Устройство регистрации и обработки первичной и вторичной информации для восстановления комплекса параметров разряда установок низкотемпературной плазмы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат наук Усатов, Игорь Игоревич

• Усатов, Игорь Игоревич
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Усатов, Игорь Игоревич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Стр.

Список обозначений 7

Введение 10

Глава 1. Постановка задачи и структура автоматизированной системы 17 измерений

1.1. Краткий обзор методов диагностики плазмы 17

1.2. Диагностика плазмы электростатическими зондами 18

1.2.1. Определение режима работы электростатического зонда 20

1.2.2. Краткий обзор теорий электростатического зонда 22

1.3. Тепловые измерения в плазме. Датчики теплового потока 44

1.3.1. Калориметры стационарного теплообмена 44

1.3.2. Калориметры нестационарного теплообмена 52

1.4. Выбор аппаратных средств автоматизированной системы 53 измерений

1.5. Выбор средств программирования автоматизированной системы 59

1.5.1. Инструментальный драйвер NI-DA Q 59

1.5.2. Среда визуального программирования Lab VIEW 61

1.6 Промышленные системы диагностики 67

1.7 Публикации касающиеся архитектуры автоматизированных 69 систем диагностики плазмы

1.8. Выводы по главе 1 69

1.9. Постановка задачи диссертации и этапы выполнения работы 70 Глава 2. Подсистема измерения тепловых потоков 73

2.1. Назначение и состав подсистемы измерения тепловых потоков 73

2.2. Требования к датчикам, функционирующим в высокоплотной 73 металлической плазме

2.2.1. Потенциал датчика 73

2.2.2. Поток атомов и ионов металла 74

2.2.3. Вакуум 75

2.2.4. Стойкость к перегреву 75

2.3. Конструкция стационарного ДТП и его особенности 76

2.3.1. Устройство 76

2.3.2. Особенности конструкции 79

2.4. Конструкция нестационарного ДТП и его особенности 79

2.4.1. Устройство 79

2.4.2. Особенности конструкции ■ 82

2.4.3. Принцип работы и расчетные формулы 82

2.5. Аппаратная часть подсистемы измерения теплового потока 84

2.6. Программная часть подсистемы тепловых измерений 86

2.6.1. Программа регистрации температурных ходов 86

2.6.2. Программа обработки температурного хода 88 нестационарного ДТП

2.7. Калибровка датчиков теплового потока. Методика и результаты 90

2.8. Выводы по главе 2 94 Глава 3. Подсистема зондовых измерений 96

3.1. Назначение подсистемы зондовых измерений 96

3.2. Состав подсистемы зондовых измерений 96

3.3. Моделирование ВАХ с заданными параметрами плазмы для 97 цилиндрического зонда

3.4. Конструкция электростатических зондов 102

3.4.1. Цилиндрический зонд 102

3.4.2. Плоский зонд 104

3.5. Аппаратная часть подсистемы 105

3.5.1. Общая измерительная схема 105

3.5.2. Блок датчиков с электронными ключами 106

3.5.3. Высоковольтный усилитель 109

3.6. Программа регистрации вольтамперных характеристик 113 электростатических зондов

3.6.1. Интерфейс программы и управление процессом измерения 113

3.6.2. Индикация измеренной В АХ 116

3.6.3. Управления процессом сохранения данных 116

3.6.4. Общая блок-диаграмма программы регистрации В АХ 116

3.6.5. Событие Timeout 117

3.6.6. Событие «Настройка каналов» 117

3.6.7. Событие «Измерить» 118

3.6.8. Событие «Сохранить» 120

3.6.9. Событие «Выход» 120

3.7. Программа и алгоритмы восстановления параметров плазмы из 121 ВАХ цилиндрического зонда

3.7.1. Графический интерфейс программы 121

3.7.2. Блок диаграмма программы обработки ВАХ 124 цилиндрического зонда

3.8. Программа и алгоритмы восстановления параметров плазмы из 138 ВАХ плоского зонда

3.9. Выводы по главе 3 140 Глава 4. Разработка метода измерения степени ионизации потока 142 распыленных атомов металла

4.1. Оптические свойства тонкой металлической пленки 146

4.2. Метод измерение степени ионизации 151

4.3. Выводы по главе 4 160 Глава 5. Вспомогательные программы автоматизированной системы 161 измерений

5.1. Сервер ВП 161

5.2. Вспомогательные программы 162

5.2.1 Блок программ ВАХ и параметры плазмы 162

5.2.2 Спектральные характеристики 165

5.2.3 Тепловые потоки 167

5.3. Программа анализа вкладов в тепловой поток различных 167 энергетических факторов

5.4. Выводы по главе 5 172 Глава 6. Результаты измерений в плазме магнетрона с полым катодом 173

6.1. Описание установки 173

6.1.1. Общая характеристика установки МПК 173

6.1.2. Конструкция установки МПК 173

6.2. Результаты зондовых измерений 177

6.3. Результаты измерений тепловых потоков 180

6.4. Выводы по главе 182 Заключение 184 Приложение 1 185

П1.1. Блок диаграммы регистрации температурных ходов 185

П1.2. Блок схема программы регистрации температурных ходов 186

П1.3. Описание программы регистрации температурных ходов 187 П1.4. Блок диаграммы программы обработки температурного хода 190 нестационарного ДТП

П1.5. Блок схема программы обработки температурного хода 191 нестационарного ДТП

П1.6. Описание программы обработки температурного хода 192 нестационарного ДТП

Приложение 2 196

П2.1. Конструкция электростатического зонда 196

П2.2. Конструкция вакуумного ввода зонда в камеру 197

Приложение 3 198

ПЗ. 1. Фотография блока подготовки сигналов SC - 2345 198

П3.2. Фотография высоковольтного усилителя 198

Приложение 4 199

П4.1. Блок диаграммы подпрограммы Spline Deriv.vi 199

П4.2. Блок диаграммы подпрограммы PPVALU.vi 200

П4.3. Блок диаграммы подпрограммы SGolay.vi 201

П4.4. Блок диаграммы подпрограммы Lafram.vi 202

П4.5. Блок диаграммы подпрограммы LevMar.vi 203

П4.6. Блок диаграммы подпрограммы IonSonin.vi 204

П4.7. Блок диаграммы подпрограммы V_Float.vi 205

Список литературы 206

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Устройство регистрации и обработки первичной и вторичной информации для восстановления комплекса параметров разряда установок низкотемпературной плазмы»

ВВЕДЕНИЕ

Технология производства наноматериалов является быстро развивающейся областью исследований и охватывает множество дисциплин: физику и химию, электронику, материаловедение и физику твердого тела и ряд смежных дисциплин техники [1,2]. Область исследований в этом направлении постоянно расширяется и охватывает уже не только и не столько фундаментальные научные разработки, но и промышленные применения наноструктур в различных сферах, от электроники до медицины. Об этом свидетельствует значительная поддержка от крупных финансовых организаций и промышленности, создание большого числа крупных научно-исследовательских структур и исследовательских программ, а также быстро растущее число публикаций в научном сообществе.

Термин «наноструктуры» в настоящее время применяется в достаточно широком смысле, а именно там, где нанометровый размер объекта определяет ключевые свойства в данном приложении. Разнообразие наноструктурных объектов на сегодняшний день очень велико. В настоящей работе речь пойдет в основном о тонких пленках [3].

Наиболее ранние технологии получения тонких пленок,- осаждение из паровой фазы (РУБ) и химическое осаждение (СУБ), датируются срединой XIX века и применялись в основном в оптике. Впоследствии эти технологии многократно совершенствовались и применяются по сей день, как в чистом виде, так и в виде комбинированных процессов.

Технологический прорыв в получении тонких пленок во многом обеспечили потребности бурно развивающейся электроники, поскольку пленки применяются во многих изделиях от дискретных элементов до сверхбольших интегральных схем (СБИС). Кроме микроэлектроники и оптики, развитие пленочных технологий стимулировали исследования в области материаловедения. В частности, использование пленок оксидов, нитридов и карбидов на поверхности ответственных деталей машин

кардинально повышает их твердость, износостойкость и коррозионную устойчивость, зачастую недостижимые иными способами.

Интенсивные исследования в этих направлениях, стимулируемые быстро возрастающими потребностями, вывело тонкопленочные технологии на новый качественный уровень,- плазменные технологии осаждения тонких пленок. В данном методе в результате бомбардировки катода-мишени положительными ионами инертного газа происходит выбивание атомов металла, которые осаждаются на подложке.

В электронной промышленности наиболее широко используется магнетронный тлеющий разряд в скрещенных электрическом и магнитном полях [4] (рисунок 1).

МАГНИТЫ

ПЛАЗМА

Б П Б N

Га\ . Лаг

\а1 + ^ А1 +

± / >

МИШЕНЬ

и

ПОДЛОЖКА

НАСОС ВЧ-смещение

Рис. 1. Схема установки магнетронного разряда с дисковой мишенью.

Плазма в аргоне загорается между анодом и катодом, который изготовлен из распыляемого металла. На катод подается отрицательное напряжение 400 - 800 В. Электроны захватываются магнитным полем и совершают сложное циклоидальное движение по траекториям вблизи поверхности мишени. Область плазмы с высокой концентрацией (более 1011 см'3) в виде тора малого объема толщиной порядка 1 см, а вне его -концентрация уменьшается до 109 - Ю10см~3.

Магнетронный способ осаждения обладает рядом недостатков. Особые

сложности возникают при осаждении пленок на рельефных субмикронных структурах с большим аспектным отношением (отношением глубины к ширине). В качестве примера можно привести металлизацию сквозных отверстий и канавок (тренчей) при создании СБИС (проводящие шины для управления транзисторами) (рисунок 2.а).

а) б)

Рис.2, а) тренч межслойиого соединение СБИС: 1- шины многоуровневой металлизации, 2 - барьерный слой, 3 - адгезионный слой, 4 - межуровневый диэлектрик;

б) металлизация тренчей нейтральными атомами меди в магнетронном разряде с дисковой мишенью.

В обычном магнетроне поток распыленного металла состоит почти на 100% из нейтральных атомов и ими нельзя управлять. Изотропное распределение частиц здесь приводит к тому, что на верхней части субмикронной структуры образуется навес, а внутри - полость (рисунок 2.6). Чтобы провести анизотропную металлизацию узкого отверстия, необходим поток частиц, приходящий на поверхность структуры вдоль нормали.

Одним из возможных способов решения данной проблемы является ионизация распыляемого металла. Позитивный эффект состоит в том, что на ионы можно воздействовать электрическим полем слоя перед подложкой. Для увеличения вероятности ионизации распыленных атомов мишени необходимо создавать плазму высокой концентрации во всем объеме между мишенью и подложкой (15-20 см).

Начиная с 80-х годов появились так называемые источники высокоплотной плазмы (терминология относится к области плазменных

технологий). Эти источники создают плазму с концентрацией более 1011 см~3 в объеме нескольких литров. Получение пленок в таких установках стимулируется большими потоками ионов, что позволяет получать наноструктурные пленки с уникальными физическими свойствами (высокие адгезия, прочность, теплопроводность, износоустойчивость). Плазма таких источников является существенно неравновесной. Температура атомов и ионов порядка 0,1 эВ, а температура электронов 1-5 эВ. Как следствие, процесс образования пленок также существенно неравновесный, что и является одной из причин уникальности их свойств. На рисунке 3 показаны примеры наноструктур, получаемых в высокоплотной плазме [1].

—ОГК '- '• -* .' •• \ - '»Э

4 • .- г - • •• .

Рис.3. Примеры наноструктур, получаемых в установках высоплотной плазмы:

а) наноконусы углерода; б) нанонити углерода;

в) пористая пленка серебра толщиной 6 нм на пленке 813Ж; г) наноточки ЗЮЫ.

К источникам высокоплотной плазмы относятся: индуктивно связанный разряд, СВЧ-ЭЦР- разряд [5], геликонный разряд, магнетронный разряд с полым катодом [6] и некоторые другие. Область рабочих давлений (1..10) мТорр.

Тонкие пленки проявляют широкое разнообразие микроструктур, которое заключается в размере зерен, кристаллографической ориентации,

дефектах решетки, фазовом составе и морфологии поверхности. Во многих случаях процесс создания пленок происходит при температурах, которая составляет 0.2-0.3 от точки плавления данного материала. Таким образом, синтез пленок и иных наноструктур характеризуется неравновесной кинетикой [7,8]. Как следствие, свойства микроструктур в процессе осаждения определяются конкурентными процессами, и кинетика роста определяется синтезом метастабильной фазы и таких структур, как нанослои. Среди главных атомных процессов, определяющих процессы осаждения пленки,- диффузия на поверхности и в глубине материала. Эти процессы зависят не только от температуры поверхности, но и от потоков частиц, приходящих на подложку. Последние могут быть использованы для изменения мобильности адатомов и скорости образования зародышей. Присутствие атомов примесей могут оказывать сильное влияние на конечный результат.

Совершенно очевидно, что существует определяющая связь между структурой пленки и параметрами осаждения. И хотя эта связь исследуется давно, многие ее аспекты остаются совершенно не ясными. Ясно одно, что понимая механизмы образования пленки, можно создавать их с заданной микро-и-наноструктурой для специальных технологических применений. Эти механизмы, в свою очередь, определяются параметрами плазмы, в которой происходит формирование наноструктур.

Измерение основных параметров плазмы является актуальной задачей по крайней мере по двум причинам. Во-первых, с целью исследования механизмов образования наноструктур с заданными свойствами, коррелированными с параметрами осаждения; во-вторых, для контроля собственно процесса плазменного осаждения структуры в рамках данной технологии. Данные измерения относятся к разряду косвенных и методически сложных, а алгоритмы обработки данных предполагают использование достаточно нетривиальных моделей. Поэтому измерения эти, в особенности комплексные, практически невозможно осуществить без

применения вычислительных техники. На это указывает относительно малое число отечественных и зарубежных публикаций на эту тему.

Целью данной диссертационной работы является разработка методов, алгоритмов, электронных элементов устройства регистрации и обработки информации для восстановления комплекса параметров разряда установок, используемых для осаждения наноструктурных пленок. Предполагаются следующие характеристики плазмы:

• концентрация электронов и ионов - (109.. 1012) см-3;

• температура электронов - (1.. 10) эВ;

• температура атомов и ионов <0,5 эВ;

• рабочее давление буферного газа - (0,5.. 10) мТорр;

• мощность в разряде - до 15 кВт.

В работе представлено описание аппаратной и программной частей устройства, описание моделей, на основе которых производится вычисление параметров, приведены методы и результаты проверки и калибровки системы, а также результаты измерений в плазме магнетрона с полым катодом при различных параметрах разряда.

В задачи работы входило:

1. Разработка и реализация аппаратной части и управляющей программы для регистрации вольтамперных характеристик одиночных зондов Ленгмюра, функционирующих в плазме с указанными выше параметрами, в том числе содержащей атомы и ионы металла.

2. Разработка алгоритмов и их программная реализация для восстановления из зондовых вольтамперных характеристик следующих параметров плазмы:

• потенциала плазмы;

• плавающего потенциала;

• температуры электронов;

• функции распределения электронов по энергиям;

• средней по ансамблю температуры электронов;

• концентрации электронов и ионов в плазме.

3. Разработка датчика (первичного преобразователя), аппаратного и программного обеспечения системы измерения тепловых потоков в плазменном разряде, в том числе в присутствии атомов и ионов металла.

4. Разработка электронно-оптического метода определения степени ионизации атомов металла а также реализующих его датчика, алгоритмов и программ.

5. Проверка и калибровка устройства регистрации и обработки информации. 7. Проведение измерений параметров плазмы в источнике высокоплотной плазмы - магнетроне с полым катодом.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Усатов, Игорь Игоревич, 2013 год

Список литературы

1. Ostrikov К., Murphy А.В., Plasma-aided nanofabrication: where is the cutting edge? // J. Phys. D: Appl. Phys. 40 - EDIT REV - 2007 P. 22232241.

2. Helmersson U., Lattemann M., Bohlmark J., Ehiasarian A.P, Gudmundsson J.T. Ionized physical vapor deposition (IPVD): A review of technology and applications. Rev. // Thin Solid Films - 2006 -513 P. 1-24

3. Rossnagel S.M.. Thin film deposition with physical vapor deposition and related technologies // J. Vac. Sci. Technol. - A 21.5., Sep/Oct 2003 P. 7487.

4. Каштанов П.В., Смирнов Б.М., Хипплер P., Магнетронная плазма и нанотехнология. // УФН. - май 2007 - Том 177, № 5

5. Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П. Экспериментальная технологическа установка с СВЧ-ЭЦР плазмой // Приборы и техника эксперимента 1996, N4, сс.150-155.

6. Poluektov N. Р. , Tsar'gorodsev Yu. P., Usatov 1.1., Evstigneev A. G. and Kamyschov I. A. // Probe and emission spectrometry diagnostics in hollow cathode magnetron. J.Modern Physics, 2012 V.80, № 10, pp.24-33.

7. Thornton J. A. The microstructure of sputter-deposited coatings. // J.Vac.Sci.Technol. - 1986, V.4A, 6, pp. 3059 - 3065.

8. Petrov I., Barna P.B., Hultman L., Greene J.E., Microstructural evolution during film growth // J. Vac. Sci. Technol. - A, Vol. 21, No. 5, Sep/Oct 2003 P. 117-128

9. Диагностика плазмы. Под ред. Р.ХаДдлстоуна и С.Леонарда. М. Мир, 1967.

10. Методы исследования плазмы. Под ред. В.Лохте-Хольтгревена. М.:Мир, 1971.

11. Plasma Diagnostics. Ed. by M.F.Zhukov, A.A.Ovsyannikov. Cambrige Int Science Publishing, 2000.

12. I.H.Hutchinson. Principles of Plasma Diagnostics. Cambrige University Press, 2005.

13. A.J.H. Donné. Introduction to plasma diagnostics// Trans, of Fusion Sci. Technol. Vol.53. Feb. 2008. PP.379-386.

14. П.Чан, Л.Тэлбот, К.Турян. Электрические зонды в неподвижной и движущейся плазме. М.:Мир, 1978.

15. О.В.Козлов. Электрический зонд в плазме. М.:Атомиздат, 1969.

16. Б.В.Алексеев, В.А.Котельников. Зондовый метод диагностики плазмы. М.:Энергоатомиздат, 1988.

17. Francis F. Chen. Lecture Notes on Langmuir Probe Diagnostics. MiniCourse on Plasma Diagnostics, IEEE-ICOPS meeting, Jeju, Korea, June 5, 2003.

18. V. A.Godyak, V.I.Demidov. Probe measurements of electron-energy distributions in plasmas: what can we measure and how can we achieve reliable results? (Topical review)// J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011) 233001 (30pp)

19. J.P.Sheehan and N.Hershkowitz. Emissive probes. (Topical review)// Plasma Sources Sci. Technol. 20 (2011) 063001

20. A. Marek at al. Emissive Probe Diagnostics in Low Temperature Plasma -Effect of Space Charge and Variations of Electron Saturation Current//Contrib. Plasma Phys. 48, No. 5-7, 491 - 496 (2008)

I

21. R. Schrittwieser et al. Probe methods for direct measurements of the plasma potential// Rom.Journ.Phys., Vol. 50, Nos. 7-8, P. 723-739, Bucharest, 2005.

22. Ю.П. Райзер. Физика газового разряда. М.:Наука, 1987.

23. Т.Е. Sheridan. The plasma sheath around large discs and ion collection by planar Langmuir probes//J. Phys. D: Appl. Phys. 43 (2010) 105204 (5pp).

24. Т.Е. Sheridan// Phys. Plasmas 2000 7 3084.

25. D. Lee and N. Hershkowitz. Ion collection by planar Langmuir probes: Sheridan's model and its verification// Phys. Plasmas 2007, 14, 033507.

26. Allen J.E., Boyd R.L.F., Reynolds P.//Proc. Phys. Soc. В., 70, 297 (1957).

27. F.F. Chen. Numerical Computations for Ion Probe Characteristics in a Collisionless Plasma//! Nucl. Energy, Pt. С 747 (1965).

28. Bernstein I.B., Rabinowitz I.//Phys. Fluids, 2, 112 (1959).

29. Laframboise J.G.//Univ. of Toronto Institute of Aerospace Studies Report 100, 1966.

30. C.Steinbruchel//J.Vac.Sci.Technol. A 8. (1990).

31.- M.Mausbach. Parametrization of the Laframboise theory for cylinricaly Langmuir probe analysis//J.Vac.Sci.Technol. A 15(6). (1997).

32. F.F.Chen, J.D. Evans. Use of Langmuir probes in high density plasmas//Electrical Engineering Department, UCLA, report LTP-009, Oct. 2000.

33. Котельников B.A., Ульданов C.B., Котельников M.B. Процессы переноса в пристеночных слоях плазмы. М.: Наука, 2004.

34. В.А.Котельников, М.В.Котельников, В.Ю.Гидаспов. Математическое моделирование обтекания тел потоками столкновительной и бесстолкновительной плазмы. М.:Физматлит, 2010.

35. F.F. Chen, С. Etievant, and D. Mosher. Measurement of low plasma densities in a magnetic field// Phys. Fluids 11,811 (1968).

36. F.F. Chen, J.D. Evans, W.Zawalski. Calibration of Langmuir probes against microwaves and plasma oscillation probes// Electrical Engineering Department, UCLA, report LTP-1202, Feb. 2012.

37. F.F. Chen, J.D. Evans, D. Arnush// Phys. Plasmas 9, 1449 (2002).

38. M.A. Lieberman and A.J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, 2nd ed. (Wiley-Interscience, Hoboken, NJ, 2005), p. 176.

39. Сапожников С.З, Митяков В.Ю., Митяков А.В.//ЖТФ, 2004, том 74, вып. 7, с. 114-120.

40. Brooks S.M. Transverse Thermoelectric Effects for Cooling and Heat Flux Sensing//MS Thesis, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, 2007.

41. R. A. Derryberry, "Artificial Anisotropy for Transverse Thermoelectric Heat Flux Sensing," MS. Thesis, Mechanical Engineering, Blacksburg, Virginia,

2007

42. Roth С, Bornholdt S, Zuber V, Sonnenfeld A, Kersten H and Rudolf von Rohr P// J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. (8pp)

43. Cada M, and J. Bradley J W/ J. Appl. Phys. 2007. 102

44. M Wolter, M.Stahl, H.Kersten//Vacuum 83 (2009) 768-772

45. E.Klawuhn, G.C.D'Couto, K.A.Ashtiani et al. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. A18 (4). P. 1546-1549.

46. Vyas V., Kushner M.J. // J. Vac. Sci. Technol. 2006. A24. P. 1955-1969.

47. Anders A. // J. Phys. D: Appl.Phys. 2007. V. 40. P. 2272-2284.

48. Meng L, Raju R, Flauta R, Shin H , and Ruzic D N. J.Vac. Sci. Technol. 2010. A28, P. 112-118.

49. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. акад. И.К. Кикоина. М., Атомиздат, 1976, 1008 с

50. M.Stahl, T.Trottenberg, H.Kersten// Rev. Sci. Instrum. 81 (2010) 023504

51. S.Bornholdt, T.Peter, T.Strunkus, V.Zaporojtchenko, F.Faupel, H.Kersten//Surface & Coating Technology 205.201 l.P.s388-s392

52. http://www.vatell.com

53. L.Bedra, A.L.Thomann, N.Semmar, R.Dussart, J.Mathias//J. Phys. D: Appl. Phys. 43 (2010) 065202 (8pp)

54. К. де Бор. Практическое руководство по сплайнам. М.:Радио и связь, 1985.

55. A. Savitzky, М. J. Е. Golay// Anal. Chem. 36, 1627, 1964.

56. V.A.Godyak, V.I. Demidov / J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011) 233001 (30pp).

57. C.A.Nickols, S.M.Rossnagel, S.Hamaguchi. J.Vac.Sci.Technol. 1996, V.14B, p.3270.

58. G.Zhong, J.Hopwood. J.Vac.Sci.Technol. 1998, V.17B, p.405.

59. M.Yamashita, J.Vac.Sci.Technol. 1989, v.7A, p.151.

60. S.M.Rossnagel, J.Hopwood, .J.Vac.Sci.Technol. 1994, V.12B, p.449.

61. K.M.Green, D.B.Hayden, D.R.Juliano, D.N.Ruzic. Rev.Sci.Instrum. 1997,

v.68, р.4555.

62. Jones W.E., Kliewer K.L., Fuchs R. Nonlocal theory of the optical properties of thin metallic films. Physical Review, 1969, v. 178, No 3, 1201- 1203.

63. Лебедева В.В., Лебедев И.В. Об отражательной и поглощательной способности металлических слоев. «Оптика и спектроскопия», 1965, т. 18, № 1, 115,.

64. Lim J.W., Mimura К., Isshiki М. Thickness dependence of resistivity for Cu films deposited by ion beam deposition. Appl. Surface Sci.2003, v.217, p. 95-99.

65. Mausbach M., van Kronenberg G., Ehrich H. In situ measurement of thin-film conductivity during and after energetic condensation. J.Vac.Sci.Technol. 1994, V.12A, №4, p. 1463-1469.

66. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. - М.: Энергоатомиздат, 1989 - 328 с.

67. Kersten Н., Steffen Н., Vender D., Wagner Н. Е. //Vacuum 46. 1995. Р. 305 -310.

68. Thornton J., Lamb J. // Thin Solid Films. 1984. V. 119. N 1. P. 87-95.

69. Vyas V., Kushner M.J. // J. Vac. Sci. Technol. 2006. A24. P. 1955-1969.

70. Методы исследования плазмы. Под ред. В.Лохте-Хольтгревена. М.:Мир, 1971.

71. Радциг А.А, Смирнов Б.М. Параметры атомов и ионов. М.,Энергия, 1968.

72. Klawuhn Е., D'Couto G.C., Ashtiani К.А., Rymer P., Biberger M.A., Levy K.B. Ionized physical-vapor deposition using a hollow-cathode magnetron source for advanced metallization // J.Vac.Sci.Technol. - 2000. - A18(4). -P.1546 -1549.

73. Vyas V., Kushner M.J., Scaling of hollow cathode magnetrons for ionized metal physical vapor deposition // J. Vac.Sci.Technol.- 2006. - A24, P. 19551969.

74. Anders A. Metal plasmas for the fabrication of nanostructures

//J.Phys.D:Appl.Phys. - 2007. - Vol.40. - P. 2272-2284.

75. Царьгородцев Ю.П., Полуэктов Н.П., Харченко B.H., Камышов И.А., Усатов И.И. Нанесение металлических пленок с использованием магнетронного разряда в системе с полым катодом. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009, №4, с. 19-24.

76. Харченко В.Н., Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П., Усатов И.И. Осаждение наноплёнок на рельефных субмикронных структурах с большим аспектным отношением. Монография «Нанотехнологии и наноматериалы в лесном комплексе», М.: Издательство МГУЛ, 2011, с. 195-220.

77. Ю.П.Царьгородцев, Н.П.Полуэктов, В.Н.Харченко, Усатов И.И. Получение наноструктурных пленок в установках высокоплотной плазмы. Вестник Московского государственного университета леса -Лесной вестник №7(90) 2012, с. 173-178.

78. Yu. Tsar'gorodsev , N. Poluektov , V. Kharchenko , I. Usatov. Depositionof nanofilms in high density plasma devices. Scientific Israel- Technological Advantages, 2012,V.14, № l, pp.24-30.

79. Царьгородцев Ю.П., Усатов И.И., Харченко B.H. Тепловые потоки в магнетронном разряде с полым катодом. 5-я Рос. Нац. конф. по теплообмену. Москва. 2010, т.1, с.142-145.

80. Царьгородцев Ю.П., Полуэктов Н.П., Камышов И.А., Усатов И.И. Исследование пространственных характеристик магнетронного разряда с полым катодом

Сб. трудов VI международной научно-технической конференции «Информационные технологии в науке, технике и образовании». 20 сентября - 1 октября 2010, Абхазия Пицунда, с. 255-260.

81. N.P.Poluektov, Yu P.Tsar'gorodsev, I.I.Usatov, A.G.Evstigneev, I.A.Kamyschov. Probe and Emission Spectrometry Diagnostics in Hollow Cathode Magnetron. Journal of Modern Physics, 2012, 3, 1494-1502.

Кубарев Ю.В., Полуэктов Н.П., Царьгородцев Ю.П., Усатов И.И., Журавлёв A.A. Экспериментальное исследование МПДУ для нейтрализации заряда космических аппаратов. Сб. трудов VI международной научно-технической конференции «Информационные технологии в науке, технике и образовании», Пицунда, Абхазия 20 сентября - 1 октября 2010, с. 67-73.