Процессы формирования пьезокерамических микроструктур на поверхности монокристаллического кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Дайнеко, Андрей Владимирович

• Дайнеко, Андрей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дайнеко, Андрей Владимирович

Введение.

Глава 1. Пьезокерамические структуры с микроэлектронными устройствами.

1.1. Общая характеристика пьезоэлектрических элементов.

1.2. Аналитические исследования в области материаловедения пленочных структур сегнето - и пьезоэлектриков.

1.3. Ионно-плазменное напыление сегнетоэлектрических пленок, общая характеристика магнетронного метода нанесения покрытий.

1.4. Постановка задачи исследований.

Глава 2. Математическое моделирование.

2.1. Сопоставление результатов эксперимента с результатами расчетов и математического моделирования.

2.2. Конечно-Элементный Анализ.

2.3. Результаты.

Глава 3. Методы и условия формирования сегнетоэлектрических пленок для сверхминиатюрных элементов.

3.1. Основные параметры материала мишени ЦТС.

3.2. Эффект молекулярного (кластерного) массопереноса в технологическом процессе получения тестовых пленочных структур сегнето- и Пьезоэлектриков.

3.3. Режимы формирования сегнетоэлектрических пленок.

3.4. Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки твердых растворов цирконата титаната свинца.

Глава 4. Исследования гетероструктур тонких пленок.

4.1. Методики измерений.

4.1.1. Методика определения профиля распределения элементов в плёнках с использованием Оже-спектроскопии.

4.1.2. Методы рентгеновского анализа.

4.1.3. Методика измерений диэлектрического гистерезиса.

4.1.4. Атомно-силовая микроскопия.

4.1.5. Электронная микроскопия.

4.2. Исследование лабораторных образцов тонких сегнетоэлектрических пленок твердых растворов ЦТС и наногетерогенных структур металл -сегнетоэлектрик - металл.

4.2.1. Результаты рентгеноструктурных (рентгенофазовых) исследования сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

4.2.2. Определение состава сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

4.2.3. Исследование профиля распределения элементов в сверхтонких сегнетоэлектрических пленках ЦТС.

4.2.4. Исследование поверхностей сверхтонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС.

4.2.5. Исследование петель гистерезиса пленок ЦТС.

Глава 5. Формирование микроструктур на основе пленок ЦТС.

5.1. Технология получения пьезоэлектрических тонких пленок.

5.2. Изготовление тонкопленочных пьезокерамических элементов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Процессы формирования пьезокерамических микроструктур на поверхности монокристаллического кремния»

Актуальность работы.

Разработку новых материалов и технологий их получения и обработки в настоящее время общепризнанно относят к так называемым «ключевым» или «критическим» аспектам основы экономической мощи и обороноспособности государства. Одним из приоритетных направлений развития современного физического материаловедения являются наноматериалы и нанотехнологии.

В последнее десятилетие в электронике к активно изучаемым и разрабатываемым функциональным слоям добавились сегнетоэлектрические. Сегнетоэлектрики - это вещества, кристаллическая структура которых допускает существование в некотором диапазоне температур и давлений спонтанной электрической поляризации (отличного от нуля результирующего дипольного момента единицы объема образца), модуль и пространственная ориентация которой могут быть изменены под действием внешнего электрического поля. Помимо электрически переключаемой спонтанной поляризации, сегнетоэлектрики обладают целым спектром полезных для приложений физических свойств, среди которых особенно выделяются высокая, резко анизотропная и зависящая от внешнего электрического поля диэлектрическая проницаемость, прямой и обратный пьезоэлектрический, а также пироэлектрический эффекты.

Эти свойства сегнетоэлектрических пленок находят применение при создании устройств энергонезависимой памяти, динамической памяти с произвольной выборкой, конденсаторов, микроактюаторов и микрореле, приемников инфракрасного излучения, оптических процессоров, волноводов и линий задержки, приборов на поверхностных акустических волнах, разнообразных акустооптических устройств, изменяющих заданным образом спектральный состав, амплитуду и направление распространения светового сигнала.

Современные технологии микрообработки позволяют изготовлять интегральные пьезокерамические преобразователи, имеющие малые габариты и низкую цену. В настоящее время пьезокерамические преобразователи в составе интегральных микросхем (ИМС) изготавливаются трех типов: пленочные, объемные и поверхностные.

Можно выделить пять основных направлений получения плёнок сегнетоэлектрических материалов: магнетронное напыление, лазерное распыление, химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений (МОСУБ), шелкография и золь-гель метод.

Золь-гель метод дает точное управление структурой вещества и низкую температуру подложки, однако очень чувствителен к составу раствора и процесс обладает низкой повторяемостью, при этом имеет относительно низкую цену производства.

Наиболее подходящим процессом для производства сегнетоэлектрических пленок является магнетронное осаждение, обладающее рядом преимуществ и хорошо отлажено технологически. Применение этого процесса позволит встроить формирование сегнетокерамических структур в стандартный технологический процесс изготовления различных микросхем.

Таким образом, исследование процессов формирования сегнетокерамических микроструктур с заданными свойствами на поверхности монокристаллического кремния методом магнетронного осаждения является актуальной научной задачей. Цель работы:

- разработка математических моделей электроупругих структур на основе трехмерной краевой задачи, решаемой методом конечных элементов, и оценка физических характеристик необходимых при их применении в специализированных системах автоматизации производства (САПР) для микроэлектромеханических структур (МЭМС);

- исследование влияния состава мишени на формирование сегнетоэлектрических осаждаемых пленок;

- разработка физических и технологических основ процесса формирования сегнетокерамических пленок Р2Т на поверхности кремниевых пластин для МЭМС, интегрированных в технологию кремниевых приборов.

В соответствии с целью были поставлены следующие основные задачи:

- разработка модели электроупругих гетерогенных структур изделий произвольной формы;

- исследование процесса ионно-плазменного осаждения пленок сложных оксидов в зависимости от состава мишени, включая анализ процессов на поверхности мишени, транспорта распыленных частиц от мишени к подложке, процессов на растущей поверхности, состояния внутренних поверхностей напылительной камеры;

- выбор, обоснование и разработка материалов и технологии изготовления мишеней для напыления ЦТС;

- определение основных параметров режимов получения гетерострукгур пленок типа Р2Т/Р1/Т1/8102/81;

- получение и исследование гетероструктур пленок типа Р2Т/Р1ЛП/8Ю2/81; выбор и обоснование технологии напыления плёнок ЦТС на кремниевую подложку;

- разработка основ технологического процесса получения изделий МЭМС с использованием пленок типа Р2Т/Р1/П/8Ю2/81 на примере микрореле.

Научная новизна:

- проведен теоретический анализ и экспериментальные исследования режимов ионно-плазменного осаждения пленок сложных оксидов цирконата-титаната свинца;

- определены физические закономерности процессов на поверхности мишени, транспорта распыленных частиц и их связь с процессом формирования пленок;

- разработана модель электроупругих гетерогенных структур изделий произвольной формы, экспериментально подтвержденная на изделиях МЭМС в виде «микрореле»;

- разработан состав и технология изготовления мишеней для напыления пленок цирконата-титаната свинца с математическим обоснованием условий достижения однородности по составу.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в выработке и реализации технических решений:

- разработка материала и новой технологии изготовления однородных по составу мишеней для распыления пленок цирконата-титаната свинца;

- разработка основ технологии напыления пленок цирконата-титаната свинца и формирования гетерогенных структур на их основе на подложке из монокристаллического кремния;

- разработка основ технологического процесса получения изделий МЭМС с использованием пленок типа PZT/Pt/Ti/Si02/Si на примере микрореле.

Положения выносимые на защиту:

1. Модель электроупругих гетерогенных структур изделий произвольной формы, экспериментально подтвержденная на изделиях МЭМС в виде «микрореле».

2. Результаты исследования физических процессов и разработанная на их основе технология изготовления пленок типа PZT/Pt/Ti/Si02/Si для получения изделий МЭМС.

3. Состав мишеней и оптимальные режимы напыления однородных сегнетоэлектрических пленок на основе цирконата-титаната свинца. Апробация работы.

Основные результаты исследований представлены на российских и международных конференциях и симпозиумах: 16 конференция РЭМ-2009 (Черноголовка, Россия. 2009); The XXII International Conference on relaxation phenomena in solids. (Воронеж, Россия. 2010); 19 Национальная конференция по физике сегнетоэлектриков BKC-XIX (Москва, Россия. 2011); Международный междисциплинарный симпозиум «Физика межфазных границ и фазовые переходы» (МФГФП1) (Ростов-на-Дону - пос. JIoo, Россия. 2011). Публикации. По материалам диссертации опубликовано 7 печатных работ, включая две статьи в журналах списка ВАК.

Внедрение результатов работы. Результаты диссертационной работы использованы при выполнении опытно-конструкторских работ:

ОКР «Разработка базовых технологий изготовления пьезокерамических пленок и монолитных многослойных пьезокерамических элементов, совместимых с интегральной технологией микроэлектроники», 2007 - 2008 г.г.

НИОКР «Разработка и внедрение промышленной технологии сегнето-электрических пленок для микро- и наносистемной техники и изделий на их основе», 2007-2009 г.г.

ОКР «Разработка базовой технологии изготовления и конструкции радиочастотных микропереключателей, микрореле на тонких пьезоэлектрических пленках», 2008 - 2009 г.г.

НИР «Создание многослойных композиционных керамических гетероструктур на основе магнито и пьезоактивных материалов для высокоэффективных магнитоэлектрических преобразователей», 2009 -2011 г.г.

Личный вклад соискателя: Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Практическая реализация разработок осуществлена с участием сотрудников ОАО «НИИ «Элпа» (г. Зеленоград): Е.С. Горнев, В.А. Головнин, В.Г. Никифоров, А.Г. Сегала, А.Г. Итальянцев, Ю.В. Шульга. Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы и приложения. Работа содержит 142 страницы основного текста, 55 рисунков, 12 таблиц, список литературы из 123 наименований и 2 приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дайнеко, Андрей Владимирович

Основные результаты и выводы

Проведенный анализ состояния исследований и разработок показал, что все ведущие мировые фирмы разрабатывают и изготавливают изделия микро-и наносистемной техники, отличающиеся повышенными технико-экономическими показателями. Особенно это относится к созданию систем на кристалле, изготавливаемых на основе кремния и сегнетоэлектрических пленок.

В данной работе разработан способ осаждения пленок пьезокерамики с использованием метода диодного осаждения. Разработан маршрут изготовления микроакселерометра, изготавливаемого по технологии микроэлектронного производства.

Проведены комплексные исследования, включающие:

• разработку требований к качеству материала;

• разработку технологии получения пьезоэлектрических тонких пленок;

• проведение необходимых расчетов и математического моделирования;

• разработка методики экспериментальных исследований оптических и электрофизических свойств макетных образцов, подготовка макетов экспериментальных образцов, а также испытательных стендов;

• изготовление макетов, проведение экспериментов, обработка данных;

• сопоставление результатов эксперимента с результатами расчетов и математического моделирования;

Задачи, которые ставились в работе, решены в полном объеме. Как показывают испытания макетов, полученные результаты соответствуют современному научно-техническому уровню.

На основании проведенных исследований сделаны следущие выводы: 1. Показано, что методами математического моделирования можно провести модульный и гармонический анализ характеристик вибраций тонкопленочных балок на основе керамики ЦТС и спрогнозировать длительные динамические характеристики структуры.

2. На основе рентгеноструктурных исследований показано, что оптимальным температурным интервалом для напыления сегентоэлектрических пленок ЦТС со структурой типа перовскита является интервал от 570°С до 630°С, а указанные температуры могут служить реперными точками при технологическом получении этих структур.

3. Установлено, что пленки, полученные диодным напылением являются более однородными по составу, чем пленки полученные магнетронным напылением. При диодном напылении состав пленок однороден на площади диаметром до 80 мм (при диаметре пластины кремния 100 мм).

4. Показано, что при оптимальных режимах напыления элементный и фазовый состав пленок цирконата титаната свинца соответствует составу мишени. Такое соответствие имеет место на 95% толщины пленки, исключение составляет тонкая приповерхностная зона. Охлаждение подложки в процессе напыления пленки ниже оптимального температурного интервала приводит к изменению состава напыляемой пленки.

5. На основании диэлектрических и пироэлектрических исследований установлено, что полученные пленки при комнатной температуре проявляют сегнетоэлектрические свойства.

6. Разработана структура и топология конструкции семейства приборов: актюаторов, акселерометров, датчиков давления и микрореле, полученых на основе тонких пленок ЦТС.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дайнеко, Андрей Владимирович, 2011 год

1. Choi, S.-B. Piezoelectric Actuators. Control Applications of Smart Materials / S.-B. Choi, Y.-M. Han. Baco Raton : CRC Press, 2010. - 280 p.

2. Schwartz, M. Smart Materials / M. Schwartz. Baco Raton : CRC Press, 2008. -554 p.

3. Ye, Z. Handbook of Advanced Dielectric, Piezoelectric and Ferroelectric Materials Synthesis, Properties and Applications / Z. Ye Baco Raton : CRC Press, 2008. - 600 p.

4. Uchino, K. Advanced Piezoelectric Materials. Science and Technology / K. Uchino. Baco Raton : CRC Press, 2010. - 688 p.

5. Togawa, T. Biomedical Transducers and Instrumants / T. Togawa, T. Tamura, P. Ake Oberg. Baco Raton : CRC Press, 1997.-384 p.

6. Vetelino, J. Introduction to Sensors / J. Vetelino, A. Reghu. Baco Raton : CRC Press, 2010.-208 p.

7. Borboni, A. Meso- to Micro- Actuators. A Theoretical and Practical Approach / A. Borboni Baco Raton : CRC Press, 2008. - 416 p.

8. Silva, C. W. Sensors and Actuators. Control System Instrumentation / C. Silva W. -Baco Raton : CRC Press, 2007. 698 p.

9. Nam, К. H. AC Motor Control and Electrical Vehicle Applications / К. H. Nam. -Baco Raton : CRC Press, 2010.-449 p.

10. Sodano, H. A. Comparison of Piezoelectric Energy Harvesting Devices for Recharging Batteries / H. A. Sodano, D. J. Inman. // LA-UR-04-5720, Journal of Intelligent Material Systems and Structures. 2005. - Vol. 16 (10). - P. 799-807.

11. Jha, A. R. MEMS and Nanotechnology-Based Sensors and Devices for Communications, Medical and Aerospace Applications / A. R. Jha Baco Raton : CRC Press, 2008.-432 p.

12. Малышкина О.В., Мовчикова А.А., Барабанова Е.В., Головнин В.А., Дайнеко

13. A.В., Соловьев М.А., Эмбиль И.А., Пугачев С.И. Пиро-электрические свойства пьезокерамических материалов // Вестник ТвГУ. Серия «Физика». 2010. Выпуск 8.1. C.85-101.

14. Barbero, Е. J. Introduction to Composite Materials Design, Second Edition. 2nd Edition / E. J. Barbero. Baco Raton : CRC Press, 2010. - 562 p.

15. Phase coexistence in PZT ceramic powders / Fernandes C., Hall D.A., Cockburn M.R., Greaves G.N. //Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1995. - Vol. 97. - P.137-141.

16. Schaumburg, H. Keramik Hrsg. / H. Schaumburg. Stuttgart: B.G. Teubner, 1994.

17. The Monoclinic Phase in PZT: New Light on Morphotropic Phase Boundaries / B. Noheda, J. A. Gonzalo, R Guo., S.-E. Park, L.E. Cross, D.E. Cox, G. Shirane // Fundamental physics of ferroelectrics. 2000 - Vol. 535, № 12. - P. 304-313.

18. Noheda, B. A monoclinic ferroelectric phase in the Pb(ZrixTix)03 solid solution /

19. B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol. 74, № 14. - P. 2059-2061.

20. Noheda, B. Stability of the monoclinic phase in the ferroelectric perovskite Pb(Zr. xTix)03 / B. Noheda, D.E. Cox, G. Shirane // Phys. Rev. В.- 2000. Vol. 63, № 1. - P. 014103-9 p.

21. Noheda, B. Structure and high-piezoelectricity in lead oxide solid solutions / B. Noheda // Curr. Opin. Solid State a. Mater. Sci. 2002. - Vol. 6, № 1. - P. 27-34.

22. Tetragonal-to-monoclinic phase transition in a ferroelectric perovskite: The structure of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3. / B. Noheda, J. A. Gonzalo, L. E. Cross, R. Guo, S.-E. Park,

23. D. E. Cox, G. Shirane //Phys. Rev. B. 2000 - Vol. 61, № 13. - P. 8687-8695.

24. Bellaiche, L. Finite-Temperature Properties of Pb(ZrixTix)03 Alloys from First Principles Garcia A., Vanderbilt D. / L. Bellaichel, A. Garcia, D. Vanderbilt // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol. 84, № 23. - P. 5427-5430.

25. Fu H. Cohen R.E. //Nature. 2000. - Vol. 403, № 6767. - P. 281-283.

26. Исупов, В. А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В. А. Исупов, // ФТТ. 2001. - Т. 43, № 12. - С. 2166-2169.

27. Аверин, И. А. Управление свойствами твердых растворов Pb(Ti^Zr/^)03 посредством внешних воздействий / И. А. Аверин, Р. М. Печерская // ФТТ. 2006. -Т. 48, №6. -С. 1096-1098.

28. Фрайдек, Дж. Современные датчики / Дж. Фрайдек // Техносфера : справочник. M., 2005. - С. 588.

29. Стратегия развития направления пьезокерамических изделий / А. Я. Сафронов, Б. Г. Парфенов, В. А. Чернов, В. М. Климашин // Международная научно-практическая конференция 23-26 августа, 2005, Ростов-на-Дону, Россия. С. 143-146.

30. Волович, А. Интегральные акселерометры. Электронный ресурс. / А. Волович, Г. Волович // Электронный научно-технический журнал «Компоненты и технологии» 2000, Режим доступа: http://www.kit-e.ru/articles/elcomp/200201 66.php. - Загл. с экрана.

31. Зимин, В. Применение акселерометров в автомобильной сигнализации / В. Зимин // Схемотехника. 2001. - № 3. - С. 2.

32. Шурыгина, В. Долгожданные МЕМС. Технология малых форм / В. Шурыгина // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2002. - № 4. - С. 8-13.

33. Yu, H.G. Lead zirconate titanate MEMS accelerometer using interdigitated electrodes / H. G. Yu, L. Zou, R. Wolf// Sensors and Actuators. 2003 - A 107, - P. 2635.

34. Сигов, А. С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А. С. Сигов // Соросовский образовательный журнал. 1996. -№ 10. - С. 83-91.

35. Каплунов И.А., Малышкина О.В., Дайнеко А.В., Педько Б.Б., Шаш-ков М.С., Иванова А.И. Структура и физические свойства керамики цирконата-титаната свинца // Глобальный научный потенциал. 2011. №8. С.100-103.

36. Chen, Q. Growth of highly oriented of Pb(Zrx Т1.х)Оз film on porous silicon / Q. Chen, К. H. Wong // Thin Solid Films. 2001. - Vol. 397. - C. 1-3.

37. Hiroshi, Funakubo. Comparison of deposition behavior of Pb(Zr Ti)03 film and its end-member-oxide films prepared by MOCVD / Hiroshi Funakubo, Kuniharu Nagashima // Thin Solid Films. 2000. - Vol. 368. - C. 261-265.

38. Данцигер, А. Я. Многокомпонентные системы сегнетоэлектрических сложных оксидов: физика, кристаллохимия, технология / А. Я. Данцигер // Аспекты дизайна пьезоэлектрических материалов. Ростов-на-Дону, - 2001. - Т. 1. - С. 408.

39. Crescini, D. Large bandwidth and thermal compensated piezoelectronic think-film acceleration tranducer / D. Crescini, D. Marioli // Sensors and Actuators. A 87, 2001, c.131-138.

40. Такиев, А. С. Будущие технологии памяти: Fe RAM изнутри.ЗВ News. Fe RAM memory. Электронный ресурс. / А. С. Такиев // 2003 Режим доступа: http://www. 3 dnews.ru/cpu/feram-memory. - Загл. с экрана.

41. Akedo, Yun. New Dunctional ceramic deposition method for MEMS / Akedo, Yun, Ichiki Masaaki, Maeda Ryutaro // Ferroelectrics, 1999, - Vol. 224, - № 1-4, - P.331-337.

42. Witvrow, A. Tilmaus H.A., De Wolf I. // Microporousand mesoporous Mater 2004. -Vol. 76, №1/4,- P.245-257.

43. Deposition of PZT thin films by excimer laager ablation for piezoelectric application / Kikuchi Kaoru, Wang Zhanjie, Umezawa Akihiro, Maeda Ryutaro // Ferroelectro. 1999. - Vol. 224, № 1/4. - P. 267-273.

44. Akedo, J. Piezoelectric properties and poling effect of Pb (Zr, Ti)03 think films prepared for microactuators by aerosol deposition/ J. Akedo, M. Lebedev // Apple. Phys. Lett. 2000. - Vol. 77, № 11.-P.1710-1712.

45. Wang Jing, Zhang Liang Ying, Yao Xi, Li Yian Kang The effect of pyrolyzing temperature to the microstructure of PZT /РТ multiplayer thin films. Ceram Int. 2004. -Vol. 30, №7,-P.1521-1524.

46. Effect of substrate material in the zystallinity and epitaxy of Pb (Zr, Ti )03 thin films./ K. S. Hwang, T. Manabe, T. Nagahama, L. Yamaguchi, T. Kumagai, S. Mizuta // Thin solid films. 1999. - Vol. 347 № 1/2 - P. 106-111.

47. Lian, L. Effects of thickness on the piezoelectric and dielectric properties lead zirconate titanate thin films / L. Lian, N. R. Sottos // J. Appl. Phys. 2000. - Vol. 87, № 8 - P.3941-3939.

48. Han Geun, Yu. Lead zirconate titanate MEMS accelerometer using interdigitated electrodes. / Han Geun Yu, L. Zoub, R. Wolf //Sensors and Actuators. A 107 (2003). -P.26-3 5.

49. Beeby, S. Design and fabrication of a micromachined silicon accelerometer with thick-film printed PZT sensors. / S. P. Beeby, J. N. Ross, N. M. White // J. Micromech. Microeng. 2000. - Vol. 10, - P.322-328.

50. Influence of the different loss parameterson piezoelectric material performances. / L. P. Tran-huu-hue, P. Audrain, F. Levassart, M. Lethiecy // Ferroelectrics. 1999. - Vol. 224, № 1/4.-P. 177-184.

51. Cattan, Eric. Remnant piezoelectric constant of PZT thin films. / Eric Cattan, Gabriel Velu, Thibautt Haccart // Ferroelectrics. 1999. - Vol. 224, № 1/4, - P.307-314.

52. Горнев E.C., Дайнеко А.В., Зайцев H.A., Пастухова Ю.М. Исследо-вание и разработка микровакумного триода на основе полевой эмиссии // Нано- и микросистемная техника. 2007. № 5. С.59-63.

53. Fabrication and characterization of micromachined accelerometers based on PZT thin films / J. Baborowski, S. Hediger, P. Muralf, Ch. Wuethrich // Ferroelectrics. 1999. -Vol. 224, № 1/4. - P. 283-290.

54. Yinyin, Zhao. MEMS-based Piezoelectric Microphone for Biomedical Apllication / Yinyin Zhao // MEMS AlliancePoster Session, -pt. 1. 1998.

55. Sang-Gook. Thin film micromirror array (TMA)- a new chip-based display device for large screen display / Sang-Gook. // SID Asia Display. - 1998.

56. Sang -Gook. Micromachined thin -film mirror array for reflective light modulation / Sang -Gook et al. // Annals of the CIRP. 1997. - Vol. 46, № 1, - P.455-458.

57. Jun, S. Finite element analysis of a IBM suspension integrated with a PZT microactuator / S. Jun, Z. Zhaowei // Sensors and Actuators. 2002 - A 100. - P.257-263.

58. Tsuchiya, К. Development of RF magnetron sputtering method to fabricate PZT thin film actuator. / K. Tsuchiya // Precision Engineering. 2003, - Vol. 27 - P.258-264.

59. Плешивцев, H. В., Катодное распыление / H. В. Плешивцев. / — М. ; б. и., 1968.-314 с.

60. Каминский, М., Атомные и ионные столкновения на поверхности металла : пер. с англ. / М. Каминский. М. : Мир, 1967. - 506 с.

61. Томпсон М., Дефекты и радиационные повреждения в металлах : пер. с англ. / М. Томпсон. М., 1971.-367 с.

62. Francis F. Chen. Industrial applications of low temperatures plasma physics / Francis F. Chen. // Phys. Plasmas. - June 1995. - Vol. 2, № 6. - P.2164-2175.

63. Singh, N. Experimental and numerical studies on potential distributions in a plasma / N. Singh, R. Kist, H. Thiemann // PI. Phys. 1980 - Vol. 22. - P.695-707.

64. Плазменные ускорители / под общ. ред. Арцимовича JI. А. М. : Машиностроение, 1973. - 312 с.

65. Данилин, Б. С. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов / Б. С. Данилин, В. К. Неволин, В. К. Сырчин, // Электронная техника. Сер. Микроэлектронника. 1977. - Вып. 3 (69). - С. 37-44.

66. Данилин, Б. С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин, В. К. Сырчин. М. : Радио и связь, 1982. - 73 с.

67. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой : пер. с англ. / под ред. Бериша Р. : в 2 т. М. : б. и., 1984-1986. - 2 т.

68. Плазменная технология в производстве СБИС : пер. с англ. / под ред. Айнспрука Н. и Брауна Д. М. : Мир, 1987. - 470с.

69. Sputtering by particle bombardment III / ed. by Behrisch R., Wittmack K. W., Springer- Verl., 1991.

70. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел : сб. ст. ; пер. с англ. М. : Мир, 1989. - 399 с.

71. Фальконе, Д. Теория распыления / Д. Фальконе // УФН. 1992. - Т. 162, № 1. -С. 71.

72. Томашпольский, Ю. Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю. Я. Томашпольский. М. : Радио и связь, 1984. - 192 с.

73. Структура поверхностных слоев сегнетоэлектрических тонких пленокцирконата-титаната свинца (ЦТС) / В. В. Леманов, Г. Н. Мосина, J1. М. Сорокин, С. В. Штельмах, В. К. Ярмаркин // ФТТ. 1996. - Т. 38. - С. 3108.

74. Кинетика фазовых првращений при термическом отжиге в тонких золь-гель пленках PZT / В. Я. Шур, Е. Б. Бланкова, A. JI. Субботин, Е. А. Борисова, А. В. Баранников // ФТТ. 2001. - Т. 43. - С. 869.

75. Ярмаркин, В.К. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл / В. К. Ярмаркин, С. П. Тесленко // ФТТ. -1998.-Т. 40.-С. 1915.

76. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната-свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов, Т. А. Шаплыгина, В. П. Афанасьев, А. В. Панкрашкин // ФТТ. 2002. - Т. 44. - С. 739.

77. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектри-ческими свойствами / А. М. Ховив, А. С. Сидоркин, С. О. Яценко, О. Б. Яценко // Неорганические материалы. 1998. - Т. 34, № 4. - С. 462-463.

78. Кристаллическая структура пленок РБТе на Si, легированных индием в процессе роста / А. М. Ховив, А. М. Самойлов, С. Л. Бучнев, Э. А. Долгопо-лова, Ю. В. Сыноров // Неорганические материалы. 2004. - Т. 40, № 4. - С. 414-420.

79. Гуревич, В. М. Электропроводность сегнетоэлектриков / В. М. Гуревич. М. : Изд-во комитета стандарта, 1969. - 383 с.

80. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане. М. : Мир, 1965. - 555 с

81. Cole, К. S. Dispersion and Absorption in Dielectrics I. Alternating Current Characteristics / K. S. Cole, R. H. Cole // J. Chem. Phys. 1961. - Vol. 9. -P.341-352.

82. Schroder, T.B. Scaling and Universality of ac Conduction in Disordered Solids / T. B. Schroder, J. C. Dyre // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol. 84. - P. 310-313.

83. Ткачук, Б. В. Получение тонких полимерных пленок из газовой фазы / Б. В. Ткачук, В. М. Колотыркин. М. : Химия, 1977. - 216 с.

84. Буй, М.В. Релаксационно-диффузионная теория межфазных процессов / М. В. Буй, А. В. Рогачев. Гомель : БелГУТ, 1997. - 177 с.

85. Точицкий, Э. И. Влияние реиспарения на кинетику поверхностной диффузии атомов на подложке при вакуумном осаждении молекулярных пучков / Э. И.

86. Точицкий, В. Е. Тхарев // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. -Минск, 1978. Ч. 3. - С. 196-199.

87. Лашкевич, В.И. Кинетика поверхностной диффузии и роста зародышей с учетом реиспарения адатомов / В. И. Лашкевич, А. В Рогачев, А. М. Красовский // Вести АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, 1980. № 6. - С. 110-114.

88. Иевлев, В. М., Белоногов, Е. К. и др. Патент № 2123738, Н 01 С 9/00, 9/04, (1997).

89. Пленочная композиция на основе углерода и оксида алюминия с высокой удельной поверхностью проводящей фазы / В. М. Иевлев, Т. Л. Тураева, Е. К. Белоногов, А. Ю. Исаев, В. П. Иевлев // ФизХОМ. 1998. -№1. - С. 104-106.

90. Иевлев, В. М. Синтез и субструктура ориентированых пленок CuInSe3 / В. М. Иевлев, Е. К. Белоногов, А. Н. Харин // Неорганические материалы. 2005. - Т. 41, № 1.-С. 15.

91. Баринов, С. М. Синтез компактных нанокристаллических пленок гидроксиапатита / С. М. Баринов, Е. К. Белоногов и др. // ДАН. 2007. - Т. 412, № 3. -С. 347.

92. Иевлев, В. М. Синтез нанокристаллических пленок гидроксиапатита / В. М. Иевлев // Конденсиров. среды и межфазные границы. 2007. - Т. 9, № 3,. - С. 209.

93. Структура, элементный состав и механические свойства пленок, полученных методом ВЧМР гидроксиапатита / Э. П. Домашевская, С. М. Баринов, В. М. Иевлев, А. В. Костюченко, Е.К. Белоногов // Физика и химия стекла. 2008. - Т.34. - С. 798807.

94. Демьянов С.Е. Наноструктуры с треками быстрых тяжелых ионов /

95. С. Е. Демьянов, А. В. Петров, Е. К. Белоногов // Известия РАН. 2008. Т. 72, № 9. -С. 1262-1264.

96. Сигов, A.C. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А. С. Сигов // Соросовский образовательный журнал, 1996, -№10. С.83-91.

97. Huang, Z. Low temperature crystallization of lead zirconate titanate thin films by a sol gel method / Z. Huang, Q. Zhang, R. W. Whatmore // J. Apll. Phys, 1999, Vol. 85, №10. - P.7355-7361.

98. Chen Q., Wong K.H. Growth of highly oriented of Pb(Zrx Tiix)03 film on porous silicon / Q. Chen, К. H. Wong // Thin Solid Films, 2001. Vol. 397, - C.l-3.

99. Hiroshi Funakubo. Comparison of deposition behavior of Pb(Zr Ti)03 film and its end-member-oxide films prepared by MOCVD / Hiroshi Funakubo, Kuniharu Nagashima // Thin Solid Films, 2000. Vol. 368, - c.261-265.

100. Данцигер, А.Я. и др. Многокомпонентные системы сегнетоэлектрических сложных оксидов: физика, кристаллохимия, технология. Аспекты дизайна пьезоэлектрических материалов. Ростов-на-Дону, изд-во Ростовский университет, 2001,т. 1 с.408.

101. Бериш, Р., Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Р. Бериш. М. : Мир, 1986.-336 с.

102. Small Particles and Inorganic Clusters. Proceedings, Copenhagen, Denmark, 1996.

103. Fedrigo S., Haslett T. L., Moskovits M.: "Novel metal cluster complexes synthesized by matrix deposition of mass selected clusters", P.99.

104. Sawyer, C.B. Rochell salt as a dielectric / С. B. Sawyer, С. H. Tower // Phys. Rev. -1930.-Vol. 35.-P.269.

105. Лайнс, M. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы : пер. с англ. / Лайнс М., Гласс А. М. : Мир, 1981. 736 с.

106. Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применение : пер. с англ. / Дж. Барфут, Дж. Тейлор. -М. : Мир, 1981. 526 с.

107. Кременчугский, JI.C. Сегнетоэлектрические приемники излучения / JI. С. Кременчугский. Киев : Наукова думка, 1972. - 234 с.

108. Lang, S.B. Sourcebook of pyroelectricity / S. B. Lang. New York ; London ; Paris : Gordon and Brech Sci. Publishers, 1974. - 562 p.

109. Пироэлектрический эффект и его практическое применение / В. Ф. Косоротов, Л. С. Кременчугский, В. Б. Самойлов, Л. В. Щедрина. Киев : Наукова думка, 1989. - 224 с.

110. Новик, В.К. Пироэлектрические преобразователи / В. К. Новик, Н. Д. Гаврилова, Н. Б. Фельдман. М. : Советское радио, 1979. - 176 с.

111. Glass, A.M. Investigation of electrical properties of SrixBaxNb206 with special referense to pyroelectric detection / A. M. Glass // J. Appl. Phys. 1969. - Vol. 40, № 12. -P.4699-4713.

112. Chynoweth, A.G. Dynamic method for measuring the pyroelectric effect with special reference to barium titanate/ A. G Chynoweth. // J. Appl. Phys. 1956. - Vol. 27. -P.76-84.

113. Chynoweth, A.G. Surface space charge layers in barium titanate. / A. G. Chynoweth//Phys. Rev. - 1956.-Vol. 102, -№ 3. - P.705-714.

114. Glass, A.M. Dielectric, thermal, and pyroelectric properties of ferroelectric LiTa03 / A. M. Glass // Phys. Rev. Vol. 1968. - Vol. 172, № 2. - P.564-571.

115. Физические и математические условия применения прямоугольной тепловой волны для исследования пироэффекта / О. В. Малышкина, А. А. Мовчикова, Н. Б. Прокофьева, О. Н. Калугина // Вестник ТвГУ. Сер. Физика. 2009. - Вып. 7. - С.48-62.

116. Пироэлектрические свойства пьезокерамических материалов / О. В. Малышкина, А. А. Мовчикова, Е. В. Барабанова, В. А. Головнин, А. В. Дайнеко, М. А. Соловьев, И. А. Эмбиль, С. И. Пугачев // Вестник ТвГУ. Сер. Физика. 2010. -Вып. 8.-С. 85-101.