Влияние физической и химической природы подложки на формирование эмиссионно-адсорбционных свойств сверхтонких слоев РЗМ: система W-Cu-Gd тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Байо Ибраима

• Байо Ибраима
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Байо Ибраима

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. АДСОРБЦИЯ МЕТАЛЛА НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ

1.1.Представление о чистой поверхности.

1.1.1. Модель "желе".

1.1.2. Метод псевдопотенциала.

1.1.3. Метод функционала плотности.

1.1.4. Зависимость работы выхода от кристаллографических направлений.

1.2. Адсорбированные слои.

1.2.1. Взаимодействие адсорбированного атома с адсорбентом.

1.2.2. Взаимодействие между адатомами.

1.2.3. Работа выхода покрытой поверхности.

1.3. Экспериментальные исследования адсорбции атомов Си и вс! на гранях монокристалла XV.

1.3.1. Адсорбция атомов Си на гранях монокристалла V/.

1.3.2. Адсорбция атомов на гранях вольфрама.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Устройство автоэлектроиного микроскопа (АЭМ).

2.2. Источники адсорбатов.

2.3. Вакуумные условия.

2.4. Измерительная схема.

2.5. Выбор рабочего режима.

2.6. Определение работы выхода адсорбированных систем.

ГЛАВА III. АДСОРБЦИЯ АТОМОВ МЕДИ И ГАДОЛИНИЯ НА ОТДЕЛЬНЫХ ГРАНЯХ МОНОКРИСТАЛЛА ВОЛЬФРАМА.

3.1. Адсорбция атомов меди на отдельных гранях монокристалла W.

3.1.1. Адсорбция атомов меди на гранях, расположенных по зонной линии (011)—>(001) монокристалла вольфрама.

3.1.1.1. Адсорбция атомов Си на грани (011)W.

3.1.1.2. Адсорбция атомов Си на ступенчатых гранях монокристалла W: (023), (012) и (013).

3.1.2. Адсорбция атомов меди на гранях, расположенных по зонной линии (112)->(001) монокристалла вольфрама: грани (112) и (113).

3.2. Адсорбция атомов Gd на гранях (112), (113) и (023) W.

ГЛАВА IV. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ ПРЕДАДСОРБИРОВАННОГО ПОКРЫТИЯ Си НА ЭМИССИОННО-АДСОРБЦИОННЫЕ СВОЙСТВА СВЕРХТОПКИХ ПЛЕНОК Gd IIA ГРАНЯХ (112), (113) И (023) МОНКРИСТАЛЛА ВОЛЬФРАМА.

4.1. Влияние предадсорбции атомов Си на гранях (112), (113) и (023) монокристалла W на формирование работы выхода субмонослойных и монослойных пленок Gd при температуре подложки 77 К.

4.2. Влияние предадсорбированных покрытий Си изменяемой толщины на грани (023)W на формирование работы выхода субмонослойных и монослойных пленок Gd при комнатной температуре подложки.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние физической и химической природы подложки на формирование эмиссионно-адсорбционных свойств сверхтонких слоев РЗМ: система W-Cu-Gd»

Десятки лет активного изучения процессов на поверхности твердых тел явились периодом плодотворного накопления знаний как о поверхности твердого тела, так и об адсорбированных на ней пленках. Полученный обширный экспериментальный материал показал, что физико-химические свойства тонкопленочных структур зачастую неожиданны, а порою экзотичны. Поэтому нет сомнения в том, что тонконленочные твердые тела представляют собой новое состояние вещества, и их объединение в особый класс материалов закономерно. Неизменная востребованность пленочных систем в таких областях науки и техники, как микро- и наноэлектроника, гетерогенный катализ, физическая электроника, материаловедение и др. стимулирует поиск новых объектов. В целях расширения спектра тонкопленочных структур исследователи обратились к более сложным адсорбционным системам, образующимся, например, при совместной адсорбции атомов разной химической природы. При этом один из коадсорбатов может использоваться в качестве добавки для изменения свойств поверхности. Влияние такой добавки может приводить как к повышению химической активности поверхности, так и к её ослаблению, а иногда и к полной пассивации подложки, изменяя тем самым свойства тонкопленочной системы. Таким образом, чем больше будет исследовано сложных адсистем, тем эффективнее можно будет управлять поверхностными свойствами подложки с помощью специально внесенных добавок.

В настоящей работе была поставлена задача исследовать влияние постепенного изменения физической и химической природы подложки (грани путем предадсорбции контролируемых количеств атомов Си на формирование работы выхода субмонослойных и монослойных покрытий С(1, одного из представителей редкоземельных металлов (РЗМ), и на изменение величины начального дипольного момента адатома 0(1, отражающего меру его взаимодействия с подложкой. Основными подложками служили разные как по потенциальному рельефу, так и по электронной структуре грани (112), (113) и (023) монокристалла вольфрама. В качестве добавок для изменения свойств подложки были выбраны атомы одного из благородных металлов - Си, имеющие относительно простую электронную структуру внешних электронных оболочек - Зв104з1 - по сравнению с таковой у атомов базовой подложки \У - бсНбБ2. Предполагалось, что осаждение постепенно возрастающих количеств атомов меди приведет к плавному уменьшению химической активности подложки. Подробно исследованные ранее на большинстве граней монокристалла свойства сверхтонких пленок Ос], в ряду которых была обнаружена и высокая эмиссионная активность, позволяла надеяться на их ощутимый отклик на модификацию подложки. Это и предопределило выбор атомов Ос1, в качестве второго коадсорбата. Таким образом, объектом исследования являлись системы: (112)\¥-Си-Ос1, (113)\У-Си-Ос1 и (023)\У-Си-Ос1.

Диссертация состоит из четырех глав.

Первая глава содержит краткий обзор теоретических работ, посвященных физической природе работы выхода чистых металлов и адсорбции металлических атомов на поверхности металлов. Рассмотрены основные современные представления о взаимодействии адсорбированных атомов с металлической подложкой и между собой и о влиянии адсорбированных пленок на свойства металлической поверхности. Также приводятся и анализируются имеющиеся в литературе экспериментальные данные но адсорбции атомов Си и Ос1 и по их совместной адсорбции с другими адсорбатами на отдельных гранях W.

Во второй главе описаны конструкция экспериментального прибора и схема измерительного стенда, изложены метод получения сверхвысокого вакуума, определения работы выхода, дано описание источников адсорбата.

Третья глава содержит результаты исследования динамики формирования работы выхода <р сверхтонких пленок меди на гранях (011), (023), (012), (013), (112) и (113) монокристалла \¥ при трех температурах подложки Тп - температуре жидкого азота (77 К), комнатной температуре (300 К) и температуре термического равновесия адатомов меди (650 К). Следует отметить, что из шести граней использованных в качестве подложки, четыре: ((023), (012), (013) и (113)) являются ступенчатыми, что представляет особый интерес в силу специфики их атомной структуры и чрезвычайно редкого использования этих граней в качестве подложек. Совокупность полученных данных позволяет выявить как влияние структуры, так и температуры подложки на динамику формирования работы выхода субмонослой-ных и монослойиых пленок Си на величину работы выхода монослойных пленки Си на исследованных гранях монокристалла В этой главе также приведены результаты изменения работы выхода граней (023), (112) и (113)\У в процессе адсорбции атомов вс! при Тп = 77 К.

В четвертой главе рассмотрены динамика формирования работы выхода сверхтонких пленок Сс1 и изменение начального дипольиого момента адатома Ос1 на поверхности граней (112), (113) и (023) монокристалла вольфрама при постепенном изменении химической природы и, соответственно, электронной структуры подложек путем предадсорбции разного количества атомов меди: от одиночных атомов до покрытий в 1.5-2 монослоя (МС). Большинство измерений были проведены при температуре иодложки Тп = 77 К, когда поверхностная миграция адатомов практически отсутствует, что исключает вероятность их перераспределения между соседними гранями острия. Чтобы оценить влияние температуры подложки, было проведено исследование формирования работы выхода сверхтонких пленок Gd на разных подслоях Си на грани (023)W также при комнатной температуре подложки (Тп= 300 К). Анализ полученных данных позволил сделать вывод о том, что в результате постепенной модификации адатомами Си химической природы подложки (W) уменьшается ее химическая активность.

Научная новизна работы

1. Впервые в условиях сверхвысокого вакуума (10'и-10'12 мм.рт.ст. по активным компонентам остаточных газов) в одинаковых экспериментальных условиях проведено систематическое исследование динамики формирования работы выхода субмонослойных и монослойных пленок Си на плот-ноунакованных ((011) и (112)) и ступенчатых ((023), (012), (013) и (ИЗ)) гранях W, расположенных по двум зонным линиям ОЦК-кристалла: (011)—>(001) и (112)—>(001), в широком интервале температур подложки (от температуры жидкого азота до 650 К).

2. На примере изменения эмиссионно-адсорбционных свойств Gd экспериментально показана возможность целенаправленного изменения in situ физической и химической природы ряда подложек (грани (112), (113) и (023)W) путем предадсорбции на них атомов Си.

Практическое значение работы:

1. Получены значения работы выхода монослойных пленок Си на плот-ноупакованных ((011) и (112)) и ступенчатых ((023), (012), (013) и (113)) гранях монокристалла при трех температурах формирования слоев меди (Тп = 77,300 и 650 К).

2. Уменьшение химической активности поверхности граней (112), (113) и (023) монокристалла \У, вызванное предадсорбцией контролируемых покрытий Си, при исследовании систем (112)\¥-Си-Сс1, (113)\У-Си-Сс1 и (023)\¥-Си-С(1, подтверждает реальную возможность использования специально внесенных добавок для управления свойствами поверхности.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установлено влияние структуры и температуры подложки на динамику формирования субмонослойных и монослойных пленок Си и значения работы выхода монослойных пленок Си, измеренные в условиях сверхвысокого вакуума, на гранях (011), (112), (023), (012), (013) и (113) монокристалла \У при температурах подложки 77, 300 и 650 К.

2. Установлено, что предадсорбция атомов Си на поверхности граней

112) (ИЗ) и (023)ири Тп= 77 К уменьшает их химическую активность.

3. Установлено, что величина начального дипольного момента адатома Сс1 чрезвычайно чувствительна к степени модификации поверхности граней (112), (023) и (ИЗ) монокристалла атомами Си при Тп= 77 К, уменьшаясь в 2*2.5 раза при изменении предадсорбированного покрытия Си от 0 до 1 монослоя.

4. Обнаружено, что при Тп= 77 К изменение механизма роста сверхтонких пленок вс! с послойного (механизм Франка-Ван-дер-Мерве) на образование трехмерных кристаллитов Сс1 на равномерно распределенном моно-слойном покрытии вс! (механизм Странского-Крастанова) является следствием изменения физических и химических свойств граней (112), (023) и

113)\¥, модифицированных мопослойпым покрытием Си.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Байо Ибраима

Выводы:

1. Изменение работы выхода граней (011), (112), (023), (012), (013) и (113) монокристалла вызванное адсорбцией атомов Си, зависит как от атомной структуры поверхности подложки, так и от ее температуры.

2. Отличительной особенностью изменения работы выхода всех исследованных граней при температурах подложки 77, 300 и 650 К (за исключением граней (011) при всех Тп и (023) при Тп=77 К) в зависимости от покрытия Си является ее увеличение в области малых покрытий меди.

3. Идентичность характера изменения работы выхода ступенчатых граней (023), (012), (013) и (113)А¥, расположенных вдоль разных зонных линий ОЦК-кристалла, в зависимости от покрытия Си свидетельствует о том, что именно наличие ступеней предопределяет кинетику адсорбции на них атомов Си независимо от температуры подложки.

4. Изменение химической природы подложки путем предадсорбции постепенно возрастающих количеств атомов меди на гранях (112), (113) и

023)\¥ при Тп=77 К сопровождается постепенным уменьшением величины начального дипольного момента адатома от 2.3 Д на грани (112)\У и 1.9 Д на гранях (113) и (023)\У до 0.9 Д на модифицированных монослой-ным покрытием Си перечисленных гранях, что свидетельствует о нарастающем ослаблении связи адатома вс! с подложками по мере их модификации атомами Си.

5. Величина начального дипольного момента адатома 0(1 чрезвычайно чувствительна к степени модификации поверхности граней (112), (023) и (113) монокристалла \У атомами Си, уменьшаясь в 2-2.5 раза при изменении предадсорбированного покрытия Си от 0 до 1 монослоя.

6. Постепенная трансформация зависимостей (р(пС4) по мере возрастания предпокрытия Си при Тп=77 К с явно немонотонных, характерных для чистых (112), (113) и (023) граней \У, на монотонные является следствием постепенного уменьшения химической активности подложек.

7. Предадсорбция монослойного покрытия атомов Си на гранях (112), (113) и (023^ при Т=77 К приводит к изменению механизма роста пленок С(1 с послойного (механизм Франка-Ван-дер-Мерве), который реализуется для покрытий 0Си<1 МС, на образование трехмерных кристаллитов вс! на поверхности равномерно распределенного монослоя вс! (механизм Странского-Крастаиова) для вСи> 1 МС.

8. Несущественные изменения конечной работы выхода <рт пленок Сс1 на разных покрытиях Си при Т=77 К, предадсорбированных на гранях (112), (113) и (023)\¥", указывают на незначительный вклад модифицированной подложки в формирование работы выхода пленок Сс1.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Байо Ибраима, 2007 год

1. LangN.D. Self-consistent proprieties of the electron distribution at a metal surface // Sol. State Comm. 1969. - V. 7, N. 15. - p. 1047-1050.

2. Lang N.D, Konh W. Theory of metal surface: charge density and surface energy// Phys. Rev. B. 1970. - V. 1, N. 12. - p. 4555-4568.

3. Gunnarson 0., Jonson H., Lundqvist B. Descriptions of exchange and correlation effects in homogeneous electron systems // Phys. Rev. 1979. -V. B20,N.8.-p.3136-3164.

4. Juretschke H. J. Exchange potential in the region of a free-electron metal // Phys. Rev. 1953. - V. 92, N. 5. - p. 1140-1144.

5. Smith J. R. Self-consistent many electron theory of electron work function and surface potential characteristics for selected metals // Phys. Rev. -1969.-V. 181, N. 2. p.522-529.

6. Appelbaum J. A., Hamann R. D. Variational calculation of the image potential near a surface // Phys. Rev. 1972. - V. 6B, N. 4. - p. 1122-1130.

7. Lang N. D., Konh W. Theory on metal surface: work function // Phys. Rev. B. 1971. - V. 3, N. 4. - p. 1215-1223.

8. Харрисон У. Псевдопотепциалы и теория металлов. М.: Мир, 1968.-360 с.

9. Hodges L., Watson R. Е., Ehrenreich Н. Renormalized atoms and band theoiy of transition metals // Phys. Rev. B.-1972. V. 5,N.10. - p. 3953-3971.

10. Heine V. s-d interaction in transition metals // Phys. Rev. 1967. - V. 153, N. 3. - p. 673-682.

11. Hubbard J. The approximation calculation of electronic band structure // Proc. Phys. Soc. (London). 1967. - V. 92. p. 921-937.

12. Levin K., Liebsch A., Benneman К. H. Simple model for the electronic density of states near transition metal surface: application to ferromagnetic

13. Ni // Phys. Rev.В. 1973. - V. 7, N. 7. - p. 3066-3073.

14. Fulde P., Luther A., Watson R. E. Surface of transition metals // Phys. Rev B. 1973. - V. 8, N. 2. - p. 440-452.

15. Knor Z. The interplay of theory and experiment in field of surface phenomena of metals.- in: Surface and defect properties of solids, ed. by H. W. Robert and J. H. Thomas, The Chem. Soc. London, 1977, p. 139-178.

16. Kerker G. P., Но К. M., Cohen M. L. Self-consistence electronic structure of transition metal surface: the Mo (001) surface // Phys. Rev. -1978. V. B18, N. 10. - p. 5473-5483.

17. Posternac M., Krahauer Ii., Freemann D. D., Koelling D. D. Self-consistent electronic structure of surfaces: surface resonances on W(100) // Phys. Rev. 1980. - V. B21, N. 12. - p. 5601-5612.

18. Ashcroft N. W. Electron-ion pseudopotentials in metals // Phys. Rev. -1966.-V. 23, N. l.-p. 48-50.

19. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка, 1981.-340 с.

20. Hohenberg P., Konh W. Inhomogeneous electron gas // Phys. Rev. 1964. -V. 136, N. 3. - p. B864-B871.

21. Kohn W., Sham L. J. Self-consistent equations including exchange correlation effects // Phys. Rev. 1965. - V. 140, N. 4A. - p. 1133-1138.

22. Елинсон M. И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия.- М.: ГИФМЛ, 1958. -272 с.

23. Шуппе Г. Н. Эмиссионные параметры граней монокристаллов вольфрама, молибдена и тантала (чистых и грязных) // Изв. АН СССР, сер. физ. 1966. - Т. 30, N. 12. - С.1936-1941.

24. Шуппе Г. Н. Электронная эмиссия металлических кристаллов. Ташкент:изд. САГУ, 1959. 204 с.

25. Smoluchowski R. Anisotropy of the electronic work function of metals // Phys. Rev. 1941. - V. 60, N. 3. - p. 661-674.

26. Sidorski Z. Formation of metallic layer from individual atoms // Appl. Phys.A. 1984. - V. 33, N. 213. - p. 225.

27. Gurney R. W. Theory of electrical double layer in adsorbed films // Phys. Rev. -1935. V. 47. - p. 479-482.

28. Gadzuk J. W. Resonance tunneling spectroscopy of atoms adsorbed on metal surfaces theory // Phys. Rev. 1970. - V. Bl, N. 5. - p. 2110-2129.

29. Anderson P. W. Localized magnetic states in metal // Phys. Rev. 1961. -V. 124,-p. 41-53.

30. Walch S. P., Goddard W. A. Theoretical studies of О and S overlayers on the (001) surface of nickel // Solid state commun. 1977. - V. 23, N. 12. -p. 907-910.

31. Adachi H. Claster model investigation of chemisorption for chalcogene on Ni //J. Phys. Soc. 1979. - V. 46, N. 5. p. 1671-1972.

32. Schrieffer J. R. Theory of chemisorption //J. Vac. Sci. And Technol. -1972.-V. 9, N. 2.-p. 561-568.

33. Бурмистрова О.П. Взаимодействие адсорбированных атомов с плотноупакованными гранями металлов. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Ленинград, 1980. 116 с.

34. Самсонов Г. В., Прядко И. Ф., Прядко Л. Ф. Конфигурационная модель вещества. Киев: Наукова думка, 1971. - 230 с.

35. Lang N. D, Williams A. R. Self-consistent theory of the chemisorption of Li, H and О on metal surface // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 34, N. 9. -p. 531-534.

36. Дунаевский С. М. Взаимодействие ионов с поверхностью металлов // ФТТ. 1977. - Т. 19, №. 10, с. 3062-3067.

37. Ishida Н. Theory of the alkali metal chemisorption on metal surfaces // Phys. Rev. B. 1988. - V. 38, N. 12. -p. 8006-8022.

38. Теория хемосорбции. Под ред. Дж. Смита.- М.: Мир, 1983. 333 с.

39. Браун О. М. Теоретические модели хемосорбции на металлах // Укр. физ. журн. 1978. - Т. 23, № 8. - с. 1233-1255.

40. Браун О. М., Медведев В. К. Взаимодействие между частицами, адсорбированными на поверхности металлов // УФН. 1989. - Т. 157, Вып. 4. - с.631-666.

41. Браун О. М., Ильченко Л. Г., Птушинский Э. А. Адсорбция щелочных атомов на поверхности переходных металлов с учетом потенциала изоб ражения // ФТТ. 1980. - Т. 22, Вып. 6. - с. 1649-1655.

42. Габович А. М., Ильченко JT. Г., Пашицкий Э. А., Романов 10. А. Экранировка зарядов и фриделевские осцилляции электронной плотности в металлах с разной формой поверхности // ЖЭТФ. 1978. -Т. 25, Вып. 1.-с. 153-159.

43. Большов Л. А. Термодинамика моноатомных адсорбированных пленок // ФТТ. 1978. - Т. 13, N. 6. - с. 1674-1684.

44. Давыдов 10. С. Электронное состояние адатомов при больших степенях покрытия // ФТТ. 1978. - Т. 20, Вып. 6. - с. 1752-1757.

45. Давыдов 10. С. О неоднородном зарядовом распределении в адсорбированном слое // ФТТ. 1979. - Т. 21, Вып. 6. - с. 1649-1655.

46. Давыдов 10. С. Об особенностях адсорбции атомов лантана на вольфраме // Физика металлов и металловедение. 1978. - Т. 46, Вып. 2.-с. 241-246.

47. Давыдов Ю.С. Зависимость электронного состояния адатомов от их концентрации // ФТТ. 1977. - Т. 19, Вып. 11.-е. 3376-3381.

48. Muscat J. P., Newns D. М. The interpretation of work function variation in alkali chemisorption from the atomic viewpoints // Phys. C.: J. Sol. St. Phys. 1974. - V. 7, N. 15. - p. 2630-2644.

49. Muscat J. P., Newns D. M. Atomic theory of work function variation in alkali-adsorption on transition metals // Sol. St. Comm. 1972. - V. 7, N. 5. -p. 737-741.

50. Grimley Т. В., Walker S. M. Interaction between adatoms on metal and their effect on heat of adsorption at low surface average // Surf. Sci. 1969. -V. 14, N. 2. - p. 395-406.

51. Einstein T. L., Schriffer J. R. Indirect interaction between adatoms on a tight-binding solid // Phys. Rev. B. 1973. - V. 7, N. 8. - p. 3629-3648.

52. Lau К. H., Kohn W. Indirect long-range oscillatory interaction between adsorbed atoms // Surf. Sci. 1978. - V. 75, N. 1. - p. 69-85.

53. Большов JI. А., Напартович А. П., Наумовец А. Г., Федорус А. Г. Суб мопослойцные пленки на поверхности металлов // УФН. 1977. - Т. 122, № 1.-е. 125-158.

54. Наумовец А. Г., Птушинский 10. Г. Исследование электронно-адсорбционных явлений на поверхности металлов в ИФ АН УССР // Укр. физ. журн. 1979. - Т. 24, № 2. - с. 215-228.

55. Taylor J. В., Langmuir I. Evaporation of atoms, ions and electrons from cesium films on tungsten // Phys. Rev. 1933. - V. 44, N. 6. - p. 423-458.

56. Гаврилюк В. M. Адсорбция атомов бария и молекул окиси бария на вольфраме // Укр. физ. журн. 1959. - Т. 4, № 6. - с. 734-749.

57. Гаврилюк В. М. Взаимодействие электроотрицательных атомов илимолекул, адсорбированных на поверхности металла // Кинетика и катализ. 1961. - Т. 2, N. 4. - с. 497-506.

58. Rasor Н. S., Warner С. Correlation of emission processes for adsorbed alkali films of metal surfaces //. Appl. Phys. 1964. - V. 35, N. 9. - p. 2589-2600.

59. Levine J. D., Giftopoulos E.P. Adsorption physics of metallic partially covered by metallic particles. I. Atom and ion desorption energies // Surf. Sci. 1964. - V. 1, N. 2. - p. 171-193.

60. Гифтопулос E. П., Левин Дж. Изменение работы выхода металлов при нанесении на них пленочных металлических покрытий // Эффективные термокатоды. 1964. - Вып. IV. -с. 237-250.

61. Гифтопулос Е. П., Штейнер Д. Орбитальная электроотрицателыюсть и физические свойства биметаллических адсорбционных систем // Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую в топливных элементах. 1970. - Т. 95, № 6. - с. 137-149.

62. Lang N. D. Theory of work-function changes induced by alkali adsorption // Phys. Rev. 1971. - V. B4, N. 12. - p. 4234-4245.

63. Овчинников А. П., Царев Б. H. Адсорбция и автоэлектронная эмиссия пленок натрия на гранях монокристалла вольфрама и рения // ФТТ.- 1967. Т. 9, № 7. - с. 1927-1934.

64. Harper J. М. Е., Rodbell К. P. Microstructure control in semiconductor metallization //, J. Vac. Sci. Technol. 1997. - V. В15. - p. 763-779.

65. Andriacacos P. C., Uzoh C., Dukovic J. O, Horcans J., Deliganni H. Damascence copper electroplating for chip interconnections // IBM. Res. Develop. 1998. - V. 42. - p. 567-574.

66. Gross M. E, Lingk C. // Proceed. Adv. Metalization Conf. Colorado Spring CA.- 1998.-p. 55.

67. Ashworth F. Field Emission Microscopy // Ad van. Electron. 1951. -V.3.-p. 1-42.

68. Melmed A.J. Adsorption and diffusion of copper on tungsten //J. Chem. Phys. 1965. - V. 43, N. 9. - p. 3057-3062.

69. Polanski J., Sidorski Z. Adsorption of copper on tungsten; measurements on single crystal planes // Surf. Sci. 1973. - V. 40. - p. 282-294.

70. Jones J. P. The adsorption of copper on tungsten // Proc Roy. Soc. 1965. - V. A284, N. 1399. - p. 469-487.

71. Sugata E., Takeda K. Adsorption and nucleation of silver on tungsten // Phys. Status Solidi. 1970. - V. 38. - p. 549-557.

72. Jones J. P. Adsorption of silver on tungsten // Surf. Sci. 1972. - V. 32. -p. 29-44.

73. Gyftopoulos E. P, Levine J. D. Work function variation of metals coated by metallic films //. Appl. Phys. 1962. - V. 33. - p. 67.

74. Moss A. R. L., Blott В. H. The epitaxial growth of copper on the (110) surface of a tungsten single crystal studied by LEED, Auger electron and work function techniques // Surf. Sci. 1969. - V. 17. - p. 240-261.

75. Sidorski Z., Wojciechowski K. F. Dependence of the work function on the degree of coverage of alkaline metals adsorbed on tungsten // Acta Phys. Polon. 1971. - V. A40. - p. 661.

76. Taylor N. A LEED study of the epitaxial growth of copper on the (110) surface of tungsten // Surf. Sci. 1966. - V. 4, N. 1. - p. 161-194.

77. Bauer E., Poppa H., Todd G., Bonczek F. Adsorption and condensation of Cu on W single-crystal surfaces //J. Appl. Phys. 1974. - V. 45, N. 12. -p. 5164-5175.

78. Кучкаров X. О., Владимиров Г. Г. Совместная адсорбция атомов Си и

79. Ва на некоторых гранях вольфрама // ЖТФ. 1979. - Т. 49, № 8, -с. 1708-1709.

80. Ведула 10. С., Наумовец А. Г. Адсорбция бария на монокристаллических пленках меди, серебра и железа // Укр. физ. журн. 1973. - Т. 18, № 6. -с. 1000-1006.

81. Владимиров Г. Г., Магкоев Т. Т., Румп Г. А. Адсорбция атомов Ti, Сг и Си на поверхности Мо(011) // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1990.-Т.5.-с.20-24.

82. Bauer Е., Poppa Н. A comparison of the initial growth of metal layers on Mo(110) and W(110) surfaces //Thin Solid Films. 1984. - V. 121, N. 2. -p. 159-173.

83. Mroz A., Sidorski Z. Contact potential measurements of the adsorption of copper on (112) oriented tungsten crystal // Acta Phys. Polon. 1976. -V. A49, N. 4. - p. 437-443.

84. Jones J. P., Roberts E. W. Adsorption of copper on single crystal planes of tungsten // Surf. Sci. 1977. - V. 69. - p. 185-204.

85. Sidorski Z., Szelwicki Т., Dworecki Z. Adsorption of copper on tungsten low index planes at various substrates temperatures: field emission microscopy study // Thin Solid Films. 1981. - V. 75. - p. 87-104.

86. Melmed A.J. Epitaxial growth of Cu on W field emitters //. Chem. Phys.- 1963. V. 38, N. 6, - p. 1444-1445.

87. Melmed A.J. Nucleation and epitaxial growth of Cu on W //J. Appl. Phys.- 1965. V. 36, N. 11. - p. 3585-3589.

88. Reshoft К., Jensen С., Kohler U. Atomistic of epitaxial growth of Cu on W(110)// Surf. Sci. 1999. - V. 421. - p. 320-336.

89. Hiroshi M., Masafumi K., Fumio I., Terumi T. A field ion microscope study on vapor deposition of copper on tungsten // Thin Solid Fjlms. 1995. -V. 254.-p. 103-110.

90. Тейлор К., Дарби M. Физика редкоземельных соединений. М.,: Мир, 1974.-374 с.

91. Гончар Ф. М., Смерека Т. П., Степановский С. И., Бабкин Г. В. Адсорбция тербия и гадолиния на грани (111) кристалла вольфрама // ФТТ. 1988. -Т.30,№ 12.-е. 3541-3544.

92. Шевченко М. А. Адсорбция атомов редкоземельных элементов иттриевой подгруппы на гранях монокристалла вольфрама. Дисс. на соик. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Ленинград. 1989. 153 с.

93. Kolaczckiewicz J., Bauer Е. The adsorption of Eu, Gd and Tb on the W(110) surface // Surf. Sci. 1986. - V. 175, N.3. - p. 487-507.

94. Медведев В. К, Смерека Т. П., Степановский С. И., Гончар Ф. М., Каменецкий Р. Р. Адсорбция тербия и гадолиния на грани (100) кристалла вольфрама // ФТТ. 1991. - Т. 33, № 12. - с. 3603-3606.

95. Шакирова С. А., Шевченко М. А. Адсорбция атомов гольмия на гранях монокристалла вольфрама// ФТТ. -1990. Т. 32, № 3. - с. 688-693.

96. Гупало М. С., Медведев В. К., Смерека Т. П., Бабкин Г. В., Палюх Б. М. Адсорбция лантана на грани (001) монокристалла вольфрама // ФТТ.- 1977. Т. 19, № 10. - с. 2955-2959.

97. Гончар Ф. М., Медведев В. К., Смерека Т. П., Лозовый Я. Б. Адсорбция гадолиния и диспрозия на грани (112) монокристалла вольфрама //

98. ФТТ. 1987. - Т. 29, № 9. - с. 2833-2836.

99. Shakirova S. A., Serova Е. V. Work function measurements of Gd/W(lll) with and without silicon interface layers: field emission study // Surf. Sci. 1999. - V.422.-p. 24-32.

100. Shakirova S. A., Scrova E. V. Production of the two-dimensional submonolayer Gd silicides on the W(001) plane: a field emission study // Surf. Sci. 2006. - V. 600. - p. 4365-4368.

101. Roboz P. Investigation of the gas adsorption of tungsten tips by means of a field emission microscope // Acta. Phys. Hung. 1962. - V. 14, N. 4. -p. 319-329.

102. Miiller E.W. Work function of tungsten single crystal planes measured by the field emission microscope //J. Appl. Phys. 1955. - V. 26, N. 6. - p. 732 - 737.

103. Савицкий E. M., Терехова В. Ф. Металловедение редкоземельных металлов. М.: Наука, 1975. - 271 с.

104. Young R. D., Miiller Е. W. Progress in field emission work function measurements of atomically perfect crystal planes //Appl. Phys. 1962. -V.33, N.l. - p. 91-95.

105. Klein R. Investigation the surface of oxygen with carbon on tungsten with . the Field Emission Microscope //. Chem. Phys. 1953. - V. 21, N. 7.-p. 1177-1180.

106. Schmidt L. D., Gomer R. Adsorption of potassium on tungsten //. Chem. Phys. 1965. - V. 42, N. 10. - p. 3573-3598.

107. Schmidt L.D., Gomer R. Adsorption of potassium on tungsten: measurements on single-crystal planes //J. Chem. Phys. 1966. - V. 45, N. 5.-p. 1605-1623. I