Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Пирюшов, Виталий Анатольевич

• Пирюшов, Виталий Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пирюшов, Виталий Анатольевич

ПЕРЕЧЕНЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ.

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

1. СВОЙСТВА ОКСИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.

1.1. Общая характеристика и свойства редкоземельных элементов.

1.2. Структура оксидов редкоземельных элементов.

1.3. Электрофизические свойства оксидов редкоземельных элементов.

2. МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ.

2.1. Методика изготовления кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов редкоземельных элементов.

2.2. Экспериментальные установки для исследования электрических характеристик МДП-структур.

2.3. Экспериментальные установки для исследования фотоэлектрических характеристик МДП-систем.

3. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ ИТТРИЯ, ЕВРОПИЯ И ГАДОЛИНИЯ.

3.1. Механизм прохождения тока на постоянном напряжении в кремниевых МДП-структурах с ОРЗЭ в качестве диэлектрика.

3.2. Проводимость и диэлектрические потери в кремниевых МДП-структурах с оксидами иттрия, гадолиния и европия на переменном сигнале.

3.3. Вольт-фарадные характеристики кремниевых МДП-структур с ОРЗЭ в качестве диэлектрика.

3.4. Исследование генерационных процессов в кремниевых МДП-структурах методом Цербста.

3.5. Исследование влияния температуры окисления пленки РЗЭ на характеристики МДП-структур.

3.5.1. Влияние температуры получения оксида иттрия на электрические параметры МДП-структур.

3.5.2. Влияние температуры получения диэлектрических пленок на генерационные параметры.

3.6. Характеристики электрического пробоя пленок оксида иттрия, гадолиния и европия в кремниевых МДП-структурах.

3.6.1. Кинетические характеристики электрического пробоя.

3.6.2. Температурные характеристики пробоя.

4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУР С ОКСИДАМИ ИТТРИЯ И ЕВРОПИЯ В КАЧЕСТВЕ ДИЭЛЕКТРИКА.

4.1. Методика определения высот энергетических барьеров на межфазных границах МДП-систем методом внутренней фотоэмиссии.

4.2. Анализ спектральной зависимости фотоинжекционного тока.

4.3. Анализ вольтаической зависимости фотоинжекционного тока.

5. ПАРАМЕТРЫ АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПЛЕНКАМИ ИЗ ОКСИДОВ ИТТРИЯ И ЕВРОПИЯ.

5.1. Методика определения локализации и плотности захваченного заряда в объеме диэлектрика.

5.2. Плотность и локализация захваченного заряда в диэлектрических пленках оксида иттрия и европия.

5.3. Энергетическая глубина залегания электронных ловушек в диэлектрических пленках оксида иттрия и европия.

5.4. Влияние ультрафиолетового излучения на электрофизические свойства структур Al-Y203-Si и Al-Eu203-Si.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия»

Актуальность темы

В современной микроэлектронике широкое распространение получили слоисто-неоднородные структуры типа металл-диэлектрик—полупроводник (МДП). Они составляют основу большинства дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Поэтому актуальной задачей микроэлектроники является улучшение параметров и характеристик полупроводниковых МДП-приборов и элементов интегральных схем. Существуют различные способы решения данной задачи, к числу которых относятся совершенствование методов изготовления диэлектрической пленки, улучшение качества границы раздела полупроводника с диэлектрической пленкой, использование новых более перспективных материалов, пригодных для применения в тонкопленочном состоянии и позволяющих расширить функциональные возможности приборов.

Наиболее широко используемым диэлектриком при изготовлении МДП-структур в настоящее время является двуокись кремния, поскольку это естественный окисел полупроводниковой подложки, составляющая основу большинства полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Однако возможности применения двуокиси кремния ограничены. Это вызвано проблемами, связанными с надежностью устройств и миниатюризацией элементов интегральных схем. Характеристики тонкого Si02, необходимого для применения в таких устройствах, выращенного термическим окислением кремниевой подложки, не позволяют получить структуру, свободную от микропор и внутренних напряжений [1]. Высокие значения электрического поля в изоляторе и плотности точечных дефектов ограничивают толщину пленки двуокиси кремния до 6,5 -г- 7,0 нм [2].

К перспективным диэлектрическим материалам относятся оксиды редкоземельных элементов (ОРЗЭ). Эти материалы обладают высокой термической и химической стойкостью, большими значениями диэлектрической проницаемости по сравнению с двуокисью кремния, высокой электрической прочностью [3]. Тонкие пленки из этих материалов могут быть сравнительно просто получены на различных полупроводниковых подложках при сравнительно низких температурах (300 -г 1000 °С), что особенно важно при изготовлении изолирующих слоев на полупроводниках, не имеющих хороших собственных термических оксидов. ОРЗЭ обладают интересными с практической точки зрения и оптическими свойствами: высокой прозрачностью в области длин волн излучения 0,3 -г- 2,0 мкм, оптимальной величиной показателя преломления п= 1,92 ч- 2,18, для применения их в качестве просветляющих и пассивирующих слоев кремниевых фотоэлектрических приборов. Установлено [4], что по ряду параметров пленки ОРЗЭ превосходят пленки таких диэлектриков, как SiO, Si02, Si3N4, Та205 и др.

К настоящему времени на основе этих материалов разработаны и изготовлены высокоэффективные МДП-варикапы [5], МДП-транзисторы, электрические и тепловые переключатели, элементы памяти, термостойкие и эффективные просветляющие покрытия для кремниевых фотоэлектрических приборов [6].

Однако, многие фундаментальные вопросы, связанные с физикой явлений в них, а также касающиеся физико-химической природы их основных характеристик, до настоящего времени остаются невыясненными. К числу таких проблем относится определение величин энергетических барьеров на межфазных границах, параметров и природы ловушек, являющимися центрами захвата носителей заряда, исследование электрических и фотоэлектрических свойств МДП-структур с тонкими 40 нм) диэлектрическими пленками из ОРЗЭ.

В этой связи целью данной работы является изучение электрических и фотоэлектрических свойств МДП-структур с оксидами иттрия, гадолиния и европия в качестве диэлектрика, фундаментальных параметров МДП-систем, исследование качества границы раздела диэлектрик - полупроводник при различных температурах получения диэлектрической пленки, построение энергетических зонных диаграмм МДП-структур, определение параметров активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях.

Для достижения данной цели работы были поставлены следующие основные задачи:

1. Определение механизма электропроводности кремниевых МДП-структур с диэлектриком из оксидов иттрия, гадолиния и европия. Исследование зависимости активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь от напряжения в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками из оксидов редкоземельных элементов на переменном сигнале.

2. Анализ вольт-фарадных характеристик исследуемых систем и влияния на них температуры получения диэлектрической пленки.

3. Изучение влияния температуры изготовления диэлектрических пленок на электрофизические характеристики структур Al-Y203-Si, Al-Eu203~Si, Al-Gd203-Si, в частности на качество границы раздела диэлектрик-полупроводник.

4. Исследование кинетических характеристик электрического пробоя и температурной зависимости пробивного поля для диэлектрических пленок оксидов РЗЭ в кремниевых МДП-структурах.

5. Изучение явления внутренней фотоэмиссии носителей заряда в пленку диэлектрика из полупроводника или металла при облучении структур Al-OP33-Si монохроматическим светом и определение величины высоты энергетических барьеров на межфазных границах металл-ОРЗЭ и ОРЗЭ-Si, а также построение энергетических зонных диаграмм изучаемых МДП-систем.

6. Исследование особенностей накопления заряда в диэлектрической пленке из оксида редкоземельного элемента в кремниевой МДП-структуре при облучении ее светом.

7. Определение параметров активных центров захвата носителей заряда в диэлектрической пленке и "центроида" захваченного заряда, энергетической глубины залегания. Исследование влияния УФ-излучения на электрофизические свойства МДП-структур с диэлектрическими пленками из ОРЗЭ.

Научная новизна работы. В представленной работе впервые проведен комплексный анализ электрофизических и фотоэлектрических свойств структур металл - ОРЗЭ - кремний с тремя различными оксидами в качестве диэлектрика: оксид иттрия, гадолиния и европия. Получены и исследованы структуры с предельно тонким 40 нм) слоем диэлектрика, что позволило повысить коэффициент перекрытия вольт-фарадной характеристики (в 5 -г 15 раз), без существенного ухудшения электрической прочности диэлектрической пленки и стабильности характеристик.

Проведено исследование закономерностей электрического пробоя в диэлектрических пленках оксидов иттрия, гадолиния и европия. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях роста пилообразного напряжения на структуре Ку= 10 -г 104 В/с величина пробивной напряженности электрического поля линейно нарастает с увеличением скорости роста приложенного напряжения и пробой имеет кинетический характер. На втором участке величина поля пробоя не зависит от изменения скорости роста приложенного напряжения и пробой носит "критический" характер. Величина напряженности электрического поля пробоя на этом участке увеличивается с уменьшением толщины диэлектрика и площади верхнего электрода. Обнаружено уменьшение электрического поля пробоя с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной характеристики уменьшается с увеличением скорости роста приложенного напряжения. Предложена теоретическая модель электрического пробоя пленки оксида иттрия, гадолиния и европия для области Kv=10 -ь 104 В/с. Показано, что развитие пробоя состоит из подготовительной стадии, связанной с накоплением в диэлектрике критического заряда, при превышении которого пробой переходит в быструю фазу собственного пробоя диэлектрика.

Изготовлены МДП-структуры с оксидом иттрия в качестве диэлектрика, значения времени жизни неосновных носителей заряда, в которых достигало 90 мкс (для образцов с тонким, ~ 40 нм диэлектриком). Скорость поверхностной генерации при этом достигала 1,6 см/с. Эти данные существенно превышают аналогичные характеристики для структур с толстым (более 110 нм) слоем оксида РЗЭ и на порядок превосходят имеющиеся данные о структурах с оксидом кремния в качестве диэлектрика.

Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик на основании спектральных и вольтаических зависимостей фототока определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах МДП-структуры. Величины потенциальных барьеров составили: AI-y2o3 (3,35 -f- 3,40 эВ), Si-Y203 (3,71 ^ 3,75 эВ), А1-Еи203 (3,60 +3,61 эВ), Si-Eu203 (3,91 ч- 3,95 эВ). Установлено, что при положительном и отрицательном напряжении на металлическом электроде наблюдается фотоэмиссия электронов из кремния и металла соответственно.

Из анализа вольтаических зависимостей фототока после облучения установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи центра диэлектрика.

Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата располагаются почти в середине запрещенной зоны диэлектриков, в пленке У203 на расстоянии 2,60 2,80 эВ от дна зоны проводимости, в пленке Eu203 на расстоянии 2,25 + 2,35 эВ.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученные данные о фундаментальных параметрах структур МДП с оксидами иттрия, европия и гадолиния могут использоваться при разработке приборов с использованием пленок оксидов редкоземельных элементов, в частности МДП-варикапов и фотоварикапов. Показано, что по некоторым параметрам полученные структуры существенно превосходят аналогичные системы с применением пленок оксида кремния, из-за значительного превышения значения диэлектрической проницаемости по сравнению с оксидом кремния (почти

4-кратное превышение), а также сравнительно низкого значения токов утечки.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования электрического пробоя в МДП-структурах с пленочными оксидами иттрия, европия и гадолиния, а также механизм пробоя, который состоит из 2 фаз. На первой, при скорости роста напряжения Kv < Ю4 В/с происходит накопление критического заряда в приконтактной области диэлектрика, пробой носит кинетический характер, напряженность пробивного поля прямо пропорциональна логарифму скорости нарастания прикладываемого напряжения. Во время второй фазы, при Ку ^ Ю4 В/с величина электрического поля пробоя не зависит от скорости нарастания напряжения, и пробой носит "критический" характер.

2. Вольт-фарадные характеристики и кинетические зависимости емкости, которые свидетельствуют о высоком качестве границы раздела диэлектрик-полупроводник, где в качестве диэлектрика используется оксид редкоземельного металла.

3. Параметры энергетических зонных диаграмм и свойства границы раздела кремний-оксид редкоземельного элемента МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксидов иттрия и европия.

4. Экспериментально установленные параметры активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях из оксидов иттрия и европия.

5. Закономерности и физическая модель накопления заряда в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками У20з и Еи20з, которая заключается в том, что пленки оксида иттрия и европия захватывают отрицательный электрический заряд при облучении структур видимым и УФ-излучением и одновременным воздействием внешнего электрического поля. Количество захваченного заряда увеличивается с ростом величины приложенного напряжения и времени облучения. Инжектированные светом электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи середины диэлектрика, а энергетическое положение центров захвата находится в середине запрещенной зоны диэлектрика.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Пирюшов, Виталий Анатольевич

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Изучен механизм электропроводности с диэлектрическими пленками из оксида иттрия, европия и гадолиния кремниевых МДП-структур. Установлено, что электропроводность кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками Y203, GCI2O3, Eu203 удовлетворительно описывается механизмом Пула-Френкеля.

2. Методом вольт-фарадных характеристик МДП-структур определены величины фиксированного заряда в диэлектрике и эффективной плотности поверхностных состояний. Плотность поверхностных состояний в МДП-структурах

11 1 О с оксидом иттрия составляла (2,1-^-5,0)-10 эВ' -см", с оксидом гадолиния - (1,9+2,0) -10й эВ'^см"2, с оксидом европия - (1,74-2,3)-1011 эВ^-см"2.

3. Показано, что удельная емкость диэлектрика и коэффициент перекрытия емкости для исследованных образцов в 5 ч-15 раз превосходят такие же параметры широко распространенных аналогичных кремниевых МДП-структур с диэлектриком из двуокиси кремния.

4. Методом кинетических зависимостей МДП-емкости определены значения скорости поверхностной генерации неосновных носителей заряда на границе раздела кремний - оксид РЗЭ, которые составили 1,6 -г 3,1 см/с для структур с оксидом иттрия, 2-й 2 см/с для структур с оксидом гадолиния, 1,1-г 10 см/с для структур с оксидом европия. Значения скорости поверхностной генерации в исследуемых структурах с тонкими диэлектрическими слоями более чем на порядок меньше аналогичного параметра кремниевых МДП-структур с термическим оксидом кремния в качестве диэлектрика. Установлено, что наилучшими генерационно - рекомбинационными характеристиками обладают МДП-структуры, диэлектрические пленки в которых, изготовлены термическим окислением металлических слоев РЗЭ при температуре 500 ч- 700°С. Значения времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии лежали в пределах 30,5 ч- 90 мкс для структур с оксидом иттрия, 3,2 ч- 7,3 мкс для структур с оксидом гадолиния, 2 ч- 7,3 мкс для структур с оксидом европия.

5. Изучены основные закономерности электрического пробоя пленок оксидов иттрия, европия и гадолиния в кремниевых МДП-структурах. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях нарастания напряжения Kv= 10 104 В/с, напряженность электрического поля пробоя линейно увеличивается с ростом логарифма Ку и пробой имеет кинетический характер, который связан с накоплением критического заряда в приконтактной области диэлектрика. На втором участке, при Kv >Ю4 В/с величина электрического поля пробоя не зависит от Kv и пробой носит "критический" характер. Показано, что величина пробивного поля линейно уменьшается с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной характеристики снижается с увеличением скорости роста приложенного напряжения.

6. Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах AI-Y2O3 (3,35 + 3,40 эВ), Si-Y203 (3,70 + 3,75 эВ), А1-Еи203 (3,60 + 3,61 эВ), Si-Eu203 (3,92 + 3,95 эВ).

7. Установлено, что диэлектрические пленки из оксидов иттрия и европия в кремниевых МДП-структурах накапливают отрицательный электрический заряд при облучении структур монохроматическим УФ-излучением и одновременном воздействии внешнего электрического поля. Показано, что величина захваченного заряда увеличивается с ростом приложенного напряжения и имеет тенденцию к насыщению при больших временах облучения. Установлено, что величина эффективного заряда, захваченного в диэлектрике почти на порядок меньше заряда, прошедшего через структуру.

8. Из сдвига вольтаических зависимостей фотоинжекционного тока после облучения установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи середины диэлектрика. Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата располагаются почти в середине запрещенной зоны диэлектрика Y203 и Eu203, на энергетическом расстоянии 2,60 + 2,80 эВ и 2,25 + 2,35 эВ соответственно от дна зоны проводимости диэлектрика.

9. На основе проведенных исследований указаны возможности использования пленок оксидов РЗЭ и МДП-структур на их основе в качестве МДП-варикапов с высоким коэффициентом перекрытия емкости. Показана перспективность использования исследованных систем для создания на их основе приборов с оптической записью информации и визуализации УФ-изображений, а также применения диэлектрических слоев исследованных ОРЗЭ в качестве изолирующих и пассивирующих покрытий.

Материалы диссертационной работы были представлены на девятой

Международной конференции "Физика диэлектриков" (С.-Петербург, 2000 г.),

Международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск,

2000 г.), VIII Международной научно-технической конференции "Оптические, радиоволновые и тепловые методы и средства контроля качества материалов, промышленных изделий и окружающей среды" (Ульяновск, 2000 г.), Седьмой Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники"(Таганрог, 2000 г.), Второй всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.-Петербург, 2000 г.), 2-й международной конференции молодых ученых и студентов "Актуальные проблемы современной науки" (Самара, 2001 г.), Международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2001 г.), 1 Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов" (Самара, 2001 г.), Девятой всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2002" (Москва, 2002 г.), Восьмой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 2002 г.), Международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2002 г.), Восьмой Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 2002 г.) и ежегодных научных конференциях преподавателей и сотрудников Самарского государственного университета (Самара, 2000 - 2002 гг.)

По теме диссертации были опубликованы работы [91 - 93, 98 - 100, 112, 122, 123, 126, 133, 141 - 143].

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую признательность научному руководителю профессору кафедры электроники твердого тела, доктору физико-математических наук В.А. Рожкову за постоянную помощь и внимание, оказанные при выполнении работы.

Автор искренне признателен коллективу кафедры электроники твердого тела и лаборатории полупроводниковой электроники Самарского государственного университета, товарищеская критика и поддержка которых оказали неоценимую помощь в проведении настоящей работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ В настоящей работе проведено изучение электрофизических характеристик, определяющих основные электронные свойства кремниевых МДП-структур на основе пленок оксида иттрия, европия и гадолиния. Исследования носили комплексный характер и включали измерение нескольких эффектов: вольт-амперных характеристик, кинетических характеристик электрического пробоя, зависимостей величины пробивного поля от толщины диэлектрической пленки и температуры окружающей среды, вольт-фарадных характеристик, активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь на переменном сигнале, кинетических зависимостей емкости при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда, фотоэлектрических явлений, спектральных и вольтаических зависимостей фототока, явлений накопления заряда в диэлектрической пленке при облучении структуры монохроматическим видимым и УФ излучением и др. Это в итоге позволило получить сведения о свойствах и параметрах изучаемых систем и установить ряд новых закономерностей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пирюшов, Виталий Анатольевич, 2002 год

1. Oerlein G. S. Oxidation temperature dependence of the electrical conduction characteristics and dielectric strength of thin Ta2Os films on silicon //J. Appl. Phys. 1986.V.59. №5.-P.1587.

2. Manchanda L., Gurvith M. Yttrium oxide/Silicon dioxide: a new dielectric structure for VLSI/ULSI // IEEE Electron device letters. -1988. V. 9. №4. -P. 180-182.

3. Вдовин О. С., Кирьяшкин 3. И., Котелков В. Н. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах. Саратов: Сарат. Госун-т, 1983.- 160 с.

4. Серебренников В. В. и др. Редкоземельные элементы и их соединения в электронной технике. Томск: Томск. Госун-т, 1979. - 144 с.

5. Кутолин С. А., Чернобровкин Д. И. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений. М.: Металлургия, 1981. - 180 с.

6. Жузе В. П., Шелых А. И. Оптические свойства и электронная структура полуторных сульфидов и оксидов РЗМ // ФТП. 1989. Т.23. Вып.З. - С.293-415.

7. Дей К., Селбин Д. Теоретическая неорганическая химия. М.: Химия, 1969. - 432 с.

8. Rajnak К., Approximate excited eigenfunction for Pr3+ and Tm3+ // J. Chem. Phys. 1962. V. 37. № 10. - P. 2440 -2444.

9. Серебренников В. В., Алексеенко JI. А. Курс химии редкоземельных элементов. Томск: Томский госуниверситет, 1963. - 441 с.

10. Рябчиков Д. И., Скляренко Ю. С., Сенявин М. М. Редкоземельные элементы и общие способы их получения // Редкоземельные элементы. М.: АН СССР, 1958.-С. 9.

11. Бандуркин Г. А. О связи между структурными и каталитическими свойствами редкоземельных соединений // Изв. АН СССР. Сер. Неорганич. матер. -1965. Т. 9.-С. 1569- 1572.

12. Бандуркин Г. А. О нерегулярном изменении свойств редкоземельных элементов И Геохимия. 1964. Т. 1. Вып. 1. - С. 3 - 8.

13. Бандуркин Г. А., Джмуринский Б. Ф. О закономерностях в структурных свойствах соединений редкоземельных элементов в связи со строением их атомов//Докл. АН СССР. 1966. Т. 168.-С. 1315-1318.

14. Yost D. М. et al. The rare earth elements and their compounds. - New York -London: John Wiley Sonc Inc, 1947. - 92 p.

15. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. Т. 3. М.: Мир, 1969. - 500 с.

16. Гшнейдер Г. А. Сплавы редкоземельных металлов. М.: Мир, 1965. - 427 с.

17. Савицкий Е. М., Бурханов Г. С. Монокристаллы тугоплавких и редких металлов и сплавов. М.: Наука, 1972. - 259 с.

18. Успехи в химии и технологии редкоземельных элементов / Под ред. J1. Айринга. М.: Металлургия, 1970. - 485 с.

19. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов / Под ред. Жузе В. П. Л.: Наука, 1973. - 304 с.

20. Яценко С. П., Федорова Е. Г. Редкоземельные элементы. Взаимодействие с р металлами. - М.: Наука, 1990. - 300 с.

21. Гордиенко С. П., Феночка Б. В., Виксман Г. Ш. Термодинамика соединений лантаноидов: Справочник. Киев: Наукова думка, 1979. - 373 с.

22. Gasgnier М. Rare earth metals, rare earth hydrides and rare earth oxides as thin films // Phys. stat. sol. (a). 1980. V. 57. № 1. - P. 11 - 57.

23. Gasgnier M. Rare earth compounds (oxides, sulfides, boron, .) as thin films and thin crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 114. № 1. - P. 11 - 71.

24. Тейлор К., Дарби M. Физика редкоземельных соединений. М.: Мир, 1974.- 375 с.

25. Физика и химия редкоземельных элементов: Справ, изд. / Под ред. К. Гшнайднера, JI. Айринга. М.: Металлургия, 1982. - 336 с.

26. Данилин Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967. -312с.

27. Слуцкая В. В. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. М.: Сов. радио, 1967. - 456 с.

28. Палатник JI. С. и др. Электронографическое исследование субструктуры тонких конденсатов алюминия методом микропучка // Физика мет. и металловед. 1961. Т. 11.-С. 864-874.

29. Палатник Л. С. и др. Рентгенографическое исследование дефектов упаковки в конденсированных пленках кобальта // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 20. Вып. 2. - С. 280 - 287.

30. Палатник Л. С., Фукс М. Я., Козьма А. А. Рентгенографическое исследование ориентированной микродеформации в конденсированных пленках пер-малоя и никеля // Физика мет. и металловед. 1965. Т. 19. - С. 675 - 681.

31. Глушкова В. Б. Полиморфизм окислов редкоземельных элементов. Л.: Наука, 1967. - 134 с.

32. Андреева А. Ф., Гильман И. Я. Полиморфные превращения в окислах редкоземельных элементов, полученных реакционным испарением. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14. №13. - С.502-508.

33. Портной К. И., Тимофеева Н. Л. Кислородные соединения редкоземельных элементов. М.: Металлургия, 1986. - 479 с.

34. Боганов А. Г., Руденко В. С. О природе необратимых полиморфных превращений редкоземельных окислов. // Доклады АН СССР. 1965. Т. 161. №3. -С. 590-593.

35. Портной К. И., Фадеева В. И., Тимофеева Н. И. Полиморфизм некоторых окислов редкоземельных элементов и их взаимодействие с водой. М.: Атомная энергия, 1963. Т. 14. Вып. 6. - С.559-562.

36. Руденко В. С., Боганов А. Г. Стехиометрия и фазовые превращения редкоземельных окислов. // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1976. Т.4. №12.-С. 2158-2165.

37. Браун С. М. Полиморфизм окислов редкоземельных элементов. // Порошковая металлургия. 1970. №6. - С.82-113.

38. Воррес и др. Окисление редкоземельных металлов при высоких температурах.// Новые исследования редкоземельных металлов: сборник. М.: Мир, 1964. - С. 177-183.

39. Ущаповский JI. В., Ильин А. Г. Особенности кристаллизации аморфных пленок окислов РЗМ и железогадолиниевых пленок. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1977. Т.41. №7. - С. 1495-1497.

40. Ильин А. Г. Структура пленок окислов редкоземельных элементов и явления переноса заряда в металл-диэлектрик-металл системах на их основе: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07.-Иркутск, 1979. 161 с.

41. Вдовин О. С. Исследование структуры и электрических свойств пленок редкоземельных металлов и их окислов.: Автореф. канд. дисс. Саратов, 1974. -22 с.

42. Заичкин Н. Н Структура и электрические свойства пленок двуокиси церия. // Изв. Вузов. Физика. 1971. №8. - С. 133-135.

43. Рожков В. А., Вдовин О. С., Котелков В. Н., Свердлова А. М. Электрофизические структуры Al-Y203-Si. // Микроэлектроника. 1973. Т.2. Вып.З. - С.267-270.

44. Андреева А. Ф., Химич Е. Г., Смирнов Ю. Г. Структура и оптические свойства пленок окиси иттрия, полученных реакционным синтезом// Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев, 1982.-С. 12-15.

45. Rieman Е., Young L. Conduction, permittivity, internal photoemission, and structures of electron-beam-evaporated yttrium oxide films. // J.Appl.Phys. 1973. Vol. 44. №3.-P. 1044-1049.

46. Kalkur T. S., Lu Y.C. Erbium-oxide-based metal-insulator-semiconductor structures on silicon. // Thin Solid Films. 1990. Vol. 188. - P. 203-211.

47. Dutta C. R., Ваша K. Electrical conduction in evaporated Er203 films. // Thin Solid Films. 1983. Vol.104. - P. 69-70.

48. Dharmadhikari V. S., Goswami A. Dielectric properties of electron-beam-evaporated Nd203 thin films. // Thin Solid Films. 1982. Vol. 87. - P. 119-126.

49. Вдовин О. С. Рожков В. А., Котелков В. Н., Свердлова А. М. Получение и электрические свойства на основе окислов редкоземельных элементов. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып. 2. - С. 77-81.

50. Чернобровкин Д. И., Бахтионов В. В., Сахаров Ю. Г. Исследование диэлектрических пленок на основе окиси неодима// Радиоприборостроение и микроэлектроника: сборник. Омск, 1971. - С. 191-197.

51. Богородицкий Н. П. и др. Электрические свойства окислов редкоземельных элементов//Докл. АН СССР. 1965. Т. 160. №3. - С. 578-581.

52. Дербенева С. С., Бацанов С. С. Ширина запрещенной зоны окислов редкоземельных металлов // Докл. АН СССР. 1967. Т. 175. № 5. - С. 1062 - 1063.

53. Noddach W., Watch Н., Dobner W. Leitfahigkeitsmessunden an Oxiden der Seltenen // Erden I. Z. phys. chem (DDR). 1959. B. 211, H. 3/4. - S. 180 - 207.

54. Зырин А. В., Дубок В. А., Тресвятский С. Т. Электрические свойства окислов РЗЭ и некоторых их соединений // Химия высокотемпературных материалов. Л.: Наука, 1967. - С. 59- 65.

55. Смирнов М. А., Крикоров В. С., Красов В. Г. Исследование электрических параметров окисных материалов// Электронная техника. 1970. Сер. 14. № 6. -С. 86-90.

56. Dutta С. R., Ваша К. Dielectric properties of Er203 films // Thin Solid Films. -1983. Vol.100.-P.149-154.

57. Каджоян P. А., Егиян К. А. Диэлектрические свойства пленочных окислов редкоземельных элементов // Изв. АН Арм. ССР. Физика. 1968. № 3. -С. 348 -354.

58. Каджоян Р. А., Егиян К. А., Авагян Л. А. Исследование диэлектрических свойств пленок окислов тяжелых редкоземельных элементов // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Технология произв-ва и оборудование. 1973. Вып. 1. - С. 43 -46.

59. Самсонов Г. В., Орешкин П. Т., Перелыгин А. И. и др. Электрические свойства пленок ОРЗЭ в структурах МДМ// Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев: ИПМ АН УССР, 1974. Вып.2. - С. 20-24.

60. Осипов К. А., Красов В. Г., Орлов И. И. и др. Получение и исследование электрофизических свойств ОРЗЭ. // Изв. АН СССР Неорганические материалы. 1976. Т.12. №1 - С.125-127.

61. Чернобровкин Д. И, Бахтинов В. В., Сахаров Ю. Г. Испарение окислов редкоземельных металлов электронным лучом // Приборы и техн. эксперим. 1971. №3. -С. 159- 160.

62. Javaraj М. К., Vallahaban С. Н. G. Dielectric properties of electron beam evaporated samarium oxide films. //Thin Solid Films. 1991. Vol. 197. - P. 15-19.

63. Кирьяшкина 3. И., Самохвалов М. К., Свердлова А. М. Влияние технологических факторов на свойства границы раздела кремний-окисел редкоземельного элемента // Получение и свойства тонких пленок: сборник. Киев, 1982. -С. 16-21.

64. Заичкин Н. Н., Сачавский А. Ф., Афанасьев К. JI. Диэлектрические пленки на основе двуокиси церия // Изв. ВУЗов. Физика. 1970. № 2. - С. 156 - 158.

65. Латухина Н. В., Рожков В. А., Селиверстова Н. В. Химическое травление пленок оксидов редкоземельных металлов // Физика и химия обработки материалов. 1996. № 5. - С. 78-81.

66. Чернобровкин В. И., Бахтионов В. В. Влияние толщины диэлектрического слоя на электрическую прочность диэлектрических пленок. // Изв. ВУЗов. Физика. 1971. №11.-С. 148-149.

67. Чернобровкин Д. И., Бахтионов В. В. Диэлектрические пленки из окиси празеодима и церия// Радиоприборостроение и микроэлектроника Омск, 1971.- С. 205-207.

68. Basak D., Sen S. К. Electrical, dielectric and optical properties of M/Y2O3/M devices. // Thin Solid Films. 1995. Vol. 254. - P. 181- 186.

69. Чернобровкин Д. И., Сахаров Ю. Г. Выбор диэлектрика для емкостных элементов интегральных схем. // Микроэлектроника. 1973. Т.2 Вып.1.- С. 82-84.

70. Латухина Н. В., Рожков В. А., Романенко Н. Н. Кремниевые МДП структуры с оксидом диспрозия и лютеция и диффузия редкоземельных элементов в кремний // Микроэлектроника. -1994. Т. 23. Вып. 1. - С. 59-64.

71. Рожков В. А., Петров А. И. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур на основе окиси гадолиния // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1982. Т. 170. Вып. 9. - С. 27-29.

72. Рожков В. А., Петров А. И. Электрофизические свойства пленок двуокиси церия и кремниевых МДП-структур на их основе // Электронная, техника Сер. 2. -1984. Т.167. Вып. 1. С. 13-16.

73. Рожков В. А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Эффект переключения проводимости с памятью в структуре А1 СеОг - Si // ЖТФ. - 1983. Т. 57, № 7. -С. 1404- 1405.

74. Рожков В. А., Петров А. И., Милюткин Е. А. Переключение проводимости и память в кремниевых МДП структурах на основе пленок двуокиси церия // Микроэлектроника. - 1984. Т. 13. № 3. - С. 247 - 251.

75. Рожков В. А., Петров А. И. Эффект переключения проводимости и память в структуре А1 Gd203 - Si // Письма в ЖТФ. - 1985. Т. 11. Вып. 1. - С. 49-52.

76. Неуймин А. Д., Балакирева В. Б., Пальгуев С. Ф. Электропроводность и характер проводимости ОРЗЭ // Докл. АН СССР. -1973. Т. 209. №5.-С. 1150 -1153.

77. Wiktorczyk Т., Wesolowska С. Dielectric behavior of Yb203 thin film capacitors. //Thin Solid Films. 1984. Vol. 120. - P. 171-178.

78. Gzanderna A. W., Honig J. M. The compositic, resistivity and thermoelectric power of cerium oxides below 500° C. // Phys. Chem. Sol. 1958. V. 6. № 1.- P. 96 97.

79. Kevane C. J., Holverson E. L., Watson R. D. Electrolytic conduction in calcium- doped solid cerium oxide // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. № 7. - P. 2083 - 2087.

80. Гордиенко С. П., Феночка Б. В., Фесенко В. В. Редкоземельные металлы и их тугоплавкие соединения. Киев: Наукова думка, 1971. - 431 с.

81. Богородицкий Н. П. и др. Электрические свойства окислов редкоземельных элементов // Докл. АН СССР. 1965. Т. 160. № 3. - С. 578 - 581.

82. Заичкин Н. Н., Сачавский А. Ф., Афанасьев К. JI. Диэлектрические пленки на основе двуокиси церия // Изв. ВУЗов. Физика. 1970. №2. - С. 156 - 158.

83. Крикоров В. С., Красов В. Г., Макарянц А. Е. Получение и исследование качества тонкопленочных конденсаторов на основе окислов редкоземельных элементов//Электрон, техн. Сер. 12. 1971. Т. 7. Вып. 1. - С. 79 - 83.

84. Ильин А. Г., Ущаповский J1. В. Бистабильное переключение в МДП -структурах на основе пленок окислов редкоземельных элементов //Получение и свойства тонких пленок. Киев, ИПМ АН УССР. 1978. - С. 52-57.

85. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.- 656 с.

86. Корнфельд М. И. Погрешность и надежность простейших экспериментов. // УФН. 1965. Т. 85. Вып. 3.- С. 533-542.

87. Goetzberger A. Ideal MOS-curves for silicon. // Belt System technical Journal.- 1966. Vol. 45. № 7. P. 1097-1121.

88. Zerbst M. Relaxations effekte an halbeiter-isolater-grenzflachen. // Z. Angew. Phys. 1966. Vol. 22. № 1.- P. 3039-3046.

89. Powell R. J., Berglund C. N. Photoinjection studies of charge distribution in oxide of MOS structures. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. № 11. - P. 4390-4397.

90. Przewlocki H.M. Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields // Solid State Electronics. 2001. Vol. 45. -P. 1241-1250.

91. Рожков В. А, Пирюшов В. А Электрофизические свойства кремниевых МДП-систем с диэлектрической пленкой из оксида иттрия // Физика волновых процессов и радитехнические системы. 2001. Т. 4. №3. - С. 49-52.

92. Литовченко В. Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем МДП. Киев: Наукова думка, 1978. -313 с.

93. Рожков В. А., Гончаров В. П., Петров А. И. Электрический пробой пленок оксида лютеция. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 2.- С. 491-498.

94. Рожков В. А., Гончаров В. П., Трусова А. Ю. МДП варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Lu203-Si. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 2. -С. 6-10.

95. Рожков В. А., Трусова А. Ю., Гончаров В. П., Бережной И. Г. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Sm203-Si // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 8. - С.183-186.

96. Рожков В. А., Пирюшов В. А., Родионов М. А. Кремниевые МДП-структуры на основе тонких диэлектрических пленок из оксидов РЗЭ // Труды Международной конференции Оптика, оптоэлектроника и технологии.- Ульяновск: УлГУ, 2002. С. 104.

97. Rozhkov V. A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I. G. MlS-structures with Ytterbium Oxide films. // Phys. Low-Dim. Struct. 7/8 (1998), P. 7-16.

98. Бережной И. Г., Гончаров В. П., Рожков В. А., Трусова А. Ю. Кремниевые МДП-варикапы с диэлектриком из оксида самария, иттрия и лютеция // Электродинамика слоисто-неоднородных структур СВЧ: Межвуз. научно-техн. сборник. Самара: СамГУ, 1995. - С.82-88.

99. Рожков В. А., Трусова А. Ю., Бережной И. Г. Электрофизические свойства МДП-структуры Al-Sm203-Si при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда // Вестник СамГУ. 1996. №2.- С.113-121.

100. Рожков В. А., Труеова А. Ю., Гончаров В. П., Бережной И. Г. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Sm203-Si // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 8. - С.183-186.

101. Рожков В. А., Гончаров В. П., Труеова А. Ю., Бережной И. Г., Македошин Е.Ю. Кремниевые варикапы и фотоварикапы с диэлектриком из ОРЗЭ. // Тез. Докл. Российской научно-технической конф. "Новые материалы и технологии". -М., 1994.-С. 53.

102. Rozhkov V. A., Trusova A. Yu., Berezhnoy I. G. Silicon MIS-structures using Samarium oxide films // Thin Solid Films. 1998. Y. 325 - P. 151-155.

103. Rozhkov Y. A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I. G. Silicon MIS-structures with Rare-Earth Oxide Films as Insulator. // Dielectric and Related Phenomena DRP'98. Abstracts. Szczyrk. Poland, 1998. - P. 206-207.

104. Рожков В. А., ПирюшовВ. А Диэлектрические структуры для БИС и СБИС на основе тонких пленок из оксидов РЗЭ. //Тезисы докладов девятой Международной конференции "Физика диэлектриков" (Диэлектрики 2000). Т. 1. - С.Петербург, 2000. -С. 225-227.

105. Muller J., Schiek В. Transient responses of a pulsed MIS-capacitor // Solid State Electronics. 1970. V. 13. - P. 1319-1332.

106. Hofstein S. R. Minority carrier lifetime determination from inversion layer transient response. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1968. V. ED-14. - P. 785-786.

107. Heiman F. P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor // IEEE Trans. Electron. Devices. 1967. V. 14. № 11. -p. 781 -784.

108. Schroder D. К., Guldberg J. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MIS capacitor// Solid State Electronics. 1971. V. 14. - P. 1285-1297.

109. Mui David S. L., Coldren L. A. Effects of surface recombination on carrier distributions and device characteristics // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. № 5. -P. 3208-3215.

110. Buchanan D. A. On the generation of interface states from electron-hole recombination in metal-oxide-semiconductor capacitors // Appl. Phys. Lett.- 1994. V. 65. № 10. -P. 1257-1259.

111. Гавриленко В. И., Зуев В. А., Сукач А. Г., Рожков В. А. Исследование границы раздела Si-Y203 оптическими методами. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.- 1976. Вып. 23- С. 53-58.

112. Гольдман Е. И. , Ждан А. Г. Генерация неосновных носителей заряда у реальных границ раздела полупроводник-диэлектрик // Микроэлектроника.- 1994. Т. 23. №2.- С. 3-20.

113. Ржанов А. В. Физика поверхности и тонких пленок полупроводников.- Новосибирск, 1970 . 100 с.

114. Булярский С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Моск. ун-т, 1995. - 399 с.

115. Кропман Д. И., Патрикеев А. К., Попов В. Д. Влияние температуры нанесения диэлектрика на плотность поверхностных состояний МДП-структур при воздействии радиации II Микроэлектроника. 1976. Т. 5. Вып. 6. - С. 552-554.

116. Пирюшов В. А Электрический пробой в тонких пленках оксида иттрия // Восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодыхученых. Информационный бюллетень. Сборник тезисов. Екатеринбург, 2002. -С. 263-265.

117. Петров А. И. Электрический пробой и переключение проводимости с памятью в структурах с оксидами редкоземельных элементов: Дисс. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 Самара, 1992.- 149 с.

118. Жуков С. В., Закревский В. А., Кабин С. П., Сударь Н. Т. Электрическая прочность полимеров в условиях линейного подъема напряжения. // Изв. ВУЗов. Физика. 1988. Т. 316. № 4.- С. 86-90.

119. Ершова Н. Ю., Ивашенков О. И., Ильин А. Е. Транспорт заряда и пробой МНОП структур с нитридом кремния, полученным при пониженной температуре. //ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 8.- С. 92-98

120. Петров А. И., Рожков В. А. Электрический пробой пленок оксида диспрозия.//Известия ВУЗов. Физика. 1995. № 8. - С. 95-101.

121. Шмидт Т. В., Гуртов В. А., Лалэко В. А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния. // Микроэлектроника. -1988. Т. 17. Вып. 3.- С. 244-248.

122. Гриценко В. А., Кольдяев В. И. Влияние пространственного заряда на проводимость МНОП-структур. // Микроэлектроника. 1984. Т. 13. Вып. 5. . с. 466-468.

123. Поспелов Б. С. и др. Новые перспективы использования МДП-структур.//Известия ВУЗов СССР. Радиоэлектроника.-1973. Т. 16. № 4 -С. 2325.

124. Дороднев В. Н. Исследование электрофизических процессов в системе кремний двуокись кремния методом фотоинжекции: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07., Л. 1979.-201 с.

125. Powell R. J. Interface barrier energy determination from voltage dependence of photoinjected current //J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41. № 6. - P. 2424-2432.

126. Powell R. J. Photoinjection into Si02: use of optical interference to determine electron and hole contribution //J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. № 13.- P. 1093-1101.

127. Deal В. E., Snow E. H., Mead C. A. Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures. // J. Phys. Chem. Sol. 1966. Vol. 27. № 11/12. - P. 1873-1879.

128. Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide. // Phys. Rev. 1966. V.152. - P. 780-784.

129. Berglund C. N., Powell R. J. Photoinjection into Si-Si02 : electron scattering in the image force potential well. // J. Appl. Phys. -1971. Vol. 42. № 2. P. 573-581.

130. Рожков В. А., Пирюшов В. А Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-систем с диэлектрической пленкой из оксида редкоземельного элемента.// Труды Международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск УлГУ, 2000. -С. 143.

131. Емельянов А. М. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии. // Микроэлектроника, 1986 Т. 15.- Вып. 5.- С. 434-441.

132. Di Maria D. J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroid from photocurrent voltage characteristics of MOS structures. // J. Appl. Phys. - 1976. Vol. 47. № 9. - P. 4073-4077.

133. Патрикеев Л. H., Подлецкий Б. И., Попов В. Д. Изменение заряда в диэлектрике и проводимости МДП-структур под действием радиации. //Физикадиэлектриков и перспективы ее развития: Тез докл. Всесоюзной конф. -Л., 1973.-С. 226-227.

134. Гуртов В. А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов. // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. 1978. Вып. 14(595).- 31 с.

135. Гурский Л. И., Румак Н. В., Куксо В. В. Зарядовые свойства МОП-структур.- Минск: Наука и техника, 1980.- 200 с.

136. Далиев X. С., Лебедев А. А., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных у квантами при наличии электрического поля в диэлектрике.// ФТП. - 1987. Т.21. Вып. 1- С. 23-29.

137. Акулов А. Ф., Гуртов В. А., Назаров А. И. Пространственная локализация радиационного заряда в нитриде кремния. // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5.-С. 447-451.

138. Гуртов В. А., Евдокимов В. Д., Назаров А. И., Хрусталев В. А. Накопление радиационно-индуцированного заряда в МНОП-структурах с различной толщиной. // Микроэлектроника. 1985. Т. 14. Вып. 5. - С. 431-434.

139. Верлан А. И., Малков С. А. Особенности накопления заряда в слое As2S3 при объемном фотовозбуждении. // Стеклообразные полупроводники для опто-электроники. -Кишенев: Штиинца, 1991. С. 172-181.

140. Ширшов Ю. М., Набок А. В., Голтсвянский Ю. В., Дубчак А. П. Пространственное распределение захваченного заряда в пленках нитрида кремния в ЭНОП-структурах. //Микроэлектроника. 1982. Т. 11. Вып. 3.- С. 441-445.

141. Аганин А. П., Масловский В. М., Нагин А. П. Определение параметров центров захвата в нитриде кремния МНОП-структуры при инжекции электронов из полевого электрода. // Микроэлектроника. 1988. Т. 17. Вып. 4. - С. 348-352.

142. Михайловский И. П., Овсюк В. Н., Эпов А. Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях. // Письма в ЖТФ. 1996. Т.9. Вып. 17.- С. 1051-1054.

143. Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. №9.-P. 4566-4571.

144. Thompson S. E., Nishida T. A new measurement method for trap properties in insulators and semiconductors: using electric field stimulated trap-to-band tunneling transitions in Si02. // J. Appl. Phys. -1991. Vol. 70. P.6864-6876.

145. Buchanan D. A., Abram R. A., Morant M. J. Charge trapping in silicon-rich Si3N4 thin films. // Solid State Electronics. 1987. Vol. 30. № 12.- P. 1295-1301.

146. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. № 8.-P. 2830-2839.

147. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02 . // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. № 10.- P. 5793-5800.

148. DiMaria D. J., Theis T. N., Kirtley J. R., Pesavento F. L., Dong D. W. Electron heating in silicon dioxide and off-stoichiometric silicon dioxide films. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. № 4. - P. 1214-1237.

149. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии. JL: Ленингр. ун-т, 1988. - 304 с.

150. Ning Т. Н., Yu Н. N. Optically injection of hot electrons into Si02. J. Appl. Phys. - 1974. Vol. 45. № 12 - P. 3802-3804.

151. Гильман Б. И., Громовой Л. И., Закс М. Б. Оптическое стимулирование накопления заряда в МНОП-структурах. // Микроэлектроника. 1973. Т. 2. Вып. 5.-С. 421-425.

152. Fazan P., Dutoit М., Martin С., Ilegems М. Charge generation in thin Si02 polysilicon-gate MOS capacitors. // Solid State Electronics. 1987. Vol. 30. № 8.- P. 928-834.

153. Ricksand A., Engstrom O. Thermally activated capture of charge carriers into irradiation induced Si/Si02 interface states. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70.- P. 6927-6933.

154. Chang S. Т., Lyon S. A. Location of positive charge trapped near the Si-Si02 interface at low temperature. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. № 2.- P. 136-138.

155. Buchanan D. A., Di Maria D. J. Interface and bulk trap generation in metal-oxide-semiconductor capacitors. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 67. № 12. -P. 7439-7451

156. Гороховатский Ю. А., Бордовский Г. А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991.- 248 с.

157. Рожков В. А., Петров А. И. Исследование процессов образования заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при воздействии УФ-облучения на МДП-структуры. // Электрофизика слоистых структур: Тез. докл. конф. Вып. 5.-Томск, 1988.-С. 21-25.

158. Рожков В. А. Накопление заряда в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида диспрозия при воздействии УФ-излучения. // Изв. ВУЗов. Физика.- 1994. № 7. С. 99-135.

159. Барабан А. П., Булавинов В. В., Сергиенко М. В., Аскинази А. Ю. Влияние изменений зарядного состояния структуры Si-Si02 на кинетику сквозного тока. // Вестник СПбГУ. Сер. 4. 1996. Вып. 3. № 18. - С. 94-96.

160. Горбань А. П., Литовченко В. Г., Серба А. А. Об эффектах фотопамяти в МДП-структурах // Сб. научн. тр. по пробл. микроэлектроники Моск. ин-т электронной техн., 1977. № 34.- С. 3-9.

161. Рожков В. А., Гончаров В. П. Накопление заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при УФ облучении МДП-структур. II Тез. докл. Российской научно-техн. конф. по физике диэлектриков с Международным участием. Ч. 2.- Л., 1993. С. 130-131.