Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, доктор физико-математических наук Бачурин, Владимир Иванович

• Бачурин, Владимир Иванович
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бачурин, Владимир Иванович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Обзор литературы.

1.1. Влияние фазовых превращений I и II рода на эмиссию вторичных частиц.

1.1.1 .Температурная зависимость распыления ферромагнетиков.

1.1.2. Влияние полиморфного превращения на распыления.

1.1.3. Изменение с температурой вторичной ионной эмиссии ферромагнитных материалов. .28.

1.2. Особенности распыления поверхности твердых тел ионами химически активных газов.

1.3 Формирование волнообразного рельефа на поверхности твердых тел при ионной бомбардировке.

1.3.1. Экспериментальные результаты.

1.3.2. Модели образования волнообразного рельефа.

7.4. Постановка задачи.

Глава 2. Описание экспериментальных установок и методик проведения экспериментов.

Введение.

2.1. Измерение коэффициентов распыления.

2.1.1. Распыление гадолиния.

2.1.2. Распыление кобальта.

2.1.3. Распыление кремния и диоксида кремния.

2.2. Исследование температурных зависимостей вторичной ионной эмиссии.

2.2.1. Экспериментальная установка I и методика проведения измерений.

2.2.2. Экспериментальная установка II.

2.3. Экспериментальные методы изучения приповерхностных слоев, модифицированных ионной бомбардировкой.

2.3.1. Послойный анализ приповерхностных слоев.

2.3.2. Измерение состава поверхности с помощью РЭОС.

2.3.3. Изучение химического состава поверхности методом РФЭС.

2.3.4. Исследование приповерхностного слоя кремния с помощью ИКФС.

2.3.5. Исследование топографии и структуры поверхности.

2.4. Экспериментальная установка для исследования взаимодействия ионов с поверхностью с in situ анализом методом Резерфордовского обратного рассеяния.

2.5. Методика ионно-ассистированного осаждения покрытий и измерения их свойств.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях»

4.1. Вторичная ионная эмиссия кобальта в области полиморфного превращения (экспериментальные результаты).116

4.2. Вторичная ионная эмиссия при магнитном фазовом переходе (экспериментальные результаты).

4.1.1. ВИЗ никеля при бомбардировке поверхности ионами инертных газов.119

4.1.2. Сравнение температурной зависимости ВИЗ никеля при бомбардировке поверхности ионами инертных и химически активных газов.124

4.1.3. ВИЗ сплава FeCoNi в области магнитного фазового перехода при бомбардировке поверхности ионами инертных газов.127

127

4.3. Обсуждение экспериментальных результатов.

4.3.1. Изменение ВИЗ в области магнитного фазового перехода при бомбардировке поверхности ионами инертных газов.131

4.3.2. Изменение ВИЗ кобальта при полиморфном фазовом превращении.136

4.3.3. Поведение ВИЗ никеля вблизи точки Кюри.138

4.3.4. Влияние типа ионного пучка на ВИЗ никеля при магнитном фазовом переходе.140

Заключение.144

Глава 5. Процессы на поверхности, распыляемой ионами химически активных газов.

Введение.146

5.1. Распыление диоксида кремния ионами аргона и азота.147

5.1.1. Экспериментальные результаты.148

5.1.2. Механизмы распыления диоксида кремния.155

5.2. Изучение поверхностного слоя кремния, модифицированного облучением ионами азота.157

5.2.1. Исследование приповерхностного слоя кремния, облученного ионами азота, методом ВИМС.158

5.2.2. Изучение состава поверхности кремния, облученного ионами азота при различных углах падения, методом РЭОС.163

5.2.3. Определение химического состояния приповерхностного модифицированного слоя методом РФЭС.165

5.2.4. Исследование процесса формирования нитрида кремния методом ИКФС.167

5.2.5. Строение и состав модифицированного слоя кремния, облученного ионами азота.173

5.3. Различия в распылении кремния ионами аргона и азота.174

Заключение.Ill

Глава 6. Особенности формирования рельефа на поверхности кремния при бомбардировке ионами азота.

Введение.179

6.1. Угловой диапазон формирования волнообразного рельефа.179

6.2. Влияние исходной топографии на поверхности на процесс формирования волнообразного рельефа.181

6.3. Микроскопическая модель образования волнообразного рельефа.186

6.4. Субмикронная модель эрозии. .190

6.4.1. Скорость эрозии элемента поверхности. .194

6.4.2. Уравнение субмикронной эрозии. .196

6.4.3. Решение уравнения субмикронной эрозии и его анализ. .198

Заключение.201

Глава 7. Использование распыления для получения поверхностных слоев с заданными свойствами.

Введение.202

7.1. Ионно-индуцированное фазообразование в системе Ni-Al.203

7.1.1. Методика проведения экспериментов.204

7.1.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение.206

2. Ионно-ассистированное осаждение упрочняющих покрытий на основе тройных нитридных соединений.212

7.2.1. Состав покрытий. .214

7.2.2. Структура покрытий. .218

7.2.3. Микротвердость покрытий.221

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.225

Приложение.229

Литература.233

ВВЕДЕНИЕ.

Актуальность темы.

При взаимодействии ускоренных ионов с поверхностью твердых тел происходят процессы, представляющие как научный, так и практический интерес. Передача энергии ионов атомам мишени сопровождается поверхностными нарушениями и возникновением области каскада соударений атомов, глубина залегания которой определяется энергией падающих ионов. При этом происходит эмиссия атомных частиц в основном (распыление), возбужденном (ионно-фотонная эмиссия) и заряженном (вторично-ионная эмиссия) состояниях. Такие частицы несут информацию о составе поверхностных слоев, широко применяются для анализа поверхности твердых тел и напыления тонких пленок, в том числе, различных упрочняющих покрытий.

Ионная бомбардировка поверхности приводит к развитию рельефа, изменению кристаллической структуры и состава многокомпонентных мишеней. В случае применения в качестве первичных химически активных ионов в приповерхностном слое происходит образование химических соединений. При этом свойства модифицированных слоев могут существенно отличаться от объемных свойств твердого тела. В частности, их формирование приводит к увеличению эмиссии вторичных ионов и замедлению роста микрорельефа на поверхности. Этот результат широко применяется во вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) для повышения чувствительности и улучшения послойного разрешения при анализе различных структур. Учитывая легкость управления параметрами ионного пучка (тип, энергия, плотность тока и др.), распыление твердых тел ионами химически активных газов также можно рассматривать в качестве инструмента для создания поверхностных слоев с заданными свойствами.

В последнее время большое внимание уделяется исследованию процессов формирования волнообразного рельефа (BP) на поверхности твердых тел при ионном облучении. Экспериментально установлено, что параметры рельефа (длина волны, амплитуда), а также доза облучения, при которой он зарождается, зависят от типа ионов и условий бомбардировки. Изучавшийся вначале, как фактор, снижающий послойное разрешение при ВИМС анализе, BP (механизм образования которого еще не совсем понятен) находит сегодня применение в нанотехнологиях в микроэлектронике и других областях.

Неравновесные процессы, происходящие при распылении мишени ионами инертных и химически активных газов, могут приводить к формированию различных фаз интерметаллических и химических соединений на границе раздела тонкопленочных структур или в тонких пленок в процессе их напыления. Исследование неравновесных процессов важно для разработки технологии получения покрытий на поверхности твердых тел, изменяющих микротвердость, износостойкость, коррозионную стойкость материалов.

Таким образом, процессы, происходящие при распылении поверхности твердых тел, находят широкое применение в современных технологиях и представляют научный и практический интерес.

Несмотря на то, что взаимодействие ионов с поверхностью твердых тел изучается в течение многих лет, механизмы некоторых явлений изучены недостаточно. Для распыления одноэлементных материалов ионами инертных газов существует несколько моделей, позволяющих рассчитывать коэффициенты распыления при различных углах падения первичных ионов, энергетическое и пространственное распределение распыленных атомов. Однако, распыление как одно-, так и многокомпонентных материалов ионами химически активных газов (кислород, азот), которые применяются в практическом ВИМС анализе, изучено недостаточно, как экспериментально, так и теоретически.

До сих пор не создано единой теории формирования вторичных ионов. Отсутствие ясного понимания механизмов образования вторичных ионов создает большие проблемы для проведения количественного анализа состава поверхности методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Поэтому необходимо проведение экспериментальных и теоретических работ для оценки вкладов различных факторов во вторичную ионную эмиссию.

Для лучшего понимания механизмов эмиссии атомных частиц представляют интерес исследования, в которых эмиссия происходит с поверхности одного и того же образца, находящегося в различных фазовых состояниях, отличающихся известным изменением небольшого числа параметров. Это может осуществляться, например, при фазовых переходах первого и второго рода, когда происходит перестройка кристаллической и электронной структуры поверхностного слоя, а выход нейтральных и заряженных частиц практически не зависит от температуры внутри одной фазы. Изучение особенностей эмиссии атомных частиц в области фазовых переходов позволяет, во-первых, оценить вклад ряда параметров, определяющих распыление нейтральных и заряженных частиц. Во-вторых, дает возможность провести тестирование различных моделей распыления и вторичной ионной эмиссии.

Важные сведения о механизмах эмиссии нейтральных и заряженных частиц можно получить, применяя, в качестве первичных, ионы химически активных газов и изучая угловые зависимости распыления. В этом случае при вариации угла падения ионов изменяется химический состав и структура поверхностного слоя, из которого происходит эмиссия атомных частиц. Имеется небольшое количество работ, в которых изучается модифицированный ионной бомбардировкой слой мишени для кислородных пучков. В то же время, для анализа поверхности представляет интерес использование пучка ионов азота, формирования на ней рельефа и нитридов различных материалов (применяемых, в том числе в микроэлектронной технологии). Это требует проведение дополнительных исследований распыления поверхности ионами химически активных газов и сравнения с результатами, полученными для ионов инертных газов.

Цель и основные задачи работы.

Целью работы явилось исследование особенностей распыления твердых тел ионами инертных и химически активных газов в условиях протекания в образцах фазовых превращений, в результате которых изменяется кристаллическая структура, магнитные свойства и химический состав приповерхностных слоев.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи.

1. Экспериментальное и теоретическое исследование температурной зависимости коэффициента распыления образцов в области полиморфного и магнитного фазовых переходов. Проведение, на основании общепринятых моделей распыления, анализа возможных причин изменения коэффициентов распыления.

2. Изучение влияние фазовых переходов I и II рода на вторичную ионную эмиссию с поверхности мишеней при использовании ионов инертных и химически активных газов. Оценка характера поведения полученных температурных зависимостей вторичной ионной эмиссии с точки зрения существующих моделей образования вторичных ионов и данных по распылению образцов, структуры и состава слоя, модифицированного ионной бомбардировкой.

3. Определение состава и структуры приповерхностного слоя образцов при их облучении ионами химически активных газов.

4. Выявление особенностей и исследование механизмов распыления полупроводников и диэлектриков ионами инертного и химически активного газа.

5. Исследование влияния состава и структуры поверхности, модифицированной ионным облучением, на образование волнообразного рельефа. Построение модели зарождения BP.

6. Изучение процессов ионного перемешивания и фазообра^ования на границе пленка - подложка, в том числе при повышенных температурах.

7. Оценка влияния низкоэнергетичной бомбардировки ионами активного газа на процесс напыления и свойства пленки, используемой в качестве упрочняющего покрытия.

Научная новизна работы.

В работе впервые получены следующие основные результаты.

1. Изучено распыление 4 f-nep входного металла - гадолиния в области магнитного фазового перехода. Установлено, что при переходе в парамагнитное состояние коэффициент распыления Gd увеличивается на 1015%. Для монокристаллического образца обнаружен узкий максимум температурной зависимости коэффициента распыления (У) в окрестности точки Кюри, более, чем в два раза, превосходящий значение Y в ферромагнитом состоянии. Рассчитана добавка к потенциалу взаимодействия атомов в ферромагнитном состоянии, вследствие косвенного обменного взаимодействия атомов Gd Предложено объяснение увеличения коэффициента распылении при переходе через точку Кюри, которое связывается с уменьшением энергии связи атомов на поверхности из-за изменения потенциала взаимодействия атомов в парамагнитном состоянии.

2. Исследовано поведение вторичной ионной эмиссии (ВИЭ) в области магнитного фазового превращения. Установлено, что при переходе образцов из ферро- в парамагнитное состояние происходит ступенчатое изменение ВИЭ, которое объясняется изменениями плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми и энергии связи атомов на поверхности. Знак изменений ВИЭ при магнитном фазовом превращении является противоположным знаку изменения распыления.

3. Установлена возможность изменения магнитных свойств поверхностных слоев при бомбардировке никеля ионами химически активного газа. Измерения, выполненные с помощью РФЭС, показали, что в этом случае в поверхностном слое формируются химические соединения оксид и нитрид никеля, которые являются антиферромагнетиком и парамагнетиком, соответственно.

4. Проведенные исследования изменений состава и химического состояния приповерхностного слоя и остаточной атмосферы вблизи распыляемой поверхности позволили выявить присутствие чисто химического механизма распыления диоксида кремния ионами аргона и азота. Последний заключается в образовании в приповерхностном слое молекул SiO и NO, имеющих низкие значения энергии связи с поверхностью. В результате десорбции этих молекул коэффициент распыления диоксида кремния увеличивается по сравнению с Si.

5. Изучен процесс формирования поверхностного слоя при бомбардировке кремния ионами азота при различных энергиях и углах падения первичного пучка. Установлено, что при углах падения до 35° поверхностный слой представляет собой нитрид кремния, а при больших смесь кремния и нитрида кремния, причем доля последнего резко уменьшается с ростом угла падения ионов.

6. При изучении угловой зависимости коэффициента распыления Y(6) обнаружены особенности в случае распыления кремния ионами азота. При углах падения #>35° кривая Y(6) растет значительно быстрее с увеличением в при бомбардировке поверхности ионами азота по сравнению с ионами аргона. Этот результат связывается с уменьшением.средней энергии связи атомов на поверхности при увеличении угла падения ионов за счет увеличения доли кремния, имеющего меньшую энергию связи.

7. Выявлены факторы, ускоряющие процесс формирования волнообразного рельефа на поверхности при распылении кремния. Предложена модель эрозии твердых тел, которая предполагает зарождение BP при наличии на поверхности неоднородностей нанометрового масштаба.

Научная и практическая ценность работы.

1. В процессе выполнения работы было создано две экспериментальных установки (ИМИ РАН, г.Ярославль, Солфордский университет, Манчестер, Англия) для изучения процессов распыления и вторичной ионной эмиссии и взаимодействия высокоэнергетичных ионов с поверхностью методом Резерфордовского обратного рассеяния.

2. Проведенные исследования температурной зависимости распыления Gd позволили оценить вклад изменения энергии связи атомов на поверхности в распыление. Этот результат, с одной стороны, интересен с физической точки зрения, поскольку показывает, что даже незначительные изменения в потенциалах взаимодействия атомов в твердом теле могут привести к существенным вариациям коэффициента распыления. С другой стороны, этот факт необходимо иметь в виду при использовании ионов химически активных газов в качестве первичных, так как в этом случае ионная бомбардировка формирует приповерхностный слой с отличным от необлученной поверхности значением энергии связи.

3. Сравнение температурных зависимостей вторичной ионной эмиссии и распыления магнитных материалов позволило выявить роль энергии связи на выход вторичных ионов. Она сводится к тому, что, во-первых, влияет на поток распыляемых частиц. Во-вторых, при пересечении частицей поверхности высота потенциального барьера во многом определяет значение одного из основных параметров формирования вторичных ионов в модели электронного туннелирования - нормальную составляющую скорости частицы. Полученные результаты необходимо учитывать при практическом ВИМС анализе магнитных материалов.

4. Обнаруженное в работе влияние типа первичных ионов на температурную зависимость вторичной ионной эмиссии магнитных материалов указывает на возможность создания на поверхности слоев, сравнимых с длиной проективного пробега ионов, с магнитными свойствами, отличных от объемных. Этот результат может использоваться при получении многослойных магнитных структур.

5. Изучение приповерхностных слоев кремния, облученного ионами азота, показывает, что ионная бомбардировка может использоваться для формирования барьерных слоев S13N4 в микроэлектронике. При этом, толщина и стехиометрический состав слоя зависят от легко управляемых параметров пучка.

6. Выполненное в работе моделирование развития рельефа на поверхности кремния при бомбардировке ионами азота может применяться при создании наноструктур в микроэлектронике.

7. Показана возможность получения защитных покрытий формированием интерметаллических соединений ионным перемешиванием металлов пленки и подложки при повышенных температурах. Состав покрытия определяется толщиной пленки, дозой облучения и температурой подложки. Толщина покрытия может значительно превосходить проективный пробег ионов.

Защищаемые положения.

1. Полиморфное превращение кристаллической решетки кобальта из гексагональной плотноупакованной в гранецентрированную кубическую сопровождается увеличением коэффициента Со распыления почти в 1,5 раза. Этот результат объясняется изменением прозрачности монокристалла кобальта при фазовом переходе I рода.

2. При переходе гадолиния из ферро- в парамагнитное состояние коэффициент распыления увеличивается на 10-15%. При этом, в окрестности точки Кюри наблюдается максимум температурной зависимости коэффициента распыления примерно в два раза превосходящий его значение в ферромагнитном состоянии. Увеличение распыления в парамагнитном состоянии связано с существованием отрицательной добавки к потенциалу взаимодействия атомов в ферромагнитном состоянии, возникающей вследствие косвенного обменного взаимодействия атомов Gd. Ее исчезновение при температуре выше точки Кюри приводит к уменьшению энергии связи атомов на поверхности, что обеспечивает увеличение распыления в парамагнитном состоянии.

3. Изменение вторичной ионной эмиссии магнитных материалов при переходе из ферро- в парамагнитное состояние имеет обратный знак к тому, что получено для распыления нейтральных атомов. Это объясняется тем, что коэффициенты распыления и ВИЭ имеют противоположную зависимость от энергии связи атомов на поверхности. В то время как распыление увеличивается с уменьшением энергии связи, ВИЭ - уменьшается. Оценки, выполненные в рамках моделей ВИЭ, включающих энергию связи атомов на поверхности, дают хорошее количественное согласие с полученными экспериментальными результатами. Бомбардировка поверхности никеля ионами химически активных газов изменяет магнитные свойства поверхности.

4. При распылении диоксида кремния ионами аргона и азота необходимо в дополнение к каскадному механизму рассматривать химический механизм распыления. В приповерхностном слое происходит образование газовых молекул SiO и NO, слабо связанных с поверхностью. Их десорбция значительно увеличивает скорость распыления образца.

5. Облучение образцов ионами азота формирует модифицированный приповерхностный слой. Состав и структура слоя определяется углом падения ионов, а толщина зависит от энергии и угла падения ионов. Для кремниевой мишени при углах падения в<35° модифицированный слой представляет собой нитрид кремния, а при больших - смесь кремния и нитрида кремния, причем доля последнего резко уменьшается с ростом угла падения ионов.

6. Угловая зависимость коэффициента распыления кремния ионами азота характеризуется аномально быстрым (по сравнению с распылением поверхности ионами аргона) ростом коэффициента распыления при увеличении угла падения ионов. Поведение кривой Y(6) объясняется уменьшением средней энергии связи при изменении в из-за увеличения доли кремния в приповерхностном слое с ростом угла падения ионов, энергия связи атомов которого почти в два раза меньше, чем для нитрида кремния.

7. Образование волнообразного рельефа при распылении кремния ионами азота происходит в диапазоне углов падения, для которого характерен резкий рост зависимости Y(Q). Наличие рельефа на исходной поверхности значительно ускоряет зарождение BP. Предложена модель эрозии, учитывающая зависимость коэффициента распыления от локального угла падения ионов и размеров на поверхности. Получено уравнение, описывающее зарождение BP, которое имеет волновое решение, если на поверхности существуют неоднородности субмикронного масштаба.

Апробация.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Симпозиуме по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердых тел (Ташкент, 1979), IX International Conference on Atomic Collisions in Solids (Lyon, France, 1981), X International Conference on Atomic Collisions in Solids (Lyon, France, 1983), X International Vacuum Congress (Madrid, Spain, 1983), Всесоюзном семинаре "Диагностика поверхности ионными пучками", (Одесса, 1990), XI Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 1993), I Всероссийской научно- технической конференции «Микроэлектроника» (Москва, 1994), XII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 1995), XIII International Vacuum Congress (Yokohama, Japan, 1995), IX International Conference of Ion Beam Modification of Materials (Canberra, Australia, 1995), I Республиканской конференции по физической электронике (Ташкент, Узбекистан, 1995), Юбилейной конференции "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" (Нижний Новгород, 1996), XI International Workshop on "Inelastic Ion Surface Collisions" (Wangerooge,

Germany, 1996), XIII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью, (Звенигород, 1997), E-MRS 98 (Strasbourg, France, 1998), VII Межнациональном совещании "Радиационная физика твердого тела" (Москва, 1998), II Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника" (Москва, 1998), XIV Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 1999), XV Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 2001), XVI Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 2003), XVII Международной конференции по взаимодействию ионов с поверхностью (Звенигород, 2005), XXXVI Международной конференции "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами" (Москва, 2006), I Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н.Новгород, 2006).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано свыше 50 работ, список основных из которых приведен в конце автореферата.

Вклад автора.

Личный вклад автора в работы, написанные в соавторстве и вошедшие в диссертацию, является определяющим.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения и приложения. Она содержит 257 страниц текста, в том числе 71 рисунок и список литературы из 258 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Бачурин, Владимир Иванович

Основные выводы работы:

1. Созданы две экспериментальные установки для исследования

- процессов распыления твердых тел ионами инертных и химически активных газов низких энергий методом масс-спектрометрии вторичных ионов, нейтральных распыленных частиц и десорбированных с поверхности образца при ионной бомбардировке;

- процессов распыления и ионного перемешивания с анализом in situ образцов методом Резерфордовского обратного рассеяния.

2. Установлено увеличение примерно в 1,5 раза коэффициента распыления монокристалла кобальта при ГПУ-»ГЦК перестройке кристаллической решетки. Изменение распыления Со при полиморфном превращении объяснено уменьшением прозрачности кристалла в ГЦК фазе, что подтверждается хорошим совпадением экспериментально полученных результатов с оценками, выполненными в рамках имеющейся теории распыления.

3. Обнаружено возрастание коэффициента распыления гадолиния при переходе гадолиния из ферро- в парамагнитное состояние. Величина изменения составляет ~15% и слабо зависит от типа первичных ионов инертных газов. В окрестности точки Кюри температурная зависимость коэффициента распыления имеет острый максимум, который почти в два раза превышает коэффициент распыления в парамагнитном состоянии.

4. Предложено объяснение изменения коэффициента распыления при магнитном превращении, связанное с увеличением потенциала взаимодействия и, как следствие, энергии связи атомов на поверхности в ферромагнитном состоянии. Приведены количественные оценки возможного изменения энергии связи, основанные на расчете изменения межатомного потенциала взаимодействия при переходе Gd из ферро- в парамагнитное состояние, которые хорошо согласуются с полученными экспериментальными результатами.

5. Обнаружено, что при облучении образцов ионами инертных газов выход вторичных ионов уменьшается на ~40% при полиморфном а-^/3 превращении в поликристаллическом кобальте и переходе моно- и поликристаллического никеля из ферро- в парамагнитное состоянии. В то же время, такое превращение в FeCoNi сплаве сопровождается увеличением ВИЭ на ~50% . Знаки изменения эмиссии вторичных ионов противоположны изменению коэффициентов распыления этих образцов в области фазовых переходов.

6. Анализ полученных и имеющихся экспериментальных данных и существующих моделей образования ВИЭ дает основание заключить, что существенную роль в поведении температурной зависимости ВИЭ в области фазовых переходов играют изменения энергии связи атомов на поверхности Еь при таких превращениях. Оценки, выполненные в рамках моделей, включающих эту величину в явном виде, хорошо согласуются с полученными результатами по изменению ВИЭ при магнитном фазовом переходе.

7. Установлено, что облучение поверхности никеля ионами химически активных газов кислорода и азота существенным образом изменяет характер поведения температурной зависимости ВИЭ f (Т) в области магнитного фазового превращения. В этом случае исчезают особенности выхода вторичных ионов в окрестности точки Кюри. Полученные результаты позволяют, во-первых, рассматривать вторичную ионную эмиссию в качестве метода исследования магнитного состояния поверхности образцов при их облучении ионами инертных газов. Во-вторых, дают возможность использовать бомбардировку магнетиков ионами химически активных газов для изменения магнитныч свойств приповерхностного слоя (толщина которого определяется энергией и углом падения ионов).

8. Показано, что в распылении диоксида кремния ионами аргона и азота, наряду с каскадным механизмом, принимает участие химический механизм распыления, который заключается в образовании и десорбции газовых молекул SiO и NO. Это приводит к тому, что скорость распыления Si02 ионами Аг+ практически такая же, как скорость распыления Si, а ионами N2+ почти в два раза выше. При этом энергия связи атомов на поверхности Si почти в два раза выше по сравнению с Si02.

9. Исследования состава приповерхностного слоя, выполненные различными методами анализа поверхности, показали, что бомбардировка кремния ионами азота приводит к формированию в вблизи поверхности слоя сплошного нитрида кремния при углах падения в<35°. При больших углах падения приповерхностный слой представляет собой смесь аморфного Si и Si3N4.

10. Обнаружено существенное различие в поведении угловой зависимости коэффициентов распыления кремния ионами аргона и азота. Показано, что это различие обусловлено изменением энергии связи атомов на поверхности при увеличении 0 в случае бомбардировки поверхности пучком ионов N2+, что и приводит к значительно более быстрому росту коэффициента распыления Si ионами N2+, чем ионами Аг+.

11. Предложена модель эрозии поверхности, которая объясняет образование волнообразного рельефа при наличии на ней топографических неоднородностей субмикронного масштаба. В основе модели лежит учет зависимости коэффициента распыления не только от локального угла падения ионов, но и от продольной координаты на поверхности в плоскости падения пучка. Результат моделирования подтвержден экспериментально при изучении процесса зарождения волнообразного рельефа на исходной поверхности, имеющей топографические неоднородности.

12. Показано, что облучение поверхности ионами инертных и химически активных газов позволяет получать защитные покрытия с заданными составом и свойствами. Бомбардировка пленок металлов ионами инертных газов при повышенных температурах дает возможность получения интерметаллических покрытий, состоящих из материалов пленки и подложки. При этом состав покрытия определяется толщиной пленки, дозой

228 облучения и температурой, а его толщина может значительно превосходить проективный пробег ионов.

Бомбардировка напыляемых металлических пленок ионами азота низкой энергии дает возможность получать нитридные тройные и двойные покрытия на основе титана и хрома с высокими значениями микротвердости и коррозионной износостойкостью.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бачурин, Владимир Иванович, 2007 год

1. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша -М.Мир. 1984, т.1,-336 с.

2. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша Р.-М.:Мир, 1986, т.2.-484 с.

3. Евдокимов И.Н., Молчанов В.А., Одинцов Ф.Д., Чичеров В.М. Влияние тепловых колебаний кристаллической решетки на анизотропию коэффициентов распыления и ионно-электронной эмиссии монокристаллов. ДАН СССР, 1967, т.177, с. 550-556.

4. Мартыненко Ю.В. Об угловых зависимостях распыления и ионно-электронной эмиссии монокристаллов. Изв. АН СССР сер. физ., 1966, т. 30, с. 1974-1982.

5. Пугачева Т.С., Сафарбаев И. Влияние температуры на распределение по длинам цепочек коррелированных столкновений, возникающих в каскадах при облучении кристаллов меди. ФТТ, 1967, т. 9, с. 659-661.

6. Юрасова В.Е., Черныш B.C., Кувакин М.В., Шелякин Л.Б. Изменение распыления монокристалла никеля при переходе через температуру Кюри. -Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, с. 197-199.

7. Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Sputtering and secondary ion emission of ferromagnetics near Curie point. In: Contr. Papers "Physics of ionized gazes", Dubrovnic, 1976, p. 245-246.

8. Черныш B.C. Температурные эффекты при взаимодействии ионных пучков с монокристаллами.-Дисс. канд. физ.-мат. наук Москва, 1975.-156 с.

9. Dziurda W., Gabla L., Pedris R., Tuleta M. Phase transition on Ni (111) surface in presence of oxygenous environment. Surf. Sci., 1981, v. 105, p. L277-L280.

10. Новикова С.И. Термическое расширение твердых тел. -М.:Наука, 1974. -291с.

11. Белов К.П. Упругие, тепловые и электрические явления в ферромагнитных материалах. М.: ГИТ Л, 1951. - 279 с.

12. Alers G.A., Neighbours J.R., Sato Н. Temperature dependent magnetic contributions to the high field elastic constants of Ni and Fe-Ni alloy. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 13, p. 40-44.

13. Girifalco H., Weizer V.G. Application of the potential function to cubic metals. Phys. Rev., 1959, v. 114, p. 687-690.

14. Кувакин M.B., Лусников A.B. Взаимодействие двух атомов никеля с различными ориентациями спинов. Матер. V Всесоюзн. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом Минск, 1978, т. 3, с. 3639.

15. Кувакин М.В. некоторые задачи теории распыления. Дисс. канд. физ.-мат. наук. - Москва, 1979. - 147 с.

16. Sigmund P. Collision theory of displacement damage, ion range and sputtering. Rev.Roum.Phys., 1972, v. 17, p. 823-1105.

17. Кувакин M.B., Лусников A.B. Приближенный метод в классической теории рассеяния для степенных потенциалов. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, с. 179-182.

18. Jackson D.P. Binding energies in cubic metal surfaces. Rad. Effects, 1973, v.18. p. 185-189.

19. Гарбер В.И., Федоренко A.M. Фокусировка атомных столкновений в кристаллах. УФН, 1961, т. 83, с. 385-432.

20. Кувакин М.В., Харламочкин Е.С., Юрасова В.Е. Расчет распыления по фокусонной модели. ФТТ, 1978, т.20, с. 2055-2061.

21. Родионов Ю.Л., Исфиндияров Г.Г., Сарсенбин А.И. Упорядочение железо-никелевых сплавов. ФММ, 1979, т. 48, с. 979-985.

22. Меньшиков А.З., Шестаков В.А. Магнитные неоднородности в инварных железо-никелевых сплавах. ФММ, 1977, т. 43, с. 722-733.

23. Меньшиков А.З., Шестаков В.А., Сидородов С.К. Критическое рассеяние нейтронов в инварных железо-никелевых сплавах. ЖЭТФ, 1976, т. 70, с. 163-171.

24. Уманский СЛ., Скаков Ю.А. Физика металлов. М.: Атомиздат, 1978. -352 с.

25. Chernysh V.S., Johansen A., Sarholt-KristensenL. Sputtering yield measurements on h.c.p.and f.c.c. cobalt. Rad.Eff. Lett., 1980, v. 57, p. 119-124.

26. Йохансен А., Йохансен Э., Сахольт-Кристенсен Л., Черныш B.C. Исследование распыления монокристалла кобальта. Матер. VI Всесозн. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом'1, Минск, 1981, т. 1, с. 143-148.

27. Onderdelinden D. Single crystal sputtering including the channeling phenomenon. Can. J. Phys., 1968, v. 46, p. 739-745.

28. Черепин B.T. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. - 328 с.

29. Васильев М.А., Иващенко Ю.Н., Черепин В.Т. Влияние температуры металлической мишени на вторичную ионно-ионную эмиссию. Тез.докл. XV Всесозн. конф. по эмиссионной электр., Киев, 1973, т. 2, с. 170-172.

30. Абакумов А.И., Васильев М.А., Косячков А.А., Кувакин М.В., Черепин В.Т., Черныш B.C., Юрасова В.Е. Изменение вторичной ионной эмиссии при переходе через точку Кюри. Письма в ЖТФД975, т. 1, с.945-948.

31. Абакумов А.И., Васильев М.А., Косячков А.А., Кувакин М.В.,Черепин В.Т., Черныш B.C., Юрасова В.Е. Вторичная ионная эмиссия металлов при фазовых переходах второго рода. Сб. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике, Махачкала, 1976, ч.2, с.201.

32. Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Sputtering and secondary ion emission of ferromagnetics near Curie point. Proc. of the VIII Intern. Symp. Physics of Ionized Gases, Dubrovnuk, 1976, p. 245.

33. Honda F., Fucuda V., Ni S.S., Rabalais J.W. Temperature dependence of positive secondary ion yields from Fe, Co, Ni, Cu and Oio.sNio.s- Appl. Surf. Sci., 1980, v. 6, p. 170-172.236 .

34. Betz G. Alloy sputtering. Surf. Sci., 1980, v. 92, p. 283-309.

35. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники. Микроэлектроника, 1999, т. 28, с. 415-426.

36. Амиров И.И. Ионно-химическое травление окиси кремния в многокомпонентной плазме. Матер. 13 Межд. конф. ВИП, Москва, 1997, т. 2, с. 149- 152.

37. Economou D.J. Modelling and simulation of plasma etching reactors for microelecntronics. Thin Sol. Films, 2000, v. 365, p. 348-367.

38. Samukawa S. Development of high-density plasma reactor for high-performance processing and future prospects. Appl. Surf. Sci., 2002, v. 192, p. 216-243.

39. Eggenstein F., Senf F., Zeeschke Т., Gudat W. Cleaning of contaminated XUV-optics of BESSY II. -NIMA, 2001, v. 467, p. 325-328

40. Hu J.S., Li J.G., Wang X.M. Oxygen glow discharge experiment to remove deposited layers and release trapped hydrogen isotopes in HT-7 superconducting tokamak. J. Nucl. Mater., 2006, v. 350, p. 9-18.

41. Акишин А.И., Виргильев Ю.С., Черник B.H. Эрозия углеродных материалов различной структуры и состава в потоках кислородной плазмы. -Изв. РАН,сер. физ., 2002, т. 66, с. 605-609.

42. Акишин А.И., Виргильев Ю.С., Черник В.Н. Эрозия углеситала в потоках кислородной плазмы при высоких температурах. Изв. РАН,сер. физ., 2004, т. 68, с. 437-439.

43. Hopf С., Schluter., Jacob W. Chemicfl sputtering of carbon films by argon ions and molecular oxygen at cryogenic temperatures. Appl. Phys. Letters, 2007, v. 90, p. 224106-224109.

44. Wilson R.G., Stevie F.A., Magtt C.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. -New York, John Wiley& Sons, 1989. 852 p.

45. Смирнов В.К. Ионно- электронно-зондовый анализ структур СБИС. -Дисс. докт. физ.-мат. наук. Ярославль, 1995. - 315 с.

46. Tsunoyama К., Suzuki Т., Ohashi Y., Kishidaka H. Sputteing of mttals with 20 keV 02+ characteristic etch patterns and spttered atom yields. Surf. Interf. Anal., 1980, v. 2, p. 212-216.

47. Wittmaack K., Poker D.B. Interface broadening in sputer depth profiling through alternating layers of isotopically purified silicon. 1. Experimental results. -NIMB, 1990, v. 47, p. 224-235.

48. Kilner J.A., Chater R.J., Hemment P.L.F., Peart R.F., Reeson K.J., Arrowsmith R.P., Davis J.R. SIMS analysis of buried silicon nitride layers formed by high dose implantation of 14N and 15N. NIMB, 1986, v. 15, p. 214-217.

49. Reuter W. A SIMS -XPS study on silicon and germanium under 02+ bombardment. NIMB, 1986, v. 15, p. 173-175.

50. Wittmaack K. The effect of the anglt of incidence on secondary ion yields of oxygen-bombarded solids. -NIM, 1983, v. 218, p. 307-311.

51. Homma Y., .Maruo T. Comparison of beam-induced profile broadening effects of galium and copper in oxygen-bombarded silicon. Surf. Interf. Anal., 1989, v. 14, p. 725-729.

52. Beyer G.P., Patel S.B., Kilner J.A. A SIMS study of the altered layer in Si1 ftusing 02 primaries at various angles of incidence. NIMB, 1994, v. 85, p. 370373.

53. Petravic M., Williams J.S., Svenson B.G., Conway M. Ion beam indused nitridation and oxidation of silicon. Proc. of 11 Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et.al., Chichester: Wiley, 1998, p. 331-334.

54. Шелякин Л.Б., Шульце Р.-Д. Г., Юрасова В.Е. Некоторые особенности формирования поверхностной структуры монокристаллов при ионной бомбардировке. Физика плазмы, 1975, т. 1, с. 488-495.

55. Carter G., Nobes M.J., Whitton J.L., Tanovic L., Williams J.S. Experimental and theoretical studies of bombardment induced surface changes. Proc. VII Intern. Conf. on Atomic collisions in solids, Moscow, 1977, p. 178-182.

56. Stevie F.A., Kahora P.M., Simons D.S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due topography changes during 02+ or Cs+ ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A7, p. 76-80.

57. Смирнов B.K., Курбатов Д.А., Потапов E.B., Жохов А.В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N2+. Поверхность, 1993, № 10, с. 65-73.

58. Smirnov V.K., Kibalov D.S., Krivelevich S.A., Lepshin P.A., Potapov E.V., Yankov R.A., Skorupa W., Makarov V.V., Danilin A.B. Wave-ordered structures formed on SOI wafers by reactive ion beams.- NIMB, 1999, v. 147, p. 310-315.

59. Carter G. The physics and applications of ion beam erosion. J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, v. 34, p. R1-R22.

60. MakeevM.A., Cuerno R., Barabasi A.-L. Morphology of ion-sputtered surfaces. NIMB, 2002, v. 197, p. 185-227.

61. Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of secondary ion yield change on the GaAs surface caused by the 02+ ion beam induced rippling. - J. Vac. Sci. Technol., 1991, v. A9, p. 2247-2252.

62. Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon to oblique oxygen bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1990, v. A8, p. 2246-2250.

63. Wittmaack K. Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beam. Dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol., 1998, v. B16, p. 2776-2784.

64. Vajo J.J., Doty R.E., Cirlin E.H. Influence of 02+ energy, flux and fluency on the formation and growth of sputtering-induced ripple topography on silicon. J. Vac. Sci. Technol., 1996, v. A14, p. 2709-2720.

65. Смирнов В.К., Лепшин П.А., Кривелевич С.А., Кибалов Д.С. Зависимость процесса рельефообразования при бомбардировке кремния ионами азота от энергии и угла бомбардировки. неорганические материалы, 1998, т. 34, с. 1081-1084.

66. Лепшин П.А. Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния. Дисс. канд. физ.-мат. наук. - Ярославль, 1999. - 150 с.

67. Chini .К., Sanyal М.К., Bhattacharyya S.R. Energy dependent wavelength of the ion-induced nanoscale ripple. Phys. Rev., 2002, v. B66, p. 153404-1-4.

68. Carter G., Vishnyakov V. Ne+ and Ar+ ion bombardment induced topography on Si. Surf. Interf. Anal., 1995, v. 78, p. 514-520.

69. Carter G., Vishnyakov V.M., Martynenko Yu.V., Nobes M.J. The effects of ijn species and target temperature on topography development on ion bombarded Si. J Appl. Phys., 1995, v. 78, p. 3559-3565.

70. Carter G., Vishnyakov V.M., Nobes M.J. Ripple topography development on ion bombarded Si. NIMB, 1996, v. 115, p. 440-445.

71. Кривелевич C.A., Кибалов Д.С., Лепшин П.А., Смирнов В.К. Влияние температуры на структуру поверхности при взаимодействии ионных пучков. ФХОМ, 1998, №2, с. 27-32.

72. Elst К., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J/ Vac/ Sci. Technol., 1994, v. A12, p. 3205-3216.

73. Elst K. The analysis of Si-based structures with ion mass spectrometry. Physical aspects related to the use of oxygen bombardment. Ph.D. Thesis, Antwerpen, Belgium, 1993.- 273 p.

74. Vishnyakov V.M., Carter G., Goddard D.T., Nobes M.J. Topography development on selected inert gas and self -ion bombarded Si. Vacuum, 1995, v. 46, p. 637-643.

75. Mayer T.M., Chason E., Howard A.J. Roughening instability and ion-induced viscous relaxation on Si02 surfaces. J. Appl. Phys., 1994, v. 76, p. 1633-1643.

76. Chason E., Chan W.L. Kinetic mechanism in ion-induced ripple formation on Cu (001) surfaces. -NIMB, 2006, v. 242, p. 232-236.

77. Rusponi S., Boragno C., Valbusa U. Ripple structure on metal surfaces induced by ion sputtering. Phys. Low-Dim. Struct., 1998, v. 11/12, p.55-64.

78. Андрианова H.H., Борисов A.M., Машкова E.C, Немов A.C. Исследование рельефа, развивающегося на поверхности поликристаллической меди при высокодозном распылении ионами аргона. -Поверхность, 2005, №3, с. 73-82.

79. Sigmund Р. J. Mater. Sci., 1973, v. 8, p. 1545.

80. Курант P. Уравнения с частными производными. М.: Мир, 1964. - 830 с.

81. Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v.A6, p. 2390-2395.

82. Makeev M.A., Barabasi A.-L. Ion-induced diffusion in ion sputtering. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, p. 2800-2804.

83. Carter G. The effect of surface height derivative processes on ion bombardment induced ripple formation. Phys. Rev., 1999, v. B59, p. 1669-1672.

84. Carter G. Viscoelastic relaxation and sputter-depth profiling of amorphous materials. SIA, 1997, v. 25, p.36-40.

85. Volkert C.A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1993, v. 74, p. 7107-7113.

86. Rudy A.S., Smirnov V.K. A model of wave-like structures formed by ion sputtering of amorphous materials. Physica Status Solidi (b), 1999, v. 213, p. Rl-R2.

87. Белов К.П„ Белянчикова M.A., Левитин Р.З., Никитин C.A. Редкоземельные ферро- и антиферромагнетики. -М.: Наука, 1965. 319 с.

88. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. -240 с.

89. Andersen Н.Н., Bay H.L. Sputtering yield measurements. Institute of Physics of Aarhus. 1980.-148 p.

90. Евдокимов C.A., Поп C.C., Дробнич В.Г., Запесочный И.П. Контроль покрытий мишеней адсорбатами в экспериментах по ионно-фотоннойэмиссии. Тез. Докладов Всесоюзного семинара "Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия", Харьков, 1980, с. 98-100.

91. Veisfeld N., Geller J.D. Ion sputtering yields measurements for submicrometer thin films. J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, v. 6, p. 2077-2081.

92. Бачурин В.И, Гаврилов Э.Л., Никитин A.M. Установка для исследования распыленных частиц методом масс-спектрометрии. Матер. 11 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 1993, т.1, с.153-155.

93. Lipinsky D., Jede R., Ganshow О., Bennighoven A. Performance of a new optics for quasisimultaneous secondary ion, secondary neutral and residual gas mass specnrometry. J. Vac. Sci. Technol., 1985, v. A3, p. 2007-2017.

94. Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS depth profiling of delta doped layers in silicon. Surf. Interf. Anal., 1996, v. 7, p. 523535.

95. Colligon J.S., Farrel G., Bachurin V.I., Yurasova V.E. RBS/Ion implanter facility for in-situ ion-surface studies. Radiat. Eff., 1996, v. 138, p. 195-202.

96. Бандурин Ю.А.Бачурин В.И., Дробнич В.Г., Поп С.С., Черныш B.C., Юрасова В.Е. Ионно-фотонная эмиссия кобальта при полиморфном превращении. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып. 12, с. 760-763.

97. Bandurin Y.A., Drobnich V.G., Pop S.S., Chernysh V.S., Yurasova V.E. Ion-photon emission of Co during polimorthic transition. Proceeding of X Vacuum Congress, Madrid, 1983, p. 73 -74.

98. Alsen Z.R., Lee B.W., Ignatiev A., Van Hove M.A. The state of the surface martensitically transforming cobalt single crystals. Solid State Commun., 1978, v. 25, p. 641-644.

99. Thomas G:E. Bombardment-induced light emission.- Surf. Sci., 1979, v. 90, p. 381-416.

100. Dzioba S., Kelly K. On the kinetic energies of sputtered excited particles. -Surf. Sci., 1980, v. 100, p. 119-134.

101. Бачурин В.И., Журавский В.Е., Харламочкин Е.С., Юрасова В.Е. Распыление гадолиния в ферромагнитном и парамагнитном состоянии. -Письма в ЖТФ, 1981, т.7, с. 730-733.

102. Bachurin V.I., Kharlamochkin E.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Temperature dependence of the sputtering of gadolinium in magnetic phase transition. In: Phenomena in ionized gases: Contr. Papers XVI ICPIG, Minsk, 1981, v. 1, p. 465-466.

103. Bachurin V.I., Kharlamochkin E.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Temperature dependence of the sputtering of some rareearth metals. Resumes of Int. conf. "Collizuions Atomiques daus les Solides", Lyon, 1981, p. 79.

104. Тейлор К., Дарби M. Физика редкоземельных элементов. М.: Мир, 1974. .374 с.

105. Robinson М.Т., Southern A.L. Sputtering experiments with 1 to 5 keV Ar+ ions. Monocrystall targets of the hexagonal metals Mg, Zn, Zr, Cd. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3463-3475.

106. Lechman C., Sigmund P. On the mechanism of sputtering. Phys. Rev. Letters, 1977, v. 39, p. 1636-1639.

107. Sales B.C., Cabera A.L., Maple M.B. Oxidation of nicel in the vicinity of its Curie temperature. Solid State Commun., 1979, v. 30, p. 119-124.

108. Sales B.C., Cabera A.L., Maple M.VB. Oxidation of iron in the vicinity of its Curie temperature. Solid State Commun., 1979, v. 30, p. 119-124.

109. Mehta R.S., Dresselhause M.S. Magnetic phase dependence of nicel-CO reaction. Phys. Rev. Letters, 1979, v. 43, p. 970-973.

110. Sales B.C., Turner J.E., Maple M.B. Sublimation rate of cobalt near its Curie temperature. Phys. Rev. Letters, 1980, v. 44, p. 586-590.

111. Вонсовский C.B. Магнетизм. M.: Наука, 1971. - 1032 с.

112. Кувакин M.B., Харламочкин Е.С., Бачурин В.И. Изменение межатомного потенциала взаимодействия в гадолинии при магнитном фазовом переходе. Поверхность, 1982, №3, с. 89-92.

113. Erginsoy С., Vineyard G.H., Englert A. Dynamics of radiation damage in body-centered cubic lattice. Phys. Rev., 1964, v. 133, p. 595-606.

114. Ruderman M.A., Kittel C. Inderect exchange coupling of nuclear magnetic moments by conduction electrons. Phys. Rev., 1954, v. 96, p. 99-102.

115. Kasuya T. A theory of metallic ferro- and antiferromagnetism. Progr. Theor. Phys. (Kyoto). 1956, v. 16, p. 45-57.

116. Yosida K. Magnetic properties of Cu-Mn alloys. Phys. Rev., 1957, v. 106, p. 893-898.

117. Мосунов A.C., Промахов A.A., Юрасова B.E. Влияние потенциала взаимодействия на распыление ферромагнетиков. Известия РАН, сер. физ., 1998, т. 62, с. 1437-1440.

118. Yurasova V.E. Emission of secondary particles during ion bombardment of metals in the phase transition region-part 1. Sputtering. Vacuum, 1983, v.33, p. 565-578.

119. Dresselhaus M.S. New morphological transition at Curie temperature. -Nature, 1981, v. 292, p. 196-197.

120. Thapliyal H.V., Blakely J.M. Reconstruction of stepped nicel surfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1978, v. 15, p. 600-605.

121. Hamilton J.C., Jach T. Structural phase transitions in nicel at the Curie temperature. Phys. Rev. Letters, 1981, v. 46, p. 745-748.

122. Mosunov A.S., Ivanenko O.P., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Computer simulation of surface reconstruction and relaxation of Ni single crystal faces in ferro- and paramagnetic states. Vacuum, 1992, v. 43, p. 785-789.

123. Евдокимов И.Н. Влияние адсорбции кислорода на закономерности рассеяния ионов кристаллом никеля (110). Тез. Докл. Всесоюзн. семинара "Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия", Харьков, 1980, с. 166-168.

124. Евдокимов И.Н. Рассеяние ионов поверхностью монокристалла никеля вблизи точки Кюри. Письма в ЖТФ, 1980, вып. 3, с. 186-189.

125. Кондратьев В.В., Пущин В.Г., Романова P.P., Тяпкин Ю.Д., Юрчиков Ю.Ю. Исследования структуры у и а-фаз в сплавах Fe-Ni вблизи точки мартенситного превращения. ФММ, 1978, т. 45, с. 771-782.

126. Кондратьев В.В., Пущин В.Г., Романова P.P., Тяпкин Ю.Д., Юрчиков Ю.Ю. О динамическом и квазистатическом характере смещений атомов. -ФММ, 1978, т. 45, с. 1009-1014.

127. Девятко Ю.Н., Маклецов А.А., Пивоваров А.Н., Троян В.И. Вклад локального разогрева в процессы распыления магнитных материалов вблизи точки Кюри. Изв. РАН, сер.физ., 1996, т. 60, с. 177-183.

128. Devyatko Yu.N., Rogozhkin S.V. Theoretical aspects of magnetic materials near theCurie point. Vacuum, 2002, v. 66, p. 123-132.

129. Акимов Д.Я., Шелякин Л.Б., Юрасова В.Е. Пространственной распределение распыленных частиц при магнитном фазовом переходе монокристалла никеля. Известия РАН сер. физ., 1995, т.59, с. 181-187.

130. Yurasova V.E., Shelyakin L.B., Akimov D.Ya., Mosunov A.S., Colligon J.S. Anomalous sputtering of single crystal Ni in close-packed directions at the Curie point. Rad. Eff. & Defects in Solids, 1997, v. 140, p. 11-118.

131. Бачурин В.И., Черныш B.C., Ширков A.B., Шмелев А.Ю. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля, кобальта, инвара. Поверхность, 1982, № 6, с. 70-75.

132. Bachurin V.I., Mosunov A.S., Yurasova V.E. Temperature dependence of ion-induced emission from nicel. Abstr. of 2 Int.conf."On Inelastic Ion-Surface Collisions, Wangerooge (Germany)", 1996, p. 5.

133. Бачурин В.И., Миннебаев К.Ф., Насретдинов А.А. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля. Матер. 16 Межд. конф. ВИП, Москва, 2003, т. 1, с. 339-342.

134. Бачурин В.И., Миннебаев К.Ф., Насретдинов А.А. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля. Известия РАН, сер. физ. 2004, т.68, с.390- 392.

135. Сошка М., Сошка В. Ионно-электронная эмиссия с поверхности магнитных сплавов. Матер. VI Всесоюзн. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом", Минск, 1981, т. 1, с. 202-206.

136. Adamov G.V., Bukhanov V.M., Colligon J.S., Minnebaev K.F., Nasretdinov A.A., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Zykova E.Yu. Secondary ion emission of Fe-Ni alloys in temperature range including the Curie point. Vacuum, 2004, v. 73, p. 47-52.

137. Уманский СЛ., Скаков Ю.А., Физика металлов. М.: Атомиздат, 1978. -352 с.

138. Коробейников В.П„ Пузанов А.А„ Багаев В.Н„ Пьянков Б.Н. Исследование мартенситного превращения в кобальте с использованием эффекта теней при обратном рассеянии ускоренных ионов. ФММ, 1980, т. 50, с. 430-434.

139. Alsen Z.R., Lee B.W., IgnatievA., Van Hove M.A. The state of the surface of martensitically transforming cobalt single crystals. Solid Staye Commun., 1978, v. 25, p. 641-644.

140. Уразгильдин И.Ф. Вторичная ионная эмиссия при распылении твердых тел. Изв. РАН. сер. физ., 1996, т. 60, с. 44-50.

141. Comsa G., Gelberg A., Josifescu В. Temperature dependence of the work function of metals (Mo, Ni). Phys. Rev., 1961, v. 122, p. 1091-1100.

142. Christman K., Ertl H., Schober O. Temperature dependence of the work function of nicel. Z. Naturf., 1974, v. 29A, p. 1516-1517.

143. Blaise G, Slodzian G. Influence des processus d'echange electronique atome-metal sur la production des ions secondaries lents. Rev. Phys. Appl., 1973, v. 8, p. 247-254.

144. Blaise G, Slodzian G. Evolution des rendements de Г emission ionique des alligas avec la nature de solute. J. Physique, 1973, v. 35, p. 237-254.

145. Пономарев B.K., Тиссен В.Г. Намагниченность никеля в поле от 320 кЭ при температурах до 700 К. ЖТФ, 1977, т. 73, с. 332-341.

146. Chatterjee В. Effect of the Curie temperature on thin film oxidation. Thin Solid Films, 1977, v. 41, p. 227-233.

147. Schroeer J.M., Rhodin T.N., Bradley R.C. A quantum mechanical model for the ionization and excitation of atoms during sputtering. Surf. Sci., 1973, v. 34, p. 571-580.

148. Gries W.H. A formula for the secondary ion field fraction emitted through an energy window. Int. J. Mass Spectrom. Ion Phys., 1975, v. 17, p. 77-88.

149. Андреев A.A. Дисс. канд. физ.-мат. наук-Москва, 1984. - 156 с.

150. Chattopahyay В., Measor J.L. Initial oxidation of cobalt. J. Mater. Sci., 1969, v. 4, p. 457-460.

151. Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении.-М.: Наука, 1979. 198 с.

152. Абраменко В.А., Дубский Г.А., Рожков A.M., Шелякин Л.Б., Юрасова В.Е. Вторичная ионная эмиссия Со при полиморфном превращении. -Поверхность, 1984, №9, с. 50-52.

153. Abramenko V.A., Andreev А.А., Dubsky G.A., Kuvakin M.V., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Motaweh H.A. Ion-induced emission of nicel under magnetic phase transition. NIMB, 1986, v. 13, p. 609-613.

154. Adamov G.V., Bukhanov V.M., Colligon J.S., Minnebaev K.F.,Nasretdinov A.A., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Zykova E.Yu. Secondary ion emission of Fe-Ni alloys in temperature range including the Curie point. Vacuum, 2004, v. 73, p. 47-52.

155. Yurasova V.E. Ion-induced emission from magnetic materials near phasw transition temperature. In book: Interaction of charged particles wit solids and surfaces. - New York: Plenum Press, 1991, p. 504-513.

156. Кувакин M.B., Юрасова B.E., Мотавех X. Оценка радиуса корреляции флуктуаций намагниченности по коэффициенту распыления магнетиков. -Матер. VIII Межд. конф. ВИП, Москва, 1987, т. 1, с. 101-103.

157. Elovikov S.S, Sushkova J.V., Tazhieva G.R., Bachurin V.I. Auger-electron emission from nickel under magnetic phase transition. Abstr. of 13 Int. Vacuum Congress, Yokohama (Japan), 1995, AS-TuP-35 .

158. Быковский Ю.А., Неволин B.H., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 240 с.

159. Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Павлов А.В., Зорин Е.И. Структурные превращения при бомбардировке железа, никеля и молибдена ионами Аг+, 1ST С+. Докл. АН СССР, 1974, т. 217, с. 330-332.

160. Павлов П.В., Сидоров В.А., Тетельбаум Д.И. Исследование структуры, состава и гальваномагнитных свойств пленок никеля, подвергнутых ионной имплантации. Поверхность, 1984, №10, с. 128-130.

161. Жигалов B.C., Фролов Г.И., Мягков В.Г., Жарков С.М., Бондаренко Г.В. Исследование нанокристаллических пленок никеля, осажденных в атмосфере азота. ЖТФ, 1998, т. 68, № 9, с. 136-138.

162. Vishnyakov V.M., Bachurin V.I., Minnebaev K.F., Valizadeh R, Teer D.J., Colligon J.S., Vishnyakov V.V., Yurasova V.E. Ion assisted deposition of titanium chromium nitride. Thin Sol. Films, 2006, v. 497, p. 189-195.

163. Гольдшмидт Дж. Сплавы внедрения. -М.: Мир, 1971, вып.1. 424 с.

164. Самсонов Г.В. Нитриды. Киев: Наукова думка, 1969. - 290 с.

165. Grunze M.J., Fuhler J., Neumann M., Brundle C.R., Auerbach D.J., Behm J. A search for precursor states to molecular nitrogen chemisorption on Ni(100), Re(0001) and W(100) surfaces at 20K. Surf. Sci., 1984, v. 139, p. 109-120.

166. Уразгильдин И.Ф, Влияние адсорбированных элементов на вторичную ионную эмиссию металла. Письма в ЖЭТФ, 1992, т. 56, с 169-173.

167. Бачурин В.И., Левин В.Л., Мордвинцев В.М., Симакин С.Г., Смирнов В.К. Исследование слоистых магнитных пленок методом ВИМС и ЭОС. -Тез. докл. Всесоюзн. семинара "Диагностика поверхности ионными пучками", Одесса, 1990, с. 153-154.

168. Simakin S.G., Smirnov V.K. N2+ primary ion beam in negative SIMS depth profiling. Proc. of 8 Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII / Eds. Bennighoven A. et.al., Chichester: Wiley, 1992, p. 491-494.

169. Yamada R., NakamuKa K., Saidoh M. Chemical sputtering yields of titanim carbides.- J. Nucl. Mater., 1982, v. 111/112, p. 744- 749.

170. Бачурин В.И., Смирнов B.K. Исследование распыления диоксида кремния ионами азота и аргона. Матер. 15 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2001, т.1,с. 93 -96.

171. Бачурин В.И., Кривелевич С. А., Потапов Е.В. Исследование взаимодействия ионов N2+ и Аг+ с поверхностью Si02. Тез. докл. XXXVI межд. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, 2006, с. 99.

172. Бачурин В.И., Кривелевич С.А., Потапов Е.В., Чурилов А.Б. Изучение взаимодействия ионов аргона и азота с поверхностью диоксида кремния. -Поверхность, 2007, №3, с. 19-23.

173. Finster J., Klinkenberg E-D., Heeg J. ESCA and SEXAFS investigation of insulating materials for ULSI microelectronics. Vacuum, 1990, v. 41, p. 15891590.

174. Линник С.П., Юрасова B.E. Распыление двухкомпонентных соединений и сплавов. Поверхность, 1982, №3, с. 25-37.

175. Бачурин В.И., Никитин A.M., Самойлов >В.Н., Татур А.Э., Ястржембский В.И., Исследование поверхностного механизма преимущественного распыления двухкомпонентных мишеней. Известия РАН, сер. физ., 1994, т.58, с.102-104.

176. Лейер А.Ф., Сафронов Л.Н., Г.А. Качурин Г.А. Моделирование формрования нанопреципитатов в SiC>2, содержащих избыточный кремний. -ФТП, 1999, т. 33, с. 389-395.

177. Качурин Г.А., Яновская С.Г., Володин В.А. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si. ФТП, 2002, т. 36, с. 685-689.

178. Сидоров Л.Н., Коробов М.В., Журавлев Л.В. Масс-спектральные термодинамические исследования. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. - 208 с.

179. Walkup R.E., Raider S.I. In situ measurements of SiO(g) production during dry oxidation of crystalline silicon. Appl.Phys.Lett., 1988, v. 53, p. 888-890.

180. Walkup R, Avouris Ph, Dreyfus R.W., Jasinski M. Laser detection of diatomic products of plasma sputtering and etching. Appl.Phys.Lett., 1984, v. 45, p. 372-374.

181. Гурвич Л.В., Вейц И.В., Медведев В.А. и др. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочные издания. Том 2, книга 2. -М.: Наука, 1979.-342 с.

182. Бачурин В.И., Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Исследование процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Матер. 13 Межд. конф. ВИП, Москва 1997, т. 2, с. 317 - 319.

183. Бачурин В.И, Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Исследование процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Известия РАН, сер. физ., 1998, т. 62, с. 703 -709.

184. Бачурин В.И, Лепшин П.А., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, с. 16 - 23.

185. Bachurin V.I., Churilov А.В., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B. Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N2+ ion bombardment.- NIMB, 1999, v. 147, p. 316 319.

186. Смирнов В.К., Бачурин В.И., Лепшин П.А., Потапов Е.В., Чурилов А.Б. Исследование приповерхностного слоя в кремнии, облученном ионами низких энергий. Труды VIII Межнац. совещ. "Радиационная физика твердого тела", Москва, 1998, с. 126 -130.

187. Бачурин В.И., Потапов Е.В., Смирнов В.К., Чурилов А.Б. Формирование тонких нитридных пленок облучением поверхности кремния низкоэнергетичными ионами азота. Тез. докл. Всеросс. конф. " Микро- и наноэлектроника", Москва, 1998, с. Р 1-38.

188. Stein H.J. Nitrogen in crystalline silicon. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1986, v. 59, p. 523-535.

189. Wittmack K. Towards the ultimate limits of depth resolution in sputter profiling. Surf. Interf. Anal., 1994, v. 21, p. 323-329.

190. Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS depth profiling of delta doped layers in silicon. Surf. Interf. Anal., 1996, v. 7, p. 469475.

191. Бачурин В.И., Лепшин П.А., Смирнов B.K. Угловые зависимости распыления кремния ионами азота. Матер. 14 Межд. конф. ВИП, Москва 1999, т. 1, с. 62-65.

192. Bachurin V.I., P.A.Lepshin, Smirnov V.K. Angular dependences of surface composition, sputtering and ripple formation on silicon under N2+ ion bombardment. Vacuum, 2000, v. 56, p. 241 - 245.

193. Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N4" and N2+ ion implantation. Vacuum, 1996, v. 47, p. 1495-1499.

194. De Coster W., Brijs В., Alay J., Vandervost W. RBS, AES and XPS analysis of ion beam induced nitridation of Si and SiGe alloys. Vacuum, 1994, v. 45, p. 389-395.

195. Markwitz A., Baumann H., Knop A., Krimmel E.F. Investigation of ultrathin silicon nitride layers produced by low energy ion implantation and EB-RTA. -NIMB, 1994, v. 89, p. 362-368.

196. Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of nitridation of Si (100) by 2-10 keV N2+ ion beams. Appl. Surf. Sci., 1997, v. 115, p. 166-173.

197. Белый В.И., Васильева JI.JI, Гриценко В.А., Гинковер А.С., Репинский С.М., Синица С.П., Смирнова Т.П., Эдельман Ф.Л. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1981. - 200 с.

198. Волгин Ю.Н., Уханов Ю.И. Колебательные спектры нитрида кремния. -Оптика и спектр., 1975, т. 38, с. 727-730.

199. Lucckovsky G., Yang J., Chao S.S., Tyler J.E., Crubutyi . Nitrogen-bonding environments in glow-discharge deposited a-SiH films. Phys. Rev. B, 1983, v. 28, p. 3234-3240.

200. Лобанова H.E., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И., Потапова Л.В. Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния. -ФТП, 1989, т. 23, с. 2149-2152.

201. Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Тийс С.А„ Плотников А.Е. Имплантация азота в кремний при 700-1100°С. ФТП, 1989, т. 23, с.434-438.

202. Bischoff L., Teicchert J. Focused ion beam sputtering and related materials. -Vfnuscript FZR-217, Foschunhszentrum, Rossendorf, 1998. 36 p.

203. Берт H.A., Сошников И.П. Изучение распыления фосфида, арсенида и антимонида галлия при бомбардировке ионами Аг+ с энергией 2-8 кэВ. -ФТТ, 1993, т. 35, с. 2501-2508.

204. Берт Н.А., Сошников И.П. Распыление полупроводниковых мишеней AlxGaixAs ионами Аг+ с энергией 2-14 кэВ. ЖТФ, 1997, т. 67, с. 113-117.

205. Warmoltz N., Werner H.W., Morgan A.E. The dependence of the angle of incidence of the steady state sputter yield of silicon bombarded by oxygen ions. -Surf. Interf. Anal., 1980, v. 2, p. 46-52.

206. Смирнов B.K., Кибалов Д.С., Лепшин П.А., Бачурин В.И. Влияние топографических неоднородностей на процесс образования волнообразного микрорельефа на поверхности кремния. Известия РАН, сер. физ., 2000, т. 64, с. 626-631.

207. Биркган С.Е., Бачурин В.И., Рудый А.С., Смирнов В.К. Моделирование развития поверхностной топографии кремния при ионном распылении. -Матер. 15 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2001, т. 1, с. 97-100.

208. Биркган С.Е., Рудый А.С., Смирнов В.К., Бачурин В.И. Моделирование нестационарного распыления твердых тел. Матер. 16 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2003, т. 1, с. 69-72.

209. Birkgan S.E., Bachurin V.I., Rudy A.S., Smirnov V.K. Modelling of surface topograghy development during ion sputtering of solids. Rad. Eff. & Defects in Solids, 2004, v. 159, p. 163 -172.

210. Rudy A.S., Bachurin V.I., Smirnov V.K. Nanoscale model of surface erosion by ion bombardment. Rad. Eff. & Defects in Solids, 2006, v. 161, p. 319-329.

211. Шелякин Л.Б., Семенов В.И., Троян B.A., Юрасова В.Е. О выявлении напряженного состояния в металлах методом ионной бомбардировки. -Поверхность, 1982, №4, с. 51-61.

212. Смирнов В.К., Курбатов Д.А., Потапов Е.В. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния. -Известия РАН, сер. физ., 1992, т. 56, с. 71-76.

213. Niewohner L., Depta D. Formation of CoSi2 by ion beam mixing and rapid thermal annealing. -NIMB, 1991, v. 59/60, p. 523-527.

214. Ye M., Burte E.P., Ryssel H. Formation of cobalt silicide by ion mixing. -NIMB, 1991, v. 59/60, p. 528-531.

215. Lee R.Y., Choi B.S., Song J.H., Kim K.W., Kang S.T., Whang C.N. The effect of Ar+ irradiation on grain growth and reducing reaction temperature in Pd-silicide formation. -NIMB, 1991, v.59/60, p. 532-536.

216. Farrell G., Bachurin V.I., Colligon J.S., Cardwell P, Yurasova V.E. In-situ studies of ion beam mixing of Co-Si and Ni-Si. Abstr. of 13 Int. Vacuum Congress, Yokohama (Japan), 1995, EM4-WeM-3.

217. Arnell R.D., Colligon J.S., Minnebaev K.F., Yurasova V.E. The effect of nitrogen content on the structure and mechanical propertiesof TiN films produced by magnetron sputtering. Vacuum, 1996, v. 47, p. 425-431.

218. Colligon J.S. Recent trends in surface treatment using ion beam processes. -Vacuum, 1987, v. 37, p. 35-39.

219. Da Sila R.C., Sousa R.C., Conde O., da Silva M.F., Sares J.S. formation of Ali3Cr2 intermetallic phase by Cr ion implantation. Surf. Coat. Technol., 1996, v. 83, p. 60-64.

220. Zhang T, Wu Y., Zhang Y., Qian W. Phase transition and diffusion of Ni atoms in aluminium during implantation. Vacuum, 2002, v. 65, p. 127-132.

221. Eridon J., Rehn L., Was G. Metastable phase formation in nickel-aluminium alloys during ion beam mixing. -NIMB, 1987, v. 19/20, p. 626-631.

222. Bourgoin J.C., Corbett J.W. Enhanced diffusion mechanisms. Rad. Eff., 1978, v. 36, p. 157-188.226. "Диаграммы состояния систем на основе алюминия и магния". Справочник. М.: Наука, 1977. - 228 с.

223. Бачурин В.И., Кривелевич С.А., Фаррел Дж., Юрасова В.Е. Ионно-стимулированные процессы в пленках Ni на А1 в области температур, включающей точку Кюри. Матер. 12 Межд. конф. ВИЛ, Москва 1995, т.1, с.18-21.

224. Бачурин В.И, Кривелевич С. А. Ионно индуцированное фазообразование в системе Al-Ni. - Матер. 17 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2005, т. 1, с. 91-94.

225. Бачурин В.И., Кривелевич C.A. Ионностимулированные процессы в пленках никеля на алюминиевой подложке. Тез. докл. XXXVI межд. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, 2006, с. 121.

226. Cheng Y.T., Simco S.J., Militello М.С., Dow A.A., Auner G.W., Alkaisi M.H., Padmanabhan K.R. A comparison between high- and low-energy ion mixing at different temperatures. -NIMB, 1992, v. 64. p. 38-46.

227. Marton D., Fine J., Chambers G.P. Temperature-dependent radiation-enhanced diffusion in ion-bombarded solids. Phys. Rev. Letters, 1988, v. 61. p. 2697- 2700.

228. Мартыненко Ю.В. Эффекты дальнодействия при ионной имплантации. Итоги науки и техникию Пучки заряженных частиц и твердое тело, 1993, т.7, с.82-114.

229. Musil J. Hard and superhard nanocomposite coatings. Surf. Coat. Technol., 2000, v. 125, p. 322-330.

230. Schell N., Petersen J. H., Bottiger J., Mucklich A., Chevallier J., Andreasen K. P., Eichhorn F. On the development of texture during growth of magnetro-sputtered CrN. Thin Solid Films, 2003, v. 426, p. 100-110.

231. Hones P., Sanjines R., Levy F. Characterization of sputter-deposited chromium nitride thin films for hard coatings. Surf. Coat. Technol., 1997, v. 94 -95, p. 398-402.

232. Vetter J., Scholl H. J., Knotek O. (TiCr)N coatings deposited by cathodic vacuum arc evaporation. Surf. Coat. Technol., 1995, v. 74 - 75, p. 286-291.

233. Hones P., Sanjines R., Levy F. Sputter deposited chromium nitride based ternary compounds for hard coatings. Thin Solid Films, 1998, v. 332, p. 240246.

234. Nainaparampil J. J., Zabinski J. S., Korenyi-Both A. Formation and characterization of multiphase film properties of (Ti-Cr)N formed by cathodic arc deposition. Thin Solid Films, 1998, v. 333, p. 88-94.

235. Zeng X., Zhang S., Hsieh J. Development of graded Cr-Ti-N coatings. -Surf. Coat. Technol., 1998, v. 102, p. 108-112.

236. Hsieh J. H., Zhang W. H., Sun C. Q. Characterization of (TixCr0,6-x)N0,4 coatings and their tribological behaviours against on epoxy molding compound. -Surf. Coat. Technol., 2001, v. 146 147, p. 331-337.

237. Lee К. H., Park С. H., Yoon Y. S., Lee J. J. Structure and properties of (Tii.xCrx)N coatings produced by the ion-plating method. Thin Solid Films, 2001, v. 385, p. 167-173. ^

238. Jung D. H;, Park H. S., Na H. D., Lim J. W., Lee J. J., Joo J. H. Mechanical properties of (TiCr)N coatings deposited by inductively coupled plasma direct current magnetron sputtering. Surf. Coat. Technol., 2003, v. 169-170, p. 424427.

239. Han J. G., Myung H. S., Lee H. M., Shaginyan L. R. Microstructure and mechanical properties of Ti-Ag-N- and Ti-Cr-N superhard nanostructured coatings. Surf. Coat. Technol., 2003, v. 174-175, p. 738-742.

240. Lee S. Y., Kim G. S., Hahn J. H. Effect of the Cr content on the mechanical properties of nanostructured TiN/CrN coatings. Surf. Coat. Technol., 2004, v. 177-178, p. 426-433.

241. Aouadi S. M., Wong K. S., Mitchel K. A. R., Namavar F., Tobin E., Mihut D. M., Rohde S. L. Characterization of titanium chromium nitride nanocomposite protective coatings. Appl. Surf. Science, 2004, v. 229, p. 387-394.

242. Oda K., Nakayama A., Ohara H., Kitagava N., Nomura T. Characterization of ion implanted TiN films. NIMB, 1997, v. 121, p. 283-287.

243. Otani Y., Hofmann S. High temperature oxidation behaviour of (TiixCrx)N coatings. Thin Solid Films, 1996, v. 287, p. 188-192.

244. Lee К. H., Park С. H., Yoon Y. S., Jehn H. A., Lee J. J. Wear and corrosion properties of (TiixCrx)N coatings prodused by the ion-plating method. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 142-144, p. 971-977.

245. Lee D. В. ТЕМ study on oxidized TiCrN coatings ion plated on a steel substrate- Surf. Coat. Technol., 2003, v. 173, p. 81-86.

246. Monaghan D. P., Teer D. G., Laing К. C., Efeoglu I., Arnell R. D. Deposition of graded aloy nitride films by closed field unbalanced magnetron sputtering. -Surf. Coat. Technol., 1993, v. 59, p. 21-25.

247. Бачурин В.И., Вишняков B.M., Коллигон Д.С„ Миннебаев К.Ф., Юрасова В.Е. Упрочняющие покрытия на основе тройных соединений. -Поверхность, 2005, №4, с. 106-110.

248. Vishnyakov V.M., Bachurin V.I., Minnebaev K.F., Valizadeh R., Teer D.G., Colligon J.S., Vishnyakov V.V., Yurasova V.E. Ion assisted deposition of titanium chromium nitride. Thin Solid Films, 2006,. v. 497, p. 189-195.

249. Musil J., Karvankova P., Kasl J. Hard and superhard Zr-Ni-N nanocomposite films. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 139, p. 101-109.

250. Васильев Л.А., Иванова О.П., Коллигон Д.С., Лесневский Л.Н., Наумкин А.В., Шкарбан И.И., Юрасова В.Е. Состав и свойства пленочных покрытий из нитрида титана. Изв. РАН, сер. физ., 1994, т. 58, с. 195-205.

251. Hurkmans Т., Lewis D. В., Brooks J. S.,. Munz W. D. Chromium nitride coatings grown b unbalanced magnetron and combined arc/unbalanced magnetron deposition techniques. Surf. Coat. Technol., 1996, v. 86 -87, p. 192-199.

252. Aouadi S. M., Schultze D. M., Rohde S. L., Wong К. C., Mitchel K. A. R. Growth and characterization of Cr2N/CrN multilaer coatings. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 140, p. 269-277.

253. Verpek S., Argon A.S. Mechanical properties of superhard nanocomposites. -Surf. Coat. Technol., 2001, v. 146-147, p. 175-182.

254. Musil J. Low-pressure magnetron sputtering. Vacuum, 1998, v. 50, p. 363372.257

255. Выражаю сердечную благодарность своим коллегам B.C.Чернышу,

256. B.К.Смирнову, А.С.Рудому, А.Б.Чурилову, Дж.Коллигону, В.М.Вишнякову,

257. C.А.Кривелевичу, Е.В.Потапову, С.Г.Симакину, П.А.Лепшину, совместная работа с которыми позволила получить большинство результатов, представленных в работе.

258. Приношу свою признательность И.А.Беляевой, Ю.К.Олениковой, Ю.Д.Таршису за моральную, а А.В.Бачурину и материальную поддержку оказанные мне в процессе подготовки этой работы.