Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Хорошилова, Маргарита Вячеславовна

  • Хорошилова, Маргарита Вячеславовна
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2007, Курск
  • Специальность ВАК РФ01.04.10
  • Количество страниц 118
Хорошилова, Маргарита Вячеславовна. Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.10 - Физика полупроводников. Курск. 2007. 118 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хорошилова, Маргарита Вячеславовна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ.

1.1 Поверхностные электронные состояния.

1.2 Гетерогенные химические реакции на поверхности твердых тел.

1.3 Адсорбция и десорбция атомов и молекул.

1.4 Гетерогенная рекомбинация атомов.

1.5 Методы исследования поверхности и процессов на границе твердых тел и активных газов.

1.6 Горячие электроны в металлах и полупроводниках.

1.7 Аккомодация энергии атомных частиц тепловых энергий твердым телом.

1.8. Хемоэмиссия электронов с поверхности твердых тел в газовую среду.

1.9 Неравновесная хемопроводимость полупроводников.

1.10. Ограничение тока пространственным зарядом в полупроводниках.

1.11. Эффект Шотки для систем твердое тело-газ и металл-полупроводник.

1.12. Постановка задачи.

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1 Экспериментальная установка.

2.2 Образцы.

2.3 Методика эксперимента.

2.4 Погрешности и статистическая обработка результатов измерений.

ГЛАВА 3 ЯВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА В

ХОДЕ ГЕТЕРОГЕННОЙ ХИМИЧЕСКОЙ РЕАКЦИИ И СОПУТСТВУЮЩИЕ ЭФФЕКТЫ.

3.1. Введение.

3.2. Явление увеличения тока стимулированной электрическим полем эмиссии электронов вследствие электронного возбуждения катода в результате гетерогенного химического процесса.

3.3. Хемоэмиссия горячих электронов из металла в полупроводник.

3.4. Зависимость тока эмиссии горячих электронов из металла в полупроводник от времени выдержки образцов в среде атомарного водорода.

3.5. Распыление золота атомарным водородом.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ»

Актуальность проблемы. В настоящее время конструирование новых материалов для микроэлектронной промышленности требует качественного понимания гетерогенных процессов, происходящих на так называемом «наноуровне»; к ним относятся рост нанотрубок, наночастиц и кристаллов, эпитаксия, катализ, плазменная обработка материалов и т.д. Перечисленные процессы служат основой современных наукоемких производств, но механизмы их протекания во многом остаются гипотетическими.

Переход от микро- к наноразмерным элементам электронной техники приводит к увеличению потребности в объективной информации о процессах, протекающих на границе твердых тел и активных газов. Данная информация имеет прямое отношение к физико-химическим основам производства и работы новейших электронных приборов, к таким их характеристикам, как точность, бесперебойность, долговечность. Повышенный интерес к исследованиям чистых поверхностей, пленок, наноструктур объясняется нуждами химической, космической, микроэлектронной промышленности.

Физико-химические процессы, происходящие при взаимодействии поверхности твердых тел с молекулами и радикалами активной газовой смеси, сложны и многообразны. Влияние на них внешних факторов, состояния поверхности и природа самих процессов в полной мере еще не раскрыты.

Явления адсорбции, десорбции, эмиссии электронов, распыления поверхности при протекании гетерогенной химической реакции сопровождаются активным энергообменом между кристаллической решеткой и электронами твердого тела с одной стороны и частицами газовой смеси с другой. Процессы энергообмена на границе твердых тел и газов играют важную роль в гетерогенных явлениях. Если рассеяние выделяющейся на границе твердое тело - газ энергии затруднено, возможны процессы деградации и распыления кристаллов.

При столкновении атома или молекулы газа с поверхностью твердого тела в результате образования или переключения химических связей выделяется энергия порядка 1эВ. Релаксация возбужденных химических связей на поверхности обусловлена генерацией фононов и возникновением электронно-возбужденных состояний в твердом теле. О возбуждении электронной подсистемы поверхности свидетельствует люминесценция, неравновесная электропроводность, эмиссия электронов в газовую среду.

В настоящее время недостаточно изучено влияние физически адсорбированных частиц на процессы электронного возбуждения поверхности катализатора при протекании гетерогенной химической реакции. Актуальным является развития релаксационных методов исследования, основанных на прохождении возбужденными в ходе реакции электронами межфазных границ. На решение указанной проблемы и направлена данная работа, которая выполнялась при финансовой поддержке РФФИ (грант 05-03-96403).

Цель работы - изучение процессов прохождения горячими электронами, возбужденными при протекании гетерогенной химической реакции Н+Н-»Н2, потенциальных барьеров на межфазных границах а) металл-полупроводник; б) катализатор-газовая среда.

Научная новизна. Исследован процесс прохождения горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник. Установлено, что вероятность прохождения горячих электронов через межфазную границу металлическая пленка-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля.

Обнаружен эффект распыления тонких пленок золота атомарным водородом. Установлено, что механизм распыления связан с электронным возбуждением металла в ходе гетерогенной реакции Н + Н Н2. Распыление атомов Аи происходит по ударному механизму в результате рекомбинации на поверхности электронов с дырками.

Изучено влияние длительной выдержки образцов металл-полупроводник в среде атомарного водорода на характеристики процессов электронного возбуждения (ЭДС хемоэмиссии, неравновесную проводимость образцов). Оно может быть обусловлено процессами на межфазных границах - адсорбцией атомов водорода на поверхности металла, диффузией протонов сквозь пленку золота и адсорбцией их на границе металл-полупроводник, приводящей к уменьшению потенциального барьера на границе для электронов.

Исследовано влияния очистки поверхностей, а также восстановления атомами Н поверхностных оксидов на эффект резкого увеличения тока стимулированной электрическим полем эмиссии горячих электронов через промежуток между твердым телом и иглой, расположенной перпендикулярно к поверхности, вследствие электронного возбуждения катода в результате гетерогенного химического процесса. В течение (1-5) ч выдержки образцов в среде атомарного водорода ток эмиссии электронов с их поверхности возрастает (до нескольких порядков). В тех же условиях ток эмиссии электронов с поверхности иглы со временем изменяется существенно меньше.

Достоверность полученных результатов. Особое внимание было уделено защите средств измерения и экспериментальной установки электрическими экранами от воздействия электромагнитных полей. Проводились «холостые» опыты. При этом в измерениях тока автоэлектронной эмиссии уровень электромагнитного 7 фона по току составлял не более 10" А, при измерении хемоЭДС - 10" В. В опытах использовался водород чистотой 99.995%, отсутствие примесей контролировали по спектру свечения высокочастотного разряда в газе. Подтверждением достаточно глубокой очистки поверхности образцов от адсорбционных загрязнений в условиях опытов и достоверности результатов служит получение воспроизводимых экспериментальных кривых. С целью проверки воспроизводимости экспериментальных данных неоднократно производилась повторная замена образцов в различной последовательности. Были получены идентичные результаты для одних и тех же образцов. Полученные экспериментальные данные допускают непротиворечивую теоретическую интерпретацию.

Практическая значимость. Разработан метод изучения процесса прохождения горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник. Развит метод изучения электронной аккомодации при взаимодействии атомных частиц с поверхностью твердых тел с использованием структур металл-полупроводник. Применение методов исследования гетерогенных химических процессов, заключающихся в изучении возникающих при протекании реакции электронно-возбужденных состояний путем вывода горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и твердое тело-газ, позволило получить новую информацию о механизмах электронного возбуждения поверхности в ходе химической реакции, о роли электронной аккомодации в каталитическом ускорении реакции металлами, о механизмах распыления атомов твердых тел при гетерогенной рекомбинации атомов. Эта информация способствует развитию теории изучаемых явлений.

Защищаемые положения.

1. Вероятность прохождения горячих электронов металла через межфазную границу металл-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля в связи с эффектом Шоттки и ограничением тока пространственным зарядом в полупроводниках.

2. При возбуждении золота в ходе гетерогенной химической реакции Н+Н—>Н2 плотность тока эмиссии горячих электронов из металлической пленки (Аи) в полупроводник (81) сложным образом зависит от времени выдержки структуры металл-полупроводник в среде атомарного водорода (часы), испытывая осцилляции.

3. Плотность тока стимулированной электрическим полем эмиссии с поверхности в газовую среду горячих электронов, возбужденных в ходе гетерогенной рекомбинации Н+Н—>Н2, зависит от природы материала катода и при прочих равных условиях убывает в ряду: МаОН; Бц Са; ваАБ; РЬ; Ть

4. В среде атомарного водорода наблюдается распыление тонких пленок

12 золота, нанесенных на кристаллы кремния, со средней скоростью 5-10 ато-мов/(см2-с); вероятность выбивания атома Аи с поверхности пленки в акте рекомбинации атомов Н составляет в среднем величину 5-10'5. Механизм эффекта включает электронное возбуждение поверхности атомарным водородом и ударную релаксацию этих возбуждений.

Личный вклад автора. Развиты методы исследований процессов энергообмена при гетерогенных химических реакциях с помощью вывода возбужденных электронов через межфазные границы. Исследован эффект эмиссии горячих электронов из тонкой металлической пленки в полупроводник и эффект стимулированной электрическим полем эмиссии горячих электронов с поверхности металлических и полупроводниковых образцов. Обнаружен и исследован эффект распыления атомарным водородом золотых пленок, нанесенных на поверхность полупроводника. Предложена интерпретация полученных результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация изложена на 116 страницах, иллюстрируется 48 рисунками и состоит из введения, трех глав, заключения и списка используемой литературы, включающего 119 наименований.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика полупроводников», 01.04.10 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Хорошилова, Маргарита Вячеславовна

Выводы. Распыление золота атомарным водородом обусловлено возбуждением электронной подсистемы металла при рекомбинации атомов Н на его поверхности, вероятно, что оно происходит в результате ударной рекомбинации на поверхности электронов с дырками.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. При протекании гетерогенной реакции Н + Н Н2 на поверхности зоо лотой пленки толщиной с/ ~ 10" м, нанесенной на поверхность кремния п - типа, происходит электронное возбуждение металла с последующей диффузией горячих электронов через пленку и межфазную границу металл-полупроводник. Вероятность прохождения горячих электронов металла через межфазную границу металлическая пленка-полупроводник возрастает с ростом величины ускоряющего электроны электрического поля в связи с эффектом Шоттки и ограничением тока пространственным зарядом.

2. Характеристики процесса электронного возбуждения поверхности катализатора реакции и эмиссии горячих электронов через межфазную границу металл-полупроводник сильно зависят от длительности выдержки (на интервалах г ~ 104 с) структуры металл-полупроводник в среде атомарного водорода: изменяясь симбатно, их зависимости проходят через максимум, затем со временем уменьшаются до нуля. Эффект, вероятно, обусловлен диффузией протонов и их адсорбцией на границе металл-полупроводник. В тех же условиях сопротивление структуры металл-полупроводник (величин и Яр) от длительности т ее выдержки в среде атомов Я зависит незначительно.

3. В среде атомарного водорода наблюдается распыление тонких пленок золота, нанесенных на кристаллы кремния и германия. Механизм распыления, вероятно, связан с релаксацией электронно-дырочных возбуждений металла, возникших в ходе гетерогенной реакции Н + Н -> Н2

4. Эмиссия горячих электронов через межфазную границу катализатор реакции-активный газ зависит от природы материала катализатора и степени его очистки от адсорбированных молекул.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хорошилова, Маргарита Вячеславовна, 2007 год

1. Киселев, В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела Текст. / С. Н. Козлов, А. В. Зотеев В. Ф. Киселев. М. : Изд-во Московского ун-та. Физический факультет МГУ, 1999. - 284 с.

2. Стильбанс, Л. С. Физика полупроводников Текст. / Л. С. Стильбанс. -М.: Советское радио, 1967. 452 с.

3. Случинская, И. А. Основы материаловедения и технологии полупроводников Текст. / И. А. Случинская. М.: МИФИ, 2002. - 378 с.

4. Матаре, Г. Электроника дефектов в полупроводниках Текст. / Г. Матаре. М.: Мир, 1974. - 464 с.

5. Рейви, К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии Текст. / К. Рейви. М.: Мир, 1984. - 475 с.

6. Бедный, Б. И. Электронные ловушки на поверхности полупроводников Текст. / Б. И. Бедный // Соросовский образовательный журнал. 1998. - №7. - С. 114-121.

7. Зеегер, К. Физика полупроводников Текст. / К. Зеегер. М. : Мир, 1977. -615с.

8. Зенгуил, Э. Физика поверхности Текст. / Э. Зенгуил. М.: Мир, 1989.440 с.

9. Лифшиц, В. Г. Процессы на поверхности твердых тел Текст. / В. Г. Лифшиц, С. М. Репинский. Владивосток : Дальнаука, 2003. - 704 с.

10. Пека, Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников Текст. / Г. П. Пека. Киев : Вища шк., 1984. - 214 с.

11. Павлов, П. В. Физика твердого тела Текст. : учебник / П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов. Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского ун-та, 1993. - 491 с.

12. Харламов, В. Ф. Рекомбинация атомов на поверхности тел и сопутствующие эффекты Текст. / В. Ф. Харламов. Томск : Изд-во Томского ун-та, 1994.-207 с.

13. Волькенштейн Ф. Ф. Физико-химия поверхности полупроводников Текст. / Ф. Ф. Волькенштейн. М. : Наука, 1973. - 399 с.

14. Моррисон, С. Химическая физика поверхности твердого тела Текст. / С. Моррисон ; под ред. Ф. Ф. Волькенштейна ; пер. с англ. А. Я. Шульмана. М. : Мир, 1980.-488 с.

15. Теория хемосорбции Текст. / под ред. Дж. Смита. М. : Мир, 1983.492 с.

16. Жданов, В. П. Скорость химической реакции Текст. / В. П. Жданов. -Новосибирск : Наука, 1986. 101 с.

17. Жданов, В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности Текст. / В. П. Жданов. Новосибирск : Наука, 1988. - 320 с.

18. Птушинский, Ю. Г. Кинетика адсорбции газов на поверхности металлов Текст. / Ю. Г. Птушинский, Б. А. Чуйков // Поверхность. 1992. - № 9.- С. 5-26.

19. Кинетика адсорбции и рекомбинации атомов водорода на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24, N 5.- С. 23-27.

20. Яблонский, Г. С. Кинетика модельных реакций гетерогенного катализа Текст. / Г. С. Яблонский, В. И. Быков, В. И. Елохин. Новосибирск : Наука. 1984.-223 с.

21. Гранкин, В. П. Электронные состояния на поверхности цинк-сульфидных кристаллофосфоров Текст. / В. П. Гранкин // Журнал прикладной спектроскопии. 1998. - Т. 63, № 3. - С. 403-406.

22. Гранкин, В. П. Возбуждение неравновесной проводимости при адсорбции атомов водорода на окиси цинка Текст. / В. П. Гранкин // ПЖТФ. 1980.-Т. 31, Вып. 7.-С. 608-612.

23. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел по данным хемолюминесценции Текст. / В. П. Гранкин [и др.] // Журнал физической химии. 1996. - Т. 70, №. 10. - С. 1863-1868.

24. Kharlamov, V. F. Field and intensity of radical-recombination luminescence Text. / V. F. Kharlamov, M. D. Nurshanov // React. Kinet. Catal. Lett. 1982 - Vol. 21.-№ 1-2. -P 151-155.

25. Харламов, В. Ф. Механизм возбуждения оксида кальция атомарным водородом Текст. / В. Ф. Харламов // Химическая физика. 1991. - Т. 10, № 8. -С. 1084-1090.

26. Харламов, В. Ф. Влияние захвата атомов в предадсорбционные состояния на кинетику их гетерогенной рекомбинации на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1997. - Т. 71, N 4. - С 672-676.

27. Предсорбционные состояния атомов водорода и кислорода на поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Тезисы докладов IV Всероссийского симпозиума "Актуальные проблемы адсорбционных процессов". -М. :ИХФРАН, 1998.-С. 132.

28. Харламов, В. Ф. Динамический эффект при рекомбинации атомов на поверхности полупроводников Текст. / В. Ф. Харламов, В. Н. Лисецкий, Г. Г. Савельев // Химическая физика. 1990. - Т. 9, № 5. - С. 603-610.

29. Начальный пик на зависимости от времени скорости гетерогенной рекомбинации атомов водорода на поверхности кристаллофосфоров Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24, N 3. - С. 54-59.

30. Kharlamov, V. F. Micromechanizm of hydrogen atoms recombination on the (111) face of germanium Text. / V. F. Kharlamov // React.Kinet. Catal. Lett. 1980. -Vol. 15. - N 3. - P. 333-338.

31. Харламов, В. Ф. Рекомбинация предадсорбированных атомов кислорода на поверхности твердых тел. Текст. / В. Ф. Харламов, К. М. Ануфриев // Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, № 15. - С. 27-32.

32. Метод релаксационных измерений в гетерогенном катализе. Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Тезисы докладов V-ro Международного совещания-семинара "Инженерно-физические проблемы новой техники". -М.: МГТУ, 1998. С. 269.

33. Мосин, Ю. В. Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы Текст. :дис. . канд. физ.-мат. наук : защищена 22.01.98 : утв. 15.07.98. / Ю. В. Мосин. -Курск, 1998.-97 с.

34. Иващук, О. А. Математическое моделирование электронного возбуждения полупроводников атомарным водородом Текст. : дис. . канд. физ.-мат. наук : защищена 13.02.98 : утв. 25.06.98. / О. А. Иващук. Курск, 1998. -139 с.

35. Фроленкова, J1. Ю. Влияние бомбардировки полупроводников заряженными частицами на их электронное возбуждение диссоциированными газами Текст. : дис. канд. физ.-мат. наук : защищена 17.03.01. : утв. 18.08.01. / JI. Ю. Фроленкова. Курск, 2001.- 102 с.

36. Бармин, А. В. Релаксационные методы контроля состояния частиц газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях Текст. : автореф. дис. канд. тех. Наук / А. В. Бармин. Орел, 2003. - 19 с.

37. Макушев, И. А. Возбуждение радикалорекомбинационной люминисценции кристаллофосфоров «пакетами» активных частиц газа большой плотности Текст. : автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / И. А. Макушев. Курск, 2003.- 19 с.

38. Ромашин, С. Н. Неравновесная хемопроводимость полупроводников и структур металл-полупроводник-металл Текст. : автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / С. Н. Ромашин. Курск, 2005. - 19 с.

39. Седов, А. В. Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией Текст. : автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / А. В. Седов. Курск, 2005. - 19 с.

40. Харламов, В. Ф. Распыление свинца атомами водорода тепловых энергий Текст. / В. Ф. Харламов, А. Ф. Горбачев, О. И. Клыков // Химическая физика. 1986. - № 5. - С. 708-710.

41. Фистуль, В. И. Введение в физику полупроводников Текст. / В. И. Фистуль. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1984. - 352 с. : ил.

42. Вудраф, Д. Современные методы исследования поверхности Текст. / Д. Вудраф, Т. Делчар ; пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 564 с.

43. Вилков, Л. В. Физические методы исследования в химии Текст. / Л. В. Вилков, Ю. А. Пентин. М.: Высш. шк., 1989. - 288 с.

44. Барковский, В. Ф. Физико-химические методы анализа Текст. / В. Ф. Барковский, С. М. Горелик Т. Б. Городенцева. М.: Высш. шк., 1972. - 272 с.

45. Экспериментальные методы химической кинетики Текст. / под ред. Н. М. Эмануэля, М. Г. Кузьмина. // Изд-во Московского ун-та, 1985. 429 с.

46. Методы исследования катализаторов Текст. : пер. с англ. / под ред. Томас Дж., Р. Лемберта. М.: Мир, 1983. - 304 с.

47. Эткинс, П. Физическая химия Текст. / П. Эткинс ; пер. с англ. К. П. Бутина. М. : Мир, 1980. - 584 с.

48. Роберте, М. Химия поверхности раздела металл-газ Текст. / М. Роберте, Ч. Макки. М.: Мир, 1981. - 317 с.

49. Стромберг, А. Г. Физическая химия Текст. / А. Г. Стромберг, Д. П. Семченко ; под ред. А. Г. Стромберга. 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высш. шк., 1988.-496 с.

50. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников Текст. / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. -М.: Наука, 1990. 686 с.

51. Релаксационный метод исследования гетерогенных химических реакций с временным разрешением 10"5 с. Текст. / В. Ф. Харламов // Тезисы докладов Всероссийской школы-симпозиума молодых ученых "Современная химическая физика", Туапсе, 2003. - С. 65.

52. Нефедов, В. И. Физические методы исследования поверхности твердых тел Текст. / В. И. Нефедов, В. Т. Черепин. -М.: Наука, 1983. 296 с.

53. Исследование глубоких ловушек на интерфейсе БЮг/бН-БЮ методом неравновесного эффекта поля Текст. / Т. П. Самсонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т. 35, Вып. 4. - С. 482-488.

54. Штейегарт, А. П. Применение метода поверхностной фото-ЭДС для анализа процессов химической обработки арсенида галлия Текст. / А. П. Штейегарт // Вестник Новгородского ГУ. Сер.З, Техн. науки. 2004. - № 26. - С. 173-174.

55. Горшкова, М. М. Эллипсометрия Текст. / М. М. Горшкова. М. : Мир, 1974.-388 с.

56. Ржанов, А. В. Основы эллипсометрии Текст. / А. В. Ржанов, К. К. Свиташев, А. И. Семененко. Новосибирск : Наука, 1979. - 426 с.

57. Азаам, Р. Эллипсометрия и поляризованный свет Текст. : пер. с англ. / Р. Азаам, Н. Башира. М.: Мир, 1981.-342 с.

58. Резвый, Р. Р. Эллипсометрия в микроэлектронике Текст. / Р. Р. Резвый. М.: Радио и связь, 1983. - 294 с.

59. Еловиков С.С. Электронная спектроскопия поверхности и тонких пленок Текст. /: Учеб. пособие. М.: Изд-во МГУ, 1992. - 94 с.

60. Фельдман, Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок Текст. / Л. Фельдман, Д. Майер. М.: Мир, 1989. - 344 с.

61. Боровский, И. Б. Физические основы рентгеноспектральных исследований Текст. / И. Б. Боровский. М.: Изд-во МГУ, 1956. - 482 с.

62. Суворов, А. Л. Автономия микроскопия радиационных дефектов в металлах Текст. / А. Л. Суворов. М.: Энергоиздат, 1982. - 161 с.

63. Миллер, М. Зондовый анализ в автономной микроскопии Текст. ; пер. с англ. / М. Миллер, Г. Смит. М.: Мир, 1999. - 301 с.

64. Кулешов, В. Ф. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел Текст. / В. Ф. Кулешов, Ю. А. Кухаренко, С. А. Фридрихов. М.: Наука, 1985. - 290 с.

65. Андронов, А. Н. Изучение структуры поверхности методом дифракции медленных электронов (ДМЭ) Текст. : учеб. пособие / А. Н. Андронов, Н. А. Пронина. СПб.: Изд-во СПб ГТУ, 1997. - 45 с.

66. Кухаренко, Ю. А. Резонансное упругое рассеяние медленных электронов в твердых телах вблизи порогов неупругих каналов Текст. / Ю. А. Кухаренко, С. А. Фридрихов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982.-№ 1. - С. 43-57.

67. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. - 600 с.

68. Бажанова, Н. П. Актуальные вопросы вторично-эмиссионной спектроскопии Текст. / Н. П. Бажанова, В. В. Кораблев, Ю. А. Кудинов. Л.: ЛПИ, 1985.-88 с.

69. Физическая энциклопедия Текст. Т. 1. Ааронова-Длинные / гл. ред. А. М. Прохоров. М.: Большая Российская энциклопедия, 1992. - 704 с.

70. Ребане К. К. Люминесценция ртутеподобных ионов Текст. / К. К. Ребане, П. М. Саари, Т. X. Мауринг // Изв. АН СССР. Сер., физика. 1973. - Т. 37,№4.-С. 848-852.

71. Кривоглаз, М. А. Природа уширения спектров Текст. / М. А. Кривоглаз // ЖЭТФ. 1961. - Т. 40, № 5. - С. 567-573.

72. Харламов, В. Ф. Фононное возбуждение в твердом теле в простых химических реакциях на поверхности Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1976. - Т. 50, № 9. - С. 2325-2330.

73. Тюрин, Ю. И. Десорбция молекул водорода, стимулированная рекомбинацией атомов Текст. / Ю. И. Тюрин, В. П. Гранкин // Химическая физика. 1982. - № 11. - С. 1529-1538.

74. Горбачев, А. Ф. Люминесценция при взаимодействии атомарно-чистой поверхности сульфида цинка с атомарным водородом Текст. / А. Ф. Горбачев,

75. B. М. Толмачев, В. Ф. Харламов // Известия вузов. Сер., физика. 1987, № 3. - С. 120-121.

76. Стыров, В. В. Эмиссия заряженных частиц и фотонов при взаимодействии атомов с твердыми телами Текст. / В. В. Стыров, В. Ф. Харламов, Л. И. Ягново. М.: Наука, 1972, С. 72-73.

77. Горбань, А. Н. Эмиссия электронов с поверхности фосфора при радикалерекомбинационной люминесценции Текст. / А. Н. Горбань, В. П. Пинчук, В. Г. Корнич. // Известия АН СССР. Сер, физика. 1974. - Т. 38, № 6.1. C. 1341-1343.

78. Харламов, В. Ф. Эмиссия электронов в актах рекомбинации атомов на поверхности диэлектриков Текст. / В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 1979. -Т 20, № 4. - С. 946-950.

79. Электронное возбуждение металлов активным газом и сопутствующие эффекты Текст. / С. Н. Ромашин [и др.] // Доклады XVI Всероссийского симпозиума "Современная химическая физика". Туапсе, 2004. - С. 158-159.

80. Харламов, В. Ф. Хемоэмиссия электронов из металла в полупроводник Текст. / В. Ф. Харламов, С. Н. Ромашин, А. В. Седов // Письма в ЖТФ. 2004. -Т. 30, Вып. 17. - С. 48-54.

81. Волькенштейн, Ф. Ф. Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников Текст. / Ф. Ф. Волькенштейн, А. Н. Горбань, В. А. Соколов. -М.: Наука, 1973.-399 с.

82. Шешин, Е. П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов Текст. / Е. П. Шешин. М. : Издательство МФТИ, 2001. -288 с.

83. Харламов, В. Ф. Эмиссия положительных ионов при взаимодействии диссоциированных газов с щелочно-галлоидными кристаллами Текст. / В. Ф. Харламов, В. В. Стыров // Известия вузов. Сер., Физика. - 1975. - Т 46, № 5. -С. 54-59.

84. Харламов, В. Ф. Химическая эмиссия положительных ионов с поверхности оксида кальция. Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал Физической Химии. 1990. - Т 64, Вып. 2. - С. 566-568.

85. Микроэлектроника Текст. : учеб. пособие для втузов. В 9 кн. Кн. 1. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О. В. Митрофанов, Б. М. Симонов, Л. А. Коледов ; под ред. Л. А. Коледова. М.: Высш. шк., 1987.- 168 с.

86. Добрецов, Л. Н. Эмиссионная электроника Текст. / Л. Н. Добрецов, М. В. Гомоюнова. М., 1966. - 564 с.

87. Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники Текст. / Г. И. Епифанов.-М.: Советское радио, 1971.-375 с.

88. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники Текст. / И. П. Степаненко. М.: Советское радио, 1980. - 424 с.

89. Borrell. Molecular Relaxation Processes Text. London : The Chemical Society, 1966.-263 P.

90. Луке, Г. Экспериментальные методы в неорганической химии Текст. / Г. Луке ; под ред. В. И. Спицина, Л. Н. Комиссаровой ; пер. с немец. Н. С. Афонского, Л. М. Михеевой. М.: Мир, 1965. - 656 с.

91. Харламов, В. Ф. Химическая эмиссия электронов и фотонов с поверхности кристаллофосфоров Текст. : автореф. дис. докт. физ.-мат. наук / В. Ф. Харламов. Новосибирск, 1990. - 31 с.

92. Харламов, В. Ф. Эмиссия электронов и фотонов при взаимодействии диссоциированных газов с твердыми телами Текст. : дис. . канд. физ.-мат. наук / В. Ф. Харламов. Томск., 1976. - 177 с.

93. Сливков, И. Н. Процессы при высоком напряжении в вакууме Текст. / И. Н. Сливков. М.: Энергоатомиздат, 1986. -256 с.

94. Черепнин, Н. В. Основы очистки, обезгаживания и откачки в вакуумной технике Текст. /Н. В. Черепнин. М.: Атомиздат, 1967. -408 с.

95. Зайдель, А. Н. Ошибки измерений физических величин Текст. / А. Н. Зайдель. Л.: Наука, 1974. - 108 с.

96. Гмурман, В. Е. Теория вероятностей и математическая статистика Текст. : учеб. пособ. для втузов / В. Е. Гмурман. М.: Выс. шк., 1977. - 479 с.

97. Бендат, Дж. Прикладной анализ случайных данных Текст. / Дж. Бендат, А. Пирсол. М.: Мир, 1989. - 540 с.

98. Корн, Г. Справочник по математике Текст. (для научных работников и инженеров / Г. Корн, Т. Корн. М.: Наука, 1978. - 832 с.

99. Кассандрова, О. Н. Обработка результатов наблюдений / О. Н. Кассандрова, В. В. Лебедев. М.: Наука, 1970. - 104 с.

100. Гранкин, В. П. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомов водорода с поверхностью монокристалла сульфида цинка Текст. / В. П. Гранкин, В. Ю. Шаламов // Журнал технической физики. -2000.-Т. 26,Вып. 5.-С. 57-61.

101. McCreerv, I. H. A model potention for chemisorbtion: H2+W(001) Text. / I. H. McCreerv, G. Wolker // J. Chem. Phys. 1975. - Vol. 63, № 6. - P. 2340-2349.

102. Чукова, Ю. П. Хемилюминесценция с позиций термодинамики Текст. / Ю. П. Чукова // Изв. АН СССР, Сер., физика. 1987. - Т. 51, № 3. - С. 531-539.

103. Kettle, Sydney. Structure of the ZnS Text. / Sydney Kettle // J. Crystallogr. and Spectrosc. Res. 1990. - Vol. 20, № 1. - P. 59-67.

104. Механизмы и эффективность электронного возбуждения полупроводников в актах химических превращений на поверхности Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Теор. и экспер. химия. 1978. - Т. 14. - С. 788-795.

105. Стыров, В. В. Высокоэффективная электронная аккомодация при взаимодействии атомарного водорода с монокристаллом германия Текст. / В. В. Стыров, А. Е. Кабанский // ЖЭТФ. 1979. - Т. 76. - С. 1803-1807.

106. Харламов, В. Ф. Релаксационные методы для определения механизма образования продукта в ходе каталитических реакций Текст. / В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 2005. - Т. 46. - С. 297.

107. Стыров, В. В. Гетерогенная хемолюминесценция на границе газ-твердое тело Текст. / В. В. Стыров // Изв. АН СССР, Сер., физика. 1987. - Т. 51, №3.-С. 524-530.

108. Измайлов, III. JI. Взаимодействие атомарного и молекулярного водорода с ZnS и СаО Текст. / Ш. Л. Измайлов, В. Ф. Харламов // Кинетика и катализ. 1982. - Т. 23, Вып. 5. - С. 1179-1182.

109. Бажин, А. И. Ионная эмиссия и распыление при рекомбинации радикалов на поверхности твердого тела Текст. / А. И. Бажин, Е. М. Малиенко // Журнал физической химии. 1976. - Т. 50, № 7. - С. 1732-1734.

110. Взаимодействие атомов водорода с поверхностью, обработанной солями щелочных металлов Текст. / И. М. Рубцов [и др.] // Химическая физика. 1984. - Т. 3, № 12. - С. 1719-1723.

111. Ансамбли наночастиц в катализе превращений галогенуглеводородов Текст. / В. М. Кожевин [и др.] // Доклады академии наук. 2002. - Т. 387, № 6. -С. 785-789.

112. Векслер, В. И. Вторичная ионная эмиссия металлов Текст. / В. И. Векслер. -М.: Наука, 1978. 145 с.

113. Лавренко, В. А. Рекомбинация атомов водорода на поверхности твердых тел Текст. / В. А. Лавренко. Киев : Наукова думка, 1973. - 203 с.

114. Метод определения состояний молекул и радикалов газа, участвующих в гетерогенных химических превращениях Текст. / В. Ф. Харламов [и др.] // Письма в журнал технической физики. 2002. - Т. 28, Вып. 13.-С. 67-73.

115. Хориути, Д. Хемосорбция водорода Текст. / Д. Хориути, Т. Тоя // Поверхностные свойства твердых тел. М.: Мир, 1972. - С. 11-103.

116. Харламов, В. Ф. Концентрационные колебания атомарного водорода, адсорбированного на поверхности сульфида цинка Текст. / В. Ф. Харламов // Журнал физической химии. 1985. - Т. 59, № 12. - С. 3017-3021.

117. Chemisorptive emission and luminescence Text. / M. P. Cox, J. S. Foord, R. M. Lambert, R. H. Prince // Surf. Sei. 1983. - Vol. 129, N 2-3. - P. 375-418.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.