Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Какурин, Юрий Борисович

• Какурин, Юрий Борисович
• кандидат технических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат технических наук Какурин, Юрий Борисович

Введение.

1. Особенности диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники.

1.1. Локальные неоднородные области, обусловленные дефектами-кристаллического строения структуры твердых тел.

1.2. Аналитические модели процессов ускоренной диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники.

1.3. Модели процессов- диффузии в неоднородных структурах в полях внешних сил.

1.4. Выводы и постановка задачи исследования.43'

2. Численное моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники.

2.1. Разработка численной модели процесса диффузии в неоднородных структурах твердотельной олектроники.

2.2. Сравнительный анализ распределений атомов в неоднородных структурах твердотельной электроники, полученных методами аналитического и численного моделирований.

2.3. Исследование влияния условий диффузии на особенности распределений атомов примесей в неоднородных структурах твердотельной электроники.

2.4. Выводы.

3. Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений, а также внешних электрических полей.

3.1. Разработка численной модели распределения атомов в неоднородных структурах твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений и внешних электрических полей.

3.2. Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и действия полей упругих напряжений.

3.3. Исследование процессов массопереноса с учетом ускоренной диффузии и электромиграции.

3.4. Выводы.

4. Применение численных моделей диффузии для оптимизации режимов формирования элементов твердотельной электроники и прогнозирования их электрофизических характеристик.

4.1. Прогнозирование оптимальных технологических режимов процесса геттерирования.

4.2. Прогнозирование емкостных свойств варикапов на основе /^-«-переходов, сформированных в неоднородном полупроводнике.

4.3. Прогнозирование деградации электрофизических свойств элементов твердотельной электроники на примере транзистора с металлической базой.

4.4. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование процессов диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники»

Актуальность темы

Одним из актуальных направлений научных исследований в области твердотельной электроники продолжает оставаться решение различных проблем процессов переноса. К их числу относится, в частности, диффузия примесей, являющаяся основой ряда технологических операций, а также играющая важную роль в деградации электрофизических свойств элементов твердотельной электроники.

Важным при исследовании процессов диффузии является создание адекватных экспериментальным результатам моделей, позволяющих прогнозировать электрофизические свойства формируемых элементов твердотельной.электроники. Вследствие уменьшения размеров элементов все более значимым становится, двумерное математическое моделирование технологических процессов.

Как показывает анализ особенностей технологии многослойных гетероструктур в процессе их изготовления в слоях металлов и полупроводников могут формироваться локальные неоднородные области (JIHO) — области дефектов кристаллического строения веществ. Таким образом, современные элементы твердотельной электроники имеют сложную систему, неустойчивую во времени. Неустойчивость, в частности, определяется диффузией точечных дефектов. При термополевых обработках, а также в процессе функционирования элементов на основе многослойных гетероструктур происходит интенсивная диффузия основных легирующих и фоновых примесей, а также собственных атомов компонентов слоев.

Известные двумерные математические модели процессов диффузии в средах с неоднородностями, предложенные Фишером, Уипплом, Судзуокой, Смолуховским, строятся на основе законов Фика. С целью получения аналитических решений систем диффузионных уравнений, как правило, используют приближенные методы, например, синус- и косинус-преобразования Фурье, преобразования Лапласа, а также ограничения на характеристические размеры JIHO. При этом не учитываются действия полей упругих напряжений и внешних электрических полей, что приводит к ограниченной возможности их применения в ряде практически важных задач. Кроме того, получение результатов с помощью громоздких аналитических решений задач диффузии в неоднородных средах является трудоемким.

Численные методы свободны от ряда упрощений, используемых при аналитических решениях диффузионных задач, и позволяют снизить трудоемкость решения. В * настоящее время наиболее применяемым методом численного решения диффузионных уравнений является метод конечных разностей.

Перераспределение точечных дефектов в приповерхностных слоях полупроводника и металла обуславливает изменение электрофизических характеристик и параметров контактов с барьером Шоттки и может приводить к деградации электрофизических свойств элементов твердотельной электроники, например транзистора с металлической базой (ТМБ), сформированных на их основе.

Вместе с тем, наличие неоднородных областей в < материалах не всегда имеет отрицательное влияние. В1 некоторых технологических операциях, например, геттерировании, неоднородные области используют в качестве стоков атомов нежелательных примесей. Кроме того, результаты экспериментальных исследований емкостных свойств /^-«-переходов, сформированных в кремниевых подложках, содержащих локальные неоднородные области, указывают на возможность формирования» варикапов с улучшенными значениями отдельных параметров.

Определение оптимальных технологических режимов диффузионных процессов! формирования' элементов твердотельной электроники также указывает на целесообразность проведения численного моделирования".задач диффузии атомовв структурах, содержащих ДНО.'

Таким образом, целью диссертационной работы является разработка и исследование численных моделей диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники. Для достижения поставленной цели необходимо решение следующих задач:

- выполнить анализ известных аналитических решений задач диффузии в средах, содержащих локальные неоднородные области;

- разработать, численную модель диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники с учетом процессов ускоренной диффузии;

- разработать численную' модель, диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники при наличии полей упругих напряжений, а также внешних электрических полей;

- показать возможность практического применения разработанных моделей" в технологии ■ формирования; элементов - твердотельной электроники, а также для> прогнозирования их электрофизических свойств.

Объектыш методы исследования

Объектами теоретических исследований являлись уравнения и модели, описывающие закономерности диффузии в структурах твердотельной электроники, содержащих локальные неоднородные области.

Применимость разработанных численных моделей в проектировании.и технологии-твердотельной электроники показана на примерах оптимизации процесса планарного геттерирования, а1 также прогнозирования емкостных свойств />-и-переходов и деградации параметров ТМБ.

В качестве методов исследования были использованы, численные методы решения дифференциальных уравнений, а также детерминированные модели элементов твердотельной электроники.

Научная новизна,

1. Разработана численная модель диффузии в неоднородных структурах твердотельной,- электроники, свободная от ограничения, накладываемого на характеристические размеры локальных неоднородных областей, характерного для аналитических моделей диффузионных задач:

2. Получены следующие результаты моделирования диффузионных процессов в неоднородных структурах твердотельной электроники: глубина залегания /^-«-перехода в дефектной области увеличивается с ростом значения ее ширины; градиент концентрации примесей на границе раздела дефектной и бездефектной областей увеличивается с ростом времени процесса диффузии, что, в свою очередь, стимулирует диффузию, перпендикулярную границе раздела.

3. Разработана численная модель диффузии в неоднородных структурах твердотельной, электроники, учитывающая влияние полей упругих напряжений и внешних электрических полей.

Практическая ценность работы

• Разработана модель расчета- распределений; атомов примесей, позволяющая составлять рекомендации по выбору оптимальных технологических режимов процесса геттерирования дефектов.

• На основе исходных данных, полученных из результатов численного моделирования диффузионных процессов, показана возможность прогнозирования электрофизических свойств элементов твердотельной-электроники1 с использованием их детерминированных моделей (варикап, транзистор с металлической базой).

Достоверность и обоснованность полученных в работе результатов подтверждается полнотой и корректностью исходных посылок, хорошим согласием результатов теоретического исследования с известными из литературы экспериментальными данными, а также практическим использованием результатов работы, подтвержденным соответствующими актами о внедрении.

Основные положения, выносимые на защиту: численная, модель диффузии, позволяющая описывать диффузию ' в неоднородных структурах твердотельной электроники;

• распределения атомов примесей в полупроводниках с локальными неоднородными областями, обусловленные влиянием полей упругих напряжений;

• перераспределение вещества в тонких металлических слоях, обусловленное протеканием электрического тока высокой плотности;

• диффузионная модель деградации электрофизических свойств транзистора с металлической базой.

Реализация и внедрение результатов работы

Результаты работы использованы при проведении ряда научно-исследовательских работ проводимых в НИЛ «Мезоструктура» -«Исследование влияния электрически. активных дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур» (2005г.); «Влияние электрически активных примесей и их распределения на свойства границы раздела диэлектрик-полупроводник» ведомственной научной программы Минобрнауки «Развитие научного потенциала высшей школы» по разделу «Развитие научно-исследовательской работы молодых преподавателей и научных сотрудников, аспирантов и студентов» (2005г.); «Разработка модели функционирования транзистора на основе наноразмерной структуры полупроводник-металл-полупроводник» (2006г.); «Анализ физических процессов в наноразмерных гетероструктурах на основе многокомпонентных материалов» (2007г.)>

Апробация диссертационной работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях:

- «Математические модели физических процессов» (11-я и 12-я Международные научно-технические конференции, г. Таганрог, 2005 г. и 2007 г.);

- «Математические модели и алгоритмы для имитации физических процессов» (Международная научно-техническая конференция, г. Таганрог,

2006 г. и 2008 г.);

- «ВНКСФ-13» (13-я Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых, Екатеринбург — Ростов-на-Дону — Таганрог, 2007 г.);

- «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (VII и VIII Международные научные конференции, Кисловодск -Ставрополь, 2007 г. и 2008 г.);

- «Микроэлектроника и информатика - 2008» (15-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, г. Москва, 2008 г.);

- ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ТТИ ЮФУ (2005 - 2008гг.).

Публикации

По материалам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, из них 2 статьи в журналах, входящих в перечень ВАК, 12 работ в сборниках трудов конференций! и зарегистрировано четыре отчета по < НИР в ВНИИТЦ.

Личный вклад автора

Постановка задач, определение направлений исследования выполнены д.т.н., профессором Захаровым А.Г. Разработка алгоритма численного решения диффузионной задачи, позволяющей моделировать распределения атомов примеси в неоднородных структурах твердотельной электроники с учетом влияния полей напряжений неоднородных областей, а также массоперенос при протекании в таких структурах электрического тока большой плотности; проведение теоретических исследований по выявлению особенностей диффузии в неоднородных структурах твердотельной электроники при варьировании, как характеристик самих исследуемых структур, так и параметров внешних воздействий, осуществлены лично автором или при его непосредственном участии. Автором выполнен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы выводы и научные положения; выносимые на защиту.

Структурами объемдиссертационной работы

Диссертация написана на русском языке, состоит из введения, четырех глав, заключения^ списка; использованной литературы; и приложений; Содержание диссертации; изложено на 150 страницах, включая 40 рисунков-. 3 таблицы, список литературы^ из 124 наименований.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Какурин, Юрий Борисович

Результаты работы использованы при проведении ряда научно-исследовательских работ проводимых в НИЛ «Мезоструктура» — «Исследование влияния электрически активных дефектов на электрофизические свойства полупроводниковых структур» (2005г.); «Влияние электрически активных примесей и их распределения на свойства границы раздела диэлектрик-полупроводник» ведомственной научной программы Минобрнауки «Развитие научного потенциала высшей школы» по разделу «Развитие научно-исследовательской работы молодых преподавателей и научных сотрудников, аспирантов и студентов» (2005г.); «Разработка модели функционирования транзистора на основе наноразмерной структуры полупроводник-металл-полупроводник» (2006г.); «Анализ физических процессов в наноразмерных гетероструктурах на основе многокомпонентных материалов» (2007г.).

Заключение

В диссертационной работе выполнено численное моделирование процессов диффузии в структурах твердотельной электроники, неоднородных по величинам коэффициентов диффузии, а также величинам полей упругих напряжений и внешних электрических полей. Проведен анализ существующих аналитических моделей диффузионных задач для расчетов распределений атомов примесей в различных неоднородных структурах твердотельной электроники и показана необходимость в разработке численных моделей, свободных от ряда допущений, характерных для известных аналитических моделей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Какурин, Юрий Борисович, 2009 год

1. Болтакс, Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках Текст. / Б.И. Болтакс. Л.: Наука, 1972. - 384 с.

2. Колобов, Н.А. Диффузия и окисление полупроводников Текст. / Н.А. Колобов, М.М. Самохвалов. М.: Металлургия, 1975. - 456 с.

3. Атомная диффузия в полупроводниках Текст.: [пер. с англ.] / под ред. Д. Шоу.- М.: Мир, 1975. 684 с.

4. Абдуллаев, Г.Б. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах Текст. / Г.Б. Абдуллаев, Т.Д. Джафаров. М.: Атомиздат, 1980.-280 с.

5. Стриха, В.И. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике Текст. / В.И. Стриха; Е.В. Бузанева. М.: Радио и связь, 1987. - 256 е.: ил.

6. Овидько, И.А. Переползание зернограничных дислокаций и диффузия в нанокристаллических твердых телах Текст. / И.А. Овидько, А.Б. Рейзис // ФТТ. 2001. - Т. 43. -Вып. 1. - С. 35-38.

7. Назаров, А.А. Зернограничная диффузия в нанокристаллах при зависящем от времени коэффициенте диффузии Текст. / А.А. Назаров // ФТТ. 2003. - Т. 45. - Вып. 6. - С. 1112-1114.

8. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции Текст.: [пер. с англ.] / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. - 576 с.

9. Шьюмон, П. Диффузия в твердых телах Текст. / П. Шьюмон. М.: Металлургия, 1966. - 196 с.

10. Гегузин, Я.Е. Диффузионная зона Текст. / Я.Е. Гегузин. — М.: Наука, 1979. 344 с.

11. Любов, Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах Текст. / Б.Я. Любов. М.: Наука, 1981.-296 с.

12. Гайдуков, Г.Н. Усредненное уравнение диффузии в неоднородной среде Текст. / F.H. Гайдуков, Б.Я. Любов // ФММ. 1975. - Т. 39. - № 5. -С. 1097- 1100.

13. Фикс, В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос) Текст. / В.Б. Фикс. -М.: Наука, 1969. — 296 с.

14. Колешко, В.М: Контроль в технологии микроэлектроники Текст. / В.М. Колешко, П.П. Гойденко, Л.Д. Буйко: — Мн.: Наука и техника, 1979. -312 с.

15. Миллер, ЮТ. Физические основы надежности интегральных схем Текст. / Ю.Г. Миллер. М.: Сов. радио, 1976. - 320 с.16. д'Эрль, Ф. Электромиграция в тонких пленках Текст. / Ф. д'Эрль, Р. Розенберг // Физика тонких пленок. -1977. Т. 7. - С. 284 - 339.

16. Болтакс, Б.И. Диффузия в полупроводниках Текст. / Б.И. Болтакс.- М.: Гос. издательство физико математической литературы, 1961. — 462 с.

17. Чернышев, А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем Текст. / А.А. Чернышев. М.: Радио ихвязь, 1988. — 256 с.

18. Каур, И. Диффузия по границам зерен и фаз: пер. с англ. / И. Каур; В. Густ; под ред. Л.С. Швиндлермана. М.: Машиностроение, 1991. -448 с.

19. Павлов, П.В. Диффузия сурьмы в кремнии вдоль дислокаций Текст. / П.В. Павлов, В.А. Пантелеев, А.В. Майоров // ФТТ. 1964. - Т. 6.- № 2. С. 382-389.

20. Павлов, П.В. К доказательству существования самостоятельного диффузионного потока вдоль изолированных дислокаций Текст. / П.В. Павлов, JI.B. Лайнер, В.А. Стерхов, В.А. Пантелеев // ФТТ. 1966. - Т. 8. -№ 3. - С. 725-730.

21. Павлов, П.В. Диффузия алюминия в пластически деформированном кремнии Текст./ П.В. Павлов, Э.В. Доброхотов // ФТТ.- 1974.-Т. 16.-№ 1.-С. 3-8.

22. Доброхотов, Э.В. Влияние дислокационных структур на диффузию элементов III-V групп в кремнии и германии Текст. / Э.В. Доброхотов, П.В. Павлов // ФТТ. 1976. - Т. 18. - № 9. - С. 2807 - 2809.

23. Пантелеев, В.А. Эффективный радиус области ускоренной диффузии вдоль дислокации Текст./ В.А. Пантелеев// ФТТ. 1977. - Т. 16. -№ 2. - С. 558-559.

24. Fisher, I. С. Calculation of diffusion penetration curves for surface and grain boundary diffusion Text./ I. C. Fisher // I. Appl. Phys. 1951. - Vol. 22.l.-P. 74-77.

25. Whipple, R.T. Concentration contours in grain boundary diffusion. Text./ R.T. Whipple // Phys. Mag. 1954. - Vol. 45. - № 10. - P. 1225 - 1236.

26. Smolychowski, R. Solution of diffusion in dislocation Text. / R. Smolychowski // Phys. Rev. 1952. - Vol. 87. - № 3. - P. 482 - 486.

27. Stark, I.P. Diffusion in isolazed dislocation Text. / I.P. Stark //1. Appl. Phys. 1965. - Vol. 37. - P. 3933 - 3939.

28. Wuttig, M. Exact solution for a model of dislocation pipe diffusion Text. / M. Wuttig, J. Mimkes // Physical review. 1966. - № 147. - P. 495 -502.

29. Queisser, H.J. Diffusion along small-angle grain boundaries in silicon Text. / H.J. Queisser, K. Hubner, W. Shockley // Physical review. 1961. -Vol. 123. -№ 4. - P. 1245-1254.

30. Benoist, P: Atomic model for grain boundary and surface diffusion Text. / P: Benoist, G. Martin // Thin solid films. 1975. - № 25. - P. 181 — 197.

31. Holloway, P.H. Analysis of grain-boundary diffusion in thin films: chromium in gold Text. / P.H: Holloway, D:E. Amos, G.S. Nelson // Journal of applied physics. 1976. - Volt 47. - № 9. - P. 3769 - 3775.

32. Ghakrabarti UtpabKr. Amodel for doped-oxide-source diffusion with a chemical* reaction.atithe silicon-silicon dioxide interface Text. / Kr. Chakrabarti Utpal // Solid-state electronics. 1977. - Voh 20.5 - P.' 111-112.

33. Доброхотов, Э.В. Диффузия в: дислокационном Ge и модель «жидкого»'Ядра дислокации Текст. / Э.В. Доброхотов // ФТТ. 2005. - Т. 47.-Вып. 12.-С. 2166-2169.

34. Блинов, Ю.Ф. Расчет распределения примесей при- диффузии в» кристалле твердого тела с неоднородными слоями Текст. / Ю.Ф. Блинов, А.Г. Захаров, Ю.И'. Молчанов; Д.А. Сеченов // Изв. вузов. Физика. 1977. -№ 10.-С. 104-108.

35. Suzuoka, Т. Lattice and grain boundary diffusion in polycrystals Text. / T. Suzuoka //1. Phys. Soc. Japan. 1964. - Vol'. 19. - P. 839 - 847.

36. Гутникова, Г.М. Расчет времени, необходимого для сформирования атмосферы- примесных атомов вокруг краевой' дислокации Текст. / Г.М. Гутникова, Б.Я. Любов // Техническая физика. 1969: - Т. 184: - №5. - С. 1095-1098.

37. Любов, Б.Я; Некоторые эффекты, взаимодействия точечных и протяженных структурных дефектов>Текст.'/ Б.Я. Любов; Н.М. Власов // Физика металлов!и, металловедение. 1979; - Т. 47. - Вып. 1. - С. 140 — 156.

38. Mimkes, J. Exact solution for a model of dislocation pipe diffusion Text. / J. Mimkes, M. Wuttig // Physical review. 1970. - Vol. 2. - № 6. - P. 1619- 1623.

39. Tai, K.L. Grain-boundary electromigration in thin films. I. Low-temperature theory Text. / K.L. Tai, M. Ohring // Journal of Applied Physics. -1977. Vol. 48. - №1. - P. 28 - 35:

40. Martin, G. Calculation? grain-boundary electromigration Text., / G. Martin // Phys. status solidi. 1972. - Vol. 14 (A). - P. 183 - 189:

41. Suzuoka, T. Lattice and grain boundary diffusion in polycrystals Text. / T. Suzuoka //1. Phys. Soc. Japan. 1964. - Vol. 19. - P. 839 - 847.

42. Singh, P. Determination of grain boundary coefficient diffusion for isotope I19mSn in thin film Text. / P. Singh, M. Ohring // Journal of Applied Physics. 1984. - Vol. 56. - P. 899 - 905.

43. Самарский, А.А. Вычислительная теплопередача Текст. / A.A. Самарский, П.Н Вабищевич. М.: Ижевск; УРСС, 2003. - 784 с.

44. Лыков, А.В. Теория теплопроводности Текст. / А.В. Лыков. М.: Высшая школа, 1967. — 600 с.

45. Вержбицкий, В.М. Основы численных методов Текст. / В.М. Вержибицкий. М.: Высшая школа, 2005. - 848 с.

46. Семененко, М.Г. Введение в математическое моделирование Текст. / М.Г. Семененко. М.: СОЛОН-Р, 2002. - 111 с.

47. Калиткин, Н.Н. Численные методы Текст. / Н.Н. Калиткин. М.: Наука, 1978.-512 с.

48. Бахвалов, Н.С. Численные методы Текст. / Н.С. Бахвалов, Н.П. Жидков, Г.М. Кобельков. М.: Наука, 1987. - 600 с.

49. Самарский, А.А. Численные методы: Учебное пособие для ВУЗов Текст. / А.А Самарский, А.В. Гулин. М.: Наука, 1989. - 432 с.

50. Вабищевич, П.Н. Численное моделирование Текст. / П.Н. Вабищевич. М.: Изд-во МГУ, 1993.- 152 с.

51. Самарский, А. А. Численные методы математической физики Текст. / А.А. Самарский, А.В. Гулин. М.: Научный мир, 2000. - 316 с.

52. Самарский, А. А. Введение в численные методы Текст. / А.А. Самарский. М.: Лань, 2005. - 288 с.

53. Самарский, А.А. Теория разностных схем Текст. / А.А. Самарский. М.: Наука, 1983. - 548 с.

54. Антонова, Г.М. Сеточные методы равномерного зондирования для исследования и оптимизации динамических стохастических систем Текст. / Г.М. Антонова. М.: Физматлит, 2007. - 224 с.

55. Пасконов, В.М. Численное моделирование процессов тепло- и массообмена Текст. / В.М. Пасконов, В.И. Полежаев, J1.A. Чудов. М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1984. — 288 с.

56. Антонетти, П. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов Текст. / П. Антонетти; Д. Антониадис; Р. Даттон; У. Оулдхем. М.: Радио и связь, 1988. — 496 е.: ил.

57. Какурин, Ю.Б. Моделирование массопереноса в неоднородных полупроводниковых структурах Текст. / Ю.Б. Какурин, А.Г. Захаров, В.Н. Котов // Нано- и микросистемная техника. 2008. - №6. - С. 22-25.

58. Самарский, А. А. Устойчивость разностных схем Текст. / А.А. Самарский, А.В. Гулин. М.: Наука, 1973. - 310 с.

59. Бахвалов, Н:С. Численные метод Текст. / Н.С. Бахвалов, Н.И. Жидков, Г.М. Кобельков. М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2001. -527 с.

60. Пашков; В.И. Дислокационная модель аномальной диффузии бора1 и фосфора в кремнии Текст. / В.И. Пашков, П.В1 Павлов // ФТТ. 1971. — Т. 13.-№4.-С. 1044-1049:

61. Дудко, Г.В. Экспериментальное исследование диффузии примесей по дислокациям, введенным в кремний электронно-лучевым нагревом Текст. / Г.В. Дудко, М.А. Колегаев, В.А. Пантелеев // ФТТ. 1969. - Т. 11. -№.5.-С. 1356- 1359.

62. Сеченов, Д.А. Локальное введение дислокаций в кремнии с помощью электроискрового разряда Текст. / Д.А. Сеченов; A.M.

63. Светличный, А.Г. Захаров // Известия вузов. Приборостроение. 1972. -№ 2.-С. 118-132.

64. Сеченов, Д.А. Формирование в кремнии локальных дислокационных областей электроискровым разрядом Текст. / Д.А. Сеченов, А.Г. Захаров, В.В. Беспятов // Электронная обработка материалов. 1975. - № 2. - С. 14 - 17.

65. Дудко, Г.В. Электронно-лучевая обработка омических контактов и токоведущих дорожек на кремнии Текст. / Г.В. Дудко, В.И. Тараканов, Д.И. Чередниченко // Электронная обработка материалов. 1973. - №2. — С. 26-28.

66. Рыкалин, Н.Н. Основы электронно-лучевой обработки материалов Текст. / Н.Н. Рыкалин, И.В. Зуев, А.А. Углов. М.: Машиностроение, 1978.-239 с.

67. Броудай, И. Физические основы микротехнологии Текст.: [пер. с англ.] / И. Броудай, Дж. Мерей. М.: Мир, 1985. - 496 с.

68. Рыкалин, Н.Н. Лазерная обработка материалов Текст. / Н.Н. Рыкалин, А.А. Углов, А.Н. Кокора. М.: Машиностроение, 1975. - 296 с.

69. Мейсон, Б. Применение мощных лазеров в полупроводниковом производстве Текст. / Б. Мейсон, Р. Браудстейн // Электроника. 1979. -Т. 52.-С. 75-78.

70. Гитлевич, А.Е. Особенности пластической деформации, возникающей при электрической эрозии некоторых полупроводниковых монокристаллов / А.Е. Гитлевич и др. // Электронная обработка материалов. 1967. - №4. - С. 6 - 11.

71. Лазаренко, Б;Р. О некоторых особенностях электрической эрозии полупроводников в жидкой и газообразной средах Текст.; / Б.Р. Лазаренко, А.Е. Гитлевич, С.П. Фурсов // Электронная обработка материалов. — 1969: -№5.-G. 3 -7.

72. Сеченов; Д.А. Структура-поверхности кремния после ЭИО Текст.; / Д.А. Сеченов,. В.В. Беспятов; И.М. Басов // Электронная1 обработка; материалов. — 1980. №5. - С. 17 - 21.

73. Структурная; релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах Текст.;;/ под ред. Ю.А. Тхорика. Киев.: «Феникс», 1994.-246 с.

74. Кракотец, Н.А. Моделирование полей упругих напряжений нарушенного слоя кремниевой пластины Текст. / Н:А. Кракотец;, А.В. Третьякова; // Актуальные; проблемы; твердотельной электроники! и микроэлектроники. — Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. — С. 133 — 135.

75. Масюкевич, A.M. Поля напряжений и, энергии; дислокаций; хаотически* распределенных в слое и стенке Текст. / A.M. Масюкевич; К.П. Рябошапка // Металлофизика. 1975. - Вып. 62. - С. 3 - 9.

76. Блейхер, Г.А. Влияние изменениям плотности; твердого тела на диффузионную подвижность; атомов5 при; облучении8 мощными наносекундными пучками заряженных частиц Текст. / Г.А. Блейхер, В.П.

77. Кривобоков, О.В. Пащенко, С.Н. Янин // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24. -№ 3. - С. 75-79.

78. Захаров, А.Г. Моделирование процессов массопереноса в неоднородных твердых телах с учетом электродиффузии Текст. / А.Г. Захаров, Ю.Б. Какурин, Н.А. Филипенко // Известия вузов. СевероКавказский регион. 2009. - № 2. - С. 35 - 37.

79. Немцев, Г.З. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов Текст. / Г.З. Немцев, А.И. Пекарев, Ю.Д. Чистяков, А.Н. Бурмистров // Зарубежная электронная техника. ЦНИИ «Электроника». 1981. — № 11. - С. 3 - 63.

80. Скупов, В.Д. Геттерирование микродефектов в кристаллах кремния при атермических внешних воздействиях Текст. / В.Д. Скупов // Журнал депонированных рукописей. 2002. - № 9.

81. Wong Leung, J. Diffusion and transient trapping of metals in silicon Text. / J. Wong - Leung // Phys Rev. B. - 1999. - №12 (59). - P. 7990 - 7998.

82. Gueorguiev, Y.M. Trans -projected range gettering of copper in high - energy - ion - implanted silicon Text. / Y.M. Gueorguiev, A. Mucklich, D. Panknin, R.A. Yankov, W. Skorupa // J. Appl. Phys. - 2000. - №11 (88). -P. 6934-6936.

83. Polignano, M.L. Gettering meshanisms in silicon Text. / M.L. Polignano, G.F. Cerofolini, H. Bender, C. Claeys // J. Appl. Phys.-1988. №2 (64).-P. 869-876.

84. Какурин, Ю.Б. Моделирование распределения атомов фоновой примеси вблизи краевой дислокации в кремнии Текст. / Ю.Б. Какурин // Известия ТРТУ. 2006. - С. 62 - 63.

85. Литовченко, В.Г., Романюк Б.Н. Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах Текст. / В.Г.- Литовченко, Б.Н. Романюк // Физика и техника полупроводников. 1983. — Т. 17. -Вып.1. — С. 150-153.

86. Структурная релаксация в полупроводниковых кристаллах и приборных структурах Текст. / под ред. Ю.А. Тхорика. Киев: Изд. Феникс. - 1994. - 246 с.

87. Иоссель, Ю.Я. Расчет электрической емкости Текст. / Ю.Я. Иоссель, Э.С. Кочанов, М.Г. Струнский. Л.: Энергоиздат, 1981. - 288 с.

88. Берман, Л.С. Введение в физику варикапов Текст. / Л.С. Берман. -Л.: Изд-во «Наука», 1968. 180 с.

89. Мурыгин, В.И. Высокочастотная барьерная емкость контакта металл-полупроводник и резкого р-я перехода Текст. / В.И. Мурыгин // ФТП. 2004. - Т. 38. - Вып. 6. - С. 702 - 704.

90. Мурыгин, В.И. Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры Текст. / В.И. Мурыгин,

91. A.У. Фаттахдинов, Д.А. Локтев, В.Б. Гундырев // ФТП. 2007. - Т. 41. -Вып. 10.-С. 1207-1213.

92. Зи, С.М. Технология СБИС Текст. / С.М. Зи. М.: Мир, 1986. -Т. 1 - 404 с.

93. Барыбин, А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы Текст. / А.А. Барыбин. М.: ФИЗМАТ ЛИТ, 2006. - 424 с.

94. Меламедов, И.М. Физические основы;надежности Текст. / И.М. Меламедов. Л.: Энергия, 1970. — 152 с.

95. Кейджян, Г.А. Прогнозирование надежности микроэлектронной аппаратуры на основе БИС Текст. / Г.А. Кейджян. М.: Радио и связь, 1987.- 152 с.

96. Ластовченко, М.М. Автоматизация разработки высоконадежной РЭА Текст. / М.М. Ластовченко, И.А. Медвинский. — Киев: Высшая школа, 1978.-240 с.

97. Надежность электронных элементов и систем Текст. / под. ред. X. Шнайдера. М.: Изд-во «Мир», 1977. - 258 с.

98. Бережной, В.П. Выявление причин отказов РЭА Текст. / под. ред. Л.Г. Дубицкого. М.: Радио и связь, 1983. - 232 с.

99. Глудкин, О.П. Анализ и контроль технологических процессов производства РЭА: Учеб. пособие для вузов Текст. / О.П. Глудкин,

100. B.Н. Черняев. М.: Радио и связь, 1983. - 296 с.

101. Колешко, В.М. Транзисторы с металлической и сверхпроводниковой базой Текст. / В.М. Колешко, В.Ф. Белицкий // Зарубежная электронная техника. — 1989. — №6. — С. 3 — 38.

102. Борблик, B.JI. Транзисторы на горячих электронах Текст. / B.JI. Борблик, З.С. Грибников // Физика и техника полупроводников. 1988. -Т. 22.-№9.-С. 1537- 1555.

103. Мьюрарка, Ш. Силициды для СБИС Текст.: [пер. с англ.] / Ш. Мьюрарка. М.: Мир, 1986. - 176 с.

104. Rosencher, Е. Transistor effect in monolithic Si/CoSi2/Si epitaxial structures Text. / E.Rosencher, S. Delage, Y. Campidelli, F. Arnaud Davitaya // Electronics Letters. 1984. - V. 20. - № 19 - P. 762 - 764