Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Холомина, Татьяна Андреевна

• Холомина, Татьяна Андреевна
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Холомина, Татьяна Андреевна

Введение.

Глава 1. Природа и методы описания глубоких центров

1.1. Дефектообразование и структура твердого тела.

1.2. Модели электронного строения глубоких центров.

1.3. Экспериментальные результаты исследования параметров глубоких центров в кремнии и пленках ¿Ю2 МОП-систем.

1.3.1. Глубокие центры в кремнии

1.3.2. Глубокие центры в пленках на кремнии.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Влияние дефектов на параметры приборов. Методы стабилизации

2.1. Влияние дефектов структуры на характеристики кремния и приборов на его основе.

2.1.1. Влияние дефектов структуры на свойства кремния.

2.1.2. Влияние дефектов структуры кремния на характеристики /?-л-перехода.

2.1.3. Влияние дефектов структуры кремния на характеристики и параметры полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем.:.

2.1.4. Влияние технологии формирования алюминиевой металлизации на параметры диодов Шоттки.

2.1.5. Влияние материала электродов на свойства гетероструктур халькогенидный стеклообразный полупроводник-кремний.

2.2. Методы геттерирования дефектов структуры кремния.

2.3. Влияние дефектов пленки термической ЗЮ на стабильность МОП-систем.

2.4. Методы повышения стабильности заряда

МОП-систем на кремнии.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Влияние глубоких центров, созданных имплантацией, на физические процессы в пленках МОП-систем на кремнии

3.1. Методика экспериментов.

3.2. Исследование влияния режима имплантации на величину и стабильность заряда системы

3.2.1. Исследование влияния режима ионного легирования на величину эффективного заряда системы двуокись кремния-кремний.

3.2.2. Стабильность эффективного заряда ионно-легированных образцов при разных ТПВ.

3.2.3. Исследование плотности и спектров поверхностных состояний облученных ионами образцов двуокись кремния-кремний.

3.3. Исследование влияния глубоких центров, созданных имплантацией, на процессы переноса заряда в МОП-системе

3.3.1. Расчет величины заряда термостимулированной деполяризации системы БЮ^г.

3.3.2. Исследование нестабильности заряда пленок ВЮ2, облученных ионами бора и фосфора, а также пассивированных ФСС, методом ТСД-ТСП.

3.3.3. Исследование влияния режима отжига на эффективность геттерирования подвижного заряда пленок 8Ю2, облученных ионами и пассивированных ФСС.

3.4. Исследование влияния имплантации на структуру и диэлектрические свойства пленок Si

3.4.1. Исследование структуры и скорости травления облученных ионами пленок Si02.

3.4.2. Диэлектрические параметры ионно-легированных пленок двуокиси кремния.

3.5. Моделирование влияния глубоких центров, созданных облучением ионами, на параметры пленок Si02 МОП-систем на кремнии.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Определение параметров глубоких центров методом релаксационной спектроскопии

4.1. Основные принципы релаксационной спектроскопии глубоких уровней.

4.2. Приближения, лежащие в основе описания физических процессов при нестационарной спектроскопии глубоких уровней.

4.2.1. Модель НСГУ, основанная на статистике Шокли-Рида

4.2.2. Активационно-дрейфовая модель релаксационной спектроскопии глубоких уровней для ловушек основных носителей.

4.3. Экспериментальное исследование параметров глубоких уровней методом РСГУ.

4.4. Экспериментальное подтверждение активационно-дрейфовой модели НСГУ по литературным данным.

4.4.1. Анализ литературных данных по исследованию

ГУ в кремнии методом DLTS.

4.4.2. Анализ литературных данных по исследованию ГУ в GaAs, InP и Ge методом DLTS.

4.5. Определение параметров глубоких центров при поверхностно-барьерной неустойчивости.

Выводы к главе 4.

Глава 5. Определение параметров глубоких центров методом спектроскопии низкочастотного шума.

5.1. Характеристики и параметры спектров НЧ-шума

5.1.1. Статистические характеристики 1/£шума.

5.1.2. Влияние частоты и температуры на СПМ НЧ-шума. Основные принципы шумовой спектроскопии глубоких уровней.

5.2. Теории и гипотезы, описывающие механизм генерации низкочастотного шума

5.2.1. Приближения, лежащие в основе теоретических моделей описания механизма генерации НЧ-шума.

5.2.2. Модели формирования НЧ-шума в полупроводниковых приборах и определение параметров ГЦ на их основе.

5.3. Развитие активационно-дрейфовой модели как основы спектроскопии низкочастотного шума в барьерных структурах

5.3.1. Обобщенная активационно-дрейфовая модель формирования низкочастотного шума в барьерных структурах с глубокими центрами.

5.3.2. Экспериментальное исследование параметров глубоких уровней методом спектроскопии низкочастотного шума.

5.4. Экспериментальное подтверждение обобщенной активационно-дрейфовой модели генерации НЧ-шума по литературным данным

5.4.1. Качественные закономерности.

5.4.2. Количественный анализ.

5.5. Моделирование влияния различных факторов на низкочастотный шум диода с барьером Шоттки

5.5.1. Методика вычислительного эксперимента.

5.5.2. Аппроксимация формы спектров.

5.5.3. Моделирование спектров НЧ-шума.

5.5.4. Моделирование температурных зависимостей

СПМ НЧ-шума.

5.5.5. Моделирование влияния величины обратного смещения барьера Шоттки на интенсивность НЧ-шума.

5.5.6. Исследование влияния положения точки отсчета в (5.21), (5.22) на спектры НЧ-шума.

5.5.7. Сопоставление расчетных и экспериментальных результатов.

Выводы к главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах»

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. Одна из наиболее важных прикладных проблем физики полупроводников и диэлектриков - повышение стабильности параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем - неразрывно связана с разработкой научно обоснованных технологических решений и надежных методов контроля характеристик материалов и приборов.

Дефекты структуры (собственные или обусловленные внешними воздействиями) создают глубокие центры (ГЦ), энергетически локализованные в запрещенной зоне или щели подвижности полупроводников и диэлектриков, и придают материалам и приборам полезные или, чаще, нежелательные свойства. Это обусловливает важность как контроля параметров электрически активных ГЦ, так и понимания физической сущности их проявления. Одним из примеров позитивного влияния глубоких ловушек-радиационных дефектов на характеристики пленок ЗЮ2 и физические процессы в системе ¿»¿Ог-^г' является эффект геттерирования подвижного заряда, обнаруженный в настоящей работе. Отметим, что к моменту постановки задач диссертации, исследования в указанном направлении только начинались и проблема стабилизации заряда МОП-систем была весьма актуальной. Кроме того, отсутствовали результаты изучения влияния режима ионного легирования, среды и температуры отжига (т.е. особенностей введения ГЦ) на структуру пленок и физические процессы в образцах двуокись кремния-кремний.

В большинстве случаев глубокие центры, создаваемые несовершенствами структуры, прямо или косвенно приводят к деградации полупроводниковых приборов. Наблюдаются «мягкие» обратные вольт-амперные характеристики, понижение пробивных напряжений, генерация шума, снижение процента выхода годных приборов. Применение бездефектного материала не является решением проблемы, так как число точечных и линейных дефектов, возникающих на протяжении всего технологического процесса изготовления прибора, намного превышает число исходных несовершенств.

Теория электронного строения глубоких центров и создаваемых ими глубоких уровней (ГУ) находится в настоящее время на этапе развития. Однако совершенствование инструментальных методов, основанных на процессах переноса заряда, и экспериментальные исследования интенсивно продолжаются.

Наиболее чувствительными методами исследования параметров глубоких центров в полупроводниковых приборах являются нестационарная спектроскопия глубоких уровней (НСГУ, включая DLTS - Deep Level Transient Spectroscopy) и спектроскопия низкочастотного (НЧ) шума. Изучению параметров ГУ указанными методами посвящено очень большое число работ. Анализ состояния проблемы свидетельствует о том, что ряд вопросов, касающихся физических механизмов процессов, протекающих в полупроводниковых приборах с ГЦ, остается открытым. Современный уровень понимания природы ГЦ допускает разную интерпретацию экспериментальных результатов и существование разных моделей, описывающих физические процессы в материалах и приборах, содержащих ГЦ, и являющихся основой для определения их параметров. Достоверность результатов определения параметров ГЦ может быть достигнута путем применения упрощенных методик расчета и использования комплекса экспериментальных методов.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ - изучение влияния глубоких центров на физические процессы в кремниевых диодах с барьером Шоттки, несимметричных р-п-переходах и МДП-структурах, а также возможностей практического применения полученных результатов в технологических процессах и на этапах контроля в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС).

Поставленная цель достигается решением следующих задач.

Анализ состояния и тенденций развития теории электронного строения глубоких центров, а также методов их экспериментального исследования.

Систематизация данных по параметрам отдельных групп глубоких центров в кремнии и пленках термической Si02', по влиянию различных дефектов на характеристики материалов и приборов, а также методам их стабилизации.

Комплексное исследование влияния глубоких центров, созданных ионно-лучевым легированием в пленках 8Ю2, на физические процессы в МОП-системах, структуру и свойства пленок двуокиси кремния; выяснение закономерностей изменения характеристик образцов при вариации режимов имплантации и отжига; разработка предложений по практическому применению обнаруженных эффектов в технологических процессах микроэлектроники.

Разработка математических моделей, описывающих влияние режимов имплантации и отжига на параметры пленки БЮ2 в МОП-структуре.

Анализ существующих теоретических приближений, описывающих физические процессы при НСГУ и низкочастотной шумовой спектроскопии; изучение возможностей применения активационно-дрейфовой модели для описания релаксационных явлений и обработки экспериментальных результатов исследования параметров глубоких центров в полупроводниковых приборах.

Математическое моделирование влияния параметров ГЦ и внешних факторов на спектральные зависимости НЧ-шума кремниевого диода с барьером Шоттки и сопоставление результатов с экспериментальными.

ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. В качестве экспериментальных образцов применены барьерные структуры на кремнии п- и р-типов проводимости. Система 8Ю2-8г, где толщина термической пленки двуокиси кремния изменялась от 0,03 до 1 мкм, подвергалась облучению ионами бора или фосфора средних энергий (20-100 кэВ) и отжигу в различных режимах на промышленных предприятиях. Методами ИК-спектроскопии, вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, термостимулированной релаксации заряда (поляризации и деполяризации), измерения диэлектрических параметров, скорости травления и пористости изучено влияние режима имплантации на структуру пленок 8Ю2 и электрофизические свойства МОПсистем, а также параметры глубоких центров, созданных радиационными дефектами.

Кроме того, на образцах МОП-структур, диодов Шоттки и несимметричных /?-и-переходов исследованы параметры глубоких центров (энергии ионизации AEt и концентрации Nt) методами токовой и емкостной нестационарной спектроскопии глубоких уровней и спектроскопии низкочастотного шума.

Для изучения физических процессов в барьерных структурах применены также методы теоретического анализа, планирования эксперимента и численного математического моделирования на ПЭВМ.

ДОСТОВЕРНОСТЬ результатов подтверждается соответствием данных расчетов, выполненных на основе разработанных теоретических положений, результатам экспериментальных исследований; совпадением значений исследованных параметров, полученных на одних и тех же образцах разными методами. Результаты и выводы, опубликованные автором в 70-х-80-х г.г., впоследствии нашли подтверждение в работах отечественных и зарубежных исследователей.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

В диссертационной работе получены новые результаты в развитии научного направления физики полупроводников и диэлектриков - изучении физических процессов в материалах и приборах с глубокими центрами и определении параметров этих центров на основе исследования релаксационных явлений.

1. Методами пассивного и активного эксперимента впервые проведено комплексное исследование влияния режима ионно-лучевого легирования на структуру, основные физические параметры пленок Si02 на кремнии, величину и стабильность заряда системы двуокись кремния-кремний при изменении входных факторов (дозы облучения, температуры отжига) в широких пределах. Экспериментально обнаружены физические явления, ранее в литературе не описанные: снижение под действием имплантации подвижной компоненты заряда; изменение величины относительной диэлектрической проницаемости в при вариации режима воздействия; рост удельного сопротивления р и электрической прочности Епр облученных ионами образцов.

2. Впервые разработана и подтверждена экспериментом математическая модель, учитывающая влияние радиационных дефектов, созданных имплантацией, на величину подвижного заряда системы 8Ю2-8г в термоактивированных процессах. Получены аналитические выражения для расчета величины заряда термостимулированной деполяризации, напряженности электрического поля и потенциала в окисле облученных ионами образцов 8Ю2-5г. Показано, что наименьшая величина подвижного заряда соответствует локализации максимума распределения радиационных дефектов внутри пленки

Полученные результаты позволяют прогнозировать изменения характеристик системы 8Ю2-8г под влиянием имплантации ионов любых элементов в пленку термической двуокиси кремния с учетом их заряда, массы, дозы, энергии облучения и особенностей взаимодействия с материалом мишени.

3. На основании сравнительного анализа результатов исследования нестабильности заряда впервые сформулированы и экспериментально обоснованы преимущества низкотемпературного геттерирования при помощи ион-но-лучевого легирования по сравнению с пассивацией системы 8Ю2-81 фос-форосиликатным стеклом.

4. Методами планирования эксперимента и регрессионного анализа впервые построены модельные зависимости, описывающие влияние режима облучения и отжига на характеристики пленок 8Ю2 в МОП-системе. Полученные зависимости позволяют прогнозировать режимы имплантации и отжига, необходимые для конкретного практического применения.

5. Развитие физической модели явления поверхностно-барьерной неустойчивости в и-Я/ состоит в учете тепловой генерации носителей не только с поверхностных состояний, но и с глубоких донорных центров, расположенных во всей активной части ОПЗ, и их дрейфа в поле к электронейтральной области базы поверхностно-барьерной структуры.

6. Предложена обобщенная активационно-дрейфовая модель формирования низкочастотного токового шума в полупроводниковых барьерных структурах, позволяющая объединить ряд альтернативных приближений, и основанная на описании активации носителей заряда с глубоких центров, локализованных не только на внешней поверхности полупроводника, но и в ОПЗ барьерных слоев. Активной является область, где ГУ пересекаются с уровнем Ферми. Обоснованием широкого диапазона изменения времени релаксации развиваемая модель устраняет одну из основных трудностей теоретического описания процесса формирования НЧ-шума в полупроводниковых приборах.

7. На базе представления сигнала НЧ-шума в виде суперпозиции ло-ренцианов впервые проведено математическое моделирование на ПЭВМ спектральной плотности мощности (СПМ) НЧ-шума в диапазоне температур 200-600 К, частот - 0,001-1000 Гц, концентрации свободных носителей заря

Л »п -у да в базе диода Шоттки на кремнии л-типа - 10 -10 см", энергии ионизации ГУ - 0,2-0,6 эВ и обратном смещении - 0-7 В. Модельные зависимости СПМ НЧ-шума могут быть получены и для барьерных слоев других полупроводниковых приборов при внесении необходимых изменений в исходные данные программы.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РЕЗУЛЬТАТЫ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

1. Физическая природа эффекта снижения концентрации подвижного заряда в пленках $Ю2 на кремнии после имплантации объясняется захватом подвижных катионов дефектами структуры типа немостикового кислорода или комплексов внедренный ион-кислород, наличие которых обнаружено на

ИК-спектрах образцов. Модель подтверждена результатами комплексного экспериментального исследования влияния режима облучения ионами бора или фосфора на свойства пленок БЮ2 в МОП-системе.

2. На основе полученных аналитических соотношений, описывающих зависимость величины подвижного заряда пленок 8Ю2 от режима облучения, показано, что максимальный геттерирующий эффект достигается в случае, когда пик распределения радиационных дефектов локализован внутри пленки $Юг. Наиболее эффективным с точки зрения стабилизации заряда пленок 5/02 является облучение ионами фосфора дозой (6~8>1012 см"2 или ионами бора дозой (3-6)-1013 см"2 с последующим отжигом при температуре 450-500 °С в среде кислорода.

3. При помощи построенных на основе методики планирования эксперимента модельных зависимостей, описывающих влияние типа внедренных ионов, их дозы, температуры и среды отжига на физические характеристики системы определены необходимые для практического использования изменения свойств МОП-структур.

4. Предложена методика расчета времени релаксации термоактивированных процессов в пленках основанная на представлении переноса подвижных ионов как совокупности совместных событий термической активации с глубоких ловушек и дрейфа носителей в электрическом поле.

5. Показано, что условиями применимости активационно-дрейфовой модели как одного из приближений, используемых для описания релаксационных процессов и определения параметров ГЦ, является создание неравновесного заполнения ГУ, а также наличие обратного смещения на барьерном слое. При этом происходят статистически непрерывные генерация носителей с ГУ и их дрейф в поле ОПЗ к электронейтральной базе прибора на расстояния, соизмеримые в толщиной ОПЗ, без повторного захвата. Применение основного соотношения модели для расчета параметров ГЦ при их изучении методами НСГУ и спектроскопии НЧ-шума упрощает обработку экспериментальных данных.

6. Развиваемая обобщенная активационно-дрейфовая модель формирования низкочастотного токового шума в полупроводниковых барьерных структурах позволяет объединить ряд альтернативных подходов к описанию этого явления. Совокупность флуктуаций процессов эмиссии и дрейфа носителей отражает как флуктуации концентрации носителей заряда, так и флуктуации их подвижности за счет рассеяния при переносе в поле ОПЗ. Показано, что основное расчетное соотношение модели может быть применено для расчета параметров ГЦ, локализованных не только в ОПЗ барьеров Шоттки и несимметричных ^-«переходов, но и полевых транзисторов. Предложено обобщение модели на случай активации носителей заряда с глубоких центров, локализованных не только на внешней поверхности полупроводника, но и в ОПЗ барьерных слоев полупроводниковых приборов.

7. Численные расчеты спектральных зависимостей НЧ-шума проведены на основе представления сигнала в виде суперпозиции множества составляющих лоренцевой функции с различными временами релаксации. Результаты математического моделирования на ПЭВМ спектральных зависимостей НЧ-шума диода Шоттки на кремнии я-типа, полученные в широком диапазоне изменения входных факторов (частоты, температуры, концентрации свободных носителей заряда, энергетической локализации ГУ и величины обратного смещения), подтверждают возможность применения обобщенной активационно -дрейфовой модели для расчета параметров ГЦ методом спектроскопии низкочастотного шума.

На основании совокупности результатов теоретических и экспериментальных исследований, включающей новые закономерности физических явлений в барьерах Шоттки, несимметричных /?-и-переходах и МДП-структурах с глубокими центрами, в работе предложены научно обоснованные решения, направленные на повышение стабильности параметров полупроводниковых приборов.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ И РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ

1. На базе комплексных экспериментальных и теоретических исследований, выполненных автором в значительной части непосредственно на предприятиях электронной промышленности, разработаны режимы имплантации ионов бора и фосфора средних энергий и отжига структур двуокись кремния-кремний, обеспечивающие наиболее эффективное геттерирование подвижной компоненты заряда глубокими ловушками. Разработанный низкотемпературный метод создания геттерирующего слоя совместим с операцией легирования подложки через слой окисла.

2. Разработаны расчетные соотношения, описывающие влияние типа внедренных ионов, их дозы, температуры и среды отжига на физические характеристики системы 3/02-3*. Применение этих соотношений позволяет направленно регулировать параметры приборов, решая задачи повышения стабильности и процента выхода годных изделий микроэлектроники.

3. Предложены режимы проведения экспресс-контроля пористости диэлектрических пленок на полупроводниковых подложках методом электрографии, обеспечивающие получение качественных рефлексов на постоянном и переменном токе за минимальное время.

4. Получены аналитические выражения для расчета величины заряда термостимулированной деполяризации, напряженности электрического поля и потенциала в окисле облученных ускоренными ионами образцов Показано, что минимальная величина подвижного заряда соответствует локализации максимума распределения радиационных дефектов внутри пленки

Указанное может быть применено к имплантации ионов любых элементов с учетом необходимых поправок.

5. Сформулированы и экспериментально обоснованы преимущества низкотемпературного геттерирования при помощи ионно-лучевого легирования по сравнению с пассивацией системы фосфоросиликатным стеклом.

6. Получены количественные данные, показывающие влияние материала электродов, степени его чистоты и особенностей обработки поверхности кремния перед металлизацией на параметры и характеристики ряда поверхностно-барьерных приборов.

7. Предложена упрощенная методика расчета энергии ионизации ГЦ на основе результатов их исследования методами НСГУ и спектроскопии НЧ-шума по положению характеристических точек без проведения измерений в широком диапазоне температур и построения зависимостей Аррениуса.

На опубликованные автором результаты работы имеются ссылки в ряде научных статей и в монографии.

Работа выполнена в рамках тематических планов Минобразования России в области фундаментальных исследований и межвузовских научно-технических программ.

Результаты диссертации внедрены в технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных схем на предприятиях п/я А-1527 (г. Москва) и АО «Кремний» (г. Брянск).

По материалам диссертации изданы пять учебных и методических пособий, используемых при подготовке инженерных кадров в Рязанской государственной радиотехнической академии по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».

Использование результатов диссертации подтверждено соответствующими актами.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА В ДИССЕРТАЦИЮ

Все основные результаты, выводы, рекомендации и научные положения, изложенные в диссертации, принадлежат лично соискателю.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на:

Всесоюзной научной конференции «Основные задачи микроэлектроники и области ее применения» (Москва, 1972 г.);

Всесоюзной конференции «Физика диэлектриков и перспективы ее развития» (Ленинград, 1973 г.);

Всесоюзном научно-техническом семинаре «Надежность и стабильность качества производства аппаратуры на интегральных схемах» (Нальчик,

1974 г.);

Всесоюзной научно-технической конференции по совершенствованию технологии производства ИС и многослойных печатных плат (Вильнюс,

1975 г);

Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике (Львов, 1975 г.);

IV Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом» (Харьков, 1976 г.);

Всесоюзном семинаре «Физические проблемы МДП-интегральной электроники» (Киев, 1976 г.);

I и III Симпозиумах по физике диэлектрических материалов (Москва, 1975 и 1977 гг.);

VIII Всесоюзной конференции по неразрушающим физическим методам и средствам контроля (Кишинев, 1977 г.);

IV Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев, 1977 г.);

VIII Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике (Москва, 1978 г.);

I-IV Всесоюзных научно-технических семинарах «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем» (Рязань, 1976, 1981, 1984, 1987 гг.);

Всесоюзном семинаре «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем» (Гурзуф, 1983 г.);

Всесоюзной научно-технической конференции «Исследование и разработка перспективных ИС памяти» (Москва, 1986 г.);

I и III Всесоюзных совещаниях-семинарах «Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем» (Одесса, 1986 и 1988 гг.);

III Всесоюзном совещании «Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах» (Вильнюс, 1989 г.);

Всесоюзной конференции «Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах» (Сочи, 1991 г.);

III Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинев, 1991 г.);

Научно-технической конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Нижний Новгород - Астрахань, 1992 г.);

Научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1993 г.);

Российской научно-технической конференции «Автоматизация исследований: проектирование и испытание сложных технических систем» (Калуга, 1993 г.);

II Международной конференции «Актуальные проблемы фундаментальных наук» (Москва, 1994 г.);

Всероссийском симпозиуме по эмиссионной электронике памяти Г.Н.Шуппе (Рязань, 1996 г.);

Международной научно-технической конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики» (Саранск, 1997 г.);

Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики-97» (Санкт-Петербург, 1997 г.);

Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск; 1997 г.)

Международных научно-технических семинарах «Шумовые и дегра-дационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1996, 1997, 1998 гг.);

ПУБЛИКАЦИИ

По теме диссертации опубликована 71 работа. Результаты диссертационной работы вошли в 14 отчетов по хоздоговорным НИР, выполненным при непосредственном участии автора.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка из 430 наименований и приложений, подтверждающих практическое использование результатов работы; содержит 376 страниц сквозной нумерации, в том числе 248 страниц основного текста, 35 таблиц и 118 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Холомина, Татьяна Андреевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые проведено комплексное исследование влияния дефектов (глубоких центров), созданных имплантацией, а также последующего отжига на структуру, основные параметры пленок и физические процессы в МОП-системах на кремнии при изменении дозы облучения ионами бора или фосфора от 6,25-1011 до 6,25-1016 см"2, энергии - от 20 до 100 кэВ, температуры отжига в среде азота или кислорода в диапазоне 300-800 °С. Автором определены значения «пороговой» дозы облучения, после которой происходят наиболее интенсивные изменения параметров системы

Для ионов бора эта величина составляет (3-6)-1013 см"2, для ионов фосфора -(6-8)-1012 см"2.

2. На основе представления процессов переноса подвижных ионов в пленках как совокупности совместных событий термической активации с глубоких ловушек и дрейфа носителей в электрическом поле предложена методика расчета времени релаксации. Вычисленные на базе экспериментальных данных значения среднего времени релаксации процессов термо-стимулированного переноса в исследованных образцах соответствуют литературным данным.

3. Предложена и подтверждена экспериментом модель геттерирующего действия созданных имплантацией глубоких центров на подвижный заряд пленки термической 8Ю2■ Впервые получены аналитические выражения для расчета величины заряда термостимулированной деполяризации, напряженности электрического поля и потенциала в окисле облученных ионами образцов 8Ю2-8г. Рассмотрен ряд важных для практики частных случаев соотношения толщины пленки ЗЮ2 и параметров процесса имплантации. Показано, что наименьшая величина подвижного заряда ~10"8 Кл-см"2 соответствует локализации максимума радиационных дефектов внутри пленки БЮ2.

4. Построены модельные двухфакторные зависимости, устанавливающие значимость и направление влияния технологических параметров процессов имплантации и отжига на характеристики пленок БЮг в МОП-системе и соответствующие экспериментальным данным автора. Впервые выявлены преимущества низкотемпературного метода геттерирования подвижного заряда пленок при помощи имплантации по сравнению с пассивацией фосфоросиликатным стеклом. Автором разработаны, экспериментально апробированы и внедрены в производство научно обоснованные технологические решения, позволившие повысить процент выхода годных интегральных микросхем вторичных источников питания серии «Енисей».

5. Совместно использованы методы токовой и емкостной БЬТБ на одних и тех же образцах, легированных селеном или теллуром, создающими многозарядные глубокие центры в кремнии. Исследованы барьерные структуры на кремнии в виде диодов Шоттки и «+-/>-переходов. Установлено полное совпадение зависимостей Аррениуса, построенных по экспериментальным данным токовой и емкостной ОЬТЭ. Обнаружено, что значения АЕь полученные из наклона прямых Аррениуса с точностью до погрешностей совпали с рассчитанными по отдельным «окнам БЬТБ» в соответствии с активаци-онно-дрейфовой моделью.

6. На основании результатов экспериментальных исследований и анализа более ста двадцати работ, опубликованных в литературе и посвященных теоретическому и экспериментальному изучению процесса генерации НЧ-шума в полупроводниковых барьерных структурах, автором проведено обобщение активационно-дрейфовой модели. Обобщенная активационно-дрейфовая модель позволяет объединить ряд альтернативных подходов к описанию процесса формирования избыточного шума. Впервые показано, что активационно-дрейфовый механизм может быть обобщен на случай активации носителей заряда с ГУ, локализованных не только на внешней поверхности полупроводника, но и в ОПЗ барьерных слоев полупроводниковых приборов. Установлено, что обобщенная активационно-дрейфовая модель позволяет описать механизм формирования низкочастотных токовых флук-туаций и рассчитать АЕ, глубоких центров в барьерных слоях не только диодов Шоттки и несимметричных /»-«-переходов, но и полевых транзисторов. Обоснованием широкого диапазона изменения времени релаксации развиваемая модель устраняет одну из основных трудностей описания процесса генерации НЧ-шума в полупроводниковых барьерных структурах.

7. На примерах результатов экспериментального исследования параметров глубоких центров в кремниевых приборах методами НСГУ и спектроскопии НЧ-шума показано, что достоверность и воспроизводимость определения параметров ГУ достигаются значительным упрощением расчета величины энергии ионизации ГУ, поскольку значение удельного сопротивления р базы барьерной структуры (необходимое для расчета т0= 2т - 2ее^р) обычно известно либо легко определяется по данным вольт-фарадных измерений. При этом нет необходимости многократного повторения измерений в широком интервале температур для построения зависимостей Аррениуса \%т - <р(уТ) - можно ограничиться нахождением одной точки на указанной прямой.

8. Обнаружено, что результаты экспериментального определения параметров глубоких центров в одних и тех же образцах методами НСГУ и спектроскопии НЧ-шума совпадали как между собой, так и со значениями, полученными при расчете по основному соотношению активационно-дрейфовой модели. Разброс величины АЕ{, как правило, не превышал погрешности измерений и расчета, т.е. ±(0,01-0,02) эВ.

9. На базе представления сигнала НЧ-шума в виде суперпозиции ло-ренцианов автором впервые проведено математическое моделирование на ПЭВМ спектральной плотности мощности шума в диапазоне температур 200600 К, частот - 0,001-1000 Гц, концентрации свободных носителей заряда в базе диода Шоттки на - 1012-1018 см"3,энергии ионизации ГУ - 0,2-0,6 эВ и обратном смещении - 0-7 В. Результаты сопоставления с расчетными экспериментальных спектров и температурных зависимостей СПМ НЧ-шума показали удовлетворительное соответствие указанных кривых. Установлено совпадение характеристических точек экспериментальных кривых, приведенных в литературе и рассчитанных при помощи математического моделирования.

10. Развиваемая в работе активационно-дрейфовая модель релаксационных процессов в полупроводниковых барьерных структурах количественно подтверждена как экспериментальными данными автора, так и результатами анализа 27 работ по НСГУ и спектроскопии НЧ-шума, где есть все данные для проверки основных соотношений модели путем расчета энергии ионизации ГУ. Количественное совпадение результатов расчета с экспериментальными данными получено для более 70 ГУ при вариации т в пределах 5 порядков, тм - 6 порядков величин; (Ес~Е( или Е( - Еу) - от 0,12 до

0,85 эВ при анализе экспериментальных зависимостей, исследованных на диодах Шоттки, несимметричных /^-«-переходах, МДП-структурах, полевых транзисторах на кремнии, германии, арсениде галлия и фосфиде индия в диапазоне температур 77-390 К.

Таким образом, результаты проведенных исследований свидетельствуют о возможности применения активационно-дрейфовой модели в совокупности с предложенными автором диссертации элементами развития ее основных положений для описания механизма релаксационных процессов и определения параметров глубоких центров в барьерных структурах.

11. Значительная часть работы выполнена автором на ряде предприятий - заводов полупроводниковых приборов и ИС и там же полученные результаты и рекомендации были внедрены в производство. Некоторые результаты и выводы были отмечены в литературе и нашли подтверждение по существу решенных задач.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Холомина, Татьяна Андреевна, 1999 год

1. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 448 с.

2. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями /Р.К.Акчурин, Д.Г.Андрианов, Л.С.Берман и др. /Под ред. В.И.Фистуля, М.: Металлургия, 1987. 232 с.

3. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. 399 с.

4. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. /Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 416 с.

5. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. /Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Т. 1. 350 с. Т. 2. 368 с.

6. Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклоообразном Si02. Рига: Зинатне, 1985.244 с.

7. Саморуков Б.Е. Дефекты полупроводников. Л.: ЛПИ, 1977. 72 с.

8. Винецкий В.М., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. 186 с.

9. Стоунхем A.M. Теория дефектов в твердых телах. В 2-х т. /Пер. с англ. М.: Мир, 1978. Т. 1. 570 с.

10. Тележкин В.А. Теория радиационных дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1988. 132 с.

11. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Мир, 1974.464 с.

12. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Металлургия, 1963. 372 с.

13. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. 144 с.

14. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 264 с.

15. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния /Пер. с нем. и англ. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1985. 184 с.

16. Неупорядоченные полупроводники /АА.Айвазов, Б.Г.Будагян, С.П.Вихров, А.И.Попов /Под ред. А.А.Айвазова. М.: МЭИ, Высшая школа, 1995.352 с.

17. Бассани Ф.Ф. Парравичини П.Д. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах /Пер. с англ. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1982. 392 с.

18. Пекар С.И. О влиянии деформации решеток электронами на оптические и электрические свойства кристаллов //УФН. 1953. Т. 50. Вып. 2. С. 197-252.

19. Кон В., Люттингер Дж. Теория донорных состояний в кремнии //Проблемы физики полупроводников: Сб. статей /Пер. с англ. М.: ИЛ, 1957. С. 551-566.

20. Wannier G.H. Elements of solid state theory. Cambridge: University Press, 1959. 268 p.

21. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы /Пер. с англ. М.: Мир, 1969. 648 с.

22. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела /Пер. с англ. М.: Наука, 1978. 791 с.

23. Исследование локализованных состояний в алмазоподобных полупроводниках методом функций Грина: точечные дефекты и комплексы из двух точечных дефектов в кремнии /А.Ш.Махмудов, З.М.Хакимов, А.А.Левин и др. //ФТТ. 1984. Т. 26. Вып. 7. С. 2159-2164.

24. Андерсон Ф. Локальные моменты и локализованные состояния //УФН. 1979. Т. 127. № 1. С. 19-39.

25. Губанов А.И. Флуктуационные локальные уровни в аморфных полупроводниках//ФТТ. 1962. Т. 4. Вып. 10. С. 2873-2879.

26. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л.: АН СССР, 1963. 150 с.

27. Ioffe A.F. Regel A.R. Non-crystalline amorphous and liquid electronic semiconductors//In: Progress in semiconductors. London: Heywood, 1960. Vol. 4. P. 237-251.

28. Лифшиц И.М. О структуре энергетического спектра и квантовых состояниях неупорядоченных конденсированных сред //УФН. 1964. Т. 83. №4. С. 617-663.

29. Бонч-Бруевич В.Л. К вопросу об исследовании зонной теории неупорядоченных систем //ФТП. 1968. Т. 2. № 3. С. 363-369.

30. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В. 2-х т. /Пер. с англ. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с.

31. Кочегаров В.М., Орешкин П.Т., Холомина Т.А. Исследование зависимости свойств защитных пленок Siö2 и S13N4 от технологических параметров //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1973. Вып. 2 (42). С. 50-53.

32. Зависимость диэлектрической проницаемости и потерь пленок Siö2 от способа окисления /В.М.Кочегаров, Ю.П.Завальский, Т.А.Холомина и др. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1973. Вып. 5. С. 92-96.

33. Холомина Т.А. Влияние дефектов структуры на физические процессы в полупроводниках и диэлектриках //Учебное пособие. Рязань: РГРТА, 1997.48 с.

34. Живодеров А.Н., Холомина Т.А., Качалов Н.П. Некоторые параметры границы раздела гетероструктур Si-СП, обладающих эффектом переключения с памятью //Тезисы докл. Всес. науч.-техн. конф. «Исследование и разработка перспективных ИС памяти», М. 1986. С. 19.

35. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. /Пер. с англ. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с.

36. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. 264 с.

37. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. 430 с.

38. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Мир, 1977. 562 с.

39. Сыноров В.Ф., Сысоев Б.И., Линник В.Д. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках. Воронеж: ВГУ, 1982. 180 с.

40. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1991. 248 с.

41. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1981. 174 с.

42. Вертопрахов В.Н., Кучумов Б.М., Сальман Е.Г. Строение и свойства структур Si-SiOr-M. Новосибирск: Наука: Сибирское отделение, 1981. 96 с.

43. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука: Сибирские отделение, 1979. 334 с.

44. Инжекция тока в диэлектрик как метод оценки качества МДП-структур /В.В.Андреев, В.Г.Барышев, Ю.А.Сидоров и др.//Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1990. Вып. 2. С. 64-66.

45. Барисс В.О., Клотынын Э.Э. Определение параметров локального уровня в полупроводниках. Рига: Зинатне, 1978. 192 с.

46. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. Минск: Наука и техника, 1986. 240 с.

47. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник /Под ред. А.В.Ржанова. М.: Наука, 1976. 279 с.

48. Орешкин П.Т. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней //Учебное пособие. Рязань: РГРТА, 1994. 16 с.

49. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках /П.Т.Орешкин, М.В.Зубков, Т.А.Холомина и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1992. Вып. 2 (147)-3 (148). С. 3-8.

50. Берман J1.C., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.

51. Орешкин П.Т. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. Вып. 4 (128). С. 12-20.

52. Орешкин П.Т., Холомина Т.А., Кордюков С.И. Волны объемного заряда и низкочастотный шум в барьерных слоях //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА, 1995. С. 13-24.

53. Холомина Т.А. Моделирование низкочастотного шума полупроводниковых барьерных структур //Материалы докл. Междунар. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1997. С. 76-80.

54. Зуев В.А., Саченко A.B., Толпыго К.Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Советское радио, 1977. 256 с.

55. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.И. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 128 с.

56. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на кремнии. Л.: ЛГУ, 1988. 304 с.

57. Зайцев H.A., Шурчков И.О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-Si02-M. М.: Радио и связь, 1993. 192 с.

58. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках/Под ред. С.М.Рывкина. ML: Радио и связь, 1981. 248 с.

59. Ракитин Ю.В., Ларин Г.М., Минин В.В. Интерпретация спектров ЭПР координационных соединений. М.: Наука, 1993. 400 с.

60. Инфракрасные спектры неорганических стекол и кристаллов /Под ред. А.Г.Власова, В.А.Флоринской. Л.: Химия, 1972. 246 с.

61. Kleveland В., Cristoloveanu S., Sicart J. Novel Hall spectroscopy of impurity in semiconductors //Solid-State Electron. 1990. Vol. 33. № 6. P. 743-752.

62. Кузьмин A.H., Холомина T.A., Бобров А.Л. Влияние чистоты алюминиевых контактов на параметры диодов Шоттки //Материалы III Всес. науч.-техн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань: РРТИ. 1985. С. 66-69.

63. Watkins G.D. An EPR study of the lattice vacancy in silicon //J. Phys. Soc. Jap., Suppl. II. 1963. Vol. 18. P. 22-27.

64. Watkins G.D. A microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1969. Vol. NS-16. № 6. P. 13-18.

65. Watkins G.D. EPR and optical absorption studies in irradiated semiconductors. New York: Plenum Press, 1968. P. 67-81.

66. Яковенко А.Г., Гвелесиани A.A. Кислород в кремнии //Зарубежная электронная техника. 1975. № 14. С. 23-34.

67. Урли Н.Б., Першин М. О взаимодействии между примесными центрами и радиационными дефектами в кремнии, перекомпенсированном литием //Труды IX Междунар. конф. по физике полупроводников. Л.: Наука, 1969. Т. 1.С.124-129.

68. Тафт Е., Хорн Ф. Золото как донор в кремнии //Проблемы физики полупроводников: Сб. статей /Пер. с англ. М.: ИЛ, 1957. С. 94-95.

69. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии /Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 472 с.

70. Kolbezen В.О., Muhlbauer A. Carbon in silicon: properties and impact on devices // Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 8. P. 759-775.

71. Fahrner W., Goetzberger A. Determination of deep energy levels in Si by MOS techniques //Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 21 № 7. P. 329-331.

72. Корбет Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках //Точечные дефекты в твердых телах: Сб. статей: Новости физики твердого тела/Пер. с англ. М.: Мир, 1979. Вып. 9. С. 9-152.

73. Донорное действие дислокаций в монокристаллах n-Si /В.Г.Еременко, В.И.Никитенко, Е.Б.Якимов, Н.А.Ярыкин //ФТП. 1978. Т. 12. № 2. С. 273-279.

74. Баллоу Р., Ньюмен Р. Кинетика миграции точечных дефектов к дислокациям //Термически активированные процессы в кристаллах: Сб. статей /Пер. с англ. М.: Мир, 1973. С. 75-146.

75. Mul'shtein S. Investigation of the changes in the electron-state spectrum of plastically deformed by the diode effects //J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. №9. P. 3894-3899.

76. Электрически активные дефекты межузельного типа в облученном «-кремнии /А.Г.Литвинко, А.Ф.Макаренко, Л.И.Мурин и др. //ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 4. С. 776-780.

77. Луганов П.Ф., Лукашевич Т.А., Шуша В.В. Стадия отрицательного отжига радиационных дефектов в «-кремнии //ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 2. С. 401-404.

78. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова А.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1981.368 с.

79. Осцилляции электропроводности в кристаллах кремния с дислокациями/В. А.Гражу лис, В.В.Кведер, В.Ю.Мухина, Ю.А.Осипьян //ФТТ. 1977. Т. 19. №2. С. 585-587.

80. Glaenzer R.H., Jordan A.G. The effects of contamination on the electrical properties of edge dislocation in silicon //Phil. Mag. 1968. Vol. 18. № 154. P. 717.

81. Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов М.Б. К вопросу о механизме формирования диодного эффекта в кремнии под влиянием отдельной дислокации //ЖЭТФ. 1975. Т. 69. № 3. С. 990-998.

82. Figelski Т. Recombination at dislocations //Solid-State Electron. 1978. Vol. 21. №11-12. P. 1403-1412.

83. Бринкевич Д.И., Просолович B.C., Вабищевич H.B. Поведение металлических примесей при геттерирующей термообработке кремния //Микроэлектроника. 1997. Т. 26. № 5. С. 392-395.

84. Порай-Кошиц Ю.А. О структуре однокомпонентных стекол //Физика и химия стекла. 1977. Т. 3. № 4. С. 292-305.

85. Mott N.F., Stoneham I. The lifetime of electrons, holes and exitons before self-trapping//J. Phys. Chem. 1977. Vol. 10. P. 3391-3398.

86. DaSilva J.R.G., Pinatti D.G., Anderson C.F. A refinement of the structure of vitreous silica//Phil. Mag. 1975. Vol. 31. P. 713-717.

87. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы /Пер. с англ. М.: Мир, 1970.312 с.

88. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 315 с.

89. Zuther G., Prandtke Н., Schmidt М. Photoemission from Si02 layer //Thin Solid Films. 1974. Vol. 21. № 1. p. 57-62.

90. Irichman D. Irimitation of experimental capabilities for interfacial studies //Mater. Sci. and Eng. 1982. Vol. 53. № 1. P. 73-79.

91. Grunthaner F.I., Grunthaner P.J. Local atomic and electronic structure of oxide/Go^s and SiOfSi interfaces using high resolution XPS //J. Vac. Sci. Tehn. 1979. Vol. 16. № 5. P. 691-698.

92. Федорович Ю.В. Электронно-ионные процессы в системе полупроводник-диэлектрик //Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. Новосибирск: Наука. 1975. С. 137-149.

93. Gwin C.W. A model for radiation-induced charge in the oxide layer of MOS-devices //J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 12. P. 4886-4892.

94. Williams R. Photoemission of electrons from silicon into silicon dioxide //Phys. Rev. 1965. Vol. 140. №2A. P. A569-A575.

95. Технологические системы создания радиационно-стойких МОП ИС /А.Б.Герасимов, Н.Р.Ангина, Л.И.Ушангишвили, А.Г.Шилло //Зарубежная электронная техника. 1979. № 1. С. 3-47.

96. Lenahan P., Drissendorfer P. An electron spin resonance study of radiation-induced electrically activ paramagnetic centers at the Si/Si02 interface //J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. №3. P. 1287-1293.

97. Гергель B.A., Сурис P.A. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл-диэлектрик-полупроводник //ЖЭТФ. 1983. Т. 84. №2. С. 719-736.

98. Вьюков Л.А., Гергель В.А., Соляков А.Н. Локальная генерация в ОПЗ МДП-структур как причина уменьшения времени релаксации с напряжением/Микроэлектроника. 1980. Т. 9. Вып. 2. С. 107-113.

99. Рыжков В.А., Акулинин С.А. Методика определения релаксационных параметров диэлектрика МДП-структур //Релаксационные процессы в диэлектриках: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж, 1990. С. 116-121.

100. Врожденные структурные дефекты в монокристаллах кремния /В.Н.Василевская, Л.И.Даценко, Н.В.Осадчая, С.В.Свечников //Микроэлектроника. 1978. Т. 7. Вып. 1. С. 33-46.

101. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники /В.А.Лабунов, И.Л.Баранов, В.П.Бондаренко, А.М.Дорофеев //Зарубежная элекгронная техника. 1983. № 11. С. 3-67.

102. Савранский И.И. О связи между плотностью дислокаций и выходом годных интегральных схем //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1975. №3 (57). С. 98-100.

103. Monkowski J.R. Gettering processes for defect control //Solid-State Technology. 1981. №7. P. 44-51.

104. Kousuke I., Hidetoshi T. Deep levels induced in annealed CZ silicon //Jap. J. Appl. Phys. 1982. Vol. 21. P. 121-125.

105. Батавин B.B. Распад перенасыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии //Кристаллография. 1970. Т. 15. С. 125.

106. Батавин В.В. Влияние частиц Si02 на вольт-амперные характеристики /»-«-переходов в кремнии //ФТП. 1970. Т. 4. № 4. С. 760-763.

107. Милевский Л.С., Золотухин A.A. Об аномально высоком рассеянии электронов в пластически деформированном кремнии и-типа //Письма в ЖЭТФ. 1974. Т. 19. №7. С. 478-481.

108. Зеленов В.И., Мингазин Т.А. Влияние структурных дефектов на пробой коллекторных /?-и-переходов планарно-эпитаксиальных транзисторов //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1975. № 3 (57). С. 56-60.

109. Лейкин В.Н., Зеленов В.И., Мингазин Т.А. Дислокации и их влияние на электрофизические параметры полупроводниковых приборов. Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 11 (578). М.: ЦНИИ «Электроника», 1978. 64 с.

110. Lawrence J.E. Behavior of dislocations in silicon semiconductor devices: diffusion, electrical III Electrochem. Soc. 1968. Vol. 115. № 8. P. 860-865.

111. Афанасьев В.Ф., Афанасьева Н.П. О связи неоднородности распределения удельного сопротивления и плотности дислокаций в кремнии //ФТТ. 1969. Т. И. Вып. 11. С. 3373-3374.

112. Fairfield J.M., Schwuttke G.H. Precipitations effects in diffused transistor structures //J. Appl. Phys. 1966. Vol. 37. № 4. P. 1536-1541.

113. Parekh P.C., Gavel E., Lyn V. Observation of EE dislocations using sirtl etchant and their influence on transistor parameters //Solid-State Electron. 1970.Vol. 13. № 5. P. 707-712.

114. Weiss B.L. Dislocations in semiconductors //Microelectronics. 1974. Vol. 5. №3. P. 45-49.

115. Busta H.H., Waggener H.A. Precipitation-induced currents and generation-recombination currents in intentionally contaminated silicon /^-«-junctions //J. Electrochem. Soc. 1977. Vol. 124. №9. P. 1424-1430.

116. Макаров H.M., Панкратов B.C., Ликунова B.M. Изучение влияния термообработки на электрофизические свойства бездислокационного кремния с применением планирования эксперимента //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1976. Вып. 8. С. 72-77.

117. Акимов М.А., Болдырев И.И., Дунаев С.Д. Исследование шумов транзисторов //В сб. тр. по полупроводниковым материалам, приборам и их применению. Воронеж: ВПИ. 1968. С. 130-135.

118. Gong S.S., Schroder D.K. Implantation gettering in silicon //Solid-State Electron. 1987.Vol. 30. №2. P. 209-212.

119. Stoisiek M., Wolf D. Effect of phosphorus gettering on 1 If noise in bipolar transistors //Solid-State Electron. 1980.Vol. 23. № 11. P. 1147-1149.

120. Влияние дислокаций на коэффициент шума биполярных планар-ных транзисторов в низкочастотной области спектра /В.В.Зотов, Л.А.Коле-дов, А.И.Пекарев и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1974. Вып. 3(51). С. 17-22.

121. Кандыба П.Е., Колясников В.А., Крючков С.М. Влияние дефектов упаковки на время релаксации емкости МДП-конденсаторов //Микроэлектроника. 1977. Т. 6. №2. С.196-198.

122. Сеченов Д.А., Захаров А.Г., Светличный A.M. Структура металл-диэлектрик-полупроводник на основе дислокационного кремния //Изв. вузов СССР. Физика. 1972. Вып. 2. С. 163-165.

123. McCauqhan D.V., Wonsiewicz B.C. Effects of dislocations on the properties of metal-^'02-silicon capacitors //J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. № 11. P. 4982-4985.

124. Velchev N., Toncheva L., Simitrov T. Electrical properties of MOS structures with process-induced defects /'/Crystal Lattice Defects. 1980. Vol. 8. №4. P. 154-166.

125. Сеченов Д.А., Захаров А.Г., Набоков Г.М. Электрофизические свойства МДП-структур, сформированных на кремнии с высокой плотностью дислокаций//Изв. вузов СССР. Физика. 1977. №9 (84). С. 137-139.

126. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов /Г.З.Немцев, А.И.Пекарев, Ю.Д.Чистяков, АН.Бурмис-тров //Зарубежная электронная техника. 1981. С. 3-63.

127. Литовченко В.Г., Романюк Б.Н. Эффект планарного геттерирова-ния в планарных структурах//ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 1. С. 150-153.

128. Gettering rates of various fast-diffusing metal impurities at ion-damaged layers on silicon /T.M.Buck, K.A.Pickar, J.M.Poate //Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 21. № 10. P. 485-487.

129. Жолудев Г.К., Хрипко С.Л. Исследование гетерирования в кремниевых транзисторных структурах//Микроэлектроника. 1996. Т. 25. № 6. С. 436-441.

130. Струков В.Ф., Хромов С.С., Астахов В.П. Планарное геттерирова-ние при высокотемпературном окислении кремния //Микроэлектроника. 1992. Т. 21. №2. С. 90-93.

131. Румак Н.В., Суханова Н.Б. Влияние диффузии никеля, циркония и палладия на свойства границы раздела SiSi02 //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1982. Вып. 1 (97). С. 33-36.

132. Deal В.Е. Standartized terminology for charges associated with thermally oxidized silicon //IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. Vol. ED-27. P. 606-607.

133. Characteristics of the surface-state charge (Qss) of thermally oxidized silicon /B.E.Deal, M.Sklar, A.S.Grove, E.H.Snow //J. Electrochem. Soc. 1967. Vol. 114. P. 266-274.

134. Smith F.W., Chidini G. Reaction of oxigen with Si (111) and (100) critical conditions for the growth of Si02 //J. Electrochem. Soc. 1982. Vol. 129. №6. P. 1300-1306.

135. Sproul M.E., Nassibian A.G. Effect of 0+ implantation on siliconsilicon dioxide interface properties //Solid-State Electron. 1974.Vol. 17. № 6. P. 577-585.

136. Литовченко В.Г. Трехслойная модель реальной поверхности полупроводников типа кремния и германия//ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 5. С. 802-809.

137. Goetzberger A. Interface states on semiconductor insulator surfaces //CRC Crit. Revs. Solid-State Sci. 1976. Vol. 6. № 1. P. 1-43.

138. Kuhn M. A quasi-static technique for MOS C-V and surface measurements //Solid-State Electron. 1970. Vol. 13. P. 873-885.

139. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988. 256 с.

140. Hamasaki М. Generation kinetics charges and surface states during oxidation of silicon //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 3. P. 205-211.

141. Hofstein S.R. An investigation of instability and charge motion in metal-silicon oxide-silicon structures //IEEE Trans. Electron. Dev. 1966. Vol. ED-13. P. 222-237.

142. Hofstein S.R. Proton and sodium motion in Si02 films //IEEE Trans. Electron. Dev. 1967. Vol. ED-14. P. 749-759.

143. Плискин У.А., Kepp Д.Р., Перри Дж.А. Тонкие стекловидные пленки //В кн. «Физика тонких пленок» /Пер. с англ. М.: Мир, 1970. Т. 4. С. 303-386.

144. Osburn С.M., Raider S.I. Electrical conduction and dielectric breakdown in silicon dioxide films on silicon //J. Electrochem. Soc. 1973. Vol. 120. P. 1369-1376.

145. Павлов П.В., Шитова Э.В. Структура окисных пленок, полученных бомбардировкой поверхности кремния ионами кислорода //Докл. АН СССР. 1967. Т. 172. № 3. С. 588-590.

146. Kuhn M., Silversmith D.J. Ions contamination and transport of mobile ions in MOS structures //J. Electrochem. Soc. 1971. Vol. 118. P. 966-970.

147. Кучумов Б.M., Смирнова Т.П., Вертопрахов В.Н. Кинетика процессов переноса заряда в пленках двуокиси кремния МОП-структур //Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып. 5. С. 436-442.

148. DiStefano Т.Н., Lewis J.E. The influence of sodium on the Si-Si02 interface//J. Vacuum Sci. Technol. 1974. Vol. 11. №6. P. 1020-1024.

149. Electrochemical phenomena and thin films of silicon dioxide on silicon /D.P.Seraphin, A.E.Brennenman, F.M.D'Heurle, H.L.Fridman //IBM J. Res. Develop. 1964. Vol. 8. P. 400-409.

150. Kooi E. The surface charge in oxidized silicon //Phillips Res. Repts. 1966. Vol. 21. P. 447-495.

151. Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron currents /E.H.Nicollian, C.N.Berlund, P.E.Schmidt e.a. //J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 13. P. 5654-5664.

152. Kriegler R.J., Cheng Y.C., Colton D.R. The effect of HCl and C/2 on the thermal oxidation of silicon //J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. № 3. P. 388-392.

153. Особенности термостимулированного переноса заряда в слоях SixOyNz МДП-систем /Т.А.Холомина, А.И.Перелыгин, С.В.Кадыкова, М.М.Орнатский //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1980. С. 63-66.

154. Buchanan D.A. Abram R.A., Morant M.J. Charge trapping in silicon-rich thin films //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. № 12. P. 1295-1301.

155. Snow E.H., Deal B.E. Polarization phenomena and other properties of phosphosilicate glass films on silicon //J. Electrochem. Soc. 1966. Vol. 113. P. 263-269.

156. Eldrige J.M., Laibowitz R.B., Balk P. Polarization of glass films in MGOS-structures //J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 4. P. 1922-1930.

157. Романов В.П., Сапольков А.Ю. Геттерирование ионов натрия пленкой ФСС //Дефекты структуры, методы их обнаружения, их влияние на параметры твердотельных приборов: Сб. науч. тр. МИЭТ. М., 1984. С. 35-41.

158. Отказы МОП-транзисторов, вызванные миграцией ионов по поверхности /Г.А.Белова, В.Г.Захаров, В.А.Лепилин и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 3 (95). С. 41-46.

159. Федорович Ю.В., Думиш JI.K. Влияние граничных условий на генерацию заряда в системе полупроводник-диэлектрик //ФТТ. 1969. Т. И. Вып. 11. С. 3370-3373.

160. Глазов В.М., Королев М.А. Методы управления пороговым напряжением в МОП-транзисторах БИС //Электронная промышленность. 1974. №4. С. 72-75.

161. McCaughan D.V., Murphy V.T. Low energy ion bombardment effects in Si02 //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1972. Vol. NS-19. № 6. P. 249-258.

162. Исследование распределения плотности поверхностных состояний на границе Si-Si02 /A.M.Каган, А.А.Кириллов, В.А.Марасанов и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1975. Вып. 1 (55). С. 24-27.

163. Effect of ion-implantation into thermal Si02-films on sodium ion drift /C.Fritzche, A.Goetzberger, A.Axmann e. a. //Radiation effects. 1971. Vol. 7. P. 87-93.

164. McCaughan D.V., Murphy V.T., Kushner R.A. Ion neutralization processes at insulator surfaces and consequent impurity migration effects in Si02 films //Phys. Rev. Lett. 1973. Vol. 30. P. 614-621.

165. Hickmott T.W. Effect of bombardment by glass-forming ions on thermally stimulated ionic conductivity of sodium in Si02 //Phys. Rev. Lett. 1974. Vol. 32. №2. P. 65-67.

166. Sigmon T.W. Stabilization of MOS structures by boron ion implantation //Proc. IEEE. 1975. Vol. 63. № 11. P. 1619-1620.

167. Ашкинадзе H.H., Думиш Л.К., Дубро В.В. Исследование структуры и электрофизических свойств двуокиси кремния, имплантированной ионами бора и фосфора //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 5 (97). С. 3-10.

168. Холомина Т.А. Влияние облучения ионами средних энергий на структуру и электрофизические свойства пленок двуокиси кремния в МОП-системе//Изв. вузов СССР. Физика. 1978. № 12. С. 34-39.

169. Герасименко Н.Н., Федченко В.И., Гаштольд В.Н. Стабилизация 5/-/5г02-структур внедрением ионов фосфора //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1977. Вып. 1 (111). С. 119-126.

170. Teng Т.С., Shiaw Y. Characterization of implanted Si02 properties ap-plicate to laser processing //Proceedings of the Materials Research Society Annial Meeting. 1986. Coplly Plara Hotel. Boston, Massachusets. USA. P. 27-31.

171. Холомина Т.А. Особенности формирования геттерирующего слоя в пленках термической Si02 при ионном легировании //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА, 1997. С. 26-29.

172. Electronic states at Si-Si02 interface introduced by implantation of Si in thermal Si02 /A.Kalnitsky, A.R.Boothroyd, J.P.Ellul e. a. //Solid-State Electron. 1990. Vol. 33. №5. P. 523-530.

173. Kalnitsky A., Boothroyd A.R., Ellul J.P. A model of charge transport in thermal Si02 implanted with Si //Solid-State Electron. 1990. Vol. 33. № 8. P. 893-905.

174. Zaininger K.H., Heiman F.P. The C-V technique as an analytical tool //Solid-State Techn. 1970. Vol. 13. № 5. P. 49-56; № 6. P. 46-55.

175. Lehovec K. Low frequency C(V) method //Ann. Res. Rev. 1968. Vol. 11. №1. P. 46-50.

176. Zaininger K.H., Warfield G. Limitation of the MOS capacitance method the determination of semiconductor surface properties //IEEE Trans. Electron. Dev. 1965. Vol. ED-12. №4. P. 179-185.

177. Berglund C.N. Surface states at steam-grown silicon-silicon dioxide interface //IEEE Trans. Electron. Dev. 1966. Vol. ED-13. №4. P. 701-709.

178. Declerck G., Van Overstraeten R., Broux G. Measurement of low densities of surface states at J$7-iS'i02-interface //Solid-State Electron. 1973. Vol. 16. № 12. P. 1451-1460.

179. Garlick G.F., Gibson A.E. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phoshoros //Proc. Phys. Soc. 1948. Vol. A60. Pt. 6. №342. P. 574-590.

180. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции .//Изв. АН СССР. 1946. Т. 10. Сер. физ. № 5-6. С. 477-478.

181. Grossweiner L.I. A note on the analysis of first order glow curves //J. Appl. Phys. 1953. Vol. 24. № 10. P. 1306-1307.

182. Kristanpoller N., Kirsh V. ITS in non-irradiated and in UV- irradiated SrF2:Tb crystals //Phys. stat. sol. (a). 1974. Vol. 21. № 1. P. 87-94.

183. Исследование сплошности тонких диэлектрических пленок методом электрографии /ТАХоломина, В.М.Кочегаров, Н.Ф.Кутовая и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1974. Вып. 2 (50). С. 57-61.

184. McClosky J.P. Electrograph method for locating pinholes in thin silicon dioxide films//J. Electrochem. Soc. 1967. Vol. 114. №6. P. 643-648.

185. Исследование пористости пленок двуокиси кремния, полученных термическим окислением кремния /Л.Л.Герасимов, А.В.Раков, Ю.П.Смирнов и др. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1970. Вып. 4. С. 65-69.

186. Носиков С.В, Пресс Ф.П. Электрографический метод исследования слоев двуокиси и нитрида кремния //Электронная промышленность. 1971. № 1.С. 69-73.

187. Холомина Т.А. Стабилизация зарядового состояния системы двуокись кремния-кремний при ионном легировании //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1976. Вып. 2. С. 53-59.

188. Холомина Т.А. Исследование механизма стабилизации заряда облученных ионами МОП-систем //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1976. Вып. 3. С. 115-119.

189. Холомина Т.А. Влияние ловушек в пленках двуокиси кремния на стабильность МОП-структур //Вестник РГРТА. 1996. Вып. 1. С. 98-106.

190. Холомина Т.А. Влияние глубоких ловушек на процессы релаксации заряда в пленках Si02 //Тезисы ДокЛ. Между нар. науч.-техн. конф. по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики-97». Санкт-Петербург. 1997. С. 89.

191. Холомина Т.А. Исследование влияния ионного легирования на параметры системы двуокись кремния-кремний /Дис. канд. физ.-мат. наук, спец. 01.04.10. Воронеж: ВПИ, 1979. 176 с.

192. Влияние ионного легирования на структуру и свойства пленок Si02 в МДП-структуре /Т.А.Холомина, П.Т.Орешкин, А.И.Перелыгин и др. //Взаимодействие атомных частиц с твердым телом: Матер. IV Всесоюзн. конф. Харьков, 1976. Ч. И. С. 157-160.

193. Cowell Т.А.Т., Woods J. The evaluation of thermally stimulated current curves //Brit. J. Appl. Phys. 1967. Vol. 18. P. 1045-1051.

194. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1978. 315 с.

195. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) /Пер. с англ. М.: Мир, 1973. 296 с.

196. Вологдин Э.Н., Жукова Г.А., Мордкович В.Н. Облучение кремния, покрытого окисной пленкой, заряженными частицами низких энергий //ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 7. С. 1306-1310.

197. Свойства границы Si-Si02 в структурах с внедренными в окисел ионами бора и фтора /О.И.Вылеталина, А.М.Каган, ААКириллов и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1976. Вып. 1 (61). С. 73-76.

198. Исследование граничных уровней в структурах Si-Si02 после ионной бомбардировки /JI.A.Федотов, О.В.Сопов, И.А.Чернявский и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1971. Вып. 4. С. 125-129.

199. Chou N.J., Crowder B.L. Effect of 0+ and Ne+ implantation on the surface characteristics of thermally oxidized Si //J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. P. 1731-1738.

200. Simons М., Huges H.L. Determination the energy distribution of pulse-radiation-induced charge in MOS structures from rapid annealing measurements /ЛЕЕЕ Nucl. Sci. 1972. Vol. NS-19. P. 282-286.

201. Gray P.V., Brawn D.M. Density of Si-Si02 interface states //Appl. Phys. Lett. 1966. Vol. 8. №2. P. 31-33.

202. Холомина Т.А. Расчет величины заряда термостимулированной деполяризации ионно-легированной системы Si-Si02 //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1978. Вып. 5. С. 13-18.

203. Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович B.C. Комплексное изучение процессов термополевой нестабильности в МОП-структурах //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1976. Вып. 3. С. 12-19.

204. Садофьев Ю.Г. Контроль нестабильности эффективного заряда МДП-структур с пленкой двуокиси кремния //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1976. Вып. 2. С. 60-66.

205. Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Данилович B.C. Изучение процессов образования и переноса заряда в слоях двуокиси кремния на кремнии. Деп. ВИНИТИ. № 558-76. 1976.

206. Влияние внедрения ионов В+ на поверхностный заряд системы Si-Si02 /В.Г.Атаманенко, Л.Н.Манькова, Ю.Я.Полищук и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1974. Вып. 2 (50). С. 74-77.

207. Холомина Т.А. Влияние глубоких ловушек на физические процессы в полупроводниковых и диэлектрических структурах //Тезисы докл. Меж-дунар. науч.-техн. конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики». Саранск, 1997. С. 92-93.

208. Перелыгин А.И., СаДофьев Ю.Г., Холомина Т.А. Влияние дефектности структуры на релаксационные процессы в МДП-структурах //Деп. в информ. отделе ВИМИ. 1973. № ВМ. ДР 337. 8 с. Рефер. сб. ВИМИ. 1973. Вып. 8.

209. Плюснина И.И. Инфракрасные спектры силикатов. М.: МГУ, 1967.124 с.

210. Sato К. The S-shift curve characteristics of Si-0 stretching band of amorphous silica//J. Electrochem. Soc. 1970. Vol. 117. № 8. P. 1065-1070.

211. Холомина Т.А. Исследование структуры ионно-легированных пленок двуокиси кремния методом инфракрасной спектроскопии //Материалы VIII Всес. науч.-техн. конф. по неразрушающим физическим методам и средствам контроля. Кишинев, 1977. Т. 2. С. 339-342.

212. Fritzche C.R., Rothemund W. Ion implantation and annealing effects in Si02 layers on silicon studied by optical measurements //J. Electrochem. Soc. 1972. Vol. 119. №9. P. 1243-1248.

213. Скорость травления облученных пленок Si02 /П.Т.Орешкин,

214. B.А.Макарчук, Г.И.Королева, Т.А.Холомина //Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып. 6. С. 555-556.

215. Изменение оптических и химических свойств окислов кремния и германия в результате структурных превращений, вызванных ионной бомбардировкой //И.П.Акимченко, В.В.Галкин, В.В.Краснопевцев и др. //Микроэлектроника. 1973. Т. 2. Вып. 2. С. 166-172.

216. Влияние ионной бомбардировки бором и фосфором на скорость травления термического окисла /О.В.Соколов, Л.Н.Абрамов, Р.Р.Резвый и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1971. Вып. 4.1. C. 112-119.

217. Холомина Т.А., Королева Г.И., Макарчук В.А. Влияние ионной бомбардировки на диэлектрические свойства пленок Si02 //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1975. Вып. 3. С. 79-82.

218. Влияние имплантации ионов фосфора на свойства границы раздела Si-Si02 /В.Т.Атаманенко, Ю.Я.Полшцук, В.В.Федулов и др. //В сб. «Методы миниатюризации и автоматизации компонентов ЭВМ». Киев: АН УССР. 1974. С. 17-23.

219. Исследование электрофизических свойств пленок двуокиси кремния, полученных различными методами /В.М.Кочегаров, Ю.П.Завальский, Т.А.Холомина и др. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1972. Вып. 7. С. 103-108.

220. Коршунов Ю.М. Математические основы кибернетики. М.: Энер-гоатомиздат, 1987. 496 с.

221. Адлер Ю.П., Маркова Е.В., Грановская Ю.В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных условий. М.: Наука, 1976. 280 с.

222. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1974. 831 с.

223. ИК-спектры пленок двуокиси кремния после ионного облучения /Т.К.Перелыгина, Т.А.Холомина, А.Я.Клочков и др. //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РРТИ, 1976. Вып. 3. С. 109-114.

224. Орешкин П.Т. Механизм перезарядки глубоких центров при релаксационной спектроскопии //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 5 (139). С. 3-8.

225. Орешкин П.Т., Холомина Т.А. Волны объемного заряда в барьерных слоях //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1992. Вып. 4 (149). С. 6-9.

226. Chanman M.Y. Characterization of the heavily (non-degenerate) boron-doped Si-Si02 interface //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. № 11. P. 11471152.

227. Zappe H.P., Aronowitz S., Ни C. Oxide implantation for threshold voltage control //Solid-State Electron. 1990. Vol. 33. № 11. P. 1447-1453.

228. Перелыгин A.M., Садофьев Ю.Г., Холомина Т.А. Влияние накопления заряда и процессов поляризации на электрические параметры МОП-структуры //Деп. в информ. отделе ВИМИ. 1974. № ВМ. Д01161. 11 с. Ре-фер. сб. ВИМИ. 1974. Вып. 19.

229. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centers in GaPp-n-junctions //J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. № 7. P. 30143022.

230. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors III. Appl. Phys. 1974. Vol. 45. № 7. P. 30233032.

231. Блад П., Ортон Д.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников //Зарубежная радиоэлектроника. 1981. №2. С. 3-49.

232. Miller G.L., Ramirez J.V., Robinson D.A.H. A correlation method for semiconductors transient signal measurements //J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. № 6. P. 2636-2644.

233. Miller G.L., Patterson D.R. Transient capacitance deep level spectrometry instrumentation //Rev. Sci. Instrum. 1977. Vol. 48. № 3. P. 237-239.

234. Денисов А.А., Лактюшкин B.H., Садофьев Ю.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней: Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ «Электроника», 1985. Вып. 5 (1141). 52 с.

235. Sah С.Т., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation in /^-«-junction andp~fi~.unction characteristics //Proc. IRE. 1957. Vol. 45. P. 1228-1243.

236. Sah C.T., Reddi V.G. Frequency dependence of the reverse-biased capacitance of gold-doped silicon p+-n step junctions /ЛЕЕЕ Trans. Electron Dev. 1964. Vol. ED-11. №7. P. 345-349.

237. Sah C.T. The equivalent circuit model in solid-state electronics part I: the single energy level defect centers //Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. P. 654-671.

238. Sah C.T. Bulk and interface imperfections in semiconductors //Solid-State Electron. 1976. Vol. 19. 12. P. 975-990.

239. Shockley W., Read W.T. Statistics of recombination of holes and electrons //Phys. Rev. 1952. Vol. 87. P. 835-842.

240. Шик А.Я. Об определении параметров глубоких центров методом емкостной спектроскопии //ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 10. С. 1759-1762.

241. Орешкин П.Т. Рекомбинация через ловушки //Тезисы докладов Всесоюз. науч.-техн. конф. с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники». Таганрог: ТГРТУ,1994. Ч. 1.С. 3.

242. Орешкин П.Т. Рекомбинация через ловушки //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА,1995. С. 5-12.

243. Орешкин П.Т., Ляшедько А.Л., Зубков М.В. Эмиссия и захват носителей заряда в полупроводниках при рекомбинации через ловушки //Материалы Всерос. симпозиума по эмиссионной электронике. Рязань: РГРТА,1996. С. 63.

244. Зубков М.В. Рекомбинация через ловушки (глубокие уровни) //Труды междунар. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах». Ульяновск. 1997. С. 67-68.

245. Орешкин П.Т. Рекомбинация через ловушки //Учебное пособие. Рязань: РГРТА, 1994. 12 с.

246. Sah С.Т. Theory of low-frequency generation noise in junction-gate field-effect transistors//Proc. IEEE. 1964. Vol. 52. №7. P. 795-814.

247. Oreshkin P.T. Barrier layers as resonators on deep centers //Phys. stat. sol. (a). 1991. Vol. 123. №2. P. 483-491.

248. Орешкин П.Т. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах//Известия вузов СССР. Физика. 1990. № 11. С. 21-25.

249. Grimmeiss H.G., Ovzen С. Fundamentals of junction measurements in the study of deep energy levels in semiconductors //J. Phys. E.: Sci. Instrum. 1981. Vol. 14. № 10. P. 1032-1042.

250. Queisser H.J. Recombination at deep traps //Solid-State Electron. 1978. Vol. 21. №11-12. P. 1495-1503.

251. Дорджин Г.С., Лактюшкин B.H., Сорокина М.В. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней: Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, организация производства и оборудование. М.: ЦНИИ «Электроника», 1989. Вып. 4 (1434). 72 с.

252. Холомина Т.А. Замечания по применению статистического подхода к описанию некоторых релаксационных явлений //Вестник РГРТА, 1997. №2. С. 135-136.

253. Орешкин П.Т., Матушкин С.А., Петров И.М. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней (ловушек) для основных и неосновных носителей заряда //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1991. Вып. 2(141). С. 7-14.

254. Орешкин П.Т., Гармаш Ю.В., Перелыгин А.И. К вопросу о релаксационной спектроскопии глубоких центров в полупроводниках//ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 496-498.

255. Орешкин П.Т., Гармаш Ю.В., Перелыгин А.И. Резонансная релаксация заряда в физических барьерных слоях //Известия вузов СССР. Физика. 1983. №11. С. 67-72.

256. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах /П.Т.Ореш-кин, М.В.Зубков, А.Я.Клочков, Т.А.Холомина //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 1 (135). С. 59-63.

257. Barrier layers as resonators on deep centers /P.T.Oreshkin, T.A.Kholo-mina, A.Ya.Klochkov, M.V.Zubkov //Electronic Engineering. Series Microelec-tonics. 1991. Issue 1 (1). P. 19-23.

258. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в GaP, облученном электронами с энергией 1,5 МэВ /А.А.Гринсон, А.А.Гуткин, В.Г.Сидоров и др. //Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1984. Вып. 3 (188). С. 16-18.

259. Pons D., Mooney P.M., Burgoin J.C. Energy dependence of deep level introduction in electron irradiated GaAs ИJ. Appl. Phys. 1980. Vol. 51. № 4. P. 2038-2042.

260. Особенности частотной зависимости емкости диодов на основе p-Si /Н.Н.Дмитренко, П.М.Курило, Э.С.Фалькевич и др. //ФТП. 1979. Т. 13. № 12. С. 2428-2429.

261. Singh A., Anderson W.A. Deep level transient spectroscopy studies of near-surface hole and electron traps in Zw-doped InP using high barrier Yb/p-InP Schottky diodes //J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. № 8. P. 3999-4005.

262. An analysis of comlex spectra from deep level transient capacitance measurements /E.Di Zitti, G.M.Bisio, P.G.Fuochi e. a. //J. Appl. Phys. 1989. Vol. 66. №3. P. 1199-1205.

263. Зубков M.B. Спектр глубоких уровней в барьерных структурах на кремнии //Материалы IV Всес. науч.-техн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань: РРТИ, 1988. С. 47-56.

264. Prokes J. Investigation of FZ-silicon doped with Pt //Phys. stat. sol. (a). 1991. Vol. 125. № 1. P. 263-271.

265. Bartos J., Tesar L. Some electrical and optical properties of nickel-related deep levels in silicon //Phys. stat. sol. (a). 1990. Vol. 122. № 3. P. 607-616.

266. Boughaba S., Mathiot D. Deep level transient spectroscopy characterization of tungsten-related deep levels in silicon //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. №1. p. 278-283.

267. Ando Т., Isomae S., Munakata C. Deep-level transient spectroscopy on p-type silicon crystals containing tungsten impurities //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. № 10. P. 5401-5403.

268. Nakashima H., Hashimoto K. Deep impurity levels and diffusion coefficient of manganese in silicon //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. № 3. P. 1440-1445.

269. Bauza D., Pananakakis G. Simulation of current-voltage characteristics of Ti-W/nSi Schottky diodes using defects parameters extracted from deep level transient spectroscopy //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. № 5. P. 3357-3359.

270. Haider N.C., Teate A.A. The modulating-function waveform analysis method and deep levels in semiconductors //J. Phys.: Condens. Matter. 1990. Vol.2. P. 10359-10370.

271. Masse G., Lacroix J.M., Lawrence M.F. Deep level transient spectroscopy study of «-type GaAs epitaxial layers grown by close-spaced vapor transport //J. Appl. Phys. 1989. Vol. 65. № 3. P. 1126-1129.

272. Meyer E., Heymann G. Defect generation by Schottky contacts on n-GaAs //J. Vac. Sci. Technol. 1989. Vol. 7. № 3. P. 491-496.

273. Buchwald W.R., Gerardi G.I. Electrical and optical characterization of metastable deep-level defects in GaAs //Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. № 5. P. 2940-2945.

274. Roberts L., Hughes G. An investigation of mQXaX/GaAs (100) interfaces by deep level transient spectroscopy //Applied Surface Science. 1991. Vol. 50. P. 424-427.

275. Kim E.K., Cho H.Y. Effect of leakage current on isothermal capacitance transient spectroscopy signals for midgap levels in GaAs //J. Appl. Phys.1990. Vol. 67. № 3. Pi 1380-1383.

276. Deep level spectroscopy by analysis of isothermal capacitance transients /A.Cola, M.G.Lupo, L.Vasanelly e.a. //IL NUOVO CIMENTO della sosieta italiana di fisica. 1990. Vol. 12D. № 10. P. 1443-1451.

277. Deep level transient spectroscopy ofMo/GaAs Schottky barriers prepa-rated by DC sputtering /M.G.Lupo, A.Cola, L.Vasanelly e.a. //Phys. stat. sol. (a).1991. Vol. 124. №2. P. 473-481.

278. Cola A., Lupo M.G., Vasanelly L. Determination of deep-level parameters by a new analysis method of isothermal capacitance transients //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. № 5. P. 3072-3076.

279. Waltens R.J., Summens G.P. Deep level transient spectroscopy study of proton irradiation p-type InP //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. № 9. P. 6488-6494.

280. Andersson G.I., Engstrom O. Deep level transient spectroscopy technique for the characterization charge-carrier emission centers in nonabrupt /7-w-junctions //J. Appl. Phys. 1990. Vol. 67. № 7. P. 3500-3510.

281. Крылов В.П. Электрофизика статистических и релаксационных процессорных средств параметрического контроля интегральных микросхем /Дис. докт. техн. наук, спец. 01.04.13. Москва. 1998. 333 с.

282. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости /Б.С.Муравский, В.И.Кузнецов, Г.И.Фризен, В.Н.Черный //ФТП. 1972. Т. 6. №11.0.2114-2121.

283. Орешкин П.Т., Рожков C.B., Холомина Т.А. Поверхностно-барьерная неустойчивость на кремнии //Деп в ЦНИИ «Электроника». 1985. №9863. Сер. Р4000/84. №21. 14 с. Рефер. ФТП. 1985. Т. 19. № 12. С. 2248.

284. Орешкин П.Т. Релаксация заряда и неустойчивости в барьерных слоях //Изв. вузов СССР. Физика. 1981. № 6. С. 20-23.

285. Goldman E.I., Zhdan A.G. Problems of relaxation spectroscopy of localised electron states //Semicond. Sei. and Technol. 1990. Vol. 5. № 7. P. 675685.

286. Холомина Т.А. Определение параметров глубоких уровней в полупроводниках при нестационарной спектроскопии и спектроскопии низкочастотного шума//Измерительная техника. 1998. № 12. С. 44-46.

287. Investigation on the CaF2/p-type Si (100) interface by conductance and deep level transient spectroscopy /G.Couturier, H.Ricard, A.S.Barriere e. a. //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 8. P. 867-873.

288. Соколик С.А., Гуляев A.M., Мирошникова И.Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур //Измерительная техника. 1997. № 1. С. 57-61.

289. Жигальский Г.П. Шум вида l/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках//УФН. 1997. Т. 167. №6. С. 623-647.

290. Нарышкин А.К., Врачев A.C. Теория низкочастотных шумов. М.: Энергия, 1972. 153 с.

291. Букингем М. Шумы в электронных приборах и схемах /Пер. с англ. М.: Мир, 1986. 398 с.

292. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум со спектром типа l/f в твердых телах//УФН. 1985. Т. 145. Вып. 2. С. 285-328.

293. Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990. 295 с.

294. Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. 112 с.

295. Verster T.C. Anomalies in transistor low-frequency noise //Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. №7. P. 1204-1205.

296. Бочков Г.Н., Кузовлев Ю.Е. Новое в исследованиях 1 If шума //УФН. 1983. Т. 141. Вып. 1. С. 151-176.

297. Bell D.A. Distribution function of semiconductor noise //Proc. Phys. Soc. 1955. Vol. B68. P. 690-691.

298. Hooge F.N., Hoppenbrouwers A.M.H. Amplitude distribution of I If noise //Physica.1969. Vol. 42. P. 331-339.

299. Bell D.A., Dissanayake S.P.B. Variance fluctuations of 1 If noise //Elect. Lett. 1975. Vol. 11. P. 274.

300. Bell D.A. A survey of 1 If noise in electrical conductors //J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. Vol. 13. P. 4425-4437.

301. Hooge F.N. l/f noise is no surface effect //Phys. Lett. A. 1969. Vol. 29. P. 139-140.

302. Van Vliet C.M. A survey of results and future prospects on quantum 1 If noise and 1 If noise in general //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 1. P. 1-21.

303. Fundamental I If noise in silicon bipolar transistors /А. H. Pa wlikie wicz, A.Van der Ziel, G.S.Kousik e. a. //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 5. P. 831-834.

304. Blasquez G. Excess noise sources due to defects in forward biased junctions //Solid-State Electron. 1978. Vol. 21. №11-12. P. 1425-1430.

305. Мхитарян 3.O., Баргесян P.C., Арутюнян B.M. Шумовые характеристики кремниевых диодов с примесью серы //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1984. Т. 27. №9. С. 1218-1220.

306. Спектр шума кремния с дислокациями /A.M.Свет личный, А.А.Ко-ледов, В.В.Зотов и др. //ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 3. С. 582-586.

307. Источники избыточного шума в транзисторных элементах микросхем /Н.Б.Лукьянчикова, Н.П.Гарбар, М.В.Партыка и др. //Радиотехника и электроника. 1988. Вып. 2. С. 400-408.

308. Винокур В.М., Обухов С.П. 1 If шум, связанный с движением дислокаций и межзеренных границ //ЖЭТФ. 1989. Т. 95. № 1. С. 223-233.

309. Nishida М. Effects of diffusion-induced dislocation on the excess low-frequency noise //IEEE Trans. Electron. Devices. 1973. Vol. ED-20. № 3. P. 221-226.

310. Scholz F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low frequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №2. P. 205-218.

311. Hallgren R.B. Low-bias-noise spectroscopy of field-effect transistor channels: depletion-region trap models and spectra //Solid-State Electron. 1990. Vol. 33. №8. P. 1071-1080.

312. Bosman G., Zijlstra R.J.J. Generation-recombination noise in p-type silicon //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. №4. P. 273-280.

313. Исследование шумов /?+шг+-структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными акцепторами /В.М.Арутюнян, З.Н.Адамян, Ф.В.Гаспарян и др. //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1991. Т. 34. № 10-12. С. 1226-1235.

314. Dabrowsky W., Korbel К. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 12. P. 1657-1661.

315. Haslett J.W., Kendall E.J.M. Temperature dependence of low-frequency excess noise in junction-gate FET's //IEEE Trans. Electron. Devices. 1972. Vol. ED-19. № 8. P. 943-950.

316. Маранц В.Г., Хатунцев А.И. Параметры шумовых центров, влияющих на низкочастотный шум полевых транзисторов с ^-«-переходом //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 8 (100). С. 88-105.

317. Gustafsson S., Sundblad R., Svensson C. Noise behavior of a static induction transistor between 77 К and 300 К //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. №4. P. 439-443.

318. Tacano M., Kanayama Т., Sugiyama Y. Iff noise in quarter-micron filaments of GaAs and InP made by focused ion-beam implantation //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 2. P. 193-196.

319. Шумы в электронных приборах /Под ред. Л.Д.Смуллина, Г.А.Ха-уса /Пер. с англ. М.-Л.: Энергия, 1964. С. 372-383.

320. Ambrozy A. Variance of 1 If noise //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №9. P. 1391-1396.

321. Copeland J.A. Semiconductor impurity analysis from low-frequency noise spectra //IEEE Trans. Electron. Devices. 1971. Vol. ED-18. № 1. P. 50-53.

322. Хатунцев А.И., Фурсов В.В. Определение параметров шумовых примесей в полевых транзисторах с /»-«-переходом из температурных измерений низкочастотных шумов //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 3 (95). С. 98-105.

323. Хатунцев А.И. Шумовые центры в малошумящих полевых транзисторах //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1976. Вып. 7 (109). С. 68-86.

324. Низкочастотные шумы арсенидогаллиевых диодов с барьером Шоттки с неоднородным контактом металл-полупроводник /О.Ю.Малахов-ский, В.Г.Божков, А.Г.Бычков и др. //Радиотехника и электроника. 1992. Вып. 1.С. 142-149.

325. Шум диодов с избыточной плотностью линейных дефектов /А.М.Светличный, Л.А.Коледов, А.И.Пекарев и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1982. Вып. 4 (155). С, 41-46.

326. Van der Ziel A. On the noise spectra of semiconductor noise and flicker effect//Physica. 1950. Vol. 16. №4. P. 359-372.

327. McWhorter A.L. Semiconductor Surface Physics /Ed. R.H.Kingston. Philadelphia: University of Pennsylvania Press, 1956. P. 207.

328. Selik-Butler Z., Hsiang T.Y. Spectral dependence of \!fr noise on gate bias in n-MOSFETS //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. №4. P. 419-423.

329. Lauritzen P.O. Noise due to generation and recombination of carriers in p-n junction transition regions //IEEE Trans. Electron. Devices. 1968. Vol. ED-15. № 10. P. 770-776.

330. Jevtic M.M. Impurity concentration dependence of 1 If noise parameter a in silicon //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 6. P. 1049-1052.

331. Kleipenning T.G.M. Low-frequency noise in Schottky barrier diodes //Solid-State Electron. 1979. Vol. 22. №2. P. 121-128.

332. Hendrics E.A., Zijlstra J.J. 1//noise in (100) «-channel Sz-MOSFETS from T=4,2 К to T=295 К //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 6. P. 11051111.

333. Pellegrini B. On mobility-fluctuation origin of 1 If noise //Solid-State Electron. 1986. Vol. 29. № 12. P. 1279-1287.

334. Hsu S.T. Low-frequency excess noise in metal-silicon Schottky barrier diodes //IEEE Trans. Electron. Devices. 1970. Vol. ED-17. № 7. P. 496-506.

335. Низкочастотные шумы диодных структур на арсениде галлия /М.Д.Воробьев, В.Г.Божков, О.Ю.Малаховский и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1987. Вып. 1 (186). С. 88-91.

336. Kandiah К., Whiting F.B. Low-frequency noise injunction field-effects transistors //Solid-State Electron. 1978. Vol. 21. № 8. P. 1079-1088.

337. Неустроев Л.Н., Осипов В.В., Панащенко О.Н. Теория 1 If шума в структурах полупроводник-диэлектрик с инверсионным каналом у границы раздела//Микроэлектроника. 1987. Т. 16. Вып. 4. С. 291-301.

338. Duh К.Н., Zhy Х.С., Van der Ziel A. Low-frequency noise in gallium arsenide MOSFET's //Solid-State Electron. 1984. Vol. 27. № 11. p. 1003-1013.

339. Theory and applications of 1 If trapping noise in MOSFET's for the whole biasing ranges /Z.H.Fang, A.Chovet, Q.P.Zhu. e. a. //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. №4. P. 327-333.

340. Surya C., Hsiang T.Y. A thermal activation model for \lf noise in Si-MOSFET's //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 5. P. 959-964.

341. Van Vliet K.M. Noise and admittance of the generation-recombination current involving SRH centers in the space-charge region of junction devices //IEEE Trans. Electron. Devices. 1976. Vol. ED-23. № 11. P. 1236-1246.

342. Sah C.T., Hielscher F.H. Evidence of the origin of the 1 If noise //Phys. Rev. Letters. 1966. Vol. 17. № 10. P. 956-957.

343. Sah C.T., Wu S.Y., Hielscher F.H. The effects of the fixed bulk charge on the thermal noise in metal-oxide-semiconductor transistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1966. Vol. ED-13. №4. P. 410-414.

344. Sah C.T., Pao H.C. The effects of the fixed bulk charge on the characteristics of metal-oxide semiconductor transistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1966. Vol. ED-13. №4. P. 393-409.

345. Yau L.D., Sah C.T. Theory and experiments of low-frequency generation-recombination noise in MOS-transistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1969. Vol. ED-16. №2. P. 170-177.

346. Lee K., Amberiadis K., Van der Ziel A. Effect of trap distribution on generation-recombination noise spectra //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 10. P. 999-1002.

347. Scott L., Strutt M.J.O. Spontaneous fluctuations in the leakage current due to charge generation and recombination in semiconductor diodes //Solid-State Electron. 1966. Vol. 9. № 10. P. 1067-1073.

348. Воробьев М.Д., Садиков A.JI. Токовое шумовое зондирование полупроводниковых термокатодов //Матер, докл. Междунар. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1998. С. 244-248.

349. Dabrowsky W. Comments on the collective and corpuscular approach of generation-recombination noise in a p-n-iunction //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. №2. P. 205-208.

350. Ramo S. Currents induced by electron motion //Proc. IRE. 1939. Vol. 27. №9. P. 584-585.

351. Dai Y., Chen H. Current noise due to generation and recombination of carriers in forward-biased p-n-\unctions //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. №3. P. 259-264.

352. Tacano M. A new approach to the Hooge noise parameter for 1 If noise in semiconductors //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 8. P. 917-918.

353. Vandamme L.K.J. Model for \if noise in MOS transistors biased in the linear region //Solid-State Electron. 1980. Vol. 23. № 4. P. 317-323.

354. Vandamme L.K.J., De Werd H.M.M. 1//noise model for MOST's biased in nonohmic region //Solid-State Electron. 1980. Vol. 23. № 4. P. 325-329.

355. Klaassen F.M. Characterization of low 1 If noise in MOS transistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1971. Vol. ED-18. № 10. P. 887-891.

356. Van Rheenen A.D., Bosman G,, Zijlstra R.J.J. Low frequency noise measurements as a tool to analyze deep-level impurities in semiconductor devices //Solid-State Electron. 1987. Vol. 30. № 3. P. 259-265.

357. Иконникова О.Г., Неустроев JI.H., Осипов B.B. Теория генераци-онно-рекомбинационных шумов в полупроводниках с поверхностными состояниями //Поверхность. 1984. № 8. С. 23-30.

358. Малахов А.Н., Якимов А.В. К вопросу о природе фликкерных флукгуаций //Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19. № 11. С. 2436-2438.

359. Dutta P., Eberhard J.W., Horn P.M. 1//noise in métal films: the rôle of the substrate //Solid-State Communications. 1978. Vol. 27. № 12. P. 13891391.

360. Орешкин П.Т., Денисов A.Jl., Кордюков С.И. Низкочастотные шумы диодов Шоттки //Радиотехника и электроника. 1985. T. XXX. Вып. 7. С. 1449-1450.

361. Холомина Т.А. Физический механизм нестационарной спектроскопии глубоких уровней и генерации низкочастотного шума в барьерных слоях //Изв. вузов. Электроника. 1998. № 2. С. 22-26.

362. Холомина Т.А. Влияние центров с глубокими уровнями на процессы генерации НЧ-шума с барьерах Шоттки //Труды Междунар. конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах». Ульяновск. 1997. С. 69-71.

363. Холомина Т.А. Диэлектрический слой барьерных структур как область генерации низкочастотного шума //Тез. докл. Междунар. науч.-техн. конф. по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики-97». С.-Петербург. 1997. С. 137-139.

364. Холомина Т.А., Толстенок О.А. Моделирование влияния различных факторов на низкочастотный шум барьера Шоттки //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА. 1997. С. 29-33.

365. Орешкин П.Т., Кордюков С.И., Холомина Т.А. Природа низкочастотного шума в полупроводниковых приборах //Матер, докл. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1993. С. 85-90.

366. Холомина Т.А. Влияние центров с глубокими уровнями на процессы генерации НЧ-шума в барьерах Шоттки //Изв. вузов. Материалы электронной техники. 1998. № 2. С. 57-59.

367. Tacano М., Sugiyama Y. Comparison of 1 If noise of AlGaAslGaAs HEMT's and GaAs MESFET's //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 10. P. 1049-1053.

368. Астафьева Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и применения (Обзоры актуальных проблем) //УФН. 1996. Т. 166. № 11. С. 1145-1170.

369. Матукас И.П., Паленскис В.П. Генерационно-рекомбинационный шум кремниевых /?+-и-и+-переходов с сильно компенсированной и-областыо //ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 9. С. 1721-1723.

370. Das M B., Moore J.M. Measurements and interpretation of low-frequency noise in FET's //IEEE Trans. Electron. Devices. 1974. Vol. ED-21. №4. P. 247-257.

371. Орешкин П.Т., Холомина Т.А. Волны объемного заряда в барьерных слоях //Тез. докл. науч.-техн. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Нижний Новгород Астрахань: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1992. С. 95-96.

372. Hsu S.T. Flicker noise in metal-semiconductor Schottky barrier diodes due to multistep tunneling processes //IEEE Trans. Electron. Devices. 1971. Vol. ED-18. № 10. P. 882-887.

373. Analysis of channel noise and threshold voltage in SOS-MOS transistors in the temperature range of 77-300 К /A.Touboul, D.Sodini, D.Rigaud e. a. //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. №4. P. 335-343.

374. Day D.J., Shepherd T.J. Transport in photo-conductors //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 8. P. 707-718.

375. Cowley A.M., Zettler R.A. Shot noise in silicon Schottky barrier diodes .//IEEE Trans. Electron. Devices. 1968. Vol. ED-15. № 10. P. 761-769.

376. Noise and deep level transient spectroscopy of deep level (DX) centers in GaAs-GaAlAs heterostructures /L.Kratena, K.Zdansky, J.Sikula e. a. //Noise Phys. Syst. Includ 1//"Noise, Biol. Syst, and Membranes: 10th Int. Conf. Budapest. 1990. P. 209-212.

377. Математическое моделирование технологических процессов полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем: Метод указ. к ла-бор. работам /Сост. Холомина Т.А., Мальченко С.И., Зубков М.В. Рязань: РГРТА, 1994. С. 25-39.

378. Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л. Использование зона-зонной подсветки для определения параметров уровней в методе шумовой спекгро-скопии //ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 1. С. 140-151.

379. Новые методы и средства повышения стабильности и надежности микроэлектронных компонентов. Отчет о НИР. Гос. регистрац. № 01880057045. РРТИ. 1990. 259 с.

380. Morrison S.R. 1 If noise from levels in a linear or planar array. IV The origin of the Hooge parameter //J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. № 9. P. 4113-4117.

381. Врачев А. С. Синтез сигнала со спектром 1 If типа на основании механической модели износа //Матер, докл. Междунар. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1997. С. 114-125.

382. Поляков М.Е. Возможная материальная причина фликкер-шума //Матер, докл. Междунар. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1997. С. 58-63.

383. Врачев А.С. О структуре процесса со спектром 1 If типа //Матер, докл. Междунар. науч.-техн. семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1998. С. 117-135.

384. Haider N.C., Barnes D.E. Deep levels transient and DX centers in AlxGaxx-AslGaAs. 2. Field effect deep level transient spectroscopy study //J. Vac. Sci. and Technol. B. 1992. Vol. 10. № 1. P. 94-102.

385. Deep levels in V-diffused silicon analyzed by reverse bias deep level transient spectroscopy (RDLTS) /H.Kawahara, Y.Ocamoto, K.Tahira e. a. //Mem. Nat. Def. Acad. Jap. 1993. Vol. 33. № 1. P. 1-7.

386. Yang S., Lamp C.D. Numerical fitting of transient decays in the high defect density limit //J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. № 11. P. 6636-6641.

387. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L. Noise spectroscopy of local levels in semiconductors //Semicond. Sci. and Technol. 1994. Vol. 9. № 6. P. 1183-1189.

388. Differential isotermal capacitance transient spectroscopy for the studies of deep levels in semiconductors /K.Suno, J.Yoshin, Y.Okamoto e. a. //Rev. Sci. Instrum. 1997. Vol. 68. № 5. P. 2116-2120.

389. Losson E., Dmowski K., Lepley B. Practical methods to improve DLTS data smoothing//Phys. status solidi. (a). 1996. Vol. 156. P. 413-420.

390. Concentration profiles of deep levels induced by gold diffusion in silicon /M.Takahashi, M.Morooka, F.Ueda e. a. //Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1994. Vol. 33. №4A. P. 1713-1716. '

391. Schiebel R.A. A model for l/f noise of diffusion current based on surface recombination velocity and insulator trapping //IEEE Trans. Electron. Devices. 1994. Vol. ED-41. № 5. P. 768-778.

392. Chen X.Y., Leys M.R. Study of l//noise in InP grown by CBE //Solid-State Electron. 1996. Vol. 39. № 8. P. 1149-1153.

393. Effects of1 Ar+ back-surface gettering on the properties of flicker noise in n-channel nitrided MOSFET's /C.Surya, W.Wang, W.K.Fong e. a. //Solid-State Electron. 1996. Vol. 39. № 11. P. 1577-1580.

394. Influence of depth position of end-of-range defects on current-voltage and noise characteristics of shallow (p+/n) junctions /D.Alguier, B.Van Haaren, C.Bergaud e. a. //Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1997. Vol. 36. №4A. P. 1999-2003.

395. Electronic noise of submicron n+-n~n+ diodes under near-oscillatory macroscopic behavior /E.Starikov, P.Shiktorov, V.Grusinskis e. a. //Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. № 18. P. 2361-2363.

396. Impact of the substrate on the low-frequency noise of silicon n+-p junction diodes /E.Simoen, G.Bosman, J.Vanhelemont e. a. //Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. № 19. P. 2507-2509.

397. Qucha H., Nur O., Willander M. l/f noise characterization of Ir/pSi and Ir/pSii.xGex low Schottky barrier junctions //Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. № 16. P. 2382-2384.

398. Маковийчук М.И., Рекшинский В.А. Фликкер-флуктуационный анализ структур микроэлектроники //Заводская лаборатория (диагностика материалов). 1996. № 8. С. 35-37.

399. Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки /В.Ф.Андриевский, В.А.Иванюкович, В.И.Карась, В.М.Ломако //ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 2. С. 222-226.

400. Холомина Т.А. Математическое моделирование влияния режима имплантации на параметры пленок Si02 на кремнии //Математическое моделирование. 1998. Т. 10. № 7. С. 21-24.

401. Кордюков С.И. Низкочастотные шумы в диодах Шоттки /Дис. канд. техн. наук: 01.04.10. Рязань, 1987. 156 с.

402. Придорогин В.М. Шумовые свойства транзисторов на низких частотах. М.: Энергия, 1976. 160 с.

403. Сафаров А.С., Эгамбердиев Б.Э. Отжиг структур кремний-диоксид кремния //Радиотехника и электроника. 1998. Т. 43. № 2. С. 226-227.

404. Batovski D., Hardalov С. Simple Diophantine test for the validity of conventional deep level transient spectroscopy //Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. № 13. P. 1668-1698.

405. Londos C.A. Deep level transient spectroscopy investigation of a deep trap in float-zone Si //J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. № 1. P. 645-647.

406. Accurate determination of majority termal-cupture cross sections of deep impurities in p-n junctions /A.Palma, J.A.Jimener-Tejada, J.Banqueri e. a. //J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. №4. P. 2605-2611.

407. Abdala A.M., Jones B.K. The excess noise in GaAs MESFET's //Proc. Int. Conf. Noise Phys. Syst. and 1//Fluct. Kyoto, 24th-27th Nov. 1991: ICNF'91 -Tokyo, 1991. P. 187-190.

408. Холомина T.A. Обобщенная активационно-дрейфовая модель формирования низкочастотного шума //Матер, докл. Междунар. науч.-техн. конф. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: МНТОРЭС им. А.С.Попова. 1999. С. 76-82.371