Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CdxHg1-xTe на подложках GaAs для инфракрасных фотоприёмников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Михайлов, Николай Николаевич

• Михайлов, Николай Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Михайлов, Николай Николаевич

1 Твердые растворы CdxHgixTe и методы их получения. Литературный обзор I, 1.1 Свойства материала КРТ и возможности его использования для I создания фотоприемных приборов ИК диапазона.

1.2 Современные тенденции развития фотоприемных устройств. г', 1.3 Методы получения материала, возможности и ограничения. ^ 1.4 Возможности метода МЛЭ, его особенности и современное I состояние. I 1.5 Выводы к главе и постановка задачи. ^ Технологическое оборудование и используемые методы ( контроля за параметрами технологического процесса j 2.1 Промышленно ориентированная установка "Обь-М". i j 2.1.1 Принцип построения и оснащение ростовых камер.

2.1.2 Конструкция технологического блока. t,' | 2.2 Автоматизированная система управления технологическим /!' процессом.

2.3 Методика и возможности эллипсометрического контроля за \ параметрами технологического процесса. ^ 2.3.1 Основные положения метода эллипсометрии. ^ 2.3.2 Влияние температуры и подложки и рельефа поверхности на !; изменение эллипсометрических параметров. .1 2.3.3 Возможности метода эллипсометрии для контроля состава || эпитаксиальных пленок КРТ в процессе роста.

2.4 Поляризационный пирометр и возможность бесконтактного ' контроля температуры подложки в процессе роста. (. ■ V [. 2.5 Выводы к главе.

3 Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe

3.1 Термодинамический анализ МЛЭ CdTe.

3.2 Процессы в адсорбционном слое при МЛЭ CdTe.

3.2.1 Энергетика поверхностных процессов.

3.2.2 Экспериментальное исследование процессов в адсорбционном слое на поверхности CdTe.

3.3 Состав паровой фазы на поверхности подложки.

3.3.1 Равновесный случай.

3.3.2 Неравновесный случай. ф 3.3.3 Случай термического травления.

3.3.4 Расчет состава паровой фазы на поверхности.

3.4 Скорости сублимации и роста CdTe. ф 3.5 Выводы к главе. Экспериментальное исследование процессов роста буферных

4 слоев и КРТ на подложках GaAs с использованием эллипсометрии in situ ф 4.1 Предэпитаксиальная подготовка подложек.

4.1.1 Химическое травление подложек.

4.1.2 Исследование термической очистки подложек.

4.2 Рост буферных слоев теллурида цинка и теллурида кадмия

4.2.1 Эпитаксиальный рост теллурида цинка на подложках GaAs.

4.2.2 Эпитаксиальный рост теллурида кадмия. ф 4.3 Рост КРТ

4.3.1 Рост КРТ постоянного состава и с плавно изменяющимся градиентом состава. ф 4.3.2 Возможность выращивания КРТ в виде потенциальных барьеров и ям с прецизионным контролем, как толщины, так и состава растущего слоя.

4.3.3 Возможность самопроизвольного формирования вертикальной периодической наноструктуры с модулированным составом в пленках CdxHgi-xTe.

4.4 Выводы к главе.

5 Связь ростовых условий с электрофизическими параметрами ^ КРТ и реализация приборных структур

5.1 Влияние варизонных структур на время жизни неосновных носителей заряда.

5.2 Оптимизация условий роста КРТ с использованием метода многофакторного анализа.

5.3 Влияние антиструктурного теллура на концентрацию электронов в ГЭС КРТ МЛЭ.

5.4 Реализация линеек фотосопротивлений и матричных Ф фотоприемных структур.

5.5 Выводы к главе. Основные положения и результаты (выводы). ф Литература. Список условных сокращений и обозначений КРТ твердые растворы теллуридов кадмия и ртути ИК инфракрасный ГЭС гетероэпитаксиальная структура ЖФЭ жидкофазная эпитаксия ДБЭО дифракция быстрых электронов на отражение ПФЭ эпитаксия из паровой фазы МЛЭ молекулярно лучевая эпитаксия ВЖНН время жизни неравновесных носителей ШРХ Шокли-Рида-Холла (центры, рекомбинация) ИК инфракрасный ННЗ неравновесные носители заряда ФП фотоприемник ФР фоторезистор ФПУ фотоприемное устройство CP сверхрешетка ПП модуль подготовки поверхности подложек ВБС модель выращивания буферных слоев МП молекулярные потоки NETD разность температур, эквивалентная шуму

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CdxHg1-xTe на подложках GaAs для инфракрасных фотоприёмников»

Актуальность темы. Для создания систем инфракрасного наблюдения используются полупроводниковые материалы с малой шириной запрещенной зоны. Используемые элементарные и бинарные полупроводниковые материалы характеризуется, как правило, фиксированной величиной запрещенной зоны или энергией ионизации примесного уровня, определяющими максимум спектральной чувствительности прибора на их основе. Твердые растворы на основе теллурида кадмия и ртути CdxHgi.xTe (KPT) характеризуется широким спектральным диапазоном фоточувствительности (1-25 мкм) в зависимости от состава и широким интервалом рабочих температур (от 77К до 300К). Материал так же характеризуется высокими значениями подвижности и низкой собственной концентрацией носителей заряда, что выдвигает его в лидирующее положение при создании фотоприемных (ФП) устройств инфракрасного (ИК) диапазона. Тенденция развития тепловизионных систем направлена на разработку линеек и матриц фотоприемников большой размерности (с числом элементов 1024x1024 и более) в фокальной плоскости, связанных с коммутаторами для обработки сигнала. В соответствии с этим направлением технология материала для ИК фотоприемников должна обеспечивать приготовление пластин большой площади с однородным распределением состава по площади и с заданными фотоэлектрическими свойствами. Развитие ФП систем идет по пути создания 2-х и многоцветных систем, для чего необходимы структуры КРТ с заданным распределением состава по толщине. Для создания нового класса приборов с квантовыми ямами и барьерами толщиной в несколько нанометров, а так же излучательных (лазерных) структур, необходимо контролируемое выращивание структур КРТ с резким профилем распределения состава по толщине. При этом необходим прецизионный контроль, как состава, так и толщины нанослоев.

Исследования процесса роста МЛЭ CdTe и КРТ проводились для подложек с ориентациями (100), (111)А и (И1)В и (112)В. Однако для ориентации (013) таких результатов практически не приводится. Методами дифракции быстрых электронов на отражение при исследование МЛЭ CdTe было показано, что на ростовой поверхности возможно существование адсорбционного слоя молекул теллура. Энергий диссоциации молекул теллура на поверхности при этом не приводится. Влияние адсорбционного слоя молекул теллура на поверхности на процесс роста и получаемые электрофизические характеристики материала КРТ так же в литературе не обсуждается.

Из-за отсутствия в России на момент начала работы установок МЛЭ, предназначенных для выращивания ртутьсодержащих соединений, при разработке технологии МЛЭ КРТ пришлось решать следующие вопросы:Конструкторско-технологические- разработка источников молекулярных потоков, обеспечивающих получение эпитаксиальных пленок КРТ с высокой однородностью по площади пластины;- разработка метода и конструкции бесконтактного измерения температуры подложки во время эпитаксиального роста слоев;- стабильного поддержания и управления потоками во время роста;- контроля морфологии и состава растущей пленки КРТ.

Целью работы является исследование процессов происходящих на поверхности при эпитаксиальном росте CdTe и CdxHgixTe и разработка технологии молекулярно-лучевой эпитаксии для воспроизводимого выращивания эпитаксиальных структур КРТ, пригодных для создания высококачественных многоэлементных матричных фотоприемных устройств, работающих в ИК области.

Объекты и методы исследования.

Исследование процессов роста проводилось на установке "Обь" и "Обь-М". Для контроля за процессом эпитаксиального роста использовались методы дифракции быстрых электронов на отражение и метод эллипсометрии. Причем, последний, использовался как на стадии предэпитаксиальной подготовки подложки (десорбция оксидов с поверхности GaAs), так и при эпитаксиальном росте ZnTe и CdTe. При росте КРТ эллипсометрия использовалась как основной метод для контроля скорости роста, толщины эпитаксиальных структур, морфологии растущей пленки, так и определения состава КРТ. Исследования сопровождались разработкой методики эллипсометрического контроля параметров технологического процесса. Экспериментальные исследования адсорбционного слоя молекул теллура на поверхности (001) и (013) CdTe осуществлялись с помощью метода эллипсометрии. При разработке конструкции установки "Обь-М" проведен расчет потоков Те, Cd и Zn, предложена конструкция источников молекулярных потоков, произведен их монтаж и юстировка. Для контроля температуры подложки во время роста КРТ предложен ииспытан оригинальный способ измерения температуры подложки, основанный на измерении разности ортогонально поляризованных компонент излучения подложки.

Измерение электрофизических параметров выращенных слоев проводилось методом Ван Дер Пау (тип проводимости, концентрация носителей заряда и их подвижность), время жизни неосновных носителей заряда измерялось СВЧ методом по спаду неравновесной фотопроводимости. Состав выращенных слоев КРТ контролировался по спектрам пропускания.

При определении технологических условий эпитаксиальногсо роста использовались модельные представления, полученные из анализа существования адсорбционного слоя молекул теллура на ростовой поверхности.

Окончательная оптимизация технологических процессов производилась с использованием метода Бокса-Уилсона (метод крутого восхождения) с учетом линейной комбинации факторов.

На защиту выносятся следующие основные научные положения и результаты:1. Для количественного описания процессов, происходящих при МЛЭ теллур содержащих соединений, разработана модель поверхностных процессов, учитывающая наличие адсорбционного слоя двухатомных молекул теллура на ростовой поверхности и энергетических барьеров для диссоциации и десорбции двухатомных молекул.

2. Данная модель применена для количественного описания давления паров компонентов над поверхностью растущего слоя, определения скоростей роста и сублимации CdTe.- Доказано существование на поверхности адсорбционного слоя недиссоциированных молекул теллура. Степень заполнения поверхности двухатомным теллуром линейно увеличивается с увеличением потока теллура и уменьшается с увеличением температуры подложки. Теплота адсорбции двухатомного теллура (41 ккал/моль) близка к энтальпии сублимации теллура.- Энергия активации диссоциации двухатомного теллура на поверхности (OOl)CdTe составляет около 22 ккал/моль. Из-за высокой энергии активации диссоциации равновесие между двух- и одноатомным состояниями теллура при температурах МЛЭ на поверхности не устанавливается.

3. Донорными центрами в слоях CdxHgixTe, выращиваемых методом МЛЭ, являются атомы теллура в металлической подрешетке твердого раствора (антиструктурный теллур). Проведено рассмотрение механизмов встраивания и установлено, что ответственным за механизм является одноатомный теллур, существующий на поверхности при эпитаксиальном росте.

4. Установлено, что путем изменения концентрации одноатомного теллура на поверхности можно контролируемо управлять концентрацией донорных центров в CdxHgi хТе в широком интервале концентраций - от 2*1014 см"3 до 5*1017 см"3.

5. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHgi.xTe с in situ эллипсометрическим контролем позволяет управлять предэпитаксиальной подготовкой подложек (013)GaAs при их термической очистке, определять скорости роста и развитие морфологи при росте какбуферных слоев ZnTe, CdTe, так и CdxHgixTe, а в последнем случае проводить контроль и состава растущего слоя. Метод также позволяет воспроизводимо получать высококачественные гетероструктуры КРТ с заданным профилем распределения состава по толщине без существенного изменения ростовых условий, вплоть до выращивания потенциальных барьеров и ям толщиной до нескольких нанометров с размытием гетерограниц не более одного монослоя.

Научная и практическая значимость работы.

Научная ценность полученных результатов заключается в том, что разработана модель, позволяющая численно описать процессы, происходящие на поверхности при МЛЭ теллуридов кадмия, ртути и цинка. Модель основывается на термодинамических представлениях и учитывает кинетические процессы, связанные с существованием на поверхности хемосорбированного слоя молекул теллура. Наличие хемосорбированного слоя показано из in situ эллипсометрических измерений изотермы адсорбции теллура на поверхности CdTe. На основании полученных представлений и сравнении с экспериментальными результатами определены технологические условия получения гетероэпитаксиальных пленок КРТ с высоким структурным совершенством и электрофизическими характеристиками, необходимыми для создания приборных структур.

Разработаны основные узлы технологической оснастки установок МЛЭ, позволяющие получать ГЭС КРТ с высокой однородностью по площади пластины. Впервые предложен способ и разработан прибор для бесконтактного измерения температуры подложки во время эпитаксиального роста КРТ, позволяющий контролировать температуру роста с точностью ±2С.

Разработана методика in situ эллипсометрического контроля процесса предэпитаксиальной подготовки подложек, роста буферных слоев, выращивания слоев КРТ различного состава как с плавно изменяющимся распределением состава по толщине пленки, так и для выращивания различных потенциальных барьеров и ям с размытием гетерограниц не больше одного монослоя.

Выращивание варизонных слоев на границах рабочего слоя в структурах КРТ МЛЭ дало возможность изготовить ИК фотоприемники с высокой чувствительностью и обнаружительной способностью. В результате работы выращены ГЭС КРТ МЛЭ,использованные для создания линеек ИК фоторезисторов, матриц ИК диодов в рамках тем ИФП СО РАН «Вега», «Основа», «Фотоника-3», «Матрица-Х», «Веко», «Лото», «Даль-ИК», ОКР «Продукт». На полученных структурах изготовлены фотоприемники (размерностью до 256x256 элементов) на диапазоны длин волн 3+5 и 8+14 мкм, работающие при 77К, и на диапазон 3+5 мкм, работающие при 21 ОК.

Технические решения, разработанные в процессе выполнения работы, позволили создать ГЭС КРТ МЛЭ по всем параметрам (однородность состава, фотоэлектрические параметры), пригодные для изготовления ИК ФП с предельными характеристиками. Выпущены ТУ на ГЭС КРТ МЛЭ, позволяющие их использовать для производства серийных фотоприемных устройств.

ГЭС КРТ МЛЭ включены в перечень материалов, разрешенных для использования в военной технике. Ведется поставка ГЭС КРТ МЛЭ на заводы и в организации России, производящие и разрабатывающие ИК ФПУ.

Достоверность полученных результатов и выдвигаемых на защиту научных положений определяется тем, что все экспериментальные результаты получены с использованием современной экспериментальной техники и апробированных методик измерений на большом числе образцов. Полученные в работе данные по температурным зависимостям показателя преломления и поглощения для GaAs, CdTe, и КРТ согласуются с известными экспериментальными и расчетными результатами других авторов. Полученные данные по энтальпии десорбции двухатомного теллура так же согласуются с литературными данными. Предложенная модель не противоречит современным представлениям о физических процессах, происходящих на поверхности, при эпитаксиальном росте и предсказанные изменения скорости роста в широком интервале температур согласуется с экспериментальными результатами.

Личный вклад автора в диссертационную работу заключается в определении способов решения и обосновании задач исследований, проведении измерений, проведении методических разработок, необходимых для их реализации. Он также заключается в активном участии в организации и выполнении экспериментальных исследований, в анализе и интерпретации полученных результатов, выращивании эпитаксиальных структур.

Часть результатов по модельному представлению процессов происходящих на поверхности при эпитаксиальном росте выполнены совместно с д.ф.-м.н. Сидоровым; по измерениям изотерм адсорбции теллура с к.ф.-м.н. Дворецким С.А., научным сотрудником Якушевым М.В.; измерения электрофизических характеристик (времени жизни неосновных носителей заряда, типа проводимости, концентрации носителей заряда и их подвижностей) выполнены Варавиным B.C. - старшим научным сотрудником. Методическое сопровождение всех эллипсометрических измерений осуществлялось к.ф.-м.н. Швец В.А. - старшим научным сотрудником. Эксперименты и численные расчеты по распределению потоков молекулярных пучков проводились совместно с Смирновым Р.Н. - инженером технологом. Работы по разработке поляризационного пирометра для бесконтактного измерения температуры подложки во время роста проводились совместно с ведущим инженером Дулиным С.А., а по разработке автоматизированной системы управления технологическим процессом совместно с сектором Титова В.П. Измерения спектров пропускания и отражения эпитаксиальных пленок CdTe и CdxHgi.xTe различного состава проводились к.ф.-м.н. Ремесником В.Г. Часть результатов по фотоэлектрическим и рекомбинационным характеристикам получена совместно с д.ф.-м.н. Войцеховским А.В. и д.ф.-м.н. Коханенко А.П. (СФТИ при ТГУ, г.Томск). На разных этапах работы участие в исследованиях принимали научные сотрудники различных подразделений ИФП СО РАН.

Все работы проводились в тесном взаимодействии с соавторами, которые не возражают против использования в диссертации совместно полученных результатов.

Общая постановка и обоснование задач исследования, а так же все научные положения, выносимые на защиту, сформулированы автором настоящей диссертации.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на9 ftVII международной конференции по соединениям А В (г.Эдинбург, Англия, 1995г.); на II международном совещании по МЛЭ (г.Варшава, Польша, 1996г.); на конференции общества SPIE (г.Орландо, США, 1996г.); на XI международной конференции по тройным соединениям (г.Сэлфорд, Англия, 1997г.); на VIII международной конференции по узкозонным полупроводникам (г. Шанхай, КНР, 1997г.), на IV Российской конференции по физике полупроводников (г.Новосибирск, 1999г.), на Международном семинаре по Росту и исследованиям И-VI полупроводниковых соединений (г. Вюрцбург, Германия, 1999), на 5Международном семинаре (г.Крит, Греция 2000г), на конференции общества SPIE (г. Закопане, Польша, 2002г.) на X Национальной конференции по росту кристаллов (г.Москва, 2002г), на Всероссийском совещании по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (г. Новосибирск 2003г), на XVIII международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва 2004 г).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 52 печатных работы. Список основных работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы. В конце каждой главы приводятся выводы по главе. Диссертация содержит 192 страницы, включая 65 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 158 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Михайлов, Николай Николаевич

Основные результаты работы

1. При участии автора создана промышленно-ориентированная установка МЛЭ по выращиванию гетероэпитаксиальных структур CdxHgi.xTe на подложках GaAs с высокой однородностью состава по площади пластины без ее вращения во время роста, прецизионным контролем технологических параметров на всех стадиях роста с помощью эллипсометрии in situ, и бесконтактным контролем температуры подложки во время роста. Предложена оригинальная конструкция источников молекулярных пучков Cd, Zn и Те и их расположения. Произведен расчет распределения потоков, изготовлены и настроены технологические блоки источников. Экспериментально подтверждена высокая однородность распределения состава по площади подложки - отклонение состава по площади структуры диаметром 75 мм не превышает ДХсате = 0,005.

2. Предложено и реализовано выращивание широкозонных варизонных слоев на границе однородного слоя для уменьшения влияния поверхностной рекомбинации носителей заряда. В полученных ГЭС КРТ с широкозонными варизонными слоями время жизни неосновных носителей заряда для состава однородного слоя XcdTe = 0,20^-0,23 составляет более 10 мкс при 77К, которое значительно понижается при удалении широкозонного варизонного слоя с поверхности.

3. Разработана модель процессов на поверхности при МЛЭ CdTe, основанная на рассмотрении термодинамических процессов с учетом адсорбционного слоя. С помощью метода эллипсометрии in situ проведено исследование адсорбции теллура на поверхности в широком интервале температур и потоков. Определено значение энтальпии десорбции двухатомного теллура на (103)CdTe, составляющее 41 ккал/моль, а энергия диссоциации молекул теллура на (100)CdTe составляет величину 22 ккал/моль. Доказано, что адсорбированный на поверхности теллур существует в виде двухатомных молекул. Разработанная модель с высокой точностью описывает экспериментальные зависимости скорости осаждения и травления теллурида кадмия от температуры (для интервала температур 450-600 К). Показано, что равновесие между двух- и одноатомным состояниями теллура на поверхности не устанавливается.

4. Произведен расчет концентрации антиструктурного теллура в ГЭС КРТ МЛЭ, при растворении одноатомного теллура в антиструктурные положения в твердом растворе. Экспериментальные результаты находятся в предсказанном интервале значений. Количественные расхождения объясняются влиянием кинетики поверхностных процессов. Управляемое введение антиструктурного теллура может быть использовано как метод легирования донорными центрами с концентрациями от 2*Ю14см"3 до 1017см"3 без использования легирующей примеси.

5. С помощью математического метода многофакторного анализа определены технологические условия воспроизводимого выращивания слоев КРТ электронного типа для составов Хсате = 0,2 0,23 с параметрами (77К): п=2-б*1014 см"3, ц >105см2В"1с"1 и т >1, пригодных для изготовления высококачественных фотоприемников.

6. Проведено изучение динамики изменения эллипсометрических параметров дельта и пси in situ при выращивании ГЭС КРТ на подложках из GaAs. Определены температурные зависимости оптических постоянных чистых поверхностей GaAs, CdTe и CdxHgi-xTe разного состава. На основе полученных результатов разработана методика эллипсометрического контроля предэпитаксиальной очистки подложек, скорости роста и развития морфологии поверхности, а также прецизионного контроля состава при росте буферных слоев ZnTe и CdTe и CdxHgi.xTe. Определены оптимальные технологические условия выращивания ГЭС КРТ с предельными характеристиками.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Михайлов, Николай Николаевич, 2005 год

1. Capper P. "Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds" // EMIS Datareviews Series No. 10, ГЕЕ, London, 1994, 314-318 S

2. Берченко H.H., Кребс B.E., Средин В.Г. "Полупроводниковые твердые растворы и их применения" // Военное издательство, Москва, 1982, с.208

3. Berding М. A., Nix W.D., Rhiger D.R., Sen S., Sher A. "Critical Thickness in the HgCdTe/CdZnTe System" // J. of Electronic materials, V. 29, № 6, 2000, p.676-679

4. Hansen G. L., Schmit J.L., Casselman T.N. "Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg,.xCdxTe" // J. Appl. Phys. V.53, 1982, p.7099-7101

5. Price S. L., Boyd P.R. "Overview of compositional measurement techniques for HgCdTe with emphasis on IR transmission, energy dispersive X-ray analysis and optical reflectance" // Semicon. Sci. Technol. V.8, 1993, p.842-859

6. Phillips J. D., Edwall D.D., Lee D.L. "Control of very-long-wavelength infrared HgCdTe detector-cutoff wavelength" // J. of electronic materials, V. 31, №7, 2002, p. 664-668

7. Anderson W.W., "Absorption constant of PbixSnxTe and HgixCdxTe alloys" // Infrared Phys. V.20,1980, p.363-372

8. Hansen G. L., Schmit J.L. "Calculation of intrinsic carrier concentration in HgixCdxTe'7/ J. Appl. Phys. V.54, 1983, p. 1639-1640

9. Weiler M. H. "Magnetooptical properties of HgixCdxTe allows" // Semiconductors and Semimetals, V.16, 1981, p. 119-191

10. Nguyen D.T. and Lorand D. "Highlights of recent results on HgCdTe thin film photoconductors" // Simicon. Sci. Technol., 1991, v.6, №12, p. C93-C95

11. Sher A., Berding M.A., Schilfgaarde M., Chen A.B. "HgCdTe status review with emphasis on correlation, native defects and diffusion" // Semicon. Sci. Technol. 1991, V.6, p.C59-C70

12. Capper P., "A review of impurity behavior in bulk a nd epitaxial HgixCdxTe" J. Vac. Sci. Tech. В V.9, №3, 1991, p. 1667-1681

13. Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack "Theoretical calculation of electron mobility in HgCdTe" // J. Appl. Phys., 1997,v.81, № 2, p. 719-725

14. Miles R.W. "Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds" // London.- INSPEC.-1994, p. 221-227

15. Meyer J.R., Bartoli F.J., Hoffman C.A. "Majority-carrier mobility in p-type Hgi„xCdxTe" // J. Vac. Sci. Technol. A, 1987, v.5, №5, p. 3035-3039

16. Astles G., Shaw N and Blackmore G. "Techniques for improving the control of properties pf liquid Phase epitaxial (CdHg)Te"//Simicon. Sci. Technol., 1993, v.8, №1S, p. S211-S215

17. Piotrowski J., Niedziela Т., Galus W. "High- temperature long-wavelength photoconductors" // Semicond. Sci. technol., 1990, v. 5, N 3S, p. S53-S56

18. Destefanis G.L. "Electrical Doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment" // J. Cryst. Growth, 1988, v.86, p.700-721.

19. Pitcher P.G., Hemment P.L.F., Davis Q.V. "Formation of shallow photodiodes by implantation of boron into mercury cadmium telluride" // Electronics Letters, 1982, v.18, №25, p.1090-1092.

20. Anderson W.W. "Tunnel contribution to Hgi.xCdxTe and Pbi.xSnxTe p-n junction diode characteristics" // Infrared Phys., 1980, v.20, p.353-361.

21. Balcerak R, Brown L. "Mercury cadmium telluride material requirements for infrared systems" // J. Vac. Sci. Technol. (B), 1992, v.10, p.1353-1359.

22. P. Norton "HgCdTe Infrared Detectors" // Opto-Electronics Review, V. 10, № 3; 2002, p. 159164

23. Tribolet P., Chatard J.-P., Costa P., and Paltrier S. "MCT Technology Challenges for Mass Production." // J. Electron. Mater., V. 30, 2001, № 6, p.574-579.

24. Ferret P., Zanatta J.P., Hamelin R., Cremer S., Million A., Wolny M., and Destefanis G. "Status of the MBE Technology at Leti LIR for the Manufacturing of HgCdTe Focal Plane Arrays" // J. Electron. Mater., V. 29, 2000, № 6, p. 641-647

25. Colombo L., Chang R.B., Chang C.J., Baird B.A. "Growth of Hg-based alloys by the traveling heater method" // J. Vac. Sci. Technol., V.A6,1988, p.2795-2799

26. Herman M.A., Pessa M. "Hgi-xCdxTe-Hgi.yCdyTe (0<x, y<l) hetrostructures: Properties, epitaxy, and applications" // J/Appl. Phys., 1985, v.75(8), p. 2671-2694

27. Li В., Chu J., Tang D. "Segregation coefficients in Те- rich Hg-Cd-Te systems" // J. of crystal Growth 1997, V. 171, p. 311-313

28. Radhakrishnan J.K., Sitharaman S., Cupta S.,C. "Surface morphology of Hgo.8Cdo.2Te epilayers grown by LPE using horizontal slider" // Appl. Surface Science 1997, V. 207, p. 33-39

29. Daudin В., Cunff D.B., Tatarenko S. "Stoichiometry determination of the Te-rich (100) CdTe and (100)ZnTe surfaces" // Surface sciense , 1996, v. 352-354, p. 99-104

30. Neureiter H., Schneider M., Tatarenko S., Sokolowsky M., Umbach E. "New information on the sublimation CdTe (100) surface from high resolution LEED" // Appl. Surface Sciense 1998, V. 123-124,p 71-75.

31. Carbonell L., Mula G, Tatarenko S. "Influence of a compressive strain on the stoichiometryof the (0 0 l)CdTe surface during molecular beam epitaxy"// J. of Crystal Growth 1999, V.203, p. 61-66

32. Peyla P., Pimpinelli A., Cibert J., Tatarenko S. "Deposition and growth with desorption for CdTe molecular beam epitaxy" // J. of Crystal growth, 1998,V. 184/185, p. 75-79.

33. Carbonell L., Tatarenko S., Cibert J., Hartman J.M., Mula G, Etgens V.H., Arnoult A. "The role of 2D islands in the epitaxial growth of (001) CdTe" // Appl. Surface Sciense 1998, V. 123124, p 283-288

34. Tatarenko S, Daudin В., Brun D., Etgens V.H., Veron M.B. "Cd and Те desorption from (001), (111)B и (110) CdTe surfaces" // Phys. Rev.B, 1990, v. 50, N 24, pp. 18479-18488

35. Behr Т., Litz Т., Waag A., Landwehr G. "Growth model for the molecular beam epitaxial growth of CdTe using reflection high energy electron diffraction oscillation measurements" // J. of Crystal Growth, 1995, V. 156, p. 206-211

36. Lyon T.J., Jensen J.E., Gorwitz M.D., Cockrum C.A., Jonson S.M., Venzor G.M. "MBE Growth of HgCdTe on Silicon Substrates for Large-Area Infrared Focal Plane Arrays: A Review of Recent Progress"// J. of Electron. Mater., 1999, Vol. 28, No. 6, p. 705-711

37. Edwall D.D., Zandian M., Chen A.C., Arias J.M. "Improving Material Characteristics and Reproducibulity of MBE HgCdTe"// J. of Electron. Mater., 1997, Vol. 26, No. 6, p. 493-497

38. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Varavin V.S., Liberman V.I. -" Peculiarities of the MBE growth physics and technology of narrow-gap II-VI-vi compounds" -Thin Solid Films, 1997, V. 306, №2, p.253-266

39. Summers C.J., Meeks E.L., Cox N.W. " Molecular beam epitaxial growth of CdTe, HgTe, and HgixCdxTe alloys" // J. Vac. Sci. Technol. B, 1984, V.2 №.2, p. 224-228

40. Faurie J.-P., Sivananthan S. and Wijewarnasurija P.S. "MBE MCT State of Art"// Proceedings SPIE, 1992, v.1735, p.141-150

41. Sivananthan S., Lange M.D., Monfroy G., Faurie J.P. "New achievements in HgixCdxTe grown by molecular-beam epitaxy" // J. Vac. Sci. Technol.B 1988,v.6 n.2, p. 788-793

42. Arias J.M., Shin S.H., Cheung J.T., Chen J.S., Sivananthan S., Reno J., Faure J.P. "(100) versus (lll)B crystallographic orientation of Hgi-xCdxTe grown by molecular-beam epitaxy" // J.Vac.Sci.Technol.A 1987, V. 5, №.5, p. 3133-3138

43. Million A., Di Cioccio L., Galliard J.P., Paguet J. "Molecular-beam epitaxy of Hgi-xCdxTe at D.LETI/LIR" // J.Vac.Sci.Technol.A 1988, V. 6, № 4, p. 2813-2820

44. Arias J.M. //Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds.-London.- INSPEC.-1994, 30-35

45. Harris K.A., Myerrs Т.Н., Yanka R.W., Mohkern L.M., Green R.W., Otsuka N. "Microstructural defect reduction in HgCdTe grown by photoassisted molecular-beam epitaxy"// J. Vac. Sci. Technol. 1990, V. A8(2) p. 1013-1019

46. Colin Т., Skauli Т. "Applications of thermodynamical Modeling in Molecular Beam Epitaxy of CdxHgixTe"// J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, V.26 №.6, p. 688-696

47. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Варавин B.C., Анциферов А.П. "Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений CdxHgi-xTe. Оборудование и технология " // Оптический журнал, 2000, т.67, №1, с.39-45

48. Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. "Эллипсометр", Свидетельство на полезную модель от1311.98. № 16 314, БИ. №35 от 20.12.00 с. 358

49. Herman М.А., Sitter Н. "Molecular beam epitaxy. Fundamental and Current Status" //- 2nd Eddition, Springer, 1996, p. 453

50. Horicke M., Kalben J., Spricke "A detail study of the molecular beam flux distribution of MBE effusion sources" // Vacuum, 1991, V. 42, p. 1209-1212

51. Krasuski P.T. "Gas flux distribution from cylindrical tubes in molecular flow" // Vacuum, 1990, V. 41, p. 2129-2131

52. Анциферов А.П, Михайлов H.H., Сидоров Ю.Г. Якушев М.В. Испарительный тигель. -ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2133308, приоритет от 14.04.98, публ.2007.99. БИ. № 20, с. 414

53. Блинов В.В., Горяев Е.П., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Мясников В.Н., Сидоров Ю.Г., Стенин С.И., Устройство для молекулярно-лучевой эпитаксии. ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2111291 приоритет от 1.03.95, публ. 20.05.98, БИ. №14 с. 330

54. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N. Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. "HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices"-Proceedings SPIE, 2003, v.5136, p.381-395.

55. Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А., Спесивцев Е.В., Сидоров Ю.Г., Рыхлицикий С.В. "Выращивание наноструктур на основе CdxHgi.xTe с эллипсометрическим контролем" - Поверхность, 2003, №10, с.77-82.

56. Михайлов Н.Н., Титов В.П., Кербс В.Ф., Аульченко Н.А., Назаров Н.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. "Автоматизированная система управления технологическим процессом" // Новосибирск, Фотоника 2003, с.57

57. Mikhailov N.N., Rychlitsky S.V., Spesivtsev E.V., Dulin S.A., Nazarov N.I., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A. "Integrated analytical equipment for film growth in MBE technology" // Material Science & Engeneering, 2001, B80, p. 41-45

58. Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю.А., Фридрихов С.А. и др. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука, 1985, - 290 с

59. Азам Р., Башара Н. "Эллипсометрия и поляризованный свет" // Москва, "Мир", 1981 с.596

60. Demay Y., Araoult D., Galliard J.P., Medina P. "In situ spectroscopic ellipsometry during molecular-beam epitaxy of cadmium mercury telluride" // J. Vac. Technol, 1987, V. A5(5), p. 31393142

61. Bevan M.J., Almeida L.A., Duncan W.M., Shin H.D. "Spectroscopic Ellipsometry for Monitoring and Control of Molecular Beam Epitaxial grown HgCdTe Heterostructures" // J. of Electron. Mater., 1997, Vol. 26, No. 6, p. 502-506

62. Мардежов A.C., Михайлов H.H., Швец B.A. -"Эллипсометрический контроль предэпитаксиальной подготовки подложек GaAs и роста эпитаксиальных пленок CdTe" -Поверхность, 1990, №12, с.92-96.

63. Aspnes D.E., Studna A.A. "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs GaSb, InP, InAs, and InSb from 1,5 to 6.0 eV'7/ Phys. Rev. B.1983. V. 27. №2. P.985-1009

64. Страковская C.E., Кораблев В.В., Станчиц С.А. "Температурные зависимости оптических постоянных GaAs(l 11)В" // Оптика и спектроскопия, 1983, Т.55, Вып.1, с.90 -93.

65. Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Дворкин Б.А., Ципоруха В.Д. "Оптические свойства GaAs, GaP, InP и Si в диапазоне температур 300-^-1000 К в ближней инфракрасной области спектра" // Оптика и спектроскопия, 1982, Т.53, Вып.З, с. 469-471

66. Vasques R.P., Lewis B.F., Grunthaner F J. "Cleaning chemistry of GaAs(100) and InSb(100) substrates for molecular beam epitaxy" // J. Vac. Sci. Technol., 1983, V. Bl, p. 791-794

67. Massies J., Contour J.P. "Substrate chemical etching prior to molecular-beam epitaxy: An x-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs {001} surfaces etched by the H2SO4-H2O2-H2O solution" // J. Appl. Phys., 1985, V. 58(2), p. 806-810

68. Kawai H., Imanaga S., Kaneko K., Watanabe N. "Complex refractive indices of AlGaAs at high temperatures measured by in situ reflectometry during growth by metalorganic chemical vapor deposition" // J. Appl. Phys. 1987. V.61., №1, p. 328-332.

69. Shvets V.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Spesivtsev E.V. "Ellipsometric measurements of the optical constants of solids under impulse heating"- Proceedings SPIE, 2002, v.4900, p.46-52.

70. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G.- "The molecular beam epitaxy of high quality HgixCdxTe films with control the composition distribution" J. Cryst. Growth, 1996, v.l59,p. 1161-1166.

71. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I, Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. "The controlled growth of high-quality mercury cadmium telluride"- Thin Solid Films, 1995, v. 267, p. 121-125.

72. Seig R.M., Sacks R.N., ringel S.A. "application of pyrometric interferometry to the in situ monitoring of Ino.52Alo.48As, Ino.53gao.47As, and quaternary alloy growth on InP substrates" // J.Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p. 256-261

73. Eyink K.G., Patterson J.K., Adams S.J., haas T.W., Lampert W.V. "use of optical fiber pyrometry in molecular beam epitaxy" // J.Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p. 262-266

74. Takahira Y., Okamoto H. "Measurement of MBE substrate temperature by photoluminescence" // J.Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p. 267-272

75. Jons.on S.R., Tiedje T. "Effect of substrate thickness, back surface texture, reflectivity, and thin film interference on optical band-gap thermometry" // J.Cryst. Growth, 1997, v.175/176, p. 273280.

76. Badano G., Daraselia M., Sivananthan S. "In situ monitoring of molecular-beam-epitaxy grown HgixCdxTe by fourier transform infrared spectroscopy" // J. Vac. Sci. Technol, 2001, В 19(4), p. 1576-1579

77. Maracas G.N., Edvard J.L., Shiralagi K., Choi K.Y., Dropad R., Johs В., woollam J.A. "In situ spectroscopic ellipsometry in molecular beam epitaxy" // J. Vac. Sci. Technol, 1992, A10, p. 1832

78. Дворецкий С .А., Дулин С.А., Михайлов Н.Н., Рыхлицкий С.В., Сидоров Ю.Г., Способ бесконтактного измерения температуры. ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2149366 приоритет от 14.04.98, публ. 20.05.2000, БИ. № 14 с. 389

79. Sabinina I.A., Gutakovsky А.К., Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Kuzmin V.D. "Defect formation during growth of CdTe (111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy"// J. Cryst. Growth 1992. Vol. 117, N1-4, p. 238-243.

80. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. "The controlled growth of high-quality mercury cadmium telluride" // Thin Solid Films, 1995, Vol. 267, p. 121125.

81. Seki H., Koukitu A. "Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of III-V semiconductors." // J. Crystal Growth. 1986, v.78, p.342-352.

82. Brebrick R.F., Strauss A.J. "Partial pressures and Gibbs free energy of formation for congruently subliming CdTe(c)" // J. Phys. Chem. Solids, 1964, v.25, p.1441-1445.'

83. Справочник химика. 2-е издание, ГНТИХЛ, Ленинград-Москва, 1962, т.1,1070 с.

84. Arias J.M. and Sullivan G. "The first observation of reflection high- electron diffraction intensity oscillation during the growth and sublimation of CdTe" // Vac. Sci. Technol., 1987, A 5 (5), Sep/Oct, pp.3143- 3146.

85. Takeda S., Tamaki S., Waseda Y. "Structural study of liquid Se-Te alloys by neitron diffraction" // J. Phys. Soc. Japan, 1986, v.55, p.4283-4295.

86. Михайлов H.H., Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Якушев М.В., Швец В.А. "Изучение процессов адсорбции и десорбции теллура на поверхности CdTeMeTOflOM эллипсометрии" // Автометрия, 2001, №3, стр. 9-19.

87. Wu Y.S., Becker R.C., Waag A. "surface sublimation of zinc blende CdTe" // Appl. Phys. Lett, 1993, v.62, p.1510-1515

88. Витлина P.3., Чаплик A.B. "Эллипсометрия субмонослойных покрытий" // В сб. "Эллипсометрия: теория, методы, приложения", Новосибирск, "Наука", 1987, с. 92

89. Shvets V.A., Chikichev S.I., Pridachin D.N., Yakushev M.V., Sidorov Yu.G., Mardezhov A.S. "Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces." // Thin Solid Films, 1998, v.313-314, p.561-564.

90. Бенсон С. Термохимическая кинетика. // Пер. с англ. Под ред. Ениколопяна Н.С. Москва, Мир, 1971, 306 с.

91. Benson D., Summers C.J. "Surface nuvleation kinetics of molecular beam epitaxial doped (001) and (111) CdTe" // J. Cryst. Growth. 1988,Vol. 86.,P. 354-361

92. Калинин В.В., Кузьмин В.Д., Сидоров Ю.Г. "Слоевой рост и состав адсорбционного слоя при молекулярно-лучевой эпитаксии теллурида кадмия" // Конференция по электронным материалам. Тезисы докладов. Новосибирск, 1992, с.143-144.

93. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов.//Пер с англ. Мир, Москва, 1969, стр.333.

94. Chang С., Helblum М., Ludeke R., Natan M.I. "Effect of substrate surface treatment in molecular beam epitaxy on the vertical electronic transport through the film-substrate interface" //Appl. Phys. Lett., 1981, V. 39, p. 229-231

95. Vasques R.P., Lewis В .F., Grunthaner F J. "X-ray photoelectron spectroscopic study of the oxide removal mechanism of GaAs(lOO) molecular beam epitaxial substrates in in situ heating" // Appl. Phys. Lett., 1983, V.42(3), p. 293-295

96. Cho A.I., "Growth of III-V semiconductors by molecular beam epitaxy and their properties"// Thin Solid Film, 1983, V. 100, p. 291-296

97. Laurens J., Simondet F., Saget P. // Appl. Phys. 1979. V. 19. P.63.

98. Lischa K., Fanter E.J., ryan T.W. sitter H. "X-ray rocking curves from (100) and (111) CdTe grown on (100) GaAs by hot wall epitaxy"// Appl. Phys. Letters, 1989, V. 55 p. 1309-1311

99. Придании Д.Н., Якушев М.В.и Сидоров Ю.Г. "Исследование начальных стадий зарождения при эпитаксиальном росте теллурида цинка на поверхности кремния различной ориентации" // Поверхность, 2002, №2, с. 25-29.

100. Otsuka N., Kolodziejski L.A., Gunshor R.L., Datta S. "High resolution electron microscope study of epitaxial CdTe-GaAs interfaces" // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. №9, p. 860-862

101. Pesec A., Ryan T.W., Sasshofet R., Fanther E.J., Lischka K. "Investigation of the CdTe/GaAs interface the X-ray rocking curve method" // J. Cryst. Growth. 1990,V. 101.,p. 589-593

102. Гутаковский А.К., Елисеев B.M., Люблинская Р.И., Лях Н.В., Мардежов А.С., Петренко И.П., Покровский Л.Д., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. // Поверхность, 1988, № 9, с. 80-89

103. Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sabinina I.V., Yakushev M.V. "Growth and defect formation in CdxHgixTe film during molecular -beam epitaxy" // Growth of Crystal, 1995, v.20, p.35-45.

104. Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесиик В.Г., Талипов Н.Х. "Применение метода отражательной спектроскопии для оценки структурного совершенства пленок CdTe/GaAs и кристаллов CdxHgixTe" - Автометрия, 1998, №5, стр. 73-77

105. Сидоров Ю.Г., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Либерман В.И., Михайлов Н.Н, Якушев М.В., Сабинина И.В. " Рост пленок и дефектообразование в HgCdTe при молекулярно лучевой эпитаксии" // Рост кристаллов 1995, т.20, стр.45-56

106. Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин B.C., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сабинина И.В. "Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на "альтернативных" подложках" ФТП, 2001, т. 35, вып.9, с. 1092-1101.

107. Войцеховский А.В., Денисов Ю.А., Коханенко А.П., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. -"Особенности спектральных и рекомбинационных характеристик МЛЭ структур на основе CdHgTe" // Автометрия, 1998, №4, с. 47-58

108. Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А., Спесивцев Е.В., Сидоров Ю.Г., Рыхлицкий С.В., Смирнов Р.Н. -"Эллипсометрический контроль роста наноструктур на основе CdxHgi хТе" // Автометрия, 2003, №2, стр. 71 -80

109. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Мардежев А.С., Швец В.А. "Контроль параметров сверхрешеток в процессе их получения методом эллипсометрии" // ДАН СССР, 1987, Т.297, №3, с. 604-609

110. Берт Н.А., Вавилова Л.С., Ипатова И.П, Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Щукин В.А. "Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом "// ФТП, 1999, т.ЗЗ, №5, с. 544-548

111. Won S., Seong T.Y., Lee J.N. "Naturally formed InxAlixAs/InyAliyAs vertical superlattices" // Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, №24, p. 3443-3445

112. Guyer J. E., В arnett S .A., Voorhees P .W. "Morphological evolution о f Ino.26Gao.74As grown under compression on GaAs(0 0 1) and under tension on InP(0 0 1)"// J. Cryst. Growth. 2000, v. 217, p. 1-12

113. Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р., Nesterovich А.Р., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G., Mikhailov N.N. "Conductivity anisotropy of HgCdTe layers on with a periodic surface mikroreliefProceedings SPIE, 2002, v.5136, p.405-410.

114. Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Nesterovich A.P., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G., Mikhailov N.N. "Conductivity anisotropy of HgCdTe layers on with a periodic surface mikrorelief'- Opto-electronics review, 2003, v.l 1, №2, p. 151-154.

115. Wei S.H., Ferreira L.G., Zunger A. "First-principles calculation of temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys"// Phys. Rev. 1990, V. B41, №12, p. 8240-8268

116. Михайлов H.H., Мищенко A.M. Двухцветный прибор с зарядовой связью ГК по делам изобретений и открытий. Авторское свидетельство № 1630576, приоритет от 14.04.98, публ. 22.10.94. БИ. №31 с. 157

117. Михайлов Н.Н., Мищенко A.M., Ремесник В.Г. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHgi.xTe. ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2022402, приоритет от 14.04.98, публ. 30.10.94. БИ. №20 с. 310

118. Zhang L.H., Summers C.J. "A Study of Void Defects in Metalorganic Molecular-Beam Epitaxy Grown HgCdTe" // J. Electron. Mater. 1998. Vol. 27. No. 6. p.634-639

119. Briot O., Alexis J.P., Tchounkeu M., Aulombard R.L. "Optimization of the MOVPE Growth of GaN on Sapphire" // Materials Science & Engineering, 1997, V. 43, № 1-3, p. 147-153

120. Адлер Ю.П., Маркова E.B., Грановский Ю.В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. // Москва "Наука", 1976, с. 385

121. Варавин B.C., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. -"Донорные дефекты в эпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии" -Автометрия, 2000, №4, с. 124-130.

122. Berding М.А., Schilfgaarde М., Sher A. "First-principles calculation of native defect densities in Hgo.gCdo^Te" // Phys. Rev. 1994, V. B50, p. 1519-1534

123. Сусов E.B., Северцев B.H., Чеканова Г.В., Дворецкий C.A., Михайлов Н.Н., Варавин B.C. "128-элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe" // Автометрия, 1998, №4, с. 21-26.

124. Сусов Е.В., Сидоров Ю.Г., Северцев В.Н., Комов А.А., Чеканова Г.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Варавин B.C., Дьяконов Л.И. "Многоэлементный охлаждаемый фоторезистор на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe" - Автометрия, 1996, №4, стр. 40-44

125. Васильев В.В., Варавин B.C., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О. "Фотоприемный модуль для тепловизора" // Автометрия, 1998, №4, с.43-46

126. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. "HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices" // Opto-electronics review, 2003, v.l 1, №2, p. 99-111

127. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Varavin V.S., Vasiliev V.V., Suslyakov A.O., Ovsyuk V.N. "MCT heterostructure designing and growing by MBE for DR. devices" // Proceedings SPffi, 2001, v.4355, p.228-237