Диагностика плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор физико-математических наук Руденко, Константин Васильевич

• Руденко, Константин Васильевич
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Руденко, Константин Васильевич

СПИСОК АББРЕВИАТУР

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА 1.

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ ДИАГНОСТИКИ И МОНИТОРИНГА ПЛАЗМЕННЫХ МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУР (ВВЕДЕНИЕ)

1.1. Требования к плазменным технологиям при формировании субмикронных и наноразмерных кремниевых структур

1.2. Плазмохимические реакторы для микроэлектроники

1.3. Механизмы взаимодействия химически активной плазмы с поверхностью микроструктур

1.4. Физические принципы мониторинга плазменных микроэлектронных технологий

1.5. Постановка задач исследования (выводы по Главе 1)

ГЛАВА 2.

ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ В ШИРОКОАПЕРТУРНЫХ РЕАКТОРАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ И ИХ ОПТИМИЗАЦИЯ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ЦЕЛЕЙ

2.1. Проблемы измерений параметров плазмы электроотрицательных газов Ленгмюровским зондом в ВЧ- и СВЧ- реакторах

2.2. Сравнительные характеристики плотной плазмы реакторов низкого давления на базе СВЧ ЭЦР разряда и ВЧ пленарного индуктивного разряда

2.3. Оптимизация латеральной однородности плазмы в новых широкоапертурных реакторах с источниками плотной плазмы (ИПП)

2.4. Выводы по Главе

ГЛАВА 3.

ЭМИССИОННАЯ АКТИНОМЕТРИЯ АКТИВНЫХ РАДИКАЛОВ ПЛАЗМЫ КАК МЕТОД ХАРАКТЕРИЗАЦИИ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИХ РЕАКТОРОВ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

3.1. Анализ условий достоверности эмиссионной актинометрии в реакторах с источниками плотной плазмы низкого давления

3.2. Исследование эффективности генерации химически активных радикалов в плотной плазме фторсодержащих газов эмиссионной актинометрией

3.3. Актинометрическое измерение газовой температуры нейтралов в плазмохимических реакторах спектроскопией умеренного разрешения

3.4. Выводы по Главе

ГЛАВА 4.

РАЗРАБОТКА НОВЫХ МЕТОДОВ ЗОНДОВОЙ ДИАГНОСТИКИ ПЛАЗМЫ ДЛЯ

МОНИТОРИНГА ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ МИКРОСТРУКТУР

4.1. Разработка метода динамического Легмюровского зонда для измерений в пленкообразующей плазме низкого давления

4.2. Исследование влияния термоэмиссионных эффектов при зондовых измерениях в плотной химически активной плазме низкого давления

4.3. Зондовый мониторинг плазмохимического травления многослойных микроэлектронных структур

4.4. Выводы по Главе

ГЛАВА 5.

СПЕКТРАЛЬНАЯ ДИАГНОСТИКА ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ

И ОСАЖДЕНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ИС

5.1. Исследование in situ скорости плазмохимического травления слоев и селективности процесса на структурах кремний (поликремний) - Si02 актинометрическими методами

5.2. Улучшение чувствительности определения момента окончания процесса при малой площади окон травления применением синхронного спектрального детектирования

5.3. Анализ однородности скорости травления слоя по площади пластины по данным оптической эмиссионной актинометрии

5.4. Мониторинг плазмохимического осаждения тонких и ультратонких диэлектрических пленок спектральной эллипсометрией in situ

5.5. Выводы по Главе

ГЛАВА 6.

ТОМОГРАФИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ

ОДНОРОДНОСТИ ПЛАЗМЫ В УСЛОВИЯХ ПРЕДЕЛЬНО МАЛОГО ЧИСЛА

РАКУРСОВ

6.1. Задачи эмиссионной диагностики плазмы с пространственным разрешением в технологических реакторах

6.2. Разработка алгоритмов томографической реконструкции спектральных данных в двухракурсной схеме сканирования

6.3. Экспериментальное исследование латеральной однородности плазмы технологических реакторов спектрально разрешенной эмиссионной томографией

6.4. Выводы по Главе 6 251 ЗАКЛЮЧЕНИЕ (Основные выводы) 252 ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ 255 СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 258 ПРИЛОЖЕНИЕ П1. Автоматизированный объединенный комплекс зондовой диагностики и быстрой эмиссионной спектроскопии плазмы 271 ПРИЛОЖЕНИЕ П2. Автоматизированный спектральный синхронный end-point детектор для процессов плазмохимического травления при малой площади окон 274 ПРИЛОЖЕНИЕ ПЗ. Комплекс оптической эмиссионной томографии плазмы, адаптированный к плазменным реакторам микроэлектроники 276 ПРИЛОЖЕНИЕ П4. Листинг программы реконструкции 2Б-распределения компонентов плазмы по данным двухракурсного эмиссионного томографа (язык программирования MathCAD)

СПИСОК АББРЕВИАТУР

В АХ - вольт-амперная характеристика

ВЧЕ - высокочастотная плазма с емкостной связью (источник), эквивалент сокращения

ССР - capacitevly coupled plasma ВЧИ - высокочастотная индуктивно-связанная плазма (источник), эквивалент сокращения ICP - inductively coupled plasma ИПП - источник плотной плазмы (эквивалент аббревиатуры HDP - high density plasma) ИС - интегральная схема

КМОП - комплиментарная структура металл - оксид - полупроводник

ЛИФ - лазерно-индуцированая флюоресценция

МДП - структура металл - диэлектрик - полупроводник

НЧ, ВЧ, СВЧ - низкочастотный, высокочастотный и сверхвысокочастотный микроволновый) диапазон радиоволн OA - оптическая актинометрия ОПЗ - область пространственного заряда ПИ3 - плазменно-иммерсионная ионная имплантация ПХТ - плазмохимическое травление РИТ - реактивное ионное травление СПЭ - спектральная эллипсометрия УБИС - ультрабольшая интегральная схема ФРЭЭ - функция распределения электронов по энергиям ЭОС - эмиссионная оптическая спектроскопия ЭМ - электромагнитное (поле) ЭТ - эмиссионная томография ЭЦР - электронно-циклотронный резонанс

ITRS - International Technology Roadmap for Semiconductors

EPD - end-point detection (определение момента окончания процесса)

CVD - chemical vapor deposition

PECVD - plasma enhanced chemical vapor deposition (плазмостимулированное осаждение пленок)

PEALD - plasma enhanced atomic layer deposition (плазмостимулированное атомное (монослойное) осаждение пленок)

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диагностика плазменных технологических процессов микро- и наноэлектроники»

Теоретические и экспериментальные исследования показали, что кремниевые МДП-транзисторы сохраняют свойства, необходимые для применения в КМОП - интегральных схемах (ИС), вплоть до значений длин канала 6-10 нм [1, 2]. В 1999 году был преодолен рубеж топологических норм 100 нм. Произошла естественная трансформация микроэлектроники в наноэлектронику, требующую применения прецизионных технологий.

Известно [3], что минимальный размер (MP), обеспечиваемый литографией, превышает планируемую длину затвора транзистора почти вдвое (например, для MP 45 нм длина затвора составляет 20 нм). Создание интегральных схем на нанотранзисторах со столь малыми длинами каналов ужесточает требования не только к литографическим процессам, но и в значительной степени к процессам структурирования ультратонких пленок - анизотропному травлению наноструктур и конформному осаждению диэлектрических и проводящих слоев.

Плазменные технологии, объем которых при изготовлении ИС высокой степени интеграции достигает 50% от числа используемых технологических операций, не имеют альтернатив в рамках существующих тенденций. Процессы обработки кремниевых микроструктур в низкотемпературной химически активной плазме обеспечивают значительное снижение рабочих температур подложек при высоких скоростях травления / осаждения / модификации ультратонких пленок. Структурирование пленок плазменными методами удовлетворяет жестким требованием к анизотропии и селективности процессов. Плазменные микротехнологии внедрены или разрабатываются для:

- травления полупроводниковых, металлических и диэлектрических слоев;

- осаждения изолирующих диэлектрических слоев;

- осаждения тонкого подзатворного диэлектрика, и/или тонкого окисления поверхности кремния;

- осаждения полупроводниковых слоев (например, поликремния);

- конформного заполнения субмикронных канавок (тренчей) с последующей частичной планаризацией рельефа;

- заполнения тренчей для боковой диэлектрической изоляции транзисторов;

- очистки поверхности пластин от органических загрязнений;

- очистки поверхности от загрязнений атомами металлов; о

- плазменно-иммерсионной имплантации ионов (ПИ ) примеси с целью создания мелко залегающих р-n переходов суб-100 нм диапазона; о

- высоковольтной ПИ кислорода или гелия для создания структур «кремний на изоляторе» с рекордно высокой скоростью набора необходимой дозы.

В ходе развития технологий микроэлектроники произошла смена, как минимум, трех поколений плазмохимических реакторов, использующих различные типы газового разряда для получения низкотемпературной химически активной плазмы. В настоящее время активно развиваются широкоапертурные реакторы с источниками плотной плазмы (ИПП) низкого давления (high density plasma, HDP в англоязычной литературе), с независимым управлением плотностью ионов в плазме и их энергией в зоне обработки микроструктур. Рабочие давления р = 0.1 - 50 мТорр в таких реакторах позволяют достичь высокой степени анизотропии процессов травления при переносе рисунка маски, а применяемые типы ВЧ- и СВЧ-разрядов в этом диапазоне давлений обеспечивают более эффективную генерацию плазмы, с большей плотностью ионов и химически активных частиц - радикалов (ХАЧ), чем в ранее используемых реакторах при р = 100 - 500 мТорр. Соответственно возрастает скорость процессов травления структур и осаждения пленок при формировании ИС. Важное свойство ИПП-реакторов - возможность оптимизации под заданную технологию. Прогресс в этом направлении неразрывно связан с фундаментальными исследованиями в области физики низкотемпературной плазмы и газовых разрядов [4], плазмохимии [5], выполненных коллективами ведущих научных школ. Значительный вклад в эту область внесли выдающиеся российские ученые В.Е. Фортов, А.Ф. Александров, Ю.П. Райзер, J1.C. Полак, Ю.А. Лебедев, Д.И. Словецкий.

Интегральные схемы наноэлектроники, содержащие слои, толщина которых порой соизмерима с постоянной кристаллической решетки, требуют контроля in situ процессов их изготовления. Разработка и применение таких методов призваны обеспечить прецизионное травление структур и точный перенос суб-100 нм рисунка маски, контролируемое осаждение тонких пленок в диапазоне толщин от нескольких монослоев до долей микрона, стабильность технологии. Для воспроизводимого формирования наноструктур плазменными технологиями уже недостаточно стабилизации внешних параметров процессов.

Решение этой проблемы возможно при использовании встроенных средств контроля, использующих физические явления или эффекты, которые не вносят искажения в потоки частиц из плазмы на подложку. Методы диагностики плазменных процессов должны быть невозмущающими, по отношению к технологии, и обладать достаточной чувствительностью. Особенно жесткими являются требования к чувствительности методов контроля in situ при травлении контактных отверстий в диэлектриках систем многослойной металлизации УБИС, где общая площадь окон травления часто не превосходит 1% площади пластины.

Предпочтительны средства мониторинга, для реализации которых не требуется создания специальных тестовых структур на пластинах. Кроме этого, средства мониторинга должны обеспечивать возможность как автоматической остановки процесса, так и (в перспективе) управления его параметрами, например, скоростью травления или осаждения. В последнем случае in situ детекторы должны включаться в цепи обратной связи управления технологической установкой.

Не менее важным является использование методов диагностики и на этапе разработки плазменных технологических процессов (process design). Так, формирование субмикронных и наноразмерных структур ИС с высокими аспектными отношениями требует применения сильно ионизованной плазмы низкого давления, и, в то же время, вводит ограничения на температуру электронов плазмы для снижения дефектов (формы и электрических), вызванных зарядкой диэлектриков в МОП-структурах в процессе обработки. Диагностика технологической плазмы в условиях реактора позволяет проводить целенаправленную оптимизацию параметров процесса, достигая приемлемого компромисса и существенно сокращая сроки внедрения новых технологий.

Актуальность экспериментальных исследований закономерностей, обусловленных взаимодействием низкотемпературной химически активной плазмы с поверхностью микроструктур на основе кремния, и создания на их основе методов диагностики in situ технологических процессов, является очевидной. Цель диссертационной работы

Целью настоящего исследования является разработка физических принципов невозмущающих методов контроля in situ плазмостимулированных технологических процессов формирования микро- и наноразмерных структур на основе комплексного исследования плазмы в современных И1 Ill-реакторах для микроэлектронных применений. В ходе работы было необходимо решить следующие задачи:

• развить экспериментальные зондовые методы исследования химически активной плазмы электроотрицательных газов, в том числе для условий возможного осаждения на зонд диэлектрических пленок, для характеризации ИПП-реакторов и для мониторинга плазмохимического травления микроструктур;

• разработать комплекс спектральных методов, обеспечивающих дизайн (process design) и мониторинг плазменных процессов травления микроэлектронных структур;

• исследовать возможности метода оптической эмиссионной актинометрии плазмы для определения параметров процессов плазмохимического травления в реальном времени;

• разработать методы контроля процессов плазмохимического осаждения пленок тонких диэлектриков с использованием спектральной эллипсометрии in situ;

• развить метод эмиссионной оптической томографии плазмы для условий предельно малого числа ракурсов, доступных в технологических реакторах, для реконструкции 2D-распределения химически активных радикалов в зоне обработки пластины.

Научная новизна и достоверность полученных результатов

Научная новизна выполненной работы заключается в следующем:

• Разработан новый комплексный подход к диагностике плазменных технологических процессов в микроэлектронике на этапах конструирования плазменного реактора, дизайна плазменной технологии, мониторинга технологического процесса in situ и для текущего контроля состояния камеры реактора. Разработанные методы обеспечивают возможность включения средств диагностики в системы автоматизированного управления процессами.

• Разработан новый метод динамического зонда Ленгмюра для измерения параметров химически активной пленкообразующей плазмы низкого давления в технологических ИПП-реакторах микроэлектроники. Впервые предложены способы определения момента окончания процесса травления микроструктур на основе зондового мониторинга параметров плазмы in situ.

• Исследованы параметры реагирующей плазмы ВЧ и СВЧ разрядов в газах BF3, SF6, CHF3, О2, Н2, Аг. Параметры плазмы BF3 исследованы впервые. Проведены сравнительные зондовые исследования плазмы с источниками на основе ВЧ- и СВЧ-разряда в единой геометрии камеры реактора, в результате которых осуществлен целенаправленный выбор типа реактора, адекватного требованиям технологии.

Доказана необходимость характеризации реакторов для микроэлектроники в плазме, непосредственно использующейся в технологическом процессе.

• Показано, что метод эмиссионной актинометрии химически активных радикалов плазмы позволяет оценить эффективность ИПП-реакторов для плазмохимических технологий микроэлектроники с различными типами и условиями разрядов.

• Разработаны физические основы актинометрического мониторинга процессов плазменного травления, установлены количественные соотношения между плотностью атомарного фтора в плазме и скоростями анизотропного травления слоев poly-Si, SiC>2. Впервые показано, что на основе данных актинометрических измерений in situ при плазменном травлении структур poly-Si/Si02/Si можно в режиме реального времени управлять селективностью травления и контролировать однородность процесса по площади пластины.

• Предложена математическая модель, количественно связывающая динамику сигнала актинометрического мониторинга в момент окончания плазмохимического травления одного из слоев многослойной структуры и однородностью скорости его травления по площади пластины.

• Предложен новый высокочувствительный способ эмиссионного контроля момента окончания травления микроструктур при малой площади окон травления, основанный на выделении полезного сигнала момента окончания процесса из шумов эмиссии плазмы фазовым детектированием сигнала интенсивности спектральной линии ХАЧ плазмы на собственной частоте плазмообразущего генератора либо на частоте его модуляции.

• Развит метод эмиссионной томографии плазмы для предельно малого числа ракурсов и предложен алгоритм томографической реконструкции для измерения двумерного распределения химически активных радикалов в плазме. Разработанный метод совместим с плазмохимическими реакторами микроэлектроники.

Достоверность результатов исследований обеспечивается применением в работе фундаментальных физических теорий, использованием современных методов исследования, верификацией экспериментальных результатов независимыми методиками, соответствием экспериментальных данных построенным моделям.

Положения, выносимые на защиту

• Установлено, что СВЧ ЭЦР-реактор и ВЧ реактор с планарным индуктором (ВЧИ-реактор) генерируют сильно ионизованную (степень ионизации до КГ1) плотную (п;~ 1012 см"3) плазму в диапазоне давлений 1-20 мТорр, существенно отличающуюся типом функций распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ): в ЭЦР-реакторе -бимаксвелловская ФРЭЭ, в ВЧИ-реакторе - близкая к распределению Максвелла. Конкретный вид ФРЭЭ определяется как типом разряда, так и типом плазмообразующего газа, а также конкретными условиями разряда. Плазма молекулярных фторсодержащих газов обладает более высокой электронной температурой (Те ец - 3.6-6.7 эВ), чем плазма аргона (Teeff = 2.6-4.8 эВ) в идентичных условиях разряда. Молекулярная плазма в ИПП-реакторах имеет повышенную газовую температуру: 600-И 300 К. Адекватный выбор типа И1 ill-реактора и режимов разряда способен повысить точность переноса топологии маски, минимизировать эффекты зарядки субмикронных и наноразмерных структур.

• Предложенный метод динамического зонда Ленгмюра обеспечивает корректные измерения параметров полимерообразующей плазмы низкого давления. Чередование режима ионной чистки и режима измерения точки ВАХ в микросекундном диапазоне длительностей импульсов зондового потенциала дает возможность предотвратить осаждение диэлектрических пленок на зонд в момент измерения, с одной стороны, и измерять ток в квазистационарном состоянии призондового слоя - с другой. В этом случае применимы известные теории сбора ионного тока зондом.

• Мониторинг параметров плазмы методом зонда Ленгмюра в процессах плазмохимического травления эффективен для определения момента окончания травления слоев микроструктур в ИПП-реакторах. Критерием выбора конкретного параметра для зондового мониторинга (ионная или электронная плотность, эффективная электронная температура, потенциал плазмы или плавающий потенциал) является значение относительного изменения этого параметра при достижении нижней границы удаляемого слоя и максимальное отношение сигнал/шум.

• Показано, что спектральный мониторинг объемной плотности химически активного атомарного фтора в плазме при плазмохимическом травлении микроэлектронных структур in situ позволяет определить: (i) скорости травления слоев, (и) селективность травления и (iii) момент окончания процесса. Анализ ex situ актинометрической кривой мониторинга дает количественную оценку неоднородности скорости травления по площади пластины.

• Эмиссионная 2Б-томография плазмы ИПП-реакторов может быть реализована с использованием двух ракурсов и веерного сканирования датчиков. При этом в алгоритм реконструкции вводится априорная информация о функциональном виде (профиле) «элементарной» плазменной неоднородности, позволяющая значительно уменьшить артефакты реконструкции. Общее поле реконструкции представляется суперпозицией невзаимодействующих «элементарных» неоднородностей. Практическая значимость работы

Предложенные диагностические методики воплощены в экспериментальных образцах автоматизированных компьютерных комплексов, предназначенных для контроля плазменных процессов в реакторах микроэлектроники. Их применение в цепях обратной связи систем управления современными плазменными установками для микро- и наноэлектронных применений открывает новые возможности плазменных технологий. Проведенные исследования привели к созданию диагностических систем в виде:

- автоматизированного объединенного комплекса зондовой диагностики и быстрой эмиссионной спектроскопии плазмы (Приложение П1);

- автоматизированного спектрального синхронного end-point детектора для процессов плазмохимического травления при малой площади окон (Приложение П2);

- комплекса оптической эмиссионной томографии плазмы, адаптированного к конструкциям плазменных реакторов микроэлектроники (Приложение ПЗ).

Они были испытаны в реальных технологических процессах на прототипах современных плазмохимических установок на базе ИПП-реакторов. Способы и устройства мониторинга процессов плазмохимического травления микроэлектронных структур (технические решения) защищены двумя патентами Российской Федерации, которые базируются на результатах данной диссертационной работы.

Публикации

Содержание диссертации опубликовано в 34 работах, включая главу в книге «Энциклопедия низкотемпературной плазмы», т. XII-5, статьи в отечественных и зарубежных научных журналах, труды российских и международных конференций и симпозиумов, а также два патента РФ на изобретения. Библиографический список публикаций автора приведен в конце диссертации.

Личный вклад автора

В исследование, выполненное в рамках настоящей диссертационной работы, автором внесен определяющий вклад в части постановки задач и выбора направлений деятельности, разработке методов диагностики и анализа полученных экспериментальных результатов. Автором лично предложены и поставлены все эксперименты по диагностике плазменных технологий. Его идеи легли в основу разработанных алгоритмов малоракурсной эмиссионной томографии плазмы в плазмохимических реакторах микроэлектроники. Непосредственное участие коллег автора диссертации в исследованиях отражено в виде их соавторства в опубликованных работах (см. список публикаций автора). Результаты, составляющие научную новизну диссертационной работы и выносимые на защиту, получены автором лично.

Структура диссертации

Диссертация включает общую характеристику работы, и состоит из 6 глав, заключения, и приложений. Каждая из глав имеет раздел «Выводы», в котором суммируются полученные в ней результаты. Все основные полученные результаты и выводы по работе приведены в разделе «Заключение».

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Руденко, Константин Васильевич

6.4. Выводы по Главе 6

1. Развиты алгоритмы малоракурсной эмиссионной томографии плазмы, которые основываются на методах классической реконструктивной томографии. Введение в алгоритмы аксиоматических предположений о физических свойствах реконструируемых неоднородностей позволило избавиться от артефактов и повысить точность восстановления поля интенсивности (плотности) в условиях предельно малого числа ракурсов. Впервые получены удовлетворительные результаты 2D-реконструкции асимметричных томографических фантомов с использованием минимумального числа ракурсов (двух) в веерной геометрии сканирования.

2. Алгоритмы двухракурсной томографии плазмы проверены экспериментально в широкоапертурном плазменно-иммерсионном имплантере на плазме BF3. Экспериментальным эмиссионным томографом уверенно обнаруживались искусственно созданные плазменные неоднородности и наблюдалась эволюция латерального распределения как ионов, так и нейтральных химически активных радикалов в зависимости от условий разряда в камере реактора.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Ниже приводится формулировка основных выводов по диссертации в целом.

1. Исследована плазма низкого давления (1-20 мТорр) ИПП (HDP) реакторов, предназначенных для микроэлектронных технологий. Характеризация реакторов проведена как на плазме аргона, так и на химически активной плазме, непосредственно применяющейся в плазменных технологических процессах. Установлены отличия ФРЭЭ плазмы в реакторах с СВЧ ЭЦР источником и планарным ВЧИ - разрядом, ориентирующие их для применения в различных технологических процессах. Изучены параметры сильно ионизованной (nt ~ 10п-1012 см"3) плазмы молекулярных газов Н2, CHF3, SF6, BF3 . Параметры плазмы BF3 в И1 ill-реакторах исследованы впервые. Плазма фторсодержащих газов в HDP-реакторах имеет повышенную газовую температуру до 1300 К. Ее значение необходимо учитывать при разработке технологий анизотропного плазменного травления для структур с суб-100 нм топологическими нормами.

Проведенные исследования показали, что характеризация реактора на технологической плазме способна повысить точность переноса топологии маски, производительность процесса, минимизировать эффекты зарядки микроструктур.

2. Впервые предложен метод динамического Ленгмюровского зонда для измерений параметров сильно ионизованной низкотемпературной плазмы химически активных пленкообразующих газов. Предотвращение загрязнения поверхности зонда диэлектрическими пленками достигается динамическим режимом измерения ВАХ по сканирующей циклограмме: режим ионной очистки поверхности зонда - режим измерения данных в точке ВАХ. Скорость импульсного переключения зондового потенциала в режиме измерения ВАХ ограничивается сверху - временем установления стационарного призондового слоя ОПЗ, а снизу - кинетикой осаждения непроводящих (полимерных) пленок на поверхность зонда. Метод опробован в измерениях параметров полимерообразующей плазмы CHF3.

3. Впервые показано, что мониторинг параметров плазмы методом зонда Ленгмюра в ходе технологического процесса эффективен для определения момента окончания плазмохимического травления структур кремний (поликремний) / диэлектрик. Критерием

252 выбора конкретного параметра для зондового мониторинга (ионная, электронная плотность, эффективная электронная температура, потенциал плазмы или плавающий потенциал) является значение его относительного изменения при достижении границы удаляемого слоя.

4. Установлено, что введение электроположительных газов-актинометров (Аг, N2) в количестве 1 - 7% в плазму электроотрицательных газов SF6, BF3, CHF3 не ведет к заметному изменению электронной температуры, ионной и электронной плотности. Следствием является возможность корректного применения метода оптической эмиссионной актинометрии для измерения в плазме плотности химически активных радикалов, спектроскопического измерения газовой температуры технологической плазмы и оценки температуры ионов.

5. Посредством мониторинга объемной плотности химически активного атомарного фтора в плазме при плазмохимическом травлении микроэлектронных структур in situ определены: (i) скорости травления слоев, (и) селективность травления и (iii) момент окончания процесса. Анализ ex situ актинометрической кривой мониторинга дает количественную оценку неоднородности скорости травления по площади пластины.

6. Создан алгоритм реконструкции латеральной неоднородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами оптической эмиссионной томографии в условиях минимального числа ракурсов. Классические алгоритмы 2Б-томографии дополнены априорной информацией о виде функций, описывающих пространственный профиль единичных плазменных неоднородностей. Задача сводится к отысканию в реконструируемой области пространства суперпозиции параметризуемых «элементарных» неоднородностей. Предложенный алгоритм опробован в экспериментальных исследованиях латеральной неоднородности 2Б-распределения атомарного фтора и ионов В+ в плазме BF3 на опытном эмиссионном томографе плазмы, совместимом с технологическими реакторами микроэлектроники.

В заключение хочу выразить признательность научным консультантам диссертационной работы — академику РАН Александру Александровичу Орликовскому, — за предложенное направление исследований, актуальность которого непрерывно возрастает по мере трансформации микроэлектроники в наноэлектронику, и за поддержку на протяжении всех лет моей работы в Физико-технологическом институте РАН; доктору физико-математических наук Владимиру Федоровичу Лукичеву, - за плодотворное обсуждение результатов работы в части предложенной модели диагностики неоднородного плазмохимического травления и томографических алгоритмов.

Считаю своим долгом поблагодарить также Научного руководителя института, академика РАН Камиля Ахметовича Валиева за творческую атмосферу, созданную во ФТИАНе, и способствующую развитию всех аспектов такой многогранной области науки, как микроэлектроника.

Очень важна была помощь коллег из Лаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИАН в проведении экспериментальных работ, особенно руководителя конструкторской группы плазмохимического оборудования Сергея Николаевича Аверкина. Многие сотрудники Лаборатории являются соавторами моих научных публикаций по теме диссертации.

ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ (в хронологическом порядке)

А1. А.П.Ершов, А.В.Калинин, Ю.С.Ключников, К.В. Руденко, А.А. Орликовский. Мониторинг параметров плазмы C2F6 в процессе травления Si02. // Тр. Всероссийской конф. «Микроэлектроника-94».,М., 1994, ч.1., с.291-292.

А2. А.П. Ершов, А.В. Калинин, Я.Н. Суханов, К.В. Руденко. Применение зонда Ленгмюра для определения момента окончания процесса травления Si02 на кремнии. // Вестник МГУ, сер. физ., астроном., 1995, т.36, вып.6, с. 18-22.

A3. Ю.П. Барышев, А.П. Ершов, А.В. Калинин, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, В.Н. Семененко, Я.Н. Суханов, Н.И. Пискун. Мониторинг плазменного травления Si02/Si и момента окончания травления. // Микроэлектроника, 1996, т.25, № 5, с.373 -379.

А4. V.A. Yunkin, V.F. Lukichev, K.V. Rudenko, D. Fisher, E. Voges. Experimental study and computer simulation of aspect ratio dependent effects observed in silicon reactive ion etching. // Microelecronic Engineering, 1996, v.30, p.345-348.

A5. К.В. Руденко, А.А. Орликовский, G. Roeder. Актинометрический контроль плазменного травления структур nonH-Si/Si02/Si : возможности и ограничения метода. // Тр. Всероссийской конф. «Микро- и наноэлектроника -98», Звенигород, 1998, т. 1, с. 03-5.

А6. С.Н. Аверкин, К.А. Валиев, В.В. Кошкин, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. Микроволновый широкоапертурный плазменный источник для обработки 300-мм кремниевых пластин. // Микроэлектроника, 1999, т.28, № 6, с. 427.

А7. S. Averkin, A. Orlikovsky, К. Rudenko, Ya. Sukhanov, К. Valiev. Microwave Wide Aperture Plasma Source for 300-mm Wafer Processing. // Proceedings of FTIAN, 2000, v.16, pp.3-7.

A8. A.P. Ershov, A.V. Kalinin, A.A. Orlikovsky, K.V. Rudenko, Ya.N. Sukhanov. Time-Resolved 02 Plasma Parameters of Low Frequency Discharge in Diode Type Plasma Reactor. // Proceedings of FTIAN, 2000, v. 16, pp.25-31.

A9. K.V. Rudenko, A.A. Orlikovsky. G. Roeder. Monitoring of the Poly-Si/Si02/Si Plasma Etching by the Optical Emission Actinometry. // Proceedings of FTIAN, 2000, v. 16, pp.3237.

A10. К.В. Руденко. Метод оптической актинометрии в применении к химически активной низкотемпературной плазме. // В кн.: «Физические основы плазменных и лучевых технологий» / Под ред. А.Ф. Александрова, В.И. Петрова. М., МГУ, 2000, с. 57 - 64.

All. А.А. Орликовский, К.В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть I. // Микроэлектроника, 2001, т.30, № 2, с.85-105.

А12. А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II. // Микроэлектроника, 2001, т.30, № 3, с. 163-182.

А13. А.А. Орликовский, К.В. Руденко. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III. //Микроэлектроника, 2001, т.30, № 5, с.323-344.

А14. А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники: современное состояние и ближайшие перспективы. Часть IV. // Микроэлектроника, 2001, т.30, № 6, с. 403-433.

А15. К.В. Руденко, А.А. Орликовский. Проблемы мониторинга плазменных технологических процессов: диагностика плазмы и поверхности. // Тр. Всероссийской конф. «Микро- и наноэлектроника 2001», Звенигород, 2001, т. 1, с 03-6.

А16. А.П.Ершов, В.Ф. Лукичев, К.В. Руденко, Я.Н.Суханов. Влияние электрического поля в плазме на электронную ветвь ВАХ Ленгмюровского зонда: моделирование методом Монте-Карло. // Тр. Всероссийской конф. «Микро- и наноэлектроника 2001», Звенигород, 2001, т. 2, с РЗ-27.

А17. С.Н. Аверкин, А.А. Орликовский, К.В. Руденко. Плазменно-иммерсионная ионная имплантация бора для создания ультрамелких р+-п переходов в кремнии. // Тр. 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002, т. 2, с. 360-362.

А18. А.П. Ершов, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. Параметры плазмы BF3 в установке плазменно-иммерсионного имплантера. // Тр. 3-го Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Плес, 2002 , т. 2, с. 426 -427.

А19. С.Н. Аверкин, А.П. Ершов, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Я.Н. Суханов. Зондовая диагностика плазмы ВЧ- и СВЧ- источников в иммерсионном ионном имплантере. // Тр. XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. М., 2003, с. 192.

А20. К.В. Руденко, Я.Н. Суханов, Н.И. Базаев. Возможности синхронного детектирования эмиссионного сигнала плазмы при мониторинге травления структур Si02/Si. // Микроэлектроника, 2003, т.32, № 4, с.271-276.

А21. К.А. Валиев, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Ю.Ф. Семин, Я.Н.Суханов. Способ контроля момента окончания травления в плазме ВЧ- и СВЧ разряда в технологии изготовления полупроводниковых приборов и устройство для его осуществления. // Патент РФ № 2248645, МКИ H01L 21/66 от 12.02.2003. Опубл. Бюлл. ФИПС №8 20.03.2005.

А22. К.А. Валиев, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, Ю.Ф. Семин, Я.Н. Суханов. Способ контроля плазмохимических процессов травления дифференциальной оптической актинометрией и устройство для его осуществления. // Патент РФ № 2248646, МКИ H01L 21/66 от 06.05.2003. Опубл. Бюлл. ФИПС №8 20.03.2005.

А23. K.V. Rudenko, A.V. Fadeev, А.А. Orlikovsky, К.А. Valiev. Tomographic reconstruction of space plasma inhomogeneities in wide aperture plasma technology equipment under strong restriction on the points of view. // Proceedings of SPIE, 2004, v. 5401, p.79-85.

A24. Ya.N. Sukhanov, A.P. Ershov, K.V. Rudenko, A.A. Orlikovsky. Comparative study of inductively coupled and microwave BF3 plasmas for microelectronic technology applications. //Proceedings of SPIE, 2004, v. 5401, p.55-63.

A25. K.V. Rudenko, A.V. Fadeev, A.A. Orlikovsky, K.A. Valiev. The study of radical density distribution in plasma etchers by emission tomography technique. // Proceedings of 16th International Vacuum Congress, Venice (Italy) 2004, Book 2, p. 896.

A26. К.В. Руденко. Анализ параметров плазмохимического травления кремниевых микроструктур по данным in situ оптической эмиссионной актинометрии. // Тр. IV Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии (ISTAPC-2005). Иваново, 2005, т. 2, с. 521 - 524.

А27. Y.N. Sukhanov, A.P. Ershov, K.V. Rudenko, А.А. Orlikovsky. On the parameters of inductively coupled and microwave BF3 plasmas used for plasma immersion ion implantation. // Plasma Process. Polym., 2005, v.2, p.472-479.

A28. С.Н. Аверкин, К.А. Валиев, A.B. Мяконьких, А.А. Орликовский, К.В. Руденко, А.А. Рылов, Я.Н. Суханов, И.А. Тюрин, А.В. Фадеев, А.Е. Юрков. Разработка низкотемпературных плазмохимических процессов и серии плазменных установок для микро- и нанотехнологий. // Труды ФТИАН «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника», 2005, т. 19, с. 121-137.

А29. К.В. Руденко, А.В. Фадеев, А.А. Орликовский. Малоракурсная 2Б-томография пространственных неоднородностей плазмы в технологических реакторах микроэлектроники. // Труды ФТИАН «Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника», 2005, т. 19, с. 208-218.

А30. A. Miakonkikh, К. Rudenko. Measurement of polymerizing fluorocarbon plasma parameters: Dynamic Langmuir probe technique application. // Proceedings of SPIE, 2006, v.6260, p. 6260-0A.

A31. А.А. Орликовский, К.В. Руденко, C.H. Аверкин. Прецизионные плазмохимические процессы микроэлектроники на базе серии пилотных установок с масштабируемым ICP-источником плазмы. // Химия высоких энергий, 2006, т. 40, № 3, с.220-232.

А32. К.В. Руденко, Я.Н. Суханов, А.А. Орликовский. Диагностика in situ и управление плазменными процессами в микроэлектронной технологии. // Раздел V, Гл. 1, в кн. «Энциклопедия низкотемпературной плазмы», / Под ред. Ю.А. Лебедева, Н.А. Платэ, В.Е. Фортова. М., Изд. «Янус-К», 2006, т. XII-5, с. 381 - 436.

АЗЗ. К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, А.А. Орликовский, А.Н. Пустовит. Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах микроэлектроники в условиях осаждения диэлектрических пленок. // Микроэлектроника, 2007, т.36, № 1, с. 17-30.

А34. К.В. Руденко, А.В. Мяконьких, А.А. Орликовский. Мониторинг плазмо-химического травления структур poly-Si/Si02/Si : зонд Ленгмюра и оптическая эмиссионная спектроскопия. // Микроэлектроника, 2007, т.36, № 3, с. 206 - 221.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Руденко, Константин Васильевич, 2007 год

1. К.А. Валиев, А.А. Орликовский. Новое поколение элементной базы микроэлектроники: кремниевый нанотранзистор сохраняет свои позиции. // Электроника: наука, технология, бизнес. 2000, №3, с. 46-49.

2. А.А. Орликовский. Кремниевая транзисторная наноэлектроника. // Изв. ВУЗов. Электроника, 2006, № 5, с. 35 44.

3. International Technology Roadmap for Semiconductors. 1999, 2001, 2005 Edition.

4. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том, кн. II. Раздел IV. Генерацияплазмы и газовые разряды. / Под ред. А. Ф. Александрова и Ю. П. Райзера. Изд. "Наука", 2000.

5. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том, кн. III. Раздел VIII. Химия низкотемпературной плазмы. / Под ред. Ю. А. Лебедева. Изд. "Наука", 2000.

6. М.А. Lieberman, A.J. Lichtenberg. Principles of Plasma Discharges and Materials

7. Processing. // 2nd edition, N.-Y: Wiley-Interscience, 2005, 800 pp.

8. Технология СБИС: в 2-х книгах. / Под ред. С. Зи. М., Мир, 1986, 483 с.

9. Айнспрук Н., Браун Д. Плазменная технология в производстве СБИС. М.: Мир, 1987,469 с.

10. Н.С. Shin, С. Ни. Thin gate oxide damage due to plasma processing. //Semicond.Sci.Technol., 1996, v. 11, p.463-473.

11. S. J. Fonash. Plasma processing damage in etching and deposition. // IBM J. Research and

12. Development. 1999, v.43, no 1/2, p. 103-127.

13. K.P. Giapis, G.S.Hwang. Pattern-Dependent Charging and Role of Tunneling //Jpn.J.Appl.Phys., 1998, v.37, p.2281-2290.

14. K.P. Giapis, S.H. Gyeong. Mechanisms of Charging Reduction in Pulsed Plasma Etching. //

15. Jpn.J.Appl.Phys., 1998, v.37, p.2291-2301.

16. T. Brozek, C.R. Viswanathan. Increased hole trapping in gate oxides as latent damage fromplasma charging. // Semicond.Sci.Technol., 1997, v.12, p.1551-1558.

17. P. Shrinavasan, B. Vootukuru, D. Misra. Screening of Hot Electron Effect During Plasma

18. Processing.// Proc. 17th Intern.Conference on VLSI Design, 2004, p. 291-298.

19. T. Ohmi, M. Hirayama, A. Teramoto. New era of silicon technologies due to radical reactionbased semiconductor manufacturing. // J.Phys.D: Appl.Phys., 2006, v. 39, p. R1-R17.

20. En M. and Cheung N., Modelling of charging effects in plasma immersion ion implantation

21. Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. 1995 Vol. В 96, P. 435-439.

22. International Symposium on Plasma and Process-Induced Damage: 1996-2001 Proceedings;2003,2004 Proceedings //Ed by IEEE Electron Device Society.

23. B.E. Голант, А.П. Жилинский, С.А.Сахаров. Основы физики плазмы. // М., Атомиздат, 1977, 384 стр.

24. Ю.П. Райзер. Физика газового разряда. 2-е изд., М., Наука-Физматлит, 1992, 537 pp.

25. Ю.П. Райзер, М.Н. Шнайдер, Н.А. Яценко. Высокочастотный емкостной разряд. // М.,

26. Наука-Физматлит, 1995, 310 стр.

27. Microwave Excited Plasmas. // Ed. by M. Moisan, J. Pelletier. Amsterdam, Elsevier, 1992,519pp.

28. Данилин Б.С., Сырчин B.K. Магнетронные распылительные системы. M.: «Радио и связь», 1982.

29. А.А. Орликовский. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть I. Реактивное ионное травление. // Микроэлектроника, 1999, т. 28, №5, с. 344-362.

30. А.А. Орликовский. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть II. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники.//Микроэлектроника, 1999, т. 28, №6, с. 415-426.

31. Н. Conrads, М. Schmidt. Plasma generation and plasma sources. // Plasma Sources Sci.

32. Technol., 2000, v. 9, p. 441-454.

33. А.А. Орликовский. Плазма в субмикронной технологии микроэлектроники. В кн.: Энциклопедия низкотемпературной плазмы./ под редакцией В.Е. Фортова, М., «Наука», МАИК «Наука/Интерпериодика», 2000, вводный том IV, Раздел XI.5.2,.стр. 370-386.

34. Olthoff J.K., Greenberg К.Е. The Gaseous Electronics Conference RP Reference Cell An1.troduction.// J. Res. Nat. Inst. Standards & Technol., 1995, v.100, no.4, pp. 327-339.

35. Brake M.L., Pender J., Fournier J. The Gaseous Electronic Conference (GEC) reference cellas a benchmark for understanding microelectronics processing plasmas.// Phys. of Plasmas, 1999, v.6, no.5, pp. 2307-2313.

36. Райзер Ю.П. Безэлектродные разряды среднего давления в высокочастотных и частотно-импульсных полях. // Физика плазмы, 1979, т. 5, с. 408-416.

37. В.Ф. Лукичев. Теоретическое исследование глубокого анизотропного травления кремниевых структур в низкотемпературной плазме.// Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. М., 1997. 163 стр.

38. J. Hopwood, T.D. Mantei. Application-driven development of plasma source technology. //

39. J. Vac. Sci. Technol. A , 2003, v.21 no. 5, p.l 139-1144.

40. B.A. Довженко, А.П. Ершов, А.А. Кузовников. О правильном учете кулоновских столкновений при расчете коэффициентов переноса.// ЖТФ, 1980, т. 50, № 7 , с. 1532.

41. В.А. Годяк. Статистический нагрев электронов на осциллирующей границе плазмы.//

42. ЖТФ, 1971, т. XLI, №7, стр. 1364-1368.

43. М.М. Turner. Collisionless electron heating in an inductively coupled discharge. // Phys.

44. Rev. Lett., 1993, v. 71, no. 12, p. 1844-1847.

45. Александров А.Ф., Богданкевич Л.С., Рухадзе А.А. Основы электродинамики плазмы. //М: Высшая школа, 1988, 408 с.

46. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich В.М. Probe diagnostics of non-Maxwellian plasmas. // J. Appl. Phys., 1993, v.73, p. 3657-3663.

47. K.B. Вавилин, А.А. Рухадзе, M.X. Ри, В.Ю. Плаксин. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. I. Источники плазмы в отсутствие магнитного поля.// ЖТФ, 2004, т. 74, № 5, с. 44-49.

48. К.В. Вавилин, В.Ю. Плаксин, М.Х. Ри, А.А. Рухадзе. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. II. Источники плазмы в условиях аномального скин-эффекта.// ЖТФ, 2004, т. 74, № 6, с 25-28.

49. К.В. Вавилин, А.А. Рухадзе, М.Х. Ри, В.Ю. Плаксин. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических приложений. III. Геликонные источники плазмы. // ЖТФ, 2004, т. 74, № 6, с 29 34.

50. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich В.М. Electrical characteristics and electron heating mechanism of an inductively coupled argon discharge. // Plasma Sources Sci. Technol., 1994, v.3, no. 2, p.169-176.

51. Godyak V.A., Piejak R.B. Electromagnetic field structure in a weakly collisional inductivelycoupled plasma. // J. Appl. Phys., 1997, v.82, p. 5944-5947.

52. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M. Experimental setup and electrical characteristics of an inductively coupled plasma. // J. Appl. Phys., 1999, v.85, p. 703-712.

53. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M. Electron energy distribution function measurements and plasma parameters in inductively coupled argon plasma. // Plasma Sources Sci. Technol., 2002, v.l 1, p.525-543.

54. Godyak V. A., Kolobov V. I. Negative Power Absorption in Inductively Coupled Plasma //

55. Phys. Rev. Lett., 1997, v. 79, no. 23, p. 4589-4592.

56. Godyak V. A., Piejak R. В., Alexandrovich В. M., Kolobov V. I. Experimental Evidence of

57. Collisionless Power Absorption in Inductively Coupled Plasmas. // Phys. Rev. Lett. 1998, v. 80, no. 15, p. 3264-3267.

58. Godyak V. A., Piejak R. В., Alexandrovich В. M. Observation of Second Harmonic Currentsin Inductively Coupled Plasmas. //Phys. Rev. Lett, 1999, v. 83, no. 8, p. 1610-1612.

59. Godyak V. A., Piejak R. В., Alexandrovich В. M., Kolobov V. I. Hot plasma and nonlineareffects in inductive discharges. //Phys. of Plasmas, 1999, v. 6, no. 5, p. 1804-1812.

60. Chen F.F., Boswell R.W. Helicons-the past decade. // IEEE Trans. Plasma Sci., 1997, v.25,no.6, p. 1245-1257.

61. V. M. Shibkov, V.A. Chernikov, S.A. Dvinin, A.P. Ershov, A.A. Karachev, L.V. Shibkova,

62. O.S. Surkont, A.V. Voskanyan. Microwave discharge on external surface of quartz plate.// Proc. of SPIE, 2004, v. 5401, p. 47-55.

63. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностьютвердого тела. // М, Мир, 1995, 319 с.

64. Coburn J.W., Winters H.F. Plasma etching—A discussion of mechanisms. // J.Vac.Sci.

65. Technol., 1979, v.16, no. 2, p.391 403.

66. Meeks E.R., Larson S., Ho P., Apblett C., Han S.M., Edelberg E., Aydil E.S. Modeling of

67. Si02 deposition in high density plasma reactors and comparisons of model predictions with experimental measurements. // J.Vac.Sci. Technol. A, 1998, v. 16, no. 2, p.544-563.

68. Stout P.J., Kushner M.J. Monte Carlo simulation of surface kinetics during plasma enhancedchemical vapor deposition of Si02 using oxygen/tetraethoxysilane chemistry. // J.Vac.Sci. Technol. A, 1993, v.l 1, no. 5, p.2562-2571.

69. Hodson Ch. Plasma ALD Atomic Layer Deposition. // Workshop on Silicon dry processing for Nanoelectronics and Micromechanics. Aahen, (Germany), 13-14 Sept. 2006.

70. Handbook of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition. // Ed. by A. Anders. N.

71. Y., John Wiley & Sons, 2000, 736 pp.

72. X. Риссел, Б. Руге. Ионная имплантация. М., «Мир», 1978.

73. Cheung N.W. Plasma immersion ion implantation for semiconductor processing. // Mat.

74. Chem. and Phys., 1996, v. 46, no. 2, pp. 132-139.

75. Giapis K.P. and Hwang G.S. Plasma interactions with high aspect ratio patterned surfaces:ion transport, scattering, and the role of charging. // Thin Solid Films 2000 Vol. 374 P. 175-180.

76. Rangelov I.W. Critical tasks in high aspect ratio silicon dry etching for MEMS. // Materialsof Workshop on Silicon dry processing for Nanoelectronics and Micromechanics. Aahen, (Germany), 13-14 Sept. 2006.

77. Samukava S., Noguchi K., Colonel J.I., Bogart K.H. et al. Reduction of plasma induceddamage in an inductively coupled plasma using pulsed source power. // J. Vac. Sci. Technol. A., 2000, v. 18, issue 2, pp. 834-840.

78. Hwang G.S. and Giapis K.P., Mask Charging Effects on Feature Profile Evolution During

79. High-Density Plasma Etching //Electrochem. Soc. 1998 Vol. 152 P. 66-70.

80. En M. and Cheung N., Modelling of charging effects in plasma immersion ion implantation

81. Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. 1995 Vol. В 96, P. 435-439.

82. Shin H.C., Hu Ch. Thin oxide damage due to plasma processing. // Semicond. Sci. Technol.,1996, v. 11, p.463-473.

83. Gyeong S.H. and Giapis K.P., Pattern-Dependent Charging in Plasmas: Electron Temperature Effects // Phys. Rev. Lett. 1997 Vol. 79, P. 845-848.

84. T. Ohmi, M. Hirayama, A. Teramoto. New era of silicon technologies due to radical reactionbased semiconductor manufacturing. // J.Phys.D: Appl.Phys., 2006, v. 39, p. R1-R17.

85. Flamm D.L., Donnely V. M. , Mucha J.A. The reaction of fluorine atoms with silicon. //

86. J.Appl.Phys., 1981, v.52, no.5, p.3633-3639.

87. Goodyear A. Endpoint Detection for Plasma Etching. // Materials of Workshop on Silicondry processing for Nanoelectronics and Micromechanics. Aahen, (Germany), 13-14 Sept. 2006.

88. Allen R.L., Moore R., Whelan M. Application of neural networks to plasma etch end pointdetection. // J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14, no.l, pp. 498-503.

89. Rietman E.A., Lee J. T.-C. Dynamic images of plasma processes: Use of Fourier blobs forendpoint detection during plasma etching of patterned wafers. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1998, v.16, no.3, pp. 1449-1453.

90. Rietman E.A., Layadi N., Downey S.W. Use of ortogonal polynomial functions for endpointdetection during plasma etching of patterned wafers. // J.Vac.Sci.Technol. B, 2000, v. 18, no.5, pp. 2500-2504.

91. Уоссермен Ф. Нейрокомпьютерная техника. Теория и практика. // М., Мир, 1972, 238с.

92. McNevin S.C., Cerulo М. Diagnosing Si02 contact etch stop with optical emission. //

93. J.Vac.Sci.Technol. A, 1997, v.15, no. 3, p.659 663.

94. Coburn J.W., Chen M. Optical emission spectroscopy of reactive plasmas: A method forcorrelating emission intensities to reactive particle density. // J.Appl.Phys., 1980, v.51, no.6,p.3134-3136.

95. Granier A., Chereau D., Henda K., Safari R., Leprince P. Validity of actinometry to monitoroxygen atom concentration in microwave discharges created by surface wave in 02-N mixtures. //J.Appl.Phys., 1994, v. 75, no.l, p. 104-114.

96. Ibbotson D.E., Flamm D.L., Donnely V.M. Crystallographic etching of GaAs with bromineand chlorine plasmas. // J.Appl.Phys., 1983, v. 54, no.10, p.5974-5981.

97. Gottscho R.A., Davis G.P., Burton R.H. Spatially Resolved laser-Induced Fluorescence and

98. Optical Emission Spectroscopy of Carbon Tetrachloride Glow Discharges. // Plasma Chem. Plasma Proc., 1983, v. 3, no.2, p.193-218.

99. Gottscho R.A., Donnely V.M. Optical emission actinometry and spectral line shapes in rfglow discharges. // J.Appl.Phys., 1984 v. 56, no.2, p.245-262.

100. Jenq J.S., Ding J., Taylor J.W., Hershkowitz N. Absolute fluorine atom concentrations in

101. RIE and ECR CF4 plasmas measured by actinometry. // Plasma Sources Sci.Technol., 1994, v. 3, p.154.

102. Shogun V. , Tyablikov A. , Shelyhmanov E. , Abachev M., Sharf W., Wallendorf T.

103. Application of an acousto-optic spectrometer for plasma etching process quality control. // Surf. And Coat. Technol., 1995, v. 74-75, p.571-574.

104. Malyshev M.V., Donnely V.M. Determination of electron temperature in plasmas bymultiple rare gas optical emission, and implication for advanced actinometry. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1997, v. 15, no. 3, p.550 558.

105. Malyshev M.V., Fuller N.C. , Bogart K.H.A., Donnely V.M. Laser-induced fluorescenceand Langmuir probe determination of Cl2+ and Cl+ absolute densities in transformer-coupled clorine plasmas. // Appl.Phys.Lett., 1999, v.74, no. 12, p. 1666 1668.

106. Steffens K.L., Sobolewski M.A. Planar laser-indused fluorescence of CF2 in 02/CF4 and02/C2F6 chamber cleaning plasmas: Spatial uniformity and comparison to electrical measurements. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1999, v.17, no. 2, p.517 527.

107. Itabashi N., Kato K., Nishiwaki N., Goto Т., Matsuda A., Yamada C., Hirota E. Spatial

108. Distribution of SiH3 Radicals in RF Silane Plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. Pt.2, 1990, v.29, no. 3,p. L505-L507.

109. Takanashi K., Hori M., Maruyama K., Kishimoto S., Goto T. Measurements of the CF, CF2,and CF3 Radicals in CHF3 Electron Cyclotron Resonance Plasma. // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, v.32, no. 5A, p. L694-L697.

110. Miyata K., Hori M. , Goto T. CFX (x=l-3) radical densities during Si, Si02, and Si3N4etching employing electron cyclotron resonance CHF3 plasma. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1997, v,15,no. 3, p.568 572.

111. Kawai Y., Sasaki K., Kadota K. Comparison of Fluorine Atom Density Measured by

112. Actinometry and Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy. // Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 1997, v.36, no. 9A/B, p. LI261-LI264.

113. Tachibana K., Kamisugi H. Vacuum-ultraviolet laser absorption spectroscopy for absolutemeasurement of fluorine atom density in fluorocarbon plasmas. // Applied Physics Lett., 1999, v.74, no. 16, p. 2390 2392.

114. Пупышев A.A., Суриков B.T. Масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой.

115. Образование ионов. //. Екатеринбург: УРО РАН, 2006. 276 с.

116. Day А.Р., Field D.,Klemperer D.F., Song.Y.P. Reexamine Mass Spectrometry for Endpoint

117. Detection. // Semicond. International, 1989, v. 12, no.l 1, p. 110-113.

118. Wan Z., Liu J., Lamb H.H. Electron cyclotron resonance plasma reactor for Si02 etching:

119. Process diagnostics, end-point detection, and sufface characterization. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1995, v.13, no 4, p.2035- 2043.

120. Tomas S., Chen H.H., Hanish C.K., Grizzle J.W., Pang S.W. Minimized response time ofoptical emission and mass spectrometric signals for optimized endpoint detection. // J.Vac.Sci.Technol. B, 1996, v.14, no 4 , p.2531- 2536.

121. Sung K.-T., Pang S.W. Mass Spectrometry, Optical Emission Spectroscopy, and Atomic

122. Force Microscopy Studies of Si Etch Characteristics in Cl2 Plasma Generated by an Electron Cyclotron Resonance Source. // Jpn.J.Appl.Phys., Part 1, 1994, v.33, no 12B, p.7112-7116.

123. Chowdhury A.I., Klein T.M., Anderson T.M., Parsons G.N. Silane consumption and conversion analysis in amorphous silicon and silicon nitride plasma deposition using in situ mass spectrometry. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1998, v. 16, no 3, p. 1852 1856.

124. Mott-Smith H, Langmuir I. The Theory of Collectors in Gaseous Discharges. // Phys. Rev., 1926, v.28, no.4, p.727-763.

125. Каган Ю.М., Перель В.И. Зондовые методы исследования плазмы. // УФН, 1963, т. 81, №3, с. 409-452.

126. Чен Ф. Электрические зонды. // В кн.: Диагностика плазмы. / Под ред. Р.Хаддлстоуна, С.М. Леонарда. М.; Мир, 1967.

127. Демидов В.И., Колоколов Н.Б., Кудрявцев А.А. Зондовые методы исследованиянизкотемпературной плазмы. // М.: Энергоатомиздат, 1996.

128. Ю.А. Лебедев. Введение в зондовую диагностику плазмы пониженного давления. // М.: МИФИ, 2003, 56 с.

129. Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.С. Методы контактной диагностики внеравновесной плазмохимии, с. 143. Москва, Наука, 1981.

130. Swift I.D. Effects of finite probe size in the determination of electron energy distributionfunctions. // Proc. Phys. Soc., 1962, v. 19, p. 627 705.

131. Мальков M.A., Девятов A.M., Кузовников A.A., Ершов А.П. Зондовая диагностикаплазмы газоразрядных источников света. // Саранск, Изд-во Мордовского ун-та, 1991, 96 с.

132. Ершов А.П., Исаев К.Ш., Калинин А.В., Соколов А.Б., Орликовский А.А. Особенности применения зондов для диагностики низкочастотного разряда в смеси СВгРз/Аг в диодном плазмохимическом реакторе. // М.: Наука, Труды ФТИАН, 1993, т.6, с. 17-34.

133. Allen J.E., Boyd R.L.F., Reynolds P. The Collection of Positive Ions by a Probe Immersedin a Plasma. // Proc. Phys. Soc. B, 1957, v.70, issue 3, p. 297-304.

134. H. Amemiya, B.M. Annaratone, J.E. Allen. The collection of positive ions by spherical andcylindrical probes in an electronegative plasma. // Plasma Sources Sci. Technol., 1999, v. 8, p. 179- 190.

135. Chen F.F. Langmuir probe analysis for high-density plasmas. // Phys. Of Plasmas, 2001,v.8, no.6, pp. 3029-3041.

136. P. Bryant, A. Dyson, J.E. Allen. Langmuir probe measurements of weakly collisionalelectronegative RF discharge plasmas. // J. Phys. D, v. 34, 2001, p. 95 104.

137. N. J. Braithwaite, J.E. Allen. Boundaries and probes in electronegative plasmas. // J. Phys.

138. D, 1988, v. 21, no. 12, 1733-1738.

139. H. Amemiya. Probe diagnostics in negative ion containing plasmas. // J. Phys.Soc. of

140. Japan, 1988, v. 57, no. 3, p. 887-902.

141. H. Amemiya. Plasmas with negative ions probe measurements and charge equilibrium. //

142. J. Phys. D, 1990, v. 23, p. 999-1014.

143. J. Hopwood, C.R. Guarnieri, S.J. Whitehair, J.J. Cuomo. Langmuir probe measurements ofa radio frequency induction plasma. // J. Vac. Sci. Technol. A., 1993, v. 11, p. 152-156.

144. Chen F.F., Sudit I.D. RF-compensated probes for high density discharges. Plasma Sources

145. Sci. Techno 1., v. 3, p. 162-168 (1994).

146. Маишев Ю.П., Фареник В.И., Шевченко A.B., Будянский A.M., Дудин С.В., Зыков

147. А.В. Специфика диагностики параметров плазмы электрическими зондами в процессах ионно-лучевого и плазмохимического травления. // М.: Наука, Труды ФТИАН, 1999, т. 15, с. 86 116.

148. Dalton Т., Conner W., Sawin Н. Interferometric Real-Time Measurement of Uniformity for

149. Plasma Etching. // J. Electrochem. Soc., 1994, v.141., no.7, pp. 1893- 1899.

150. Tepermeister I., Conner W.T., Alzaben Т., Barnard H., Gehlert K., Scipione D. In situmonitoring of product wafers. // Solid State Technol., 1996, v.39, no.3, pp.63-68.

151. Wong K., Boning D.S., Sawin H.H., Butler S.W., Sachs E.M. Endpoint prediction forpolysilicon plasma etch via optical emission interferometry. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v.15, no.3, pp. 1403-1408.

152. Kawata H., Fucuda H., Matsunaga Т., Yasuda M., Murata K. In Situ Measurements of the

153. Resist Etch Rate for Submicron Patterns. // Jpn. J. Appl. Phys., Pt.l, 1999, v.38, no.7B, pp. 4478-4482.

154. Khamsehpour В., Wilkinson C.D.W., Chapman J.N. Use of laser reflectometry for endpoint detection during the etching of magnetic thin films. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v.15, no.4, pp. 2069-2073.

155. Stutzman B.S., Huang H.-T., Terry F.L. Two-channel spectroscopic reflectometry for insitu monitoring of blanket and patterned structures during reactive ion etching. // J. Vac. Sci. Technol. B, 2000, v. 18, no.6, pp. 2785-2793.

156. Аззам P.H.M., Башара H.M. Эллипсометрия и поляризованный свет. // М., Мир, 1981,583 с.

157. Борн М, Вольф Э. Основы оптики. /Под ред. Мотулевич Г.П. // М., Изд. «Наука»,1970, 855 с.

158. Henk S.A. In situ real-time ellipsometry for film thickness measurement and control. // J.

159. Vac. Sci. Technol. A, 1992, v.10, no. 4, pp. 934 938.

160. Haverlag M., Kroesen G.M.W., de Zeeuw C.J.H., Creyghton Y., Bisschops T.H.J. In situellipsometry during plasma etching of Si02 films on Si. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1989, v.7, no.3, pp. 529-534.

161. Arimoto H. Monitoring of subquartermicron line and space pattern by ellipsometry. // J.

162. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v.15, no.6, pp. 2151-2154.

163. Kildemo M., Bulkin P., Drevillon B. Real time control of plasma deposited multilayers bymultiwave length ellipsometry. Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, no.24, pp. 3395-3397.

164. Hayashi Y., Nakamura H., Nagahiro M., Nishino S. Ellipsometric Monitoring of First

165. Stages of Diamond Nucleation in a Bias-Enhanced Surface-Wave-Excited Microwave Plasma. // Jpn. J. Appl. Phys., Pt. 1, 1999, v.38, no.7B, pp. 4508-4511.

166. Vallier L., Desvoivres L., Bonvalot M., Joubert O. Thin gate oxide behavior during plasmapatterning of silicon gates. //Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, no.8, pp. 1069-1070.

167. Pickering C., Russel J., Nayar V., Imschweiler J., Wille H., Harrington S., Wiggins C.,

168. Stehle J.-L., Piel J.-P., Bruchez J. Evaluation of automated spectroscopic ellipsometry for in-line process control -ESPIRIT Semiconductor EquipmentAssessment (SEA) Project "IMPROVE". // Thin Solid Films, 1998, v.313 314, pp. 446-453.

169. Blayo N., Cirelli R.A., Klemens F.P., Lee J.T.-C. Ultraviolet-visible ellipsometry for process control during the etching of submicrometer features. // J. Opt. Soc. Am. A, 1995, v.12, no.3, pp.591-599.

170. Hilfiker J.N., Synowicki R.A. Spectroscopic ellipsometry for process applications. // Solid

171. State Technol., 1996, v.39, no.10, pp.157-167.

172. Lee J.T.-C., Blayo N., Tepermeister I., Klemens F.P., Mansfield, Ibbotson D.E. Plasma etching process development using in situ optical emission and ellipsometry. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, v.14, no.5, pp. 3283-3290.

173. Maynard H.L., Layadi N., Lee J.T.-S. Multiwavelength ellipsometry for real-time processcontrol of the plasma etching of patterned samples. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v. 15, no.l, pp. 109-115.

174. Maynard H.L., Layadi N., Lee J.T.-S. Plasma etching of submicron devices: in situ monitoring and control by multiwavelength ellipsometry. // Thin Solid Films, 1998, v.313-314, pp. 398-405.

175. Vallon S., Joubert 0.,Vallier L., Ferrieu F., Drevillon В., Blayo N. Real-time ultraviolettellipsometry monitoring of gate patterning in a high density plasma. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, no.3, pp. 865-870.

176. Магунов A.H. Лазерная термометрия твердых тел в плазме. // Приборы и техникаэксперимента, 2000, № 2, с.3-28.

177. С.Т. Gabriel, A.S. Ginwalla. Measuring and controlling wafer temperature during plasmaetching. // Micro magazine, 2001, issue 6, p. 38.

178. Loewenhardt P., Zawalski W., Ye Y., Zhao A., Webb T.R., Tajima D., Ma D.X. Plasma Diagnostics: Use and Justification in an Industrial Environment. // Jpn.J.Appl.Phys., Part 1, 1999, v.38, no. 7B, pp. 4362-4366.

179. V. Godyak. Plasma phenomena in inductive discharges. // Plasma Phys. Control. Fusion, 2003, v. 45, pp. A399-A424.

180. Годяк B.A., Оке C.H. О корректности измерений ФРЭЭ в ВЧ плазме. // ЖТФ, 1979, т. 49, вып.7, с. 1408-1411.

181. Годяк В.А., Попов О.А. О зондовой диагностике ВЧ плазмы. // ЖТФ, 1977, т. 47, с.766-771.

182. Hutchinson I.H. Principles of Plasma Diagnostics. //Cambridge, Univ.Press, 2002, 2-nd edition, 440 pp.

183. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M. Measurements of electron energy distribution in low-pressure RF discharges. // Plasma Sources Sci. Technol., 1992, v. 1, p. 36-58.

184. Kono A. Negative ions in processing plasmas and their effect on the plasma structure. // Applied Surface Science, 2002, v. 192, pp. 115-134.

185. Franklin R.N. The plasma-sheath boundary region. // J. Phys. D, 2003, v. 36, p. R309-R320.

186. Chatterton P.A., Rees J.A., Wu W.I., Al-Assadi K. A self-compensating Langmuir probe for use in RF (13.56 MHz) plasma systems. // Vacuum, 1991, v. 42, no.7, p.489-493.

187. Karoulina E.V., Lebedev Yu.A. Computer simulation of microwave and DC plasmas: comparative characterization of plasmas. // J. Phys. D, 1992, v. 25, p. 401-412.

188. Sung K.T., Juan W.H., Pang S.W. Dependence of etch characteristics on charge particles as measured by Langmuir probe in multipolar electron cyclotron resonance source. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1994, v. 12, no. 1, p. 69-74.

189. Gudmundsson J.T., Kouznetsov, Patel K.K., Liberman M.A. Electronegativity of low-pressure high-density oxygen discharges. // J.Phys.D., 2001, v. 34, pp. 1100 1109.

190. Lagarde Т., Arnal Y., Lacoste A., Pelletier J. Determination of the EEDF by Langmuir probe diagnostics in a plasma excited at ECR above a multipolar magnetic field. // Plasma Sources Sci. Technol., 2001, v. 10, pp. 181-190.

191. H. Sugai, I. Ghanashev, M. Hosokava, K. Mizuno, K. Nakamura, H. Toyoda, K. Yamauchi. Electron energy distribution functions and the influence on fluorocarbon plasma chemistry. // Plasma Sources Sci. Technol., 2001, v. 10, pp. 378-385.

192. B.-W. Koo, N. Hershkowitz, M. Sarfary. Langmuir probe in low temperature, magnetized plasmas: Theory and experimental verification // J. Appl. Phys., 1999, v. 86, no. 3, pp.1213-1220.

193. I. P. Ganachev, H. Sugai. Production and control of planar microwave plasmas for materials processing. // Plasma Sources Sci. Technol. A, 2002, v. 11, pp. 178-190.

194. Kimura Т., Ohe K. Investigation of electronegativity in a radio-frequency Xe/SF6 inductively coupled plasma using a Langmuir probe. // Appl. Phys. Lett., 2001, v. 79, no. 18, p.2874-2876.

195. Christophorou L. G., Olthoff J. K. Electron Interactions with SF6 . // J. Phys. Chem. Ref. Data, 2000, v. 29, iss. 3, pp. 267-330.

196. Yazawa H., Tonegawa A., Ono M., Shibuya Т., Kawamura K. Observation and Modelingof Molecular and Atomic Ions in Hydrogen Plasma. // Jap. J. Appl. Phys., part B, 2006, v. 45, no. 10, pp. 8208-8211.

197. Tonegawa A., Kumita K., Ono M., Shibuya Т., Kawamura K. Characteristics of Hydrogen

198. Negative Ions in Sheet Plasma. // Jap. J. Appl. Phys., part B, 2006, v. 45, no. 10, pp. 8212-8216.

199. Гурович Б.А., Долгий Д.И., Кулешова E.A., Велихов Е.П., Ольшанский Е.Д.,

200. Домантовский А.Г., Аронзон Б.А., Мейлихов Е.З. Управляемая трансформация электрических, магнитных и оптических свойств материалов ионными пучками. // УФН, 2001, т. 171, вып. 1, с. 105-117.

201. Shindo М., Hiejima S., Ueda Y., Kawakami S., Ishii N., Kawai Y. Parameters measurement of ECR C4F8/Ar plasma. // Thin Solid Films, 1999, v. 345, p.130 -133.

202. Hopwood J., Mantei T.D. Application-driven development of plasma source technology. //

203. J. Vac. Sci. Technol. A, 2003, v. 21, no 5, pp. S139-S144.

204. Leou K.-C., Tsai S.-C., Chang C.-H., W.-Y. Chiang, T.-L. Lin, and Tsai C.-H.

205. Experimental characterization of an inductively coupled plasma discharge using a shape-adjustable coil. // Jpn. J. Appl. Phys., 1999, v. 38, pp. 4268-4274.

206. Marwan H., Khater S., Overzet L. J. A new inductively coupled plasma source design with improved azimuthal symmetry control. // Plasma Sources Sci. Technol., 2000, v.9, no.4, pp.545-561.

207. Meziani Т., Colpo P., Rossi F. Design of a magnetic-pole enhanced inductively coupled plasma source. // Plasma Sources Sci. Technol., 20001, v. 10, pp. 276-283.

208. Srinivasan S., Marquis O., Pratti L., Khater M.H., Goecker M.J., and Overzet L.J. The effect on plasma properties of a current node on inductively coupled plasma sources. // Plasma Sources Sci. Technol. 2003, v. 12, pp. 432-442.

209. Pelletier J., Arnal Y., Moissan M. Interest of Plasma Confinement and its Limits. / Chap.9 in "Microwave Excited Plasmas". // Ed. by M. Moisan, J. Pelletier. Amsterdam, Elsevier, 1992, pp. 249-271.

210. Kasner W.H., Biondi M.A. Electron-Ion Recombination in Nitrogen. // Phys. Rev. A, 1965, v. 137, pp.317-329.

211. J.B. Hasted. Physics of atomic collisions. 2nd ed. //London, Butterworths, 1972, 773 pp.

212. Boffard J.B, Lin C.C., DeJoseph C.A. Application of excitation cross sections to optical plasma diagnostics. // J. Phys. D., 2004, v. 37, p. R143 R161.

213. WalkupR.E., SaengerK.L., SelwynG.S. Studies of atomic oxygen in 02+CF4 rf discharges by two-photon laser-induced fluorescence and optical emission spectroscopy. // J. Chem. Phys., 1986, v. 84, p. 2668 2674.

214. Katsch H.M., Tewes A., Quandt E., Goehlich A., Kawetzki Т., Dobele H.F. Detection of atomic oxygen: Improvement of actinometry and comparison with laser spectroscopy. // J.AppLPhys., 2000, v.88, no. 11, p.6232-6238.

215. Fuller N.C.M., Malyshev M.V., Donnelly V.M., Herman I.P. Characterization of transformer coupled oxygen plasmas by trace rare gases-optical emission spectroscopy and Langmuir probe analysis. // Plasma Sources Sci. Technol., 2000, v.9, pp.116-127.

216. Kiss L.D.B., Nicolai J.-P., Conner W. Т., Sawin H.H. CF and CF2 actinometry in a CF4/Ar plasma. //J.Appl.Phys., 1992, v. 71, no. 7, pp. 3186-3192.

217. Kawata H., Takao Y., Murata K., Nagami K. Optical emission spectroscopy of CF4+02 plasmas using a new technique. // Plasma Chem. And Plasma Proc., 1988, v. 8, no. 2, pp. 189-206.

218. R. Lamendola, R. dAgostino. Process control of organosilicon plasmas for barrier film preparations. // Pure & Appl. Chem., 1998, v. 70, no. 6, pp. 1203-1208.

219. Балакший В.И., Парыгин B.H., Чирков Л.И. Физические основы акустооптики. // М., Радио и связь, 1985, 280 с.

220. Ельяшкевич М.А. Атомная и молекулярная спектроскопия. / М., «Эдиториал УРСС», 2-е изд., 2001, 896 с.

221. Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. / М., «Наука», Гл. ред. Физ.-мат. лит., 1979, 480 с.

222. Zaidel' A.N., Prokof ev V.K., Raiskii S.M., Slavnyi V.A., ShreiderE.A. Tables of Spectral Lines. // IFI/Plenum, N.-Y. London, 1970, 782 pp.

223. Рабинович В. А., Хавин 3. Я. Краткий химический справочник. // Л., 1978, 376 с.

224. McKillop J.S., Forster J.C., Hollber W.M. Optical emission characterization of a divergent magnetic field electron cyclotron resonance source. // J.Vac.Sci.Technol. A, 1989, v.7, no.3, p. 908-913.

225. Очкин B.H. Спектроскопия низкотемпературной плазмы. //M., Физматлит, 2006, 471 с.

226. Mortret О, Hibert С, Pellerin S. Rotational temperature measurements in atmospheric pulsed DBD Gas temperature and molecular fraction effects. // J. Phys. D, 2000, v. 33, p. 1493-1498.

227. Pellerin S, Musiol K, Mortret O, Pokrzywka В and Chapelle J. Application of the (0,0) Swan band spectrum for temperature measurements. // J. Phys. D, 1996, v. 29, p. 28502865.

228. Vivien C, Hermann J, Peronne A and Boulmer-Leborgne C. A study of molecule formation during laser ablation of graphite in low-pressure ammonia. // J. Phys. D, 1999, v. 32, pp. 518-528.

229. Chelouah A, Marode E, Hartmann G, Achat S. A new method for temperature evaluationin a nitrogen discharge. J. Phys. D, 1994, v. 27, p.940-945.

230. Chelouah A, Marode E, Hartmann G. Measurement of rotational and vibrational temperatures in a low-pressure plasma device using the Abel transform and a spectral slit function. // J. Phys. D, 1994, v. 27, p. 770-780.

231. H. Nassar, S. Pellerin. N 2/ N2 ratio and temperature measurements based on the first negative N+2 and second positive N2 overlapped molecular emission spectra. // J. Phys. D, 2004, v. 37, p.1904-1916.

232. Карачев A.A., Шибков B.M., Шибкова JI.B. Измерение температуры газа по неразрешенной структуре молекулярных спектров. // Труды XXX Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, 2003, с. 222.

233. Лебедев Ю.А., Шахатов В.А., Frayssines Р.Е., Bonifaci N., Denat A., Lesaint O., Атражев B.M. Спектральные исследования параметров стримера в жидком азоте. // Труды XXXIII Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, 2006, с. 222.

234. Czernichowski A. Temperature evaluation from the partially resolved 391 nm N2+ band. // J. Phys. D, 1987, v. 20, no. 5, p. 559-564

235. Goyette A, Jameson W, Anderson Land Lawler J. An experimental comparison of rotational temperature and gas kinetic temperature in H2 discharge. // J. Phys. D, 1996, v. 29, p. 1197-1201.

236. Герцберг Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М. Издательство иностранной литературы, 1949.

237. Лебедев Ю.А., Шахатов В.А. Диагностика неравновесной азотной плазмы по излучению второй положительной системы азота. // Физика плазмы, 2006, т.32, № 1, с. 58-74.

238. Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The Identification of Molecular Spectra. // N.-Y., John Wiley & Sons, 4-th edition, 1976, 407 pp.

239. PGOPHER: Simulator of Rotational Structure of Spectra, ver. 5.1.164, 2005, http://pgopher.chm.bris.ac.uk.

240. Hartmann G, Johnson P. Measurements of relative transition probabilities and the variation of the electronic transition moment for N2 С3 Пи+ —>• (В3 ng+ second positive system. J. Phys. В.: Atom. Molec. Phys., Vol. 11, No 9, 1978.

241. Kovacs I. Rotational structure in the spectra of diatomic molecules. Budapest: Akademiai Kiado, 1969.

242. Оторбаев Д.К., Очкин B.H., Рубин П.Л. Электронно-возбужденные молекулы в неравновесной плазме. // М., Наука, 1985.

243. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том. //Под ред. В.Е. Фортова.1. М., Наука, 2000.

244. Booth, J. P.; Abada, Н.; Chabert, P.; Graves, D. B. CF and CF2 radical kinetics andtransport in a pulsed CF4 ICP. Plasma Sources Sci. Technol., 2005, v. 14, no. 2, pp. 273282.

245. M. Shimada, G. R. Tynan, R. Cattolica. Neutral gas density depletion due to neutral gas heating and pressure balance in an inductively coupled plasma. // Plasma Sources Sci. Technol., 2007, v. 16, no.l, p. 193-199.

246. Магунов A.H, Лукин O.B., Малыпаков В.Г., Попов A.A. Тепловой баланс кремниевых и кварцевых пластин в плазмохимическом реакторе. // М.: Наука, Физматлит, Труды ФТИАН, 1997, т. 12, с. 99 120.

247. Борисов С.Ф, Балахонов Н.Ф., Губанов В.А. Взаимодействие газов с поверхностьютвердых тел. // М., Наука, 1988, 200 с.

248. Амиров И.И., Магунов А.Н. Температурная зависимость мощности, переносимой ионным потоком из плазмы на поверхность. // Труды XXVIII Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС, 2001.

249. Yun S., Taylor К., Tynan G. R. Measurement of radial neutral pressure and plasma density profiles in various plasma conditions in large-area high-density plasma sources. // Phys. Plasmas, 2000, v. 7, no. 8, p. 3448 3456.

250. Zangwill A. Physics at surfaces. // Cambridge, Univ. Press, 2001, 472 pp.

251. Sommerer T.J., Kushner M.J. Translationally hot neutrals in etching discharges. // J. Appl.

252. Phys., 1991, v. 70, no. 3, p. 1240- 1251.

253. Sankaran A., Kushner M.J. Fluorocarbon plasma etching and profile evolution of porouslow-dielectric-constant silica. // Appl. Phys. Lett, 2003, v. 82, no 12 , p. 1824 1826.

254. Tai-Ran Hsu. MEMS and Microsystems: Design and Manufacture. // N-Y.: McGraw-Hill, 2002, 436 pp.

255. Bogart K.H.A., Klemens F.P. et. al. Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon // J. Vac. Sci. Technol. A, 2000, v.l 8, p. 197-206.

256. Kim J.S., Rao M., Cappelli M.A. et al. Mass spectrometric and Langmuir probe measurements in inductively coupled plasmas in Ar, CHF3/Ar and CHF3/Ar/02 mixtures. //

257. Plasma Source Sci. Technol., 2001, v. 10, pp. 191-210.

258. Deguchi M., Itatani R. A novel and convenient method for monitoring processing plasma: The insulated pulse probe method. Jpn.J.Appl.Phys., 1998, v.37, pt.l, по.ЗА, p. 970-980.

259. Liberman M.A. Model of plasma immersion ion implantation.// J.Appl.Phys., 1989, v.66, p.2926-2929.

260. Физические величины: справочник. /Под ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. // М.; Энергоатомиздат, 1991, 1232 с.

261. Okino F., Touhara Н. Graphite and Fullerene Intercalation Compounds// Comprehensive Supramolecular Chemistry / Ed. By J.L. Atwood et al. // Oxford: Pergamon Press, 1996, v. 7, p. 25-76.

262. Stamate E., Ohe K. On the surface condition of Langmuir probes in reactive plasmas. // Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, no.2, p. 153-155.

263. Hebner G.A., Abraham I.C. Surface dependent electron and negative ion density in SF6/argon gas mixtures. // J. Appl. Phys., 2002, v. 91, no. 12, p. 9539-9546.

264. Ершов А.П., Довженко B.A., Кузовников A.A., Оке С.Н. Об обработке вольтамперных характеристик зонда Ленгмюра в немаксвелловской плазме // Физика плазмы, 1981, т.7, № 3, с. 609.

265. Park В.-К., Kim D.-G., Kim G.-H. Analysis of Langmuir Probe Data Using Wavelet Transform.// IEEE Trans, of Plasma Science, 2004, v. 32, no. 2, p. 355-361.

266. Savitzky A. and Golay M.J.E. Smoothing and Differentiation of Data by Simplified Least Squares Procedures. // Analyt. Chem., 1964, v. 36, no. 8, p. 1627-1639.

267. Ершов А.П., Кузовников А.А. Энергетическое распределение электронов в плазме ВЧ-разряда низкого давления в ксеноне. // Физика плазмы, 1985, т. 11, вып.5, с. 618 -621.

268. Christophorou L. G., Olthoff J. К. Electron Interactions With SF6. // J. Phys. Chem. Ref.

269. Data, 2000, v. 29, no. 3, p. 267 330.

270. Smith Т.Н., Boning D.S. Artificial neural network exponentially weighted moving average controller for semiconductor processes. J.Vac.Sci.Technol. A, v.15, no.3, pp. 1377-1384 (1997).

271. Рабек Я. Экспериментальные методы в фотохимии и в фотофизике: В 2-х томах. Т. 1. / Пер. с англ. // М., Мир, 1985. 608 с.

272. Невзоров В.П., Словецкий Д.И., Шелыхманов Е.Ф. Кинетика образования и гибели атомарного фтора при разложении гексафторида серы в тлеющем ВЧ-разряде. // ХВЭ, 1987, т. 21, №5, с. 458 463.

273. Н.Н. Калиткин. Численные методы.// М., Наука, 1978, 512 с.

274. В. Johs et al. Recent Developments in Spectroscopic Ellipsometry for in situ Applications. //Proc. of SPIE, v. 4449, p. 41-57.

275. Ковалев В.И., Руковишников А.И. Импульсный спектральный эллипсометр с бинарной модуляцией состояния поляризации. // Приборы и техника эксперимента, 2003, №2, с. 162-163.

276. Ковалев В.И., Руковишников А.И. Компактный многоканальный спектроэллипсометр для ex-situ и in-situ измерений. // Приборы и техника эксперимента, 2003, № 2, с. 164-165.

277. McMillin В.К., Zachariah M.R. Two-dimensional imaging of CF2 density by laser-induced fluorescence in CF4 etching plasmas in the gaseous electronics conference reference cell. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, no. 2, pp. 230 237.

278. Steffens K.L., Sobolewski M.A. Planar laser-induced fluorescence of CF2 in 02/CF4 and 02/C2F6 chamber-cleaning plasmas: Spatial uniformity and comparizon to electrical measurements. // J. Vac. Sci. Technol. A, 1999, v.17, no. 2, pp. 517 527.

279. Booth J.P., Cunge G., Chabert P., Sadeghi N. CFX radical production and loss in CF4 reactive ion etching plasma: Fluorine rich conditions. // J. Appl. Phys., 1999, v. 85, no. 6, pp. 3097-3107.

280. Cunge G., Booth J.P. CF2 production and loss mechanisms in fluorocarbon discharges: Fluorine-poor conditions and polymerization. //. J.Appl.Phys., 1999, v. 85, no. 8, pp. 39523959.

281. Наттерер Ф. Математические аспекты компьютерной томографии. / Под ред. В.П. Паломодова. М., "Мир", 1990, 279 с.

282. Пикалов В.В., Преображенский Н.Г. Реконструктивная томография в газодинамике и физике плазмы. // Новосибирск, Изд. "Наука", 1987, 231 с.

283. Пикалов В.В., Мельникова Т.С. Томография плазмы. Новосибирск, Изд. «Наука», 1995, 221 с.

284. Hermen G. Image reconstructions from projections: The fundamentals of computerized tomography. // Ac. Press, New York, 1980, 352 p.

285. Chen F., Brown G.M., Song M. Overview of three-dimensional shape measurement using optical methods. // Opt. Engineering, 2000, v. 39, no. 1, pp. 10-22.

286. Тихонов A.H., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М., Наука, 1986, 287 с.

287. Okigawa A., Makabe Т., Shibagaki Т., Nakano N., Petrovic Z. Lj., Kogawa Т., Itoh A. Robot Assisted Optical Emission Tomography in an Inductively Coupled Plasma Reactor. //Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1996, v. 35, no. 3, pp. 1890-1893.

288. Okigawa A., Tadakoro M., Itoh A, Nakano N., Petrovic Z. Lj., Makabe T. Three Dimensional Optical Emission Tomography of an Inductively Coupled Plasma. // Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 1997, v. 36, no. 7B, pp. 4605-4616.

289. Benck E.C., Etemadi K. Fiber optic based optical tomography sensor for monitoring plasma uniformity. // Proc. of AIP Conference, 2001, v. 550, no.l, pp. 268-272.