.E. Size dependence of electronic structure of silver clusters supported on graphite and silicon.// Phys. Low-Dim. Struct., 4/5/ (1996) 11-22.

196. Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs(001) interface : work fuction, cesium sticking coefficient and surface optical anisotropy. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, N 4, pp. 2074-2080.

197. Gusev A. O., Paget D., Aristov V. Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mied V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopies of Cs/GaAs(100) interface formation. // J. Vac. Sci. Technol. A 1997, v. 15, N 1, pp. 192-196.

198. Paget D., Kierren В., Houdre R. Photoreflectance spectroscopy investigation of two-dimensional cesium metallic clusters on GaAs(100). // J. Vac. Sci. Technol. A 1998, v. 16, N 4, pp. 2350-2359.

199. Heitmann D. Two-dimensional plasmons in homogeneous and latterally micro structured space sharge layers. // Surf. Sci. 1986, v. 170, pp. 332-345.

200. Heitmann D. Surface and two-dimensional plasmon excitation in microstructured metal films and semiconductor heterostructures. // Physica Scripta 1989, v. T25, pp. 294-300.

201. Burstein E., Pinczuk A., Mills D.L. Inelastic light scattering by charge carrier excitation in two-dimensional plasmas : theoretical considerations. // Surf. Sci. 1980, v. 98, pp. 451-468.

202. Liebsch A., Hincelin G., Lopez-Rios T. Adsorbate-induced nonlocal corrections to Fresnel opticcs : optical reflectivity of Cs overlayers on Ag. // Phys. Rev. В 1990, v. 41, N 15, pp. 10463-10467.

203. Tsuei K.-D. Plammer E.W., Liebsch A., Kempa K., Bakshi P. Multipole plasmon modes at a metal surface. // Phys. Rev. Lett. 1990, v. 64, N 1, pp. 44-47.

204. Barman S.R., Horn K., Haberle P., Ishida H., Liebsch A. Photoinduced plasmon excitations in alkali-metal overlayers. // Phys. Rev. В 1998, v. 57, N 11, pp. 6662-6665.

205. Fowler R.H.The analisys of photoelectric sensitivity curves for clean metals at various temperatures. // Phys. Rev. 1931, v.38, N 1, pp.35-56.

206. Бендерский В.А., Бродский A.M. Фотоэмиссия из металлов в растворы электролитов. М.: Наука, 1977, 303 с.

207. Федосеенко С.И. Фотоэлектронная спектроскопия твердых тел и межфазовых границ. // В сб. Проблемы физической электроники, JI: ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, 1989, с. 138-149.

208. Adawi A. Theory of the photoelectric effest for one and two photons. // Phys. Rev. A 1964, v. 134, N3, pp. 788-803.

209. Brodsky A.M., Daikhin L.I., Urbakh M.I. On the polarizatoin dependence of photoemission from metals. // Phys. Stat. Sol. (b) 1981, v. 108, N 2, pp. 653-662.

210. Cardona M., Ley L. Introduction. //In book Photoemission in solid I. General prinsiples. Ed. Cardona M., Ley L. // Berlin: Springer-Verlag, 1978, pp. 1-164.

211. Mahan G.D. Theory of photoemission in simple metals. // Phys. Rev. В 1970, v. 2, N 11, pp. 4334-4350.

212. Baghi A., Kar N. Refraction effects in angle-resolved photoemission surfaces states on metals. // Phys. Rev. В 1978, v. 18, N 8, pp. 5240-5267.

213. Evan O. Kane Theory of photoelectric emission from semiconductors. // Phys. Rev. 1962, v. 127, pp. 131-140.

214. Gobeli G.W., Allen F.G. Direct and indirect excitation processes in photoelectric emission from silicon. // Phys. Rev. 1962, v. 127, pp. 141-149.

215. Aspnes D.E., Studna A.A. Dielectric function and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV. // Phys. Rev. 1983, v.21, N2, pp. 985-1009.

216. Weaver J.H., Olson C.G., Linch D.W. Optical properties of cristalline W from 0.1 to 32 eV. //Phys. Rev. В 1975, V. 12, N 4, P. 1293-1297.

217. Кизел В.А. Отражение света. // Москва: Наука, 1973, 352 С.

218. Juenker D. W., Waldron J. P., Jaccodine R. J. Vectorial photoelectrical effect in clean molybdenium. // J.Opt. Soc. Am. 1964, v. 54, N 2, pp. 216-225

219. Gartland P.O., Berge S., Slagsvold W.J. Surface-effect charakteristics from clean copper crystal surface. // Phys. Rev. Lett. 1973, v.30, N 19, pp. 916-919ю

220. Flodstrom S.A., Endriz J.G. Investigation of the vectorial photoelectric effect in magnesium. //Phys. Rev. В 1975, v. 12, N 4, pp. 1252-1256

221. Flodstrom S.A., Endriz J.G. Direct optical excitation of the surface photoelectric effect // Phys. Rev.Lett. 1973, v.31, N 14, pp. 893-895

222. Jazzar M.S., Fischer Т.Е. The photoelectric effect on cesiated GaAs(llO) and Si(lll) surface. // Surf. Sci. 1974, v. 42, N 2, pp565-573.

223. Makinson R.E.B. Metallic reflexion and surface photoelectric effect. // Proc. Roy. Soc. A 1937, V. 162, N 910, P. 367-390.279

224. Mitchell K. The theory of surface photoelectric effect I. // Proc. Roy. Soc. A. 1934, V. 146, N 856, P. 443-449

225. Mitchell K. The theory of surface photoelectric effect II. // Proc. Roy. Soc. A. 1936, V. 153, N 880, P. 513-533 mu78.

226. Adavi I. Theory of the photoelectric effect for one and two photons. // Phys. Rev. A. 1964, v. 134, N3, pp. 778- 803.

227. Mahan C.D. Theory of photoemission in simple metals // Phys. Rev. B 1970, v. 2, pp. 4334-4350

228. Broudy R.M. Vectorial photoelectric effect // Phys. Rev. B 1971, v. 3, N 11, pp 36413651.

229. Furtak T.E., Kliever K.L. Low-energy photoemission from single-crystal silver faces. // Sol. St. Commun. 1978, v. 26, pp. 177-180

230. Endriz J.E. Calculation on the surface photoelectric effect. // Phys. Rev. B 1973, v. 7, N 8, pp. 3464-3481

231. Grant D., Cutler P.H. Surface roughness and photoemission. // Phys. Rev. Lett. 1973, V. 31,N 19,P. 1171-1174.