Емкостная спектроскопия карбида кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Лебедев, Александр Александрович

• Лебедев, Александр Александрович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Лебедев, Александр Александрович

Оглавление

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. История развития технологии получения карбида кремния и приборов на его основе

1.2

1.3. Карбид кремния как материал для полупроводниковой электроники. ^3

1.4. Мелкие и глубокие уровни в 6Н и 4Н БЮ. ^

1.5. Глубокие центры и рекомбинационные процессы в карбиде кремния. ^2

1.6. Заключение к Главе 1

ГЛАВА 2. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ИСПОЛЬЗОВАВШИХСЯ В

РАБОТЕ РОСТОВЫХ МЕТОДОВ

2.1. Рентгено-диффракционный анализ использовавшихся подложек. ^

2.2. Получение эпитаксиальных слоев ЭЮ методом сублимации в открытой

52

ростовой системе. .

2.3. Получение эпитаксиальных слоев БЮ методом газофазовой эпитаксии (ОТ))

2.4. Заключение к Главе 2.

63

ГЛАВА 3 . ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИОДОВ ШОТТКИ

И Р-Н ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

3.1 Параметры исследовавшихся в работе диодов Шоттки

3.2 Краткая характеристика исследовавшихся в работе р-п структур. ^2

3.3 Исследование р-п структур полученных ионной имплантацией А1. ^

3.4 Исследования р-п структур полученных сублимационной эпитаксией и бесконтейнерной жидкостной эпитаксией

3.5 Получение и исследование эпитаксиально-диффузионных бН-БЮ р-п структур

3.6 Диоды на основе бН-ЭЮ, полученные совмещением газофазной и сублимационной эпитаксии

3.7 Исследование гетероэпитаксиальных структур ЗС (р) - бН(п)

3.8 Корпусирование полученных диодных структур

3.9 Заключение к главе 3

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ЗАТВОРОМ В ВИДЕ ДИОДА ШОТТКИ НА ОСНОВЕ 6Н-81С

4.1. Постановка задачи

4.2. Технология формирования МЕЗБЕТ

4.3. Параметры полученных транзисторов

4.4. Исследование температурных зависимостей параметров полученных транзисторов

4.5. Заключение к Главе 4

ГЛАВА 5. НЕСТАЦИОНАРНАЯ ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ:

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ, ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ УСТАНОВКА, НОВЫЕ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ

5.1. Физические основы емкостной спектроскопии

5.2. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней

5.3. Блок схема установки

5.4. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней

5.5. Метод определения профиля залегания ГЦ, перезаряжающихся при инжекции неосновных носителей заряда

5.6. Измерение диффузионных длин неосновных носителей тока методом нестационарной емкостной спектроскопии

5.7. Методы измерения концентрации инжектированных носителей, коэффициента инжекции р-n перехода и сечений захвата на ГЦ носителей заряда обоих типов

5.8. Заключение к Главе 5

ГЛАВА 6. ПАРАМЕТРЫ И КОНЦЕНТРАЦИИ ОБНАРУЖЕННЫХ В 6Н И

4Н SiC ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ

6.1. Исследование параметов основных донорных и акцепторных уровней в

SiC. ,

6.2. Исследование глубоких центров верхней половине запрещенной зоны п-базы диодных структур на основе 6H-SiC

6.3. Исследование ГЦ в нижней половине запрещенной зоны n-базы р-п структуры на основе 6Н и 4Н SiC

6.4. Компенсация базовых слоев п-типа проводимости ГЦ акцепторной природы

6.5. Заключение к Главе 6

ГЛАВА 7. ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ И ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ В

6Н И 4H-SiC

7.1. Связь характеристики и электролюминесценции с параметрами ГЦ в случае излучательного перехода: зона проводимости - глубокий акцептор

7.2. Связь "борной" электролюминесценции и D-центров в 6Н и 4H-SiC

7.3. Связь характеристик электролюминесценции с параметрами ГЦ в случае донорно-акцепторной излучатеяьной рекомбинации

7.4. Связь "дефектной" электролюминесценции в 6Н и 4H-SiC с глубокими центрами

7.5. Электролюминесценция бН-SiC р-n структур, легированных алюминием

7.6. Электролюминесценция 6Н и 4Н SiC р-n структур при наличии нескольких каналов для излучательной рекомбинации

7.7. Заключение к Главе 7

ГЛАВА 8. ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ И БЕЗЫЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ

РЕКОМБИНАЦИЯ

8.1 Влияние глубоких центров на величину диффузионной длины и времени жизни в 6Н - ЭЮ р-п структурах

8.2 Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя БЮ р-п структур

8.3 Возможная структура обнаруженных глубоких центров

8.4 Заключение к Главе 8. 278 ЗАКЛЮЧЕНИЕ , 279 ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Емкостная спектроскопия карбида кремния»

Введение.

Актуальность темы.

Развитие современной энергетики и космической техники требует создания полупроводниковых приборов способных работать, при повышенных температурах и высоких уровнях ионизирующего излучения. Одним из полупроводниковых материалов, на основе которого можно получать подобные приборы, является карбид кремния.

Значительные потенциальные возможности карбида кремния - высокие химическая, термическая, радиационная стойкости а также возможность получения на этом материале светодиодов на весь видимый спектральный диапазон - стимулировали большое число исследований, посвященных 8Ю, в 50-60ые годы. Кроме того словосочетание "карбид кремния" обозначает, по сути дела, целый класс полупроводниковых соединений т.к. БЮ обладает возможностью кристаллизоваться в различных модификациях - политипах. Политипы БЮ при одинаковом химическом составе могут значительно отличатся по своим электрофизическим свойствам, например величины запрещенных зон находятся в диапазоне от 2.4 эВ (ЗС БЮ) до 3.3 эВ (2Н 81С). Все это делает карбид кремния перспективным материалом и с точки зрения создания различных типов гетероструктур.

Однако при изготовлении приборных структур термостабильность оборачивалась высокими температурами роста, сложностями при выборе реактора а химическая стойкость - проблемами при формировании меза-структур и обработке поверхности полупроводника.

Развитие новых технологий позволило к концу 80х годов в значительной степени преодолеть эти трудности . На основе БЮ был создан ряд полупроводниковых приборов, в том числе светодиоды, излучающие4 в синей и фиолетовой областях спектра. Благодаря большой ширине запрещенной зоны Б1С эти приборы могли использоваться при высоких температурах и в других экстремальных условиях.

Известно, что глубокие центры (ГЦ) определяют многие важнейшие параметры полупроводниковых приборов. ГЦ в объеме полупроводника оказывают влияние на время жизни и диффузионную длину неосновных носителей заряда, к.п.д. светодиодов и фотоприемников, коэффициент усиления транзисторов, на величину и температурный коэффициент напряжения пробоя р-п структур. Поскольку в настоящее время заранее не возможно теоретически предсказать значения основных параметров примесных и дефектных центров в новом полупроводниковом материале, то главным источником информации о ГЦ являются экспериментальные методы, в том числе емкостная спектроскопия.

Известно также, что добавление некоторых примесей при сублимационном росте приводит к гетероэпитаксии пленок ЗС и 4Н на основе подложек 6Н. Таким образом исследование параметров и свойств ГЦ образующихся при легировании БЮ данными примесями может дать дополнительную информацию позволяющую понять природу политипизма карбида кремния.

Очевидно, что для дальнейшего развития технологии 8Ю и создания новых приборов, с одной стороны необходимо исследовать параметры ГЦ в эпитаксиальных слоях и р-п переходах, полученных по различным технологиям. С другой стороны, исследование параметров уже созданных приборов может дать дополнительную информацию о свойствах имеющихся в них ГЦ. Кроме того, различные методы выращивания эпитаксиальных слоев и создания р-п структур приводят к образованию различных ГЦ в объеме полупроводника и на его поверхности, которые в свою очередь оказывают влияние на характеристики создаваемых приборов. Таким образом, через исследования параметров и распределений ГЦ можно определить оптимальную комбинацию технологических методов для создания данного типа прибора с лучшим сочетанием рабочих характеристик.

К началу настоящей работы (1983 г) на основе существовали

только отдельные приборы, имеющие, как правило, неудовлетворительные

рабочие характеристики, многие типы приборов еще не были разработаны. Не были также известны параметры глубоких центров, определяющих процессы излучательной и безизлучательной рекомбинации в 6Н и 4Н . Для исследований параметров ГЦ в не применялся весьма информативный метод нестационарной емкостной спектроскопии (БЬТБ).

При выполнении данной работы исследования велись по двум основным направлениям - исследование параметров и свойств глубоких центров в 81С и разработка новых приборов на основе этого материала. Так с одной стороны исследования ГЦ в БЮ проводились в диодах Шоттки и р-п структурах, созданных по уже отработанным технологиям, с другой стороны результаты исследования ГЦ позволяли объяснить и оптимизировать параметры полученных приборов и в некоторых случаях ГЦ с уже известными параметрами и профилями распределения использовались для оценки неизвестных характеристик приборной структуры.

Цель работы .Исследование свойств глубоких центров в эпитаксиальных слоях карбида кремния, и изучение влияния обнаруженных ГЦ на параметры сформированных на основе данных слоев полупроводниковых приборов.

Объект исследования.

Объектом исследования служили эпитаксиальные слои 6Н и 4Н БЮ пир типа проводимости полученные различными технологическими методами ; р-п структуры, диоды Шоттки и полевые транзисторы сформированные на основе данных слоев.

Задачи работы.

•Определение параметров, концентраций и профилей распределения ГЦ в эпитаксиальных слоях и р-п структурах на основе 6Н и 4Н 8Ю, полученных по различным технологиям.

•Исследование влияние обнаруженных ГЦ на процессы излучательной и безызлучательной рекомбинации в БЮ и приборах на его основе

•Разработка новых измерительных методик, расширяющих возможности нестационарной емкостной спектроскопии (ОЬТ8) применительно к БЮ.

•Сравнительное исследование свойств р-п структур, сформированых на основе 6Н и 4Н БЮ для разработки высокотемпературных диодных структур и 6Н 8 ¡С полевых транзисторов с затвором Шоттки (МЕЗНЕТ).

Научная новизна.

Показано, что электростатические параметры БЮ р-п структур сформированных БЖЭ и СЭ ,и их температурные зависимости соответствуют теории Шокли для резкого ассимметричного р-п перехода.

Показано что обнаруженные в 6Н ЭЮ глубокие акцепторные центры Б-центр (Еу + 0.58эВ), 1 центр (Еу + 0.52 эВ) и Ь- центр (Еу +0,24 эВ) имеют аналоги в других политипах 8Ю ( в 4Н БЮ Б-центр (Еу + 0.52эВ); 1 центр ( Еу + 0.5эВ), Ь- центр (Еу +0,28 эВ)), которые являются активаторами одних и тех же процессов излучательной рекомбинации: О-центр - "борной" а 1 центр -"дефектной " электролюминесценции.

Показано, что Б (Ее -0.35 эВ) и ЩЕс - 1.27 эВ) центры могут быть основными рекомбинационными центрами в 6Н Б1С.

Развита теория анализа ОЬТБ спектров ГЦ, перезаряжающихся при инжекции неосновных носителей заряда.

Для случая излучательной рекомбинации : нейтральный акцептор - с-зона и донорно-акцепторной рекомбинации ( глубокий акцептор-мелкий донор) получены выражения описывающие зависимость интенсивности электролюминесценции (ЭЛ) от плотности прямого тока и температуры, а также температурную зависимость времени послесвечения ЭЛ исходя из параметров ГЦ и концентрации инжектированных носителей заряда. Дано качественное и количественное описание ранее наблюдавшемуся смещению

максимума электролюминесценции 4Н и 6Н ЗЮ р-п структур в коротковолновую область с увеличением плотности прямого тока.

Разработана теоретическая модель, позволяющая объяснить отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя бН-БЮ р-п структур перезарядкой глубоких акцепторных уровней предпробойным током.

Впервые проведено исследование электрофизических свойств гетерополитипных р-п структур р-ЗОБЮ/п-бН-БЮ, полученных сублимационной эпитаксией.

Было показано,что изменение соотношения С/Б! при росте эпитаксиальных слоев методом газофазовой эпитаксии, оказывает влияние на концентрацию образующихся фоновых глубоких акцепторных уровней.

Практическая ценность работы.

Разработана технология МЕББЕТ полевого транзистора, работоспособного до температур 300 °С.

На основе 6Н 81С разработаны корпусированные диоды на напряжение пробоя 800 В (до 1500 В в некорпусированном варианте) и прямой ток 0,5 - 1 А, работоспособные до температур > 500 °С.

На основе БЬТБ разработаны и защищены авторскими свидетельствами методы измерения диффузионной длины, коэфициента инжекции и концентрации инжектированных носителей в базовой области р-п перехода.

Показано, что увеличение сопротивления базовых областей р-п перехода может привести к искажению, исчезновению и перемене знака наблюдаемого БЬТБ сигнала.

Было обнаружено что перекомпенсация наиболее слаболегированных слоев БЮ п типа проводимости, получаемых методом сублимационной , эпитаксии обусловлена фоновыми ГЦ акцепторной природы. Это позволило оптимизировать технологические условия роста, снизить концентрацию данных центров и получить эпитаксиальные слои со значением Ш-Ка ~ 1 1015 см0.

Апробация работы.

Материалы работы были представлены на 30™ национальных и международных конференциях: " Отраслевом научно-техническом семинаре по быстродействующим полупроводниковым приборам" (Таллинн 1985 и 1987 гг); "Отраслевом семинаре по перспективам развития технологии силовых

полупроводниковых приборов" (г.Белая Церковь 1985 г.); на Зем Всесоюзном совещании "Физика и технология широкозонных полупроводников"

(Махачкала, 1986); на 176ом симпозиуме Электрохимического общества США

(Голливуд, США, 1989); На Зей, 5ой, 6ой и 7 ой Международных конференциях по кристаллическому и аморфному БЮ (Вашингтон, США, 1990 и 1993 гг, Киото, Япония, 1995г., Стокгольм, Швеция, 1997); на конферециях Европейского материаловедческого общества ( Страсбург, Франция, 1990, 1991, 1994, 1996 гг.); на 12ой конференции Европейского физического общества (Прага, Чехия, 1992 ); на 1ой национальной конференции "Дефекты в полупроводниках" (С.Петербург, 1992); на 4ой Европейской конференции по алмазу и алмазоподобным полупроводникам (Апьбуфейра, Португалия, 1993); на 4ом международном симпозиуме по

исследованию и новым применениям тонких пленок ( Дрезден, Германия, •" рЙ

1994); на 20И и 3 конференции по высокотемпературной электронике (Шарлотта, США, 1994, Альбукерка, США, 1996); на 7ой конференции по силовым полупроводниковым приборам (Йокогама, Япония, 1995); на Международном семинаре по исследованию карбида кремния и приборов на его основе ( Новгород, Россия, 1995 и 1997 ); на 3ЕМ Симпоузиме по развитию технологий и исследованию свойств компаундных полупроводниковых материалов (Фрайбург, Германия , 1996); 3ЕМ Международном семинаре по исследованию алмазоподобных пленок (С.Перербург, Россия, 1996),на первой Европейской конференции по Карбиду Кремния (Крит, Греция, 1996), на 23 Международном симпозиуме по ваАэ и сопутсвтующим материалам

(С.Петербург, Россия, 1996), на Международном семинаре по фундаментальным аспектам применения сверхтонких диэлектриков (С.Петербург,Россия, 1997), на 19ой Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Авейро, Португалия

1997), на коференции Инженерного общества США по материалам высокотемпературной электронике и сенсорам (Сан-Диего, США, 1998), на Симпоузиуме " Исследование карбида кремния и приборов на его основе в России" (Вашингтон, США, 1998).

А также на семинарах: Мюнхенского Технического университета и Университета Нюренберг-Эрланген (ФРГ, 1992), университета в г.Авейро (Португалия, 1993-1995), Центральной школы электронике (Лион, Франция, 1994-1996) ,Университета г.Гераклион (Крит, Греция, 1996), Университета г. Болония (Болония, Италия, 1997) и Технологического Института штата Джорджия (Атланта, США,

1998), Государственного С.Петербургского университета и ФТИ им. Иоффе.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 70 печатных работ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения и списка литературы из 319 работ. Объем диссертации составляет 310 страниц, включая 112 рисунков и 11 таблиц.

Научные положения выносимые на защиту.

1. В эпитаксиальных слоях Б ¡С п-типа проводимости всегда существуют фоновые глубокие центры акцепторной природы, общая концентрация которых сильно зависит от использовавшейся технологии роста. Параметры и свойства отдельных центров близки в различных политипах , а концентрации, при прочих равных условиях, снижаются с увеличением степени гексагональности политипа.

2. В SiC существуют перезаряжающиеся при инжекции неосновных носителей заряда глубокие центры. Наличие таких центров в базовой области полупроводниковой р-п структуры позволяет с помощью DLTS проводить измерения коэффициента инжекции р-п перехода, концентрации и диффузионной длины инжектированных неосновных носителей заряда, равновесную концентрацию электронов в базовой области, величины обоих сечений захвата носителей на центр а также профили распределения данных центров.

3. Методом сублимационной эпитаксии в открытой ростовой системе и бесконтейнерной жидкостной эпитаксии возможно создание резких ассиметричных SiC р-п структур. Вблизи металлургической границы данных р-п переходов отсутсвует образование какой-либо дефектной переходной области протяженностью более O.Oljim. Электростатические параметры данных р-п структур в диапазоне температур 290-900 К соответствуют классическим представлениям физики полупроводников, что показывает возможность создания на их основе различных типов полупроводниковых приборов.

4. Увеличение концентрации глубоких акцепторных уровней на расстояниях > 1 (im от металлургической границы р-п перехода возможно при создании SiC р+-п структур методом легирования ионами алюминия, диффузии бора и сублимацией в открытой ростовой системе. Наличие таких центров приводит к частичной компенсации базовой области, образованию встроенного электического поля, увеличению объемного напряжения пробоя и к появлению отрицательного температурного коэффициента напряжения пробоя.

5. Для различных моделей излучательной рекомбинации получены выражения, связывающие характеристики электролюминесценции с параметрами участвующих в рекомбинации глубоких центров. Проведенный на основе полученных результатов анализ экспериментальных данных показал, что высокотемпературная борная электролюминесценция в SiC обусловлена

излучательным переходом электрона из зоны проводимости на нейтральный акцептор ф-центр).

6. Основными центрами безизлучательной рекомбинации в эпитаксиальных слоях 6Н -БИТ., полученных бесконтейнерной жидкостной эпитаксией и сублимационной эпитаксией в открытой ростовой системе, являются Б (Ес-0.35 эВ) и ЩЕс- 1.27 эВ) центры.

7. На основе бН-БЮ п+ - р+ - п структур, полученных сублимационной эпитаксией в открытой ростовой системе, созданы полевые транзисторы с затвором в виде диода Шоттки работоспособные до температур 700 К: МЕБЕЕТ, нормально закрытый МЕББЕТ, комбинированый МЕБЕЕТЧЕЕТ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Лебедев, Александр Александрович

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах.

1. Anikin М.М. Ivanov P.A.,Lebedev А.А. Pyatko S.N. Strel'chuk A.M. Syrkin A.L. High temperature discrète devices in 6H-SiC: sublimation epitaxial growth, device technology and electrical performance, in book "Semiconductor interfaces and micro structures" ed. by Z.C.Feng, (review) World Scientific, 1992, p.280-311.

2. Лебедев А.А. Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния.(обзор), ФТП в печати.

3. Аникин М.М. Лебедев А.А., Попов И.В. Севастьянов В.Е. Сыркин А.Л. Суворов А.В. Шпынев Г.П. Челноков В.Е. Выпрямительный диод на основе карбида кремния.- Письма в ЖЭТФ, 1984, т 10, в 17, стр 1053 - 1056

4. Аникин М.М. Лебедев А.А., Сыркин А.Л. Суворов А.В. Исследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии. - ФТП, 1985 т 19, в 1, стр 114-117

5. Аникин М.М. Лебедев А.А., Попов И.В. Стрельчук А.М. Суворов А.В. Сыркин А.Л. Челноков В.Е.Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния. ФТП, 1986 , т 20, в 5, стр 844 - 848.

6. Аникин М.М. Лебедев А.А., Сыркин А.Л. Суворов А.В. Емкостная спектроскопия р-п переходов на основе эпитаксиального 4H-SiC, полученных ионной имплантацией А1. ФТП, 1986 , т 20, в 12, стр 2169 - 2172.

7. Аникин М.М. Лебедев A.A., Суворов A.B. Сыркин А.Л. Попов И.В.,Стрельчук A.M., Челноков В.Е. Структуры с ионно- имплантированным р-п переходом на основе 4Н SiC с " S " - образной ВАХ. ФТП, 1986 , т 20, в 9, стр 1654 - 1657.

8. Аникин М.М. Лебедев A.A., Растегаев В.П. Сыркин А.Л. Царенков Б.В. Челноков В.Е. Электростатические свойства SiC 6Н структур с резким р-п переходом. - ФТП,т 22, в 1, 1988, с. 133 -136

9. Аникин М.М. Лебедев A.A., Растегаев В.П. Сыркин А.Л. Стрельчук A.M. Царенков Б.В. Челноков В.Е., Цветков В.Ф. Таиров В.М. Вольтамперные характеристики эпитаксиальных р+-п-п+ структур на основе карбида кремния. -ФТП,т 22, в 2, 1988, с. 298 -300

10. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Сыркин А.Л., Стрельчук A.M. Связь желтой электролюминесценции в 6Н SiC р-п структурах с глубокими центрами. - ФТП,т 24, в 8, 1990, с. 1384 -1390

11. Аникин М.М. Андреев А.Н. Лебедев A.A., Пятко С.Н. Растегаев М.Г. Сыркин А.Л. Стрельчук A.M. Челноков В.Е. Высокотемпературный диод Шоттки Аи-SiC-6H - ФТП,т 25, в 2, 1991, с, 328 -333.

12. Аникин М.М., Зубрилов A.C., Лебедев A.A., Черенков А.Е.,Стрельчук A.M. Рекомбинационные процессы в 6Н SiC р-п структурах и влияние на них глубоких центров. - ФТП,т 25, в 3, 1991, с.479-489.

13. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. О зависимости положения максимума электролюминесценции в 6H-SiC диодах от плотности прямого тока. - ФТП, 1994, т 28, в 3, стр. 444-448.

14. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Токовая спектроскопия глубоких центров в 6H-SiC р-п структурах со встроенным полем. - ФТП, 1994, т 28, в 3, стр. 457 - 461.

15. Аникин М.М., Лебедев A.A., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4Н-SiC. - ФТП, 1994, т 28, в 3, стр. 473-478.

16. Андреев А.Н., Аникин М.М., Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Связь дефектной электролюминесценции в 6Н -SiC с глубокими центрами. - ФТП, 1994, т 28, в 5, стр. 729-738.

17. Аникин М.М., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Эпитаксиальные слои и р-п переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным наргревом. - ФТП, 1994, т 28, в 7, стр. 1231- 1234.

18. Lebedev A.A.,Chelnokov V.E. Measurement of electro- physical properties of silicon carbide epitaxial films. - Diamond and Related Materials 3, 1994 p. 13941397.

19. Андреев A.H., Лебедев A.A., Зеленин B.B., Мальцев А.А., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Соколова Т.В., Челноков В.Е. Корпусированный эпитаксиально диффузионный диод на основе 6H-SiC - Письма в ЖТФ т 21,в 4.,1995, с. 60-64.

20. Lebedev А.А., Andreev A.N. Anikin M. M., Rastegaeva M.G., Savkina S.N., Strel'chuk A.M., Syrkin A.L., V.E.Chelnokov. Power silicon carbide devices based on Lely grown substrates - Proc.7th Inter. Sym. Power Sem. Devices (ISPSD'95) May 23-25,1995 Yokohama, Japan, p90-95.

21. Лебедев А.А, Аникин M.M., Растегаева М.Г. Савкина Н.С., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Полевой транзистор на основе 6H-SiC с затвором в виде диода Шоттки. - ФТП т 29,в 7.,1995, с. 1231-1236

22. Лебедев А.А., Аникин М.М., Растегаева М.Г. Савкина Н.С., Челноков В.Е. Получение и исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC р-п структур. -ФТП т 29,в 9., 1995, с. 1635-1639

23. Лебедев А.А.,Лебедев А.А., Рудь Ю.В. Спектры фотолюминесценции пористого 6Н SiC - Письма в ЖТФ т 21,в З.Д995, с. 64-67.

24. Лебедев А.А., Щеглов М.П., Соколова Т.В. К вопросу о связи зеленой электролюминесценции 6Н -SiC р-п структур с наличием в них кристаллических включений политипа ЗС. - Письма в ЖТФ т 21,в 16.,1995, с. 48-51.

25. Лебедев А.А., Щеглов М.П., Рогачев Н.А., Теруков Е.И. Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/AI2O3. - ФТП, т.29, в.8, 1995, с. 14251429.

26. Андреев А.Н., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Снегов Ф.М., Сыркин А.Л., Шестопалова Л.Н., Челноков В.Е. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-6H-SiC - ФТП, т.29, в. 10, 1995, с.1828-1832.

27. Andreev A.N., Lebedev А.А., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., V.E.Chelnokov Metall-n-6H-SiC surface barrier height - Experimental data and description in the traditional terms. J Appl.Phys. V 78 N9, 1995, p 5511-5514.

28. Лебедев A.A., Полетаев H.K. Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4Н SiC р-п структур. - ФТП, т.30, в.З, 1996, с.55-59.

29. Лебедев А.А., Применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования Рп структур на основе SiC - ФТП, т.30, в.б, 1996, с.39-45.

30. Lebedev A.A., Strel"chuk A.M., Ortolland S., Raynaud С., Locatelli M.L., Planson D., Chante J.P. The negative temp. coef. of breakdown voltage of SiC pn structures and deep centers in SiC - Inst. Phys. Conf. N142, Chapter 4, 1996, IOP publihing Ltd, p.701-704.

31. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G., Savkina S.N., Strel'chuk A.M., Mal'tsev A.A Chelnokov V.E.,Poletaev N.K. 6H SiC pn structures fabricated by sublimation growth of p+ layer on CVD epilayers of n type conductivity. Inst. Phys. Conf. N142, Chapter 3, 1996, IOP publihing Ltd, p.501-504.

32. Лебедев A.A., Давыдов Д.В., Игнатьев К.И. Исследование контактной разности потенциалов 6Н- SiC р-п структур, сформированных по различным технологиям. ФТП, 1996 т.30 в.10 с.1865-1870.

33. Лебедев А.А., Мальцев А.А., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук А.М, Полетаев Н.К., Челноков В.Е. Диоды на 6H-SiC, полученные совмещением газотранспортной и сублимационной эпитаксии. - ФТП, 1996 т.30 в.10 с. 18051808.

34. Лебедев А.А., Лебедев А.А., Рудь Ю.В., Рудь В.Ю., Стрельчук A.M. Фоточувствительность анодицированных слоев карбида кремния. Письма в ЖТФ 1996 т22 N9 с.59-63.

35. Oitolland S., Raynaunld С., Chante I.P., Locatelli M.L., Andreev A.N., Lebedev A.A., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Savkina N.S., V.E.Chelnokov Effect of boron diffusion on high-voltage behaiour of 6H-SiC p+ n- n+ structures. J.Appl.Phys. 1996 V.80 N9,p.5464-5468.

36. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Savkina N.S., Tregubova A.S., V.E.Chelnokov, Scheglov M.P. High Temperature SiC based rectified diodes: new results and prospects Inst. Phys.Conf. Ser N 155 Chapter 8 p 605-608 IOP publishing Ltd 1997.

37. Астрова E.B. Лебедев А.А. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарное емкостное измерение параметров глубоких уровней. - ФТП, 1985 ,т 19, в 8, стр 1382 - 1385.

38. Аникин М.М. Лебедев А.А.,Попов И.В. Стрельчук A.M. Суворов А.В. Сыркин А.Л. Получение и исследование выпрямительных диодов на основе SiC В сборнике статей "Силовые полупроводниковые приборы Таллин,"Валгус" стр. 29-33,1986

39. Аникин М.М. Лебедев А.А.,Попов И.В. Севастьянов В.Е. Сыркин А.Л. Суворов А.В. Шпынев Г.П. Исследование уровней А1 и В в диодных структурах методами емкостной спектроскопии., В сборнике статей "Технология силовых полупроводниковых приборов ", Таллин,"Валгус" стр. 19-24,1987

40. Anikin М.М. Lebedev А.А., Pyatko S.N. Soloviev V.A. Strel'chuk A.M. Minority Carrier Diffusion Lendth in epitaxially grown SiC(6H) pn diodes. Springer Proc. in phisics, 1992,V 56 ,p.269-273.

41. Аникин М.М.,Лебедев A.A.,Суворов А.В., Сыркин А.Л.,Попов И.В., Стрельчук A.M., Челноков В.Е. Высокотемпературные диоды на основе карбида кремния. Материалы 2го Всесоюзного научно-технического совещания, г Белая Церковь,стр 123, 1985

42. Аникин М.М. Лебедев А.А.,Попов И.В. Севастьянов В.Е. Сыркин А.Л. Суворов А.В. Плазмо-химическое травление карбида кремния. В сб. статей "Технология силовых полупроводниковых приборов Таллин,"Валгус" стр. 14-19,1987

43. Anikin М.М. Lebedev А.А., Strel'chuk A.M. Radiative and Radiation-less recombination processes in 6H and 4H SiC diodes and the effect of Deep Centers. Defect and Diffusion Forum, 1993,vol.l03-105,p.673-678.

44. Anikin M.M. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G. Savkina N.S. Strel'chukA.M. Chelnokov V.E. Electrophisical properties and device application of the SiC Thin films. In "Thin Films" ed. by G.Hecht F.Richtek,1994,Verlag,Germany,p.594-597.

45. Аникин М.М. Лебедев А.А.,Расстегаева М.Г. Савкина Н.С. Стрельчук A.M. Сыркин А.Л. Челноков В.Е. SiC-6H полевой транзистор с низким пороговым напряжением Письма в ЖЭТФ,1994,т.20,в 10,стр 16-19

46. Anikin М.М. Lebedev А.А., Rastegaeva M.G.Strel'chuk A.M. Syrkin A.L. Chelnokov V.E. Epitaxial layers of n-and p-type 6H-SiC grown by the sublimation "sandwich" method in an electronheated cell Proc. of 5-th ICSCRM,ed. by M.G.Spencer, R.P. Devaty, J.A.Edmond, M. Asif Khan,R. Kaplan., Inst. Phisics Conf. Ser.N.137, p.99-100

47. Andreev A.N. Anikin M.M. Lebedev A.A., Poletaev N.K. Strel'chuk A.M. Syrkin A.L. Chelnokov V.E. A relationship between defect electroluminescence and deep centers in 6H-SiC, Inst. Phisics Conf. Ser.N.137, p.271-274.

48. Anikin M.M. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G. Savkina N.S. Strel'chuk A.M. SyrkinA.L. Chelnokov V.E. Low pinch-off voltage JFETs in SiC. Inst. Phisics Conf. Ser.N.137, p.597-599

49. Anikin M.M. Lebedev A.A., Poletaev N.K. Strel'chuk A.M. Syrkin A.L. ChelnokovV.E. Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC, Inst. Phisics Conf. Ser.N137 стр.605-607

50. Рогачев H.A. Кузнецов A.H.Лебедев A.A., Теруков Е.И. Челноков В.Е. Особенности роста эпитаксиальных слоев карбида кремния из газовой фазы, создаваемой магнетронным реактивным напылением . Письма в ЖТФ.т 20. 67 ( 1994 ) стр 51-54 .

51. Andreev A. N. Anikin M.M Lebedev A.A., Zelenin V.V. Ivanov P.A. Rastegaeva M.G. Savkina N.S. Strel'chuk A.M. SyrkinA.L. Chelnokov V.E. High Temperature silicon carbide stabilitrons for the voltage range 4 to 50 Materials Science and Engineering B29,(1995) p. 190-193

52. Andreev A.N. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G. Syrkin A.L. Chelnokov V.E. Surface barrier hegth in metal-n 6H SiC structures, Material science and Engeneering В 29 (1995) p 198-201

53. Lebedev A.A. and N.A. Sobolev Capacitance spectroscopy of deep centres in SiC Mat. Science Forum V 258-263 (1997) 715-720.

54. Lebedev A.A., Rastegaeva M.G. Savkina N.S. Tregubova A.S. Chelnokov V.E. Scheglov M.P. New results and prospects in the developing of the High Power and High Temperature SiC based diodes Trans. Of the 3-rd Inter High temp. Electr. Conf. Albuquerque,New Mexico USA,June 9-14,1996,V 2, p 161-166

55. Lebedev A.A., Poletaev N.K. High Temperature "boron" electoluminescence in 4H-SiC and Deep centers Inst. Phys. Conf.,( 1996 ) IOP Publishing Ltd ,Ch 2,p 349-352

56. Аверкиев И.С. Капитонова JI.M. Лебедев А.А. Лебедев А.А. Частотная зависимость емкости, структур на основе пористого 6H-SiC Письма в ЖТФ (1996) т 22 стр 43-46

57. Агенян В.Ф. Степанов Ю.А. Лебедев А.А. Лебедев А.А. Рудь Ю.В. Фотолюминесценция анодизированых слоев карбида кремния ФТП (1997) т 31 N2 стр 315-317

58. Lebedev А.А. Savkina N.S. Strel'chuk A.M. Tregubova A.S. Scheglov M.P. 6H-3C SiC structures grown by sublimation epitaxy Mat.Science and Eng B46 ,(1997) pl68-170

59. Lebedev A.A., M.C. do Carmo 6H-SiC P-N structures with predominate exciton electroluminescence, obtained by sublimation epitaxy Mat.Science and Eng B46 ,(1997) p 275-277

60. Zelenin V.V. Lebedev A.A. Starobinets S.M. Chelnokov V.E. Grown and investigation of epitaxial 6H-SiC layers obtained by CVD on Lely substanse Mat.Science and Eng B46 ,(1997) p 300-303

61. Lebedev A.A. Davydov D.V. A study of the contact potential difference in p-n 6H-SiC structures grown by various techniques Mat,Science and Eng B46 p 271-274

62. Давыдов С.Ю. Лебедев A.A. Тихонов C.H. О барьере Шоттки на контакте металл-карбид кремния ФТП т31 N 5 ( 1997 ), р 597-599

63. Lebedev A.A. Tregubova A.S. ChelnokovV.E. Scheglov M.P. Glagovskii A.A. Growth and investigation of big area Lely-grown substrates Mat. Sci and Eng. B46 (1997) p 291- 295

64. Kuznetsov A.N. Lebedev A.A. Bogdanova E.V. Rastegaeva M.G. Terukov E.I. Epitaxial and Heteroepitaxial Grown of Silicon Carbide on SiC and AIN/AI2O3 Substrates , J Chemical Vapor Deposition , v 5 , N 4 ( 1997 ) , p 310-317.

65. Лебедев А.А., Ортоланд С., Реноуд С., Локателли М.Л., Плансон Д., Шант Ж.П. Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя SiC р-п стуктур ФТП т 31 N 7 р 866-868 (1997)

66. Лебедев А.А.,Савкина Н,С. Трегубова А.С. Щеглов М.П. Исследования гетероэпитаксиальных стуктур 3C(p)-6H(n)SiC ФТП т31 в9 (1997) стр 1083-1086

67. Данишевский A.M.,Трегубова А.С. Лебедев А.А. Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеянья. ФТП ,т 31 в 10 (1997) стр 11921197.

68. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Тихонов С.К. К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта карбид кремния - субмонослойная прослойка металла.ФТП т 32 в 1 (1998) стр 68-71.

69. Лебедев А.А., Н.К.Полетаев, М.Ц. до Кармо , Экситоная электролюминесценция 6H-SiC р-п структур, полученных сублимационнй эпитаксией. ФТП т 31 в 11 (1997) стр 1343-1349.

70. Лебедев А.А., Давыдов Д.В. Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-SiC, полученных газофазной эпитаксией, ФТП т 31 в 9 ( 1997 ) стр 1049-1051.

Багодарности

Автор считает своим приятным долгом поблагодарить профессора В.Е.Челнокова за полезные обсуждения и интерес к работе на всех стадиях ее выполнения. Автор также благодарен всем сотрудникам лаборатории Физики полупроводниковых приборов, где в течении 15 лет было выполнено это исследование, и сотрудникам других лабораторий ФТИ им А.Ф.Иоффе за оказонную помощь в работе .

Особенно хотелось бы отметить А.Н.Андреева, М.М.Аникина, Д.В.Давыдова, В.А.Дмитриева, В.В.Зеленина,. А.Г.Кечека, А.Н Кузнецова, Н.И.Кузнецова, Н.К.Полетаева, М.Г.Растегаеву, Н.С.Савкину, В.А.Соловьева, А.М.Стрельчука, АЛ.Сыркина, А.С.Трегубову, М.П.Щеглова.

Заключение

Проведенная работа позволяет сделать следующие выводы:

1. Методом сублимационной эпитаксии в открытой ростовой системе возможно получение резких ассимметричных SiC р-n структур, которые по своим свойствам (напряжения пробоя, рабочие температуры и плотности прямого тока) соответствуют ранее сделаным теоретическим оценкам.

2. На основе 6Н SiC эпитаксиальных слоев и р-п структур, полученных ментодом сублимационной эпитаксии в открытой ростовой системе, возможно создание диодов Шоттки, выпрямительных диодов а также различных модификаций MESFET полевых транзисторов.

3. Наличие перезаряжающихся при инжекции ГЦ в базовой области р-п структуры позволяет с помощью DLTS определять диффузионную длину неосновных носителей заряда, коэффициент инжекции р-п перехода и профиль распределения данных ГЦ.

4. В 6Н SiC, полученном по различным ростовым технологиям, обнаружено 5 типов фоновых глубоких центров D-центр (Ev + 0.58эВ), i центр (Ev + 0.52 эВ), L- центр (Ev +0,24 эВ), S-центр (Ее -0.35 эВ) и R-центр (Ее -1.27 эВ); три из которых имеют аналоги в других политипах SiC ( в 4Н SiC D-центр (Ev + 0.52эВ); i центр (Ev + 0.5эВ), L- центр (Ev +0,28 эВ)), которые обладают близкими параметрами и являются активаторами тех же процессов излучательной рекомбинации: D-центр - "борной" а i центр -"дефектной " электролюминесценции.

5. В 6Н SiC, выращенном по различным технологиям, основным центром безизлучательной рекомбинации является R-центр.

6. Характеристики "борной" электролюминесценции в 6Н и 4Н SiC могут быть объяснены на основе излучательной модели рекомбинации электрона из зоны проводимости и дырки, захваченной на D-центр.

7. Отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя SiC р-п структур может быть объяснен изменением напряженности электрического поля вблизи металлургической границы р-п перехода за счет перезарядки глубоких акцепторных центров (D- или i ГЦ) предпробойным током. 8. Обнаружено, что лимитирующим фактором при росте слаболегированных слоев п- SiC методом сублимационной эпитаксии, является концентрация образующихся фоновых ГЦ акцепторной природы. Показано, что за счет оптимизации технологических условий роста возможно снижение концентрации глубоких акцепторов на 1-2 порядка. Это позволяет получать СЭ слои 6H-SiC с

15 3 концентрацией Nd-Na ~ 1x10 см" и диффузионной длиной неосновных носителей заряда ~ 1,5 - 2 мкм.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Лебедев, Александр Александрович, 1998 год

Список Литературы.

1 Добронеш С.А., Зубков С.М., Кравец В.А., Смушкевич В.З., Толпыго К.В., Францевич И.Н. Карбид кремния // Гос. Изд. Литературы УССР, Киев-1963.

2 Acheson E.G.// Chem News, -1893- B.68 -C179.

3 Pensl G, Helbig R // in Advans in Solid State Physics, ed by Rossler V. (Viemeg, Braunschweig) -1990- P. 133-156.

4 Round .H.J. A note on carborundum // Electrical World. -1907-V.30-P.309.

5 Лосев O.B. Фотоэлектрический эффект в особом активном слое кристаллов карбоцида.//ЖТФ. Т.1-В.2-1931-С.718

6 Lely J.A. Darstellung von Einkristallen von Siliziumcarbid und Beherrshing von Art und mende der eingebeunten verunreininungen. // Ber. Dt. Keram. Ges -1955-55-P.229.

7. Глаговский A.A., Граневский Э.В., Дроздов A.K. и др. Некоторые вопросы получения карбида кремния и эпитаксиальных структур на его основе. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников // Ленинград -1980-С.226-240.

8. Виолин Э.Е. Электролюминесцентные приборы на основе карбида кремния.// В [7] стр 185-197.

9 Vodakov Yu. A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.O. Epitaxial growth of silicon carbide layers by sublimatione "sandwich-method" // Krist and Tecnik. -1979-V.14-P.729-740.

10 Константинов A.O., Литвин Д.П., Санкин В.И. Резкие струкрурносовершенные карбидокремниевые р-п переходы // Письма в Ж.Т.Ф. -1981-Т.7-В.21-С. 1335-1339.

11 Tairov Yu.M. and Tsvetkov V.F. Investigation of Growth procces of ingots of silicon carbide single crystals. // J.Crystal Growth -1978-P.209-212.

12 Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Современное состояние и перспектива получения монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния // В [7] С. 122-135.

13 Аникин М.М., Дмитриев В.А., Гусева И.Б., Сыркин А.Л. Рост и структурное совершенство эпитаксиальных слоев SiC при их выращивании "сэндвич" - методом в открытой ростовой системе. // Изв АН СССР- Неорганические материалы - 1984В. 10-С. 1768-1770.

14 Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.И. Зависимости растворимости примесей в SiC от кристаллографитовой ориентации и структуры политипа - в сб: Легированные полупроводники - М., "Наука" - 1982 - С.230-233

15.Camplbell R.B.., Chang U.C. Silicon carbide junction devins // Semiconductor and Semimetals - N4 // Academic Press, -1971- V.7B - P.625-68

16 Попов И.В., Сыркин А.Л., Челноков B.E. Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния // Письма в ЖТФ, Т.12-В4-С.240-243.

17 Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В. и др. Выпрямительй диод на основе карбида кремния // Письма в ЖТФ. -1984-Т.10-В17-С. 1053-1056.

18 Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В. и др. Вольтамперные характеристики эпитаксиальных р+-п-п+ структур на основе карбида кремния политипа 6Н // ФТП. -1988-Т.22-В2-С.298-300.

19 Зи С., М. Физика полупроводников // Энергия, Москва. -1973- С.656.

20 Brander R.,W., Sutton R.,Brit. J. Solution grown SiC p-n junctionc // Appl Phys D2-N2-P309-318.

21 Ziegler and Theis D.A New Degradation Phenomenon in Blue Light Emitting Silicon Carbide Diodes // IEEE Transaction on electron devices -1981-V.28 -N4 p 425-.427.

22 Дмитриев В.,А., Иванов П.А., Морозенко Я.В.и др. Карбидокремниевые светодиоды с излучением в синефиолетовой области спектра // Письма в ЖТФ. -1985-Т.11-В-С.98.

23 Дмитриев В.,А., Коган Л.М., Морозенко Я.В.и др. Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенный бесконтейнерной жидкостной эпитаксией // Письма в ЖТФ. 1985 -Т.12-В7-С.385-388.

24 Nishino S., Powell J., and Will N.,A. // Appl. Phys. Lett -1983- V.42-P.460.

25 Kelner G., Binari S., Sleguk., Kong H. // IEEE Electron Device Letters -1987- VEDL-8-N9-P.429-431.

26 Kong H, S., Palmer J.W., Glass J. T. and Davis R. F. Temperature dependence of the current-voltage characteristics of metal-semiconductor field-effect transistors in n-type 3~ SiC grown via chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett V.51-N6-P.442-444.

27 Kong H, S., Glass J. Т., and Davis R. F. Epitaxial growth of b-SiC thin films on 6H aSiC substrates via chemical vapor deposition.// Appl. Phys. Lett 1986-V.49- P. 1074-1076.

28 Edmond J.A., Kong H. S., Carter C.H. Blue Leds, UV photodiodes and high-temperature rectifiers in 6H-SiC // Physica В -1993-.185-P453-460.

29 Palmer J.W., Edmond J.A., Kong H, S., and Carter C.H. 6H-silicon carbide devices and applications//Physica В-1993-185-P461-465.

30 Brown D.M., Chezzo M., Kretchmer J., Krishnamurthy V., Michon G. High temperature SiC Planar 1С Technology and First Monolithic SiC operational Amplifier 1С // Trans. Of 2 Intern. High Temp. Elec. Conf.-1994-vl-pXI-23.

31.Anikin M.M., Andreev A.N., Pyatko S.N., Savkina N.S., Strelchuk A.M.,Syrkin A.L., Chelnokov V.E. UV Photodetectas in 6H-SiC // Sensors and Actuatas-1992-A 33- p.91-93.

32.Аникин M.M., Иванов П.А., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков B.E.SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной .//Письма в ЖТФ-1989-т.-15-в.16-с.36-42 .

33.Lebedev A,A., Anikin M.M., Rastegaeva M.G., Savkina N.S., Syrkin A.L., Chelnokov V.E. Silicon carbide combined transistor // Trans, of 2 Intern . High Temperature Electronics Conf.-1994 -v.l-p. XI-9.

34. Андреев. A.H., Иванов П.А., Стрельчук A.M., Савкина H.C., Челноков В.Е., Шапошников И.Р. Динистор на основе эпйтаксиальных слоев SiC-6H .выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе.//ФТП-1994-т.28-в.7-с. 1192-1194.

35. Аникин М.М., Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. Эпитаксиальные слои и р-n переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом.// ФТП-1994- т.28-в.7-с. 1231-1234.

36.Рогачев Н.А., Кузнецов А.Н., Теруков Е.И., Лебедев А.А., Челноков В.Е. Особенности роста эпитаксиальных слоев карбида кремния из газовой фазы, создаваемой магнетронным реактивным напылением.// Письма в ЖТФ-1994-т.20.-В.7.-С.51-54.

37.Rowland L.B., Kern R.S., Tanaka S., Devis R.F. Aluminum nitrade/silicon carbide multilayerheterostructure produced by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy.// Appl. Phys.Lett.-1993-v.25- N 25-3333-3335.

38.Itoh A., Akita H., Kimoto Т., Matsunami H. High-quality 4H-SiC homoepitaxial layers

grown by step-controlled epitaxy // Appl.Phys.Lett.-1994-v.65-N 11-p. 1400-1402 39 Андреев A.H., Трегубова A.C., Щеглов М.П., Растегаев В.П. Дорожкин С.И. Челноков В.Е. Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лэли ФТП.

40.Lebedev А.А., Andreev A.N., Anikin M.M..et al., Power silicon carbide devices based on Lely grown substrates // Proc. 7th Intern. Sump. Power Sem. Devices (ISPSD'95) May 23-25, 1995 , Yokohama , Japan , p90-95.

41.Верма А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М. Мир-1969-390 с

42.Ramsdell L.S. Studes on Silicon carbide .// Am.Mineral-1947-v.32- p.64-82.

43. Patric L. Inequalent Sites and Multiplet Donor and Acceptor Levels in SiC Polytypes.// Phys. Rev-1962- v.127-N 6- p. 1878-1880.

44. Ломакина Г.А. Пьезосопротивление дырочного 6H-SiC.//®TT-1977-t.17-b.9-c.2725-2730.

45. Хэпиш Г., Рой P.M. Карбд кремния. М.Мир, 1972- 386 с.

46. Humpreys R.G., Bimlery D., Choyke W.J. // Solid State Commun-1981-v.39-p.163.

47. Дубровский Г.Б. Структура, энергетический спектр и политипизм в кристаллах карбида кремния.//ФТТ-1971-т.13- в.8-с.2505-2507.

48. Дубровский Г.Б., Лепиева Г.А. Энергетическая зонная структура и оптические спектры кристаллов карбида кремния. // ФТТ-1977-т.19.в.-5-с. 1252-1259.

49. Водаков Ю.А., Константинов А.О., Литвин Д.П., Санин В.И. Лавинная ионизация в карбидкремниевых р-n структурах. // Письма в ЖТФ-1981 -т.7 -в.-12-с.705-708.

50. Константинов А.О. Температурная зависимость ударной ионизации и лавинного пробоя в карбиде кремния. //ФТП-1989- т. 23-в.1-с. 52-57.

51. Choyke W., Patrik L. Exiton Recombination Radiation and Phonon Spectrum. //Phys. Rev.- 1962-v. 127-N 6 -p. 1868-1877.

52. Пихтин A.H., Яськов Д.А. Край основной полосы поглощения SiC 6Н. //ФТТ-1970-т. 12-в.б-с. 1597-1604.

53. Choyke W.J., Hamilton D.R., Patric L. Optical Properties of 21 R SiC Absorption and Luminescence .// Phys.Rev.-1965-v. 138 A-N 5-p. 1472-1476.

54. Munch W. Silicon carbide //.in Landolt-Bournstein. Numerical Data and Functional Relationships in Scince and Technology-1982-v.l7a-p. 132-142.

55.Humphreys R.G., Bimberg D., Choyke W.J. // Solid State Commun-1981-v.39-p.163.

56.Санкин В.И. Структура экситонного края поглощения в 6H-SiC.//OTT-1975-T.15-в.б-с. 1820-1822.

57. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.А., Одинг В.Г., Семенов В.В., Соколов В.И. Современные представления о полупроводниковых свойствах карбида кремния, //-в. [7]-с. 164-184.

58.Taylor A., Jones R.M. Silicon Carbide. A High Temperature Semiconductor. //Pergamon Press-New York-1960- p/24.

59.Wyckoff R.W.G. Cristal Structures. // Willey and Sons-1963-New York-113 p.

60. Ellis В., Moss T.S. // Proc. Royal Soc . (London) -1963-A.299-p.383-393.

61. Kackel P., Wenzien В., Bechstedt F. Electronic properties of cubic and hexagonal SiC polytyes from ab initio calculation. // Physical Rew. B-1994-v.50- N 15-p. 1076110768.

62. Schadt M., Pensel G., Devaty R.P., Choyke W.J., Stein R., Stephani D. Anisotropy of the electron Hall mobility in 4H, 6H,15R Slicon Carbide.// Appl.Phys.Lett.-.1994 v.65-N 12-p.3120-3122.

63. Van Daal H., Rnippenberg W.F., Wassher J.D. On the electronic conduction of - SiC crystals between 300 and 1500 KM J.Phys.Chem.Solids-1963-v.24-N l-p.109-127

64. Vodakov Yu.A., Lomakina G.A., Mokhov E.N., Radovanova E.I., Sokolov V.I., Usmanova M.M.Silicon carbide Doped with Ga // Phys.stat. sol.(a)-1976-v.35- N l-p.37-42.

65.Choyke W.J., Patric L. Static Dielectric Constant of SiC// Phys. Rev. B-1970-V.2-p.2255-2256.

66. Kern E.L., Hamill D.W., Dum H.W., Shuts U.D...//Mater.Res.Bull.-1969-4-p.25.

67. Dillon J.A., Schlin R.F., Farnswornh H.E. . 111. Appl. Phys. -1959-v.30-p.675.

68. Jonson E.O. Phesical limitations on frequency and power parameters of transistors.// RCA Rev.-1965-v.26-p.-163-177.

69.0тблеск A.E., Челноков B.E. Теоретические основы разработки основных приборов на карбиде кремния // Мат. 11 Зимней щколы ФТИ ЛИЯФ 1979 стр. 161193.

70.Yoder M.N. Wide Bendgap Semiconductor Materials and Devices // IEEE Trans on El. Devices-v.43-N10-p. 1633-1636.

71.Keyes R.W. Figure of merit for semiconductors for high-speed switches.// Proc.IEEE-1972-v.60-p.225-232.

72.Baliga B.J . Semiconductors for high-voltage, vertical channel FETs. //.J.Apll.Phys. -1982- v.53-p. 1759-1764.

73. Baliga B.J. Pover semiconductors device figure of merit for high-frequency applications .// IEEE Electron Device Lett.-1989-v.l-p.455-457.

74 Szenai K., Scott R.S., Baliga B.J. Optimum semiconductors for high-pover electronics.// IEEE Electron Device -1989-v.l0-p.485-487.

75. Pensl G., Helbig R. Silicon carbide (SiC)- Recent Results in Physics and Technology. // Advances in Solid State Physics- 1990-v.30-p. 133-156.

76. Chow T.P., Ritu Tyagi. Wide Bandgap Compound Semiconductors for Superior HighVoltage Unipolar Power Devices. // IEEE Trans on electron devices-1994-V.41-N 8-p.1481-1483.

77. Chelnokov V.E. SiC bipolar devices. //Material Science and Enginiring-1992-B 11-p-103 -111.

78. Gaska R.Chen Q., Yang J., Osinsky A., Asifkhan M., Shur M.S. High Temperature Perfermance of AlGaN/GaN. HFET'son SiC Substrate // IEEE El. Device let.-1997-v,18-N10-p.492-494.

79. Torvik J.T., Qin Chang-Hua, Lecsono M., Pankove J.I. Optical characterization of GaN/SiC n-p heterojunction and p- SiC // Appl. Phys. Lett.-1998-v.72-N8-p.945-947.

80. Sussman S, Brandor J.R., Scarsbrook G.A., Sweeney C.G., Valentine T.J., Whitehaed A.J., Wort C.J.,// Diamond and Rel.Mat. -1994- 3 303.

81. Nakamura S. Blue-Green Ligth-Emitting diodes and Violet Laser Diodes.// MRS Billentin -1997-V22-N2 p29-35.

82. Shur M.S. and Khan M.A.GaN/AlGaN Heterostructure devices: Photodetectors and Field-Effect Transistors.// MRS Billentin -1997 -V22-N2 p44-50.

83. Берман JI.С,. Лебедев А.А Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.;Наука, 1981. 175 с.

84. Rao M.V,. Gardner J, Holland O.W. et al. Hot implantation of N+ into a-SiC epilayers // Inst.Phys.Conf.Ser.Nol42: 1996, p521-524.

85. Woodbery H.H., Ludwig G.W. Electron Spin Resonance Studies in SiC. // Phys.Rev. 1961 V124 1083-1089.

86. Ikeda. I,.Matsunami H, Tanaka. T Site effect on the impurity levels in 4H, 6H and 15 R SiC// Phys.Rev. 1980 22 ,p2842

87. Алексеенко M.B., Забродский А.Г., Тимофеев М.П. Термическая ионизация неэквивалентных соединений азота в 6Н- SiC. // Письма в ЖТФ-1985-11-стр.1018-1023.

88. Suttrop W.,Pensl,G,.Choyke W.J,.Steine R, Leibenzeder Sio Hall effect and adsorption measurements on nitrogen donors in 6H-silicon carbide// J.Appl Phys -72 -1992-p3708 -3713.

89. Gotz W,.Schoner A,.Pensl G,.Suttrop W,.Choyke W.J,.Steine R,.Leibenzeder S ,// J.Appl Phys -73-1993 - 3332.90. Euwarage A.O,.Smith S.R and. Mitchel W.C Shallow and deep levels in n-type 4H-

SiC. //J.Appl Phys -79-1996 -p7726-7730..

91.Troffer Th, .Gotz W ,.Schoner A, et al .Hall effect and infrared absorption measurements on nitrogen donors in 15R-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser.Nol37-1994,pll3-176.

92. Nikolaev A.E,.Nikitina I.P,.Dmitriev V.A Highly nitrogen doped 3C-SiC grown by liquid phase epitaxy //Inst.Phys.Conf. Ser 142-1996- pl25-128.

93. Mayer K,.Schneider J,.Wilkening W, Leibenzeder S.,.Stein R Electron spin resonance studies of transition metal deep level impurities in SiC.// Mat.Science & Eng, -1992-Bll-27-30.

94. Euwarage A.O,.Smith S.R and. Mitchel W.C Shallow levels in n-type 6H- silicon carbide as determined by admittance spectroscopy // J.Appl Phys -1994-75-3472-3476.

95. Dean P.J and.Hartman R.L Magneto-Optical Properties of the Dominant Bound Exitons in undoped 6H SiC // Phys.Rev 1972-B5- 4911-4924.

96. Van H Daal., Knippenberg W.F,. Wassher J.D. On the electronic conduction of a-SiC crystals between 300 and 1500 К. II J.Phys.Chem.Solids.-\9ЬЪ-2А-Ш-121.

97. Ломакина Г.А, Водаков Ю.А., Мохов. Е.Н, Одинг В.Г., Холуянов. Г.Ф Сравнительные исследования электрических свойств трех политипов карбида кремния.// ФТТ-1970.-12 2918-2922.

98. .Кодрау И.В, Макаров. В.В Исследование голубой люминесценции карбида кремния с применением ионной имплантации алюминия и азота // ФТП-1977-11-969 -972.

99. Мохов Е.Н., Усманов. М.М.. Юлдашев Г.Ф Махмудов Б.С. Легирование SiC элементами III А подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы. // Неорганиические материапы 1984.. 20, 1383-1386.

100. Schoner A.Nordell N,.Rottner K,.Helbig R,.Pensl G Dependence of the aluminium ionization energy on doping concentration and compensation in 6H-SiC // Inst.Phys.Conf.Ser.Nol42- 1996-p493-496..

101. Шкловский Б.И. ,Эфрос. А.Л 11 ФТП 1980 14 486.

102. Аникин М.М, Кузнецов Н.И.,.Лебедев А.А, Савкина Н.С.,.Сыркин А.Л,.Челноков. В.Е Токовая спектроскопия глубоких центров в 6H-SiC р-п структурах со встроенным полем // ФТП- 1994-28- 457.

103. Иванов П.А,.Морозенко Я.В,.Суворов А.В Исследование глубоких центров в р-п переходах,полученных ионным легированием 6H-SiC. // ФТП, 1985 19 1430-1433/

104. Kuznetsov N.L.Zubrilov A.S Deep centers and electroluminescence in 4H SiC diodes with a p-type base region // MatScience and Eng. 1995 B29 181-184.

105. Heera V,.Pezold J,.Ning X and.Pirouz P. High dose co-implantation of aluminium and nitrogen in 6H-silicon carbide // Inst.Phys. Conf.Ser.Nol42,-1996- p 509-512.

106. Clemen L.L, , Devaty R.P.,.Choyke W.J et al.Recent developments in the characterization of the aluminum centre in 3C, 4H, 6H and 15R // Inst.Phys. Conf. Ser 137, 1994.p297-300.

107. Водаков Ю. А., Ломакина Г.А, Мохов, Е.Н, Нестехиометрия и политипизм карбида кремния // ФТТ 1982 24 1377- 1383 .

108. Andreev A.N., Anikin М.М,. Lebedev А.А,. Poletaev N.K,. Strel'chuk A.M,.Surkin A.L and.Chelnokov V.E. A relationship between defect electroluminescence and deep centers in 6H SiC. // lnst.Phys.Conf.Ser.Nol37:- 1994 Chapter 3 p 271-274.

109. Вейнгер А.И, Водаков Ю.А.Дулев Ю, Ломакина Г.А., Мохов. Е.Н, Одинг В.Г,.Соколов В.И Примесные состояния бора в карбиде кремния // Письма в ЖТФ-1980-6, 1319-1323.

110. Balandovich V.S., Mokhov. E.N. // Transactions Second Intern. High Temperature Electronics Conference, (Charlotte NC, 5-10 June 1994, USA), V.2, ,pl81-184.

111. Виолин Е.Э, Холуянов Г.Ф. Экстранция носителей тока полем р-п перехода и механизм электролюминесценции SiC. // ФТТ 1966-8- 3395.

112. Ortolland S., Raynald С., Chante I.P., Locatelli M.L., Andreev A.N., Lebedev A.A., Rastegaeva M.G., Syrkin A.L., Savkina N.S., V.E.Chelnokov Effect of boron diffusion on high-voltage behaviour of 6H-SiC P+ n- П+ structures. // J.Appl.Phys. 1996 V.80 N9,p.5464-5468.

113. Лебедев A.A,.Андреев A.H,.Мальцев А.А,.Растегаева М.Г.Савкина H.C,.Челноков В.Е Получение и исследование эпитаксиальной диффузии 6H-SiC р-п структур. // ФТП 1995 .29 1635 .

114. Аникин М.М. , Лебедев А.А., Сыркин А.Л., Суворов А.В., Исследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии. //ФТП.-1985-19-стр.114-117.

115. Suttrop W., Pensl G., Laning P. Boron-Related Deep Centers in 6H-SiC // Appl. Phys. A.-1991-51-231-237.

116. Anikin M.M,. Lebedev A.A, Poletaev N.K., Strel'chuk A.M.,.Surkin A.L and V.E.Chelnokov. Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC Inst.Phys.Conf.Ser.Nol37: 1994 Chapter 6, 605-607.

117. Лебедев А.А,.Полетаев H.K Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4H-SiC р-п структур.ФТП 1996 30, 54-55.

118. Константинов. А.О. Инжекция неравновесных точечных дефектов при диффузии примесей в кристаллах со смешанным механизмом самодиффузии.ФТП. 1991 25, 1175-1181.

119. Baranov P.G,.Mokhov E.N Electron paramagnetic resonance of deep boron in SiC // Inst.Phys. Соп/Ж42- 1996,p293-296.

120. Frank Т., Troffer T, Pensl G et al. Incorporation of the D-centre in SiC controlled either by B/Si- and B/C - Coimplantation or by Site-Competition-Epitaxy Abstr.Intern. Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997, p348-349.

121. Jang S,.Kimoto T.Matsunami H Deep levels in 6H SiC wafers and step-controlled epitaxial layers. Appl.Phys.Lett. 1994 65, 581-583.

122. Mazzola M.S, Saddow S.E.,.Neudeck P.G,.Lakdawala V.K, S.We Observation of the D-centre in 6Hp-n diodes grown by chemical vapor deposition. // Appl.Phys.Lett. 1994. 64, 2730.-2735.

123. Vodakov Yu.A, Lomakina. G.A,. Mokhov E.N. et al Silicon carbide Doped with Ga // Phys.stat. sol.(a)-1976-v.35- N l-p.37-42.

124. Troffer T, Pensl G., Schoner A., et al. Electrical Characterization of the Gallium Acceptor in 6H-SiC // Abstr.Intern. Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997,p601-602.

125. Henry A, Hallin С., Ivanov I.G. et al . Ga bound exitons in 3C, 4H and 6H-SiC.// Inst.Phys.Conf.m42, 1996 p381-384.

126. Водаков Ю.А,.Калабухова E.H, Лукин С.Н.,.Лепнева A.A,. Мохов E.H,.Шанина Б.Д // ЭПР в 2-мм диапазоне и оптическое поглощение собственного дефекта в эпитаксиальных слоях 4H-SiC. // ФТТ 1991. 33 3315-3326.

127. Водаков Ю.А. Ломакина Г.А.,. Мохов Е.Н.,Одинг В.Г Бериллий как донорная примесь в карбиде кремния // ФТТ. 1978, т20, 448-.451.

128. Violin E.V,.Kal'nin A.A,.Pasynkov V.V,.Tairov Yu.M,.Yas'kov D.A Luminescence of silicon carbide with different impurities. // Mat.Res.Bull. 1969 Vol 4, S231-241.

129. Zheng Y, Rammungul N., Patel R., et al Beryllium Implanted 6H-SiC P+N Junctions // Abstr.Intern.Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997 p71-72.

130. Baranov P.G and.Mokhov E.N Phys.Solide State 1996 38, 798

131. Hofstaetter A, Mayer B.K., Scharmann A., et.al.X-band ENDOR of Boron and Beryllium Acceptors in Silicon Carbide. Abstr.Intern.Conf on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997 p294-295.

132. Scott M.B,.Scofield J.D, Yeo Y.K.,. Hengehold R.L,Characterization of Deep Level defects in Mg-, Cr-, and Ar-implanted n-type 6H-SiC using Deep Level Transient Spectroscopy J I Abstr.Intern.Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997p389-390.

133. Балландович B.C. Акцептор скандий в 6H-SiC. // ФТП 1991 25 287-294.

134. Вахнер X,. Таиров Ю.М О политипизме SiC(Sc), выращиваемого из растворов.// ФТТ 12, 1543-1544, (1970).

135. Санкин В.И., Столичнов И.А., Электронный транспорт в условиях ванье-щтарковской локализации в политипах карбида кремния // ФТП-1994-т.31-5-стр 577-584.

136. Patrick L., Choyke W.J. // Phys.Rev. 1974 В 10, 5091.

137. Kemenage A.W.C. and.Hagen S.H Proof of the involment of Ti in the Low-temperature ABC Luminescence spectrum of 6H SiC.// Solid State Commun 1974 14, pl331-1333

138. Lee K.M. Dang Le.Si,.Watkins G.B,.Choyke W.J,Optically detected magnetic resonanse study of SiC:Ti. // Phys.Rev В 32, 1985-p2273-2284..

139. Maier K, Muller H.D., Schneider J Transition Metals in Silicon Carbide (SiC): Vanadium and Titanium.// Mat.Sc.Forum V 83-87- 1992-pl 183-1194.

140. Maier K., Schneider J., Wilkening W.,.Leibenzeder S and.Steine R Electron spin resonance of transition metal deep level impurities in SiC. // Mat.Science and Eng 1992 Bll 27-30..

141. Dalibor T, Pensl G. „Matsunami H,.Kimoto T,.Choyke W.J, Schoner A.,. Nordel N, Phys.Stat.Sol (a) 1997 pl62 -183

142. Dalibor T. Pensl G., Nordeil N., et alGround state of the ionized state of the isoelectronic Ti acceptor in SiC.// Abstr.Intern.Conf on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997 p55-56.

143. Langer J.M, Heimich H., Phys.Rev.Lett 1985, 55, pl414 .

144. Hobgood H. McD Glass R.S., Augustine G.et.al Semi-unsulating бН-SiC grown by physical vapor transport // Appl.Phys.Lett. 1995, 66, p 1364-1366.

145. Mitchel W.C., Roth M.D., Evwaraye A.O., et al. Electronic properties of semi-insulating vanadium-doped бН-SiC // Inst.Phys.Conf. ser 142, 1996, p313-316.

146. Dombrovskii K.F.,Kaufman U., Hunzer M. Deep donor state of vanadium in cubic silicon carbide (ЗС-SiC) et al //, Appl.Phys.Lett 65, 1994 pl84

147. Schneider J., Muller H.D., Muller К., et.al. Infrared spektra and electron spin resonance of vanadium deep level impurities in SiC // Appl.Phys.Lett. 1990, 56 pi184-1186..

148. Achtziger N, Grillenberg J., and.Witthuhn W Radiotracer Identification of Ti, V, and Cr bandgap States in 4H and бН-SiC.// Abstr.Intern. Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997,p 597-598.

149. Muller St.G, Hofmann D., Winnacker A., et al. Vanadium as a recombination centre in 6H SiC. // Inst.Phys.Conf. N 142, 1996, p361-364.

150. Baranov P.G Electronic Structure of Acceptors in SiC.// Abstr.Intern.Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997, p288-289.

151. Achtziger N, Witthunh W.Deep level of chromium in 4H SiC //Mat.Science Eng B46, 1997,p333-335.

152. Kuznser M, Dombrovski K.F., Fuchs F., et al. Identification of optically and electrically active molybdenum trace impurities in бН-SiC substrates.// Inst.Phys. Conf Ser. i 42-1996,/? 385-388.

153. Feege M,.Grenlich-Weber S and.Spaeth. J-M // Semiconductor.Sci.Technol 8 1620,(1993).

154. Abe K, Ohsima Т., Itoh H., et al Hot-implantation of Phosphorus Ions into 6H-SiC.// Abstr.Intern. Conf on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997,p354-355.

155. Холуянов Г.Ф., Водаков Ю.А., Виолин Э.В. Роль кислорода в голубой и "борной' люминесценции карбида кремния. // ФТП, 5, 39 (1971).

156. Dalibor Т, Pensl G., Yamamoto Т. et al, Oxygen-related defect centrs in 4H silicon carbide. // Abstr.Intern.Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997 p599-600.

157. Alok D,.Baliga BJ,.Kothandaraman M, P.K.McLarty Argon implanted SiC device edge termination: modeling, analysis and experimental results. // Inst.Phys.Conf.Ser 142,1996 p565-568..

158. Ennen H, Schneider J., Pomrenhe G. et al // Appl.Phys.Lett 1983, 43, p943-947.

159. Choyke W.J., Devaty R.P., Clemen L.L. Intense erbium -154 (im photoluminescence from 2 to 525 К in ion-implanted 4H,6H,15R and 3C SiC. // Appl.Phys.Lett 1994.65, 1668-1670.

160. Uekusa Shin-ichiro,Awahara К and. Kumagai M Luminescence Properties of Er Implanted polycrystalline 3C SiC Л Abstr.Intern.Conf. on SiC ,111 Nitrides and Rel. Mat. (Stokholm,Sweden) 1997, p380-381.

161. Наумов А.В,.Санкин В.И Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC, // ФТП 1989 т23 6 стр 1009-1014.

162. Аникин М.М.Зубрилов А.С,Лебедев А.А,.Стрельчук А.М„Черенков А.Е, Рекомбинационные процессы в 6Н SiC р-п структурах и влияние на них глубоких центров. // ФТП, 1991, 25, 479-489.

163. Anikin M.M,.Lebedev A.A,.Pyatko S.N,.Soloviev V.A ,.Strel'chuk A.M, . Minority Carrier Diffusion Lendth in epitaxially grown SiC(6H) pn diodes // Springer Proc. In Phys. V56 -1992- p269-273.

164. Hoffmann L,.Zeidler G,..Theis S,.Wegnich G.Silicon carbide blue light emitting diodes with improved external quantum efficiency // J.Appl. Phys. 1982? V53, p 69626967.

165. Potter R.M, Photoluminescence & Electroluminescence in alpha Silicon Carbide. // Mat.res. bull 1969,V4 p 223-229.

166. Kuwabara H., Yamada S., Tsunekawa S..Radiative reeobination in P-SiC doped with boron // J. of Luminescence -1976-N12/13-p.531-536.

167. Вайнер B.C,.Ильин В.А,.Карачинов B.A, Таиров Ю.М.// ФТТ, 28, 363,(1986).

168. .Il'in V.A and..Balandovich S B, // Defect and diffusion Forum, 103-105, Trans,Tech.publ, Switzeland,633, (1993).

169. .Водаков Ю.А, .Ломакина Г.А, .Мохов Е.Н Нестихиометрия и политипизм карбида кремния // ФТТ-1982, т24, с.1377-1382 .

170. Вахнер Ю.,.Таиров Ю.М О политипизме SiC (Sc), выращеваемого из растворов //ФТТ, 1970 12, С1543-1544.

171..Водаков Ю.А,.Мохов Е.Н,.Роенков А.Д,.Аникин М.М. Влияние примесей на политипизм карбида кремния . // Письма в ЖТФ-1979, 5, 367-369.

172. T.Troffer, Ch.Habler,G,Pensl et al, Boron related defect centers in 4H silicon carbide.// Inst.Phys.Conf.Ser 142, 1996 p281-284.

173. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбунек Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников . Киев ; Наук. Думка. 1987..стр. 608.

174. Гусев В,М.. Деманов К.Д.. Ефимов В.М.. Ионов В.И.. Косагонова М.Г.. Прокофьева И.К..Степерева В.Г..Ченушкин Ю.Н. Электролюминесцентные свойства некоторых политипов SiC, ионно-легированных А1 .// ФТП. 1981т.15.в.12. стр 2430-2433 .

175. Ikeda М., Haykava Т., Ymagiva S., Matsunami Н., Tanaka Т. Fabrication of 6H-SiC light-emitting diodes by arotation dipping techique: Electroluminescence mechanisms. // J. of Appl. Phys., 1979, v. 50, N. 12 ,p.8215-8225.

176. Дмитриев В.А.. Иванов П.А.. Морозенко Я.В.. Попов И.В.. Челноков В.Е. Карбидокремниевые светодиоды с излучением в сине- фиолетовой области спектра //. Письма в ЖТФ. 1985.т. 11 , вып. 4. стр. 246-248.

177. Краснов Ю.С.. Кмита Т.Г.. Рыжиков И.В.. Павличенко В.И.. Сергеев О.Т.. Сулейманов Ю.М. Свечение азотно-алюминевых комплексов в 6H-SiC.// ФТТ. 1968 .т.10.. в.4. стр. 1140-1146.

178. Соколов В.И. Структура "голубой" люминесценции в карбиде кремния.// "Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников". Л.. 1979. Стр. 301-308.

179. Макаров В.В. Люминесценция и оптические свойства карбида кремния, облученного быстрыми нейтронами. //ФТТ. 1971.т.13.в.8. стр.2357-2363.

180. Patrik K.L., Choyke W.J. Photoluminescence of Radiation Defects in Ion-Implanted 6H-SiC.// Phys.Rev. ,1972,v.5B,N.8,p.3253-3259. ,

181. Lee K.M., Dang Le.Si., Watkins G.D. Opticali detected magnetic resonance study of SiC:Ti.// Phys.Rev. ,1985 , v.32, N.4 , p. 2273-2284.

182. Гусев B.M. .Демаков К.Д.. Косагонова М.Г.. Рейфман М.Б.. Столярова В.Г. Исследование электролюминесценции кристаллов SiC, ионолегированных бором, алюминием и галлием.// ФТП . 1975 .т.9 . в.7 . стр. 1238-1242.

183. Аксенов В.Ф. . Ермаков О.Н.. Карацюба А.П. Примесная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе 6H-SiC в широком спектральном и температурном диапазоне.// Электронная техника. 1984. Сер.2.

184. Водаков Ю.А.. Ломакина Г.А.. Мохов Е.Н.. Рамм М.Г.. Соколов В.И. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром Д1 в нейтронно-облученном 6H-SiC. // ФТП. 1986 .т.20.в.12. стр.33953397.

185. Виолин Э.Е.. Холуянов Г.Р. Экстракция носителей тока полем р-n перехода и механизм электролюминесценции карбида кремния. // ФТТ . 1966 .т.8 . в. 11 . стр.3395-3397.

186. Kuwabara Н., Yamata S. Free-to-Bound Transition in P SiC Doped with Boron. // Phys.st.sol.(a), 1975 , v.30 , N.2 , p.739-746.

187. Водаков Ю.А.. Жумаев H.. Зверев Б.П.. Ломакина Г.А. . Мохов Е.Н.. Одинг В.Г.. Семенов В.В.. Симахин Ю.Ф. Карбид кремния легированный бором.// ФТП, 1977 .т.11 .в.2. стр.1319-1323.

188. Ikeda I., Matsunami Н., Tanaka Т. Site effect on the impurity levels in 4H,6H and 15R SiC. // Phys.rev., 1980 ,v.22 , N. 6 , 2842-2854.

189. Ballandovich V.S., Tairov Yu.M., Violina G.N. Acceptor Boron in a-SiC(6H): Investigation by the Photocapacitance Method.// Phys.stat.(a) 1981, v.65., p.709-716,.

190. Копылов A.A.. Пихтин A.H. Об определении энергии ионизации глубоких центров в полупроводниках по спектрам оптического поглощения .// ФТП .1976. т. 10 . в. 1. стр. 15-20.

191. Водаков Ю.А.. Гончаров Е.Е.. Ломакина Г.А.. Мальцев А.А.. Мохов Е.Н.. Одинг В.Г.. Рамм М.Г.. Рябова Г.Г. Особенности высокотемпературной люминесценции эпитаксиальных слоев карбида кремния . легированных бором. // ФТП. 1987 . т.21 . в.2 . стр.207-211.

192. Бараш А.С.. Водаков Ю.А.. Кольцова Е.И.. Мальцев А.А. Мохов Е.И., Роенков А. Д. Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4Н. // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, в.24 , стр.2222-2226.

193. Anikin М.М., Lebedev А.А., Poletaev N.K. et al Deep centers and blue-green electroluminescence in 4H-SiC // Inst. Phys. Conf. Ser. N137-1996-p.605-607.

194. Kuznetsov N.I., Zubrilov A.S. Deep centers and electroluminescence in 4H-SiC diodes with a p-type base region.// Mat.Scin. and Engineering B29, 1995 , p. 181-185.

195. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Бериллий как донорная примесь в карбиде кремния // ФТТ-1978-т20-в.2-стр.448-451.

196. Choyke W.F., Devaty R.P., Cleman L.L. at. al Intense erbium-1,54prn photoluminescence from 2 to 525 К in ion-implanted 4H,6H,15R and 3C-SiC.//Appl. Phys. Lett 1994,V65, p 1668-1670.

197. Гусев B.M., Деманов К.Д., Ефимов B.M., Ионов В.Н., Косагонова М.Г., Прокофьева И.К., Столярова В.Г., Чекушин Ю.Н. Электролюминесцентные свойства некоторых политипов SiC, ионнолегированных А1. // ФТП, т. 15 , стр.2430 , 1981 .

198. Кготт Р.Н., Сорокин Л.М., Аргунова Т.С., Рувимов С.С., Рентгеновские исследования дислокационных структур в эпитаксиальных слоях, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, с больщой степенью раориентации кристаллической решетки // ФТТ 1994, т.Зб, 9, стр 1473-1479.

199. Maltsev A.A.,.Litvin D.P, Scheglov M.P.,.Nikitina I.P High-resistivity epitaxial films of 4H-SiC doped by scandium.// Inst.Phys.Conf.Ser N142, 1996,p 137-140.

200. Lang A.R.,In: Difraction and Imaging Techniques in Materials Science, Ed by S. Amelinchx, R. Gevars and I. van Landuyt, V 2 , Imaging and Diffraction Techniques , 623 , 1978 .

201. Amelinckx S„ Strumane G„ Webb W.W. // J. Appl. Phys. 1960, 31 ,1359-1362.

202.Трегубова A.C., Шульпина ИЛ.Дефекты в полупроводниковых кристаллах

карбида кремния // ФТТ-1972-14-2305-2308.

203. Anikin М.М., Lebedev A.A.,Pyatko S.N., Strel'chuk A.M.,Syrkin A.L. Fabrication of SiC epitaxial structures for devices by the method of sublimation in an open system.// Materials Science and Engineering В 11, 1992 ,p 113-115.

204. Konstantinov A.O., Ivanov P.A. Sublimation growth of silicon carbide in the growth system free of carbon materials// Inst.Phys.Conf. N 137-1994-p37-40.

205. Neudeck P.G.,Larkin D.J., Starr J.E., Pocoel J.A., Matus L.G., Salupo C.S. Greatly Improved 3C-SiC p-n Junction Diodes Grown by Chemical Vapor Deposition //IEEE Electron Device Letters, 1993, v. 14 , N3, p. 136-139 .

206. Kordina O., Ianzen E. SiC materials for high-power application // Mat. Scien. and Eng 1997, B46 p203-209.

207. Kordina O, Bergman J.P., Henry A., Janzen E,. Long time carrier lifetimes in 6H SiC grown by chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. 1995 V 66, N 2, p 189-191.

208. Bergman J.B., Harris C.I., Kordina O. et al Dynamics of the nitrogen-bound exitons in 6H-SiC // Phys.Rew. 1994, B-50,.N 12, p8305-8309.

209. Hallin C., Bakin A.S., Owman F., Martensson P. Kordina O., Janzen E.Study of the hydrogen etching of silicon carbide substrates.// Inst Phys. Conf. Ser., N142 , 1996 , p.613-616.

210. Powell J.A., Petit J.B., Edgar J.H., Jenkins I.G., Matus J.W., Pirous P., Choyke W.J., Cherman L., Yoganthan M.Y.// Apll. Phys. Lett. , 59 1991, p333-335.

211. Bakin A.S., Hallin C., Kordina O.,Janzen E. High resolution XRD study of silicon carbide CVD growth // Inst.Phys.Conf.Ser N 142, 1996 p433-436.

212. Зеленин В.В., Соловьев В.Г., Старобинец СМ., Конников С.Г., Челноков В.Е. Исследование процесса роста эпитаксиальных слоев SiC при химическом осаждении из пара в системе СНз SiCb-Ha // ФТП, 1995.-t.29 , вып.б , стр. 11221127.

213. Larkin D.J., Ncudeck P.G., Powell J.A., Matus L.G.Site-competition epitaxy for superior silicon carbide electronics // Appl.Phys.Lett-1994 65,1659-1661.

214. Matsunami H., Kimoto T.Step controlled epitaxial growth of SiC: high quality homoepitaxy // Mat.Sce & Eng. 1997 R20 125-166

215. Janzen E., Kordina 0. Recent progress in epitaxial growth of SiC for power device application.// Inst.Phys.Conf.Ser N 142, 1996 p653-658.

216. Аникин M.M., Андреев A.H., Лебедев А.А. Пятко СМ., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., СТрельчук A.M., Сыркин А.Л. .Челноков В.Е. Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H // ФТП, 1991,т25,вып.2,стр.328-333.

217. Андреев А.Н., Лебедев А.А-, Растегаева М.Г., Снегов Ф.М., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., Шестопалова Л.Н. Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H.// ФТП, 1995, т29,вып10,стр1833-1843.

218. Rastegaeva M.G., Andreev A.N., Petrov А.А., Babanin A.I., Yagovkina M.A., Nikitina I.P. The influence of temperature treatment on the formation of Ni-based Schottky barriers and ohmic contact to 6H-SiC // Mat.Scien. and Eng 1997, B46 p254-258.

219. StreF'chuk A.M., Rastegaeva M.G. Characterization Shottky barriers occurring at the metal-6H-contact based on results of studies of current-voltage characteristics. // Mat.Scien. and Eng 1997, B46 p379-382..

220. Syrkin A.L., Bluet S.M., Bastige G., Bretagnon Т., Lebedev A.A.,Rastegaeva M.G., Savkina N.S., Chelnokov V.E. Surface barrier height in Metal-SiC structures of 6H,4H and 3C polytypes // Mat.Scien. and Eng 1997, B46 p236-239.

221. Syrkin A.L.,Chelnokov V.E High temperature electronic using SiC: actual situation and unsolved problems..// Mat.Scien. and Eng 1997, B46 p248-253.

222. Rastegaeva M.G., Andreev A.N., Petrov A.A., Babanin A.I., Yagovkina M.A., Nikitina I.P.. The influence of temperature treatment on the formation of Ni-based Schottky diodes and ohmic contacts to n-6H-SiC. // Mat. Science and Eng. 1997 B46 , p254-258

223. Rastegaeva M.G., Syrkin A.L Electrical characteristics of tungsten-contacts to 6H-SiC at temperatures between 300 and 950 К // Sensors and Actuators A, 1992, 33, p 95-96.

224 Crofton J., Barnes P.A., Williams. J.R., Edmond J.A. // Appl. Phys.Lett. 1993, V 62,

p384-386.

225. Калинина E.B., Суворов A.B., Холуянов Г.Ф., Электрические свойства карбид-

кремниевых р-п переходов ,полученных имплантацией алюминия. // в [ 7 ]. стр .333339.

226. Евстропов В.В., Петрович ИЛ., Царенков Б.В., Ток обусловленный

рекомбинацией через пятизарядный центр в слое объемного заряда GaAlAs р-п

структур.//ФТП, 1981 т15, в11, стр.2152-2158.

227. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович ИЛ., Царенков Б,В. Ток обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда р-n структуры. // ФТП, 1984,т18, в10,стр. 1852-1857.

228. Отблеск А.Е. ,Челноков В.Е., Широкозонные полупроводники-перспективные материалы для силовой полупроводниковой электроники // в [7] стр 197-211,

229. Иванов П.А., Качаровский В.Ю., Морозенко Я.В., Сувороов А.В. Температурная зависимость емкости карбидокремниевых р-n переходов // ФТП, 1987, т21,в1, стр. 1257-1260.

230. Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Пятко С.И., Растегаев В.П., Сыркин АЛ., Царенков Б.В., Челноков В.Е, Электростагичсские свойства SiC -6Н структур с резким р-n переходом // ФТП, 1988, т22, в1, стр 133-136.

231. Shokely W.// Bell. Syst. Tech. 1949 ,v28, N3, p435-489.

232. Neudeck P.G., Larkin D.J., Powell J.A.. Matus L.G. ,Salupo C.S. 2000 V 6H-SiC p-n junction diodes grown by chemical vapor deposition.// Appl. Phys. Lett. 1994,v64, pl386-1388.

233. Константинов A.O.Исследование биполярного лавиного умножения в карбиде кремния // ФТП 1983, в17 ,стр 2124-2128.

234. Palmor J.W., Edmond J.A., Kong H.S., Carter С H. Jr. 6H-silicon carbide devices and application. // Fhysica B, 1993, v 185 ,p 461-465.

235. Водаков Ю.А., Жумаев H., Зверев Б.П., Ломакина Г.А., Мохов Е.И., Одинг В.Г., Семенов В.В., Симахин Ю.В.Карбид кремния, легированный бором // ФТП 1977,т11 ,стр 373-378.

236. Вейнер А.И., Водаков Ю.А., Кулев Ю.Н., Ломакина Г.А., Мохов Е.И., Одинг В.Г., Соколов В.И.Примесные состояния бора в карбиде кремния // Письма в ЖТФ, , 1980, тб стр 1319-1323.

237. Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров. Москва, Энергоиздат,1990.

238. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Point defects in silicon carbide II Inst.Phys.Conf.Ser N 137, 1994 p197-206.

239. W. von Munch, W. Kukzinder Silicon carbide blue-emitting diodes produced by liqued phase epitaxy// Solid State Electron. 1978, v.53 , p. 1129-1131 ,

240. Andreev A.N., Tregubova A.S., Scheglov M.P., Syrkin A.L., Chelnokov V.E. Influence of growth conditions on structural perfection of b-SiC epitaxial layers, fabricated on 6H-SiC substrates by vacuum sublimation // Mat.Scien. and Eng 1997, B46 pl41-146.

241.Andreev A.N., Rastegaeva M.G. , Kuznetsov A.N., Babanin A.I, Scheglov M.P., Chelnokov V.E Ohmic contacts to N-type SiC-6H based on thin silicon carbide layers deposited by magnetron sputtering..// Тезисы докладов Международного семинара Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе , Новгород 1995 ,стр48-49.

242. "Краткий справочник паяльщика" под редакцией Петрунина И.Е., 1991,стр 212.

243. Novikov N.N., Voronkin М.А. , Bondar I.V. // Diamond and Related Materials 1994, v3, , p61-65.

244. Аникин M.M. Лебедев А.А., Суворов A.B и др. Структуры с ионно-имплантированным р-п переходом на основе 4Н SiC с " S " - образной В АХ. // ФТП, 1986 , т 20, в 9, стр 1654 - 1657.

245. Mead С.А. ,// Proc IEEE,v54, р307 (1966)

246. Ucoper W.W. and Lehner Proc IEEE,v55, pl237 (1967)

247. W. von Munch , Noek P. and Pettnpaul E. in Proc. Intern. Electronic. Device Mtg (

Washington 1977 ), p 337.

248. Kong H.S., Palmor J.W. , Glass J.T., Devis R.F. Temperature dependence of the current-voltage characteristics of metal-semiconductor field-effect transistors in n-type b-SiC grown via chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1987, v. 51 , p 442-444.

249. Diamond H.,Yuamanaka M., Shinohara M., Sahuma E., Misawa S., Endo K. Operation of schottku-Barrier field-effect transistors of 3C-SiC up to 400 °C // Appl. Phys. Lett. 1987, v.51, p. 2106-2108.

250. Shin M.W., Bilbo G.L., and Trew R.S.Current transport across a Schottky barrier in a SiC MESFET for high-temperature operation. // Inst.Phys.Conf. Ser. N 137: 1994 Chapter 6, p641-644,.

251. Tyc S., Armodo Ch. High frequency MESFETs in 6H-SiC.// Inst. Phys. Conf. Ser. N 137: 1994, Chapter 6 ,p 671-674

252. Иванов П.А. Автореферат кандидатской диссертации. Полевые транзисторы на основе карбида кремния , Ленинград, 1990.

253. Аникин М.М. , Лебедев А.А., Растегаева М.Г., Савкина Н.С., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е., SiC полевой транзистор с малым пороговым напряжением , // Письма в ЖТФ 1994 , т 20 , в. 10 , стр. 16-19.

254. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника , Москва , Высшая школа , 1991 , стр. 351.

255. Иванов П.А. , Царенков Б.В. SiC СВЧ полевые транзисторы : граничная частота -мощность // ФТП 1991, т.25, в.11, стр.1913-1917.

256. Nagen S.N. van Hemenade A.W.C., van der Das de Bye J.A.W. Donor - acceptor pair spectra in 6H and 4H SiC doped with nitrogen and aluminium // J. Lumin, 1973, v.8, p. 18-31.

257. Ikeda I. , Matsunami H., Tanaka Т., Site effect on the impurity levels in 4H,6H and 15R SiC. // Phys. Rev., 1980 , v. 22 , N6 , p.2842-2854.

258. Физический энциклопедический словарь. M., 1996 , т.5 , стр.445.

259. Берман J1.C., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках . Л.; Наука , 1981, стр.175.

260. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз , 1963.

261. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. // J. Appl. Phys. , 1974 , v.45 , N7 , p. 3023-3032 .

262. De jule R.V., Haase M.A., Ruby D.S. Shilima N.D.E. Contact capacitance DLTS circuit for mesurement high purity semiconductors . // Solid-State Electron (6B), 1985, v.28, N6, p.639-641.

263. Thurber W.R. , Forman R.A. , Phillips W.E. A novel methoud to defect nunexponential transient in deep level transient spectroscopy . // J. Appl. Phys. ,1982, v.53, N10, p.7397-7400..

264. Goto H., Adachi Y., Ikoma T. How to determine parameters of deep levels by DLTS single temperature scanning // Jap. J. Appl. Phys. ,1997, v.18, N10, p.1979-1982.

265. .Каджер И.О. , Мусаев C.A., Салав Э.Ю. Высокочастотный синхронный детектор с широким динамическим диапазоном .// ПТЭ, 1982, в.5, стр.203-205.

266. Кузнецов Н.И., Лебедев А.А. Установка для автоматического измерения спектров НЕСГУ: Препринт ФТИ N 1046, 1986,стр.9.

267. Гольберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В. Влияние последовательного сопротивления на характеристики емкость-напряжение поверхностно-барьерных структур.// ФТП, 1983, т17, в,3, стр.1068-1073.

268. Лебедев А.А. , Соболев И.А., Урунбаев Б.Ш. Влияние неоднородной компенсации на емкостные измерения // ФТП, 1982, т16, -в. 10, стр.1874-1977.

269. Астрова Е.В., Лебедев А.А., Влияние переходного слоя на релаксационную емкостную спектроскопию глубоких уровней: // Деп. В ЦНИИ. Электроника . М., 1985, N Р-4010/

270. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.,1975 , стр.584.

271. Павлов Л.П. Методы определения параметров основных полупроводниковых материалов . М., Высш.шк. ,1975.

272. Баландович B.C., Виолина Г.П. Фотоэлектрические процессы в карбиде кремния: Материалы 2-го Всесоюзного совещания " Проблемы физики и технологии щирокозонных полупроводников ".Л., 1979, стр.293-300.

273. Лебедев А.А., Лебедев А.А., Попов И.В. Способ измерени я диффузионной длины неосновных носителей тока в полупроводниковых р-п структурах , имеющих глубокие центры: А.с. N1402203 от 18 июля 1986г.

274. Астрова Е.В., Лебедев A.A., Лебедев A.A. Влияние последовательного сопротивления на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких 'уровней .// ФТП,1984 т 19, в.8, стр. 1382-1385.

275. Аникин М.М. , Попов И.В. , Сыркин А.Л., Суворов A.B., Шпынев Г.П. Исследование уровней Al и В в диодных структурах SiC , методами емкостной спектроскопии.// В сб. статей " Технология силовых полупроводниковых приборов" , Таллинн, "Вагус", стр. 19-24 (1987).

276. Кузнецов Н.И. Токовый спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полуроводниковых стуктурах // ПТЭ, 1990, N6, стр. 163-165.

277. Кузнецов Н.И., Дмитриев А.П., Фурман A.C. Свойства центра связанного с примесью Al в бН-SiC // ФТП, 1994, т.28, N6, стр. 1010-1014 .

278. Баландович B.C. Исследование неравновесных процессов в SiC Автореферат на соискание канд. техн. наук Ленинград, 1982, 18 е..

279. Кечек А.Г., Кузнецов Н.И. , Лебедев A.A. Влияние полосы глубоких уровней на форму пиков НЕСГУ:// Препринт ФТИ , N1147 , 1987, 26 стр.

280. Sah С.Т., Forles L., Rossier L.L., Tasch A.F. // Sol. St. Electron 1970, v.13, p.759.

281. Кечек А.Г., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A. Влияние полосы глубоких уровней на форму пиков НЕСГУ// Препринт ФТИ 1145, 1987 .23 стр.

282. Vodakov Yu.A., Lomakina G.A.,Mokhov E.N., Radovanova E.I., SokolovV.L, Usmanova M.M.Silicon carbide doped with gallium// Phys. Stat. Sol(a), 1976,v35, N1, p37-42.

283. Блэкмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках , Москва, Мир, 1964, 392с. .

284. Lebedev A.A., Chelnokov V.E. . Measurement of electro- physical properties of silicon carbide epitaxial films. // Diamond and Related Materials, 1996 v3, pl393-1397.

285. Берт А., Дин П. Светодиоды, M., Мир, (1973).

286. Макаров В.В., Петров И.И. Влияние ионной бомбардировки на катодолюминесценцию карбида кремния. // ФТП, 1966, т8, в5, стр. 1602-1607.

287. Макаров В.В. Катодолюминесценция кристаллов SiC различных модификаций, содержащих радиационные дефекты .// ФТТ, 1967, т9, стр. 596-600.

288. Кодрау Н.В., Макаров В.В. Спектры люминесценции дефектов в ионно-имплантированном SiC. // ФТП, 1981, т15,в7, стр.1408-1411.

289. Макаров В.В., Петров H.H. Катодолюминесценция монокристаллов карбида кремния , облученного бысрыми электронами. // ФТТ, 1972 т8, в11, стр. 3393-3259.

290. Гусев В.М. , Демаков К.Д., Ефимов В.М., Ионов В.Н., Косагонова М.Г., Прокофьева И.К., Столярова В.Г. Чекушин Ю.Н.Электролюминесцентные свойства некоторых политипов SiC, ионно-легированных Al // ФТП, 1981 15, 2430 -.2433.

291. Водаков Ю.А., Гирка А.И., Константинов А.О. и др. Светодиоды на основе карбида кремния облученного быстрыми электронами .// ФТП, 1992, т26,в11, стр. 1857-1860 .

292. Водаков Ю.А., Вольфсон А.А., Зарицкий Г.В. и др. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния // ФТП, 1992, т26, в1 , стр. 107-110.

293. Choyke W.J., In: NATO ASI, Ser. Physics and Chemistry of Carides, Nitrides and Borides ( ed by R. Freer ) , Manchester (1989 )/

294. Аникин M.M., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A., Сыркин А.Л., Стрельчук A.M. Связь желтой электролюминесценции в 6Н SiC р-п структурах с глубокими центрами. // ФТП, 1990, т 24, в 8, с. 1384 -1390 .

295. Anikin М.М. Lebedev A.A., Strel'chuk А.М. Radiative and Radiation-less recombination processes in 6H and 4H SiC diodes and the effect of Deep Centers.// Defect and Diffusion Forum, 1993,vol. 103-105,p.673-678.

296. Стрельчук A.M. Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC р-п структурах.// ФТП, 1995, т29, в7, стр. 1190-1206.

297. Гусев B.M., Демаков И.Д., Белов С.А., Косагонова М.Г., Макаров И.А., Прокофьева Н.К., Столярова В.Г., Гран Ю.М.// в [ 7 ] , стр. 326-332.

298. Физика и химия соединений А 111 Bv ( под ред. Alena М. и Дринера О.С.) , М., Мир, 1970.

299.Павличенко В.И., Рыжиков И В., Сулейманов Ю.М., Шайдак Ю.М. Голубая фото-

и электролюминесценция эпитаксиальных пленок карбида кремния /ФТТ , 1968, т10,

стр.2801-2803.

300.Suzuki A., Matsunami Н., Tanaka Т. , J. Electrochm. ,1977, Soc.,vl24, р241

301. W. von Munch, W. Kukzider Silicon carbide blue-emitting diodes produced by liqued-phase epitaxy// Solid State Electron. 1978, v21, pi 129-1132,.

302. Hoffman L., Zeigler G., Theis D., Weynich G. Silicon carbide blue light emitting diodes with improved external quantum efficiency.// J.Appl. Phys. 1982 , v.53, p6962-6967.

303. Вишнвская Б.И., Дмитриев В.А., Коваленко И.В., Коган Л.М., Морозенко Я.В., Роднин B.C., Сыркин А.Л.. Царенков Б.В., Челноков В.Е. Синие SiC-6H светодиоды. // ФТП, 1988, т22, стр.664-669.

304. Jang S., Kimoto Т., Matsunami Н. Deep levels in 6H-SiC wafers and step-controller epitacsial laiers.// Appl. Phys. Lett. 1994, 65(5), p581-583.

305. Dean D.J., Hartman R.L., Magneto-Optical Properties of Dominant Bound Exitons in undoped 6H SiC. // Phys. Rev. ,1972, v.5 , N12, p4911-4924.

306. Санкин В.И. , Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А.. Рамм М.Г., Роенков А.Д. Диффузионная длина неосновных носителей заряда в 6Н и 4Н SiC // ФТП, 1983, т16, в.7, стр. 1325-1327.

307. Баландович B.C. , Виолина Г.Н. Влияние отжига на диффузионную длину неосновных носителей заряда в п-SiC (6Н) // ФТП 1981, Т15, в.8, , стр. 1650-1652.

308. Лебедев A.A. Применение нестационарной емкостной спектроскопии для исследования параметров SiC р-п структур ., // ФТП, 1996, т.ЗО, в.6, с.39-45.

309. Милис А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, 1977 Москва, Мир.

310. Дмитриев А.П., Константинов А.О., Литвин Д.П., Санкин В.И. Ударная ионизация и сверхрешетка в бН-SiC // ФТП, 1983, т17, стр. 1093-1098.

311. Аникин М.М., Вайнштейн С.Н., Левинштейн М.Е., Стрельчук A.M.. Сыркин А.Л. Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых р-п переходах. // ФТП, 1988, т22, стр.545-548,

312. Аникин М.М., Левинштейн М.Е., Попов И.В., Растегаев В.П., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбидкремниевых р-п переходах. // ФТП, 1988, т22,в.9, стр. 1574-1579,

313. Кюреген A.C., Шлыгин П.Н. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя р-п переходов с глубокими уровнями. // ФТП, 1989 т23, в7, стр. 1164-1172.

314. Астрова Е.В., Волле В.М., Воронков В.Б., Кулев В.А. ,Лебедев A.A. Влияние Глубоких уровней на пробивные напряжения диодов . // ФТП, 1986, т20, в.11, стр. 2122-2125.

315. Mazzola M.S., Saddow S.E., Neudeck P.G. ,Lakdawola U.K. S.We Observation of the D-centre in бН-SiC p-n diodes grown by chemical vapor deposition// Appl.Phys. Lett., 1994, v 64 (20), p2730-2732„

316. Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Чернов M.А. Исследование кристаллохимических свойств политипов карбида кремния. // Кристаллография , 1983, т28, в5, стр. 910-914.

317. Константинов А.О. О механизме диффузии бора в карбиде кремния .// ФТП, 1988, т22,в1, стр. 164-168,.

318. Гирка А.И., Кулешин В.А., Мокрушин А.Д., Мохов E.H., Свирида C.B., Шишкин A.B. Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами // ФТП -1989-т.23-в.7-стр. 1270-1273.

319. Kjott Р.Н., Лепнева A.A., Ломакина Г.А., Мохов E.H., Трегубова A.C., Щеглов М.П., Юлдашев Г.Ф. Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния. // ФТТ-1988-т.30-в.9-стр.2606-2610.