Автоматизация и управление процессом производства пленочных аттенюаторов и резисторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.06, кандидат технических наук Малышев, Александр Владимирович

• Малышев, Александр Владимирович
• кандидат технических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат технических наук Малышев, Александр Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБОСНОВАНИЕ НЕОБХОДИМОСТИ АВТОМАТИЗАЦИИ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПРОИЗВОДСТВА ПЛЁНОЧНЫХ АТТЕНЮАТОРОВ И РЕЗИСТОРОВ.

1.1. Современное состояние производства ИС СВЧ.

1.2. Задачи разработки поглощающих элементов на основе однородныхРРС.

1.3. Задачи анализа и синтеза поглощающих элементов на основе сегментарно-однородных резистивных структур.

1.4.3адачи анализа частотных характеристик и оптимизации конструкции МЭУ с поглощающими элементами на РРС.

2. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ОДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛЁННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.

2.1. Анализ и синтез поглощающих элементов на РРС прямоугольной формы.

2.2. Анализ и синтез поглощающих элементов с резистивной плёнкой сложной геометрической формы.

2.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией сопротивлений.

2.4. Оценка и коррекция технологических погрешностей изготовления поглощающих элементов на основе сегментарно-однородных структур.

3. АНАЛИЗ И СИНТЕЗ ПОГЛОЩАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ СЕГМЕНТАРНО-ОДНОРОДНЫХ РАСПРЕДЕЛЁННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.

3.1. Анализ и синтез поглощающих элементов прямоугольной формы.

3.2. Анализ и синтез поглощающих элементов сложной геометрической формы.

3.3. Анализ и синтез поглощающих элементов с трансформацией сопротивлений.

4. АНАЛИЗ ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК И ОПТИМИЗАЦИЯ КОНСТРУКЦИИ

МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ С ПОГЛОЩАЮЩИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ НА ОСНОВЕ РАСПРЕДЕЛЁННЫХ РЕЗИСТИВНЫХ СТРУКТУР.

4.1. Схема замещения микроэлектронных устройств с малогабаритными навесными поглощающими элементами.

4.2. Определение ёмкостных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства.

4.2.1. Определение компонент Cia.

4.2.2. Определение компонент Gib.

4.2.3. Определение компонент Cil.

4.2.4. Определение параметра Сз.

4.3. Определение индуктивных параметров схемы замещения микроэлектронного устройства.

4.4. Анализ и экспериментальная проверка частотных характеристик микроэлектронных устройств с поглощающими элементами.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Автоматизация и управление процессом производства пленочных аттенюаторов и резисторов»

Современный этап развития общества характеризуется непрерывным и интенсивным ростом и совершенствованием производства во всех сферах деятельности. Следствием этой тенденции является постоянное внедрение новых наукоёмких технологий, совершенствование и создание новых технических средств, которые призваны обеспечить реализацию новейших технологий; расширение функциональных возможностей технических систем и устройств, усложнение их.

Отмеченное, зачастую, органически связано с необходимостью создания качественно новых технических систем и устройств и, в силу их существенного усложнения, с необходимостью решения проблем модернизации и повышения их надёжности.

Общая, указанная выше тенденция в развитии технических систем и устройств и связанные с ней проблемы в полной мере относятся и к конкретной отрасли техники - техники СВЧ, где в последние годы наблюдается стремление к микроминиатюризации и повышению надёжности применяемых технических систем и устройств. В настоящее время в технике СВЧ применяются и интенсивно внедряются в производство качественно новые устройства, предназначенные для дискретного регулирования и программного управления уровнем мощности (аттенюаторов) в схемах СВЧ. Такие устройства находят широкое применение в современной радиоприёмной и информационно-измерительной аппаратуре СВЧ диапазона и реализуются на основе применения интегральной технологии в виде микросхем СВЧ диапазона высокой степени интеграции [1,2].

Отличительной особенностью интегральных схем СВЧ диапазона является высокая степень чувствительности их электрических параметров к геометрическим характеристикам элементов интегральной микросхемы (ИС), что зачастую требует пооперационного контроля в процессе их изготовления и усложняет и удорожает их производство, уменьшает надёжность, увеличивает процент брака при производстве [3]. Приведённые данные особенности наглядно показывают необходимость создания автоматизированных систем управления процессом производства (АСУП) элементов ИС СВЧ. В этой связи возникают проблемы, которые связаны с разработкой базовых алгоритмов автоматизированного управления (БАУ) производством интегральных схем СВЧ диапазона.

Это, во-первых, математическое и программное обеспечение проектирования ПЭ для ИС СВЧ, во-вторых, обеспечение контроля электрических параметров микросхем СВЧ диапазона и коррекции этих параметров в процессе производства.

В работах Калашникова В.С, Бондаревского А.С, Кушлина В.И. и др. показано, что характеристики ИС СВЧ диапазона во многом зависят от аттенюаторов. Аттенюатор выполнен из резистивных поглощающих элементов (ПЭ) по Т и П - образной схемам. При этом использование существующих технологий не позволяет гарантировать выполнения таких ПЭ с заданной точностью. Технологический разброс параметров формируемых ПЭ в ИС составляет + 20 Л 30% [3].

Современные серийно выпускаемые микроэлектронные устройства (МЭУ) рассматриваемого класса реализуются, как правило, на базе микрополосковых линий (МИЛ) путём напыления резистивных поглощающих элементов (ПЭ) непосредственно на подложку сплошной ИС СВЧ [13-19; 23-26].

Из вышесказанного следует, что такие МЭУ не позволяют обеспечить одновременное выполнение сформулированных требований.

Всё возрастающие требования к эксплуатационным характеристикам МЭУ и необходимость обеспечения заданной точности параметров серийно выпускаемых базовых МЭУ, с одной стороны, и резкое увеличение номенклатуры изделий при одновременном стремлении к их унификации, и создание серий базовых МЭУ диктует необходимость поиска новых вариантов реализации ИС СВЧ. Как показано в [30-36,134], высокие технические характеристики, существенное снижение затрат времени и средств на стадиях проектирования, промышленного освоения и эксплуатации аппаратуры способны обеспечить МЭУ (плёночные аттенюаторы и резисторы) на основе распределенных резистивных структур (РРС). Такие МЭУ интенсивно разрабатываются в настоящее время как у нас в стране, так и за рубежом.

Простота реализации микрополосковой линии позволяет организовать серийное производство интегральных схем СВЧ на базе интегрально -групповых методов, эффективно использовать современное технологическое и контрольно-испытательное оборудование, существенно расширить возможность обеспечения заданных метрологических характеристик и увеличить выход качественных МЭУ за счет контроля, сортировки и коррекции ПЭ на стадии формирования интегральной микросхемы [38,30,31,37-39].

Вопросы, связанные с АСУП МЭУ (плёночных аттенюаторов и резисторов) на основе распределённых резистивных структур недостаточно освещены в литературе.

Практически отсутствуют как математические модели рассматриваемых МЭУ, так и инженерные методы анализа, синтеза и коррекции параметров самих прецизионных ПЭ [13,14, 17-19,23-25, 136-148].

В диссертационной работе предпринята попытка восполнить имеющий место пробел.

Целью данной работы является разработка эффективного математического и программного обеспечения для реализации современной системы автоматизированного управления процессом производства плёночных аттенюаторов и резисторов на РРС, улучшение их основных показателей качества на основе комплексного охвата проблем, в том числе путём учёта вероятностного характера модели на микроуровне.

Для достижения поставленной задачи в диссертации рассмотрены вопросы:

1. Разработка математических моделей для определения параметров электрических параметров резистивной пленки в зависимости от её геометрических размеров (1 - длинны, h- ширины);

2. Создания универсальной методики синтез - коррекции параметров ПЭ с учётом конструктивных и технологических ограничений;

3. Интерактивной оптимизации электрических параметров МЭУ применительно к топологии гибридных ИС;

4. Разработка методик анализа частотных характеристик и оптимизации конструкции МЭУ с малогабаритными ПЭ на основе РРС с экспериментальным исследованием их характеристик.

Перечисленные в диссертационной работе вопросы решаются с привлечением теории: электрических цепей, четырёхполюсников; фильтров СВЧ; функции комплексного переменного; математической статистики.

При этом применялись методы моделирования с использованием аппарата: уравнений Максвелла; Лапласа, Пуассона, Даламбера, Гаусса; метода конформных отображений; интеграл Шварца - Кристоффеля; метода Фурье, а также методы физического моделирования на основе сплошных сред.

Научная новизна.

1. Предложены новые подходы к математическому и программному обеспечению автоматизированного управления процессом производства ПЭ на основе однородных и сегментарно-однородных распределённых резистивных структурах.

2. Получены аналитические соотношения позволяюш,ие решать задачи синтез - коррекции электрических параметров прецизионных МЭУ на РРС.

3. Разработаны математические модели МЭУ с ПЭ на основе РРС и предложена методика определения их параметров.

4. Предложены способы оптимизации геометрических и электрических параметров ПЭ на РРС.

5. Показана применимость методик для анализа и оптимального производства МЭУ, являющихся наиболее характерными для современной микроэлектроники.

Практическая значимость и внедрение результатов работы:

- Реализованы в виде комплекта прикладных программ на языке ФОРТРАН IV ПЭВМ методики АСУП ПЭ на основе РРС.

- Предложены разработки топологических вариантов ПЭ на основе РРС, обеспечивающие реализацию широкого диапазона номиналов выходных параметров.

- Развита методика определения технологических допусков на физико-технологические параметры ПЭ на основе РРС.

- Предложен алгоритм автоматизированной коррекции технологических погрешностей изготовления прецизионных ПЭ на основе РРС.

Решены основные вопросы интерактивной оптимизации конструкций МЭУ на основе РРС.

Основные результаты диссертационной работы были использованы в разработках ЦНИИ РТК и Опытного завода «Лентелефонстрой», что подтверждено соответствующими актами внедрения.

На защиту выносятся:

1. Методы автоматизированного управления процессом производства ПЭ на основе однородных и сегментарно-однородных (СО) РРС;

2. Аналитические соотношения, для автоматизации задач анализа и синтез коррекции параметров, прецизионных ПЭ;

3. Математические модели МЭУ с малогабаритными ПЭ на основе РРС и методики определения их параметров;

4. Результаты теоретического и экспериментального анализа частотных характеристик разработанных МЭУ.

Содержание работы:

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений.

Заключение диссертации по теме «Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (по отраслям)», Малышев, Александр Владимирович

Основные результаты работы заключаются в следующем:

- На основании обзора работ по производству МЭУ на основе РРС сформулированы основные технические требования к АСУП данных устройств;

- Показано, что известные в литературе результаты аналитических расчётов данных структур справедливы лишь для сравнительно длинных (теоретически бесконечно длинных) поглощающих элементов и дают для коротких структур значительную погрешность (до 30% по входному сопротивлению и до 100 % по затуханию);

- Проведён расчёт ПЭ на основе РРС сложной геометрической формы, позволяющий расширить диапазон реализуемых затуханий в область малых затуханий;

- Разработана универсальная методика коррекции параметров ПЭ посредством определения геометрических размеров и удельного поверхностного сопротивления РРС по заданным параметрам: входному сопротивлению, затуханию, коэффициенту трансформации с учётом конструктивных и технологических ограничений. Полученные соотношения были положены в основу БАУ процедуры коррекции технологических погрешностей при изготовлении ПЭ; л8

- Развиты методы автоматизированного управления процессом производства поглощающих элементов на основе сегментарно-однородных распределённых резистивных структур, что позволило существенно расширить диапазон реализуемых затуханий, обеспечить возможность выбора геометрических размеров и величин удельных поверхностных сопротивлений ПЭ.

- Показана возможность получения поглощающих элементов на основе распределённых резистивных структур широкого диапазона затуханий с помощью одного комплекта фотошаблонов путём изменения величин удельных поверхностных сопротивлений резистивных плёнок;

- Предложена методика синтеза и интерактивной оптимизации ПЭ на РРС сложной геометрической формы, обеспечивающая вместе с широким диапазоном реализуемых затуханий и большую свободу выбора геометрических размеров и удельных поверхностных сопротивлений резистивных плёнок;

- Проведена экспериментальная проверка образцов поглощающих элементов разработанных на основе однородных и сегментарно-однородных распределённых резистивных структур, подтвердившая правильность расчётных методов и соотношений;

- Разработаны математические модели широкополосных МЭУ с малогабаритными навесными поглощающими элементами на основе распределённых резистивных структур;

- Развиты методики вычисления параметров квазистатической модели МЭУ, сводящиеся к решению соответствующих краевых задач методами теории комплексного переменного, разделения переменных, функции Грина;

- Проведена оценка точности предложенных методик с использованием физических моделей на основе сплошных сред;

- Проведён анализ частотных характеристик широкополосных МЭУ и рассмотрены возможности оптимизации их конструкции.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Использование в условиях промышленного производства МЭУ автоматизированных систем управления процессом производства плёночных аттенюаторов и резисторов, позволит повысить надёжность и гибкость производства интегральных схем СВЧ диапазона. В работе представлен комплекс исследований по созданию АСУП плёночных аттенюаторов и резисторов, включаюпдий теоретические проработки, машинное моделирование и экспериментальные исследования поглощающих элементов на основе распределённых резистивных структур.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Малышев, Александр Владимирович, 2001 год

1. Калашников B.C., Негурей A.B. Расчет и конструирование аттенюаторов СВЧ// Связь.- 1980. - № .-С 89.

2. Гупта К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств:

3. Пер. с англ. //-М.: Радио и связь.- 1987.-C.-11-159.

4. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники /Высшая школа. -1983.-0 80.-145,302-311.

5. Бородосвкий П.А., Ржанов A.B. Пути создания интегральных схем СВЧ -диапазона//Микроэлектроника.- 1975.-т.4.-Вып.6.-С. 548-559

6. Бушминский И.П., Гудков А.Г. и др. Конструкторско-технологические основы проектирования полосковых микросхем// Радио и связь. 1987. - С 201-203.

7. Малорацкий Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ// Сов. радио. 1976.-С 216.

8. Основы проектирования микроэлектронной аппаратуры/Под ред. Б.Ф. Высоцкого//Сов.радио.-1977. С 352.

9. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ.- М.: Высшая школа, 1980. С .59 - 68.

10. Васильев Е.П. Математическое и программное обеспечение для автоматизированного проектирования микроволновых частотно-избирательных и управляющих устройств.: Автореф.дис.канд.техн.наук /Рязанская гос.радиотехн.академ.-1999.-3-4с.

11. Ю.Технология и автоматизация производства радиоэлектронной аппаратуры / И.П.Бушминский, О.Ш.Даутов, А.П.Достанко и др.//Радио и связь.-1989.-С.463-517.

12. Hofman R.K. Microwave Integrated Circuit Design //Handbook.-London.-1985.p.367

13. Моругин Л.A, Глебович Г.В. Наносекундная импульсная техника//Сов. радио.-1964.- С 623.

14. Бондаревский A.C., Вертышев Ю.А., Солдатов В.А. Элементы СВЧ тракта в микрополосковом исполнении //Электронная промышленность,-1977.-№ 5.-С. 70-72.

15. Лонской Э.С., Васильев В.П. Метод ИК эллипсометрии для определения параметров тонких эпитаксиальных структур со скрытым слоем//Микроэлектроника.-1984.- т. 13.- №1.- С 74 - 78.

16. Пасеков Л.Н. Микроминиатюризация прецизионных резистивньх схем для преобразователей кода. //-Автометрия .-1971.- № 2. С.63 68.

17. Счёт проводящих элементов пленочных аттенюаторов/ Кузнецов В.Л.,Рудовол Г.Г.Сурогин Л.И. ,Тихонов А.И.- М.: Тр. Московского энергетического института 1975.- Вып. 272.-С. 126 128.

18. Кушлин В.И. Звено затухания на основе тонкопленочного распределённого резистора // Техника средств связи.- 1978.- вып. 12.- С. 83 90.

19. Вроньски М. Синтез плёночных аттенюаторов на РРС.//Известия ЛЭТИ.-вып.339.- 1984.- С. 270.

20. Manolescu А., Manolescu A.M., Homentcovschi D., Burileanu C.Structuri rezistive distribuite multiterminale utilizata in microelectronica.- Electrotechn. electron, si automat/si electron., 1979 V.23,p. 57-61.

21. Хометковски Д., Манолеску A., Манолеску A.M., Буриляну К. Расчет структур с распределенным сопротивлением. ТИИЭР, 1978.-T.66.- № 9.-С. 103-104.

22. J.Frey, K.Bhasin. Microwave Integreted Circuits, and edition // London.- 1985.-P.446

23. Горячев Ю.А. Плоская тонкопленочная резистивная линия /Вопросы радиоэлектроники //- Сер. Радиоизмерительная техника.- 1969.- Вып. 2.- С 91-99.

24. Уайндрам Р. Синтез распределительных резистивных и резистивноемкостных цепей с помощью ЭВМ//Машинный расчет интегральных схем. пер. с англ. / Под ред. К.А. Валиева, Г.Г. Казеннова и А.П.Голубева. -М. : Мир, 1971. С. 351-368.

25. Finlay .H.J., Hopkins L.G.T, Ozamin J.M. Design and applications of precisin microstrip multioctave attenuaors and loads. In : 6*. Europ. Microwave Conf. "Microwave - 76". - Rome, 1976, p. 692-696

26. Подгонка плёночных резисторов микросхем / В.Ю. Готра, И.Я Хромяк., А.Н. Войтесов // М.: зарубежная электронная техника.-№ 1(284).- 1985.- С. 30-74.

27. Гетманов Н.Н., Железнова Г.И., Чуркин М.А. Численный метод расчета многоконтактных прямоугольных распределительных резисторов /Вопросы радиоэлектрники // Сер. Технология производства и оборудование. 1975.-Вьш.4. - С. 57-63.

28. Зверев С.А., Чутуев Д.О. Машинный расчет резистивных цепей сложной конфигурации для полупроводниковых ИС//Электронная промышленность. 1975.-Вып. 12.-С 32-34.

29. Гонский Н.Г., Клименков А.С., Пивоваров И.И. Фиксированные СВЧ -аттенюаторы для гибридно-пленочных микросхем. Элементы радиоприемных устройств: Межвуз. сб. /Сост.: В.Д.Калмыков; Малышев В.А. и др. - 1962.- № 3. - С. 77-82.

30. Хренова A.M., Попов A.M. Широкополосные микрополосковые фиксированные аттенюаторы //Электронная техника: Сер. 10. Микроэлектронные устройства. 1980.-Вып. 5.- С.14-18.

31. Farly Randolph С. Thin film flip chip a system approach. - IEEE Trans.on Manuf.Techol.,1975, v. MFT - 4, № I, p.2-8.

32. Labs J., Scheel W.Chipfiigen ein Uberblick/ - Nachrichtentechnik, 1978, b.28, n.7, s. 284-287.

33. Chip attenuators: Проспект фирмы EMC Technology. Jnc. (США). АУЛ № 156 19776 реф.928.

34. Pill attenuators: Проспект фирмы PYROFILM (USA). Microwave Journal, 1979, v.22 № 2 , p. 31.

35. Albert D. Arfm and Thomas L. Nevue. Shrinking attenuators for MIC and stripline applications.- Microwave Journal, 1977, v.20 № 5 , p. 24-28.

36. Готра З.Ю. Технологические основы гибридных интегральных схем. -Львов, Вища школа, 1977. С 167.

37. Богданова Н.Г., Климов А.Ю., Чураков А.Н. Изготовление резистивных элементов повышенной точности для коаксиальных аттенюаторов //Техника средств связи: Сер. Радиоизмерительная техника.-1978. Вып. 8. -С 79-84.

38. Бицадзе А.В. Краевые задачи для эллиптических уравнений второго порядка // М.: Наука, 1966. С 203.

39. Файбурд В.М. Контактные задачи теории упругости (решения и моделирование на основе электростатической аналогии) // М.: Наука, 1975. -С 53.

40. Иоссель Ю.Я., Кочанов Э.С.,Струнский М.Г. Расчет электрической ёмкости //Л.: Энергия, 1969. С 240.

41. Методы расчета электростатических полей/Сост.: Н.Н. Миролюбов, М.В. Костенко, М.В. Левинштейн и др.; Под ред. Н.Н. Миролюбова // М.: Высш. Школа.- 1968.-С 415.

42. Moulton H.F., Current Flow in Rectangular Conductors. Proc.Math.Soc. (London), Ser.2 VIII,104 -110 (1905).

43. Никольский В.В. Электродинамика и распространение радиоволн // М.: Наука, 1978.-С 544.

44. Копепенфельс В. и Штальман Ф. Практика конформных отображений // М.: Иностранная литература, 1963.-С 153-201.

45. Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного // М.: Наука.- 1973. С 736.

46. Гринберг Г.А. Избранные вопросы математической теории электромагнитных явлений // М.: АН СССР, 1948.-С 727.

47. Положий Г.Н. Численное решение двумерных и трехмерных краевых задач математической физики и функции дискретного аргумента // Киев: КГУ, 1962.-С 160.

48. Иванов В.Т. Методы расчета трехмерных электрических полей в электролитах. /Краевые задачи математической физики и их приложения //Уфа, 1976.-С. 18-53.

49. Papamichael N, Symm G.T. Numerical Technigues for two -dimensional Laplacijn problems. Comput/Meth. Appl. mech. and Eng., 1975, v. 6 № 2, p.175-194.

50. Самарский A.A. ,Андреев В.Б. Разностные методы для эллиптических уравнений // М.: Наука, 1976.-С 352.

51. Волков Е.А. О дифференциальных свойствах решений краевых задач для уравнения Лапласа на многоугольниках // Тр. Матем. ин-т им. В.А. Стеклова.-М.,1965,т.77, с. 113-143

52. Стародубовский Р.К. Применение электродинамического моделирования для экспериментального исследования и оптимального проектирования микрополосковых устройств. //Техника средств связи: Сер. Радиоизмерительная техника.-1997.- Вып. 1.- С. 49-58.

53. Веников В.А. Теория подобия и моделирования ( применительно к задачам электроэнергетики) // М.: Высш. школа, 1976. - С 479.

54. Фильчаков П.Ф., Панчишин В.И. Интеграторы ЭГДА. Моделирование потенциальных полей на электропроводной бумаге // Киев: АН УССР, 1961.-С 171.

55. Земсков В.П., Шер Ю.А. Применение метода ТФКП к расчету параметров пассивных элементов интегральных схем. //Тр.Московск. ин-т электрон.техники. -М., 1971.- Вып. 7. -С.47-54.

56. Homentcovschi D.,Manolescu A.M., Burileani С. A deneral approach to analysis of distributed resistive structures .- IEEE Trans, on Electron. Devices, V. ED-25, July, 1978, p. 787-794

57. Вроньски M., Деньдобренко Б.Н. Машинный синтез топологии резистивных структур с распределенными параметрами // Устройства, элементы и методы комплексной микроминитюризации.- Казань, РЭА, 1979.-С 85-89.

58. Мусхелишвилли Н.И. Сингулярные интегральные уравнения// М.: Наука, 1968.-С511.

59. Фаддеев Д.К., Фаддеева В.Н. Вычислительные методы линейной алгебры // М.: Физматгиз, 1963. С 720.

60. Келдыш М.В., Седов Л. Эффективное решение некоторых краевых задач для гармонических функций //Докл. АН СССР.- 1987.- т. 16.- № 1.- С. 7-10.

61. Фадеева Л.Б. О расчете емкостей в микросхемах //Электронная техника:. Микроэлектроника.- 1969. Сер.6.- Вьш.1.-С 45-48.

62. Татур Т.А. Основы теории электрических цепей (справочное пособие). Учебное пособие // М.: Высшая школа, 1980. -С 271 .

63. Максимович Н.Г. Линейные электрические цепи и их преобразования // М.; Л.: Госэнергоиздат.-1961. С- 264.

64. Лаврик В.И., Савенков В.Н. Справочник по конформным отображениям // -Киев: Наук, думка, 1970. -С 252.

65. Фильчаков П.Ф. Приближенные методы конформных отображений: Справочное пособие/ / Киев.: Наук, думка, 1964. - С 531.

66. Вячеславов В.В., Кокоулин В.И. Определение параметров конформных преобразований односвязных многоугольных областей. журнал вычисл. матем. и матем. физики, 1973, т. 13, № 4. - С 865-872

67. Береславский Э.Н. К вопросу о конформном отображении односвязанных областей на единичный круг.//Вычислительная и прикладная математика: Респ. межвед. научн. сб.//-Киев, Вища школа, 1978. Вып. 34 - С 93-96.

68. Иваненко Л.Н. Конформное отображение односвязанных областей с применением автоматических цифровых машин // Киев; Наук, думка , 1964. С 47.

69. Ломакин A.M., Тренин Ю.В., Бунтилов В.М., Шкатов P.M. Об исследовании устойчивости резистивных элементов для коаксильных аттенюаторов к воздействию импульсной мощности. Техника средств связи: Сер. Радиоизмерительная техника. - 1979.- Вьш.7,- С. 50-53.

70. Bergmann St. Ueber die Bestimmung der Verzweigungspunkte eines Hyperelliptischen Integrals aus semen Periodizitatsmoduln mit Anwendungen auf die Theorie des Transformators/ Mathem.,1923, b.l9,h.l02, s.8-25.

71. Волков B.B., Герасимов ЛЛ. Оптические методы измерения размеров элементов топологического рисунка БИС и СБИС // Микроэлектроника. -1980. Т.9.- Вып. 6. - С. 554 -563.

72. Лоссиевская Т.В. О разрешимости обобщенных краевых задач для эллиптических уравнений второго порядка. Дифференциальные уравнения, 1973, т.ГХ, № 7, с. 36-51.

73. Yasar T.Puri N. Thin film resistors and capacitors for hibrid circuits. Electro. Packag. and Prod. 1979, v. 19, №11, h.108-116.

74. Арманд H.A., Нефедов Е.И., Фиалковский A.T. Электродинамические основы машинного проектирования интегральных схем СВЧ //Вестник АН СССР.- М.; 1978. № 3. - С 55-58.

75. Арманд H.A., Нефедов Е.И., Фиалковский А.Т. Электродинамические основы машинного проектирования интегральных схем СВЧ //Вопросы математического моделирования. М.; 1979.- С 185-197.

76. Козлов В.И., Юфит Г.А. Проектирование СВЧ устройств с помощью ЭВМ/: Сов. радио. М., 1975. - С 177.

77. Петроускас Г.Б., Миналгене Ю.-Б.Б., Рупленас В.И., Вайчайтис Г.А. Электрические свойства пленочных резисторов, предназначенных для работы в диапазоне СВЧ //Известия вузов Лит. ССР: Радиоэлектроника. -1975.-T.il.-№1.- С. 115-121.

78. Головченко В.Б. Проектирование резисторов высокочастотных пленочных микросхем//Радиотехника. 1968. - №3. - С 80-86.

79. Семенов В.М. Программа оптимизации рабочих и статистических характеристик СВЧ устройств CASCAD. Тр. /Радиотехн. ин-т АН СССР. -М, 1980.-№ 37. - С 46-59.

80. Жуковский A.M. Справочник по эллиптическим функциям. М.; Л.: АН СССР, 1941.-С 236.

81. Градштейн И.С. Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм рядов и произведений. М.: Наука, 1971. - С 1108.

82. Беляков В.М., Кравцова Р.И., Раппопорт М.Г. Таблицы эллиптических интегралов. М.: Вычислит, центр АН СССР, 1962.- Т. 1. - С 342.

83. Шулер М.,Гобелейн X. Таблицы эллиптических функций / Обработка таблиц и пер. текста с нем. Ц.Д. Ломкаци и Н.Н. Перевезенцевой. М.: Вычислит.центр АН СССР, 1961. - С 297.

84. Крылов В.И. приближенное вычисление интегралов. М.: Наука, 1967. - С 500.

85. Канторович Л.В., Крылов В.И. Приближенные методы высшего анализа. -М.: Физмаигиз, 1962. С 695.

86. Тихонов А.Н.,Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972.-С 735.

87. Арамата, Терекадо. К расчету сопротивления одного класса двумерных неоднородных проводников. М.: ТИИЭР, 1969. - Т. 57. - №3. - С 180-181.

88. Терекадо. О величине сопротивления двумерных составных областей с осевой антисимметрией. М.: ТИИЭР, 1976. - Т.64. - № 1. - С.230-231.

89. Гиллемин Э.А. Синтез пассивных цепей. М.: Связь, 1970.- С 720.

90. Бобров И.Н., Гапоненко Г.Я. Синтез корректоров СВЧ на нерегулярных полосковых линиях //Известия вузов СССР: Радиоэлектроника. 1980. - Т. 18.-№3.-С. 11-16.

91. Журавский В.Л., Платонов В.Д., Шевченко В.В. Физическое моделирование активных микросхем СВЧ диапазона //Микроэлектроника / Под ред. А.А. Васенкова. М.: Сов. радио, 1973. - Вып.6. - С 213-216.

92. Львов А.Е. Использование моделирования электрического поля при проектировании микрополосковых СВЧ устройств//Техника средств связи: Сер. Радиоизмерительная техника. 1976. - Вьш.2.- С 78-83.

93. Duane Е. Dunwoodie and Walter L. Baxter . Measure small SWRs with great accuracy. Microwaves, June 1978 v. 17, №6, h.80-85.6 5

94. ГОСТ 8.249-77. Государственная система обеспечения единства измерений. Аттенюаторы коаксиальные и волноводные измерительные. Методы и средства проверки в диапазоне частот 17-44 ГГц. М., 1977.

95. Современное состояние метрологического обеспечения измерений параметров радиоцепей в диапазоне СВЧ: Сер. Метрологическое обеспечение измерений/Сост.: А. Д. Берхоер, В.И. Евграфов, Э.М. Шейнин, А.Б. Гоникман. М.: ВНИИКИ, 1977. - С. 64.

96. Пасенов Л.П. Вероятностный анализ точности весового суммирования напряжений на схемах с распределенными параметрами//Электронная техника: Сер. 6 Микроэлектроника. 1969. - Вып. 4. - С. 33-40.

97. Перепонов А.Д. Фазокомпенсированные дискретные управляемые аттенюаторы СВЧ. -Тр. /Радиотехн. ин-т АН СССР. М.,1978 № 32, с. 218220.

98. Львов А.Е., Пайков А.Н. Сверхширокополосные делители мощности//Техника средств связи: Сер. Радиоизмерительная техника. М., 1978.-Вып. 2.-С 48-51.

99. Мишин Ю.С, Вычисление емкости элементов пленочных микросхем//Известия вузов СССР: Радиоэлектроника. 1977.- Т. 20. - № 5. -С 126-128.

100. Горячев Ю.А. Эллипсоидная линия с плоским внутренним проводником//Вопросы Радиоэлектроики: Сер. Радиоизмерительная техника. 1969. - Вып. 3. - С 90-94.

101. Горячев Ю.А. Линия с плоским внутренним проводником и круглым внешним с ребрами//Вопросы радиоэлектроики: Сер. Радиоизмерительная техника. 1970. -Вып. 1. - С 21-25.

102. Глудкин О.П., Густав А.Е. Устройства и методы фотометрического контроля в технологии производства интегральных схем. М.: Радио и связь, 1981 г.-С 112.

103. Седых В.М., Лесик Н.И. Экранированная полосковая линия с боковыми ребрами//Радиотехника и электроника. 1967. - Т. 16. - № 3. - С 532-536.

104. Мейнке X. и Гундлах Ф. Радиотехнический справочник в 2-х т.- М., Л,: Госэнергоиздат, 1960-1962. Т. 1. С 1960 - 416 с.

105. Алексеев Л.В., Знаменский А.Е. Автоматизация проектирования фильтров СВЧ. М.: Связь, 1977. - С 80.

106. Царенков B.C., Ширяев Д.Д. Одиночные и связанные микрополосковые линии передачи//3арубежная радиоэлектроника, 1975. №6. - С 47-63.

107. НО. Авдеев Б.В., Вашакидзе Ю.Н., Щербаков В.Е. Расчет межсоединений многокристальных БИС//Микроэлектроника / Под ред. A.A. Васенкова. -М.: Сов.радио, 1976. Вып. 9, С 224-234.

108. Greenhouse Н.М. Design of planar rectangular microelectronic inductors. -IEEE Trans, on Prod. Eng. and Production, v. PEP-10, June, 1974, № 2, p. 101108.

109. Калантаров П. Л.,Цейтлин П. A. Расчет индуктивностей: Справочная книга. -Д.: Энергия, 1970. С 415.

110. Валиев К.А. Раков А.В. Об измерении физических параметров элементов БИС и СБИС микросхем// Микроэлектроника. 1980. -Т 9. - Вып.6. - С 548 -553.

111. Чеботарев А.С., Моругин С.Д., Садков В.Д. Расчет параметров сосредоточенных элементов для ГИС СВЧ//Электронная техника: Сер. Электроника СВЧ. 1981. - Вып. 4. - 29-32.

112. Юсов Ю.П. Тенденции развития метрологического обеспечения производства ИЭТ//Электронная промышленность. 1985. - Вьш.З (141). -С 7- 8.

113. Чернышев А. А. Научно технический прогресс и проблемы метрологии в электронной промышленности //Электронная промышленность. - 1985. -Вьш.З(141).-С2-6.

114. Swyt D.A. NBS Program in Photomask Linewidth Mesurements.- Solid State Tech., 1976,v.l9,n4,p.55 61.

115. Волков И.И. и др. Оптические методы измерения размеров элементов топологического рисунка БИС и СБИС//Микроэлектроника. 1980. - Т. 9. -Вып. 6.-С 554-563.

116. Никитин А.В. и др. Повышение точности контроля линейных размеров элементов на фотошаблонах//Микроэлектроника.-1981.- Вьш.2(92). С 92 -98.

117. Никитин А.В. и др. Предельные возможности и ограничения при измерении линейных размеров элементов оптическими устройствами//Метрологическая служба в СССР. 1987. - №3 С 8 - 12.

118. Электроника /пер. с англ,- 1978. Т. 51. - № 20. - С 79.

119. Кейпс. Электроника/Пер. с англ.- 1978. Т. 51.- № 24.- -С 29.

120. Могэб, Харшбагер. Электроника /Пер. с англ.- т. 51, 1978,№ 18, стр. 35.

121. Лаймен Д. Электроника /Пер. с англ. 1979. - т. 52. - № 8.- С 21.

122. Методы анализа поверхностей, под редакцией А. Зандерны /Пер. с англ. под ред. В. В. Кораблева, Н. Н. Петрова. М.: Мир, 1979.

123. Роман Д.В., Савиковский А.И. Установка контроля размеров элементов фотошаблонов ЭМ-557//Электронная промышленность. 1984. - №4. - С. 50.

124. Вилянов М., Волков В.В. Контроль линейных размеров элементов топологии фотошаблонов и структур БИС//Электронная промышленность. 1985. - № б. - С 50.

125. Фомицкая А.Я. Оборудование для контроля дефектности фотошаблонов//Зарубежная электронная техника. 1979. - Вьш.2.- С 44.

126. Лизунов В.Д. Метрологическое обеспечение средств контроля малых линейных размеров//Измерительная техника. 1980. - №12.- С. 19.

127. Swyt D. Jensen S., Optics in metrology and Quality Assurance.- In: Proc. of Soc. ofPhoto opt. Instrum.Eng.,1980, v.220,p.28.

128. Bullis W., Ehpstein S. Referense materials and the semiconductor Industry. -Solid State Technology, 1981, nil, p.56.

129. Лизунов В.A. и др. Создание и исследование рабочего эталона единицы длинны для штриховых мер до 200 мм//Метрологическая служба в СССР. 1984. -Вып. 3. - С. 22.

130. Лизунов В.Д. Лазерный измеритель малых поперечных размеров/ТИнформационный листок № 3980 HT Д. Новосибирск, ЦНТИ, 1980.

131. Андреев Ю.Н. Управление конечномерными линейными объектами. -М.-Наука, 1976. 424 с.135. 2.Брайоон А. Хо Ю-Ши. Прикладная теория оптимального управления. -М.:Мир.- 1972.-544 с.

132. Введение в систему профаммирования ОС PB /В.В.Бирюков,

133. A. В.Рыбаков, Ю.Н.Шакула; Под ред. В.Н.Лебедева. М.: Финансы и статистика, 1986. 192 С.

134. Иванов В.А., Ющенко A.C. Теория дискретных систем управления// -М.: Наука. 1983.335 с.

135. Изерман Р. Цифровые системы управления // Мир, 1984. 541 с.

136. Мамиконов А.Г. Основы построения АСУ //Высшая школа.-1981.-С.83-232.

137. Марченко М.И., Рыбашов М.В. Оптимизация статики одного класса объектов управления // Автоматика и телемеханика. 1983. № 3, С.30-39.

138. Методические указания по выполнению заданий вычислительной практики для специальности "Автоматизированные системы управления"//Рига: Рижский политехнический институт.- 1986.

139. Алгоритмическое обеспечение задач управления в АСУ ТП /Р.П. Строганов, В.Г.Давыдов, В.П. Васильев //Л.: -ЛПИ.-1989.- С.4 -47

140. Операционная система ОС PB ЭВМ: Справочное издание /Г.А.Егоров,

141. B. Л.Кароль. И.С.Мостов и др.// М.: Финансы и статистика.- 1987.- 271с.

142. Первозванский A.A. Курс теории автоматического управления // М.: Наука.- 1986.-С. 615

143. Программирование, отладка и решение задач на ЭВМ единой серии. Язык Фортран: Учеб. пособие для вузов /И.А.Кудряшов, Н.Х.Кушнер. Л.В.Петрова, Н.А.Силов; Под род. И.А.Кудряшова // Л.: Энергоатомиздат.-1988.- С.200

144. Рей У. Методы управления технологическими процессами // М.: Мир.-1983.-367 с.

145. Строганов Р.П. Управляющие машины и их применение: Учеб. пособие для вузов // М.: высшая школа.- 1986.-С. 240

146. Фритч В. Применение микропроцессоров в системах управления //М.: Мир.- 1984.-С. 463.

147. Гамзе М.С., Ефимов А.Н. Понятие актуальности управлений при статической оптимизации в АСУ ТП // Автоматика и телемеханика. 1965. №2.

148. Капаев В.В. Дифракционные методы определения разбросов линейных размеров элементов топологии БИС //Микроэлектроника. 1981. - Т. 10, -ВЫП.6.-С 523.

149. Антенны и устройства СВЧ//Проектирование фазированных антенных решёток/Уч. под редакцией Д,И, Воскресенского.-М.: Радио и связь, 1994. -Гл. 14. С 297-309.

150. Горкавенко Л.И. Судовая адаптивная приёмная система./Диссертация на соискание учёной степени кандидата технических наук. Л, 1990. - Гл.2. -разд. 2.4.-С 106- 126.

151. Ястребов А.С, Малышев A.B. Методы измерения и контроля электрических параметров распределённых резистивных структур// 51 научно техническая конференция профессорско-преподавательского состава, шучяых сотрудников и аспирантов: Тез.докл. -Санкт170

152. Петербургский гос. ун-т. телеком, им проф. М.А. Бонн Бруевича, 1998.-С.138.