Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Бедный, Борис Ильич

• Бедный, Борис Ильич
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бедный, Борис Ильич

СОДЕРЖАНИЕ

Основные сокращения и условные обозначения

ВВЕДЕНИЕ

ЕЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ ЯВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ

ФОТО-ЭДС В ваАз и 1пР

1.1. Физические механизмы и модельные расчеты ПФЭ. Сравнение с экспериментом (состояние вопроса)

1.2. Длинновременная поверхностная фото-ЭДС в 1пР

1.3. Люкс-вольтовые характеристики поверхностной

фото-ЭДС в ОаАБ

1.4. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда

на фото-ЭДС в ОаАБ и 1пР

1.5. Малосигнальная поверхностная фото-ЭДС

Выводы

ГЛАВА 2. ПЛАНАРНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ на ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ

ПОДЛОЖКАХ

2.1. Постановка задачи

2.2. Об измерении фотоотклика внутреннего (ьп) барьера методом динамического конденсатора

2.3. Методика регистрации зависимости стрь (Уръ)

2.4. Барьерные эффекты в фотопроводимости тонкопленочных структур

2.5. Модель барьерной фотопроводимости

2.6. Экспериментальное подтверждение модели БФП

Выводы

ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДИАГНОСТИКА ЭЛЕКТРОННОГО СОСТОЯНИЯ ПОВЕРХНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВ А3В5

3.1. Проблемы контроля электронных свойств реальной поверхности полупроводников А3В5

3.2. Методы определения приповерхностного изгиба зон

3.3. Определение параметров поверхностных состояний

3.4. Исследование приповерхностной подвижности электронов

3.5. Контроль распределения электрофизических параметров

по поверхности пластины

Выводы

ГЛАВА 4. УПРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫМ ПОТЕНЦИАЛОМ И ЭЛЕКТРОННЫМИ СВОЙСТВАМИ

ПОВЕРХНОСТИ ФОСФИДА ИНДИЯ

4.1. Роль адсорбционных воздействий в формировании поверхностного заряда

4.2. Эффект поверхностного легирования металлами

4.3. Влияние окисления на поверхностные свойства InP

4.4. Ионная обработка поверхности

4.5. Модификация поверхности атомами серы

Выводы

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ НЕКОТОРЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

5.1. Зависимость приповерхностного изгиба зон от объемного легирования

5.2. Эффект фотопамяти на термически окисленной поверхности GaAs

5.3. Электрические характеристики структур GaAs - анодный

оксид

5.4. Управление электрофизическими свойствами пленок

GaAs в процессе газофазной эпитаксии в системе Ga(CH3)3-AsH3-H2

5.5. Трансформация потенциального барьера на легированной

золотом поверхности GaAs

Выводы

ГЛАВА 6. ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА

ГАЛЛИЯ

6.1. Пассивация при облучении вакуумным ультрафиолетом

6.2. Сульфидная пассивация

6.3. Фосфидная пассивация

6.4. Гетероэпитаксиальная пассивация

Выводы

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

Список авторских публикаций по теме диссертации

ЛИТЕРАТУРА

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ И УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

АО - анодный оксид

ВАХ - вольт-амперная характеристика

ВФХ - вольт-фарадная характеристика

ДП - диэлектрик - полупроводник

ДПФЭ - длинновременная поверхностная фото-ЭДС

КРП - контактная разность потенциалов

КФЭ - конденсаторная фото-ЭДС

ЛВХ - люкс-вольтовая характеристика

MOCVD - газофазная эпитаксия с применением металлорганических

соеднинений МДП - металл - диэлектрик - полупроводник МОП - металл - оксид - полупроводник МП - металл - полупроводник МПФЭ - малосигнальная поверхностная фото-ЭДС ОПЗ - область пространственного заряда ПЛ - поверхностное легирование ПЭС - поверхностные электронные состояния ПФЭ - поверхностная фото-ЭДС СО - собственный оксид СПР - скорость поверхностной рекомбинации ТВО - термовакуумная обработка ТО - термическая обработка; термический оксид ФЛ - фотолюминесценция фото-ЭДС - фотоэлектродвижущая сила ФП - фотопроводимость

Csc - емкость ОПЗ

Css - емкость ПЭС

d - толщина эпитаксиальной пленки

DP(n) - коэффициент диффузии дырок (электронов)

Ее - энергия дна зоны проводимости

Ees - энергия дна зоны проводимости на поверхности

Ef - уровень Ферми

Efs - уровень Ферми на поверхности

En - энергетическое положение уровня электронейтральности системы

поверхностных состояний Ev - энергия потолка валентной зоны Evs - энергия потолка валентной зоны на поверхности

£ - плотность поверхностных состояний I - интенсивность освещения Ьи - длина амбиполярной диффузии Ь р(П) - длина диффузии дырок (электронов) и - дебаевская длина в собственном полупроводнике 10 - дебаевская длина в легированном полупроводнике Ыс-эффективная плотность состояний в зоне проводимости (Чу-эффективная плотность состояний в валентной зоне п - фактор идеальности ВАХ диодов Шоттки п0, п3 - концентрация электронов в объеме и на поверхности соответственно

р0, Рэ - концентрация дырок в объеме и на поверхности соответственно б - скорость поверхностной рекомбинации Э - кратность фотопроводимости

Щ - высота приповерхностного потенциального барьера

- падение потенциала в оксидном слое \/к - величина КРП

Урь, \/рм - величина поверхностной фото-ЭДС

Уэ - безразмерный приповерхностный изгиб зон

Урь, Урм - безразмерная поверхностная фото-ЭДС

АУри - малосигнальная безразмерная поверхностная фото-ЭДС

чу - ширина обедненного слоя у поверхности

а - коэффициент поглощения света; феноменологический параметр в

кинетике релаксации ПФЭ г)1(или г)) - фактор идеальности люкс-вольтовых характеристик фото-ЭДС |л,п - дрейфовая подвижность электронов р,П5 - дрейфовая подвижность электронов в ОПЗ ЧРв - поверхностный электростатический потенциал с?о - удельная электропроводность полупроводника в состоянии

термодинамического равновесия стэ - поверхностная (квазиповерхностная) проводимость стрь, - фотопроводимость

Дстрь - фотопроводимость, измеренная в малосигнальном (линейном по

интенсивности освещения) режиме X - термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника Хо - энергия электронного сродства Фт - работа выхода электронов из металла Фв - высота потенциального барьера в диодах Шоттки

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронное состояние поверхности GaAs и InP: Диагностика, управление, пассивация»

ВВЕДЕНИЕ

Арсенид галлия и фосфид индия относятся к числу важнейших материалов полупроводниковой электроники. Они успешно используются в. разработках и производстве микро- и оптоэлектронных приборов, устройств СВЧ-техники, на их основе методами нанотехнологии создаются низкоразмерные микроструктуры, с применением которых связывается прогресс в области наноэлектроники.

Физические свойства ОаАэ и 1пР во многих отношениях подобны: у них одинаковая кристаллическая структура, сходное строение энергетических зон, обеспечивающее прямые межзонные переходы, близкие значения ширины запрещенной зоны. Они выгодно отличаются от кремния более высокой подвижностью электронов в слабых полях и более высокими значениями максимальной скорости дрейфа, что позволяет рассчитывать на создание быстродействующих приборов с улучшенными характеристиками. Малые времена жизни носителей заряда и большие, чем у кремния, значения ширины запрещенной зоны делают эти материалы перспективными для производства радиационно-стойких устройств, работающих при повышенных температурах. Наконец, известные технологические достижения в создании высококачественных полуизолирующих кристаллов ¡-СаАэ и МпР позволили использовать эти материалы в качестве диэлектрических подложек, на поверхности которых методами гомо- и гетероэпитаксии можно формировать различные пленочные структуры для дискретных приборов и интегральных схем,

Вместе с тем к началу выполнения настоящей работы (1980 г.) специалисты, занятые разработкой электронных приборов на основе ваЛв, 1пР и

л С

других соединений А В , столкнулись с серьезной физико-технологической проблемой, которая стала основным препятствием для практической реализации в полном объеме преимуществ полупроводников А3В5. Оказалось, что в приборных структурах из-за неудовлетворительного состояния поверхности и границ полупроводника с металлами и диэлектриками возникает высокая

плотность локализованных электронных состояний, что приводит к закреплению (пиннингу) уровня Ферми в узком интервале запрещенной зоны на поверхности. Вследствие пиннинга уровня Ферми не удается обеспечить управление поверхностным потенциалом в эффекте поля и создать базовый элемент для сверхбольших интегральных схем - МДП-транзистор. В диодах Шоттки пиннинг проявляется в значительном ослаблении (или даже отсутствии) влияния работы выхода металла на высоту потенциального барьера, что усложняет технологию изготовления омических контактов и диодов с малой высотой барьера. Высокая рекомбинационная активность поверхности и ге-терограниц является причиной снижения эффективности фотоприемников и лазерных структур. Все это привело к тому, что в физике и технологии полу-

с

проводников А В на первый план выдвинулась задача управления электронными свойствами поверхности и границ раздела.

Значительный прогресс в изучении природы поверхностных электронных состояний в ваАБ и 1пР был достигнут благодаря развитию дифракционных и спектроскопических методов исследования поверхности (дифракция быстрых и медленных электронов, Оже-электронная спектроскопия, рентгеновская и ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия и др.), дающих уникальную информацию о «микроскопических» характеристиках атомарно-чистой поверхности в условиях сверхвысокого вакуума - ее строении, химическом составе и электронной структуре. Среди огромного числа публикаций на эту тему выделим работы стенфордской группы исследователей во главе со Спайсером, в которых выполнены детальные исследования поведения уровня Ферми при адсорбции кислорода и атомов металлов и сформулированы простые модельные представления о роли поверхностных дефектов в

с

механизме пиннинга уровня Ферми в полупроводниках А В (1979 - 1990). Теоретическое обоснование модели Спайсера дано в работах Аплена и Доу, рассчитавших энергетические положения точечных дефектов в объеме и на

3 5

поверхности большинства соединений А В (1986).

К середине 80-х годов наряду с изучением атомарно-чистых поверхностей был накоплен обширный экспериментальный и теоретический материал

по фундаментальным вопросам, касающимся физико-химических и электрических свойств МП- и ДП-границ ОаАэ и 1пР. Большой вклад в формирование современных представлений о происхождении ПЭС на этих границах внесли японские исследователи Хасегава, Савада, Ооно (модель состояний, индуцированных разупорядочением, 1986), последовательно развивающие выдвинутую ранее Овсюком и Ржановым (1969) гипотезу об определяющей роли позиционного разупорядочения межфазных границ в формировании энергетического спектра ПЭС в МДП-структурах.

Таким образом, к началу выполнения настоящей работы достаточно подробно были исследованы атомарно-чистые поверхности, к которым применимы методы фотоэмиссионной спектроскопии, и межфазные границы «диэлектрик-А3В5» и «металл-А3В5» (различные варианты 1-У и С-У измерений). Между тем единый концептуальный подход к решению проблемы управления состоянием поверхности найден не был. Не были разработаны и эмпирические приемы снижения плотности ПЭС и открепления уровня Ферми в приборных структурах на основе этих полупроводников.

В реальных условиях при изготовлении приборов металлы и диэлектрики, как правило, осаждаются на поверхность полупроводника, покрытую более или менее тонким слоем собственного оксида, образовавшимся в результате вынужденной экспозиции полупроводниковой пластины на воздухе (так называемая, реальная поверхность). В связи с этим характеристики приборов должны существенно зависеть от физико-химических свойств оксидных слоев и электронного состояния поверхности полупроводника под слоем оксида. Таким образом, для совершенствования технологии подготовки поверхности, разработки методов контроля ее состояния и улучшения характеристик приборов особое значение приобретает исследование особенностей электронных процессов, протекающих на реальной поверхности ваАБ и 1пР. Такие исследования имеют и самостоятельный научный интерес, связанный с выяснением роли поверхностного оксида в формировании энергетической структуры поверхности, ее зарядового состояния, а также электрических, фотоэлектрических и оптических свойств полупроводника. Отметим, что часто используемый в теоретических и технологических работах, прямой «перенос

на реальную поверхность» модельных представлений, развитых на основе экспериментов с атомарно-чистыми поверхностями или МП- и МДП-структурами явно некорректен и может приводить к появлению необоснованных технологических решений.

В большинстве работ, посвященных исследованию реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия, основное внимание уделялось выяснению элементного и фазового состава поверхности, кинетики ее окисления и влиянию на физико-химические свойства поверхности тех или иных химических обработок.

Первые систематические исследования электронных свойств реальной поверхности ОаАэ, выполненные в конце 60- - начале 70- годов Дмитруком, Ляшенко и Флинном, выявили чрезвычайно важный в научном и прикладном отношении факт существования в СаАв вблизи границы с собственным оксидом ярко выраженного обедненного слоя, играющего значительную роль в механизме электронных явлений в этом материале. Однако по сравнению, например, с поверхностью кремния явно ощущался дефицит информации о специфике электронных и фотоэлектронных процессов на реальной поверхности СаАв и особенно 1пР. Это связано как с более сложной физико-химической природой такой поверхности в бинарных полупроводниках, так и с трудностями количественного определения информационных параметров, характеризующих электронное состояние поверхности (изгиб зон, положение уровня Ферми на поверхности, энергетический спектр ПЭС, параметры приповерхностной области, «скрытой» в пределах слоя обеднения и др.). Так, например, успешно применяемый при исследовании ве и классический метод определения изгиба зон, основанный на измерении поверхностной проводимости в квазистационарном эффекте поля, оказывается непригодным для количественного описания поверхности широкозонных полупроводников с высокой плотностью ПЭС; малые времена жизни неравновесных носителей в ОаАэ и 1пР.затрудняют или делают невозможным применение метода «фото-ЭДС насыщения»; оптические методы диагностики дают определенную информацию о положении поверхностного уровня Ферми лишь в сильно легированных материалах; серьезные методические проблемы воз-

никают и с диагностикой системы ПЭС на реальной поверхности широкозонных полупроводников типа СаАэ.

Таким образом, из-за отсутствия адекватных методов исследования отсутствовали детальные и достоверные сведения об электронном состоянии реальной поверхности СаАв и 1пР и возможности управления этим состоянием с помощью различных физико-химических воздействий. В частности, вопрос о величине приповерхностного изгиба зон и возможных пределах его изменения с помощью тех или иных технологических приемов, т.е. вопрос о «жесткости» пиннинга уровня Ферми, практически не был изучен. Между тем нахождение способов контролируемого управления изгибом зон имеет не только очевидное прикладное значение в связи с разработкой методов управления и пассивации поверхности, но и крайне важно в методическом отношении, так как теоретический анализ приповерхностных электронных процессов в полупроводниках обычно базируется на изучении зависимости характеристик поверхности от изгиба зон.

При изучении реальной поверхности СэАб и 1пР особый интерес представляют фотоэлектрические методы диагностики, основанные на измерении характеристик поверхностной фото-ЭДС и планарной фотопроводимости. Это связано с высокой чувствительностью фотоэлектронных процессов в широкозонных полупроводниках с приповерхностным слоем обеднения к состоянию поверхности и возможностью выполнения некоторых измерений бесконтактным методом динамического конденсатора. Следовало ожидать, что развитие этих методов и их сочетание с электрофизическими измерениями (проводимость, контактная разность потенциалов, эффект поля и др.) может дать разнообразную и достаточно полную информацию об электронных свойствах поверхности.

Основная цель диссертационной работы состояла в разработке физических основ фотоэлектрической диагностики и методов управления электронным состоянием реальной поверхности ваАБ и 1пР.

Для достижения этой цели возникла необходимость решения следующих задач:

1. Исследовать закономерности и особенности явлений поверхностной фото-ЭДС и планарной фотопроводимости в ваАБ и 1пР, выяснить природу и механизмы приповерхностных фотоэлектронных процессов в этих материалах, найти способы управления их фотоэлектрическими свойствами.

2. Разработать, теоретически и экспериментально обосновать и апробировать новые или усовершенствовать известные методы диагностики электронного состояния реальной поверхности, приповерхностных слоев и тонких пленок баАэ и 1пР.

3. Изучить влияние различных физико-химических воздействий (химические, термовакуумные, адсорбционные и ионные обработки, окисление, поверхностное легирование металлами и др.) на приповерхностный изгиб зон, положение уровня Ферми, плотность поверхностных состояний, стационарные и кинетические характеристики неравновесных приповерхностных процессов и разработать способы управления параметрами приповерхностного слоя, пригодные для целенаправленного изменения электрофизических и фотоэлектрических свойств СаАэ и 1пР.

4. Развить и экспериментально обосновать физические представления о механизмах пассивации поверхности СаАв; усовершенствовать известные и разработать новые методы пассивации, пригодные для уменьшения плотности поверхностных центров захвата и рекомбинации, стабилизации состояния поверхности и открепления уровня Ферми на свободной поверхности и границах раздела.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и списка цитируемой литературы.

В первой главе на основе анализа и обобщения существующих представлений о природе поверхностного фотовольтаического эффекта в полупроводниках и краткого обзора состояния вопроса применительно к СаАэ и 1пР делается вывод о необходимости постановки всестороннего исследования ПФЭ в фосфиде индия, поскольку ранее механизм и особенности этого явления в 1пР не изучались. Отмечается актуальность и своевременность

проведения более глубокой экспериментальной и теоретической проработки вопроса о фото-ЭДС на поверхности арсенида галлия.

В оригинальной части главы подробно описывается и обсуждается явление аномально инерционной («длинновременной») поверхностной фото-ЭДС - новый поверхностно-чувствительный эффект, обнаруженный при исследовании потенциала поверхности в 1пР. Анализируются основные закономерности кинетики, температурных и люкс-вольтовых характеристик ДПФЭ. Приводятся экспериментальные данные о влиянии физико - химического состояния поверхности полупроводника на параметры фото-ЭДС, обсуждаются способы управления фотоэлектрическими характеристиками 1пР, феноменологическая модель ДПФЭ и природа релаксационных процессов, ответственных за нестабильность состояния поверхности и дрейф параметров приборов.

В гл. 1 приведены также результаты комплексного исследования стационарных люкс-вольтовых характеристик ПФЭ в баАэ и 1пР. Особое внимание уделено физической интерпретации фактора идеальности поверхности

Г), характеризующего наклон ЛВХ в полулогарифмических координатах. Показано, что фактор г) является чувствительным индикатором механизма фо-то-ЭДС и может служить в качестве информационного параметра при проведении контроля качества подготовки поверхности полупроводника.

Глава завершается обсуждением результатов исследования поверхностной фото-ЭДС при малом отклонении потенциала поверхности от равновесного значения. Теоретически и экспериментально показана возможность разделения вкладов барьерной и ловушечной компонент и определения доминирующего механизма фото-ЭДС, а также применения метода малосигнальной ПФЭ для оценки некоторых параметров поверхности СаАэ.

Вторая глава посвящена изучению явления планарной фотопроводимости в ваАэ и 1пР. Экспериментально обоснована определяющая роль барьерных эффектов в механизме фотопроводимости тонких пленок на полуизолирующих подложках. Развита модель барьерной фотопроводимости, согласно которой величина ФП определяется в общем случае изменением

эффективной ширины приповерхностного барьера и внутреннего барьера на переходе пленка-подложка, и связана с величинами фото-ЭДС на этих барьерах. Получены простые аналитические выражения, описывающие экспериментальные зависимости ФП от фото-ЭДС на барьерах, величины изгиба зон, объемной концентрации носителей, уровня подсветки. Предложены способы разделения вклада в фотопроводимость поверхностного и внутреннего барьеров, основанные на различии кинетических и спектральных характеристик фотопроводимости и фото-ЭДС для двух типов барьеров.

В третьей главе рассматриваются вопросы, связанные с разработкой и обоснованием новых фотоэлектрических методик контроля электронного состояния поверхности и приповерхностных слоев обеднения в широкозонных полупроводниках группы А3В5.

Предложены методы диагностики приповерхностного изгиба зон и положения уровня Ферми на поверхности, основанные на анализе параметров кинетики ПФЭ и зависимости стационарной фотопроводимости от поверхностной фото-ЭДС. Разработана методика определения энергетического распределения плотности поверхностных состояний, сечений захвата носителей на ПЭС и пространственного распределения дрейфовой подвижности в приповерхностной ОПЗ. Методика основана на проведении совместных измерений дифференциального эффекта поля и поверхностной фото-ЭДС при варьировании поверхностного барьера с помощью подсветки.

Показана возможность применения метода динамического конденсатора для исследования свойств внутренних границ в неоднородных полупроводниковых структурах, в частности, - для определения фото-ЭДС, возникающей в ОПЗ вблизи границы полуизолирующая подложка - эпитаксиальная пленка. Описана новая конструкция динамического конденсатора (зонда Кельвина), на базе которой создано устройство для проведения совместных бесконтактных локальных измерений потенциала поверхности и поверхностной фото-ЭДС. Показана эффективность применения модифицированного зонда Кельвина для выявления поверхностных и объемных неоднородностей в полупроводниках.

В четвертой главе изложены результаты комплексного исследования электронного состояния поверхности фосфида индия (изгиб зон, положение уровня Ферми, плотность поверхностных состояний, кинетика релаксационных процессов) при адсорбционных, термических, окислительных, ионных и химических обработках и предложены способы модификации поверхности, позволяющие варьировать положение уровня Ферми в запрещенной зоне в пределах ~ АЕд/2 и управлять характеристиками тонких пленок 1пР.

Установлена определяющая роль адсорбционных и окислительных процессов в формировании приповерхностного потенциального барьера в 1пР. В частности, показано, что на поверхности, контактирующей с атмосферой, в отличие от границ 1пР с металлами и диэлектриками, уровень Ферми расположен вблизи середины запрещенной зоны и жестко не закреплен. Эти отличия связаны с уменьшением плотности «биографических» ПЭС и существенным вкладом в формирование поверхностного заряда адсорбированных молекул кислорода и воды.

Выявлена взаимосвязь физико-химического и электронного состояния поверхности 1пР при различных способах ее окисления. Исследованы закономерности эффекта поверхностного легирования металлами из атомного пучка в вакууме и сформулированы общие модельные представления о реакциях перезарядки на реальной поверхности при адсорбции металлов. Показано, что с помощью сульфидных обработок 1пР можно значительно снизить инерционность приповерхностного барьера, увеличить чувствительность фоторезисторных структур и улучшить электрофизические свойства ДП - границы ЭЮг - 1пР.

На примере 1пР продемонстрирована эффективность применения разработанных поверхностно-чувствительных методик для исследования влияния (в том числе и дальнодействующего) ионной имплантации на систему структурных дефектов в полупроводниках.

В пятой главе сведены результаты исследования влияния ряда физико-технологических воздействий (анодное и термическое окисление, термовакуумная обработка, легирование, изменение режима эпитаксии) на поверхностные свойства СаАБ, которые представляют интерес для разработки

способов целенаправленного изменения электрофизических и фотоэлектрических свойств тонких пленок и корректировки параметров приповерхностного слоя ОаАэ в условиях закрепления поверхностного уровня Ферми. Теоретический анализ зависимости приповерхностного изгиба зон от уровня объемного легирования полупроводника и его сопоставление с экспериментом позволили оценивать плотность поверхностных состояний в центральной части запрещенной зоны и степень закрепления уровня Ферми на модифицированной поверхности ОаАэ.

Показана возможность применения технологии анодного окисления для химической пассивации поверхности и улучшения характеристик фото-резисторных структур на основе СаАБ. Обнаружено, что термическое окисление ваАБ приводит к возникновению эффекта фотопамяти потенциала поверхности при Т = 300 К. Выявлена корреляция между соотношением компонентов газовой фазы при МОС - гидридной эпитаксии баАэ и электрофизическими свойствами объема и поверхности растущих пленок; разработан специальный режим эпитаксии для коррекции параметров приповерхностных слоев. Описан новый способ управления эффективной высотой приповерхностного потенциального барьера и фоточувствительностью эпитаксиальных пленок ваАэ, основанный на применении методики поверхностного легирования золотом в сочетании с термовакуумной обработкой. Разработана модель трансформации контактного барьера при термоактивированных межфазных взаимодействиях в системе ОаАэ - Аи.

Шестая глава посвящена разработке новых и усовершенствованию известных ранее методов пассивации поверхности СаАэ. Особое внимание уделено проблеме открепления уровня Ферми на свободной поверхности и МП-границах.

Обсуждаются результаты первых исследований электронных свойств поверхности ОаАэ, модифицированной вакуумным ультрафиолетом. Показана возможность применения фотохимического окисления для целей пассивации поверхности и управления высотой барьера Шоттки.

Экспериментально доказано, что применение специальной технологии сульфидирования, включающей химическую обработку ваАэ в водном рас-

творе МагЗ'ЭНгО и вакуумный отжиг, приводит к снижению плотности ПЭС не менее, чем на порядок, и откреплению уровня Ферми на поверхности ваАв и границах АЬ^ЗаАБ, Аи/СаАэ.

Описывается эффект пассивации при обработке ОаАэ в парах фосфи-на сразу после завершения, процесса газофазной эпитаксии. Установлено, что наряду с уменьшением изгиба зон, плотности поверхностных состояний и скорости поверхностной рекомбинации фосфидная пассивация обеспечивает длительную консервацию состояния поверхности. Аналогичный эффект обнаружен и при исследовании электронных свойств поверхности СаАэ, пассивированной тонким слоем lno.5Gao.5P.

Обсуждаются модельные представления о механизмах химической, фотохимической и гетероэпитаксиальной пассивации. Даны рекомендации по практическому применению разработанных методик для управления состоянием поверхности СэАб.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней развит новый подход к решению проблемы управления поверхностными свойствами ваАв и 1пР, включающий комплексное изучение фотоэлектронных приповерхностных процессов при различных активных воздействиях на поверхность и разработку на этой основе новых методов диагностики и способов целенаправленного изменения электронного состояния поверхности. В диссертационной работе впервые изучены и решены следующие вопросы:

1. Установлены общие закономерности и особенности кинетики и стационарных характеристик поверхностной фото-ЭДС в ваЛв и 1пР; сформулированы модельные представления о механизме ПФЭ, которые послужили основой для разработки новых неразрушающих методик контроля электронного состояния реальной поверхности полупроводников.

2. Развита и всесторонне обоснована модель барьерной фотопроводимости эпитаксиальных пленок ОэАб и 1пР.

3. Получены новые данные о параметрах системы поверхностных состояний, электрофизических свойствах приповерхностных областей, «скрытых» в

слоя обеднения, положении уровня Ферми на реальных и модифицированных поверхностях GaAs и InP.

4. Выявлена взаимосвязь физико-химического и электронного состояния поверхности InP и GaAs при адсорбционных, термических, окислительных, ионных и химических обработках. Установлена важная роль структурно-химического разупорядочения границы раздела полупроводник-оксид и состояний адсорбционной природы в формировании заряда на реальной поверхности GaAs и InP.

5. Показана возможность контролируемого и обратимого изменения приповерхностного изгиба зон в фосфиде индия в пределах ~ АЕд/2 путем адсорбции атомов металлов и кислорода, свидетельствующая об относительно слабом закреплении уровня Ферми на реальной поверхности InP. Полученный результат меняет сложившееся ранее представление о доминирующем влиянии собственных дефектов в формировании поверхностного барьера в полупроводниках А3В5.

6. При исследовании термически окисленной поверхности GaAs обнаружен и изучен эффект фотоэлектрической памяти при Т = 300 К, проявляющийся в практически необратимом изменении потенциала поверхности при освещении. Раскрыт механизм эффекта, объяснены температурные изменения электронной структуры границы раздела, установлена энергетическая диаграмма системы GaAs-TO.

7. Предложена модель трансформации потенциального барьера при межфазных взаимодействиях на легированной золотом поверхности GaAs. Показана возможность управления фотоэлектрическими характеристиками пленок GaAs с помощью адсорбции золота и термовакуумной обработки.

8. Предсказаны, экспериментально обнаружены и изучены эффекты открепления уровня Ферми на поверхности GaAs при:

• облучении вакуумным ультрафиолетом;

• in situ обработке эпитаксиальных пленок в парах фосфина;

• нанесении покровного гетероэпитаксиального слоя InGaP.

Высказаны и обоснованы соображения о причинах закрепления уровня Ферми на реальной поверхности СаАэ и механизмах фотохимической, сульфидной, фосфидной и гетероэпитаксиальной пассивации.

Практическая значимость проведенного исследования в целом заключается в разработке и апробации новых методов диагностики поверхности; пригодных для осуществления экспрессного контроля информационных параметров на различных стадиях изготовления приборов, и в предложении новых видов технологических обработок, обеспечивающих улучшение качества поверхности СаАэ и 1пР.

Отметим наиболее важные в практическом отношении конкретные результаты диссертационной работы.

1. Разработан метод комплексной диагностики электронного состояния реальной поверхности ваАв и 1пР, основанный на проведении совместных измерений планарной фотопроводимости, контактной разности потенциалов, поверхностной фото-ЭДС и малосигнального эффекта поля, позволяющий осуществлять контроль приповерхностного изгиба зон, параметров системы ПЭС, эффективной концентрации примесей и профиля дрейфовой подвижности носителей у поверхности.

2. Предложенная и апробированная в макетной установке новая конструкция динамического конденсатора (зонда Кельвина), позволяющая осуществлять бесконтактные локальные измерения потенциала поверхности и поверхностной фото-ЭДС, может быть рекомендована для лабораторного и промышленного применения с целью выявления объемных неоднородно-стей и контроля степени гетерогенности поверхности полупроводниковых пластин.

3. Развитый в работе метод поверхностного легирования металлами из атомного пучка в вакууме является эффективным способом контролируемого и обратимого изменения изгиба зон на реальной поверхности полу-^ проводников, который находит широкое применение в практике научных исследований.

4. Обнаруженный размерный эффект резкого увеличения кратности фотопроводимости при толщине эпитаксиального слоя, близкой к ширине области обеднения, может быть использован для расчета и оптимизации параметров пленочных фоторезисторов на основе полупроводников А3В5.

5. Выявленные в работе закономерности дальнодействующего влияния ионной имплантации на систему структурных дефектов и электрические свойства 1пР важно учитывать в технологии ионно-лучевой обработки.

6. Установленная взаимосвязь между соотношением компонентов газовой фазы при МОС-гидридной эпитаксии и электрофизическими свойствами объема и поверхности СаАв использована для оптимизации технологических параметров процесса эпитаксии.

7. Предложенные и экспериментально обоснованные в диссертации методы пассивации поверхности могут быть использованы для снижения реком-бинационной активности поверхности и границ раздела в лазерах и фотоэлектронных приборах и для улучшения характеристик и параметров диодов Шоттки и МДП-транзисторов.

Основные положения, представляемые к защите

Положение 1_ (о поверхностной фото-ЭДС в ОаАэ и 1пР) Существенный вклад в формирование поверхностной фото-ЭДС в 1пР и ваАБ вносит захват фотодырок на ловушки в объеме и на внешней поверхности оксидного слоя, обусловленые хемосорбцией кислорода. На реальной поверхности п-1пР этот вклад является доминирующим, что приводит к возникновению аномально инерционной релаксации потенциала поверхности после освещения. Измерения фотоотклика поверхностного барьера при малом отклонении от равновесного потенциала поверхности позволяют выделить барьерную и ловушечную компоненты фото-ЭДС.

Положение 2 (о механизме фотопроводимости эпитаксиальных пленок на полуизолирующих подложках)

Планарная фотопроводимость проводящих эпитаксиальных пленок 1пР и СаАэ при относительно низких уровнях фотовозбуждения обусловлена

изменением ширины поверхностного барьера и барьера на переходе пленка-подложка и связана с величинами фото-ЭДС на этих барьерах. Характерными признаками барьерной фотопроводимости являются логарифмическая зависимость фото-ЭДС от уровня подсветки при измерении в режиме большого сигнала при постоянном освещении и обратно пропорциональная зависимость фото-ЭДС от уровня подсветки при измерении в режиме малого сигнала при модулированном освещении. Различия кинетических и спектральных характеристик фотопроводимости для двух типов барьеров позволяют разделить вклады в фотопроводимость поверхностного и внутреннего барьеров.

Положение 3 (о методах диагностики поверхности ваАБ и 1пР) Разработанные новые фотоэлектрические методики определения приповерхностного изгиба зон, параметров системы поверхностных состояний, концентрации примеси и дрейфовой подвижности носителей в слое обеднения у поверхности, локального распределения потенциала и фотопотенциала по поверхности пластины, позволяют получить комплексную информацию о качестве подготовки и электронном состоянии реальной поверхности ЭаАБ и 1пР.

Положение 4 (об управлении электростатическим потенциалом и электронными свойствами поверхности 1пР)

На реальной поверхности 1пР отсутствует жесткое закрепление уровня Ферми. Легирование поверхности металлами, окисление, различные адсорбционные и химические воздействия позволяют изменять величину приповерхностного изгиба зон в пределах ~ ДЕд/2 и управлять состоянием поверхности и характеристиками тонких пленок.

Поверхностное легирование металлами из атомного пучка в вакууме вызывает неравновесное изменение состояния поверхности, проявляющееся в накоплении на ней избыточного положительного заряда и в релаксации этого заряда после легирования. Эффект поверхностного легирования обусловлен нарушением адсорбционно-десорбционного равновесия в системе

«полупроводник-оксид-атмосфера» вследствие взаимодействия атомов металла с хемосорбированным кислородом.

Положение 5 (об управлении поверхностными свойствами СаАэ в условиях закрепления уровня Ферми).

Величина приповерхностного потенциального барьера в СаАэ монотонно уменьшается с ростом уровня объемного легирования. Анализ этой зависимости позволяет оценить степень закрепления уровня Ферми при различных обработках поверхности. В условиях жесткого закрепления уровня Ферми на поверхности можно, используя некоторые физико-технологические воздействия (варьирование режима МОС-гидридной эпитаксии, осаждение островкового покровного слоя золота, окисление поверхности), в значительной мере управлять эффективной высотой приповерхностного потенциального барьера, фотоэлектрическими свойствами тонких пленок, а также осуществлять корректировку концентрации и дрейфовой подвижности носителей вблизи поверхности.

Положение 6 (о методах пассивации поверхности ОаАв)

Предложенные в работе новые методы пассивации поверхности ваАв (облучение вакуумным ультрафиолетом, модифицированная сульфидная обработка, фосфидная пассивация, гетероэпитаксиальная пассивация) позволяют значительно снизить приповерхностный изгиб зон, плотность поверхностных центров захвата и рекомбинации, стабилизировать состояние поверхности и улучшить характеристики диодов с барьером Шоттки.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы докладывались на II Всесоюзном симпозиуме по активной поверхности твердых тел (Тарту, 1977), VI Всесоюзном совещании по поверхностным явлениям в полупроводниках (Киев, 1977), Всесоюзных семинарах «Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников» (Новосибирск, 1978, 1980, 1981), Всесоюзной конференции «Физика диэлектриков и новые области ее применения» (Караганда, 1978), Всесоюзной конференции по проблемам функциональной микроэлектроники

(Горький, 1980), VII Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик (Новосибирск, 1980), IX Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Казань, 1980), Всесоюзной конференции «Физика окисных пленок» (Петрозаводск, 1982), II Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 1982), Всесоюзном симпозиуме «Физика поверхности твердых тел» (Киев, 1983), VIII Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев, 1984), Всесоюзной школе-семинаре «Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями» (Ташкент, 1984), Всесоюзной конференции «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники» (Минск, 1985), I Всесоюзном семинаре «Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники» (Устинов, 1987), IX Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности и в тонких слоях полупроводников (Новосибирск, 1988), VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький, 1988), V Всесоюзной конференции «Волоконно-оптические системы передачи ВОСП-88» (Москва, 1988), I Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники» (Ленинград, 1989), Всесоюзной конференции «Поверхность-89» (Черноголовка, 1989), Всесоюзной научной конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент, 1989), VI Республиканской конференции «Физические проблемы МДП - интегральной электроники» (Севастополь, 1990), V Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Калуга, 1990), XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990), X Всесоюзной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью твердых тел» (Москва, 1991), Республиканском семинаре «Физика поверхности и молекулярная электроника» (Ульяновск, 1991), I Национальной конференции «Дефекты в полупроводниках» (С.-Петербург, 1992), I, II и III Всероссийских конференциях по физике полупроводников (Н. Новгород, 1993; Зеленогорск, 1996;

Москва, 1997), Всероссийской конференции «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов» (Н. Новгород, 1996), IV Всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 1998), а также на семинарах в ряде исследовательских центров (ИФМ РАН, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Технический университет Молдовы, НИИ ФП, НПО «Салют», НПО «Кварц» и др.).

Основное содержание диссертации отражено в 72 работах, из них 49 статей в центральных научных журналах, 21 публикация в материалах симпозиумов, конференций, совещаний и семинаров, 1 авторское свидетельство. Некоторые материалы диссертации вошли в учебное пособие «Физические процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах при освещении» (Горький, 1988) и лекционные курсы «Физика поверхности полупроводников», «Физика полупроводниковых приборов», «Основы радиоэлектроники», читаемые автором для студентов физического факультета ННГУ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Бедный, Борис Ильич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Выполнено многоплановое исследование электронных свойств реальной поверхности СаАэ и 1пР, в результате которого выявлены общие закономерности и особенности приповерхностных фотоэлектронных процессов в этих материалах, предложены новые фотоэлектрические методы диагностики, а также способы модификации поверхности для управления положением уровня Ферми на поверхности и электрофизическими параметрами приповерхностной области, снижения плотности поверхностных центров захвата и рекомбинации, стабилизации состояния поверхности и улучшения характеристик приборных структур.

2. Методом динамического конденсатора обнаружено и изучено явление длинновременной поверхностной фото-ЭДС в фосфиде индия. Построена феноменологическая модель, описывающая основные закономерности кинетики, температурные и люкс-вольтовые характеристики фото-ЭДС. Показано, что особенности явления обусловлены захватом фотодырок на ловушки, распределенные в оксидном слое в пределах длины туннелирования от границы раздела и связанные с хемосорбцией кислорода.

3. В результате теоретического и экспериментального исследования фактора идеальности поверхности г|, характеризующего наклон люкс-вольтовых характеристик фото-ЭДС в полулогарифмических координатах, установлено, что в широкозонных полупроводниках с приповерхностным слоем обеднения параметр г| является чувствительным индикатором электронного состояния поверхности. Показана возможность оценки качества подготовки поверхности по величине этого параметра.

4. Исследование ПФЭ при малом отклонении потенциала поверхности от равновесного значения показало, что в этих условиях можно выделить барьерную и ловушечную компоненты фото-ЭДС, которые различаются по величине, времени релаксации и температурной зависимости. Наличие поверхностных ловушек приводит к увеличению фоточувствительности, инерционности фотоотклика и энергии активации фото-ЭДС. Из сравнения экспериментальных данных с теорией следует, что на окисленной поверхности СаАэ фотоэффект имеет в основном ловушечную природу; пассивация поверхности приводит к значительному уменьшению концентрации ловушек, и доминирующим становится барьерный механизм фото-ЭДС.

5. Получены прямые экспериментальные доказательства барьерной природы планарной фотопроводимости в ¡-п структурах на основе СаАэ и 1пР. Развита барьерная модель фотопроводимости, получены простые аналитические выражения, описывающие экспериментальные зависимости фотопроводимости от интенсивности освещения, изгиба зон и фото-ЭДС. Разработаны методики разделения вкладов в фотопроводимость поверхностного и внутреннего (¡-п) барьеров, основанные на различии кинетических и спектральных характеристик фотоэффектов на этих барьерах.

6. Предложены и экспериментально обоснованы новые фотоэлектрические методы диагностики электронного состояния поверхности, приповерхностных слоев обеднения и переходных слоев в эпитаксиальных структурах, позволяющие определять положение уровня Ферми на поверхности, эффективную концентрацию примеси и дрейфовую подвижность электронов вблизи поверхности, энергетическое распределение параметров поверхностных состояний, фото-ЭДС на границе подложка-пленка. Разработана новая конструкция динамического конденсатора (зонда Кельвина), на базе которой создано устройство для проведения локальных измерений потенциала и фотопотенциала поверхности, пригодное для выявления поверхностных и объемных неоднородностей.

7. Впервые с использованием новых диагностических методик выполнено комплексное исследование электронного состояния поверхности 1пР (изгиб зон, положение уровня Ферми, плотность поверхностных состояний, кинетика релаксационных процессов) при адсорбционных, термических, окислительных, ионных и химических обработках. Установлены основные закономерности влияния физико-химического состояния поверхности на ее электронные свойства. Выявлена определяющая роль в формировании поверхностного заряда «медленных» состояний адсорбционной природы и «быстрых» ПЭС, обусловленных разупорядочением границы раздела полупроводник-оксид. Предложены способы модификации поверхности, позволяющие варьировать положение поверхностного уровня Ферми в пределах ~ АЕд/2 и управлять электрическими и фотоэлектрическими характеристиками тонких пленок 1пР.

8. Исследованы электрофизические свойства реальной поверхности 1пР при поверхностном легировании металлами из атомного пучка в вакууме. Обнаружено обратимое донорное действие атомов металлов, приводящее к спрямлению энергетических зон у поверхности полупроводника п-типа и увеличению изгиба зон и образованию приповерхностного инверсионного канала в полупроводнике р-типа. Сформулированы и обоснованы общие модельные представления о реакциях перезарядки на реальной поверхности полупроводников при адсорбции атомов металлов.

9. Теоретически и экспериментально исследована зависимость положения уровня Ферми на поверхности от концентрации основных носителей в объеме невырожденного полупроводника с приповерхностным слоем обеднения. Установлено, что эволюция изгиба зон при изменении объемного легирования существенно зависит от плотности поверхностных состояний, которая может быть определена из сопоставления теории с экспериментом. Получена количественная информация о степени закрепления уровня Ферми на реальной поверхности СаАэ и при различных способах ее модификации.

10. Показано, что в условиях жесткого закрепления уровня Ферми на поверхности с помощью некоторых физико-технологических воздействий (варьирование режима МОС-гидридной эпитаксии, осаждение островкового покровного слоя золота, окисление поверхности) можно в значительной мере управлять эффективной высотой приповерхностного потенциального барьера, фотоэлектрическими свойствами тонких пленок, а также осуществлять корректировку концентрации и дрейфовой подвижности носителей вблизи поверхности.

11. Обнаружен эффект высокотемпературной фотопамяти потенциала поверхности в системе «п-СаАэ - термический оксид». Показано, что причиной заряжения поверхности при освещении является надбарьерный перенос фотодырок через границу раздела и их захват на глубокие ловушки в оксидном слое. Установлена энергетическая диаграмма окисленной поверхности СэАб, объяснены температурные изменения электронной структуры границы раздела.

12. Показана возможность применения фотохимического окисления СаАэ при облучении вакуумным ультрафиолетом для целей пассивации поверхности и управления высотой барьера Шоттки.

13. Установлено, что стандартная («влажная») методика сульфидной пассивации не в полной мере удовлетворяет требованиям, предъявляемым к пассивирующим слоям. Предложена модифицированная технология сульфи-дирования, включающая химическую обработку и вакуумный отжиг, которая обеспечивает значительное снижение плотности поверхностных центров захвата и «открепление» уровня Ферми на свободной поверхности ОаАэ и границах раздела А1/ОаАз, Аи/ОаАэ.

14. Предсказан, обнаружен и исследован эффект пассивации при обработке СаАв в парах фосфина сразу после завершения процесса газофазной эпитаксии. Установлено, что фосфидная пассивация наряду с уменьшением изгиба зон, плотности поверхностных состояний и скорости поверхностной рекомбинации обеспечивает длительную консервацию состояния поверхности.

15. Обоснована модель гетероэпитаксиальной пассивации поверхности СаАБ с помощью покровного слоя lno.5Gao.5P- Основные закономерности влияния гетероэпитаксиальной пассивации на электронные свойства поверхности СаАэ объяснены образованием структурно совершенной границы GaAsZlno.5Gao.5P, относительно низкой плотностью состояний на внешней поверхности lno.5Gao.5P и ограничением рекомбинационных потоков носителей на эту поверхность барьером гетерослоя.

Исследования, результаты которых изложены в диссертации, были нацелены на разработку физических основ диагностики и методов управления электронными свойствами реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия. Совокупность решенных в работе задач и сформулированные наиболее существенные результаты и выводы диссертации, по нашему мнению, позволяют заключить, что основная цель работы может считаться достигнутой.

Работа выполнялась в Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского (кафедра физики диэлектриков и полупроводников и кафедра полупроводниковых приборов) и в Научно-исследовательском физико-техническом институте при ННГУ в соответствии с утвержденным планом основных НИР (темы: «Комплексное исследование физико-химических и технологических проблем твердотельной электроники и оптоэлектроники» /координационный план АН СССР, 1981-1985/; «Физика поверхности и тонких слоев полупроводников» /план Министерства высшего и среднего специального образования РСФСР, 1987-1991/, «Разработка принципов построения о с совершенных межфазных границ А В - диэлектрик» /ФТ-36, № г. р. Х14186, 1991-1994/, «Фундаментальные основы разработки материалов и процессов электронной техники» /межвузовская программа «Университеты России», 1994/ ), а также поддерживалась грантами Министерства общего и профессионального образования РФ /1992-1994/, Международного научного фонда /1993/ и Международной программы образования в области точных наук ЛввЕР, №№ сШЗ, с1931,1995-1997/.

Автор выражает глубокую благодарность профессору ИГОРЮ АЛЕКСЕЕВИЧУ КАРПОВИЧУ за неизменный интерес к данной проблематике, плодотворные идеи, советы и замечания, высказанные в течение нашей многолетней совместной работы в области физики поверхности полупроводников.

Большой вклад в развитие техники лабораторных исследований и создание экспериментальной базы для данной работы внес Александр Николаевич Калинин.

Автор считает своим приятным долгом выразить признательность проф. В.А. Пантелееву и д.ф.-м.н. С.Н. Ершову за постоянную поддержку работы; ведущему научному сотруднику НИФТИ Б.Н. Звонкову, проф. П.Б. Болдыревскому, доценту C.B. Тихову, к.ф.-м.н. Е.А. Усковой, бывшим аспирантам - к.ф.-м.н. А.Н. Савинову, к.ф.-м.н. Н.В. Байдусю, Д.А. Сухих за длительные совместные исследования, а также д.ф.-м.н. Д.И. Тетельбауму, д.х.н. В.А. Перевощико-ву, к.ф.-м.н. И.Г. Машиной, д.ф.-м.н. Г.С. Коротченкову ( Технический университет Молдовы), д.т.н. А.Т. Гореленку и к.ф.-м.н. Н.-М. Шмидт (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург), к.ф.-м.н. И.Н. Цыпленкову (НИИ материаловедения им. А.Ю. Малинина, Зеленоград) за организационную, консультационную и техническую помощь в проведении исследовании.

СПИСОК АВТОРСКИХ ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1*. Карпович И.А, Калинин А.Н., Бедный Б.И., Бенедиктов Ю.А. Длинновременные изменения поверхностного потенциала монокристаллов CdGeP2 при освещении. // Изв. ВУЗов, Физика. 1976. №3. С. 51-54.

2*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А, Подольский В.В. Исследование поверхностной фото-ЭДС при поверхностном легировании. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. №7. С. 115-116.

3*. Бедный Б.И., Тихов C.B., Калинин А.Н., Карпович И.А Об электрической активности атомов индия на окисленной поверхности G a As II Изв. ВУЗов. Физика. 1981. №11. С. 101-106.

4*. Бедный Б.И., Шилова М.В., Тихов C.B., Карпович И.А. Влияние анодного окисления на фотопроводимость и состояние поверхности эпитаксиального GaAs. // ФТП. 1980. Т.14. №11.0.2134-2138.

5*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Савинов А.Н. Длинновременная поверхностная фо-то-ЭДС в фосфиде индия. // Материалы IX Всесоюзного симпозиума "Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников". Ч.1., Новосибирск, 1988, с. 41-42.

6*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Перевощиков В.А., Савинов А.Н. Влияние окисления поверхности на поверхностную фото-ЭДС в фосфиде индия.// Там же, с. 43 - 44. 7*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Паршков В.Г., Савинов А.Н. Поверхностная фото-ЭДС в пленках GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. // Матер. VIII Всес. конф. "Методы получения и анализа высокочистых веществ", Ч.З., Горький, 1988, с. 222-224.

8*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Савинов А.Н. Влияние состояния поверхности на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фото-ЭДС в GaAs.// Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. №4. С.83 - 87.

9*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Савинов А.Н. Влияние термообработки на потенциал поверхности и поверхностную фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. №6. С. 64-67.

10*. Карпович И.А., Савинов А.Н., Бедный Б.И. Поверхностная фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. №11. С. 105 -109. 11*. Бедный Б.И., Грязнов Ю.М., Гинзбург А.Д., Зайцев Ю.С., Комарова Т.В., Николаев Л.Н. Быстродействующий арсенидгаллиевый фотодиод Шоттки для оптоэлек-тронных преобразователей. // Волоконно-оптические системы передачи ВОСП-88. Матер. V Всес. конф. М., 1988, с. 87 - 89.

12*. Байдусь Н.В., Бедный Б.И., Карпович И.А., Руссу Е В., Савинов А.Н. Влияние адсорбции металлов на потенциал поверхности p-lnP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №12. С. 75 - 78.

13*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Савинов А.Н. Влияние состояния поверхности на длинновременную поверхностную фото-ЭДС в InP. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №11. С. 92 - 97.

14*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. Влияние рекомбинации в области пространственного заряда на люкс-вольтовые характеристики поверхностной фото-ЭДС в GaAs и InP.//ФТП. 1993. V. 27. №7. С. 1125- 1129.

15*. Карпович И.А., Бедный Б.И., Богданов Е.П., Байдусь Н.В. Малосигнальная поверхностная фото-ЭДС в GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 89. С. 25-32.

16*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А. Зависимость стационарной фотопроводимости от фотопотенциала поверхности в GaAs. // ФТП. 1983. Т. 17. №7. С. 1302 -1304.

17*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А , Савинов А.Н. О фоточувствмтельно-сти эпитаксиальных пленок GaAs. // Изв. ВУЗов, физика. 1984. №12. С. 84 - 85. 18*. Савинов А.Н., Бедный Б.И., Калинин А.Н., Паршков В. Г. Влияние приповерхностных избытков галлия и мышьяка на эффект поверхностного легирования GaAs индием. //Тезисы докладов VIII Всес. совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Ч. 2. Киев. 1984. С. 76.

19*. Калинин А.Н., Бедный Б.И. Одновременное измерение контактного потенциала и проводимости полупроводника. // Приборы и техника эксперимента. 1977. №1. С. 242 -243.

20*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А. Исследование поверхностных ловушек в GaAs методами поверхностного легирования и эффекта поля. /./ ФТП. 1977. Т.11. №2. С. 325-330.

21*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Болдыревский П.Б., Степанов A.C., Федосеева Н.В. Фотопроводимость 5-легированных слоев GaAs. // Материалы XII Всес. конф. по физике полупроводников. Киев: Наукова думка, Ч. 2. 1990. С. 107-109. 22*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Болдыревский П.Б., Степанов A.C., Федосеева Н.В. Фотопроводимость и конденсаторная фото-ЭДС в 5-легированных слоях GaAs.//ФТП. 1991. Т.25. № 8. С. 1450 -1453.

23*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Савинов А.Н. Об измерении фото-эдс в i-n- переходах на основе GaAs методом Кельвина.// Изв. ВУЗов, физика. 1987. №8. С. 108 -111.

24*. Бедный Б.И. Физические процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах при освещении. Горький, Изд. ГГУ, 1988 , 57 с.

25*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В., Планкина С.М., Степихова М.В., Шилова М.В. Барьераная фотопроводимость эпитаксиальных пленок GaAs и InP. // Матер. I Всес. конф. "Физические основы твердотельной электроники". Ленинград, 1989. Т. В. С. 258-259.

26*. Бедный Б.И. Фотоэлектрическая диагностика приповерхностных слоев обеднения в GaAs и InP. // Матер. Iii Всеросс. конф. по физике полупр. «Полупроводники -97». Москва, ФИАН, 1997, с. 303.

27*. Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Планкина С.М., Степихова М.В., Шилова М.В. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP.// ФТП. 1989. Т. 23. №.12. С. 2164 - 2170.

28*. Карпович И.А., Бедный Б.И., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Звонков Б.Н., Степихова М.В. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs. II ФТП. 1993. Т.27. №10. С. 1736- 1742.

29*. Карпович И.А., Калинин А.Н., Бедный Б.И. Определение параметров поверхности полупроводника при поверхностном легировании. // ФТП. 1976. Т. 10. №7. С. 1402 - 1405.

30*. Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.В. Влияние адсорбционных состояний на приповерхностный изгиб зон в п-1пР. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. №1. С. 94-97.

31*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А., Савинов А.Н. Определение параметров поверхностных электронных состояний в ваАз комбинированным методом дифференциального эффекта поля и фотопотенциала поверхности. // Физика поверхностных явлений в полупроводниках , Киев : Наукова думка, 1984, с. 42 - 43. 32*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А., Савинов А.Н. Определение сечений захвата электронов поверхностными уровнями прилипания в ОаАэ. Деп. ВИНИТИ, 1984. № 5293-84 деп. 11 с.

33*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А. О подвижности в эффекте поля при непрерывном энергетическом спектре поверхностных состояний. // ФТП. 1979. Т. 13. №7.0.1436-1438.

34*. Бедный Б. И., Болдыревский П. Б., Калинин А. Н., Карпович И. А., Паршков В. Г. Электрофизические свойства субмикронных слоев ОаАэ, полученных газофазной эпитаксией в системе Са(СН3)3-АэНз- Н2. // Изв. ВУЗов, физика. 1981. №11. С. 121 -124.

35*. Бедный Б. И., Болдыревский П. Б., Паршков В. Г., Ткаченко С. Л., Калинин А. Н. Газофазная эпитаксия структур ОаАз - АЮаАэ с высокой подвижностью электронов. // Матер. II Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетерост-руктурах. Т.2, Одесса, 1982, с.58 - 59.

36*. Бедный Б. И., Василевский М. И., Карпович И. А. Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно - ловушечной поверхностной фото-ЭДС. // ФТП. 1989. Т. 23. №2. С. 362 - 364.

37*. Бедный Б. И., Калинин А. И., Карпович И.А. Определение приповерхностной подвижности электронов в эпитаксиальном СаАз. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Вып. 11(172). С. 22-24.

38*. Бедный Б. И., Савинов А. Н., Калинин А. Н. Возможности метода Кельвина в исследовании субмикронных эпитаксиальных структур на полуизолирующем ваЛв. // Сб.: Состояние и перспективы развития микроэлектроники, Минск, 1985, ч. 1, с. 97. 39*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Савинов А. Н. Устройство для измерения потенциала поверхности полупроводников. Авторское свидетельство на изобретение № 1431616 от 15.06.88. Заявка №4188428, приоритет от 29.01.87. 40*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. О стабилизации эффекта поверхностного легирования пленок селенида кадмия. // Микроэлектроника. 1976. Т. 5. № 3. С. 289 - 290.

41*. Калинин А. Н., Бедный Б. И., Карпович И. А. Влияние адсорбции атомов металлов в вакууме на свойства реальной поверхности германия. // Изв. ВУЗов, Физика,

1976. №4, С. 122-124.

42*. Карпович И. А., Бедный Б. И., Калинин А. Н. Неравновесное изменение состояния поверхности ве и 81 при адсорбции атомов металлов в вакууме. // ФТП. 1976. Т. 10. №10. С. 1856-1859.

43*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. О нейтрализации эффекта поверхностного легирования на контакте металл-полупроводник. // Изв. ВУЗов, Физика.

1977. №3. С.131 - 134.

44*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А., Тихов С. В. Влияние легирования индием границы раздела двухслойного диэлектрика на свойства МОП-структуры. // Микроэлектроника. 1978. Т. 7. № 3. С. 266 -270.

45*. Бедный Б. И., Ершов С. Н. Пантелеев В. А. Эффект дальнодействия при механической обработке арсенида галлия. // ФТП. 1985. Т. 19. № 10. С. 1806 - 1809. 46*. Baidus' N. V., Bednyi В. I., Belitch T. V., Teíelbaum D. I. Long-range effect of ion irradiation on the system of defects in indium phosphide. // Defect and Diffusion Forum. 1993. V. 103 -105. P. 57 -60.

47*. Байдусь H. В., Бедный Б. И., Данилов Ю. А. Влияние ионной имплантации на электронное состояние поверхности фосфида индия. // Взаимодействие ионов с поверхностью, М., 1991, с. 123 - 126.

48*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Белич Т. В., Карпович И. А. Влияние сульфидиро-вания на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства !пР и GaAs. // ФТП. 1992. Т. 26. №8. С. 1383- 1389.

49*. Бедный Б. И., Суслов Л. А., Байдусь Н. В., Карпович И. А. Электронное состояние поверхности InP, модифицированной обработкой в парах серы. // ФТП. 1992. Т. 26. № 11. С. 1983- 1985.

50*. Байдусь Н. В., Бедный Б. И., Карпович И. А. Влияние адсорбции металлов на состояние поверхности InP. И Материалы всес. конф. «Поверхность-89». Черноголовка, 1989, с. 124-125.

51*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В., Карпович И. А., Лаганина М.В., Цыпленков И.И., Щукин Р.Н. Электрофизические свойства окисленной поверхности фосфида индия. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. № 12. С. 47 - 50. 52*. Байдусь Н. В., Бедный Б. И., Белич Т. В., Тетельбаум Д. И. Дальнодействующее влияние ионного облучения на систему дефектов в фосфиде индия. // Дефекты в полупроводниках, Санкт Петербург, 1992, с. 30 - 33.

53*. Бедный Б. И. Фотоэлектрическая диагностика электронного состояния поверхности широкозонных полупроводников А3В5. // Тезисы докл. I Росс, конф.- по физике полупроводников. Н. Новгород, 1993, с. 82.

54*. Бедный Б.И. Зависимость приповерхностного изгиба зон в n-GaAs от объемной концентрации носителей заряда. // Поверхность. 1993. № 10. С. 58 - 64. 55*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А , Савинов А.Н. Влияние термообработки на эффект поверхностного легирования арсенида галлия индием. // Сб.: Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники, Устинов, 1987, с. 10.

56*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А , Тихов С. В. О температурных изменениях электронного состояния поверхности GaAs. // ФТП. 1980. Т. 14. № 9. С. 1851 -1854.

57*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Савинов А. Н., Перевощиков В. А. Влияние органических растворителей на электронное состояние поверхности эпитаксиального GaAs. // Электронная техника, Сер. 7 ТОПО. 1989. № 5(156). С. 16 -18. 58*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Влияние освещения на потенциал окисленной поверхности GaAs. // Микроэлектроника. 1980. Т. 9. № 6. С. 564 - 568. 59*. Тихов C.B., Мартынов В.В., Бедный Б.И., Карпович И.А. Изменение зарядового состояния структуры металл-анодный окисел-арсенид галлия под действием ультрафиолетового облучения. // Электрон, техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1982. №6(157). С. 18-23.

60*. Бедный Б. И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Температурные и световые изменения потенциала окисленной поверхности GaAs. // Матер. VII Всес. симпозиума по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. 4.1. Новосибирск: ИФП АН СССР, 1980, с, 28 - 30. 61*. Тихов С. В., Мартынов В. В., Бедный Б. И., Карпович И. А. Электронные и ионные явления в структуре Ме-анодный окисел-GaAs. // Там же, ч.2, с. 238 -240. 62*. Бедный Б.И., Калинин А.Н., Карпович И.А., Тихов С.В. Электрофизические свойства окисленной поверхности GaAs. // Физика окисных пленок, Нетроз 380дск, ПГУ, 1982, с. 75-76.

63*. Тихов С.В., Бедный Б.И., Карпович И.А., Мартынов В.В. О зарядовом состоянии диэлектрика в структуре арсенид галлия -анодный окисел. // Микроэлектроника. 1981. Т. 10. № 3. С. 250-252.

64*. Бедный Б.И., Бенедиктов Ю.А., Калинин А.Н., Карпович И.А. Влияние термовакуумной обработки на свойства поверхности эпитаксиального GaAs. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. №3. С. 30 - 34.

65*. Бедный Б.И., Ершов С.Н., Круглова Е.Н. Влияние легирования поверхности ар-сенида галлия золотом на характеристики контакта Al - (n+-GaAs). // Изв. ВУЗов, Физика. 1985. № 2. С. 80 - 84.

66*. Бедный Б.И., Озеров А.Б., Ершов С.Н. Влияние термовакуумной обработки на фотопроводимость и фотопотенциал легированной золотом поверхности GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. № 7. С. 73 - 77.

67*. Бедный Б.И. Электронные свойства поверхности полупроводников А3В5: диагностика, управление, пассивация. II Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов, Н,- Новгород, ННГУ, 1996, с. 33-34.

68*. Бедный Б.И., Сухих Д.А., Ускова Е.А. Электронное состояние поверхности GaAs, модифицированной вакуумным ультрафиолетом. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 18. С. 35-39. : ;

69*. Бедный Б.И., Ускова Е.А. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня ферми в контакте AI/GaAs. // Поверхность,- Физика, химия, механика. 1994. №6. С. 85 - 88.

70*. Бедный Б.И., Байдусь Н.В. Сульфидная пассивация поверхности арсенида галлия: открепление уровня ферми. II ФТП. 1995. Т. 29. №8. С. 1488 - 1493. 71*. Бедный Б.И., Байдусь Н.В. .Ускова Е.А. Электронные свойства поверхности GaAs(100), модифицированной обработкой в парах фосфина. II II Росс. конф. по физике полупров. Т. II., Зеленогорск (С.-Петербург), 1996. С. 37. 72*. Бедный Б. И., Байдусь Н. В. Пассивация поверхности GaAs при обработке в парах фосфина. // ФТП. 1996. Т. 30. № 2. С. 236 - 243.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бедный, Борис Ильич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Dember Н. Uber die Vorwärtsbewegung von Elektronen durch Licht. // Phys. Zeitschrift: 1932. V. 33. #3. P. 207-208.

2. Brillson L.J., Kruger D.W. Photovoltage saturation and recombination at AI-GaAs inierfacial layers. // Surf. Sei. 1981. V. 102. #2-3. P. 518-526.

3. Лашкарёв B.E. Возникновение электродвижущих сил в полупроводниках. // ЖЭТФ. 1948. Т. 18. #10. С. 417-425.

4. Frankl D.R., Ulmer Е.А. Theory of the smallsignal photovoltage at semiconductor surface.//Surf. Sei. 1967. V. 6. #1. P. 115 -122.

5. Johnson E.O. Measurement of minority carrier lifetimes with the surface photovoltage.//Phys. Rev. 1958. V.111. P.153 -164.

6. Williams R. Measurement of surface photovoltage on CdS. II J. Phys. Chem. Solids. 1962. V. 23. P. 1057-1071.

7. Flinn I. The surface properties of n-GaAs. // Surf. Sei. 1968. V.10. #1. P. 3257.

8. Baimistrov V. M., Gorban A. P., Litovchenko V. G. Photovoltage induced by capture of photo-carriers by surface traps. // Surf. Sei. 1965. V.3. #5 P. 445 -460.

9. Д митру к H. П., Ляшенко В. Vi. Исследование конденсаторной фото-ЭДС в n-GaAs. // УФЖ. 1966. Т. 11. #2. С. 2-11.

Ю.Зуев В. А., Саченко А. В., Толпы го К. Б. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М. : Сов. радио. 1977, 256 с.

11. Саченко А. В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полу проводников. Киев: Наукова думка.1984. 231 с.

12. Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М. : Наука. 1971, 480 с.

13. Szaro L. Analysis of the surface photovoltage under subband illumination: effect of the bulk traps. II Surf. Sei. 1984. V. 137. P. 311-326.

14. Остроумова E.B. Инфракрасная поверхностная фотоэде на кремнии. // ФТП. 1969. Т. 3. #7. С. 1095-1097.

15. Gatos Н.С., Lagowski J., Banisch R. Surface photovoltage spectroscopy -application to the study of ptotosensitive surfaces and interfaces. // Pho-tog.Sci.Eng. 1982. V.26. #1. P. 42-49.

16. Давыдов И.А. Развитие метода спектроскопии поверхностной фото-эде и его применение для исследования полупроводников А2В6. Дисс. ... канд. физ,- мат. наук. Ленинград, ЛГУ. 1986.

17. Darling R.B. Defect-state occupation, Fermi-level pinning, and illumination effects on free semiconductor surfaces. // Phys.Rev.B. 1991. V. 43. #5. P. 4071-4083.

18. Savada Т., Numata K., Tohdoh S., Saitoh Т., Hasegava H. In-situ characterisation of semiconductor surfaces by novel photoluminescence surface state spectroscopy. //Jpn. J. Appl.Phys. 1993. V32. #1B . P. 511-517.

19. Zhang X., Song J. The effect of surface recombination on surface photovoltage in semiconductors. //J. Appl. Phys.1991. V. 70. #8. P. 4632-4633.

20. Дмитрук Н. П., Крюченко Ю.В., Литовченко В. Г., Степанова М. А. Расчет дифференциальной поверхностной фото - ЭДС и её применение для определения диффузионной длины. // Поверхность. 1992. #6. С. 91- 98.

21. Garrett С. G. В., Brattain Н. The Physical theory of semiconductors surface. // Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 376 - 398.

22. Moore A.R. Theory and experiment on the surface-photovoltage diffusion-length measurement as applied to arnorfphous silicon. // J. Appl. Phys.1983. V. 54(1). P. 222 -228.

23. Zhang X., He G., Song J. Effect of of surface recombination and injection level on the diffusion length obtained by simulation of the SPV method. // Semicond. Sci. Technol. 1992. V. 7. P. 888 - 891.

24. Константинов О. В., Царенков Б. В. Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении. // ФТП. 1990. Т. 24. № 12. Р. 2126-2134.

25. Flinn J., Briggs М. Surface measurement on GaAs. // Surf. Sci. 1964. V. 2. #1. P. 136 -145.

26. Дмитрук Н.Л. Структура, электронные состояния и электрофизические свойства поверхности арсенида галлия. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. #1. С. 38-51.

27. Ершова Т.П., Ершов С.Г., Жуков В.Е., Кораблев В.В., Тюкин В.¡О. Методика и результаты исследования кинетики поверхностной фото-здс в GaAs. // ФТП. 1989. Т. 23. #2. С. 323 - 327.

28. Ершов С.Г., Жуков В.Е., Козлов Д.А., Кораблев В.В. Новые аспекты исследо вания эффекта фото-эдс в полупроводниках. // Радиотехн. и электрон. 1991. № 7. С. 1328 -1344.

29. Дмитрук Н. Л., Ляшенко В. И..Терещенко А. К. Влияние света на работу выхода монокристаллов GaAs при низких температурах. // УФЖ. 1972. Т. 17. #8. С. 1356- 1358.

30. Lagowski J., Edelman P., Morawski A. Non-contact deep level transiet spectroscopic (DLTS) based on surface photovoltage. // Semicond.Sci.Technol. 1992. V. 7. P. A211 -A214.

31. Annual Book of ASTM Standards on Electronics. 1978. Part 43 F391 (Philadelphia: ASTM ). P. 773.

32. Szuber J. Surface photovoltage spectroscopy investigations of the electronic surface states on GaAs surfaces. // J. Electron. Spectroscop. 1990. V. 53. P. 19-28.

33. Hecht M.H. Photovoltaic effects in photoemission studies of Schottky barrier formation. //J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 8. #4. P. 1018 -1024.

34. Венгер Е.Ф., Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Чернобай В.А. Электронные свойства реальной и сульфидированной поверхности (100) n-GaAs. // Поверхность. 1996. #12. С. 59 - 65.

35. Hasegawa Н., Sawada Т. On the electrical properties of compound semiconductor interfaces in metal (insulator) semiconductor structures. // Thin Solid Films. 1983. V. 103. #1-2. P. 119-140.

36. Brillson L.J., Shapira Y., Heller A. InP surface states and reduced surface recombination velocity. //Appl. Phys. Lett. 1983. V. 43(2). P. 174 - 176.

37. Гейзер С.В., Коринфский А.Д., Мусатов А.Л. Спектры поверхностных состоя- ний фосфида индия. // Тезисы докл. IX Всес. симпозиума "Электронные процес сы на поверхности и в тонких слоях полупроводников". Ч. 1. Новосибирск. 1988. С. 115 -116.

38. Ismail A., Paluu J.M., Lassabatere L. Formation de inerface metal / InP et de diodes Schottky sur InP. // Rev. Phys. Appl. 1984. V. 19. #3. P. 205-214.

39. Ismail A., Ben Brahim A., Paluu J.M , Lassabatere L. Comparison between GaAs (110) and InP (110) surfaces properties induced by cleavage defects and by oxygen adsorption. //Surf. Sci. 1985. V. 162. P. 195 -201.

40. Коротченков Г.С. Межфазные взаимодействия и электронные процессы в МП, МТДП и МОП структурах на фосфиде индия. Автореф. дисс. ... докт. физ,- мат. наук. Кишинев ,1990, 32 с.

41. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. / Под ред. Луфта Б.Д. М.: Радио и связь, 1982. С. 136.

42. Koslov S.N. Slow relaxation kinetiecs on a heteroheneous semiconductor surface. // Pyus. Stat. Sol. (a). 1977. V.42. #1. P. 115-124.

43. Быковников A.A., Иванова О.В., Константинов О.В., Львова Т.В., Мезрин О.А. О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры. //ФТП. 1984. Т. 18. #7. С. 1256 -1262.

44. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979, 234 с.

45. Yamaguchi Е., Kobayashi Т. Optical-gated InP-MISFET: a new high-gainoptical detector. //Jpn. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. #1. P. 72 -73.

46. Burkhard H., Dinges H.W., Kuphal E. Optical properties of InGsPAs, InP, GaAs and GaP determined by ellipsometry. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. #1. P. 655 - 662.

47. Овсюк B.H. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 253 с.

48. Бублик В. Т., Мильвидскмй М.Г., Освенский В.Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5. // Изв. ВУЗов, Физика. 1980. №1. С. 7 - 22.

49. Williams R.H. Surfase defects on semiconductors. // Surf. Sci. 1983. V.132. # 1-3. P. 122- 142.

50. Сривастава Г.П. Влияние глубоких уровней на формирование барьера Шоттки. // Труды межд. конф. «Полуизолирующие соединения А|ИВУ», Ноттингем 1980. М. : Металлургия, 1984, с. 196-198.

51. Коротченков Г.С. Проблемы формирования МДП-структур на фосфиде индия. // Обзоры по электронной технике. Сер. Электронйка СВЧ. 1986. Вып. 6(1176). 48 с.

52. Zuev V.A., Seiranyan G.B., Sukach G.A., Tkhorik Yu.A. Potential barrier height anisotropy on free and metallized GaAs surface. // Phys.St.Sol. (a). 1973. V.16. P. K35-K41.

53. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. M.: Радио и связь, 1982, с. 136.

54. Касаткин А.П., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Суслов Л.А. Влияние химико-механического и химико-динамического полирования поверхности на глубокие центры в n-GaAs. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. №6. С. 73 -76.

55. Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Кечек А.Т., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Шульга М.И. Доминирующие рекомбинационные центры в слоях GaAs, полученных осаждением из газовой фазы. // Письма в ЖТФ. 1988. Вып. 14. №2. С. 181 -185.

56. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки полупроводников. 1992. Н. Новгород. 120 с.

57. Hasegawa H., Ohno H. Unified disorder induced gap states model for insulator- semiconductor and metal - semiconductor interfaces. // J. Vac. Sci. Techno!. B. 1986. V. 4. #4. P. 1130 - 1138.

58. Саченко A.B., Крупнова И.В. Расчет рекомбинации в приповерхностной области пространственного заряда квазимонополярных полупроводников. // УФЖ. 1980. Т. 25. Р. 857 - 863.

59. Саченко А.В. Влияние уровня фотовозбуждения на поверхностные эффекты при инверсионных изгибах зон. //ФТП. 1978. Т. 12. №10. С. 1883 - 1888.

60. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1986.

61. Missous М., Rhoderick Е.Н. On the Richardson constant for aluminium/gallium arsenide Schottky diodes. //J. Appl. Phys. 1991. V. 69. #10. P. 7142-7149.

62. Карпович И.А., Алешкин В.Я., Аншон А.В., Бабушкина Т.С., Звонков Б.Н., Малкина И. Г. Фотоэлектрические свойства гетероэпитаксиальных структур GaAs - InGaAs с квантовой ямой. // ФТП. 1990. Т. 24. №12. С. 2172-2176.

63. Карпович И. А., Аншон А.В., Байдусь Н.В., Батукова Л.М., Данилов Ю. А., Звонков Б.Н., Планкина С.М. Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразования на поверхности полупроводников. //ФТП. 1994. Т. 28. №1. С.104-112.

64. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под ред. В.И. Стафеева, М.: Радио и связь, 1984, 216 с.

65. Алферов Ж.И., Горелёнок А.Т., Данильченко В.Г., Каманин А.В., Корольков В.И., Мамутин В.В., Табаров Т.С., Шмидт Н.М. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения. // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. №24. С.1516-1519.

66. Mizuno Н. Microwave characteristics of opticalli controlled GaAs MESFET.// IEEE Trans.Microwave Theori Techn. 1983. V. 31. #7. P. 596 - 600.

67. De Salles A.A. Optical control of GaAs MESFET's. // IEEE Trans. Microwave Theori Techn. 1983. V. 31. #10. P. 812-820.

68. Vilcot J.P., Vaterkovski J.L., Decos D. Temperature effects in high-gain photo-conductive detectors. // Electron Lett. 1984. V. 20. #2. P. 86 - 87.

69. Matsuo N., Ohno H., Hasegava H. Mechanism of high gain in GaAs photocon-ductive detectors under low excitation. // Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. # 5. P. L299 -L301.

70. Костылев C.A., Прохоров Е.Ф., Уколов А Т. Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки. // Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 7 (1188). С. 1 - 40.

71. Klein H.J., Beneking Н., Bimberg D. Ultrafast thin-film GaAs photoconductive detectors // Thin Solid Films. 1982. V. 90. #6. P. 371 - 376.

72. Borkovskaya O.Yu., Dmitruk N.L., Litovchenko V.G., Maeva O.I. The influense of deep levels on photomemory effect in structures with potential barrier. // Phys.Status Solidi. 1984. V. 89. #1. P. 285 - 290.

73. Ill-V photoconductive detectors: gain and noise stadies. // G.P.Vilcot, M.Constant, D.Decoster et al. // Physica.1985. V. BC129. #1-3. P. 488 - 492.

74. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М. 1963. 494 с.

75. Photoconducteurs sur GaAs gain, bruit, structure optimale / D. Packal, F. Ho-bar-Boudebous, L. Laval et al. //Ann. telecommun.1985. V. 40. # 3/4. P. 98 -105.

76. Дмитрук Н.Л., Зуев B.A., Ляшенко В.И..Терещенко А.К. Фотоэлектрические явления в приповерхностной области арсенида галлия. // ФТП. 1970. Т. 4. №4. С. 654 - 662.

77. Горелёнок А.Т., Данильченко В.Г., Добровольские З.П., Корольков В.И., Момутин В.В., Табаров Т.С., Шмидт Н.М., Пулявский Д.В. Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs. // ФТП. 1985. Т. 19. № 8. С. 1460 - 1463.

78. Papaioannov G.J. On the photoresponsivity of GaAs MESFETs. // Phys.Status Solidi (a).1986. V. 96. P. K99 - K101.

79. Edwards W.D. Two- and threeterminal gallium arsenide FET optical detectors. // IEEE Trans. Electron. Divices Lett. 1980. V. EDL-1. #8. P. 167-169.

80. Костылев C.A., Прохоров Е.Ф., Уколов A.T. Явления переноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах. Киев: Наукова думка, 1990, 140 с.

81. Карпович И.А., Аншон А.В., Бедный Б.И., Планкина С.М., Шилова М.В. Применение метода конденсаторной фото-эдс для определения параметров эпитаксиальных гетероструктур. // Материалы V Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Т. 1, Калуга, 1990. С. 183 -184.

82. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Шершакова М.Н. Полуизолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники. // Изв. ВУЗов, физика. 1983. №10. С. 5-17.

83. Дмитрук Н.Л., Терещенко А.К. Собственная фотопроводимость слоя истоще- ния в квазимонополярном полупроводнике. // УФЖ. 1972. Т. 17. №4. С. 612-617.

84. Dmitruk N.L., Lyaschenko V.I., Tereshenko А.К. // Investigation of surface recombi- nation on epitaxial GaAs films. // Phys.Stat.Sol. 1973. V. 20. #1. P. 53-62.

85. Сытен ко Т.И., Тягульский И.П. Остаточная проводимость в эпитаксиальных пленках арсенида галлия. // ФТП. 1974. Т. 8. №. 1. С. 171 -174.

86. Дмитрук Н. Л. Электронные и поляритонные явления на поверхности и границах раздела полярных полупроводников. Автореф. дисс. ... докт. физ. - мат. наук, Киев, 1982, 30 с.

87. Vaterkovsky J.L., Pernisek М., Berdai М. Numerical and experimental study of surface effects on GaAs planar photoconductors. // Solid-State Electron. 1984. V. 27. #2. P. 307- 309.

88. Queisser H.J., Theodorou D.E. Hall-effect analysis of persistens photocurrents in n-GaAs layers. // Phys.Rev.Lett. 1979. V. 43. # 5. P. 401-404.

89. Бьюб P. Фотопроводимость в твердых телах. М.: Ин. лит. 1962, 558 с.

90. Пашковский А.Б., Тагер А.С. Оценка характеристик полевых СВЧ транзисторов с планарным легированием. // Электрон, техн. Сер. Электроника СВЧ. 1988. Вып. 3(407). С. 28 - 32;

Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С. 5 - легированные структуры в технологии арсенидгаллиевых ИС. Микроэлектроника. 1996. Т. 25. №3. С. 199-202

91.Серафин Б, Беннет X. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1970. С. 445-486.

92. Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Лебедев М.В. Изменение работы выхода электронов с поверхности полупроводников А3В5 при сульфидной пассивации. // ФТТ. 1996. Т. 38. №2. С. 563 - 574.

93. Luth Н., Buchel М., Dorn R., Liehr М., Matz R. Electronic structure of cleaved and oxygen-covered GaAs(110) surfaces. // Phys.Rev.B. 1977. V. 15. #2. P. 865 - 874;

94. Мусатов А.Л., Гейзер С.В. Спектры поверхностной фото-эдс р-1пР(100) с субмоноатомными слоями меди. ФТТ. 1991. Т. 33. №1. С. 124 -128.

95. Sugino Т., Yamada Т., Kondo К., Ninomiya Н., Matsuda К., Shirafuji J. Measurement of surface Fermi level in phosphidized GaAs. // Jpn. Appl. Rhys. 1992. V. 31. Part 2. #11 A. P. L1522 - L1524.

96. Бедный Б.И. Исследование электрофизических свойств реальной поверхности некоторых полупроводников при поверхностном легировании металлами. Диссер. ... канд. физ.-мат. наук. Горький, 1977, 164 с.

97. Manzke R., Skibovvski М. Occupied and unoccupied electronic states on lll-V semiconductor surfaces. // Physica Scripta. 1990. V. 31. P. 87 - 95.

98. Белоусов M.B., Горелёнок A.T., Давыдов В.Ю., Каржавин Р.В., Мокина И.А., Шмидт Н.М., Якименко И.Ю. Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методов комбинационного рассеяния света. // ФТП. 1990. Т. 24. №12. С. 2177 -2180.

99. Fahrenbruk A.L., Bube R.H, Fundamentals of solar ceils. Photovoltaic Solar Energy Conversion. N.Y., 1983, 559 p.

100. Sydor M., Engholm J.R., Manasreh M.O.,Stutz C.E., Liou L., Evans K.R. Photoreflectanse and the electric fields in a GaAs depletion region. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56 (18). P. 1769 - 1771.

101. Shen H., Dutta M., Fotiadis L, Newman P.G., Moerkirk R.P., Chang W.H., Sacks R.N. Photoreflectanse study of surfase Fermi ievei in GaAs and GaAIAs. //Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57 (20). P. 2118 - 2120.

102.Alperovich V.L., Paulish A.G., Scheibler H.E., Terekhov A.S. Evolution of electronic properties at the p-GaAs(Cs,0) surface during negative electron affinity state formation. //Appl.Phys.Lett. 1995. V. 66(16). P. 2122 - 2124.

103. Kampen T.U., Trost D., Hou L., Monch W. Surface photovoltage effects on adsorbate-cjvered semiconductor surfaces at low temperatures. //J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. B9(4). P. 2095 - 2099.

104. Wang D.P., Shen T.L. Induced photovoltage effect on barrier height of Au/GaAs from photoreflectans spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. # 5A. P. 1253 -1255.

105. Berkovits V.L., Bessolov V.N., L'vova T.V., Novikov E.V., Safarov V.I., Kha-sieva R.V., Tsarenkov B.V. Study of SFL movement for GaAs(100) during passivation using reflectance anisotropy spectroscopy. // Abstr. 4th European Confer, on Application of Surface and Interface Analysis, Budapest,1991, p.115.

106. Берковиц В.Л., Бессолов B.H., Львова T.B., Новиков Е.Б., Сафаров В.И., Хасиева Р.В., Царенков Б.В. Потенциальные барьеры на поверхности пи р -GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке. //ФТП. 1991. Т. 25. №8. С. 1406 - 1413.

107. Berkovits V.L., Paget D. Optical study of surface dimers on sulfur-passivated (001) GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61 (15). P. 1835 - 1837.

108. Берковиц В.Л., Иванцов Л.Ф., Макаренко И.В., Львова Т.В., Хасиева Р.В., Сафаров В.И. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na2S. // ФТП. 1991. Т. 25. № 3. С. 379 - 384.

109. Анкудинов А.В., Титков А.Н., Иванов С.В., Сорокин С.В., Шмидт Н.М., Копьёв П.С. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия сколов гетероструктур ZnSe/GaAs. ФТП. 1996. Т. 30. № 4. С.730 - 737.

110. Sugahara Н., Oshima М., Oigawa Н., Nannichi Y. Chemistry and structure of GaAs surfaces clened by sulfur anneling. //Thin Solid Films. 1992. V. 220. P. 212-216.

111. Vitomirov I.M., Raisanen A., Brillson L.J., Kirchner P.D., Pettit G.D., Woodall J.M. Processing and Reconstruction Effects on AI-GaAs(100) Barrier Heights. II J. Electron. Mater. 1993. V. 22. #3. P. 309 - 313.

112. Bertness K.A., Kendelevicz Т., List R.S., Williams M.D., Lindau I., Spicer W.E. Fermi level pinning during oxidation of atomically clean n-lnP(110) // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. №3. P.1424 - 1426.

113. Lau W.M., Kwok R.W.M. Controlling surface band-bedding of InP with poliy-sulfide treatments. // Surf. Science. 1992. V. 271. P. 579 - 586.

114. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray Photo- electron Spectroscopy, ed. By J.Chastain, Perkin-Eimer Corp.,1992.

115. Alonso M., Cimino R., Maierhofer Ch., Chasse Th., Braun W., Horn K. Schottky barrier heights and interface chemistry in Ag, In, and Ai overlay-ers on GaP(110). //J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. V. 8. #4. P. 955 - 963.

116. Oshima M., Scimeca Т., Watanabe Y., Oigawa H., Nannichi Y. Oxidation of sulfur-treated GaAs surfaces studied by photoluminescence and photoelec-tron spectroscopy. //Jpn.J.Appl.Phys. 1993. V. 32. Part 1. # 1B. P. 518-522.

117. Aldao C.M., Waddil G.D., Benning P.J., Capasso C., Weaver J.H. Photovoltaic effects in temperature-dependent Fermi-level movement for GaAs (110). // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. # 9. P. 6092 - 6095.

118 Примаченко B.E., Снитко О.В. Физика легированной металлами поверхности полупроводников. Киев : Наукова думка, 1988, 231 с.

119. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984, 455 с.

120. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985, 264 с.

121. Many A., Goldstein Y., Graver N.B. Semiconductor surfaces. Amsterdam: North-Holland Publishing, 1965, p. 244.

122. Савинов A.H. Потенциал поверхности и поверхностная фото-эдс в InP и GaAs. Дисс. ... канд. физ.-мат. наук, Горький, ГГУ, 1988, 173 с.

123. Hasegawa Н., Не L., Ohno Н., Sawada Т., Нада Т., Abe Y., Takahashi Н. Electronic and microstructural properties of disorder-induced gap states at compound semiconductor-insulator interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1987. V. 5. #4. P. 1097- 1107.

124. Hashizume Т., Hasegawa H., Riemenschneider R., Hartnagel H. Process-induced defects in InP caused by chemical vapor deposition of surface passivation dielectrics. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Part 1. #1B. P. 727 -733.

125. Бондаренко Б.В., Будряченко В.Ф., Тишин Е.А. Производственный контроль качества поверхности методом измерения контактной разности потенциалов. // Электронная промышленность. 1978. №2. С. 38 -39.

126. Мажулин А.В. Исследование возможности производственного контроля качества отмывки поверхности кремния методом контактной разности потенциалов. // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1981. Вып. 1 (150). С. 30-31.

127. Жарких Ю.С., Евдокимов А.Д. Контроль результатов химических обработок кремния бесконтактными методами. // Микроэлектрон. 1980. Т. 9. №1. С. 82-85.

128. Клибанов Л.А., Фрид М.И. Электрофизические методы определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках. Препринт 1556 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1991, 25 с.

129. Аристов B.B., Дремова Н.Н., Киреев О.В., Конончук И.И. Неразрушающие методы диагностики планарных структур методомами РЭМ. И Микроэлектрон. 1995. Т. 24. №1. С. 71 - 76.

130. Bonnet J., Soonckindt L., Lassabatere L. //Vacuum. 1984. V. 34. #7. P. 693 -698.

131. Sporken R., Thiry P.A., Pireaux J.J., Caudand R., Adnot A. Work function measurements with a high resolution electron energy loss spectrometer. // Surf. Sci. 1985. V.160. #2. P. 443 - 450.

132. Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor surfaces and interfaces. Akademie-Verlag Berlin, 1988, 484 p.

133. Chang R., Goddard W.A. Reconstruction of the (110) surfaces for lll-V semiconductors. // Surf. Sciense. 1984. V. 144. P. 311 - 320.

134. McKinley A., Parke A.W., Williams P.H. Silver overlayers on (110) indium phosphide: films growth and Schottky barrier formation. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1980. V. 13. P. 6723 - 6736.

135. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.Y., Chye P. Unified mechanism for Schottky barrier formation and III -V oxide interface states. // Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. #6. P. 420-423.

136. Бублик B.T., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Природа и особенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соединений А3В5. // Изв. ВУЗов. Физика. 1980. №1. С. 8 - 28.

137. Wager J.F., Wilmsen C.W. The deposited insulator/I I l-V semiconductor interface. // Phys. and chem. Ill-V compound semicond. Interfaces, New York, London.1985. P.165-211.

138. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P., Su C.Y., Lindau I. New and unified model for Schottky barrier and Ill-V insulater interface states formation. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. V. 16. #5. P. 1422 -1433.

139. Wieder H.H. Surface Fermi level of Ill-V compound semiconductor-dielectric interfaces. //Surf. Sci. 1983. V. 132. P. 390-405.

140.Вайдер Г. //Арсенид галлия в микроэлектронике, М.: Мир, 1988, с. 167 -196.

141. Коротченков Г.С., Молодян И.П. Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия. Кишинев: Штиинца, 1984, 113 с.

142. Spicer W.E. , Kendelewicz Т., Newman N. The mechanism of Schottky barrer pinning in lll-V semiconductors. // Surf. Sci. 1986. V. 168. P. 240 - 259.

143. Li H., Hasegawa H., Sawada Т., Ohno H. A computer analysis of effects of annealing on interface properties using MIS C-V curves. // Jpn.J.Appl.Phys. 1988. Parti. V. 27. #4. P. 512-521.

144. Lester S.D., Kim T.S., Streetman B.G. Ambient-induced surface effects on InP and GaAs. //J. Appl. Phys. 1986. V. 60. # 12. P. 4209 - 4214.

145. Кировская И.А., Хомич В.А., Штабнова В.Л., Сараев В.В. Исследование состояния поверхности соединений типа А3В5 (А-!п) методом электронного парамагнитного резонанса. // Изв. АН СССР, Неорг. Матер. 1987. Т. 23. №10. С. 1732 - 1734.

146. Brattain W.H., Bardeen J. The surface properties of Ge. // Bell Syst. Techn. Journ. 1953. V. 32. #1. P. 1 -32.

147. Киселёв В.Ф. Механизм элементарного акта хемосорбции на поверхности полупроводника. // Адсорбция и адсорбенты. Труды VI Всес. конф. по теоретическим вопросам адсорбции. М.: Наука, 1987, С. 53-60.

148. Clark D.T., Fok Т., Roberts G.G., Sykes R.W. An investigation by electron spectroscopy for chemical analysis of chemical treatments of the (100) surface of n-type InP epitaxial layers. // Thin Solid Films. 1980. V. 70. #2. P. 261-283.

149. Guivarc A., L'Haridon H., Pelous G. Chemical cleaning of InP surfaces: oxide composition and electrical properties. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. #4. P. 1139- 1148.

150. Bertrand P.A. XPS study of у etched GaAs and InP. // J.Vac. Sci. Technol. 1981. V.18. #1. P.28-33.

151. Holinger G., Bergignat E., Joseph J. On the nature of oxides on InP surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. A3. #6. P. 2082 - 2088.

152. Байдусь H.B. Фотоэлектронные свойства реальной поверхности арсенида галлия и фосфида индия. Дисс..... канд. физ.-мат. наук, Н.Новгород, 1995.

153. Штабнова В.Л. Состав и физико-химические свойства поверхности полупроводников А3В5. Автореф. дис. ... канд. хим. наук. Иркутск, 1985, 15 с.

154. Stroscio J., Feenstra R.M. Scanning tunneling spectroscophy of adsorbates

on GaAs(110) surface. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V.6. # 4. P. 1472 -1478.

155.Авдеев И.И., Колмакова Т.П., Матвеев Ю.А. Исследование процессов пас сивации поверхности фосфида индия. // Эл. техника, сер. 2, Полупр. приборы. 1987. №3. С. 83 - 85.

156. Скутин Е.Д. Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия. Автореф. дисс. ... канд. физ,- мат. наук, Омск, Омский технический университет, 1996, 18 с.

157. Кашкаров П.К., Киселёв В.Ф., Матвеев В.А. О связи быстрых поверхностных состояий с флуктуациями заряда в структурах диэлектрик - полупроводник. // Поверхность, Физика, химия, механика. 1986. №4. С. 50-56.

158. Williams R.H. Surface defects on semiconductors. // Surf. Sci. 1983. V. 132. # 1-3. P.122- 142.

159. Bechstedt F., Scheffler M. Alkali adsorption on GaAs (110): atomic structure, electronic states and surface dipoles. // Surf. sci. rep. 1993. V. 18. # 5/6, 146 -198.

160. Spicer W.E., Newman N., Spindt C.J., Lilental-Weber Z., Weber E.R. «Pinning» and Fermi level movement at GaAs surfaces and interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. A8. #3. P. 2084 - 2089.

161. Woodall J.M., Kirchner P.D., Freeouf J.L., Mclnturff D.T., Melloch M.R., Pol-lak F.H. The continuing drama of the semiconductor interface. // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A. 1993. V. 344. P. 521 - 532.

162. Yamada M., Wahi A.K., Kendelewicz Т., Spicer W.E. Schottky barrier formation on lnP(110) passivated with one monolayer of Sb. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 56 - 58. P. 325 -329.

163. Monch W. Chemical trends of barrier heights in metal-semiconductor contacts: on the theory of slope parameter. //Appl. Surf. Science. 1996. V. 92. P. 367-371.

164. Карпович И.А., Калинин A.H. Влияние поверхностного легирования на потенциал поверхности и поверхностную проводимость пленок CdSe. // ФТТ. 1970. Т. 12. № 5. С. 1490 -1495.

165. Карпович И.А., Калинин А.Н. Влияние поверхностного легирования на поверхностные свойства активированных пленок CdSe. // Изв. ВУЗов, Физика. 1972. № 9. С. 86 -90.

166. Beyers R., Kim К.В., Sinclair R. Phase equilibria in metal-gallium-arsenic susterns: Thermodynamic considerations for metallization materials. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. #6. P. 2195 - 2202.

167. Фогель В.А. Использование представлений об электроотрицательности в физике полупроводников. // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников. Новосибирск, Наука, 1975, 149-181.

168. Федорович Ю.В.,Фогель В.А. Участие электронно-ионных процессов в поверхностных явлениях полупроводников. // Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников. Новосибирск.: Наука, 1982, С. 181 -233.

169. Lee Y.S., Anderson W.A. Processing-induced conduction mechanisms in metal-insulator-semiconductor diodes on n-lnP. // J. Electron. Mater. 1990. V. 19. #6. P. 591 -596.

170. Коротченков Г.С., Цвицинский В.И., Михайлов В.А., Маринова A.M. Изменение в процессе термообработки параметров собственных химических окислов inP и МОП структур на их основе. // Электрон, техн. Сер. 6. Материалы. 1988. № 1. С. 62- 66.

171. Попова Т.О., Сазонов С.Г., Соколов Е.Б., Кравченко Л.Н. Управление фиксацией уровня Ферми в МДП-системах на основе фосфида индия. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 21. С. 1998-2002.

172. Белякова Е.Д., Габараева А.Д., Горелёнок А.Т., Каржавин Р.В., Микушкин В.М., Сысоев С.Е., Шмидт Н.М. Исследование собственных оксидов InP. Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. № 7. С. 88 -93.

173. Robach Y., Besland М.Р., Joseph J., Hollinger G., Viktorovitch P., Ferret P., Pitaval M., Falcou A., Post G. Passivation of InP using 1п(РОэ)з -condensed phosphates: From oxide growth properties to metal-insulator-semiconductor field-effect-transistor devices. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. #6. P. 2981 -2992.

174. Сазонов С.Г., Левин Д.М. Некоторые закономерности роста, элементно-фазового состава и электрофизических свойств систем оксид-полупроводник (InSb, InAs.lnP). // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. Вып. 19. С. 1208-2113.

175. Eberspacher С., Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Properties of Au/oxide/lnP metal-interfacial layer-semiconductor jucíions. // J. Appl. Phys. 1985. V.58. #5. P. 1876- 1885.

176. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. М.: Высш. шк., 1976, 340 с.

177. Гороновский И.Т., Назаренко Ю.П., Некрич Е.Ф. Краткий справочник по химии. Киев : Наукова думка, 1987, 828 с.

178. Allen R.E., Sankey F., Dow J.D. Theoretical interpretation of Schottky Barriers and ohmic contacts.//Surf Sci. 1986. V.168. P. 376-385.

179. Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987, 431 с.

180. Иноземцев С.А., Матвеев Ю.А., Мордкович В.Н., Петров H.A., Щербина С.М. Исследование взаимодействия ионов малых энергий с поверхностью соединений А3В5. ФТП. 1982. Т. 16. № 3. С. 523 - 525.

181. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г. Радиационные эффекты в приграничной области фосфида галлия. // ЖТФ.1982. Т.52. №6. С. 1194- 1198.

182. Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Конакова Р.В., Литовченко В.Г. Радиационное упорядочение на границе раздела металл - InP. // ФТП. 1986. Т. 20. № 2. С. 326 - 329.

183. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупо в В.Д., Тетельбаум Д.И. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов. // ФТП. 1986. Т. 20. # 3. С. 503 -507.

184. Павлов П.В., Демидов Е.С., Карзанов В.В. Эффект дальнодействия в полуизолирующих полупроводниках GaAs и InP при облучении. // Материалы 21— Всес. конф. по взаимодействию заряженных частиц с кристаллами. М„ 1991, с. 104; ФТП. 1992. Т.26. №6. С.1148-1151.

185. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумаков М.А., Темхин М.М. Пространственное распределение энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985, 244 с.

186. Физические процессы в облученных полупроводниках (под ред. Л.С. Смирнова). Наука, Новосибирск, 1976.

187. Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP sing! crystals and solar cells. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. #6. Pi. 1. P. 1429 -1436.

188. Ланг Д. // Точечные дефекты в твердых телах, «Мир». М., 1979.

189. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках. // ФТТ. 1987. Т. 21. №8. С. 1495 - 1497.

190. Пенина М. А., Назарова Л. Б., Мелев В. Г. Влияние механической обработки на дефектность арсенида галлия. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. № 8. С. 142-144.

191.Кладько В. П., Крыштаб Т. Г., Кпейнфельд Ю. С., Семенова Г. Н., Хазан Л. С. Влияние утоньшения подложки на оптические свойства эпитак-сиальных слоев арсенида галлия (эффект дальнодействия). // ФТП. 1992. Т. 26. №2. С. 368-372.

192. Калинушкин В. П., Юрьев В. А., Мурин Д. И. Крупномасштабные скопления электрически активных дефектов в монокристаллах фосфида индия.//ФТП. 1991. Т. 25. №5. С. 798 - 806.

193. Kalinushkin V. P., Yuryev V. A., Murin D. I., Ploppa M.G. On the nature of large - scale electrically active defect accumulations in InP and GaAs.// Semicond. Sci. Technol. 1992. V.7. P. A255-262.

194. Paul Т. K., Bose D. N. Improved surface properties of InP through chemical treatments.//J. Appl. Phys. 1991. V. 70. #12. P. 7387-7391.

195. Iyer R., Chang R., Lile D. L. Sulfur as a surface passivation for InP. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. #2. P. 134 -136.

196. Wilmsen C. W., Geib К. M., Shin J., Iyer R., Lile D. L. Sulfurized InP surface. //J. Vac. Sci.Technol. 1989. V. B7. #4. P. 851 - 853.

197. Dimitriou P., Post G., Scavennes A., Duhamel N., Lorans M. High transcon-duc- tance InP MISFET's with double layer gate insulator. // Physica .1985. V. 129 B. P. 399-402.

198. Sundararaman C.S., Poulin S., Currie J.F., Leonelli R. The sulfur-passivated InP surface. // Can. J. Phys. 1991. V. 69. P. 329 - 332.

199. Tao Y., Yelon A., Sacher E., Lu Z.N., Graham J. S-passivated lnP(100) -(1x1) surface prepared by a wet chemical process. //Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. #21. P. 2669-2671.

200. Tao Y., Yelon A., Leonelli R. Electronic properties of (NH^S passivated lnP(100) surfaces.//Can. J. Phys. 1992. V. 70. #10-11. P. 1039-1042.

201. Lau W.M., Kwok R.W.M., Ingrey S. Controlling surface band-bending of InP with polisulfide treatments. // Surf. Sci. 1992. V.271. #3. P. 579 - 586.

202. Kurihara K., Miyamoto Y., Furuya K. Observation of InP surfaces after (NH4)2S treatment by a scanning tunneling microscope. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. #3B. P. L444 - L446.

203. Anderson G. W., Hanf M.'C., Norton P. R„ Lu Z. H., Graham M. J. Thermal stability passivated lnP(100)-(1x1). //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65 # 2. P. 171 - 173.

204. Vaccaro K., Dauplaise H. M., Davis A., Spaziani S. M., Lorenzo J. P. Indium phosphide passivation using thin lauers of cadmium sulfide. //Appl.Phys.Lett. 1995. V. 67 #4. P. 527-529.

205. Chen W., Xie K., Duan L., Xie X., Cui Y. Passivation of the lnP(100) surface using (NH4)zSx. // Acta Phys. Sinica. 1995. V. 4. #11. P. 859 - 863.

206. Mitchel С. E. J., Hill I. G., McLean А. В., Lu Z. H. Structural and electronic properties of sulfur passivated lnP(100). // Progr. Surf. Sci. 1995. V. 50. #1-4. P. 326 - 334.

207. Bessolov V. N., Ivankov A. F., Lebedev M. V. Sulfide passivation of lll-V semiconductors: The starting electronic structure of a semiconductjr as a factor in the interaction between its valence electrons and the sulfur ion. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V. В 13. # 3. P. 1018 - 1023.

208. Бессолов В. H., Иванков А. Ф., Коненкова Е. В., Лебедев М. В., Стрыканов B.C. Кинетика пассивации поверхности GaAs(100) в водных растворах сульфида натрия. ФТП. 1996. Т. 30. №2. С. 364 - 374.

209. Козейкин Б. В. Кластерная динамика и физические основы прочности. Горький, 1983, с. 74 - 82.

210. Вяткин А. Ф., Итальянцев А. Г., Копецкий Ч. В., Мордкович В. Н., Темпер Э. М. Перестройки дефектов структуры полупроводников, стимулированные химическими реакциями на поверхности кристалла. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. № 11. С. 67 - 72.

211. Бессолов В. Н., Лебедев М. В., Львова Т. В., Новиков Е. Б. Сульфидная пассивация поверхности А3В5: модельные представления и эксперимент. // ФТТ. 1992. Т. 34. №8. С.1713 -1718.

212. Борковская О.Ю., Дмитрук Н. Л., Маева О. И., Мамыкин С.В., Котоза Н.В. Влияние химического текстурированмя и сульфидирования поверхности GaAs и- InP на фоточувствительность барьерных, структур металл-полупроводник с туннельно-тонким оксидом. // Поверхность. 1997. № 12. С. 96- 102.

213. Бессолов В. Н., Коненкова Е. В., Лебедев М. В., Zahn D.R.T. Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония. // ФТП. 1997. Т. 31. № 11. С. 1350- 1355.

214. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980,488 с.

215. Бессолов В. Н., Коненкова Е. В., Лебедев М. В. Люминесценция и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхности GaAs, сульфидированного в спиртовых растворах. ФТТ. 1996. Т. 38. № 9. С.

2656 - 2666.

216. Семенов В. И. Получение и свойства пленок ln2S3. // Журнал неорганической химии. 1991. Т. 36. № 3. С. 591 - 596.

217. Барасьев С.В., Бибилашвилм А.П., Герасимов А.Б. Низкотемпературное окисление а рее ни да галлия. // Зарубежная электронная техника. 1984. № 10. С. 3-45.

218. Воск К., Hartnagel H.L. Surface technology and ESD protection: towards highly reliable GaAs microwave circuits. // Semic. Sei. Technol. 1994. V. 9. P.1005 - 1015.

219. Saito J., Nanbu K., Ishikawa Т., Kondo K. GaAs surface cleaning by thermal oxidation in MBE. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. #2. P. 404 - 409.

220. Самсоненко Б.Н., Чугуиов В.Ф., Сорокин И.Н., Панасенко П.В. Электрохимические процессы в технологии полупроводниковых приборов на основе GaAs. // Зарубежная электронная техника. 1992. № 15-24. С. 3 -37.

221. Physics and chemistry lll-V compound semiconductor Interfaces. / Ed. VViInn-sen C.W. New York, London: Plenum Press, 1985, 465 p.

222. Hashizume Т., Hasegawa H., Tochitani G., Shimozumä M. Anneling bechevior of HF- treated GaAs capped with Si02 films prepared by 50-Hz PACVD. // Jap. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. # 12A. P. 3794 - 3800.

223. Мокроусов Г.М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз. Томск, ТГУ, 1990, 228 с.

224. Бумай Ю.А., Доманевский Д.С., Жоховец С.В., Реппишер Г., Ресслер Г. Оптические свойства поверхности термически окисленного GaAs. // Поверхность. 1990. №10. С. 157- 159.

225. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. // ФТП. 1976. Т. 10. № 2. С. 209 - 233.

226. Зотеев A.B., Кашкаров П.К., Образцов А.Н., Сосновских Ю.Н., Сорокин Ю.Н. О природе ловушек в оксидном слое на поверхности арсенида галлия. // Вестник МГУ, сер. 3 (физика, астрономия). 1986. Т. 27. №5. С. 53-57.

227. Максимова Н.К., Калыгина В.М., Воронков В.П., Вяткин А.П. Структура и свойства межфазных границ арсенид галлия-металл (диэлектрик). // Изв.

п\ /г\__ж._______ ^ЛАЛ киил л гл ло

D-УО UB, Ч-'И^ИКс*. ItftfO. № I U. О. OZ -

228. Ляшенко А. В., Коноров П.П., Та рантов Ю.А. Электрические и оптические свойства анодных окисных пленок на арсениде галлия. // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов микросхем. Рязань, РРИ, 1982, с. 49-53.

229. Белый В.И. Химия поверхности полупроводников А3В5. // Проблемы электронного ма териаловедеиия, Новосибирск, «Наука», 1986, с. 29 - 40.

230. Walukewicz W. Mechanism of Schottky barrier formation: The role of am-foteric native defects. // J. Vac. Sci. Technol. B5. 1987. #4. P. 1062 - 1067.

231. Wilmsen C.W. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide / lll-V cornpaund semiconductor interfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 1981. V. 19. #3. P. 279-295.

232. Куваев А.А., Мальнева E.B., Свентицкий A.A. Исследования анодного окисления G a As методами эллипсометрии и электронной Оже-спектроскопии. // Эл. техн. Сер.6. Материалы. 1984. №. 8(193). С. 24 -29.

233. Ahrenkiel R.K., Dunlavy D.J. The density of states at GaAs/native oxide interfaces. // Sol. St. Electron. 1934. V. 27. # 5. P. 485 - 489.

234. Mimura T., Fukuta Y. Status of the GaAs metall-oxide-semiconductor technology. // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. V. ED-27. # 6. P. 1147-1155.

235. Алешин В. Г., H ем о шкал емко В. В., Семашко Е. М., Сенкевич А. И. Исследование процессов окисления поверхности арсенида галлия. // Поверхность. 1985. №2. С. 111 - 114.

236. Лаврентьева Л. Г., Вилисова М. Д. Образование центров с глубокими уровнями при газофазной э пи такс и и арсенида галлия. // Изз. ВУЗов, Физика. 1986. №5. С. 3 -13.

237. Fujieda S. Control of GaAs Schottky barrier height using a thin nonstoi-chiometric GaAs interface layer grown by low-temperature molecular beam epitaxy. // J. Appl. Rhys. 1993. V. 74. #12. P. 7357 - 7363.

238. Георгобиани A. H., Тигиняну И. M. Антиструктурные дефекты в соединениях lll-V. // ФТП. 1988. Т. 22. №1. С. 3 - 14.

239. Banse В.А., Creighton J.R. Formation of «super» As-rich GaAs(100) surfaces by high temperature exposure to arsine. // Appl. Phys. Lett. 1992. V.60. # 7. P. 656-658.

240. Resch U., Esser N., Raptis Y.S., Wasserfall J., Forster A., Westwood D.I. As - passivation of GaAs(100) surface. // Surf. Sci. 1992. V. 269/270. P. 797 -803.

241. Wada Y., Wad a K. Restricted motion of GaAs surface Fermi level caused by excess As. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V. В 13. #5. P. 2069 - 2074.

242. Гордеев Ю.С., Микушин В.M., Никонов С.Ю., Сысоев С.Е., Чалдышез В.В. Сегрегация мышьяка на поверхности арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. //ФТТ. 1996. Т. 38. № 11. С. 3299 - 3307.

243. Гольдберг Ю.А., Царенков Б.В. Современное состояние разработок и исследований поверхностно-барьерных структур металл-полупроводник a'"bv, создаваемых методом химического осаждения металлов. // Полупр. техн. и микроэлектрон., в. 27. Киев: Наукова думка, 1978, с. 33 -43.

244. Дмитрук Н.Л., Маева О.И., Полудин В.И. Влияние металлической остров-ковой структуры на поверхности полупроводлника на эффект фотоэлектрической памяти. // ФТП. 1976. Т. 10. № 10. С. 1925 - 1932.

245. Holloway P. H., Mueller C.H. Chemical reaction at metal/compaund semiconductor interfaces: Au and GaAs. // Thin Sol. Films. 1992. V. 221. P. 254 -261.

246. Chen T.P., Liu Y.C., Fung S. Beling C.D. Influence of anneling on Ferrni-leve! pinning and current transport at Au-Si and Au-GaAs inretfaces. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. #.12. P. 6724 - 6726.

247. Liliental - Weber Z., Gronsky R., Washburn J., Newman N., Spicer W.E., Weber E.R. Schottky and Ohmic Au contacts on GaAs: Microscopic and electrical investigation. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986 V. 4. # 4. P. 966 - 973.

248. Брянцева T.A., Дворянкина Г.Г., Лебедева З.М., Ормонт А.Б., Петров А.Г. Юневич Е.О. Десорбция мышьяка и реакции взаимодействия в системе Au-GaAs при термическом отжиге. // Неорганические материалы. 1986. Т. 22. № 6. С. 889 - 892.

249. Шашкин В.И., Мурель А.В., Дроздов Ю.Н., Данильцев В.М., Хрыкин О.И. Управление эффективной высотой барьера в эпитаксиальных структурах AI/n-GaAs, изготовленных в едином цикле. мэталло-органической газофазной эпитаксии. // Микрозлектроника. 1997. Т. 26. №1. С. 57-61.

250. Синха А., Поут Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М.: Мир, 1982, 408 с.

251. Ishikawa Т., Ikoma Н. Possible existence of surplus (oxygen-excess) Ga oxide in the thermal oxide of GaAs. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. #4B. P. L607 - L609.

252. Offsey S.D., Woodall J.M., Warren A.C., Kirchner P.D., Chappell T.U., Pettit G.D. Unpinnid (100) GaAs surfaces in air using photochemistry. //Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 475 - 477.

253. Silberman J.A., de Lyon T.J., Woodall J.M. Fermi level pinning at epitaxial Si on GaAs(100) inerfaces. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. # 25. P. 3300 -3302.

254. Carpenter M.S., Melloch M.R., Lundstrom M.S. Effect of Ma2S and (NH4)2S edge passivation treatmens on the dark current-voltage characteristics of GaAs pn diodes. //Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 2157 -2159.

255. Богданов А.л., Валиев K.A., Беликов Л.В., Душенков С.Д., Иванова м.И. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ-очистки поверхности неорганической подложки. // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. № 6. С. 540 -543.

256. Айзенберг И.А., Апаршина Л.И. Фотохимическое окисление поверхности GaAs в кислороде. // Микроэлектроника. 1992. Т. 21. № 6. С. 22 -26.

257. Смирнова Т.П., Белый В.И., Захарчук Н.Ф. О состоянии элемента V группы на поверхности a'"bv // Поверхность. 1984. №2. С. 94 - 99.

258. Галицын Ю.Г., Петренко И.П., Свиташева С.Н. Исследование кинетики образования и состава оксида на сколотой поверхности GaAs(110). // Поверхность. 1987. № 11. С. 51 - 57.

259. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на их поверхности. Ч. II. М.: Изд-во иностр. лит., 1963.

260. Валиев К.А., Беликов Л.В., Пономарев А.Н., Рыжиков И.А., Федотов С.М. Окисление арсенида галлия при ВУФ очистке на воздухе. // Микроэлектроника. 1993. Т. 22. № 2. С. 50 - 52.

261. Wang X., Weinberg W.H. Structural model of sulfur on GaAs(100). // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. #5 . P. 2715 -2717.

262. Scimeca Т., Muramatsu Y., Oshima M., , Oigawa H., Nannichi Y. Interfacial chemistry and stability of sulfur-treated GaAs(111)A, 100 and (111)B. //Appl. Surf. Scie. 1992. V. 60/61. P. 256 - 259.

263. Бессолов B.H., Коненкова E.B., Лебедев IVi.B. Сравнение эффективности пассивации поверхности GaAs из растворов сульфида натрия и аммония. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 1. С. 63 - 66.

264. Ohno Т. Sulfur passivation of GaAs surfaces. // Phys. Rev. B. 1991. V. 44. # 12. P. 6306-6311.

265. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шотки в структурах Me-GaAs. // ФТП. 1993. Т.27. № 1. С. 131 - 135.

266. Сысоев Б.И., Безрядин Н.Н., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. Пассивация поверхности GaAs(IOO) халькогенидами галлия

А "'В,'1 (110). //ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 24 - 32.

267. Carpenter M.S., Melioch M.R., Cowans B.A., Dardas Z., Delgass W.N. Investigation of ammonium sulfide surface treatments on GaAs. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. V. 7. #4. P. 845 - 848.

268. Weling A.S., Kamath K.K., Vaya P.R. The effect of excitation on the sulphur passivation of GaAs surfaces. // Thin Solid Films. 1992. V. 215. P. 179 - 183.

269. Samaras J.E., Darling R.B. Effects of low work function metais on the barrier height of suifie-treated n-type GaAs (100). //J. Appl. Phys. 1992. V. 72. #1. P. 168 - 173.

270. Nannichi Y., Shigekawa H,, Oigawa H., Hashisume H., Oshima M., Scimeca

T. Observation of the changes in quality on GaAs(100) surface with anneling. // Photon Fact. Activ. Rept. 1991. V. 9. P. 2. [Tsukuba (1992)].

271. Scimeca Т., Muramatsu Y., Oshima M., Oigawa H., Nannichi Y. Temperature-dependent changes on the sulfur passivated GaAs (111 )A, 100 and (111)B surfaces. // Photon Fact. Activ. Rept. 1991. V. 9. P. 8 [Tsukuba (1992)].

272. Sato K., Ikoma H. Internal photoemission and X-ray photoelectron spectrock-opic studies of sulfur-passivated GaAs. // J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 1.

#2. P. 921 -929.

273. Viktorovitch P., Gendry M., Krawczyk S.K., Krafft F., Abraham P., Bekkaoui A., Monteil Y. Improved electronic properties of GaAs surfaces stabilized with phosphorous. //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. # 21. P. 2387 - 2389. , .

274. Sugino Т., Yamada Т., Matsuda K., Shirafuji J. Schottky junction on phosphidized GaAs surfaces. // Appl. Surf. Sci. 1992. V. 56 - 58. P. 311 -316.

275. Freeouf J.L., Buchanan D.A., Wright S.L., Jackson T.N., Robinson B. Accumulation capacitance for GaAs-Si02 interfaces with Si interlayers. // Appl Phys. Lett. 1990. V. 57. # 18. P. 1919 -1921.

276. Hasegawa H., Ishii H., Koyanagi K. Formation mechanism of Schottky barriers on MBE-grown GaAs surfaces subjected to various treatments. // Appl Surf. Sci. 1992. V. 56 -58. P. 317 - 324.

277. Costa J.C., Miller T.J., Williamson F., Nathan M.I. Unpinned GaAs Schottky barriers with an epitaxial silicon layer. // J. Appl. Phys. 1991. V. 7. # 4. P. 2173-2184.

278. Costa J.С., Williamson F., Miller T.J. Barrier height variation in AI/GaAs Schoiiky diodes with a thin silicon interfacial layer. //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 54. # 4. P. 382 - 384.

279. Lee J.В., Kwon S.D., Kim I., Cho Y.H., Choe B.-D. The characteristics of an iriGaP and InGaP/GaAs heterojunction grown on a (100) GaAs substrate. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. # 10. P. 5016 - 5021.

280. Lee T.W., Houston P.A., Kumar R., Yang X.F., Hill G., Hopkinson M., Claxton P.A. Conduction-band discontinuity in InGaP/GaAs measured using both current-voltage and phoioemission methods.// Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. # 4. P. 474 - 476.

281. Карпович И.А., Степихова M.B. Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинаци-онные параметры слоев GaAs. //ФТП. 1998. Т. 32. № 2. С. 182 - 186.

282.Lu S.S., Huang C.L., Sun Т.P. High-breakdown-voltage Ga0.5iln0.4gP/GaAs I-HEMT and l2HEMT with a GalnP passivation layer grown by source molecular beam epitaxy. // Sol. St. Electron. 1995. V. 38. # 1. P. 25 - 29.