Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Бабенко, Павел Юрьевич

• Бабенко, Павел Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Бабенко, Павел Юрьевич

Введение.

Глава I. Обзор работ по исследованию рассеяния при бомбардировке поверхности твердого тела ионами кэВ-энергий.

1.1. Рассеяние медленных ионов.

1.1.1. Процессы, сопровождающие ионную бомбардировку твердого тела.

1.1.2. Кинематика столкновения иона с поверхностью.

1.1.3. Потенциалы взаимодействия.,

1.1.4. Процессы перезарядки при рассеянии.

1.1.5. Неупругие потери энергии.

1.1.6. Эффект двукратного ионного рассеяния.

Выводы и постановка задачи диссертационной работы.

Глава II. Метод спектроскопии медленных рассеянных ионов (СМРИ).,

2.1. Установка СПЕКТР-97 для СМРИ.,

2.1.1. Источник ионов.

2.1.2. Электростатический анализатор Юза-Рожанского.

2.1.3. Цилиндрический анализатор с фокусировкой "кольцо-ось".

2.1.4. Детекторы заряженных частиц и приборы управления экспериментом.

2.2. Настройка экспериментальной установки,.

2.2.1. Вакуумные условия проведения эксперимента и подготовка поверхности образцов.,

2.2.2. Оптическая и отклоняющая система ионного источника.

2.2.3. Юстировка положения мишени.;.

2.2.4. Процедура измерения энергетических спектров.

Выводы и параметры экспериментальной установки.,

Глава III. Результаты измерений и их обсуждение.

3.1. Экспериментальные данные измерений энергетических распределений частиц, эмитированных при ионной бомбардировке поверхности.,

3.1.1. Экспериментальные спектры в зависимости от угла наблюдения, сорта атомов мишени и энергии первичного пучка ионов.

3.1.2. Результаты измерения неупругих потерь энергии.

3.2. Исследование эффекта двукратного рассеяния для заряженных частиц.

3.2.1. Исследование угловых зависимостей.

3.2.2. Эффект двукратного рассеяния для различных мишеней и в зависимости от энергии бомбардирующих ионов.,

3.3. Эмиссия положительных и отрицательных ионов в результате трех- и четырехкратных столкновений в твердом теле.,

3.3.1. Обнаружение эмиссии ионов в результате трех- и четырехкратных столкновений.,

3.3.2. Исследование многократных столкновений для различных мишеней и в зависимости от первоначальной энергии пучка.

3.4. Применение эффекта двукратного рассеяния для определения доли кластеров атомов германия в твердых растворах SiixGex.

3.4.1. Применение СМРИ в случае малоуглового рассеяния.

3.4.2. Демонстрация применимости метода для анализа тонких пленок.

3.4.3. Разработка спектроскопии обратно рассеянных ионов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффекты многократного ионного рассеяния и их использование для диагностики твердых растворов»

Актуальность работы:

Исследование взаимодействия ионов с поверхностью является одним из основных направлений физической электроники. В результате облучения поверхности ионами происходит множество процессов: распыление, рассеяние, эмиссия электронов и квантов, имплантация. В этом ряду изучение рассеяния весьма важно для выяснения закономерностей взаимодействия в системе ион-поверхность твердого тела, а также для развития методов элементного и структурного анализа.

Как известно, характерными особенностями энергетического спектра рассеянных частиц, являются пики однократного и двукратного рассеяния налетающего иона на атомах мишени и пик частиц отдачи. Большинство выполненных до настоящей работы исследований посвящено изучению однократного рассеяния и его применению для элементного анализа твердых тел. Этот вопрос разработан достаточно подробно, так как сигнал от однократно рассеянных частиц присутствует в спектре практически при любых условиях проведения эксперимента. Полученные в настоящей работе данные по однократному рассеянию медленных ионов полностью согласуются с результатами предшествующих исследований.

Эффект двукратного рассеяния изучен в меньшей степени. После предсказания и последующего экспериментального подтверждения эффекта двукратного рассеяния в 1965 году его исследованию было посвящено существенно меньшее количество работ, чем однократному рассеянию. Вклад частиц, испытавших двукратное рассеяние, проявляется в энергетических спектрах только при определенных условиях, которые зависят от энергии бомбардирующих частиц, ориентации и типа мишени, угла наблюдения. Вид спектра эмитированных частиц, испытавших двукратное рассеяние, существенно зависит от их зарядового состояния (атомы или ионы).

В экспериментах по рассеянию анализируются либо полные потоки частиц с помощью времяпролетной методики, либо только заряженная компонента с помощью электростатического анализа. У каждой из этих методик есть свои достоинства и недостатки. В настоящей работе измеряются спектры заряженных частиц, которые, как правило, составляют малую долю от полного потока. Поэтому изучение эффекта двукратного рассеяния для ионов является актуальной задачей. Чтобы решить эту задачу, необходимо измерить энергетические спектры положительных ионов для различных типов мишеней и параметров проведения эксперимента.

Актуальной представлялась разработка метода анализа кластерной составляющей в твердых растворах, применяемых при изготовлении приборов быстродействующей электроники. На момент начала настоящих исследований не существовало прямых способов определения доли атомов ве твердого раствора 810е, объединенных в кластеры.

В лаборатории Атомных столкновений в твердых телах ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН в спектрах отрицательных частиц, эмитированных при бомбардировке углеродной мишени ионами аргона, наблюдались широкие образования. Было предположено, что эффект связан с эмиссией отрицательных ионов углерода в результате нескольких столкновений в твердом теле. Для установления природы обнаруженного эффекта необходимо было провести развернутые исследования спектров частиц, эмитированных из разных мишеней в широком диапазоне параметров взаимодействия ионов с поверхностью.

На момент выполнения настоящей работы, данные об отрицательных частицах, эмитированных при ионной бомбардировке поверхности, в литературе практически отсутствовали. Следовательно, изучение эмиссии отрицательных ионов представляет определенный интерес, как любое малоизученное явление.

Цель настоящей работы:

Измерение энергетических спектров положительных ионов, эмитированных при бомбардировке поверхности твердого тела ионами кэВ-энергий для малых (<30°) углов рассеяния, и энергетических спектров положительных и отрицательных ионов и электронов, эмитированных под большим (-129°) углом к направлению первичного пучка.

Выяснение вопроса, подчиняется ли эффект двукратного рассеяния ионов закономерностям, справедливым для нейтральных частиц.

Исследование вклада в энергетические спектры ионов, эмитированных в результате нескольких последовательных соударений в твердом теле.

Разработка метода количественной оценки кластерной фракции атомов Ое в твердых растворах 81].хОех с малым содержанием германия (х~5%).

Научная новизна работы:

В энергетических спектрах положительных и отрицательных ионов, эмитированных при ионном облучении, обнаружены частицы, покинувшие твердое тело в результате нескольких последовательных парных соударений.

Впервые метод спектроскопии медленных рассеянных ионов и эффект двукратного ионного рассеяния применены для диагностики кластеров в твердых растворах 81Се.

Научная и практическая значимость работы:

Получен значительный объем данных об энергетических спектрах и о соотношении интенсивностей двукратно и однократно рассеянных ионов в зависимости от сорта мишени в широком диапазоне масс, энергии налетающих частиц и угла наблюдения.

Показано, что эффект двукратного рассеяния ионов подчиняется закономерностям, справедливым для нейтральных частиц и может быть использован для структурного анализа поверхности твердых тел.

В спектрах отрицательных и положительных ионов, рассеянных под большим (129°) углом к направлению первичного пучка, обнаружены частицы, эмитированные в результате трех- и четырехкратных столкновений в твердом теле. Эмиссия этих частиц может быть объяснена селектирующей ролью поверхности твердого тела, подобной эффекту каналирования в кристаллах.

Разработан метод количественной оценки кластерной фазы атомов германия в твердом растворе 811.хОех с малым содержанием германия х~5-^10%, основанный на спектроскопии медленных рассеянных ионов и эффекте двукратного ионного рассеяния.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Измерение энергетических спектров положительных ионов, рассеянных на малые 9=5-т-30° углы, и энергетических спектров положительных и отрицательных ионов и электронов, эмитированных под углом 129° к направлению первичного пучка. Диапазон энергий налетающих ионов Аг+ Ео=1-ь5 кэВ. Мишени - С, А1, 81, Т1, ве и 1п.

2. Установление закономерностей двукратного рассеяния для ионной компоненты рассеянных частиц.

3. Обнаружение частиц, покинувших твердое тело в результате нескольких последовательных парных соударений.

4. Разработка метода определения доли кластерной фракции атомов ве в твердых растворах 81ьхОех с х~5%, основанного на анализе однократного и двукратного рассеяния.

Исследования, представленные в диссертации, выполнены в лаборатории Атомных столкновений в твердых телах Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе Российской Академии Наук в период с 2003 по 2007 год.

По результатам исследований представлены доклады на XVI, XVII и XVIII Международных конференциях по взаимодействию ионов с поверхностью (ВИП-2003, ВИП-2005 и ВИП-2007) и доклад на 12"ом международном симпозиуме: Nanostructures: Physics and Technology в 2004 году. Результаты исследований, вошедших в данную работу, опубликованы в трудах выше названных конференций и в статьях [1-9].

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Бабенко, Павел Юрьевич

Выводы

В настоящей работе предложен метод диагностики элементной неоднородности твердых растворов 81]хОех с малым содержанием германия, а именно определения доли атомов ве в кластерной фазе. Метод основан на спектроскопии медленных рассеянных ионов и эффекте двукратного ионного рассеяния.

Продемонстрирована применимость метода как в случае массивных образцов, так и тонких (-100 нм) пленок. Разработана процедура количественной оценки доли кластеров Ое в образцах 811.хОех.

Показано, что применение спектроскопии ионов, рассеянных назад, позволяет: уверенно выделять в энергетическом спектре пики одно- и двукратного рассеяния бомбардирующих ионов на атомах Ое, существенно (с 25% до 10%) повысить точность определения доли кластеров ве и до 5% понизить предел обнаружения кластерной составляющей в исследуемых образцах.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате настоящей работы:

1. Измерены энергетические спектры частиц, эмитированных при ионной бомбардировке мишеней из Ве, С, А1, 81, ве и 1п. Диапазон энергий бомбардирующих ионов аргона Аг+ Е0=1-ь5 кэВ. Углы наблюдения 0=5-нЗО° и 129° по отношению к направлению первичного пучка. Для "малых" углов измерены спектры положительно заряженных ионов (однократно и двукратно рассеянных ионов аргона и ионов отдачи). Для угла наблюдения 129° и мишеней из С, Б!, Ое и 1п измерены спектры положительных ионов и отрицательно заряженных частиц (ионов и электронов).

2. Показано, что эффект двукратного рассеяния проявляется при работе с ионной компонентой рассеянных частиц, составляющей лишь малую долю в полном потоке рассеянных частиц, и подчиняется закономерностям, справедливым для нейтральных частиц. Это позволяет использовать анализ заряженной компоненты для диагностических целей.

3. В спектрах отрицательных и положительных ионов, рассеянных под большим (129°) углом к направлению первичного пучка, обнаружены частицы, эмитированные в результате трех- и четырехкратных столкновений в твердом теле. Эмиссия этих частиц может быть объяснена селектирующей ролью поверхности твердого тела, подобной эффекту каналирования в кристаллах.

4. Предложен метод определения доли кластеров в твердых растворах 811хОех, основанный на спектроскопии медленных рассеянных ионов и эффекте двукратного ионного рассеяния. Разработана процедура количественной оценки доли кластеров ве в образцах З^-хве*.

5. Показано, что применение спектроскопии ионов, рассеянных назад для диагностики твердых растворов 811.хОех с малым содержанием примесных атомов ве позволяет: уверенно выделять в энергетическом спектре пики одно-и двукратного рассеяния бомбардирующих ионов на атомах Ое. Точность определения доли кластеров Ое составляет величину 10%, а предел обнаружения кластерной составляющей в исследуемых образцах 5%.

6. Показано, что метод спектроскопии медленных рассеянных ионов применим для диагностики элементных неоднородностей твердых растворов 811.хОех с малым содержанием германия, как в случае массивных образцов, так и тонких (-100 нм) пленок.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность научному руководителю - главному научному сотруднику, профессору А. П. Шергину за предложенное направление исследований и всестороннюю помощь при выполнении настоящей работы.

Выражаю искреннюю благодарность заведующему лабораторией, профессору Ю. С. Гордееву за внимание и интерес к работе.

Искренне признателен моим коллегам - старшему научному сотруднику В. М. Микушкину соавтору двух совместных публикаций, научному сотруднику Д. В. Денисову и профессору Н. В. Абросимову за предоставленные образцы, инженеру И. М. Фишер за помощь при автоматизации эксперимента.

134

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Бабенко, Павел Юрьевич, 2007 год

1. Шергин А. П., Бабенко П. Ю., Микушкин В. М. Исследование элементной неоднородности твердых растворов Sii.xGex методом спектроскопии медленных рассеянных ионов // Известия РАН (Сер. физ.).- 2004.-Т. 68, №3.-С. 380-384.

2. Babenko P. Yu., Mikouskin V. M., Shergin A. P. Diagnostics of Ge Clusters in SiixGex alloy using the double ion scattering effect // 12-th International symposium, Nanostructures: Physics and Technology.- St.-Petersburg, Pushkin 2004,-p. 158-159.

3. Бабенко П. Ю., Шергин А. П. Эффект двукратного рассеяния и его использование для диагностики твердых растворов Sii.xGex // Тез. докл. XVII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью ВИП-2005.-Звенигород 2005.-т. 1.-е. 221-223.

4. Бабенко П. Ю., Микушкин В. М., Шергин А. П. Эффект двукратного рассеяния и его использование для диагностики твердых растворов Sii.xGex // Журнал технической физики.-2005.-Т. 75, №12.-С. 82-88.

5. Бабенко П. Ю., Шергин А. П. Диагностика твердых растворов SiixGex методом спектроскопии медленных ионов, рассеянных назад // Письма в Журнал технической физики.-2007.-Т. 33, №9-С. 37-43.

6. Бабенко П. Ю., Шергин А. П. Спектроскопия медленных обратно рассеянных ионов для диагностики твердых растворов Si.xGex // Тез. докл. XVIII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью ВИП-2007.- Звенигород 2007 т. 1- с. 271-274.

7. Brongersma Н. Н., Draxler М., de Ridder М., Bauer Р. Surface composition analysis by low-energy ion scattering // Surface Science Reports 2007.-V. 62,-P. 63-109.

8. Уразгильдин И. Ф. Рассеяние медленных ионов // Известия РАН (Сер. физ.).- 1996.-Т. 60, №7.-С. 6-19.

9. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986-1987 гг.: Пер. С англ./Сост. Е. С. Машкова.- М.: Мир, 1989.349 с.

10. Уразгильдин И. Ф. Вторичная ионная эмиссия // Известия РАН (Сер. физ.).-1996.-Т. 60, №7-С. 44-61.

11. Дорожкин А. А., Филимонов А. В. Двухзарядные ионы в масс-спектрах вторичной ионной эмиссии // Тез. докл. XII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью ВИП-1995-Москва 1995-т. 1с. 259-263.

12. Benninghoven А. Developments in secondary ion mass spectroscopy and applications to surface studies // Surface Science.- 1975.-V. 53, №1.-P. 596-625.

13. Буханов В. M., Миннебаев К. Ф., Уразгильдин И. Ф., Черныш В. С. Вторичная ионная эмиссия прираспылении поликристалла меди // Журнал экспериментальной и теоретической физики.- 1989.-Т. 96, №4(10).-С.1505-1512.

14. Blaise G., Bernheim M. Adsorption of gases studied by secondary ion emission mass spectrometry // Surface Science 1975.-V. 47, №1.-P. 324-343.

15. Yu M. L. Work-function dependence of negative-ion production during sputtering // Physical Review Letters.- 1978.-V. 40, №9.-P. 574-577.

16. Wittmaack K. Energy dependence of the secondary ion yield of metals and semiconductors // Surface Science 1975.-V. 53, №1.—P. 626-635.

17. Tsipinyuk B. A., Veksler V. I. Energy spectra of secondary ions and secondary ion emission (SIE) mechanisms // Vacuum.- 1979.-V. 29, №4.-P. 155-167.

18. Wittmaack K. // Inelastic Ion-Surface Collisions / Eds Tolk N. H., Tully J. C., Heiland W., White C. W.-N.Y.: Academic Press, 1977.-352 p. (p. 153).

19. Makarenko B., Popov A., Shaporenko A., Shergin A. Velocity dependence of ionization probability of Be, Cu, Ag, W, Pb and Sn atoms sputtered by 5.5 keV Ar+ ions // Radiation Effects and Defects in Solids- 1990.-V. 113, №4.-P. 263-268.

20. Vasile M. J. Velocity dependence of secondary-ion emission // Physical Review B.- 1984.-V. 29, №7.-P. 3785-3794.

21. Wuchner A., Oechsner H. Emission energy dependence of ionization probabilities in secondary ion emission from oxygen covered Ta, Nb and Cu surfaces // Surface Science.- 1988.-V. 199, №3.-P. 567-578.

22. Krauss A. R., Gruen D. M. Secondary-ion emission from clean and oxygen-covered beryllium surfaces // Surface Science.- 1980.-V. 92, №1.-P. 14-28.

23. Hart R. G., Cooper C. B. Energies of Cuj+ ions sputtered from Cu by very low energy (50 eV < E < 1 keV) inert gas ions // Surface Science 1980.-V. 94, №1.-P. 105-118.

24. Lundquist T. R. Energy distributions of sputtered copper neutrals and ions // Journal of Vacuum Science and Technology.- 1978.-V. 15, №2-P. 684-687.

25. Sigmund P. Theory of sputtering. 1. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets //Physical Review.- 1969.-V. 184, №2.-P. 383^16.

26. Коваль А. Г. Энергетические распределения вторичных ионов и вероятности ионизации атомарных частиц, распыленных с поверхности материалов с различной электронной структурой // Радиотехника и электроника 1992.-Т. 37, №11.-С. 2055-2062.

27. Veksler V. I. The energy spectra of the secondary ion emission for transition metals of the fourth period //Vacuum.- 1983.-V. 33, №3.-P. 159-163.

28. Makarenko B. N., Popov А. В., Shaporenko A. A., Shergin A. P. Study of Cun and Cun+ (n=l, 2, 3) cluster formation under ion bombardment // Radiation Effects and Defects in Solids.- 1991.-V. 116, №1-2.-P. 15-20.

29. Джемилев H. X., Верхотуров С. В. Мономолекулярные переходы в масс-спектрах вторичной ионной эмиссии // Известия АН СССР (Сер. физ.).-1985.-Т. 49, №9.-С. 1831-1836.

30. Gnaser Н. Improved quantification in secondary-ion mass spectrometry detecting MCs+ molecular ions // Journal of Vacuum Science and Technology A — 1994.— V. 12, №2.-P. 452-456.

31. Brako R., Newns D. M. Charge exchange in atom-surface scattering: thermal versus quantum mechanical non-adiabaticity // Surface Science.- 1981.-V. 108, №2.-P. 253-270.

32. Norskov J. K., Lundqvist В. I. Secondary-ion emission probability in sputtering // Physical Review В.- 1979.-V. 19, №11.-P. 5661-5665.

33. Lang N. D. Ionization probability of sputtered atoms // Physical Review B.-1983.-V. 27, №4.-P. 2019-2029.

34. Yu M. L. Work-function dependence of negative-ion production during sputtering //Physical Review Letters.- 1978.-V. 40, №9.-P. 574-577.

35. Sroubek Z., Zdansky K., Zavadil J. Ionization of atomic particles sputtered from solids //Physical Review Letters.- 1980.-V. 45, №7.-P. 580-583.

36. Sroubek Z. Ionization of low-energy atoms ejected from ion-bombarded solid surfaces //Physical Review В.- 1982.-V. 25, №9.-P. 6046-6048.

37. Бараджиола P. А. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом: Пер. с англ.-М.: Высшая шк., 1994 752 с.

38. Popov А. В, Makarenko В. N., Shergin A. P. Evidence for electron correlations in secondary ion formation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В.- 1995.-V. 100, №2-3-P. 267-271.

39. Дорожкин А. А., Петров H.H. Ионная оже-спектроскопия. Учебное пособие Л.: ЛПИ, 1983.- 72 с.

40. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела: Пер. с англ.-М.: Мир, 1995.- 321 с.

41. Машкова Е. С., Молчанов В. А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел М.: Атомиздат, 1980.- 256 с.

42. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. Пер. с англ.- М.: Изд-во иностр. лит., 1950.- 150 с.

43. Rabalais J. W. Principles and Applications of Ion Scattering Spectrometry. -Hoboken, New Jersey: Wiley-Interscience, John Wiley & Sons, Inc., 2003.306 p.

44. Hagstrum H. D. // Inelastic Ion-Surface Collisions / Eds Tolk N. H., Tully J. C., Heiland W., White C. W.-N.Y.: Academic Press, 1977.-352 p. (p. 1).

45. Макаренко Б. H., Попов А. Б., Шергин А. П. Зависимость степени ионизации меди от скорости распыленных частиц // Известия АН СССР (Сер. физ.).- 1990.-Т. 54, №7.-С. 1331-1333.

46. Фирсов О. Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения электронов при атомных столкновениях // Журнал экспериментальной и теоретической физики.- 1959.-Т. 36, №5.-С. 1517-1523.

47. Шергин А. П., Шайкин А. В. Исследование столкновений ионов Ne+ и Аг+ с поверхностью Be, С, А1 и Аи методами электронной и ионной спектроскопии // Известия РАН (Сер. физ.).-2002.-Т. 66, №4.-С. 467-471.

48. Lindhard J., Sharff М. Energy dissipation by ions in the keV region // Physical Review.- 1961.-V. 124, №1.-P. 128-130.

49. Ziegler J. F., Biersack J. P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids-NY.: Pergamon Press, 1985.-321 p.

50. Парилис Э. С., Тураев Н. Ю. К теории отражения ионов и атомов от поверхности твердого тела // Доклады АН СССР- 1965.-Т. 161, №1.-С. 84-87.

51. Mashkova Е. S., Molchanov V. A., Parilis Е. S., Turaev N. Yu. The Structure of The Energy Spectra of Ions Scattered from Single Crystals // Physics Letters.-1965.-V. 18,№1.-P. 7-8.

52. Петров H. H., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков-Л.: Изд-во ЛГУ, 1977,- 160 с.

53. Курнаев В. А., Машкова Е. С., Молчанов В. А. Отражение легких ионов от поверхности твердого тела-М.: Энергоатомиздат, 1985.- 192 с.

54. Хайланд В. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом: Пер. с англ.-М.: Высшая шк., 1994 752 с.

55. Taglauer Е., Englert W., Heiland W., Jackson D. P. Scattering of Low-energy Ions from Clean surfaces: Comparison of Alkali- and Rare-Gas-Ion scattering // Physical Review Letters.- 1980.-V. 45, №9.-P. 740-743.

56. Jackson D. P., Heiland W., Taglauer E. Multiple-scattering effects in ion-surface interactions at low energies // Physical Review В.- 1981.-V. 24, №8.-P. 4198-4207.

57. Черепин В. Т. Ионный зонд.- Киев: Наук, думка, 1981 434 с.

58. Шергин А. П. Оже-спектроскопия квазимолекулы: Дис. . док. физ.-мат. наук,-Л., 1987.-214 с.

59. Гордеев Ю. С., Огурцов Г. Н. Об интерпретации энергетических спектров электронов, образующихся при атомных столкновениях // Журнал экспериментальной и теоретической физики.- 1971.-Т. 60, №6.-С. 2051-2059.

60. Красильникова Н. А., Персианцева Н. М., Талашов JI. Г. Характеристики спиральных канальных умножителей// Приборы и техника эксперимента-1972.-№1.-С. 168-169.

61. Задков В. Н., Пономарев Ю. В. Компьютер в эксперименте: Архитектура и программные средства систем автоматизации. Учеб. руководство- М.: Наука, 1988.-376 с.

62. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники: Пер. с англ.- М.: Мир, 1964.-715 с.

63. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел: Пер. с англ./Под ред. Р. Бериша- М.: Мир, 1984.-336 с.

64. Bertrand P., Ghalim М. Energy and angular dependence of the inelastic energy loss in the scattering of low energy He ions from a silicon surface // Physica Scripta.- 1983.-V. T6.-P. 168-172.

65. Ascione F., Manico G., Alfano P., Bonanno A., Mandarino N., Oliva A., Xu F. Scattering of 1960 eV Ne+ from an A1 surface // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В.- 1998.-V. 135, №l-4.-P. 401-406.

66. Tolstogouzov A., Daolio S., Pagura C. Evaluation of inelastic energy losses for low-energy Ne+ ions scattered from aluminum and silicon surfaces // Surface Science.- 1999.-V. 441, №1.-P. 213-222.

67. Xu F., Manico G., Ascione F., Bonanno A., Oliva A., Baragiola R. A. Inelastic energy loss in low-energy Ne+ scattering from a Si surface // Physical Review A.-1998.-V. 57, №2-P. 1096-1106.

68. Li Т., MacDonald R. J. Inelastic energy loss and charge exchange in low-energy heavy ions scattered from Cu and Cu-alloy surfaces // Physical Review B-1995.-V. 51, №24.-P. 17876-17890.

69. Umarov F. F., Narkulov N., Abdullcasymov F. B. Inelastic energy losses of low-energy ions scattered on atoms in gas and on the solid surface // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В.- 2000.-V. 164-165 -P. 656-661.

70. Arnau A., Aumayr F., Echenique P. M. et al. Interaction of slow multicharged ions with solid surfaces // Surface Science Reports.- 1997.-V. 27, №4-6 — P. 113-239.

71. Buck Т. M., Chen Y. S., Wheatly G. N., Van Der Weg W. F. Energy spectra of 632 keV neutral and ionized Ar and He scattered from Au targets: ionized fractions as functions of energy // Surface Science.- 1975.-V. 47, №1.-P. 244-255.

72. Luitjens S. В., Algra A. J., Suurmeijer E. P. Th. M., Boers A. L. Interaction of low energy (5-10 keV) argon atoms and ions with a Cu (100) surface: ion fraction, ionization and neutralization // Surface Science 1980.-V. 99, №3.-P. 652-670.

73. Машкова E. С., Молчанов В. А. О рассеянии ионов кристаллами // Физика твердого тела 1966.-Т. 8, №5.-С. 1517-1521.

74. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ.- М.: Наука, 1978792 с.

75. Kissinger G., Grimmeiss Н. G. Difficulties in doping SiGe alloys with transition metal point defects // Physica Status Solidi A.- 1994.-V. 145, №1-P. K5-K9.

76. Briggs D., Seach M. P. Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy. New York: John Wiley & Sons, 1983 - 533 p.

77. Ogryzlo E. A., Zheng L., Heinrich В., Myrtle K., Lafontaine H. Formation of thin gate oxides on SiGe with atomic oxygen // Thin Solid Films 1998.-V. 321, №1-2.-P. 196-200.

78. Распыление твердых тел ионнОи бомбардировкой. Вып. II. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности: Пер. с англ./Под ред. Р. Бериша- М.: Мир, 1986.488 с.

79. Yu М. L., Lang N. D. Mechanisms of atomic ion emission during sputtering // Nuclear Instruments and Methods В.- 1986.-V. 14, M4-6.-P. 403-413.