Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Богданов, Сергей Александрович

• Богданов, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Богданов, Сергей Александрович

Введение.:.

1 Влияние дефектов, обусловленных электрически активными примесями и несовершенством кристаллического строения, на электрофизические свойства полупроводниковых структур.

1.1 Влияние глубоких уровней, обусловленных дефектами кристаллической решетки полупроводника, на свойства полупроводниковых структур.

1.2 Влияние особенностей распределений примесей на свойства полупроводниковых структур.

1.3 Анализ моделей, учитывающих влияние электрически активных примесей и их распределений на свойства полупроводниковых структур.

1.4 Выводы и постановка задачи исследования.

2 Моделирование распределений потенциалов в областях пространственных зарядов полупроводниковых структур.

2.1 Разработка модели для определения распределения потенциала в области пространственного заряда полупроводниковой структуры.

2.2 Исследование влияния глубоких энергетических уровней на распределение потенциала в структуре металл-полупроводник.

2.3 Исследование распределения потенциала в структуре металл-диэлектрикполупроводник.

2.4 Результаты моделирования и выводы.

3 Экспериментальное исследование влияния дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур.

3.1 Методическое обеспечение автоматизированной системы диагностики полупроводниковых структур.

3.2 Модернизация автоматизированной системы 'диагностики полупроводниковых структур.

3.3 Результаты экспериментального исследования параметров глубоких энергетических уровней и плотности поверхностных состояний в МДП-структурах.

3.4 Выводы.

4 Применение разработанной модели и аппаратуры при прогнозировании электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов.

4.1 Прогнозирование электрофизических свойств и характеристик транзистора с металлической базой.

4.2 Прогнозирование электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов на основе МДП-структур.

4.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник»

Актуальность темы. Исследование влияния электрически активных примесей и их распределений на электрофизические свойства границ раздела диэлектрик-полупроводник МДП-структур и приповерхностных областей контактов металл-полупроводник имеет важную научную и практическую ценность. Это обусловлено следующими причинами.

При проектировании ИС и полупроводниковых приборов на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-полупроводник остро стоит проблема контроля и прогнозирования их параметров и характеристик, а также выбора оптимального технологического маршрута их изготовления.

Среда, с которой граничит полупроводник, оказывает влияние на электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов на их основе. Примером могут служить границы раздела сред полупроводник-диэлектрик и полупроводник-металл. Они являются источником зарядовых состояний, которые, в частности, оказывают влияние на распределения потенциалов в областях пространственных зарядов (ОПЗ) структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-полупроводник. Это приводит к изменению электрофизических свойств и характеристик, рассматриваемых полупроводниковых структур и приборов, а также влияет на их стабильность и воспроизводимость. Помимо этого, электрофизические свойства и характеристики полупроводниковых структур во многом определяются наличием в полупроводнике дефектов, обусловленных электрически активными примесями и несовершенством кристаллического строения, а также их пространственным распределением. Это затрудняет в некоторых случаях выявление и определение степени влияния фактора, обуславливающего изменения электрофизических свойств и характеристик.

Определение основных электрофизических свойств МДП-структур -величин максимальной Стах и минимальной Ст-т емкостей, плотности поверхностных состояний Nss и их распределения по энергии Е, толщины диэлектрика d и его диэлектрической проницаемости е', типа проводимости полупроводниковой подложки, концентрация примеси и закона ее распределения в приповерхностной области полупроводника - наиболее часто осуществляют методом равновесных вольт-фарадных характеристик

V (ВФХ). Он заключается в сравнении расчетных (теоретических) ВФХ идеальных МДП-структур с соответствующими экспериментальными. Как правило, при расчете теоретических ВФХ не учитываются электрически активные дефекты, возникающие вследствие технологических операций (диффузии, высокотемпературном окислении, ионной имплантации и т.д.) и формирующие в запрещенной зоне полупроводника глубокие энергетические уровни (ГУ), их пространственное распределение, а также перераспределение атомов легирующих примесей в результате таких операций. Это приводит к дополнительным погрешностям при определении электрофизических свойств МДП-структур.

• Учет влияния электрически активных примесей и их пространственного распределения на форму потенциального барьера ОПЗ полупроводниковых структур позволит оценить корректность выбора теории переноса заряда при моделировании ВАХ структур металл-полупроводник, повысить достоверность определения свойств границы раздела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах, а также прогнозировать электрофизические свойства и характеристики полупроводниковых приборов, формируемых на основе этих структур.

Таким образом, разработка модели для исследования влияния глубоких энергетических уровней и пространственного распределения электрически активных примесей в полупроводнике на электрофизические свойства МДП-структур и контактов металл-полупроводник, является актуальной задачей.

Целью работы является исследование влияния электрически активных примесей и их распределения на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник.

Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

- разработать математическую модель распределения потенциала, позволяющую учитывать влияние глубоких энергетических уровней и щ пространственного распределения электрически активных примесей в полупроводнике на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник;

- выполнить модернизацию автоматизированной системы диагностики полупроводниковых структур и провести на ее основе экспериментальные исследования методами динамической спектроскопии глубоких энергетических уровней (ДСГУ) и вольт-фарадных характеристик;

- показать возможности практического применения разработанных методик на примере прогнозирования электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов, формируемых на основе

• структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник.

Объекты и методы исследования. Объектами теоретических исследований являлись структуры металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, транзистор с металлической базой и поверхностный варикап.

Объектами экспериментального исследования являлись МДП-структуры, сформированные на пластинах кремния марки КЭФ-4,5, с толщиной термически выращенного окисла 230 нм. Пластины кремния для МДП-структур первой партии были обработаны с рабочей стороны электроискровым разрядом никелевым электродом. Для МДП-структур второй партии такая обработка не проводилась.

• В качестве методов исследования были использованы: численные методы решения дифференциальных уравнений, метод динамической спектроскопии глубоких энергетических уровней; метод равновесных высокочастотных вольт-фарадных характеристик.

Научная новизна.

1. Разработана математическая модель распределения потенциала, позволяющая учитывать влияние глубоких энергетических уровней и пространственного распределения электрически активных примесей в полупроводнике на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник.

2. Установлено, что электроискровая обработка кремния п-типа проводимости никелевым электродом, приводит к формированию в запрещенной зоне акцепторных ГУ с энергиями ионизации Ес-Е,, =0,24 эВ,

Ес -Ел = 0,34 эВ, Ес-Ел = 0,40 эВ, Ес-£,4 = 0,55 эВ.

3. Предложена методика прогнозирования электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов, формируемых на основе структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, с улучшенными значениями отдельных параметров.

Практическая значимость. В диссертационной работе решены важные задачи:

- разработаны алгоритмы и программы расчета распределения потенциала и вольт-фарадных характеристик, позволяющие на этапе проектирования элементов ИС исследовать влияние дефектов на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник;

- показана целесообразность применения разработанной модели при прогнозировании электрофизических свойств и характеристик активных и пассивных элементов ИС, формируемых на основе структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, в частнрсти, транзистора с металлической базой, а также поверхностных варикапов с улучшенными значениями отдельных параметров;

- модернизирована автоматизированная система диагностики полупроводниковых структур (АСДПС), которая обеспечивает определение параметров ГУ (сечение захвата, концентрацию, энергию ионизации), профилей распределения глубокой и мелкой легирующей примесей, электрофизических свойств границы раздела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах.

Таким образом, разработанная модель может применяться не только для контроля электрофизических параметров МДП-структур, но и для прогнозирования электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых приборов, формируемых на основе структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник: МДП-транзисторы; транзисторы с металлической базой; поверхностные и барьерные варикапы; фотовольтаические элементы; фотоприемники; сенсоры различных физических величин и др.

Достоверность и обоснованность полученных в работе результатов подтверждается полнотой и корректностью исходны* посылок, непротиворечивостью математических выкладок, применением в экспериментах аппаратуры с высокими метрологическими характеристиками, хорошим согласием результатов теоретического исследования с результатами экспериментального исследования, а также с известными из литературы экспериментальными данными, практическим использованием результатов работы, подтвержденным соответствующими актами о внедрении.

Реализация и внедрение результатов работы. Результаты работы использованы при проведении ряда научно-иследовательских работ проводимых в НИЛ «Мезоструктура» - «Разработка физических основ перспективных элементов твердотельной электроники на основе гетерогенных наноструктур» (№ гос. регистрации 01200203301, 2004 г.), «Исследование влияния электрически активных дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур» (№ гос. регистрации 01200505537, 2005 г.), «Разработка модели функционирования транзистора на основе наноразмерной структуры полупроводник-металл-полупроводник» (№ гос. регистрации 01200604342, 2006 г), - а также при выполнении научно-исследовательской работы «Влияние электрически активных примесей и их распределения на свойства границы раздела диэлектрик-полупроводник» ведомственной научной программы Минобрнауки «Развитие научного потенциала высшей школы» по разделу Л «Развитие научно-исследовательской работы молодых преподавателей и научных сотрудников, аспирантов и студентов» (код проекта 15330).

Кроме того, результаты диссертационной работы используются при разработке сенсорных элементов на основе карбида кремния с неравномерным распределением легирующей примеси и целенаправленно сформированными глубокими энергетическими уровнями в НИИ МВС (г. Таганрог); при отработке технологических процессов изготовления фотоэлектронных устройств на основе пластин кремния с контролируемой плотностью поверхностных состояний в ООО «Завод Кристалл» (г. Таганрог), а также в учебном процессе кафедры физики ТИ ЮФУ в г. fc Таганроге при проведении лабораторных работ по дисциплинам:

Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники», что подтверждено соответствующими актами.

Апробация диссертационной работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно технических конференциях:

- «Математические модели физических процессов» (X и XI Международные научные конференции, г. Таганрог, 2004 г. и 2005 г.);

- «Опто- и наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (III и IV Международные научные конференции, г. Ульяновск, 2005 г. и 2006 г.);

- «Современный физический практикум» (IX Международная * конференция, г. Волгоград, 2006 г.);

- «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (X Международная научная конференция, с. Дивноморское, 2006 г.), а также научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ТИ ЮФУ в г. Таганроге (2005 -2007 г.)

Основные положения и результаты, выносимые на защиту;

- математическая модель, позволяющая учитывать влияние глубоких энергетических уровней и пространственного распределения электрически активных примесей в полупроводнике на форму потенциального барьера ОПЗ и ВФХ структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, основанная на численном решении уравнения Пуассона;

- акцепторные ГУ в кремнии n-типа проводимости могут приводить к уменьшению высоты потенциального барьера y/(0) = y/s структуры металл-полупроводник на величину | Дул-1 «40-5-60 мВ;

- существенное влияние в кремнии акцепторные ГУ с энергетическим положением Ес-Еш = 0,2 эВ могут оказывать при температурах Т <150 К, с

Ес - Еш = 0,35 эВ при Т < 240 К, с Ес- Еш = 0,5 эВ при Т < 320 К;

- ВФХ МДП-структур на основе электронного кремния при наличии в полупроводнике акцепторных ГУ отличаются меньшими по абсолютной величине значениями напряжений инверсии, коэффициентов перекрытия, возможным появлением участков с отрицательной дифференциальной емкостью;

- разработанные в результате модернизации АСДПС блоки аппаратуры - устройство определения температуры исследуемой полупроводниковой структуры, блок сопряжения и контроля, блок напряжения смещения -позволяют расширить функциональные возможности АСДПС, а также повысить оперативность определения электрофизических свойств полупроводниковых структур и параметров ГУ;

- электроискровая обработка кремния n-типа никелевым электродом, приводит к формированию в запрещенной зоне акцепторных ГУ с энергиями ионизации Ес - Еп = 0,24 эВ, Ес - Еп = 0,34 эВ, Ес - Е1} = 0,40 эВ, с-£,4 =0,55 эВ;

- разработанная модель позволяет прогнозировать электрофизические свойства и характеристики отдельных полупроводниковых приборов и ИС, формируемых на основе структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 13 печатных работ, из них 5 работ в журналах перечня ВАК. В ВНИИТЦ зарегистрировано четыре отчета по НИР.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследования выполнены д.т.н., профессором Захаровым А.Г. Разработка модели, позволяющей учитывать влияние глубоких энергетических уровней и пространственного распределения электрически активных - примесей в полупроводнике на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, разработка блоков измерительной аппаратуры, проведение экспериментальных и теоретических исследований осуществлены и получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором выполнен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Структура диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованной литературы и двух приложений. Содержание диссертации изложено на 186 страницах, включая 51 рисунок, 12 таблиц, список литературы из 93 наименований, приложения, размещенные на десяти страницах.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Богданов, Сергей Александрович

Результаты работы использованы при проведении ряда научно-иследовательских работ проводимых в НИЛ «Мезоструктура» - «Разработка физических основ перспективных элементов твердотельной электроники на основе гетерогенных наноструктур» (№ гос. регистрации 01200203301, 2004 г.), «Исследование влияния электрически активных дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур» (№ гос. регистрации 01200505537, 2005 г.), «Разработка модели функционирования транзистора на основе наноразмерной структуры полупроводник-металл-полупроводник» (№ гос. регистрации 01200604342, 2006 г), - а также при выполнении научно-исследовательской работы «Влияние электрически активных примесей и их распределения на свойства границы раздела диэлектрик-полупроводник» ведомственной научной программы Минобрнауки «Развитие научного потенциала высшей школы» по разделу «Развитие научно-исследовательской работы молодых преподавателей и научных сотрудников, аспирантов и студентов» (код проекта 15330).

Кроме того, результаты диссертационной работы используются при разработке сенсорных элементов на основе карбида кремния с неравномерным распределением легирующей примеси и целенаправленно сформированными глубокими энергетическими уровнями в НИИ МВС (г. Таганрог); при отработке технологических процессов изготовления фотоэлектронных устройств на основе пластин кремния с контролируемой плотностью поверхностных состояний в ООО «Завод Кристалл» (г. Таганрог), а также в учебном процессе кафедры физики ТИ ЮФУ в г. Таганроге при проведении лабораторных работ по дисциплинам: «Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники», что подтверждено соответствующими актами.

Заключение

В диссертационной работе рассмотрено влияние глубоких энергетических уровней (ГУ) и неравномерного распределения электрически активных примесей на электрофизические свойства полупроводниковых структур. Проведен анализ существующих моделей, учитывающих влияние этих факторов на распределения потенциалов и вольт-фарадные характеристики структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник. Анализ показал целесообразность разработки математической модели, учитывающей влияние ГУ и неравномерного распределения примесей на электрофизические свойства структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник, которая позволит повысить достоверность их прогнозирования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Богданов, Сергей Александрович, 2007 год

1. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии:Пер. с англ.-М.: Мир, 1984.-475 с.

2. Захаров А.Г. Беспятов В.В. Моделирование дефектов, возникающих в кремнии в процессе формирования полупроводниковых структур, электроискровой обработкой // Активируемые процессы технологии микроэлектроники. Таганрог. 1988. - Вып. 9. - С. 21-28.

3. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., и др. Генерация радиационных дефектов в высокоомном кремнии при циклическом облучении и отжиге// ФТП. 1997. - Т. 31, № 2. - С. 235-240.

4. Казакевич JI.A., Лугаков П.Ф. Исследование процессов отжига радиационных дефектов в дислокационном кремнии// Электронная техника. Серия Материалы. 1982. -№ 9 (170). - С. 29-33.4 5 Махкаков LLL, Турсунов С.А., Ашуров М, Саидов Р.ГГ, Мартынченко С.В.

5. Об особенностях образования радиационных дефектов в кремниевых структурах//ЖТФ.- 1999.-Т. 69, № 1. С. 121-123.

6. Феклисова О.В., Ярыкин Н.А., Якимова Е.Б., Вебер Й. Взаимодействие водорода с радиационными дефектами в кремнии р-типа проводимости// ФТП.-2001.-Т. 35, № 12.-С. 1417-1422.

7. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев B.C., Ширяев С.Ю. Дефекты структуры в ионноимплантированном кремнии. М.: Университетское, 1990.-390 с.

8. Lang D. V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors// J. Appl. Phys.,-1982.- Vol.№ 7.- P.3023-3032.

9. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-562 с.

10. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., Строкан Н.Б. Особенности генерационных токов в облученных а-частицами р+-п-переходах из высокоомного кремния// ФТП. 1993. - Т. 27, № 2. - С. 205-213.

11. Богач Н.В., Литвиненко В.Н, Марончук И.Е. Экстремальный характер изменения обратного тока кремниевых р+-п структур в процессе формирования омических никелевых контактов// Письма в ЖТФ. 1998. -Т. 24,№ 12.-С. 1-5.

12. Владимирова Е.В., Гусятников В.Н., Журавлев К.А., Иванченко В.А., Павлов В.Г. Влияние глубоких уровней на эффекты поля в гомогенных периодических полупроводниковых структурах на основе кремния// ФТП. 1993. - Т. 27, № 8. - С. 1400 - 1402.

13. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах// Успехи физических наук. 1995. - Т. 165, № 8. - С. 887-917.

14. Никитенко В.И., Осипьян Ю.А. Проблемы современной кристаллографии. -М.: Наука, 1975.-512с

15. Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. Донорное действие дислокаций в монокристаллах n-Si// ФТП. 1978. - Т. 12, № 2. -С. 273-279.

16. Blumenau А.Т., Jones R., Oberg S., Briddon P. R., Frauenheim T. Dislocation related photoluminescence in silicon //Physical review letters, 2001, vol. 87, № 18, p. 187404-1-187404-4.

17. Шевченко С.А., Изотов А.Н. Дислокационная фотолюминесценция в кристаллах кремния с различным примесным составом// Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, № 2. - С. 248-253.

18. Ostapenko S., Tarasov I., Kalejs J. P., Haessler C, Reisner E.-U. Defect monitoring using scanning photoluminescence spectroscopy in multicrystalline silicon wafers //Semicond. Sci. Technol., (2000), 15, 840-848.

19. Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Изотов A.H., Пархоменко Ю.Н., Борун А.Ф. Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа// Физика твердого тела. 2004. - Т. 46, № 1. - С. 26-30.

20. Шикина Ю.В., Шикин В.Б. Инверсия типа проводимости в пластически деформированных п полупроводниках //ФТП. - 1994. - Т. 28, № 4. - С. 675-680.

21. Соболев Н.А., Шеек Е.И., Емельянов A.M., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Влияние собственных точечных дефектов и оптически активных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием и диспрозием //ФТП. -1999. Т. 33, № 6. - С. 656-659.

22. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Захаров А.Г. Структура металл-диэлектрик полупроводник на основе дислокационного кремния// Известия высших учебных заведений. Физика. 1972. -№ 2. - С. 163-165.

23. Ферри Д., Эйкерс Л., Гринич Э. Электроника ультрабольших интегральных схем /Пер. с англ. М.: Мир, 1991. - 327с., ил.

24. Берман Л.С. Введение в физику варикапов. Изд-во «Наука». Ленингр. отд., Л, 1968- 180 с.

25. Бормонтов Е.Н., Борисов С.Н., Волков О.В., Левин М.Н. Лукин С.В. Моделирование вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров МДП-структур со сложным профилем легирования// Известия вузов. Электроника. 1999. - № 5. - С. 33 - 39.

26. Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука, 1978. - 512с.

27. Бахвалов Н.С., Жидков Н.П., Кобельков Г.М. Численные методы. М.: Наука, 1987.-600с.

28. Самарский А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1983. - 548с.

29. Самарский А.А., Гулин А.В. Численные методы: Учебное пособие для ВУЗов. М.: Наука, 1989. - 432с.

30. Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП-структуры// ФТП. 2003. - Т. 37, № 6. - С. 686 - 691.

31. Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами// ФТП. 1997. - Т. 31, № 4. - С. 437 - 440.

32. Поклонский Н.А., Сягло А.И., Бискупски Г. Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках// ФТП. 1999. - Т. 33, № 4. - С. 415 -419.

33. Берман Л.С. Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл-диэлектрик-полупроводник с учетом тока через диэлектрик// ФТП. 2002. - Т. 36, № 6. - С. 697 - 700.

34. Гавриловец В.В., Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Кораблев В.В. Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя// ФТП. 2000. - Т. 34, № 4. - С. 455 - 458.

35. Каретникова И.Р., Нефедов И.М., Шашкин В.И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольтфарадных измерений в процессе электрохимического травления// ФТП. -2001.-Т. 35, №7.-С. 801 -807.

36. Емкостные методы контроля электрофизических свойств полупроводниковых структур: Учебное пособие /А.Г. Захаров, Д.А. Сеченов, Ю.И. Молчанов, Г.М. Набоков. Таганрог: ТРТИ, 1983. - 72с.

37. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. -264с., ил.

38. Бормонтов Е.Н., Борисов С.Н., Леженин В.П., Лукин С.В. Экспресс-метод контроля зарядовых свойств ионно-легированных структур металл-окисел-полупроводник.//Письма в ЖТФ, 2000, том 26 № 21, с. 76-81

39. Вавилов B.C., Челядинский А.Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения.// Успехи физических наук. Приборы и методы исследований, том 165 №3, с. 347-358

40. Томашевский А.В., Снежной Г.В., Чернявский К.А. Влияние параметров МДП-структуры на крутизну высокочастотной вольт-фарадной характеристики.//Радиоэлектроника, информатика, управление № 2 1999.

41. И.Б. Варлашов, Н.В. Соболев, Г.Т. Липко. Влияние неоднородностей на расчет плотности поверхностных состояний в МДП-структурах// Автоматика и радиоэлектроника. Полупроводниковые приборы. 1979, том 8, № 24 стр. 50-53

42. Елфимов Л.Б., Иванов П.А. Поверхностная емкость полупроводника с глубокой легирующей примесыо (на примере p-6H-SiC<B>).// ФТП 1994, том 28, № 1 стр. 161 167

43. Ragi R., Manzoli J., Romero M.A., Nabet В. Modeling the C-V Characteristics of Heterodimensional Schottky Contacts.//ESSDERC 2002, s. 623-626

44. Стриха В.И., Бузанева E.B. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987.-256 е.: ил.

45. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. -656с.

46. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. -392с.

47. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984.-352с.

48. Захаров А.Г., Богданов С.А. Моделирование распределения потенциала в приповерхностной области полупроводника с глубокими уровнями// Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2005. № 9. С. 217-222

49. Захаров А.Г., Богданов С.А. Вольт-фарадные характеристики МДП-структур с учетом однозарядного глубокого энергетического уровня// Известия вузов. Северо-Кавказский регион. 2007., № 5 С. 21-27.

50. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. -М.: Радио и связь, 1988. 496 е.: ил.

51. Захаров А.Г., Богданов С.А. Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур с неоднородным распределением основной легирующей примеси// Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2006. № 9. С. 57-61

52. Захаров А. Г. Диагностика глубоких энергетических уровней в полупроводниковых структурах.// Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион, Естественные науки № 4 (92), 1995, с.29-32.

53. Берман Л. С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.-Л.: Наука,1981.— 176с.

54. Георгиу В. Г., Иванов М. Б., Сидоров В. Г., Шлихтов С. Н. Спектроскопия глубоких примесных центров методами стимулированной ёмкости.— Зарубежная радиоэлектроника, 1979, № 8, с.3-26.

55. Теоретические и экспериментальные исследования электрических свойств дефектов в кремнии. Отчет по НИР(заключительный) / Таг. гос. рад. унт.

56. ТРТУ); Руководитель А.Г Захаров. № ГР. 01.2002.03301; Инв. № 02.2003.03367. - Таганрог: ТРТУ, 2003. - 143 с.

57. Захаров А.Г., Богданов С.А., Варзарев Ю.Н., Набоков Г.М. Устройство для определения температуры полупроводниковой структуры при измерении параметров глубоких энергетических уровней. Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2004. № 8 (43). -326 с. стр. 214-215.

58. Гёлль П. Как превратить персональный компьютер в измерительный комплекс: Пер. с франц. 2-е изд., испр. - М.:ДМК,1999.-144с.:ил.

59. Зайцев О. В. Коммуникацинные порты персонального компьютера. (http://z-ol.chat.ru/port/port i.htin)

60. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: Пер. с англ.— Изд. Шестое. М.: Мир, 2001,— 704с., ил.

61. Новиков Ю.В., Калашников О.А., Гуляев С.Э. Разработка устройств сопряжения для персонального компьютера типа IBM PC. М.: ЭКОМ, 2000 - 224 с.

62. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Захаров А.Г. Локальное введение дислокаций в кремний с помощью электроискрового разряда// Известия вузов. Приборостроение. 1972. № 4 - с 118. - 122.

63. Сеченов Д.А., Захаров А.Г., Беспятов В.В. Формирование в кремнии локальных дислокационных областей электроискровым разрядом. «Электронная обработка материалов». 1975. № 2. с. 14-17.

64. Сеченов Д.А., Беспятов В.В., Рушанов А.П., Басов И.М. Структура поверхности кремния после электроискровой обработки// Электронная обработка материалов. 1980, № 5, С. 17-21.

65. Гитлевич А.И. и др. Особенности пластической деформации, возникающей при электрической эрозии некоторых полупроводниковых монокристаллов.//Электронная обработка материалов. 1967. № 4. с.6-11.

66. Вавилов В.С„ Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, Гл. ред. физ. - мат. лит., 1990. -216 с.

67. Болтакс Б.И., Бахардыханов М.К., Куликов Г.С. Городецкий С.М. Компенсированный кремний. JI.: Наука, 1979. - 122 с.

68. Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Лебедев А.А. и др. Исследования поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния //Физика и техника полупроводников. -1991. Т. 25, вып.6.- С. 1075- 1078.

69. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Изд-во «Наука», Ленингр. отд., 1972, с. 104.

70. Кроуэлл К.Р., Зи С.М. Явления переноса горячих электронов и туннельный эффект в тонкопленочных структурах. // Физика тонких пленок. Под ред. Хасса Г.и Туна Р.Э. М.: Мир, 1970.-Т.4-С. 387-436.

71. Колешко В.М., Белицкий В.Ф. Транзисторы с металлической и сверхпроводниковой базой// Зарубежная электронная техника. 1989. -№6.-С. 3-38.

72. Захаров А.Г., Котов В.Н., Богданов С.А. Моделирование распределения потенциала в барьерах Шоттки транзистора с металлической базой// Нано-и микросистемная техника. 2007., № 4 С. 45-47.

73. Пожела Ю.К. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989.-264с.

74. Захаров А.Г., Молчанов Ю.И., Нестюрина Е.Е. Сравнительный анализ элекрофизических свойств металлов для формирования транзистора с металлической базой // Известия ТРТУ- Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1995-№1- С. 178- 182.

75. Захаров А.Г., Дубашев С.А., Колпачев А.Б. Квантовомеханическая модель гетероструктуры с тонким проводящим слоем // Известия ТРТУ-Таганрог: Изд-во ТРТУ, 1995№ 1С. 167 171.

76. Борблик B.JL, Грибников З.С. Транзисторы на горячих электронах// Физика и техника полупроводников. 1988. - Т. 22, №9- С. 1537-1555.

77. Справочник по электротехническим материалам./ Под ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М.-Л.: Энергоатомиздат, 1988.-728 с.

78. Давыдов С.Ю. Простая модель расчета высоты барьеров Шоттки на контактах переходных металлов с политипами карбида кремния // ФТТ. -2004. Т. 46, № 12. - С. 2135 - 2138.

79. Зи С.М. Технология СБИС. М.: Мир, 1986. - Т. 1- 404 с.

80. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. М.: Университетская книга; Логос; Физматкнига, 2006. - 496 с.

81. Публикации по теме диссертационной работы

82. Захаров А.Г., Богданов С.А. Вольт-фарадные характеристики МДПструктур с учетом однозарядного глубокого энергетического уровня// Известия вузов. Северо-Кавказский регион. 2007. № 5, С. 21-27.

83. Захаров А.Г., Богданов С.А., Набоков Г.М. Автоматизированный комплексдля диагностики МДП-структур. Опто- и наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды 3-й международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2005. С.70.

84. Захаров А.Г., Богданов С.А. Влияние электрически активных примесей иих распределения на вольт-фарадные характеристики МДП-структур// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники.

85. Труды 10-й международной научной конференции, 2006, Таганрог. С. 93-95.

86. Захаров А.Г., Богданов С.А. Моделирование влияния глубоких энергетических уровней на вольт-фарадные характеристики МДП-структур// Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VIII международной конференции. Ульяновск: УлГУ, 2006. С. 118.

87. Захаров А.Г., Богданов С.А., Варзарев Ю.Н., Набоков Г.М. Устройство для определения температуры полупроводниковой структуры при измерении параметров глубоких энергетических уровней. Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2004. № 8 (43). -326 с. стр. 214-215.

88. Захаров А.Г., Богданов С.А. Моделирование распределения потенциала вприповерхностной области полупроводника с глубокими уровнями// Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2005. № 9. С. 217-222

89. Захаров А.Г., Богданов С.А. Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур с неоднородным распределением основной легирующей примеси// Известия ТРТУ. Таганрог: ТРТУ, 2006. №9. С. 57-61

90. Схема электрическая принципиальная устройства определения температуры исследуемой полупроводниковой структуры

91. Схема электрическая принципиальная УОТ представлена на рисунке АЛ.2 8