Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Гапанович, Михаил Вячеславович

• Гапанович, Михаил Вячеславович
• кандидат химических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат химических наук Гапанович, Михаил Вячеславович

Обозначения и сокращения.

Введение.

Актуальность работы.

Научная новизна.

Положения, выносимые на защиту.

Практическая значимость диссертации.

Личный вклад автора.

Опубликованные статьи.

Апробация.

Структура диссертации.

1 Глава 1. Свойства систем Cd - Те - X (Обзор литературы.).

1.1 Фазовые равновесия в системах Cd -Те, Cd - S, Ga - Те, In - Те.

1.1.1 Фазовые равновесия в системе Cd — Те.

1.1.2 Фазовые равновесия в системе Ga - Те.

1.1.3 Фазовые равновесия в системе Cd — S.

1.1.4 Фазовые равновесия в системе In - Те.

1.2 Фазовые равновесия в системах Cd - S - Те, Cd - Se -Те, Cd -Ga -Те,

CdTe - Cdl2, Cd - In - Те.

1.2.1 Разрез CdS - CdTe в системе Cd - S - Те.

1.2.2 Фазовые равновесия в системе CdTe-CdSe.

1.2.3 Фазовые равновесия в системе Cd-Ga-Te.

1.2.4 Фазовые равновесия в системе CdTe-GaTe.

1.2.5 Фазовые равновесия в системе CdTe — ОагТез.

1.2.6 Фазовые равновновесия в системе CdTe — Cdl2.

1.2.7 Система CdTe — InTe.

1.3 Методы синтеза полупроводниковых пленок.

1.3.1 Электрохимические методы.

1.3.2 Синтез CdTe из газовой фазы с использованием металлоорганических реагентов.

1.4 Кристаллическая структура CdTe, CdS, CdSe, GaTe, Ga2Te3, Cdl2.

1.5 Полупроводники и их свойства.

1.6 Электрофизические и оптические свойства CdTe.

1.6.1 Зонная структура CdTe.

1.6.2 Электрофизические свойства CdTe.

1.6.3 Оптические свойства CdTe.

1.7 Изменение свойств поверхности CdTe под действием лазерного излучения.

1.8 Влияние примесей на люминесценцию CdTe.

1.9 Влияние легирования на дефектную структуру и электрофизические свойства.

1.9.1 Дефектная структура CdTe.

1.9.2 Легирование галогенами.

1.9.3 Легирование элементами III группы.

1.10 . Постановка задачи.

2 Глава 2. Синтез твердых растворов на основе CdTe (порошки и пленки) и методы исследования.

2.1 Исходные материалы.

2.2 Исследование фазового состава синтезированных образцов.

2.2.1 Система Cd - Те -1.

2.2.2 Система Cd - Ga - Те.

Разрез CdTe - GaTe.

2.2.3 Система Cd-In-Те.

2.3 Синтез пленок CdTe.

2.3.1 Синтез из кислых водных растворов.

2.3.2 Синтез из щелочных водных растворов.

2.4 Синтез из этиленгликолевых растворов.

2.5 Исследование фазового состава пленок теллурида кадмия и спектров поглощения.

2.5.1 Синтез из кислых водных растворов.

2.5.2 Синтез из щелочных растворов.

2.5.3 Синтез из этиленгликолевых растворов.

2.6 Методы исследования.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние изо- и гетеровалентного замещения на кинетику реакций с участием избыточных носителей тока в CdTe»

Диссертация посвящена исследованию природы центров, создаваемых легированием при изо- и гетеровалентном замещении, и их влияния на кинетику реакций с участием носителей тока, генерируемых светом в CdTe. Основные экспериментальные результаты получены методами импульсной СВЧ-фотопроводимости, катодолюминесценции, рентгенофазо-вого анализа, оптической спектроскопии.

Актуальность работы

О й

Системы на основе твердых растворов А В в последнее десятилетие интенсивно исследуются. Например, поликристаллический CdTe является дешевым и перспективным материалом для солнечной энергетики, так как этот полупроводник имеет ширину запрещенной зоны Eg ~ 1.5 eV при комнатной температуре, т.е. оптимален для преобразования солнечного излучения. Однако КПД создаваемых в настоящее время фотопреобразователей на основе гетероперехода CdS/CdTe составляет около 16 %, что значительно меньше теоретически возможного (-30 %). Другое перспективное направление практического использования поликристаллического CdTe - создание на его основе детекторов рентгеновского и у-излучения, поскольку большие атомные номера компонент материала Z = 48(Cd) и Z = 52(Те) обеспечивают более высокую квантовую эффективность по сравнению с детекторами на основе кремния.

Поскольку в основе создания детекторов и фотопреобразователей лежат процессы разделения и рекомбинации, генерируемых излучением носителей заряда, отсутствие сведений о количественых характеристиках электрон-ионных процессов в твердых растворах на основе теллурида кадмия, а также их связях с особенностями структуры существенно ограничивает возможности проведения оценок предельных характеристик устройств и, в результате, сдерживает прогресс в данной области. В то же время указания на влияние структуры и химического состава на характер процессов с участием заряженных частиц имеются. В частности, известно, что при введение изо- и гетеро-валентных заместителей могут сильно меняться электрофизические свойства, в частности электропроводность, подвижности (fx) и времена жизни (х) генерированных излучением носителей заряда. Поэтому изучение влияния условий синтеза на кинетику электрон-ионных процессов в твердых растворах на основе теллурида кадмия, проведенное в данной работе с использованием импульсного метода СВЧ-фотопроводимости, представляется актуальным.

Научная новизна

1. Методом твердофазного синтеза в контролируемых условиях получен широкий набор твердых растворов на основе CdTe (образцы в системах CdTe - Cdl2, CdTe - GaTe, CdTe - Ga2Te3, CdTe - InTe, CdTe - In2Te3, CdTe - In4Te3, CdTe - CdSe, CdTe - CdS, CdTe - ZnTe, CdTe - ZnSe, CdTe - Ag2Te). Фазовая однородность полученных образцов подтверждена данными РФА. Уточнены границы твердых растворов в данных системах.

2. Проведено сопоставление различных способов синтеза пленок теллурида кадмия. Модифицирована методика синтеза пленок теллурида кадмия из щелочных растворов, связанная с использованием дополнительных растворимых анодов при комнатной температуре. С помощью данной методики при комнатной температуре получены нанокристаллические образцы, что подтверждено РФА и оптическими спектрами поглощения.

3. Путем сопоставления данных, полученных методами СВЧ-фотопроводимости, катодолюминесценции (KJI) и РФА выявлены условия конкуренции процессов гибели носителей тока первого (реакция захвата) и второго (рекомбинация зарядов) порядка кинетики. Анализ тем-ператрурных зависимостей кинетики гибели фотогенерированных носителей тока позволил выявить вклад в рекомбинацию туннельных процессов.

4. Обнаружено влияние изовалентного (системы CdTe - CdS, CdTe - CdSe, CdTe - ZnTe, CdTe - ZnSe) и гетеровалентного (CdTe - Cdl2, CdTe -GaTe, CdTe - Ga2Te3, CdTe - InTe, CdTe - In2Te3, CdTe - In4Te3), CdTe -Ag2Te) замещения на времена жизни фотогенерированных носителей тока, что может быть использовано при разработке новых устройств фотоники.

Положения, выносимые на защиту

1. Синтез и исследование фазового состава образцов на основе теллурида кадмия с изо- и гетеровалентным замещением (CdTe - Cdl2, CdTe - GaTe, CdTe - Ga2Te3, CdTe - InTe, CdTe - In2Te3, CdTe - In4Te3, CdTe - CdSe, CdTe - CdS, CdTe - ZnTe, CdTe - ZnSe, CdTe - Ag2Te)

2. Исследование кинетики гибели неравновесных носителей тока в полученных образцах твердых растворов.

3. Исследование природы центров создаваемых легированием (I, Ga, In) в образцах твердых растворов на основе теллурида кадмия

4. Модель, описывающая кинетику гибели неравновесных носителей тока на больших временах при низких температурах в нелегированных образцах теллурида кадмия р- и п- типа

Практическая значимость диссертации

Установленные закономерности и предложенные подходы к описанию и исследованию физико-химических процессов могут быть использованы при исследованиях свойств различных микродисперсных систем. Продемонстрированные результаты по влиянию легирования на фотопроводимость и люминесцентные свойства теллурида кадмия могут быть использованы при разработке различных фотовольтаических устройств, таких как рентгеновские детекторы и солнечные батареи, а также для создания люминесцентных и фоточувствительных материалов с заданными свойствами. Обнаруженное влияние увеличения времен жизни фотогенерированных носителей заряда при легировании теллурида кадмия иодом либо галлием может быть использовано для управления соотношением процессов рекомбинации и захвата фо-тогенерированных носителей тока.

Личный вклад автора

Данная работа является продолжением дипломной, которую автор начал выполнять в Московском государственном университете на кафедре неорганической химии и которую продолжил в Институте проблем химической физики РАН (г. Черноголовка). Работа входила в план работ лаборатории фотоэлектрофизики. Все представленные в работе экспериментальные результаты получены лично автором или при его непосредственном участии. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с руководителями.

Автор глубоко признателен за помощь в выполнении работы руководителям профессору, д.ф.-м.н. Новикову Г.Ф, старшему научному сотруднику кафедры неорганической химии химического факультета МГУ к.х.н. Одину И.Н., Чукичеву М.В., сотрудникам лаборатории: к.ф.-м.н. Рабенок Е.В., к.ф.-м.н. Радычеву Н.А., Маринину А.А., Егорову В.А., Войлову Д.Н.

Опубликованные статьи

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях:

1. Один И.Н., Рубина М.Э., Гапанович М.В., Демидова Е.Д. Т-х-у фазовые диаграммы систем GaS+CdTe=CdS+GaTe, CdS - CdTe - InTe. // Журнал неорганической химии, 2005, Т.50. № 4. С.714-716.

2. Гапанович М.В, Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия. // Химия высоких энергий, 2007, Т. 41. №2. С.159-160.

3. Гапанович М В, Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика электрон-ионных процессов в твердых растворах на основе теллурида кадмия в системе CdTe - Cdl2.1I Неорганические материалы, 2007, Т. 43. №10. С.1190-1194

4. Один И.Н., Чукичев М.В., Гапанович М.В., , Козловский В.Ф., Нуртазин А.А., Новиков Г.Ф. Синтез, рентгенографическое изучение и люминесценция твердых растворов [Cdi.xIn3+0.5x]Te (0<х<0.046). // Неорганические материалы, 2009, Т. 45. № 7. С.799-805.

5. Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф., Один И.Н. Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием. // Физика и техника полупроводников, 2009, Т.43. № 7. С.878-883.

6. Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Гапанович М.В. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках AnBVI . // Физика и техника полупроводников, 2010, Т.44. Вып. 5. С. 600605.

Результаты, включенные в диссертационную работу, частично выполнялись в рамках проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований: проектов РФФИ №№ 06-08-01510-а, 06-03-32725-а, 03-03-32202-а.

Апробация

Материалы по теме работы были доложены на 4 международных конференциях, 4 всероссийских конференциях, 7 симпозиумах:

1. Гапанович М.В., Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного иодом. // Тезисы XXIV Всероссийской школы-симпозиума молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 2006, с. 23

2. Гапанович М. В., Радычев Н.А., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного иодом // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", г. Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г., с.162.

3. Гапанович М. В., Радычев Н.А., Воинов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика гибели генерированных светом электронов в те-луриде кадмия, легированного иодом // III Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах "ФАГРАН-2006", 11-15 октября, 2006 г., Воронеж, том 1, с. 413-414.

4. Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Радычев Н.А., Один И.Н., Новиков Г.Ф.

Влияние легирования галлием на кинетику гибели неравновесных носителей заряда в теллуриде кадмия. // XVIII Менделеевский съезд по общей и прикладной химии, 23 - 28 сентября 2007 г., Москва, Россия, с. 2039

5. Гапанович М.В., Рабенок Е. В., Радычев Н.А., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика гибели фотогенерированных носитей тока в теллуриде кадмия легированном галлием // X международная конференция «Физико-химические процессы в неорганических материалах» 2007, т.1, с.29-31

6. Н.А. Радычев, Н.А. Тихонина, Ю.В. Метелева, М.В. Гапанович, Г.Ф. Новиков, Зависимость константы скорости безызлучательной электрон-дырочной рекомбинации в полупроводниках типа AnBVI и A'BV11 от энергии запрещенной зоны. // X международная конференция "Физико-химические процессы в неорганических материалах" 2007, Кемерово, т.1, с. 146-149

7. Гапанович М.В., Рабенок Е. В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования серой на СВЧ-фотопроводимость телурида кадмия. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", г. Туапсе, 22 сентября-3 октября 2007 г., с. 263-264

8. M.V. Gapanovich, Е. V. Rabenok, G.F. Novikov X-band detection of photodi-electric effect in semicondutors solid solutions based on CdTe // "Meeting the Challenges of the 21st Century - Novel Applica-tions of Broadband Dielectric

Spectroscopy", NATO Advanced Research Workshop, Suzdal, Russia, 22 -26.07.2007, Conference abstracts. CD:/P08.pdf

9. Гапанович M.B., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Получение и исследование свойств пленок CdS и CdTe. // XX Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", г. Туапсе, 15-25 сентября 2008 г., с. 136-137

10.Е.В. Рабенок, М.В. Гапанович, Г.Ф. Новиков, И.Н. Один. Влияние легирования серой и селеном на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в теллуриде кадмия. // IV Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2008»», г. Воронеж, 6-12 октября 2008 г., с. 476-480

11 .Гапанович М.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Получение и исследование свойств нанокристаллических пленок CdTe. // IV Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах «ФАГРАН-2008»», г. Воронеж, 6-12 октября 2008 г., с. 340 -342.

И.Маринин А. А, Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Гапанович М.В. Температурная зависимость СВЧ-фотопроводимости в теллуриде кадмия легированном галлием. // XXVI Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Юность», Московская обл., 2008г., с. 21

13.Гапанович М.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Получение и исследование фазового состава и спектров поглощения нанокристаллических пленок CdTe. // Третья Всероссийская конференция по наноматериалам НАНО-2009, г. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009, с. 642.

14.Г.Ф. Новиков, А.А. Маринин, М.В. Гапанович, Е.В. Рабенок Подбарьер-ные переходы в процессах гибели избыточных носителей тока в теллуриде кадмия. // XXI Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", г. Туапсе, 22 сентября - 3 октября 2009 г

15М.В. Гапанович, А.А. Маринин, Е.В. Рабенок., И.Н. Один, Г.Ф. Новиков Влияние легирования серебром на кинетику электрон-ионных процессов в теллуриде кадмия. // XXI Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", г. Туапсе, 22 сентября - 3 октября 2009 г.

Структура диссертации

Диссертация состоит из 6 глав, содержание работы изложено на 154 странице. Диссертация включает 89 рисунков, 13 таблиц, библиографию из 100 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Гапанович, Михаил Вячеславович

Выводы

1. Методом твердофазного синтеза получены поликристаллические образцы твердых растворов на основе теллурида кадмия с изо- и гетеровалент-ным замещением (I, Ga, In, Ag, S, Se, Zn). Благодаря модификации метода катодного осаждения получены нанокристаллические образцы пленок теллурида кадмия.

2. Впервые изучена кинетика гибели неравновесных носителей тока в образцах CdTe с изо- и гетеровалентным замещением. Проведенный анализ временной эволюции частотных зависимостей СВЧ-фотоотклика в образцах позволил выделить вклады свободного и локализованного электрона в фотоотклик и разделить временные интервалы для первичных (50 - 200 не) и вторичных (более 200 не) процессов с участием неравновесных носителей тока в CdTe, определить истинные времена жизни электронов до захвата ловушками.

3. В интервале концентраций 1017 - Ю20 см"3 донорных гетеровалентных примесей (I, Ga, In) изучена природа центров, создаваемых легированием. Установлено, что образующиеся по механизму самокомпенсации ассо-циаты вида 3cd - Vcd (Э = Ga, In) и ITe - Vcd имеют меньшее сечение захвата, чем имеющееся в нелегированном p-CdTe вакансии кадмия, что приводит к увеличению времен жизни фотогенерированного электрона.

4. Исследована природа центров, создаваемых легированием изовалент-ными примесями (S, Se, Zn). Обнаруженные немонотонные зависимости характеристик фотоотклика от концентрации вводимых примесей позволили предположить, что при введении изовалентных добавок S и Se (в виде CdS и CdSe) в телурид кадмия могут образовываться разные дефекты при высоких и низких уровнях легирующей добавки.

5. Предложена модель, учитывающая возможность подбарьерных переходов при рекомбинации зарядов, способных конкурировать с надбарьер-ными переходами при понижении температуры. В нелегированных образцах температурные зависимости и закономерности спадов СВЧ-фотооткликов свидетельствовали о широком распределении барьеров.

6.4 Заключение висит от распределения барьеров по проницаемостям (по энергиям или по ширине). В зависимости от условий синтеза экспериментальные спады были либо экспоненциальны (узкое рапределение барьеров) либо концентрация носителей тока спадала пропорционально логарифму времени (широкое распределение барьеров). В нелегированных образцах температурные зависимости и закономерности спадов свидетельствовали о широком распределении барьеров.

В заключение отметим, что наблюдаемые различия в скорости спадов фотоотклика в образцах п- и р-типа (см. Рис. 81 и Рис. 84) небольшие (они вызваны различиями в быстрых компонентах). Это свидетельствует в пользу предлагаемой модели, если принять во внимание естественную близость свойств барьеров в обоих образцах. Напротив, в легированных образцах можно ожидать существенных различий в кинетике гибели зарядов из-за возможного влияния легирующих примесей на энергетическое и пространственное распределение барьеров, например, благодаря эффекту самокомпенсации

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Гапанович, Михаил Вячеславович, 2010 год

1. Lorenz M.R. P-T-x phase diagram of Cd-Te system // J. Phys. Chem. Sol., 1962, V.23. № 4. P. 939-947.

2. Boodbury H.H. The Cd-CdS system // J. Phys. Chem. Sol., 1963, V.24. №3. P. 881 -884.

3. Klemm W., Vogel C. Uber die chalkogenide von gallium und indium // Z. anorg.chem., 1934, B.219. H.l. S.45-54.

4. Grochovsky E.G., Mason D.K., Schmidt G.A., Smith P.H. The phase diagram of the binary system indium -tellurium // J. Phys. Chem. Sol., 1964, V.25. №5. P. 551-564.

5. Hogg J.H., Sutherland H.H., Williams D.J. Crystallographic evidence forexis-tence of the phases In4Se3 and 1п4Тез containing the homonuclear triatomic cation (In3)+5 // J.Chem.Commun., 1971,V.23. Sect.D. P.1568-1574.

6. Киспе-Паукар Г.А. Синтез и термодинамическое исследование фаз в системе In-Te. // Дис. канд. хим. Наук. М. МГУ им. М.В.Ломоносова. Химический факультет. 1998. 169 с.

7. Holmes P.I., Jennings J.C., Parrot J.E. Limits of In2Te3 field homogenity // J. Phys. Chem. Sol., 1962, V.23. № 1. P.l-4.

8. Атрощенко JI.B., Гальчинецкий Л.П., Кошкин B.M. Определение границ области гомогенности соединения 1п2Те3 // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы, 1965, Т.1. № 4. С.809-813.

9. Ohata К., Saraie J., Tanaka Т. Phase diagram of the cadmium sulfide cadmium telluride pseudobinary system // Japan J.Appl. Phys., 1973, V.12. № 8. P. 1198 -1204.

10. Томашик В.Н., Грыциев В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AnBVI Киев: Наук, думка. 1982. 198 С.

11. Дерид О.П., Демина Т.В., Маркус М.М. Исследование тройной системы Cd Ga -Те // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы, 1974, Т.10. № 1. С. 18 -20.

12. Дерид О.П., Демина Т.В., Маркус М.М., Радауцан С.И. Диаграмма состояния системы CdTe Ga2Te3 // Изв. АН МССР Сер. физ.-техн. и мат. наук, 1976, №2. С.56-59

13. Один И.Н., Чукичев М.В. Влияние иода на люминесцентные свойства кристаллов халькогенидов кадмия // Неорг. матер., 2003, Т.39. №5. С.534-537

14. Norris С.В. Temperature, injection level, and frequence dependens of the luminescence in lightly- and heavely-doped CdTe // J. Luminescence, 1978, V.16.3. P.297-310

15. Радауцан С.И., Дерид О.П., Дынту Г.М. и др. Фазовые взаимодействия в тройной системе CdTe-In-InTe // Изв.АН Молд.ССР. Сер.физ.-техн. и мат. наук, 1975, №3. С.37-43.

16. Гусейнов Т.Д. Поиск и физические исследования новых полупроводников-аналогов. Автореф. дисс. докт.физ-мат. наук. Баку. 1969, 82 с.

17. Lincot D. Electrodeposition of Semiconductors // Thin Solid Films, 2005, V. 487, P.40-48.

18. Panicker M.P.R., Knaster M., Kroger F.A. Cathodic Deposition of CdTe from Aqueos Electrolytes //J. Electrochemical Soc.: Electrochemical Science and Technology, 1978, V.125. № 4. P.566-572.

19. Miyake M., Murase К., Hirato Т., Awakura Y. Effect of anions on electrode-position of CdTe from ammonical basic solutions // Surface and Coating Technology, 2003, V. 169-170. P.108-111.

20. Dergacheva M.B., Statsyuk V.N., Fogel L.A. Electrodeposition of CdTe from ammonia-chloride buffer electrolytes // J. Electroanalytical Chemistry, 2005, V.579. P.43-49.

21. Chaure N.B., Samantilleke A.P., Dharmadasa I.M. Effects of inclusion of iodine in CdTe thin films on material properties and solar cells perfomance //Solar Energy Materials & Solar Cells, 2003, V.77. P.303-317.

22. McDaniel A.H., Wilkerson К J., Hicks R.F. Chemistry of Cadmium Telluride Organometallic Vapor-phase Epitaxy //J. Phys. Chem., 1995, V.99. P.3574-3582.

23. Jones E.W., Barrioz V., Irvine S.J.C., Lamb D. Towards ultra-thin CdTe solar cells using MOCVD // Thin Solid Films, 2009, V.517. P.2226-2230.

24. Пашинкин A.C., Тищенко Т.Н., Корнеева И.В., Рыженко Б.Н. // Кристаллография. 1960. Т.47. С. 131.

25. Угай Я. А., Введение в химию полупроводников, 2 изд., М., 1975, 300 с.

26. Большая химическая энциклопедия под. ред. А.П. Горкина, М.: Большая российская энциклопедия. Т.4, с. 102.

27. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел CdTe // Физ. и техн. полупроводников, 2000, Т.34. вып. 9. С.1099-1102.

28. Turkevych I., Grill R., Franc J., Belas E., Hoschl P., Moravec P. High-temperature electron and hole mobility in CdTe // Semicond. Sci. technol., 2002, № 17. P.1064 1066.

29. Mathew X., Sebastian P J. Structural and opto-electronic properties of electro-deposited CdTe on steinless steil foil. // Solar Energy Materials & Solar Cells, 1999, №59. P.85-98.

30. Abd El-Mongy A., Belal A., El Shailkh H., El Amin A. A comparison of the physical properties of CdTe single crystal and thin film // J. Phys D: Appl. Phys., 1997, № 30. P. 161 165.

31. Ковалев А.А., Жвавый С.П.,. Зыков Г.Л Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия // Физ. и. техн. полупроводников, 2005, Т.39. вып.11. С.1345 1349.

32. Байдуллаева А., Буллах М.Б., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением // Физ. и техн. полупроводников, 2004, Т.38. вып. 1. С.26-29.

33. Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхностных поликристаллических слоев CdTe. облученных импульсным лазерный излучением // Физ. и техн.полупроводников, 2001, Т.35. вып.6. С.745 748.

34. Armani N., Ferrari С, Salviati G., Bissoli F., Zha M., Zappettini A.,

35. Zanotti L. Defect-induced luminescence high-purity undoped CdTe crystals // J. Phys.: Condens Matter., 2002, № 14. P. 13203 13209.

36. Hernandez-Fenolloza M.A., Halliday D.P., Durose K., Campo M.D., Beier J. Photoluminescens studies of CdS/CdTe solar cells treated with oxygen // Thin Solid Films, 2003, №431 432. P.176 - 180.

37. Агекян В.Ф., Ильчук Г.А., Рудь Ю.В., Степанов А.Ю. Фотолюминесценция монокристаллов ZnTe и CdTe, выращенных с применением транспортирующих газов, содержащих галогены // Физ. тв. тела, 2002, Т.44. Вып.12. С.2117-2119.

38. Van Gheluwe J., Versluys J., Poelman D., Clauws P. Photoluminescence study of polycrystalline CdS/CdTe thin films solar cells // Thin Solid Films, 2005, №480 481. P.264 - 268.

39. Клевков Ю.В., Колосов C.A., Медведев C.A., Плотников А.Ф. // Физ. итехн. полупроводников, 2001, Т.35. № 10. С.1192.

40. Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. // Физ. и техн. полупроводников, 2006, Т.40. № 9. С.1028-1032.

41. Матвеев О.А., Терентьев А.И. Антиструктурные дефекты TeCd в кристаллах CdTe. // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23. №4. С.ЗО 34.

42. Miller A.R., Searoy A.W. Defect structure of CdTe crystals // J. Phys. Sol., 1965, V.69. №11. P.3826 3834.

43. Медведев С.А., Максимовский C.H. Высокотемпературная электропроводность теллурида кадмия // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1973, Т.9.3. С.356-361.

44. Stubbs M.F., Schufle I.A., Thompson A.I. Electroconductivity of CdTe crystals //J.Amer. Chem. Soc., 1954, V.76. №2. P.341-345.

45. Mochizuki K. Growth of CdTe from Те excess solution and self-compensation of doped donor // Journal of Crystal Growth, 2000, V.215. P.9 13.

46. Fischer F., Waag A., Worschech L., OssauW., Scholl S., Landwehr G., Maki-nen J., Hautojarvi P., Corbel C. Self-compensation in halogen-doped CdTe growed by molecular beam epitaxy // Journal of Crystal Growth, 1996, V.161. P.214-218.

47. Ткачук П.Н., Ткачук В.И., Букивский П.Н., Курик М.В. Метастабильный Х-центр в монокристаллах теллурида кадмия // Физ. тв. тела, 2004, Т.46. Вып.5. С.804 — 810.

48. Ткачук П.Н. Спектр фундаментального отражения и электронная структура CdTe, легированного примесью хлора // Физ. и техн. полупроводников, 2000, Т.42. Вып.11. С.1961 1963.

49. Один И.Н., Чукичев М.В., Гапанович М.В., , Козловский В.Ф., Нуртазин А.А., Новиков Г.Ф. Синтез, рентгенографическое изучение и люминесценция твердых растворов CdixIn3+0.5x.Te (0<х<0.046) // Неорг. матер., 2009, Т.45. № 7. С.799-805.

50. Гапанович М.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Получение и исследование свойств пленок CdS и CdTe. // XX Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе-2008 г., г. Туапсе, 15-25 сентября 2008 г., с. 136-137.

51. Гапанович М.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Получение и исследование фазового состава и спектров поглощения нанокристаллических пленок CdTe // Третья Всероссийская конференция по наноматериалам НАНО-2009, г. Екатеринбург, 20-24 апреля 2009, С. 642.

52. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука. 1975. 218 с.

53. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел CdTe // Физ. и техн. полупроводников, 2000, Т.34. Вып.9. С.1099-1102.

54. Картотека JCPDS (рентгенометрические данные веществ). 33 239.

55. Миркин JI. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу кристаллов. М.: Гос. изд. физ. мат. мет. 1961. С. 543.

56. Картотека JCPDS (рентгенометрические данные веществ). 33-571.

57. Гусейнов Г.Д. Поиск и физические исследования новых полупроводников-аналогов. Автореф. дисс. докт. физ-мат. наук. Баку. 1969. 82 с.

58. Потыкевич И.В., Гаврищак И.В., Раренко И.М. Магнитная воприимчивость CdTe// Укр. физич. журн. 1963. Т.8. № 7. С.1224-1277.

59. Shubert К., Dorre Е., Kluge М. Zur kristallchemie der B-metalle. III. Kristallstraktur von GaSeund InTe // Z. Metalllkunde., 1955, B.46. N.3. S.216-223.

60. Darnell A.J., Libby W.F. Magnetic properties of metals tellurides // Phys. Rev., 1964, V.135. № 5A. P.1453-1459.

61. Hogg J.H., Sutherland H.H., Williams D.J. Crystallographic evidence for existence of the phases In4Se3 and ЬцТез containing the homonuclear triatomic cation (In3)+5 // J. Chem.Commun., 1971, V.23.Sect.D. № 11. P.1568-1574.

62. Thomassen L., Mason D.R., Rose G.D. et al. The phase diagram for the pseudo-binary system CdTe-In2Te3 // J. Electrochem. Soc., 1963, V.l 10. № 11. P.l 127-1131.

63. Li M., Li J.C. Size effects on the band-gap of semiconductor compounds // Material Letters, 2006, V.60. P.2526-2529.

64. Гапанович M.B, Радычев H.A., Рабенок E.B., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия // Хим. выс. энерг., 2007, Т.41. №2. С. 159-160.

65. Deri R.J., Spoonhower J.P. Microwave photodielectric effect in AgCl // Phys. Rev., В., 1982, V. 25. №4. P.2821-2827.

66. Сермакашева H.JI., Новиков Г.Ф., Шульга Ю.М., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Физ. и техн. полупроводников, 2004, Т.38. Вып.4. С. 395-400.

67. Голованов Б.И., Тихонина Н.А., Новиков Г.Ф. Аномальное увеличение времени жизни фотоэлектрона в порошкообразном AgBr при обработке тиосульфатом натрия // Журн. науч. и прикл. фотографии, 1995, Т.40. №3. С. 44.

68. Рабенок Е.В., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф., Один И.Н. Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием // Физ. и техн. полупроводников, 2009, Т.43. № 7. С.878-883.

69. Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В. В., Аливов Я.И., Ходос И.И. Като-долюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-А\2Оз, полученных методом химического транспорта // Физ. и техн. полупроводников, 2002, Т.38. Вып.9. С. 1052-1055.

70. Chaplin K.S., Krongard R.R. The Measurement of Conductivity and Permittivity of Semiconductor Spheres by an Extension of the Cavity Perturbation Method // IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1961, V.9 .1.6. P.545-551.

71. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д.В. и др. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наук, думка. 1987. 607 с.

72. Schcherbak L., Feichouk P., Fochouk P., Panchouk O. Self-compensation in Cd-saturated In-doped CdTe // J.Cryst. Growth., 1996, V.161. №1. P.219-222.

73. Seto S., Suzuki K., Abastillas V.N., Inabe K. Compensating related defects in In-doped bulk CdTe // J.Cryst. Growth., 2000, V.214/215. №5. P.974-978.

74. Novikov G.F., Golovanov B.I. Rate constant of free electron-hole recombination reaction in powderedsilver bromide // J. Imaging Sci., 1995, V.39. № 6. P.520-524.

75. Новиков Г.Ф., Голованов Б.И., Тихонина Н.А. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в хлориде серебра. 295 К. // Изв. АН. Сер. хим., 1996, №9. С.2234-2236

76. Татауров А.В., Метелева Ю.В., Сермакашева H.JL, Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках сульфида кадмия // Изв. АН. Сер. хим., 2003, №5. С.1137-1139.

77. Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Гапанович М.В. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках AnBVI.// Физ. и техн. полупроводников, 2010, Т.44. Вып.5. С. 600-605.

78. Новиков Г.Ф., Маринин А.А., Гапанович М.В., Рабенок Е.В. О возможной роли туннельной рекомбинации в процессах гибели избыточных носителей тока в теллуриде кадмия // Журнал физ. хим., 2010, Т84. №5. С. 969-972.

79. Гапанович М.В, Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. // Неорг. материалы, 2007, Т.43. №10. С.1190.

80. Голованов Б.И., Ковальчук А.В., Новиков Г.Ф. Двухимпульсная методика измерений С.В.Ч.-фотопроводимости для исследований электрон-ионных процессов в полупроводниках//Журн. научн. прикл. фотографии, 1997, Т.42. №2.С.34-38.

81. Любченко А.В., Шейнкман М.К., Лашкарев В.Е. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев, 1981. 274 с.

82. Новиков Г.Ф. Электрон-ионные процессы в микродисперсных галогени-дах серебра. Противоречивость литературных данных. // Журн. научн. и прикл. фотографии, 1997, Т.42. №6. С.1-11.

83. Новиков Г.Ф., Рабеиок Е.В., Голованов Б.И. Диффузионные ограничения в электрон-дырочной рекомбинации на поверхности микродисперсных гало-генидов серебра // Хим. физ., 2003, Т.22. №4. С.88-92.

84. Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Чернов И.А., Метелева Ю.В. Фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS в области энергий меньше ширины запрещенной зоны // Журн. физ. хим., 2005, Т.79. №11. С.2094-2098.

85. Михайлов А.И. О возможной роли тунельного эффекта в пострадиационных реакциях в твердых органических веществах // ДАН СССР, 1971, Т.197. №1. С.136-139.

86. Аниколенко В.А., Михайлов А.И. Исследование характера затухания волновых функций при тунельном переносе электрона в стеклообразных ароматических матрицах // ДАН СССР, 1976, Т.230.№1. С.102-105.

87. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф., Моисеева JI.C., Любовский М.Р., Алфимов М.В. // Журн. научн. и прикл. фотографии, 1990, Т.35. №2. С.134.

88. Новиков Г.Ф., Маринин А.А., Рабенок Е.В. Микроволновые измерения импульсной фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта // Приборы и тежника эксперимента, 2010, Вып. 2. С.83-89.

89. Новиков Г.Ф. Начальные стадии фото- и радиационно- химических процессов в твердых средах. // Дис. докт. физ.-мат. наук. Черноголовка, 1997, 531 с.

90. Нетушил А. В., Поливанов К. М., Основы электротехники, т. 3, М., 1956; Поливанов К. М., Теоретические основы электротехники, ч. 3 — Теория электромагнитного поля, М., 1975.

91. Нейман Л. Р., Поверхностный эффект в ферромагнитных телах, Л. — М., 1949.

92. Бонч-Бруевич В.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников // М.: Наука, 1977 г,с.218.

93. Москвин А.В. Катодолюминесценция. ч. 1. М. — Л., 1949. 348 с.

94. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. 210 с.

95. Saha S., Pal U., Chaudhuri A.K., Rao V.V., Banerjee H.D. Optical Properties of CdTe Thin Films // Phys. Stat. Sol. A., 1989, V.l 14. P.721-729.