Исследование процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических галогенидах и халькогенидах Ag,Cd,Zn методами СВЧ-фотопроводимости и диэлектрической спектрометрии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.17, кандидат физико-математических наук Радычев, Николай Александрович

• Радычев, Николай Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Радычев, Николай Александрович

Введение.

Актуальность работы.

Цель работы.

Защищаемые положения.

Научная новизна.

Практическая значимость результатов диссертации.

Личный вклад автора.

Апробация.

Структура диссертации.

Глава 1. Электрическая дипольная релаксация и электрон-ионные процессы, инициированные светом в полупроводниковых системах aV и A Bvn. Собзор литературы).

1.1 Краткая справка по физико-химическим свойствам соединений АИВУ1 и А'В™ и их твердым растворам.

1. 1.1. Кристаллическая структура АпBVI. Твердые растворы.

1.1. 2. Опто-электрические свойства халькогенидов кадмия.

Сульфид кадмия.

Сульфид цинка.

Твердые растворы CdxZni.xS. Влияние состава и примесей на ширину запрещенной зоны пленок системы CdxZnj.xS.

Селенид кадмия.

Теллурид кадмия.

1.2 Особенности электрической дипольной релаксации в разных средах.

1.2.1. Качественное различие проводников и диэлектриков.

1. 2. 2. Релаксационные процессы. Время релаксации.

1. 2. 3. Методики расчета спектров времен диэлектрической релаксации.

1. 2. 4. Зависимости Коула-Коула.

1.3 Фотодиэлектрический эффект в полупроводниках.

1. 3.1. История обнаружения и предложенные модели.

1. 3. 2. Современные исследования ФДЭ.

1. 3. 3. Экспериментальные данные в СВЧ-диапазоне.

1.4 Статистика рекомбинации электронов и дырок.

1.4.1. Типы рекомбинации.

1.4. 2. Скорость рекомбинации зона-зона.

1. 4. 3. Время жизни при излучателъной рекомбинации.

1. 4. 4. Рекомбинация через примеси и дефекты.

1. 4. 5. Количественные данные по захвату электронов и дырок ионами и электрон-дырочной рекомбинации.

1.5 Постановка задачи.

Глава 2. Экспериментальная часть.

2.1 Вещества для исследований.

2.1.1. Монокристаллы AgHal.

2.1. 2. Пленки CdS и CdxZnj.xS.

2.1.3. Пленки CdSe.

Получение пленок CdSe.

Рентгеновский анализ пленок CdSe.

Спектры пропускания CdSe.

Спектры отражения CdSe.

2.1. 4. Синтез образцов группы CdTe.

2.2 Методика измерений диэлектрических параметров и проводимости в низкочастотном (10"3-105 Гц) диапазоне электрических полей.

2. 2.1. Широкополосный диэлектрический спектрометр.

2. 2. 2. Разделение вкладов сквозной проводимости и электрической дипольной релаксации.

2. 2. 3. Экспериметнальная установка для измерений диэлектрических параметров вещества при освещении.

2.3 Методика СВЧ-фотопроводимости.

2. 3.1. Принцип метода СВЧ-фотопроводимости.

2. 3. 2. Измерения в 8-мм диапазоне частот.

2. 3. 3. Расчет кинетики.

2. 3. 4. Учет переходной характеристики измерительного тракта.

2. 3. 5. Сравнение с экспериментом.

Глава 3. Исследование влияния освещения на диэлектрические свойства полупроводниковых пленок.

3.1 Измерение диэлектрических свойств пленок CdS, CdSe, Cdo.5Zno.5S в темноте.

3.1. 1. Влияние материла контактов.

3.1. 2. Темновые электрические характеристики CdS, CdSe, Cdo.5Zno.5S.

3.2 Влияние освещения на диэлектрические свойства CdS.

3. 2. 1. Влияние света на электрическую емкость и tgSобразцов. .95 3. 2. 2. Анализ форм диаграмм е"(е) и М"(М) при различных энергиях кванта света.

3. 2. 3. Фотопроводимость образцов.

3.3 Времена релаксации.

3.3. 1. Влияние света на спектр времен релаксации.

3. 3. 2. Температурная зависимость времен релаксации.

3.4 Обсуждение.

Глава 4. Иссследование рекомбинационных процессов в полупроводниках методом СВЧ-фотопроводимости.

4.1 Исследование кинетики гибели носителей тока в монокристаллах AgBr.

4.1.1. Анализ кинетики спада СВЧ-фотопроводимости монокристаллов AgBr.

4.2 Исследование кинетики гибели носителей тока в Cd^Zni^S.

4.3 Исследование кинетики гибели носителей тока в CdSe.

4. 3.1. Кинетика спадов СВЧ-фотоотклика пленок CdSe, полученных при разных температурах подложки.

4. 3. 2. Кинетика СВЧ-фотоотклика пленок CdSe, полученных при температуре 50(fC.

4. 3. 3. Кинетическая модель процессов.

4. 3. 4. Зависимость формы спада СВЧ-фотоотклика от интенсивности света.

4. 3. 5. Выбор параметров для расчета кинетики.

4. 3. б. Константа скорости рекомбинации свободных электронов и дырок в CdSe.

4.4 Исследование кинетики гибели носителей тока в CdTe.

4. 4.1. Константа рекомбинации.

4.5 Обсуждение.

4. 5.1. Общие закономерности процесса рекомбинации зарядов в исследованных полупроводниках.

4. 5. 2. Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводника.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических галогенидах и халькогенидах Ag,Cd,Zn методами СВЧ-фотопроводимости и диэлектрической спектрометрии»

Диссертация посвящена исследованию процессов генерации и гибели заряженных частиц в поликристаллических полупроводниковых халькоге-нидах и галогенидах Ag, Cd, Zn, а также их твердых растворах, на основе двух связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта.

Актуальность работы

Поликристаллические полупроводники AIBvn и AnBVI в настоящее время привлекают к себе все больше внимание исследователей из-за их потенциальных возможностей применения в разных областях науки и техники: в средствах записи информации, в микроэлектронике, в производстве дешевых тонкопленочных солнечных батарей, в химических датчиках и датчиках излучений и др. Однако ряд нерешенных вопросов в настоящее время существенно сдерживает прогресс в этой области. В частности, это острый недостаток количественных данных по элементарным процессам, происходящих в этих веществах под действием света. Отсутствие таких данных (времен жизни свободных электронов и дырок до захвата в ловушки, констант скоростей или сечений реакций электронов и дырок с ионами и между собой и др.) не позволяет корректно прогнозировать предельные характеристики проектируемых устройств, оценивать долговечность приборов и стабильность их характеристик, влияние на параметры приборов внешних воздействий и т.д. В связи с выше сказанным исследование двух связанных между собой явлений - фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта - в поликристаллических полупроводниковых соединениях, халькогенидах и галогенидах Ag, Cd, Zn (а также их твердых растворах) представляется актуальным.

Цель работы

Цель работы состояла в том, чтобы, путем разработки и применения современных методов исследования, проводя измерения на полупроводниковых веществах с разной шириной запрещенной зоны и разным коэффициентом поглощения света, получить количественные данные о процессах электрон-дырочной рекомбинации, проследить связь константы скорости рекомбинации свободных зарядов с энергией запрещенной зоны и выявить влияние освещения на диэлектрические характеристики полупроводниковых соединений.

Предполагалось, что существенный вклад в достижение данной цели будет получен благодаря применению импульсного метода СВЧ-фотопроводимости (36 ГГц). Одинаковая пригодность этого метода для исследований и массивных, и микродисперсных образцов обеспечивается малым дрейфовым смещением зарядов в используемых СВЧ-полях. Предполагалось также, что в низкочастотной области (10"3 - 105 Гц) методом диэлектрической спектрометрии исследования будут дополнены изучением электрической дипольной релаксации, вызванной действием света. В результате реализации экспериментальных методик в данной работе именно сочетание этих двух методов стало главным при проведении исследований и позволило получить ответы на ряд актуальных вопросов.

Защищаемые положения На защиту выносятся:

1. Экспериментальные результаты измерений методом СВЧ-фотопроводимости кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях AgBr, CdS, CdxZn!xS, CdSe, CdTe - веществах с различной шириной запрещенной зоны.

2. Кинетическая модель процессов, протекающих под действием света в соединениях AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe. Модель включает конкуренцию захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинации свободных электронов и дырок.

3. Количественные данные по константам скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe, полученные на основании сравнения результатов численного расчета предложенной модели с экспериментом. Установленная корреляционная зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от энергии запрещенной зоны полупроводника.

4. Результаты измерений диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках CdS, CdxZni.xS, CdSe в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин возбуждающего света.

5. Результаты изучения влияния длины волны и интенсивности света на распределение времен диэлектрической релаксации в выше названных полупроводниковых соединениях. Предложенная модель для описания природы фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Научная новизна

1. Впервые проведены систематические исследования методом СВЧ-фотопроводимости (36 ГГц) кинетики гибели электронов и дырок и предложена кинетическая модель, протекающих под действием света процессов в полупроводниковых соединениях AgBr, CdS, CdxZn^S, CdSe, CdTe - в веществах с различной шириной запрещенной зоны.

2. Впервые на основании сравнения результатов численного расчета предложенной модели с экспериментом получены количественные данные по константам скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в AgBr, CdS, CdxZni.xS, CdSe, CdTe.

3. Впервые установлена зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от энергии запрещенной зоны полупроводника.

4. Впервые проведены измерения диэлектрических характеристик в полупроводниковых пленках CdS, CdxZni.xS, CdSe в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин возбуждающего света

5. Впервые путем численного анализа и разделения вкладов сквозной проводимости и электрической дипольной релаксации в измеряемый импеданс получены спектры времен электрической дипольной релаксации в соединениях CdS, CdxZni.xS, CdSe и предложена новая модель для описания фотодиэлектрического эффекта в полупроводниках.

Практическая значимость результатов диссертации Полученные экспериментальные данные, теоретические оценки и разработанные методы исследования элементарных процессов в соединениях и А В могут быть использованы при разработке сред записи и считывания информации, при разработке пассивных и активных лазерных сред, при конструировании дешевых тонкопленочных солнечных батарей, а так же для оценки чистоты веществ по интегральному содержанию примесей - акцепторов электрона. Установленные закономерности и предложенные подходы к описанию и исследованию физико-химических процессов могут быть использованы широким кругом физиков и химиков при исследованиях свойств различных микродисперсных систем.

Личный вклад автора Автором создана новая автоматизированная установка для измерений СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц. На базе серийного широкополосного диэлектрического спектрометра автором создана новая установка для измерения диэлектрических характеристик образцов в широком диапазоне частот электрического поля, температур и длин волн света. Все представленные в работе экспериментальные результаты получены лично автором или при его непосредственном участии. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с руководителями. Результаты, включенные в работу, частично были получены в рамках нескольких проектов, поддержанных РФФИ Выражаю особую признательность и благодарность за помощь в выполнении работы руководителю профессору, д.ф.-м.н. Новикову Г.Ф. и научному консультанту к.х.н. Метелевой Ю.В. Автор глубоко признателен за помощь в проведении численных расчетов к.ф.-м.н. Рабенок Е.В. Выражаю благодарность за ценные советы при обсуждении научных результатов сотрудникам лаборатории фотодинамических процессов к.ф.-м.н. Чернову И.А., к.х.н. Тихониной Н.А., Егорову В.А., Сермакашевой H.JL, Войлову Д.Н., Гапановичу М.В.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях:

1) Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом. // Сб. статей 4-й Международной конференции молодых ученых и студентов. Естественные науки. 10-12 сентября, Самара, 2003г. Части 4-8. с. 30-32.

2) Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом серебра (лазерные среды). // Конденсированные среды и межфазные границы, 2004, т. 6, № 2. С. 182-187.

3) Радычев Н.А., Метелева Ю.В., Чернов И.А, Новиков Г.Ф. Низкочастотный фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS. // II Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" "ФАГРАН-2004", 10-15 октября, 2004 г., Воронеж, Материалы конференции, т. 1, с. 291-292.

4) Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Чернов И.А., Метелева Ю.В. Фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdS в области энергий меньше ширины запрещенной зоны. // Журн. Физической химии, 2005, т. 79, №11, с. 1867-1869 [Russ. J. Phys. Chem. 2005, V. 79, № 11, pp. 1867-1869 (Engl. Transl.)].

5) Радычев H.A. Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // Известия Академии Наук, серия химическая, 2006, № 5, с.740 [Russ. Chem. Bull. 2006, №5, р.740].

6) Метелева Ю.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Получение пленок CdSe из координационных селеномочевинных соединений и их свойства. // Неорганические материалы, 2006, т.43 № 5.

7) Гапанович М. В., Радычев Н.А., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика гибели генерированных светом электронов в теллуриде кадмия, легированного иодом // III Всероссийская конференция "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах "ФАГРАН-2006", 11-15 октября, 2006 г., Воронеж., Материалы конференции. 2006, с. 413-414.

8) Гапанович М.В, Рабенок Е.В., Радычев. Н.А., Войлов Д.Н., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Влияние легирования иодом на кинетику СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия // Химия высоких энергий, 2007.

9) Новиков Г.Ф. Радычев Н.А. Экспериментальное определение зависимости константы скорости электрон-дырочной рекомбинации от энергии запрещенной зоны в полупроводниках типа AnBVI и АГВУИ // Известия

Академии Наук, серия химическая, 2007 №2.

Апробация

Результаты работ обсуждались и опубликованы в тезисах докладов на III Национальной кристаллохимической конференции в Черноголовке, IV Всероссийской конференции молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» в Саратове, 2003 г., XV симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2003 г., 4-ой международной конференции старшеклассников, студентов, молодых учёных, преподавателей, аспирантов и докторантов "актуальные проблемы современной науки" в Самара, 2003 г., XXII Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике в пансионате «Клязьма», 2004, XVII Симпозиуме «Современная химическая физика» в Туапсе, 2005 г., XXIV Всероссийской школе-симпозиуме молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», 2006, XVIII Всероссийском Симпозиуме "Современная химическая физика" в Туапсе, 2006г. Тезисы докладов:

1. Радычев Н.А., Волошина Т.В., Кавецкая И.В. «Люминесценция Ag2S кластеров в боратном пористом стекле» // III Национальная кристал-лохимическая конференция, 19-23 мая, 2003, Черноголовка, Тезисы докладов, с. 214-215.

2. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. СВЧ фотопроводимость легированного йодом AgBr // «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии» IV Всероссийской конференции молодых ученых, 23-25 июня 2003 г., Саратов, Тезисы докладов, с. 37.

3. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Применение СВЧ фотопроводимости для контроля содержания примесей акцепторов электрона в бромиде серебра, легированном йодом // 4-ая международной конференции старшеклассников, студентов, молодых учёных, преподавателей, аспирантов и докторантов "актуальные проблемы современной науки", 10-12 сентября 2003 г., Самара. Тезисы докладов, с. 30-32.

4. Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Электрон-ионные процессы в легированном йодом AgBr. Лазерные среды для среднего ИК-диапзона // XV симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2003 Туапсе, Тезисы докладов, с. 122.

5. Радычев Н.А., Ткаченко Л.И., Чернов И.А., Новиков Г.Ф., Алдошин С.М. Фотопроводимость композитных пленок полифенилацетилен-спиропиран. // XVII Симпозиума «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2005 г., Туапсе, Тезисы докладов, с.212-213.

6. Рабенок Е.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф., Личкова Н,В., Тихонина Н.А. Особенности переноса фотогенерированных заряженных частиц и реакции в особо чистых и легированных микродисперсных порошках и монокристаллах галогенидов серебра. // XXII Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 15-18 марта 2004, Программа и тезисы, с. 31.

7. Гапанович М.В., Радычев Н.А., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом. // XXIV Всероссийская школа-симпозиум молодых ученых по химической кинетике, пансионат «Клязьма», Московская обл., 2006, Программа и тезисы, с. 24.

8. Гапанович М. В., Радычев Н.А., Войлов Д. Н., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф. Кинетика СВЧ-фотопроводимости теллурида кадмия, легированного йодом // XVIII Всероссийский Симпозиум

Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с.162.

9. Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Кинетика рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", Туапсе, 22 сентября-3 октября 2006 г. Тезисы докладов, с. 156.

Структура диссертации

Диссертация состоит из 4 глав, содержание работы изложено на 154 страницах. Диссертация включает 64 рисунка, 8 таблиц, библиографию из 184 наименований.

Содержание глав.

Заключение диссертации по теме «Химическая физика, в том числе физика горения и взрыва», Радычев, Николай Александрович

выводы

1. Разработана автоматизированная установка для измерения СВЧ-фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц. Применен резонаторный метод с регистрацией отраженной мощности от резонатора ТЕюртипа с образцом малого объема, размещаемым в пучности электрического поля. Используется возбуждение короткими (8-15 не) импульсами лазеров. Благодаря применению виртуального осциллографа установка позволяет регистровая, накапливать и проводить первичную обработку данных на компьютере непосредственно в ходе эксперимента. Отработанные методики приготовления образцов и проведения измерений, вместе с усовершенствованным программным обеспечением для расчета кинетики процессов, ответственных за фотоотклик, позволили изучать процессы рождения и гибели электронов и дырок в широком наборе порошкообразных и тонкопленочных полупроводников в наносекундном диапазоне времен.

2. Впервые реализована широкополосная методика для исследования влияния света на диэлектрические свойства полупроводниковых образцов - явления, называемого в литературе «фотодиэлектрическим эффектом» (ФДЭ). Методика создана на базе диэлектрического спектрометра BDS -SR 810 фирмы Novocontrol, предназначавшегося для темновых измерений. Параметры созданной установки позволяют исследовать ФДЭ в диапазоне частот электрического поля 10"3-105 Гц, температур от -160 до +300°С, в условиях стационарного освещения 320-2500 нм разной интенсивности. Методика обработки данных диэлектрических измерений адаптирована к исследованиям ФДЭ и позволяет изучать эволюцию спектров времен диэлектрической релаксации при изменении температуры и освещенности образцов. Для разделения вкладов фотопроводимости и электрической ди-польной релаксации в комплексную диэлектрическую проницаемость используется анализ формы диаграмм типа Коула-Коула и «модуль-модуль» для комплексного электрического модуля.

3. Исследования зависимостей комплексной диэлектрической проницаемости от длины волны света и температуры в полупроводниковых соединениях CdS, CdxZni.xS, CdSe показали, что соотношения вкладов фотопроводимости и диэлектрической релаксации существенно различны при генерации носителей тока в результате межзонного перехода и переходов с участием состояний в запрещенной зоне полупроводника. Путем изучения влияния интенсивности и энергии кванта света на спектр времен диэлектрической релаксации установлено, что величина обратного времени релаксации пропорциональна произведению сечения ионизации на интенсивность света, что позволяет использовать ФДЭ для изучения особенностей процессов генерации носителей тока в разных полупроводниках. Предложена модель, позволяющая описать полученные и литературные данные.

4. На основе полученного экспериментального материала по изучению кинетики гибели электронов и дырок в полупроводниковых соединениях типа AIIBVI и AIBVII методом СВЧ-фотопроводимости предложена кинетическая модель процессов, протекающих под действием света. Модель включает конкуренцию захвата свободных электронов и дырок дефектами кристаллической структуры и рекомбинации свободных электронов и дырок. Детально исследована рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках с разной шириной запрещенной зоны: AgBr (Eg= 2,6 эВ), CdxZn,.xS (2,4-3,2 эВ), CdSe (1,7 эВ), CdTe (1.5 эВ). Впервые получены количественные данные по константам скоростей реакции рекомбинации свободных электронов и дырок, кт, в перечисленных веществах. Установлено, что кх существенно больше в веществах с меньшей энергией запрещенной зоны Eg, так что корреляционная зависимость кх от Е% оказалась близкой к экспоненциальной. По-видимому, полученная зависимость отражает

135 ражает снижение вероятности рекомбинации электронов и дырок при увеличении энергии запрещенной зоны в полупроводнике из-за необходимости размена все большей энергии, выделяющейся при рекомбинации.

Гписок рисунков

Рис. 1. Зависимость ширины запрещенной зоны пленок CdxZni.xS от состава.28

Рис. 2. Зависимость ширины запрещенной зоны пленок CdxZnixS от состава.29

Рис. 3. Спектр поглощения для монокристаллов CdTe (♦); пленок, прокаленных при Т = 300° С в присутствии CdCb (♦); на воздухе (х); в атмосфере аргона (*); наплавленных на подложку (■) [20].31

Рис. 4. Зависимость электропроводности от температуры и уровня легирования для CdTe, легированного индием.32

Рис. 5 Фотопроводимость монокристаллов CdTe.33

Рис. 6 Влияние поля на электрическое поведение сред.34

Рис. 7 Схема методов электрических измерений с объединенным поведением диэлектрических параметров в/ и е// соответственно шкале частоты и типа поляризации.36

Рис. 8 Зависимости термостимулированного люминесцентного излучения (кривая 1), термостимулированного тока (кривая 2), изменения диэлектрической постоянной (кривая 3) и изменения потерь в диэлектрике (кривая 4) от температуры для порошка фосфора ZnS по [99].43

Рис. 9 Частотная зависимость (Т=15С) а) АС; б) AtgS для различных интенсивностей возбуждающего света: 1)100%, 2) 39%, 3) 2.8%.44

Рис. 10 Частотная зависимость AtgS для различных температур интенсивность падающего света 39%).45

Рис. 11 Диаграммы е'(Л) для образцов Cdi.xZnxTe, отличающихся

•у плотностью ростовых дефектов. Параметры измерений:/=10 Гц, Т 293 К, значения длин волн Я соответствуют различным значкам, как указано на рисунке.46

Рис. 12 (а) Спектральная зависимость эффективных значений действительной и мнимой Ae"ff частей комплексной диэлектрической проницаемости для кристалла Cdo.g6Zno.14Te при фотовозбуждении (Я =0.6-1.8 мкр), (Ь) после линейной аппроксимации экспериментальной кривой на рис (а).47

Рис. 13 Электронные переходы между двумя состояниями.50

Рис. 14 К определению эффективного сечения рекомбинации.52

Рис. 15 Четыре типа элементарных процессов при рекомбинации электронов и дырок через локальные уровни.56

Рис. 16. Схема разложения координационного соединения на нагретой подложке.65

Рис. 17. Рентгенограммы для пленок CdSe, полученных при Г пиролиза, °С: 1 - 300,2 - 350, 3 - 400,4 - 500,5 - 550, 6 - 600.68 Л

Рис. 18. Зависимость (ahv) от энергии кванта света для пленок CdSe, полученных при: 1 - 500°С, 2 - 550°С, 3 - 600°С (кривые / и 3 очень близки).69

Рис. 19. Спектры отражения пленок, полученных при: 1 - 300°С, 2 - 350°С,

3 - 400°С, 4 - 500°С, 5 - 550°С, 6 - 600°С.70

Рис. 20. Зависимость (ahv) из отражения от hvдля пленок CdSe, полученных при: 1 - 300°С, 2 - 350°С, 3 - 400°С, 4- 500°С, 5 - 550°С,

6-600°С.71

Рис. 21 Схема измерения.74

Рис. 22 Схема измерительной ячейки в криостате.79

Рис. 23 Блок схема установки фотодиэлектрической спектроскопии.80

Рис. 24. Частотная зависимость СВЧ-фотоотклика: разделение вкладов APq и 8Pjo.82

Рис. 25 Резонатор ТЕт типа (схема).83

Рис. 26 Блок схема СВЧ установки 8-мм диапазона частот.86

Рис. 27 Пояснение к модели (см. текст).90

Рис. 28 Темновая электрическая емкость пленки CdS с электродами из различных металлов.93

Рис. 29 Зависимость электрической емкости от частоты электрического поля. Т=20°С для образцов 1 - CdS, 2 - CdSe, 3 - Cdo.5Zno.5S.94

Рис. 30 Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от частоты электрического поля Т=20°С.94

Рис. 31 Зависимость электрической емкости 1 -темновые измерения, 2.95 Рис. 32 Зависимость tgS(f) 1 - темновые измерения, 2 Л = 840 нм, 3 Л=600 нм. 7Ь20°С.95

Рис. 33 Зависимость tgS(f) от интенсивности света Я = 500 нм. Т = 20°С.

96

Рис. 34 Зависимость s"(s) для CdS.97

Рис. 35 Зависимость s"(&f) для Cdo.5Zno.5S 1 -hv= 3.3 эВ, 2- hv=2.1 эВ,.97

Рис. 36 Зависимость для.97

Рис. 37 Зависимость М"(МГ) для образца Cdo.5Zno.5S. 1 - Х=400нм; 2 -Х=600 нм. Г=20°С.98

Рис. 38 Зависимость дипольной релаксации для 2=430 нм. На вставке подробное описание релаксационной кривой 3, Г=20 С.98

Рис. 39Спектр фотопроводимости CdS.99

Рис. 40 Зависимость 1/тх от энергии кванта падающего света. 7Ь20°С.Л00

Рис. 41 Зависимость 1/т2 от энергии падающего кванта света. Т= 20°С. .100

Рис. 42 Зависимость от интенсивности света 1/г, при Я = Шнм.100

Рис. 43 Распределение времен релаксации G(r).101

Рис. 44 Зависимость 1/т2 от энергии кванта света при Т= -50°С.102

Рис. 45 Зависимость Мтх от энергии кванта света при Т= -50°С.102

Рис. 46 1/тг от энергии кванта падающего света при Т=-100°С.102

Рис. 47 Зависимость Мтх от энергии кванта света при Т=-100°С.102

Рис. 48 Зависимость амплитуды СВЧ-фотоотклика AgBr от интенсивности падающего света.107

Рис. 49 Фотоотклик в монокристалле AgBr при разных Iq\ 1 -1.4-1015,2

1Я 1

2.8-10 квант-см" за импульс. Сплошные линии - теоретические расчеты.107

Рис. 50. Спад СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S, /о = 5-1014 фотон-см"2 за импульс и зависимость амплитуды фотоотклика от интенсивности света (вставка).111

Рис. 51. Спад СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^ZnojS, /о = 5-1014 фотон-см"2 за импульс и зависимость амплитуды фотоотклика от интенсивности света (вставка).112

Рис. 52. Приведенные спады СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S: 1 -/о=1,7-1013 фотон см"2 имп."1; 2 - при /о=4,4-1014 фотон см"2 имп.'1.

Зависимость амплитуды фотоотклика от/о (вставка).113

Рис. 53. Спады СВЧ-фотоотклика пленки Cdo^Zno^S при I0: 1 - 4.4-1014,2 -4.4-1013,3 - 1.7-1013,4 - 8-1012 фотон-см*2 за импульс. Маркеры эксперимент, кривые - расчет.114

Рис. 54. Спад СВЧ-фотоотклика пленки CdS и зависимость его амплитуды от/о (вставка).115

Рис. 55. Спады СВЧ-фотоотклика (8 мм) пленки CdS при /0: 1 - 3.9-1014,2

3.9-1013,3 - 9-Ю12,4 - 61011 фотон-см"2 за импульс. Точки-эксперимент, кривые - расчет.115

Рис. 56. Зависимость времени полуспада от состава пленок CdxZn^S.116

Рис. 57. Зависимость амплитуды фотоотклика (3 см) от/для пленок CdSe, полученных при Т, °С: 1 - 300,2 - 350,3 - 400,4 - 500,5 - 550,6 - 600

117

Рис. 58. Спад СВЧ-фотоотклика (3 см) пленки CdSe, Тшн= 400°С. На вставке показана зависимость амплитуды отклика от интенсивности света.118

Рис. 59. Спад фотоотклика пленки, полученной при 500°С, и зависимость кажущегося показателя степенной функции от интенсивности возбуждения (вставка).120

Рис. 60. Зависимость амплитуды фотооклика (в максимуме, t=30 не) от интенсивности падающего света в CdSe. На вставке показан линейный участок зависимости при низких интенсивностях излучения.121

Рис. 61. Зависимость времени полуспада быстрой компоненты спада фотоотклика в CdSe от плотности светового облучения.122

Рис. 62. Спады фотоотклика СВЧ-фотопроводимости в CdSe при /о: 1-4.1 х 1015; 2- 1.3 х 1014; 3-0.39 х 1014; 4-2 х 1012 см"2 фотонов за импульс. (Маркеры - эксперимент, сплошные линии - расчет).127

Рис. 63 Спады СВЧ-фотопроводимости CdTe + 0.250 мол.% Cdl2 для разных интенсивностей света: 1 - 4.0хЮ14,2 - 9.2хЮ13,3 - 4.4х1013,

I -У <у

1.6x10 квант-см* за импульс (маркеры - эксперимент, линии расчет).129

Рис. 64 Зависимость константы скорости рекомбинации свободных электронов и дырок от ширины запрещенной зоны полупроводника. .133 сок таблиц

Табл. 1. Полупроводниковые параметры исследуемых веществ (300 К).21

Табл. 2 Время жизни электронно-дырочных пар.54

Табл. 3 Сечения захвата электронов и дырок ионами в AgBr.61

Табл. 4. Межплоскостные расстояния в пленках CdSe.67

Табл. 5. Размеры кристаллитов в пленках CdSe.68

Табл. б.Значения ширины запрещенной зоны зоны, рассчитанное из спектров пропускания и отражения пленок CdSe, полученных при различных температурах пиролиза Т.72

Табл. 7 Относительные величины и знаки изменений Sf0 и SQL для некоторых характерных состояний электрона [162].84

Табл. 8 Работа выхода металлов, применяемых в качестве электродов.94

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Радычев, Николай Александрович, 2007 год

1. Франкомб М.Х., Джонсон Дж.Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. В кн. Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Т. V., М.: Мир, 1972, с. 140-244.

2. Вавилов B.C. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений // Успехи физических наук. 1994. Т. 164. № 3. С. 287-295.

3. Алфимов М.В. Будущее регистрации, хранения и представления информации // Журн. научн. и прикл. фотогр.-1994.- Т.39, №3С.81-82.

4. Weimer Р.К. Физика тонких пленок, т. 2, изд-во «Мир», 1967, с. 83.

5. Альберс В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений АПВУ1 /Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.-С.135-177.

6. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы. М: Наука. 1986. 367 с.

7. Новиков Г.Ф. Начальные стадии фото- и радиационностимулированных процессов в твердых средах. Дисс. д.ф.-м.н., 1997, Черноголовка.

8. Новиков Г.Ф. //Журн. научн. и прикл. фотогр. 1977. Т.42. С. Novikov G.F. //Sci. Appl. Photo, 1998. V.39, P.513.J

9. Кузано Д.A. // Физика и химия соединений AllBvl/Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.- С.537-581.

10. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B. и др. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975, С. 43.

11. Марковский Л.Я., Перкман P.M., Петошина JI.H. Люминофоры.- М., 1966.- С. 178-183.

12. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. М., 1975, С. 174-181.

13. Угай Я.А., Семенов В. Н., Авербах Е. М. Получение пленок CdS-ZnS методом пульверизации // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1978. Т. 14, №8. С1529-1530.

14. Метелева Ю.В. Пленки CdxZnj.xS: получение, свойства и реакции заряженных частиц. Дисс. канд. хим. наук. 2002. - ИПХФ РАН. Черноголовка.

15. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ-фотопроводимость полупроводниковых пленок CdSe // Физика и техника полупроводников, 2006, т. 40, вып. 10, с. 1167-1174.

16. Пашинкин А.С., Тищенко Г.Н., Корнеева И.В., Рыженко Б.Н. // Кристаллография. 1960. Т.47. С. 131.

17. Hartmann Н., Mach R., Selle В. Wige gap II-VIcompounds as elektronic materials // Curr. Top. Mater. Sci.,- Amsterdam, 1982, V.9,-P.414.

18. Гавриленко В.И., Грехов A.M. и др. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев. Наукова думка. 1987. с. 243.

19. Mathew X., Sebastian Р J. Structural and opto-electronic properties of elec-trodeposited CdTe on steinless steil foil. // Solar Energy Materials & Solar Cells. 1999. № 59. P. 85-98.

20. Cardona M., Harbeke G. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and rutile//Phys. Rev. 1965. V. 137. № 5A. P. 1467-1476.

21. Baubinas R., Kietis B.P., Reksnys R. et al. Bepollar photoconductivity and acoustoelectric current in CdTe, CdS and CdSe // Phys. Stat. Sol. 1978. V. A50. P. K63.

22. Ray В. II-VI Compounds: Lectures in Electronics Queen's College. N.Y. Pergamon Press, 1969.

23. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. под. ред. Алферова Ж.И. и Вавилова B.C. М.: Мир, 1973.

24. Морхед Ф.Ф. Электролюминесценция // Физика и химия соединений AnBVI/Подред. С.А.Медведева.-М., 1970.- С.465-496.

25. Oduor А.О., Gould R.D. Space-charge limited conductivity in evaporated CdSe thin films // Thin solid films 1995.

26. R.M. Abdel-Latif Direct current conductivity of evaporated cadmium se-lenide thin films. //Physica В 270 (1999) 366-370.

27. D Nesheva, Z Levi and V Pamukchieva. Charge transport in CdSe nanocrys-talline sublayers of SiOx/CdSe multilayers and composite SiOx-CdSe thin films. //J. Phys.: Condens. Matter 12 (2000) 3967-3974.

28. M.J. Lee, Shih-Chung Lee Extraction of the trap density and mobility in poly-CdSe thin films //Solid-State Electronics 43 (1999) 833-838.

29. Лашкарев B.E., Любченко A.B., Шейнкман M.K. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: «Наук, думка», 1981. - 264 с.

30. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.- М., 1982.- 376 С.

31. Залюбинская Л.Н., Мак В.Т., Манжара B.C. Люминесцентный анализ зависимости состава поликристаллических пленок CdS от условий их синтеза //Журнал прикл. спектроскопии, 1988, Т. 48, №1.- С.54-59.

32. Бродин М.С., Городецкий И.Я., Корсунская Н.Е., Шаблий И.Ю. Образование собственных дефектов при лазерном облучении и их влияние на фотоэлектрические свойства кристаллов CdS // Укр. Физ. Журнал-1979, Т.24, №10.- С.1539-1544.

33. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шаблий И.Ю., Шейнкман М.К. // ФТП. 1981. Т. 15. № 2. С. 279-282.

34. Келле Х.И., Кире Я.Я., Тулва Л.Т. К вопросу о происхождении оранжевой и красной люминесценции CdS // Проблемы физики соединений АПВУ1.-Вильнюс, 1972.-С.85-89.

35. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.П., Пекарь Г.С., Шейкман М.К. // Укр. физ. журнал, 18, 732(1973).

36. Коганович Э.Б., Сукач Г.А., Свечников С.В. Исследование спектров фотолюминесценции фотопроводящих пленок CdS:Cu:Cl // Укр. Физ. Журн. 1984. Т. 31. № 12. С. 1794-1800.

37. Эмиров Ю.Ю., Остапенко С. С., Ризаханов МА., Шейнкман М.К. // ФТП. 1982. Т. 16. № 8. С. 1371-1376.

38. Kulp В.А. //Phys.rev. 1962. V. 125. № 6. Р. 1865-1869.

39. Шейкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Механизмы излучательных и безызлучательных переходов в соединенияхи природа центров свечения // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. 40. № 11. С. 2290-2297.

40. Семенов В.Н., Авербах М.С. О люминесценции пленок CdS-ZnS в спектральном интервале 400-1200 нм // Физико-химические процессы в полупроводниках и на их поверхности. Воронеж, 1981.- С. 99-104.

41. Новиков Г.Ф., Метелева Ю.В. «Фотоутомляемость пленок сульфидов кадмия и цинка»// Физическая химия, 2002, т. 76, № 7, с. 1708-1710.

42. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.-М., 1962.- С. 127.

43. Девлин С.С. Свойства переноса // Физика и химия соединений AUBVI. Подред.С.А. Медведева.-М., 1970.- С.418-461.

44. Казанкин О.Н., Марковский Л.Я., Миронов И.А. Неорганические люминофоры.-Л., 1975.-191С.

45. Парфианович И.А., Саломатов В.Н. Люминесценция кристаллических веществ.- Иркутск, 1977 Ч.1.- 166С.

46. Голубева Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS//Журн. прикл. спектроскопии, 1972.- Т. 17, №2.- С.261-268.

47. Бьюб Р.Х. Фотопроводимость // Физика и химия соединений AnBVI / Под ред. С.А. Медведева.-М., 1970.- С.499-535.

48. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. М., Наука, 1977. С. 210с.

49. Китаев Г.А., Двойнин А.Б., Урицкая А.А. и др. О возможности получения смешанных соединений халькогенидов металлов химическим способом //Химия и физика халькогенидов.-Киев, 1977.- С. 107-109.

50. Власенко Н.А., Ермолович И.Б., Коджеспиров Ф.Ф., Коновец Н.К., Мо-жаровский Л.А. и Шейнкман М.К. Люминесцентные свойства смешанных монокристаллов ZnxCdj.xS // Изв. АН СССР, 1971, т. 35, №7, с. 1433-1435.

51. Метелева Ю.В., Семенов В.Н., Клюев В.Г. и Смерек С.А. «Люминесцентные свойства дефектов в поликристаллических пленках CdxZnj.xS, полученных из тиомочевинных координационных соединений» // Неорганические материалы, 2001, т. 37, № 12, с. 1435-1438.

52. M E Rincon, О Gomez-Daza, С Corripio, Е A Vazquez-Martinez, J Ruiz-Garcia Morphology and photoelectrochemical behaviour of CdSe/ZnO composites obtained by the screen printing technique //Semicond. Sci. Technol. 14 (1999) 390-398.

53. Minoura H, Negoro T, Kitakata M, Ueno Y SolarEnergy Mater. 12 (1985) 335.

54. Hodes G, Manassen J, Cahen D J. Am. Chem. Soc. 102 (1980) 5962.

55. U. Pal, S. Munoz-Avila, L. Prado-Gonzalez, R. Silva-Gonzalez,J.M. Gracia-Jimenez Effect of laser annealing on the distribution of defect levels in CdSe films //Thin Solid Films 381 (2001) 155-159.

56. Ковалев А.А., Жвавый С.П.,. Зыков Г.Л Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов в теллуриде кадмия. // Физ. и. техн. полупроводников. 2005. Т. 39. вып. 11. С. 1345-1349.

57. Байдуллаева А., Буллах М.Б., Власенко А.И., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением. // Физ. и техн. полупроводников. 2004. Т. 38. вып. 1. С. 26 29.

58. Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б. Состояние поверхностных поликристаллических слоев CdTe. облученных импульсным лазерный излучением. // Физ. и техн.полупроводников. 2001. Т. 35. вып. 6. С. 745 748.

59. Матвеев О.А., Терентьев А.И. Антиструктурные дефекты Tea в кристаллах CdTe. //Письма вЖТФ. 1997. Т. 23. №4. С. 30 34.

60. Miller A.R., Searoy A.W. Defect structure of CdTe crystals. //J. Phys. Sol. 1965. V. 69. №11. P. 3826-3834.

61. Медведев C.A., Максимовский C.H. Высокотемпературная электропроводность теллурида кадмия. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1973. Т.9. №З.С. 356-361.

62. Stubbs M.F., Schufle I.A., Thompson A.I. Electroconductivity of CdTe crystals. // J.Amer. Chem. Soc. 1954. V. 76. №2. P. 341-345.

63. Mochizuki K. Growth of CdTe from Те excess solution and self-compensation of doped donor. //Journal of Crystal Growth. 2000. V. 215. P. 9-13.

64. Fischer F., Waag A., Worschech L., Ossau W., Scholl S., Landwehr G., Makinen J., Hautojarvi P., Corbel C. Self-compensation in halogen-doped CdTe growed by molecular beam epitaxy. // Jornal of Crystal Growth. 1996. V. 161 P. 214-218.

65. Ткачук П.Н., Ткачук В.И., Букивский П.Н., Курик М.В. Метастабилъ-ный Х-центр в монокристаллах теллурида кадмия. // Физ. те. тела. 2004. Т. 46. вып. 5. С. 804-810.

66. Ткачук П.Н. Спектр фундаментального отражения и электронная структура CdTe, легированного примесью хлора. // Физ. и техн. полупроводников. 2000. Т. 42. вып. 11. С. 1961 1963.

67. Ильчук Г.А., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец Н.А. Создание и фотоэлектрические свойстваструктур окисел CdTe. // Физ. и техн. полупроводников. 2000. Т. 34. вып. 9. С.1099-1102.

68. Turkevych I., Grill R., Franc J., Belas E., Hoschl P., Moravec P. // Semicond. Sci. technol. 2002. № 17. P. 1064-1066.

69. Abd El-Mongy A., Belal A., El Shailkh H., El Amin A. A comparison of the physical properties of CdTe single crystal and thin film. // J. Phys D: Appl. Phys. 1997. № 30. P. 161 -165.

70. Дебай П. Полярные молекулы.-М.: Гостехиздат, 1931.1Ъ Черноуцан А.И. Физические свойства процесса стеклования. //Соросовский образ. Журн. Т. 7, №3, 2001,с. 104-109.

71. Cole K.S., Cole R.H. Dispersion and absorption in dielectric. 1/ Alternating currents characteristics//J. Chem. Phys.-l941.-Vol.9.N24.-p. 341-351.

72. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in glycerol, propylene, glycol and n-propanollllbid.-l951.-Vol. 19. №12.-p. 1484-1490.

73. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in glicirine//Ibid.-1950.-Vol. 18. №10.-p. 1417-1418.

74. Fuoss R.M., Kirkwood J.G. Electrical properties of solids// J. Amer. Chem. Soc.-1941.- Vol. 63. №6.-p. 385-394.

75. Havriliak S., Negami S. A complex plane representation of dielectric and mechanical relaxation process in some polymers// Polymer.-1967- Vol. 8. №4.-p. 161-310.

76. Lindsey C.P., Pattersonm G.D. Detailed comparison of the Williams-Watts and Cole-Davidson functions// J. Chem. Phys.-1980.-Vol.73.№7.-p. 33483357.

77. Williams G. Watts D.C. Non-symmetrical dielectric relaxation behaviour arising from a simple empirical decay function//Trans. Faradey Soc.-1970.-Vol.66, №l.-p.80-85.

78. Williams G. Watts D.C., Dev S.B., North A.M. Further considerations of non-symmetrical dielectric relaxation behaviour arising from a simple empirical decay function//lbid.-l 971.-Vol.67, №5.-p.l323-1335.

79. Губкин A.H. Релаксационная поляризация диэлектриков //Изв. вузов. Физика.-1979.-№1,с. 56-73.

80. Гулявцев В.Н., Сивергин Ю.М., Зеленев Ю.В., Берлин А.А. Процессы диэлектрической релаксации в трехмерных полимерах олигоэфиракрилатов// Высокомолекуляр. соединения. Сер. А.-1974,-т. 16№4.-с. 742748.

81. Оськина О.Ю., Усманов С.М., Сивергин Ю.М. Диэлектрическая релаксация в некоторых диацетиленовых производных// Журн. физ. химии-1990.-т.64, №8.- 2209-2215.

82. Усманов С.М. Применение метода регуляризации Тихонова при автоматизированной математической обработке данных диэлектрической спектроскопии//Изв. вузов. Физика.-199L-MlO.-c. 103-109.

83. Усманов С.М., Берлин А.А., Шашкова В.Т. и др. Процессы диэлектрической релаксации в олигоэфиракрилатах и полимерах на их основе/Бир-ский ГПИ.-Бирск, Збс.-Деп. в ВИНИТИ 19.08.76, №3170.

84. Электрические свойства полимеров/Под ред. Б.И. Сажина.-2-е изд.-JI.: Химия, 1977-192 с.

85. Bottcher С. J. F. and Bordewijk P. Theory of Electric Polarization, Vol. 2 Elsevier Scientific Publishing Company, Amsterdam. London New York, 1978.

86. Арсенин В.Я., Крянов A.B. Применение методов решения некорректных задач при автоматизированной математической обработке результатов физических экспериментов// Автоматизация научных исследований в экспериментальной физике.-М., 1987.-С. 3-18.

87. Нигматуллин P.P. Дробный интеграл и его физическая интерпретация //ТМФ., -1992, Т.90, -№3, -с.354-368.

88. Nigmatullin R.R. Dielectric relaxation of Cole-Cole type and self-similar process of relaxation //Izvestia VYZov «Physics»-1997, -№4, pp. 6-11.

89. Nigmatullin R.R. Ryabov Ya. E. Cole-Devidson dielectric relaxation as a self-similar process//Phys. Solid. State, -1997,-v.39, -pp.87-90.

90. Roux J., Journ. phys. et rad., 15,176 (1954).

91. Roux J., Compt. Rend., 236, 2492 (1953).

92. Roux J., Journ. phys. et rad., 813 (1956).

93. Kallmann, Kramer, Perlmutter, Phys. Rev., 89, 700 (1953).

94. Kallmann, Kramer, Mark, Phys. Rev., 1328 (1955).

95. Garlik G. F. J., Gibson A. F., Proc. Phys. Soc., A62, 731 (1949).

96. Garlik G. F. J., Gibson A. F., Proc. Roy., Soc., A188, 485 (1947).

97. Murphy E. J., Morgan S. 0., Bell. Syst. Techn. Journ., 18, 502 (1939).

98. Kronenberg S., Accardo C. A., Phys. Rev., 101, 989 (1956).

99. Garlik G. F. J., Britt Journ. Appl. Phys., Suppl., 4, S85 (1955).

100. Dropkin J. J., et al., ONR Rep., No. 6 onr-26312 (1952); No. 6 onr-26313 (1953).

101. Vergunas F.I., Skobeltsyna N.A Photodielectric Effect in CdS-Agphosphor //Russian Physics Journal Volume 14, No 5page 694-6961971.

102. Vergunas F. I. and Malkin G. M., Fiz. Tverd. Tela, 2, 2322 (1960).

103. Vergunas F. I. and Malkin G. M., Dokl. Akad. Nauk SSSR, 137. 560 (1961).

104. Borshchevskii A. S., Kunaev A. M., Kusainov S. G., Rud' Yu. V. Study of the band structure of complex semiconductors by using the photodielectric effect (PDE) //Russian Physics Journal Volume 18, No 4page 572-574 (1975).

105. Borshchevskii И.А., Комарь B.K., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cdi.xZnxTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2.

106. Клименко И.А., Комарь В .К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cdj.xZnxTe, выращенных из расплава // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4.

107. Мигаль В.П. Неаддетивная фотопроводимость и индуцированные состояния кристаллов селенида цинка // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10.

108. Кошаг V.K., Migal V.P., Chugai O.N., Puzikov V.M., Nalivaiko D. P. Investigation of localized states in cadmium zinc telluride crystals by scanning photodielectric spectroscopy // J. Appl. Phys. Lett. 81., 4195 (2002).

109. Deri R. J., Spoonhower J. P., Microwave photodielectric effect in AgCl // Phys. Rev. В 25, 2821 (1982).

110. Новиков Г.Ф., Грабчак С.Ю., Алфимов М.В. Вклад свободного электрона в СВЧ-поглощение, индуцированное импульсом света в плавленном бромиде серебра. // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1990, т. 35, № 1, с. 18-26.

111. Грабчак С.Ю., Новиков Г.Ф. Быстрозатухающий фотодиэлектрический эффект в бромиде серебра // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1988, т. 33, № 5, с. 371-372.

112. Бонч-Бруевич В.Я., Калашников С.Г. Физика полупроводников М. 1977.

113. Platikanova V., Malinovski J. Capture cross section of impurity centres in silver bromide. // Commun. Dept. Chem. Bulg. Acad. Sci., 1974, V. 7, № 1, pp. 31-38.

114. Голованов Б.И. Исследования рекомбинационных процессов в микродисперсных галогенидах серебра методом СВЧ-фотопроводимости. // Дис. канд. физ.-мат. наук. Черноголовка, 2001.

115. Deri R.J., Spoonhower J.P. Cross section for photoelectron capture by IrBrt in AgBr//Appl. Phys. Let., 1983, V. 43, № 1, pp. 65-67.

116. Рабенок E.B. Исследование начальных стадий фотолиза галогенидов серебра: элементарные реакции фотогенерированных носителей тока. //Дис. канд. физ. мат. наук. - Черноголовка, 2005.

117. Радычев Н.А. Рабенок Е.В.,Новиков Г.Ф.,Личкова Н.В. СВЧ фотопроводимость легированного йодом AgBr. // IV Всероссийская конференциямолодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии», 23-25 июня 2003 г., Саратов, с. 37.

118. Радычев Н.А.,Рабенок Е.В.,Новиков Г.Ф., Личкова Н.В. Электрон-ионные процессы в легированном йодом AgBr. Лазерные среды для среднего ИК-диапзона // XV симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2003 г. Туапсе, С. 122.

119. Ткаченко Л.И.,Чернов И.А.,Новиков Г.Ф.,Алдошин С.М Фотопроводимость композитных пленок полифенилацетилен-спиропиран // XVII Симпозиум «Современная химическая физика», 18-29 сентября 2005 г., Туапсе, Сборник тезисов, с.212-213.

120. Гапанович М.В., Радычев Н.А., Войлов Д.И., Рабенок Е.В., Один И.Н., Новиков Г.Ф., Кинетика СВЧ-фотопроводимости телурида кадмия, легированного иодом // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", 2006г., г. Туапсе.

121. Н.А. Радычев, Г.Ф. Новиков Кинетика рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdSe. // XVIII Всероссийский Симпозиум "Современная химическая физика", 2006г., г. Туапсе

122. Личкова Н.В., Загороднев В.Н. О получении моногалогенидов серебра и меди особой чистоты. //Высокочистые вещества, 1991, № 3, с. 19-38.

123. Ю.В. Метелева, А.В. Наумов, Н.Л. Сермакашева, В.Н. Семенов, Г.Ф. Новиков СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика. 2001. Т. 20. № 9. С. 39-45.

124. Семенов В.Н., Наумов А.В. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. N2 2. С. 50 55.

125. Кукушкин Ю.Н., Ходжаев О.Ф., Буданова В.Ф., Парпиев Н.А. Термолиз координационных соединений, 1986, Ташкент, изд-eo «Фан» Узбекской ССР, с. 102-110.

126. Hankare P.P., Bhuse V.M., Garadkar K.M., Delekar S.D., Mulla I.S. Chemical deposition of cubic CdSe and HgSe thin films and their characterization//Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. 70-75.

127. Garcia V.M., Nair M.T.S., Nair P.K and Zingaro R.A. Preparation of highly photosensitive CdSe thin films by a chemical bath deposition technique // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 427-432.

128. Hernandez Torres M.E., Silva-Gonzalez R., Havarro-Conteras H., Vidal M.A., Gracia-Jimenez J.M. Study of stochiometric and non-stochiometric CdSe thin films //Modern phys. letters B. 2001. V. 15. P. 741-744.

129. Lifshitz E., Dag I., Litvin I., Hodes G., Gorer S., Reisfeld R., Zelner M., Minti H. Optical properties of CdSe nanoparticle films prepared by chemical deposition and sol-gel methods // Chemical physics letters. 1998. V. 288. P. 188-196.

130. Lade S.J., Uplane M.D., Uplane M.M., Lokhande C.D. Structural, optical and photoelectrochemical properties of electrodeposited CdSe thin films // Journal of materials science: materials in electronics. 1998. V. 9. P. 477-482.

131. Swaminathan V., Subramanian V., Murali K.R. Characteristics of CdSe films electrodeposited with microprocessor based pulse plating unit // Thin solid films. 2000. V. 359. P. 113-117.

132. Perna G., Capozzi V., Pagliara S., Ambrico M. Reflectance andphotolumi-nescence characterization of CdS and CdSe heteroepitaxial films deposited by laser ablation technique// Thin solid films. 2001. V. 387. P. 208-211.

133. Grabtchak S., Cocivera M. Contactless microwave study of dispersive transport in thin film CdSe // Journal of Applied Physics. 1996. V. 79. P. 786793.

134. Pal U., Samanta D., Ghorai S., Samantaray B.K., Ghaudhuri A.K. Structural characterization of cadmium selenide thin films by X-ray diffraction and electron microscopy//J. Phys. D: Appl. phys. 1992. V. 25. № 10. P. 1488-1494.

135. Бьюб P.X. Физика и химия соединений AnBVI. Пер. с англ. Под ред. Медведева С.А. Москва. Мир. 1970. С. 159.

136. Kumar V. and Sharma Т.Р. Structural and optical properties of sintered CdSxSe!.xfilms //J. Phys. Chem. Solids. 1998. V. 59. № 8. P. 1321.

137. Sharma S.Kr., Kumar S., Kumar V., Sharma T.P. CdSe photovoltaic sintered films // Optical Materials. 1999. V. 13. P. 261.

138. J. Tauc. Amorphous and liquid semiconductors, in: J. Tauc (Ed.), New York, Plenum Press, 1974.

139. Sharma T.P., Sharma S.D. and Singh V. // C.S.I.O. Communication. 1992. V. 19. №3-4. P. 63-66.

140. Один И.Н., Чукичев M.B. Влияние иода на люминесцентные свойства кристаллов халькогенидов кадмия. // Неорган, материалы. 2003. Т. 39. №5. С. 534-537.

141. Novocontrol GmbH, Novocontrol broadband dielectric converter BDS, Owner's Manual, Germany, №5. 1996p. 40.

142. Johari G.P. Electrical properties of epoxy resins, in: Chemistry and Technology of Epoxy Resins / Ed. B. Ellis, Blackie and Sons. London. 1993. P. 175.

143. Гаврильяк С., Негами С. Анализ а-дисперсии в некоторых полимерных системах методами комплексных переменных// Переходы и релаксационные явления в полимерах / Под ред. Р. Бойера.-М.: Мир, 1968.-С. 118137.

144. Lane J.W., Seferies J.C. Polym Engng Sci 1986;26:346.

145. Koike T, Tanaka R. J Appl Polym Sci 1991; 44:1333.

146. Koike T. J Appl Polym Sci 1992; 42:679.

147. Havriliak S., Negami S. A complex plane representation of dielectric and mechanical relaxation process in some polymers// Polymer.-1967.~ Vol. 8. №4.-p. 161-310.

148. Novocontrol GmbH, WinFit 2.9, Owner's Manual, Germany, №12. 2000p. 137.

149. Баранов Э.В., Акимов И.К. Фотопроводимость фотографических слоев на частоте Ю10 Гц. //Докл. АН СССР. 1964. - Т. 154, N. 1. - С. 184.

150. Соколов Е.А., Бринкештейн В.Х., Бендерский В.А. Измерение фотопроводимости полупроводников в диапазоне с.в.ч. //ПТЭ. 1967. -N. 4. - С. 141-144.

151. Kel lo L.M. //Photogr. Sci. Eng. -1974. V. 18, .№4.- P. 378.

152. Deri R.J., Spoonhower J.P. Fast photoelectron kinetics in silver bromide emulsions //Photogr. Sci. and Eng. -1984. V. 28, No. 3. - P. 92-98.

153. Hasegawa A., Sakaguchi N. //J. Soc. Photogr. Sci. and Tech-nol. Japan. -1986.-V. 49, No. 5.-P. 388.

154. Spoonhower J.P. Microwave Photoconductive and Photodielectric Effects in Silver Halides. //Photogr. Sci. and Eng. -1980. V. 24, No. 3. - P. 130-132.

155. Chaplin K.S. and Krongard R.R. //IEEE Trans. Microwave Theory Tech. MTT-9. -1961. P. 545.

156. Arndt G.D., Hartwig W.H. and Stone J.L. Josephson and rf devices photodielectric detector using a superconducting cavi J. Appl. Phys. -1968. -V. 39., No. 5.-P. 2653-2656.

157. Hartwig W.H., Hinds J.J. Use of superconducting.resolve carrier trapping effects in CdS// J. Appl. Phys. 1969. - V. 40., No.5. -P. 2020-2027.

158. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева Н.Л., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZnl-xS//Химическая физика. 2001. Т. 20. № 7. С. 30-32.

159. J.Z. Zhang, R.H O'Neil, and T.W. Roberti, Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 1989.

160. Яковлев B.C., Новиков Г.Ф. Геминальные электрон-ионные пары, генерированные ионизирующим излучением в неполярных углеводородных стеклах: рекомбинация поляризация, разделение. // Успехи химии, 1994, т. 63, № 5, с. 402-418.

161. Рабенок Е. В., Радычев Н. А., Новиков Г. Ф., Личкова Н. В. Особенности электрон-ионных процессов в порошках, плавленных и монокристаллах галогенидов серебра (лазерные среды). // Конденсированные среды и межфазные границы, 2004, т. 6, № 2. С. 182-187.

162. Метелева Ю.В., Радычев Н.А., Новиков Г.Ф. Получение пленок CdSe из координационных селеномочевинных соединений и их свойства // Неорган. материалы. 2006. (в печати).

163. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М.: Наука, 1972, 399 с.

164. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса: Пер. с англ. П.: Химия, 1980. - 672 с.

165. Георгобиани A.II. Широкозонные полупроводники AnBvl и перспективы их применения // Успехи физических наук. 1974. V. 113. № 1. Р. 129-155.

166. Татауров А.В., Метелева Ю.В., Сермакашева H.JL, Новиков Г.Ф. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в тонких пленках CdS//Изв. АН, Сер. хим. 2003. № 5. С. 1137-1139.

167. Novikov G.F., Golovanov B.I. Rate constant of free electron-hole recombination reaction in powdered silver bromide. 295°K. //J. Imaging Sci. 1995. V. 39. № 6. P. 520-524.

168. Новиков Г.Ф., Голованов Б.И., Тихонина H.A. Константа скорости реакции рекомбинации свободных электронов и дырок в хлориде серебра. 295 К. //Изв. АН, Сер. хим. 1996. № 9. С. 2234-2236.

169. Новиков Г.Ф., Рабенок Е.В., Алфимов М.В. Исследование элементарных стадий фотолиза галогенидов серебра методом микроволновой фотопроводимости //Химия высоких энергий. 2005. Т. 39. № 3. С. 1-9.

170. Метелева Ю.В., Наумов А.В., Сермакашева H.JL, Семенов В.Н., Новиков Г.Ф. СВЧ-фотопроводимость и люминесценция сульфидов кадмия и цинка, полученных из тиомочевинных координационных соединений // Химическая физика. 2001. V. 20. № 9. С. 39-45.

171. Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф., Сермакашева H.JI., Семенов В.Н. СВЧ-фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках CdxZni.xS//Химическая физика. 2001. Т. 20. № 7. С. 30-32.

172. Pejova В., Grozdanov I. Manifestations of three-dimensional confinement effects in the optical spectra of CdSe quantum dots in thin film form // Materials Letters. 2004. V. 58. P. 666-671.

173. Г.Ф. Новиков, Б.И. Голованов, М.В. Алфимов. Константа скорости электрон-дырочной рекомбинации в бромиде серебра. 295°К // Химия высоких энергий. 1995. Т. 29. № 6. С. 423-428.