Композитные тонкопленочные сегнетоэлектрические структуры на основе цирконата-титаната свинца и титаната бария тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Чигирев, Дмитрий Алексеевич

• Чигирев, Дмитрий Алексеевич
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Чигирев, Дмитрий Алексеевич

СОДЕРЖАНИЕ

Перечень условных обозначений и сокращений

Введение

Глава 1. Сегнетоэлектрические тонкопленочные структуры:

состояние вопроса

1.1. Свойства и применение сегнетоэлектрических пленок

1.2. Технология тонких сегнетоэлектрических пленок и

структур на их основе

1.3. Композитные тонкопленочные системы с микро- и

наноразмерными сегнетоэлектрическими включениями

Выводы по первой главе и постановка задачи

Глава 2. Методы получения и исследования композитных тонкопленочных сегнетоэлектрических структур

2.1. Выбор материалов для композитных сегнетоэлектрических

пленок и структур на их основе

2.2. Методы исследования тонких композитных

сегнетоэлектрических пленок

2.3. Особенности формирования платиновых электродов для конденсаторных структур на основе композитных сегнетоэлектрических пленок

2.4. Технология гетерофазных сегнетоэлектрических пленок ЦТС, получаемых методом ВЧ магнетронного распыления

2.5. Технология тонкопленочных композитов с включениями из титаната бария и ЦТС в полупроводниковой и диэлектрической матрицах

Глава 3. Исследование влияния технологических факторов на электрофизические свойства композитных тонкопленочных систем

3.1. Влияние температуры и времени термообработки на характеристики гетерофазных сегнетоэлектрических пленок ЦТС

3.2. Влияние технологии нижнего платинового электрода на

свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС

3.3 Свойства тонкопленочных композитов с включениями из титаната бария и ЦТС в полупроводниковой и диэлектрической матрицах

Глава 4. Возможности применения сегнетоэлектрических

композитов в электронике

4.1. Возможности применения конденсаторных структур с гетерофазными пленками ЦТС

4.2. Исследование возможности применения структуры сегнетоэлектрик -полупроводник в качестве адаптивного газового сенсора

Заключение

Список литературы

135

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ

а{ - температурный коэффициент линейного расширения

£- относительная диэлектрическая проницаемость Я - коэффициент теплопроводности о - проводимость полупроводникового резистора (р - объемная доля фазы С - емкость

С-и- вольтфарадная характеристика (ВФХ)

с1 - толщина пленки

Ес - коэрцитивное поле

к=Со/Ст1П - коэффициент реверсивной нелинейности (управления)

ка - кратность изменения проводимости полупроводникового резистора

1А - ток анода

Р - поляризация

Рг - остаточная поляризация

Ру - пирохлор

Я - сопротивление полупроводникового резистора - площадь электродов сегнетоэлектрического конденсатора тангенс угла диэлектрических потерь ТПод - температура подложки Т- температура Тс - температура Кюри ? - время

им - напряжение на мишени исм - напряжение смещения

иупр - напряжение приложенное к управляющему электроду Уосажд - скорость осаждения

Q - добротность сегнетоэлектрического конденсатора

ACM - атомно-силовая микроскопия

РЭМ - растровая электронная микроскопия

ТБТ - тетрабутоксититан

ТЭОС - тетраэтоксисилан

СЭ-ПП - сегнетоэлектрик - полупроводник

ЦТС - цирконат - титанат свинца, Pb(Zr,Ti)03

ЦТСНВ-1 - керамика состава Pb0,8iSr0so4'Nao;o75Bio,o75(Zro,58Tio,42)03

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Композитные тонкопленочные сегнетоэлектрические структуры на основе цирконата-титаната свинца и титаната бария»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы диссертации

Наличие таких свойств как переключение поляризации, высокие значения диэлектрической проницаемости, диэлектрическая нелинейность, пиро- и пьезоактивность открывает широкие перспективы для использования сегнетоэлектрических пленок в различных устройствах функционального назначения. Однако на пути практического применения микроэлектронных структур на основе тонких сегнетоэлектрических пленок возникают нерешенные проблемы, связанные с получением сегнетоэлектрических пленок со специальными свойствами. Поэтому разработка принципиально новых материалов с уникальными свойствами для микро- и наноэлектроники обусловливает повышенный интерес к созданию композитных тонкопленочных сегнетоэлектрических систем.

Переход к композитным пленкам при сохранении основных сегнетоэлектрических свойств может приводить к появлению ряда новых эффектов, которые будут служить фундаментом для разработки приборов и устройств микро- и наноэлектроники. Так, например, композитная система с сегнетоэлектрическими кристаллитами в оптически прозрачной матрице представляет большой интерес для оптоэлектроники и фотоники. Также возможно создание пироэлектрических сенсоров на базе композитов сегнетокерамика - сегнетоэлектрический полимер, нечувствительных к механическим воздействиям. Однако получение композитных сегнетоэлектрических систем осложнено рядом нерешенных проблем, связанных как с технологическими трудностями, так и с недостатком информации о физико-химических процессах, протекающих в таких системах. Среди сегнетоэлектрических материалов, используемых для создания композитных систем на основе сегнетоэлектриков, наибольшее распространение получили цирконат-титанат свинца (ЦТС) и титанат бария.

Это обусловлено уникальностью сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических и пироэлектрических свойств этих материалов.

Таким образом, получение и исследование композитных систем открывает возможности для обнаружения эффектов, на базе которых могут быть разработаны новые приборы и устройства. Поэтому тема диссертационной работы является актуальной и представляет интерес как с научной, так и с практической точки зрения.

Целью работы является разработка методов получения и исследование электрофизических свойств тонкопленочных структур на основе композитных сегнетоэлектрических пленок.

В соответствии с поставленной целью в диссертационной работе решались следующие задачи:

1. Разработка новых вариативных методов создания композитных тонкопленочных систем, содержащих сегнетоэлектрические кристаллиты.

2. Проведение структурных и электрофизических исследований с целью определения влияния технологических параметров на свойства тонкопленочных систем.

3. Исследование влияния поляризующих электрических полей и температуры на свойства полученных композитных сегнетоэлектрических тонкопленочных структур.

4. Анализ возможностей практического использования тонкопленочных структур на основе композитных сегнетоэлектрических пленок.

Научная новизна работы

1. Установлено, что приложение электрического поля в процессе нанесения пленок платины методом ионно-плазменного распыления приводит к увеличению скорости роста платиновых пленок с мелкозернистой разупорядоченной структурой вследствие воздействия пондеромоторных сил на атомы платины в процессе осаждения.

2. Экспериментально подтверждено, что тонкие пленки ЦТС после термообработки на воздухе при температуре выше 580 °С характеризуются уменьшением степени текстурированности и микрошероховатости поверхности вследствие выделения оксида свинца при сегрегации его из объема кристаллитов.

3. Обнаружено, что в гетерофазной пленке ЦТС - РЮХ происходит уменьшение значений диэлектрической проницаемости, рост коэрцитивных полей переключения и существенное сужение петли емкостного гистерезиса вольтфарадных характеристик, по-видимому, за счет закрепления доменных стенок на наноразмерных включениях оксида свинца.

4. Показано, что в слоистых композитных системах определяющее влияние на электрофизические свойства оказывает нижний слой полупроводника (диэлектрика), осажденный на платинированную подложку.

5. Показано, что высокие значения диэлектрической проницаемости композитных пленок (сегнетоэлектрический порошок - полимерная матрица) и термостабильность конденсаторных структур на их основе определяются соотношением концентраций компонентов с различными по знаку температурными коэффициентами диэлектрической проницаемости.

6. Установлено, что газочувствительностью полупроводникового слоя в структуре сегнетоэлектрик - полупроводник можно управлять за счет модуляции его сопротивления при изменении знака и плотности заряда остаточной поляризации сегнетоэлектрика.

Практическая значимость работы

1. Разработан новый комбинированный метод создания композитных пленок на основе титаната бария, включающий золь-гель технологию и электрофорез.

2. Предложен способ формирования композитных пленок на основе сегнетоэлектрического порошка и полимерной матрицы, обладающих высокими значениями диэлектрической проницаемости, стабильными при изменении температуры. Подана заявка на получение патента.

3. Показано, что использование гетерофазных пленок ЦТС - РЬОх в СВЧ устройствах, работающих в импульсном режиме, увеличивает быстродействие таких устройств за счет быстрой релаксации объемного заряда, инжектированного из электродов.

4. Разработан адаптивный газовый сенсор на основе структуры сегнетоэлектрик - полупроводник, конструкция которого защищена патентом на изобретение РФ.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Приложение электрического поля при осаждении пленок платины методом ионно-плазменного распыления приводит к увеличению скорости роста платиновых пленок с мелкозернистой разупорядоченной структурой вследствие воздействия пондеромоторных сил на атомы платины в процессе осаждения.

2. Тонкие пленки ЦТС после термообработки на воздухе при температуре выше 580 °С представляют собой гетерофазную поликристаллическую систему ЦТС - РЮХ и характеризуются уменьшением степени текстурированности и микрошероховатости их поверхности.

3. В гетерофазных пленках ЦТС - РЮХ за счет закрепления доменных стенок на наноразмерных включениях оксида свинца происходит уменьшение значений диэлектрической проницаемости, рост коэрцитивных полей переключения и сужение петель емкостного гистерезиса вольтфарадных характеристик.

4. Высокие значения диэлектрической проницаемости композитных пленок и термостабильность конденсаторных структур на их основе достигаются при определенной концентрации субмикронного сегнетоэлектрического порошка ЦТСНВ-1 в полимерной матрице полибензоксазола.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на конференциях и молодежных научных школах:

16-ой Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Зеленоград,

2009 г.); The Second Nanotechnology International Forum "Rusnanotech - 09" (Moskow, 2009); Первой Всероссийской конференции «Золь-гель 2010» (Санкт-Петербург, 2010 г.); Международной научно-технической конференции «Вакуумная техника и технология - 2010» (Санкт-Петербург,

2010 г.); The Third International Competition of Scientific Papers in Nanotechnology for Young Researchers - Nanotechnology International Forum (Moskow, 2010); Российской конференции - научной школе молодых ученых «Новые материалы для малой энергетики и экологии. Проблемы и решения» (Санкт-Петербург, 2011 г.); Научно-молодежных школах "Физика и технология микро- и наносистем" (Санкт-Петербург, 2009 - 2011 гг.); Научно-технических конференциях, посвященных Дню Радио (Санкт-Петербург, 2009 - 2011 гг.); Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ (Санкт-Петербург, 2007-2012 гг.).

Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в 9 научных работах, среди которых 3 статьи - в изданиях, рекомендованных в действующем перечне ВАК, 1 статья - в другом издании, 4 работы - в материалах и трудах международных и всероссийских научно-технических конференций, 1 патент на изобретение.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 149 наименований. Работа изложена на 150 страницах машинописного текста, включает 61 рисунок и 8 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Чигирев, Дмитрий Алексеевич

Основные результаты представленной диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Показано, что применение адгезионного подслоя оксида титана взамен титановой пленки позволяет уменьшить удельное сопротивление платиновых пленок и шероховатость их поверхности, а также повысить термоустойчивость нижнего платинового электрода до 660°С.

2. Установлено, что приложение электрического поля в процессе нанесения пленок платины методом ионно-плазменного распыления приводит к увеличению скорости роста платиновых пленок с мелкозернистой разупорядоченной структурой вследствие воздействия пондеромоторных сил на атомы платины в процессе осаждения.

3. Показано, что после термообработки при температуре выше 580 °С тонкие пленки ЦТС представляют собой гетерофазную поликристаллическую систему ЦТС - РЮХ и характеризуются уменьшением как степени текстурированности в направлении (110), так и микрошероховатости их поверхности.

4. В гетерофазной пленке ЦТС - РЮХ за счет закрепления доменных стенок на наноразмерных включениях оксида свинца происходит уменьшение значений диэлектрической проницаемости, рост коэрцитивных полей переключения и существенное сужение петель емкостного гистерезиса вольтфарадных характеристик.

5. Установлено, что золь-гель метод не обеспечивает формирования бездефектных пленочных композитов с высоким содержанием сегнетоэлектрического наполнителя. Предложен новый комбинированный метод создания композитных пленок, включающий методы золь-гель технологии и электрофореза, который позволил сформировать работоспособные конденсаторные структуры.

6. Показано, что с увеличением количества слоев титаната бария в композитных пленках, полученных комбинированным методом, происходит рост значений диэлектрической проницаемости. Композитные пленки ВаТЮ3 - 8Ю2 являются линейным диэлектриком, а ВаТЮз - ТЮ2 проявляют свойства структуры сегнетоэлектрик - полупроводник.

7. Методом седиментации получены композитные пленки ЦТСНВ-1 -полимер, обладающие сегнетоэлектрическими свойствами и характеризующиеся высокими значениями диэлектрической проницаемости, которая оказывается стабильной при изменении температуры. Подана заявка на получение патента РФ.

8. Показано, что гетерофазные пленки ЦТС - РЬОх могут быть использованы в управляемых электрическим полем конденсаторах (низкочастотных варикондах), а также в быстродействующих СВЧ -устройствах, работающих в импульсном режиме.

9. Разработан адаптивный газовый сенсор на основе структуры сегнетоэлектрик - полупроводник и показана его работоспособность. Получен патент РФ на изобретение «Датчик газового анализа и система газового анализа с его использованием»

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Чигирев, Дмитрий Алексеевич, 2012 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Scott, J.F. Applications of modem ferroelectrics / J.F. Scott // Science. - 2007. -Vol. 315, № 5814. - P. 954-959.

2. Piezoelectric and ferroelectric films for microelectronic applications / T.L. Ren [et al.] // Materials science and engineering B. - 2003. - Vol. 99, Iss. 1-3. - P. 159-163.

3. Pyroelectric ceramics and films for IR Sensors / R.W. Whatmore, R.Watton // Encyclopedia of materials: science and technology (second edition). - 2001. - P. 7924-7932.

4. Takezoe, H. Ferroelectric, antiferroelectric, and ferrielectric liquid crystals: applications / H. Takezoe // Encyclopedia of materials: science and technology (second edition). - 2001. - P. 3063-3074.

5. Baomin, X. Ferroelectric and antiferroelectric films for microelectromechanical systems applications / X. Baomin, L.E. Cross, J.J. Bernstein // Thin solid films. -2000. - Vol. 377-378. - P. 712-718

6. Dawber, M. Physics of thin-film ferroelectric oxides / M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott // Review of modern physics. - 2005. - Vol. 77. - P. 1083-1130.

7. Технология, свойства и применение сегнетоэлектрических пленок и структур на их основе / А.Г. Алтынников [и др.]. - СПб.: ООО «Техномедиа». Изд-во «Элмор», 2007. - 248 с.

8. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г.А. Смоленский [и др.]. - JI. : Наука, 1985.-396 с.

9. Барфут, Д. Полярные диэлектрики и их применение / Д. Барфут, Д. Тейлор. -М.: Мир, 1981.-526 с.

10. Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. - М.: Мир, 1981.-736 с.

11. Рез, И.С. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике / И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. - М.: Радио и связь, 1989. - 288 с.

12. Окадзаки, К. Технология керамических диэлектриков / К. Окадзаки. - М. : Энергия, 1976. - 336 с.

13. Новик, В.К. Пироэлектрические преобразователи / В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова, Н.Б. Фельдман. - М.: Советское Радио, 1979. - 176 с.

14. Пьезоэлектрическое приборостроение / Под ред. А.В. Гориша [и др.]. -Т.1. Физика сегнетоэлектрической керамики. -М.: ИПРЖР, 1999. - 368 с.

15. Thickness Dependence of the Electrical Properties for PZT Films / H.J. Joo [et al.] // Journal of the Korean physical society. - 1999. - Vol. 35. - P. 1172-1175

16. Metal-organic chemical vapor deposition of Pb(Zrx,Tii_x)03 thin films for high-density ferroelectric random access memory application / J.K. Lee [et al.] // Journal of Semiconductor Technology and Science. - 2002. - Vol. 2, №3. - P. 205-212.

17. Imprint testing of ferroelectric capacitors used for non-volatile memories / R. Dat [et al.] // Integrated Ferroelectrics. - 1994. - Vol. 5. - P. 275-286.

18. Lee, J. Imprint of (Pb,La)(Zr,Ti)03 thin films with various crystalline qualities / J. Lee, R. Ramesh // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 68. - P. 484^186.

19. Imprint in ferroelectric capacitors / W.L. Warren [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. -1996. - Vol. 35. - P. 1521-1524.

20. Imprint in ferroelectric Pb(Zr,Ti)C>3 thin films with thin SrRuCb layers at the electrodes / M. Grossmann [et al.] // Integrated Ferroelectrics. - 2001. - Vol. 37. -P. 205-214.

21. Maiwa, H. Fatigue and refreshment of (Pb,La)Ti03 thin films by multiple cathode sputtering / H. Maiwa, N. Ishinose, K. Okazaki // Jpn. J. Appl. Phys. -1994. - Vol. 33, № 9B. - P. 5240-5243.

22. Relationships among ferroelectric fatigue, electronic charge trapping, defect-dipoles, and oxygen vacancies in perovskite oxides / W.L. Warren [et al.] // Integrated Ferroelectrics. - 1997. - Vol. 16. - P. 77-86.

23. Structural, micro structural and electrical properties comparison of PZT films deposited on different bottom electrodes / C. Soyer [et al.] // Integrated Ferroelectrics. - 2006. - Vol. 80. - P. 237-243.

24. Формирование и исследование свойств пленок цирконата титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В.П. Афанасьев [и др.] // ФТТ. - 1994. - Т.36, В.6. - С. 1657-1665.

25. Chena, Y. Effects of chemical stability of platinum / lead zirconate titanate and iridium oxide / lead zirconate titanate interfaces on ferroelectric thin film switching reliability / Y. Chena, P.C. Mclntyre // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 91. - P. 232906-1-232906-3.

26. Глинчук, М.Д. Свойства тонкой пленки сегнетоэлектрика при учете электродов / М.Д. Глинчук, В .Я. Зауличный, В.А. Стефанович // ФТТ. - 2008. -Т. 50, В. 3.-С. 455^60.

27. Gruverman, A. Nanoscale observation of photoinduced domain pinning and investigation of imprint behavior in ferroelectric thin films / A. Gruverman [et al.] // J. Appl. Phys. - 2002. - Vol. 92, №5. - P. 2734-2739.

28. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца / В.П. Афанасьев [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2001. - Т. 27, № 11. - С. 56-63.

29. Влияние механических напряжений на диэлектрический отклик тонких сегнетоэлектрических пленок PZT / Р.А. Лалетин [и др.] // ФТТ. - 2006. - Т. 46, В. 6.-С. 1109-1110.

30. Вклад механических напряжений в самополяризацию тонких сегнетоэлектрических пленок / И.П. Пронин [и др.] // ФТТ. - 2003. - Т. 45, № 9.-С. 1685-1690.

31. Preparation of c-axis oriented PbTi03 thin films and their crystallographic, dielectric, and pyroelectric properties / K. Iijima [et al.] // J. Appl. Phys. - 1986. -Vol. 60, № l.-P. 361-367.

32. Сигов, A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А.С. Сигов // Соросовский образовательный журнал. - 1996. - № 10. - С. 83-91.

33. Физика активных диэлектриков: учебное пособие / под ред. проф. Сахненко В.П. / Поплавко Ю.М., Переверзева Л.П., Раевский И.П. - Ростов н/Д: Изд-во ЮФУ, 2009. - 480 с

34. Paz de Araujo, С.А. Integrated ferroelectrics / C.A. Paz de Araujo, G.W. Taylor // Ferroelectrics. - 1991. - Vol. 116. - P. 215-228.

35. Properties of sputter and sol-gel deposited PZT thin films for sensor and actuator applications: preparation, stress and space charge distribution, self poling / G. Gerlach [et al.] // Ferroelectrics. - 1999. - Vol. 230. - P. 109-114.

36. Afanasjev, V.P. Multilayer ferroelectric semiconductor structures for controlled sensors with memory / V.P. Afanasjev, G.P. Kramar // Ferroelectrics. -1993.-V. 143.-P. 299-304.

37. Synthesis of ferroelectric thin films via metallo- organic decomposition / J.R. Hanrahan [et al.] // Thin Solid Films. 1991. - Vol. 202, Iss. 2. - P. 235-242.

38. Wang, Z.J. Microstructure and electrical properties of lanthanum nickel oxide thin films deposited by metallo-organic decomposition method / Z.J. Wang, T. Kumagai, H. Kokawa // Journal of Crystal Growth. - 2006. - Vol. 290, Iss. 1. - P. 161-165.

39. Dielectric properties of epitaxial BaTi03 thin films / B.H. Hoerman [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 73. - P. 2248-2250.

40. Dielectric relaxation of Вао^ГоДЮз thin films from 1 mHz to 20 GHz / J.D. Baniecki [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72. - P.498-500.

41. Schwarzkopf, J. Epitaxial growth of ferroelectric oxide films / J. Schwarzkopf, R. Fornari // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 2006. -Vol. 52, Iss. 3.-P. 159-212.

42. Metal-organic chemical vapor deposition of Pb(Zrx,Tii_x)03 thin films for high-density ferroelectric random access memory application / J.K. Lee [et al.] // Journal of Semiconductor Technology and Science. - 2002. - Vol. 2, №3. - P. 205-212.

43. Preparation of ferroelectric Pb(Zr0.5,Ti0.5)O3 thin films by sol-gel process: dielectric and ferroelectric properties / R. Thomas [et al.] // Materials Letters. -2003. - Vol. 57, Iss. 13-14. - P. 2007-2014.

44. Alguero, M. The effect of film thickness on the ferroelectric properties of solgel prepared lanthanum modified lead titanate thin films / M. Alguero, M.L. Calzada, L. Pardo // Journal of the European Ceramic Society. - 1999. -Vol. 19, Iss. 6-7.-P. 1481-1484.

45. Crystallization and electrical characteristics of ferroelectric Bi3.i5Ndo.85Ti3Oi2 thin films prepared by a sol-gel process / Y. Qiao [et al.] // Physica B: Condensed Matter. - 2008. - Vol. 403, Iss. 13-16. - P. 2488-2494.

46. Influence of the sol-gel growth parameters on the optical and structural properties on LiNb03 samples / M.P.F. Gra?a [et al.] // Materials Science and Engineering: C. 2007. - Vol. 27, Iss. 5-8. - P. 1065-1068.

47. Tsuchiya, K. Development of RF magnetron sputtering method to fabricate PZT thin film actuator / K. Tsuchiya, T. Kitagawa, E. Nakamachi // Precision Engineering. - 2003. - Vol. 27, Iss. 3. - P. 258-264.

48. Kanno, I. Measurement of transverse piezoelectric properties of PZT thin films / I. Kanno, H. Kotera, K. Wasa // Sensors and Actuators A: Physical. - 2003. -Vol. 107, Iss. l.-P. 68-74.

49. Characterization of ferroelectric and piezoelectric properties of lead titanate thin films deposited on Si by sputtering / B. Jaber [et al.] // Sensors and Actuators A: Physical. - 1997. - Vol. 63, Iss. 2. - P. 91-96.

50. Формирование и исследование свойств пленок цирконата титаната свинца на диэлектрических подложках с подслоем платины / В.П. Афанасьев [и др.] // ФТТ. - 1994. - Т. 36, В. 6. - С. 1657-1665.

51. Pulsed laser deposition of ferroelectric SfyBi^iyC^ thin films / S. Zhang [et al.] // Materials Letters. - 2002. - Vol. 56, Iss. 3. - P. 221-225.

52. Pulsed laser deposition of epitaxial PbZrxTil-x03 ferroelectric capacitors with LaNi03 and SrRu03 electrodes / C. Guerrero [et al.] // Applied Surface Science. - 2000. - Vol. 168, Iss. 1-4. - P. 219-222.

53. Pulsed laser deposition of ferroelectric BST thin films on perovskite substrates: an infrared characterization / L. Goux [et al.] // International Journal of Inorganic Materials.-2001.-Vol. 3, Iss. 7.-P. 839-842.

54. Krupanidhi, S.B. Recent advances in the deposition of ferroelectric thin films / S.B. Krupanidhi // Integrated Ferroelectrics. - 1992. - V. 1. - P. 161-180.

55. Ferroelectric and microstructural characteristics of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films prepared by RF magnetron sputtering / H. Chen [et al.] // Materials Science and Engineering B. - 2005. - Vol. 121, Iss. 1-2. - P. 98-102.

56. Preparation of Pb(Zr,Ti)03 thin films by RF-magnetron sputtering with single stoichiometric target: structural and electrical properties / R. Thomas [et al.] // Thin Solid Films. - 2002. - Vol. 413, Iss. 1-2. - P. 65-75.

57. Effects of adhesion layer (Ti or Zr) and Pt deposition temperature on the properties of PZT thin films deposited by RF magnetron sputtering / C.C. Mardare [et al.] // Applied Surface Science. - 2005. - Vol. 243, Iss. 1-4. - P. 113-124.

58. Polarization and self-polarization in PZT thin films / V.P. Afanasjev [et al.] // Journal Phys.: Condensed Matter. - 2001. - V. 13. - P. 8755-8763.

59. Growth of (211) BaTi03 thin films on Pt-coated Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering / Q.X. Su [et al.] // Thin Solid Films. - 1997. -Vol. 305, Iss. 1-2. - P. 227-231.

60. Влияние условий формирования тонкопленочной системы диэлектрическая подложка-платина-цирконат-титанат свинца на структуру, состав и свойства пленок цирконата-титаната свинца / В.П. Афанасьев [и др.] // ЖТФ. - 1996. - Т. 66, В. 6. - С. 160-169.

61. Synthesis of barium titanate nanopowder by a soft chemical process / S. Ghosh [et al] // Materials Letters. - 2007. - Vol. 61, Iss. 2. - P. 538-541.

62. Characterization of BiFe03 nanopowder obtained by mechanochemical synthesis / I. Szafraniak [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. -2007. - Vol. 27, Iss. 13-15. - P. 4399-4402.

63. Синтез порошков BaTi03 разной дисперсности путем обменных реакций в расплавах солей / В.А. Жабрев [и др.] // Физика и химия стекла. - 2008. - Т. 34, № 1.-С. 116-123.

64. Mackenzie, J.D. Chemical routes in the synthesis of nanomaterials using the sol-gel process / J.D. Mackenzie, E. P. Becher // Accounts of Chemical Research. -2007. - V. 40, №9.-P. 810-817.

65. Blue-shift and intensity enhancement of photoluminescence in lead-zirconate-titanate-doped silica nanocomposites / S.G.Lu [et al.] // Nanotechnology. - 2008. -V. 19.-P. 1-4.

66. Divya, P.V. Crystallization studies and properties of (Bai.x Srx)Ti03 in borosilicate glass / P.V. Divya, V. Kumarw // J. Am. Ceram. Soc. - 2007. - V.90, № 2. - P. 472-476.

67. Lynch, S.M. Crystal clamping in lead titanate glass-ceramics / S.M. Lynch, J.E. Shelby // J. Am. Ceram. Soc. - 1984. - V.67. - P. 424-427.

68. Shrout, T.R. Dielectric and piezoelectric properties of Pbi.xBaxNb206 ferroelectric tungsten bronze crystals / T.R Shrout, H.Chen, L.E. Cross // Ferroelectr. Lett. Sect. - 1984. - V.2. - P. 123-127.

69. Dielectric spectroscopy of BaTi03 confined in MCM-41 mesoporous molecular sieve materials / M. Kinka [et al.] // J. Phys. IV France. - 2005. - V. 128.-P. 81-85.

70. Large frequency dependence of lowered maximum dielectric constant temperature of LiTa03 nanocrystals dispersed in mesoporous silicate / S. Kohiki [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2003. - V. 82, №. 239. - P. 4134-4136.

71. Quantum-confinement effects on the optical and dielectric properties for mesocrystals of BaTi03 and SrBi2Ta209 / S. Kohiki [et al.] // J. Appl. Phys. -2000.-V. 87.-P. 474.

72. Response to "Comment on 'Quantum-confinement effects on the optical and dielectric properties for mesocrystals of BaTi03 and SrBi2Ta209'" / S. Kohiki [et al.] // J. Appl. Phys. - 2000. - V. 88. - P. 6093.

73. Optical and dielectric properties of quantum-confined SrBi2Ta209 mesocrystals / H. Higashijima [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 75. - P. 3189.

74. Дубов, П.Л. Кластеры и матрично-изолированные кластерные сверхструктуры / П.Л. Дубов, Д.В. Корольков, В.П. Петрановский. - СПб. : Изд-во СПбГУ, 1995. - 191 с.

75. Теплопроводность нового типа сред - нанокомпозитов с правильной структурой: PbSe в порах опала / Л.И. Арутюнян [и др.] // ФТТ. - 1997. - Т. 39, №3.-С. 586-590.

76. Dias, С J. Piezo- and pyroelectricity in ferroelectric ceramic-polymer composites / C.J. Dias, D.K. Das-Gupta // Key Engineering Materials. - 1994. - V. 92-93.-P. 217-248.

77. Ploss, B. Improving the pyroelectric coefficient of ceramic/polymer composite by doping the polymer matrix / B. Ploss, S. Kopf // Ferroelectrics. - 2006. - V. 338.-P. 145-151.

78. Pyroelectric or piezoelectric compensated ferroelectric composites / B. Ploss [et al.] // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76. - P. 2776-2778.

79. Ploss, B. Doped Polymers as Matrix Materials for Ferroelectric Composites /

B. Ploss, M. Krause // Ferroelectrics. - 2007. - V. 358. - P. 77-84.

80. Mechanical and thermal properties of organic / norganic hybrid coatings / M.A. Robertson [et al.] // J. Sol-Gel Sci. Techn. - 2003. - V. 26, № 1-3. - P. 291-295.

81. Лайнс, M. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс,-М. : Мир, 1981.-736 с.

82. Processing and electrical properties of Pb(ZrxTii_x)03 (x = 0,2-0,75) films: comparison of metal-organic decomposition and sol-gel processes / M. Klee [et al.] // J. Appl. Phys. - 1992. - V. 72, № 4. - P. 1566-1576.

83. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir(Pt)/PZT(PZT/PT)/Ir / В.П. Афанасьев [и др.] // ФТТ. - 2006. - Т. 48, № 6. -

C. 1130-1134.

84. Афанасьев, В.П. Наноструктурированные гетерофазные тонкие пленки цирконата-титаната свинца / В. П. Афанасьев, А. А. Петров // ФТТ. - 2009. -Т. 51, №7.-С. 1263-1267.

85. Афанасьев, П.В. Состав и структура пленок ЦТС, полученных распылением нестехиометрических мишеней / П.В. Афанасьев // Тез. докл. Восьмая всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 22-24 апреля 2001 -М.: МИЭТ, 2001. - С. 41.

86. Особенности поведения конденсаторных структур на основе пленок цирконата-титаната свинца с избытком оксида свинца / В.П. Афанасьев [и др.]//Письмав ЖТФ.-2001.-Т. 27, № 11.-С. 56-63.

87. Polla, D.L. Microelectromechanical systems based ferroelectric thin films / D.L. Polla [et al.] // Microelectronic Engineering. - 1995. - Vol. 29. - P. 51-58.

88. Whatmore, R.W. Ferroelectrics, microsystems and nanotechnology / R.W. Whatmore // Ferroelectrics. - 1999. - V. 225. - P. 179-192.

89. Извозчиков, B.A. Фотопроводящие окислы свинца в электронике / В.А. Извозчиков, О.А. Тимофеев - JL: Энергия, 1979. - 143 с.

90. Золь-гель пленки ТЮг: технология, микроструктурные, оптические и фотоэлектрические свойства / Д.А. Чигирев [и др.] // Тез. докл. Первая Всеросс. конф. «Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем», Санкт-Петербург, 22-24 ноября 2010. - СПб.: Изд-во «ЛЕМА», 2010. -С. 48-49.

91. Грачева, И. Е. Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров: дис. кан. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Грачева Ирина Евгеньевна. - Санкт-Петербург, 2009. - 231 с.

92. Ефимов, И.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие для вузов / И.Е. Ефимов, И .Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. - М.: Высш. шк., 1986. - 416 с.

93. Коледенко, Е.А. Технология лабораторного эксперимента: Справ. / Е.А.-Коледенко. - СПб. : Политехника, 1994. - 751 с.

94. Study of polarization switching in PZT films with Ru02 electrodes by conducting atomic force microscopy / B. Wang [et al.] // Materials Characterization. - 2002. - Vol. 48, Iss. 2-3. - P. 249-253.

95. Phase evolution of sol-gel prepared Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films deposited on Ir02/Ti02/Si02/Si / D. Van Genechten [et al.] // Thin Solid Films. - 2004. - Vol. 467, Iss. 1-2.-P. 104-111.

96. Lee, К. B. Improvement by surface modification of Ir electrode-barrier for Pb(Zr,Ti)03-based high-density nonvolatile ferroelectric memories / K.B. Lee, S.B. Desu // Current Applied Physics. - 2001. - Vol. 1, Iss. 4-5. - P. 379-384.

97. Ferroelectric properties of Au/Bi3.25La0.75Ti3Oi2/ITO thin film capacitors deposited under different partial oxygen pressures / J. Рак [et al.] // Ceramics International. -2004. - Vol. 30, Iss. 7. - P. 1553-1556.

98. Lo, V.C. Deep level transient spectroscopy of lead zirconate titanate grown on Lao.5Sro.5Co03/LaA103 substrate / V.C. Lo, K.H. Wong, K.S. So // Thin Solid Films. - 2004. - Vol. 458, Iss. 1-2. - P. 336-343.

99. Structural and electrical properties of Pb(Zr0.53Tio.47)03 films prepared on La0.5Sr0.5CoO3 coated Si substrates / F. Chen [et al.] // Journal of the European Ceramic Society. - 2010. - Vol. 30, Iss. 2. - P. 453-457.

100. Aidam, R. Growth and characterization of Pb(Zr,Ti)03 thin films and ferroelectric polarization charging of YBa2Cu307 thin films / R. Aidam, R. Schneider//Thin Solid Films.-2001.-Vol. 384, Iss. l.-P. 1-14.

101. Миронов, В.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии: учеб. пособие для студентов старших курсов вузов / В.Л. Миронов. - Нижний Новгород: изд-во ин-та физики микроструктур РАН. - 2004. - 114 с.

102. Бухарев, А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор) / А.А. Бухарев, Д.В. Овчинников // Заводская лаборатория. - 1996. - № 5. - С. 10-27.

103. Афанасьев, A.M. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев / A.M. Афанасьев, А.П. Александров, P.M. Имамов. - М.: Наука. -1989.- 152 с.

104. Лиопо, В.А. Рентгеновская дифрактометрия: Учеб. пособие / В.А. Лиопо, В.В. Война. - Гродно: ГрГУ. - 2003. - 171 с.

105. Эгертон, Р.Ф. Физические принципы электронной микроскопии: введение в просвечивающую, растровую и аналитическую электронную микроскопию (пер. с англ.) / Р.Ф. Эгертон, С.А. Иванов. - М.: Техносфера. -2010.-300 с.

106. Study of platinum thin films deposited by MOCVD as electrodes for oxide applications / P. Valet [et al.] // Microelectronic Engineering. - 2002. - Vol. 64, Iss. 1-4. - P. 457-463

107. Афанасьев, П.В. Технология формирования платиновых электродов для субмикронных конденсаторных структур с сегнетоэлектрическими пленками ЦТС / П. В. Афанасьев, Н.М .Коровкина // Вакуумная техника и технология. - 2006. - Т. 16, В. 3. - С. 215-219.

108. Воротилов, К.А. Особенности формирования кристаллической структуры цирконата-титаната свинца в системах Si-Si02-Ti(Ti02)-Pt-Pb(ZrxTi1-x)03 / К.А. Воротилов [и др.] // ФТТ. - 2009. -Т. 51, В. 7.- С. 1268-1271.

109. Особенности окисления субмикрокристаллического титана при нагревании на воздухе/ A.B. Коршунов [и д.р.] // Известия Томского политех, ун-та.-2011.-Т. 319, №3.-С. 10-16.

110. Афанасьев, П.В. Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями: дис. кан. техн. наук : 05.27.01 / Афанасьев Петр Валентинович. - Санкт-Петербург, 2006. - 133 с.

111. Чигирев, Д.А. Морфология платиновых электродов для тонкопленочных конденсаторов с наноструктурированными сегнетоэлектрическими слоями / Д. А. Чигирев // Сб. тр. II Всеросс. школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Наноматериалы», Рязань, 22 - 25 сентября 2009. - Рязань: РГРТУ, 2009. - Т. 2. - С. 14-19.

112. Пщелко, Н.С. Использование электрического поля для повышения адгезии электропроводящих пленок к диэлектрическим подложкам при

вакуумном нанесении / Н.С. Пщелко // Вакуумная техника и технология. -2010.-Т. 20, В. 1.-С. 31-36.

113. Пщелко, Н.С. Поляризация приповерхностных слоев ионных диэлектриков на границе электроадгезионного контакта с проводником /Н.С. Пщелко // Цветные металлы. - 2005. - № 9. - С. 44-50.

114. Чигирев, Д.А. Особенности свойств пленок платины при осаждении со смещением / Д.А. Чигирев, Н.С. Пщелко // Тр. 65-я науч.-технич. конф., посвященной Дню радио. Санкт-Петербург, 20 - 27 апреля 2010. - Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2010. - С. 283-284.

115. Влияние постоянного электрического поля на процесс осаждения тонких пленок платины методом ионно-плазменного распыления / Д.А. Чигирев [и др.] // Известия вузов России. Радиоэлектроника. - 2010. - В. 6. - С. 59-65.

116. Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/Si02/Pt / И.П. Пронин [и др.] // ФТТ. - 2010. -Т. 52, № 1.-С. 124-128.

117. Sol-gel film structures based on titanate ferroelectric nanoparticles / D.A. Chigirev [et. al.]// Proceedings International IEEE Conference - Eurocon 2009. -IEEE Catalog Number CFP09EUR-CDR, 2009. - P. 1254-1257.

118. Основы золь-гель технологии нанокомпозитов. 2-ое изд. / А.И. Максимов [и др.]. - СПб.: ООО «Техномедиа» / Изд-во «Элмор». - 2008. -225 с.

119. Шилова, O.A. Наноразмерные пленки, получаемые из золей на основе тетраэтоксисилана, и их применение в планарной технологии изготовления полупроводниковых газовых сенсоров / О.А.Шилова // Физика и химия стекла. - 2005. - Т. 31, № 2. - С. 270-294.

120. Суйковская, Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н. В. Суйковская. - Л.: Химия. - 1971. - 200 с.

121. Шредер, X. Осаждение окисных слоев из органических растворов / X. Шредер // ФТТ. - 1972. - Т. 5. - С. 84-139.

122. González, J.A.E. Structural and optoelectronic characterization of TÍO2 films prepared using the sol-gel technique / J.A.E. González, S.G. Santiago // Semicond. Sci. Technol. - 2007. - Vol. 2. - P. 709-716.

123. Технология и свойства силикатных золь-гель пленок для сегнетоэлектрических нанокомпозитов. / Д.А. Чигирев [и др.] // Тез. докл. 64-я научно-техническая конф., посвященная Дню радио. Санкт-Петербург, 1929 апреля 2009. - СПб.:Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009. - С. 173

124. Гончаров, В.Д. Применение ультразвуковой технологии при производстве наноматериалов / В.Д. Гончаров, А.А. Новик // Сб. тр. XXII Сессия Российского акустического общества, сессия научного совета РАН по акустике, Москва, 15-17 июня 2010. - 2010 - С. 49-51

125. Маркус, П. Дисперсия и деагломерация наночастиц в водных растворах / П. Маркус, Ш. Хелмар //- 2004, URL:

126. Дейнега, Ю.Ф. Электрофоретические композиционные покрытия / Ю.Ф. Дейнега, З.Р. Ульберг. - М.: Химия. - 1989. - 237 с.

127. Электрофорез в золь-гель технологии формирования гетерофазных покрытий / С.В. Хашковский [и др.] // Тез. докл. Первая Всеросс. конф. «Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем», Санкт-Петербург, 22-24 ноября 2010 г. - СПб.: Изд-во «JIEMA», 2010. - С. 47.

128. Electrophoretic deposition -mechanisms, myths, and materials / Y. Fukada [et al.] // J. Mater. Sci. - 2004. - Vol. 39. - P. 787-801.

129. Чигирев Д.А. Технология и свойства сегнетоэлектрических пленок, полученных ВЧ магнетронным распылением керамической мишени ЦТСНВ-1. // Тез. докл. 16-я Всеросс. межвуз. научно-технич. конф. студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 22 - 24 апреля 2009. - М.: МИЭТ, 2009. - С. 69.

130. Чигирев Д.А. Исследование нелинейных свойств пленок ЦТС, полученных при различных условиях формирования сегнетоэлектрической фазы: Тез. докл. 12-я научная молодежная школа по твердотельной

электронике "Физика и технология микро- и наносистем", Санкт-Петербург, 10-11 октября 2009, - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009. - С. 75-76. 131.Чигирев, Д.А. Влияние термообработки на свойства тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных методом ВЧ магнетронного распыления / В.П. Афанасьев, Н.В. Мухин, Д.А. Чигирев // Известия вузов России. Радиоэлектроника. - 2011. - №6. - С. 79-84

132. Чигирев, Д.А. Влияние адгезионного подслоя титана (оксида титана) нижнего платинового электрода на условия формирования сегнетоэлектрических пленок ЦТС / Д.А. Чигирев, И.Д. Жабрев // Тез. докл. 66-я научно-техническая конф., посвященная Дню радио, Санкт-Петербург, 19 - 29 апреля 2011. - СПб.: Изд-во «АльфаГарант». - 2011. - С. 321-323.

133. Виноградов, А.П. Электродинамика композитных материалов / А.П. Виноградов. - М.: Эдитореал УРСС, 2001.- 208 с.

134. Пономаренко, А.Т. Диэлектрические свойства полимерных композитов с сегнетоэлектрическими наполнителями / А.Т. Пономаренко, В.Г. Шевченко, В.В. Чмырева // Сбор, матер. XI международный научно-практический семинар: Физика волокнистых материалов: структура, свойства, наукоемкие технологии и материалы, Иваново, 26 - 27 мая 2008 г. - Иваново: ИГТА. -2008 .-С. 14-22.

135. Справочник по электротехническим материалам. Том 3. Под ред. Ю. В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. - Т. 3. - 3-е изд., перераб. - Л.: Энергоатомиздат, 1988. - 728 с.

136. Яффе, Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика / Б. Яффе, У. Кук, Г. Яффе. - М.: Мир, 1974. - 289 с

137. Дедык, А.И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция / А.И. Дедык, Л.Т. Тер-Мартиросян // ФТТ. - 1998. - Т. 40, В. 2. - С. 245-247.

138. Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах / А.Б. Козырев [и др.] // Письма в ЖТФ. - 2009. - Т. 35, В. 13. - С. 1-7.

139. Козырев, А.Б. Время переключения планарных сегнетоэлектрических конденсаторов на основе пленок титаната стронции и татаната-бария стронция / А.Б. Козырев, О.И. Солдатенков, А.В. Иванов // Письма в ЖТФ. -1998.-Т. 24, В. 19.-С. 19-25.

140. Afanasjev, V.P. The functional possibilities of ferroelectric-semiconductor structure / V.P. Afanasjev, G.P. Kramar, E.V. Minina // Ferroelectrics. - 1988. -V. 87.-P. 197-204.

141. Ferroelectric-semiconductor thin film structures for biological UV-dose measurements / V.P. Afanasjev, A.V. Pankrashkin, G. Suchaneck // Proceeding of international conference "Sensors & systems", V.l. СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2002. - С.52-56.

142. Фрайден, Дж. Современные датчики. Справочник. / Дж. Фрайден. -М.Техносфера. - 2005. - 587 с.

143. Зятьков, И.И. Сенсоры на основе полевых транзисторов: Учеб. пособие. / И.И. Зятьков, А.И. Максимов, В.А. Мошников. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ». - 2002. - 56 с.

144. Технология и свойства золь-гель пленок диоксида олова в структурах с сегнетоэлектрическими слоями / Д.А. Чигирев [и др.] // Тез. докл. Первая Всеросс. конф. «Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем», Санкт-Петербург, 22 - 24 ноября 2010. - СПб.: Изд-во «ЛЕМА». - 2010. -С. 18.

145. Многослойные тонкопленочные структуры сегнетоэлектрик-полупроводник для элементов памяти и адаптивных газоанализаторов / Д.А. Чигирев [и др.] // Сб. тр. VII Междунар. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб., 28 июня - 1 июля 2010. -СПб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2010. - С. 387-388.

146. Исследование многослойных нанокомпозиций на основе гетерофазных тонких пленок Pb(ZrxTii_x)03 и Sn02 / Д.А. Чигирев [и др.] // Матер. Всеросс. конф. Новые материалы и нанотехнологии в электронике СВЧ, Санкт-

Петербург, 18-20 ноября 2010. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ, 2010. - С. 137139.

147. Технология формирования нанокомпозитных материалов золь-гель методом / В.В. Петров [и др.] // Таганрог: Изд-во ТТИ ЮФУ, 2011. - 156 с.

148. Автоматизированная установка для измерения газочувствительности сенсоров на основе полупроводниковых нанокомпозитов / И.Е. Грачева [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - № 3. - С. 143-146.

149. Датчик газового анализа и система газового анализа с его использованием: пат. Рос. Федерация: МПК G01N027/12 Афанасьев В.П., Афанасьев П.В., Грачева И.Е., Мошников В.А., Чигирев Д.А.; заявитель и патентообладатель СПбГЭТУ. - № 2010100049/28; заявл 11.01.2010; выд. 27.02.2011.