Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Кострюков, Сергей Анатольевич

• Кострюков, Сергей Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кострюков, Сергей Анатольевич

Введение.

Глава 1. Природа НЧ шума в барьерных структурах

1.1 Основные параметры и характеристики НЧ шума

1.2 Модели, описывающие механизмы генерации низкочастотного шума

1.3 Использование статистики Шокли-Рида для описания механизма генерации НЧ шума

1.4 Активационно-дрейфовая модель формирования

НЧ шума в барьерных структурах

1.5 Зависимость характеристик НЧ шума от внешних факторов . 28 Выводы по главе

Глава 2. Развитие активационно-дрейфовой модели генерации

НЧ шума в барьерах Шоттки и несимметричных р-n перходах

2.1 Зависимость времени релаксации активационно-дрейфового процесса от напряжённости поля в ОПЗ.

2.2 Зависимость плотности мощности НЧ шума на фиксированной частоте от величины напряжения обратного смещения.

Выводы по главе

Глава 3. Разработка автоматизированной экспериментальной установки для исследования НЧ шума

3.1 Основные требования к методике измерения зависимости СПМ НЧ шума от напряжения смещения

3.2 Требования к измерительной установке

3.3 Функциональная схема установки

3.4 Разработка программного обеспечения

3.5 Параметры разработанной установки

3.6 Способ выделения частоты изменения наклона кривой аппроксимирующей спектр НЧ шума

3.7 Методика эксперимента

Выводы по главе

Глава 4. Исследование спектров НЧ шума полупроводниковых структур с барьером Шоттки

4.1 Исследование спектров НЧ шума детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе Al/i-GaAs

4.2 Исследование вольт-шумовых характеристик детекторов заряженных частиц

4.3 Исследование мощных кремниевых диодов Шоттки с помощью спектроскопии НЧ шума

Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки»

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. Большинство элементов современной твердотельной электроники представляет собой барьерные структуры. Поэтому одной из наиболее важных прикладных проблем физики полупроводников является повышение воспроизводимости и стабильности параметров полупроводниковых барьерных структур. Указанное может быть достигнуто принятием целого комплекса мер, реализованных как в разработке теоретических основ работы приборов, так и в технологии их изготовления путём применения научно обоснованных конструктивно-технологических решений и достоверных методов контроля параметров материалов и приборов.

Дефекты структуры, обусловленные примесными атомами, могут создавать энергетические уровни, локализованные в запрещённой зоне полупроводника. Такие уровни, отстоящие на несколько кТ {к - постоянная Больцмана, Т- температура) от краёв разрешённых зон, называют глубокими (ГУ). Глубокие уровни придают полупроводникам полезные или, чаще, нежелательные свойства. Это обусловливает важность как контроля параметров электрически активных центров, так и понимания физической сущности их проявления.

В большинстве случаев глубокие центры (ГЦ), создаваемые несовершенством структуры полупроводника, прямо или косвенно приводят к деградации параметров полупроводниковых приборов. Наблюдаются "мягкие" обратные вольт-амперные характеристики, как следствие понижение пробивных напряжений, генерация шума - всё это приводит к снижению процента выхода годных приборов. Но наибольшие неприятности приносит долговременная деградация параметров прибора. Множество работ направлено на выявление (предсказание) скорости деградации и, как следствие, - прогнозирование отказа прибора. Многие прогнозы строятся на основе изучения шумовых параметров приборов.

Ряд исследователей полагает, что шумовые характеристики являются одним из наиболее информативных источников сведений о протекающих в структуре физических процессах. Важным преимуществом таких измерений является неразрушающий контроль качества приборов.

Шумовые характеристики приборов определяют порог чувствительности практически всех измерительных датчиков и систем. Популярные на сегодняшний день беспроводные системы связи являются ярким примером реализации научных изысканий, основной целью которых являлось снижение уровня шума в канале передачи данных. Поэтому изучение физических механизмов генерации шума и роли в этом глубоких уровней является актуальной задачей.

Изучению параметров ГУ методом спектроскопии низкочастотного (НЧ) шума посвящено очень большое число работ. Анализ состояния проблемы свидетельствует о том, что ряд вопросов, касающихся физических механизмов процессов, протекающих в полупроводниковых приборах с ГУ, остаётся открытым. В частности не ясна зависимость спектральной плотности мощности (СПМ) НЧ-шума от обратного смещения. Актуальность такого вопроса очевидна, поскольку с одной стороны часть полупроводниковых приборов функционирует при обратном смещении, а с другой - спектроскопия НЧ шума является тонким экспериментальным методом, позволяющим выяснить физическую природу релаксационных процессов в барьерных структурах.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ - развитие активационно-дрейфовой модели генерации НЧ шума в физических барьерных слоях путём учёта влияния эффекта понижения энергии ионизации ГЦ под действием сильного электрического поля, а также методики спектроскопии НЧ шума для проведения экспериментальных исследований и расширения возможностей диагностики элементов интегральных схем.

Поставленная цель достигается решением следующих задач.

- Анализ состояния проблемы и тенденций развития математических и физических моделей, описывающих механизмы формирования НЧ шума.

- Выявление зависимости СПМ НЧ шума от обратного смещения в диодах Шоттки на основе кремния и арсенида галлия.

- Подтверждение определяющей роли ГУ в механизме генерации шумовой составляющей обратного тока диодов Шоттки а также форме функциональной зависимости мощности шума от величины обратного смещения.

- Разработка модели, описывающей зависимость СПМ НЧ шума от обратного смещения, и сравнение результатов моделирования с опубликованными в литературе и экспериментальными данными.

- Разработка и построение автоматизированной установки для измерения СПМ НЧ шума полупроводниковых структур и управляющего программного обеспечения.

ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ. В качестве экспериментальных образцов применены мощные диоды Шоттки на кремнии n-типа проводимости и детекторы рентгеновского излучения на основе арсенида галлия.

Предварительная настройка и калибровка установки измерения спектров

НЧ шума проводилась на сплавном диоде Д220 с заведомо высокой

11 1 концентрацией примеси золота (nt = 2.1-10 см"), имеющей энергию ионизации соответствующего ГУ AWt = 0,54 эВ, путём сравнения экспериментальных данных с результатами, полученными методом РСГУ.

Исследования параметров глубоких центров (энергии ионизации AEt и концентрации Nt) проводились методом токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней и спектроскопии низкочастотного шума. Концентрация мелкой примеси в образцах контролировалась путём измерения вольт-фарадных характеристик.

Для изучения физических процессов в барьерных структурах широко применялись методы численного математического моделирования на ПЭВМ.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И РЕЗУЛЬТАТЫ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ

1. Физическая модель генерации НЧ шума в полупроводниковых барьерных структурах, позволяет учесть уменьшение энергии ионизации ГЦ под действием электрического поля напряжённостью более 104 В/см.

2. Уточненное соотношение для расчета энергии ионизации ГУ по частоте точки "излома" на частотной зависимости СПМ НЧ шума позволяет повысить точность определения значения энергии ионизации ГУ на 20%.

3. Концентрация ГЦ барьерных структур на основе кремния и арсенида галлия оценивается по напряжению, соответствующему точке перегиба на вольт-шумовой характеристике; при уменьшении концентрации ГЦ точка перегиба смещается в сторону больших значений напряжения обратного смещения.

4. Уровень спектральной плотности мощности низкочастотного шума интегральных детекторов заряженных частиц на основе собственного арсенида галлия определяется глубоким центром хрома (AWt = 0,62±0,02 эВ), обнаруженным методом спектроскопии НЧ шума, а также РСГУ.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ 1. Впервые предложено учитывать в активационно-дрейфовой модели формирования НЧ шума в физических барьерных слоях эффект Френкеля, т.е. понижения высоты барьера потенциальной энергии кулоновского поля атома под действием внешнего электрического поля напряжённостью более 104 В/см.

2. Предложено объяснять изменение временных параметров процесса генерации НЧ шума в барьерных структурах от величины обратного смещения действием электрического поля на активационный и дрейфовый компоненты процесса релаксации заряда посредством учёта изменения энергии ионизации ГЦ в совокупности с ростом времени дрейфа носителей заряда.

3. Впервые показано, что в точке перегиба зависимости СПМ НЧ шума от напряжения обратного смещения, происходит изменение отношения количества достигших базы к общему числу активированных с глубоких центров носителей заряда.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ

1. Уточнено соотношение для расчета энергии ионизации ГУ по частоте точки "излома" на частотной зависимости СПМ НЧ шума, позволяющее повысить точность определения значения энергии ионизации ГУ на 20%.

2. Разработана методика определения частоты перегиба, основанная на выявлении максимального угла между аппроксимирующими зависимость прямыми и позволяющая автоматизировать процесс измерения энергии ионизации ГУ по частотной зависимости СПМ НЧ шума, что даёт возможность проводить измерение энергии ионизации ГУ в реальном времени в условиях производства.

3. Экспериментально показано, что для повышения чувствительности интегральных детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе собственного арсенида галлия необходимо уменьшать концентрацию примесей в i - области барьерных структур. В частности, показано, что присутствие примеси хрома в структуре повышает мощность шума детектора и приводит к снижению его чувствительности.

4. Разработана портативная автоматизированная установка для измерения НЧ шума барьерных структур, основанная на получении спектра сигнала методом преобразования Фурье, позволяющая проводить анализ технологии изготовления приборов путём сравнения образцов по уровню шума, вычислять энергию ионизации ГУ по частотным зависимостям СПМ шума, измерять зависимости СПМ НЧ шума барьерных структур при изменении напряжения электрического смещения и температуры.

5. Разработано программное обеспечение для созданной автоматизированной экспериментальной установки, оригинальность которого подтверждена авторским свидетельством.

Материалы диссертации вошли в методические указания к выполнению лабораторных работ по дисциплине "Методы исследования полупроводниковых структур" и используются при подготовке инженерных кадров по специальности "Микроэлектроника и твердотельная электроника"

ДОСТОВЕРНОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ подтверждается непротиворечивостью полученных результатов основным положениям физики полупроводников; сопоставлением экспериментальных данных с предложенными автором моделями; совпадением значений исследованных параметров, полученных на одних и тех же образцах, разными методами.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Результаты работы обсуждались на 30, 31, 33, 34, 35 международных научно-методических семинарах "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах"; Москва, МНТОРЭС им А.С.Попова; МЭИ, 2001-2006 гг., VII международной конференции "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Владимир, 2005 г.), 14-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 2007", Москва, МИЭТ (ТУ), 2007, а также на ежегодных научно-технических конференциях Рязанского государственного радиотехнического университета.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и приложений. Объём диссертации - 133 страницы машинописного текста, включая 2 таблицы, 47 рисунков, 2 приложения, и список литературы из 93 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Кострюков, Сергей Анатольевич

Основные результаты и выводы:

1. Впервые применены представления эффекта Френкеля, т.е. понижения энергии ионизации ГЦ под действием электрического поля напряжённостью более 104 В/см к физической модели генерации НЧ шума в барьерных структурах, содержащих ГЦ. Показано, что указанный эффект вызывает сдвиг по частоте точки "излома" на частотной зависимости спектральной плотности мощности НЧ шума, на основании чего обоснована необходимость коррекции значения энергии ионизации глубокого уровня, найденной по "излому" частотной зависимости СПМ НЧ шума с учётом величины напряжения обратного смещения, при котором проводилось измерение.

2. Проведено дальнейшее развитие физической модели генерации НЧ шума в полупроводниковых барьерных структурах, состоящее во введении экспоненциальной зависимости отношения количества достигших базы структуры к количеству активированных с ГУ носителей заряда от напряжённости электрического поля, что приводит к формированию прямолинейных участков на вольт-шумовых характеристиках ln(S) = f(U) на фиксированной частоте.

3. Установлена взаимосвязь формы вольт-шумовой характеристики (ВШХ) диодов Шоттки в виде двух функций вида S ~ е"и (где S - значение спектральной плотности мощности шума, U - напряжение обратного смещения; а - коэффициент), смещенных друг относительно друга по оси напряжений, с наличием электрически активных центров в барьерной структуре.

4. Разработана и создана автоматизированная установка, позволяющая измерять СПМ НЧ шума с чувствительностью: на частоте 1 Гц - 100 нВ/л^Гц, на частоте 100 Гц - 20 нВ/^Гц. В отличие от прототипов установка позволяет анализировать спектр НЧ-шума в диапазоне 0.1 - 1000 Гц одновременно. Оригинальность разработанного автором программного обеспечения подтверждена свидетельством о регистрации программного продукта № 5740 от 21.02.06.

5 Разработана и реализована методика автоматизированного поиска и выявления точки изменения наклона отрезков, аппроксимирующих спектры НЧ шума. Разработанный способ основан на поиске максимального значения угла между аппроксимирующими спектр отрезками и совмещает операции сглаживания и поиска точки перегиба в единой процедуре.

6. Проведены комплексные экспериментальные исследования и установлено, что уровень спектральной плотности мощности избыточного шума интегральных детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения на основе собственного арсенида галлия определяются глубоким уровнем хрома с AWt = 0,62±0,02 эВ, найденной методами РСГУ и спектроскопии НЧ шума.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кострюков, Сергей Анатольевич, 2007 год

1. Букингем М. Шумы в электронных приборах и схемах. /Пер. с англ. Мир, 1986.398 с.

2. Коган Ш.М. Низкочастотный шум со спектром типа 1/f в твёрдых телах //УФН. 1985. Т. 145. Вып. 2. С.285-328.

3. Астафьева Н.М. Вейвлет-анализ: основы теории и применения (Обзоры актуальных проблем) //УФН. 1996. Т. 166. № 11. С. 1145-1170.

4. Бочков Г.Н., Кузовлев Ю.Е. Новое в исследованиях 1/f шума //УФН 1988. Т. 141. Вып. 10. С. 151-176.

5. Bell D.A. A survey of 1/f noise in electrical conductors //J. Phys. C.: Solid State Phys. 1980. Vol. 13. P. 4425-4437.

6. Жигальский Г.П. Шумы вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических плёнках//УФН. 1997. Т. 167. № 6. С. 623-647.

7. Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect //Phys. Lett. A. 1969. Vol. 29. P. 139140.

8. Van Vliet C.M. A survey of results and future prospects on quantum 1/f noise and 1/f noise in general //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 1. P. 1-21.

9. Tacano M. A new approach to the Hooge noise parameter for 1/f noise in semiconductors //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. № 8. P, 917-918.

10. Tacano M., Kanayama Т., Sugiyama Y. \lf noise in quarter-micron filaments of GaAs and InP made by focused ion-beam implantation //Solid-State Electron. 1991. Vol. 34. №2. P. 193-196.

11. Effects of Ar+ back-surface gettering on the properties of flicker noise in n-channel nitrided MOSFET's /C.Surya, W.Wang, W.Fong e.a. //Solid-State Electron. 1996. Vol. 39. № 11. P. 1577-1580.

12. Van der Ziel A. On the noise spectra of semiconductor noise and flicker effect //Physica. 1950. Vol. 16. № 4. P. 359-372.

13. Kaulakys В., Meskauskas T. Modeling 1/f noise. //Phys. rev. E. 1998; 58:7013-9.

14. Kaulakys B. Autoregressive model of 1/f noise. //Phys. Lett. A. 1999; 257:37-42.

15. McWhorter A.L. Semiconductor surface physics /Ed. R.H. Kingston. Philadelphia: University of Pennsylvania press, 1956. P.207.

16. Kleipenning T. Low-frequency noise in Schottky barrier diodes //Solid-State Electron. 1979. Vol. 22. №2. P.121-128.

17. Jevtic M.M. Impurity concentration dependence of 1/f noise parameter a in silicon //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №6. P. 1049-1052.

18. Fundamental 1/f noise in silicon bipolar transistors /А.Н. Pawlikiewiez, A. Van der Ziel, G.S.Kousik e.a. //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №1. P. 1-21.

19. Jevtic M.M. Impurity concentration dependence of 1/f noise parameter a in silicon //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №6. P. 1049-1052.

20. Hendrics E.A., Zijlstra J.J. 1/f noise in (100) n-channel Si-MOSFETS from T=4,2 К to T=295 К//Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. №6. P. 1105-1111.

21. Pellegrini B. On mobility-fluctuation origin of 1/f noise // Solid-State Electron. 1986. Vol. 29. №12. P. 1279-1287.

22. Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990.295 с.

23. Источники избыточного шума в транзисторных элементах микросхем /Н.Б. Лукьянчикова, Н.П. Гарбар, М.В. Партыка и др. //Радиотехника и электроника. 1988. Вып. 2. С. 400-408.

24. Hsu S.T. Low-frequency excess noise in metal-silicon Schottky barrier diodes //IEEE Trans. Electron. Devices. 1970. Vol. ED-17. № 7. P. 496-506.

25. Tacano M., Sugiyama Y. Comparison of l^noise of AlGaAs/GaAs HEMT's and GaAs MESFET's //Solid-State Electron. 1991. Vol. 10. № 34. P. 1049-1053.

26. Низкочастотные шумы арсенидогаллиевых диодов с барьером Шоттки с неоднородным контактом металл-полупроводник /О.Ю. Малаховский, В.Г.Божков, А.Г.Бычков и др. //Радиотехника и электроника. 1992. Вып. 1. С. 142-149.

27. Низкочастотные шумы диодных структур на арсениде галлия /М.Д. Воробьёв, В.Г. Божков, О.Ю. Малаховский и др. //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1987. Вып.1 (186). С. 88-91.

28. Surya С., Hsiang T.Y. A thermal activation model for 1/f noise in Si-MOSFET // Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 5. p. 959-964.

29. Hallgren R.B. Low-bias-noise spectroscopy of field-effect transistor channels: depletion-region trap models and spectra //Solid-State Electron. 1990. Vol. 8. №12. P. 1071-1080.

30. Scholz F., Hwang J.M., Schroder D.K. Low frequency noise and DLTS as semiconductor device characterization tools //Solid-State Electron. 1988.'Vol. 31. №2. P. 205-218.

31. Yau L.D., Sah C.T. Theory and experiments of low-frequency generation-recombination noise in MOS-ttransistors //IEEE Trans. Electron. Devices. 1969. Vol.ED-16.№2.P. 170-177.

32. Sah C.T., Hielscher F.H. Evidence of the origin of the Mf noise //Phys. Rev. Letters. 1966. Vol. 17.1 10. P. 956-957.

33. Орешкин П.Т. Механизм перезарядки глубоких центров при релаксационной спектроскопии //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990. Вып. 5 (139). С. 3-8.

34. Орешкин П.Т. Барьерные слои как резонаторы на глубоких центрах //Известия вузов СССР. Физика. 1990. № 11. С. 21-25.

35. Холомина Т.А. Диссертация на соискание учёной степени д. ф.-м. н. по специальности 01.04.10 Физика полупроводников.

36. Bosman G., Zijlstra R.J.J. Generation-recombination noise in p-type silicon //Solid-State Electron. 1982. Vol. 25. № 4. P. 273-280.

37. Исследование шумов р+ия+-структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными акцепторами /В.М.Арутюнян, З.Н.Адамян, Ф.В.Гаспарян и др. //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1991. Т. 34. № 10-12. С. 1226-1235.

38. Haslett J.W., Kendall E.J.M. Temperature dependence of low-frequency excess noise injunction-gate FET's //IEEE Trans. Electron. Devices. 1972. Vol. ED-19. № 8. P. 943-950.

39. Маранц В.Г., Хатунцев А.И. Параметры шумовых центров, влияющих на низкочастотный шум полевых транзисторов с ^-«-переходом //Элек-тронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1975. Вып. 8 (100). С. 88-105.

40. Noise and deep level transient spectroscopy of deep level (DX) centers in GaAs-GaAlAs heterostructures /L.Kratena, K.Zdansky, J.Sikula e. a. //Noise Phys. Syst. Includ l/f Noise, Biol. Syst. and Membranes: 10th Int. Conf. Budapest. 1990. P. 209-212.

41. Булярский C.B., Грушко H.C. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995.399 с.

42. Dabrowsky W., Korbel К. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes //Solid-State Electron. 1988. Vol. 31. № 12. P. 16571661.

43. Орешкин П.Т., Холомина T.A., Кордюков С.И. Волны объемного заряда и низкочастотный шум в барьерных слоях //Физика полупроводников и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Рязань: РГРТА, 1995. С. 13-24.

44. Кукоев И.Ю. Вейвлет анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах. Автореф. дисс. на соискание учёной степени канд. техн. наук. -М. 2005.20 с.

45. Мирошникова И.Н. Глубокоохлаждаемые фотоприёмники на основе антимонида индия. Автореф. дисс. на соискание уч. степени докт. техн. наук. -М. 2005. 39 с.

46. Орешкин П.Т. Темновая релаксация заряда в ОПЗ барьерных слоёв. Изв. вузов СССР. Физика 1981. Т. 24. №9. С. 136-137.

47. Зубков М.В. Спектр глубоких уровней в барьерных структурах на кремнии //пути повышения стабильности и надёжности микроэлементов и микросхем: Материалы IV Всес. Научно-технического семинара. Рязань, 1988. С. 47-56.

48. Гармаш Ю. В. Релаксационная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках: Дис. на соискание канд. техн. наук: 01.04.10- Рязань 1984. 164 с.

49. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. М.:Мир, 1984.456 с.

50. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977.448 с.

51. Мхитарян З.О., Баргесян Р.С., Арутюнян В.М. Шумовые характеристики кремниевых диодов с примесью серы //Изв. вузов СССР. Радиофизика. 1984. Т. 27. №9. С.1218-1220.

52. Morrison S.R. 1 If noise from levels in a linear or planar array. IV The origin of the Hooge parameter //J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72. № 9. P. 4113-4117.

53. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L. Noise spectroscopy of local levels in semiconductors //Semicond. Sci. and Technol. 1994. Vol. 9. № 6. P. 1183-1189.

54. Пряников B.C. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1978. 112 с.

55. Кордюков С.И. Низкочастотные шумы в диодах Шоттки: Дис. на соискание канд. техн. наук: 01.04.10- Рязань 1987. 156 с.

56. Hooge F.N., Hoppenbrouwers А.М.Н. Amplitude distribution of 1/f noise. Physica, 42. P. 331-339.

57. Куликов Е.И. Методы измерения случайных процессов. М.:Радио и связь. 1986. 272 с.

58. Соколик С.А., Гуляев A.M., Мирошникова И.Н. Совершенствование установки для исследования низкочастотного шума полупроводниковых приборов и структур //Измерительная техника. 1997. № 1. С. 57-61.

59. Гарбар Н.П., Лукьянчикова Н.Б., Абру У.Р. и др. Установка для измерения шумовых характеристик микросхем и дискретных транзисторов на пластинах. //Электронная промышленность. 1991. № 6. С. 27-29.

60. Кострюков С.А. Малошумящий усилитель для исследования НЧ шума. // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2001. С.45- 47.

61. Кострюков С.А. Автоматизированная установка для измерения СПМ низкочастотных шумов. //Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы междунар. науч.-методич. семинара. -М.:МНТРОЭС им. А.С. Попова, МЭИ, 2003. С. 23-25.

62. Кострюков С.А. Повышение помехоустойчивости установки для измерения параметров НЧ-шума. //Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2003. С.27- 29.

63. Пиз А.Р. Практическая электроника аналоговых устройств. Поиск неисправностей и отработка проектируемых схем: Пер. с англ. М.:ДМК Пресс, 2001. 320 с.

64. Тице У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир. 1982. 512 с.

65. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Пер. с англ. Изд. 5-е. М.:Мир 1998. 704 с.

66. Кострюков С.А. Установка шумовой спектроскопии глубоких уровней. //Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VII международной коференции . Ульяновск: УлГУ, 2005. С. 68-69.

67. Кострюков С.А., Холомина Т.А. Программное обеспечение НЧ шумовой спектроскопии глубоких уровней. //Известия вузов. Электроника. 2006. №4 С. 36-43.

68. Марпл C.JI. Цифровой спектральный анализ и его приложения /Под. ред. И.С. Рыжакова. М.:Мир 1990.110 с.

69. Кирьянов Д.В. Самоучитель Mathcad 11. СПб.:БХВ-Петербург, 2004. 560 с.

70. Свидетельство об отраслевой регистрации разработки "Вычисление спектральной плотности мощности низкочастотных шумов" № 5740 от 21.02.2006.

71. Херрис Ф. Дж. Использование окон при гармоническом анализе методом дискретного преобразования Фурье //ТИИЭР. 1987. Т.66. №1. С.60-96.

72. Кострюков С. А., Холомина Т. А. Особенности анализа сигналов низкочастотного шума методом дискретного преобразования Фурье. //Измерительная техника. 2005. № 12. С. 47-50.

73. Булычёв A.JL, Галкин В.А. Аналоговые интегральные схемы: Справочник. Мн.: Беларусь. 1994. 382 с.

74. Брандт 3. Анализ данных. Статистические и вычислительные методы для научных работников и инженеров: Пер. с англ. М.:Мир. ООО "Издательство ACT", 2003. 686 с.

75. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука: Гл. ред. физ.-мат. лит., 1974. 831 с.

76. Кострюков С.А. Выделение частоты перегиба кривой спектральной плотности мощности НЧ-шума. // Физика полупроводников. Микроэлектроника. Радиоэлектронные устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Рязань: РГРТА, 2005. С.31- 34.

77. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия /Пер. с. англ. Под ред. М.Е. Левинштейна. М.: Мир. 1991. 632 с.

78. Маковийчук М.И., Рекшинский В.А. Фликкер-флуктуационный анализ структур микроэлектроники //Заводская лаборатория (диагностика материалов). 1996. № 8. С. 35-37.

79. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках /Пер. с англ. М.: Мир, 1977. 562 с.

80. Литвинов В.Г., Лабутин А.В., Гудзев В.В., и др. Автоматизированный измерительно-аналитический комплекс токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Рязань: Рязанский ЦНТИ, информационный листок о НТР №61-081-02. 2002.4 с.

81. Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки /В.Ф.Андриевский, В.А.Иванюкович, В.И.Карась, В.М.Ломако //ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 2. С. 222-226.

82. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.