Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Антюшин, Виктор Федорович

• Антюшин, Виктор Федорович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Антюшин, Виктор Федорович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. МИГРАЦИОННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ ПЛЕНОК ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ

1.1. Основные электрофизические свойства пленок двуокиси кремния на кремнии

1.2. Кинетика миграционной поляризации пленок двуокиси кремния с неоднородным потенциальным профилем

1.3. Кинетика миграции ионов щелочных металлов в пленках двуокиси кремния

1.4. Подавление миграционной поляризации модифицированием внешней поверхности окисла кремния

ГЛАВА П. ПОЛЕВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ТИПА МДП НА АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ

2.1. Электрические свойства гетеропереходов изолирующий слой - арсенид галлия

2.2. Изолирующие покрытия вагЗез на арсениде галлия

2.3. Релаксационные электрические процессы в структурах Ме-ОагБез-СаАБ

2.4. Сквозные токи и энергетическая диаграмма структур ОаА8-Оа28е3-А

ГЛАВА III. ДРЕЙФОВАЯ ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ОБОГАЩЕННЫХ КАНАЛАХ ПРОВОДИМОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ТИПА МДП НА КРЕМНИИ И АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ

3.1. Электронный газ в поверхностных каналах проводимости

3.2. Поверхностная проводимость электронов в гетерост-руктурах с изолирующими слоями соединений со сте-хиометрическими вакансиями (модели механизмов рассеяния и численные оценки)

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полевые полупроводниковые гетероструктуры с распределенными параметрами и зарядовой связью по обогащенному слою»

Актуальность темы. Управляемые внешним электрическим полем гете-ростуктуры типа МДП (металл - диэлектрик - полупроводник) и МЕП (металл - полупроводник) являются основной технологической композицией для элементной базы интегральных схем и дискретных униполярных и биполярных приборов [1, 2, 3]. В современной полупроводниковой электронике широко применяются гетероструктуры на основе кремния и арсенида галлия. Это связано прежде с технологичностью планарных структур 8Юг-81 и высокой подвижностью электронов в арсениде галлия, что позволяет достигать высокой степени интеграции элементов и создавать приборы СВЧ-диапазона. Другим достоинством этих материалов является значительная ширина запрещенной зоны, что необходимо для работоспособности структур при повышенных температурах или в условиях низкоэнергетических облучений.

Устойчивая работа структур МДП на кремнии во многом ограничена поляризационными явлениями в изолирующем слое, основным из которых является миграционная поляризация [4-6]. Несмотря на большое число публикаций по этому вопросу, известные экспериментальные данные о параметрах миграции ионов металлов в БЮг (на момент постановки задач исследования) в ряде случаев противоречивы. Например, не ясна причина изменения энергии активации процесса миграции в зависимости от количества подвижных зарядов (ПЗ) в диэлектрике или от температурного интервала измерений. Не выработаны экспериментальные признаки, позволяющие различать лимитирующие процессы миграционного переноса зарядов. Эти вопросы, начиная с 60-х годов, до сих пор, дискутируются на конференциях международного уровня [7, 8]. Поляризация диэлектрика ведет к флукгуационным изменениям потенциального рельефа поверхности и, соответственно, изменениям поверхностного рассеяния и поверхностной подвижности носителей заряда в канале проводимости, что ограничивает быстродействие приборов и схем. Миграция зарядов по поверхности изолятора приводит к планарной неоднородности электрических свойств элементов отдельного прибора или схемы [9].

Практическая реализация преимуществ арсенида галлия в микроэлектронике осложнена его химической активностью. Даже слабые термические, химические и другие воздействия приводят к нарушениям стехиометрии и состава приповерхностных слоев. К тому же, арсенид галлия не имеет стабильного естественного окисла, что сдерживает реализацию планарной тех5 нологии [10, 11]. Самые разнообразные методы формирования изолирующих покрытий на ОаАз приводили к неудовлетворительным результатам по критерию плотности поверхностных локализованных состояний, ограничивающих поверхностную подвижность носителей заряда за счет кулоновского рассеяния [12]. Наилучшие результаты по быстродействию полевых транзисторов были достигнуты на селективно легированных гетероструктурах ОаА1Аз - ОаА8 с квазидвумерным инверсионным электронным газом на инвертированной поверхности раздела [13,14].

Однако, даже при низких температурах 77 К), наблюдаются высокие токи утечки затвора и пороговые напряжения, что связано с необходимостью легирования ОаАЬАз для формирования потенциального профиля гетерост-руктуры и сопутствующими электронными ловушками в донорном слое.

Как для кремниевых, так и для арсенид-галлиевых полевых транзисторов с изолированным затвором и поверхностным переносом заряда принципиальным является формирование управляемого поверхностного канала проводимости, отделенного от квазинейтрального объема подложки слоем обеднения. При этом возникает анизотропия проводимости (вдоль поверхности и нормально к ней), позволяющая обеспечить или гальваническую связь между истоком и стоком полевого транзистора (ПТ) или емкостную межэлектродную связь в приборах с зарядовой связью (ПЗС) [2, 15]. Обмен носителями заряда между поверхностным каналом проводимости и нейтральным объемом подложки ограничен слоем обеднения.

После квазиклассического описания состояний областей пространственного заряда в работах [16, 17] традиционно считают, что в однородно легированном полупроводнике такая ситуация реализуется только на инвертированной поперечным электрическим полем поверхности. Поэтому практически все публикации о ПТ с изолированным затвором или ПЗС с поверхностным переносом заряда содержат описание движения носителей тока по инверсионным слоям. Даже в статье В. Долгополова с соавторами [18], где приведены экспериментальные данные, свидетельствующие о зарядовой связи по обогащенному слою в структурах Ме-ЗЮг^ с распределенными параметрами анализируется только часть эксперимента по поверхностной проводимости инверсионного слоя. В тоже время известно теоретическое описание [19] состояния МДП структуры с однородно легированным полупроводником и обогащенным слоем в условиях сильного размерного квантования, при котором обогащенный основными носителями заряда слой отделен от нейтраль6 ного объема слоем обеднения и потенциальным барьером с немотонным потенциалом. В этом случае обогащенная поверхность полупроводника, как и инвертированная, пригодна для реализации принципа межэлектродной зарядовой связи, и может обладать некоторыми преимуществами. Так, например, время формирования инверсионного слоя определяется темпом накопления неосновных носителей заряда у поверхности за счет термической генерации или дрейфа из нейтрального объема. Время формирования обогащенного слоя значительно меньше. Соответственно, меньше и время переключения поверхностного слоя в проводящее состояние канала, работающего на основных носителях заряда.

Из качественных соображений понятно, что при фиксированной напряженности управляющего электрического поля поверхностный заряд в обогащенном канале проводимости будет больше, чем в инверсионном. Это сужает динамический диапазон управляющих внешних напряжений. В обедненных слоях, отделяющих поверхностные каналы от нейтрального объема подложки, заряд при обогащенной поверхности меньше, чем при инвертированной. Поэтому парциальный вклад кулоновского рассеяния на ионизированных примесях меньше в первом случае, а поверхностная подвижность больше. Тем не менее, в известной нам литературе нет сведений о начальных стадиях формирования немонотонного потенциального профиля области пространственного заряда (ОПЗ) обогащенной поверхности полупроводника при переходе от состояния с предельно слабым размерным квантованием к пределу сильного размерного квантования. Явно недостаточно, на наш взгляд, описаны и эксперименты по поверхностному переносу зарядов в обогащенных слоях МДП структур.

Расширение функциональных возможностей полевых гетероструктур на базе основных материалов полупроводниковой электроники-кремнии и арсениде галлия представляет научный и практический интерес для физики твердого тела, полупроводниковой электроники и смежных областей науки и техники.

Сказанного представляется достаточным, чтобы тему работы считать актуальной.

Целью данной работы является определение физических условий наличия зарядовой связи по обогащенному поверхностному слою в полевых гетероструктурах на основе кремния и арсенида галлия.

Достижение поставленной цели включало следующие основные этапы:

• Исследование поляризационных эффектов в изолирующих слоях и на границах раздела полевых гетероструктур на кремнии и арсениде галлия.

• Разработка принципов подавления механизмов, лимитирующих эффективность поверхностного переноса зарядов.

• Исследование поверхностного переноса зарядов в гетероструктурах на кремнии и арсениде галлия, модулируемого внешним электрическим полем.

• Исследование особенностей зарядовой связи по поверхностным обогащенным каналам проводимости в гетероструктурах с распределенными параметрами.

Выбор объектов и методов исследований.

Исследовались гетероструктуры Ме-БЮг^, сформированные на монокристаллических кремниевых пластинах различных ориентаций, типов про-водимостей и уровней легирования. Наращивание окисла кремния производилось стандартными для производства полупроводниковых приборов методами: термического окисления, пиролитического осаждения (разложением тетраэтоксисилана) с последующими технологическими обработками - легированием щелочными металлами, и другими элементами, модифицирующими структуру и электрические свойства диэлектрика. Для формирования полевых гетероструктур на арсениде галлия использовались монокристаллический арсенид галлия, выращенный методом Чохральского и (или) слои полученные жидкофазной эпитаксией. В качестве изолирующих слоев применялись пленки селенида галлия (ОагЗез). Обоснование их использования изложено ниже в данной работе и работах других авторов. Слои Оаг8ез формировались термическим испарением предварительно синтезированного соединения или гетеровалентным замещением мышьяка селеном при термической обработке подложек арсенида галлия в парах селена или селеносодержащих соединений. Для идентификации структуры, состава, толщин и оптических констант применялись методы электронографии, Оже-спектроскопии, инфракрасной спектрометрии, интерференционной спектрофотометрии, фотолюминесценции и фотоотражения.

Электрические свойства указанных гетероструктур исследовались методами вольт-фарадных, вольт-амперных характеристик (стационарных и динамических), термостимулированной поляризации (деполяризации), изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней и специально раз8 работанными методами измерений параметров релаксации и поверхностного переноса зарядов.

Научная новизна работы.

• Впервые предложена модель миграционной поляризации пленок двуокиси кремния, ограниченной скоростью переноса зарядов через диэлектрик. В отличие от ранее описанных моделей, учтено влияние встроенных полей на кинетику поляризации и величину подвижного заряда(на энергетическом уровне подвижности).

• Получены новые экспериментальные данные о подвижности и глубинах залегания ловушек для ионов щелочных металлов и протонов в термически выращенных пленках двуокиси кремния.

• Предложен способ и описан механизм подавления миграции ионов щелочных металлов при термодиффузионном легировании окисла кремния цинком и фосфором.

• Впервые получены полевые полупроводниковые гетероструктуры Ме-ОагЗез-ОаАБ (п-тип) с обогащенными поверхностными каналами проводимости. Построена зонная диаграмма указанных структур.

• Разработана новая методика измерений поверхностной дрейфовой подвижности в структурах с распределенными параметрами и поверхностной зарядовой связью, исключающая погрешности, связанные с краевыми эффектами на границах электродов.

• Впервые получены экспериментальные данные о дрейфовой поверхностной подвижности дырок в обогащенных слоях на кремнии р-типа и арсениде галлия п-типа.

• Впервые показано, что как дырочный обогащенный канал на кремнии так и электронный на арсениде галлия могут быть отделены от нейтрального объема подложек слоем обеднения. При этом обеспечиваются условия для формирования каналов поверхностной зарядовой связи.

• Предложен механизм, объясняющий пространственное разделение обогащенного и нейтрального слоя слоем обеднения за счет квазиклассического кулоновского корреляционного взаимодействия и нелокального отклика плотности электронного газа на возмущение потенциала при слабом размерном квантовании. 9

Практическая значимость работы.

• Полученные экспериментальные результаты позволяют расширить функциональные возможности полевых полупроводниковых структур созданием приборов с зарядовой связью по обогащенным каналам проводимости.

• Как на кремнии, так и на арсениде галлия получены полевые гете-роструктуры с поверхностной подвижностью по обогащенному слою, ограниченной лишь фононным рассеянием в диапазоне температур (200-^300)К.

• Разработанный метод формирования полевых гетероструктур с распределенными параметрами и поверхностной зарядовой связью имеет общий характер и может применяться для широкого круга твердотельных гетероструктур.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Сильная зарядовая связь по обогащенным каналам в полевых полупроводниковых гетероструктурах обусловлена пространственным разделением обогащенного слоя и нейтрального объема подложки слоем обеднения. Этот эффект в однородном полупроводнике является следствием куло-новского корреляционного взаимодействия носителей заряда со своими изображениями в металлическом электроде и области пространственного заряда. Эффект усиливается нелокальным откликом электронной плотности на возмущение потенциала даже в случае слабого размерного квантования.

2. В исследованных резистивно-емкостных структурах Ме-8Ю2-81, Ме-СагЗез-ваАз с обогащенными поверхностными слоями (р-слой на кремнии, п-слой на арсениде галлия) дрейфовая подвижность в диапазоне температур (200300)К ограничена фононным рассеянием. Резистивный слой на поверхности изолирующего сглаживает электрическую неоднородность поверхности раздела за счет экранирования свободными носителями заряда.

3. Подавление кулоновского рассеяния в поверхностных каналах проводимости в структурах Ме-8Ю2-81 достигается за счет геттерирования ионов щелочных металлов и протонов на внешнюю поверхность окисла кремния при поверхностном легировании цинком и фосфором. Обратная ми

10 грация положительных подвижных зарядов к границе раздела SiO-Si ограничена связыванием их на немостиковых атомах кислорода фосфорно-кислородных тетраэдров и микро- и макроскопическим электрическим полем, сформированным отрицательно заряженными комплексами [ZnC^]2".

4. В полевых гетероструктурах Me-Ga2Se3-GaAs геттерирование электрически активных примесей из приповерхностных областей обеспечивается наличием стехиометрических пустот в катионной подрешетке селе-нида галлия. Выращивание слоя Ga2Se3 путем гетеровалентного замещения мышьяка селеном смещает границу раздела внутрь монокристалла подложки с меньшим количеством дефектов. Совместное действие этих факторов позволяет получить электрически совершенную границу раздела.

Личный вклад автора в диссертационную работу.

Автором были поставлены задачи, решение которых позволило обосновать положения вынесенные на защиту. Методы аналитических и численных расчетов, оригинальные методики измерений предложены автором. Во всех экспериментах автор принимал непосредственное участие.

Первоначальные исследования проводились совместно с профессором В.Ф.Сыноровым и научным консультантом Б.И.Сысоевым. Технологические эксперименты выполнены совместно с Асессоровым В.В., Анохиным В.З., Стрыгиным В.Д. В решении теоретических задач участие принимали Руднев Е.В., Власов Д.А. В списке литературы отражено так же участие других сотрудников научных коллективов организаций где выполнялась работа.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков и перспективы ее развития" (г.Ленинград, 1973 г.); международных коллоквиумах (г.Ильменау, Германия 1975 г.); VI Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (г.Киев, 1977 г.); III Респ. конф. молодых ученных и специалистов "Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов" (г.Тбилиси, 1977 г.), VII Всесоюзном симпозиуме по электронным

11 процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник диэлектрик (г.Новосибирск, 1980); III Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Одесса, 1982г.); Первой Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (г.Кишинев, 1987 г.); Всесоюзном совещании - семинаре "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем" (г.Гурзуф, 1983 г.); VI Всесоюзной конференции по росту кристаллов (г.Ереван, 1985 г.); X Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г.Минск, 1985 г.); Всесоюзной научной конференции "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники" (г.Минск, 1985); II Всесоюзной конференции "Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках (г.Воронеж, 1987г.); VII Всесоюзном координационном совещании "Материаловедение полупроводниковых соединений группы АШВУ (г.Воронеж, 1987г.); I Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Калуга,1990 г.); Всероссийской конференции "Электроника и информатика" (г.Москва, 1997 г.); Координационных совещаниях секции РАН "Полупроводниковые гетероструктуры" (г.Воронеж, 1988 г., г.Калуга 1990 г.); Ежегодных отчетных конференциях ВГТА.

Публикации. Материалы опубликованы в 57 работах, цитируемых по ходу изложения текста диссертации.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 215 стр., в том числе 166 стр. машинописного текста, 72 рис., 1 табл. Список литературы содержит 265 наименований на 23 стр.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Антюшин, Виктор Федорович

ВЫВОДЫ

1. В приближении линейного отклика электронного газа МДП структуры построен квазиклассический корреляционный потенциал для выделенного (пробного) заряда, отражающий его взаимодействие с индуцированными изображениями в области пространственного заряда и металлическом электроде. В отличие от ранее известных приближений совместно учтены локальная связь между корреляционным потенциалом и плотностью электронного газа, пространственная (координатная) зависимость и нелокальная связь с распределением зарядов в МДП структуре.

2. Численным моделированием состояния электронного газа в пределах слабого размерного квантования получены поправки к квазиклассическому приближению, отражающие чувствительность электронной плотности в точке к поведению потенциала в ее окрестности. Поправки связаны как с размерным квантованием так и с туннелированием волновых функций под потенциальный барьер. Построен эффективный потенциал для вычисления электронной плотности, позволяющий выполнить расчет самосогласованных распределений потенциала и плотности носителей заряда по уравнению Пуассона, записанного в форме интегро-дифференциального уравнения. Найдены процедуры для численного решения полученного уравнения и аналитические аппроксимации этих решений.

3. На примере бикристаллов с границей раздела, обладающей поверхностными плотностью локализованных состояний, дипольным, квадруполь-ным и т.д. электрическими моментами показано, что за счет квантовых поправок к плотности электронного газа в обогащенных областях пространственного заряда возможны немонотонные распределения электростатического потенциала.

4. Для МДП структур выполнены расчеты состояний ОПЗ с учетом корреляционного кулоновского взаимодействия, квантовых поправок (пункты 1, 2) и расчеты экспериментально измеряемых электрических характеристик: низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик, частотной дисперсии емкости, поверхностной проводимости, порогов зарядовой связи по обогащенному слою. Показано, что для исследованных структур БЮг-Б! и Са28ез-ОаА8 существенные особенности теоретических и экспериментальных характеристик совпадают качественно и количественно.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Представленный комплекс исследований позволяет сделать следующие выводы:

1. Миграция ионов щелочных металлов Li+, Na+, К+ и протонов в пленках SiC>2 на кремнии чувствительна к макроскопическому электрическому полю неподвижных зарядов в окисле кремния, а их активация до уровня подвижности и миграция к границе раздела SiCVSi заторможены при наличии у внешней поверхности слоя с отрицательным объемным фиксированным зарядом.

2. Эффективное подавление миграционной поляризации пленок SiC>2 достигается при термодиффузионном легировании их поверхности цинком и фосфором за счет микроскопического связывания положительных ионов на немостиковых атомах кислорода фосфорно-кислородных тетраэдров и комплексах [Zn04]2' и макроскопическим электрическим полем сформированным этими комплексами.

3. Генерирование некомпенсированных положительных зарядов на внешнюю границу окисла сводит к минимуму кулоновское рассеяние в поверхностных каналах проводимости структур Al-SiC>2-Si. При температурах (200ч-300)К поверхностная подвижность в инверсионных слоях полученных структур ограничена фононным рассеянием.

4. В герероструктурах Ga2Se3-GaAs имеется энергетический барьер для электронов, позволяющий формировать управляемый внешним электрическим полем электронный канал проводимости.

5. Низкая плотность заряженных дефектов у поверхности раздела Ga2Se3-GaAs (не более 5 Ю10см"2) обеспечивается генерированием элек

191 трически активных примесей из приповерхностных областей в стехио-метрические пустоты катионной подрешетки селенида галлия и смешением границы раздела внутрь монокристалла подложки с меньшим количеством дефектов при гетеровалентном замещении мышьяка селеном.

6. В резистивно емкостных структурах Ме-БЮг-Э! и Ме-ОагБез-СаАв с распределенными параметрами зарегистрирована зарядовая связь по обогащенным основными носителями каналам проводимости. При температурах (200ч-300)К поверхностная подвижность носителей заряда в них ограничена фононным рассеянием.

7. Сильная зарядовая связь по обогащенным каналам обусловлена пространственным разделением обогащенного слоя и нейтрального объема слоем обеднения. Этот эффект в однородном полупроводнике МДП структуры является проявлением кулоновского корреляционного взаимодействия носителей заряда со своими изображениями в металлическом электроде и области пространственного заряда. В структурах ОагБез-ОаЛв за счет малости эффективной массы электронов эффект усиливается нелокальным откликом электронной плотности на возмущение потенциала даже при слабом размерном квантовании.

8. Выполненные расчеты состояний ОПЗ и экспериментально измеряемых характеристик: низко- и высокочастотных вольт-фарадных характеристик, поверхностной проводимости, порогов зарядовой связи по обогащенному слою для структур Ме-8Ю2-81 и Ме-ОагЗез-ОаАя с учетом кулоновского корреляционного взаимодействия и квантовых поправок для случая слабого размерного квантования совпадают с экспериментальными качественно и количественно.

192

Таким образом, в работе установлено, что условием наличия зарядовой связи по обогащенному поверхностному слою в полевых гетерострукту-рах является пространственное разделение слоя обогащения и нейтрального объема слоем обеднения. Последний образуется за счет кулоновского корреляционного взаимодействия носителей заряда и (или) нелокального отклика волновых функций электронов (или дырок) на возмущения потенциала. При достаточно сильном обогащении поверхности эффект проявляется в экспериментально измеряемых электрических характеристиках структур -поверхностной зарядовой связи, емкости, поверхностной проводимости, их частотной дисперсии. Получены полевые гетероструктуры 8Ю2-81 и Са28е3~СаА8 с модулируемыми внешним электрическим полем поверхностными каналами проводимости, обогащенными основными носителями заряда (р-каналы на кремнии, п-каналы на арсениде галлия); качество границ раздела обеспечивает высокие значения поверхностной подвижности зарядов в каналах проводимости, ограниченные только фононным рассеянием в диапазоне температур (200-^300)К.

Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность коллективу кафедры физики Воронежской государственной технологической академии, ранее возглавляемому моим научным консультантом, профессором 1 Сысоевым Борисом Ивановичем.

193

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Антюшин, Виктор Федорович, 1998 год

1. Аваев Н.Л., Наумов Ю.Е. Элементы сверхбольших интегральных схем. - М.: Радио и связь, 1986, - 186 с.

2. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ. под ред. Майорова С.А. М.: Сов. радио, 1971, - 376 с.

3. Арсенид галлия в микроэлектронике: Пер. с англ. под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988, - 555 с.

4. Kerr D.R., A Review of Instability Mechanisms in Passivation Films, 8th Annual Proceedings Reliability Physics, Las Vegas, Nevada, 1970, p. 1-8.

5. Mc Donald B.A., Three hpE Degradation Mechanisms and Then-Associated Characteristics, 8th Annual Proceedings Reliability Physics, Las Vegas, Nevada, 1970, p. 288-298.

6. Кучумов Б.М., Вертопрахов B.H. Поляризационные явления в тонких диэлектрических слоях МДП структур // Обзоры по электронной технике (полупроводниковые приборы), 1976, т. 13 (400)

7. Романов В.П. Статистический подход к анализу ионных дрейфово-диффузионных процессов в диэлектриках. // Тезисы докл. международной научно-технической конференции «Диэлектрики 97», Санкт-Петербург, 1997, с. 52-54.

8. Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Клочкова A.M., Чучеева Г.В. Кинетика ионного переноса в диэлектрике Si-МОП структур. // Тезисы докл. международной научно-технической конференции «Диэлектрики 97», Санкт-Петербург, 1997, с. 37-38.

9. Венкстерн С.А., Козлов С.Н. Миграция ионов по поверхности структур диэлектрик полупроводник // Микроэлектроника, 1997, т. 8., № 3, с. 239-248.

10. Wataube К., Hashiba М., Hurohata J. et al. Oxide Layere on GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation in depth profiles and annealing effects // Thin Solid Films, 1979, v. 56, № 1, p. 63-73.

11. Wieder H.H. Perspective on III-V compound MIS Structures // J. Vac. Sci. Technol, 1978, v. 15, № 4, p. 1498-1506.

12. Hasegawa H., Sawada T. On the Electrical Properties of Compound Semiconductor Structures and the Possible Origen of Interface States // Thin Solid Films, 1983, № 2, v. 103, p. 119-140.194

13. Andre J.P., Briere A., Rocchi M., Riet M. Growth of (Al, Ga) As/GaAs heterostructure for HEMT devices // J. of Crystal Growth, 1984, v. 68, p. 445-449.

14. Casey H.C., Cho Yr. A.Y., Lang D.V. et al. Investigation of heterojunctions for MIS devices with oxygen-doped AlGaAs on n-tape GaAs // J. Appl. Phys., 1979, v. 50, № 5, p. 3484-3491.

15. Boyle W.S., Smith G.E. Carge-Coupled Devices A New Approche to MIS Device Structure // IEEE Spectrum, 1971, v. 8, № 18, p. 101-166.

16. Garret C.G.B., Brattain W.H. Physical Theory of Semiconductor Surfaces // Phys. Rev., 1955, v. 99, № 1, p. 376-380.

17. Dolgopolov V., Mazure C., Zrenner A., Koch F. Surface conductivity measurements by a capacitive coupling technique // J. Appl. Phys., 1984, v. 55, № 12, p. 4280-4283.

18. Левин Е.И., Монахов A.M., Рогачев A.A. О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое // ФТП, 1988, т. 22, № 3, с. 450-454.

19. Kooi Е. The Surface Charge in Oxidized Silicon // Philips Res. Repts., 1966, v. 21, №6, p. 477-495.

20. Deal B.E., Sklar M., Grove A.S., Snow E.H. Characteristics of the Surface State Charge (Qss) of Thermally Oxidized Silicon, J. Electrochem. Soc.: Solid State Science //1967, v. 114, № 2, p. 266-274.

21. Revesz A.G., Zaininger K.H. The Si-Si02 Solid Solid Interface System // RCA Review, 1968, v. 29, №l)P. 22-76.

22. Lamb D.R. Some Electrical Properties of the Silicon Silicon Dioxide System // Thin Solid Films, 1970, v. 5, № 4, p. 246-276.

23. Nicollian E.H. Surface Passivation of Semiconductor // J. Vac. Sci. and Techn., 1971, v. 8, № 4, p. 339-349.195

24. Lamb D.R., Badcock F.B. The Effect of Ambient, Temperature and Cooling Rate, on the Surface Charge at the Silicon/Silicon Dioxide Interface // Int. J. Electron., 1968, v. 24, № 1, p. 11-16.

25. Csabay O. Model poruchovych nabojov struktury MOS // Electrotechn.cas., 1972, v. 23, № 10, p. 747-751.

26. Попов В.Д. Методы расчета заряда в объеме диэлектрика МДП структуры по ее вольт-фарадной характеристике. Микроэлектроника, 1978, т. 6, № 7, с. 354-360.

27. Shumpei Y. A Study of the Interface of the Si-Si02 System, Jap. J. Appl. Phys., 1971, v. 10, p. 1555-1563.

28. Литовченко В.Г., Федорович Ю.В. Обзоры по электронной технике (полупроводниковые приборы), 1972, т. 1, с. 5.

29. Hoffman G., Nemeth-Sallay М., Schanda Y. Optical Investigation of the Si-Si02 System // Acta Physica Academic Scientiarum Hungarical, 1974, v. 36, p. 349-364.

30. Cherepov E.I., Gershinskii A.E. Electrochemical Investigations of the Interface Between Ordered and Disordered Material in MIS Structures // Thin Solid Films, 1977, v. 45, № 1, p. 147.

31. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик - полупроводник: Наукова Думка, 1978, с. 87.

32. Goronkin Н. Origin of the Fixed Charge in Thermally Oxidized Silicon, J. Electrochem. Soc., 1977, v. 124, № 2, p. 314-317.

33. Fowkes F.M., Hess D.W. Control of Fixed Charge at Si-Si02 Interface by Oxidation Reduction Treatments, Appl. Phys. Left., 1973, v. 22, № 8, p. 377379.

34. Chang C.Y., Tsao K.Y. Electrical Properties of Diffused Zinc on Si02-Si MOS Structures, Solid State Electronics, 1969, v. 12, № 5, p. 411-415.

35. Гусейнов И.Л., Гаджиев Н.Д., Касимов Ф.Д. Совещание по глубоким центрам в полупроводниках, краткое содержание докл., Одесса, 1972, с. 54.196

36. Пундур Н.А., Валбис Я.А. Идентификация зарядовых центров в структурах кремний двуокись кремния // VI Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках, тезисы докл., Киев, 1977, часть 2, с. 89-90.

37. Ажажа З.И., Кандыба П.Е., Красовский В.М., Пережогин Г.А., Юсипова Л .А. Остаточные загрязнения кремниевых пластин после химических обработок // Электронная техника (микроэлектроника), 1976, т. 3, № 63, с. 73-77.

38. Raider S.I., Gregor L.V., Flitsch R. Transfer of Mobile Ions from Aqueous Solution to the Silicon Dioxide Surface // J. Electrochem. Soc., 1973, v. 120, p. 425-431.

39. Singh B.R., Tyagi B.D., Marathe B.R. Some Studies on the Instability in MOS Devices Due to Vapout Contaminations, Int. J. Electron., 1976, v. 41, № 3, p. 273-283.

40. Badcock F.B., Lamb D.R. Stability and Surface Charge in the MOS System // Int. J. Electron., 1968, v. 24, № 1, p. 1-9.

41. Goetzberger A., Heine V., Nicollian E.H. Asimplemodel for Si-Si02 Interface State // Appl. Phys. Letters, 1968, v. 12, № 1, p. 95-98.

42. Эдельман Ф.Л. Структура диэлектрических пленок на полупроводниках // Электронные процессы на поверхности полупроводников и на границе раздела полупроводник диэлектрик, материалы симпозиума, Новосибирск, 1974, с. 7-25.

43. Hughes H.L., King Е.Е. The Influence of Silicon Surface Defects on MOS Radiation Sensitivity, IEEE Trans. Nucl. Sci., 1976, v. 23, № 6, p. 15731579.197

44. Аракелов А.Г., Бабик В.Ф., Дадыкин A.A., Титов В.А. О накоплении щелочных примесей на дефектах структуры у поверхности кремния // Укр. физ. ж., 1975, т. 20, № 1, с. 30-34.

45. Мочкин B.C., Степаненко И.П. Физические модели низкочастотных шумов и нестабильности характеристик МДП структур // в сб. «Микроэлектроника» под ред. Лукина Ф.В.-М.: Сов. радио, 1972, №5, с. 6-26.

46. Hess D.W. Effect of Chlorine on the Negative Bias Instability in MOS Structures // J. Electrochem. Soc., 1977, v. 124, № 5, p. 740-743.

47. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей) М-Л.: Гостехиздат, 1949, - 276 с.

48. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977, - 368 с.

49. Байков В.Д., Гасман A.C., Кармазинский А.Н. Влияние радиационного излучения на компоненты МДП интегральных схем // в сб. «Микроэлектроника» под ред. Лукина Ф.В.-М.: 1972, № 5, с. 66-78.

50. Kampf U., Wagemann H.G. Radiation Damage of Thermally Oxidized MOS Capacitors // IEEE Trans. Electron Devices, 1976, v. 23, № 1, p. 5-10.

51. Williams R. Photoemission of Electrons from Silicon into Silicon Dioxide // Phys. Rev., 1965, v. 140, № 2, p. A569-575.

52. Williams R. Photoemission of Electrons from Silicon into Silicon Dioxide, Effects of Ion Migration in the Oxide // J. Appl. Phys., 1966, v. 37, № 8, p. 1491-1494.

53. Мордвинов B.M., Вишняков Б.А. Накопление заряда в структуре двуокись кремния кремний при электронной бомбардировке // Микроэлектроника, 1977, т. 6, № 3, с. 291-293.

54. Ногин В.М., Ройзин Н.М. Механизм проводимости и дрейф поверхностного заряда в МДП структурах в сильных полях // Микроэлектроника, 1974, т. 3, № 1, с. 35-41.

55. Argall F., Jonscher A.K. Dielectric Properties of Thin Films of Aluminium Oxide and Silicon Oxide // Thin Solid Films, 1968, v. 2, № 2, p. 185210.

56. Кресин O.M., Погарева Н.Ф., Старое Ф.Г., Яковлев A.C. Определение плотности поверхностных зарядов на границе диэлектрика в МДП структуре // Микроэлектроника, 1974, т. 3, № 1, с. 42-45.198

57. Кучумов Б.М., Смирнов Т.П., Вертопрахов В.И. Кинетика процессов переноса заряда в пленках двуокиси кремния МОП структур // Микроэлектроника, 1976, т. 5, № 5, с. 436-442.

58. Клочков А.Я., Перелыгина Т.К., Перелыгин А.И. Исследование системы двуокись кремния кремний // Физика полупроводников и микроэлектроника, Рязань, 1977, № 4, с. 28-31.

59. Navik G. The Ionic Conductivity in Silicon Oxide Films // Thin Solid Films, 1970, v. 6, № 2, p. 145-159.

60. Kriegler R.J. Ion Instabilities in MOS Structures, 12th Annual Proceedings Reliability Physics, Las Vegas, New York, 1974, p. 250-258.

61. Yon E., Ко H., Kuper A.B. Sodium Distribution in Thermal Oxide on Silicon by Radiachemical and MOS Analysis, IEEE Trans. Electron Devices, 1966, ED-13, № 2, p. 276-280.

62. Трусов JI.И., Дорфман В.Ф. О диффузно-дрейфовой нестабильности микроэлектронных структур с тонким слоем диэлектрика. Труды института электронных управляющих машин, 1977, т. 22, с. 27-37.

63. Di Stefano Т.Н. Dielectric Breakdown Induced by Sodium in MOS Structures // J. Appl. Phys., 1973, v. 44, №l,p. 527-528.

64. Osburn C.M., Ormond D.W. Dielectric Breakdown in Silicon Dioxide Films on Silicon // J. Electrochem. Soc., 1972, v. 119, № 5, p. 591-609.

65. Osburn C.M., Ormond D.W. Sodium Induced Barrier Height Lowering and Dielectric Breakdown on Si02 Films on Silicon // J. Electrochem. Soc., 1974, v. 121, № 10, p. 1195-1198.

66. Svensson C., Shumka A. Time Dependent Breakdown in Silicon Dioxide Films // Int. J. Electrochem. Soc., 1975, v. 38, № 1, p. 69-80.

67. Dylewski J., Joshi M.C. The Dielectric Breakdown Properties and J-V Characteristics of Thin Si02 Films Formed by High Dose Oxigen Ion Implantation into Silicon // Thin Solid Films, 1977, v. 42, p. 227-235.

68. Rai B.P., Singh K., Srivastava S. Current Transport Phenomena in Si02 Films // Phys. stat. sol. (a), 1976, v. 36, p. 591-595.199

69. Абул-Сурур М.А.М., Коршунов A.B., Новотоцкий-Власов Ю.Ф. Воздействие термополевых обработок на поверхностное рассеяние в МДП структурах // Микроэлектроника, 1974, т. 3, № 6, с. 548-550.

70. Венкстерн С.А., Козлов С.Н. Влияние полевых обработок в активных средах на подвижность дырок в инверсионном канале // Микроэлектроника, 1977, т. 6, № 4, с. 354-357.

71. Castagne R. Apparent Interface State Density Introduced by the Spatial Fluctuations of Surface Potential in an MOS Structure // Electronics Letters, 1970, v. 6, № 7, p. 691-694.

72. Silversmeth D.J. Nonuniform Lateral Ionic Impurity Distributions at Si-Si02 Interfaces // J. Electrochem. Soc.: Solid State Sei. and Techn., 1972, v. 119, № 11, p. 1589-1592.

73. Думиш Л.К., Феорович Ю.В. Исследование процессов зарядовой нестабильности в диэлектрических пленках // Электронная техника (полупроводниковые приборы), 1971, № 1(58), с. 79-85.

74. Chou N.J. Application of Triangular Voltage Sweep Method to Mobile Charge Studies in MOS Structures // J. Electrochem. Soc.: Solid State Science, 1971, v. 118, №4, p. 601-609.

75. Кучумов Б.М., Сальман Е.Г., Ветропрахов B.H. Влияние материала металлического электрода на процессы генерации и переноса подвижного заряда в МОП структуре, 1977, Деп. ВИНИТИ, № 322-77.

76. Кучумов Б.М., Вертопрахов В.Н, Влияние металла на процессы стабилизации подвижного заряда в МОП стуктуре // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем, тезисы докл., Рязань, М., 1976, с. 7-8.

77. Морозов Л.Н., Чудновский А.Ф. Влияние металла на стабильность МОП систем // Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем, тезисы докл., Рязань, М. 1976, с. 5-6.

78. Морозов Л.Н., Чудновский А.Ф. Влияние структуры металла на величину подвижного заряда в системе Si-Si02-Me // Электронная техника (микроэлектроника), 1978, т. 5(77), с. 88-91.200

79. Yamin M. Charge Storage Effects in Silicon Dioxide Films // IEEE Trans, on Electron Devices, 1965, v. 3, № 1, p. 88-96.

80. Marciniak W., Przewlocki H.M. On the Behavior of Mobile Ions in Dielectric Layers of MOS Structures // J. Electrochem. Soc., 1976, v. 123, p. 12071212.

81. Snow E.H., Grove A.S., Deal B.E., Sah C.T. Ion Transport Phenomena in Insulating Films // J. Appl. Phys., 1965, v. 36, № 9, p. 1664-1673.

82. Marciniak W. Rozklad stacjonarny nieskompensowanego ladunku ruchomego w warstwle dielektryka struktury MOS // Biul. WAT J. Dabrow skiego, 1974, v. 23, №3, p. 54-55.

83. De Mey G., De Wielde W. Influence of Space Charge Effect on the Ion Distribution in Evaporated Si02 Dielectrics // J. of Non - Ctyst. Solids, 1975, v. 17, № 5, p. 428-432.

84. Романов В.П., Чаплыгин Ю.А. Равновесное пространственное распределение заряженных частиц // Изв. ВУЗ, «Физика», 1978, т. 10, № 2, с. 143-145.

85. Benes О., Cerny A. The Inflyence of the Si02 Structure on the Properties of a MOS System // Wiss. Z. Electrotech, 1968, v. 11, p. 213-232.

86. Hofstein S.R. Proton and Sodium Transport in SiÜ2 Films // IEEE Trans, an Electron Devices, 1967, ED-14, № 11, p. 749-759.

87. Wilhams R., Woods M.H. Image Forces and the Behavior of Mobile Positive Ions in Silicon Dioxide, Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, № 9, p. 458-459.

88. Repace James L. The Effect of Ionizing Radiation on Mobile Ion Current Peaks in MOS Capacitors // IEEE Trans. Electron Devices, 1978, v. 25, № 4, p. 492-494.

89. Kerr D.R. Anomalously High Mobility of Sodium Ions in SiÜ2 Films // IEEE Solid State Device Research Conf., Santa Barbara, Calif., 1967.

90. Salman E.G., Perov G.V., yertoprakhov V.N. Ionic Current Stady in Thermali Grown Silicon Dioxide Films on Polycrystalline Silicon // Phys. Stat. Sol., 1987, (a) v. 99, p. 537-542.201

91. Сысоев Б.И., Анттошин В.Ф., Сыноров В.Ф. Кинетика миграции зарядов в диэлектрических пленках // Микроэлектроника, 1976, т. 5, № 4, с. 349-353.

92. Manning Y.R. Diffusion Kinetics fot Atoms in Crystals, Prinston, Toronto, 1968: перевод с англ. под ред. Б.Я. Любова. М.: Мир, 1971, - 277 с.

93. Marciniak W., Przewlocki Н.М. The Current Voltage Characteristics of MOS Structures as Measured with the Triangular Voltage Sweep Method // Electron Technology, 1975, v. 8, № 1, p. 19-32.

94. Antyushin V.F., Sysoev B.I., Synorov V.F. Identification of Alkal: Metal Ions in Silicon Dioxide Films // Phys. Stat. Sol., 1979, (a) 56, k. 91-95.

95. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Буданов A.B., Асессоров A.B. Газочувствительные конденсаторные структуры с субмикронным вентилируемым зазором // Поверхность (физика, химия, механика), 1993, №4, с. 115-118.

96. Антюшин В.Ф., Власов Д.А., Стрыгин В.Д. Диэлектрические свойства, кинетика поляризации адсорбированных на поверхности диоксида кремния слоев воды // Материалы XXXV отчетной научной конф. ВГТА, Воронеж, 1997, часть 2, с. 55.

97. Виглеб Г. Датчики. Устройство и применение. М.: Мир, 1989,191 с.

98. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зарифьянц Ю.А. // Проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1978, с. 234.

99. Боровиков Ю.Я Диэлектрометрия в органической химии // Киев: Наук. Думка, 1987, 215 с.

100. Саченко A.B., Снитко О.В., Шкребтий А.И. Особенности экранирования неоднородно встроенного заряда и их связь с физическими свойствами МДП структур // ФТП, 1981, т. 15, № 1, с. 67-72.

101. Анохин В.З., Миттова И.Я., Сысоев Б.И., Гадебская Т.А., Антюшин В.Ф. Электрофизические свойства легированных окисных слоев на кремнии // док. в ЦНИИ «Электроника» № 4067/76, реферат в сб. ВИМИ «Рипорт» № 13, 1976.

102. Маршаков И.К., Анохин В.З., Гордин В.Л., Миттова И.Я. Полупроводниковые материалы и их применение, Сб. статей ВГУ, Воронеж, 1974, с. 8-17.

103. Маршаков И.К., Анохин В.З., Гордин В.Л., Миттова И.Я., Гадебская Т.А. Полупроводниковые материалы и их применение, Сб. статей ВГУ, Воронеж, 1974, с. 17-22.203

104. Анохин В.З., Миттова И .Я., Лобова В.А., Гадебская Т.А., Панявина С.С. Полупроводниковые материалы и их применение, Сб. статей ВГУ, Воронеж, 1974, с. 1-7.

105. Balk P., Eldridge J.M. Phosphosilicate Glass Stabilization of FET Devices, Proc. IEEE, 1969, v. 57, № 9, p. 1558-1563.

106. Лазарев A.H. Колебательные спектры и строение силикатов // Л.: Наука, 1968, 347 с.

107. Токарева Л.В., Козельская Е.Е., Беляева H.A. ЭПР цинкосодержащих щелочно-алюмосиликатных светочувствительных стекол // Электронная техника (материалы), 1976, т. 3, с. 97-102.

108. Маркова Т.П., Ершов О.С., Шулц М.М. Влияние окислов цинка, кадмия, меди и марганца на электропроводность свинцово-боросиликатных стекол // Электронная техника, 1971, (14), № 4, с. 11-18.

109. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Сыноров В.Ф., Асессоров В.В. Влияние совместной диффузии цинка и фосфора на электрические параметры слоев двуокиси кремния // Вопросы техники полупроводникового производства, изд. ВГУ, Воронеж, 1976, с. 53-58.

110. Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И., Сыноров В.Ф. Электрофизические характеристики пленок двуокиси кремния, легированных цинком и фосфором // в сб. «Физика полупроводников и микроэлектроника», Рязань, 1978, № 5, с. 30-32.

111. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Сыноров В.Ф. Исследование влияния легирования на релаксационные процессы в слоях двуокиси кремния // XX Intern. Wiss. Koll. ТН Ilmenau, 1975, № 4, с. 59-60.

112. Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И. Миграция зарядов в условиях квазиравновесия // Вопросы микроэлектроники и физики полупроводниковых приборов, тезисы докл. III респ. конф. молодых ученых и специалистов, Тбилиси, 1977, с. 39.

113. Плюснина И.И. Инфракрасные спектры силикатов // Изд. Московского университета, 1967.

114. Асессоров В.В., Сысоев Б.И., Сыноров В.Ф., Анттошин В.Ф. Способ создания р-n перехода № 495001, 1975, УДК 621.382(088.8) М кл. HOJ 7/02.

115. Croset М., Mercodalli L.M. Calcia Stabilised Zirconia Thin Films on GaAs // Thin Solid Films, 1983, v. 103, № 1/2, p. 222-242.

116. Fritz L., Schuermeyer, Hans L., Hartnagel. Electrical analysis methods for Metal Insulator Semiconductor Structures on GaAs // J. Appl. Phys., 1980, v. 51, №12, p. 6279-6285.

117. Hasegawa H., Ohno H. Unified Disorder Induced Gap State Model for Insulator Semiconductor and Metal - Semiconductor Interfaces // J. Vac. Sci. Technol. В., 1986, v. 4, № 4, p. 1130-1136.

118. Lucovsky G., Bauer R.S. Unified Defect Model and Beyond // J. Vac. Sci. Technol., 1980, v. 17, p. 609-615.

119. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P.R., Su C.J. Unified Defect Model and Beyond // J. Vac. Sci. Technol., 1980, v. 17, № 5, p. 1019-1027.

120. Weber E.R., Schueider J. AsGa Antisit Defects in GaAs // Physica, 1983, v. 116, №2, p. 333-340.

121. Fiqielski T. Compensation in GaAs Crystals Due to Anti Structure Disorder // Appl. Phys., 1984, A35, № 4, p. 255-261.

122. Viturro R.E., Mailhiot., Shaw J.L., Brillson L.J. Interface States and Schottky Barrier Formation at Metal GaAs Junctions // J. Vac. Sci. Technol., 1989, A7(3), № 5/6, p. 855-860.

123. Sette F., Pearton S.J., Poate J.M., Rowe J.E. Local Structure of S Impurities in Implanted GaAs // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1977, v. 19/20, p. 408-412.

124. Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures edited by L.L. Chang, Ploog K., 1985, Перевод Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. под ред. Т.И. Алферова и Ю.В. Шмарцева М.: Мир, 1989.

125. Nakanisi Т. The Growth and Characterization of High Quality MOVPE GaAs and GaAlAs / Journal of Crystal Growth, 1984, v. 68, № 1, p. 282-294.205

126. Луговский В.П., Матсон Э.А., Русак И.М., Цырельчук H.A. Развитие техники БИС на арсениде галлия // Зарубежная электронная техника, М.: ЦНИИ «Электроника», 1984, № 12, с. 3-48.

127. Гасанов Л.С. Эффект поля в тонких слоях полупроводников // ФПГ, 1967, т. 1, № 6, с. 800-814.

128. Jerhot I., Shejdar V. A contribution to the Theory of the Space Charge region in Thin Semiconductor noncrystalline films // Crech. J. Phys. В., 1970, v. 20, № 8, p. 903-907.

129. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Сыноров В.Ф. Экранирование электрического поля в многослойном полупроводнике // ФТТ, 1981, т. 15, № 8, с. 1523-1528.

130. Сысоев Б.И., Ровинский А.П., Сыноров В.Ф., Безрядин H.H. Особенности вольт-фарадных характеристик МДП структур с полупроводниковыми подзатворными слоями // Микроэлектроника, 1978, т. 7, №2, с. 163-167.

131. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Дронов A.C., Ровинский А.П. О пассивации поверхности полупроводниковых элементов слоем широкозонного полупроводника // Микроэлектроника, 1985, т. 14, № 2, с. 140-143.

132. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Сыноров В.Ф., Мартынова H.A. Влияние пограничных состояний на электростатические характеристики МГГДП структур // Микроэлектроника, 1980, т. 9, № 4, с. 355-361.

133. Lampert M.A., Mark P. Current Injection in Solids, New Jork, London: Acad. Press, 1970. Перевод с англ. под ред. Рывкина С.М., М.: Мир, 1973, 416 с.

134. Зюганов А.Н., Свечников C.B. Безмодельная теория инжекционно-контактных явлений и некоторые ее применения // Микроэлектроника, 1981, т. 8, №2, с. 99-117.206

135. Сысоев Б.И., Сыноров В.Ф., Биттоцкая JI.A. Электрофизические свойства структуры Al-ZnP2-Se. // Микроэлектроника, 1973, т. 2, № 3, с. 244247.

136. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968, с. 163.

137. Горюнова H.A. Там же, с. 165.

138. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973, 635 с.

139. Жузе В.П., Сергеева В.М., Шелех А.И. Электрические свойства 1п2Те3 полупроводника с дефектной структурой // ФТТ, 1960, т. 2, № 11, с. 2858-2871.

140. Радауцан С.И. Исследование некоторых электрических свойств соединений In2Se3 и 1п2Тез // Изв. Молдавского филиала АН СССР, 1960, № 3, с. 49-54.

141. Насадов Д.И., Фелтыньш М.А. Электропроводность арсенидов галлия при высоких температурах // ФТТ, 1969, т. 2, № 5, с. 823-825.

142. Wooley J.C., Pampin В.К., Evens T.J. Electrons Conductors Solid Solution Ga2Se3-GaAs // Phys. Chem. Solid, 1966, v. 19, № 1, p. 147-152.

143. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Асессоров B.B., Стрыгин В.Д., Булгаков С.С. Способ получения изолирующих пленок на пластинах арсенида галлия , АС. № 1200782, 22.08.85.

144. Антюшин В.Ф., Кузьменко Т.А., Стрыгин В.Д. Химическое травление полярных плоскостей арсенида галлия в сернокислом травителе // Полупроводниковая электроника. Известия ВГПИ: Сб. научн. тр. / Воронеж, 1985, т.239, с. 11-15.

145. Хейман Р.Б. Растворение кристаллов. Л.: Недра, 1979, - 154 с.207

146. Реми Г. Курс неорганической химии. М.: И-Л, т.1,1963.

147. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфта В.Д. М.: Радио и связь, 1982.

148. Файнштейн С.М. Обработка и защита поверхности полупровод -гг----луг . г>1 г\нг\ 1/сп ~

149. JtUlAUJBJhlX UpMUUpUß, -LV1. v^HCpi ИЛ, 1У ikj, лиу с.

150. Раков A.B. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.; Сов. радио, 1975, 176 с.

151. Антюшин В.Ф., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д., Щевелева Г.М. Электрофизические свойства гетероструктур GaAs-Ga2Se3 // Полупроводниковая электроника, Межвуз. сб. научн. трудов, Изд. ВГПИ, 1983, т.224, с.22-26.

152. Антюшин В.Ф., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д., Щевелева Г.М. Модуляция областей пространственного заряда в гетероструктуре Ga2Se3-GaAs // Полупроводниковая электроника, Межвуз. сб. научн. трудов, Изд. ВГПИ, 1983, т.224, с. 26-33.

153. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Модуляция областей пространственного заряда в изотопных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника // ФТП, 1984, т. 18, № 10, с. 17391743.

154. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Свойства гетерофаз-ных структур тонкий полуизолирующий слой дефектного материала -арсенид галлия // Новые материалы электронной техники, сб. научн. трудов. -Воронеж, ВПИ, 1983, с. 44-47.

155. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Эффект поля в гетероструктурах Al-ZnP2-GaAs // III Всесоюзная конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Одесса, 1982, тезисы докл., т.1, с. 69-70.

156. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Моргунов В.Н. Изолирующее покрытие для арсенида галлия // ЖТФ, 1986, т.56, № 5, с. 913915.208

157. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Энергетическая диаграмма тонкопленочных гетероструктур Ga2Se3-GaAs // Поверхность. Физика, химия, механика, 1986, № 2, с. 148-150.

158. Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И. Новое изолирующее покрытие для арсенида галлия // Всесоюзная научная конф. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники», Минск, 1985, тезисы докл., с. 237.

159. Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д. Модуляция областей пространственного заряда с изолирующими слоями Ga2Se3 на GaAs // тезисы докл. X Всесоюзной конф. по физике полупроводников. Минск, 1985, ч.1, с. 167-168.

160. Антюшин В.Ф., Дронов A.C., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д. Выращивание гетероэпитаксиальных слоев Ga2Se3 на арсениде галлия // тезисы докл. VI Всесоюзной конф. по росту кристаллов. Ереван, 1985, с 148.

161. Булах Б.М., Горбик П.П., Комащенко В.Н., Федорус Г.А., Шейнкман М.К. Гетерострукгуры твердофазного замещения на основе монокристаллов соединений А^71 // ФТП, 1981, т. 15, № 2, с. 357-360.

162. Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Власов Д.А. Исследование интегральной фотолюминесценции гетероструктур GaAs-A23B36 // Материалы XXXVI отчетной научной конф. ВГТА, Воронеж, 1997, ч. 1, с. 30.

163. Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Моргунов В.Н. Релаксация электрического поля в изолирующем слое гетероструктур Al/Ga2Se3/GaAs // Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Межвуз. сб. научн. трудов.: ВПИ, Воронеж, 1989, с. 31-35.

164. S.M. Sze Physics of Semiconductor Devices, 1981. Перевод с англ. под ред. Суриса P.A. М.: Мир, 1984, т. 1, - 455 с.

165. Капустин Ю.А., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Термостимулиро-ванный разряд квазиравновесной области пространственного заряда МДП-конденсатора // Новые материалы электронной техники: Сб. научн. тр. / ВПИ, Воронеж, 1983, с. 71-74.209

166. Сысоев Б.И., Лихолет А.Н., Сыноров В.Ф., Левин М.Н. К вопросу о термостимулированном разряде конденсатора с дополнительной емкостью // ФТП, 1976, т. 10, № 3, с. 532-536.

167. Постников B.C., Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Термостимулированный разряд идеального МДП-конденсатора // ФТП, 1982, т. 16, № 9, с. 17-19, деп. Р-3383/82 (Электроника).

168. Антюшин В.Ф., Лихолет А.Н., Стрыгин В.Д. Энергия ионизации глубоких уровней в полупроводниковых слоях с переменной энергией сродства к электрону // Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок: Сб. научн. тр. Воронеж: ВПИ, 1986, с. 112-114.

169. Ando Т., Fowler A., Stern F. Electronic properties of Two-Dimensional Sistems // Reviews of Modern Physics, 1982, v. 54, № 2, Перевод с англ. под ред. Шмарцева Ю.В. М.: Мир. - 416 с.

170. Бом Д. Квантовая теория. М.: Наука, 1965, с. 327.

171. Карман М.И., Мушинский В.П., Палаки Л.И. Решеточное отражение кристаллов Ga2Se3 // Неорганические материалы, 1972, т. 8, № 7, с. 13011302.

172. Поляроны / сб. под ред. Фирсова Ю.А. М.: Наука, 1975, с. 44.

173. Kittel С. Quantum Theory of Solids, N. J. - London, 1963. Перевод с англ. - M.: Наука, 1967, с. 168-170.

174. Палатник Л.С., Кошкин В.М., Комник Ю.Ф. К вопросу о химической связи в полупроводниках типа A2mB3VI // Химическая связь в полупроводниках и твердых телах. Минск: Наука и техника, 1965, с. 301-303.

175. Зон Б.А., Купершмидт В.Я., Сысоев Б.И. Влияние поляризации примесных центров на подвижность носителей в двумерных структурах // ФТП, 1985, т. 19, № 1, с. 140-142.

176. Fang F.F., Howard W.E. Negativ field-effect mobility on (100) Si syrfaces // Phys. Rev. Lett., 1966, v. 16, № 9, p. 797-799.

177. Fowler A., Fang F., Howard W., Stiles P. Magneto-oscilatory conductance in silicon surfaces // Phys. Rev. Lett., 1966, v. 16, № 20, p. 901-903.210

178. Hensel J.С., Hasagava H., Nakayama M. Cyclotron resonance in unfaxially stressed silicon. II. Natyre of the covalent bound // Phys. Rev., 1965, v. 138, №1, p. A225-A238.

179. Stern F., Howard W.E. Properties of semiconductor surfaces inversion layers in the electric quantum limit // Phys. Rev., 1967, v. 163, № 3, p. 816-835.

180. Goodnic S.M., Ferry D.K. III-V Inversion layer transport // Phys. and chem. III-V compound semicond. interfaces. - New Yore, London, 1985, p. 283326.

181. Чаплик А.В. О примесном рассеянии электронов в квантующих пленках//ЖЭТФ, 1970, т. 59, № 6(12), с. 2110-2115.

182. Nachev I., Velchev N. Effect of neutral scattering on electron mobility on silicon (100) inversional layers // Z. Phys. B. 1984, v. 55, № 1, p. 33-39.

183. Stern F. Self-consistent results for n-type Si inversion layers // Phys. Rev. B. 1972, v. 5, № 11, p. 4891-4899.

184. Pals J. A. Experimental varification of the surface quantization of an n-type inversion layer of silicon at 300 and 77 К // Phys. Rev. B. 1972, v. 5, № 11, p. 4208-4210.

185. Ando T. Self-consistent results for a GaAs/AlxGaixAs heterojunctions.

186. Subband structure and light-scattering spectra // J. Phys. Soc. Japan. 1982, v. 51, №12, p. 3893-3899.

187. Фок B.A. Проблемы дифракции и распространения электромагнитных волн. М.: Сов. радио, 1970, 517 с.

188. Abramovits М., Stegun I.A. Handbook of mathematical functions. -Washington: U.S. Government printing office, 1964, 583 p.

189. Ando T. Self-consistent results for a GaAs/AlxGai.xAs heterojunction.1.. Low temperature mobility // J. Phys. Soc. Japan. 1982, v. 51, № 12, p. 39003907.

190. Козырев C.B., Маслов А.Ю. Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 1988, т. 22, № 3, с. 433-438.

191. Соединения переменного состава / Под ред. Б. Ормонта. Л.: Химия, 1969, 519 с.

192. Tugulea A., Dascalu D. The image force effect at a metal -semiconductor contact with an interfacial insulator layer // J. Appl. Phys., 1984, v. 56, № 10, p. 2823-2831.211

193. Демков Ю.Н., Островский В.Н. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1975, 240 с.

194. Сысоев Б.И., Руднев Е.В., Антюшин В.Ф. Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое // ФТП, 1988, т. 22, № 10, с. 1871-1873.

195. Смирнов Б.М. Физика слабоионизованного газа. М.: Наука, 1972,416 с.

196. Горбачев В.В., Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов. 2-е изд. М. Металлургия, 1982, 336 с.

197. Прудников А.П., Брычков Ю.А., Маричев О.И. Интегралы и ряды. Специальные функции. М.: Наука, 1983, 750 с.

198. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. 5-е изд. М.: Наука, 1971, 1108 с.

199. Qi-Gao Zhu, Kroemer Н. Interface connection rules for effective-mass wave-functions at an abrupt heterojunction between two different semiconductors // Phys. Rev. В., 1983, v. 27, № 6, p. 3519-3527.

200. Harrison W.A. Tunneling from an independent-particle POINT OF VIEW//Phys. Rev., 1961, v. 123, № 1, p. 85-89.

201. Ben Danfel D.J., Duke C.B. Space-charge effects on electron tunneling // Phys. Rev., 1966, v. 152, № 2, p. 683-692.

202. Kroemer H., Zhu Qi-Gao. On the interface connection rules for effective mass wave functions at an abrupt heterojunction between two semiconductors with different effective mass // J. Vac. Sci. Technol., 1982, v. 21, № 2, p. 551-556.

203. Jimin Huang, Chenhsin Lien Electric-fied Dependens of Linear and Nonlinear Optical Preperties in Coupled Quantum Wells: Application to Electro-oplical Devices // Phys. Low-Dim. Struct., 1955, № 4/5, p. 1-52.

204. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Руднев E.B., Стрыгин В.Д. Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид галлия -полупроводник со стехиометрическими вакансиями // ФТП, 1987, т. 21, № 7, с. 1310-1312.212

205. Antyushin V.F., Rudnev E.V. Two-Dimensional Electron Gas Mobility in Semiconductor Heterostructures with Thin Аг^з^ Layers //35 Internationales Wissenschaftliches Koloqwium, Ilmenay DDR, 22-25.10.1990, p. 7-8.

206. Гергель, Журавлев И.Л., Сурис P.A., Филачев A.M. Роль межэлек

207. I тгттлпл Г* Г» TV /1 (II I ЛТ^ЛХ ПГ^ТЧ ПЛОЛ7 Л ттапаттллл» Я Г)ПГ\ГГ TTQ // rfYTTT 1QC1 ^ipvj/j.nvji w jajupa t> ivj/j,! i vipjivjjpaA v iivpvnx/vv/ivi оардда п ч-ш, i^ui,6, c. 1126-1132.

208. Власенко В.Б., Сурис P.А., Фукс Б.И. О возможности определения поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда // ФТП, 1977, т. 11, №6, с. 1112-1117.

209. Seguin С.Н., Tompsett M.F. Charge Transfer Devices, Academic, N.-J., 1975,- 186 p.

210. Bogle W.S., Smith G.E. Carge-Coupled Devices A New Approache to MIS Device Structures // IEEE Spectrum, 1971, v. 8, № 18, p. 101-166.

211. Chang. G. MIS Array Potential Calculation // Solid-State Electronics, 1973, v. 16, №9, p. 491-496.

212. Jerome J.T., Richard D., Baertsch, William E.E., Date M.B. A Surface-charge Shift Register with Digital Refresh // IEEE J. of Solid-State Circuits, 1973, v. Sc-8, № 2, p. 146-150.

213. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Об определении поверхностной подвижности в МДП структуре с переносом заряда // ФТП, 1986, т. 20, №1, с. 48-52.

214. Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И. Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами // ФТП, 1988, т. 22, № 5, с. 902905.

215. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Кипнис М.М. Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою // ФТП, 1991, т. 25, №4, с. 708-712.

216. Антюшин В.Ф., Власов Д.А., Арсентьев И.Н. Поверхностная подвижность и распределение электронов в обогащенном слое гетероструктур Ga2Se3-GaAs // ФТП, 1998, т. 32, № 6, с. 718-720.

217. Grove A.S., Snow Е.Н., Deal В.Е., Sah C.T. Simple Physical Model for the Space-Charge Capacitance of MOS Structures // J. Appl. Phys., 1964, v. 35, № 12, p. 2458-2460.

218. Баскаков С.И. Радиотехнические цепи с распределенными параметрами. М., 1980, - 152 с.

219. Kawaji S. The Two-Dimensional Lattice scattering mobility in a Semiconductor inversion Layer // J. Phys. Japan, 1969, v. 97, № 4, p. 906-909.

220. Байрамов M.A., Веденеев A.C., Ждан А.Г., Шамхалова Б.С. Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных п-каналах Si-МОП структур // ФТП, 1989, т. 23, в. 9, с. 1618-1624.

221. Воскобойников A.M., Смоляр В.В., СкрышевскийВ.А., СтрихаВ.И. Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке // ФТП, 1990, т. 24, № 10, с. 18481856.

222. Прима Н.А., Саченко А.В. Квантовые эффекты в емкости пространственного заряда полупроводников // ФТП, 1981, т. 10, № 11, с. 22402244.

223. Pines D., Nozieres P. The Theory of Quantum Liquids. N.-J. 1966. -Перевод с англ. под ред. Абрикосова А.А. М.: Мир, 1967, 382 с.

224. Theory of the Inhomogeneus Electron Gas. ed. Lundgvist S, March N.H. N.J. London, 1983, Перевод с англ. под ред. Киршница Д.А., Максимова Е.Г. М.: Мир, 1987,-400 с.

225. Бычковский Д.Н., Константинов О.В., Царенков Б.В. Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации214свободных носителей в однородном по составу полупроводнике // ФТП, 1990, т. 24, № 10, с. 1848-1856.

226. Ильченко Л.Г., Оченко В.М. Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев // ФТП, 1990, т. 24, № 3, с. 576-579.

227. Габович A.M., Розенбаум В.М. Силы изображения и квантовые состояния в полупроводниковых гетероструктурах // ФТП, 1984, т. 18, № 3, с. 498-501.

228. Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Власов Д.А. МДП структуры с зарядовой связью по обогащенному слою // Воронеж, гос. технол. акад. -Воронеж, 1998, 56 с.

229. Антюшин В.Ф., Власов Д.А., Стрыгин В.Д. МДП структуры с зарядовой связью по обогащенному слою // Материалы XXXVI отчетной научной конф. ВГТА, Воронеж, 1997, ч. 1, с. 29.

230. Stern F. Polarizability of Two-Dimensional Electron Gas, Phys. Rev. Lett., 1967, v. 18, № , p. 1687-1690.

231. Рытова H.C. Экранированный потенциал точечного заряда в тонкой пленке. Вестник МГУ (физика, астрономия), 1967, № 3, с. 30-37.

232. Е. Кашке. Differential gleichungen, lösungsmethoden und lösungen, Leipzig, 1959. Перевод с нем. M.: Наука, 1976, - 576 с.

233. Н.М. Miesenböck, М.Р. Tosi Exchange and correlation effects in the visscher Falicov model for metal intercalated graphite // Z. Phys. B. - Condensed Matter 78,1990, p. 255-264.

234. Handbook of Mathematical Functions, ed. Abramowitz M., Stegun I.A., National Bureau of Standards, Applied Mathematics Series 55, 1964, Перевод с англ. M.: Наука, 1979, 832 с.

235. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Госиздат, физ.-мат. литературы, 1963, с. 702.

236. Antyushin V.F., Vlasov D.A., Kordenko O.I. Nonmonotonous Potential in Semiconductor Accumulation Layers // Phys. Low. Dim. Struct. 1997, № 819, p. 1-6.

237. Антюшин В.Ф., Власов Д.А. Немонотонный потенциал в обогащенных слоях полупроводников // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение»: сб. научн. тр. / Воронеж, 1997, № 1.2, с. 49-51.

238. Антюшин В.Ф., Власов Д.А. Потенциальные профили обогащенных поверхностных слоев полупроводников // Вестник Воронежской гос.