Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Филипенко, Наталья Андреевна

• Филипенко, Наталья Андреевна
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Филипенко, Наталья Андреевна

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ДЕФЕКТЫ В КРЕМНИИ И ИХ

ГЕНЕРИРОВАНИЕ.

1.1. Влияние точечных дефектов на электрофизические свойства кремния и полупроводниковых структур на его основе.

1.2. Перестройка электронного энергетического строения кремния, обусловленная атомами переходных и щелочных металлов.

1.3. Методы геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах и контроля их электрофизических свойств.

1.4. Выводы и постановка цели и задач диссертационной работы.

2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПЕРЕСТРОЙКИ ЭЛЕКТРОННОГО

ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ КРЕМНИЯ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ

АТОМАМИ НИКЕЛЯ И ЛИТИЯ.

2.1. Методика расчета электронного энергетического строения кремния с кристаллографическими дефектами.

2.2. Комплекс дефектов, содержащий два атома замещения никеля или лития.

2.3. Комплекс дефектов, содержащий атом замещения никеля или лития и структурную вакансию.

2.4. Расчеты электронного энергетического строения кремния в рамках разработанных моделей и анализ полученных результатов.

2.5. Выводы.

3. МОДЕЛИРОВАНЕ ПРОЦЕССА ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ

АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ. 3.1. Анализ механизмов взаимодействия точечных и протяженных дефектов ! и методов их моделирования.

3.2. Моделирование процесса геттерирования нарушенным слоем, сформированным на нерабочей стороне кремниевой подложки.

3.3. Моделирование процесса геттерирования нарушенным слоем, сформированным на рабочей стороне кремниевой подложки.

3 .4. Анализ перераспределения атомов Ni в кремниевой подложке в процессе их геттерирования.

3.5. Выводы.

4. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОПЕРАТИВНОГО КОНТРОЛЯ ПРОЦЕССА

ГЕТТЕРИРОВАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МДПДМ -СТРУКТУР.

4.1 Модель МДПДМ - структуры.

4.2. Метод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ - структур.

4.3. Анализ применимости метода контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ -структур.

4.4. Выводы.

5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ГЕТТЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НАРУШЕННЫМ СЛОЕМ, СФОРМИРОВАННЫМ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ОБРАБОТКОЙ.

5.1. Генерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на нерабочей поверхности Si подложки.

5.2. Планарное генерирование электрически активных дефектов при формировании нарушенного слоя на рабочей поверхности

Si подложки.

5.3. Рекомендации по использованию метода геттерирования электрически активных дефектов в кремнии нарушенным слоем нерабочей стороны подложки, сформированным электроискровой обработкой.

5.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах»

Аналитический прогноз развития интегральной микроэлектроники свидетельствует о возможности создания уже в ближайшие 10 - 15 лет гигабитных ИС. Создание таких гигантских (по числу элементов) ИС потребует использования металл - диэлектрик - полупроводник (МДП) - или полупроводник - диэлектрик - полупроводник (ЦДЛ) - транзисторов с длиной канала (0,1 - 0,15)мкм и толщиной подзатворного диэлектрика (4,0 - 6,0)нм, что соответствует всего нескольким межатомным слоям. В связи с этим, задача воспроизводимого получения сверхтонких слоев окисла с заданной толщиной и приемлемой (для обеспечения необходимых параметров элементов) концентрацией электрически активных дефектов - одна из ключевых при решении проблемы создания гигабитных ИС /1,2/.

Электрические характеристики кремниевых МДП - транзисторов существенно зависят от качества пассивации поверхности Si подложки. Для пассивации обычно используется слой SiC>2. Известно, что несмотря на неуклонное совершенствование технологии, в процессе формирования элементов ИС не удается получить межфазную границу Si - SiC>2 полностью свободную от дефектов, основной ее особенностью всегда является наличие электрически активных дефектов, изменяющих электронное энергетическое строение (ЭЭС) кремния и соответственно его свойства на границе Si - Si02. Природа дефектов зачастую обусловлена примесями щелочных и переходных металлов.

Поэтому в технологии ИС важное место занимают методы геттерирования электрически активных дефектов, позволяющие существенно снижать плотность дефектов в областях локализации активных элементов ИС кремниевых подложек, в слоях подзатворного окисла, в пассивирующих пленках и т. д., и способствующих, тем самым, формированию ИС с улучшенными электрофизическими характеристиками. Широкое применение нашли методы, использующие в качестве геттера структурно - нарушенные слои (НС) подложки, которые являются эффективными стоками для быстро диффундирующих атомов.

НС можно формировать на рабочей или нерабочей стороне кремниевой подложки, а также в ее объеме, используя различные высокоэнергетические воздействия. Предпочтение отдается методам с легко управляемым процессом формирования геттера и обеспечивающим высокую воспроизводимость его свойств /3/. Данным требованиям отвечает метод электроискровой (ЭИ) обработки поверхности подложки.

Применение метода геттерирования в технологии ИС с использованием ЭИ обработки с целью формирования НС ограничено отсутствием модели процесса геттерирования, необходимой для обеспечения возможности управления этим процессом, а также прогнозирования его результатов для конкретных видов электрически активных примесей в кремнии. Таким образом, задача моделирования процесса геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой, представляется важной и актуальной.

Процесс геттерирования необходимо контролировать. Одним из высокоинформативных методов контроля в технологии ИС является тестовый операционный контроль, который осуществляется путем изготовления на исходных подложках специальных испытательных элементов - тест- структур. В их состав входят тест - МДП- структуры, предназначенные для контроля электрофизических свойств границы раздела диэлектрик - полупроводник. Технологический процесс изготовления МДП - структуры требует формирования надежного низкоомного контакта к полупроводниковой подложке. Необходимость такой операции может быть исключена, если в качестве тест - структуры использовать структуру металл - диэлектрик -полупроводник - диэлектрик - металл (МДПДМ -структуру), в которой роль омического контакта выполняет емкостной контакт одной из двух МДП -структур, входящих в ее состав. В результате, метод контроля будет более оперативным вследствие упрощения технологии изготовления тест структуры и более достоверным, за счет исключения дополнительного воздействия на подложку. Кроме того, затраты на его проведение сократятся, что важно, так как себестоимость контрольных операций в настоящее время достигает 15-20 % и более от общей себестоимости готовых ИС.

Таким образом, целью диссертационной работы является моделирование процесса геттерирования электрически активных дефектов нарушенным слоем и разработка метода оперативного контроля процесса геттерирования.

Поставленная цель определяет следующие основные задачи;

- теоретическое исследование влияния комплексов дефектов с атомами переходных и щелочных металлов на электронное энергетическое строение кремния;

- разработка моделей процессов объемого и планарного геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой;

- разработка метода оперативного контроля процесса геттерирования.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

- теоретически и экспериментально показано, что в запрещенной зоне кремния возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные комплексами дефектов с атомами замещения Ni с энергией активации: £>■0,49 эВиЯу+0,27 эВ;

- модели процессов объемного и планарного геттерирования электрически активных примесей в кремнии нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие прогнозировать температурно -временные режимы процесса геттерирования конкретных типов примесей;

- метод контроля процессов геттерирования на основе определения основных электрофизических свойств границы раздела диэлектрик -полупроводник с использованием структуры металл - диэлектрик -полупроводник - диэлектрик - металл (МДПДМ), позволяющий повысить оперативность проведения операции контроля.

Практическая ценность:

- программы в математическом пакете Mathcad 8+, позволяющие рассчитывать кинетику перераспределения атомов примеси в полупроводниковой подложке в процессе геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой; метод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием тест - МДПДМ - структур.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту:

- теоретически и экспериментально установлено, что с атомами Ni в кремнии связано появление глубоких уровней со значениями энергии активации £>0,49 эВ, и Ev+0,21 эВ;

- модели процессов объемного и планарного геттерирования нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие определять температурно-временные режимы геттерирования конкретных типов примесей;

- процесс геттерирования атомов Ni может быть оптимальным при температуре отжига 7М100°С в течение 10 - 45 мин (в зависимости от толщины подложки) с плотностью дислокаций в НС и</=107см~2;

- планарное геттерирование атомов Li обеспечивает быстрый термический отжиг при температуре Г=1000°С в течение 2 - 3 с; метод оперативного контроля процесса геттерирования с использованием МДПДМ - структур.

Апробация диссертационной работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной научно-технической конференции "Электроника и информатика - XXI век" (Москва, 2000 г.), Международных научно -технических конференциях "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог - Дивноморск, 1999-2000 гг.), Всероссийской научно - технической конференции аспирантов и студентов

Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления" (Таганрог, 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме "Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы" (Харьков, 2002 г.), научных семинарах профессорско-преподавательского состава кафедры физики ТРТУ, а также использовались при выполнении госбюджетных научно-исследовательских работ "Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои силицидов переходных металлов", "Разработка физических основ перспективных элементов твердотельной электроники на основе гетерогенных наноструктур" и гранта "Исследование электронного строения гетероструктур, содержащих тонкие слои переходных металлов".

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 работ, в ВНИИТЦ зарегистрировано два отчета по НИР.

Краткое содержание работы.

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, изложены научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе проведен анализ механизмов и моделей наиболее перспективных методов геттерирования электрически активных дефектов в кремнии и сформулированы задачи исследования.

Во второй главе проведено исследование влияния комплексов дефектов, в состав которых входят атомы замещения Ni и Li, на электронное энергетическое строение собственного кремния. Исследование выполнено с помощью универсального пакета программ расчета ЭЭС кремния с кристаллографическими дефектами, разработанного на кафедре физики ТРТУ. Показано, что данные комплексы являются причиной возникновения дополнительных глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне кремния. Обоснована необходимость геттерирования данных примесей из областей локализации активных элементов ИС в кремниевых подложках.

Третья глава посвящена моделированию процессов геттерирования. Проведен анализ теоретического описания взаимодействия точечных и протяженных дефектов в кремнии. В основу модели процесса объемного геттерирования положено классическое решение задачи диффузии точечных дефектов в поле внешних сил, а также модель взаимодействия точечных дефектов с полями напряжений различных слоев дислокаций. Получены контуры диффузионного распределения атомов Си и № в кремниевой подложке в процессе их геттерирования нарушенным слоем нерабочей стороны подложки, представленным дислокационным скоплением высокой плотности. Оценка температурно-временных режимов процессов геттерирования данных примесей позволила сделать вывод о целесообразности проведения быстрого термического отжига для дезактивации быстродиффундирующих атомов металлов, к которым в частности относится Си, и о необходимости более продолжительного геттерирующего отжига для относительно медленно диффундирующих атомов, таких как Ni.

Разработана модель процесса планарного геттерирования, в основу которой положено решение задачи Фишера и Уиппла, учитывающая упругое взаимодействие точечных дефектов с полями напряжений нарушенных областей рабочей стороны кремниевой подложки, имеющих дислокационную структуру. Расчеты диффузионного распределения в рамках предложенной модели были проведены для атомов Li и Ni. Результаты расчетов показали возможность локально нарушенных областей рабочей стороны кремниевой подложки при быстром термическом отжиге очищать от данных примесей участки областей локализации активных элементов ИС, находящихся от них в непосредственной близости. Показано, что геттерирующий эффект распространяется только на расстояния, приблизительно равные размерам нарушенных областей.

В четвертой главе рассмотрена физическая модель МДПДМ - структуры, позволяющая разработать метод оперативного контроля процесса геттерирования, в основу которого положена методика расчета основных электрофизических свойств границы раздела диэлектрик - полупроводник, таких как толщина диэлектрика, концентрация основных носителей заряда в полупроводнике, заряд и плотность поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник. Корректность разработанной методики подтверждается сравнением результатов расчета электрофизических свойств границы раздела диэлектрик - полупроводник, полученных с помощью стандартно используемых МДП - и предлагаемых МДПДМ - структур. Выполнен анализ ограничений применимости данного метода в контроле процесса геттерирования.

В пятой главе приведены результаты экспериментального исследования геттерирования электрически активных дефектов в кремниевых структурах нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой на рабочей и нерабочей стороне подложки методами равновесных вольт - фарадных характеристик (ВФХ) МДПДМ -структур, динамической спектроскопии глубоких уровней (ДСГУ) в МДП -структурах, вольт -амперных характеристик (ВАХ) токов утечки МДПДМ -структур, а также контроля времени жизни неосновных носителей заряда в р-п-переходах. Приведенные результаты качественно подтверждают эффективность геттерирования с использованием в качестве геттера нарушенных ЭИ обработкой областей кремниевой подложки.

Полученные результаты могут быть использованы для моделирования процесса геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах на этапе проектирования технологического процесса изготовления ИС на их основе, а также в контроле электрофизических свойств полупроводниковых структур, что способствует возможности оптимального управления качеством и повышению выхода годных ИС.

Диссертация выполнена на кафедре физики Таганрогского государственного радиотехнического университета.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Филипенко, Наталья Андреевна

Основные результаты и выводы о проделанной работе заключаются в следующем:

1. Теоретически и экспериментально показано, что в запрещенной зоне кремния возникают дополнительные энергетические уровни, обусловленные комплексами дефектов с атомами замещения Ni, с энергией активации: £с-0,49 эВ и £v+0,27 эВ.

2. Модели процессов объемного и планарного геттерирования электрически активных примесей в кремнии нарушенным слоем, сформированным ЭИ обработкой, позволяющие прогнозировать температурно -временные режимы процесса геттерирования конкретных типов примесей.

В частности, в случае объемного геттерирования атомов никеля оптимальной температурой и временем геттерирующего отжига могут быть соответственно значения Г=1100°С и £=от 10 до 45 мин (в зависимости от толщины подложки), величина плотности дислокаций в НС, обеспечивающая эффект геттерирования составляет nj= 107 см"2.

В случае планарного геттерирования атомов никеля достаточно быстрой термической обработки в течение 2 - 3 с при температуре 7=1000°С.

Дальнодействие планарного геттерирования оказывается равным длине геттерирующей области.

Экспериментальное исследование геттерирования электрически активных дефектов в кремниевых полупроводниковых структурах НС, сформированным ЭИ обработкой, подтвердило результаты теоретического моделирования. Результатами геттерирования явилось уменьшение величины плотности поверхностных состояний на границе Si - Si02 в среднем на 50% в результате объемного и на 80% - в результате планарного геттерирования, а также увеличение времени жизни неосновных носителей заряда в высокоомной области р-п-перехода в 4 раза в процессе объемного геттерирования.

3. Метод контроля процесса геттерирования, в основу которого положено определение величины плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник с использованием тест -МДПДМ - структур. Показано, что метод применим в контроле свойств полупроводниковых структур на основе низкоомного кремния (/скЗО Ом-см).

4. Разработаны рекомендации по использованию метода геттерирования НС, сформированным ЭИ обработкой, атомов Си, Fe и Ni. Представлены рекомендуемые параметры режимов ЭИ обработкой и последующего термического отжига, позволяющие формировать НС с необходимой плотностью дислокаций.

Полученные результаты могут быть использованы для моделирования процесса геттерирования электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах на этапе проектирования технологического процесса изготовления ИС, а также при проведении операций контроля.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Филипенко, Наталья Андреевна, 2002 год

1. Российская наноэлектроника: возможные пути развития. П.П. Мальцев, В.Н. Марютин, В.К. Неволин, Ю.А. Чаплыгин. /3-я Межд. Науч.-технич. Конф. «Электроника и информатика XXI век».-Москва,- 2000. - С.-З.

2. Урицкий В.Я., Крылов А.П., Борисов С.Е. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная латеральным геттерированием электрически активных центров. //Микроэлектроника. 2000. - Том 29, №6. - С. - 466 -470.

3. Левшунова В.Л., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Современные методы геттерирования примесей и дефектов в полупроводниковых структурах. Деп. в ВИНИТИ. 1998. - 36 с.

4. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука. - 1972. - 384 с.

5. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер с англ. М.: Мир.- 1984,- 475 с.

6. О содержании загрязняющих микропримесей в растворных композициях и получаемых из них пленках. В.В. Васильев, К.В. Зиновьев. //Электронная техника. Материалы. Вып. 6 (217). - 1986. - С. 42-45.

7. Деградационные процессы при изготовлении и эксплуатации кремниевых планарных приборов. В.И. Соколов. //Проблемы электронного материаловедения. Новосибирск: Наука.- 1986,- С. 90 -100.

8. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС: пер. с англ. М.: Мир. - 1986. 176 с.

9. Д.В. Черепанов, Ю.И. Нестеров, В.А. Шахнов, В.В. Макарчук. Механизмы возникновения отказов субмикронных силицидных контактов. /Электроника и информатика XXI век. Третья Межд. науч.-технич. конф.: Тезисы докладов. М.: МИЭТ. - 2000. - С. 101-102.

10. Технология СБИС: в 2-х кн./Пер. с англ.; под ред. С. Зи,- М.: Мир.- 1986,-Кн. 1 404 е., кн. 2 - 453 с.

11. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на егоповерхности. М.: Наука. - 1990. - 325 с.

12. Воронков Г.И., Фамицкий В.И. Электрофизические свойства и природа термических и структурных дефектов в высокочистом кремнии. //Итоги науки и техники. Электроника. -1989.-Том 25. С. 72 - 100.

13. Айвазов А.А., Гиоргадзе A.JI. Примеси переходных 3d металлов в кремнии. //Электронная техника. Сер. Материалы. - 1986. - Вып. 5 (216).-С. 15-22.

14. Арзуманян Г.В., Захаров А.Г., Колпачев А.Б. Моделирование электронного энергетического спектра кремния с точечными дефектами.// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1995. С. 112.

15. Колпачев А.Б., Захаров А.Г., Арзуманян Г.В. Расчет плотностей электронных состояний в гетероструктуре кремний-вольфрам-кремний.// Известия высших учебных заведений. Сер. Электроника. № 1-2. 1996. С. 90-94.

16. Захаров А.Г., Колпачев А.Б., Арзуманян Г.В. Электронное энергетическое строение кремния с точечными и плоскими дефектами.// Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 2000. С. 143-145.

17. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. -1977. 568 с.

18. Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия. - 1983. - 192 с.

19. Graff К., Pieper Н. The behavior of transition and noble metals in silicon crystals. //Semiconductors Silicon. 1981. - P. 331 - 343.

20. Kimerling L.C., Benton J.L., Rubin J.J. Transition metal impurities in silicon. //Defects and Radiation Effects in Semiconductors. 1980. - P. 217 - 222.

21. Болтакс Б.И., Бахардыханов M.K., Куликов Г.С. Городецкий С.М. Компенсированный кремний. JL: Наука. 1979. - 122 с.

22. Абдурахманов К.П., Куликов Г.С., Лебедев А.А. и др. Исследования поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния. //Физика и техника полупроводников. -1991. Том 25, вып.6,- С. 1075- 1078.

23. Вавилов B.C., Смирнова И.В., Чапнин В.А. О взаимодействии атомов лития, введенного в кремний с радиационными дефектами структуры. //Физика и техника полупроводников. 1962. - Т.4, вып. 5. - С. 1128 — 1131.

24. Смирнова И.В., Чапнин В.А., Вавилов B.C. О радиационных нарушениях в кремнии, легированным литием. //Физика и техника полупроводников. 1962. - Т.4, вып. 12. - С. 3373 - 3380.

25. Заставной А.В. Влияние примесей щелочных металлов (литий, натрий) на процессы радиационного дефектообразования в п- кремнии. Дисс. раб. на соиск. уч. степ. к. ф,- м. н. Ростов -на -Дону. - 1991. - 151с.

26. Урли Н.Б., Першин М. О взаимодействии между примесными центрами и радиационными дефектами в кремнии, перекомпенсированном литием. /Тр. IX Межд. конф. по физ. полупровод., М., 1968. Л.: Наука. -1969.-Т. 1.-С. 124-129.

27. Berman P.A. //Conf. Record, of the Eight IEEE Photovoltaic. Specialists Conf. Seatle, Washington: N Y. -1970. - P. 229 - 239.

28. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д., Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов. // Зарубежная электронная техника.-1981.-№11.-С. 3- 63.

29. Лабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев A.M. Современные методы геттерирования в технологии ИС. //Зарубежная электронная техника.-1983.-№11.-С. 3-66.

30. Лукерьин В.В. Механизмы геттерирования металлических примесей в кремнии. //3-я Межд. Науч.-технич. Конф. «Электроника и информатика XXI век».-Москва,- 2000. - С.-174.

31. Reduction of RIE -damage by NO2 -anneal of thermal date oxide. Sochi Aniruddna В., Mann Richard A., Chung Lee. //IEEE Trans. Semicond. Manuf. 1998. - 11, №3. - P. 495 - 500.

32. The influence of cavities and point defects on boron diffusion in silicon. Wong Leung J., Williams J.S., Petravic M. //Appl. Phus. Lett. - 1998. - 72, №19.-P. 2418-2420.

33. Shrinkage of grown in defects in Czochralcki silicon during thermal annealing in vacuum. Veki Takemi, Sesumi Manabu, Takeda Tadao, Yoshida Kiyokazu, Takaoka Akio. //Jap. J. Appl. Phus. Pt. 2. 1998. - 37, №7a. - P. L771 -L773.

34. Киселев B.K., Оболенский C.B., Скупов В.Д. Влияние внутреннего геттера в Si на параметры структур Au Si. Журнал технической физики. - 1999. - Т.69, вып. 6. - С. 129 - 131.

35. Getteerer for multi layer wafers and method for making same. Пат. 5892292. США, МПК6 H01 L 23 (58). Easter W.G., Lucent Technologies Ins. N. - 624050.

36. Петлицкий A.H., Пономаренко B.H., Тарасик М.И., Янченко A.M. Формирование воспроизводимого внутреннего геттера в Si. // Известия вузов. Цв. металлургия. 1997. - №5. - С. 50 - 54.

37. Wong Leung J. Diffusion and transient trapping of metals in silicon. //Phus Rev. B. -1999. - (59). - №12. - P. 7990-7998.

38. Hartiti, Muller J.C., Siffert P. Defects generation and gettering during rapid thermal processing. //IEEE Trans. Electron Devices. 1992. - V. 39. (1). - P. 96-104.

39. Trans -projected range gettering of copper in high - energy - ion -implanted silicon. Gueorguiev Y.M., Mucklich A., Panknin D., Yankov R.A., Skorupa W. // J. Appl. Phus. - 2000. - (88). - №11. - P. 6934 - 6936.

40. Лурье М.С., Сорокина О.И., Золотарёва Т.В., Ковалёва О.М. Геттерный эффект на периферии чип пластины, обработанной когерентным излучением. //Электронная техника. Сер.З Микроэлектроника. -1991.-вып.5(144). -С. 42- 43.

41. Polignano M.L., Cerofolini G.F., Bender Н., Claeys С. Gettering meshanisms in silicon. //J. Appl. Phys.-1988 (64). №2.-P. 869 - 876.

42. Chen C.S., Schroder D.K. Kinetics of gettering in silicon. //J. Appl. Phys. -1992.-71(12).

43. Kikuchi H., Kitatata M., Toyokawa F., Mikami M. New gettering using misfit dislocations in homoepitaxial wafers with heavily boron doped silicon substrates. /Appl. Phus. Lett. - 1989. - (54). - №5. - P. 463 - 465.

44. Литовченко В.Г., Романюк Б.Н. Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах. //Физика и техника полупроводников. -1983,-Том 17, вып.1. С. 150 -153.

45. Калинушкин В.П., Маленков А.А., Михайлова Г.Н. Влияние ионной имплантации и лазерного отжига на эволюцию дефектов в Si. //Микроэлектроника. -1986. Том 15, вып. 6. -С. 528- 531.

46. Литовченко В.Г., Романюк Б.Н., Марченго Р.Н. Исследование процессов дефектообразования в имплантированных структурах при эпитаксиальном росте плёнок. //Физика и техника полупроводников. -1986.-Том 20, вып.7. -С. 1174 -1179.

47. Павлов П.В., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. О роли механических напряжений и упругих волн в структурных превращениях в кристаллах при ионной бомбардировке и последующем отжиге. //Физика и химия обработки материалов.-1987. -№6. -С. 19 -24.

48. Струков В.Ф., Хромов С.С., Астахов В.П. Планарное геттерирование при высокотемпературном окислении кремния. //Микроэлектроника. -1992. -Том 21, вып. 2. -С. 91-93.

49. Романюк Б.Н., Попов В.Г., Литовченко В.Г., Евтух А.А. Механизмы геттерирования кислорода в пластинах кремния с неоднородным распределением механических напряжений. //Физика и техника полупроводников. 1995. Том 29, вып. 1. -С. 166-174.

50. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии. //Физика и техника полупроводников. -1999. Том 33, вып. 11. С. 1281-1286.

51. Алёшин А.Н., Енишерлова К.Л., Калинин А.А., Мордкович В.Н., Русак Т.Ф. Создание внутреннего геттера в Si путём имплантации ионов углерода и кислорода. //Поверхность. -1992. -№1. -С. 35.

52. Васильева Е.Д., Соколов В.И., Шапиро И.Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-SiO. //Микроэлектроника.-1991.-Том 20, вып.4. -С. 392 -401.

53. Mizuno М., Kirscht F.G. //Appl. Phis. Lett.-1995.-66(21).

54. Gilles D., Weber E.R. Mechanism of internal gettering of interstitial impurities in Czochralski -grown silicon. //Phys. Rev. Lett. 1990. - Vol. 6. -P.- 196-199.

55. Гайдуков Г.Н., Кожевников E.A. Физическая модель процесса внутреннего геттерирвания в кремниевой технологии. //Электронная промышленность. 1995. - №4 (5). - С. 59 - 61.

56. Боброва Е.А., Галкин Г.Н., Енишерлов К.Л., Антонова И.А. Исследование эффективности некоторых приёмов геттерирования в Si сиспользованием метода релаксационной спектророскопии глубоких уровней. //Микроэлектроника. -1991. Том 20, вып.2. - С. 124 -130.

57. Сеченов Д.А., Захаров А.Г., Беспятов В.В. Формирование в кремнии локальных дислокационных областей электроискровым разрядом. //Электронная обработка материалов. -1975. №2. -С. 14-17.

58. Сеченов. Д.А., Светличный A.M., Захаров А.Г. Локальное введение дислокаций в кремний с помощью электроискрового разряда. //Изв. вузов,Приборостроение. 1972. -№4. - С. 118-122.

59. Сеченов. Д.А., Беспятов В.В., Арушанов А.П., Басов Н.И. Структура поверхности кремния после электроискровой обработки. //Электронная обработка материалов. -1980. №5. -С. 17-21.

60. Захаров А.Г., Сеченов Д.А., Беспятов В.В., Котов В.Н. Геттерирование дефектов в кремнии электроискровой обработкой. //Электронная обработка материалов. 1989. -№1. -С. 9-11.

61. Куликов А.В., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. назв. //Письма в ЖТФ. 1997. - Том 23, вып. 13,- С.27-31.

62. Овсюк В. Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск. - Наука. - 1984.

63. Gyorffy B.L. Stott M.S. A one-electron theory of soft X-ray emission from random alloys.// Band structure spectroscopy of metals and alloys. Ed. by D. Fabian, p. 385-403 / Academic Press, Ld, N.Y. 1973. 618 p.

64. B.L. Gyorffy, G.M. Stocks. On the CPA in muffin tin model potentialtheory of random substitutional alloys // J. de Physique (Paris). Vol. 35, № 5. -P. 4-80. -1974.

65. Г.В. Вольф, В.В. Дякин, В.П. Широковский. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом. // Физика металлов и металловедение, Т. 38, № 5. - С. 949-956. -1974.

66. Дж. Слэтер. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. -М.: Мир, 1969. -648 с.

67. J.S. Slater. A simplification of Hartree Fock method // Phys. Rev. -Vol. 81, №2. -P. 385-390.-1951.

68. L. Hedin, B.I. Lundquist. Explicit local exchange correlation potentials // J. Phys. C. -Vol. 4, № 14. -P. 2064-2084. -1971.

69. U. von Barth, L. Hedin A local exchange correlation potentials for spin -polarized case // J. Phys. C. -Vol. 5, № 13. -P. 1629-1642. -1972.

70. F. Herman, S. Skillman. Atomic structure calculations // Prentice Hall, Englewood Cliffs. New Jearsea, 1965. -421 p.

71. Колпачев А.Б., Арзуманян Г.В., Кракотец H.A. Электронное энергетическое строение кремния с примесью никеля. //Высокочистые металлические и полупроводниковые материалы. Под ред. В.М. Ажажи и др. Харьков: ННЦ ХФПИ ИПЦ "Контраст". - 2002. С.83 - 86.

72. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с англ./ Под ред. Д. Миллера. -М.: Радио и связь. 1989.- 280 с.

73. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. Пер. с англ./ Под ред. П. Антонетти, Р. Даттона, У.Оулдхема. - М.: Радио и связь. - 1988. - 280 с.

74. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. -М.: Наука. Главная редакция физико математической литературы. -1981.-296 с.

75. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Государственное издательство физико-математической литературы. - 1961. - 462с.

76. Карпинский Д.Н., Санников С.В. Эволюция концентрации точечных дефектов у вершины трещины. //Физика твердого тела. 1997. -Том 39. -№9.-С. 1580- 1585.

77. Шьюмон П. Диффузия в твердых телах. М.: Металлургия. - 1966. -195с.

78. Баллоу Р. Ньюмен Р. Кинетика миграции точечных дефектов к дислокациям. //Новости физики твердого тела. -1973. Вып. 2. -С. -75 -145.

79. Эшелби Д.Д. Континуальная теория дислокаций. М.: ИЛ. -1963.83.