Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.01, кандидат технических наук Денисов, Игорь Андреевич

• Денисов, Игорь Андреевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Денисов, Игорь Андреевич

Список сокращений и обозначений.

Введение.

Глава 1. Общая характеристика материала CdHgTe. Основные методы выращивания и управления свойствами ЭС CdHgTe (обзор литературы).

1.1 Основные свойства материала CdHgTe (KPT).

1.2 Методы выращивания ЭС КРТ.

1.2.1 Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.

1.2.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия.

1.2.3 Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ).

1.3 Фазовые равновесия в системе Cd - Hg - Те применительно к условиям проведения ЖФЭ.

1.4 Легирование и термообработка КРТ с целью придания заданных электрофизических свойств.

1.5 Требования к ЭС КРТ для создания многоэлементных фоторезисторов и фотодиодных матричных фотоприемников.

1.6 Выводы по главе 1.

Глава 2. Опробование различных вариантов ЖФЭ применительно к получению ЭС КРТ из растворов-расплавов на основе Те.

2.1 ЖФЭ КРТ в горизонтальной проточной системе.

2.2 Вертикальный вариант ЖФЭ КРТ в условиях повышенного давления защитного газа.

2.3 ЖФЭ КРТ в запаянной кварцевой ампуле.

2.4 Выводы по главе 2.

Глава 3. Математическое моделирование процессов выращивания

ЭС КРТ из жидкой фазы.

3.1 Математическая постановка задачи.

3.2 Результаты численного моделирования конвекции при растворении и росте КРТ методом ЖФЭ.

3.3 Выбор режимов получения ЭС с гладкой поверхностью и однородным распределением состава.

3.4 Выводы по главе 3.

Глава 4. Разработка технологических основ выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ в запаянной ампуле, их легирования и отжига.

4.1 Разработка технологических режимов выращивания ЭС КРТ с заданными составом, толщиной и морфологией поверхности из растворов-расплавов на основе Те.

4.2Исследование структурного совершенства ЭС КРТ, выращенных по разработанным технологическим режимам.

4.3Разработка технологических режимов выращивания легированных индием или галлием ЭС КРТ из раствороврасплавов на основе Те.

4.4Разработка режимов отжига. Электрофизические, фотоэлектрические и оптические свойства ЭС КРТ.

4.5 Выводы по главе 4.

Глава 5. Разработка технологии выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ для крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК фотоприемников.

5.1 Технология выращивания ЭС КРТ методом ЖФЭ для

ИК фотоприемников.

5.2 Опробование ЭС КРТ при изготовлении крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК фотоприемников.

5.3 Выводы по главе 5.

Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников»

Актуальность темы. Все передовые страны мира интенсивно развивают производство устройств регистрации инфракрасного (ИК) излучения, которые используются как при создании современных систем вооружений, так и в различных сферах гражданского применения: медицине, транспорте, строительстве, экологическом мониторинге, пилотажно-навигационных системах. Подавляющее большинство современной аппаратуры ИК диапазона спектра создается с использованием узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHgi.xTe (KPT). Благодаря возможности плавного изменения ширины запрещенной зоны (Eg) с изменением химического состава, диапазон спектральной чувствительности фотоприемников (ФП), изготовленных на основе КРТ, перекрывает полосы поглощения большинства газов, имеющихся в атмосфере, и включает в себя основные окна прозрачности атмосферы, в том числе в средневолновой (3-5 мкм) и длинноволновой (8-14 мкм) областях ИК спектра. И если в диапазоне 3-5 мкм конкуренцию КРТ составляют халькогениды свинца, антимонид и арсенид индия, то в диапазоне длин волн 8-14 мкм КРТ полностью доминирует, поскольку создание ФП на основе примесного германия или кремния требует охлаждения до значительно более низких рабочих температур, а твердые растворы на основе теллуридов свинца и олова уступают КРТ по своим свойствам. Широкие возможности управления электрофизическими свойствами позволяют получать КРТ с концентрацией и подвижностью носителей заряда, обеспечивающими возможность создания, как фоторезисторов (ФР) на основе КРТ n-типа, так и фотодиодов (ФД) на основе КРТ р-типа проводимости с высокими эксплуатационными характеристиками. В связи с этим основной областью применения КРТ является разработка и производство многоэлементных ФР и ФД матричных фотоприемных устройств (МФПУ), чувствительных в диапазонах длин волн 3 -5 и 8 -14 мкм.

Актуальным направлением развития ИК-техники является увеличение числа чувствительных элементов ФП и переход от многорядных сканируемых систем к крупноформатным МФПУ "смотрящего" типа, в которых каждому элементу изображения соответствует свой фоточувствительный элемент. Исходя из этого, выдвигаются требования к фоточувствительному материалу, который должен иметь высокую однородность распределения состава, электрофизических и фотоэлектрических свойств на большой площади, обладать высоким структурным совершенством и качеством поверхности, пригодным для приборного применения. В случае КРТ перечисленным требованиям наиболее полно удовлетворяют эпитаксиальные технологии выращивания.

В настоящее время практически весь объем выпуска ФР со спектральной чувствительностью в области 8-И 4 мкм в России базируется на использовании объемных кристаллов КРТ n-типа проводимости. При использовании объемных кристаллов КРТ в технологии изготовления ФР присутствует ряд операций, связанных с уменьшением толщины исходных пластин от ~ 1мм до конечной толщины ФР-структуры (как правило, не более 15 мкм). Эти операции характеризуются безвозвратными потерями полупроводникового материала, трудоемкостью, низкой производительностью, требуют применения прецизионного оборудования. Новые возможности для совершенствования технологии изготовления многоэлементных ФР и снижения их стоимости открывает использование эпитаксиальных структур со слоем КРТ n-типа проводимости толщиной (8-И 5) мкм, высоким качеством поверхности, электрофизическими и фотоэлектрическими свойствами на уровне объемных кристаллов. Это позволит резко снизить трудоемкость и удельный расход полупроводникового материала при изготовлении ФР, повысить их эксплуатационные характеристики за счет совершенства структуры эпитаксиальных слоев (ЭС).

На сегодняшний день в России и за рубежом активно развиваются три основных метода эпитаксии КРТ: жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ), молеку-лярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и газофазная эпитаксия из металлоорганиче-ских соединений (ГФЭМОС). Наибольшие успехи достигнуты методами ЖФЭ и МЛЭ. Несмотря на то, что МЛЭ и ГФЭМОС обеспечивают получение ЭС большой площади с зеркальной поверхностью и могут использовать хорошо разработанные относительно дешевые подложки GaAs, Si, Ge и т.п., основным промышленным методом выращивания ЭС КРТ в мире является ЖФЭ. При выращивании однослойных структур, которые используются для изготовления многоэлементных ФР и крупноформатных МФПУ, на передний план выходят такие достоинства метода как высокая производительность, простота технологического оборудования, высокая чистота ЭС, дополнительная очистка от ряда примесей при кристаллизации из раствора-расплава. Наряду с этим в последние годы достигнут значительный прогресс в технологии выращивания и обработки изовалентных и изопериодных с КРТ твердых растворов Cdi.yZnyTe (КЦТ), которые используются при ЖФЭ КРТ и являются оптимальным подложечным материалом. Необходимо отметить, что на момент начала работы в России отсутствовали разработанные методы эпитаксии КРТ.

Настоящая работа являлась частью исследований, проводимых в соответствии с координационным планом научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ ФГУП «Гиредмет» по темам «Исследование, разработка базовой технологии жидкофазной эпитаксии высокооднородного КРТ для нового поколения матричных ИК-фотоприемников на спектральные диапазоны 1+12 мкм», шифр: «Сатурн-М-ОК()»(2003год), «Разработка базовых технологий изготовления эпитаксиальных полупроводниковых структур теллурида кадмия - ртути для производства крупноформатных матричных фотоприемников», шифр «Гепард»(2004), "Разработка технологии и выпуск ТУ на эпитаксиалъные слои КРТ для крупноформатных ФЭМ", шифр: "Фотоника-21 Э"(2005год), «Разработка опытно-промышленной технологии изготовления эпитаксиальных структур CdxHg].xTe для производства многоэлементных фотоприемников», шифр "Ягуар"(2005год).

Цель работы

Разработка технологии выращивания методом ЖФЭ ЭС КРТ р-типа проводимости для крупноформатных МФПУ с областью спектральной чувствительности в диапазонах длин волн 3 - 5 и 8 -14 мкм.

Разработка технологии выращивания методом ЖФЭ ЭС КРТ п-типа проводимости для замены объемных кристаллов КРТ при производстве многоэлементных ФР с областью спектральной чувствительности в диапазонах длин волн 3 - 5 и 8 - 14 мкм.

Объект и предмет исследования

Проведены исследования условий выращивания ЭС КРТ из растворов-расплавов на основе Те тремя основными вариантами метода ЖФЭ: в горизонтальной проточной системе с использованием графитового контейнера слайдерного типа, методом "погружения" в условиях повышенного давления защитного газа, в запаянной кварцевой ампуле с удалением остатков раствора-расплава путем центрифугирования. На основе проведенных экспериментов для дальнейшей разработки был выбран вариант ЖФЭ в запаянной ампуле. Для этого варианта ЖФЭ на основе решения двумерных нестационарных уравнений концентрационной конвекции в приближении Буссинеска проведено численное исследование гидродинамических процессов, протекающих в жидкой фазе. Для оптимизации режимов ЖФЭ проведено исследование влияние состава жидкой фазы, геометрии ростовой ячейки, способа создания пересыщения в жидкой фазе, условий подрастворения подложки в перегретом растворе-расплаве на начальных стадиях процесса, температурно-временных режимов проведения выращивания на основные свойства ЭС (состав, толщина, однородность их распределения по площади ЭС, качество поверхности). Исследованы условия вхождения легирующих примесей (In, Ga) в ЭС КРТ при их выращивании из раствора-расплава на основе Те. Для достижения заданных электрофизических и фотоэлектрических параметров проведены исследования влияния условий отжига ЭС КРТ в атмосфере насыщенных паров, в условиях регулируемого давления паров Hg и в парах шихты на основе Те на концентрацию и подвижность свободных носителей заряда и время релаксации неравновесной фотопроводимости.

Научная новизна

1 Определена область изменения технологических параметров при ЖФЭ КРТ из растворов-расплавов на основе Те, в которой массоперенос растворённых компонентов к фронту кристаллизации осуществляется в режиме близком к диффузионному.

2 Впервые установлена причина возникновения волнообразного макрорельефа на поверхности эпитаксиальных слоев КРТ, заключающаяся в формировании фронта кристаллизации в условиях конвективного массопере-носа в жидкой фазе на начальных стадиях проведения процесса эпитаксии.

3 Впервые методом радиоактивных индикаторов определены коэффициенты распределения индия и галлия и их концентрационная зависимость при легировании ЭС КРТ в процессе ЖФЭ из раствора-расплава на основе Те.

4 Впервые предложена модель образования выступающих дефектов роста на поверхности ЭС при ЖФЭ КРТ.

5 Разработаны режимы отжига ЭС КРТ в парах шихты на основе Те, обеспечивающие получение материала р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда при температуре 77,3 К р=(0.5 - 2.0)х1016 см"3, подвижностью |ip до 600 см2В*'с"1 и исключающие возможность дефектообразования на поверхности ЭС в результате локального взаимодействия с паровой фазой.

Практическая значимость

Практическая значимость полученных результатов заключается в том, что разработаны физико-химические основы технологии выращивания нелегированных и легированных индием (галлием) ЭС CdxHgi.xTe из растворов-расплавов на основе Те в запаянной кварцевой ампуле, обеспечивающие получение ЭС с составом, толщиной, однородностью распределения состава и толщины по площади ЭС, электрофизическими и фотоэлектрическими характеристиками и с качеством поверхности необходимыми для изготовления крупноформатных МФПУ и многоэлементных ФР с областью спектральной чувствительности, соответствующей основным окнам прозрачности атмосферы.

Установлено, что причиной появления на поверхности ЭС волнообразного макрорельефа является нарушение планарности поверхности подложки в результате возникновения конвективных потоков при ее подрастворении в перегретом растворе-расплаве на начальной стадии проведения процесса эпитаксии. Величина критического перегрева, при котором жидкая фаза теряет свою устойчивость во время подрастворения поверхности подложки, зависит от толщины слоя жидкой фазы и скорости принудительного охлаждения системы подложка — раствор-расплав. Разработаны режимы выращивания ЭС КРТ без нарушения формы их поверхности.

Для воспроизводимого получения ЭС КРТ n-типа проводимости разработаны режимы легирования ЭС индием или галлием из жидкой фазы на уровне (1.0 - 10.0)х1014 см*3. В том числе, разработан режим синтеза лигатуры Te+In(Ga), обеспечивающий однородное распределение примеси по длине слитка.

Установлено, что образование выступающих дефектов роста на поверхности ЭС связано с процессом спонтанной кристаллизации в донной части ростовой ячейки и возникающей при этом локальной гидродинамической неустойчивости, которая приводит к изменению условий доставки растворенных компонентов к поверхности ЭС. Разработаны режимы выращивания ЭС КРТ с поверхностью, свободной от этого вида дефектов.

Разработанные режимы отжига ЭС непосредственно в ростовой ампуле позволяют исключить из технологического маршрута операции, связанные с химической обработкой, компоновкой, вакуумированием и запайкой ампул для проведения отжига. При этом отжиг ЭС проходит в парах шихты на основе Те, что позволяет сохранить морфологию поверхности выращенных ЭС без изменений.

Разработана технология выращивания ЭС КРТ р-типа проводимости методом ЖФЭ для крупноформатных МФПУ. Выпущены ТД 48.0572.199.04, ТУ 1778-292/0-0198396-04, ТД 48.0572.203.05, ТУ 1778-293/0-0198396-05.

Разработана технология выращивания ЭС КРТ n-типа проводимости методом ЖФЭ для многоэлементных ФР. Выпущены ТД 48.0572.204.05 и ТУ 1778-291/0-0198396-05, литера «О]». ЭС КРТ n-типа проводимости предназначены для замены объемных кристаллов КРТ в серийном производстве многоэлементных ФР.

На базе ФГУП "Гиредмет" организовано опытно-промышленное производство ЭС КРТ п и р-типа проводимости. Осуществляются поставки на заводы и в организации, производящие и разрабатывающие ИК ФП.

На защиту выносятся:

1 Технология выращивания ЭС КРТ р-типа проводимости для крупноформатных МФПУ на спектральные диапазоны 3 - 5 и 8 - 14 мкм.

2 Технология выращивания ЭС КРТ n-типа проводимости, в том числе, легированных In, для многоэлементных ФР на спектральные диапазоны 3-5 и 8 - 14 мкм.

3 Результаты численного моделирования процесса ЖФЭ КРТ в двумерном приближении с использованием разработанной математической модели.

4 Разработанные режимы отжига ЭС КРТ в парах шихты на основе Те, обеспечивающие получение заданных ЭФХ ЭС р-типа проводимости в едином технологическом цикле с их выращиванием.

5 Режимы легирования ЭС ЖФЭ КРТ индием и галлием в процессе выращивания ЭС из растворов-расплавов на основе Те, коэффициенты распределения индия и галлия и их концентрационная зависимость.

Личный вклад автора

Автором проведены исследования кинетики разложения раствора-расплава на основе Те при проведении ЖФЭ в проточной системе, разработана конструкция контейнера для проведения ЖФЭ методом сдвига, определены термодинамические коэффициенты (в том числе, рассчитаны коэффициенты концентрационного расширения) и сформулированы граничные условия математической модели ЖФЭ, выполнены работы, связанные с использованием радионуклидов In и Ga при разработке режимов легирования ЭС, предложена модель образования выступающих дефектов роста на поверхности ЭС, предложены и отработаны режимы отжига ЭС непосредственно в ростовой ампуле в парах шихты на основе Те. При непосредственном участии и под руководством автора оптимизированы режимы выращивания ЭС, оформлены ТУ и ТД на разработанные технологии.

Работы проводились в тесном взаимодействии с соавторами, которые не возражают против использования в диссертации совместно полученных результатов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на X, XI Национальных конференциях по росту кристаллов (г. Москва 2002, 2004), на XVI, XVIII международных конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения (г. Москва 2000, 2004), на Всероссийском совещании по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (г. Новосибирск 2003), на VI Российской конференции по физике полупроводников (г. Санкт-Петербург, 2003), на XIX международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (г. Москва 2006), SPIE's 47th Annual Meeting (Seattle, Washington, USA, 2002), 13th Intern. Workshop on room-temperature semiconductors X- and gamma- ray detectors (Portland, Oregon, USA, 2003).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 27 печатных работ, из них 3 в журналах, входящих в перечень, утвержденный ВАК РФ. Список основных работ приведен в автореферате.

Структура и объем работы

Диссертация изложена на 140 страницах, иллюстрируется 41 рисунком, сопровождается 8 таблицами и включает в себя введение, 5 глав, выводы и список используемой литературы, включающий 172 наименования.

Заключение диссертации по теме «Технология неорганических веществ», Денисов, Игорь Андреевич

Выводы

1 Разработаны технологические основы жидкофазной эпитаксии КРТ в горизонтальной проточной системе с использованием графитового контейнера слайдерного типа (метод «сдвига»), вертикального варианта ЖФЭ КРТ в условиях повышенного давления защитного газа (метод «погружения») и ЖФЭ в запаянной кварцевой ампуле с удалением раствора-расплава путем центрифугирования.

Для разработки опытно - промышленной технологии выращивания ЭС КРТ выбран вариант ЖФЭ в запаянной кварцевой ампуле с удалением раствора-расплава путем центрифугирования, для которого, по сравнению с альтернативными вариантами ЖФЭ КРТ, характерны максимальная воспроизводимость состава (87% для состава х=0.215±0.005 мольной доли CdTe по сравнению с 37% и 50% для методов сдвига и погружения соответственно) и толщины ЭС, возможность выращивания ЭС большой площади с поверхностью, полностью свободной от капель раствора-расплава, высокая производительность, низкая материалоемкость и простота аппаратурного оформления.

2 Методами численного моделирования проведено исследование влияния различных параметров технологического процесса на динамику роста, состав, однородность распределения состава и толщины по площади ЭС. Рассмотрен процесс растворения подложки в перегретом растворе - расплаве на начальных стадиях проведения процесса эпитаксии. Определена область изменения технологических параметров, в которой массоперенос растворённых компонентов к фронту кристаллизации осуществляется в режиме, близком к диффузионному. Установлена основная причина возникновения волнообразного макрорельефа на поверхности ЭС, заключающаяся в формировании фронта кристаллизации в условиях конвективного массопе-реноса в жидкой фазе на начальных стадиях проведения процесса эпитаксии.

3 Разработаны физико-химические основы технологии выращивания ЭС CdxHgi.xTe из растворов-расплавов на основе Те в запаянной кварцевой ампуле, обеспечивающие получение ЭС с составом х в диапазонах (0,19 -0,23) и (0.27 - 0.32) мольной доли CdTe, толщиной 15±5 мкм, диаметром до 50 мм, однородностью распределения состава и толщины по площади ЭС до Дх=±0,002 мол. доли CdTe и Ad=±2 мкм соответственно, с качеством поверхности, пригодным для изготовления на их основе крупноформатных матричных фотодиодных и многоэлементных фоторезистивных ИК-приемников.

4 Исследованы особенности формирования микрорельефа и ростовых дефектов на поверхности ЭС. Установлена причина и предложена модель образования выступающих дефектов роста, заключающаяся в локальной гидродинамической неустойчивости жидкой фазы, вызванной спонтанной кристаллизацией КРТ на графитовую стенку в придонной области ростовой ячейки.

5 Разработаны режимы легирования ЭС КРТ индием и галлием. Определена концентрационная зависимость их коэффициентов распределения в интервале концентраций в жидкой фазе от l.OxlO14 до l.OxlO18 см'3. При кони центрациях до 1.0x10 см' эффективность легирования ЭС КРТ индием составила ~100%.

6 Разработаны режимы отжига нелегированных ЭС КРТ в насыщенных парах Hg, обеспечивающие получение слоев р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда при 77.3 К р=(0.5-2.0)х1016 см*3 и их подвижностью |ip до 600 см2В',с'1. Разработаны режимы отжига ЭС КРТ в ростовой ампуле в парах шихты на основе Те, исключающие возможность дефектообразования на их поверхности в результате локального взаимодействия ЭС с паровой фазой и обеспечивающие получение указанных электрофизических характеристик ЭС.

7 Разработаны режимы отжига нелегированных и легированных индием (галлием) ЭС КРТ, обеспечивающие n-тип проводимости с концентрацией электронов п=(1.(Н5.0)х1014 см'3, их подвижностью (Хп не менее 6x104 2 11 см В" с*, временем релаксации фотопроводимости т~1 мкс.

8 Разработаны:

- «Технология изготовления эпитаксиальных полупроводниковых структур теллурида кадмия-ртути для производства крупноформатных матричных фотоприемников»;

- «Технология изготовления эпитаксиальных структур кадмий-ртуть-теллур для крупноформатных фотоэлектронных модулей»;

- «Технология изготовления эпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для многоэлементных фоторезисторов».

Для разработанных технологий выпущены и утверждены соответствующие технические условия и комплекты технологической документации.

По разработанным технологиям на базе ФГУП "ГИРЕДМЕТ" организовано опытно-промышленное производство ЭС КРТ n-пипа проводимости с суммарным выходом в годную продукцию -13 % и ЭС КРТ р-типа проводимости с суммарным выходом в годную продукцию 22 - 25 %.

9 На основе выращенных по разработанной технологии в ФГУП "ГИРЕДМЕТ" гетероструктур в ФГУП "НПО "Орион" (г. Москва) изготовлены модули МФПУ как сканируемого типа, предназначенные для работы в режиме ВЗН, так и МФПУ "смотрящего" типа. Удельная обнаружительная способность фотодиодов матричных фотоприемников составляет D*~3 Ю10 смВт"'Гц1/2 для граничной длины волны 10,3 мкм. Разработаны МФПУ формата 4x288, 6x480, 128x128, 256x256, 384x288 и 768x576 элементов, что свидетельствует о высоком качестве ЭС.

Проведено опробование ЭС КРТ n-типа проводимости, выращенных по разработанной технологии, при изготовлении многоэлементных ИК-модулей на основе двумерных охлаждаемых ФР с малыми размерами фоточувствительных площадок, исследованы области их спектральной чувствительности и фотоэлектрические параметры. Обнаружительная способность ФР составила D*~ (4-И>)хЮ10 Вт"'Гц1/2СМ При ВОЛЬТВаТНОЙ ЧуВСТВИТеЛЬНОСТИ Su Imax > 7x1 о4 ВхВт'1. На переданных в ОАО "Московский завод "Сапфир" образцах ЭС КРТ изготовлены ФП, полностью удовлетворяющие требованиям ТУ на модульные фотоприемники при значительном технологическом запасе значений норм параметров - критериев годности.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Денисов, Игорь Андреевич, 2007 год

1. Герасимов Я.И., Крестовников А.Н., Горбов С.И. Химическая термодинамика в цветной металлургии // Том 6. Термодинамика селена и селе-нидов, теллура и теллуридов. - М.: Металлургия. - 1974. - 312 с.

2. Propeties of Narrow Gap Cadmium Based Compounds / Ed. by P.Capper -Inspec. IEE. 1994. - P. 617.

3. Барышев H.C. Свойства и применение узкозонных полупроводников. -Казань: УНИПРЕСС. 2000. - 433 с.

4. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение. — М.: Воениздат, — 1982. — 208 с.

5. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова Думка, - 1975.

6. Ray В., Spencer P.M. Phase diagram of the alloy system HgTe-CdTe. // Phys. stat. sol. 1967. - V. 22, № 2. - P. 371 - 373.

7. Инденбаум Г.В. Дворкин Ю.В., Еремина З.А. Коэффициент линейного расширения теллурида ртути // В сб. Структура и свойства соединенийл /

8. А В . Научные труды МИСиС № 146 / под ред. А.В. Ванюкова. М.: Металлургия. - 1983. - С. 107 - 108.

9. Tobin S.P., Smith F.T.J., Norton P.W., Wu J., Dudley M., Di Marzio D., Ca-sagrande L.G. The relationship between lattice matching and crosshatch in liquid phase epitaxy HgCdTe on CdZnTe substrates // J. of Elecrton. Mat. -1995.-V. 24, № 9.-P 1189- 1199.

10. Бовина JI.A., Стафеев В.И. Узкозонные твердые растворы (CdHg)Te // В сб. Физика соединений AnBVI /под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнк-мана М.: Наука. - 1986. - 320 с.

11. Инденбаум Г.В. Дворкин Ю.В. Прецизионные измерения зависимости периода кристаллической решетки HgTe и твердых растворов CdxHgi.xTe от состава и термообработки. // В сб. Структура и свойства соединений

12. А2В6. Научные труды МИСиС № 146 / под ред. А.В. Ванюкова. М.: Металлургия. - 1983. - С. 95 - 107.

13. Skauli Т., Haakenaasen R., Colin Т. Thermal expansion behaviour of CdHgTe epitaxial layers on CdZnTe substrates // J. Cryst. Growth. 2002. -V. 241.-P. 39-44.

14. Oztekin Alparslan, Pearlstein Arne J. Isobaric equation of state for liquid Hg,.xCdxTe // J. Cryst. Growth. 1999. - V. 204. - P. 282 - 288.

15. Физикохимические свойства полупроводниковых веществ // под ред. А.В. Новоселовой. М.: Наука. - 1979. - С. 339.

16. Балагурова Е.А., Владимиров Н.В., Рязанцев А.А., Товпенцев Ю.К., Хабаров Э.Н. Диаграмма состояния системы HgTe CdTe // Изв АН СССР сер. Неорганические материалы. - 1974. - Т. 10. - № 6. - С. 1135.

17. Физика и химия соединений A"bvi // пер. под ред. С.А. Медведева. М.: Мир.-1970.

18. Давыдов А.А., Картушина А.А., Томсон А.С., Фазовое равновесие в системах Cd Se и Cd - Те // Сб. Термодинамические и термохимические константы. - М.: Наука. - 1970. - С. 78 - 82.

19. Ching-Hua SU, Heat capacity, enthalpy of mixing, and thermal conductivity of Hg.xCdxTe pseudobinary melts // J. Ciyst. Growth. 1986. - V. 78. - P. 51-57.

20. Willey J.G. Dexter R.N. Helicon and non-resonant cyclotron absorption in semiconductor. II Hg^CdJe // Phys. Rev. 1969. - V.181, № 3 - P. 1181 -1188.

21. Scott M.W. Energy gap in Hg!.xCdxTe by optical absorption // J. Appl. Phys. 1969.-V. 40, № 10.-P. 4077-4081.

22. Shmit J.L., Stelzer E.L. Temperature and alloy compositional dependences of the energy gap of Hg,.xCdxTe // J. Appl. Phys. 1969. - V. 40, № 12. - P. 4865-4869.

23. Hansen G.L., Shmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hgt.xCdxTe // J. Appl. Phys. 1982. - V. 53, № 10. -P. 7099-7101.

24. Hansen G.L., Shmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in HgNxCdxTe // J. Appl. Phys. 1983. - V. 54, № 3. - P. 1639- 1640.

25. Рогальский А. Инфракрасные детекторы // Пер. под ред. А.В. Войцехов-ского. Новосибирск: Наука. - 2003. - 636 с.

26. Djuric Z. Isothermal vapour phase epitaxy of mercury - cadmium telluride (Hg, Cd)Te // J. Mat. Sci. - 1995. - V. 5. - P. 187-218.

27. Sochinskii N.V., Bernardi S., Dieguez E., Fransoni P., Kletskii S.W. Vapor phase epitaxy of HgixCdxTe on CdTe heteroepitaxial substrates // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 149. - P. 35 - 44.

28. Becla P., Lagowski J., Gatos H.C. Optimization of isothermal growth of HgCdTe layers // J. of Electrochem. Soc. 1982. - V. 12, № 5. - P. 1103 -1105.

29. Becla P., Wolff P.A., Aggarwal R.L., Yuen S.Y. Pressure controlled VPE growth of quaternary Hg^.yCdxMnyTe epitaxial layers // J. Vac. Sci. Technol. 1985.-V A3, № l.-P. 119-123.

30. Shin S.H., Pasko J.G. Open tube isothermal vapor phase epitaxy of Hg,.xCdxTe on CdTe // Appl. Phys. Lett. - 1984. - V.44, № 4. - P. 423 - 425.

31. Piotrowski J., Djuric Z., Galus W., Jovic V., Grudzien M., Djinovic Z., Nowak Z. Composition and thickness control of CdxHgi.xTe layers grown by open tube isothermal vapour phase epitaxy // J. Cryst. Growth. 1987. - V. 83.-P. 122-126.

32. Korenstein R., MacLeod B. Growth of (111) CdTe films on (100) GaAs substrates by hot wall epitaxy // J. Ciyst. Growth. 1988. - V. 86. - P. 382 -385.

33. Sitter H., Lischka K., Faschinger W. Growth and characterization of high -quality CdTe epilayers on GaAs substrates by hot wall epitaxy // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86. - P. 377 - 381.

34. Rogalski A., Piotrowski J., Gronkowski J. A modified hot wall epitaxy technique for the growth of CdTe and Hgi.xCdxTe epitaxial layers // Thin Solid Films. 1990. - V. 191, № 2. - P. 239 - 245.

35. Hong K.J., Jeong J.W., Baek H.W., Jeong T.S., Youn C.J., Moon J.D., Park J.S. // J. Cryst. Growth. 2002. - V. 240. - P. 135 - 141.

36. Roussille R., Guillot S., Lefeuvre G. Growth of high quality epitaxial CdxHgi.xTe films by sputter deposition // J. Ciyst. Growth. 1982. - V. 59. -P. 130-134.

37. Cheung J.T., Cheung D.T. Growth of HgCdTe films by laser induced evaporation and deposition // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V.21, № 1. - P. 182 -186.

38. Cheung J.T. Epitaxial growth of Hgo.7Cdo.3Te by laser-assisted deposition // Appl. Phys. Lett. 1983. - V.43, № 3. - P. 255 - 257.

39. Иванов-Омский В.И., Ахроменко Ю.Г., Ильчук Г.А., Павлишин С.П Эпитаксиальные слои CdxHgi„xTe, полученные методом химических транспортных реакций // Неорганические материалы. 1983. - Т. 19, №12.-С. 2051 -2053.

40. Mancini A.M., Pierini P., Quirini A., Rizzo A., Vasanelli L. Growth and characterization of CdTe films on CdTe crystals // J. Cryst. Growth. 1983. - V. 62.-P. 34-40.

41. Wiedemeier H., Uzpurvis A.E. Epitaxial growth of Hg).xCdxTe by chemical vapor transport //J. Electrochem. Soc. 1983. - V. 130, № i.p. 252-254.

42. Wiedemeier H., Yu-Ru Ge., Hutchins M.A., Sha Y.G. Growth of Hg,.xCdxTe epitaxial layers on (100) CdTe by chemical vapor transport under normal and reduced gravity conditions // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 146. - P. 610 -618.

43. Irvin S.J.C., Mullin J.B. The growth by MOVPE and characterization of CdxHgi.xTe.// J. Cryst. Growth.- 1981.-V. 55.-P. 107-115.

44. Mullin J.B., Irvin S.J.C. The growth of CdxHgi.xTe using organometallics. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 21, № l.-P. 178-181.

45. Smith L.M., Thompson J., Jones A.C., Jacobs P.R., Rishworth S.A. MOCVD growth of CdTe and CdHgTe using a new cadmium source. // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, № 1 - 4. - P. 930.

46. Irvin S., Mullin J. Photo-epitaxy of narrow band gap II-VI materials the way ahead. // Chemtronic. - 1987. - V. 2, № 2. - P. 54 - 61.

47. Thompson J., Mackett P., Smith L.M., Cole-Hamilton D.J. The growth of CdHgTe by MOCVD at reduced temperatures. // J. Cryst. Growth. 1988. -V. 86, № 1-4.-P. 233-239.

48. Stolyarova S., Amir N., Nemirovsky Y. Rapid thermal metalorganic chemical vapor deposition of II-VI compounds // J. Cryst. Growth. 1998. - V. 184/185.-P. 144- 148.

49. Halis J.E., Russell G.J., Browen P.D., Brinkman A.W. Woods J. A comparison of the structure of CdTe and (Hg, Cd)Te layers grown by MOVPE on

50. A and (111)B CdTe substrate. // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, № 1 -4.-P. 516-521.

51. Edwall D.D., Gertner E.R., Bubulac L.O. Material characteristics of CdxHg,.xTe grown by organometallic vapor phase epitaxy. // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, № 1 - 4. - P. 240 - 247.

52. Rossouw C.J., Glanvill S.R., Kwietniak M.S., Pain G.N., Warminski Т., Wilson J.J. Characterization of GaAs/HgCdTe interface formed by MOCVD. // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, № 1 - 4. - P. 937 - 938.

53. Sochinskii N.V., Soares J.C., Alves E., da Silva M.F., Franzosi P.,. Bernardi S., Dieguez E. Structural properties of CdTe and Hgi.xCdxTe epitaxial layers grown on sapphire substrates // J. Cryst. Growth. 1996. - V. 161. - P. 195 -200.

54. Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. ТЕМ studies of epitaxial CdTe and (HgCd)Te grown by MOVPE on GaAs and CdTe substrates // J. Cryst. Growth. 1986. - V. 86. - P. 511 - 515.

55. Mullin J.B., Clifton P.A., Russell B.J., Brinkman A.W., Woods J. Electrical properties and surface effect in MOVPE grown (Hg, Cd)Te. // J. Cryst. Growth.- 1988.-V. 86,№ 1-4.-P. 735.

56. Mitra P., Tyan Y.L., Schimert T.R., Case F.C. Donor doping in metalorganic vapor deposition of HgCdTe using ethyl iodide // Appl. Phys. Lett. 1994. -V. 65,№2.-P. 195-197.

57. Benz II R.G., Conte-Matos A., Wagner B.K., Summers C.J. Ethyliodide n-type doping of (x=0.24) grown by metalorganic molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65, № 22. - P. 2836 - 2838.

58. Raccah P.M., Gariand J.W., Zhang Z., Lee U., Ugur S., Mioc S. Study of mercury cadmium Telluride epilayers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy // J. Appl. Phys. 1985. - V. 57, № 6. - P. 2014 - 2017.

59. Ing-Ruey Liane, Kom-Sen Chou, Ming-Shyong Lin. Thermodinamic analysis of the growth of CdxHg!.xTe by MOCVD. // J. Ciyst. Growth. 1988. - V. 87, №3.-P. 529-534.

60. Schmit J.L. MOCVD growth of CdTe and HgCdTe. // J. Vac. Sci. Technol. -1985.-V. A3, № l.-P. 89-92.

61. Thompson J., Mackett P., Jenkin G.T., Nguen Duy Т., Gori P. The growth of CdHgTe by metalorganic chemical vapor deposition for optical communication device. // J. Ciyst. Growth. 1988. - V. 86, № 1 - 4. - P. 930.

62. Spect L.T., Hoke W.E., Oguz S., Lemonias P.J., Kreismanies V.G., Koren-stein R. High performance HgCdTe photoconductive device grown by metalorganic chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 48, № 6. -P. 417-418.

63. Maxey C.D., Fitzmaurice J.C., Lau H.W., Hipwood L.G., Shaw C.S., Jones C.L., Capper P. Current status of large-area MOVPE growth of HgCdTe device heterostructures for Infrared Focal Plane Arrays // J. Electron. Mat. -2006. V. 35, № 6. - P. 1275 -1282.

64. Faurie J.P., Million A. Molecular beam epitaxy of II VI compounds: CdxHgi.xTe // J. Cryst. Growth. - 1981. - V. 54. - P. 582 - 585.

65. Nishitani K., Ohkata R., Murotani T. Molecular beam epitaxy of CdTe and Hg,.xCdxTe on GaAs (100) // J. Electron. Mat. 1983. - V.12, № 3. - P. 619 -634.

66. Myers Т.Н., Giles-Teyljr N.C., Yanka R.W., Bicknell R.N., Cook J.W., SchetzinaJ.F. Properties and applications Of CdTe/sapphire epilayers grownby molecular beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - V. A 3, № 1. -P. 71-75.

67. Chow P.P., Johnson D. Growth and Characterization of MBE grown HgTe -CdTe superlattices // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - V. A 3, № 1. - P. 67 -70.

68. Lange M.D., Molecular beam epitaxial growth and characterization of 2-in diameter Cdx Hgi.x Те films on GaAs(lOO) substrate // Appl. Phys. Lett. -1988, V. 52, № 12. - P. 678-680.

69. Wu O.K., Kamath G.S. An overview of HgCdTe MBE technology // Simi-cond. Sci. Technol. 1991. - V. 6, № 12C. - P. 6 - 9.

70. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона // Отв. ред. Синица С.П. Новосибирск: Наука. - 2001. - 375 с.

71. Mikhailov N.N., Rychlitsky S.V., Spesivtsev E.V., Dulin S.A., Nazarov N.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A. Integrated analytical equipment for film growth in MBE technology // Material Science & Engineering. 2001. - V. B80. - P. 41-45.

72. Wijewarnasuriya P.S., Sou J.K., Kim Y.J. ,Mahavadi K.K., Sivananthan S., Boukerche M. , Faurie J.P. Elrectrical properties of Li-doped CdxHgNxTe(100) by molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. 1987. -V.51,№24.-P. 2025-2027.

73. Peterman D.J., Wroge M.L., Morris B.J.,. Leopold D.J., Broerman J.G. P-on-n heterojunction of (Hg,Cd) Те by molecular-beam epitaxy: Controlled silver doping and compositional grading // J .Appl. Phvs. 1988. V. 63, № 6. P. 1951-1954.

74. Rajavel R.D., Wu O.K., Jamba D.M., de Lyon T.J. Molecular beam epitaxial growth and properties of short-wave infrared HgO.3CdO.7Te films // J. Vac. Sci. Technol. 1996. - V. В14, № 3. - P. 2362 - 2365.

75. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices // Opto-electronics review. 2003. -V. 11, №2.-P. 99-111.

76. Овсюк B.H., Сидоров Ю.Г., Васильев B.B., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники 128x128 на основе слоев HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т. 35, № 9. - С. 1159 - 1166.

77. H.R. Vydyanath. Status of Te-rich and Hg-rich liquid phase epitaxial technologies for the growth of (Hg,Cd)Te alloys. J.Electron.Mater. 1995. - V. 24, №9.-P. 1275-1285.

78. Bowers J.E., Schmit J.L., Speerschneider C.J., Maciolek R.B. Comparison of Hgo.6Cdo.4Te LPE layer growth from Те -, Hg -, and HgTe rich solutions // IEEE Transactions on electron devices. - 1980. - V. ED-27, № 1. - P. 24 -28.

79. Herman M.A., Pessa M. Hg,.xCdxTe Hg,.yCdyTe (0<x, y<l) heterostruc-tures: properties, epitaxy, and applications // J. Appl. Phys. - 1985. - V. 57, №8. -P. 2671-2694.

80. Castro СЛ., Tregilgas J.N. Recent developments in HgCdTe and HgZnTe growth from Те solution // J. Ciyst. Growth. 1988. - V. 86. - P. 138 - 145.

81. Astles M., Blackmore G., Steward V., Rodway D.C., Kirton P. The use of in -suti wash meltsin the LPE growth of (CdHg)Te // J. Cryst. Growth. -1987. -V. 80.-P. 1-8.

82. Radhakrishnan J.K., Sitharaman S., Gupta S.C. Liquid phase epitaxial growth of HgCdTe using a modified horizontal slider // J. Cryst. Growth. 2003. -V. 252.-P. 79-86.

83. Ергаков B.K., Лакеенков B.M., Лисовенко В.Д., Литвин В.П., Меринов В.Н., Устименко Д.А. Способ получения эпитаксиальных слоев из раствора расплава и устройство для его осуществления // А. с. № 281665.

84. Harman Т.С. Liquidus isoterm, solidus lines and LPE growth in the Te-rich corner of Hg-Cd-Te system// J.Electron.Mater. 1980. - V.9, № 6. - P. 945 -961.

85. Tranchart J., Latorre В., Foucher C., Le Gouge Y. LPE growth of Hgi.xCdxTe on Cdl-yZnyTe substrates // J. Cryst. Growth. 1985. V. 72. - P. 468 - 473.

86. Schmit J.L., Hager R.J., Wood R.A. Liquid phase epitaxy of Hgi.xCdxTe // J. Cryst. Growth. 1982. - V. 56. - P. 485 - 489.

87. Edwall D.D., Gertner E.R., Tennant W.E. Liquid phase epitaxial growth of large area Hg.xCdxTe epitaxial layers // J. Appl. Phys. 1984. - V. 55, № 6. -P. 1453-1460.

88. Wood R.A., Hager R.J. Horizontal slider LPE of (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. 1983. - V. Al, № 3. -P. 1608 - 1611.

89. Nagahama K., Ohkata R., Nishitani K., Murotani T. LPE growth of Hgi.xCdxTe using conventional slider boat and effects of annealing on properties of the epilayers // J. Electron. Mat. 1984. - V. 13, № 1. - P. 67 - 80.

90. Bowers J.E., Schmit J.L. Mercury containment for liquid phase growth of mercury cadmium telluride from tellurium rich solution // United States Patent.- 1982.-№4,317,689.

91. Hager R.J. Wipe off apparatus of liquid phase epitaxy of mercury cadmium telluride // United States Patent. - 1987. - № 4,706,604.

92. Biao Li., Chen X.Q., Chu J.H., Cao J.Y., Zhu J.Q., Tang D.Y. Growth and characterization of liquid phase epitaxial Hg|.xCdxTe films // Thin Solid Films. - 1996. - V. 278. - P. 1 - 5.

93. Parker S.G., Weirauch D. F., Chandra D. Terracing in HgCdTe LPE films grown from Те solution // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, № 1- 4. - P. 173- 182.

94. Wang C.C., Shin S.H., Chu M., Lanir M., Vanderwyck A.H. Liquid phase growth of HgCdTe epitaxial layers // J. Electrochem. Soc. 1980. - V. 127, № 1. - P. 175-179.

95. Gupta S.C., Sitharaman S., Nagpal A., Gautam M., Berlouis L.E.A. Growth and characterization Hg(.xCdxTe (0.21<x<0.36) epilayers grown from Те -rich solution by the dipping technique // J. Cryst. Growth. 1996—. V. 165. -P. 19-24.

96. Bell S.L., Sen S. Crystal growth of Cdi.xZnxTe and its use as a superior substrate for LPE growth of Hgo.8Cdo.2Te // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - V. A3, № l.-P. 112-115.

97. Tung T. Infinite-melt vertical liquid-phase epitaxy of HgCdTe from Hg solution: status and prospects // J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86. - P. 161 -172.

98. Lanir M., Riley K.J. Performance of PV HgCdTe arrays for 1 -14 |im applications // IEEE Transactions on tltctron Devices. 1982. - V. ED-29, № 2. -P. 274-279.

99. Colombo L., Westphal G.H., Liao P.K., Chen V.C. Schaake H.F. Producibil-ity of (Hg,Cd)Te by dipping liquid phase epitaxy // Proc. SPIE. 1992. - V. 1683.-P. 33-39.

100. Kalisher M.H. The behavior of doped Hg.xCdxTe epitaxial layers grown from Hg-rich melts // J. Crystal.Growth. 1984. - V. 70. - P. 365 - 372.

101. Tung Т., DeArmoud L.V., Herald R.F., Herning P.E., Kalisher M.H., Olson D.A., Risser R.F., Stevens A.P., Tighe S.J. State of the Art of Hg melt LPE HgCdTe at Santa Barbara Research Center // Proc. SPIE. - 1992. - V. 1735. -P. 109-134.

102. Sangha S.P.S., Medland J.D., Berry J.A., Rinn L.M. Low temperature epitaxial growth of cadmium telluride from mercury solvent // J. Cryst. Growth. -1987.- V. 83.-P. 127-136.

103. Yoshikawa M., Ueda S., Takigawa H. High purity HgCdTe with low dislocation density, grown by LPE // J. Fujitsu Sci. Tech. - 1985. - V. 25, № 5. -P. 494-503.

104. Janik E., Ferah M., Legros R., Triboulet R., Brossat Т., Riant Y. LPE growth and characterization of 1.2 цт (Hg,Cd)Te layers // J. Cryst. Growth. 1985. -V. 72.-P. 133- 138.

105. Takigawa H., Yoshikawa M., Maekawa T. Dislocation in HgCdTe CdTe and HgCdTe - CdZnTe heterojunction // J. Ciyst. Growth. - 1988. - V. 86. -P. 446-451.

106. Sydorchuk P., Khlyap G., Andrukhiv A. Growth and some properties of het-erostructures based on new narrow-gap semiconductor ZnCdHgTe // Cryst. Res. Technol. 2001. - V. 36, № 4 - 5. - P. 361 - 369.

107. Ruda H., Becla P., Lagowski J., Gatos H.C. Mercury pressure induced LPE growth of HgCdTe // J. Electrochem. Soc. - 1983. - V. 130, № 1. - P. 228 -230.

108. Ruda H., Jedral L., Lagowski J., Gatos H.C. Mercury pressure - induced epitaxy of HgCdTe // J. Electrochem. Soc. - 1984. - V. 131, № 5. - P. 1159 -1163.

109. Wood R.A., Schmit J.L., Chung H.K., Magee T.J., Woolhouse G.R. Liquid -phase epitaxial growth of (HgCd)Te on Cd(TeSe) substrates // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - V. A3, № 1. - P. 93 - 94.

110. Irvine S.J.C., Stafford A., Ahmed M.U. Substrate/layer relationships in II -Vis // J. Cryst. Growth. 1999. - V. 197. - P. 616 - 625.

111. Reidel R.A., Gertner E.R., Edwall D.D., Tennant W.E. High performance photovoltaic infrared devices in Hgi.xCdxTe on sapphire // Appl. Phys. Lett. -1985.-V. 46, №1.-P. 64-66/

112. Bostrup G., Hess K.L., Ellsworthy J., Cooper D., Haines R. LPE HgCdTe on sapphire status and advancements // J. Electron. Mat. 2001. - V.30, № 6. -P. 560-565.

113. Rhiger D.R., Sen S., Peterson J.M., Chung H., Dudley M. Lattice mismatch induced morphological features and strain in HgCdTe epilayers on CdZnTe substrates // J. Electron. Mat. 1997. - V.26, № 6. - P. 515 - 523.

114. Yoshikawa M., Maruyama K., Saito Т., Maekawa Т., Takigawa H. Dislocation in HgCdTe/CdTe and HgCdTe/CdZnTe heterojunctions // J. Vac. Sci. Technol. 1987. - V. A5, № 5. - P. 3052 - 3054.

115. Wasenczuk A., Willoughby A.F.W., Mackett P., O'Keefe E., Capper P., Maxey C.D. Extended defects in epitaxial cadmium mercury telluride // J. Cryst. Growth. 1996. - V. 159. - P. 1090 - 1095.

116. Biao Li, Chu J.H., Zhu J.Q., Chen X.Q., Cao J.Y., Tang D.Y. Morphology Investigation of Hg.xCdxTe liquid phase epitaxial films // J. Cryst. Growth -1996.- V. 163.-P. 348-352.

117. Biao Li, Zhang X., Zhu J., Chu J. Crystallinity improvement of Hgl-xCdxTe films grown by a liquid phase epitaxial technique // J. Cryst. Growth. -1998.-V. 184/185.-P. 1242-1246.

118. Zhu J., Chu J., Biao Li, Chen X., Cao J., Cheng J. Crystalline perfection of Hg!.xCdxTe epilayers by the vertical dipping liquid phase epitaxy // J. Cryst. Growth. - 1997. - V. 177. - P. 61 - 66.

119. Biao Li, Chu J.H,., Zhu J.Q., Chen X.Q., Cao J. Y., Tang D.Y. Growth of Hgi.xCdxTe liquid phase epitaxial films on vicinal planes // J. Ciyst. Growth. 1996.-V. 169.-P. 480-484.

120. Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова H.A., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe/CdZnTe методом комбинационного рассеяния света // ФТП -2004.-Т. 38, № 1.-С. 84-93.

121. Utke I., Parthier L., Schenk M. The influence of interdiffusion on the lattice misfit of epitaxial structures // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 123, № 1 - 2. -P. 269-276.

122. Utke I.,Frentrup W., Hahnert I., Kirmse H., Muller O., Schenk M., Winkler M. Non abruptness of heterointerfaces during LPE growth of (Hg,Cd)Te on

123. Cd,Zn)Te and Cd(Te,Se) substrates // J. Ciyst. Growth. 1996. - V. 162. -P. 126-134.

124. Vydyanath H.R. Incorporation of dopants and native defects in bulk Hgi. xCdxTe crystals and epitaxial layers // J. Cryst. Growth. 1996. - V. 161. - P. 64-72.

125. Tribolet P., Chatard J.P., Costa P., Manissadjian Progress in HgCdTe homo-junction infrared detectors // J. Ciyst. Growth. 1998. - V. 184/185. - P. 1262-1271.

126. Brebrick R.F., Strauss A.J. Partil pressures of Hg(g) and Te2(g) in Hg Те system from optical densities // J. Phys. Chem. Sol. - 1965. - V.26, № 6. - P. 989.

127. Кротов И.И., Токмаков B.B., Ванюков A.B., Колобродова Н.А. Равновесие твердое пар в системе Те - HgTe - CdTe // Изв. АН. СССР. Неорган. Мат. - 1979. - Т. 15, № 9(1). - С. 1542.

128. Tung Т., Su C.H., Liao P.K., Brebrick R.F. Measurement and nalysis of the phase diagram and thermodynamic properties in the Hg Cd - Те system // J. Vac. Sci. Technol.- 1985.-V. 21,№ 1.-P. 117-124.

129. Tung Т., Golonka L., Brebrick R.F. Thermodynamic analysis of the HgTe -CdTe Те system using the simplified RAS model // J. Electrochem. Soc. -1981.-V. 128, №7.-P. 1601-1612.

130. Brebrick R.F. Thermodynamic modeling of Hg Cd - Те and Hg - Zn - Те systems // J. Cryst. Growth. - 1988. - V. 86. - P. 39 - 48.

131. Lusson A., Triboulet R. Liquid phase epitaxy of Cd Hg Те (0.5 < X < 1) and phase diagram determination //J. Cryst. Growth. 1987. - V. 85, № 3. - P. 503 - 509.

132. Szofran F.R., Lehoczky S.L. Liquidus temperatures of Hg rich Hg - Cd -Те alloys // J. Electron. Mat. - 1983. - V. 12, № 4. - P. 713 - 717.

133. Ванюков A.B., Кротов И.И., Ермаков А.И. Определение состава равновесных фаз в системе Hg HgTe - CdTe методом точки росы // Изв. АН. СССР. Неорган. Мат. - 1978. - Т. 14, № 4. - С. 657-661.

134. Herning Р.Е. Experimental determination of mercury rich corner of the Hg - Cd - Те phase diagram // J. Electron. Mat. - 1984. - V. 13, № 1. - P. 1 -14.

135. Vydyanath H.R. Lattice defects in semiconducting Hg.xCdxTe alloys. I. Defect structure of undoped and copper doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electrochem. Soc.-1981.-V. 128,№ 12.-P. 2609-2619.

136. Vydyanath H.R. Lattice defects in semiconducting Hgi.xCdxTe alloys. II. Defect structure of indium doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electrochem. Soc. - 1981. -V. 128, № 12.-P. 2619-2625.

137. Vydyanath H.R. Lattice defects in semiconducting Hgi.xCdxTe alloys. III. Defect structure of undoped Hgo.6Cdo.4Te // J. Electrochem. Soc. 1981. - V. 128, № 12.-P. 2625-2629.

138. Syllaios A,J., Williams M.J. Conductivity type conversion in (Hg,Cd)Te // J. Vac. Sci. Technol. 1982. - V. 21, № 1. - P. 201 - 204.

139. Jones C.L., Quelch M.J.T., Capper P., GosneyJ.J. Effects of annealing on the electrical properties of CdxHgi.xTe // J. Appl. Phys. 1982. - V.53, № 12. -P. 9080-9092.

140. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах -Баку: Азербайджанское государственное издательство. 1984. - 211 с.

141. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе HgCdTe // ФТП. 2006. - Т. 40, № 1. - С. 3 -22.

142. Small М.В., Crossley I. // J. Crystal Growth. 1974. - V. 27. - P. 35.

143. Дмитриева Л.А., Мажорова O.C., Попов Ю.П., Таирова Э.А., Шлёнский А.А. Математическое моделирование. Получение монокристаллов и полупроводниковых структур / Под ред. А.А.Самарского, Ю.П.Попова, О.С.Мажоровой. М.: Наука. - 1986.

144. Денисов И.А., Лакеенков В.И., Мажорова О.С., Попов Ю.П. Математическое моделирование эпитаксиального выращивания твердых растворов CdvHgi.vTe из жидкой фазы / Препринт ИПМ им. М.В.Келдыша РАН. -М.: 1992.-№65.-43 с.

145. Qin Z., Kimura М., Dost S. Convection model for growth and dissolution of ternary alloys by liquid phase epitaxy // J. Crystal Growth. 1996. - V. 167. -P. 74 - 86.

146. Denisov I. A., Lakeenkov V.M., Mazhorova O.S., Smirnova N.A. Study of the condition of liquid phase epitaxy of CdxHgi.xTe solid solution for focal plane IR arrays// Proc. SPIE. 2000. - V. 4340. - P. 223-231.

147. Denisov I.A., Lakeenkov V.M., Mazhorova O.S., Popov Yu.P. Numerical study for liquid phase epitaxy of CdxHgi.xTe solid solution // J. Crystal Growth. 2002. - V. 245. - P. 21 - 30.

148. Denisov I.A., Mazhorova O.S., Popov Yu.P., Smirnova N.A. Numerical modelling for convection in growth/dissolution of solid solution CdxHg|.xTe by liquid phase epitaxy // J. Crystal Growth. 2004. - V. 269. - P. 284 - 291.

149. Pelliciari B. State of the art of LPE HgCdTe at LIR // J. Cryst. Growth. -1988.-V. 86.-P. 146-160.

150. Мажорова O.C., Попов Ю.П., Похилко В.И. Дифференциальные уравнения/1987.-Т. 23.-С. 1240.

151. Ермаков С.В., Мажорова О.С., Попов Ю.П. Дифференциальные уравнения/1992.-Т. 28.-С. 1810.

152. Мажорова О.С., Попов Ю.П., Сахарчук А.С. Дифференциальные уравнения/1997.-Т. 33.-С. 946.

153. Чижиков Д.М. Кадмий / М.: Изд. АН СССР. 1962.

154. Герасимов Я.И., Крестовников А.Н., Горбов С.И. Химическая термодинамика в цветной металлургии // Том 5. Термодинамика ванадия, ртути, бериллия и их важнейших соединений. / М.: Металлургия. 1973. 296 с.

155. Tiller W.A. Theoretical analysis of requirements for crystal growth from solution //J. Crystal Growth. 1968. - V. 2. - P 69-79.

156. Denisov I.A., Lakeenkov B.M., Jouravlev O.K. Physico-chemical properties of Ga and In dopants during liquid phase epitaxy of CdxHgi.xTe // J. Electron. Mat. 1998. - V. 27, № 6. - P. 648 - 650.

157. Белогорохов А.И., Белов А.Г., Денисов И.А., Лакеенков В.М., Смирнова Н.А. Оптические свойства полупроводниковых твердых растворов CdxHg.x.yZnyTe // Материалы электронной техники. 2001. - № 4. - С. 62-66.