Влияние состояния поверхности на процессы электронного обмена при вторичной ионной эмиссии и скользящем рассеянии атомных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Адамов, Георгий Валерьевич

• Адамов, Георгий Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Адамов, Георгий Валерьевич

Введение

Глава 1. Обзор литературы

1.1. Вторичная ионная эмиссия: основные модели и механизмы

1.1.1. Общий взгляд на вторичную ионную эмиссию, основы явления

1.1.2. Модели вторичной ионной эмиссии

1.1.2.1. Модель электронного туннелирования

1.1.2.2. Модель Шроубека

1.1.2.3. Объединенная модель

1.2. Рассеяние частиц на поверхности 30 ' 1.2.1. Траектории рассеивающихся частиц: межатомные потенциалы и поверхностное каналлирование.

1.2.2. Процессы зарядового обмена

Глава 2. Экспериментальные установки и методики экспериментов.

2.1. Установка для исследования вторичной и онной эмиссии

2.2. Установка для исследования рассеяния под скользящими углами

Глава 3. ВИЭ

3.1. Исследование влияния деформации на вторичную ионную эмиссию А1 и Си.

3.2. Исследование ВИЭ с поверхностей ферромагнетиков в интервале температур, включающем точку магнитного фазового перехода

3.3. Влияние адсорбции кислорода на вторичную ионную эмиссию

Глава 4. Рассеяние частиц на поверхности под скользящими углами

4.1. Межатомные потенциалы

4.2. Зарядовый обмен

4.3. Влияние зарядового состояния на дополнительное взаимодействие с поверхностью металла. 88 5. Заключение 92 Список литературы 90 Список печатных работ по теме диссертационной работы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние состояния поверхности на процессы электронного обмена при вторичной ионной эмиссии и скользящем рассеянии атомных частиц»

Взаимодействие атомных частиц и поверхности является одной из важнейших проблем как фундаментальной, так и прикладной науки. Оно охватывает широкий класс процессов и явлений, возникающих при бомбардировке поверхности.

При бомбардировке поверхности твердого тела атомами или ионами с нее возможна эмиссия электронов, фотонов, а также атомных частиц в различных зарядовых и возбужденных состояниях. Эмиссия атомов бомбардируемого вещества называется распылением, а эмиссия атомов вещества в заряженном состоянии называется вторичной ионной эмиссией (ВИЭ).

ВИЭ лежит в основе Вторичной Ионной Масс-Спектрометрии (ВИМС), применяющейся для исследования и диагностики поверхности. ВИМС получила широкое распространение в микроэлектронике, материаловедении и других областях науки и промышленности благодаря своей высокой относительной элементной чувствительности до 10"9. ВИМС позволяет регистрировать все элементы, включая водород, кроме того, этот метод преимущественно чувствителен к приповерхностному слою, что делает его методом, обладающим высокой степенью локализации. Благодаря тому, что процесс распыления происходит послойно, возможно производить послойный анализ на основе ВИМС, что нашло применение в микроэлектронике и известно как профилирование по глубине (depth profiling). Подавляющая часть эмитированных с поверхности частиц являются нейтральными, что привело к появлению разновидности метода

SIMS (ВИМС) в которой применяется постионизация эмитированных с поверхности нейтральных атомных частиц лазером, как резонансная так и нет. Этот метод получили название Laser-SNMS (Лазерная Вторичная Нейтральная Масс-Спектрометрия).

ВИМС, обладая одной из самых высоких чувствительностей среди прочих методов анализа элементного состава, не является количественным. Количественная теория ВИЭ развита слабо, что не всегда позволяет применять методы, на ней базирующиеся (в том числе и ВИМС) для аналитических приложений. Таким образом, изучение закономерностей влияния различных факторов на ВИЭ с целью создания ее количественной теорий является перспективной задачей современной науки, как в фундаментальном, так и в прикладном смысле.

При создании подобного рода теорий важным направлением является изучение влияния физико-химического состояния поверхности на ВИЭ. В настоящий момент существует несколько моделей формирования вторичных ионов. Уточнение этих уже существующих моделей и создание новых более точных является одним из ключевых моментов в создании количественной теории ВИЭ.

Большой практический интерес представляет изучение влияния механического состояния поверхности на ВИЭ. В настоящее время для целей диагностики механического состояния поверхности твердого тела наиболее популярными являются методы, основанные на ионном травлении с последующим выявлением оптического контраста между областями с различной степенью деформации. Методы же, основанные на контрасте выхода вторичных ионов, эмитированных с областей с различной степенью деформации, должны обладать большей чувствительностью и высокой степенью локализации.

Фундаментальный интерес представляет собой исследование влияния магнитного фазового перехода на ВИЭ. Современные теории базируются на изменении потенциала взаимодействия между атомами мишени при магнитном фазовом переходе. ВИЭ демонстрирует чувствительность не только к потенциалам взаимодействия между атомами в твердом теле, но и к электронной структуре твердого тела. ВИЭ открывает принципиально новые возможности для изучения процессов атом - атомного взаимодействия, происходящих при магнитном фазовом переходе, особенно в случае многокомпонентных ферромагнитных сплавов.

Исследования закономерностей ВИЭ и последующее построение моделей формирования вторичных ионов основывается на анализе энергетических и угловых распределений вторичных ионов.

При взаимодействии ионов и атомов поверхностью особое место занимает рассеяние под скользящими углами по причине относительной простоты интерпретации пространственных и зарядовых распределений рассеянных частиц. В экспериментах по рассеянию энергии налетающих частиц могут меняться от низких (эВ) до высоких энергий (МэВ). Рассеяние атомных частиц сопровождается неупругими процессами, такими как возбуждение и зарядовый обмен. В силу геометрии экспериментов по рассеянию частиц существенное влияние на пространственные распределения рассеянных частиц оказывает зарядовое изображение.

На рассеянии основаны методы, позволяющие проводить пространственную диагностику высокого разрешения структуры кристаллической поверхности [1], изучать магнитные свойства при напылении тонких пленок. Данные, полученные при рассеянии под скользящими углами, наиболее просты и однозначны для интерпретации.

Особым режимом рассеяния под скользящими углами является поверхностное каналирование. В этом режиме частицы, рассеиваясь на поверхности, движутся вдоль рядов атомов, образованных кристаллической структурой твердого тела. Основой при интерпретации процессов рассеяния являются эффективные межатомные потенциалы. Описание таких параметров как угловые распределения рассеянных частиц, глубины проникновения, диссипация энергии, каналирование прямым образом основывается на межатомных потенциалах. Изучение характеристик рассеяния с целью уточнения уже известных модельных потенциалов взаимодействия и построения новых является важной фундаментальной задачей.

Наряду с процессами, определяющими траектории и энергии рассеянных частиц, важны процессы, определяющие их зарядовое состояние. Немалый интерес представляет зарядовый обмен, проходящий по неупругим каналам взаимодействия через Оже-процессы. Энергетические спектры эмитированных при этом электронов несут информацию об электронной структуре поверхности, а распределения зарядовых компонент рассеянных частиц о процессах электронного обмена.

Цель работы состояла в экспериментальном исследовании влияния различных состояний поверхности на ВИЭ:

• механического,

• химического,

• магнитного, а также экспериментальном и теоретическом исследовании формирования пространственного и зарядового распределения частиц, рассеянных на атомно-гладкой монокристаллической поверхности под скользящими углами. Выбор рассеиваемых частиц и режимов рассеяния предполагал различный характер их взаимодействия с поверхностью, что было необходимо для исследования эффективного потенциала поверхности и механизмов формирования зарядовых состояний.

На защиту выносятся следующие основные положения, определяющие научную новизну полученных в диссертации результатов:

• Продемонстрировано влияние деформации (растяжение фольги) на выход вторичных ионов. Обнаружен экспоненциальный рост выхода вторичных ионов с деформацией. Эксперимент поставлен в условиях, позволяющих минимизировать влияние факторов, обусловленных подготовкой и различными условиями эксперимента, к чему ВИМС демонстрирует высокую чувствительность.

Исследовано влияние адсорбированного на поверхности поли - и монокристаллического Си кислорода на форму и интенсивность энергоспектров вторичных ионов Си+ и Си" при бомбардировке ионами Аг+ и Хе+. Смещение максимумов энергоспектров, а также изменение интенсивности может быть объяснено на основе модели электронного туннелирования.

Показано влияние магнитного фазового перехода на энергоспектры вторичных ионов для ряда Fe-Ni сплавов, ранее этим методом не исследовавшихся. Наличие нескольких максимумов в температурной зависимости выхода вторичных ионов объяснено упорядочиванием фаз на поверхности.

Обнаружено, что пространственное распределение рассеянных под скользящими углами на поверхности монокристалла А1 ионов и атомов различных элементов не может быть описано с помощью общепринятых модельных потенциалов взаимодействия. Предложен новый модельный потенциал, описывающий взаимодействие налетающей частицы с поверхностью твердого тела. Исследованы процессы зарядового обмена при рассеянии под скользящими углами на поверхности монокристалла А1 ионов и атомов Не и Ne. Показано, что при больших параллельных к поверхности мишени скоростях в случае рассеяния первичных ионов - содержание ионов в рассеянных частицах (после акта рассеяния) ниже, нежели при рассеянии первичных нейтральных частиц.

В экспериментах по рассеянию атомных частиц на поверхности монокристалла А1 под скользящими углами обнаружено, что с увеличением параллельной к поверхности мишени скорости происходит изменение характера взаимодействия иона и поверхности твердого тела, которое изменяется от притяжения до отталкивания в зависимости от величины параллельной скорости налетающего иона.

Научная и практическая ценность. Исследовано влияние адсорбции кислорода на ВИЭ с поверхности меди, дана интерпретация результатов в рамках модели электронного туннелирования.

Показано влияние деформации мишени (растяжении фольги) на ВИЭ. Впервые эксперимент поставлен таким образом, что имеется возможность минимизации влияния факторов, обусловленных подготовкой и различными условиями эксперимента. Полученные результаты указывают на возможности применения ВИМС для анализа деформированной поверхности, что может найти применение в таких областях как: восстановление стертых маркировочных знаков, контроль состояния металлоконструкций.

Исследовано влияние магнитного фазового перехода на ВИЭ. Многие из использованных в работе материалов ранее методом ВИМС не исследовались. Полученные данные позволяют получить новую информацию о процессах эмиссии с поверхности ферромагнетиков при магнитном фазовом переходе по сравнению с методами, не обладающими разрешением по массам и энергиям эмитированных частиц.

Полученные результаты можно рассматривать как вклад в создание количественной теории ВИЭ.

Результаты экспериментов по рассеянию под скользящими углами показали, что не во всех случаях при построении потенциала взаимодействия налетающей атомной частицы и поверхности твердого тела последнюю возможно рассматривать только как ионную систему. Полученные результаты в принципе не могут быть интерпретированы в рамках такого представления, при их объяснении была показана необходимость принятия к рассмотрению электронной подсистемы твердого тела и был построен новый модельный потенциал, позволяющий строить более адекватные модели процессов взаимодействия атомных частиц и поверхности в других задачах физики столкновений. Исследование процессов зарядового обмена при рассеянии под скользящими углами позволило показать, что в некоторых случаях при взаимодействии иона и поверхности имеет место более сильное отталкивание от поверхности, чем при рассеянии нейтральных частиц в аналогичных условиях.

Апробация работы: По теме диссертационной работы опубликовано 13 печатных работ. Результаты, вошедшее в работу, были представлены на 6 международных конференциях: Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП), Москва 2001, 2003, Диагностика поверхности ионными пучками, Запорожье, 2000, 3d European workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry, Muenster 2002, 3-ей Республиканской конференции по физической электронике, Ташкент, 2002, (International Conference on Atomic Collisions In Solids) ICACS 21 Genova, Italy, 2004.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Работа содержит 98 страниц, 39 рисунков и список цитируемой литературы из 73 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Адамов, Георгий Валерьевич

5. Заключение.

В работе было экспериментально исследовано влияние различных состояний поверхности на ВИЭ (механического, химического, магнитного,), а также формирование пространственного и зарядового распределения частиц, рассеянных на атомно-гладкой монокристаллической поверхности под скользящими углами.

В результате этих исследований были получены следующие результаты:

• Исследовано влияние адсорбированного на поверхности поликристаллического Си кислорода на выход вторичных ионов Си+. Установлено, что происходят изменения вида энергоспектров (их формы и интенсивности) вторичных ионов Си+. Даны объяснения наблюдаемых эффектов на основе модели электронного туннелирования.

• Показано влияние различной степени деформации на выход вторичных ионов А1+ и Си+ из поликристаллических фольг А1 и Си. Обнаружено увеличение выхода ВИЭ с деформацией, эта зависимость носит экспоненциальный характер и выходит на насыщение в случае Си.

• Продемонстрировано влияние магнитного фазового перехода на энергоспектры вторичных ионов. Установлено, что наиболее вероятная энергия эмиссии не зависит от магнитного состояния исследуемого материала. Обнаружено уширение энергоспектра в парамагнитном состоянии по сравнению с ферромагнитным. Наличие нескольких пиков в зависимости выхода ВИЭ от температуры облучаемой мишени объяснено магнитными фазовыми переходами сплава и входящих в него элементов.

Исследованы процессы зарядового обмена при рассеянии под скользящими углами при различных скоростях движения налетающей частицы в параллельном (0.001 - 0.010 а.е.) и перпендикулярном (0.005 - 0.23 а.е.) направлении по отношению к поверхности мишени. Показано, что при больших параллельных к поверхности мишени скоростях в случае рассеяния первичных ионов - содержание ионов в рассеянных частицах (после акта рассеяния) ниже, нежели при рассеянии первичных нейтральных частиц.

Исследованы характеристики пространственного распределения рассеянных под скользящими углами ионов и атомов различных элементов (Ar, Ne, Не, Na, S, С1, О) в широком диапазоне энергий от 5 до 80 КеВ. Для их интерпретации построен новый модельный потенциал, состоящий из двух частей: отталкивающей части, описывающей взаимодействие с ионной подсистемой и части с переменным знаком, описывающей взаимодействие с электронной подсистемой твердого тела. Обнаружено, что с увеличением параллельной к поверхности мишени скорости частицы происходит уменьшение разности углов рассеяния нейтральной компоненты, при рассеянии первичных нейтральных частиц и первичных ионов, что говорит об изменении характера взаимодействия иона и поверхности твердого тела, которое изменяется от притяжения до отталкивания в зависимости от параллельной скорости налетающего иона.

В заключение, я хотел бы поблагодарить своих научных руководителей д.ф.-м.н., проф. Ильдара Фоатовича Уразгильдина, к.ф.-м.н. Льва Борисовича Шелякина за предоставленную возможность работать в своей научной группе, постоянное внимание и помощь в работе. Так же хочу поблагодарить проф. Доктора Хельмута Винтера (Гумбольдский Университет, Берлин) за возможность проведения части экспериментов в его научной группе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Адамов, Георгий Валерьевич, 2005 год

1. Н. Niehus, W. Heiland, and Е. Neglauer. // Surf. Sci. Rep. 1993. V. 17, P.213

2. P. Sigmund. // Phys. Rev. 1969. V.184. P.383. 1969. V.187 P.768.

3. G. Leibfried. // J. Appl. Phys. 1959. V.30. P.1388. G. Leibfried. // J. Appl. Phys. 1960. V.31, P.l 17

4. M. Томпсон. // «Дефекты и радиационные повреждения в металлах» Мир. Москва. 1971. 367 С.

5. И.Ф. Уразгильдин. // Известия РАН. Сер. Физ. 1996. Т.60. №3 С.44

6. М. Yu. // in book "Sputtering by Particle Bombardment III", edited by R. Behrish and K. Wittmaack. Springer Series in Topics in Applied Physics. Springer, Berlin, 1991. V.64, P.91.

7. W.F. van der Weg, Rol P.K. // Nucl. Instrum. Meth. 1965. V.38. P.247.

8. A. Blandin, A. Nourtier, and D.W. Hone. // J. Phys. 1976. V.37. P. 369 R. Branko and D.W. Newns. // Surf. Sci. 1981. V. 108 P.253

9. Z. Srobek. // Phys. Rev. B. 1982. V.25, P.6046.

10. Z. Srobek, G. Falkone. // Surf. Sci. 1986. V.166. P.L136.

11. G. Falkone, A. Olivia, Z. Srobek. // Surf. Sci. 1986. V.177. P.221.

12. D.V. Klushin, M.Yu. Gusev, S.A. Lysenko, I.F. Urazgil'din. // Phys.Rev. B. 1996. V.54, N.10. P.7062.

13. Д.В. Клушин, М.Ю. Гусев, И.Ф. Уразгильдин. //ЖЭТФ. 1994. N.106. С.225.

14. E.Yu.Usman, Yu.T.Matulevich, I.F.Urazgil'din. // Vacuum. 2000. V.56. P.293.

15. Homer D. Hagstrum. // Phys. Rev. 1954. V.96. N.2. P.336.

16. M.W. Thompson. // in: D.V. Morgan (Ed), Channeling, Wiley, London, 1973. P.l.

17. G.R. Piercy, F. Brown, J.A. Davies, M McCargo. // Phys. Rev. Lett. 1963.1. V.10 P.399.

18. D.S. Gemmell. // Rev. Mod. Phys. 1974. V.46. P. 129.

19. D.V. Morgan (Ed). // Channeling. Theory, Observation, Applications, Wiley, New York, 1973.

20. R. Sizmann, C. Varelas. // Festkoerperprobleme. 1977. V.17. P.261.

21. L.C. Feldman, J.V. Mayer. // Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis. North-Holland, Amsterdam 1986.

22. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. // The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon Press, New York, 1985. V.l.

23. G. Moliere, Z. Naturforsch. A 2 (1947) 133.

24. О.Б. Фирсов. // ЖЭТФ. 1958. №.7. C.308.

25. J.P. Biersack, J. Ziegler. // in: H. Ryssel H. Glawischnig (Eds.), Ion Implantation Techniques, Springer Series in Electrophysics. Springer, Berlin, 1982. V.10.

26. J.D. Jakson. // Classical Electrodynamics, 2nd edition, Wiley, New York, 1975.

27. P.M. Echenique, F. Flores, R.H. Ritchie. // Solid State Physics, Academic Press, New York, 1990. V.43. P. 229.

28. R. Nonez, P.M. Echenique, R.H. Ritchie, J. Phys. С 13 (1980) 4229

29. P.M. Echenique, R.H. Ritchie, N. Barberan, J.C. Inkson. // Phys. Rev. В V.23. 1981. P.6486.

30. P.M. Echenique, F.J. Garcia de Abajo, V.M. Ponce, M.E. Uranga. // Nucl. Instrum. Methods B. 1995. V.96. P.583.

31. F.J. Garcia de Abajo, P.M. Echenique. // Phys. Rev. В 1992. V.46. P.2663.

32. F.J. Garcia de Abajo, P.M. Echenique. // Phys. Rev. В 1993. V.48 P.13399.

33. F.A. Kaempffer. // Consepts in Quantum Mechanics, Academic Press, New York and London, 1965.

34. A. Messiah, Quantum Mechanics. // North-Holland, Amsterdam 1986. Vol II, 11 Edition.

35. E. Fick. // Einfuehrungin die Grundlagender der Quantentheorie, Akademische Verlagsgesellschaft, Wiesbaden, 1979.

36. D.M. Newns. // Comments Cond. Mat. Phys. 1989. V.14 P. 295.

37. H. Schroeder. //Nucl. Instrum. Metheds В 1984. V.2. P.213.

38. R. Zimny, Z. Miskovic, N.N. Nedeljkovic, Lj.D. Nedeljkovic. // Surf. Sci. 1991. V.255 P.135.

39. R. Zimny, Z. Miskovic. // Nucl. Instrum. Methods В 1991. V.58. P.387

40. B.E. Чекин, Ю.Т. Матулевич, И.Ф. Уразгильдин, Л.Б. Шелякин. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000, N 8, С.64.

41. Ю.Т. Матулевич //Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Физический факультет МГУ 2000.

42. Г.В Адамов, М.К. Боброва, К.Ф. Миннебаев, Л.Б. Шелякин // Тезисы 15-ой международной, конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью", август 2001, Звенигород, Т.1, С. 328-330.

43. В.Е. Юрасова, B.C. Черныш, М.В. Кувакин, Л.Б. Шелякин. // Письма в ЖТФ. 1975 Т.21.С. 197.

44. А.И. Абакумов, М.А. Васильев, А.А. Косячков. // Письма в ЖТФ. 1975 Т.1 С. 945.

45. G. Schaarschmidt, L.B. Shelyakin, L.P. Razvina, et al. // Proc. Symp. on Sputtering. Wien, Austria. 1980. P. 216.

46. В.И Бачурин, B.E. Журавский, E.C. Харламочкин и др. // Письма в ЖТФ. 1981 Т.7. С.730.

47. Н.А. Георгиева, Т.П. Мартыненко. // Поверхность. 1986. №11, С.11.

48. R. Shakirov, L. Shelyakin, V. Yurasova et al. // Nucl. Inst. Meth. 1992. У.67 P.540.

49. Л.Б. Шелякин, А. Бишофф, B.E. Юрасова, Г. Шаршмидт. // Поверхность. 1983. №6. С.65.

50. У.Е. Yurasova. // Vacuum. 1986. V.36. Р.345. Vacuum. 1983. V.33. P.609.

51. А.З. Меньшиков, В.А. Шемтаков. // ФММ. 1977. 43. 722.

52. Ю.Л. Родионов, Г.Г. Исфандияров, О.С. Сарсербин. // ФММ 1979. 48. tV 979

53. В.Т. Черепен., М.А. Васильева. // "Вторичная ионно-ионная эмиссия металлов и сплавов". 1975.

54. С. Staudt, R. Heinrich, A. Wucher, V. Tugushev, N. Dzhemilev.// NIMB. 2000. V.164. P.715.

55. G. Slodzian and J.F. Hennequem. // C.R. Acad. Sci. 1966. 263. 1246. A. Benninghoven. // Surf. Sci. 1975. V.53. 596.

56. W. Reuter. //Anal. Chem. 1987. V.59. P.2031.

57. I.F. Urazgil'din. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P 4139.

58. J.W. Gadzuk. // Surf. Sci. 1967. V.6. P. 133.

59. N.D. Lang, W. Kohn. // Phys. Rev. B. 1973. V. 7 P.3541.

60. N.D. Lang, S. Holloway, J.K. Norskov. // Surf. Sci. 1985. V.150. P.24.

61. P. Nordlander, N.D. Lang. // Phys. Rev. B. 1991 V.44 P.13681.

62. P. Nordlander, J.C. Tully. // Phys. Rev. B. 1990. V.42. P. 5564.

63. G. Blaise, G. Slodzian. // Surf. Sci. 1973. V. 40 P.708. G. Blaise, M. Bernheim. // Imbid. 1975. V 47. P.234.

64. Sroubek Z. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25 P.6046.

65. D.V. Klushin, M.Yu. Gusev, I.F. Urazgil'din // Nucl. Instrura. Methods Phys. Res. B. 1995 V.100. P.316.

66. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, and U. Littmark. // The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamnon Press, New York, 1985. V.l.

67. E.W. McDaniel, J. B. A. Mitchell, and M.E. Rudd. // "Atomic collisions". Wiley, New York 1993.

68. A.W. Kleyn and T.C.M. Horn. // Phys. Rep. 1991. V.199. P.191.

69. M.J. Puska, R.M. Nieminen, and M. Manninen, Phys Rev. B. 1981. V.24.v1. P.3037.

70. M.J. Stott and E. Zaremba. // Can. J. Phys. 1982. V.60. P.l 145.

71. W. Kohn and L. Sham. // Phys. Rev. 1965. V.140. P.A1133.

72. K. W. Jacobsen and J.K. Norskov. // in The Structure of Surfaces II. Springer Series in Surface Sciences 11, 1987. Edited by J.F. van der Veen and M.A. van Hove. P.118.

73. M.W. Finnis and V. Heine.// J. Phys. 1974. F 4. L37.

74. M.J. Puska. // Springer Proc. in Phys. Springer-Verlag, Berlin, 1990 . V.48. P.134.

75. Список публикаций по теме диссертации

76. Г.В. Адамов, Д.А. Конов, Л.Б. Шелякин, В.Е. Юрасова. // Особенности распыления Ni в ферро- и парамагнитном состоянии при различных углах падения ионов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. №8. С.55.

77. D.A. Konov, A.S. Mosunov, G.V. Adamov, L.B. Shelyakin, V.E. Yurasova. // Angular dependence of sputtering for nickel in ferro- and paramagnetic states. Vacuum. 2001. V.64. P.47.

78. G.V. Adamov, V.M. Bukhanov, J.S. Colligon, K.F. Minnebaev, A.A. Nasretdinov, L.B. Shelyakin, V.E. Yurasova, E.Yu. Zykova. // Secondary ion emission of Fe-Ni alloys in the temperature range including the Curie point. Vacuum. 2004. V.73, P.47.

79. Г.В. Адамов, M.K. Боброва, К.Ф. Миннебаев, E.B. Сонг, Л.Б. Шелякин, И.Ф. Уразгильдин. // Влияние адсорбции кислорода на вторично-ионную эмиссию из меди. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. №3, С.36.

80. A. Schuller, G. Adamov, S. Wethekam, К. Maass, A. Mertens, and H. Winter. // Dynamic dependence of interaction potentials for keV atoms at metal surfaces. Phys. Rev. A, V.69, P.050901. (2004).

81. S. Wethekam, G. Adamov, H. Winter. // Neutralization of keV Ne+ and Ar+ ions during grazing scattering from an Al(lll) surface. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2005. V.230. P.305.

82. Г.В. Адамов, И.Ф. Уразгильдин. // Влияние адсорбции кислорода на вторичную ионную эмиссию с грани (110) Си. Сборник тезисов докладов 3-ей Республиканской конференции по физической электронике. Ташкент, 2004. С.51.

83. G.V. Adamov, I.F. Urazgildin // Influence of oxygen adsorbsion on secondary ion emission from copper single crystal (110). Book of abstracts of 3d European workshop on Secondary Ion Mass Spectrometry. Muenster, 2002. P.92.

84. Г.В Адамов, М.К. Боброва, К.Ф. Миннебаев, Л.Б. Шелякин // Влияние деформации А1 на выход вторичных ионов. Тезисы 15-ойл- международной, конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью"

85. ВИП-2001. Звенигород, 2001. Т.1, С. 328-330.

86. Г.В. Адамов, Д.А. Конов, В.Е. Чекин, Л.Б. Шелякин, В.Е. Юрасова. // Угловая зависимость распыления поликристалла никеля при магнитном фазовом переходе. Тезисы симпозиума "Диагностика поверхности ионными пучками". Запорожье, 2000. С.7.

87. A. Schueller, S. Wethekam, G. Adamov, A. Mertens, K. Maas, H. Winter, K. Gaertner. // Interatomic potentials from rainbow scattering of KeV noble gas

88. Ь atom under axial channeling. Genova, Italy, 2004. ICACS 21. P.233.